KR20140125802A - 광 디바이스 면봉지용 조성물, 광 디바이스 면봉지용 시트, 디스플레이, 및 디스플레이의 제조방법 - Google Patents

광 디바이스 면봉지용 조성물, 광 디바이스 면봉지용 시트, 디스플레이, 및 디스플레이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은, 광 디바이스를 이용한 디스플레이를 구성하는 기판 사이의 선팽창 계수의 차가 크더라도, 휨이 적은 디스플레이를 제작할 수 있는 광 디바이스 면봉지용 조성물 및 휨이 적은 디스플레이와 그의 제조방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여 측정한 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa이다.

Description

광 디바이스 면봉지용 조성물, 광 디바이스 면봉지용 시트, 디스플레이, 및 디스플레이의 제조방법{OPTICAL-DEVICE SURFACE-SEALING COMPOSITION, OPTICAL-DEVICE SURFACE-SEALING SHEET, DISPLAY, AND DISPLAY MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 광 디바이스 면봉지용 조성물, 광 디바이스 면봉지용 시트, 디스플레이, 및 디스플레이의 제조방법에 관한 것이다.
광 디바이스를 이용한 디스플레이, 특히 유기 EL 소자를 이용한 유기 EL 디스플레이는, 시야각이 넓고, 응답 속도가 빠르며, 소비 전력이 낮은 등의 이점 때문에, 플랫 패널 디스플레이로서 기대되고 있다. 유기 EL 디스플레이를 구성하는 유기 EL 소자는, 한쪽이 투명한 2장의 전극과, 그들에 끼워 넣어진 유기 발광 매체층을 갖고, 양 전극으로부터 전류를 주입하는 것에 의해, 유기 발광 매체층이 발광한다.
광 디바이스, 특히 유기 EL 소자에 있어서의 유기 발광 매체층은, 수분 등에 의해 열화되기 때문에, 수분 등이 유기 EL 소자에 접촉하지 않도록, 유기 EL 소자를 면봉지하는 방법이 검토되고 있다(특허문헌 1). 즉, 한 쌍의 기판과, 그들 사이에 배치되고, 유기 EL 소자를 면봉지하는 면봉지재를 갖는 유기 EL 디스플레이가 검토되고 있다. 유기 EL 소자를 면봉지하는 부재(면봉지재)는, 일반적으로, 유기 EL 소자를 열화시키기 어려운 조건에서 경화될 수 있는 에폭시 수지 등의 열경화성 수지를 포함하는 조성물의 경화물일 수 있다.
특히 유기 EL 소자의 총 두께(2장의 전극과, 그들에 끼워진 유기 발광 매체층의 총 두께)는, 수백nm 정도의 박막이다. 그 때문에, 유기 EL 디스플레이의 두께는, 실질적으로는, 기판의 두께와, 유기 EL 소자를 면봉지하는 면봉지재의 두께의 합으로 거의 결정된다. 이 때문에, 유기 EL 소자는, 박형·경량화가 기대되는 휴대 전화 등 소형, 박형의 디스플레이나 백라이트 부재, 가요성이 있는 플라스틱을 기판으로 한 플렉시블 디스플레이 등에의 응용이 기대되고 있다.
그러나, 디스플레이를 박형화하기 위해서 기판을 얇게 하면, 광 디바이스, 특히 유기 EL 소자를 면봉지하는 공정 등에서 부여되는 열 등에 의해, 디스플레이에 휨이 발생한다고 하는 문제가 있었다. 그래서, 디스플레이의 휨을 방지하기 위해서, 디스플레이의 기판에, 접착층을 통해서 휨 방지층이나 컬 방지층(anti-curl layer)을 설치하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 2 및 3 참조).
일본 특허공개 2006-070221호 공보 일본 특허공개 2003-317937호 공보 일본 특허공개 2009-81123호 공보
또한, 광 디바이스를 이용한 디스플레이, 특히 유기 EL 디스플레이는, 한 쌍의 기판(예컨대, 회로 기판과 표시 기판)과, 그들 사이에 배치되고, 유기 EL 소자를 면봉지하는 면봉지재를 갖지만, 회로 기판의 선팽창 계수와 표시 기판의 선팽창 계수의 차가 큰 경우가 있다. 그와 같은 디스플레이를 제조할 때, 면봉지용 조성물을 열경화시키는 공정 등에서, 기판 사이의 팽창·수축에 차가 생기면, 얻어지는 디스플레이에 휨이나 변형이 생기는 경우가 있었다.
본 발명은, 광 디바이스를 이용한 디스플레이를 구성하는 한 쌍의 기판(예컨대, 회로 기판과 표시 기판) 사이의 선팽창 계수의 차가 크더라도, 휨이 적은 유기 EL 디스플레이 등을 제조할 수 있는 광 디바이스 면봉지용 조성물 및 휨이 적은 디스플레이와 그의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1은, 이하에 나타내는 광 디바이스 면봉지용 조성물에 관한 것이다.
[1] 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여 측정되는 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa인, 광 디바이스 면봉지용 조성물.
[2] (A) 1분자 이내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 가요성 에폭시 수지와, (B) 경화 촉진제를 포함하는, [1]에 기재된 광 디바이스 면봉지용 조성물.
[3] 상기 (A) 성분이, 지방족계 에폭시 수지, 싸이올계 에폭시 수지, 뷰타다이엔계 에폭시 수지, 폴리올 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 다이머산 변성 에폭시 수지, 우레탄 변성 에폭시 수지, 아민 변성 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 수지인, [2]에 기재된 광 디바이스 면봉지용 조성물.
[4] 상기 (A) 성분이, 플루오렌 구조 또는 비스페놀 구조를 포함하는 하드 세그먼트와, 탄소수 2∼20의 알킬렌 글리콜, 폴리뷰타다이엔, 뷰타다이엔·아크릴 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물 유래의 구조 또는 탄소수 2∼20의 알킬렌기를 포함하는 소프트 세그먼트를 갖는 에폭시 수지인, [2] 또는 [3]에 기재된 광 디바이스 면봉지용 조성물.
[5] 상기 (A) 성분을, 상기 조성물 전체 100중량부에 대하여 10∼70중량부 포함하는, [2]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 광 디바이스 면봉지용 조성물.
[6] 열가소성 엘라스토머를 포함하는, [1]에 기재된 광 디바이스 면봉지용 조성물.
[7] 유기 EL 소자의 면봉지에 이용되는, [1]∼[6] 중 어느 하나에 기재된 광 디바이스 면봉지용 조성물.
[8] [1]∼[6] 중 어느 하나에 기재된 조성물로 이루어지는 층을 포함하는, 광 디바이스 면봉지용 시트.
[9] 유기 EL 소자의 면봉지에 이용되는, [8]에 기재된 광 디바이스 면봉지용 시트.
본 발명의 제 2는, 이하에 나타내는 디스플레이, 또는 상기 디스플레이의 제조방법에 관한 것이다.
[10] 기판(H)와, 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa인 면봉지재와, 기판(L)을 이 순서로 포함하고, 상기 기판(H) 또는 상기 기판(L)에 광 디바이스가 배치된 디스플레이로서, 상기 기판(L)의 선팽창 계수는 상기 기판(H)의 선팽창 계수보다도 작고, 또한 상기 기판(H)의 선팽창 계수와 상기 기판(L)의 선팽창 계수의 차가 5×10-6cm/cm/℃ 이상인 디스플레이.
[11] 상기 기판(H)의 선팽창 계수가 20×10-6∼200×10-6cm/cm/℃인, [10]에 기재된 디스플레이.
[12] 상기 기판(H)가, 알루미늄을 포함하는 금속판이거나, 에스터 (공)중합체, 환상 올레핀 (공)중합체, 4-메틸-1-펜텐 (공)중합체, 아크릴 (공)중합체 및 폴리카보네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상을 포함하는 수지판인, [10] 또는 [11]에 기재된 디스플레이.
[13] 상기 기판(L)의 선팽창 계수가 1×10-6∼100×10-6cm/cm/℃인, [10]∼[12] 중 어느 하나에 기재된 디스플레이.
[14] 상기 기판(L)이, 유리 또는 실리콘을 포함하는 무기 기판이거나, 에스터 (공)중합체, 폴리이미드, 폴리카보네이트 및 폴리아마이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상을 포함하는 수지판인, [10] ∼[13] 중 어느 하나에 기재된 디스플레이.
[15] 상기 광 디바이스는 유기 EL 소자인, [10] ∼[14] 중 어느 하나에 기재된 디스플레이.
[16] 광 디바이스가 배치된 하나의 기판과, 상기 광 디바이스 상에 적층된 [1] ∼[7] 중 어느 하나에 기재된 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과, 다른 기판을 이 순서로 갖는 적층체를 얻는 공정과, 상기 적층체를 50∼110℃로 가열하는 공정을 포함하는, 디스플레이의 제조방법.
[17] 상기 다른 기판의 선팽창 계수는 상기 하나의 기판의 선팽창 계수보다도 작고, 또한 상기 하나의 기판의 선팽창 계수와 상기 다른 기판의 선팽창 계수의 차가 5×10-6cm/cm/℃ 이상인, [16]에 기재된 디스플레이의 제조방법.
[18] 상기 광 디바이스는 유기 EL 소자인, [16] 또는 [17]에 기재된 디스플레이의 제조방법.
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 광 디바이스를 이용한 디스플레이(예컨대 유기 EL 소자를 이용한 유기 EL 디스플레이)를 구성하는 한 쌍의 기판(예컨대, 표시 기판과 회로 기판)의 선팽창 계수의 차가 일정 이상이더라도, 당해 조성물을 가열하여 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 봉지할 때에 발생하는 디스플레이의 휨을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 유기 EL 디스플레이의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 3a는 유기 EL 디스플레이의 제조 프로세스에 있어서의 열경화 전의 적층체를 나타내는 도면이다.
도 3b는 도 3a의 적층체를 가열하여, 면봉지용 조성물로 이루어지는 층을 열경화시키는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3c는 도 3b에서 가열된 종래의 적층체를 냉각한 상태를 나타내는 도면이다.
1. 광 디바이스 면봉지용 조성물
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 바람직하게는 유기 EL 소자의 면봉지에 이용되는 조성물(유기 EL 소자용 면봉지 조성물)일 수 있다. 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 해당 조성물을 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여 측정한 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa이다.
본 발명의 제 1 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 필요에 따라 (A) 가요성 에폭시 수지와, (B) 경화 촉진제를 포함할 수 있다. 이들 성분을 포함하는 광 디바이스 면봉지용 조성물은, (C) 고분자량 에폭시 수지, (D) 저분자량 에폭시 수지, (E) 에폭시기 또는 에폭시기와 반응 가능한 작용기를 갖는 실레인 커플링제, (F) 용제, 및 (G) 그 밖의 성분을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 필요에 따라 열가소성 엘라스토머를 포함할 수 있다. 열가소성 엘라스토머를 포함하는 제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 열가소성 엘라스토머 이외의 성분을 포함하지 않아도 좋지만, 필요에 따라, 전술한 (A)∼(G) 성분 중 어느 하나 또는 모두를 추가로 포함해도 좋다.
또한, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 형상은, 한정되지 않고, 액상이어도 시트상이어도 좋다. 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물이 시트상인 경우는, 적층체여도 좋다. 적층체는, 예컨대, 상기 (A)와 (B)를 포함하는 층과, 상기 (A)나 (B)를 포함하지 않는 층의 적층체여도 좋다. 또한, 상기 조성물이 열가소성 엘라스토머를 포함하는 경우는, 열가소성 엘라스토머로 이루어지는 층과, 당해 층의 편면 또는 양면에 배치된, 열가소성 엘라스토머를 포함하지 않고 에폭시 수지를 포함하는 층의 적층체여도 좋다.
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여 측정되는 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa이다. 저장 탄성률 G'(80)이 상기 범위보다도 크면, 선팽창 계수에 일정 이상의 차가 있는 한 쌍의 기판(예컨대, 회로 기판과 표시 기판)과 광 디바이스 면봉지용 조성물을 이용하여 디스플레이를 제조한 경우, 해당 조성물의 경화물 또는 열압착물이, 2개의 기판의 팽창·수축의 차에 의해서 생기는 응력을 완화할 수 없기 때문에, 디스플레이가 크게 휠 우려가 있다. 한편, 상기 범위보다 저장 탄성률 G'(80)이 작으면, 면봉지용 조성물의 유동성이 지나치게 높아져, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 면봉지할 때의 취급성이 저하될 우려가 있다. 또한, 면봉지재의 봉지 성능, 특히 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 열화시킬 우려가 있는 수분 등의 침입을 막는 것이 어려워져, 디스플레이의 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 면봉지재란, 광 디바이스 면봉지용 조성물이 열경화성을 갖는 경우(예컨대 제 1 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물인 경우)는, 상기 조성물의 경화물을 의미하고; 상기 조성물이 열경화성을 갖지 않는 경우(예컨대 제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물인 경우)는, 상기 조성물 자체를 의미한다.
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물이, 후술하는 (A) 성분 등을 포함하고, 열경화성을 갖는 경우(예컨대 제 1 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물인 경우)는, 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하는 것에 의해, 열경화되어 경화물로 된다. 즉, 「본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의, 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여 측정한 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106이다」란, 본 발명의 조성물이 열경화성 조성물인 경우는, 상기 조성물을 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여 얻어진 경화물의, 80℃에서 측정한 저장 탄성률이 1.0×103∼2.0×106Pa인 것을 의미한다.
한편, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물이, 후술하는 열가소성 엘라스토머를 포함하고, 열경화성을 갖지 않는 경우(예컨대 제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물인 경우)는, 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여도 열경화되지 않는다. 그 때문에, 후술하는 열가소성 엘라스토머를 포함하는 조성물 자체의, 80℃에서 측정한 저장 탄성률이 1.0×103∼2.0×106Pa인 것을 의미한다.
80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)을 상기 범위로 하는 방법으로서는, 예컨대, 제 1 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물에서는, (A) 가요성 에폭시 수지의 종류와 그의 함유량(조성물의 전체 성분에 대한 함유량)을 조정하는 방법이 있다. 상기 성분 (A)의 비율을 증가시킴으로써, 저장 탄성률 G'(80)을 저하시킬 수 있다.
또한, 제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물에서는, 열가소성 엘라스토머의 종류를 선택하는 것에 의해, 본 발명의 조성물의 저장 탄성률 G'(80)을 조정할 수 있다.
제 1 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물
제 1 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, (A) 가요성 에폭시 수지와, (B) 경화 촉진제를 포함할 수 있다.
(A) 가요성 에폭시 수지
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 전술한 저장 탄성률 G'(80)을 조정하기 위해서, 가요성 에폭시 수지를 포함해도 좋다. 가요성 에폭시 수지란, 고무 탄성과 강도를 겸비하고 있는 에폭시 수지이다. 가요성 에폭시 수지는, 분자 중에 에폭시기를 2 이상 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 분자 중에 에폭시기를 2개 갖는 2작용 에폭시 수지인 것이 보다 바람직하다. 또한, 후술하는 디스플레이의 제조방법에 있어서, 광 디바이스 면봉지용 조성물(유기 EL 디스플레이의 제조에 이용하는 경우는 유기 EL 소자 면봉지용 조성물이라고도 한다)을 가열하는 온도 영역에서 가요성을 갖는 것이, 휨이 적은 디스플레이를 제조한다고 하는 관점에서는 바람직하다.
가요성 에폭시 수지란, 구체적으로는 이하와 같이 정의될 수 있다.
1) 가요성 에폭시 수지 70중량부, 산 무수물(예컨대, 리카시드(RIKACID) MH700G(주성분: 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 신닛폰리카(주)(New Japan Chemical Co., Ltd.)제)) 30중량부, 경화 촉진제(예컨대, IBMI12(1-아이소뷰틸-2-메틸이미다졸, 미쓰비시화학사(Mitsubishi Chemical Corporation)제)) 1중량부, 경화 촉진제(예컨대, 2E4MZ(1-사이아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 시코쿠화성(Shikoku Chemicals Corporation)제) 1중량부를 혼합하여, 가요성 에폭시 수지 조성물의 바니쉬를 조제한다.
2) 한편, 유리판/이형 필름/스페이서(500μ 두께)/이형 필름/유리판 스페이서의 적층체를 작성하고, 상기 적층체의 중앙부를 1.5센티미터×1.5센티미터의 정방형으로 오목부가 만들어지도록 도려내어 경화용 기구를 작성한다.
3) 다음으로, 상기 기구의 오목부에 상기 바니쉬를 봉입하고, 유리판의 자중으로 두께를 500μ으로 조정하여, 80℃에서 1시간∼3시간, 이형 필름에 대한 끈적거림이 없어질 때까지 가열하여 경화시킨다.
4) 얻어진 가요성 에폭시 수지 조성물의 경화물의, 후술하는 「(3) 저장 탄성률 방법」에 기재된 방법으로 측정되는 80℃에서의 저장 탄성률 G'E(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa의 범위 내로 되는 에폭시 수지를 「가요성 에폭시 수지」로서 이용할 수 있다.
본 발명의 가요성 에폭시 수지는, α) 지방족계 에폭시 수지, 뷰타다이엔계 에폭시 수지, 싸이올계 에폭시 수지 등의 에폭시 수지이거나; β) 폴리올 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 다이머산 변성 에폭시 수지, 우레탄 변성 에폭시 수지, 아민 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지일 수 있다.
α) 에폭시 수지
지방족계 에폭시 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예컨대 1,6-헥세인다이올 다이글리시딜 에터, 트라이메틸올프로페인 트라이글리시딜 에터, 폴리프로필렌 글리콜 다이글리시딜 에터, 네오펜틸 다이글리시딜 에터 등의 다이글리시딜 에터 등 일반적으로 제조, 판매되고 있는 2작용 에폭시 수지를 들 수 있다. 싸이올계 에폭시 수지로서는, 예컨대 다이싸이오에터 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 뷰타다이엔계 에폭시 수지의 예에는, 폴리뷰타다이엔 변성 에폭시 수지가 포함된다.
β) 변성 에폭시 수지
변성 에폭시 수지는, 비스페놀 또는 비스페놀플루오렌과 에피클로로하이드린을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지의 변성물이거나; 비스페놀 또는 비스페놀플루오렌의 변성물과 에피클로로하이드린을 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지인 것이 바람직하다.
폴리올 변성 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A 비스(트라이에틸렌 글리콜 글리시딜 에터)에터, 비스페놀 A 비스(프로필렌 글리콜 글리시딜 에터)에터 등을 들 수 있다.
ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지로서는, ε-카프로락톤 변성의 비스페놀 A형 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성의 (3,4-3',4'-에폭시사이클로)헥실메틸헥세인 카복실레이트 등의 ε-카프로락톤 변성 2작용 에폭시 수지를 들 수 있다.
고무 변성 에폭시 수지의 예에는, 비스페놀 A의 에피클로로하이드린에 의한 다이글리시딜 에터화물을 뷰타다이엔·아크릴로나이트릴 공중합물로 카복실화하여 얻어지는 변성물 등을 들 수 있다. 고무 변성 에폭시 수지의 시판품의 예에는, EPOX-MK SR35K, EPOX-MK SR3542 등이 포함된다.
다이머산 변성 에폭시 수지의 예에는, 신닛테츠스미킨화학(Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.)제 YD-171 및 YD-172 등이 포함된다.
우레탄 변성 에폭시 수지의 예에는, 2분자 이상의 비스페놀형 에폭시 수지(비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지 등)가 우레탄 폴리머로 가교된 구조를 갖는, 우레탄 가교 비스페놀형 에폭시 수지 등이 포함된다. 우레탄 변성 에폭시 수지의 시판품의 예에는, (주)ADEKA의 EPU-78-13S(우레탄 가교 비스페놀형 에폭시 수지) 등이 포함된다.
이들 중에서도, 고무 탄성이나 강도를 고려하면, 폴리올 변성 에폭시 수지, 지방족계 에폭시 수지가 바람직하다. 이들 가요성 에폭시 수지는 1종 또는 2종류 이상을 함께 이용할 수 있다.
그 중에서도, 충분한 투습성이나 투명성을 갖고, 또한 상기 저장 탄성률을 만족시키는 경화물을 얻기 위해서는, 가요성 에폭시 수지는, 플루오렌 구조 또는 비스페놀 구조를 포함하는 하드 세그먼트와, 탄소수 2∼20(바람직하게는 탄소수 2∼5)의 알킬렌 글리콜, 폴리뷰타다이엔, 뷰타다이엔·아크릴 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물 유래의 구조 또는 탄소수 2∼20(바람직하게는 탄소수 2∼5)의 알킬렌기를 포함하는 소프트 세그먼트를 갖는 것이 바람직하다.
탄소수 2∼20의 알킬렌 글리콜의 예에는, 에틸렌 글리콜이나 프로필렌 글리콜 등 외에, 에틸렌 글리콜 유닛을 반복 단위로서 포함하는 HO-(CH2CH2-O)m-H(m은 1∼10의 정수)나, 프로필렌 글리콜 유닛을 반복 단위로서 포함하는 HO-(CH2CH(CH3)-O)n-H(n은 1∼6의 정수) 등도 포함된다. 뷰타다이엔·아크릴 공중합체의 예에는, 아크릴로나이트릴 뷰타다이엔 공중합체 등이 포함된다. 탄소수 2∼20의 알킬렌기의 예에는, 펜틸렌기 등이 포함된다.
하드 세그먼트는, 플루오렌 구조 또는 비스페놀 구조를 포함하는 세그먼트이다. 소프트 세그먼트는, 가요성 에폭시 수지의 1분자 내에서, 2개의 하드 세그먼트 사이에 끼워지는 세그먼트이거나, 하드 세그먼트와 에폭시기 사이에 끼워지는 세그먼트이다.
예컨대, 하기 화학식으로 표시되는 에폭시 수지에서는, 하드 세그먼트는, 비스페놀 구조(-C6H4-C(CH3)2-C6H4-)이며; 소프트 세그먼트는, 하드 세그먼트와 에폭시기 사이에 끼워진 (-OCH2CH(CH3)-O-)nd1이나 (-OCH2CH(CH3)-O-)nd2일 수 있다(nd1, nd2는 각각 독립적으로 1∼6의 정수이다).
Figure pct00001
(A) 가요성 에폭시 수지의 함유량은, 조성물 전체를 100중량부로 한 경우에, 10∼70중량부 포함하는 것이 바람직하고, 20∼50중량부 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상기 범위에 들어가면, 본 발명의 조성물을 이용하여 디스플레이를 제작한 경우의 휨이 억제되기 쉽다. 또한, 본 발명의 조성물에, 후술하는 (C) 고분자량 에폭시 수지를 첨가하여 시트상 등으로 성형한 경우에, 시트 형상을 유지하기 쉽다. 또한, 해당 시트상 조성물을 이형 필름 상에 성형한 경우, 해당 시트상 조성물의 형상을 유지하면서, 이형 필름으로부터 분리하기 쉬워진다.
(B) 경화 촉진제
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물이 상기 (A) 성분을 포함하는 경우는, (B) 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제는, 에폭시 수지의 경화를 개시시킴과 더불어, 경화를 촉진시키는 기능을 갖는다.
경화 촉진제의 예에는, 이미다졸 화합물이나 아민 화합물이 포함된다. 이미다졸 화합물의 예에는, 2-에틸-4-메틸이미다졸 등이 포함되고; 아민 화합물의 예에는, 트리스다이메틸아미노메틸페놀 등이 포함된다. (B) 경화 촉진제는 루이스 염기 화합물이어도 좋다.
경화 촉진제의 분자량은, 70∼800인 것이 바람직하고, 80∼500인 것이 보다 바람직하고, 90∼250인 것이 더 바람직하다. (B) 경화 촉진제의 분자량이 70 미만이면, 휘발성이 높아져, 광 디바이스 면봉지용 조성물을 열압착하는 동안에, 광 디바이스 면봉지용 조성물 내에서 기포가 생길 가능성이 있다. 한편, 분자량이 800 초과이면, 광 디바이스 면봉지용 조성물을 열압착할 때의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 유동성을 저하시킬 가능성이 있고, 게다가 광 디바이스 면봉지용 조성물 내에서의 경화 촉진제의 확산성이 저하되어, 충분한 경화성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
(B) 경화 촉진제의 함유량은, 본 발명의 조성물이 에폭시 수지를 포함하는 경우는, 포함되는 에폭시 수지의 합계 100질량부에 대하여 0.01∼10질량부인 것이 바람직하다.
(C) 고분자량 에폭시 수지
본 발명에 있어서의 (C) 고분자량 에폭시 수지란, 전술한 (A) 가요성 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지이며, 본 발명의 조성물이 (A) 성분을 포함하는 경우에, 조성물을 시트상으로 하기 위해서 첨가되는 경우가 있다.
(C) 성분은, 중량 평균 분자량이 2×103∼1×105인 에폭시 수지이며, 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 3×103∼8×104, 더 바람직하게는 4×103∼6×104이다. 상기 중량 평균 분자량은, 폴리스타이렌을 표준 물질로 하는 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 하기 조건에서 측정할 수 있다.
장치: SHODEX제, GPC-101
전개 용매: 테트라하이드로퓨란
표준 폴리스타이렌: VARIAN제 PS-1(분자량 580∼7,500,000), VARIAN제 PS-2(분자량 580∼377,400)
(C) 성분을 조성물 중에 배합함으로써, 본 발명의 조성물을 시트상 등으로 성형하는 경우에, 형상 안정성이 향상된다. 또한 상기 중량 평균 분자량을 갖는 에폭시 수지는, 저장 탄성률의 온도 의존성이 비교적 낮다. 따라서, 중량 평균 분자량을 갖는 (C) 고분자량 에폭시 수지의 소정량 이상 배합함으로써, 온도에 의한 저장 탄성률 G'의 변화가 적은 조성물을 얻을 수 있다.
(C) 고분자량 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 조성물의 경화물의 가교 밀도 등을 고려하면, 500∼1×104g/eq로 하는 것이 바람직하고, 600∼9000g/eq로 하는 것이 보다 바람직하다.
(C) 고분자량 에폭시 수지의 바람직한 예로서는, 낮은 투습도를 실현 가능한 것 등 때문에, 주쇄에 비스페놀 골격을 포함하는 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 비스페놀과 에피클로로하이드린을 모노머 성분으로서 포함하는 수지, 더 바람직하게는 그의 올리고머이다.
(C) 고분자량 에폭시 수지의 모노머 성분 모두를 비스페놀과 에피클로로하이드린으로 해도 좋지만; 모노머 성분의 일부를 비스페놀과 에피클로로하이드린 이외의 화합물(코모노머 성분)로 해도 좋다. 상기 코모노머 성분의 예에는, 2가 이상의 다가 알코올(예컨대, 2가의 페놀이나 글리콜 등)이 포함된다. 모노머 성분의 일부를 비스페놀과 에피클로로하이드린 이외의 화합물(코모노머 성분)로 함으로써, 분자량을 원하는 값으로 제어할 수 있다.
고분자량 에폭시 수지의 바람직한 예에는, 하기 화학식 1로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 수지가 포함된다.
Figure pct00002
[화학식 1에 있어서, X는 단일 결합, 메틸렌기, 아이소프로필리덴기, -S- 또는 -SO2-를 나타낸다. 화학식 1에 있어서, X가 메틸렌기인 구조 단위는 비스페놀 F형의 구조 단위이며; X가 아이소프로필리덴기인 구조 단위는 비스페놀 A형의 구조 단위이다. n은 화학식 1로 표시되는 구조 단위의 반복수이며, 2 이상의 정수이다.]
화학식 1에 있어서, P는 치환기 R1의 치환수이며, 0∼4의 정수이다. 내열성이나 저투습성의 관점에서, P는 0인 것이 바람직하다. R1은 각각 독립적으로 탄소수 1∼5의 알킬기이며, 메틸기인 것이 바람직하다.
본 발명에서는 특히, 상기 화학식 1에 있어서의 X가 메틸렌기인 비스페놀 F형의 반복 구조 단위 및 상기 화학식 1에 있어서의 X가 아이소프로필리덴기인 비스페놀 A형의 반복 구조 단위를 1분자 중에 포함하는 올리고머가 바람직하다. 올리고머가 비스페놀 A형의 반복 구조 단위를 함유함으로써, 고분자량 에폭시 수지 조성물의 점도를 높은 것으로 할 수 있다. 한편으로, 올리고머가 비스페놀 F형의 반복 구조 단위를 함유함으로써, 입체 장해가 작아진다. 이것에 의해, 복수의 페닐렌기가 배향되기 쉬워져, 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물의 투습도를 낮은 것으로 할 수 있다.
상기 올리고머 1분자 중에 포함되는 비스페놀 A형의 반복 구조 단위의 개수(A) 및 비스페놀 F형의 반복 구조 단위의 개수(F)의 총수에 대한, 1분자 중에 포함되는 비스페놀 F형의 반복 구조 단위의 개수(F)의 비율; {(F/A+F)×100}은, 50% 이상인 것이 바람직하고, 55% 이상이 보다 바람직하다. 비스페놀 F형의 반복 구조 단위를 많이 포함함으로써, 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물의 투습도를 충분히 낮은 것으로 할 수 있다.
(C) 고분자량 에폭시 수지의 함유량은, (B) 경화 촉진제, 후술하는 (D) 저분자량 에폭시 수지, (A) 가요성 에폭시 수지, 및 후술하는 (E) 실레인 커플링제의 합계 100질량부에 대하여 100∼2000질량부로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 210∼2000질량부, 더 바람직하게는 250∼1200질량부이다. (C) 고분자량 에폭시 수지의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 본 발명의 조성물을 시트상으로 하는 경우는, 시트 형상을 유지하기 쉬워진다. 또한, (C) 고분자량 에폭시 수지의 함유 비율이 지나치게 높으면, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 봉지할 때의 조성물의 유동성이 낮아지기 때문에, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스와의 사이에 간극이 형성될 우려가 있다.
또한, 광 디바이스 면봉지용 조성물이, 후술하는 (D) 저분자량 에폭시 수지나 (A) 가요성 에폭시 수지를 함유하는 경우, (C) 고분자량 에폭시 수지의 함유량은, (D) 저분자량 에폭시 수지와 (A) 가요성 에폭시 수지의 합계 100질량부에 대하여 50∼1200질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80∼1000질량부이다. (D) 저분자량 에폭시 수지와 (A) 가요성 에폭시 수지의 합계에 대하여 (C) 고분자량 에폭시 수지와의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 유기 EL 소자를 면봉지할 때의 유동성을 저하시키지 않고, 광 디바이스 면봉지용 조성물의 형상 안정성을 높여, 저투습도의 경화물을 부여할 수 있다. 또한 시트상으로 가공하는 경우, (D) 저분자량 에폭시 수지와 (A) 가요성 에폭시 수지의 합계에 대하여 (C) 고분자량 에폭시 수지와의 함유 비율을 100∼800질량부로 함으로써, 시트 형상을 유지하기 쉽다.
(D) 저분자량 에폭시 수지
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, (D) 저분자량 에폭시 수지를 함유해도 좋다. (D) 저분자량 에폭시 수지란, 전술한 (A) 가요성 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지이고 중량 평균 분자량이 100∼1200인 에폭시 수지이며, 바람직하게는 중량 평균 분자량이 200∼1100이다. 중량 평균 분자량은, 전술한 바와 마찬가지로 측정된다. 중량 평균 분자량이 상기 범위인 (C) 에폭시 수지를 광 디바이스 면봉지용 조성물에 배합함으로써, 광 디바이스 면봉지용 조성물로 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 봉지할 때의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 유동성을 높일 수 있어, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스에 대한 밀착성을 높일 수 있다.
(D) 저분자량 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 80∼300g/eq인 것이 바람직하고, 100∼200g/eq인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 당량이 상기 범위 내인 저분자량 에폭시 수지를 광 디바이스 면봉지용 조성물에 배합함으로써, 광 디바이스 면봉지용 조성물 중의 수소 결합량을 높여, 80℃에서의 저장 탄성률을 소정의 범위로 할 수도 있다.
(D) 저분자량 에폭시 수지는, 페놀형의 에폭시 수지인 것이 바람직하고, 2가이상의 페놀형 에폭시 화합물, 또는 페놀 유도체와 에피클로로하이드린을 모노머 성분으로서 포함하는 올리고머인 것이 보다 바람직하다.
2가 이상의 페놀형 에폭시 화합물의 예에는, 비스페놀형 에폭시 화합물, 페놀 노볼락형 에폭시 화합물, 크레졸 노볼락형 에폭시 화합물 등이 포함된다. 비스페놀형 에폭시 화합물의 예에는, 화학식 2로 표시되는 화합물이 포함된다. 하기 화학식 2에 있어서의 X, R1 및 P는, 화학식 1에 있어서의 X, R1 및 P와 마찬가지이다.
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페놀 유도체와 에피클로로하이드린을 모노머 성분으로서 포함하는 올리고머의 페놀 유도체의 예에는, 비스페놀, 수소화 비스페놀, 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락 등이 포함된다.
(D) 저분자량 에폭시 수지의 바람직한 예에는, 비스페놀형 에폭시 화합물, 또는 비스페놀과 에피클로로하이드린을 모노머 성분으로 하는 올리고머가 포함되고, 보다 바람직하게는 상기 화학식 1에 있어서 반복수 n이 2∼4인 올리고머이다. 이러한 올리고머는 고분자량 에폭시 수지와의 친화성이 높다.
한편, (D) 저분자량 에폭시 수지에 포함되는 반복 구조 단위는, (C) 고분자량 에폭시 수지에 포함되는 반복 구조 단위와 동일해도, 상이해도 좋다.
(D) 저분자량 에폭시 수지의 함유량은, (C) 고분자량 에폭시 수지, (B) 경화 촉진제, 및 후술하는 (E) 실레인 커플링제의 합계 100질량부에 대하여 1∼100질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼50질량부이다. (D) 저분자량 에폭시 수지의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 광 디바이스 면봉지용 조성물로 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 봉지하는 동안의 조성물의 유동성을 충분하게 할 수 있고, 또한 광 디바이스 면봉지용 조성물이 열경화성인 경우, 열경화성을 높일 수 있다.
(E) 에폭시기 또는 에폭시기와 반응 가능한 작용기를 갖는 실레인 커플링제
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물에는, 1) 에폭시기를 갖는 실레인 커플링제, 또는 2) 에폭시기와 반응 가능한 작용기를 갖는 실레인 커플링제를 포함할 수 있다. 에폭시기와 반응한다는 것은, 에폭시기와 부가 반응하는 것 등을 말한다. 실레인 커플링제를 포함하는 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 예컨대 유기 EL 용의 광 디바이스 면봉지 시트에 이용한 경우, 기판과의 밀착성이 높아진다. 또한, 에폭시기를 갖거나, 또는 에폭시기와 반응 가능한 작용기를 갖는 실레인 커플링제는, 광 디바이스 면봉지용 조성물 중에 에폭시 수지가 존재하는 경우에, 상기 수지와 반응한다. 따라서, 상기 실레인 커플링제는, 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물 중에 저분자량 성분이 남지 않는다고 하는 점에서도 바람직하다.
1) 에폭시기를 갖는 실레인 커플링제는, 글리시딜기 등의 에폭시기를 포함하는 실레인 커플링제이며, 그 예에는, γ-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인 등이 포함된다.
2) 에폭시기와 반응 가능한 작용기에는, 1급 아미노기, 2급 아미노기 등의 아미노기; 카복실기 등이 포함되는 것 외에, 에폭시기와 반응 가능한 작용기로 변환되는 기(예컨대, 메타크릴로일기, 아이소사이아네이트기 등)도 포함된다. 이러한 에폭시기와 반응 가능한 작용기를 갖는 실레인 커플링제의 예에는, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸다이메톡시실레인, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸트라이메톡시실레인, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸트라이에톡시실레인, 3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이에톡시실레인, 3-트라이에톡시실릴-N-(1,3-다이메틸-뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인 또는 3-(4-메틸피페라지노)프로필트라이메톡시실레인, 트라이메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, 및 γ-아이소사이아네이토프로필트라이에톡시실레인 등이 포함된다.
한편, 상기 실레인 커플링제와 함께, 그 밖의 실레인 커플링제도 이용할 수 있다. 그 밖의 실레인 커플링제의 예에는, 바이닐트라이아세톡시실레인, 바이닐트라이메톡시실레인 등이 포함된다. 이들 실레인 커플링제는, 1종 단독을 이용해도 좋고, 또한 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
실레인 커플링제의 분자량은 80∼800인 것이 바람직하다. 실레인 커플링제의 분자량이 800을 초과하면, 광 디바이스 면봉지용 조성물로 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 봉지할 때의 유동성이 충분하지 않아, 밀착성이 저하되는 경우가 있다.
실레인 커플링제의 함유량은, 광 디바이스 면봉지용 조성물 100질량부에 대하여 0.0001∼30질량부인 것이 바람직하고, 0.0005∼20질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.0008∼10질량부인 것이 더 바람직하다.
(F) 용제
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 전술한 (A)∼(E) 성분 등을 균일하게 혼합하는 점 등에서, 용제를 포함해도 좋다. 용제는, 특히 고분자량 에폭시 수지를 균일하게 분산 또는 용해시키는 기능을 갖는다. 용제는, 각종 유기 용제여도 좋고, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 용제; 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 아이소뷰틸 케톤 등의 케톤계 용제; 에터, 다이뷰틸 에터, 테트라하이드로퓨란, 다이옥세인, 에틸렌 글리콜 모노알킬 에터, 에틸렌 글리콜 다이알킬 에터, 프로필렌 글리콜 또는 다이알킬 에터 등의 에터류; N-메틸 피롤리돈, 다이메틸 이미다졸리딘온, 다이메틸폼알데하이드 등의 비양성자성 극성 용제; 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸 등의 에스터류 등이 포함된다. 특히, 고분자량 에폭시 수지를 용해시키기 쉬운 점에서, 메틸 에틸 케톤 등의 케톤계 용제(케토기를 갖는 용제)가 보다 바람직하다.
(G) 기타 임의 성분
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 발명의 효과를 손상하지 않는 범위로, 기타 수지 성분, 충전제, 개질제, 안정제 등의 임의 성분을 추가로 함유할 수 있다. 다른 수지 성분의 예에는, 폴리아마이드, 폴리아마이드이미드, 폴리우레탄, 폴리뷰타다이엔, 폴리클로로프렌, 폴리에터, 폴리에스터, 스타이렌-뷰타다이엔-스타이렌 블록 공중합체, 석유 수지, 자일렌 수지, 케톤 수지, 셀룰로스 수지, 불소계 올리고머, 실리콘계 올리고머, 폴리설파이드계 올리고머가 포함된다. 이들의 1종 단독을, 또는 복수종의 조합을 함유할 수 있다.
충전제의 예에는, 유리 비드, 스타이렌계 폴리머 입자, 메타크릴레이트계 폴리머 입자, 에틸렌계 폴리머 입자, 프로필렌계 폴리머 입자가 포함된다. 충전제는 복수종의 조합이어도 좋다.
개질제의 예에는, 중합 개시 조제, 노화 방지제, 레벨링제, 젖음성 개량제, 계면활성제, 가소제 등이 포함된다. 이들은 복수종을 조합하여 사용해도 좋다. 안정제의 예에는, 자외선 흡수제, 방부제, 항균제가 포함된다. 개질제는 복수종의 조합이어도 좋다.
한편, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은 피봉지재에 대한 수분의 영향을 억제하는 점에서, 수분 함유량이 0.1% 이하인 것이 바람직하고, 0.06% 이하인 것이 보다 바람직하다.
제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물
본 발명의 제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물에 포함되어도 좋은 열가소성 엘라스토머의 예에는, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리우레탄계 엘라스토머, 및 폴리에스터계 엘라스토머 등이 포함된다. 그 중에서도, 점착성이나 유연성을 조정하기 쉽다는 점에서, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머가 바람직하다.
폴리스타이렌계 엘라스토머에는, 스타이렌-아이소프렌-스타이렌 블록 공중합체(SIS), 스타이렌-에틸렌·뷰틸렌-스타이렌 블록 공중합체(SEBS), 스타이렌-에틸렌·프로필렌-스타이렌 블록 공중합체(SEPS), 다른 스타이렌·다이엔계 블록 공중합체 및 그의 수소 첨가물(수첨 스타이렌·뷰타다이엔 고무(HSBR) 등) 등이 포함된다. 스타이렌계 엘라스토머에는, JSR(주)제 다이나론(DYNARON)(등록상표) 등이 포함된다.
폴리올레핀계 엘라스토머에는, 결정성을 나타내는 폴리올레핀 블록과, 비결정성을 나타내는 모노머 공중합체 블록의 블록 공중합체가 포함된다. 그 구체예에는, 올레핀·에틸렌·뷰틸렌·올레핀 공중합체, 폴리프로필렌·폴리에틸렌 옥사이드·폴리프로필렌 블록 공중합체, 폴리프로필렌·폴리올레핀·폴리프로필렌 블록 공중합체가 포함된다. 시판되는 폴리올레핀계 엘라스토머에는, 미쓰이화학(주)(Mitsui Chemicals, Inc.)제 Notio(등록상표) 등이 포함된다.
제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물에 있어서의 열가소성 엘라스토머의 함유량은, 조성물 전체에 대하여 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 30질량% 이상인 것이 보다 바람직하다.
광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화성
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물이 열경화성인 경우(예컨대, 제 1 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물인 경우), 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화 속도는 어느 정도 높은 편이 바람직하다. 피열압착재와 접착할 때의 작업성을 높이기 위해서이다. 빠르게 경화된다는 것은, 예컨대, 가열 조건 하(80∼100℃)에서, 120분 이내에 경화되는 것을 말한다.
광 디바이스 면봉지용 조성물이 경화되었는지 여부는, 광 디바이스 면봉지용 조성물을 핫 플레이트 상에서 열경화시켜, 겔화되었는지 여부를 지촉(指觸)으로 확인하여 판단하면 된다. 또한, 광 디바이스 면봉지용 조성물이 경화되었는지 여부는, 에폭시기의 전화율로부터 구해도 좋다. 에폭시기의 전화율은, 경화 반응시키기 전과 경화 반응시킨 후의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 IR 스펙트럼을 각각 측정하여, 해당 IR 스펙트럼의 에폭시기의 감소율로부터 구할 수 있다. 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화성은, 경화 촉진제의 함유량을 조절하는 것에 의해 제어된다.
광 디바이스 면봉지용 조성물의 제조방법
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 한, 임의의 방법으로 제조될 수 있다. 예컨대, 제 1 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 시트는, 1) (A)∼(E) 성분을 준비하는 공정과, 2) (A)∼(E) 성분을, (F) 성분에 용해시켜 30℃ 이하로 혼합하는 공정과, 3) 기판 상에 당해 혼합물을 시트상으로 도포하는 공정과, 4) 시트상으로 도포된 혼합물을 건조하는 공정을 포함하는 방법으로 제조할 수 있다.
2)의 공정에서는, (A)∼(E) 성분을 한번에 혼합해도 좋고, (F) 성분에 (A) 성분을 용해 및 혼합한 후, 다른 성분을 첨가하여 혼합해도 좋다. 혼합은, 이들 성분을 플라스크에 장입하여 교반하는 방법이나, 3본 롤로 혼련하는 방법이 포함된다.
2)의 공정에서 얻어지는 혼합물의 25℃에서의 점도는, 0.01∼100Pa·s인 것이 바람직하다. 혼합물의 점도를 상기 범위로 함으로써, 도공성을 높여 시트로의 성형을 용이하게 할 수 있다. 상기 점도는, E형 점도계(도키산업(Toki Sangyo Co., Ltd.)제 RC-500)에 의해서 25℃에서 측정되는 값이다. 혼합물의 점도는, (E) 성분의 양 등으로 조정할 수 있다.
3)의 공정에서의 도포 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 스크린 인쇄, 디스펜서, 각종 도포 롤을 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 기재 필름의 종류는, 특별히 제한은 없고, 예컨대 공지된 이형 필름 등을 이용할 수 있다. 또한, 혼합물의 도포 두께는, 목적으로 하는 광 디바이스 면봉지용 조성물의 막 두께에 따라 적절히 선택되고, 건조 후의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 막 두께가, 예컨대 1∼100㎛가 되도록 설정할 수 있다.
또한, 4)의 공정에서의 건조 온도 및 건조 시간은, 광 디바이스 면봉지용 조성물에 포함되는 (C) 고분자량 에폭시 수지나 (D) 저분자량 에폭시 수지가 경화되지 않고서, (F) 용제를 원하는 양 이하로 될 때까지 건조 제거할 수 있는 정도로 설정되면 된다. 건조 온도는 예컨대 20∼70℃이며, 건조 시간은 예컨대 10분∼3시간 정도이다. 구체적으로는, 도막을, 질소 분위기 등의 불활성 가스 분위기 하, 30∼60℃에서 10분간 정도 건조한 후, 추가로 2시간 정도 진공 건조하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 진공 건조를 추가로 행함으로써, 비교적 낮은 건조 온도에서, 상기 시트에 포함되는 용제나 수분을 제거할 수 있다. 건조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 열풍 건조, 진공 건조 등이 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시형태의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 시트는, 소정의 열가소성 엘라스토머를 포함하는 조성물을, 통상 이용되는 방법(예컨대 용융 압출법)으로 성형함으로써 얻을 수 있다.
2. 봉지 시트
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물을 포함하는 시트를 봉지 시트라고 한다. 예컨대, 본 발명의 봉지 시트는, 기재 필름과, 해당 기재 필름 상에 형성된, 전술한 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과, 필요에 따라 해당 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층 상에 형성되는 보호 필름을 포함한다. 또한, 후술하는 기재(H)나 기재(L)과의 접착력을 향상시키기 위해, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층의 표면에, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지층을 추가로 설치하는 태양도 바람직하다. 즉, 상기 기재 필름과 보호 필름 사이에, 열경화성 수지층/본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층/열경화성 수지층을 배치하는 태양도 바람직하다.
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층의 함수율은, 피봉지재에 대한 수분의 영향을 억제하는 점에서, 0.1% 이하인 것이 바람직하고, 0.06% 이하인 것이 보다 바람직하다. 특히, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스는, 수분에 의해 열화되기 쉽기 때문에, 본 발명의 조성물로 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 시일하는 경우에는, 가능한 한 상기 함수율을 저감하는 것이 바람직하다. 광 디바이스 면봉지용 조성물의 함수율은, 예컨대 광 디바이스 면봉지용 조성물을 진공 하 가열 건조하는 것 등에 의해 저감할 수 있다.
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 함수율은, 예컨대, 상기 시트의 시료편을 약 0.1g 계량하고, 칼 피셔 수분계를 이용하여 150℃로 가열하고, 그 때에 발생하는 수분량을 측정하는 것에 의해 구할 수 있다(고체 기화법).
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층의 두께는, 피봉지재의 종류에도 따르지만, 예컨대 1∼100㎛이고, 바람직하게는 10∼30㎛이며, 더 바람직하게는 20∼30㎛이다.
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층은, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 면봉지하는 온도에서 적절한 유동성을 갖는 것이 바람직하다. 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 봉지할 때에, 가열에 의해 유동화된 시트를 소자 표면의 요철에 원활하게 충전하여 간극을 배제하기 위해서이다. 열압착 시의 유동성은 용융점으로 판단될 수 있다. 용융점이란, 상기 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층을 가열했을 때에 유동성을 발현하는 온도이며, 바람직하게는 30∼100℃이다. 한편, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물이 상기 (E) 용매를 포함하는 경우는, 상기 조성물을 건조시켜 (E) 용매를 거의 제거한 후의 건조물에대한 용융점을 말한다.
용융점은, 핫 플레이트에 놓은 유리판 상에, 상기 시트(두께 100㎛)를 압압(押壓)하여, 상기 시트가 용융되기 시작하는 설정 온도를 찾는 것에 의해 구해진다. 용융점이 30℃ 미만이면, 열전사(열압착)할 때 또는 열경화하여 봉지할 때에, 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층의 유동성이 지나치게 커져 늘어짐(sagging)이 생기기 쉬워져, 경화물의 막 두께의 관리가 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 용융점이 100℃를 초과하면, 열전사할 때의 작업성이 나빠지기 때문에, 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과 유기 EL 소자 등의 광 디바이스 사이에 간극이 형성되기 쉬워질 우려가 있고, 또한 가열에 의해 유기 EL 소자 등의 광 디바이스에 악영향을 줄 우려도 있다.
이러한 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층은, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스와 접합하여 열압착할 때에, 적절한 유동성을 갖는다. 이 때문에, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과 유기 EL 소자 등의 광 디바이스 사이에 간극이 형성되는 것을 억제하여, 양호한 밀착성을 얻을 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 봉지 시트는, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과, 기재 필름이나 보호 필름을 포함할 수 있다. 기재 필름이나 보호 필름의 예에는, 공지된 이형 필름이 포함되고, 바람직하게는 수분 배리어성 또는 가스 배리어성을 갖는 필름 등이며, 보다 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프탈레이트이다. 기재 필름 또는 보호 필름의 두께는, 필름 재질에도 따르지만, 유기 EL 소자 등의 피봉지재에의 추종성을 갖는 점 등에서, 예컨대 50㎛ 정도이다.
본 발명의 봉지 시트는, 필요에 따라, 가스 배리어층을 추가로 가져도 좋다. 가스 배리어층은, 외기 중의 수분 등, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 열화시키는 수분이나 가스의, 디스플레이 내로의 투과를 억제할 수 있다. 이러한 가스 배리어층은, 유기 EL 소자 등의 광 디바이스와 접하는 면 이외이면, 어디에 배치되어도 좋지만, 바람직하게는 기재 필름과 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층 사이에 배치된다.
가스 배리어층을 구성하는 재료는, 특별히 제한되지 않고, 그 예에는 Al, Cr, Ni, Cu, Zn, Si, Fe, Ti, Ag, Au, Co; 이들 금속의 산화물; 이들 금속의 질화물; 이들 금속의 산화질화물 등이 포함된다. 이들 재료는, 1종 단독으로 이용되어도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 또한, 보텀 에미션(bottom emission) 방식의 유기 EL 소자의 봉지에 이용되는 봉지 시트의 가스 배리어층은, 광 반사율이 높은 재료인 것이 바람직하고, 예컨대 Al, Cu 등이다. 톱 에미션 방식의 유기 EL 소자의 봉지에 이용되는 봉지 시트의 가스 배리어층은, 광 투과율이 높은 재료인 것이 바람직하고, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 환상 폴리올레핀(COP) 등이다. 가스 배리어층의 두께는 100∼3000㎛ 정도로 할 수 있다.
가스 배리어층을 갖는 봉지 시트는, 기재 필름 상에 가스 배리어층을 형성한 후, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층을 형성하여 제조할 수 있다. 가스 배리어층의 형성 방법은, 특별히 제한되지 않고, 건식 프로세스로서는, 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 각종 PVD법과, 플라즈마 CVD 등의 CVD법이 포함되고, 습식 프로세스로서는, 도금법, 도포법 등이 포함된다.
상기 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층 상에, 추가로 보호 필름을 라미네이트하는 것이 바람직하다. 라미네이트는, 예컨대 라미네이터를 이용하여 60℃ 정도에서 행하는 것이 바람직하다. 보호 필름의 두께는 예컨대 20㎛ 정도이다.
도 1은 봉지 시트의 구성의 바람직한 일례를 나타내는 도면이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 봉지 시트(10)는, 기재 필름(12)과, 해당 기재 필름(12) 상에 형성되는 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층(16)과, 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층(16) 상에 배치되는 보호 필름(18)을 갖는다.
이러한 봉지 시트(10)는, 예컨대, 보호 필름(18)을 벗긴 후, 노출되는 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층(16)을, 유기 EL 소자가 배치된 표시 기판과 접하도록 배치하여 유기 EL 소자 면봉지용 시트로서 이용할 수 있다.
본 발명의 봉지 시트는, 함수율을 일정 이하로 유지하기 위해, 실리카 겔 등의 건조제와 함께 보관하는 것이 바람직하다.
3. 광 디바이스 면봉지용 조성물의 용도
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물이나 봉지 시트는, 광 디바이스 면봉지용 조성물이 열경화성을 갖는 경우는, 경화시키는 것에 의해 면봉지재로서 이용할 수 있다. 한편, 광 디바이스 면봉지용 조성물이 열경화성을 갖지 않는 경우는, 그 자체를 면봉지재로서 이용할 수 있다. 시일되는 대상(피봉지재라고도 한다)은, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 광 디바이스가 바람직하다. 광 디바이스의 예에는, 유기 EL 소자, 액정, LED 등이 포함되고, 바람직하게는 유기 EL 소자이다.
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물이나 봉지 시트는, 광 디바이스를 이용한 디스플레이(특히 유기 EL 디스플레이)의 면봉지재; 즉, 유기 EL 소자 면봉지용 조성물 또는 유기 EL 소자 면봉지용 시트로서 이용되는 것이 바람직하다. 톱 에미션형의 유기 EL 디스플레이로부터의 광 취출성의 관점에서, 그 면봉지재에는 투명성이 요구된다. 또한, 유기 EL 소자는, 수분에 의해서 용이하게 열화되기 때문에, 그 면봉지재에는, 특히 투습도가 낮을 것이 요구된다.
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물의 투습도는, 60(g/m2·24h) 이하인 것이 바람직하고, 30(g/m2·24h) 이하인 것이 보다 바람직하다. 투습도는, 100㎛의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물을, JIS Z0208에 준하여 60℃ 90% RH 조건에서 측정하는 것에 의해 구해진다.
또한, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물과 피봉지재의 접착력은, 100gf/15mm 이상인 것이 바람직하다.
경화물과 피봉지재의 접착력은, 이하의 방법으로 측정된다. 알루미늄박과 PET를 접합한 필름(제품명: 알페트(AL-PET))의 알루미늄박측에, 광 디바이스 면봉지용 조성물(두께 약 15㎛)을 도공·건조로 형성한다. 또한, 광 디바이스 면봉지용 조성물의 표면을, 유리 기판(JIS R3202 준거 유리, 100mm×25mm×2mm)에, 롤 라미네이터(M·C·K사제, MRK-650Y형)를 이용하여, 속도 0.3m/min, 에어 실린더 가압 압력 0.2MPa, 롤러 온도 90℃ 상하 가열의 조건에서 열압착한다. 이 적층체를, 오븐으로 80℃에서 30분간 가열하여, 광 디바이스 면봉지용 조성물을 경화시킨다. 그 후, 적층체를 폭 15mm로 절단하고, 유리 기판과 광 디바이스 면봉지용 조성물의 90도 박리 강도를, 박리 시험기(장치명: STOROGRAPH E-S, 레인지(range) 50mm/min)로 측정한다. 본 발명에서는, 이 90도 박리 강도를 상기 접착력으로 한다.
또한, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물의 Tg는, 접착력을 유지하는 관점에서 40℃ 이상인 것이 바람직하다. Tg가 지나치게 낮으면 기판과의 접착력이 저하되어, 수증기 배리어성이 저하될 것이 우려된다. 경화물의 Tg는, TMA(세이코인스트루먼츠사(Seiko Instruments Inc.)제의 TMA/SS6000)를 이용하여, 승온 속도 5℃/분의 조건에서 선팽창 계수를 측정하여, 그 변곡점으로부터 구해진다.
또한, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 조성물 전체 성분에 대한 용제의 함유량이 50000질량ppm 이하, 바람직하게는 30000질량ppm 이하인 것이 바람직하다. 광 디바이스 면봉지용 조성물 중의 용제 함유량이 많으면, 용제가 피봉지재에 영향을 줄 가능성이 있다. 광 디바이스 면봉지용 조성물 중의 용제량은, 예컨대 IR 흡수 스펙트럼 측정 장치(닛폰분광사(JASCO Corporation)제 FT/IR-4100)를 이용하여 측정할 수 있다. 용제로서 메틸 에틸 케톤(MEK)을 포함하는 경우를 예로, 용제량의 측정 방법을 설명한다.
미리, 가스 크로마토그래피/질량 분석법(GC-MS)으로 용제량을 정량한 표준 샘플(광 디바이스 면봉지용 조성물)을 준비하고, 이 표준 샘플에 대하여 IR 흡수 스펙트럼 측정을 행한다. 표준 샘플의 IR 흡수 스펙트럼으로부터, 에폭시 수지의 C=C 흡수 피크(약 1609cm-1)에 대한 MEK의 C=O 흡수 피크(약 1710cm-1)의 강도비를 산출한다. 계속해서, 측정 샘플(광 디바이스 면봉지용 조성물)에 대하여 IR 흡수스펙트럼 측정을 행하여, 에폭시 수지의 C=C 흡수 피크(약 1609cm-1)에 대한 MEK의 C=O 흡수 피크(약 1710cm-1)의 강도비를 산출한다. 표준 샘플의 피크 강도비에 대한 측정 샘플의 피크 강도비의 비율을 구하여, 측정 샘플 중에 포함되는 용제량을 산출한다.
4. 디스플레이
디스플레이는, 예컨대 유기 EL 소자 등의 광 디바이스가 배치된 기판(표시 기판)과; 표시 기판과 짝이 되는 대향 기판과; 표시 기판과 대향 기판 사이에 존재하고, 상기 유기 EL 소자 등의 광 디바이스를 봉지하는 면봉지재를 갖는다. 전술한 바와 같이, 면봉지재가, 예컨대 유기 EL 소자 등의 광 디바이스와 봉지 기판 사이에 형성되는 공간의 적어도 일부에 충전되어 있는 것을, 면봉지형 디스플레이라고 한다.
이하, 디스플레이의 일례로서, 유기 EL 디스플레이에 있어서의 유기 EL 소자의 봉지에, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물을 이용하는 경우에 대하여 설명하지만, 본 발명의 디스플레이는 유기 EL 디스플레이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 톱 에미션 구조에 있어서의 유기 EL 소자의 봉지에, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물을 이용한 경우에 대하여 설명하지만, 본 발명의 디스플레이는 톱 에미션 구조의 것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 있어서의 디스플레이는, 컴퓨터 등의 출력 장치뿐만 아니라, 조명 등의 발광 장치도 포함한다.
도 2는, 톱 에미션 구조이고 면봉지형인 유기 EL 디스플레이를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 디스플레이(20)는, 표시 기판(22)과, 유기 EL 소자(24)와, 대향 기판(투명 기판)(26)이 이 순서로 적층되어 있고, 유기 EL 소자(24)의 주위와 대향 기판(투명 기판)(26) 사이에 면봉지재(28)가 충전되어 있다. 본 발명의 유기 EL 디스플레이에서는, 도 2에 있어서의 면봉지재(28)가, 전술한 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물 또는 열압착물이 될 수 있다.
유기 EL 소자(24)는, 표시 기판(22)측으로부터, 캐쏘드 반사 전극층(30)(알루미늄이나 은 등으로 이루어진다), 유기 EL층(32) 및 애노드 투명 전극층(34)(ITO나 IZO 등으로 이루어진다)이 적층되어 있다. 캐쏘드 반사 전극층(30), 유기 EL층(32) 및 애노드 투명 전극층(34)은, 진공 증착 또는 스퍼터 등에 의해 성막되어도 좋다.
다음으로, 유기 EL 디스플레이에 이용되는 기판에 대하여 설명한다. 후술하는 기판(H), 기판(L)은, 각각 전술한 표시 기판이나 대향 기판이 될 수 있는 것이지만, 모두가 본 발명의 유기 EL 디스플레이의 기판에 사용되고 있다. 구체적으로는, 기판(H)가 표시 기판, 기판(L)이 대향 기판이라는 조합이나, 기판(H)가 대향 기판, 기판(L)이 표시 기판이라는 조합으로, 본 발명의 유기 EL 디스플레이는 구성된다.
기판(H)
기판(H)는, 그 표면에 유기 EL 소자가 배치될 수 있는 부재이다. 기판(H)는, 투명해도 비투명해도 좋지만, 기판(H)를 통해서 유기 발광층으로부터의 광을 취출할 때는 투명하다.
기판(H)의 선팽창 계수는, 기판(L)의 선팽창 계수보다도 크고, 구체적으로는 기판(L)의 선팽창 계수보다도 5×10-6cm/cm/℃ 이상 커도 좋다.
기판(H)의 선팽창 계수는, 20×10-6cm/cm/℃∼200×10-6cm/cm/℃여도 좋고, 바람직하게는 20×10-6cm/cm/℃∼180×10-6cm/cm/℃일 수 있다. 기판(H)의 선팽창 계수의 측정은, ASTM E-831에 준거되어, 예컨대 TMA법에 의해서 측정할 수 있다. 기판(H)의 선팽창 계수는, 25∼100℃의 범위에서의 선팽창 계수의 평균치로 한다.
기판(H)의 두께는 5∼300㎛인 것이 바람직하다. 또한, 기판(H)의 인장 탄성률은 10∼500MPa인 것이 바람직하다.
기판(H)의 구체적인 재질은, 특별히 한정되지 않지만, 알루미늄을 포함하는 금속(바람직하게는 알루미늄) 또는 수지인 것이 바람직하고; 바람직한 수지의 예에는, 에스터 (공)중합체, 환상 올레핀 (공)중합체, 4-메틸-1-펜텐 (공)중합체, 아크릴 (공)중합체, 폴리카보네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상의 폴리머가 포함된다.
본 발명에 있어서의 (공)중합체란, 호모폴리머와 코폴리머의 양쪽을 포함한다. 구체적으로는, 4-메틸-1-펜텐 (공)중합체는, 4-메틸-1-펜텐의 호모폴리머인 폴리4-메틸-1-펜텐과, 4-메틸-1-펜텐과 공중합 가능한 화합물, 예컨대 α-올레핀과의 공중합체(코폴리머)의 양쪽을 포함한다. 또한, 환상 올레핀 (공)중합체는, 환상 올레핀만의 중합체(호모폴리머)와, 환상 올레핀과 환상 올레핀과 공중합 가능한 중합성 화합물의 공중합체(코폴리머)의 양쪽을 포함한다.
또한, 기판(H)의 수증기 배리어성이나 접착력을 향상시키기 위해, SiO2 등의 무기 재료로 이루어지는 막을 기판(H)에 적층해도 좋다.
기판(L)
유기 EL 디스플레이에 있어서, 기판(L)은, 면봉지재 상에 적층된 기판이다. 기판(L)의 선팽창 계수는, 기판(H)의 선팽창 계수보다 낮고, 보다 구체적으로는 기판(H)의 선팽창 계수보다도 5×10-6cm/cm/℃ 이상 낮아도 좋다. 기판(L)의 선팽창 계수는, 1×10-6cm/cm/℃∼100×10-6cm/cm/℃의 범위에 있는 것이 바람직하고, 5×10-6cm/cm/℃∼10×10-6cm/cm/℃의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다.
기판(L)의 구체적인 재질은, 특별히 한정되지 않지만, 유리, 실리콘 등의 무기 재료나; 에스터 공중합체(PET, PEN, PBT 등), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리아마이드 등의 수지이며, 바람직하게는 유리, 실리콘 등의 무기 재료이다.
기판(L)의 두께는, 유기 EL 디스플레이의 박화나 내구성의 관점에서, 0.1∼1mm인 것이 바람직하다.
5. 디스플레이의 제조방법
본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물(유기 EL 소자에 이용하는 경우는, 유기 EL 소자 면봉지용 조성물이라고도 한다)의 경화물이나 상기 조성물 자체를 면봉지재로 하는 디스플레이는, 임의의 방법으로 제조될 수 있다. 광 디바이스를 이용한 디스플레이는, 적어도 1) 예컨대 유기 EL 소자 등의 광 디바이스가 배치된 기판과, 상기 광 디바이스 상에 적층된 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과, 다른 기판을 이 순서로 갖는 적층체를 얻는 공정과, 2) 적층체를, 예컨대 50∼110℃에서 가열하는 공정을 거쳐 제조될 수 있다.
본 발명의 디스플레이의 제조방법에 있어서, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물의 형태는, 특별히 제한되지 않고, 액상이어도 시트상이어도 좋다. 또한, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물은, 열경화성을 갖고 있어도 좋고, 열경화성을 갖고 있지 않아도 좋다.
이하, 열경화성을 갖는 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물을 이용하여 유기 EL 디스플레이를 제조한 경우에 대하여 설명한다.
구체적으로는, 1) 광 디바이스의 하나인 유기 EL 소자(24)가 배치된 표시 기판(22), 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물, 및 대향 기판(투명 기판)(26)의 적층체를 얻는 공정, 2A) 얻어진 적층체의 상기 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을 열압착시키는 공정, 2B) 열압착시킨 상기 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을 경화시키는 공정을 거쳐 제조될 수 있다. 2A)와 2B)의 공정은, 필요에 따라 하나의 공정에서 동시에 행할 수도 있다. 각 공정은, 공지된 방법에 준하여 행하면 된다.
1)의 공정에서는, 유기 EL 소자(24)가 배치된 표시 기판(22) 상에, 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을 재치(또는 전사)한 후; 해당 조성물 상에, 짝이 되는 대향 기판(투명 기판)(26)을 중첩시켜 적층체를 얻어도 좋다((i)의 방법).
이 경우, 보호 필름을 갖는 본 발명의 봉지 시트의 보호 필름을 벗기고, 노출된 상기 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층을 유기 EL 소자(24) 상에 놓은 후, 기재 필름을 벗겨 전사해도 좋고; 보호 필름을 갖지 않는 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을 직접 유기 EL 소자(24) 상에 롤 라미네이터 등에 의해 놓아도 좋다.
또는, 미리 대향 기판(26) 상에, 본 발명의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층을 배치한 것을 준비해 두고; 유기 EL 소자(24)가 형성된 표시 기판(22)에 접합하여 적층체를 얻어도 좋다((ii)의 방법). 이 방법은, 예컨대 광 디바이스 면봉지용 조성물의 기재 필름을 박리하지 않고서, 그대로 유기 EL 디스플레이에 조립하는 경우에 유효하다.
2A)의 공정에서는, 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을, 진공 라미네이터 장치를 이용하여, 예컨대 50∼110℃에서 열압착시키는 것에 의해, 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물과 유기 EL 소자(24)의 열압착, 및 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물과 표시 기판(22) 또는 대향 기판(26)의 열압착을 행한다. 이 때, 유기 EL 소자측을 미리 50∼110℃로 가열하여, 유기 EL 소자(24)와 광 디바이스 면봉지용 조성물을 접합하는 것이 바람직하다.
2B)의 공정에서는, 예컨대 80∼100℃의 경화 온도에서 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을 완전 경화시키는 경우가 많다. 가열 경화는, 80∼100℃의 온도에서 0.1∼2시간 정도 행하는 것이 바람직하다. 한편, 가열 경화시킬 때의 온도를 110℃ 이하로 하는 것은, 유기 EL 소자(24)에 손상을 주지 않기 위해서이다.
본 발명의 디스플레이의 휨 억제에 대하여
본 발명의 디스플레이는, 기판(H)와 기판(L)의 선팽창 계수의 차가 큼에도 불구하고, 열경화성을 갖는 면봉지용 조성물을 열경화, 또는 열경화성을 갖지 않는 면봉지용 조성물을 열압착시켜 면봉지재를 형성하는 것에 의해 생기는 디스플레이의 휨을 억제한다.
이 휨 억제 메커니즘을, 도 3a∼c를 참조하여 설명한다. 도 3a는, 디스플레이의 제조 프로세스에 있어서의, 기판(H)와, 열경화성을 갖는 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과, 기판(L)을 갖는, 열경화 전의 적층체를 나타내는 도면이다. 한편, 도 3a∼c에서는, 예컨대 유기 EL 소자 등의 광 디바이스는 생략되어 있다.
도 3a에는, 전술한 바와 같이, 기판(H)와, 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과, 기판(L)이 적층된 적층체가 나타내어진다. 면봉지용 조성물로 이루어지는 층의 두께를 D1로 한다. 또한, 적층체의 폭을 L1로 한다.
도 3b는, 도 3a에 나타낸 적층체를 가열하여, 면봉지용 조성물로 이루어지는 층을 경화시키는 상태를 나타내는 도면이다. 기판(H)의 팽창률이 크기 때문에, 가열 중에 기판(H)는 팽창하여, 그 폭이 L2로 된다. 한편으로, 기판(L)의 팽창률은 낮기 때문에, 가열 중에 기판(L)은 팽창되기 어려워, 그 폭 L1'은 L1로부터 그다지 변화되지 않는다. 또한, 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 층의 두께는 D2가 되고(D2<D1), 열경화성 수지 조성물층의 측면의 길이는 D3이 된다(D1<D3).
도 3c는, 도 3b에서 가열된 종래의 적층체를 냉각한 상태를 나타내는 도면이다. 종래의 면봉지용 조성물의 경화물은, 통상, 면봉지하는 온도에서의 저장 탄성률이 높기 때문에, 그 형상을 유지하고자 한다. 그 때문에, 기판(H)의 중앙부를 오목부로 하여, 적층체에 휨이 생긴다. 이렇게 하여, 종래의 디스플레이, 특히 유기 EL 디스플레이에는 휨이 생기는 경우가 있었다.
이에 반하여 본 발명에서는, 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여 측정한 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa인 광 디바이스 면봉지용 조성물을 이용한다. 이와 같이, 본 발명의 면봉지용 조성물의 경화물은, 면봉지하는 온도에서의 저장 탄성률이 저감되어 있다. 즉, 유기 EL 소자를 면봉지하는 온도에서, 조성물의 경화물(면봉지재)에 일정한 유연성을 부여할 수 있기 때문에, 선팽창 계수가 큰 기판(H)와 선팽창 계수가 작은 기판(L) 사이에 생기는 응력을 적절히 완화할 수 있다. 그에 의해, 얻어지는 디스플레이가, 전술한 메커니즘으로 휘는 것을 막을 수 있다.
실시예
이하에서, 실시예 및 비교예를 참조하여 본 발명을 더 설명한다. 본 발명의 기술적 범위는, 이들에 의해서 한정되어 해석되지 않는다.
1. 면봉지용 조성물의 재료
우선, 실시예 및 비교예에서 사용한 각 성분을 나타낸다. 한편, (A) 성분의 중량 평균 분자량은, 전술한 방법에 의해 측정한 실측치를 기재한다. 또한, 실시예에서는, 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을 이용하고 있지만, 본 발명의 조성물은, 시트상에 한정되지 않고, 액상이어도 좋다.
원료로서 이용한 에폭시 수지의 저장 탄성률 G'E(80)은, 이하의 방법으로 제작한 경화물의, 후술하는 (3) 저장 탄성률에 기재된 방법으로 측정되는 저장 탄성률 G'E(80)이다.
(저장 탄성률 G'E(80)의 측정 방법)
1) 원료로서의 에폭시 수지 70중량부, 산 무수물(리카시드 MH700G(주성분: 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 신닛폰리카(주)제)) 30중량부, 경화 촉진제(IBMI12(1-아이소뷰틸-2-메틸이미다졸, 미쓰비시화학사제)) 1중량부, 경화 촉진제(2E4MZ(1-사이아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸), 시코쿠화성제) 1중량부를 혼합하여 바니쉬를 조제했다.
2) 한편, 유리판/이형 필름/스페이서(500μ 두께)/이형 필름/유리판 스페이서의 적층체를 제작했다. 그리고, 얻어진 적층체의 중앙부를, 1.5센티미터×1.5센티미터의 정방형의 오목부가 만들어지도록 도려내어, 경화용 기구를 얻었다.
3) 얻어진 기구의 오목부에, 상기 1)에서 조제한 바니쉬를 봉입하고, 유리판의 자중으로, 바니쉬의 두께를 500μ으로 조정했다. 바니쉬를 봉입한 기구를 80℃에서 1시간∼3시간, 이형 필름에 대한 끈적거림이 없어질 때까지 가열하여 경화시켰다.
4) 얻어진 가요성 에폭시 수지 조성물의 경화물의, 80℃에서의 저장 탄성률 G'E(80)을, 후술하는 「(3) 저장 탄성률 방법」에 기재된 방법으로 측정했다.
(A) 가요성 에폭시 수지
EG-250(오사카가스케미칼사(Osaka Gas Chemicals Co., Ltd.)제): 에폭시 당량 417g/eq, 점도 36500mPa·s, 저장 탄성률 G'E(80) 3.4×105Pa, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지
EG-280(오사카가스케미칼사제): 에폭시 당량 467g/eq, 점도 7440mPa·s, 저장 탄성률 G'E(80) 1.2×105Pa, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지
BPO-20E(신닛폰리카사제): 비스페놀 A 비스(트라이에틸렌 글리콜 글리시딜 에터)에터, 분자량 457, 에폭시 당량 310∼340g/eq, 점도 3500∼5500mPa·s, 저장 탄성률 G'E(80) 2.8×104Pa
Figure pct00004
(상기 식의 nd1과 nd2는 0 이상의 정수이고 합계가 2이다)
BPO-60E(신닛폰리카사제): 비스페놀 A 비스(프로필렌 글리콜 글리시딜 에터)에터, 분자량 541, 에폭시 당량 345∼385g/eq, 점도 800∼1600mPa·s, 저장 탄성률 G' E(80) 5.4×104Pa
Figure pct00005
(상기 식의 nd3과 nd4는 0 이상의 정수이고 합계가 6이다)
(B) 경화 촉진제
IBMI12(1-아이소뷰틸-2-메틸이미다졸)(미쓰비시화학사(Mitsubishi Chemical Corporation)제)
(C) 고분자량 에폭시 수지
<비스페놀 F형 에폭시 수지>
jER4010(미쓰비시화학사제): 중량 평균 분자량 39102, 에폭시 당량 4400g/eq
jER4005(미쓰비시화학사제): 중량 평균 분자량 7582, 에폭시 당량 1070g/eq
jER4007(미쓰비시화학사제): 에폭시 당량 2270g/eq
(D) 저분자량 에폭시 수지
<비스페놀 F 형 에폭시 수지>
YL983U(미쓰비시화학사제): 중량 평균 분자량 398, 에폭시 당량 170g/eq, 저장 탄성률 G'E(80) 2.2×106Pa
jER807(미쓰비시화학사제): 중량 평균 분자량 229, 에폭시 당량 175g/eq, 저장 탄성률 G'E(80) 2.1×106Pa
(E) 실레인 커플링제
KBM-403(3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인 분자량 236)(신에츠화학공업사(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)제)
(F) 용제
메틸 에틸 케톤
[실시예 1]
플라스크에, (A) 가요성 에폭시 수지로서 0.3중량부의 EG-280과, (C) 고분자량 에폭시 수지로서 0.6질량부의 jER4010과, (D) 저분자량 에폭시 수지로서 0.1질량부의 jER807을 투입하고, 이것에 (F) 용제로서 0.67질량부의 메틸 에틸 케톤을 가하고, 실온에서 교반 용해시켰다. 이 용액에, (B) 경화제로서 0.06질량부의 IBMI12와, (E) 실레인 커플링제로서 0.001질량부의 KBM-403을 첨가하고 실온에서 교반하여, 에폭시 수지 조성물의 바니쉬를 조제했다.
조제한 바니쉬를, 도공기를 이용하여, 이형 처리된 PET 필름(데이진 듀퐁 필름사(Teijin Dupont Films Japan Ltd.)제 퓨렉스(PUREX) A53, 38㎛) 상에, 건조 두께가 약 20㎛가 되도록 도공하고, 진공 하 40℃에서 2시간 건조시켜, 실온(약 25℃)에서 고형인 광 디바이스 면봉지용 조성물을 얻었다. 한편, 상기 조성물의 용제 잔존량은 212ppm이었다. 또한, 광 디바이스 면봉지용 조성물 상에, 보호 필름으로서 이형 처리한 PET 필름(데이진 듀퐁 필름사제 퓨렉스 A31)을 열압착하여, 광 디바이스 면봉지 시트를 얻었다. 한편, 보호 필름은 적절히 벗겨, 광 디바이스 면봉지용 조성물 표면을 노출시켜 사용한다.
[실시예 2∼7, 비교예 1∼2]
표 1에 나타내는 바와 같은 조성 비율(질량비)로 한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 에폭시 수지 조성물의 바니쉬를 조제하여, 광 디바이스 면봉지 시트를 얻었다.
[실시예 8]
열가소성 엘라스토머(타프머(TAFMER) A4085, 미쓰이화학주식회사제)를 220℃에서 용융하고, T 다이로부터 압출 성형하여, 두께 400㎛의 시트를 얻었다. 다음으로, 얻어진 시트의 양면에, 비교예 1의 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물(두께 40㎛)을 65℃에서 열압착하여, 광 디바이스 면봉지용 조성물의 적층 시트(총 두께: 480㎛)를 얻었다. 얻어진 적층 시트를, 후술하는 (3) 저장 탄성률에 기재된 측정 방법으로 저장 탄성률 G'(80)을 측정한 결과, 1.0×105Pa·s였다. 또한, 후술하는 (4) 휨 평가의 방법으로 휨량을 평가한 바, 1.6mm였다.
실시예 1∼7 및 비교예 1∼2에서 얻어진 광 디바이스 면봉지용 조성물의, MEK 잔존량, 용융점, 경화물의 Tg, 경화물의 저장 탄성률, 및 패널의 휨을, 이하의 방법으로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(1) 용융점
기재 필름(데이진 듀퐁 필름 주식회사제, 상품명: A53, 두께: 38㎛)에, 전술한 바니쉬를, 건조 후의 두께가 약 15㎛로 되도록 어플리케이터로 도공했다. 얻어진 필름을, 불활성 오븐(30℃) 중에서 10분간 유지하고, 계속해서 진공 오븐(40℃) 중에서 2시간 유지하여, 바니쉬 도공막 중의 MEK를 건조 제거하여, 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층이 형성된 봉지 시트를 얻었다.
건조 후의 봉지 시트를, 길이 약 40mm, 폭 약 5mm의 단책상으로 잘라내어, 단책상 시험편으로 했다. 그리고, 핫 플레이트 상에서 가열된 유리판에, 단책상 시험편의 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층이 밀착하도록 배치하고, 단책상 시험편의 길이 방향의 일단을 쥐고, 유리판의 표면으로부터 180℃ 방향으로 서서히 박리시켜, 점착 박리성을 평가했다. 이 조작을, 핫 플레이트의 설정 온도 35℃로부터 시작하여, 설정 온도를 1℃씩 높이면서 70℃(용융점이 확인될 수 있는 온도)까지 행했다. 설정 온도를 1℃씩 높일 때마다, 새로운 단책상 시험편을 이용했다. 그리고, 박리 시의 광 디바이스 면봉지용 조성물층의 점착 박리성이 가장 커지는 온도를 용융점으로 했다.
(2) Tg
소정의 크기로 잘라낸 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물(두께 12㎛)을, 2장의 유리판으로 끼운 후, 100℃에서 30분간 열경화하여 접착시켰다. 다음으로, 유리판을 벗겨, 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물의 경화물을 취출하여, TMA(세이코인스트루먼츠사제의 TMA/SS6000)를 이용하여, 승온 속도 5℃/분의 조건에서 선팽창 계수를 측정하여, 그 변곡점으로부터 Tg를 구했다.
(3) 저장 탄성률
60℃로 설정한 핫 플레이트에 배치한 PET 필름 상에서, 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을 복수 적층한 후, 열압착하여, 막 두께 300∼500㎛의 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을 얻었다. 얻어진 시트상 광 디바이스 면봉지용 조성물을, Haake사제 레오미터(RS150형)를 이용하여, 측정 주파수: 1Hz, 승온 속도: 5℃/분, 측정 온도 범위: 40∼80℃에서 측정을 행하여, 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)의 값을 얻었다.
(4) 적층체의 휨
유리 기판(Matsunami제 커버 유리, 50×70mm, 두께 No. 1(150㎛))을 기판(L)으로 했다. 멜리넥스(MELINEX) S(데이진 듀퐁 주식회사제 PET, 100㎛)를 기판(H)으로 했다. 기판(L)인 유리 기재의 선팽창 계수는 8.5×10-6cm/cm/℃였다.
기판(L)(유리 기재, 두께 150㎛)/광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층(두께 40㎛)/기판(H)(데이진 듀퐁 주식회사제, 상품명 멜리넥스 S, 두께 100㎛)을 이 순서로 적층한 적층체를 얻었다.
얻어진 적층체의 두께 T1을 측정한 후, 적층체를 80℃에서 3시간 가열하여, 광 디바이스 면봉지용 조성물을 열경화시켰다. 그 후, 적층체를 25℃까지 냉각하고, 수평인 판 위에 적층체를 놓았다. 50mm 폭의 유리변의 한쪽을 수평인 판에 테이프로 고정하고, 50mm 폭 유리변의 다른 한쪽의 2개의 모서리와 판의 상면과의 거리를 측정하여, 평균치 T2를 구했다. 다음으로, T2로부터 T1을 빼서, 휨량 T3을 산출했다.
Figure pct00006
표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1∼7의 면봉지용 조성물은, 경화물의 저장 탄성률 G'(80)이 일정 이하이기 때문에, 얻어지는 적층체의 휨이 적음을 알 수 있다. 한편, 비교예 1 및 2의 면봉지용 조성물은, 경화물의 저장 탄성률 G'(80)이 지나치게 높기 때문에, 얻어지는 적층체의 휨이 큼을 알 수 있다.
본 출원은, 2012년 2월 24일 출원된 일본 특허출원 2012-038838에 기초하는 우선권을 주장한다. 당해 출원 명세서 및 도면에 기재된 내용은, 전부 본원 명세서에 원용된다.
본 발명의 디스플레이는, 휨량이 억제되어 있기 때문에, 예컨대 유기 EL 소자 등의 광 디바이스의 파괴가 경감되어, 더 한층의 디스플레이의 박막화도 가능해진다.
10: 유기 EL 소자 면봉지 시트
12: 기재 필름
16: 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층
18: 보호 필름
20: 유기 EL 디스플레이
22: 표시 기판
24: 유기 EL 소자
26: 대향 기판(투명 기판)
28: 면봉지재
30: 캐쏘드 반사 전극층
32: 유기 EL층
34: 애노드 투명 전극층

Claims (18)

  1. 40℃로부터 80℃까지 5℃/min.으로 승온한 후, 80℃에서 30분간 유지하여 측정되는 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa인, 광 디바이스 면봉지용 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    (A) 1분자 이내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 가요성 에폭시 수지와, (B) 경화 촉진제를 포함하는 광 디바이스 면봉지용 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분이, 지방족계 에폭시 수지, 싸이올계 에폭시 수지, 뷰타다이엔계 에폭시 수지, 폴리올 변성 에폭시 수지, ε-카프로락톤 변성 에폭시 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 다이머산 변성 에폭시 수지, 우레탄 변성 에폭시 수지, 아민 변성 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 수지인 광 디바이스 면봉지용 조성물.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분이, 플루오렌 구조 또는 비스페놀 구조를 포함하는 하드 세그먼트와, 탄소수 2∼20의 알킬렌 글리콜, 폴리뷰타다이엔, 뷰타다이엔·아크릴 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물 유래의 구조 또는 탄소수 2∼20의 알킬렌기를 포함하는 소프트 세그먼트를 갖는 에폭시 수지인 광 디바이스 면봉지용 조성물.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 (A) 성분을, 상기 조성물 전체 100중량부에 대하여 10∼70중량부 포함하는 광 디바이스 면봉지용 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    열가소성 엘라스토머를 포함하는 광 디바이스 면봉지용 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    유기 EL 소자의 면봉지에 이용되는 광 디바이스 면봉지용 조성물.
  8. 제 1 항에 기재된 조성물로 이루어지는 층을 포함하는, 광 디바이스 면봉지용 시트.
  9. 제 8 항에 있어서,
    유기 EL 소자의 면봉지에 이용되는 광 디바이스 면봉지용 시트.
  10. 기판(H)와, 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80)이 1.0×103∼2.0×106Pa인 면봉지재와, 기판(L)을 이 순서로 포함하고, 상기 기판(H) 또는 상기 기판(L)에 광 디바이스가 배치된 디스플레이로서,
    상기 기판(L)의 선팽창 계수는 상기 기판(H)의 선팽창 계수보다도 작고, 또한 상기 기판(H)의 선팽창 계수와 상기 기판(L)의 선팽창 계수의 차가 5×10-6cm/cm/℃ 이상인 디스플레이.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판(H)의 선팽창 계수가 20×10-6∼200×10-6cm/cm/℃인 디스플레이.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판(H)가, 알루미늄을 포함하는 금속판이거나, 에스터 (공)중합체, 환상 올레핀 (공)중합체, 4-메틸-1-펜텐 (공)중합체, 아크릴 (공)중합체 및 폴리카보네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상을 포함하는 수지판인 디스플레이.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판(L)의 선팽창 계수가 1×10-6∼100×10-6cm/cm/℃인 디스플레이.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판(L)이, 유리 또는 실리콘을 포함하는 무기 기판이거나, 에스터 (공)중합체, 폴리이미드, 폴리카보네이트 및 폴리아마이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상을 포함하는 수지판인 디스플레이.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 광 디바이스는 유기 EL 소자인 디스플레이.
  16. 광 디바이스가 배치된 하나의 기판과, 상기 광 디바이스 상에 적층된 제 1 항에 기재된 광 디바이스 면봉지용 조성물로 이루어지는 층과, 다른 기판을 이 순서로 갖는 적층체를 얻는 공정과,
    상기 적층체를 50∼110℃에서 가열하는 공정을 포함하는, 디스플레이의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 다른 기판의 선팽창 계수는 상기 하나의 기판의 선팽창 계수보다도 작고, 또한
    상기 하나의 기판의 선팽창 계수와 상기 다른 기판의 선팽창 계수의 차가 5×10-6cm/cm/℃ 이상인 디스플레이의 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 광 디바이스는 유기 EL 소자인 디스플레이의 제조방법.
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