KR20150070012A - 내장형 컴포넌트를 구비한 집적회로 패키징 시스템 및 그 제조방법 - Google Patents

내장형 컴포넌트를 구비한 집적회로 패키징 시스템 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20150070012A
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전동주
박경희
노영달
정진희
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스태츠 칩팩, 엘티디.
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    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

집적회로 패키징 시스템과 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법이 제공되며, 상기 집적회로 패키징 시스템은, 컴포넌트 상의 내장 물질; 상기 내장 물질 상의 마스크 층; 상기 마스크 층 내의 매립형 패턴, 상기 매립형 패턴의 외부 표면은 상기 마스크 층의 외부 표면과 동일 평면이며, 상기 매립형 패턴은 상기 컴포넌트에 전기적으로 연결되며; 상기 매립형 패턴의 일부분 상의 패터닝된 유전체; 및 상기 매립형 패턴 상의 집적회로 다이를 포함한다.

Description

내장형 컴포넌트를 구비한 집적회로 패키징 시스템 및 그 제조방법{INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH EMBEDDED COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF}
관련 출원(들)에 대한 상호-참조
본 출원은 2013년 12월 16일자로 미국에 출원된 미국 가특허출원(61/916,405)의 우선권을 주장하며, 상기 미국 가특허출원은 그 전체 내용이 본 발명에 대한 참조로서 본 명세서에 통합된다.
일반적으로, 본 발명은 집적회로 패키징 시스템에 관한 것이며, 좀더 상세하게는 내장형(embedded) 전기 컴포넌트를 구비한 시스템에 관한 발명이다.
부품의 계속되는 소형화, 집적회로(IC)의 더 큰 패키징 밀도, 고성능, 및 낮은 생산 비용 등은, 컴퓨터 산업 분야의 지속적인 목표이다. 반도체 패키징 구조들은 소형화를 위해 계속 발전해 왔으며, 그리고 부품들로 만들어지는 제품들의 사이즈를 감소시키면서도 패키지되는 부품들의 밀도를 증가시키기 위해 계속 발전해 왔다. 이것은 계속해서 향상되는 성능과 함께 감소된 사이즈, 두께 및 저비용을 갖는 정보 및 통신 제품들에 대한 지속적으로 증가되는 요구들에 대한 응답이다.
소형화를 위한 이러한 계속되는 요구들은, 예를 들면, 셀룰러 폰, 핸즈-프리 셀룰러 폰 헤드셋, 개인정보단말기(PDA), 캠코더, 노트북 컴퓨터 기타 등등과 같은 휴대용 정보 및 통신 디바이스들에서 특히 주목할만 하다. 이러한 디바이스들 모두는 휴대성을 향상시키기 위해서 더 작고 더 얇게 만들어지고 있다. 따라서, 이들 디바이스들에 적용되는 대규모 IC(Large-Scale IC: LSI) 패키지들은 더 작고 더 얇게 제조될 것이 요구되고 있다. 또한, LSI를 하우징 및 보호하는 패키징 구성들 역시 더 작고 더 얇게 제작될 것이 요구되고 있다.
가전제품 요건들은, 집적회로 패키지 내에 더 많은 집적회로들을 요구하고 있는 반면 역설적으로, 증가된 집적회로 컨텐트에 대해서는 시스템 내에 더 적은 물리적 공간을 제공하고 있다. 지속적인 비용 절감 역시 또 다른 요구사항이다. 일부 기술들은 각각의 집적회로에 더 많은 기능들을 집적하는데 주로 포커스를 맞추고 있다. 다른 기술들은 이들 집적회로들을 하나의 패키지로 적층하는데 포커스를 맞추고 있다. 이러한 접근법들은 집적회로 내에 더 많은 기능들을 제공하고는 있지만, 집적 및 비용 절감에 대한 요건들을 완전히 충족시키진 못한다.
따라서, 집적도, 공간 절약 및 저 비용 생산을 제공하는 지원 시스템의 제조 방법에 대한 요구가 여전히 존재한다. 점점 더 커져가는 소비자들의 기대와 더불어 계속적으로 증가하는 가격 경쟁 압력을 감안하고, 시장에서 의미 있는 제품 차별화를 위한 기회가 점점 사라지고 있는 점을 감안한다면, 이러한 문제들에 대한 해답을 찾아내는 것이 더욱 중요하다. 또한, 비용을 절감하고, 효율 및 성능을 향상시키며 그리고 경쟁 압력을 만족시키고자 하는 요구는, 이러한 문제들에 대한 해답을 더욱 빨리 찾아낼 것을 요구하고 있다.
이러한 문제들에 대한 해결책은 오랫동안 탐구되어 왔지만, 종래의 개발 노력들은 그 어떤 해결책도 가르치거나 제시하지 못했는바, 해당 기술분야의 당업자들은 이들 문제들에 대한 해결책들을 오랫동안 밝혀낼 수 없었다.
본 발명은 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법을 제공하며, 상기 방법은, 수동형 디바이스 상에 내장 물질(embedding material)을 형성하는 단계; 상기 내장 물질 상에 건조 필름 층을 증착하는 단계; 상기 건조 필름 층을 패터닝하는 단계;
상기 건조 필름 층 내에 매립형(buried) 패턴을 증착하는 단계, 상기 매립형 패턴의 외부 표면은 상기 건조 필름 층의 외부 표면과 동일 평면이며, 상기 매립형 패턴은 상기 수동형 디바이스에 전기적으로 연결되며; 패터닝된 유전체를 상기 매립형 패턴의 일부분 상에 형성하는 단계; 및 집적회로 다이를 상기 매립형 패턴 상에 마운트하는 단계를 포함한다.
본 발명은 집적회로 패키징 시스템을 제공하며, 상기 시스템은, 수동형 디바이스 상의 내장 물질; 상기 내장 물질 상의 건조 필름 층; 상기 건조 필름 층 내의 매립형 패턴, 상기 매립형 패턴의 외부 표면은 상기 건조 필름 층의 외부 표면과 동일 평면이며, 상기 매립형 패턴은 상기 수동형 디바이스에 전기적으로 연결되며; 상기 매립형 패턴의 일부분 상의 패터닝된 유전체; 및 상기 매립형 패턴 상의 집적회로 다이를 포함한다.
본 발명의 소정 실시예들은 전술한 것을 대체하는 혹은 전술한 것 이외의 다른 단계들 혹은 구성요소들을 갖는다. 상기 단계들 혹은 구성요소들은 첨부된 도면들을 참조함과 함께 다음의 상세한 설명을 숙독함으로써 해당 기술분야의 당업자에게 명백해질 것이다.
도1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 집적회로 패키징 시스템의 상면도이다.
도2는 절단선 2--2에 따른 도1의 집적회로 패키징 시스템의 일부에 대한 단면도이다.
도3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 집적회로 패키징 시스템의 단면도이다.
도4는 제조 단계 중 시작 단계에서 도2의 집적회로 패키징 시스템을 도시한다.
도5는 제조 단계 중 제 1 도금 단계에서의 도4의 구조를 도시한다.
도6은 제조 단계 중 접착제 형성 단계에서의 도5의 구조를 도시한다.
도7은 제조 단계 중 수동 디바이스 부착 단계에서의 도6의 구조를 도시한다.
도8은 제조 단계 중 라미네이션 단계에서의 도7의 구조를 도시한다.
도9는 제조 단계 중 제 1 패터닝 단계에서의 도8의 구조를 도시한다.
도10은 제조 단계 중 분리 단계에서의 도9의 구조를 도시한다.
도12는 제조 단계 중 비아 오프닝 단계에서의 도11의 구조를 도시한다.
도13은 제조 단계 중 증착 단계에서의 도12의 구조를 도시한다.
도14는 제조 단계 중 제거 단계에서의 도13의 구조를 도시한다.
도15는 도3의 집적회로 패키징 시스템을 제조하기 위한 대안적인 적층 단계에서의 도9의 구조를 도시한다.
도16은 제조 단계 중 비아 형성 단계에서의 도15의 구조를 도시한다.
도17은 제조 단계 중 분리 단계에서의 도16의 구조를 도시한다.
도18은 제조 단계 중 추가 비아 형성 단계에서의 도17의 구조를 도시한다.
도19는 제조 단계 중 비아 오프닝 단계에서의 도18의 구조를 도시한다.
도20은 제조 단계 중 증착 단계에서의 도19의 구조를 도시한다.
도21은 제조 단계 중 제거 단계에서의 도20의 구조를 도시한다.
도22는 본 발명의 추가 실시예에 따른 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법에 대한 순서도이다.
다음의 실시예들은, 해당기술 분야의 당업자들이 본 발명을 만들고 이용할 수 있도록 충분히 자세하게 설명된다. 본 명세서에 개시된 바에 근거하여 다른 실시예들도 분명하다는 것이 이해되어야만 하며, 본 발명의 기술적 사상의 범위를 벗어남이 없이도, 시스템 변경, 프로세스 변경 또는 기계적 변경들이 만들어질 수도 있다는 것이 이해되어야만 한다.
후술될 발명의 상세한 설명에서, 수많은 특정한 세부사항들이 본 발명을 완전히 이해하기 위해 제공된다. 하지만, 이러한 특정한 세부사항들이 없이도 본 발명이 실시될 수도 있음은 명백할 것이다. 본 발명을 불명료하게 만드는 것을 회피하기 위해서, 널리 공지된 몇몇 회로들, 시스템 구성들, 및 공정 단계들은 상세히 설명되지 않았다.
시스템에 관한 실시예들을 도시하고 있는 도면들은 어느 정도 개략적인 도면들이며 축적대로 그려진 것은 아니다. 특히, 몇몇 치수들은 명확한 표현을 위한 것이며 그리고 도면에서 매우 과장되게 표현되었다. 이와 유사하게, 도면들에서의 시점들은 설명의 용이함을 위해서 대부분 유사한 방향들로 도시되었지만, 도면들에서의 이러한 묘사는 대부분 임의적인 것이다. 일반적으로, 본 발명은 임의의 방향에서 작동가능하다.
또한, 설명, 서술 및 이해의 간결 명확성을 위해서, 몇몇 피처들을 공통적으로 갖고 있는 것으로 개시 및 설명된 다수의 실시예들에서, 서로 간에 유사한 피쳐들은 유사한 참조번호로 통상적으로 서술될 것이다. 실시예들은 제 1 실시예, 제 2 실시예 등으로 넘버링되는데, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 임의의 다른 중요도를 갖는 것이 아닐 뿐만 아니라, 본 발명에 대한 한정사항을 제공하고자 의도된 것도 아니다.
설명을 위한 목적으로, 본 명세서에서 사용된 "수평(horizontal)" 이라는 용어는, 그 방향에 상관없이, 집적회로의 활성 표면의 평면에 평행한 평면으로 정의된다. "수직(vertical)" 이라는 용어는, 앞서 정의된 "수평"에 수직한 방향을 지칭한다. "위(above)" , "밑(below)" , "바닥(bottom)" , "탑(top)" , "사이드(side)("sidewall"에서의 사이드)" , "위쪽(higher)" , "하부(lower)" , "상부(upper)" , "위에(over)" 및 "아래에(under)"와 같은 용어들은 상기 수평면에 대해서 정의된다. "상에(on)" 이라는 용어는, 구성요소들 간에 직접적인 물리적 접촉이 존재함을 의미한다. "바로 위에(directly on)" 이라는 용어는, 구성요소들 간의 그 어떤 개재물도 없이 구성요소들 간에 직접적인 물리적 접촉이 존재함을 의미한다.
"활성면(active side)" 이라는 용어는, 다이, 모듈, 패키지 혹은 전자 구조의 일면을 지칭하는데, 상기 일면 상에는 활성 회로들이 형성되어 있거나 혹은 상기 다이, 모듈, 패키지 혹은 전자 구조 내의 활성 회로로의 연결을 위한 구성요소들이 구비된다.
본 명세서에서 사용된 "프로세싱" 이라는 용어는, 물질의 증착, 패터닝, 노광, 현상, 식각, 세정, 몰딩 및/또는 이들 물질의 제거를 포함하거나 혹은 설명된 구조를 형성하는데 필요한 것들을 지칭한다.
이제 도1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 집적회로 패키징 시스템(100)의 상면도가 도시된다. 집적회로 다이(104)가 그 위에 마운트되어 있는 내장형 컴포넌트 기판(embedded component substrate)(102)의 일부가 도1에 도시된다. 필요에 따라 더 많은 수의 다이들이 내장형 컴포넌트 기판(102) 상에 마운트될 수 있으며, 설명을 위한 목적으로 오직 한개의 다이만이 도시되었음을 유의해야 한다. 명확성을 위해, 가령 노출된 패드 혹은 트레이스들 등의 다른 피처들 역시 생략된다. 내장형 컴포넌트 기판(102)의 최상면은 집적회로 다이(104)의 주위에서 보여질 수 있다.
이제 도2를 참조하면, 절단선 2--2에 따른 도1의 집적회로 패키징 시스템(100)의 일부에 대한 단면도가 도시된다. 집적회로 다이(104)와 내장형 컴포넌트 기판(102)이 도시된다. 내장형 컴포넌트 기판(102)은 내장형 컴포넌트로서 컴포넌트(208)를 포함하며, 컴포넌트(208)는 내장 물질(embedding material)(210)과 직접 접촉하며 내장 물질(210)로 둘러싸인다. 내장 물질(210)은 예컨대, 선-함침 물질(pre-impregnated material:PPG)일 수 있다. 컴포넌트(208)는 예컨대, 집적회로 다이, 캐패시터, 혹은 저항 등의 능동 혹은 수동 디바이스일 수 있다.
내장 물질(210) 내에 내장된 컴포넌트(208) 위에는 매립형 패턴(212)이 존재하는바, 매립형 패턴(212)은 마스크 층(214) 내에 매립된 전도성 패턴이며, 매립형 패턴(212)은 매립형 패턴(212)의 외부 표면과 마스크 층(214)의 외부 표면이 동일 평면이 되도록 매립된다. 마스크 층(214)은 예컨대, 포토레지스트, 건조 필름, 혹은 포토 이미저블 유전체(photo imageable dielectric)일 수 있다. 집적회로 다이(104)는 매립형 패턴(212)을 통해 컴포넌트(208)에 연결되며, 디바이스 접착제(218)를 관통하여 컴포넌트(208)와 직접 접촉하도록 아래쪽으로 연장되는 내장형 컴포넌트 비아(216)를 통해 매립형 패턴(212)과 컴포넌트(208)가 연결된다.
컴포넌트(208) 아래쪽에는 전도성 패턴(220)이 존재하는데, 전도성 패턴(220)은 내장 물질(210) 상에 및 외부에 배치된다. 내장형 컴포넌트 비아(216)는 컴포넌트(208)를 전도성 패턴(220)에 연결한다. 매립형 패턴(212)은 유전체의 표면 상에 형성된 전도성 패턴과 동일한 패턴의 패드들, 라인들, 트레이스들 및 비아들을 가질 수 있음이 밝혀졌는바, 따라서, 매립형 패턴(212)의 라우팅 능력은 손실이 없다.
가령, 솔더 레지스트 등과 같은 패터닝된 유전체(222)가 매립형 패턴(212)과 전도성 패턴(220)의 일부분들을 커버하는바, 이는 오염, 예기치 않은 전기적 단락, 혹은 다른 원치않는 외부 힘들로부터 논-콘택(non-contact) 영역들을 보호하기 위한 것이다. 매립형 패턴(212)의 매립형 콘택 패드들(224)과 전도성 패턴(220)의 외부 층 콘택 패드들(226)의 일부는 패터닝된 유전체(222)를 통해 노출된다. 트레이스들(228)의 오직 일부만이 도시되어 있지만, 트레이스들(228)은 각각의 전도성 패턴들의 다양한 콘택 패드들을 연결한다.
내장형 컴포넌트 기판(102)의 일부분들에서, 매립형 콘택 패드들(224)은 내장 물질(210)을 관통하는 수직 비아(230)를 통해, 외부 층 콘택 패드들(226)에 직접 연결된다. 매립형 콘택 패드들(224)과 외부 층 콘택 패드들(226) 사이의 이러한 직접 연결은, 예컨대, 전기적 신호들에 대한 보다 우수한 라우팅 유연성을 가능케 한다. 이러한 일례에서, 수직 비아(230)와 내장형 컴포넌트 비아(216)는 한쪽 끝이 다른 한쪽 끝 보다 가늘어지도록 테이퍼링되지만, 이러한 것은 단지 설명을 위한 것임을 유의해야 한다. 예를 들어, 레이저 드릴링이 아닌 기계적인 드릴링을 통해 형성되는 경우, 수직 비아(230)는 전체적으로 동일한 두께를 가질 수 있다.
마스크 층(214) 내의 매립형 패턴(212)은, 트레이스들(228)과 매립형 콘택 패드들(224) 사이에서 그리고 다른 트레이스들 사이에서 섬세한 피치 제어를 가능케 한다는 점이 밝혀졌다. 예를 들어, 매립형 패턴(212)을 형성하는데 도움이 되도록 마스크 층(214)을 사용함으로써, 전도성 패턴 와이어들 혹은 트레이스들은, 각각 15 마이크로미터와 15 마이크로미터인, 즉, 15/15인, 라인 폭(Line Width: LW) 혹은 와이어 폭(Wire Width: WW) 및 라인들 사이의 라인 간격(Line Space: LS)을 가질 수 있다. 본 명세서에서 섬세한 피치(fine pitch)라 함은, 15/15 혹은 이 보다 작은 LW/LS 를 지칭한다.
또한, 다음과 같은 점이 발견되었는바, 컴포넌트(208) 바로 위에 집적회로 다이(104)를 부착시키는 것은, 이들 2개의 컴포넌트들을 표면 실장(surface mount)하는 것에 비하여 전기적 성능을 향상시킨다. 매립형 패턴(212) 및 내장형 컴포넌트 비아(216)를 통하여 집적회로 다이(104)와 컴포넌트(208) 사이에서 더 짧고 더 많은 전기적 경로(path)가 존재하기 때문에, 예컨대, 전압 잡음(voltage noise)의 매우 큰 감소와 임피던스의 강하(drop)가 있게 되며, 이는 또한 전력 요건들을 낮출 수 있다.
이제 도3을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 집적회로 패키징 시스템(300)의 단면도가 도시된다. 집적회로 다이(304)와 내장형 컴포넌트 기판(302)이 도시된다. 내장형 컴포넌트 기판(302)은 내장형 컴포넌트로서 컴포넌트(308)를 포함하며, 컴포넌트(308)는 내장 물질(embedding material)(310)과 직접 접촉하며 내장 물질(310)로 둘러싸인다. 내장 물질(310)은 예컨대, 선-함침 물질(PPG)일 수 있다. 컴포넌트(308)는 예컨대, 집적회로 다이, 캐패시터, 혹은 저항 등의 능동 혹은 수동 디바이스일 수 있다.
내장 물질(310) 내에 내장된 컴포넌트(308) 위에는 매립형 패턴(312)이 존재하는바, 매립형 패턴(312)은 마스크 층(314) 내에 매립된 전도성 패턴이며, 매립형 패턴(312)은 매립형 패턴(312)의 외부 표면과 마스크 층(314)의 외부 표면이 동일 평면이 되도록 매립된다. 마스크 층(314)은 예컨대, 포토레지스트, 건조 필름, 혹은 포토 이미저블 유전체(photo imageable dielectric)일 수 있다.
집적회로 다이(304)는 매립형 패턴(312)을 통해 컴포넌트(308)에 연결되며, 디바이스 접착제(318)를 관통하여 컴포넌트(308)와 직접 접촉하도록 아래쪽으로 연장되는 내장형 컴포넌트 비아(316)를 통해 매립형 패턴(312)과 컴포넌트(308)가 연결된다.
컴포넌트(308) 아래쪽에는 계층화된(layered) 전도성 패턴(331)이 존재하는데, 외부 층은 내장 물질(310) 상에 및 외부에 있으며 그리고 내부 층은 내장 물질(310)로 완전히 커버된다. 내장형 컴포넌트 비아(316)는 컴포넌트(308)를 계층화된 전도성 패턴(331)에 연결한다. 계층화된 전도성 패턴(331)은 2개 층이 내부 비아들을 통해 연결된 구조로 도시되어 있지만, 필요에 따라 임의 개수의 층들이 이용될 수도 있음을 유의해야 한다. 예를 들어, 계층화된 전도성 패턴(331)은 라우팅 유연성을 증가시키도록 3개 이상의 층들로 구성될 수도 있다.
가령, 솔더 레지스트 등과 같은 패터닝된 유전체(322)가 매립형 패턴(312) 및 계층화된 전도성 패턴(331)의 외부 층의 일부분들을 커버하는바, 이는 오염, 예기치 않은 전기적 단락, 혹은 다른 원치않는 외부 힘들로부터 논-콘택(non-contact) 영역들을 보호하기 위한 것이다. 매립형 패턴(312)의 매립형 콘택 패드들(324)과 계층화된 전도성 패턴(331)의 외부 층 콘택 패드들(326)은, 패터닝된 유전체(322)를 통해 노출된다. 트레이스들(328)의 오직 일부만이 도시되어 있지만, 트레이스들(328)은 각각의 전도성 패턴들의 다양한 콘택 패드들을 연결한다.
내장형 컴포넌트 기판(302)의 일부분들에서, 매립형 콘택 패드들(324)은 내장 물질(310)의 일부를 관통하는 수직 비아(330)를 통해, 내부 층 콘택 패드들(332)에 직접 연결된다. 매립형 콘택 패드들(324)과 내부 층 콘택 패드들(332) 사이의 이러한 직접 연결은, 예컨대, 전기적 신호들에 대한 보다 우수한 라우팅 유연성을 가능케 한다. 이러한 일례에서, 수직 비아(330)는 한쪽 끝이 다른 한쪽 끝 보다 가늘어지도록 테이퍼링되지만, 이러한 것은 단지 설명을 위한 것임을 유의해야 한다. 예를 들어, 레이저 드릴링이 아닌 기계적인 드릴링을 통해 형성되는 경우, 수직 비아(330)는 전체적으로 동일한 두께를 가질 수 있다.
내부 비아들은, 내부 층 콘택 패드들(332)의 일부를 외부 층 콘택 패드들(326)에 연결하며, 그리고 내부 비아들의 위치는 라우팅 요건에 따라 조절될 수도 있음을 유의해야 한다. 계층화된 전도성 패턴(331)의 외부 층의 트레이스들(328)은 패터닝된 유전체(322)에 의해서 커버될 수 있다.
이제 도4를 참조하면, 초기 제조 단계에 있는 도2의 집적회로 패키징 시스템(100)이 도시된다. 양면(two-sided) 캐리어(434)가 도시되며, 가령, 구리 등과 같은 전도성 층(436)이 상기 양면 캐리어(434)의 2개의 면들 상에 위치한다. 양면 캐리어(434)는 예컨대, 유전체 코어를 구비한 구리 피복 라미네이트(Copper Clad Laminate: CCL)일 수 있다.
이제 도5를 참조하면, 제조 단계 중 제 1 도금 단계에서의 도4의 구조가 도시된다. 마스크 층(214)이 전도성 층(436)에 적용되며 그리고 도2의 매립형 패턴(212)이 될 예정인 것의 형성을 위해 패터닝된다. 매립형 패턴(212)을 위해 이용되는 물질은 예컨대, 전도성 층(436)의 물질과 동일한 물질이 될 수 있다. 양면 캐리어(434)를 이용하는 모든 단계들에서, 프로세스는 양면 캐리어(434)의 2개의 면들 모두에서 수행되는 것임을 유의해야 한다.
집적회로 패키징 시스템(100)을 형성함에 있어서, 본 발명의 다양한 실시예들은 도2의 내장 물질(210)에 대해서, 구리 피복 라미네이트(CCL)를 PPG 라미네이트로 대체할 수 있게 함으로써, 재료비 절감을 제공한다는 점이 밝혀졌다. 또한, 양면 캐리어(434)의 사용 및 2개의 면들 모두에 대한 동시 프로세싱은, 고온 스트립 비틀림(high temperature strip warpage)을 억제할 수 있는데, 이는 대칭적인 구조를 갖기 때문이다.
또한, 매립형 패턴(212)을 형성하기 위하여 마스크 층(214)을 이용하는 것은, 신뢰성을 증가시키고 그리고 보이드 트랩들(void traps)의 가능성을 감소시킬 수 있다. 마스크 층(214)과 동일 평면인 매립형 패턴(212) 상에 접착성 절연체가 코딩 혹은 프린팅되는 경우, 보이드가 형성될 위험이 적어진다. 전도성 패턴 주위에 포토 이미저블 패턴 보호 물질을 이용함으로써, 상기 접착성 절연체는 더 매끈러운(smoother) 표면 상에 코팅 혹은 프린팅될 수 있으며, 이는 예컨대, 보이드 트랩들의 위험성을 감소 혹은 제거할 수 있다. 기판 혹은 패키지에 있는 보이드들은, 신뢰성 문제를 야기하는 주요 원인들 중 하나이다.
이제 도6을 참조하면, 제조 단계 중 접착제 형성 단계에서의 도5의 구조가 도시된다. 도2의 컴포넌트(208)를 마운트하기 위한 준비로서, 마스크 층(214) 및 매립형 패턴(212) 상에 디바이스 접착제(218)가 형성된다. 이러한 접착제 형성은, 예컨대, 프린팅 혹은 코팅 등과 같은 공정을 통해 수행될 수 있다.
이제 도7을 참조하면, 제조 단계 중 수동형 디바이스 부착 단계에서의 도6의 구조가 도시된다. 컴포넌트(208)가 디바이스 접착제(218)를 통해 매립형 패턴(212)에 부착된다. 디바이스 접착제(218)는 수평적으로, 상기 컴포넌트(208) 보다 크다.
이제 도8을 참조하면, 제조 단계 중 라미네이션 단계에서의 도7의 구조가 도시된다. 이 단계에서, 내장 물질(210) 및 그 일부분이 도2의 전도성 패턴(220)이 될 예정인 베이스 전도성 물질(838)이 증착된다. 이러한 증착 혹은 라미네이션 프로세스는 다양한 방법으로 수행될 수 있으며, 내장 물질(210)의 일부분들 사이의 분리는 단지 명확성을 위해서 도시된다.
이제 도9를 참조하면, 제조 단계 중 제 1 패터닝 단계에서의 도8의 구조가 도시된다. 내장 물질(210) 상의 베이스 전도성 물질(838)의 최상부에서 가령, 마스킹 및 도금(plating) 등과 같은 공정을 통하여 전도성 패턴(220)이 패터닝될 수있다. 전도성 패턴(220)이 형성되기 전에, 드릴링(레이저 혹은 기계적인) 혹은 전도성 물질의 증착에 후속되는 에칭 등과 같은 공정을 통해 내장형 컴포넌트 비아(216)와 수직 비아(230)가 형성될 수 있다. 내장형 컴포넌트 비아(216)와 수직 비아(230)는 베이스 전도성 물질(838) 및 내장 물질(210)을 통해 형성될 수 있다. 증착(deposition)은 예컨대 도금(plating)을 통해 수행될 수 있다. 다음으로, 전도성 패턴(220)이 패터닝되어 수직 비아(230), 내장형 컴포넌트 비아(216) 및 베이스 전도성 물질(838)에 접촉한다.
이제 도10을 참조하면, 제조 단계 중 분리 단계에서의 도9의 구조가 도시된다. 이 단계에서, 도4의 양면 캐리어(434)의 코어로부터 전도성 층(436)이 분리될 수 있다. 양면 캐리어(434)의 양쪽 면에 있는 구조들은 본 도면 이후에 설명되는 바와 같이, 동일한 방식으로 프로세싱될 수 있음을 유의해야 한다. 또한, 다음을 유의해야 하는바, 본 도면과 후속 도면들은 도2의 집적회로 패키징 시스템(100)과 비교했을 때 아래-위가 뒤집힌 구조를 도시한다. 도시된 구조들의 방향은 단지 일례일 뿐이며, 본 발명의 공정들은 도시된 방향만으로 한정되지 않음을 유의해야 한다.
이제 도11을 참조하면, 제조 단계 중 비아 형성 단계에서의 도10의 구조가 도시된다. 이 단계에서, 식각 혹은 드릴링 등의 공정을 이용하여 내장형 컴포넌트 비아(216)가 전도성 층(436) 및 매립형 패턴(212)을 통해 형성된다. 이러한 일례에서, 패터닝된 마스크(1140)가 이용되는데, 이는 전도성 물질을 통하여 컨포멀하게(conformal) 식각하지만, 디바이스 접착제(218)에서 정지하기 위한 것이다.
이제 도12를 참조하면, 제조 단계 중 비아 오프닝 단계에서의 도11의 구조가 도시된다. 이 단계에서는, 컴포넌트(208)의 콘택들을 노출시키도록 디바이스 접착제(218) 내에 구멍들을 오픈시킴으로써, 내장형 컴포넌트 비아(216)가 완성된다. 이러한 일례에서, 디바이스 접착제(218)는 레이저 드릴링에 의해서 오픈된다.
이제 도13을 참조하면, 제조 단계 중 증착 단계에서의 도12의 구조가 도시된다. 디바이스 접착제(218)를 관통하는 내장형 컴포넌트 비아(216)는 컴포넌트(208)와 직접적으로 접촉하는 전도성 물질(가령, 구리)로 충전된다. 또한, 내장형 컴포넌트 비아(216)가 충전된 이후, 도11의 패터닝된 마스크(1140)가 제거된다.
이제 도14를 참조하면, 제조 단계 중 제거 단계에서의 도13의 구조가 도시된다. 도4의 전도성 층(436) 및 도8의 베이스 전도성 물질(838)이 제거되어, 매립형 패턴(212)과 전도성 패턴(220)을 완전히 형성한다. 이러한 제거는 예컨대, 식각 등의 방법으로 수행될 수 있다.
제거 단계에 후속하여, 매립형 패턴(212), 전도성 패턴(220) 및 내장 물질(210) 상에 도2의 패터닝된 유전체(222)가 증착된다. 이에 의해서, 도2의 내장형 컴포넌트 기판(102)의 형성이 완료된다. 도2의 집적회로 다이(104)가 내장형 컴포넌트 기판(102) 상에 마운트되어, 도2의 집적회로 패키징 시스템(100)이 완성된다.
마스크 층(214)을 이용하여 매립형 패턴(212)을 형성하는 것은 제조 결함들을 감소시킬 수 있으며 따라서 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있음이 발견되었다. 과거의 비아 온 범프(Via On Bump: VOB) 구조들은, 평탄하지 않은 도금(uneven plating) 때문에 비아들 위의 전도성 패턴에서 평탄하지 않은 오목부(dimple)들을 갖는다는 점이 밝혀졌다. 마스크 층(214)과 동일 평면인 표면을 갖는 매립형 패턴(212)을 사용함으로써, VOB를 평탄하게 형성하는 것이 훨씬 용이해졌으며, 따라서 결함 발생을 감소시킬 수 있다.
이제 도15를 참조하면, 도3의 집적회로 패키징 시스템(300)을 제조하기 위한 제조 단계 중 대안적인 계층화 단계에서의 도9의 구조가 도시된다. 이 단계에서, 에칭이 수행되어 도8의 베이스 전도성 물질(838)이 제거되며, 그리고 내장 물질(310)의 다른 층이 전도성 패턴의 최상부 상에서 라미네이트되는바, 이는 도3의 계층화된 전도성 패턴(331)의 내부 층이 될 것이다. 다음으로, 외부 베이스 전도성 층(1542)이 내장 물질(310) 상에 증착될 수 있다.
이제 도16을 참조하면, 제조 단계 중 비아 형성 단계에서의 도15의 구조가 도시된다. 컴포넌트(308)에 연결되는 내장형 컴포넌트 비아(316)에 정렬되도록, 내장 물질(310) 내에 그리고 외부 베이스 전도성 층(1542)을 관통하여 내부 비아들이 형성될 수 있다. 이러한 내부 비아들은 외부 베이스 전도성 층(1542)의 표면 상에 계층화된 전도성 패턴(331)의 외부 층을 동시에 패터닝하면서, 전도성 물질(가령, 구리)로 충전될 수 있다. 내부 비아들을 충전하는 것과 계층화된 전도성 패턴(331)의 외부 층을 증착하는 것은 동시에 수행될 수도 있으며, 혹은 별도로 수행될 수도 있다.
이제 도17을 참조하면, 제조 단계 중 분리 단계에서의 도16의 구조가 도시된다. 상기 구조는 도3의 집적회로 패키징 시스템(300)의 방향과 비교하면 뒤집혀진 방향으로 도시된다. 하지만 도시된 방향은 단지 일례일 뿐이며, 어떤 임의의 방향도 가능함을 유의해야 한다.
이제 도18을 참조하면, 추가적인 비아 형성 단계에서의 도17의 구조가 도시된다. 이 단계에서, 에칭 혹은 드릴링 등의 공정을 통해, 전도성 층(436) 및 매립형 패턴(312)을 관통하는 내장형 컴포넌트 비아(316)가 형성된다. 이러한 일례에서, 패터닝된 마스크(18410)가 이용되는데, 이는 전도성 물질을 통하여 컨포멀하게(conformal) 식각하지만, 디바이스 접착제(318)에서 정지하기 위한 것이다.
이제 도19를 참조하면, 비아 오프닝 단계에서의 도18의 구조가 도시된다. 이 단계에서, 컴포넌트(308)의 콘택들을 노출시키도록 디바이스 접착제(318) 내에 구멍들을 오픈시킴으로써, 내장형 컴포넌트 비아(316)가 완성된다. 이러한 일례에서, 디바이스 접착제(318)는 레이저 드릴링에 의해서 오픈된다.
이제 도20을 참조하면, 제조 단계 중 증착 단계에서의 도19의 구조가 도시된다. 디바이스 접착제(318)를 관통하는 내장형 컴포넌트 비아(316)는 컴포넌트(308)와 직접적으로 접촉하는 전도성 물질(가령, 구리)로 충전된다. 또한, 내장형 컴포넌트 비아(316)가 충전된 이후, 패터닝된 마스크(1840)가 제거될 수 있다.
이제 도21을 참조하면, 제조 단계 중 제거 단계에서의 도20의 구조가 도시된다. 도4의 전도성 층(436) 및 도8의 베이스 전도성 물질(838)이 제거되어, 매립형 패턴(312)과 계층화된 전도성 패턴(331)을 완전히 형성한다. 이러한 제거는 예컨대, 식각 등의 방법으로 수행될 수 있다.
제거 단계에 후속하여, 매립형 패턴(312), 계층화된 전도성 패턴(331) 및 내장 물질(310) 상에 도3의 패터닝된 유전체(322)가 증착된다. 이에 의해서, 도3의 내장형 컴포넌트 기판(302)의 형성이 완료된다. 도3의 집적회로 다이(304)를 마운트함으로써, 도3의 집적회로 패키징 시스템(300)이 완성된다.
집적회로 패키징 시스템(300)을 형성하기 위한 전술한 바와 같은 코어리스(coreless) 공정 플로우는 계층화된 전도성 패턴(331)의 층들의 용이한 확장(extension)을 허용한다. 내장 물질(310)이 오직 필요한 두께 만큼만 형성되고 그리고 추가 두께가 용이하게 부가될 수 있기 때문에, 다른 한 층의 내장 물질(310)을 추가하고 그리고 최상부에 전도성 층을 패터닝함으로써, 계층화된 전도성 패턴(331)의 추가 층들이 상대적으로 간단하게 부가될 수 있다.
이제 도22를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 서 집적회로 패키징 시스템(100)을 제조하는 방벙92200)의 순서도가 도시된다. 상기 방법(2200)은, 수동형 디바이스 상에 내장 물질을 형성하는 단계(블록 2202); 상기 내장 물질 상에 건조 필름 층을 증착하는 단계(블록 2204); 상기 건조 필름 층을 패터닝하는 단계(블록 2206); 상기 건조 필름 층에 매립형 패턴을 증착하는 단계, 상기 매립형 패턴의 외부 표면은 건조 필름 층의 외부 표면과 동일 평면이며, 상기 매립형 패턴은 상기 수동형 디바이스에 전기적으로 연결되며(블록 2208); 상기 매립형 패턴의 일부분 상에 패터닝된 유전체를 형성하는 단계(블록 2210); 및 상기 매립형 패턴 상에 집적회로 다이를 마운트하는 단계(블록 2212)를 포함한다.
결과적인 방법, 프로세스, 장치, 디바이스, 제품 및/또는 시스템은 간단명료하며(straightforward), 비용면에서 효과적이며, 복잡하지 않으며, 응용가능성이 높으며, 정확하고, 민감하며, 그리고 효과적인바, 용이하고, 효율적이며, 그리고 경제적인 제조, 응용 및 활용을 위해 공지된 구성요소들을 적용함으로서 구현될 수 있다.
본 발명의 다른 중요한 양상들은 비용을 절감하고, 시스템을 간략화하며, 성능을 향상시키고자 하는 역사적인 추세를 유용하게 지원할 수 있으며 이에 부응할 수 있다.
본 발명의 이와 같은 유용한 양상들 및 또 다른 양상들은 결과적으로, 기술수준을 적어도 다음 레벨로 진화시킬 수 있다.
비록, 본 발명은 특정한 최적 실시모드에 관하여 설명되었지만, 앞서 설명된 내용을 참조한다면, 수많은 대체예들, 수정예들 및 변형예들이 가능함은 해당 기술분야의 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항들의 범위내에 속하는 이러한 모든 대체예들, 수정예들 및 변형예들을 포괄하도록 의도된다. 본 명세서에서 이제까지 설명된 모든 내용들 또는 첨부된 도면에서 도시된 모든 내용들은, 예시적이며 비제한적인 의미로 해석되어야만 한다.

Claims (10)

  1. 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법으로서,
    컴포넌트 상에 내장 물질(embedding material)을 형성하는 단계;
    상기 내장 물질 상에 마스크 층을 증착하는 단계;
    상기 마스크 층을 패터닝하는 단계;
    상기 마스크 층 내에 매립형(buried) 패턴을 증착하는 단계, 상기 매립형 패턴의 외부 표면은 상기 마스크 층의 외부 표면과 동일 평면이며, 상기 매립형 패턴은 상기 컴포넌트에 전기적으로 연결되며;
    패터닝된 유전체를 상기 매립형 패턴의 일부분 상에 형성하는 단계; 및
    집적회로 다이를 상기 매립형 패턴 상에 마운트하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내장 물질은 선-함침 물질(pre-impregnated material)인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 매립형 패턴을 증착하는 단계는 매립형 콘택 패드들을 구비한 상기 매립형 패턴을 증착하는 단계를 포함하고; 그리고
    상기 패터닝된 유전체를 형성하는 단계는 상기 매립형 콘택 패드들을 노출시킨채로 상기 패터닝된 유전체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 내장 물질 상에 전도성 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 전도성 패턴은 상기 매립형 패턴과 대향하는 상기 컴포넌트의 일면에서 상기 컴포넌트에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 매립형 패턴을 상기 컴포넌트에 전기적으로 연결하기 위한 내장형(embedded) 컴포넌트 비아를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템의 제조 방법.
  6. 집적회로 패키징 시스템으로서,
    컴포넌트 상의 내장 물질;
    상기 내장 물질 상의 마스크 층;
    상기 마스크 층 내의 매립형 패턴, 상기 매립형 패턴의 외부 표면은 상기 마스크 층의 외부 표면과 동일 평면이며, 상기 매립형 패턴은 상기 컴포넌트에 전기적으로 연결되며;
    상기 매립형 패턴의 일부분 상의 패터닝된 유전체; 및
    상기 매립형 패턴 상의 집적회로 다이
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 내장 물질은 선-함침 물질인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 매립형 패턴은 상기 패터닝된 유전체를 통해 노출된 매립형 콘택 패드들을 갖는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 내장 물질 상의 전도성 패턴을 더 포함하고,
    상기 전도성 패턴은 상기 매립형 패턴과 대향하는 상기 컴포넌트의 일면에서 상기 컴포넌트에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 매립형 패턴을 상기 컴포넌트에 전기적으로 연결하는 내장형 컴포넌트 비아를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키징 시스템.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825003B2 (en) 2015-11-06 2017-11-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component package and method of manufacturing the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10319607B2 (en) * 2014-08-22 2019-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package-on-package structure with organic interposer
US9837484B2 (en) * 2015-05-27 2017-12-05 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming substrate including embedded component with symmetrical structure
US11309192B2 (en) * 2018-06-05 2022-04-19 Intel Corporation Integrated circuit package supports

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217382A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Shinko Electric Ind Co Ltd キャパシタ装置とそれを備えた半導体装置、及びキャパシタ装置の製造方法
KR20070034710A (ko) * 2005-09-26 2007-03-29 삼성전기주식회사 스크린 프린팅을 이용하여 전자부품이 내장된 인쇄회로기판및 그 제조방법
JP2009200389A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品内蔵基板の製造方法
KR20110031675A (ko) * 2009-09-21 2011-03-29 주식회사 심텍 칩 내장형 인쇄회로기판 및 제조 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101084525B1 (ko) * 1999-09-02 2011-11-18 이비덴 가부시키가이샤 프린트배선판 및 그 제조방법
FI115285B (fi) * 2002-01-31 2005-03-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja kontaktin muodostamiseksi
FI119215B (fi) * 2002-01-31 2008-08-29 Imbera Electronics Oy Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja elektroniikkamoduuli
TWI241007B (en) 2004-09-09 2005-10-01 Phoenix Prec Technology Corp Semiconductor device embedded structure and method for fabricating the same
JP4862641B2 (ja) * 2006-12-06 2012-01-25 株式会社デンソー 多層基板及び多層基板の製造方法
TWI330401B (en) * 2006-12-25 2010-09-11 Unimicron Technology Corp Circuit board structure having embedded semiconductor component and fabrication method thereof
TWI351090B (en) * 2007-01-31 2011-10-21 Advanced Semiconductor Eng Buried eletronic device structure and methods for forming the same
TWI335652B (en) * 2007-04-04 2011-01-01 Unimicron Technology Corp Stacked packing module
JP5203451B2 (ja) * 2008-03-24 2013-06-05 日本特殊陶業株式会社 部品内蔵配線基板
TWI373109B (en) * 2008-08-06 2012-09-21 Unimicron Technology Corp Package structure
TWI395318B (zh) * 2008-10-16 2013-05-01 使用嵌入式晶片載板之薄型立體堆疊封裝結構
US9230898B2 (en) * 2009-08-17 2016-01-05 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with package-on-package and method of manufacture thereof
US8901724B2 (en) * 2009-12-29 2014-12-02 Intel Corporation Semiconductor package with embedded die and its methods of fabrication
KR101060842B1 (ko) * 2010-01-07 2011-08-31 삼성전기주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
CN102376592B (zh) * 2010-08-10 2014-05-07 矽品精密工业股份有限公司 芯片尺寸封装件及其制法
AT12737U1 (de) 2010-09-17 2012-10-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zum herstellen einer aus mehreren leiterplattenbereichen bestehenden leiterplatte sowie leiterplatte
US9406658B2 (en) * 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
US8736065B2 (en) * 2010-12-22 2014-05-27 Intel Corporation Multi-chip package having a substrate with a plurality of vertically embedded die and a process of forming the same
US8916481B2 (en) * 2011-11-02 2014-12-23 Stmicroelectronics Pte Ltd. Embedded wafer level package for 3D and package-on-package applications, and method of manufacture
JP6133549B2 (ja) * 2012-04-26 2017-05-24 新光電気工業株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
US8884443B2 (en) 2012-07-05 2014-11-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate for semiconductor package and process for manufacturing
TWI574355B (zh) * 2012-08-13 2017-03-11 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217382A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Shinko Electric Ind Co Ltd キャパシタ装置とそれを備えた半導体装置、及びキャパシタ装置の製造方法
KR20070034710A (ko) * 2005-09-26 2007-03-29 삼성전기주식회사 스크린 프린팅을 이용하여 전자부품이 내장된 인쇄회로기판및 그 제조방법
JP2009200389A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品内蔵基板の製造方法
KR20110031675A (ko) * 2009-09-21 2011-03-29 주식회사 심텍 칩 내장형 인쇄회로기판 및 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825003B2 (en) 2015-11-06 2017-11-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component package and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102326494B1 (ko) 2021-11-15
CN104716057B (zh) 2018-12-21
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