KR20150082087A - 본드-온-트레이스 처리를 위한 돌출형 범프 패드 - Google Patents

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KR20150082087A
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유-민 리앙
지은 이 우
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Abstract

다이와 기판이 제공된다. 다이는 적어도 하나의 집적 회로 칩을 포함하고, 기판은 적어도 부분적으로 기판을 통해 연장되는 제1 및 제2 서브세트의 도전성 기둥부를 포함한다. 제1 서브세트의 도전성 기둥부 각각은 기판의 표면으로부터 돌출하는 돌출형 범프 패드를 포함하고, 제2 서브세트의 도전성 기둥부는 기판의 표면 내에 리세싱된 트레이스를 부분적으로 형성한다. 다이는 돌출형 범프 패드 중 하나와 다이 사이에서 각각 연장되는 복수의 도전성 범프를 통해 기판에 연결된다.

Description

본드-온-트레이스 처리를 위한 돌출형 범프 패드{PROTRUSION BUMP PADS FOR BOND-ON-TRACE PROCESSING}
본드-온-트레이스(Bond-on-Trace, BoT) 처리에 있어서, 단일화된 집적 회로(IC)는 다른 기판 상에 형성된 트레이스의 패드부를 접합하기 위해 플립 접속된다. 스킵 라인(skip line)이라고도 알려진 한 서브세트의 트레이스는 예컨대 팬아웃(fan-out) 용도로 접합 패드부 사이에 연장되는 트레이스를 포함한다. 그렇기 때문에, 트레이스 피치가 접합 패드 피치보다 작다. 그러나, 이렇게 이루어진 땜납 접합에서는 인접한 트레이스와의 접속을 의도치 않게 브릿지하였고, 트레이스 피치가 공통 테스트용 프로브의 직경 이하가 되면 프로브 테스트가 심하게 곤란하였다.
본 개시는 추가 기판이 형성되는 캐리어로부터 기판을 분리하는 단계를 포함하는 방법을 소개한다. 분리된 기판은 기판의 상단면 상의 도전성층과, 기판의 하단면으로부터 기판을 통해 도전성층까지 각각 연장되는 복수의 도전성 기둥부를 포함한다. 도전성층을, 제1 서브세트의 도전성 기둥부 각각의 상부를 제외하고 선택적으로 제거함으로써 제1 서브세트의 도전성 기둥부 각각의 위에는 돌출형 범프 패드가 형성된다.
본 개시는 또한 기판과, 기판의 제1면 상의 복수의 도전성 트레이스를 포함하는 장치를 소개한다. 도전성 기둥부는 기판의 제2면으로부터 기판을 통해 도전성 트레이스들 중 대응하는 트레이스까지 연장된다. 제1 서브세트의 도전성 트레이스로부터는 범프 패드가 돌출하지만, 제2 서브세트의 도전성 트레이스 각각은 기판의 제1면 내에 리세싱된다.
본 개시는 또한 다이와 기판을 제공하는 단계를 포함하는 방법을 포함하며, 상기 다이는 적어도 하나의 집적 회로 칩을 포함하고, 상기 기판은 기판을 통해 연장되는 제1 및 제2 서브세트의 도전성 기둥부를 포함한다. 제1 서브세트의 도전성 기둥부 각각은 기판의 표면으로부터 돌출하는 돌출형 범프 패드를 포함하고, 제2 서브세트의 도전성 기둥부 각각은 기판의 표면 내에 리세싱된 트레이스를 부분적으로 형성한다. 그리고 다이는 돌출형 범프 패드들 중 하나의 패드와 다이 사이에서 각각 연장되는 복수의 도전성 범프를 통해 기판에 연결된다.
본 개시는 첨부 도면을 참조한 이하의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 해당 산업계의 표준적 실무에 따라, 다양한 특징부를 실척으로 도시하지는 않는다. 사실상, 다양한 특징부의 치수는 설명의 편의상 임의대로 확대 또는 축소될 수 있다.
도 1은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 장치의 적어도 일부의 단면도이다.
도 2는 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른, 중간 제조 단계에 있는 장치의 적어도 일부의 단면도이다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 2에 도시한 장치의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다.
도 4는 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 3에 도시한 장치의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다.
도 5는 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 4에 도시한 장치의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다.
도 6은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 2에 도시한 장치의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 6에 도시한 장치의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 7에 도시한 장치의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다.
도 9은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 5에 도시한 장치의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다.
도 10은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 5에 도시한 장치의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다.
이하의 설명에서는 다양한 실시형태의 상이한 특징을 구현하기 위해 다수의 상이한 실시형태 또는 실시예를 제공한다. 본 개시를 단순화하기 위해 구성요소 및 구성의 특정 실시예에 대해 후술한다. 물론 이들은 예시일뿐이며, 한정되는 것을 목적으로 하지 않는다. 또한, 본 개시는 다양한 실시예에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복할 수 있다. 이 반복은 단순화 및 명확화를 위한 것이며, 그 자체가 설명하는 다양한 실시형태 및/또는 구성 간의 관계를 지시하지는 않는다. 또한, 이어지는 설명에 있어서 제2 특징부 위(over) 또는 상(on)의 제1 특징부의 형성은 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉으로 형성되는 실시형태를 포함할 수도 있고, 또한 제1 및 제2 특징부가 직접 접촉하지 않도록 제1 및 제2 특징부 사이에 추가 특징부가 형성될 수 있는 실시형태도 또한 포함할 수 있다.
도 1은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른, 중간 제조 단계에 있는 장치(10)의 적어도 일부의 단면도이다. 장치(10)는 기판(12)과, 그 기판의 한 면(16) 상에 배치된 복수의 도전성 트레이스(14)를 포함한다. 도전성 트레이스(14) 중 대응하는 트레이스로부터 기판(12) 내로 도전성 부재(18)가 연장될 수 있다. 제1 서브세트의 도전성 트레이스(14) 중 하나의 트레이스로부터 범프 패드(20)가 각각 돌출한다. 제2 서브세트의 도전성 트레이스(14) 각각은 기판(12)의 면(16) 내에 리세싱된다. 장치(10)는 집적 회로 칩(22)과, 집적 회로 칩과 범프 패드(20) 중 대응하는 패드 사이에 연결된 복수의 도전성 범프(24)를 더 포함할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시한 장치(10)를 구현한 것의 단면도이며, 여기서는 도면부호 100으로 표시한다. 도 2에는 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른, 중간 제조 단계에 있는 장치(100)가 도시되어 있다. 장치(100)는 캐리어 기판(120)의 양면 상에 빌드업(build-up)층(110)을 포함한다. 캐리어 기판(120)은 코어리스 기판을 포함할 수 있는데, 예컨대 절연층(124)의 한 면 또는 양면 상에 형성된 하나 이상의 금속층(122)을 포함할 수 있다. 절연층(124) 및/또는 캐리어 기판(120)은 단일면 또는 이중면 구리 클래드 라미네이트(copper clad laminate, CCL)와, 프리프레그 또는 아지노모토 빌드업 필름(ajinomoto build-up film, ABF)과, 종이와, 유리 섬유와, 비직조 유리천과, 구리, 니켈, 알루미늄, 및/또는 다른 재료로 된 하나 이상의 층과, 원소 및/또는 조성물을 포함할 수 있다. 하나 이상의 금속층(122)은 구리, 니켈, 알루미늄, 및/또는 다른 재료로 된 하나 이상의 층을 포함할 수 있다.
다른 구성요소들 중에서, 빌드업층(110)은 다수의 유전체층(130)과 금속화층(140)을 포함할 수 있다. 금속화층(140)의 부분들이 수직으로 얼라인되어 도전성 기둥부(150)를 형성한다.
유전체층(130)은 프리프레그 또는 아지모토 빌드업 필름(ABF)을 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 유전체층(130)은 종이, 유리 섬유, 및 비직조 유리천을 포함할 수 있으며, 이들 중 하나 이상은 적층방식(lamination)으로 부착될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 유전체층(130)은 이산화실리콘, 질화실리콘, 산질화실리콘, 산화물, 질소 함유 산화물, 산화알루미늄, 산화란탄, 산화하프늄, 산화지르코늄, 산질화하프늄, 이들의 조합, 및/또는 기타 재료를 포함할 수 있다. 유전체층(130)은 스퍼터링, 스핀온 코팅, 화학적 기상 증착(CVD), 저압 CVD, 급속 열 CVD, 원자층 CVD, 및/또는 플라즈마 강화 CVD에 의해 형성될 수 있으며, 아마도 전구체로서 TEOS(tetraethyl orthosilicate) 및 산소를 사용할 것이다. 또한 유전체층(130)은 산화물, 물, 산화질소, 또는 이들의 조합을 포함하는 분위기에서 습식 또는 건식 열 산화 등의 산화 공정 및/또는 다른 공정에 의해 형성될 수 있다. 또한 유전체층(130)의 제조는 기타 공정 중에서, 화학적 기계 연마 또는 평탄화(이하, 총괄해서 CMP라고 함), 등방식 에칭 및/또는 이방식 에칭을 포함할 수 있다. 유전체층(130)은 약 8 옹스트롱 내지 약 200 옹스트롱 범위의 두께로 형성될 수 있지만, 다른 두께도 본 개시의 범주 내에 있다.
금속화층(140)은 구리, 티탄, 알루미늄, 니켈, 금, 이들의 합금 및/또는 조합, 및/또는 기타 재료를 포함할 수 있다. 금속화층(140)은 도금에 의해, 아마도 약 4 미크론 내지 약 25 미크론 범위의 두께로 형성될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 금속화층(140)은 CVD 및/또는 기타 공정에 의해 형성될 수 있고, 약 8 옹스트롱 내지 약 200 옹스트롱의 범위의 두께를 가질 수 있지만, 다른 두께도 본 개시의 범주 내에 있다.
도전성 기둥부(150) 및/또는 그것의 접합 패드(155)는 약 150 미크론 내지 약 400 미크론 범위의 직경 및/또는 기타 횡방향 치수를 가질 수 있다. 접합 패드(155)는 각각 BGA(볼 그리드 어레이) 패드일 수 있는데, 예컨대 후속해서 "마더 보드" PCB(인쇄 회로 기판) 및/또는 다른 PCB, PWB(인쇄 배선 기판), PCA(인쇄 회로 어셈블리), PCBA(PCB 어셈블리), CCA(회로 카드 어셈블리), 백플레인 어셈블리 및/또는 장치와의 상호접속을 형성할 때에 이용될 수 있다. 기둥부 피치(P), 또는 이웃하는 도전성 기둥부(150) 및/또는 접합 패드(155) 사이의 횡방향 오프셋은 약 300 미크론 내지 약 500 미크론 범위일 수 있다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 2에 도시한 장치(100)의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도로서, 빌드업층(110)의 부분을 캐리어 기판(120)에서 떼어내었다. 도 3에는 빌드업층(110)의 부분 중 한쪽이 도시되지 않지만, 이것은 다음의 설명을 간략화하기 위한 것일 뿐이며, 당업자라면 본 개시의 양태 중 하나 이상에 따라 빌드업층(110)의 양쪽 부분이 처리될 수 있음을 쉽게 알 것이다. 빌드업층(110)은 라우팅, 용융, 기계력, 에칭 및/또는 기타 공정에 의해 캐리어 기판(120)으로부터 떼어질 수 있다.
그런 다음, 빌드업층(110)의 한 면 또는 양면 상에 포토레지스트층이 코팅되어, 노광 및 현상될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트부(210)는 빌드업층(110)의 제1면(112) 상에 형성될 수 있고, 포토레지스트층(220)이 빌드업층(110)의 제2면(114)을 실질적으로 덮을 수 있다. 도전성 기둥부(150)는 제1 서브세트와 제2 서브세트로 분할될 수 있다. 도 3에서는, 제1 서브세트가 도전성 기둥부(152)를 포함하고, 제2 서브세트가 도전성 기둥부(154)를 포함한다. 제1 서브세트는 도 3에 도시하는 3개 이상의 도전성 기둥부(152)를 포함할 것이고, 제2 서브세트는 도 3에 도시하는 3개 이상의 도전성 기둥부(154)를 포함할 것이다.
빌드업층(110)의 제1면(112) 상의 포토레지스트부(210)는 제1 서브세트의 도전성 기둥부(152) 각각 위에 형성되는 반면, 제2 서브세트의 도전성 기둥부(154) 및 빌드업층(110)의 제1면(112) 상의 나머지 표면 특징부는 후속 리소그래피 처리에 노출된 상태일 수 있다. 포토레지스트부(210) 및 층(220)은 화학 증폭형 포토레지스트 또는 비화학 증폭형 포토레지스트를 포함할 수 있으며, 포지티브톤 또는 네거티브톤일 수 있다. 포토레지스트부(210) 및 층(220)의 처리는, 무엇보다도 예컨대 건도막(dry film) 타입 포토레지스트의 적층, 스핀온코팅, 딥 코팅, 블러시 코팅, 및/또는 잉크젯 분사를 포함한 적층 공정을 포함할 수 있다. 적층후 베이크 단계가, 예컨대 약 40℃ 내지 약 200℃ 범위의 온도에서, 아마도 약 10초 내지 약 10분 범위의 베이크 시간 동안, 수행되어 용제 및/또는 기타 원치 않은 성분을 제거할 수 있다.
도 4는 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 3에 도시한 장치(100)의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도로서, 제1 서브세트의 도전성 기둥부(152) 위의 포토레지스트부(210)가 에칭 공정 중에 마스크로서 이용되었다. 에칭 공정은 포토레지스트부(210) 및 층(220)에 의해 보호되지 않은 최외측 금속화층(140)의 부분들을 에칭하는데 사용된다. 이에, 빌드업층(110)의 제1면(112) 상에는, 최외측 유전체층(130)까지 아래로 최외측 금속화층(140)이 제거된다. 그런데, 제2 서브세트의 도전성 기둥부(154) 위에서의 최외측 금속화층의 에칭은, 최외측 유전체층(130)의 바깥 표면 내부의 도전성 기둥부(154)의 노출면(156)을 리세싱하기 위해 충분한 시간 동안 계속된다. 그래서, 제2 서브세트의 도전성 기둥부(154)의 노출면(156)이 오목한 트레이스의 일부를 형성하는 반면, 제1 서브세트의 도전성 기둥부(152) 각각의 마스킹된 부분은 돌출형 범프 패드(230)를 형성한다. 둘러싸는 유전체층(130)의 표면 아래에 있는 오목한 트레이스 위의 오목부의 깊이(d)는 약 4 미크론 등의 약 7 미크론 미만일 수 있지만, 다른 깊이도 본 개시의 범주 내에 있다.
도 5는 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 4에 도시한 장치(100)의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도로서, 포토레지스트부(210)와 포토레지스트층(220)이 제거되었고, 땜납 레지스트부(410)가 종래의 방식으로 형성되었다. 땜납 레지스트부(410)는 내열성 코팅 재료를 포함할 수 있으며, 하부층을 보호하는데 일조할 수 있다.
돌출형 범프 패드(230) 및 오목한 트레이스(156)를 형성하는 다른 방법도 본 개시의 범주 내에 있다. 그 일례를 도 6 내지 도 8에 도시한다. 도 6은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 2에 도시한 장치(100)의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도이다. 전술한 바와 같이, 빌드업층(110)을 캐리어 기판(120)으로부터 떼어내었다. 그런 다음, 빌드업층(110)의 한 면 또는 양면 상에 포토레지스트층이 코팅되어, 노광 및 현상될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트부(510)는 빌드업층(110)의 제1면(112) 상에 형성될 수 있고, 포토레지스트층(520)이 빌드업층(110)의 제2면(114)을 실질적으로 덮을 수 있다. 빌드업층(110)의 제1면(112) 상의 포토레지스트부(510)는, 후속 처리를 위해 노출된 채로 있는 제1 서브세트의 도전성 기둥부(152)의 상부를 제외하고, 제2 서브세트의 각각의 도전성 기둥부(154)의 상부를 포함해, 제1면(112) 전체를 실질적으로 덮을 수 있다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 6에 도시한 장치(100)의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도로서, 포토레지스트부(510)가 금속화 공정 중에 마스크로서 이용되었다. 금속화 공정은 제1 서브세트의 노출된 도전성 기둥부(152)에 금속을 추가하는데 사용된다. 금속화 공정에 의해 추가된 금속은 구리, 티탄, 알루미늄, 니켈, 금, 이들의 합금 및/또는 조합, 및/또는 기타 재료 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 금속화는 전기도금, 무전해 도금, CVD, 에피택셜 성장, 및/또는 기타 공정에 의해 형성될 수 있으며, 약 5 미크론 내지 약 50 미크론 범위의 두께로 도전성 기둥부(152)에 재료를 추가할 수 있지만, 다른 두께도 본 개시의 범주 내에 있다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 도 7에 도시한 장치(100)의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도로서, 포토레지스트부(510)와 포토레지스트층(520)이 제거되었다. 또한, 도 8은 제1 서브세트의 도전성 기둥부(152), 제2 서브세트의 도전성 기둥부(154), 및 최외측 금속화층(140)에 대한 선택적 에칭 공정의 결과를 반영하고 있다. 예를 들어, 최외측 금속화층(140)은, 최외측 유전체층(130)의 바깥 표면 내부에서 제2 서브세트의 도전성 기둥부(154)의 노출면(156)을 리세싱하기에 충분한 정도로, 최외측 유전체층(130)까지 아래로 제거된다. 전술한 바와 같이, 제2 서브세트의 도전성 기둥부(154)의 노출면(156)은 오목한 트레이스의 일부를 형성하는 반면, 제1 서브세트의 도전성 기둥부(152) 각각의 현재 돌출부는 돌출형 범프 패드(230)를 형성한다. 도전성 기둥부(돌출형 기둥부)의 상단부 역시 이 공정 중에 에칭백된다. 따라서, 도 7에서 설명한 금속화 추가 공정 단계는, 이 후속 에칭 단계 후에도 돌출형 기둥부의 충분한 높이가 유지되는 것을 확실하게 하도록 조절될 것이다. 땜납 레지스트부를 형성하는 등 추가 공정이 계속 이루어질 수 있고/있거나 그렇지 않으면 도 5에 도시하는 실시형태에 도달할 수 있다.
도 9는 도 5에 도시한 장치(100)의 후속 제조 단계의 적어도 일부의 단면도로서, 테스트용 프로브(810)가 제1 서브세트의 도전성 기둥부(152)의 돌출형 범프 패드(230) 중 하나와 접촉하고 있다. 테스트용 프로브(810)의 팁은 직경이 D일 수 있는데, 이는 기둥부 피치(P)보다 실질적으로 클 수 있다. 예를 들어, 기둥부 피치(P)는 더 작지 않다면, 약 40 미크론일 수 있으며, 기둥부 피치(P)는 실질적으로 더 크지 않다면 약 30 미크론의 팁 직경(D)을 가질 수 있다. 그러나, 제2 서브세트의 도전성 기둥부(154)가 리세싱되어 있기 때문에, 이들 기둥부는 제1 서브세트의 도전성 기둥부(152)에 대해 테스트용 프로브(810)의 미스얼라인에 의해 단락되지 않는다.
도 10은 본 개시의 하나 이상의 양태에 따른 장치(900)의 적어도 일부의 단면도이다. 장치(900)는 도 5에 도시한 장치(100), 다이(910), 및 집적 회로 칩과 범프 패드 중 대응하는 범프 패드 사이에 연결된 복수의 도전성 범프(920)를 포함한다. 다이(900)는 하나 이상의 집적 회로 칩, 패키지 등이거나 이들을 포함할 수 있다. 도전성 범프(920)는 땜납, 금, 도전성 페이스트, 및/또는 기타 전기 도전성 재료를 포함할 수 있다. 다이(910)는 도전성 범프(920)에 의해 연결되기 전에 돌출형 범프 패드(230)와 얼라인되도록 구성된 패드(915)를 포함할 수 있다.
이상은 당업자가 본 개시의 양태를 더 잘 이해할 수 있도록 여러 실시형태의 특징을 개관한 것이다. 당업자라면 동일한 목적을 달성하기 위한 다른 공정 및 구조를 설계 또는 변형하고/하거나 본 명세서에 소개하는 실시형태들의 동일한 효과를 달성하기 위한 기본으로서 본 개시를 용이하게 이용할 수 있음을 알아야 한다. 또한, 당업자라면 그러한 동류의 구성들이 본 개시의 사상 및 범주에서 벗어나지 않는 것과, 그 구성들이 본 개시의 사상 및 범주에서 벗어나는 일 없이 본 개시 내용에 다양한 변화, 치환 및 변형을 행할 수 있다는 것을 인식해야 할 것이다.
본 개시의 말미에 있는 요약서는 독자들이 기술 개시의 특징을 신속히 파악할 수 있게 하기 위해 제공되는 것이다. 그것은 특허청구범위의 범주 또는 의미를 해석 또는 제한하는데 사용되지 않을 것이라는 이해로 제출된 것이다.
예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명에 대해 설명하였지만, 이 설명은 제한적인 의미로 해석될 것을 의도하지 않는다. 당업자라면, 본 발명의 다른 실시형태뿐만 아니라 예시적인 실시형태들의 변형 및 조합도 본 설명을 참조할 때 명백해질 것이다. 이에, 첨부하는 특허청구범위는 임의의 그러한 변형예 또는 실시예를 포함하는 것을 의도한다.

Claims (10)

  1. 기판과,
    상기 기판의 한 면 상에 배치된 복수의 도전성 트레이스와,
    도전성 트레이스들 중 대응하는 도전성 트레이스로부터 상기 기판 내로 각각 연장되는 복수의 도전성 부재와,
    제1 서브세트의 도전성 트레이스들 중 하나의 트레이스로부터 각각 돌출하는 복수의 범프 패드
    를 포함하고, 제2 서브세트의 도전성 트레이스들이 상기 기판의 상기 면 내에 리세싱되는 것인 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 면은 제1면이고, 상기 복수의 도전성 부재의 각각은 상기 기판의 제2면 상에 배치된 대응하는 도전성 특징부까지 연장되는 도전성 기둥부인 것인 장치.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 복수의 도전성 트레이스는 최소 트레이스 피치로 서로 횡방향으로 오프셋되고, 상기 복수의 범프 패드는 최소 범프 패드 피치로 서로 횡방향으로 오프셋되며, 상기 최소 범프 패드 피치는 상기 최소 트레이스 피치보다 큰 것인 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    집적 회로 칩과,
    상기 집적 회로 칩과, 범프 패드들 중 대응하는 범프 패드 사이에 연결된 복수의 도전성 범프
    를 더 포함하는 장치.
  5. 기판을, 추가 기판이 형성되어 있는 캐리어로부터 분리시키는 단계로서, 분리된 기판은 그 기판의 상단면 상의 도전성층과, 그 기판의 하단면으로부터 상기 기판을 통해 상기 도전성층까지 각각 연장되는 복수의 도전성 기둥부를 포함하는 것인 분리 단계와,
    상기 도전성층을, 제1 서브세트의 도전성 기둥부의 각각의 상부를 제외하고 선택적으로 제거함으로써 제1 서브세트의 도전성 기둥부의 각각 위에 돌출형 범프 패드를 형성하는 단계
    를 포함하는 방법.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 제1 서브세트의 도전성 기둥부의 각각 위에 돌출형 범프 패드를 형성하는 단계는,
    나머지 도전성 기둥부의 상부를 제외한, 상기 제1 서브세트의 도전성 기둥부의 각각 위에서 도전성층 상에 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트 마스크의 아래를 제외하고 상기 도전성층을 에칭하여 제거하는 단계
    를 포함하는 것인 방법.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 제1 서브세트의 도전성 기둥부의 각각 위에 돌출형 범프 패드를 형성하는 단계는,
    상기 제1 서브세트의 도전성 기둥부의 상부를 제외한, 상기 제1 서브세트에 속하지 않는 각각의 도전성 기둥부 위에서 도전성층 상에 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트 마스크에 의해 덮이지 않은 상기 도전층의 부분에 추가 도전성 재료를 추가하는 단계와,
    상기 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계와,
    상기 제1 서브세트의 부분이 아닌 도전성 기둥부의 각각 위에서 상기 도전성층의 충분한 부분을 에칭하여 제거함으로써 상기 기판의 상단면 내에 리세싱된 도전성 표면을 노출시키는 단계
    를 포함하는 것인 방법.
  8. 청구항 5에 있어서, 상기 제1 서브세트의 도전성 기둥부 각각의 위에 있는 상기 돌출형 범프 패드와 접촉하는 땜납 범프를 리플로우하여 상기 기판을 반도체 다이 패키지와 연결하는 단계를 더 포함하는 방법.
  9. 청구항 5에 있어서, 돌출형 범프 패드들 중 하나의 돌출형 범프 패드를 테스트용 프로브와 접촉시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  10. 적어도 하나의 집적 회로 칩을 포함하는 다이를 제공하는 단계와,
    기판을 통해 연장되는 제1 및 제2 서브세트의 도전성 기둥부를 포함하는 상기 기판을 제공하는 단계로서, 상기 제1 서브세트의 도전성 기둥부 각각은 상기 기판의 표면으로부터 돌출하는 돌출형 범프 패드를 포함하고, 상기 제2 서브세트의 도전성 기둥부는 각각 상기 기판의 표면 내에 리세싱된 트레이스를 부분적으로 형성하는 것인 기판 제공 단계와,
    상기 다이를, 돌출형 범프 패드들 중 하나의 패드와 상기 다이 사이에서 각각 연장되는 복수의 도전성 범프를 통해 상기 기판에 연결하는 단계
    를 포함하는 방법.
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