KR20150016112A - 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치 - Google Patents

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Abstract

경량이며 파손되기 어렵고, 가요성을 갖는 발광 장치를 제공한다. 제1 가요성 기판과, 제2 가요성 기판과, 소자층과, 제1 접착층과, 제2 접착층을 갖고, 소자층은, 발광 소자를 갖고, 소자층은, 제1 가요성 기판과 제2 가요성 기판 사이에 위치하고, 제1 접착층은, 제1 가요성 기판과 소자층 사이에 위치하고, 제2 접착층은, 제2 가요성 기판과 소자층 사이에 위치하고, 소자층의 단부보다 외측에서, 제1 접착층 및 제2 접착층이 접하고, 소자층의 단부, 제1 접착층의 단부, 제2 접착층의 단부보다 외측에서, 제1 가요성 기판 및 제2 가요성 기판이 접하는, 발광 장치이다.

Description

발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치{LIGHT-EMITTING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE}
본 발명은 물체, 방법 및 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 프로세스, 머신, 매뉴팩처 및 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 일 형태는, 반도체 장치, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 조명 장치 및 그러한 제작 방법에 관한 것이다. 특히, 일렉트로루미네센스(Electroluminescence, 이하 EL이라도 기재함) 현상을 이용한 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 조명 장치 및 그들의 제작 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 발광 장치나 표시 장치는 다양한 용도로의 응용이 기대되고 있어, 다양화가 요구되고 있다.
예를 들어, 휴대 기기 용도 등의 발광 장치나 표시 장치에서는, 박형일 것, 경량일 것, 또는 파손되기 어려울 것 등이 요구되고 있다.
EL 현상을 이용한 발광 소자(EL 소자라고도 기재함)는, 박형 경량화가 용이한, 입력 신호에 대하여 고속으로 응답 가능한, 직류 저전압 전원을 사용하여 구동 가능한 등의 특징을 가져, 발광 장치나 표시 장치에 대한 응용이 검토되고 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에, 필름 기판 위에, 스위칭 소자인 트랜지스터나 유기 EL 소자를 구비한 플렉시블한 액티브 매트릭스형의 발광 장치가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2003-174153호 공보
본 발명의 일 형태는, 신규의 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 경량의 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 신뢰성이 높은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 파손되기 어려운 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 두께가 얇은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 광 추출 효율이 높은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 휘도가 높은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 소비 전력이 낮은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.
또한, 본 발명의 일 형태는, 경량이며 파손되기 어렵고, 가요성을 갖는 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.
또한, 본 발명의 일 형태는, 이들 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다.
본 발명의 일 형태의 발광 장치는, 제1 가요성 기판과, 제2 가요성 기판과, 소자층과, 제1 접착층과, 제2 접착층을 갖고, 소자층은, 발광 소자를 갖고, 소자층은, 제1 가요성 기판과 제2 가요성 기판 사이에 위치하고, 제1 접착층은, 제1 가요성 기판과 소자층 사이에 위치하고, 제2 접착층은, 제2 가요성 기판과 소자층 사이에 위치하고, 소자층의 단부보다 외측에서, 제1 접착층 및 제2 접착층이 접하고, 소자층의 단부, 제1 접착층의 단부 및 제2 접착층의 단부보다 외측에서, 제1 가요성 기판 및 제2 가요성 기판이 접한다.
또는, 본 발명의 일 형태는, 제1 가요성 기판과, 제2 가요성 기판과, 소자층과, 제1 접착층과, 제2 접착층과, 제3 접착층을 갖고, 소자층은, 발광 소자를 갖고, 소자층은, 제1 가요성 기판과 제2 가요성 기판 사이에 위치하고, 제1 접착층은, 제1 가요성 기판과 소자층 사이에 위치하고, 제2 접착층은, 제2 가요성 기판과 소자층 사이에 위치하고, 소자층의 단부, 제1 접착층의 단부 및 제2 접착층의 단부보다 외측에서 제3 접착층, 제1 가요성 기판 및 제2 가요성 기판이 중첩하는 발광 장치이다.
예를 들어, 제1 가요성 기판 및 제2 가요성 기판이, 저융점 유리나 열가소성 수지 등을 개재하여 접합되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 제3 접착층은 저융점 유리 또는 열가소성 수지를 갖는 것이 바람직하다.
또는, 본 발명의 일 형태는, 제1 가요성 기판과, 제2 가요성 기판과, 소자층과, 제1 접착층과, 제2 접착층을 갖고, 소자층은, 발광 소자를 갖고, 소자층은, 제1 가요성 기판과 제2 가요성 기판 사이에 위치하고, 제1 접착층은, 제1 가요성 기판과 소자층 사이에 위치하고, 제2 접착층은, 제2 가요성 기판과 소자층 사이에 위치하고, 소자층의 단부 및 제1 접착층의 단부보다 외측에서, 제2 접착층, 제1 가요성 기판 및 제2 가요성 기판이 중첩하는 발광 장치이다. 또한, 소자층의 단부, 제1 접착층의 단부, 제2 접착층의 단부보다 외측에서, 제1 가요성 기판 및 제2 가요성 기판이 접하고 있어도 된다.
또한, 상기 각 구성의 발광 장치에 있어서, 제1 가요성 기판의 열팽창률 및 제2 가요성 기판의 열팽창률의 차의 절대값이 제1 가요성 기판의 열팽창률 또는 제2 가요성 기판의 열팽창률의 10％이내인 것이 바람직하다.
또한, 상기 각 구성의 발광 장치에 있어서, 제1 가요성 기판 및 제2 가요성 기판이 동일한 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 각 구성의 발광 장치를 사용한 전자 기기나 조명 장치도 본 발명의 일 형태이다.
또한, 본 명세서 중에서의 발광 장치란, 발광 소자를 사용한 표시 장치를 포함한다. 또한, 발광 소자에 커넥터, 예를 들어 이방성 도전막, 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 설치된 모듈, TCP의 끝에 프린트 배선판이 설치된 모듈, 또는 발광 소자에 COG(Chip On Glass) 방식에 의해 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 발광 장치에 포함하는 것으로 한다. 또한, 조명 기구 등에 사용되는 발광 장치도 포함하는 것으로 한다.
본 발명의 일 형태에서는, 신규의 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에서는, 경량의 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태는, 신뢰성이 높은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에서는, 파손되기 어려운 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에서는, 두께가 얇은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에서는, 광 추출 효율이 높은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에서는, 휘도가 높은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에서는, 소비 전력이 낮은 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에서는, 경량이며 파손되기 어렵고, 가요성을 갖는 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 발광 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 발광 장치를 도시하는 도면이다.
도 3은 발광 장치를 도시하는 도면이다.
도 4는 발광 장치를 도시하는 도면이다.
도 5는 발광 장치를 도시하는 도면이다.
도 6은 발광 장치의 제작 방법을 도시하는 도면이다.
도 7은 발광 장치의 제작 방법을 도시하는 도면이다.
도 8은 전자 기기를 도시하는 도면이다.
도 9는 전자 기기를 도시하는 도면이다.
도 10은 전자 기기를 도시하는 도면이다.
도 11은 전자 기기를 도시하는 도면이다.
도 12는 전자 기기를 도시하는 도면이다.
도 13은 발광 장치를 도시하는 도면이다.
도 14는 발광 장치를 도시하는 도면이다.
실시 형태에 대해서, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위로부터 일탈하지 않고 그 형태 및 상세를 다양하게 변경할 수 있음은 당업자라면 용이하게 이해된다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시 형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것이 아니다.
또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 마찬가지의 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 서로 다른 도면들에서 공통적으로 사용하고, 그 반복 설명은 생략한다. 또한, 마찬가지의 기능을 가리키는 경우에는, 해치 패턴을 동일하게 하고, 특별히 부호를 붙이지 않는 경우가 있다.
또한, 도면 등에서 나타내는 각 구성의, 위치, 크기, 범위 등은, 이해의 간단화를 위해, 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내지 않은 경우가 있다. 이로 인해, 본 발명은, 반드시 도면 등에 개시된 위치, 크기, 범위 등에 한정되는 것은 아니다.
(실시 형태 1)
본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치에 대하여 도 1 내지 도 7, 도 13 및 도 14를 사용하여 설명한다.
본 발명의 일 형태의 발광 장치의 구성에 대하여 설명한다.
도 1의 (A)에 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 평면도를 나타내고, 도 1의 (B)에 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 단면도를 도시한다. 당해 발광 장치는, 광 추출부(104)와 구동 회로부(106)를 갖는다.
도 1의 (B)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)이 순서대로 적층되어 있다. 소자층(101)에는 발광 소자가 포함되어 있다. 소자층(101)에 포함되는 도전층과 FPC(108)는 접속체(215)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
도 2의 (A)에 본 발명의 다른 형태의 발광 장치의 평면도를 나타내고, 도 2의 (B) 내지 (G)에 본 발명의 다른 형태의 발광 장치의 단면도를 각각 나타낸다. 당해 발광 장치는, 광 추출부(104)와 구동 회로부(106)를 갖는다.
도 2의 (B)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)이 순서대로 적층되어 있다. 소자층(101)에는 발광 소자가 포함되어 있다. 소자층(101)에 포함되는 도전층과 FPC(108)는 접속체(215)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
여기서, 발광 소자에 사용하는 유기 화합물이나 금속 재료는, 수분이나 산소 등의 불순물과 반응하기 쉽다. 유기 화합물 또는 금속 재료와, 당해 불순물이 반응함으로써, 발광 소자의 수명은 대폭 저하되어버린다. 본 발명의 일 형태에서는, 소자층(101)의 단부보다 외측에서, 접착층(105) 및 접착층(203)이 접하고 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 소자층(101)에 대기의 수분 등의 불순물이 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 발광 장치의 신뢰성 저하를 억제할 수 있어 바람직하다.
도 2의 (C)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)이 순서대로 적층되어 있다. 소자층(101)에 포함되는 도전층과 FPC(108)는, 접속체(215)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 소자층(101)의 단부보다 외측에서, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)이 접하고 있다.
여기서, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)의 밀착성을 높이기 위해서, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)에 접하여 접착제, 유리 프릿(저융점 유리), 열가소성 수지 등을 배치하여, 경화 또는 용착시키는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 2의 (E)에, 소자층의 단부보다 외측에 위치하는 접착층(206)에 의해, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)이 접합되어 있는 예를 나타낸다. 접착층(206)에는, 접착제, 유리 프릿(저융점 유리), 또는 열가소성 수지 등을 사용할 수 있다. 또는, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)을 직접 용착시켜도 된다. 본 발명의 일 형태에서 사용하는 가요성 기판은, 열팽창률이 작고 내열성이 높기 때문에, 열 압착 등의 국소적인 가열을 사용해도 발광 장치에 대미지를 끼치기 어렵다. 이러한 구성으로 함으로써, 소자층(101)에 대기의 수분 등의 불순물이 침입하기 어려워, 발광 장치의 신뢰성 저하를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
도 2의 (D)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)이 순서대로 적층되어 있다. 소자층(101)에 포함되는 도전층과 FPC(108)는, 접속체(215)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 소자층(101)의 단부보다 외측에서, 접착층(105) 및 접착층(203)이 접하고 있다. 소자층(101), 접착층(203) 및 접착층(105) 각각의 단부보다 외측에서, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)이 접하고 있다. 도 2의 (E)에 나타내는 발광 장치와 마찬가지로, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)의 밀착성을 높이기 위해서, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)에 접하여 접착제, 유리 프릿(저융점 유리), 열가소성 수지 등을 배치하여, 경화 또는 용착시키는 것이 바람직하다. 즉, 도 2의 (D)의 구성 외에, 소자층의 단부보다 외측에 위치하는 접착층(206)을 가져도 된다. 또는, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)을 직접 용착시켜도 된다.
또한, 도 2의 (F)에 나타내는 발광 장치와 같이, 소자층(101)의 단부 및 접착층(203)의 단부보다 외측에서 접착층(105), 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)이 중첩되어 있어도 된다. 접착층(105)은, 소자층(101)의 단부 및 접착층(203)의 단부를 덮고 있다. 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)은, 접착층(105)에 의해 접합되어 있다. 또한, 도 2의 (G)에 도시한 바와 같이, 소자층(101)의 단부, 접착층(203)의 단부 및 접착층(105)의 단부보다 외측에서, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)이 접하고 있어도 된다.
도 2의 (C), (D), (G)에 도시한 바와 같은, 소자층(101)의 단부보다 외측에서, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)이 접하고 있는 구성으로 하는 경우, 마찬가지의 성질을 갖는 재료를 사용함으로써 밀착성을 높일 수 있다. 따라서, 한 쌍의 가요성 기판에 동일한 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
가요성 기판으로서는, 유리, 석영, 세라믹, 사파이어, 유기 수지 등의 재료를 사용할 수 있다.
유리로서는, 예를 들어 무알칼리 유리, 바륨붕규산 유리, 알루미노붕규산 유리 등을 사용할 수 있다.
가요성 및 가시광에 대한 투과성을 갖는 재료로서는, 예를 들어 가요성을 가질 정도의 두께의 유리나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카르보네이트(PC) 수지, 폴리에테르술폰(PES) 수지, 폴리아미드 수지, 시클로올레핀 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리염화비닐 수지 등을 들 수 있다. 특히, 열팽창률이 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어 폴리아미드이미드 수지, 폴리이미드 수지, PET 등을 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 유리 섬유에 유기 수지를 함침한 기판이나, 무기 필러를 유기 수지에 섞어서 열팽창률을 낮춘 기판을 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 발광 장치에 있어서, 광을 투과시킬 필요가 없는 가요성 기판에는, 금속 기판 등의 투광성이 낮은 기판을 사용해도 된다. 금속 기판을 구성하는 재료로서는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들어 알루미늄, 구리, 니켈, 또는, 알루미늄 합금 또는 스테인리스 등의 금속의 합금 등을 적절하게 사용할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 발광 장치에 있어서, 한 쌍의 가요성 기판의 열팽창률의 차의 절대값이 한 쌍의 가요성 기판 중 적어도 한쪽의 열팽창률의 10％ 이내인 것이 바람직하다. 한 쌍의 가요성 기판의 열팽창률의 차를 작게 함으로써, 발광 장치가 한쪽 방향으로 휘는 것을 억제할 수 있다. 또한, 열에 의해 한 쌍의 가요성 기판의 신축 정도가 상이한 것은, 발광 장치에서의 크랙의 발생의 원인의 하나이다. 이것으로부터도, 한 쌍의 가요성 기판에 동일한 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 한 쌍의 가요성 기판의 열팽창률의 차를 작게 할 수 있다.
<구체예 1>
도 1의 (A)에 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 평면도를 나타내고, 도 1의 (A)에서의 일점 쇄선 A1-A2 사이의 단면도의 일례를 도 1의 (C)에 나타내었다.
도 1의 (C)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)을 갖는다. 소자층(101)은, 절연층(205), 복수의 트랜지스터, 도전층(157), 절연층(207), 절연층(209), 복수의 발광 소자, 절연층(211), 접착층(213), 오버코트(261), 착색층(259), 차광층(257) 및 절연층(255)을 갖는다.
도전층(157)은, 접속체(215)를 개재하여 FPC(108)와 전기적으로 접속한다. 또한, 도 1의 (C)에서는, FPC(108)가 가요성 기판(103)과 중첩하는 예를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 13의 (A)에 도시한 바와 같이, 가요성 기판(201)보다 면적이 작은 가요성 기판(103)을 사용하는 경우, 가요성 기판(201)과 가요성 기판(103)이 중첩하지 않는 영역에, FPC(108)를 설치해도 된다(즉, 가요성 기판(103)과 FPC(108)는 중첩하지 않아도 된다).
발광 소자(230)는, 하부 전극(231), EL층(233) 및 상부 전극(235)을 갖는다. 하부 전극(231)은, 트랜지스터(240)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속한다. 하부 전극(231)의 단부는, 절연층(211)으로 덮여 있다. 발광 소자(230)는 톱 에미션 구조이다. 상부 전극(235)은, 투광성을 가져, EL층(233)이 방출하는 광을 투과한다.
발광 소자(230)와 중첩하는 위치에 착색층(259)이 설치되고, 절연층(211)과 중첩하는 위치에 차광층(257)이 설치되어 있다. 착색층(259) 및 차광층(257)은, 오버코트(261)로 덮여 있다. 발광 소자(230)와 오버코트(261) 사이에는 접착층(213)으로 충전되어 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 발광 장치는, 도 13의 (B)에 도시한 바와 같이, 착색층(259)과 중첩하지 않는 발광 소자(230)를 가져도 된다. 예를 들어, 적색, 청색, 녹색 및 백색의 4개의 부화소로 1개의 화소를 구성하는 경우, 백색의 부화소에서는, 착색층(259)을 설치하지 않아도 된다. 이에 의해, 착색층에 의한 광의 흡수량이 저감되기 때문에, 발광 장치의 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, EL층(233a)과 EL층(233b)에 상이한 재료를 사용함으로써, 화소마다 상이한 색을 나타내는 발광 소자를 제작해도 된다.
발광 장치는, 광 추출부(104) 및 구동 회로부(106)에, 트랜지스터(240) 등의 복수의 트랜지스터를 갖는다. 트랜지스터(240)는, 절연층(205) 위에 설치되어 있다. 절연층(205)과 가요성 기판(201)은 접착층(203)에 의해 접합되어 있다. 또한, 절연층(255)과 가요성 기판(103)은 접착층(105)에 의해 접합되어 있다. 절연층(205)이나 절연층(255)에 투수성이 낮은 막을 사용하면, 발광 소자(230)나 트랜지스터(240)에 물 등의 불순물이 침입하는 것을 억제할 수 있어, 발광 장치의 신뢰성이 높아지기 때문에 바람직하다.
구체예 1에서는, 내열성이 높은 제작 기판 위에서 절연층(205)이나 트랜지스터(240), 발광 소자(230)를 제작하고, 당해 제작 기판을 박리하여, 접착층(203)을 사용해서 가요성 기판(201) 위에 절연층(205)이나 트랜지스터(240), 발광 소자(230)를 전치(轉置)함으로써 제작할 수 있는 발광 장치를 나타내고 있다. 또한, 구체예 1에서는, 내열성이 높은 제작 기판 위에서 절연층(255), 착색층(259) 및 차광층(257)을 제작하고, 당해 제작 기판을 박리하여, 접착층(105)을 사용해서 가요성 기판(103) 위에 절연층(255), 착색층(259) 및 차광층(257)을 전치함으로써 제작할 수 있는 발광 장치를 나타내고 있다.
기판에, 내열성이 낮은 재료(수지 등)를 사용하는 경우, 제작 공정에서 기판에 고온을 가하는 것이 어렵기 때문에, 당해 기판 위에 트랜지스터나 절연막을 제작하는 조건에 제한이 있다. 또한, 발광 장치의 기판에 투수성이 높은 재료(수지 등)를 사용하는 경우, 기판과 발광 소자 사이에 고온을 가하여, 투수성이 낮은 막을 형성하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태의 제작 방법에서는, 내열성이 높은 제작 기판 위에서 트랜지스터 등의 제작을 실시할 수 있기 때문에, 고온을 가하여, 신뢰성이 높은 트랜지스터나 투수성이 충분히 낮은 절연막을 형성할 수 있다. 그리고, 그것들을 내열성이 낮은 기판에 전치함으로써, 신뢰성이 높은 발광 장치를 제작할 수 있다. 이에 의해, 본 발명의 일 형태에서는, 경량 또는 박형이며, 또한 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다. 제작 방법의 상세는 후술한다.
구체예 1에서는, 가요성 기판(103)을 개재하여 발광 소자(230)의 광이 추출된다. 따라서, 가요성 기판(103)에는, 가시광을 투과하는 재료를 사용한다. 또한, 가요성 기판(103)은, 접착층(105)보다 가시광의 투과율이 높은 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광 장치의 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 가요성 기판(103) 및 가요성 기판(201)의 열팽창률의 차의 절대값이 가요성 기판(103) 또는 가요성 기판(201)의 열팽창률의 10％ 이내인 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광 장치의 휨 및 발광 장치에서의 크랙의 발생 등을 억제할 수 있다.
또한, 도 2의 (C), (D), (G)에 도시한 바와 같은, 소자층(101)의 단부보다 외측에서, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)이 접하고 있는 구성으로 하는 경우, 마찬가지의 성질을 갖는 재료를 사용함으로써 밀착성을 높일 수 있다. 이에 의해, 소자층(101)에 대기의 수분 등의 불순물이 침입하기 어려워, 발광 장치의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 도 2의 (B), (E), (F)에 도시한 바와 같이, 접착층(206) 또는 접착층(105) 등에 의해, 가요성 기판(201) 및 가요성 기판(103)을 접합해도 된다.
<구체예 2>
도 3의 (A)에 발광 장치에서의 광 추출부(104)의 다른 예를 나타낸다. 도 3의 (A)의 발광 장치는, 터치 조작이 가능한 발광 장치이다. 또한, 이하의 각 구체예에서는, 구체예 1과 마찬가지의 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
도 3의 (A)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)을 갖는다. 소자층(101)은, 절연층(205), 복수의 트랜지스터, 절연층(207), 절연층(209), 복수의 발광 소자, 절연층(211), 절연층(217), 접착층(213), 오버코트(261), 착색층(259), 차광층(257), 복수의 수광 소자, 도전층(281), 도전층(283), 절연층(291), 절연층(293), 절연층(295) 및 절연층(255)을 갖는다.
구체예 2에서는, 절연층(211) 위에 절연층(217)을 갖는다. 절연층(217)을 설치함으로써, 가요성 기판(103)과 가요성 기판(201)의 간격을 조정할 수 있다.
도 3의 (A)에서는, 절연층(255)과 접착층(213) 사이에 수광 소자를 갖는 예를 나타낸다. 트랜지스터나 배선에 중첩시켜 수광 소자를 배치할 수 있기 때문에, 화소(발광 소자)의 개구율을 저하시키지 않고 발광 장치에 터치 센서를 설치할 수 있다.
발광 장치가 갖는 수광 소자에는, 예를 들어 pn형 또는 pin형의 포토 다이오드를 사용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 수광 소자로서, p형 반도체층(271), i형 반도체층(273) 및 n형 반도체층(275)을 갖는 pin형의 포토 다이오드를 사용한다.
또한, i형 반도체층(273)은, 포함되는 p형을 부여하는 불순물 및 n형을 부여하는 불순물이 각각 1×1020cm-3 이하의 농도이며, 암 전도도에 대하여 광 전도도가 100배 이상이다. i형 반도체층(273)에는, 주기율표 제13족 또는 제15족의 불순물 원소를 갖는 것도 그 범주에 포함한다. 즉, i형의 반도체는, 가전자 제어를 목적으로 한 불순물 원소를 의도적으로 첨가하지 않을 때에 약한 n형의 전기 전도성을 나타내므로, i형 반도체층(273)은, p형을 부여하는 불순물 원소를, 성막 시 또는 성막 후에, 의도적 또는 비의도적으로 첨가된 것을 그 범주에 포함한다.
차광층(257)은, 수광 소자보다 가요성 기판(201)측에 위치하고 있고, 수광 소자와 중첩한다. 수광 소자와 접착층(213) 사이에 위치하는 차광층(257)에 의해, 발광 소자(230)가 방출하는 광이 수광 소자에 조사되는 것을 억제할 수 있다.
도전층(281) 및 도전층(283)은, 각각 수광 소자와 전기적으로 접속한다. 도전층(281)은, 수광 소자에 입사하는 광을 투과하는 도전층을 사용하는 것이 바람직하다. 도전층(283)은, 수광 소자에 입사하는 광을 차단하는 도전층을 사용하는 것이 바람직하다.
광학식 터치 센서를 가요성 기판(103)과 접착층(213) 사이에 가지면, 발광 소자(230)의 발광 영향을 받기 어렵고, S/N비를 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
가요성 기판(103) 및 가요성 기판(201)의 바람직한 구성은 구체예 1과 마찬가지이다.
<구체예 3>
도 3의 (B)에 발광 장치에서의 광 추출부(104)의 다른 예를 나타낸다. 도 3의 (B)의 발광 장치는, 터치 조작이 가능한 발광 장치이다.
도 3의 (B)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)을 갖는다. 소자층(101)은, 절연층(205), 복수의 트랜지스터, 절연층(207), 절연층(209a), 절연층(209b), 복수의 발광 소자, 절연층(211), 절연층(217), 접착층(213), 착색층(259), 차광층(257), 복수의 수광 소자, 도전층(280), 도전층(281) 및 절연층(255)을 갖는다.
도 3의 (B)에서는, 절연층(205)과 접착층(213) 사이에 수광 소자를 갖는 예를 나타낸다. 수광 소자를 절연층(205)과 접착층(213) 사이에 설치함으로써, 트랜지스터(240)를 구성하는 도전층이나 반도체층과 동일한 재료, 동일한 공정에서, 수광 소자와 전기적으로 접속하는 도전층이나 수광 소자를 구성하는 광전 변환층을 제작할 수 있다. 따라서, 제작 공정을 크게 증가시키지 않고, 터치 조작이 가능한 발광 장치를 제작할 수 있다.
가요성 기판(103) 및 가요성 기판(201)의 바람직한 구성은 구체예 1과 마찬가지이다.
<구체예 4>
도 4의 (A)에 발광 장치의 다른 예를 나타낸다. 도 4의 (A)의 발광 장치는, 터치 조작이 가능한 발광 장치이다.
도 4의 (A)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)을 갖는다. 소자층(101)은, 절연층(205), 복수의 트랜지스터, 도전층(156), 도전층(157), 절연층(207), 절연층(209), 복수의 발광 소자, 절연층(211), 절연층(217), 접착층(213), 착색층(259), 차광층(257), 절연층(255), 도전층(272), 도전층(274), 절연층(276), 절연층(278), 도전층(294) 및 도전층(296)을 갖는다.
도 4의 (A)에서는, 절연층(255)과 접착층(213) 사이에 정전 용량식의 터치 센서를 갖는 예를 나타낸다. 정전 용량식의 터치 센서는, 도전층(272) 및 도전층(274)을 갖는다.
도전층(156) 및 도전층(157)은, 접속체(215)를 개재하여 FPC(108)와 전기적으로 접속한다. 도전층(294) 및 도전층(296)은, 도전성 입자(292)를 개재하여 도전층(274)과 전기적으로 접속한다. 따라서, FPC(108)를 통해 정전 용량식의 터치 센서를 구동할 수 있다.
가요성 기판(103) 및 가요성 기판(201)의 바람직한 구성은 구체예 1과 마찬가지이다.
<구체예 5>
도 4의 (B)에 발광 장치의 다른 예를 나타낸다. 도 4의 (B)의 발광 장치는, 터치 조작이 가능한 발광 장치이다.
도 4의 (B)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(201), 접착층(203), 소자층(101), 접착층(105), 가요성 기판(103)을 갖는다. 소자층(101)은, 절연층(205), 복수의 트랜지스터, 도전층(156), 도전층(157), 절연층(207), 절연층(209), 복수의 발광 소자, 절연층(211), 절연층(217), 접착층(213), 착색층(259), 차광층(257), 절연층(255), 도전층(270), 도전층(272), 도전층(274), 절연층(276) 및 절연층(278)을 갖는다.
도 4의 (B)에서는, 절연층(255)과 접착층(213) 사이에 정전 용량식의 터치 센서를 갖는 예를 나타낸다. 정전 용량식의 터치 센서는, 도전층(272) 및 도전층(274)을 갖는다.
또한, 도 14의 (A)에 도시한 바와 같이, 터치 센서는, 가요성 기판(103) 위에 설치해도 된다. 또한, 도 14의 (B)에 도시한 바와 같이, 가요성 기판(103) 위에 가요성 기판(102)을 설치하고, 당해 가요성 기판(102) 위에 터치 센서를 설치해도 된다. 가요성 기판(103)과 가요성 기판(102)은, 접착층(204)으로 접착되어 있다. 접착층(204)에는, 접착층(203)과 마찬가지의 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 광의 반사를 억제할 수 있다. 또한, 발광 장치를 구부렸을 때에, 위치 어긋남이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 도 4의 (B)에 나타내는 구성과 마찬가지로, 가요성 기판(103)과 도전층(272) 사이에, 절연층(255) 및 접착층(105)을 가져도 된다.
도전층(156) 및 도전층(157)은, 접속체(215a)를 개재하여 FPC(108a)와 전기적으로 접속한다. 도전층(270)은, 접속체(215b)를 개재하여 FPC(108b)와 전기적으로 접속한다. 따라서, FPC(108a)를 통해 발광 소자(230)나 트랜지스터(240)를 구동하고, FPC(108b)를 통해 정전 용량식의 터치 센서를 구동할 수 있다.
가요성 기판(103) 및 가요성 기판(201)의 바람직한 구성은 구체예 1과 마찬가지이다. 또한, 가요성 기판(102)에도 마찬가지의 구성을 적용할 수 있다. 또한, 구체예 5에서는, 가요성 기판(103)(및 가요성 기판(102))으로부터 발광 소자(230)의 광이 추출된다. 따라서, 가요성 기판(103)이나 가요성 기판(102)에는, 가시광을 투과하는 재료를 사용한다.
또한, 가요성 기판(102) 및 가요성 기판(103)은, 동일한 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 가요성 기판(102) 및 가요성 기판(103)의 열팽창률의 차를 작게 할 수 있다. 또한, 가요성 기판(201)에도 동일한 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 가요성 기판(102), 가요성 기판(103) 및 가요성 기판(201)의 열팽창률의 차를 작게 할 수 있다.
<구체예 6>
도 5의 (A)에 발광 장치에서의 광 추출부(104)의 다른 예를 나타낸다.
도 5의 (A)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(103), 접착층(105), 소자층(101), 접착층(213), 가요성 기판(202)을 갖는다. 소자층(101)은, 절연층(205), 복수의 트랜지스터, 절연층(207), 도전층(208), 절연층(209a), 절연층(209b), 복수의 발광 소자, 절연층(211) 및 착색층(259)을 갖는다.
발광 소자(230)는, 하부 전극(231), EL층(233) 및 상부 전극(235)을 갖는다. 하부 전극(231)은, 도전층(208)을 개재하여 트랜지스터(240)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속한다. 하부 전극(231)의 단부는, 절연층(211)으로 덮여 있다. 발광 소자(230)는 보텀 에미션 구조이다. 하부 전극(231)은 투광성을 가져, EL층(233)이 방출하는 광을 투과한다.
발광 소자(230)와 중첩하는 위치에 착색층(259)이 설치되어, 발광 소자(230)가 방출하는 광은, 착색층(259)을 통해 가요성 기판(103)측으로 추출된다. 발광 소자(230)와 가요성 기판(202) 사이에는 접착층(213)으로 충전되어 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 발광 장치는, 도 5의 (C)에 도시한 바와 같이, 착색층(259)과 중첩하지 않는 발광 소자(230)를 가져도 된다. 예를 들어, 적색, 청색, 녹색 및 백색의 4개의 부화소로 1개의 화소를 구성하는 경우, 백색의 부화소에서는, 착색층(259)을 설치하지 않아도 된다. 이에 의해, 착색층에 의한 광의 흡수량이 저감되기 때문에, 발광 장치의 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, EL층(233a)과 EL층(233b)에 상이한 재료를 사용함으로써 화소마다 상이한 색을 나타내는 발광 소자를 제작해도 된다.
구체예 6에서는, 가요성 기판(103)을 통해 발광 소자(230)의 광이 추출된다. 따라서, 가요성 기판(103)에는, 가시광을 투과하는 재료를 사용한다.
또한, 가요성 기판(103) 및 가요성 기판(202)의 열팽창률의 차의 절대값이 가요성 기판(103) 또는 가요성 기판(202)의 열팽창률의 10％ 이내인 것이 바람직하다.
또한, 도 2의 (C), (D), (G)에 도시한 바와 같은, 소자층(101)의 단부보다 외측에서, 가요성 기판(202) 및 가요성 기판(103)이 접하고 있는 구성으로 하는 경우, 마찬가지의 성질을 갖는 재료를 사용함으로써 밀착성을 높일 수 있다. 이에 의해, 소자층(101)에 대기의 수분 등의 불순물이 침입하기 어려워, 발광 장치의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 도 2의 (B), (E), (F)에 도시한 바와 같이, 접착층(206) 또는 접착층(105) 등에 의해, 가요성 기판(202) 및 가요성 기판(103)을 접합해도 된다.
<구체예 7>
도 5의 (B)에 발광 장치의 다른 예를 나타낸다.
도 5의 (B)에 나타내는 발광 장치는, 가요성 기판(103), 접착층(105), 소자층(101), 접착층(213), 가요성 기판(202)을 갖는다. 소자층(101)은, 절연층(205), 도전층(310a), 도전층(310b), 복수의 발광 소자, 절연층(211) 및 도전층(212)을 갖는다.
도전층(310a) 및 도전층(310b)은, 발광 장치의 외부 접속 전극이며, FPC 등과 전기적으로 접속시킬 수 있다.
발광 소자(230)는, 하부 전극(231), EL층(233) 및 상부 전극(235)을 갖는다. 하부 전극(231)의 단부는, 절연층(211)으로 덮여 있다. 발광 소자(230)는, 보텀 에미션 구조이다. 하부 전극(231)은 투광성을 가지며, EL층(233)이 방출하는 광을 투과한다. 도전층(212)은 하부 전극(231)과 전기적으로 접속한다.
가요성 기판(103)은, 광 추출 구조로서, 반구 렌즈, 마이크로렌즈 어레이, 요철 구조가 제공된 필름, 광 확산 필름 등을 가져도 된다. 예를 들어, 수지 기판 위에 상기 렌즈나 필름을, 당해 기판 또는 당해 렌즈 또는 필름과 동일 정도의 굴절률을 갖는 접착제 등을 사용하여 접착함으로써, 광 추출 구조를 갖는 가요성 기판(103)을 형성할 수 있다.
도전층(212)은, 반드시 설치할 필요는 없지만, 하부 전극(231)의 저항에 기인하는 전압 강하를 억제할 수 있기 때문에, 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 마찬가지의 목적으로, 상부 전극(235)과 전기적으로 접속하는 도전층을 절연층(211) 위, EL층(233) 위, 또는 상부 전극(235) 위 등에 설치해도 된다.
도전층(212)은, 구리, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 스칸듐, 니켈, 알루미늄 중에서 선택된 재료 또는 이들을 주성분으로 하는 합금 재료 등을 사용하여, 단층으로 또는 적층하여 형성할 수 있다. 도전층(212)의 막 두께는, 예를 들어 0.1㎛ 이상 3㎛ 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 0.1㎛ 이상 0.5㎛ 이하다.
상부 전극(235)과 전기적으로 접속하는 도전층의 재료에 페이스트(은 페이스트 등)를 사용하면, 당해 도전층을 구성하는 금속이 입상으로 되어 응집한다. 그로 인해, 당해 도전층의 표면이 거칠고 간극이 많은 구성으로 되어, 예를 들어 절연층(211) 위에 당해 도전층을 형성해도, EL층(233)이 당해 도전층을 완전히 덮는 것이 어려워, 상부 전극과 당해 도전층의 전기적인 접속을 취하는 것이 용이해져 바람직하다.
가요성 기판(103) 및 가요성 기판(202)의 바람직한 구성은 구체예 6과 마찬가지이다.
<재료의 일례>
이어서, 발광 장치에 사용할 수 있는 재료 등을 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 앞서 설명한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
[기능 소자]
소자층(101)은 적어도 발광 소자를 갖는다. 발광 소자로서는, 자발광이 가능한 소자를 사용할 수 있고, 전류 또는 전압에 의해 휘도가 제어되는 소자를 그 범주에 포함하고 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(LED), 유기 EL 소자, 무기 EL 소자 등을 사용할 수 있다.
소자층(101)은, 발광 소자를 구동하기 위한 트랜지스터나, 터치 센서 등을 또한 가져도 된다.
발광 장치가 갖는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 스태거형의 트랜지스터로 해도 되고, 역 스태거형의 트랜지스터로 해도 된다. 또한, 톱 게이트형 또는 보텀 게이트형의 어떠한 트랜지스터 구조로 해도 된다. 트랜지스터에 사용하는 반도체 재료는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 실리콘, 게르마늄 등을 들 수 있다. 또는, In-Ga-Zn계 금속 산화물 등의, 인듐, 갈륨, 아연 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체를 사용해도 된다.
트랜지스터에 사용하는 반도체 재료의 결정성에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 비정질 반도체, 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 갖는 반도체) 중 어느 것을 사용해도 된다. 결정성을 갖는 반도체를 사용하면, 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
발광 장치가 갖는 발광 소자는, 한 쌍의 전극(하부 전극(231) 및 상부 전극(235))과, 당해 한 쌍의 전극간에 설치된 EL층(233)을 갖는다. 당해 한 쌍의 전극의 한쪽은 양극으로서 기능하고, 다른 쪽은 음극으로서 기능한다.
발광 소자는, 톱 에미션 구조, 보텀 에미션 구조, 듀얼 에미션 구조 중 어느 것이어도 된다. 광을 추출하는 측의 전극에는, 가시광을 투과하는 도전막을 사용한다. 또한, 광을 추출하지 않는 측의 전극에는, 가시광을 반사하는 도전막을 사용하는 것이 바람직하다.
가시광을 투과하는 도전막은, 예를 들어 산화인듐, 인듐주석 산화물(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물, 산화아연, 갈륨을 첨가한 산화아연 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 또는 티타늄 등의 금속 재료, 이들 금속 재료를 포함하는 합금, 또는 이들 금속 재료의 질화물(예를 들어, 질화티타늄) 등도, 투광성을 가질 정도로 얇게 형성함으로써 사용할 수 있다. 또한, 상기 재료의 적층막을 도전막으로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막 등을 사용하면, 도전성을 높일 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 그래핀 등을 사용해도 된다.
가시광을 반사하는 도전막은, 예를 들어 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료, 또는 이들 금속 재료를 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 또한, 상기 금속 재료나 합금에, 란탄, 네오디뮴, 또는 게르마늄 등이 첨가되어 있어도 된다. 또한, 알루미늄과 티타늄의 합금, 알루미늄과 니켈의 합금, 알루미늄과 네오디뮴의 합금 등의 알루미늄을 포함하는 합금(알루미늄 합금)이나, 은과 구리의 합금, 은과 팔라듐과 구리의 합금, 은과 마그네슘의 합금 등의 은을 포함하는 합금을 사용하여 형성할 수 있다. 은과 구리를 포함하는 합금은, 내열성이 높기 때문에 바람직하다. 또한, 알루미늄 합금막에 접하는 금속막 또는 금속 산화물막을 적층함으로써, 알루미늄 합금막의 산화를 억제할 수 있다. 당해 금속막, 금속 산화물막의 재료로서는, 티타늄, 산화티타늄 등을 들 수 있다. 또한, 상기 가시광을 투과하는 도전막과 금속 재료를 포함하는 막을 적층해도 된다. 예를 들어, 은과 ITO의 적층막, 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막 등을 사용할 수 있다.
전극은, 각각, 증착법이나 스퍼터링법을 사용하여 형성하면 된다. 그 밖에, 잉크젯법 등의 토출법, 스크린 인쇄법 등의 인쇄법, 또는 도금법을 사용하여 형성할 수 있다.
하부 전극(231)과 상부 전극(235) 사이에, 발광 소자의 임계값 전압보다 높은 전압을 인가하면, EL층(233)에 양극측으로부터 정공이 주입되고, 음극측으로부터 전자가 주입된다. 주입된 전자와 정공은 EL층(233)에서 재결합되고, EL층(233)에 포함되는 발광 물질이 발광된다.
EL층(233)은 적어도 발광층을 갖는다. EL층(233)은 발광층 이외의 층으로서, 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 블록 재료, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 또는 바이폴라성의 물질(전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 물질) 등을 포함하는 층을 또한 가져도 된다.
EL층(233)에는, 저분자계 화합물 및 고분자계 화합물의 어느 것이든 사용할 수 있고, 무기 화합물을 포함하고 있어도 된다. EL층(233)을 구성하는 층은, 각각 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법, 인쇄법, 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
소자층(101)에 있어서, 발광 소자는, 한 쌍의 투수성이 낮은 절연막 사이에 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광 소자에 물 등의 불순물이 침입하는 것을 억제할 수 있어, 발광 장치의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
투수성이 낮은 절연막으로서는, 질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막 등의 질소와 규소를 포함하는 막이나, 질화알루미늄막 등의 질소와 알루미늄을 포함하는 막 등을 들 수 있다. 또한, 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화알루미늄막 등을 사용해도 된다.
예를 들어, 투수성이 낮은 절연막의 수증기 투과량은, 1×10-5[g/m2·day] 이하, 바람직하게는 1×10-6[g/m2·day] 이하, 보다 바람직하게는 1×10-7[g/m2·day] 이하, 더욱 바람직하게는 1×10-8[g/m2·day] 이하로 한다.
[접착층]
접착층에는, 자외선 경화형 등의 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열경화형 접착제, 혐기형(嫌氣型) 접착제 등의 각종 경화형 접착제를 사용할 수 있다. 이들 접착제로서는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리비닐클로라이드) 수지, PVB(폴리비닐부티랄) 수지, EVA(에틸렌비닐아세테이트) 수지 등을 들 수 있다. 특히, 에폭시 수지 등의 투습성이 낮은 재료가 바람직하다. 또한, 2액 혼합형의 수지를 사용해도 된다. 또한, 접착 시트 등을 사용해도 된다.
또한, 상기 수지에 건조제를 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 알칼리 토금속의 산화물(산화칼슘이나 산화바륨 등)과 같이, 화학 흡착에 의해 수분을 흡착하는 물질을 사용할 수 있다. 또는, 제올라이트나 실리카 겔 등과 같이, 물리 흡착에 의해 수분을 흡착하는 물질을 사용해도 된다. 건조제가 포함되어 있으면, 수분 등의 불순물이 발광 소자에 침입하는 것을 억제할 수 있어, 발광 장치의 신뢰성이 향상되기 때문에 바람직하다.
접착층(105)은 투광성을 가져, 적어도 소자층(101)이 갖는 발광 소자가 방출하는 광을 투과한다. 또한, 접착층(105)의 굴절률은 대기의 굴절률보다 높다.
상기 수지에 굴절률이 높은 필러(산화티타늄 등)를 혼합함으로써, 발광 소자로부터의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있어 바람직하다. 그로 인해, 동일한 소비 전력의 경우에서 비교하면, 휘도를 높게 할 수 있다. 또한, 동일한 휘도의 경우에서 비교하면, 소비 전력을 낮게 할 수 있다.
또한, 접착층(105)에는, 광을 산란시키는 산란 부재를 가져도 된다. 예를 들어, 접착층(105)에는, 상기 수지와 상기 수지와 굴절률이 다른 입자와의 혼합물을 사용할 수도 있다. 당해 입자는 광의 산란 부재로서 기능한다.
수지와, 당해 수지와 굴절률이 다른 입자는, 굴절률의 차가 0.1 이상인 것이 바람직하고, 0.3 이상인 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는 수지로서는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 이미드 수지, 실리콘 등을 사용할 수 있다. 또한 입자로서는, 산화티타늄, 산화바륨, 제올라이트 등을 사용할 수 있다.
산화티타늄 및 산화바륨의 입자는, 광을 산란시키는 성질이 강하여 바람직하다. 또한 제올라이트를 사용하면, 수지 등이 갖는 물을 흡착할 수 있어, 발광 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
접착층(213)을 개재하여 발광 소자가 방출하는 광을 추출하는 경우에는, 상기한 접착층(105)과 마찬가지의 구성을 적용할 수 있다.
[절연층]
절연층(205), 절연층(255)에는, 무기 절연 재료를 사용할 수 있다. 특히, 상술한 투수성이 낮은 절연막을 사용하면, 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있기 때문에 바람직하다.
절연층(207)은, 트랜지스터를 구성하는 반도체로의 불순물의 확산을 억제하는 효과를 발휘한다. 절연층(207)으로서는, 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 산화알루미늄막 등의 무기 절연막을 사용할 수 있다.
절연층(209), 절연층(209a) 및 절연층(209b)으로서는, 각각, 트랜지스터 기인 등의 표면 요철을 저감하기 위해 평탄화 기능을 갖는 절연막을 선택하는 것이 적합하다. 예를 들어, 폴리이미드, 아크릴, 벤조시클로부텐계 수지 등의 유기 재료를 사용할 수 있다. 또한, 상기 유기 재료 이외에, 저유전율 재료(low-k 재료) 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 재료로 형성되는 절연막이나 무기 절연막을 사용한 적층 구조로 해도 된다.
절연층(211)은, 하부 전극(231)의 단부를 덮어서 설치되어 있다. 절연층(211)의 상층에 형성되는 EL층(233)이나 상부 전극(235)의 피복성을 양호한 것으로 하기 위해서, 절연층(211)의 측벽이 연속된 곡률을 갖고 형성되는 경사면으로 되는 것이 바람직하다.
절연층(211)의 재료로서는, 수지 또는 무기 절연 재료를 사용할 수 있다. 수지로서는, 예를 들어 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 아크릴 수지, 실록산 수지, 에폭시 수지, 또는 페놀 수지 등을 사용할 수 있다. 특히, 절연층(211)의 제작이 용이하게 되기 때문에, 네거티브형의 감광성 수지, 또는 포지티브형의 감광성 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
절연층(211)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 포토리소그래피법, 스퍼터법, 증착법, 액적 토출법(잉크젯법 등), 인쇄법(스크린 인쇄, 오프셋 인쇄 등) 등을 사용하면 된다.
절연층(217)은, 무기 절연 재료 또는 유기 절연 재료 등을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 유기 절연 재료로서는, 네거티브형이나 포지티브형의 감광성 수지, 비감광성 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 절연층(217) 대신에, 도전층을 형성해도 된다. 예를 들어, 금속 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 금속 재료로서는, 티타늄, 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 절연층(217) 대신에 도전층을 사용하여, 당해 도전층과 상부 전극(235)을 전기적으로 접속시키는 구성으로 함으로써, 상부 전극(235)의 저항에 기인한 전위 강하를 억제할 수 있다. 또한, 절연층(217)은, 순테이퍼 형상이나 역테이퍼 형상이어도 된다.
절연층(276), 절연층(278), 절연층(291), 절연층(293), 절연층(295)은 각각, 무기 절연 재료 또는 유기 절연 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 특히 절연층(278)이나 절연층(295)은, 센서 소자로 인한 표면 요철을 저감하기 위해 평탄화 기능을 갖는 절연층을 사용하는 것이 바람직하다.
[도전층]
도전층(156), 도전층(157), 도전층(294) 및 도전층(296)은 각각, 트랜지스터 또는 발광 소자를 구성하는 도전층과 동일한 재료, 동일한 공정으로 형성할 수 있다. 또한, 도전층(280)은, 트랜지스터를 구성하는 도전층과 동일한 재료, 동일한 공정으로 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 도전층은, 각각, 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 탄탈륨, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 스칸듐 등의 금속 재료 또는 이 원소를 포함하는 합금 재료를 사용하여, 단층으로 또는 적층하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 도전층은 각각, 도전성의 금속 산화물을 사용하여 형성해도 된다. 도전성의 금속 산화물로서는 산화인듐(In2O3 등), 산화주석(SnO2 등), 산화아연(ZnO), ITO, 인듐아연 산화물(In2O3-ZnO 등) 또는 이 금속 산화물 재료에 산화 실리콘을 포함시킨 것을 사용할 수 있다.
또한, 도전층(208), 도전층(212), 도전층(310a) 및 도전층(310b)도, 각각 상기 금속 재료, 합금 재료, 또는 도전성의 금속 산화물 등을 사용하여 형성할 수 있다.
도전층(272) 및 도전층(274), 및 도전층(281) 및 도전층(283)은, 투광성을 갖는 도전층이다. 예를 들어, 산화인듐, ITO, 인듐아연 산화물, 산화아연, 갈륨을 첨가한 산화아연 등을 사용할 수 있다. 또한, 도전층(270)은 도전층(272)과 동일한 재료, 동일한 공정으로 형성할 수 있다.
도전성 입자(292)는, 유기 수지 또는 실리카 등의 입자의 표면을 금속 재료로 피복한 것을 사용한다. 금속 재료로서 니켈이나 금을 사용하면 접촉 저항을 저감할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한 니켈을 또한 금으로 피복하는 등, 2종류 이상의 금속 재료를 층 형상으로 피복시킨 입자를 사용하는 것이 바람직하다.
접속체(215)로서는, 열경화성의 수지에 금속 입자를 혼합한 페이스트 상태 또는 시트 형상의, 열 압착에 의해 이방성의 도전성을 나타내는 재료를 사용할 수 있다. 금속 입자로서는, 예를 들어 니켈 입자를 금으로 피복한 것 등, 2종류 이상의 금속이 층 형상으로 된 입자를 사용하는 것이 바람직하다.
[착색층, 차광층 및 오버코트]
착색층(259)은, 특정한 파장 대역의 광을 투과하는 유색층이다. 예를 들어, 적색의 파장 대역의 광을 투과하는 적색(R)의 컬러 필터, 녹색의 파장 대역의 광을 투과하는 녹색(G)의 컬러 필터, 청색의 파장 대역의 광을 투과하는 청색(B)의 컬러 필터 등을 사용할 수 있다. 각 착색층은, 다양한 재료를 사용하여, 인쇄법, 잉크젯법, 포토리소그래피법을 사용한 에칭 방법 등으로 각각 원하는 위치에 형성한다.
또한, 인접하는 착색층(259) 사이에, 차광층(257)이 설치되어 있다. 차광층(257)은, 인접하는 발광 소자로부터 돌아 들어가는 광을 차광하여, 인접 화소들간의 혼색을 억제한다. 여기서, 착색층(259)의 단부를, 차광층(257)과 중첩하도록 설치함으로써, 광 누설을 억제할 수 있다. 차광층(257)은, 발광 소자의 발광을 차광하는 재료를 사용할 수 있고, 금속 재료나 안료나 염료를 포함하는 수지 재료 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 도 1의 (C)에 도시한 바와 같이, 차광층(257)을 구동 회로부(106) 등의 광 추출부(104) 이외의 영역에 설치하면, 도파광 등에 의한 의도하지 않은 광 누설을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 착색층(259)과 차광층(257)을 덮는 오버코트(261)를 설치해도 된다. 오버코트를 설치함으로써, 착색층에 함유된 불순물 등의 유기 EL 소자로의 확산을 방지할 수 있다. 오버코트는, 유기 EL 소자로부터의 발광을 투과하는 재료로 구성되며, 예를 들어 질화 실리콘막, 산화 실리콘막 등의 무기 절연막이나, 아크릴막, 폴리이미드막 등의 유기 절연막을 사용할 수 있고, 유기 절연막과 무기 절연막의 적층 구조로 해도 된다. 오버코트(261)에 상술한 투수성이 낮은 절연막을 사용해도 된다.
또한, 접착층(213)의 재료를 착색층(259) 및 차광층(257) 위에 도포하는 경우, 오버코트(261)의 재료로서 접착층(213)의 재료에 대하여 습윤성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, ITO막 등의 산화물 도전막이나, 투광성을 가질 정도로 얇은 Ag막 등의 금속막을 사용하는 것이 바람직하다.
<제작 방법예>
이어서, 발광 장치의 제작 방법을 도 6 및 도 7을 사용하여 예시한다. 여기에서는, 구체예 1(도 1의 (C))의 구성의 발광 장치를 예로 들어 설명한다.
먼저, 제작 기판(301) 위에 박리층(303)을 형성하고, 박리층(303) 위에 절연층(205)을 형성한다. 이어서, 절연층(205) 위에 복수의 트랜지스터, 도전층(157), 절연층(207), 절연층(209), 복수의 발광 소자 및 절연층(211)을 형성한다. 또한, 도전층(157)이 노출되도록, 절연층(211), 절연층(209) 및 절연층(207)은 개구한다(도 6의 (A)).
또한, 제작 기판(305) 위에 박리층(307)을 형성하고, 박리층(307) 위에 절연층(255)을 형성한다. 이어서, 절연층(255) 위에 차광층(257), 착색층(259) 및 오버코트(261)를 형성한다(도 6의 (B)).
제작 기판(301) 및 제작 기판(305)으로서는, 각각 유리 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판, 금속 기판 등을 사용할 수 있다.
또한, 유리 기판에는, 예를 들어 알루미노실리케이트 유리, 알루미노붕규산 유리, 바륨붕규산 유리 등의 유리 재료를 사용할 수 있다. 후의 가열 처리의 온도가 높은 경우에는, 왜곡점이 730℃ 이상인 것을 사용하면 된다. 또한, 산화바륨(BaO)을 많이 포함시킴으로써, 보다 실용적인 내열 유리가 얻어진다. 그 밖에도, 결정화 유리 등을 사용할 수 있다.
제작 기판에 유리 기판을 사용하는 경우, 제작 기판과 박리층 사이에, 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막 등의 절연막을 형성하면, 유리 기판으로부터의 오염을 방지할 수 있어 바람직하다.
박리층(303) 및 박리층(307)은 각각, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 탄탈륨, 니오븀, 니켈, 코발트, 지르코늄, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 실리콘에서 선택된 원소, 당해 원소를 포함하는 합금 재료, 또는 당해 원소를 포함하는 화합물 재료를 포함하고, 단층 또는 적층된 층이다. 실리콘을 포함하는 층의 결정 구조는, 비정질, 미결정, 다결정 중 어느 것이어도 좋다.
박리층은, 스퍼터링법, 플라즈마 CVD법, 도포법, 인쇄법 등에 의해 형성할 수 있다. 또한, 도포법은, 스핀 코팅법, 액적 토출법, 디스펜스법을 포함한다.
박리층이 단층 구조인 경우, 텅스텐층, 몰리브덴층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물을 포함하는 층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 텅스텐의 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층, 몰리브덴의 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물의 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층을 형성해도 된다. 또한, 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물은, 예를 들어 텅스텐과 몰리브덴의 합금에 상당한다.
또한, 박리층으로서, 텅스텐을 포함하는 층과 텅스텐의 산화물을 포함하는 층의 적층 구조를 형성하는 경우, 텅스텐을 포함하는 층을 형성하고, 그 상층에 산화물로 형성되는 절연막을 형성함으로써, 텅스텐층과 절연막의 계면에, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층이 형성되는 것을 활용해도 된다. 또한, 텅스텐을 포함하는 층의 표면을, 열산화 처리, 산소 플라즈마 처리, 아산화질소(N2O) 플라즈마 처리, 오존수 등의 산화력이 강한 용액에서의 처리 등을 행하여 텅스텐의 산화물을 포함하는 층을 형성해도 된다. 또한 플라즈마 처리나 가열 처리는, 산소, 질소, 아산화질소 단독, 또는 당해 가스와 기타 가스와의 혼합 기체 분위기 하에서 행해도 된다. 상기 플라즈마 처리나 가열 처리에 의해, 박리층의 표면 상태를 바꿈으로써, 박리층과 후에 형성되는 절연층의 밀착성을 제어하는 것이 가능하다.
각 절연층은, 스퍼터링법, 플라즈마 CVD법, 도포법, 인쇄법 등을 사용하여 형성하는 것이 가능하며, 예를 들어 플라즈마 CVD법에 의해 성막 온도를 250℃ 이상 400℃ 이하로 하여 형성함으로써, 치밀하고 매우 투수성이 낮은 막으로 할 수 있다.
그 후, 제작 기판(305)의 착색층(259) 등이 설치된 면 또는 제작 기판(301)의 발광 소자(230) 등이 설치된 면에 접착층(213)이 되는 재료를 도포하고, 접착층(213)을 개재하여 상기 면끼리 대향하도록, 제작 기판(301) 및 제작 기판(305)을 접합한다(도 6의 (C)).
그리고, 제작 기판(301)을 박리하여, 노출된 절연층(205)과 가요성 기판(201)을 접착층(203)을 사용하여 접합한다. 또한, 제작 기판(305)을 박리하여, 노출된 절연층(255)과 가요성 기판(103)을 접착층(105)을 사용하여 접합한다. 도 7의 (A)에서는, 가요성 기판(103)이 도전층(157)과 중첩하지 않는 구성으로 했지만, 도전층(157)과 가요성 기판(103)이 중첩하고 있어도 된다.
또한, 박리 공정은, 다양한 방법을 적절히 사용할 수 있다. 예를 들어, 박리층으로서, 피박리층과 접하는 측에 금속 산화막을 포함하는 층을 형성한 경우에는, 당해 금속 산화막을 결정화에 의해 취약화시켜, 피박리층을 제작 기판으로부터 박리할 수 있다. 또한, 내열성이 높은 제작 기판과 피박리층 사이에, 박리층으로서 수소를 포함하는 비정질 규소막을 형성한 경우에는, 레이저광의 조사 또는 에칭에 의해 당해 비정질 규소막을 제거함으로써, 피박리층을 제작 기판으로부터 박리할 수 있다. 또한, 박리층으로서, 피박리층과 접하는 측에 금속 산화막을 포함하는 층을 형성하고, 당해 금속 산화막을 결정화에 의해 취약화시키고, 또한 박리층의 일부를 용액이나 NF3, BrF3, ClF3 등의 불화 가스를 사용한 에칭으로 제거한 후, 취약화된 금속 산화막에 있어서 박리할 수 있다. 나아가, 박리층으로서 질소, 산소나 수소 등을 포함하는 막(예를 들어, 수소를 포함하는 비정질 규소막, 수소 함유 합금막, 산소 함유 합금막 등)을 사용하여, 박리층에 레이저광을 조사하여 박리층 내에 함유하는 질소, 산소나 수소를 가스로서 방출시켜 피박리층과 기판과의 박리를 촉진하는 방법을 사용해도 된다. 또한, 피박리층이 형성된 제작 기판을 기계적으로 제거 또는 용액이나 NF3, BrF3, ClF3 등의 불화 가스에 의한 에칭으로 제거하는 방법 등을 사용할 수 있다. 이 경우, 박리층을 형성하지 않아도 된다.
또한, 상기 박리 방법을 복수 조합함으로써 보다 용이하게 박리 공정을 행할 수 있다. 즉, 레이저광의 조사, 가스나 용액 등에 의한 박리층에 대한 에칭, 날카로운 나이프나 메스 등에 의한 기계적인 제거를 행하여, 박리층과 피박리층을 박리하기 쉬운 상태로 하고 나서, 물리적인 힘(기계 등에 의함)에 의해 박리를 행할 수도 있다.
또한, 박리층과 피박리층의 계면에 액체를 침투시켜서 제작 기판으로부터 피박리층을 박리해도 된다. 또한, 박리를 행할 때에 물 등의 액체를 뿌리면서 박리해도 된다.
기타 박리 방법으로서는, 박리층을 텅스텐으로 형성한 경우에는, 암모니아수와 과산화수소수의 혼합 용액에 의해 박리층을 에칭하면서 박리를 행하면 된다.
또한, 제작 기판과 피박리층의 계면에서 박리가 가능한 경우에는, 박리층을 형성하지 않아도 된다. 예를 들어, 제작 기판으로서 유리를 사용하여, 유리에 접하여 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리아미드, 폴리카르보네이트, 아크릴 등의 유기 수지를 형성하고, 유기 수지 위에 절연막이나 트랜지스터 등을 형성한다. 이 경우, 유기 수지를 가열함으로써, 제작 기판과 유기 수지의 계면에서 박리할 수 있다. 또는, 제작 기판과 유기 수지 사이에 금속층을 설치하고, 당해 금속층에 전류를 흘림으로써 당해 금속층을 가열하여, 금속층과 유기 수지의 계면에서 박리를 행해도 된다. 이때, 유기 수지를 발광 장치의 기판으로서 사용할 수 있다. 또한, 유기 수지와 다른 기판을 접착제에 의해 접합해도 된다.
마지막으로, 절연층(255) 및 접착층(213)을 개구함으로써, 도전층(157)을 노출시킨다(도 7의 (B)). 또한, 가요성 기판(103)이 도전층(157)과 중첩하는 구성의 경우에는, 도전층(157)을 노출시키기 위해서, 가요성 기판(103) 및 접착층(105)도 개구한다(도 7의 (C)). 개구의 수단은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 레이저 어블레이션법, 에칭법, 이온빔 스퍼터링법 등을 사용하면 된다. 또한, 도전층(157) 위의 막에 예리한 칼날 등을 사용해서 절입을 하여, 물리적인 힘으로 막의 일부를 박리해도 된다.
이상에 의해, 발광 장치를 제작할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 발광 장치는, 가요성 기판(103)과, 가요성 기판(201) 또는 가요성 기판(202)의 2장의 기판으로 구성된다. 또한 터치 센서를 포함하는 구성이라도, 2장의 기판으로 구성할 수 있다. 기판의 수를 최저한으로 함으로써, 광의 추출 효율의 향상이나 표시의 선명함의 향상이 용이하게 된다. 그로 인해, 동일한 소비 전력의 경우에서 비교하면, 휘도를 높게 할 수 있다. 또한, 동일한 휘도의 경우에서 비교하면, 소비 전력을 낮게 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 발광 소자를 갖는 발광 장치를 예시했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 일 형태의 특징인 가요성 기판을 적용할 수 있는 장치로서는, 각종 반도체 장치나 각종 표시 장치를 들 수 있다. 예를 들어, 이하에 나타내는 소자 또는 장치의 기판으로서, 본 발명의 일 형태의 특징인 가요성 기판을 적용할 수 있다. 예를 들어, EL 소자(유기물 및 무기물을 포함하는 EL 소자, 유기 EL 소자, 무기EL 소자), LED(백색 LED, 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED 등), 트랜지스터(전류에 따라서 발광하는 트랜지스터), 전자 방출 소자, 액정 소자, 전자 잉크, 전기 영동 소자, 그레이팅 라이트 밸브(GLV), 플라즈마 디스플레이(PDP), MEMS(마이크로·일렉트로·메커니컬·시스템), 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD), DMS(디지털·마이크로·셔터), MIRASOL(등록 상표), IMOD(인터페어런스·모듈레이션) 소자, 일렉트로웨팅 소자, 압전 세라믹 디스플레이, 카본 나노 튜브 등, 전기 자기적 작용에 의해, 콘트라스트, 휘도, 반사율, 투과율 등이 변화하는 표시 매체를 들 수 있다. 또한, 전자 방출 소자를 사용한 표시 장치의 일례인, 필드에미션 디스플레이(FED) 또는 SED 방식 평면형 디스플레이(SED: Surface-conduction Electron-emitter Display) 등을 들 수 있다. 또한, 액정 소자를 사용한 표시 장치의 일례인, 액정 디스플레이(투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 모니터, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이, 투사형 액정 디스플레이) 등을 들 수 있다. 또한, 전자 잉크 또는 전기 영동 소자를 사용한 표시 장치의 일례인 전자 페이퍼 등을 들 수 있다.
전자 페이퍼의 표시 방법의 일례로서는, 분자에 의해 표시되는 것(광학 이방성, 염료 분자 배향 등), 입자에 의해 표시되는 것(전기 영동, 입자 이동, 입자 회전, 상변화 등), 필름의 일단부가 이동함으로써 표시되는 것, 분자의 발색/상변화에 의해 표시되는 것, 분자의 광흡수에 의해 표시되는 것, 또는 전자와 홀이 결합하여 자발광에 의해 표시되는 것 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 전자 페이퍼의 표시 방법의 일례로서는, 마이크로 캡슐형 전기 영동, 수평 이동형 전기 영동, 수직 이동형 전기 영동, 구상 트위스트 볼, 자기 트위스트 볼, 원기둥 트위스트 볼 방식, 대전 토너, 전자 분류체, 자기 영동형, 자기 감열식, 일렉트로웨팅, 광산란(투명/백탁 변화), 콜레스테릭 액정/광 도전층, 콜레스테릭 액정, 쌍안정성 네마틱 액정, 강유전성 액정, 2색성 색소·액정 분산형, 가동 필름, 류코 염료에 의한 발소색, 포토크로믹, 일렉트로크로믹, 일렉트로 데포지션, 플렉시블 유기 EL 등이 있다. 단, 이것에 한정되지 않고, 전자 페이퍼 및 그 표시 방법으로서 다양한 것을 사용할 수 있다. 여기서, 마이크로 캡슐형 전기 영동을 사용함으로써, 영동 입자의 응집, 침전을 해결할 수 있다. 전자 분류체는, 고속 응답성, 고반사율, 광시야각, 저소비 전력, 메모리성 등의 장점을 갖는다.
본 실시 형태는, 다른 실시 형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시 형태 2)
본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태가 적용된 전자 기기에 대하여 도 8 내지 도 11을 사용하여 설명한다.
본 실시 형태의 전자 기기는, 띠 형상의 가요성이 높은 영역과 띠 형상의 가요성이 낮은 영역을 교대로 갖는다. 당해 전자 기기는, 가요성이 높은 영역에서 구부림으로써 접을 수 있다. 본 실시 형태의 전자 기기는, 접은 상태에서는 가반성이 우수하고, 전개한 상태에서는, 이음매가 없는 넓은 발광 영역에 의해 일람성이 우수하다.
본 실시 형태의 전자 기기에 있어서, 가요성이 높은 영역은 내측 굽힘, 외측 굽힘 중 어느 쪽으로도 접을 수 있다.
또한, 본 명세서 중에서는, 발광 장치의 발광면이 내측이 되도록 구부리는 경우를 「내측 굽힘」, 발광 장치의 발광면이 외측이 되도록 구부리는 경우를 「외측 굽힘」이라고 기재한다. 또한, 전자 기기나 발광 장치에서의 발광면이란, 발광 소자로부터의 광이 추출되는 면을 가리킨다.
본 실시 형태의 전자 기기를 사용하지 않을 때에, 발광 장치의 발광면이 내측이 되도록 구부림으로써, 발광면에 흠집이나 오염이 달라붙는 것을 억제할 수 있다.
본 실시 형태의 전자 기기를 사용할 때에는, 전개함으로써 이음매가 없는 넓은 발광 영역 전체를 사용해도 되고, 발광 장치의 발광면이 외측이 되도록 구부림으로써, 발광 영역의 일부를 사용해도 된다. 접혀져서, 사용자에게 있어서 보이지 않는 발광 영역을 비발광 상태로 함으로써, 전자 기기의 소비 전력을 억제할 수 있다.
이하에서는, 2개의 띠 형상의 가요성이 높은 영역과 3개의 띠 형상의 가요성이 낮은 영역을 갖는, 3중 접힘이 가능한 전자 기기를 예로 들어 설명한다.
도 8의 (A)에 전개한 상태의 전자 기기를 나타낸다. 도 8의 (B)에 전개한 상태 또는 접은 상태의 한쪽에서 다른 쪽으로 변화하는 도중의 상태의 전자 기기를 나타낸다. 도 8의 (C)에 접은 상태의 전자 기기를 나타낸다. 도 9는, 전자 기기의 각 구성을 도시하는 사시도이다. 도 10의 (A)는 전자 기기의 발광면측의 평면도이며, 도 10의 (B)는 전자 기기의 발광면과 대향하는 면측의 평면도이다. 도 10의 (C), (D)는, 각각 도 10의 (A)의 전자 기기를 화살표의 방향에서 본 측면도의 일례이다. 도 10의 (E)는 도 10의 (A)에서의 일점 쇄선 A-B간의 단면도이다.
도 8의 (A) 내지 (C)에 나타내는 전자 기기는, 가요성을 갖는 발광 장치(11)를 갖는다. 발광 장치(11)에는, 실시 형태 1에서 설명한 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 적용할 수 있다. 본 발명의 일 형태의 발광 장치는, 예를 들어 곡률 반경 1mm 이상 100mm 이하로 절곡할 수 있기 때문에, 내측 굽힘이나 외측 굽힘에 의해, 1회 이상 접는 전자 기기에 적절하게 사용할 수 있다.
도 8의 (A) 내지 (C)에 나타내는 전자 기기는, 또한 복수의 지지 패널(15a)과 복수의 지지 패널(15b)을 갖는다. 각 지지 패널(15a, 15b)은, 발광 장치(11)에 비해 가요성이 낮다. 복수의 지지 패널(15a)은 서로 이격되어 있다. 복수의 지지 패널(15b)은 서로 이격되어 있다.
도 10의 (A)에 도시한 바와 같이, 전자 기기는, 가요성이 높은 영역(E1) 및 가요성이 낮은 영역(E2)을 교대로 갖는다. 가요성이 높은 영역과 가요성이 낮은 영역은 각각 띠 형상(줄무늬 형상)으로 형성된다. 본 실시 형태에서는, 복수의 가요성이 높은 영역이나 복수의 가요성이 낮은 영역이 서로 평행한 예를 나타내지만, 각 영역은 평행하게 배치되어 있지 않아도 된다.
전자 기기에서의 가요성이 높은 영역(E1)은, 적어도 가요성을 갖는 발광 장치를 갖고 있으면 된다. 유기 EL 소자를 사용한 발광 장치는, 높은 가요성 및 내충격성 외에, 박형 경량화가 도모되기 때문에 바람직하다.
전자 기기에서의 가요성이 낮은 영역(E2)은, 적어도 가요성을 갖는 발광 장치와, 당해 발광 장치보다 가요성이 낮은 지지 패널을 중첩시켜 갖고 있으면 된다.
지지 패널은, 발광 장치의 발광면측 또는 발광면과 대향하는 면측 중 적어도 한쪽에 설치되어 있으면 된다.
도 10의 (C)에 나타내는 지지 패널(15a, 15b)과 같이, 발광 장치의 발광면측 및 발광면과 대향하는 면측의 양쪽에 지지 패널을 가지면, 한 쌍의 지지 패널에 의해 발광 장치를 끼움 지지할 수 있기 때문에, 가요성이 낮은 영역의 기계적 강도를 높여서, 전자 기기가 보다 파손되기 어려워져 바람직하다.
또한, 지지 패널(15a, 15b) 대신에, 도 10의 (D)에 나타내는 지지 패널(15)을 사용하여, 지지 패널(15)로 발광 장치(11)를 끼움 지지해도 된다.
발광 장치의 발광면측 또는 발광면과 대향하는 면측에만 지지 패널을 가지면, 전자 기기를 보다 박형 또는 보다 경량으로 할 수 있어 바람직하다. 예를 들어, 복수의 지지 패널(15a)을 사용하지 않고, 복수의 지지 패널(15b)만을 갖는 전자 기기로 해도 된다.
가요성이 높은 영역(E1) 및 가요성이 낮은 영역(E2)은, 발광 장치와, 지지 패널보다 가요성이 높은 보호층을 중첩시켜 갖는 것이 바람직하다. 이에 의해, 전자 기기의 가요성이 높은 영역(E1)이 가요성을 갖고, 또한 기계적 강도가 높은 영역으로 되어, 전자 기기를 보다 파손되기 어렵게 할 수 있다. 즉, 가요성이 높은 영역에서도, 전자 기기가 외력 등에 의한 변형으로 깨지기 어려운 구성으로 할 수 있다.
예를 들어, 발광 장치, 지지 패널, 보호층의 각각의 두께는, 지지 패널이 가장 두껍고, 발광 장치가 가장 얇은 구성이 바람직하다. 또는, 예를 들어 발광 장치, 지지 패널, 보호층의 각각의 가요성은, 지지 패널의 가요성이 가장 낮고, 발광 장치의 가요성이 가장 높은 구성이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 가요성이 높은 영역과 가요성이 낮은 영역의 가요성의 차가 커진다. 확실하게 가요성이 높은 영역에서 절곡을 할 수 있는 구성으로 함으로써, 가요성이 낮은 영역에서 굽힘이 발생하는 것을 억제할 수 있어, 전자 기기의 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 의도하지 않은 곳에서 전자 기기가 구부러지는 것을 억제할 수 있다.
발광 장치의 발광면측 및 발광면과 대향하는 면측의 양쪽에 보호층을 가지면, 한 쌍의 보호층에 의해 발광 장치를 끼움 지지할 수 있기 때문에, 전자 기기의 기계적 강도를 높여, 전자 기기가 보다 파손되기 어려워져 바람직하다.
예를 들어, 도 10의 (C)에 도시한 바와 같이, 가요성이 낮은 영역(E2)에서는, 한 쌍의 보호층(13a, 13b)이 한 쌍의 지지 패널(15a, 15b) 사이에 위치하고, 발광 장치(도시 생략)가 한 쌍의 보호층(13a, 13b) 사이에 위치하는 것이 바람직하다.
또는, 도 10의 (D)에 도시한 바와 같이, 가요성이 낮은 영역(E2)에서는, 한 쌍의 보호층(13a, 13b)이 지지 패널(15) 사이에 위치하고, 발광 장치(도시 생략)가 한 쌍의 보호층(13a, 13b) 사이에 위치하는 것이 바람직하다.
발광 장치의 발광면측 또는 발광면과 대향하는 면측에만 보호층을 가지면, 전자 기기를 보다 박형 또는 보다 경량으로 할 수 있어 바람직하다. 예를 들어, 보호층(13a)을 사용하지 않고, 보호층(13b)만을 갖는 전자 기기로 해도 된다.
또한, 발광 장치의 발광면측의 보호층(13a)이 차광막이면, 발광 장치의 비발광 영역에 외광이 조사되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 비발광 영역에 포함되는 구동 회로가 갖는 트랜지스터 등의 광 열화를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
도 10의 (E)에 도시한 바와 같이, 발광 장치(11)의 발광면측에 설치된 보호층(13a)의 개구부는 발광 장치의 발광 영역(11a)과 중첩한다. 발광 영역(11a)을 프레임 형상으로 둘러싸는 비발광 영역(11b)과 보호층(13a)이 중첩되도록 설치되어 있다. 발광 장치(11)의 발광면과 대향하는 면측에 설치된 보호층(13b)은, 발광 영역(11a) 및 비발광 영역(11b)과 중첩하고 있다. 보호층(13b)은, 발광면과 대향하는 면측에 보다 넓은 범위에서, 특히 바람직하게는 상기 면 전체에 설치됨으로써, 발광 장치를 보다 보호할 수 있어, 전자 기기의 신뢰성을 높일 수 있다.
보호층이나 지지 패널은, 플라스틱, 금속, 합금, 고무 등을 사용하여 형성할 수 있다. 플라스틱이나 고무 등을 사용함으로써 경량이며, 파손되기 어려운 보호층이나 지지 패널을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다. 예를 들어, 보호층으로서 실리콘 고무, 지지 패널로서 스테인리스나 알루미늄을 사용하면 된다.
또한, 보호층이나 지지 패널에, 인성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 내충격성이 우수하고, 파손되기 어려운 전자 기기를 실현할 수 있다. 예를 들어, 유기 수지나, 두께가 얇은 금속 재료나 합금 재료를 사용함으로써 경량이며, 파손되기 어려운 전자 기기를 실현할 수 있다. 또한, 마찬가지의 이유에 의해, 발광 장치를 구성하는 기판에도 인성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
발광면측에 위치하는 보호층이나 지지 패널은, 발광 장치의 발광 영역과 중첩하지 않는 경우에는, 투광성과 상관없다. 발광면측에 위치하는 보호층이나 지지 패널이, 적어도 일부의 발광 영역과 중첩하는 경우에는, 발광 장치로부터의 발광을 투과하는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 발광면과 대향하는 면측에 위치하는 보호층이나 지지 패널의 투광성은 상관없다.
보호층, 지지 패널, 발광 장치 중 어느 2개를 접착하는 경우에는, 각종 접착제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 2액 혼합형의 수지 등의 상온에서 경화하는 수지, 광경화성의 수지, 열경화성의 수지 등의 수지를 사용할 수 있다. 또한, 시트 형상의 접착제를 사용해도 된다. 또한, 보호층, 지지 패널, 발광 장치 중 어느 2개 이상을 관통하는 나사나, 끼움 지지하는 핀, 클립 등을 사용하여, 전자 기기의 각 구성을 고정해도 된다.
본 실시 형태의 전자 기기는, 1개의 발광 장치(1개의 발광 영역)를, 절곡된 부분을 경계로 2개 이상으로 나누어서 이용할 수 있다. 예를 들어, 접음으로써 숨겨진 영역을 비발광 상태로 하고, 노출되는 영역만을 발광 상태로 해도 된다. 이에 의해 사용자가 사용하지 않는 영역이 소비하는 전력을 삭감할 수 있다.
본 실시 형태의 전자 기기는, 각 가요성이 높은 영역이 절곡되어 있는지 여부를 판단하기 위한 센서를 가져도 된다. 예를 들어 스위치, MEMS 압력 센서 또는 압력 센서 등을 사용하여 구성할 수 있다.
이상에서는, 가요성이 높은 영역을 2개 갖는 전자 기기를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 11의 (A)에 도시한 바와 같이, 적어도 가요성이 높은 영역(E1)을 1개 갖고 있으면 되고, 가요성이 높은 영역(E1)을 3개 갖는 4중 접힘이 가능한 전자 기기(도 11의 (B))나, 가요성이 높은 영역(E1)을 4개 갖는 5중 접힘이 가능한 전자 기기(도 11의 (C))도 본 발명의 일 형태이다.
본 실시 형태는, 다른 실시 형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시 형태 3)
본 실시 형태에서는, 본 발명의 일 형태가 적용된 전자 기기 및 조명 장치에 대해서, 도 12를 사용하여 설명한다.
전자 기기나 조명 장치는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 적용하여 제작함으로써 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 적용함으로써, 신뢰성이 높은 플렉시블한 전자 기기나 조명 장치를 제작할 수 있다.
전자 기기로서는, 예를 들어 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 파친코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 발광 장치는 가요성을 갖기 때문에, 가옥이나 빌딩의 내벽 또는 외벽, 또는, 자동차의 내장 또는 외장의 곡면을 따라 내장하는 것도 가능하다.
도 12의 (A)는, 휴대 전화기의 일례를 나타내고 있다. 휴대 전화기(7400)는, 하우징(7401)에 내장된 표시부(7402) 이외, 조작 버튼(7403), 외부 접속 포트(7404), 스피커(7405), 마이크(7406) 등을 구비하고 있다. 또한, 휴대 전화기(7400)는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 표시부(7402)에 사용함으로써 제작된다. 본 발명의 일 형태에 의해, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 휴대 전화기를 고수율로 제공할 수 있다.
도 12의 (A)에 나타내는 휴대 전화기(7400)는, 손가락 등으로 표시부(7402)에 접촉함으로써 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나, 또는 문자를 입력하는 등의 모든 조작은, 손가락 등으로 표시부(7402)에 접촉함으로써 행할 수 있다.
또한, 조작 버튼(7403)의 조작에 의해, 전원의 ON, OFF 동작이나, 표시부(7402)에 표시되는 화상의 종류를 전환할 수 있다. 예를 들어, 메일 작성 화면에서 메인 메뉴 화면으로 전환할 수 있다.
도 12의 (B)는, 손목 밴드형의 휴대 표시 장치의 일례를 나타내고 있다. 휴대 표시 장치(7100)는, 하우징(7101), 표시부(7102), 조작 버튼(7103) 및 송수신 장치(7104)를 구비한다.
휴대 표시 장치(7100)는, 송수신 장치(7104)에 의해 영상 신호를 수신 가능하고, 수신한 영상을 표시부(7102)에 표시할 수 있다. 또한, 음성 신호를 다른 수신 기기에 송신할 수도 있다.
또한, 조작 버튼(7103)에 의해, 전원의 ON, OFF 동작, 표시하는 영상의 전환, 또는 음성의 볼륨 조정 등을 행할 수 있다.
여기서, 표시부(7102)에는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치가 내장되어 있다. 본 발명의 일 형태에 의해, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 휴대 표시 장치를 고수율로 제공할 수 있다.
도 12의 (C) 내지 (E)는, 조명 장치의 일례를 나타내고 있다. 조명 장치(7200), 조명 장치(7210) 및 조명 장치(7220)는 각각, 조작 스위치(7203)를 구비하는 스테이지부(7201)와, 스테이지부(7201)에 지지되는 발광부를 갖는다.
도 12의 (C)에 나타내는 조명 장치(7200)는, 물결 형상의 발광면을 갖는 발광부(7202)를 구비한다. 따라서 디자인성이 높은 조명 장치로 되어 있다.
도 12의 (D)에 나타내는 조명 장치(7210)가 구비하는 발광부(7212)는, 볼록 형상으로 만곡된 2개의 발광부가 대칭적으로 배치된 구성으로 되어 있다. 따라서 조명 장치(7210)를 중심으로 전방위를 비출 수 있다.
도 12의 (E)에 나타내는 조명 장치(7220)는, 오목 형상으로 만곡된 발광부(7222)를 구비한다. 따라서, 발광부(7222)로부터의 발광을, 조명 장치(7220)의 전방면에 집광하기 때문에, 특정한 범위를 밝게 비추는 경우에 적합하다.
또한, 조명 장치(7200), 조명 장치(7210) 및 조명 장치(7220)가 구비하는 각각의 발광부는 가요성을 갖고 있기 때문에, 발광부를 가소성의 부재나 가동 프레임 등의 부재로 고정하고, 용도에 맞춰서 발광부의 발광면을 자유롭게 만곡 가능한 구성으로 해도 된다.
또한 여기에서는, 스테이지부에 의해 발광부가 지지된 조명 장치에 대하여 예시했지만, 발광부를 구비하는 하우징을 천장에 고정하거나, 또는 천장에 매달아 사용할 수도 있다. 발광면을 만곡시켜서 사용할 수 있기 때문에, 발광면을 오목 형상으로 만곡시켜서 특정한 영역을 밝게 비추거나, 또는 발광면을 볼록 형상으로 만곡시켜서 방 전체를 밝게 비출 수도 있다.
여기서, 각 발광부에는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치가 내장되어 있다. 본 발명의 일 형태에 의해, 만곡된 발광부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 조명 장치를 고수율로 제공할 수 있다.
도 12의 (F)에는, 휴대형의 표시 장치의 일례를 나타내고 있다. 표시 장치(7300)는, 하우징(7301), 표시부(7302), 조작 버튼(7303), 인출 부재(7304), 제어부(7305)를 구비한다.
표시 장치(7300)는, 통 형상의 하우징(7301) 내에 롤 형상으로 감긴 플렉시블한 표시부(7302)를 구비한다.
또한, 표시 장치(7300)는, 제어부(7305)에 의해 영상 신호를 수신 가능하고, 수신한 영상을 표시부(7302)에 표시할 수 있다. 또한, 제어부(7305)에는 배터리를 구비한다. 또한, 제어부(7305)에 커넥터를 접속하는 단자부를 구비하고, 영상 신호나 전력을 유선으로 외부로부터 직접 공급하는 구성으로 해도 된다.
또한, 조작 버튼(7303)에 의해, 전원의 ON, OFF 동작이나 표시하는 영상의 전환 등을 행할 수 있다.
도 12의 (G)에는, 표시부(7302)를 인출 부재(7304)에 의해 꺼낸 상태의 표시 장치(7300)를 나타낸다. 이 상태에서 표시부(7302)에 영상을 표시할 수 있다. 또한, 하우징(7301)의 표면에 배치된 조작 버튼(7303)에 의해, 한 손으로 용이하게 조작할 수 있다. 또한, 도 12의 (F)와 같이 조작 버튼(7303)을 하우징(7301)의 중앙이 아니라 편측에 치우쳐서 배치함으로써, 한 손으로 용이하게 조작할 수 있다.
또한, 표시부(7302)를 꺼낼 때에 표시부(7302)의 표시면이 평면 형상으로 되도록 고정하기 위해서, 표시부(7302)의 측부에 보강용 프레임을 설치하고 있어도 된다.
또한, 이 구성 이외에, 하우징에 스피커를 설치하여, 영상 신호와 함께 수신한 음성 신호에 의해 음성을 출력하는 구성으로 해도 된다.
표시부(7302)에는, 본 발명의 일 형태의 발광 장치가 내장되어 있다. 본 발명의 일 형태에 의해, 경량이면서 또한 신뢰성이 높은 발광 장치를 고수율로 제공할 수 있다.
본 실시 형태는, 다른 실시 형태와 자유롭게 조합할 수 있다.
11 : 발광 장치 11a : 발광 영역
11b : 비발광 영역 13a : 보호층
13b : 보호층 15 : 지지 패널
15a : 지지 패널 15b : 지지 패널
101 : 소자층 102 : 가요성 기판
103 : 가요성 기판 104 : 광 추출부
105 : 접착층 106 : 구동 회로부
108 : FPC 108a : FPC
108b : FPC 156 : 도전층
157 : 도전층 201 : 가요성 기판
202 : 가요성 기판 203 : 접착층
204 : 접착층 205 : 절연층
206 : 접착층 207 : 절연층
208 : 도전층 209 : 절연층
209a : 절연층 209b : 절연층
211 : 절연층 212 : 도전층
213 : 접착층 215 : 접속체
215a : 접속체 215b : 접속체
217 : 절연층 230 : 발광 소자
231 : 하부 전극 233 : EL층
233a : EL층 233b : EL층
235 : 상부 전극 240 : 트랜지스터
255 : 절연층 257 : 차광층
259 : 착색층 261 : 오버코트
270 : 도전층 271 : p형 반도체층
272 : 도전층 273 : i형 반도체층
274 : 도전층 275 : n형 반도체층
276 : 절연층 278 : 절연층
280 : 도전층 281 : 도전층
283 : 도전층 291 : 절연층
292 : 도전성 입자 293 : 절연층
294 : 도전층 295 : 절연층
296 : 도전층 301 : 제작 기판
303 : 박리층 305 : 제작 기판
307 : 박리층 310a : 도전층
310b : 도전층 7100 : 휴대 표시 장치
7101 : 하우징 7102 : 표시부
7103 : 조작 버튼 7104 : 송수신 장치
7200 : 조명 장치 7201 : 스테이지부
7202 : 발광부 7203 : 조작 스위치
7210 : 조명 장치 7212 : 발광부
7220 : 조명 장치 7222 : 발광부
7300 : 표시 장치 7301 : 하우징
7302 : 표시부 7303 : 조작 버튼
7304 : 부재 7305 : 제어부
7400 : 휴대 전화기 7401 : 하우징
7402 : 표시부 7403 : 조작 버튼
7404 : 외부 접속 포트 7405 : 스피커
7406 : 마이크

Claims (18)

  1. 발광 장치로서,
    제1 가요성 기판;
    제2 가요성 기판;
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판 사이의 소자층;
    상기 제1 가요성 기판과 상기 소자층 사이의 제1 접착층; 및
    상기 제2 가요성 기판과 상기 소자층 사이의 제2 접착층
    을 포함하고,
    상기 소자층은 발광 소자를 포함하고,
    상기 제1 접착층과 상기 제2 접착층은, 상기 소자층의 단부를 지나서 연장하고 또한 서로 접하고,
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판은, 상기 소자층의 상기 단부, 상기 제1 접착층의 단부 및 상기 제2 접착층의 단부를 지나서 연장하고 또한 서로 접하는, 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 접착층은 상기 소자층의 상기 단부의 측면과 접하는, 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 가요성 기판은, 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층의 상기 단부들의 측면들과 접하는, 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가요성 기판의 열팽창률과 상기 제2 가요성 기판의 열팽창률의 차의 절대값은, 상기 제1 가요성 기판의 상기 열팽창률 또는 상기 제2 가요성 기판의 상기 열팽창률의 10% 이하인, 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가요성 기판 및 상기 제2 가요성 기판은 동일한 재료를 포함하는, 발광 장치.
  6. 발광 장치로서,
    제1 가요성 기판;
    제2 가요성 기판;
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판 사이의 소자층;
    상기 제1 가요성 기판과 상기 소자층 사이의 제1 접착층;
    상기 제2 가요성 기판과 상기 소자층 사이의 제2 접착층; 및
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판 사이의 제3 접착층
    을 포함하고,
    상기 소자층은 발광 소자를 포함하고,
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판은, 상기 소자층의 단부, 상기 제1 접착층의 단부 및 상기 제2 접착층의 단부를 지나서 연장하고,
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판은, 상기 소자층, 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층과 중첩하지 않는 영역에서, 상기 제3 접착층을 개재하여 서로 중첩하는, 발광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 접착층은, 상기 소자층, 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층과 중첩하지 않는, 발광 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제3 접착층은 상기 제1 접착층의 상기 단부의 측면과 접하는, 발광 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제2 가요성 기판은, 상기 소자층, 상기 제1 접착층 및 상기 제2 접착층의 상기 단부들의 측면들과 접하는, 발광 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제3 접착층은 저융점 유리 또는 열가소성 수지를 포함하는, 발광 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 제1 가요성 기판의 열팽창률과 상기 제2 가요성 기판의 열팽창률의 차의 절대값은, 상기 제1 가요성 기판의 상기 열팽창률 또는 상기 제2 가요성 기판의 상기 열팽창률의 10% 이하인, 발광 장치.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 제1 가요성 기판 및 상기 제2 가요성 기판은 동일한 재료를 포함하는, 발광 장치.
  13. 발광 장치로서,
    제1 가요성 기판;
    제2 가요성 기판;
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판 사이의 소자층;
    상기 제1 가요성 기판과 상기 소자층 사이의 제1 접착층; 및
    상기 제2 가요성 기판과 상기 소자층 사이의 제2 접착층
    을 포함하고,
    상기 소자층은 발광 소자를 포함하고,
    상기 제1 가요성 기판, 상기 제2 가요성 기판 및 상기 제2 접착층은 상기 소자층의 단부 및 상기 제1 접착층의 단부를 지나서 연장하고,
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판은, 상기 소자층 및 상기 제1 접착층과 중첩하지 않는 영역에서, 상기 제2 접착층을 개재하여 서로 중첩하는, 발광 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 가요성 기판과 상기 제2 가요성 기판은, 상기 소자층의 상기 단부, 상기 제1 접착층의 상기 단부 및 상기 제2 접착층의 단부를 지나서 연장하고 또한 서로 접하는, 발광 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제2 접착층은 상기 소자층 및 상기 제1 접착층의 상기 단부들의 측면들과 접하는, 발광 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제2 가요성 기판은 상기 제2 접착층의 상기 단부의 측면과 접하는, 발광 장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제1 가요성 기판의 열팽창률과 상기 제2 가요성 기판의 열팽창률의 차의 절대값은, 상기 제1 가요성 기판의 상기 열팽창률 또는 상기 제2 가요성 기판의 상기 열팽창률의 10% 이하인, 발광 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 제1 가요성 기판 및 상기 제2 가요성 기판은 동일한 재료를 포함하는, 발광 장치.
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