JP4373161B2 - 発光表示装置 - Google Patents

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本発明は、電極間に発光性材料を挟んだ素子(以下、発光素子という)を有する表示装置(以下、発光表示装置という)及びその作製方法に関する。特に、EL(エレクトロルミネッセンス:Electro Luminescence)が得られる発光性材料を用いた発光表示装置の封止構造及び方法に関する。
近年、発光性材料のEL現象を利用した発光素子(EL素子ともいう)を用いた発光表示装置(EL表示装置)の開発が進んでいる。発光表示装置は発光素子自体に発光能力があるため、液晶ディスプレイのようなバックライトが不要である、またさらに視野角が広い、コントラストが高いなどの利点を備えている。
EL素子は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
このような発光素子を用いた発光表示装置は、水分等による特性劣化を防ぐために、発光素子の形成された基板を封止する対向基板を備えている。この対向基板は、発光素子の形成された基板と、シール材によって張り合わされている(例えば、特許文献1参照。)。
互いに直交するように設けられた2種類のストライプ状電極の間にEL層を形成する方式(パッシブマトリクス方式)、又は薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)に代表されるスイッチング素子に接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電極との間にEL層を形成する方式(アクティブマトリクス方式)の2種類がある。
半導体集積回路(IC)により構成された周辺駆動回路は、TAB(Tape Automated Bonding)方式やCOG(Chip on glass)方式により、表示部に実装する。また、アモルファス半導体ではなく、高速動作が可能な結晶性半導体を利用したTFTを用いると、同一基板上に画素部(表示部)と周辺駆動回路を作製した、一体型の表示装置とすることができる。
TAB(Tape Automated Bonding)方式で周辺駆動回路を実装した表示装置を図11に示す。501は基板、502は対向基板、503は画素部、504、505は配線、506、507はFPC(フレキシブルプリントサーキット)、508、509はICチップ、510はシール材である。
画素部と周辺駆動回路一体型の表示装置を図12に示す。401はソース線駆動回路、402はゲート線駆動回路、403は画素部、409はFPCである。また、404は対向基板、405はシール材、411、412は配線である。
特開2003−17257号公報
図11に示す表示装置では、画素部503が、周辺駆動回路としてICチップを有するFPCに接続するため、配線504、505がシール材510の下を横断している。また、図12の表示装置では、シール材405の内側に有する、画素部403、ソース線駆動回路401及びゲート線駆動回路402が、配線411及び412によってFPC409に接続されているFPC409はシール材405領域の外側に位置するため、配線411及び412は、シール材405の下を横断している。
上記のように、シール材の内部から外部に接続するために、配線がシール材下側を横断すると、紙面上下及び左右で配線構造の対称性が無くなり、シール材の段差は配線が延長している側といない側では異なる。従って、基板を貼り合わせる際に、基板間隔を均等にすることが困難になる。この結果、干渉等による表示ムラが生じ、画質低下を招く。
表示ムラは、大型基板においてはより顕著になるので、大型化に伴って、貼り合わせる対向基板との基板間隔(ギャップ)を精密に制御する必要がある。
また、シール材の段差が不均一であると、基板の貼り合わせの際に均等に圧力がかからず、密閉性のよい封止ができない。これは歩留まりの低下につながり、信頼性の低下の原因となる。
本発明では、上記問題点を解消し、画質の優れた信頼性の高い発光表示装置、並びに発光表示装置の作製方法を提供することを課題とする。
本発明の発光表示装置は、マトリクス回路と、発光材料を用いた発光素子とを有する第1の基板と、前記第1の基板と対向する第2の基板と、前記第1の基板と第2の基板とを固着するシール材と、前記第1の基板において前記シール材の下部を横断して、外部と電気的に接続する配線とを有する発光表示装置において、前記第1の基板において、前記シール材が形成される領域には、前記シール材の下部に少なくとも一層以上の積層構造が形成され、前記積層構造は電気的に絶縁されていることを特徴とする。
前記構造において、前記積層構造は、少なくとも前記マトリクス回路の配線と同一の材料からなる支持部材を含んでもよい。また、本発明の発光表示装置において、前記マトリクス回路は絶縁膜により層毎に絶縁されている層状の配線構造を有し、前記積層構造は、少なくとも前記層状の配線構造と同一の積層構造を有することを特徴とする。
本発明は、シール材下部を横断し、外部に電気的に接続する配線等のために生じるシール段差を、前記積層構造によって無くす、または軽減するものである。よって、積層構造はシール材下部を横断する配線や絶縁膜と同一材料で、同一工程において形成される。
また、上記構造において、前記積層構造の厚さの最大値は、前記マトリクス回路及び前記発光素子の厚さの最大値と略等しいことを特徴とする。前記シール材で囲まれた内部には、マトリクス回路や発光素子が形成されている。これらの形成されている第1基板(素子基板)の高さの最大値と、前記積層構造の高さの最大値が略等しければ、シール材による第2の基板(対向基板)との固着時に、かかる圧力等によって内部の回路や素子が破壊されたり、することを防ぐことができる。また、均一な基板間隔が保てるので、光の干渉などによる表示ムラ等も防ぎ高画質な画像表示をすることができる。
本発明の発光表示装置において、マトリクス状に配置され第1の絶縁膜により層間分離された信号線と走査線と、前記信号線と前記走査線との交点に配置され、第2の絶縁膜により信号線と層間分離された画素電極とを有するマトリクス回路と、発光材料を用いた発光素子とを有する第1の基板と、前記第1の基板と対向する第2の基板と、前記マトリクス回路を取り囲み、前記第1の基板と第2の基板を固着するシール材と、前記第1の基板において前記シール材の下部を横断して、外部と電気的に接続する配線とを有する発光表示装置において、前記第1の基板において、前記シール材の形成領域には、前記シール材の下部に少なくとも走査線と同一の材料からなる第1の支持部材と、前記第1の絶縁膜と、前記信号線と同一の材料からなる第2の支持部材と、前記第2の絶縁膜とが互いに異なる層に積層構造され、前記積層構造は電気的に絶縁されていることを特徴とする。
前記構造において、前記積層構造は、前記第1の支持部材の端面と前記第2の支持部材の端面とは重ならないような積層構造であると、積層構造の高さがより平坦化する効果がある。
また、前記積層構造が、前記マトリクス回路において、密に積層している部分、例えば、少なくとも前記信号線と前記走査線とが重なっている領域と同一の積層構造を有するような構造であると、積層の厚さを高くすることができる。よって、基板を貼り合わせるときの圧力はシール材、及びシール材下部の積層構造に、均一にかかり、密閉性よく封止することができる。また、封止による圧力によって、基板に形成された素子構造などを破壊したり、走査線と信号線とが上下間でショートされることを防止することができる。
また、前記第1の支持部材が、前記シール材の下を蛇行する形状であったり、支持部材がシール材の下で複数に分岐する形状であると、配線や支持部材により、外部から侵入する水分等を遮断する効果が向上し、発光表示装置の劣化を防ぐことができる。
前記支持部材には、導電性材料、絶縁性材料から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いればよい。導電性薄膜としてはAl、Ti、Mo、WもしくはSiの元素から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。絶縁性薄膜としては窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いることができる。
他の絶縁性材料としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種の材料を含む膜を用いればよい。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。
本発明の発光表示装置の作製方法は、マトリクス回路と、発光材料を用いた発光素子とを有する第1の基板と、前記第1の基板と対向する第2の基板と、前記第1の基板と第2の基板とを固着するシール材と、前記第1の基板において前記シール材の下部を横断して、外部と電気的に接続する配線とを有する発光表示装置の作製方法において、前記第1の基板において、前記シール材が形成される領域に、前記シール材の下部に少なくとも一層以上の積層構造を形成し、前記積層構造を電気的に絶縁して形成することを特徴とする。
前記構成において、前記積層構造は、少なくとも前記マトリクス回路の配線と同一の材料からなる支持部材を含んで形成してもよい。また、本発明の発光表示装置の作製方法において、前記マトリクス回路の配線構造は、絶縁膜により層毎に絶縁されている層状の配線構造で形成し、前記層状の配線構造と同一の積層構造を有することを特徴とする。
本発明は、シール材下部を横断し、外部に電気的に接続する配線等のために生じるシール段差を、前記積層構造によって無くす、または軽減するものである。よって、積層構造はシール材下部を横断する配線や絶縁膜と同一材料で、同一工程において形成される。そのため、製造工程を増やすことなく信頼性の高い発光表示装置を作製することができる。
また、上記構成において、前記積層構造の厚さの最大値は、前記マトリクス回路及び前記発光素子の厚さの最大値と略等しいように形成してもよい。前記シール材で囲まれた内部には、マトリクス回路や発光素子が形成されている。これらの形成されている第1基板(素子基板)の高さの最大値と、前記積層構造の高さの最大値が略等しければ、シール材による第2の基板(対向基板)との固着時に、かかる圧力等によって内部の回路や素子が破壊されることを防ぐことができる。また、均一な基板間隔が保てるので、光の干渉などによる表示ムラ等も防ぎ高画質な画像表示をすることができる。
前記支持部材には、導電性材料、絶縁性材料から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いればよい。導電性薄膜としてはAl、Ti、Mo、WもしくはSiの元素から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。絶縁性薄膜としては窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いることができる。
他の絶縁性材料としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種の材料を含む膜を用いればよい。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。
本発明により、基板間隔を均一に維持することができるので、光の干渉などによって生じる表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた発光表示装置、発光表示装置の作製方法を提供することができる。また、歩留まりも向上し、信頼性も高くなる。
(実施の形態1)
図1に本発明の発光表示装置の概略上面図の一例を示す。100は素子基板、101はソース線駆動回路、102、103はゲート線駆動回路、104は対向基板、105はシール材、106は画素部、107は走査線、108は信号線、109はFPC、110、111、112は配線である。本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、本発明はこれに限定されず、パッシブマトリクス回路でもアクティブマトリクス回路であってもよく、周辺駆動回路としてICチップを前記COG方式やTAB方式によって実装したものでも、一体形成したものでもよい。また、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。
シール材105の形成領域の一部である領域R1側において、配線110、111、112がシール材105を横断して周辺駆動回路とFPCを接続しているが、他の周辺部R2、R3、R4側においては、シール材105を横断する配線はない。よって、本発明において、シール材下部構造の段差を均一にする基板間隔補正手段を形成する。
本発明の発光表示装置においては、素子基板と対向基板がシール材によって張り合わされる際、素子基板側に形成された凹凸の高さを均一にする。よって、図1の領域R2、R3、R4側のシール部下部に支持部材を形成する。図2(a)に図1における線A―A'、図2(b)に線B−B'による断面図、図2(c)に本発明の発光表示装置のシール材105の形成領域の上面図を示す。
図2(a)は、素子基板100上に第1の絶縁膜201が形成され、その上に配線112、第2の絶縁膜202が積層している。図2(b)は、素子基板100上に第1の絶縁膜201が形成され、その上に第1の支持部材250、第2の絶縁膜202が積層している。第1の支持部材250は、信号線108と同一材料で、同工程において形成すればよい。シール部下の積層構造として、信号線108、走査線107と同一の材料のような、導電性材料を用いる場合、他の配線等とのショートを防ぐため、積層構造は実質的に、電気的に絶縁する必要がある。
図2では、信号線108と同一な材料で同一工程で形成された配線112がシール材を横断するが、走査線107と同一な材料で同一工程で形成する配線110、111がシール材下側を横断する場合がある。この場合、図1における領域R1側の断面は、図4(a)で示すように、素子基板100上に配線110または111が形成され、その上に第1の絶縁膜201、第2の絶縁膜202が積層される構造となる。よって、他の領域R2、R3、R4側のシール材105の形成領域にも走査線107と同一な材料で同一工程で第2の支持部材251を形成すればよい。図4(b)に示すように領域R2、R3、R4側におけるシール材105の形成領域の断面は、素子基板100上に第2の支持部材251が形成され、その上に第1の絶縁膜、第2の絶縁膜が積層される構造となる。配線110、111と第2の支持部材とは、ともに走査線と同一材料、同工程で形成されるので、本発明の発光表示装置において、シール材105の形成領域に形成される積層構造は、同一になり、その高さも等しくなる。
また、画素部103から延長された配線112を、シール材105を横断する領域において、第1の支持部材250と一体的に形成し、配線110、または配線111を、シール材105を横断する第1の支持部材250と、シール材105の形成領域の内部で接続する。図3に本発明の発光表示装置のシール材105の形成領域の上面図を示す。図3で示すように、シール材105の形成領域を横断して電気的に素子基板外部の回路と接続される配線が、第1の支持部材250のみで構成されるため、シール材の段差をより均一にすることができる。本実施の形態では、シール材105の下側を横断して外部に接続する配線を第1の支持部材250にしたが、これは前述の第2の支持部材251を用いてもよく、その場合は配線110または111を第2の支持部材251と一体的に形成し、配線112をシール材105下側を横断する第2の支持部材251と、シール材105の形成領域の内部で接続すればよい。
また、本発明の発光表示装置では、シール材の下側を外部と接続するための配線が横断しない領域R2、R3、R4側に支持部材を形成することによってシール材形成領域の積層構造の段差なくし、均一にしている。このような領域R2、R3、R4側において、支持部材をシール材形成領域を内に形成する。図7に(a)に図1における線A―A'、図7(b)に線B−B'による断面図を、図7(c)に本発明の発光表示装置のシール材105の形成領域の上面図を示す。
図7で示すように、支持部材751は、シール材のとほぼ等しく矩形波形状に形成されている。なお、本発明において、シール材の幅方向とは、図1における線A-A'と直交する方向である。このように、シール材幅方向に、幅より狭い長さで支持部材を形成すると、シール材幅方向の任意の断面構造において、支持部材である導電膜が存在するため、外部から水分が侵入することを防止することができる。支持部材は、導電膜に限られず、無機材料や有機材料であっても良いが、無機材料や導電材料などの緻密で透湿性の低い材料からなる層のほうが、水分などを遮蔽する効果は高く好ましい。本実施の形態では、支持部材として信号線と同材料の導電膜を用いている。
支持部材には、導電性材料、絶縁性材料から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。導電性薄膜としてはAl、Ti、Mo、WもしくはSiの元素から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。絶縁性薄膜としては窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いることができる。
他の絶縁体としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種の材料を含む膜を用いればよい。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。
このように本発明を用いると、シール材105の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。よって、基板間隔を均一に維持することができるので、表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた発光表示装置提供することができる。
(実施の形態2)
図1の本発明の発光表示装置のシール材105内部において、積層の厚さが最大となる領域は、信号線108と走査線107が重なる領域であり、その領域には、少なくとも、素子基板上に、信号線、層間絶縁膜、走査線、パッシベーション膜等が積層されている。
本実施の形態では、シール材105の形成領域に、図5に示すような積層構造を基板間隔補正手段として形成する。図5(a)に図1における線A―A'、図5(b)に線B−B'による断面図を、図5(c)に本発明の発光表示装置のシール材105の形成領域の上面図を示す。
図5(a)は、素子基板500上に第2の支持部材551が形成され、前記第2の支持部材551上に、第1の絶縁膜501を介して、配線112が形成されている。その上に第2の絶縁膜502が形成される。図5(b)は、素子基板500上に第2の支持部材551が形成され、前記第2の支持部材551上に、第1の絶縁膜501を介して、第1の支持部材550が形成されている。その上に第2の絶縁膜502が形成される。第1の支持部材550は、信号線と、第2の支持部材551は走査線と、それぞれ同一材料で、同工程において形成されるものである。
図1における領域R1側のように、シール材下側を横断する配線がある場合は、第1の支持部材550、第2の支持部材551は、それぞれ同一材料、同一工程で形成される配線となる。本実施の形態では、配線112がシール材下側を横断する例を示したが、配線110、111がシール材を横断する場合は、線A−A'において、第2の支持部材551は配線110、111か、一体的に形成したものを用いればよい。図5(c)で示すように、本発明の発光表示装置は、シール材形成領域全てにおいて、走査線、信号線とそれぞれ同材料で同工程で形成される層が、重なる構造になっている。シール部下の積層構造として、信号線108と同一の材料のような、導電性材料を用いる場合、他の配線等とのショートを防ぐため、積層構造は実質的に、電気的に絶縁する必要がある。
このように本発明を用いると、シール材の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様となるので、シール材の段差を均一にすることができる。
さらに、本実施の形態では、シール材105の形成領域における積層構造が、発光表示装置のシール材105内部において、積層の厚さが最大となる領域の高さと等しくすることができる。よって、基板を貼り合わせるときの圧力はシール材で支えることができるため、スペーサ等により、走査線と信号線とが上下間でショートされることを防止することができる。なお、信号線108と走査線107とが重なる領域には、さらに画素電極、ブラックマトリクス等が積層されることもあるため、さらにシール材105の形成領域における積層構造にも、それら画素電極、ブラックマトリクス等も積層し、基板間隔を制御するとよい。
また、本発明の発光表示装置では、シール材の下側を外部と接続するための配線が横断しない領域R2、R3、R4側に支持部材を形成することによってシール材形成領域の積層構造の段差なくし、均一にしている。このような領域R2、R3、R4側において、支持部材をシール材形成領域内に形成する。図8に(a)に図1における線A―A'、図8(b)に線B−B'による断面図を、図8(c)に本発明の発光表示装置のシール材105の形成領域の上面図を示す。
図8で示すように、支持部材851は、シール材の幅とほぼ等しく矩形波形状に形成されている。このように、シール材幅方向に、幅より狭い長さで支持部材を形成すると、シール材幅方向の任意の断面構造において、支持部材である導電膜が存在するため、外部から水分が侵入することを防止することができる。また、シール材下側を配線が横断する領域R1側であっても、段差を調整するための第2の支持部材を、シール材形成領域内に形成し、シール材で覆うことによって、外部から侵入する水分を、軽減することができる。シール材によって支持部材は、導電膜に限られず、無機材料や有機材料であっても良いが、無機材料や導電材料などの緻密で透湿性の低い材料からなる層のほうが、水分などを遮蔽する効果は高く好ましい。このように、外部から侵入する水分などの汚染物質を遮断することによって、発光素子の劣化を防ぎ、発光表示装置の信頼性を向上する。本実施の形態では、第1の支持部材として信号線と、第2の支持部材として走査線と、それぞれ同材料の導電膜を用いている。
本実施の形態では、シール材は、シール材によって封止する領域の周囲を囲うように形成されるが、シール材を周囲だけでなく封止する領域全てわたって形成しても、一部領域に形成してもよい。本実施の形態では、素子基板に形成されるマトリクス回路や発光素子などの最大の高さと、略等しい高さでシール材下側の積層構造が形成されている。よって、シール材下部の積層構造によって基板間隔が均一に保たれるため、封止材を全面に形成したとしても、表示ムラのない高画質な画像が得られ、かつ封止材が有するフィラーなどによって、素子や配線などが破壊されることがない。
本発明により、基板間隔を均一に維持することができるので、干渉等による表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた、信頼性の高い発光表示装置を歩留まりよく作製することができる。
(実施の形態3)
本発明の発光表示装置の例として、本実施例では、シール材105の形成領域に、図6に示すような積層構造を基板間隔補正手段として形成する。図6(a)に図1における線A―A'、図6(b)に線B−B'による断面図を、図6(c)に本発明の発光表示装置のシール材105の形成領域の上面図を示す。
図6(a)は、素子基板600上に第2の支持部材651が形成され、前記第2の支持部材651上に、第1の絶縁膜601を介して、第2の支持部材651に重ならないように配線112が形成されている。その上に第2の絶縁膜602が形成される。図6(b)は、素子基板600上に第2の支持部材651が形成され、前記第2の支持部材651上に、第1の絶縁膜601を介して、第2の支持部材651に重ならないように第1の支持部材650が形成されている。その上に第2の絶縁膜602が形成される。第1の支持部材650は、信号線と、第2の支持部材651は走査線と、それぞれ同一材料で、同工程において形成されるものである。
図1における領域R1側のように、シール材下側を横断する配線がある場合は、第1の支持部材650、第2の支持部材651は、それぞれ同一材料、同一工程で形成される配線となる。本実施の形態では、配線112がシール材下側を横断する例を示したが、配線110、111がシール材を横断する場合は、線A−A'において、第2の支持部材551は配線110、111か、一体的に形成したものを用いればよい。図6(c)で示すように、本発明の発光表示装置は、シール材形成領域全てにおいて、走査線、信号線とそれぞれ同材料で同工程で形成される層が、交互に形成され、お互いに重ならないような構造になっている。そのため、シール材下側を横断して外部に接続する配線による段差が、互い違いに形成される支持部材によって軽減され、より高さが均一となる。図6(a)のとき、第2の支持部材はダミー配線となるので、シール材下の積層構造として、信号線108と同一の材料のような、導電性材料を用いる場合、他の配線等とのショートを防ぐため、支持部材を実質的に、電気的に絶縁する必要がある。
また、本発明の発光表示装置では、シール材の下側を外部と接続するための配線が横断しない領域R2、R3、R4側に支持部材を形成することによってシール材形成領域の積層構造の段差なくし、均一にしている。このような領域R2、R3、R4側において、支持部材をシール材形成領域を内に形成する。図9に(a)に図1における線A―A'、図9(b)に線B−B'による断面図を、図9(c)に本発明の発光表示装置のシール材105の形成領域の上面図を示す。
図9で示すように、支持部材951は、シール材の幅とほぼ等しく矩形波形状に形成されている。このように、シール幅方向に、幅より狭い長さで支持部材を形成すると、シール材幅方向の任意の断面構造において、支持部材である導電膜が存在するため、外部から水分が侵入することを防止することができる。また、シール材下を配線が横断する領域R1側であっても、段差を調整するための第2の支持部材を、シール幅領域内に形成し、断面をシール材で覆うことによって、外部から侵入する水分を、軽減することができる。シール材によって支持部材は、導電膜に限られず、無機材料や有機材料であっても良いが、無機材料や導電材料などの緻密で透湿性の低い材料からなる層のほうが、水分などを遮蔽する効果は高く好ましい。このように、外部から侵入する水分などの汚染物質を遮断することによって、本発明の発光表示装置の劣化を防ぎ、信頼性を向上することができる。本実施の形態では、第1の支持部材として信号線と、第2の支持部材として走査線と、それぞれ同材料の導電膜を用いている。
このように本発明を用いると、シール材の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。よって、基板間隔を均一に維持することができるので、表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた発光表示装置提供することができる。
(実施の形態4)
本発明の発光表示装置の例として、本実施例では、シール材105の形成領域に、図10に示すような積層構造を基板間隔補正手段として形成する。図10(a)に図1における線A―A'、図10(b)に線B−B'による断面図を、図10(c)に本発明の発光表示装置のシール材105の形成領域の上面図を示す。
図10(a)は、素子基板1000上に第1の絶縁膜1001が形成され、その上に配線112、第2の絶縁膜1002が積層している。図2(b)は、素子基板1000上に第1の絶縁膜1001が形成され、その上に第1の支持部材1050、第2の絶縁膜1002が積層している。第1の支持部材1050は、信号線108と同一材料で、同工程において形成すればよい。シール部下の積層構造として、信号線108、走査線107と同一の材料のような、導電性材料を用いる場合、他の配線等とのショートを防ぐため、積層構造は実質的に、電気的に絶縁する必要がある。
本実施の形態において、配線112と、配線112がシール材を横断することによって生じるシール材の段差を調整するための第2の支持部材は、図10(c)に示すように、電気的に接続しない限り、複数に分岐して互いの隙間を埋めるような形状で形成する。この形状により、シール材下側の積層構造の段差はより軽減し、平坦性が向上する。
また、本実施の形態のシール材下の積層構造パターンであると、配線や支持部材が多面積にわたって形成されており、隙間が少ない。また、シール材形成領域を横断する任意の断面構成(線A−A'に直交する線に沿った断面構成)において、配線や支持部材が必ず存在するため、配線や支持部材により、外部から侵入する水分等を遮断する効果が向上し、発光表示装置の劣化を防ぐことができる。配線や支持部材の構造は、電気的に接続しない限り、自由に設定することができ、シール材形成領域において、配線や支持部材の隙間を小さくするように適宜設計すればよい。
本実施の形態は、上記述べた構造に限定されず、実施の形態1乃至3で述べた本発明の発光表示装置においても適用することができる。
本発明により、基板間隔を均一に維持することができるので、干渉等による表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた、信頼性の高い発光表示装置を歩留まりよく作製することができる。
本実施例では、本発明を用いた両面出射構造の発光表示装置の作製例について図13乃至15、及び17乃至19を用いて説明する。図13及び図17乃至19において、(a)は、(b)の上面図において線C―C'、線D−D'による断面図であり、互いに対応している。
本発明において、発光表示装置とは、基板上に形成された発光素子を該基板とカバー材(対向基板)の間に封入した表示用パネルおよび該表示用パネルにTFTを備えた表示用モジュールを総称したものである。なお、発光素子は、ELが得られる有機化合物を含む層(発光層)と陽極層と、陰極層とを有する。また、有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)がある。本発明に用いることのできるEL材料は、一重項励起もしくは三重項励起、もしくは両者の励起を経由して発光するすべての発光性材料を含む。
なお、本発明では、発光素子において陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に発光素子は、陽極層、発光層、陰極層が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極層、正孔注入層、発光層、陰極層や、陽極層、正孔注入層、発光層、電子輸送層、陰極層等の順に積層した構造を有していることもある。
絶縁表面を有する基板300の上に下地膜301として、プラズマCVD法により酸化窒化珪素膜301b10〜200nm(好ましくは50〜100nm)nmを形成し、酸化窒化珪素膜301aを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)積層する。本実施例ではプラズマCVD法により酸化窒化珪素膜を50nm、酸化窒化珪素膜を100nm形成する。基板300としてはガラス基板、石英基板やシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いて良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよいし、可撓性基板を用いても良い。また、下地膜として2層構造を用いてもよいし、前記下地(絶縁)膜の単層膜又は2層以上積層させた構造を用いてもよい。下地膜301は、シール材形成領域を含む、素子基板と対向基板を貼り合わせ、発光素子を封止する封止領域にも同様に形成する。
次いで、下地膜上に半導体膜を形成する。半導体膜は25〜200nm(好ましくは30〜150nm)の厚さで公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等)により成膜すればよい。半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコン又はシリコンゲルマニウム(SiGe)合金などで形成すると良い。
半導体膜は、アモルファス半導体(代表的には水素化アモルファスシリコン)、結晶性半導体(代表的にはポリシリコン)を素材として用いている。ポリシリコンには、800℃以上のプロセス温度を経て形成される多結晶シリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、600℃以下のプロセス温度で形成される多結晶シリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを添加し結晶化させた結晶シリコンなどを含んでいる。
また、他の物質として、セミアモルファス半導体又は半導体膜の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。セミアモルファス半導体とは、非晶質と結晶構造(単結晶、多結晶を含む)の中間的な構造の半導体であり、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものである。典型的にはシリコンを主成分として含み、格子歪みを伴って、ラマンスペクトルが520cm-1よりも低波数側にシフトしている半導体膜である。また、未結合手(ダングリングボンド)の中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上含ませている。ここでは、このような半導体をセミアモルファス半導体(以下「SAS」と呼ぶ。)と呼ぶ。このSASは所謂微結晶(マイクロクリスタル)半導体(代表的には微結晶シリコン)とも呼ばれている。
このSASは珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、SiH4であり、その他にもSi26、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などを用いることができる。この珪化物気体を水素、若しくは水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種又は複数種の希ガス元素で希釈して用いることでSASの形成を容易なものとすることができる。珪化物気体に対する水素の希釈率は、例えば流量比で5倍〜1000倍とすることが好ましい。勿論、グロー放電分解によるSASの形成は、減圧下で行うことが好ましいが、大気圧における放電を利用しても形成することができる。代表的には、0.1Pa〜133Paの圧力範囲で行えば良い。グロー放電を形成するための電源周波数は1MHz〜120MHz、好ましくは13MHz〜60MHzである。高周波電力は適宜設定すれば良い。基板加熱温度は300℃以下が好ましく、100〜200℃の基板加熱温度でも形成可能である。ここで、主に成膜時に取り込まれる不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分に由来する不純物は1×1020cm-3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019cm-3以下、好ましくは1×1019cm-3以下となるようにすることが好ましい。また、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なSASが得られる。
本実施例では半導体膜として、プラズマCVD法により非晶質珪素膜を54nm形成した。本実施例ではこの非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法およびレーザ結晶化法を行うが、あるいは、非晶質珪素膜に金属元素を導入せず、窒素雰囲気下500℃で1時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を1×1020atoms/cm3以下にまで放出させ、レーザ結晶化を行ってもよい。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると膜が破壊されてしまうからである。
金属元素としてニッケルを用い、溶液塗布法により非晶質珪素膜上に導入する。非晶質珪素膜への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質珪素膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、CVD法、プラズマ処理法(プラズマCVD法も含む)、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改善し、非晶質珪素膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのUV光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
その後500〜550℃で4〜20時間かけて熱処理を行い、非晶質珪素膜を結晶化する。本実施例では金属元素としてニッケルを用い、溶液塗布法により金属含有層を形成し非晶質珪素膜上に導入した後、550℃で4時間の熱処理を行って第1の結晶性珪素膜を得た。
次に第1の結晶性珪素膜にレーザ光を照射し結晶化を助長し、第2の結晶性珪素膜を得る。レーザ結晶化法は、レーザ光を半導体膜に照射する。用いるレーザは、パルス発振または連続発振の固体レーザ、気体レーザ、もしくは金属レーザが望ましい。なお、前記固体レーザとしてはYAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザ等があり、前記気体レーザとしてはエキシマレーザ、Arレーザ、Krレーザ、CO2レーザ等があり、前記金属レーザとしてはヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザが挙げられる。レーザビームは非線形光学素子により高調波に変換されていてもよい。前記非線形光学素子に使われる結晶は、例えばLBOやBBOやKDP、KTPやKB5、CLBOと呼ばれるものを使うと変換効率の点で優れている。これらの非線形光学素子をレーザの共振器の中に入れることで、変換効率を大幅に上げることができる。前記高調波のレーザには、一般にNd、Yb、Crなどがドープされており、これが励起しレーザが発振する。ドーパントの種類は適宜実施者が選択すればよい。前記半導体膜としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜、結晶性半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜、非晶質珪素カーバイト膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。
このようにして得られた結晶性半導体膜に対して、TFTのしきい値電圧を制御するために微量な不純物元素(ボロンまたはリン)のドーピングを行う。
フォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理により、半導体層302を形成する。
半導体層302を覆うゲート絶縁膜306を形成する。ゲート絶縁膜306はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により115nmの厚さで酸化窒化珪素膜を形成する。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。本実施例では、ゲート絶縁膜306を形成する同工程において、同材料で封止領域にも絶縁膜317を形成する。
次いで、ゲート絶縁膜上にゲート電極として用いる膜厚20〜100nmの第1の導電膜307と、膜厚100〜400nmの第2の導電膜308とを積層して形成する。第1の導電膜307及び第2の導電膜308はTa、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、第1の導電膜及び第2の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、AgPdCu合金を用いてもよい。また、2層構造に限定されず、例えば、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500nmのアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜(Al−Ti)を用いてもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。なお、本実例では、ゲート絶縁膜306上に第1の導電膜307として膜厚30nmの窒化タンタル膜、第2の導電膜308として膜厚370nmのタングステン膜を順次積層して形成する(図13(a)断面図参照。)この際、シール材形成領域にも同様に、導電層318、319をそれぞれ第1の導電層307と第2の導電層308と同材料、同工程において形成する。配線パターンは実施の形態1乃至4のどれを適用してもよい。導電層318、319はシール材形成領域の段差を軽減するダミー配線なので、実質的に、電気的に絶縁されている必要がある。
図13(b)の上面図はシール材形成である封止領域領域と画素領域を示している。画素領域には導電膜307及び308よりなる走査線(ゲート線)が半導体層302の上に形成されている。導電膜307は、図13(b)の上面図では導電膜308の下に形成されるため図示していない。封止領域にもダミー配線となる導電膜318、319が形成される。この導電膜318、319は電気的に内部の導電膜とは、絶縁されており接続していない。また図示していないが、封止領域にも下地膜及び絶縁膜317は断面図(a)で示すように形成される。
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節することにより、第1の導電膜及び第2の導電膜を所望のテーパー形状にエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4もしくはCCl4などを代表とする塩素系ガス、CF4、SF6もしくはNF3などを代表とするフッ素系ガス又はO2を適宜用いることができる。
第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電層(第1の導電層と第2の導電層)を形成する。
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第2のエッチング処理を行う。ここでは、W膜を選択的にエッチングする。この時、第2のエッチング処理により第2の導電層を形成する。一方、第1の導電層は、ほとんどエッチングされず、第2の形状の導電層を形成する。よって導電膜311、導電膜312が形成される。
そして、レジストからなるマスクを除去せずに第1のドーピング処理を行い、半導体層にn型を付与する不純物元素を低濃度に添加する。ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いる。この場合、導電層がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域が形成される。不純物領域には1×1018〜1×1020/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。第1のドーピングにより、n型の低濃度不純物領域311が形成される。
レジストからならなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスクを形成して第1のドーピング処理よりも高い加速電圧で第2のドーピング処理を行う。ドーピング処理は第2の導電層を不純物元素に対するマスクとして用い、第1の導電層のテーパー部の下方の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングする。続いて、第2のドーピング処理より加速電圧を下げて第3のドーピング処理を行う。第2のドーピング処理および第3のドーピング処理により、第1の導電層と重なる低濃度不純物領域には1×1018〜5×1019/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加され、高濃度不純物領域には1×1019〜5×1021/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加される。
もちろん、適当な加速電圧にすることで、第2のドーピング処理および第3のドーピング処理は1回のドーピング処理で、低濃度不純物領域および高濃度不純物領域を形成することも可能である。
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスクを形成して第4のドーピング処理を行う。この第4のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域309、310を形成する。第1及び第2の導電層を不純物元素に対するマスクとして用い、p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域309、310はジボラン(B26)を用いたイオンドープ法で形成する。この第4のドーピング処理の際には、nチャネル型TFTを形成する半導体層はレジストからなるマスクで覆われている。第1乃至3のドーピング処理によって、不純物領域にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域においてもp型を付与する不純物元素の濃度を1×1019〜5×1021atoms/cm3となるようにドーピング処理することにより、pチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。
以上までの工程で、それぞれの半導体層に不純物領域が形成される。
次いで、レジストからなるマスクを除去してパッシベーション膜として絶縁膜326を形成する。この際、シール材形成領域にも絶縁膜を形成してもよい。本実施例では、絶縁膜326と同材料、同工程で、シール材形成領域にも絶縁膜320を形成する(図17(a)。)この絶縁膜326としては、プラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを100〜200nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。勿論、絶縁膜326、320は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。本実施例では、スパッタリング法によって形成した窒化珪素を用いる。膜中のArは、濃度5×1018〜5×1020atoms/cm3程度である。シール材下部の構造を均一にする必要があるので絶縁膜はシール材形成領域全部にわたって均一に形成することが望ましい。
さらに、窒素雰囲気中で、300〜550℃で1〜12時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。好ましくは、400〜500℃で行う。この工程は絶縁膜326に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。本実施例では、410℃で1時間熱処理を行う。
絶縁膜326、320は窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素(SiON)、窒化酸化珪素(SiNO)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化窒化アルミニウム(AlON)、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム(AlNO)または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)を含む物質から選ばれた材料で形成する。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。
なお、本発明では酸化窒化珪素(SiON)膜としては、Siが25〜35原子%、酸素が55〜65原子%、窒素が1〜20原子%、水素が0.1〜10原子%で含まれるものを示し。また、窒化酸化珪素(SiNO)膜としては、Siが25〜35原子%、酸素が15〜30原子%、窒素が20〜35原子%、水素が15〜25原子%で含まれるものを示す。
不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、又はレーザ光の照射を行ってもよい。活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。
図17(b)の上面図においても、導電膜311、導電膜312が図のような形状に形成される。図示しないが、画素領域において、パッシベーション膜である絶縁膜326が全面に形成されている。封止領域においても同様に絶縁膜320が形成される。
そして絶縁膜326、320の上に層間膜として絶縁膜321を形成する。絶縁膜321は、無機材料(酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素など)、感光性または非感光性の有機樹材料(有機樹脂材料)(ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、ベンゾシクロブテンなど)の一種、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層などを用いることができる。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。この際、シール材形成領域にも絶縁膜を形成してもよい。本実施例では、絶縁膜321と同材料、同工程で、シール材形成領域にも絶縁膜323を形成する。
また、感光性材料として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。本実施例では、感光性の有機樹脂材料であるポジ型の感光性アクリルを用いる。この場合、絶縁膜の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。この後、絶縁膜350上に窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素(SiON)、窒化酸化珪素(SiNO)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化窒化アルミニウム(AlON)、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム(AlNO)または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)からなるパッシベーション膜を形成してもよい。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。
絶縁膜321、絶縁膜326、ゲート絶縁膜306をエッチングし、ソース領域、ドレイン領域に達する開口部を形成する。開口部は、層間膜をエッチングした後、再度マスクを形成するか、エッチングされた絶縁膜321をマスクとして、絶縁膜326及びゲート絶縁膜306をエッチングし、開口部を形成すればよい。金属膜を形成し、金属膜をエッチングして各不純物領域とそれぞれ電気的に接続するソース電極及びドレイン電極322、各配線(図示しない)を形成する。金属膜は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)もしくはシリコン(Si)の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜を用いればよい。なお本実施例では、チタン膜/シリコンーアルミニウム合金膜/チタン膜(Ti/Si−Al/Ti)をそれぞれ100/350/100nmに積層したのち、所望の形状にパターニング及びエッチングしてソース電極、ドレイン電極322及び各配線を形成する。この際、配線と同一材料、同工程でシール材形成領域にも導電膜324を形成する。配線パターンは実施の形態1乃至4のどれを適用してもよい。導電層324はシール材形成領域の段差を軽減するダミー配線なので、実質的に、電気的に絶縁されている必要がある。導電膜324は、先に形成される導電膜318、319と部分的に重なって絶縁膜323の上に形成する。
その後、画素電極325を形成する。なお本実施例では、透明導電膜を成膜し、所望の形状にエッチングすることで画素電極325を形成する(図18(a)。)
透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素電極353は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁膜上に形成してもよい。樹脂からなる平坦化膜を用いてTFTによる段差を平坦化することは有効である。後に形成される発光層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、発光層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
図18(b)に示すように画素領域には信号線(ソース線)として用いられる導電膜322が形成され、導電膜322に接続して、画素電極325が形成される。封止領域においても、導電膜307、308の上に、層間分離する絶縁膜323を介して導電膜324が形成される。
以上のような工程により、TFTを備えたアクティブマトリクス基板が完成する。本実施例では画素領域のnチャネル型TFTはチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、駆動回路部のTFTも、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
なお、本実施例で示したTFTの作製方法に限らず、トップゲート型(プレーナー型)、ボトムゲート型(逆スタガ型)、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された2つのゲート電極を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても適用できる。
画素電極325を形成後、図19(a)に示すように絶縁膜331を形成する。この際、シール材形成領域にも絶縁膜を形成してもよい。本実施例では、絶縁膜331と同材料、同工程で、シール材形成領域にも絶縁膜337を形成する。
絶縁膜331、337は、無機材料(酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素など)、感光性または非感光性の有機樹材料(有機樹脂材料)(ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、ベンゾシクロブテンなど)の一種、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層などを用いることができる。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。本実施例では、いずれのシール材形成領域にも絶縁膜337を形成する。
なお、絶縁膜331は絶縁物であるため、成膜時における素子の静電破壊には注意が必要である。本実施例では絶縁膜331の材料となる絶縁膜中にカーボン粒子や金属粒子を添加して抵抗率を下げ、静電気の発生を抑制する。この際、抵抗率は1×106〜1×1012Ωm(好ましくは1×108〜1×1010Ωm)となるようにカーボン粒子や金属粒子の添加量を調節すれば良い。
画素電極325の上には発光層332が形成される。なお、図19では一画素しか図示していないが、本実施例ではR(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応した発光層を作り分けている。また、それぞれの発光は、全て一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)であっても、全て三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)でもよいし、一色が蛍光(又はリン光)あとの2色がリン光(又は蛍光)というように組み合わせでも良い。Rのみをリン光を用いて、G、Bを蛍光を用いてもよい。また、本実施例では蒸着法により低分子系有機発光材料を形成している。具体的には、正孔注入層として20nm厚の銅フタロシアニン(CuPc)膜を設け、その上に発光層として70nm厚のトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体(Alq3)膜を設けた積層構造としている。Alq3にキナクリドン、ペリレンもしくはDCM1といった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。
但し、以上の例は発光層として用いることのできる有機発光材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて発光層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機発光材料を発光層として用いる例を示したが、中分子系有機発光材料や高分子系有機発光材料を用いても良い。なお、本明細書中において、昇華性を有さず、かつ、分子数が20以下または連鎖する分子の長さが10μm以下の有機発光材料を中分子系有機発光材料とする。また、高分子系有機発光材料を用いる例として、正孔注入層として20nmのポリチオフェン(PEDOT)膜をスピン塗布法により設け、その上に発光層として100nm程度のパラフェニレンビニレン(PPV)膜を設けた積層構造としても良い。なお、PPVのπ共役系高分子を用いると、赤色から青色まで発光波長を選択できる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機発光材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
次に、発光層332の上には導電膜からなる陰極333が設けられる。陰極としては、仕事関数の小さい材料(Al、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、またはCaN)を用いればよい。本実施例では、発光が透過するように、陰極333として、膜厚を薄くした金属薄膜(MgAg:膜厚10nm)と、膜厚110nmの透明導電膜(ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムなど)との積層を用いる。
この陰極333まで形成された時点で発光素子330が完成する。なお、発光素子330は、画素電極(陽極)325、発光層332及び陰極333で形成される。この際、シール材形成領域にも発光素子330を構成する画素電極325、発光層332及び陰極333とそれぞれ同材料からなる積層体を、同工程で、シール材形成領域にも形成してもよい。このとき、他のシール形成領域にも同様に積層体を形成し、同様な断面構造を有することが重要である。これによって、シール材形成領域において、積層体の高さ(膜厚)が均一になる。
発光素子330を完全に覆うようにしてパッシベーション膜334を設けることは有効である。この際、シール材形成領域にもパッシベーション膜334と同材料で、同工程において、パッシベーション膜をシール材形成領域にも形成してもよい。本実施例ではパッシベーション膜334と同材料で同工程において、絶縁膜336を形成する。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素(SiON)、窒化酸化珪素(SiNO)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化窒化アルミニウム(AlON)、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム(AlNO)または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にDLC膜を用いることは有効である。DLC膜は室温から100℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い発光層332の上方にも容易に成膜することができる。また、DLC膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、発光層332の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間に発光層332が酸化するといった問題を防止できる。
封止領域において、シール材形成領域に形成された積層の上に、シール材335が形成される。本実施例では、シール材335は表示装置端部を被覆する構造になっているが、本発明はこれに限定されない。しかし、本実施例の構造をとると、断面からの水分の侵入がシール材によって遮断されるので、発光素子の劣化が防止でき、発光表示装置の信頼性が向上する。また、同様にシール材形成領域に形成するダミー配線等によって、発光表示装置端部が被覆されていてもよい。この場合も発光表示装置の劣化を防ぎ、信頼性を向上させる効果がある。シール材335としては特に限定されず、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。本実施例では熱硬化性のエポキシ樹脂を用いる。また、本実施例においてカバー材340はガラス基板や石英基板やプラスチック基板(プラスチックフィルムも含む)や可撓性基板の両面に炭素膜(好ましくはDLC膜またはCN膜)を形成したものを用いる。炭素膜以外にもアルミ膜(AlON、AlN、AlOなど)、SiNなどを用いることができる。 こうして図19に示すような構造の両面出射型の発光表示装置が完成する。本実施例で作製される発光表示装置のさらに詳細な図を図14に示す。
図19(b)に示すように、画素領域において画素電極325の上に発光層322、対向電極である陰極333が形成される。また図示しないが、画素領域にもパッシベーション膜334は形成される。封止領域においても絶縁膜337、336が形成され、それらの積層構造の上にシール材335が形成される。このようにシール材の下に、ダニー配線などの支持部材からなる積層構造を設けることによって、シール材形成領域の段差をなくし、基板間隔を均一にすることができる。従って、密閉性よく、封止をすることができる。
なお、絶縁膜331を形成した後、パッシベーション膜334を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式(またはインライン方式)の成膜装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。また、さらに発展させてカバー材340を貼り合わせる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも可能である。
さらに、ゲート電極に絶縁膜を介して重なる不純物領域を設けることによりホットキャリア効果に起因する劣化に強いnチャネル型TFTを形成することができる。そのため、信頼性の高い表示装置を実現できる。
また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、その他にも信号分割回路、D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。
本発明により、基板間隔を均一に維持することができるので、干渉等による表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた、信頼性の高い発光表示装置を歩留まりよく作製することができる。
本実施例では、本発明の発光表示装置において、基板間隔を補正する構造が異なる発光表示装置について説明する。
図15に本実施例における本発明の発光表示装置の一例を断面図によって示す。実施例1と同様、シール材1535形成領域に発光表示装置を構成する膜が積層されている。積層体は、絶縁膜1536、1551、1554、1556及び1557、ダミー配線である導電膜1552、1553からなる。シール材1535によって素子基板1500と対向基板1540は張り合わされている。この積層体をシール材形成領域、全てにわたって形成する。シール材1535の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。
本実施例では、発光表示装置のシール材形成領域内部に、図15で示す支持部材1560を形成する。基板間隔を調整するための機能が果たせればよいので、無機材料、有機材料、いずれを含む材料で形成されてもよく、その形状も柱状でも球状の支持部材を用いても良い。また導電性材料でも絶縁性材料でもよいが、導電性材料を用いる際は、電気的に絶縁している必要がある。支持部材の高さは、素子基板上に形成される積層膜よりも高く、シール材が有するフィラーと同程度なものが好ましい。本実施例では、絶縁膜1531と同様な材料であるアクリルで柱状のスペーサを形成する。
支持部材1560には、導電性材料、絶縁性材料から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。導電性薄膜としてはAl、Ti、Mo、WもしくはSiの元素から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。絶縁性薄膜としては窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、窒素含有炭素膜(CN)から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いることができる。
他の絶縁体としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種の材料を含む膜を用いればよい。また、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料(代表的にはシロキサン系ポリマー)を用いてもよい。
また本実施例のシール材下部に形成するのではない、基板間隔補正手段である支持部材1560の形成箇所、及び数は適宜設定すればよく、基板の大きさに応じて自由に設計することができる。しかし、支持手段を形成する箇所は、他の箇所に比べて基板貼り合わせ時に圧力が大きくかかるので、圧力によって下の配線を破損したり、配線間をショートさせないように形成場所を設定する必要がある。画素部など表示の妨げとねる領域にも、支持部材を形成すると開口部を狭めてしまうので望ましくない。また、支持手段1560は、素子基板側の最大の高さを決定するものであるから、単数でも複数ある場合でも、それぞれ素子基板側において高さが一定になるように形成する。
支持手段1560は、素子基板側において、高さが最大になるので、支持手段1560によって対向基板1540は支えられ、シール材1535によって張り合わされる。支持手段1560は高さが均一に揃えられているので、素子基板1500と対向基板1540との基板間隔は均一にすることができる。また本実施例では、シール材を封止領域のみに形成するが、発光表示装置のシール材領域より内部において、全面に形成してもよいし、部分的に形成しても良い。本発明によって基板間隔が均一化されているので、シール材をどのように形成しても、表示ムラなく高繊細に画像を表示することができる。
本実施例では、シール材下部と、シール材形成領域内部に複数支持部材を設け、基板間隔を調節したが、実施例1のように、どちらか一方でもよい。本実施例のようにシール材領域内部に支持部材を形成すると、表示部内部で、基板間隔が調整できる。そのため、基板が大型化しても基板がたわむことなく、均一な基板間隔を保つことができ、高画質な大型表示装置を作製することができる。
本発明により、基板間隔を均一に維持することができるので、干渉等による表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた、信頼性の高い発光表示装置を歩留まりよく作製することができる。
本実施例では、実施例1で作製した発光表示装置において、片面出射型の例を、図20(A)及び(B)を用いて説明する。
図20(A)において、1900は素子基板、1956は電極、1953は画素電極、1913は発光層、1914、1923は陰極、1915は発光素子、1922はパッシベーション膜、1921は対向基板である。
実施例1と同様、シール材1917形成領域に発光表示装置を構成する膜が積層されている。積層体は、絶縁膜1920、1923、1924、1918、及び1919、ダミー配線である導電膜1921、1922及び1925からなる。シール材1917によって素子基板1900と対向基板1921は張り合わされている。この積層体をシール材形成領域、全てにわたって形成する。シール材1917の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。よって、基板間隔を均一にすることができるので、高画質の画像を表示することができる。本発明は、前述のような対向基板側から光が射出する、上面出射型の発光表示装置において特に効果的である。
図20(A)の発光表示装置は、片面出射型であり、矢印の方向に上面出射する構造である。この場合、画素電極1953は陽極に相当し反射性を有する金属膜であり、反射性を有する金属膜としては、陽極として機能させるために白金(Pt)や金(Au)といった仕事関数の高い金属膜を用いる。また、これらの金属は、高価であるため、アルミニウム膜やタングステン膜といった適当な金属膜上に積層し、少なくとも最表面に白金もしくは金が露出するような画素電極としても良い。また、陰極1914は膜厚の薄い(好ましくは10〜50nm)金属膜であり、陰極として機能させるために金属膜仕事関数の小さい周期表の1族もしくは2族に属する元素を含む材料(例えば、Al、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、またはCaNなど)を用いる。さらに、陰極1914に積層して陰極1923である酸化物導電膜(代表的にはITO膜)を設け、その上にパッシベーション膜1922を設ける。
図20(A)に示した構造とした場合、発光素子から発した光は、画素電極1953で反射され、陰極1914、1923等を透過して出射される。
図20(B)において、1800は素子基板、1856は電極、1853は画素電極、1813は発光層、1814は陰極、1815は発光素子、1822はパッシベーション膜、1821は対向基板である。
実施例1と同様、シール材1817形成領域に発光表示装置を構成する膜が積層されている。積層体は、絶縁膜1820、1823、1824、1818、及び1819、ダミー配線である導電膜1821、1822及び1825からなる。シール材1817によって素子基板1800と対向基板1821は張り合わされている。この積層体をシール材形成領域、全てにわたって形成する。シール材1817の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。
図20(B)の発光表示装置も、片面出射型であり、矢印の方向に下面出射する構造である。本実施例では、透明導電膜を成膜し、所望の形状にエッチングすることで陽極に相当する画素電極1853を形成する。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、陰極1814はAl、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLiからなる金属膜(膜厚50nm〜200nm)を用いることが好ましい。陰極1814の上にパッシベーション膜1822を設ける。
図20(B)に示した構造とした場合、発光素子から発した光は、画素電極1815を透過して基板1800側から出射される。
本発明により、基板間隔を均一に維持することができるので、干渉等による表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた、信頼性の高い発光表示装置を歩留まりよく作製することができる。
本発明を適用して、様々な表示装置を作製することができる。即ち、それら表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。本発明は、発光表示装置において、基板間隔を均一化し、高画質を実現する効果があるものであるから、大型の表示部を有する電子機器に特に効果的である。それらの例を図16に示す。
図16(A)は例えば20〜80インチの大型の表示部を有する表示装置であり、筐体2001、支持台2002、表示部2003、スピーカー部2004、ビデオ入力端子2005等を含む。本発明は、表示部2003の作製に適用される。このような大型の表示装置は、生産性やコストの面から、所謂第五世代(1000×1200ミリ)、第六世代(1400×1600ミリ)、第七世代(1500×1800ミリ)のようなメータ角の大型基板を用いて作製することが好適である。本発明を用いると、このような大型基板においても、表示むらなく高繊細で高画質な画像を表示することができる。
図16(B)は、ノート型パーソナルコンピュータであり、本体2101、筐体2102、表示部2103、キーボード2104、外部接続ポート2105、ポインティングマウス2106等を含む。本発明は、表示部2103の作製に適用される。本発明を用いると、表示ムラなく高繊細で高画質な画像を表示することができる。
図16(C)は記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体2201、筐体2202、表示部A2203、表示部B2204、記録媒体(DVD等)読み込み部2205、操作キー2206、スピーカー部2207等を含む。表示部A2203は主として画像情報を表示し、表示部B2204は主として文字情報を表示するが、本発明は、これら表示部A、B2203、2204の作製に適用される。本発明を用いると、大型画面であっても表示ムラなく高繊細で高画質な画像を表示することができる。
図16(D)は例えば20〜80インチの大型の表示部を有する表示装置であり、筐体2300、操作部であるキーボード部2301、表示部2302、スピーカー部2303等を含む。本発明は、表示部2302の作製に適用される。スペーサを設けることで基板をわん曲させても、2枚貼り合わせたガラスの一定のギャップを保持できるので、色調が変化せず表示ムラなく高繊細で高画質な画像を表示することができる。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、本発明をあらゆる分野の電気器具の作製に適用することが可能である。また、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
本発明の発光表示装置の上面図。 本発明の構成を示す図。 本発明の構成を示す図。 本発明の構成を示す図。 本発明の構成を示す図。 本発明の構成を示す図。 本発明の構成を示す図。 本発明の構成を示す図。 本発明の構成を示す図。 本発明の構成を示す図。 従来の表示装置の上面図。 従来の表示装置の上面図。 本発明の発光表示装置の作製工程を示す断面図。 本発明の発光表示装置の断面図。 本発明の発光表示装置の断面図。 本発明の表示装置の例を示す図。 本発明の発光表示装置の作製工程を示す断面図。 本発明の発光表示装置の作製工程を示す断面図。 本発明の発光表示装置の作製工程を示す断面図。 本発明の発光表示装置の断面図。

Claims (6)

  1. 少なくとも画素領域を有する発光表示装置であって、
    第1の基板と、
    前記第1の基板上に設けられた、第1の支持部材と、前記画素領域に配置された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタ及び前記第1の支持部材を覆う層間絶縁膜と、
    前記層間絶縁膜上に設けられた、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第1の配線と、第2の配線と、第2の支持部材と、前記第1の配線と電気的に接続された第1の電極と、
    前記第1の配線、前記第2の配線、前記第2の支持部材、及び前記第1の電極の一部を覆う第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上及び前記第1の電極上に設けられた発光層と、
    前記発光層上に設けられた第2の電極と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられた第3の支持部材と、
    前記第1の絶縁膜、前記第2の電極、及び前記第3の支持部材を覆う第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上に設けられた第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板とを固着するシール材と、を有し、
    前記第2の配線は、前記シール材の下部を横断して前記シール材外部と電気的に接続され、
    前記第1の支持部材は、前記薄膜トランジスタの有するゲート電極と同一の材料からなり、
    前記第2の支持部材は、前記第1及び第2の配線と同一の材料からなり、
    前記第1及び第2の支持部材は、前記シール材が設けられた領域と重なる位置に設けられており、
    前記第3の支持部材は、前記シール材が設けられた領域の内部に設けられており、
    前記第3の支持部材は、前記画素領域と重ならない位置に設けられており、
    前記第3の支持部材は、前記第1の基板上に設けられたいずれの配線とも重ならないように配置されていることを特徴とする発光表示装置。
  2. 画素領域と周辺回路部とを有する発光表示装置であって、
    第1の基板と、
    前記第1の基板上に設けられた、第1の支持部材と、前記画素領域に配置された第1の薄膜トランジスタと、前記周辺回路部に配置された第2の薄膜トランジスタと、
    前記第1及び第2の薄膜トランジスタ及び前記第1の支持部材を覆う層間絶縁膜と、
    前記層間絶縁膜上に設けられた、前記第1の薄膜トランジスタと電気的に接続された第1の配線と、第2の配線と、第2の支持部材と、前記第1の配線と電気的に接続された第1の電極と、
    前記第1の配線、前記第2の配線、前記第2の支持部材、及び前記第1の電極の一部を覆う第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上及び前記第1の電極上に設けられた発光層と、
    前記発光層上に設けられた第2の電極と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられた第3の支持部材と、
    前記第1の絶縁膜、前記第2の電極、及び前記第3の支持部材を覆う第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上に設けられた第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板とを固着するシール材と、を有し、
    前記第2の配線は、前記シール材の下部を横断して前記シール材外部と電気的に接続され、
    前記第1の支持部材は、前記第1及び第2の薄膜トランジスタの有するゲート電極と同一の材料からなり、
    前記第2の支持部材は、前記第1及び第2の配線と同一の材料からなり、
    前記第1及び第2の支持部材は、前記シール材が設けられた領域と重なる位置に設けられており、
    前記第3の支持部材は、前記シール材が設けられた領域の内部に設けられており、
    前記第3の支持部材は、前記周辺回路部と重なる位置に設けられており、
    前記第3の支持部材は、前記第1の基板上に設けられたいずれの配線とも重ならないように配置されていることを特徴とする発光表示装置。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    前記シール材にはフィラーが含まれていることを特徴とする発光表示装置。
  4. 請求項1乃至請求項のいずれか一項において、
    前記第3の支持部材が複数設けられていることを特徴とする発光表示装置。
  5. 請求項1乃至請求項のいずれか一項において、
    前記第の絶縁膜には、カーボン粒子又は金属粒子が添加されていることを特徴とする発光表示装置。
  6. 請求項1乃至請求項のいずれか一項において、
    前記第1及び第2の基板は、わん曲していることを特徴とする発光表示装置。
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