JP2011258845A - 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属リードフレーム1と、それに搭載された光半導体素子2の周囲に形成されるリフレクタ3において、そのリフレクタ3形成材料が、下記の(A)〜(C)成分を含有するとともに、無機質充填剤を含有せず、かつ下記の(C)成分である酸化チタンの含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の3〜90重量%の範囲に設定されている光半導体装置用エポキシ樹脂組成物からなる。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)酸化チタン。
【選択図】図1
Description
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)酸化チタン。
トリグリシジルイソシアヌレート(エポキシ当量:100)
4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(酸当量:168)
ルチル型、平均粒径0.21μm
〔酸化チタンb〕
アナタース型、平均粒径0.18μm
球状溶融シリカ、平均粒径23μm
9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド
テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロンジチオエート
後記の表1に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ビーカー中で溶融混合を行い、熟成した後、室温(25℃)まで冷却して粉砕することにより目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み1mmの試験片を所定の硬化条件(条件:150℃×4分間の成形+150℃×3時間キュア)にて作製し、この試験片(硬化物)を用いて、初期および180℃で3時間放置後の反射率をそれぞれ測定した。なお、測定装置として日本分光社製の分光光度計V−670を使用して、波長450nmの光反射率を室温(25℃)にて測定した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み1mmの試験片を所定の硬化条件(条件:150℃×4分間の成形+150℃×3時間キュア)にて作製し、動的粘弾性測定器(RSA−III、Reometric社製)を用いて、30℃とガラス転移温度(Tg)+30℃での各値を測定した。得られた各貯蔵弾性率(E′)のデータを各温度の弾性率とした。なお、上記ガラス転移温度(Tg)は、上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み1mmの試験片を所定の硬化条件(条件:150℃×4分間の成形+150℃×3時間キュア)にて作製し、熱機械分析装置〔セイコーインスツルメンツインク(SII)社製、EXSTAR6000〕を用いて測定した。得られたデータよりtanδのピーク最大値の温度をガラス転移温度(Tg)とした。
つぎに、上記実施例品である粉末状のエポキシ樹脂組成物を用いて、図1に示す構成の光半導体装置を製造した。すなわち、42アロイ(Agメッキ)製のリードフレーム1上に光半導体素子(大きさ:0.3mm×0.3mm)2が搭載され、金属リードフレーム1上に形成された電極回路と光半導体素子2とをボンディングワイヤー4にて電気的に接続したものを準備した。ついで、これをトランスファー成形機に投入し、上記エポキシ樹脂組成物を用いたトランスファー成形を行なうことにより、図1に示す、リフレクタ3と、金属リードフレーム1と、金属リードフレーム1上に搭載された光半導体素子2とを備えたユニットとなる光半導体装置を製造した(成形条件:150℃×4分間の成形+150℃×3時間キュア)。得られた光半導体装置は問題の無い良好なものが得られた。
2 光半導体素子
3 リフレクタ
4 ボンディングワイヤー
Claims (4)
- 下記の(A)〜(C)成分を含有し、かつ無機質充填剤を含有しない光半導体装置用エポキシ樹脂組成物であって、下記の(C)成分である酸化チタンの含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の3〜90重量%の範囲に設定されていることを特徴とする光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)酸化チタン。 - 上記(C)成分である酸化チタンの結晶構造がルチル型である請求項1記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
- 光半導体素子搭載領域を備え、その少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲んだ状態でリフレクタが形成されてなる光半導体装置用リードフレームであって、上記リフレクタが、請求項1または2記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて形成されてなることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
- 請求項3記載の光半導体装置用リードフレームの所定位置に光半導体素子が搭載されてなることを特徴とする光半導体装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013125235A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 三井化学株式会社 | 光デバイス面封止用組成物、光デバイス面封止用シート、ディスプレイ、およびディスプレイの製造方法 |
KR20160013869A (ko) | 2013-05-28 | 2016-02-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 밀봉형 광반도체 소자 및 광반도체 장치 |
KR20160019407A (ko) | 2013-06-13 | 2016-02-19 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 리플렉터용 에폭시 수지 조성물, 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 밀봉형 광반도체 소자 및 광반도체 장치 |
KR20160094368A (ko) | 2013-12-04 | 2016-08-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 그리고 광반도체 장치 |
KR20160094367A (ko) | 2013-12-04 | 2016-08-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 및 광반도체 장치 |
KR20160094365A (ko) | 2013-12-04 | 2016-08-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 밀봉형 광반도체 소자 및 광반도체 장치 |
KR102556932B1 (ko) * | 2023-04-18 | 2023-07-19 | 주식회사 유환 | 인쇄회로기판의 개별 엘이디 소자 주변부에 반사 성형체를 형성시키는 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009238771A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 白色硬化性樹脂組成物及びその硬化物からなる絶縁層を有するプリント配線板 |
JP2010062272A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Nichia Corp | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
-
2010
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009238771A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 白色硬化性樹脂組成物及びその硬化物からなる絶縁層を有するプリント配線板 |
JP2010062272A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Nichia Corp | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101627955B1 (ko) | 2012-02-24 | 2016-06-07 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 광 디바이스 면봉지용 조성물, 광 디바이스 면봉지용 시트, 디스플레이, 및 디스플레이의 제조방법 |
CN104126331A (zh) * | 2012-02-24 | 2014-10-29 | 三井化学株式会社 | 光学器件面封装用组合物、光学器件面封装用片、显示器及显示器的制造方法 |
KR20140125802A (ko) * | 2012-02-24 | 2014-10-29 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 광 디바이스 면봉지용 조성물, 광 디바이스 면봉지용 시트, 디스플레이, 및 디스플레이의 제조방법 |
JPWO2013125235A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2015-07-30 | 三井化学株式会社 | 光デバイス面封止用組成物、光デバイス面封止用シート、ディスプレイ、およびディスプレイの製造方法 |
WO2013125235A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 三井化学株式会社 | 光デバイス面封止用組成物、光デバイス面封止用シート、ディスプレイ、およびディスプレイの製造方法 |
US10050224B2 (en) | 2012-02-24 | 2018-08-14 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical-device surface-sealing composition, optical-device surface-sealing sheet, display, and display manufacturing method |
KR20160013869A (ko) | 2013-05-28 | 2016-02-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 밀봉형 광반도체 소자 및 광반도체 장치 |
US9450158B2 (en) | 2013-05-28 | 2016-09-20 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for optical semiconductor device, and lead frame for optical semiconductor device, encapsulation type optical semiconductor element unit and optical semiconductor device each obtainable by using the epoxy resin composition |
KR20160019407A (ko) | 2013-06-13 | 2016-02-19 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 리플렉터용 에폭시 수지 조성물, 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 밀봉형 광반도체 소자 및 광반도체 장치 |
KR20160094368A (ko) | 2013-12-04 | 2016-08-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 그리고 광반도체 장치 |
KR20160094367A (ko) | 2013-12-04 | 2016-08-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 열경화성 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 및 광반도체 장치 |
KR20160094365A (ko) | 2013-12-04 | 2016-08-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 이용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 밀봉형 광반도체 소자 및 광반도체 장치 |
KR102556932B1 (ko) * | 2023-04-18 | 2023-07-19 | 주식회사 유환 | 인쇄회로기판의 개별 엘이디 소자 주변부에 반사 성형체를 형성시키는 방법 |
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---|---|
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