JP4373161B2

JP4373161B2 - 発光表示装置

Info

Publication number: JP4373161B2
Application number: JP2003306124A
Authority: JP
Inventors: 薫土屋; 彩安西; 真之坂倉
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2003-08-29
Filing date: 2003-08-29
Publication date: 2009-11-25
Anticipated expiration: 2023-08-29
Also published as: JP2005078881A

Description

本発明は、電極間に発光性材料を挟んだ素子（以下、発光素子という）を有する表示装置（以下、発光表示装置という）及びその作製方法に関する。特に、ＥＬ(エレクトロルミネッセンス：ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)が得られる発光性材料を用いた発光表示装置の封止構造及び方法に関する。

近年、発光性材料のＥＬ現象を利用した発光素子（ＥＬ素子ともいう）を用いた発光表示装置（ＥＬ表示装置）の開発が進んでいる。発光表示装置は発光素子自体に発光能力があるため、液晶ディスプレイのようなバックライトが不要である、またさらに視野角が広い、コントラストが高いなどの利点を備えている。

ＥＬ素子は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

このような発光素子を用いた発光表示装置は、水分等による特性劣化を防ぐために、発光素子の形成された基板を封止する対向基板を備えている。この対向基板は、発光素子の形成された基板と、シール材によって張り合わされている（例えば、特許文献１参照。）。

互いに直交するように設けられた２種類のストライプ状電極の間にＥＬ層を形成する方式（パッシブマトリクス方式）、又は薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）に代表されるスイッチング素子に接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電極との間にＥＬ層を形成する方式（アクティブマトリクス方式）の２種類がある。

半導体集積回路（ＩＣ）により構成された周辺駆動回路は、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐｏｎｇｌａｓｓ）方式により、表示部に実装する。また、アモルファス半導体ではなく、高速動作が可能な結晶性半導体を利用したＴＦＴを用いると、同一基板上に画素部（表示部）と周辺駆動回路を作製した、一体型の表示装置とすることができる。

ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）方式で周辺駆動回路を実装した表示装置を図１１に示す。５０１は基板、５０２は対向基板、５０３は画素部、５０４、５０５は配線、５０６、５０７はＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）、５０８、５０９はＩＣチップ、５１０はシール材である。

画素部と周辺駆動回路一体型の表示装置を図１２に示す。４０１はソース線駆動回路、４０２はゲート線駆動回路、４０３は画素部、４０９はＦＰＣである。また、４０４は対向基板、４０５はシール材、４１１、４１２は配線である。
特開２００３−１７２５７号公報

図１１に示す表示装置では、画素部５０３が、周辺駆動回路としてＩＣチップを有するＦＰＣに接続するため、配線５０４、５０５がシール材５１０の下を横断している。また、図１２の表示装置では、シール材４０５の内側に有する、画素部４０３、ソース線駆動回路４０１及びゲート線駆動回路４０２が、配線４１１及び４１２によってＦＰＣ４０９に接続されているＦＰＣ４０９はシール材４０５領域の外側に位置するため、配線４１１及び４１２は、シール材４０５の下を横断している。

上記のように、シール材の内部から外部に接続するために、配線がシール材下側を横断すると、紙面上下及び左右で配線構造の対称性が無くなり、シール材の段差は配線が延長している側といない側では異なる。従って、基板を貼り合わせる際に、基板間隔を均等にすることが困難になる。この結果、干渉等による表示ムラが生じ、画質低下を招く。

表示ムラは、大型基板においてはより顕著になるので、大型化に伴って、貼り合わせる対向基板との基板間隔（ギャップ）を精密に制御する必要がある。

また、シール材の段差が不均一であると、基板の貼り合わせの際に均等に圧力がかからず、密閉性のよい封止ができない。これは歩留まりの低下につながり、信頼性の低下の原因となる。

本発明では、上記問題点を解消し、画質の優れた信頼性の高い発光表示装置、並びに発光表示装置の作製方法を提供することを課題とする。

本発明の発光表示装置は、マトリクス回路と、発光材料を用いた発光素子とを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板とを固着するシール材と、前記第１の基板において前記シール材の下部を横断して、外部と電気的に接続する配線とを有する発光表示装置において、前記第１の基板において、前記シール材が形成される領域には、前記シール材の下部に少なくとも一層以上の積層構造が形成され、前記積層構造は電気的に絶縁されていることを特徴とする。

前記構造において、前記積層構造は、少なくとも前記マトリクス回路の配線と同一の材料からなる支持部材を含んでもよい。また、本発明の発光表示装置において、前記マトリクス回路は絶縁膜により層毎に絶縁されている層状の配線構造を有し、前記積層構造は、少なくとも前記層状の配線構造と同一の積層構造を有することを特徴とする。

本発明は、シール材下部を横断し、外部に電気的に接続する配線等のために生じるシール段差を、前記積層構造によって無くす、または軽減するものである。よって、積層構造はシール材下部を横断する配線や絶縁膜と同一材料で、同一工程において形成される。

また、上記構造において、前記積層構造の厚さの最大値は、前記マトリクス回路及び前記発光素子の厚さの最大値と略等しいことを特徴とする。前記シール材で囲まれた内部には、マトリクス回路や発光素子が形成されている。これらの形成されている第１基板（素子基板）の高さの最大値と、前記積層構造の高さの最大値が略等しければ、シール材による第２の基板（対向基板）との固着時に、かかる圧力等によって内部の回路や素子が破壊されたり、することを防ぐことができる。また、均一な基板間隔が保てるので、光の干渉などによる表示ムラ等も防ぎ高画質な画像表示をすることができる。

本発明の発光表示装置において、マトリクス状に配置され第１の絶縁膜により層間分離された信号線と走査線と、前記信号線と前記走査線との交点に配置され、第２の絶縁膜により信号線と層間分離された画素電極とを有するマトリクス回路と、発光材料を用いた発光素子とを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記マトリクス回路を取り囲み、前記第１の基板と第２の基板を固着するシール材と、前記第１の基板において前記シール材の下部を横断して、外部と電気的に接続する配線とを有する発光表示装置において、前記第１の基板において、前記シール材の形成領域には、前記シール材の下部に少なくとも走査線と同一の材料からなる第１の支持部材と、前記第１の絶縁膜と、前記信号線と同一の材料からなる第２の支持部材と、前記第２の絶縁膜とが互いに異なる層に積層構造され、前記積層構造は電気的に絶縁されていることを特徴とする。

前記構造において、前記積層構造は、前記第１の支持部材の端面と前記第２の支持部材の端面とは重ならないような積層構造であると、積層構造の高さがより平坦化する効果がある。

また、前記積層構造が、前記マトリクス回路において、密に積層している部分、例えば、少なくとも前記信号線と前記走査線とが重なっている領域と同一の積層構造を有するような構造であると、積層の厚さを高くすることができる。よって、基板を貼り合わせるときの圧力はシール材、及びシール材下部の積層構造に、均一にかかり、密閉性よく封止することができる。また、封止による圧力によって、基板に形成された素子構造などを破壊したり、走査線と信号線とが上下間でショートされることを防止することができる。

また、前記第１の支持部材が、前記シール材の下を蛇行する形状であったり、支持部材がシール材の下で複数に分岐する形状であると、配線や支持部材により、外部から侵入する水分等を遮断する効果が向上し、発光表示装置の劣化を防ぐことができる。

前記支持部材には、導電性材料、絶縁性材料から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いればよい。導電性薄膜としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＷもしくはＳｉの元素から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。絶縁性薄膜としては窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いることができる。

他の絶縁性材料としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種の材料を含む膜を用いればよい。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料（代表的にはシロキサン系ポリマー）を用いてもよい。

本発明の発光表示装置の作製方法は、マトリクス回路と、発光材料を用いた発光素子とを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板とを固着するシール材と、前記第１の基板において前記シール材の下部を横断して、外部と電気的に接続する配線とを有する発光表示装置の作製方法において、前記第１の基板において、前記シール材が形成される領域に、前記シール材の下部に少なくとも一層以上の積層構造を形成し、前記積層構造を電気的に絶縁して形成することを特徴とする。

前記構成において、前記積層構造は、少なくとも前記マトリクス回路の配線と同一の材料からなる支持部材を含んで形成してもよい。また、本発明の発光表示装置の作製方法において、前記マトリクス回路の配線構造は、絶縁膜により層毎に絶縁されている層状の配線構造で形成し、前記層状の配線構造と同一の積層構造を有することを特徴とする。

本発明は、シール材下部を横断し、外部に電気的に接続する配線等のために生じるシール段差を、前記積層構造によって無くす、または軽減するものである。よって、積層構造はシール材下部を横断する配線や絶縁膜と同一材料で、同一工程において形成される。そのため、製造工程を増やすことなく信頼性の高い発光表示装置を作製することができる。

また、上記構成において、前記積層構造の厚さの最大値は、前記マトリクス回路及び前記発光素子の厚さの最大値と略等しいように形成してもよい。前記シール材で囲まれた内部には、マトリクス回路や発光素子が形成されている。これらの形成されている第１基板（素子基板）の高さの最大値と、前記積層構造の高さの最大値が略等しければ、シール材による第２の基板（対向基板）との固着時に、かかる圧力等によって内部の回路や素子が破壊されることを防ぐことができる。また、均一な基板間隔が保てるので、光の干渉などによる表示ムラ等も防ぎ高画質な画像表示をすることができる。

本発明により、基板間隔を均一に維持することができるので、光の干渉などによって生じる表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた発光表示装置、発光表示装置の作製方法を提供することができる。また、歩留まりも向上し、信頼性も高くなる。

（実施の形態１）
図１に本発明の発光表示装置の概略上面図の一例を示す。１００は素子基板、１０１はソース線駆動回路、１０２、１０３はゲート線駆動回路、１０４は対向基板、１０５はシール材、１０６は画素部、１０７は走査線、１０８は信号線、１０９はＦＰＣ、１１０、１１１、１１２は配線である。本実施の形態では、上記のような回路で形成するが、本発明はこれに限定されず、パッシブマトリクス回路でもアクティブマトリクス回路であってもよく、周辺駆動回路としてＩＣチップを前記ＣＯＧ方式やＴＡＢ方式によって実装したものでも、一体形成したものでもよい。また、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路は複数であっても単数であっても良い。

シール材１０５の形成領域の一部である領域Ｒ１側において、配線１１０、１１１、１１２がシール材１０５を横断して周辺駆動回路とＦＰＣを接続しているが、他の周辺部Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側においては、シール材１０５を横断する配線はない。よって、本発明において、シール材下部構造の段差を均一にする基板間隔補正手段を形成する。

本発明の発光表示装置においては、素子基板と対向基板がシール材によって張り合わされる際、素子基板側に形成された凹凸の高さを均一にする。よって、図１の領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側のシール部下部に支持部材を形成する。図２（ａ）に図１における線Ａ―Ａ'、図２（ｂ）に線Ｂ−Ｂ'による断面図、図２（ｃ）に本発明の発光表示装置のシール材１０５の形成領域の上面図を示す。

図２（ａ）は、素子基板１００上に第１の絶縁膜２０１が形成され、その上に配線１１２、第２の絶縁膜２０２が積層している。図２（ｂ）は、素子基板１００上に第１の絶縁膜２０１が形成され、その上に第１の支持部材２５０、第２の絶縁膜２０２が積層している。第１の支持部材２５０は、信号線１０８と同一材料で、同工程において形成すればよい。シール部下の積層構造として、信号線１０８、走査線１０７と同一の材料のような、導電性材料を用いる場合、他の配線等とのショートを防ぐため、積層構造は実質的に、電気的に絶縁する必要がある。

図２では、信号線１０８と同一な材料で同一工程で形成された配線１１２がシール材を横断するが、走査線１０７と同一な材料で同一工程で形成する配線１１０、１１１がシール材下側を横断する場合がある。この場合、図１における領域Ｒ１側の断面は、図４（ａ）で示すように、素子基板１００上に配線１１０または１１１が形成され、その上に第１の絶縁膜２０１、第２の絶縁膜２０２が積層される構造となる。よって、他の領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側のシール材１０５の形成領域にも走査線１０７と同一な材料で同一工程で第２の支持部材２５１を形成すればよい。図４（ｂ）に示すように領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側におけるシール材１０５の形成領域の断面は、素子基板１００上に第２の支持部材２５１が形成され、その上に第１の絶縁膜、第２の絶縁膜が積層される構造となる。配線１１０、１１１と第２の支持部材とは、ともに走査線と同一材料、同工程で形成されるので、本発明の発光表示装置において、シール材１０５の形成領域に形成される積層構造は、同一になり、その高さも等しくなる。

また、画素部１０３から延長された配線１１２を、シール材１０５を横断する領域において、第１の支持部材２５０と一体的に形成し、配線１１０、または配線１１１を、シール材１０５を横断する第１の支持部材２５０と、シール材１０５の形成領域の内部で接続する。図３に本発明の発光表示装置のシール材１０５の形成領域の上面図を示す。図３で示すように、シール材１０５の形成領域を横断して電気的に素子基板外部の回路と接続される配線が、第１の支持部材２５０のみで構成されるため、シール材の段差をより均一にすることができる。本実施の形態では、シール材１０５の下側を横断して外部に接続する配線を第１の支持部材２５０にしたが、これは前述の第２の支持部材２５１を用いてもよく、その場合は配線１１０または１１１を第２の支持部材２５１と一体的に形成し、配線１１２をシール材１０５下側を横断する第２の支持部材２５１と、シール材１０５の形成領域の内部で接続すればよい。

また、本発明の発光表示装置では、シール材の下側を外部と接続するための配線が横断しない領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側に支持部材を形成することによってシール材形成領域の積層構造の段差なくし、均一にしている。このような領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側において、支持部材をシール材形成領域を内に形成する。図７に（ａ）に図１における線Ａ―Ａ'、図７（ｂ）に線Ｂ−Ｂ'による断面図を、図７（ｃ）に本発明の発光表示装置のシール材１０５の形成領域の上面図を示す。

図７で示すように、支持部材７５１は、シール材のとほぼ等しく矩形波形状に形成されている。なお、本発明において、シール材の幅方向とは、図１における線A-A'と直交する方向である。このように、シール材幅方向に、幅より狭い長さで支持部材を形成すると、シール材幅方向の任意の断面構造において、支持部材である導電膜が存在するため、外部から水分が侵入することを防止することができる。支持部材は、導電膜に限られず、無機材料や有機材料であっても良いが、無機材料や導電材料などの緻密で透湿性の低い材料からなる層のほうが、水分などを遮蔽する効果は高く好ましい。本実施の形態では、支持部材として信号線と同材料の導電膜を用いている。

支持部材には、導電性材料、絶縁性材料から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。導電性薄膜としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＷもしくはＳｉの元素から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。絶縁性薄膜としては窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いることができる。

他の絶縁体としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種の材料を含む膜を用いればよい。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料（代表的にはシロキサン系ポリマー）を用いてもよい。

このように本発明を用いると、シール材１０５の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。よって、基板間隔を均一に維持することができるので、表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた発光表示装置提供することができる。

（実施の形態２）
図１の本発明の発光表示装置のシール材１０５内部において、積層の厚さが最大となる領域は、信号線１０８と走査線１０７が重なる領域であり、その領域には、少なくとも、素子基板上に、信号線、層間絶縁膜、走査線、パッシベーション膜等が積層されている。

本実施の形態では、シール材１０５の形成領域に、図５に示すような積層構造を基板間隔補正手段として形成する。図５（ａ）に図１における線Ａ―Ａ'、図５（ｂ）に線Ｂ−Ｂ'による断面図を、図５（ｃ）に本発明の発光表示装置のシール材１０５の形成領域の上面図を示す。

図５（ａ）は、素子基板５００上に第２の支持部材５５１が形成され、前記第２の支持部材５５１上に、第１の絶縁膜５０１を介して、配線１１２が形成されている。その上に第２の絶縁膜５０２が形成される。図５（ｂ）は、素子基板５００上に第２の支持部材５５１が形成され、前記第２の支持部材５５１上に、第１の絶縁膜５０１を介して、第１の支持部材５５０が形成されている。その上に第２の絶縁膜５０２が形成される。第１の支持部材５５０は、信号線と、第２の支持部材５５１は走査線と、それぞれ同一材料で、同工程において形成されるものである。

図１における領域Ｒ１側のように、シール材下側を横断する配線がある場合は、第１の支持部材５５０、第２の支持部材５５１は、それぞれ同一材料、同一工程で形成される配線となる。本実施の形態では、配線１１２がシール材下側を横断する例を示したが、配線１１０、１１１がシール材を横断する場合は、線Ａ−Ａ'において、第２の支持部材５５１は配線１１０、１１１か、一体的に形成したものを用いればよい。図５（ｃ）で示すように、本発明の発光表示装置は、シール材形成領域全てにおいて、走査線、信号線とそれぞれ同材料で同工程で形成される層が、重なる構造になっている。シール部下の積層構造として、信号線１０８と同一の材料のような、導電性材料を用いる場合、他の配線等とのショートを防ぐため、積層構造は実質的に、電気的に絶縁する必要がある。

このように本発明を用いると、シール材の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様となるので、シール材の段差を均一にすることができる。

さらに、本実施の形態では、シール材１０５の形成領域における積層構造が、発光表示装置のシール材１０５内部において、積層の厚さが最大となる領域の高さと等しくすることができる。よって、基板を貼り合わせるときの圧力はシール材で支えることができるため、スペーサ等により、走査線と信号線とが上下間でショートされることを防止することができる。なお、信号線１０８と走査線１０７とが重なる領域には、さらに画素電極、ブラックマトリクス等が積層されることもあるため、さらにシール材１０５の形成領域における積層構造にも、それら画素電極、ブラックマトリクス等も積層し、基板間隔を制御するとよい。

また、本発明の発光表示装置では、シール材の下側を外部と接続するための配線が横断しない領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側に支持部材を形成することによってシール材形成領域の積層構造の段差なくし、均一にしている。このような領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側において、支持部材をシール材形成領域内に形成する。図８に（ａ）に図１における線Ａ―Ａ'、図８（ｂ）に線Ｂ−Ｂ'による断面図を、図８（ｃ）に本発明の発光表示装置のシール材１０５の形成領域の上面図を示す。

図８で示すように、支持部材８５１は、シール材の幅とほぼ等しく矩形波形状に形成されている。このように、シール材幅方向に、幅より狭い長さで支持部材を形成すると、シール材幅方向の任意の断面構造において、支持部材である導電膜が存在するため、外部から水分が侵入することを防止することができる。また、シール材下側を配線が横断する領域Ｒ１側であっても、段差を調整するための第２の支持部材を、シール材形成領域内に形成し、シール材で覆うことによって、外部から侵入する水分を、軽減することができる。シール材によって支持部材は、導電膜に限られず、無機材料や有機材料であっても良いが、無機材料や導電材料などの緻密で透湿性の低い材料からなる層のほうが、水分などを遮蔽する効果は高く好ましい。このように、外部から侵入する水分などの汚染物質を遮断することによって、発光素子の劣化を防ぎ、発光表示装置の信頼性を向上する。本実施の形態では、第１の支持部材として信号線と、第２の支持部材として走査線と、それぞれ同材料の導電膜を用いている。

本実施の形態では、シール材は、シール材によって封止する領域の周囲を囲うように形成されるが、シール材を周囲だけでなく封止する領域全てわたって形成しても、一部領域に形成してもよい。本実施の形態では、素子基板に形成されるマトリクス回路や発光素子などの最大の高さと、略等しい高さでシール材下側の積層構造が形成されている。よって、シール材下部の積層構造によって基板間隔が均一に保たれるため、封止材を全面に形成したとしても、表示ムラのない高画質な画像が得られ、かつ封止材が有するフィラーなどによって、素子や配線などが破壊されることがない。

本発明により、基板間隔を均一に維持することができるので、干渉等による表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた、信頼性の高い発光表示装置を歩留まりよく作製することができる。

（実施の形態３）
本発明の発光表示装置の例として、本実施例では、シール材１０５の形成領域に、図６に示すような積層構造を基板間隔補正手段として形成する。図６（ａ）に図１における線Ａ―Ａ'、図６（ｂ）に線Ｂ−Ｂ'による断面図を、図６（ｃ）に本発明の発光表示装置のシール材１０５の形成領域の上面図を示す。

図６（ａ）は、素子基板６００上に第２の支持部材６５１が形成され、前記第２の支持部材６５１上に、第１の絶縁膜６０１を介して、第２の支持部材６５１に重ならないように配線１１２が形成されている。その上に第２の絶縁膜６０２が形成される。図６（ｂ）は、素子基板６００上に第２の支持部材６５１が形成され、前記第２の支持部材６５１上に、第１の絶縁膜６０１を介して、第２の支持部材６５１に重ならないように第１の支持部材６５０が形成されている。その上に第２の絶縁膜６０２が形成される。第１の支持部材６５０は、信号線と、第２の支持部材６５１は走査線と、それぞれ同一材料で、同工程において形成されるものである。

図１における領域Ｒ１側のように、シール材下側を横断する配線がある場合は、第１の支持部材６５０、第２の支持部材６５１は、それぞれ同一材料、同一工程で形成される配線となる。本実施の形態では、配線１１２がシール材下側を横断する例を示したが、配線１１０、１１１がシール材を横断する場合は、線Ａ−Ａ'において、第２の支持部材５５１は配線１１０、１１１か、一体的に形成したものを用いればよい。図６（ｃ）で示すように、本発明の発光表示装置は、シール材形成領域全てにおいて、走査線、信号線とそれぞれ同材料で同工程で形成される層が、交互に形成され、お互いに重ならないような構造になっている。そのため、シール材下側を横断して外部に接続する配線による段差が、互い違いに形成される支持部材によって軽減され、より高さが均一となる。図６（ａ）のとき、第２の支持部材はダミー配線となるので、シール材下の積層構造として、信号線１０８と同一の材料のような、導電性材料を用いる場合、他の配線等とのショートを防ぐため、支持部材を実質的に、電気的に絶縁する必要がある。

また、本発明の発光表示装置では、シール材の下側を外部と接続するための配線が横断しない領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側に支持部材を形成することによってシール材形成領域の積層構造の段差なくし、均一にしている。このような領域Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４側において、支持部材をシール材形成領域を内に形成する。図９に（ａ）に図１における線Ａ―Ａ'、図９（ｂ）に線Ｂ−Ｂ'による断面図を、図９（ｃ）に本発明の発光表示装置のシール材１０５の形成領域の上面図を示す。

図９で示すように、支持部材９５１は、シール材の幅とほぼ等しく矩形波形状に形成されている。このように、シール幅方向に、幅より狭い長さで支持部材を形成すると、シール材幅方向の任意の断面構造において、支持部材である導電膜が存在するため、外部から水分が侵入することを防止することができる。また、シール材下を配線が横断する領域Ｒ１側であっても、段差を調整するための第２の支持部材を、シール幅領域内に形成し、断面をシール材で覆うことによって、外部から侵入する水分を、軽減することができる。シール材によって支持部材は、導電膜に限られず、無機材料や有機材料であっても良いが、無機材料や導電材料などの緻密で透湿性の低い材料からなる層のほうが、水分などを遮蔽する効果は高く好ましい。このように、外部から侵入する水分などの汚染物質を遮断することによって、本発明の発光表示装置の劣化を防ぎ、信頼性を向上することができる。本実施の形態では、第１の支持部材として信号線と、第２の支持部材として走査線と、それぞれ同材料の導電膜を用いている。

このように本発明を用いると、シール材の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。よって、基板間隔を均一に維持することができるので、表示ムラがなくなり、高繊細で画像表示の優れた発光表示装置提供することができる。

（実施の形態４）
本発明の発光表示装置の例として、本実施例では、シール材１０５の形成領域に、図１０に示すような積層構造を基板間隔補正手段として形成する。図１０（ａ）に図１における線Ａ―Ａ'、図１０（ｂ）に線Ｂ−Ｂ'による断面図を、図１０（ｃ）に本発明の発光表示装置のシール材１０５の形成領域の上面図を示す。

図１０（ａ）は、素子基板１０００上に第１の絶縁膜１００１が形成され、その上に配線１１２、第２の絶縁膜１００２が積層している。図２（ｂ）は、素子基板１０００上に第１の絶縁膜１００１が形成され、その上に第１の支持部材１０５０、第２の絶縁膜１００２が積層している。第１の支持部材１０５０は、信号線１０８と同一材料で、同工程において形成すればよい。シール部下の積層構造として、信号線１０８、走査線１０７と同一の材料のような、導電性材料を用いる場合、他の配線等とのショートを防ぐため、積層構造は実質的に、電気的に絶縁する必要がある。

本実施の形態において、配線１１２と、配線１１２がシール材を横断することによって生じるシール材の段差を調整するための第２の支持部材は、図１０（ｃ）に示すように、電気的に接続しない限り、複数に分岐して互いの隙間を埋めるような形状で形成する。この形状により、シール材下側の積層構造の段差はより軽減し、平坦性が向上する。

また、本実施の形態のシール材下の積層構造パターンであると、配線や支持部材が多面積にわたって形成されており、隙間が少ない。また、シール材形成領域を横断する任意の断面構成（線Ａ−Ａ'に直交する線に沿った断面構成）において、配線や支持部材が必ず存在するため、配線や支持部材により、外部から侵入する水分等を遮断する効果が向上し、発光表示装置の劣化を防ぐことができる。配線や支持部材の構造は、電気的に接続しない限り、自由に設定することができ、シール材形成領域において、配線や支持部材の隙間を小さくするように適宜設計すればよい。

本実施の形態は、上記述べた構造に限定されず、実施の形態１乃至３で述べた本発明の発光表示装置においても適用することができる。

本実施例では、本発明を用いた両面出射構造の発光表示装置の作製例について図１３乃至１５、及び１７乃至１９を用いて説明する。図１３及び図１７乃至１９において、（ａ）は、（ｂ）の上面図において線Ｃ―Ｃ'、線Ｄ−Ｄ'による断面図であり、互いに対応している。

本発明において、発光表示装置とは、基板上に形成された発光素子を該基板とカバー材（対向基板）の間に封入した表示用パネルおよび該表示用パネルにＴＦＴを備えた表示用モジュールを総称したものである。なお、発光素子は、ＥＬが得られる有機化合物を含む層（発光層）と陽極層と、陰極層とを有する。また、有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）がある。本発明に用いることのできるＥＬ材料は、一重項励起もしくは三重項励起、もしくは両者の励起を経由して発光するすべての発光性材料を含む。

なお、本発明では、発光素子において陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に発光素子は、陽極層、発光層、陰極層が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極層、正孔注入層、発光層、陰極層や、陽極層、正孔注入層、発光層、電子輸送層、陰極層等の順に積層した構造を有していることもある。

絶縁表面を有する基板３００の上に下地膜３０１として、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化珪素膜３０１ｂ１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）ｎｍを形成し、酸化窒化珪素膜３０１ａを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）積層する。本実施例ではプラズマＣＶＤ法により酸化窒化珪素膜を５０ｎｍ、酸化窒化珪素膜を１００ｎｍ形成する。基板３００としてはガラス基板、石英基板やシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いて良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよいし、可撓性基板を用いても良い。また、下地膜として２層構造を用いてもよいし、前記下地（絶縁）膜の単層膜又は２層以上積層させた構造を用いてもよい。下地膜３０１は、シール材形成領域を含む、素子基板と対向基板を貼り合わせ、発光素子を封止する封止領域にも同様に形成する。

次いで、下地膜上に半導体膜を形成する。半導体膜は２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜すればよい。半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコン又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。

半導体膜は、アモルファス半導体（代表的には水素化アモルファスシリコン）、結晶性半導体（代表的にはポリシリコン）を素材として用いている。ポリシリコンには、８００℃以上のプロセス温度を経て形成される多結晶シリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成される多結晶シリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを添加し結晶化させた結晶シリコンなどを含んでいる。

また、他の物質として、セミアモルファス半導体又は半導体膜の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。セミアモルファス半導体とは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体であり、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものである。典型的にはシリコンを主成分として含み、格子歪みを伴って、ラマンスペクトルが５２０ｃｍ^-1よりも低波数側にシフトしている半導体膜である。また、未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。ここでは、このような半導体をセミアモルファス半導体（以下「ＳＡＳ」と呼ぶ。）と呼ぶ。このＳＡＳは所謂微結晶（マイクロクリスタル）半導体（代表的には微結晶シリコン）とも呼ばれている。

このＳＡＳは珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ₄であり、その他にもＳｉ₂Ｈ₆、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、ＳｉＦ₄などを用いることができる。この珪化物気体を水素、若しくは水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種又は複数種の希ガス元素で希釈して用いることでＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。珪化物気体に対する水素の希釈率は、例えば流量比で５倍〜１０００倍とすることが好ましい。勿論、グロー放電分解によるＳＡＳの形成は、減圧下で行うことが好ましいが、大気圧における放電を利用しても形成することができる。代表的には、０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの圧力範囲で行えば良い。グロー放電を形成するための電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚである。高周波電力は適宜設定すれば良い。基板加熱温度は３００℃以下が好ましく、１００〜２００℃の基板加熱温度でも形成可能である。ここで、主に成膜時に取り込まれる不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分に由来する不純物は１×１０²⁰ｃｍ^-3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０¹⁹ｃｍ^-3以下、好ましくは１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下となるようにすることが好ましい。また、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なＳＡＳが得られる。

本実施例では半導体膜として、プラズマＣＶＤ法により非晶質珪素膜を５４ｎｍ形成した。本実施例ではこの非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法およびレーザ結晶化法を行うが、あるいは、非晶質珪素膜に金属元素を導入せず、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下にまで放出させ、レーザ結晶化を行ってもよい。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると膜が破壊されてしまうからである。

金属元素としてニッケルを用い、溶液塗布法により非晶質珪素膜上に導入する。非晶質珪素膜への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質珪素膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改善し、非晶質珪素膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。

その後５００〜５５０℃で４〜２０時間かけて熱処理を行い、非晶質珪素膜を結晶化する。本実施例では金属元素としてニッケルを用い、溶液塗布法により金属含有層を形成し非晶質珪素膜上に導入した後、５５０℃で４時間の熱処理を行って第１の結晶性珪素膜を得た。

次に第１の結晶性珪素膜にレーザ光を照射し結晶化を助長し、第２の結晶性珪素膜を得る。レーザ結晶化法は、レーザ光を半導体膜に照射する。用いるレーザは、パルス発振または連続発振の固体レーザ、気体レーザ、もしくは金属レーザが望ましい。なお、前記固体レーザとしてはＹＡＧレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ₃レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等があり、前記気体レーザとしてはエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ₂レーザ等があり、前記金属レーザとしてはヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザが挙げられる。レーザビームは非線形光学素子により高調波に変換されていてもよい。前記非線形光学素子に使われる結晶は、例えばLBOやBBOやKDP、KTPやKB5、CLBOと呼ばれるものを使うと変換効率の点で優れている。これらの非線形光学素子をレーザの共振器の中に入れることで、変換効率を大幅に上げることができる。前記高調波のレーザには、一般にNd、Yb、Crなどがドープされており、これが励起しレーザが発振する。ドーパントの種類は適宜実施者が選択すればよい。前記半導体膜としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜、結晶性半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜、非晶質珪素カーバイト膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。

このようにして得られた結晶性半導体膜に対して、ＴＦＴのしきい値電圧を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行う。

フォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理により、半導体層３０２を形成する。

半導体層３０２を覆うゲート絶縁膜３０６を形成する。ゲート絶縁膜３０６はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化珪素膜を形成する。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。本実施例では、ゲート絶縁膜３０６を形成する同工程において、同材料で封止領域にも絶縁膜３１７を形成する。

次いで、ゲート絶縁膜上にゲート電極として用いる膜厚２０〜１００nmの第１の導電膜３０７と、膜厚１００〜４００nmの第２の導電膜３０８とを積層して形成する。第１の導電膜３０７及び第２の導電膜３０８はＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、第１の導電膜及び第２の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、２層構造に限定されず、例えば、膜厚５０nmのタングステン膜、膜厚５００nmのアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜、膜厚３０nmの窒化チタン膜を順次積層した３層構造としてもよい。また、３層構造とする場合、第１の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第２の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜（Ａｌ−Ｔｉ）を用いてもよいし、第３の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。なお、本実例では、ゲート絶縁膜３０６上に第１の導電膜３０７として膜厚３０nmの窒化タンタル膜、第２の導電膜３０８として膜厚３７０nmのタングステン膜を順次積層して形成する（図１３（ａ）断面図参照。）この際、シール材形成領域にも同様に、導電層３１８、３１９をそれぞれ第１の導電層３０７と第２の導電層３０８と同材料、同工程において形成する。配線パターンは実施の形態１乃至４のどれを適用してもよい。導電層３１８、３１９はシール材形成領域の段差を軽減するダミー配線なので、実質的に、電気的に絶縁されている必要がある。

図１３（ｂ）の上面図はシール材形成である封止領域領域と画素領域を示している。画素領域には導電膜３０７及び３０８よりなる走査線（ゲート線）が半導体層３０２の上に形成されている。導電膜３０７は、図１３（ｂ）の上面図では導電膜３０８の下に形成されるため図示していない。封止領域にもダミー配線となる導電膜３１８、３１９が形成される。この導電膜３１８、３１９は電気的に内部の導電膜とは、絶縁されており接続していない。また図示していないが、封止領域にも下地膜及び絶縁膜３１７は断面図（ａ）で示すように形成される。

次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することにより、第１の導電膜及び第２の導電膜を所望のテーパー形状にエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ₂、ＢＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄もしくはＣＣｌ₄などを代表とする塩素系ガス、ＣＦ₄、ＳＦ₆もしくはＮＦ₃などを代表とするフッ素系ガス又はＯ₂を適宜用いることができる。

第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層（第１の導電層と第２の導電層）を形成する。

次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、Ｗ膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチング処理により第２の導電層を形成する。一方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第２の形状の導電層を形成する。よって導電膜３１１、導電膜３１２が形成される。

そして、レジストからなるマスクを除去せずに第１のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加する。ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域が形成される。不純物領域には１×１０¹⁸〜１×１０²⁰／cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。第１のドーピングにより、ｎ型の低濃度不純物領域３１１が形成される。

レジストからならなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスクを形成して第１のドーピング処理よりも高い加速電圧で第２のドーピング処理を行う。ドーピング処理は第２の導電層を不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層のテーパー部の下方の半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングする。続いて、第２のドーピング処理より加速電圧を下げて第３のドーピング処理を行う。第２のドーピング処理および第３のドーピング処理により、第１の導電層と重なる低濃度不純物領域には１×１０¹⁸〜５×１０¹⁹/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加され、高濃度不純物領域には１×１０¹⁹〜５×１０²¹/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加される。

もちろん、適当な加速電圧にすることで、第２のドーピング処理および第３のドーピング処理は１回のドーピング処理で、低濃度不純物領域および高濃度不純物領域を形成することも可能である。

次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスクを形成して第４のドーピング処理を行う。この第４のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域３０９、３１０を形成する。第１及び第２の導電層を不純物元素に対するマスクとして用い、ｐ型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域３０９、３１０はジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いたイオンドープ法で形成する。この第４のドーピング処理の際には、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層はレジストからなるマスクで覆われている。第１乃至３のドーピング処理によって、不純物領域にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域においてもｐ型を付与する不純物元素の濃度を１×１０¹⁹〜５×１０²¹atoms/cm³となるようにドーピング処理することにより、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。

以上までの工程で、それぞれの半導体層に不純物領域が形成される。

次いで、レジストからなるマスクを除去してパッシベーション膜として絶縁膜３２６を形成する。この際、シール材形成領域にも絶縁膜を形成してもよい。本実施例では、絶縁膜３２６と同材料、同工程で、シール材形成領域にも絶縁膜３２０を形成する（図１７（ａ）。）この絶縁膜３２６としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１００〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。勿論、絶縁膜３２６、３２０は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。本実施例では、スパッタリング法によって形成した窒化珪素を用いる。膜中のＡｒは、濃度５×１０¹⁸〜５×１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³程度である。シール材下部の構造を均一にする必要があるので絶縁膜はシール材形成領域全部にわたって均一に形成することが望ましい。

さらに、窒素雰囲気中で、３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。好ましくは、４００〜５００℃で行う。この工程は絶縁膜３２６に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。本実施例では、４１０℃で１時間熱処理を行う。

絶縁膜３２６、３２０は窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）を含む物質から選ばれた材料で形成する。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料（代表的にはシロキサン系ポリマー）を用いてもよい。

なお、本発明では酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）膜としては、Ｓｉが２５〜３５原子％、酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、水素が０．１〜１０原子％で含まれるものを示し。また、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）膜としては、Ｓｉが２５〜３５原子％、酸素が１５〜３０原子％、窒素が２０〜３５原子％、水素が１５〜２５原子％で含まれるものを示す。

不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、又はレーザ光の照射を行ってもよい。活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。

図１７（ｂ）の上面図においても、導電膜３１１、導電膜３１２が図のような形状に形成される。図示しないが、画素領域において、パッシベーション膜である絶縁膜３２６が全面に形成されている。封止領域においても同様に絶縁膜３２０が形成される。

そして絶縁膜３２６、３２０の上に層間膜として絶縁膜３２１を形成する。絶縁膜３２１は、無機材料（酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素など）、感光性または非感光性の有機樹材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、ベンゾシクロブテンなど）の一種、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層などを用いることができる。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料（代表的にはシロキサン系ポリマー）を用いてもよい。この際、シール材形成領域にも絶縁膜を形成してもよい。本実施例では、絶縁膜３２１と同材料、同工程で、シール材形成領域にも絶縁膜３２３を形成する。

また、感光性材料として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。本実施例では、感光性の有機樹脂材料であるポジ型の感光性アクリルを用いる。この場合、絶縁膜の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。この後、絶縁膜３５０上に窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）からなるパッシベーション膜を形成してもよい。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料（代表的にはシロキサン系ポリマー）を用いてもよい。

絶縁膜３２１、絶縁膜３２６、ゲート絶縁膜３０６をエッチングし、ソース領域、ドレイン領域に達する開口部を形成する。開口部は、層間膜をエッチングした後、再度マスクを形成するか、エッチングされた絶縁膜３２１をマスクとして、絶縁膜３２６及びゲート絶縁膜３０６をエッチングし、開口部を形成すればよい。金属膜を形成し、金属膜をエッチングして各不純物領域とそれぞれ電気的に接続するソース電極及びドレイン電極３２２、各配線（図示しない）を形成する。金属膜は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜を用いればよい。なお本実施例では、チタン膜／シリコンーアルミニウム合金膜／チタン膜（Ｔｉ/Ｓｉ−Ａｌ/Ｔｉ）をそれぞれ１００／３５０／１００nmに積層したのち、所望の形状にパターニング及びエッチングしてソース電極、ドレイン電極３２２及び各配線を形成する。この際、配線と同一材料、同工程でシール材形成領域にも導電膜３２４を形成する。配線パターンは実施の形態１乃至４のどれを適用してもよい。導電層３２４はシール材形成領域の段差を軽減するダミー配線なので、実質的に、電気的に絶縁されている必要がある。導電膜３２４は、先に形成される導電膜３１８、３１９と部分的に重なって絶縁膜３２３の上に形成する。

その後、画素電極３２５を形成する。なお本実施例では、透明導電膜を成膜し、所望の形状にエッチングすることで画素電極３２５を形成する（図１８（ａ）。）

透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素電極３５３は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁膜上に形成してもよい。樹脂からなる平坦化膜を用いてＴＦＴによる段差を平坦化することは有効である。後に形成される発光層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、発光層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。

図１８（ｂ）に示すように画素領域には信号線（ソース線）として用いられる導電膜３２２が形成され、導電膜３２２に接続して、画素電極３２５が形成される。封止領域においても、導電膜３０７、３０８の上に、層間分離する絶縁膜３２３を介して導電膜３２４が形成される。

以上のような工程により、ＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板が完成する。本実施例では画素領域のｎチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、駆動回路部のＴＦＴも、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。

なお、本実施例で示したＴＦＴの作製方法に限らず、トップゲート型（プレーナー型）、ボトムゲート型（逆スタガ型）、あるいはチャネル領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても適用できる。

画素電極３２５を形成後、図１９（ａ）に示すように絶縁膜３３１を形成する。この際、シール材形成領域にも絶縁膜を形成してもよい。本実施例では、絶縁膜３３１と同材料、同工程で、シール材形成領域にも絶縁膜３３７を形成する。

絶縁膜３３１、３３７は、無機材料（酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素など）、感光性または非感光性の有機樹材料（有機樹脂材料）（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、ベンゾシクロブテンなど）の一種、もしくは複数種からなる膜、またはこれらの膜の積層などを用いることができる。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料（代表的にはシロキサン系ポリマー）を用いてもよい。本実施例では、いずれのシール材形成領域にも絶縁膜３３７を形成する。

なお、絶縁膜３３１は絶縁物であるため、成膜時における素子の静電破壊には注意が必要である。本実施例では絶縁膜３３１の材料となる絶縁膜中にカーボン粒子や金属粒子を添加して抵抗率を下げ、静電気の発生を抑制する。この際、抵抗率は１×１０⁶〜１×１０¹²Ωｍ（好ましくは１×１０⁸〜１×１０¹⁰Ωｍ）となるようにカーボン粒子や金属粒子の添加量を調節すれば良い。

画素電極３２５の上には発光層３３２が形成される。なお、図１９では一画素しか図示していないが、本実施例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を作り分けている。また、それぞれの発光は、全て一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）であっても、全て三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）でもよいし、一色が蛍光（又はリン光）あとの２色がリン光（又は蛍光）というように組み合わせでも良い。Ｒのみをリン光を用いて、Ｇ、Ｂを蛍光を用いてもよい。また、本実施例では蒸着法により低分子系有機発光材料を形成している。具体的には、正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け、その上に発光層として７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）膜を設けた積層構造としている。Ａｌｑ₃にキナクリドン、ペリレンもしくはＤＣＭ１といった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。

但し、以上の例は発光層として用いることのできる有機発光材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて発光層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機発光材料を発光層として用いる例を示したが、中分子系有機発光材料や高分子系有機発光材料を用いても良い。なお、本明細書中において、昇華性を有さず、かつ、分子数が２０以下または連鎖する分子の長さが１０μｍ以下の有機発光材料を中分子系有機発光材料とする。また、高分子系有機発光材料を用いる例として、正孔注入層として２０ｎｍのポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）膜をスピン塗布法により設け、その上に発光層として１００ｎｍ程度のパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）膜を設けた積層構造としても良い。なお、ＰＰＶのπ共役系高分子を用いると、赤色から青色まで発光波長を選択できる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機発光材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。

次に、発光層３３２の上には導電膜からなる陰極３３３が設けられる。陰極としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ₂、またはＣａＮ）を用いればよい。本実施例では、発光が透過するように、陰極３３３として、膜厚を薄くした金属薄膜（ＭｇＡｇ：膜厚１０ｎｍ）と、膜厚１１０ｎｍの透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムなど）との積層を用いる。

この陰極３３３まで形成された時点で発光素子３３０が完成する。なお、発光素子３３０は、画素電極（陽極）３２５、発光層３３２及び陰極３３３で形成される。この際、シール材形成領域にも発光素子３３０を構成する画素電極３２５、発光層３３２及び陰極３３３とそれぞれ同材料からなる積層体を、同工程で、シール材形成領域にも形成してもよい。このとき、他のシール形成領域にも同様に積層体を形成し、同様な断面構造を有することが重要である。これによって、シール材形成領域において、積層体の高さ（膜厚）が均一になる。

発光素子３３０を完全に覆うようにしてパッシベーション膜３３４を設けることは有効である。この際、シール材形成領域にもパッシベーション膜３３４と同材料で、同工程において、パッシベーション膜をシール材形成領域にも形成してもよい。本実施例ではパッシベーション膜３３４と同材料で同工程において、絶縁膜３３６を形成する。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。また、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、もしくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料（代表的にはシロキサン系ポリマー）を用いてもよい。

この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤＬＣ膜を用いることは有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い発光層３３２の上方にも容易に成膜することができる。また、ＤＬＣ膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、発光層３３２の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間に発光層３３２が酸化するといった問題を防止できる。

封止領域において、シール材形成領域に形成された積層の上に、シール材３３５が形成される。本実施例では、シール材３３５は表示装置端部を被覆する構造になっているが、本発明はこれに限定されない。しかし、本実施例の構造をとると、断面からの水分の侵入がシール材によって遮断されるので、発光素子の劣化が防止でき、発光表示装置の信頼性が向上する。また、同様にシール材形成領域に形成するダミー配線等によって、発光表示装置端部が被覆されていてもよい。この場合も発光表示装置の劣化を防ぎ、信頼性を向上させる効果がある。シール材３３５としては特に限定されず、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。本実施例では熱硬化性のエポキシ樹脂を用いる。また、本実施例においてカバー材３４０はガラス基板や石英基板やプラスチック基板（プラスチックフィルムも含む）や可撓性基板の両面に炭素膜（好ましくはＤＬＣ膜またはＣＮ膜）を形成したものを用いる。炭素膜以外にもアルミ膜（ＡｌＯＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯなど）、ＳｉＮなどを用いることができる。こうして図１９に示すような構造の両面出射型の発光表示装置が完成する。本実施例で作製される発光表示装置のさらに詳細な図を図１４に示す。

図１９（ｂ）に示すように、画素領域において画素電極３２５の上に発光層３２２、対向電極である陰極３３３が形成される。また図示しないが、画素領域にもパッシベーション膜３３４は形成される。封止領域においても絶縁膜３３７、３３６が形成され、それらの積層構造の上にシール材３３５が形成される。このようにシール材の下に、ダニー配線などの支持部材からなる積層構造を設けることによって、シール材形成領域の段差をなくし、基板間隔を均一にすることができる。従って、密閉性よく、封止をすることができる。

なお、絶縁膜３３１を形成した後、パッシベーション膜３３４を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式（またはインライン方式）の成膜装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。また、さらに発展させてカバー材３４０を貼り合わせる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも可能である。

さらに、ゲート電極に絶縁膜を介して重なる不純物領域を設けることによりホットキャリア効果に起因する劣化に強いｎチャネル型ＴＦＴを形成することができる。そのため、信頼性の高い表示装置を実現できる。

また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、その他にも信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。

本実施例では、本発明の発光表示装置において、基板間隔を補正する構造が異なる発光表示装置について説明する。

図１５に本実施例における本発明の発光表示装置の一例を断面図によって示す。実施例１と同様、シール材１５３５形成領域に発光表示装置を構成する膜が積層されている。積層体は、絶縁膜１５３６、１５５１、１５５４、１５５６及び１５５７、ダミー配線である導電膜１５５２、１５５３からなる。シール材１５３５によって素子基板１５００と対向基板１５４０は張り合わされている。この積層体をシール材形成領域、全てにわたって形成する。シール材１５３５の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。

本実施例では、発光表示装置のシール材形成領域内部に、図１５で示す支持部材１５６０を形成する。基板間隔を調整するための機能が果たせればよいので、無機材料、有機材料、いずれを含む材料で形成されてもよく、その形状も柱状でも球状の支持部材を用いても良い。また導電性材料でも絶縁性材料でもよいが、導電性材料を用いる際は、電気的に絶縁している必要がある。支持部材の高さは、素子基板上に形成される積層膜よりも高く、シール材が有するフィラーと同程度なものが好ましい。本実施例では、絶縁膜１５３１と同様な材料であるアクリルで柱状のスペーサを形成する。

支持部材１５６０には、導電性材料、絶縁性材料から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。導電性薄膜としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＷもしくはＳｉの元素から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いてもよい。絶縁性薄膜としては窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）から選ばれた一種、または複数種からなる膜を用いることができる。

また本実施例のシール材下部に形成するのではない、基板間隔補正手段である支持部材１５６０の形成箇所、及び数は適宜設定すればよく、基板の大きさに応じて自由に設計することができる。しかし、支持手段を形成する箇所は、他の箇所に比べて基板貼り合わせ時に圧力が大きくかかるので、圧力によって下の配線を破損したり、配線間をショートさせないように形成場所を設定する必要がある。画素部など表示の妨げとねる領域にも、支持部材を形成すると開口部を狭めてしまうので望ましくない。また、支持手段１５６０は、素子基板側の最大の高さを決定するものであるから、単数でも複数ある場合でも、それぞれ素子基板側において高さが一定になるように形成する。

支持手段１５６０は、素子基板側において、高さが最大になるので、支持手段１５６０によって対向基板１５４０は支えられ、シール材１５３５によって張り合わされる。支持手段１５６０は高さが均一に揃えられているので、素子基板１５００と対向基板１５４０との基板間隔は均一にすることができる。また本実施例では、シール材を封止領域のみに形成するが、発光表示装置のシール材領域より内部において、全面に形成してもよいし、部分的に形成しても良い。本発明によって基板間隔が均一化されているので、シール材をどのように形成しても、表示ムラなく高繊細に画像を表示することができる。

本実施例では、シール材下部と、シール材形成領域内部に複数支持部材を設け、基板間隔を調節したが、実施例１のように、どちらか一方でもよい。本実施例のようにシール材領域内部に支持部材を形成すると、表示部内部で、基板間隔が調整できる。そのため、基板が大型化しても基板がたわむことなく、均一な基板間隔を保つことができ、高画質な大型表示装置を作製することができる。

本実施例では、実施例１で作製した発光表示装置において、片面出射型の例を、図２０（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明する。

図２０（Ａ）において、１９００は素子基板、１９５６は電極、１９５３は画素電極、１９１３は発光層、１９１４、１９２３は陰極、１９１５は発光素子、１９２２はパッシベーション膜、１９２１は対向基板である。

実施例１と同様、シール材１９１７形成領域に発光表示装置を構成する膜が積層されている。積層体は、絶縁膜１９２０、１９２３、１９２４、１９１８、及び１９１９、ダミー配線である導電膜１９２１、１９２２及び１９２５からなる。シール材１９１７によって素子基板１９００と対向基板１９２１は張り合わされている。この積層体をシール材形成領域、全てにわたって形成する。シール材１９１７の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。よって、基板間隔を均一にすることができるので、高画質の画像を表示することができる。本発明は、前述のような対向基板側から光が射出する、上面出射型の発光表示装置において特に効果的である。

図２０（Ａ）の発光表示装置は、片面出射型であり、矢印の方向に上面出射する構造である。この場合、画素電極１９５３は陽極に相当し反射性を有する金属膜であり、反射性を有する金属膜としては、陽極として機能させるために白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）といった仕事関数の高い金属膜を用いる。また、これらの金属は、高価であるため、アルミニウム膜やタングステン膜といった適当な金属膜上に積層し、少なくとも最表面に白金もしくは金が露出するような画素電極としても良い。また、陰極１９１４は膜厚の薄い（好ましくは１０〜５０ｎｍ）金属膜であり、陰極として機能させるために金属膜仕事関数の小さい周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む材料（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ₂、またはＣａＮなど）を用いる。さらに、陰極１９１４に積層して陰極１９２３である酸化物導電膜（代表的にはＩＴＯ膜）を設け、その上にパッシベーション膜１９２２を設ける。

図２０（Ａ）に示した構造とした場合、発光素子から発した光は、画素電極１９５３で反射され、陰極１９１４、１９２３等を透過して出射される。

図２０（Ｂ）において、１８００は素子基板、１８５６は電極、１８５３は画素電極、１８１３は発光層、１８１４は陰極、１８１５は発光素子、１８２２はパッシベーション膜、１８２１は対向基板である。

実施例１と同様、シール材１８１７形成領域に発光表示装置を構成する膜が積層されている。積層体は、絶縁膜１８２０、１８２３、１８２４、１８１８、及び１８１９、ダミー配線である導電膜１８２１、１８２２及び１８２５からなる。シール材１８１７によって素子基板１８００と対向基板１８２１は張り合わされている。この積層体をシール材形成領域、全てにわたって形成する。シール材１８１７の形成領域の縁部に沿った断面構成が一様になるので、シール材の段差を均一にすることができる。

図２０（Ｂ）の発光表示装置も、片面出射型であり、矢印の方向に下面出射する構造である。本実施例では、透明導電膜を成膜し、所望の形状にエッチングすることで陽極に相当する画素電極１８５３を形成する。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、陰極１８１４はＡｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉからなる金属膜（膜厚５０ｎｍ〜２００ｎｍ）を用いることが好ましい。陰極１８１４の上にパッシベーション膜１８２２を設ける。

図２０（Ｂ）に示した構造とした場合、発光素子から発した光は、画素電極１８１５を透過して基板１８００側から出射される。

本発明を適用して、様々な表示装置を作製することができる。即ち、それら表示装置を表示部に組み込んだ様々な電子機器に本発明を適用できる。本発明は、発光表示装置において、基板間隔を均一化し、高画質を実現する効果があるものであるから、大型の表示部を有する電子機器に特に効果的である。それらの例を図１６に示す。

図１６（Ａ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有する表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明は、表示部２００３の作製に適用される。このような大型の表示装置は、生産性やコストの面から、所謂第五世代（１０００×１２００ミリ）、第六世代（１４００×１６００ミリ）、第七世代（１５００×１８００ミリ）のようなメータ角の大型基板を用いて作製することが好適である。本発明を用いると、このような大型基板においても、表示むらなく高繊細で高画質な画像を表示することができる。

図１６（Ｂ）は、ノート型パーソナルコンピュータであり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、キーボード２１０４、外部接続ポート２１０５、ポインティングマウス２１０６等を含む。本発明は、表示部２１０３の作製に適用される。本発明を用いると、表示ムラなく高繊細で高画質な画像を表示することができる。

図１６（Ｃ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部Ａ２２０３、表示部Ｂ２２０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２２０５、操作キー２２０６、スピーカー部２２０７等を含む。表示部Ａ２２０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２２０４は主として文字情報を表示するが、本発明は、これら表示部Ａ、Ｂ２２０３、２２０４の作製に適用される。本発明を用いると、大型画面であっても表示ムラなく高繊細で高画質な画像を表示することができる。

図１６（Ｄ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有する表示装置であり、筐体２３００、操作部であるキーボード部２３０１、表示部２３０２、スピーカー部２３０３等を含む。本発明は、表示部２３０２の作製に適用される。スペーサを設けることで基板をわん曲させても、２枚貼り合わせたガラスの一定のギャップを保持できるので、色調が変化せず表示ムラなく高繊細で高画質な画像を表示することができる。

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、本発明をあらゆる分野の電気器具の作製に適用することが可能である。また、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。

本発明の発光表示装置の上面図。本発明の構成を示す図。本発明の構成を示す図。本発明の構成を示す図。本発明の構成を示す図。本発明の構成を示す図。本発明の構成を示す図。本発明の構成を示す図。本発明の構成を示す図。本発明の構成を示す図。従来の表示装置の上面図。従来の表示装置の上面図。本発明の発光表示装置の作製工程を示す断面図。本発明の発光表示装置の断面図。本発明の発光表示装置の断面図。本発明の表示装置の例を示す図。本発明の発光表示装置の作製工程を示す断面図。本発明の発光表示装置の作製工程を示す断面図。本発明の発光表示装置の作製工程を示す断面図。本発明の発光表示装置の断面図。

Claims

少なくとも画素領域を有する発光表示装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた、第１の支持部材と、前記画素領域に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ及び前記第１の支持部材を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の配線と、第２の配線と、第２の支持部材と、前記第１の配線と電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の配線、前記第２の配線、前記第２の支持部材、及び前記第１の電極の一部を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上及び前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の電極と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第３の支持部材と、
前記第１の絶縁膜、前記第２の電極、及び前記第３の支持部材を覆う第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを固着するシール材と、を有し、
前記第２の配線は、前記シール材の下部を横断して前記シール材外部と電気的に接続され、
前記第１の支持部材は、前記薄膜トランジスタの有するゲート電極と同一の材料からなり、
前記第２の支持部材は、前記第１及び第２の配線と同一の材料からなり、
前記第１及び第２の支持部材は、前記シール材が設けられた領域と重なる位置に設けられており、
前記第３の支持部材は、前記シール材が設けられた領域の内部に設けられており、
前記第３の支持部材は、前記画素領域と重ならない位置に設けられており、
前記第３の支持部材は、前記第１の基板上に設けられたいずれの配線とも重ならないように配置されていることを特徴とする発光表示装置。
画素領域と周辺回路部とを有する発光表示装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた、第１の支持部材と、前記画素領域に配置された第１の薄膜トランジスタと、前記周辺回路部に配置された第２の薄膜トランジスタと、
前記第１及び第２の薄膜トランジスタ及び前記第１の支持部材を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた、前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の配線と、第２の配線と、第２の支持部材と、前記第１の配線と電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の配線、前記第２の配線、前記第２の支持部材、及び前記第１の電極の一部を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上及び前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２の電極と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第３の支持部材と、
前記第１の絶縁膜、前記第２の電極、及び前記第３の支持部材を覆う第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを固着するシール材と、を有し、
前記第２の配線は、前記シール材の下部を横断して前記シール材外部と電気的に接続され、
前記第１の支持部材は、前記第１及び第２の薄膜トランジスタの有するゲート電極と同一の材料からなり、
前記第２の支持部材は、前記第１及び第２の配線と同一の材料からなり、
前記第１及び第２の支持部材は、前記シール材が設けられた領域と重なる位置に設けられており、
前記第３の支持部材は、前記シール材が設けられた領域の内部に設けられており、
前記第３の支持部材は、前記周辺回路部と重なる位置に設けられており、
前記第３の支持部材は、前記第１の基板上に設けられたいずれの配線とも重ならないように配置されていることを特徴とする発光表示装置。
請求項１又は請求項２において、
前記シール材にはフィラーが含まれていることを特徴とする発光表示装置。
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第３の支持部材が複数設けられていることを特徴とする発光表示装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の絶縁膜には、カーボン粒子又は金属粒子が添加されていることを特徴とする発光表示装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１及び第２の基板は、わん曲していることを特徴とする発光表示装置。