JP2024037962A - 電子機器 - Google Patents
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- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 457
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 245
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 121
- 239000000463 material Substances 0.000 description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 52
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【課題】軽量であり破損しにくく、可撓性を有する発光装置を提供する。【解決手段】第1の可撓性基板と、第2の可撓性基板と、素子層と、第1の接着層と、第2の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素子層は、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の可撓性基板及び素子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間に位置し、素子層の端部よりも外側で、第1の接着層及び第2の接着層が接し、素子層の端部、第1の接着層の端部、及び第2の接着層の端部よりも外側で、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板が接する、発光装置である。【選択図】図2
Description
本発明は、物、方法、及び製造方法に関する。また、本発明は、プロセス、マシン、マニ
ュファクチャ、及び組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に、本発明の
一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、及びそれらの作製方
法に関する。特に、エレクトロルミネッセンス(Electroluminescenc
e、以下ELとも記す)現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、及び
それらの作製方法に関する。
ュファクチャ、及び組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に、本発明の
一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、及びそれらの作製方
法に関する。特に、エレクトロルミネッセンス(Electroluminescenc
e、以下ELとも記す)現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、及び
それらの作製方法に関する。
近年、発光装置や表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められて
いる。
いる。
例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、
又は破損しにくいこと等が求められている。
又は破損しにくいこと等が求められている。
EL現象を利用した発光素子(EL素子とも記す)は、薄型軽量化が容易である、入力信
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。
例えば、特許文献1に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機
EL素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
EL素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供する
ことを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、電子機
器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、信
頼性が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一
とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い
発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、光取り出し効率の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしく
は照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、輝度の高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。また
は、本発明の一態様は、消費電力の低い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装
置を提供することを目的の一とする。
ことを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、電子機
器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、信
頼性が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一
とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い
発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、光取り出し効率の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしく
は照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、輝度の高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。また
は、本発明の一態様は、消費電力の低い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装
置を提供することを目的の一とする。
また、本発明の一態様は、軽量であり破損しにくく、可撓性を有する発光装置、表示装置
、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。
、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。
なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。
本発明の一態様の発光装置は、第1の可撓性基板と、第2の可撓性基板と、素子層と、第
1の接着層と、第2の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素子層は、第1の
可撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の可撓性基板及び
素子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間に位置し、素子
層の端部よりも外側で、第1の接着層及び第2の接着層が接し、素子層の端部、第1の接
着層の端部、及び第2の接着層の端部よりも外側で、第1の可撓性基板及び第2の可撓性
基板が接する。
1の接着層と、第2の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素子層は、第1の
可撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の可撓性基板及び
素子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間に位置し、素子
層の端部よりも外側で、第1の接着層及び第2の接着層が接し、素子層の端部、第1の接
着層の端部、及び第2の接着層の端部よりも外側で、第1の可撓性基板及び第2の可撓性
基板が接する。
または、本発明の一態様は、第1の可撓性基板と、第2の可撓性基板と、素子層と、第1
の接着層と、第2の接着層と、第3の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素
子層は、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の
可撓性基板及び素子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間
に位置し、素子層の端部、第1の接着層の端部、及び第2の接着層の端部よりも外側で第
3の接着層、第1の可撓性基板、及び第2の可撓性基板が重なる、発光装置である。
の接着層と、第2の接着層と、第3の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素
子層は、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の
可撓性基板及び素子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間
に位置し、素子層の端部、第1の接着層の端部、及び第2の接着層の端部よりも外側で第
3の接着層、第1の可撓性基板、及び第2の可撓性基板が重なる、発光装置である。
例えば、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板が、低融点ガラスや熱可塑性樹脂等を介
して貼り合わされていることが好ましい。つまり、第3の接着層は低融点ガラス又は熱可
塑性樹脂を有することが好ましい。
して貼り合わされていることが好ましい。つまり、第3の接着層は低融点ガラス又は熱可
塑性樹脂を有することが好ましい。
または、本発明の一態様は、第1の可撓性基板と、第2の可撓性基板と、素子層と、第1
の接着層と、第2の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素子層は、第1の可
撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の可撓性基板及び素
子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間に位置し、素子層
の端部及び第1の接着層の端部よりも外側で、第2の接着層、第1の可撓性基板、及び第
2の可撓性基板が重なる、発光装置である。さらに、素子層の端部、第1の接着層の端部
、第2の接着層の端部よりも外側で、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板が接してい
てもよい。
の接着層と、第2の接着層と、を有し、素子層は、発光素子を有し、素子層は、第1の可
撓性基板及び第2の可撓性基板の間に位置し、第1の接着層は、第1の可撓性基板及び素
子層の間に位置し、第2の接着層は、第2の可撓性基板及び素子層の間に位置し、素子層
の端部及び第1の接着層の端部よりも外側で、第2の接着層、第1の可撓性基板、及び第
2の可撓性基板が重なる、発光装置である。さらに、素子層の端部、第1の接着層の端部
、第2の接着層の端部よりも外側で、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板が接してい
てもよい。
また、上記各構成の発光装置において、第1の可撓性基板の熱膨張率及び第2の可撓性基
板の熱膨張率の差の絶対値が第1の可撓性基板の熱膨張率又は第2の可撓性基板の熱膨張
率の10%以内であることが好ましい。
板の熱膨張率の差の絶対値が第1の可撓性基板の熱膨張率又は第2の可撓性基板の熱膨張
率の10%以内であることが好ましい。
また、上記各構成の発光装置において、第1の可撓性基板及び第2の可撓性基板が同じ材
料を含むことが好ましい。
料を含むことが好ましい。
また、上記各構成の発光装置を用いた電子機器や照明装置も本発明の一態様である。
なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはTCP(Tape Carri
er Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式により
IC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに
、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはTCP(Tape Carri
er Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式により
IC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さらに
、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
本発明の一態様では、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供す
ることができる。または、本発明の一態様では、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、
もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発
明の一態様では、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供
することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄い発光装置、表示装置、電子
機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、光取り
出し効率が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができ
る。または、本発明の一態様では、輝度の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは
照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力の低い発光装
置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。
ることができる。または、本発明の一態様では、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、
もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発
明の一態様では、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供
することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄い発光装置、表示装置、電子
機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、光取り
出し効率が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができ
る。または、本発明の一態様では、輝度の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは
照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力の低い発光装
置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。
また、本発明の一態様では、軽量であり破損しにくく、可撓性を有する発光装置、表示装
置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。
置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図1~図7、図13、及び図14
を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図1~図7、図13、及び図14
を用いて説明する。
本発明の一態様の発光装置の構成について説明する。
図1(A)に本発明の一態様の発光装置の平面図を示し、図1(B)に本発明の一態様の
発光装置の断面図を示す。該発光装置は、光取り出し部104と駆動回路部106を有す
る。
発光装置の断面図を示す。該発光装置は、光取り出し部104と駆動回路部106を有す
る。
図1(B)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101には発光素子が含まれて
いる。素子層101に含まれる導電層とFPC108とは接続体215によって電気的に
接続されている。
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101には発光素子が含まれて
いる。素子層101に含まれる導電層とFPC108とは接続体215によって電気的に
接続されている。
図2(A)に本発明の別の態様の発光装置の平面図を示し、図2(B)~(G)に本発明
の別の態様の発光装置の断面図をそれぞれ示す。該発光装置は、光取り出し部104と駆
動回路部106を有する。
の別の態様の発光装置の断面図をそれぞれ示す。該発光装置は、光取り出し部104と駆
動回路部106を有する。
図2(B)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101には発光素子が含まれて
いる。素子層101に含まれる導電層とFPC108とは接続体215によって電気的に
接続されている。
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101には発光素子が含まれて
いる。素子層101に含まれる導電層とFPC108とは接続体215によって電気的に
接続されている。
ここで、発光素子に用いる有機化合物や金属材料は、水分や酸素等の不純物と反応しやす
い。有機化合物又は金属材料と、該不純物とが反応することで、発光素子の寿命は大幅に
低下してしまう。本発明の一態様では、素子層101の端部よりも外側で、接着層105
及び接着層203が接している。このような構成とすることで、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入することを抑制できる。したがって、発光装置の信頼性の低下を抑制
でき、好ましい。
い。有機化合物又は金属材料と、該不純物とが反応することで、発光素子の寿命は大幅に
低下してしまう。本発明の一態様では、素子層101の端部よりも外側で、接着層105
及び接着層203が接している。このような構成とすることで、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入することを抑制できる。したがって、発光装置の信頼性の低下を抑制
でき、好ましい。
図2(C)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101に含まれる導電層とFP
C108とは接続体215によって電気的に接続されている。素子層101の端部よりも
外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が接している。
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101に含まれる導電層とFP
C108とは接続体215によって電気的に接続されている。素子層101の端部よりも
外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が接している。
ここで、可撓性基板201及び可撓性基板103の密着性を高めるために、可撓性基板2
01及び可撓性基板103に接して接着剤、ガラスフリット(低融点ガラス)、熱可塑性
樹脂等を配置し、硬化又は溶着させることが好ましい。例えば、図2(E)に、素子層の
端部よりも外側に位置する接着層206によって、可撓性基板201及び可撓性基板10
3が貼り合わされている例を示す。接着層206には、接着剤、ガラスフリット(低融点
ガラス)、又は熱可塑性樹脂等を用いることができる。または、可撓性基板201及び可
撓性基板103を直接溶着させてもよい。本発明の一態様で用いる可撓性基板は、熱膨張
率が小さく耐熱性が高いため、熱圧着などの局所的な加熱を用いても発光装置にダメージ
を与えにくい。このような構成とすることで、素子層101に大気の水分等の不純物が侵
入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。
01及び可撓性基板103に接して接着剤、ガラスフリット(低融点ガラス)、熱可塑性
樹脂等を配置し、硬化又は溶着させることが好ましい。例えば、図2(E)に、素子層の
端部よりも外側に位置する接着層206によって、可撓性基板201及び可撓性基板10
3が貼り合わされている例を示す。接着層206には、接着剤、ガラスフリット(低融点
ガラス)、又は熱可塑性樹脂等を用いることができる。または、可撓性基板201及び可
撓性基板103を直接溶着させてもよい。本発明の一態様で用いる可撓性基板は、熱膨張
率が小さく耐熱性が高いため、熱圧着などの局所的な加熱を用いても発光装置にダメージ
を与えにくい。このような構成とすることで、素子層101に大気の水分等の不純物が侵
入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。
図2(D)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101に含まれる導電層とFP
C108とは接続体215によって電気的に接続されている。素子層101の端部よりも
外側で、接着層105及び接着層203が接している。素子層101、接着層203、及
び接着層105それぞれの端部よりも外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が
接している。図2(E)に示す発光装置と同様に、可撓性基板201及び可撓性基板10
3の密着性を高めるために、可撓性基板201及び可撓性基板103に接して接着剤、ガ
ラスフリット(低融点ガラス)、熱可塑性樹脂等を配置し、硬化又は溶着させることが好
ましい。つまり、図2(D)の構成に加え、素子層の端部よりも外側に位置する接着層2
06を有していてもよい。または、可撓性基板201及び可撓性基板103を直接溶着さ
せてもよい。
105、可撓性基板103が順に積層されている。素子層101に含まれる導電層とFP
C108とは接続体215によって電気的に接続されている。素子層101の端部よりも
外側で、接着層105及び接着層203が接している。素子層101、接着層203、及
び接着層105それぞれの端部よりも外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が
接している。図2(E)に示す発光装置と同様に、可撓性基板201及び可撓性基板10
3の密着性を高めるために、可撓性基板201及び可撓性基板103に接して接着剤、ガ
ラスフリット(低融点ガラス)、熱可塑性樹脂等を配置し、硬化又は溶着させることが好
ましい。つまり、図2(D)の構成に加え、素子層の端部よりも外側に位置する接着層2
06を有していてもよい。または、可撓性基板201及び可撓性基板103を直接溶着さ
せてもよい。
また、図2(F)に示す発光装置のように、素子層101の端部及び接着層203の端部
よりも外側で接着層105、可撓性基板201及び可撓性基板103が重なっていてもよ
い。接している。接着層105は、素子層101の端部及び接着層203の端部を覆って
いる。可撓性基板201及び可撓性基板103は、接着層105により貼り合わされてい
る。さらに、図2(G)に示すように、素子層101の端部、接着層203の端部、及び
接着層105の端部よりも外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が接していて
もよい。
よりも外側で接着層105、可撓性基板201及び可撓性基板103が重なっていてもよ
い。接している。接着層105は、素子層101の端部及び接着層203の端部を覆って
いる。可撓性基板201及び可撓性基板103は、接着層105により貼り合わされてい
る。さらに、図2(G)に示すように、素子層101の端部、接着層203の端部、及び
接着層105の端部よりも外側で、可撓性基板201及び可撓性基板103が接していて
もよい。
図2(C)、(D)、(G)に示すような、素子層101の端部よりも外側で、可撓性基
板201及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材料を用
いることで、密着性を高めることができる。したがって、一対の可撓性基板に同じ材料を
用いることが好ましい。
板201及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材料を用
いることで、密着性を高めることができる。したがって、一対の可撓性基板に同じ材料を
用いることが好ましい。
可撓性基板としては、ガラス、石英、セラミック、サファイア、有機樹脂などの材料を用
いることができる。
いることができる。
ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウ
ケイ酸ガラス等を用いることができる。
ケイ酸ガラス等を用いることができる。
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の
厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(
PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES
)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが
好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いるこ
とができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に
混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(
PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES
)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが
好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いるこ
とができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に
混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
なお、本発明の一態様の発光装置において、光を透過させる必要がない可撓性基板には、
金属基板などの透光性の低い基板を用いてもよい。金属基板を構成する材料としては、特
に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしく
はステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。
金属基板などの透光性の低い基板を用いてもよい。金属基板を構成する材料としては、特
に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしく
はステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。
本発明の一態様の発光装置において、一対の可撓性基板の熱膨張率の差の絶対値が一対の
可撓性基板の少なくとも一方の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。一対の可撓
性基板の熱膨張率の差を小さくすることで、発光装置が一方の方向に反ることを抑制でき
る。また、熱によって一対の可撓性基板の伸縮の度合いが異なることは、発光装置におけ
るクラックの発生の原因の一つである。このことからも、一対の可撓性基板に同じ材料を
用いることが好ましい。これにより、一対の可撓性基板の熱膨張率の差を小さくすること
ができる。
可撓性基板の少なくとも一方の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。一対の可撓
性基板の熱膨張率の差を小さくすることで、発光装置が一方の方向に反ることを抑制でき
る。また、熱によって一対の可撓性基板の伸縮の度合いが異なることは、発光装置におけ
るクラックの発生の原因の一つである。このことからも、一対の可撓性基板に同じ材料を
用いることが好ましい。これにより、一対の可撓性基板の熱膨張率の差を小さくすること
ができる。
<具体例1>
図1(A)に本発明の一態様の発光装置の平面図を示し、図1(A)における一点鎖線A
1-A2間の断面図の一例を図1(C)に示す。
図1(A)に本発明の一態様の発光装置の平面図を示し、図1(A)における一点鎖線A
1-A2間の断面図の一例を図1(C)に示す。
図1(C)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、接着
層213、オーバーコート261、着色層259、遮光層257、及び絶縁層255を有
する。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、接着
層213、オーバーコート261、着色層259、遮光層257、及び絶縁層255を有
する。
導電層157は、接続体215を介してFPC108と電気的に接続する。なお、図1(
C)ではFPC108が可撓性基板103と重なる例を示したが、これに限られない。例
えば、図13(A)に示すように、可撓性基板201よりも面積の小さい可撓性基板10
3を用いる場合、可撓性基板201と可撓性基板103が重ならない領域に、FPC10
8を設けてもよい(つまり、可撓性基板103とFPC108は重ならなくてもよい)。
C)ではFPC108が可撓性基板103と重なる例を示したが、これに限られない。例
えば、図13(A)に示すように、可撓性基板201よりも面積の小さい可撓性基板10
3を用いる場合、可撓性基板201と可撓性基板103が重ならない領域に、FPC10
8を設けてもよい(つまり、可撓性基板103とFPC108は重ならなくてもよい)。
発光素子230は、下部電極231、EL層233、及び上部電極235を有する。下部
電極231は、トランジスタ240のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。
下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はトップエミッ
ション構造である。上部電極235は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する
。
電極231は、トランジスタ240のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。
下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はトップエミッ
ション構造である。上部電極235は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する
。
発光素子230と重なる位置に、着色層259が設けられ、絶縁層211と重なる位置に
遮光層257が設けられている。着色層259及び遮光層257はオーバーコート261
で覆われている。発光素子230とオーバーコート261の間は接着層213で充填され
ている。
遮光層257が設けられている。着色層259及び遮光層257はオーバーコート261
で覆われている。発光素子230とオーバーコート261の間は接着層213で充填され
ている。
なお、本発明の一態様の発光装置は、図13(B)に示すように、着色層259と重なら
ない発光素子230を有していてもよい。例えば、赤色、青色、緑色、及び白色の4つの
副画素で1つの画素を構成する場合、白色の副画素では、着色層259を設けなくてもよ
い。これにより、着色層による光の吸収量が低減されるため、発光装置の消費電力を低減
することができる。また、EL層233aとEL層233bに異なる材料を用いることで
、画素ごとに異なる色を呈する発光素子を作製してもよい。
ない発光素子230を有していてもよい。例えば、赤色、青色、緑色、及び白色の4つの
副画素で1つの画素を構成する場合、白色の副画素では、着色層259を設けなくてもよ
い。これにより、着色層による光の吸収量が低減されるため、発光装置の消費電力を低減
することができる。また、EL層233aとEL層233bに異なる材料を用いることで
、画素ごとに異なる色を呈する発光素子を作製してもよい。
発光装置は、光取り出し部104及び駆動回路部106に、トランジスタ240等の複数
のトランジスタを有する。トランジスタ240は、絶縁層205上に設けられている。絶
縁層205と可撓性基板201は接着層203によって貼り合わされている。また、絶縁
層255と可撓性基板103は接着層105によって貼り合わされている。絶縁層205
や絶縁層255に透水性の低い膜を用いると、発光素子230やトランジスタ240に水
等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
のトランジスタを有する。トランジスタ240は、絶縁層205上に設けられている。絶
縁層205と可撓性基板201は接着層203によって貼り合わされている。また、絶縁
層255と可撓性基板103は接着層105によって貼り合わされている。絶縁層205
や絶縁層255に透水性の低い膜を用いると、発光素子230やトランジスタ240に水
等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層205やトランジスタ240、発光素子
230を作製し、該作製基板を剥離し、接着層203を用いて可撓性基板201上に絶縁
層205やトランジスタ240、発光素子230を転置することで作製できる発光装置を
示している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層255、着色層25
9及び遮光層257を作製し、該作製基板を剥離し、接着層105を用いて可撓性基板1
03上に絶縁層255、着色層259及び遮光層257を転置することで作製できる発光
装置を示している。
230を作製し、該作製基板を剥離し、接着層203を用いて可撓性基板201上に絶縁
層205やトランジスタ240、発光素子230を転置することで作製できる発光装置を
示している。また、具体例1では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層255、着色層25
9及び遮光層257を作製し、該作製基板を剥離し、接着層105を用いて可撓性基板1
03上に絶縁層255、着色層259及び遮光層257を転置することで作製できる発光
装置を示している。
基板に、耐熱性が低い材料(樹脂など)を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけるこ
とが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。また、
発光装置の基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、基板と発光素子の間に、
高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では
、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性
の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それ
らを耐熱性の低い基板へと転置することで、信頼性の高い発光装置を作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光装置を実現でき
る。作製方法の詳細は後述する。
とが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。また、
発光装置の基板に透水性が高い材料(樹脂など)を用いる場合、基板と発光素子の間に、
高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では
、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性
の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成することができる。そして、それ
らを耐熱性の低い基板へと転置することで、信頼性の高い発光装置を作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光装置を実現でき
る。作製方法の詳細は後述する。
具体例1では、可撓性基板103を介して発光素子230の光が取り出される。したがっ
て、可撓性基板103には、可視光を透過する材料を用いる。また、可撓性基板103は
、接着層105よりも可視光の透過率が高いことが好ましい。これにより、発光装置の光
取り出し効率の低下を抑制できる。
て、可撓性基板103には、可視光を透過する材料を用いる。また、可撓性基板103は
、接着層105よりも可視光の透過率が高いことが好ましい。これにより、発光装置の光
取り出し効率の低下を抑制できる。
また、可撓性基板103及び可撓性基板201の熱膨張率の差の絶対値が可撓性基板10
3又は可撓性基板201の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。これにより、発
光装置の反り、及び発光装置におけるクラックの発生等を抑制することができる。
3又は可撓性基板201の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。これにより、発
光装置の反り、及び発光装置におけるクラックの発生等を抑制することができる。
また、図2(C)、(D)、(G)に示すような、素子層101の端部よりも外側で、可
撓性基板201及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材
料を用いることで、密着性を高めることができる。これにより、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。さ
らに、図2(B)、(E)、(F)に示すように、接着層206又は接着層105等によ
って、可撓性基板201及び可撓性基板103を貼り合わせてもよい。
撓性基板201及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材
料を用いることで、密着性を高めることができる。これにより、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。さ
らに、図2(B)、(E)、(F)に示すように、接着層206又は接着層105等によ
って、可撓性基板201及び可撓性基板103を貼り合わせてもよい。
<具体例2>
図3(A)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図3(A)の発光装
置は、タッチ操作が可能な発光装置である。なお、以下の各具体例では、具体例1と同様
の構成については説明を省略する。
図3(A)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図3(A)の発光装
置は、タッチ操作が可能な発光装置である。なお、以下の各具体例では、具体例1と同様
の構成については説明を省略する。
図3(A)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217、接着
層213、オーバーコート261、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電
層281、導電層283、絶縁層291、絶縁層293、絶縁層295、及び絶縁層25
5を有する。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁層211、絶縁層217、接着
層213、オーバーコート261、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電
層281、導電層283、絶縁層291、絶縁層293、絶縁層295、及び絶縁層25
5を有する。
具体例2では、絶縁層211上に絶縁層217を有する。絶縁層217を設けることで、
可撓性基板103と可撓性基板201の間隔を調整することができる。
可撓性基板103と可撓性基板201の間隔を調整することができる。
図3(A)では、絶縁層255及び接着層213の間に受光素子を有する例を示す。トラ
ンジスタや配線に重ねて受光素子を配置することができるため、画素(発光素子)の開口
率を低下させることなく発光装置にタッチセンサを設けることができる。
ンジスタや配線に重ねて受光素子を配置することができるため、画素(発光素子)の開口
率を低下させることなく発光装置にタッチセンサを設けることができる。
発光装置が有する受光素子には、例えば、pn型又はpin型のフォトダイオードを用い
ることができる。本実施の形態では、受光素子として、p型半導体層271、i型半導体
層273、及びn型半導体層275を有するpin型のフォトダイオードを用いる。
ることができる。本実施の形態では、受光素子として、p型半導体層271、i型半導体
層273、及びn型半導体層275を有するpin型のフォトダイオードを用いる。
なお、i型半導体層273は、含まれるp型を付与する不純物及びn型を付与する不純物
がそれぞれ1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100
倍以上である。i型半導体層273には、周期表第13族もしくは第15族の不純物元素
を有するものもその範疇に含む。すなわち、i型の半導体は、価電子制御を目的とした不
純物元素を意図的に添加しないときに弱いn型の電気伝導性を示すので、i型半導体層2
73は、p型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的
に添加されたものをその範疇に含む。
がそれぞれ1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100
倍以上である。i型半導体層273には、周期表第13族もしくは第15族の不純物元素
を有するものもその範疇に含む。すなわち、i型の半導体は、価電子制御を目的とした不
純物元素を意図的に添加しないときに弱いn型の電気伝導性を示すので、i型半導体層2
73は、p型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的
に添加されたものをその範疇に含む。
遮光層257は、受光素子よりも可撓性基板201側に位置しており、受光素子と重なる
。受光素子と接着層213との間に位置する遮光層257によって、発光素子230の発
する光が受光素子に照射されることを抑制できる。
。受光素子と接着層213との間に位置する遮光層257によって、発光素子230の発
する光が受光素子に照射されることを抑制できる。
導電層281及び導電層283は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層281
は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層283は、
受光素子に入射する光を遮る導電層を用いることが好ましい。
は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層283は、
受光素子に入射する光を遮る導電層を用いることが好ましい。
光学式タッチセンサを可撓性基板103と接着層213の間に有すると、発光素子230
の発光の影響を受けにくく、S/N比を向上させることができるため、好ましい。
の発光の影響を受けにくく、S/N比を向上させることができるため、好ましい。
可撓性基板103及び可撓性基板201の好ましい構成は具体例1と同様である。
<具体例3>
図3(B)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図3(B)の発光装
置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
図3(B)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。図3(B)の発光装
置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
図3(B)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、絶縁層209a、絶縁層209b、複数の発光素子、絶縁層211、
絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電層2
80、導電層281、及び絶縁層255を有する。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、絶縁層209a、絶縁層209b、複数の発光素子、絶縁層211、
絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、複数の受光素子、導電層2
80、導電層281、及び絶縁層255を有する。
図3(B)では、絶縁層205及び接着層213の間に受光素子を有する例を示す。受光
素子を絶縁層205及び接着層213の間に設けることで、トランジスタ240を構成す
る導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や
受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させる
ことなく、タッチ操作が可能な発光装置を作製できる。
素子を絶縁層205及び接着層213の間に設けることで、トランジスタ240を構成す
る導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や
受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させる
ことなく、タッチ操作が可能な発光装置を作製できる。
可撓性基板103及び可撓性基板201の好ましい構成は具体例1と同様である。
<具体例4>
図4(A)に発光装置の別の例を示す。図4(A)の発光装置は、タッチ操作が可能な発
光装置である。
図4(A)に発光装置の別の例を示す。図4(A)の発光装置は、タッチ操作が可能な発
光装置である。
図4(A)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層156、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁
層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、
導電層272、導電層274、絶縁層276、絶縁層278、導電層294、及び導電層
296を有する。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層156、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁
層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、
導電層272、導電層274、絶縁層276、絶縁層278、導電層294、及び導電層
296を有する。
図4(A)では、絶縁層255及び接着層213の間に静電容量式のタッチセンサを有す
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。
導電層156及び導電層157は、接続体215を介してFPC108と電気的に接続す
る。導電層294及び導電層296は、導電性粒子292を介して導電層274と電気的
に接続する。したがって、FPC108を介して静電容量式のタッチセンサを駆動するこ
とができる。
る。導電層294及び導電層296は、導電性粒子292を介して導電層274と電気的
に接続する。したがって、FPC108を介して静電容量式のタッチセンサを駆動するこ
とができる。
可撓性基板103及び可撓性基板201の好ましい構成は具体例1と同様である。
<具体例5>
図4(B)に発光装置の別の例を示す。図4(B)の発光装置は、タッチ操作が可能な発
光装置である。
図4(B)に発光装置の別の例を示す。図4(B)の発光装置は、タッチ操作が可能な発
光装置である。
図4(B)に示す発光装置は、可撓性基板201、接着層203、素子層101、接着層
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層156、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁
層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、
導電層270、導電層272、導電層274、絶縁層276、及び絶縁層278を有する
。
105、可撓性基板103を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、導電層156、導電層157、絶縁層207、絶縁層209、複数の発光素子、絶縁
層211、絶縁層217、接着層213、着色層259、遮光層257、絶縁層255、
導電層270、導電層272、導電層274、絶縁層276、及び絶縁層278を有する
。
図4(B)では、絶縁層255及び接着層213の間に静電容量式のタッチセンサを有す
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。
る例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層272及び導電層274を有する。
なお、図14(A)に示すように、タッチセンサは、可撓性基板103上に設けてもよい
。また、図14(B)に示すように、可撓性基板103上に可撓性基板102を設け、該
可撓性基板102上にタッチセンサを設けてもよい。可撓性基板103と可撓性基板10
2とは、接着層204で接着されている。接着層204には、接着層203と同様の材料
を用いることが好ましい。これにより、光の反射を抑制できる。また、発光装置を曲げた
際に、位置ずれが生じることを抑制できる。なお、図4(B)に示す構成と同様に、可撓
性基板103と導電層272の間に、絶縁層255及び接着層105を有していてもよい
。
。また、図14(B)に示すように、可撓性基板103上に可撓性基板102を設け、該
可撓性基板102上にタッチセンサを設けてもよい。可撓性基板103と可撓性基板10
2とは、接着層204で接着されている。接着層204には、接着層203と同様の材料
を用いることが好ましい。これにより、光の反射を抑制できる。また、発光装置を曲げた
際に、位置ずれが生じることを抑制できる。なお、図4(B)に示す構成と同様に、可撓
性基板103と導電層272の間に、絶縁層255及び接着層105を有していてもよい
。
導電層156及び導電層157は、接続体215aを介してFPC108aと電気的に接
続する。導電層270は、接続体215bを介してFPC108bと電気的に接続する。
したがって、FPC108aを介して発光素子230やトランジスタ240を駆動し、F
PC108bを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
続する。導電層270は、接続体215bを介してFPC108bと電気的に接続する。
したがって、FPC108aを介して発光素子230やトランジスタ240を駆動し、F
PC108bを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
可撓性基板103及び可撓性基板201の好ましい構成は具体例1と同様である。また、
可撓性基板102にも同様の構成が適用できる。なお、具体例5では、可撓性基板103
(及び可撓性基板102)から発光素子230の光が取り出される。したがって、可撓性
基板103や可撓性基板102には、可視光を透過する材料を用いる。
可撓性基板102にも同様の構成が適用できる。なお、具体例5では、可撓性基板103
(及び可撓性基板102)から発光素子230の光が取り出される。したがって、可撓性
基板103や可撓性基板102には、可視光を透過する材料を用いる。
また、可撓性基板102及び可撓性基板103は同じ材料を用いることが好ましい。これ
により、可撓性基板102及び可撓性基板103の熱膨張率の差を小さくできる。さらに
、可撓性基板201にも同じ材料を用いることが好ましい。これにより、可撓性基板10
2、可撓性基板103、及び可撓性基板201の熱膨張率の差を小さくできる。
により、可撓性基板102及び可撓性基板103の熱膨張率の差を小さくできる。さらに
、可撓性基板201にも同じ材料を用いることが好ましい。これにより、可撓性基板10
2、可撓性基板103、及び可撓性基板201の熱膨張率の差を小さくできる。
<具体例6>
図5(A)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。
図5(A)に発光装置における光取り出し部104の別の例を示す。
図5(A)に示す発光装置は、可撓性基板103、接着層105、素子層101、接着層
213、可撓性基板202を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、導電層208、絶縁層209a、絶縁層209b、複数の発光素子、
絶縁層211、及び着色層259を有する。
213、可撓性基板202を有する。素子層101は、絶縁層205、複数のトランジス
タ、絶縁層207、導電層208、絶縁層209a、絶縁層209b、複数の発光素子、
絶縁層211、及び着色層259を有する。
発光素子230は、下部電極231、EL層233、及び上部電極235を有する。下部
電極231は、導電層208を介してトランジスタ240のソース電極又はドレイン電極
と電気的に接続する。下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子
230はボトムエミッション構造である。下部電極231は透光性を有し、EL層233
が発する光を透過する。
電極231は、導電層208を介してトランジスタ240のソース電極又はドレイン電極
と電気的に接続する。下部電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子
230はボトムエミッション構造である。下部電極231は透光性を有し、EL層233
が発する光を透過する。
発光素子230と重なる位置に、着色層259が設けられ、発光素子230が発する光は
、着色層259を介して可撓性基板103側に取り出される。発光素子230と可撓性基
板202の間は接着層213で充填されている。
、着色層259を介して可撓性基板103側に取り出される。発光素子230と可撓性基
板202の間は接着層213で充填されている。
なお、本発明の一態様の発光装置は、図5(C)に示すように、着色層259と重ならな
い発光素子230を有していてもよい。例えば、赤色、青色、緑色、及び白色の4つの副
画素で1つの画素を構成する場合、白色の副画素では、着色層259を設けなくてもよい
。これにより、着色層による光の吸収量が低減されるため、発光装置の消費電力を低減す
ることができる。また、EL層233aとEL層233bに異なる材料を用いることで、
画素ごとに異なる色を呈する発光素子を作製してもよい。
い発光素子230を有していてもよい。例えば、赤色、青色、緑色、及び白色の4つの副
画素で1つの画素を構成する場合、白色の副画素では、着色層259を設けなくてもよい
。これにより、着色層による光の吸収量が低減されるため、発光装置の消費電力を低減す
ることができる。また、EL層233aとEL層233bに異なる材料を用いることで、
画素ごとに異なる色を呈する発光素子を作製してもよい。
具体例6では、可撓性基板103を介して発光素子230の光が取り出される。したがっ
て、可撓性基板103には、可視光を透過する材料を用いる。
て、可撓性基板103には、可視光を透過する材料を用いる。
また、可撓性基板103及び可撓性基板202の熱膨張率の差の絶対値が可撓性基板10
3又は可撓性基板202の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。
3又は可撓性基板202の熱膨張率の10%以内であることが好ましい。
また、図2(C)、(D)、(G)に示すような、素子層101の端部よりも外側で、可
撓性基板202及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材
料を用いることで、密着性を高めることができる。これにより、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。さ
らに、図2(B)、(E)、(F)に示すように、接着層206又は接着層105等によ
って、可撓性基板202及び可撓性基板103を貼り合わせてもよい。
撓性基板202及び可撓性基板103が接している構成とする場合、同様の性質をもつ材
料を用いることで、密着性を高めることができる。これにより、素子層101に大気の水
分等の不純物が侵入しにくく、発光装置の信頼性の低下を抑制できるため、好ましい。さ
らに、図2(B)、(E)、(F)に示すように、接着層206又は接着層105等によ
って、可撓性基板202及び可撓性基板103を貼り合わせてもよい。
<具体例7>
図5(B)に発光装置の別の例を示す。
図5(B)に発光装置の別の例を示す。
図5(B)に示す発光装置は、可撓性基板103、接着層105、素子層101、接着層
213、可撓性基板202を有する。素子層101は、絶縁層205、導電層310a、
導電層310b、複数の発光素子、絶縁層211、及び導電層212を有する。
213、可撓性基板202を有する。素子層101は、絶縁層205、導電層310a、
導電層310b、複数の発光素子、絶縁層211、及び導電層212を有する。
導電層310a及び導電層310bは、発光装置の外部接続電極であり、FPC等と電気
的に接続させることができる。
的に接続させることができる。
発光素子230は、下部電極231、EL層233、及び上部電極235を有する。下部
電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はボトムエミッショ
ン構造である。下部電極231は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する。導
電層212は、下部電極231と電気的に接続する。
電極231の端部は、絶縁層211で覆われている。発光素子230はボトムエミッショ
ン構造である。下部電極231は透光性を有し、EL層233が発する光を透過する。導
電層212は、下部電極231と電気的に接続する。
可撓性基板103は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸
構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に
上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有す
る接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する可撓性基板103を形成す
ることができる。
構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に
上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有す
る接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する可撓性基板103を形成す
ることができる。
導電層212は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極231の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極235と電気
的に接続する導電層を絶縁層211上、EL層233上、又は上部電極235上などに設
けてもよい。
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極235と電気
的に接続する導電層を絶縁層211上、EL層233上、又は上部電極235上などに設
けてもよい。
導電層212は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層212の膜厚は、
例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.
5μm以下である。
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層212の膜厚は、
例えば、0.1μm以上3μm以下とすることができ、好ましくは、0.1μm以上0.
5μm以下である。
上部電極235と電気的に接続する導電層の材料にペースト(銀ペーストなど)を用いる
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、例えば、絶縁層211上に該導電層を形成しても、EL層233
が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとること
が容易になり好ましい。
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、例えば、絶縁層211上に該導電層を形成しても、EL層233
が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとること
が容易になり好ましい。
可撓性基板103及び可撓性基板202の好ましい構成は具体例6と同様である。
<材料の一例>
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先に説
明した構成については説明を省略する。
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先に説
明した構成については説明を省略する。
[機能素子]
素子層101は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素子
を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでい
る。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることが
できる。
素子層101は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素子
を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでい
る。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることが
できる。
素子層101は、発光素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに有
していてもよい。
していてもよい。
発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジ
スタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又
はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導
体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、I
n-Ga-Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つ
を含む酸化物半導体を用いてもよい。
スタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又
はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導
体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、I
n-Ga-Zn系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つ
を含む酸化物半導体を用いてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
発光装置が有する発光素子は、一対の電極(下部電極231及び上部電極235)と、該
一対の電極間に設けられたEL層233とを有する。該一対の電極の一方は陽極として機
能し、他方は陰極として機能する。
一対の電極間に設けられたEL層233とを有する。該一対の電極の一方は陽極として機
能し、他方は陰極として機能する。
発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッション
構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用
いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。
構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用
いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:I
ndium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例え
ば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。
ndium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例え
ば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
下部電極231及び上部電極235の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、EL層233に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はEL層233において再結合し、EL層233に含まれる発光物質が発光
する。
と、EL層233に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はEL層233において再結合し、EL層233に含まれる発光物質が発光
する。
EL層233は少なくとも発光層を有する。EL層233は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質)等を含む層をさらに有していてもよい。
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質)等を含む層をさらに有していてもよい。
EL層233には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。EL層233を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着
法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
化合物を含んでいてもよい。EL層233を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着
法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
素子層101において、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられているこ
とが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装
置の信頼性の低下を抑制できる。
とが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装
置の信頼性の低下を抑制できる。
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、1×10-5[g/m2・day]以下
、好ましくは1×10-6[g/m2・day]以下、より好ましくは1×10-7[g
/m2・day]以下、さらに好ましくは1×10-8[g/m2・day]以下とする
。
、好ましくは1×10-6[g/m2・day]以下、より好ましくは1×10-7[g
/m2・day]以下、さらに好ましくは1×10-8[g/m2・day]以下とする
。
[接着層]
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(
エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(
エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化
カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
接着層105は、透光性を有し、少なくとも素子層101が有する発光素子の発する光を
透過する。また、接着層105の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。
透過する。また、接着層105の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。
上記樹脂に屈折率の高いフィラー(酸化チタン等)を混合することにより、発光素子から
の光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。そのため、同じ消費電力の場合で
比較すると、輝度を高くすることができる。また、同じ輝度の場合で比較すると、消費電
力を低くすることができる。
の光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。そのため、同じ消費電力の場合で
比較すると、輝度を高くすることができる。また、同じ輝度の場合で比較すると、消費電
力を低くすることができる。
また、接着層105には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着層
105には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる
。該粒子は光の散乱部材として機能する。
105には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもできる
。該粒子は光の散乱部材として機能する。
樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が0.1以上あることが好ましく、
0.3以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン
、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。
0.3以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタン
、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。
酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼオ
ライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上さ
せることができる。
ライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上さ
せることができる。
接着層213を介して発光素子の発する光を取り出す場合は、上記した接着層105と同
様の構成を適用できる。
様の構成を適用できる。
[絶縁層]
絶縁層205、絶縁層255には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透
水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光装置を実現できるため好ましい。
絶縁層205、絶縁層255には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透
水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光装置を実現できるため好ましい。
絶縁層207は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。絶縁層207としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
る。絶縁層207としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
絶縁層209、絶縁層209a、及び絶縁層209bとしては、それぞれ、トランジスタ
起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である
。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いること
ができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料(low-k材料)等を用いること
ができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を用いた積層構造として
もよい。
起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である
。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いること
ができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料(low-k材料)等を用いること
ができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を用いた積層構造として
もよい。
絶縁層211は、下部電極231の端部を覆って設けられている。絶縁層211の上層に
形成されるEL層233や上部電極235の被覆性を良好なものとするため、絶縁層21
1の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
形成されるEL層233や上部電極235の被覆性を良好なものとするため、絶縁層21
1の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
絶縁層211の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層211の作製が容易
となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい
。
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層211の作製が容易
となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい
。
絶縁層211の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷
等)等を用いればよい。
蒸着法、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷
等)等を用いればよい。
絶縁層217は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料等を用いて形成することができる。例え
ば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いるこ
とができる。また、絶縁層217にかえて、導電層を形成してもよい。例えば、金属材料
を用いて形成することができる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いる
ことができる。絶縁層217の代わりに導電層を用い、該導電層と上部電極235とを電
気的に接続させる構成とすることで、上部電極235の抵抗に起因した電位降下を抑制で
きる。また、絶縁層217は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
ば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いるこ
とができる。また、絶縁層217にかえて、導電層を形成してもよい。例えば、金属材料
を用いて形成することができる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いる
ことができる。絶縁層217の代わりに導電層を用い、該導電層と上部電極235とを電
気的に接続させる構成とすることで、上部電極235の抵抗に起因した電位降下を抑制で
きる。また、絶縁層217は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
絶縁層276、絶縁層278、絶縁層291、絶縁層293、絶縁層295は、それぞれ
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層278や絶縁層295
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層278や絶縁層295
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。
[導電層]
導電層156、導電層157、導電層294、及び導電層296は、それぞれ、トランジ
スタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電
層280は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
導電層156、導電層157、導電層294、及び導電層296は、それぞれ、トランジ
スタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電
層280は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステ
ン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合
金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それ
ぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化イ
ンジウム(In2O3等)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、イ
ンジウム亜鉛酸化物(In2O3-ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコ
ンを含ませたものを用いることができる。
ン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合
金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それ
ぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化イ
ンジウム(In2O3等)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、イ
ンジウム亜鉛酸化物(In2O3-ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコ
ンを含ませたものを用いることができる。
また、導電層208、導電層212、導電層310a及び導電層310bも、それぞれ、
上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
導電層272及び導電層274、並びに、導電層281及び導電層283は、透光性を有
する導電層である。例えば、酸化インジウム、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛
、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層270は導電層2
72と同一の材料、同一の工程で形成できる。
する導電層である。例えば、酸化インジウム、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛
、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層270は導電層2
72と同一の材料、同一の工程で形成できる。
導電性粒子292は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したもの
を用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。
またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子
を用いることが好ましい。
を用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。
またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子
を用いることが好ましい。
接続体215としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。
[着色層、遮光層、及びオーバーコート]
着色層259は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の
光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)の
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用い
ることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォト
リソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
着色層259は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の
光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)の
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用い
ることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォト
リソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
また、隣接する着色層259の間に、遮光層257が設けられている。遮光層257は隣
接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、
着色層259の端部を、遮光層257と重なるように設けることにより、光漏れを抑制す
ることができる。遮光層257は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、
金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図1(
C)に示すように、遮光層257を駆動回路部106などの光取り出し部104以外の領
域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、
着色層259の端部を、遮光層257と重なるように設けることにより、光漏れを抑制す
ることができる。遮光層257は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、
金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図1(
C)に示すように、遮光層257を駆動回路部106などの光取り出し部104以外の領
域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
また、着色層259と遮光層257を覆うオーバーコート261を設けてもよい。オーバ
ーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の有機EL素子への拡散を防止す
ることができる。オーバーコートは、有機EL素子からの発光を透過する材料から構成さ
れ、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド
膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよ
い。オーバーコート261に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
ーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の有機EL素子への拡散を防止す
ることができる。オーバーコートは、有機EL素子からの発光を透過する材料から構成さ
れ、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド
膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよ
い。オーバーコート261に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
また、接着層213の材料を着色層259及び遮光層257上に塗布する場合、オーバー
コート261の材料として接着層213の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが
好ましい。例えば、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等
の金属膜を用いることが好ましい。
コート261の材料として接着層213の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが
好ましい。例えば、ITO膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いAg膜等
の金属膜を用いることが好ましい。
<作製方法例>
次に、発光装置の作製方法を図6及び図7を用いて例示する。ここでは、具体例1(図1
(C))の構成の発光装置を例に挙げて説明する。
次に、発光装置の作製方法を図6及び図7を用いて例示する。ここでは、具体例1(図1
(C))の構成の発光装置を例に挙げて説明する。
まず、作製基板301上に剥離層303を形成し、剥離層303上に絶縁層205を形成
する。次に、絶縁層205上に複数のトランジスタ、導電層157、絶縁層207、絶縁
層209、複数の発光素子、及び絶縁層211を形成する。なお、導電層157が露出す
るように、絶縁層211、絶縁層209、及び絶縁層207は開口する(図6(A))。
する。次に、絶縁層205上に複数のトランジスタ、導電層157、絶縁層207、絶縁
層209、複数の発光素子、及び絶縁層211を形成する。なお、導電層157が露出す
るように、絶縁層211、絶縁層209、及び絶縁層207は開口する(図6(A))。
また、作製基板305上に剥離層307を形成し、剥離層307上に絶縁層255を形成
する。次に、絶縁層255上に遮光層257、着色層259、及びオーバーコート261
を形成する(図6(B))。
する。次に、絶縁層255上に遮光層257、着色層259、及びオーバーコート261
を形成する(図6(B))。
作製基板301及び作製基板305としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サファ
イア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
イア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス
、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度
が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(B
aO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。
、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度
が高い場合には、歪み点が730℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム(B
aO)を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。
作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス
基板からの汚染を防止でき、好ましい。
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス
基板からの汚染を防止でき、好ましい。
剥離層303及び剥離層307は、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン、タン
タル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料
、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む
層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
タル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料
、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む
層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
剥離層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等により形成できる。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデ
ンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸
化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステン
とモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タ
ングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当
する。
ンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸
化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステン
とモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タ
ングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当
する。
また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁層との密着性を制御することが可能であ
る。
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁層との密着性を制御することが可能であ
る。
各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマCVD法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
ことが可能であり、例えば、プラズマCVD法によって成膜温度を250℃以上400℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
その後、作製基板305の着色層259等が設けられた面又は作製基板301の発光素子
230等が設けられた面に接着層213となる材料を塗布し、接着層213を介して該面
同士が対向するように、作製基板301及び作製基板305を貼り合わせる(図6(C)
)。
230等が設けられた面に接着層213となる材料を塗布し、接着層213を介して該面
同士が対向するように、作製基板301及び作製基板305を貼り合わせる(図6(C)
)。
そして、作製基板301を剥離し、露出した絶縁層205と可撓性基板201を、接着層
203を用いて貼り合わせる。また、作製基板305を剥離し、露出した絶縁層255と
可撓性基板103を、接着層105を用いて貼り合わせる。図7(A)では、可撓性基板
103が導電層157と重ならない構成としたが、導電層157と可撓性基板103が重
なっていてもよい。
203を用いて貼り合わせる。また、作製基板305を剥離し、露出した絶縁層255と
可撓性基板103を、接着層105を用いて貼り合わせる。図7(A)では、可撓性基板
103が導電層157と重ならない構成としたが、導電層157と可撓性基板103が重
なっていてもよい。
なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥
離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により
脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基
板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の
照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から
剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層
を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF3
、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金
属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を
含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を用
い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出
させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成され
た作製基板を機械的に除去又は溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスによる
エッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよ
い。
離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により
脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基
板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の
照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から
剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層
を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やNF3
、BrF3、ClF3等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金
属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を
含む膜(例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など)を用
い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出
させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成され
た作製基板を機械的に除去又は溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ガスによる
エッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよ
い。
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力(機械等による)によって剥離を行うこともできる。
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離しても
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過
酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂
上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作
製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属
層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥
離を行ってもよい。このとき、有機樹脂を発光装置の基板として用いることができる。ま
た、有機樹脂と他の基板を接着剤により貼り合わせてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹脂
上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、作
製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金属
層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥
離を行ってもよい。このとき、有機樹脂を発光装置の基板として用いることができる。ま
た、有機樹脂と他の基板を接着剤により貼り合わせてもよい。
最後に、絶縁層255及び接着層213を開口することで、導電層157を露出させる(
図7(B))。なお、可撓性基板103が導電層157と重なる構成の場合は、導電層1
57を露出させるために、可撓性基板103及び接着層105も開口する(図7(C))
。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオン
ビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層157上の膜に鋭利な刃物等
を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
図7(B))。なお、可撓性基板103が導電層157と重なる構成の場合は、導電層1
57を露出させるために、可撓性基板103及び接着層105も開口する(図7(C))
。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオン
ビームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層157上の膜に鋭利な刃物等
を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。
以上により、発光装置を作製することができる。
以上に示したように、本実施の形態の発光装置は、可撓性基板103と、可撓性基板20
1又は可撓性基板202と、の2枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成
であっても、2枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の
取り出し効率の向上や表示の鮮明さの向上が容易となる。そのため、同じ消費電力の場合
で比較すると、輝度を高くすることができる。また、同じ輝度の場合で比較すると、消費
電力を低くすることができる。
1又は可撓性基板202と、の2枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成
であっても、2枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の
取り出し効率の向上や表示の鮮明さの向上が容易となる。そのため、同じ消費電力の場合
で比較すると、輝度を高くすることができる。また、同じ輝度の場合で比較すると、消費
電力を低くすることができる。
なお、本実施の形態では、発光素子を有する発光装置を例示したが、本発明はこれに限ら
れない。本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる装置としては、各種半導体
装置や各種表示装置が挙げられる。例えば、以下に示す素子もしくは装置の基板として、
本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる。例えば、EL素子(有機物及び無
機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED
、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)
、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(
GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニ
カル・システム)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マ
イクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス
・モジュレーション)素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレ
イ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率
、透過率などが変化する表示媒体が挙げられる。また、電子放出素子を用いた表示装置の
一例である、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディ
スプレイ(SED:Surface-conduction Electron-emi
tter Display)などが挙げられる。また、液晶素子を用いた表示装置の一例
である、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射
型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などが挙げら
れる。また、電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例である、電子ペーパー
などが挙げられる。
れない。本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる装置としては、各種半導体
装置や各種表示装置が挙げられる。例えば、以下に示す素子もしくは装置の基板として、
本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる。例えば、EL素子(有機物及び無
機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED
、緑色LED、青色LEDなど)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)
、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(
GLV)、プラズマディスプレイ(PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニ
カル・システム)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マ
イクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス
・モジュレーション)素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレ
イ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率
、透過率などが変化する表示媒体が挙げられる。また、電子放出素子を用いた表示装置の
一例である、フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディ
スプレイ(SED:Surface-conduction Electron-emi
tter Display)などが挙げられる。また、液晶素子を用いた表示装置の一例
である、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射
型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などが挙げら
れる。また、電子インク又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例である、電子ペーパー
などが挙げられる。
電子ペーパーの表示方法の一例としては、分子により表示されるもの(光学異方性、染料
分子配向など)、粒子により表示されるもの(電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化な
ど)、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により
表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発
光により表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの表示方
法の一例としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気
泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー
、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッティング、光散乱(透明/白
濁変化)、コレステリック液晶/光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液
晶、強誘電性液晶、2色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、
フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機
ELなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法として様々
なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いることによっ
て、泳動粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射
率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。
分子配向など)、粒子により表示されるもの(電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化な
ど)、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により
表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発
光により表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの表示方
法の一例としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気
泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー
、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッティング、光散乱(透明/白
濁変化)、コレステリック液晶/光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液
晶、強誘電性液晶、2色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、
フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機
ELなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法として様々
なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いることによっ
て、泳動粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射
率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器について図8~図11を用いて
説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器について図8~図11を用いて
説明する。
本実施の形態の電子機器は、帯状の可撓性の高い領域と帯状の可撓性の低い領域とを交互
に有する。該電子機器は、可撓性の高い領域で曲げることで、折りたたむことができる。
本実施の形態の電子機器は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継
ぎ目のない広い発光領域により一覧性に優れる。
に有する。該電子機器は、可撓性の高い領域で曲げることで、折りたたむことができる。
本実施の形態の電子機器は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継
ぎ目のない広い発光領域により一覧性に優れる。
本実施の形態の電子機器において、可撓性の高い領域は内曲げ、外曲げのいずれで折りた
たむこともできる。
たむこともできる。
なお、本明細書中では、発光装置の発光面が内側になるように曲げる場合を「内曲げ」、
発光装置の発光面が外側になるように曲げる場合を「外曲げ」と記す。また、電子機器や
発光装置における発光面とは、発光素子からの光が取り出される面を指す。
発光装置の発光面が外側になるように曲げる場合を「外曲げ」と記す。また、電子機器や
発光装置における発光面とは、発光素子からの光が取り出される面を指す。
本実施の形態の電子機器を使用しない際に、発光装置の発光面が内側になるように曲げる
ことで、発光面にキズや汚れがつくことを抑制できる。
ことで、発光面にキズや汚れがつくことを抑制できる。
本実施の形態の電子機器を使用する際には、展開することで、継ぎ目のない広い発光領域
全体を用いてもよいし、発光装置の発光面が外側になるように曲げることで、発光領域の
一部を用いてもよい。折りたたまれ、使用者にとって見えない発光領域を非発光状態とす
ることで、電子機器の消費電力を抑制できる。
全体を用いてもよいし、発光装置の発光面が外側になるように曲げることで、発光領域の
一部を用いてもよい。折りたたまれ、使用者にとって見えない発光領域を非発光状態とす
ることで、電子機器の消費電力を抑制できる。
以下では、2つの帯状の可撓性の高い領域と3つの帯状の可撓性の低い領域とを有する、
3つ折りが可能な電子機器を例に挙げて説明する。
3つ折りが可能な電子機器を例に挙げて説明する。
図8(A)に展開した状態の電子機器を示す。図8(B)に展開した状態又は折りたたん
だ状態の一方から他方に変化する途中の状態の電子機器を示す。図8(C)に折りたたん
だ状態の電子機器を示す。図9は、電子機器の各構成を示す斜視図である。図10(A)
は電子機器の発光面側の平面図であり、図10(B)は電子機器の発光面と対向する面側
の平面図である。図10(C)、(D)は、それぞれ図10(A)の電子機器を矢印の方
向から見た側面図の一例である。図10(E)は、図10(A)における一点鎖線A-B
間の断面図である。
だ状態の一方から他方に変化する途中の状態の電子機器を示す。図8(C)に折りたたん
だ状態の電子機器を示す。図9は、電子機器の各構成を示す斜視図である。図10(A)
は電子機器の発光面側の平面図であり、図10(B)は電子機器の発光面と対向する面側
の平面図である。図10(C)、(D)は、それぞれ図10(A)の電子機器を矢印の方
向から見た側面図の一例である。図10(E)は、図10(A)における一点鎖線A-B
間の断面図である。
図8(A)~(C)に示す電子機器は、可撓性を有する発光装置11を有する。発光装置
11には、実施の形態1で説明した本発明の一態様の発光装置を適用することができる。
本発明の一態様の発光装置は、例えば、曲率半径1mm以上100mm以下で折り曲げる
ことができるため、内曲げや外曲げにより、1回以上折りたたむ電子機器に好適に用いる
ことができる。
11には、実施の形態1で説明した本発明の一態様の発光装置を適用することができる。
本発明の一態様の発光装置は、例えば、曲率半径1mm以上100mm以下で折り曲げる
ことができるため、内曲げや外曲げにより、1回以上折りたたむ電子機器に好適に用いる
ことができる。
図8(A)~(C)に示す電子機器は、さらに複数の支持パネル15aと複数の支持パネ
ル15bを有する。各支持パネル15a、15bは、発光装置11に比べて可撓性が低い
。複数の支持パネル15aは互いに離間している。複数の支持パネル15bは互いに離間
している。
ル15bを有する。各支持パネル15a、15bは、発光装置11に比べて可撓性が低い
。複数の支持パネル15aは互いに離間している。複数の支持パネル15bは互いに離間
している。
図10(A)に示すように、電子機器は、可撓性の高い領域E1及び可撓性の低い領域E
2を交互に有する。可撓性の高い領域と可撓性の低い領域はそれぞれ帯状(縞状)に形成
される。本実施の形態では、複数の可撓性の高い領域や複数の可撓性の低い領域が互いに
平行である例を示すが、各領域は平行に配置されていなくてもよい。
2を交互に有する。可撓性の高い領域と可撓性の低い領域はそれぞれ帯状(縞状)に形成
される。本実施の形態では、複数の可撓性の高い領域や複数の可撓性の低い領域が互いに
平行である例を示すが、各領域は平行に配置されていなくてもよい。
電子機器における可撓性の高い領域E1は、少なくとも可撓性を有する発光装置を有して
いればよい。有機EL素子を用いた発光装置は、高い可撓性及び耐衝撃性に加え、薄型軽
量化が図れるため、好ましい。
いればよい。有機EL素子を用いた発光装置は、高い可撓性及び耐衝撃性に加え、薄型軽
量化が図れるため、好ましい。
電子機器における可撓性の低い領域E2は、少なくとも可撓性を有する発光装置と、該発
光装置よりも可撓性の低い支持パネルとを重ねて有していればよい。
光装置よりも可撓性の低い支持パネルとを重ねて有していればよい。
支持パネルは、発光装置の発光面側又は発光面と対向する面側の少なくとも一方に設けら
れていればよい。
れていればよい。
図10(C)に示す支持パネル15a、15bのように、発光装置の発光面側及び発光面
と対向する面側の双方に支持パネルを有すると、一対の支持パネルによって発光装置を挟
持できるため、可撓性の低い領域の機械的強度を高め、電子機器がより破損しにくくなり
好ましい。
と対向する面側の双方に支持パネルを有すると、一対の支持パネルによって発光装置を挟
持できるため、可撓性の低い領域の機械的強度を高め、電子機器がより破損しにくくなり
好ましい。
また、支持パネル15a、15bに替えて、図10(D)に示す支持パネル15を用いて
、支持パネル15で発光装置11を挟持してもよい。
、支持パネル15で発光装置11を挟持してもよい。
発光装置の発光面側又は発光面と対向する面側のみに支持パネルを有すると、電子機器を
より薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、複数の支持パネル15aを用
いず、複数の支持パネル15bのみを有する電子機器としてもよい。
より薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、複数の支持パネル15aを用
いず、複数の支持パネル15bのみを有する電子機器としてもよい。
可撓性の高い領域E1及び可撓性の低い領域E2は、発光装置と、支持パネルよりも可撓
性の高い保護層と、を重ねて有することが好ましい。これにより、電子機器の可撓性の高
い領域E1が、可撓性を有し、かつ機械的強度の高い領域となり、電子機器をより破損し
にくくすることができる。つまり、可撓性の高い領域においても、電子機器が外力等によ
る変形で壊れにくい構成にすることができる。
性の高い保護層と、を重ねて有することが好ましい。これにより、電子機器の可撓性の高
い領域E1が、可撓性を有し、かつ機械的強度の高い領域となり、電子機器をより破損し
にくくすることができる。つまり、可撓性の高い領域においても、電子機器が外力等によ
る変形で壊れにくい構成にすることができる。
例えば、発光装置、支持パネル、保護層のそれぞれの厚さは、支持パネルが最も厚く、発
光装置が最も薄い構成が好ましい。または、例えば、発光装置、支持パネル、保護層のそ
れぞれの可撓性は、支持パネルの可撓性が最も低く、発光装置の可撓性が最も高い構成が
好ましい。このような構成とすることで、可撓性の高い領域と可撓性の低い領域の可撓性
の差が大きくなる。確実に可撓性の高い領域で折り曲げができる構成とすることで、可撓
性の低い領域で曲げが生じることを抑制でき、電子機器の信頼性を高めることができる。
また、意図しないところで電子機器が曲がることを抑制できる。
光装置が最も薄い構成が好ましい。または、例えば、発光装置、支持パネル、保護層のそ
れぞれの可撓性は、支持パネルの可撓性が最も低く、発光装置の可撓性が最も高い構成が
好ましい。このような構成とすることで、可撓性の高い領域と可撓性の低い領域の可撓性
の差が大きくなる。確実に可撓性の高い領域で折り曲げができる構成とすることで、可撓
性の低い領域で曲げが生じることを抑制でき、電子機器の信頼性を高めることができる。
また、意図しないところで電子機器が曲がることを抑制できる。
発光装置の発光面側及び発光面と対向する面側の双方に保護層を有すると、一対の保護層
によって発光装置を挟持できるため、電子機器の機械的強度を高め、電子機器がより破損
しにくくなり好ましい。
によって発光装置を挟持できるため、電子機器の機械的強度を高め、電子機器がより破損
しにくくなり好ましい。
例えば、図10(C)に示すように、可撓性の低い領域E2では、一対の保護層13a、
13bが一対の支持パネル15a、15bの間に位置し、発光装置(図示しない)が一対
の保護層13a、13bの間に位置することが好ましい。
13bが一対の支持パネル15a、15bの間に位置し、発光装置(図示しない)が一対
の保護層13a、13bの間に位置することが好ましい。
または、図10(D)に示すように、可撓性の低い領域E2では、一対の保護層13a、
13bが支持パネル15の間に位置し、発光装置(図示しない)が一対の保護層13a、
13bの間に位置することが好ましい。
13bが支持パネル15の間に位置し、発光装置(図示しない)が一対の保護層13a、
13bの間に位置することが好ましい。
発光装置の発光面側又は発光面と対向する面側のみに保護層を有すると、電子機器をより
薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、保護層13aを用いず、保護層1
3bのみを有する電子機器としてもよい。
薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、保護層13aを用いず、保護層1
3bのみを有する電子機器としてもよい。
また、発光装置の発光面側の保護層13aが遮光膜であると、発光装置の非発光領域に外
光が照射されることを抑制できる。これにより、非発光領域に含まれる駆動回路が有する
トランジスタ等の光劣化を抑制できるため好ましい。
光が照射されることを抑制できる。これにより、非発光領域に含まれる駆動回路が有する
トランジスタ等の光劣化を抑制できるため好ましい。
図10(E)に示すように、発光装置11の発光面側に設けられた保護層13aの開口部
は発光装置の発光領域11aと重なる。発光領域11aを枠状に囲う非発光領域11bと
保護層13aとが重なるように設けられている。発光装置11の発光面と対向する面側に
設けられた保護層13bは、発光領域11a及び非発光領域11bと重なっている。保護
層13bは、発光面と対向する面側により広い範囲で、特に好ましくは該面全体に設けら
れることで、発光装置をより保護することができ、電子機器の信頼性を高めることができ
る。
は発光装置の発光領域11aと重なる。発光領域11aを枠状に囲う非発光領域11bと
保護層13aとが重なるように設けられている。発光装置11の発光面と対向する面側に
設けられた保護層13bは、発光領域11a及び非発光領域11bと重なっている。保護
層13bは、発光面と対向する面側により広い範囲で、特に好ましくは該面全体に設けら
れることで、発光装置をより保護することができ、電子機器の信頼性を高めることができ
る。
保護層や支持パネルは、プラスチック、金属、合金、ゴム等を用いて形成できる。プラス
チックやゴム等を用いることで、軽量であり、破損しにくい保護層や支持パネルを得られ
るため、好ましい。例えば、保護層としてシリコーンゴム、支持パネルとしてステンレス
やアルミニウムを用いればよい。
チックやゴム等を用いることで、軽量であり、破損しにくい保護層や支持パネルを得られ
るため、好ましい。例えば、保護層としてシリコーンゴム、支持パネルとしてステンレス
やアルミニウムを用いればよい。
また、保護層や支持パネルに、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐
衝撃性に優れ、破損しにくい電子機器を実現できる。例えば、有機樹脂や、厚さの薄い金
属材料や合金材料を用いることで、軽量であり、破損しにくい電子機器を実現できる。な
お、同様の理由により、発光装置を構成する基板にも靱性が高い材料を用いることが好ま
しい。
衝撃性に優れ、破損しにくい電子機器を実現できる。例えば、有機樹脂や、厚さの薄い金
属材料や合金材料を用いることで、軽量であり、破損しにくい電子機器を実現できる。な
お、同様の理由により、発光装置を構成する基板にも靱性が高い材料を用いることが好ま
しい。
発光面側に位置する保護層や支持パネルは、発光装置の発光領域と重ならない場合には、
透光性を問わない。発光面側に位置する保護層や支持パネルが、少なくとも一部の発光領
域と重なる場合は、発光装置からの発光を透過する材料を用いることが好ましい。発光面
と対向する面側に位置する保護層や支持パネルの透光性は問わない。
透光性を問わない。発光面側に位置する保護層や支持パネルが、少なくとも一部の発光領
域と重なる場合は、発光装置からの発光を透過する材料を用いることが好ましい。発光面
と対向する面側に位置する保護層や支持パネルの透光性は問わない。
保護層、支持パネル、発光装置のいずれか2つを接着する場合には、各種接着剤を用いる
ことができ、例えば、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱
硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。また、シート状の接着剤を用いてもよい
。また、保護層、支持パネル、発光装置のいずれか2つ以上を貫通するネジや、挟持する
ピン、クリップ等を用いて、電子機器の各構成を固定してもよい。
ことができ、例えば、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する樹脂、光硬化性の樹脂、熱
硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。また、シート状の接着剤を用いてもよい
。また、保護層、支持パネル、発光装置のいずれか2つ以上を貫通するネジや、挟持する
ピン、クリップ等を用いて、電子機器の各構成を固定してもよい。
本実施の形態の電子機器は、1つの発光装置(1つの発光領域)を、折り曲げられた部分
を境に2つ以上に分けて利用できる。例えば、折りたたむことで隠れた領域を非発光とし
、露出する領域のみが発光してもよい。これにより使用者が使用しない領域が消費する電
力を削減することができる。
を境に2つ以上に分けて利用できる。例えば、折りたたむことで隠れた領域を非発光とし
、露出する領域のみが発光してもよい。これにより使用者が使用しない領域が消費する電
力を削減することができる。
本実施の形態の電子機器は、各可撓性の高い領域が折り曲げられているか否かを判断する
ためのセンサを有していてもよい。例えばスイッチ、MEMS圧力センサまたは圧力セン
サ等を用いて構成することができる。
ためのセンサを有していてもよい。例えばスイッチ、MEMS圧力センサまたは圧力セン
サ等を用いて構成することができる。
以上では、可撓性の高い領域を2つ有する電子機器を例に説明したが、本発明はこれに限
られない。例えば、図11(A)に示すように、少なくとも可撓性の高い領域E1を1つ
有していればよく、可撓性の高い領域E1を3つ有する4つ折りが可能な電子機器(図1
1(B))や、可撓性の高い領域E1を4つ有する5つ折りが可能な電子機器(図11(
C))も本発明の一態様である。
られない。例えば、図11(A)に示すように、少なくとも可撓性の高い領域E1を1つ
有していればよく、可撓性の高い領域E1を3つ有する4つ折りが可能な電子機器(図1
1(B))や、可撓性の高い領域E1を4つ有する5つ折りが可能な電子機器(図11(
C))も本発明の一態様である。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器及び照明装置について、図12
を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器及び照明装置について、図12
を用いて説明する。
電子機器や照明装置は、本発明の一態様の発光装置を適用して作製することで、信頼性を
高めることができる。また、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高い
フレキシブルな電子機器や照明装置を作製できる。
高めることができる。また、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高い
フレキシブルな電子機器や照明装置を作製できる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともい
う)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
う)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、本発明の一態様の発光装置は可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしくは外壁
、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
図12(A)は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401
に組み込まれた表示部7402のほか、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、
スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本
発明の一態様の発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。本発明の一態
様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を歩留まりよく提供でき
る。
に組み込まれた表示部7402のほか、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、
スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本
発明の一態様の発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。本発明の一態
様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を歩留まりよく提供でき
る。
図12(A)に示す携帯電話機7400は、指などで表示部7402に触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部7402に触れることにより行うことができる。
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部7402に触れることにより行うことができる。
また、操作ボタン7403の操作により、電源のON、OFF動作や、表示部7402に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
図12(B)は、リストバンド型の携帯表示装置の一例を示している。携帯表示装置71
00は、筐体7101、表示部7102、操作ボタン7103、及び送受信装置7104
を備える。
00は、筐体7101、表示部7102、操作ボタン7103、及び送受信装置7104
を備える。
携帯表示装置7100は、送受信装置7104によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部7102に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
映像を表示部7102に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
また、操作ボタン7103によって、電源のON、OFF動作、表示する映像の切り替え
、又は音声のボリュームの調整などを行うことができる。
、又は音声のボリュームの調整などを行うことができる。
ここで、表示部7102には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の
一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置を歩留まりよく提
供できる。
一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置を歩留まりよく提
供できる。
図12(C)~(E)は、照明装置の一例を示している。照明装置7200、照明装置7
210、及び照明装置7220は、それぞれ、操作スイッチ7203を備える台部720
1と、台部7201に支持される発光部を有する。
210、及び照明装置7220は、それぞれ、操作スイッチ7203を備える台部720
1と、台部7201に支持される発光部を有する。
図12(C)に示す照明装置7200は、波状の発光面を有する発光部7202を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図12(D)に示す照明装置7210の備える発光部7212は、凸状に湾曲した2つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7210を中心に全
方位を照らすことができる。
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7210を中心に全
方位を照らすことができる。
図12(E)に示す照明装置7220は、凹状に湾曲した発光部7222を備える。した
がって、発光部7222からの発光を、照明装置7220の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
がって、発光部7222からの発光を、照明装置7220の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
また、照明装置7200、照明装置7210及び照明装置7220の備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
ここで、各発光部には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の一態様
により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を歩留まりよく提供できる。
により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を歩留まりよく提供できる。
図12(F)には、携帯型の表示装置の一例を示している。表示装置7300は、筐体7
301、表示部7302、操作ボタン7303、引き出し部材7304、制御部7305
を備える。
301、表示部7302、操作ボタン7303、引き出し部材7304、制御部7305
を備える。
表示装置7300は、筒状の筐体7301内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部
7302を備える。
7302を備える。
また、表示装置7300は制御部7305によって映像信号を受信可能で、受信した映像
を表示部7302に表示することができる。また、制御部7305にはバッテリをそなえ
る。また、制御部7305にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線
により外部から直接供給する構成としてもよい。
を表示部7302に表示することができる。また、制御部7305にはバッテリをそなえ
る。また、制御部7305にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線
により外部から直接供給する構成としてもよい。
また、操作ボタン7303によって、電源のON、OFF動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。
等を行うことができる。
図12(G)には、表示部7302を引き出し部材7304により引き出した状態の表示
装置7300を示す。この状態で表示部7302に映像を表示することができる。また、
筐体7301の表面に配置された操作ボタン7303によって、片手で容易に操作するこ
とができる。また、図12(F)のように操作ボタン7303を筐体7301の中央でな
く片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
装置7300を示す。この状態で表示部7302に映像を表示することができる。また、
筐体7301の表面に配置された操作ボタン7303によって、片手で容易に操作するこ
とができる。また、図12(F)のように操作ボタン7303を筐体7301の中央でな
く片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
なお、表示部7302を引き出した際に表示部7302の表示面が平面状となるように固
定するため、表示部7302の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
定するため、表示部7302の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。
て音声を出力する構成としてもよい。
表示部7302には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の一態様に
より、軽量で、且つ信頼性の高い発光装置を歩留まりよく提供できる。
より、軽量で、且つ信頼性の高い発光装置を歩留まりよく提供できる。
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
11 発光装置
11a 発光領域
11b 非発光領域
13a 保護層
13b 保護層
15 支持パネル
15a 支持パネル
15b 支持パネル
101 素子層
102 可撓性基板
103 可撓性基板
104 光取り出し部
105 接着層
106 駆動回路部
108 FPC
108a FPC
108b FPC
156 導電層
157 導電層
201 可撓性基板
202 可撓性基板
203 接着層
204 接着層
205 絶縁層
206 接着層
207 絶縁層
208 導電層
209 絶縁層
209a 絶縁層
209b 絶縁層
211 絶縁層
212 導電層
213 接着層
215 接続体
215a 接続体
215b 接続体
217 絶縁層
230 発光素子
231 下部電極
233 EL層
233a EL層
233b EL層
235 上部電極
240 トランジスタ
255 絶縁層
257 遮光層
259 着色層
261 オーバーコート
270 導電層
271 p型半導体層
272 導電層
273 i型半導体層
274 導電層
275 n型半導体層
276 絶縁層
278 絶縁層
280 導電層
281 導電層
283 導電層
291 絶縁層
292 導電性粒子
293 絶縁層
294 導電層
295 絶縁層
296 導電層
301 作製基板
303 剥離層
305 作製基板
307 剥離層
310a 導電層
310b 導電層
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
11a 発光領域
11b 非発光領域
13a 保護層
13b 保護層
15 支持パネル
15a 支持パネル
15b 支持パネル
101 素子層
102 可撓性基板
103 可撓性基板
104 光取り出し部
105 接着層
106 駆動回路部
108 FPC
108a FPC
108b FPC
156 導電層
157 導電層
201 可撓性基板
202 可撓性基板
203 接着層
204 接着層
205 絶縁層
206 接着層
207 絶縁層
208 導電層
209 絶縁層
209a 絶縁層
209b 絶縁層
211 絶縁層
212 導電層
213 接着層
215 接続体
215a 接続体
215b 接続体
217 絶縁層
230 発光素子
231 下部電極
233 EL層
233a EL層
233b EL層
235 上部電極
240 トランジスタ
255 絶縁層
257 遮光層
259 着色層
261 オーバーコート
270 導電層
271 p型半導体層
272 導電層
273 i型半導体層
274 導電層
275 n型半導体層
276 絶縁層
278 絶縁層
280 導電層
281 導電層
283 導電層
291 絶縁層
292 導電性粒子
293 絶縁層
294 導電層
295 絶縁層
296 導電層
301 作製基板
303 剥離層
305 作製基板
307 剥離層
310a 導電層
310b 導電層
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
Claims (3)
- 可撓性を有する発光パネルと、
前記発光パネルよりも可撓性が低く、かつ、前記発光パネルの裏面に固定された第1の保護層と、
前記発光パネルの表面側に配置された第2の保護層と、
前記発光パネルを支持する第1の支持パネル及び第2の支持パネルと、を有し、
前記発光パネルは、画素部と、前記画素部を枠状に囲む領域と、を有し、
前記領域は、画素部を駆動する駆動回路を有し、
平面視において、前記第1の保護層は、前記画素部と前記領域と重なり、
平面視において、前記第2の保護層は、前記領域と重なり、且つ前記画素部とは重ならず、
前記第1の支持パネルは、前記発光パネルの表示面側の第1の辺と第2の辺の一部と第3の辺の一部とを覆い、
前記第2の支持パネルは、前記発光パネルの表示面側の第2の辺の一部と第3の辺の一部と第4の辺とを覆い、
前記発光パネルの表示面が内側に向くように折り曲げることが可能である電子機器。 - 請求項1において、
前記第2の保護層は、前記第1の支持パネルと重なる領域を有し、
前記第2の保護層は、前記第2の支持パネルと重なる領域を有する電子機器。 - 請求項1又は請求項2において、
前記発光パネルはタッチパネル機能を有する電子機器。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013160042 | 2013-08-01 | ||
JP2013160042 | 2013-08-01 | ||
JP2019159429A JP6918878B2 (ja) | 2013-08-01 | 2019-09-02 | 発光装置 |
JP2021120108A JP2021185416A (ja) | 2013-08-01 | 2021-07-21 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021120108A Division JP2021185416A (ja) | 2013-08-01 | 2021-07-21 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024037962A true JP2024037962A (ja) | 2024-03-19 |
Family
ID=52426858
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014152678A Active JP6581761B2 (ja) | 2013-08-01 | 2014-07-28 | 発光装置 |
JP2019159429A Active JP6918878B2 (ja) | 2013-08-01 | 2019-09-02 | 発光装置 |
JP2020129091A Active JP7011687B2 (ja) | 2013-08-01 | 2020-07-30 | 電子機器 |
JP2021120108A Withdrawn JP2021185416A (ja) | 2013-08-01 | 2021-07-21 | 発光装置 |
JP2023213857A Pending JP2024037962A (ja) | 2013-08-01 | 2023-12-19 | 電子機器 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014152678A Active JP6581761B2 (ja) | 2013-08-01 | 2014-07-28 | 発光装置 |
JP2019159429A Active JP6918878B2 (ja) | 2013-08-01 | 2019-09-02 | 発光装置 |
JP2020129091A Active JP7011687B2 (ja) | 2013-08-01 | 2020-07-30 | 電子機器 |
JP2021120108A Withdrawn JP2021185416A (ja) | 2013-08-01 | 2021-07-21 | 発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9269914B2 (ja) |
JP (5) | JP6581761B2 (ja) |
KR (5) | KR102258601B1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9215361B2 (en) * | 2013-08-23 | 2015-12-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Array cameras with light barriers |
US9229481B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20240069820A (ko) | 2014-02-28 | 2024-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
TWI755773B (zh) | 2014-06-30 | 2022-02-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置,模組,及電子裝置 |
CN111710794B (zh) | 2014-10-17 | 2024-06-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、模块、电子设备以及发光装置的制造方法 |
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KR102458686B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102632066B1 (ko) | 2015-07-30 | 2024-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치의 제작 방법, 발광 장치, 모듈, 및 전자 기기 |
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KR102496918B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2023-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102511413B1 (ko) | 2015-12-15 | 2023-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2017141359A1 (ja) | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 日本たばこ産業株式会社 | 非燃焼型香味吸引器 |
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KR101925772B1 (ko) | 2008-07-10 | 2018-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
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-
2014
- 2014-07-24 US US14/339,911 patent/US9269914B2/en active Active
- 2014-07-28 JP JP2014152678A patent/JP6581761B2/ja active Active
- 2014-07-29 KR KR1020140096594A patent/KR102258601B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-02-18 US US15/046,753 patent/US9865837B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-04 US US15/861,899 patent/US10276826B2/en active Active
-
2019
- 2019-09-02 JP JP2019159429A patent/JP6918878B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-30 JP JP2020129091A patent/JP7011687B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-25 KR KR1020210066901A patent/KR102413019B1/ko active IP Right Grant
- 2021-07-21 JP JP2021120108A patent/JP2021185416A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-06-21 KR KR1020220075519A patent/KR102479211B1/ko active IP Right Grant
- 2022-12-15 KR KR1020220175428A patent/KR102651386B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-12-19 JP JP2023213857A patent/JP2024037962A/ja active Pending
-
2024
- 2024-03-21 KR KR1020240039009A patent/KR20240040711A/ko active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150035001A1 (en) | 2015-02-05 |
US10276826B2 (en) | 2019-04-30 |
KR102258601B1 (ko) | 2021-05-31 |
KR102413019B1 (ko) | 2022-06-24 |
KR20150016112A (ko) | 2015-02-11 |
JP6581761B2 (ja) | 2019-09-25 |
US20180145277A1 (en) | 2018-05-24 |
JP2021185416A (ja) | 2021-12-09 |
JP2015046385A (ja) | 2015-03-12 |
JP7011687B2 (ja) | 2022-01-27 |
US9865837B2 (en) | 2018-01-09 |
US20160226019A1 (en) | 2016-08-04 |
KR20230002193A (ko) | 2023-01-05 |
KR102479211B1 (ko) | 2022-12-20 |
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JP2020073948A (ja) | 2020-05-14 |
KR20220088838A (ko) | 2022-06-28 |
KR102651386B1 (ko) | 2024-03-26 |
JP6918878B2 (ja) | 2021-08-11 |
KR20210064151A (ko) | 2021-06-02 |
JP2020187373A (ja) | 2020-11-19 |
US9269914B2 (en) | 2016-02-23 |
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