JP6129154B2 - 光デバイス面封止用組成物、光デバイス面封止用シート、ディスプレイ、およびディスプレイの製造方法 - Google Patents
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[1] 40℃から80℃まで5℃/min.で昇温した後、80℃で30分間保持して測定される80℃における貯蔵弾性率G’(80)が1.0×103〜2.0×106Paである光デバイス面封止用組成物。
[2] (A)1分子以内に2つ以上のエポキシ基を有する可とう性エポキシ樹脂と、(B)硬化促進剤とを含む、[1]に記載の光デバイス面封止用組成物。
[3] 前記(A)成分が、脂肪族系エポキシ樹脂、チオール系エポキシ樹脂、ブタジエン系エポキシ樹脂、ポリオール変性エポキシ樹脂、ε-カプロラクトン変性エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ダイマー酸変性エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、アミン変性エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種類の樹脂である、[2]に記載の光デバイス面封止用組成物。
[4] 前記(A)成分が、フルオレン構造またはビスフェノール構造を含むハードセグメントと、炭素数2〜20のアルキレングリコール、ポリブタジエン、ブタジエン・アクリル共重合体からなる群より選ばれる化合物由来の構造または炭素数2〜20のアルキレン基を含むソフトセグメントとを有するエポキシ樹脂である、[2]または[3]に記載の光デバイス面封止用組成物。
[5] 前記(A)成分を、前記組成物全体100重量部に対して10〜70重量部含む、[2]〜[4]のいずれかに記載の光デバイス面封止用組成物。
[6] 熱可塑性エラストマーを含む、[1]に記載の光デバイス面封止用組成物。
[7] 有機EL素子の面封止に用いられる、[1]〜[6]のいずれかに記載の光デバイス面封止用組成物。
[8] [1]〜[6]のいずれかに記載の組成物からなる層を含む、光デバイス面封止用シート。
[9] 有機EL素子の面封止に用いられる、[8]に記載の光デバイス面封止用シート。
[10] 基板(H)と、80℃における貯蔵弾性率G’(80)が1.0×103〜2.0×106Paの面封止材と、基板(L)とをこの順で含み、前記基板(H)または前記基板(L)に光デバイスが配置されたディスプレイであって、前記基板(L)の線膨張係数は、前記基板(H)の線膨張係数よりも小さく、かつ前記基板(H)の線膨張係数と前記基板(L)の線膨張係数との差が5×10−6cm/cm/℃以上である、ディスプレイ。
[11] 前記基板(H)の線膨張係数が20×10−6〜200×10−6cm/cm/℃である、[10]に記載のディスプレイ。
[12] 前記基板(H)が、アルミニウムを含む金属板であるか、エステル(共)重合体、環状オレフィン(共)重合体、4-メチル-1-ペンテン(共)重合体、アクリル(共)重合体およびポリカーボネートからなる群から選ばれる1種類以上を含む樹脂板である、[10]または[11]に記載のディスプレイ。
[13] 前記基板(L)の線膨張係数が、1×10−6〜100×10−6cm/cm/℃である、[10]〜[12]のいずれかに記載のディスプレイ。
[14] 前記基板(L)が、ガラスまたはシリコンを含む無機基板であるか、エステル(共)重合体、ポリイミド、ポリカーボネートおよびポリアミドからなる群から選ばれる一種類以上を含む樹脂板である、[10]〜[13]のいずれかに記載のディスプレイ。
[15] 前記光デバイスは有機EL素子である、[10]〜[14]のいずれかに記載のディスプレイ。
[16] 光デバイスが配置された一の基板と、前記光デバイス上に積層された[1]〜[7]のいずれかに記載の光デバイス面封止用組成物からなる層と、他の基板とをこの順に有する積層体を得る工程と、前記積層体を50〜110℃で加熱する工程とを含む、ディスプレイの製造方法。
[17] 前記他の基板の線膨張係数は、前記一の基板の線膨張係数よりも小さく、かつ前記一の基板の線膨張係数と前記他の基板の線膨張係数との差が5×10−6cm/cm/℃以上である、[16]に記載のディスプレイの製造方法。
[18] 前記光デバイスは有機EL素子である、[16]または[17]に記載のディスプレイの製造方法。
本発明の光デバイス面封止用組成物は、好ましくは有機EL素子の面封止に用いられる組成物(有機EL素子用面封止組成物)でありうる。本発明の光デバイス面封止用組成物は、該組成物を40℃から80℃まで5℃/min.で昇温した後、80℃で30分間保持して測定した80℃における貯蔵弾性率G’(80)が、1.0×103〜2.0×106Paである。
第一の実施形態の光デバイス面封止用組成物は、(A)可とう性エポキシ樹脂と、(B)硬化促進剤とを含みうる。
本発明の光デバイス面封止用組成物は、前述の貯蔵弾性率G’(80)を調整するために、可とう性エポキシ樹脂を含んでもよい。可とう性エポキシ樹脂とは、ゴム弾性と強度を兼ね備えているエポキシ樹脂である。可とう性エポキシ樹脂は、分子中にエポキシ基を2以上有するエポキシ樹脂であることが好ましく、分子中にエポキシ基を2つ有する二官能エポキシ樹脂であることがより好ましい。また、後述するディスプレイの製造方法において、光デバイス面封止用組成物(有機ELディスプレイの製造に用いる場合は有機EL素子面封止用組成物ともいう)を加熱する温度領域で、可とう性を有するものが、反りが少ないディスプレイを製造するという観点からは好ましい。
1)可とう性エポキシ樹脂70重量部、酸無水物(例えば、リカシッドMH700G(主成分:メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化(株)製))30重量部、硬化促進剤(例えば、IBMI12(1-イソブチル-2-メチルイミダゾール、三菱化学社製))1重量部、硬化促進剤(例えば、2E4MZ(1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、四国化成製)1重量部を混合し、可とう性エポキシ樹脂組成物のワニスを調製する。
2)一方、ガラス板/離型フィルム/スペーサー(500μm厚)/離型フィルム/ガラス板スペーサーの積層体を作成し、前記積層体の中央部を1.5センチ×1.5センチの正方形の凹みができるようにくりぬいて硬化用の器具を作成する。
3)次に、前記器具の凹みに前記ワニスを封入し、ガラス板の自重で厚みを500μmに調整し、80℃で1時間〜3時間、離型フィルムへのべたつきがなくなるまで加熱し硬化させる。
4)得られた可とう性エポキシ樹脂組成物の硬化物の、後述の「(3)貯蔵弾性率方法」に記載の方法で測定される80℃における貯蔵弾性率G’E(80)が、1.0×103〜2.0×106Paの範囲内となるエポキシ樹脂を「可とう性エポキシ樹脂」として用いることができる。
脂肪族系エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等のジグリシジルエーテル等一般に製造、販売されている二官能エポキシ樹脂があげられる。チオール系エポキシ樹脂としては、例えばジチオエーテル変性エポキシ樹脂等があげられる。ブタジエン系エポキシ樹脂の例には、ポリブタジエン変性エポキシ樹脂が含まれる。
変性エポキシ樹脂は、ビスフェノールまたはビスフェノールフルオレンとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるエポキシ樹脂の変性物であるか;ビスフェノールまたはビスフェノールフルオレンの変性物とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
本発明の光デバイス面封止用組成物が前記(A)成分を含む場合は、(B)硬化促進剤を含むのが好ましい。硬化促進剤は、エポキシ樹脂の硬化を開始させるとともに、硬化を促進させる機能を有する。
本発明における(C)高分子量のエポキシ樹脂とは、前述の(A)可とう性エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂であり、本発明の組成物が(A)成分を含む場合に、組成物をシート状にするために添加されることがある。
装置:SHODEX製、GPC−101
展開溶媒:テトラヒドロフラン
標準ポリスチレン:VARIAN製PS−1(分子量580〜7,500,000)、VARIAN製PS−2(分子量580〜377,400)
本発明の光デバイス面封止用組成物は、(D)低分子量のエポキシ樹脂を含有してもよい。(D)低分子量のエポキシ樹脂とは、前述の(A)可とう性エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂で重量平均分子量が100〜1200であるエポキシ樹脂であり、好ましくは重量平均分子量が200〜1100である。重量平均分子量は、前述と同様に測定される。重量平均分子量が上記範囲である(C)エポキシ樹脂を光デバイス面封止用組成物に配合することで、光デバイス面封止用組成物で有機EL素子などの光デバイスを封止する際の、光デバイス面封止用組成物の流動性を高めることができ、有機EL素子などの光デバイスに対する密着性を高めることができる。
本発明の光デバイス面封止用組成物には、1)エポキシ基を有するシランカップリング剤、または2)エポキシ基と反応可能な官能基を有するシランカップリング剤を含み得る。エポキシ基と反応するとは、エポキシ基と付加反応すること等をいう。シランカップリング剤を含む光デバイス面封止用組成物は、例えば有機EL用の光デバイス面封止シートに用いた場合、基板との密着性が高くなる。また、エポキシ基を有する、またはエポキシ基と反応可能な官能基を有するシランカップリング剤は、光デバイス面封止用組成物中にエポキシ樹脂が存在する場合に、前記樹脂と反応する。したがって、上記シランカップリング剤は、光デバイス面封止用組成物の硬化物中に低分子量成分が残らない、という点でも好ましい。
本発明の光デバイス面封止用組成物は、前述の(A)〜(E)成分などを均一に混合する点などから、溶剤を含んでもよい。溶剤は、特に高分子量のエポキシ樹脂を均一に分散または溶解させる機能を有する。溶剤は、各種有機溶剤であってもよく、トルエン、キシレン等の芳香族溶剤;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤;エーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ−ルモノアルキルエーテル、エチレングリコ−ルジアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル等のエーテル類;N−メチルピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルフォルムアルデヒド等の非プロトン性極性溶剤;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類等が含まれる。特に、高分子量のエポキシ樹脂を溶解し易い点から、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤(ケト基を有する溶剤)がより好ましい。
本発明の光デバイス面封止用組成物は、発明の効果を損なわない範囲で、その他樹脂成分、充填剤、改質剤、安定剤などの任意成分をさらに含有することができる。他の樹脂成分の例には、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、ポリブタジェン、ポリクロロプレン、ポリエーテル、ポリエステル、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、石油樹脂、キシレン樹脂、ケトン樹脂、セルロース樹脂、フッ素系オリゴマー、シリコン系オリゴマー、ポリスルフィド系オリゴマーが含まれる。これらの1種単独を、または複数種の組み合わせを含有することができる。
本発明の第二の実施形態の光デバイス面封止用組成物に含まれてもよい熱可塑性エラストマーの例には、ポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、およびポリエステル系エラストマーなどが含まれる。なかでも、粘着性や柔軟性を調整しやすい点で、ポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマーが好ましい。
本発明の光デバイス面封止用組成物が熱硬化性である場合(例えば、第一の実施形態の光デバイス面封止用組成物である場合)、光デバイス面封止用組成物の硬化速度は、ある程度高いほうが好ましい。被熱圧着材と接着する際の作業性を高めるためである。速やかに硬化できるとは、例えば、加熱条件下(80〜100℃)において、120分以内に硬化することをいう。
本発明の光デバイス面封止用組成物は、本発明の効果を損なわない限り、任意の方法で製造され得る。例えば、第一の実施形態の光デバイス面封止用組成物からなるシートは、1)(A)〜(E)成分を準備する工程と、2)(A)〜(E)成分を、(F)成分に溶解させて30℃以下で混合する工程と、3)基板上に当該混合物をシート状に塗布する工程と、4)シート状に塗布された混合物を乾燥する工程とを含む方法で製造し得る。
本発明の光デバイス面封止用組成物を含むシートを封止シートという。例えば、本発明の封止シートは、基材フィルムと、該基材フィルム上に形成された、前述の光デバイス面封止用組成物からなる層と、必要に応じて該光デバイス面封止用組成物からなる層上に形成される保護フィルムとを含む。また、後述する基材(H)や基材(L)との接着力を向上させるため、本発明の光デバイス面封止用組成物からなる層の表面に、エポキシ樹脂などの熱硬化性の樹脂層をさらに設ける態様も好ましい。即ち、前記基材フィルムと保護フィルムの間に、熱硬化性の樹脂層/本発明の光デバイス面封止用組成物からなる層/熱硬化性の樹脂層を配置する態様も好ましい。
本発明の光デバイス面封止用組成物や封止シートは、光デバイス面封止用組成物が熱硬化性を有する場合は、硬化させることにより面封止材として用いることができる。一方、光デバイス面封止用組成物が熱硬化性を有しない場合は、それ自体を面封止材として用いることができる。シールされる対象(被封止材ともいう)は、特に限定されないが、例えば光デバイスが好ましい。光デバイスの例には、有機EL素子、液晶、LEDなどが含まれ、好ましくは有機EL素子である。
ディスプレイは、例えば有機EL素子などの光デバイスが配置された基板(表示基板)と;表示基板と対になる対向基板と;表示基板と対向基板との間に存在し、前記有機EL素子などの光デバイスを封止する面封止材とを有する。前述の通り、面封止材が、例えば有機EL素子などの光デバイスと封止基板との間に形成される空間の少なくとも一部に充填されているものを、面封止型のディスプレイという。
基板(H)は、その表面に有機EL素子が配置され得る部材である。基板(H)は、透明であっても非透明であってもよいが、基板(H)を通して有機発光層からの光を取り出すときは透明である。
有機ELディスプレイにおいて、基板(L)は、面封止材上に積層された基板である。基板(L)の線膨張係数は、基板(H)の線膨張係数より低く、より具体的には基板(H)の線膨張係数よりも、5×10−6cm/cm/℃以上低くてもよい。基板(L)の線膨張係数は、1×10−6cm/cm/℃〜100×10−6cm/cm/℃の範囲にあることが好ましく、5×10−6cm/cm/℃〜10×10−6cm/cm/℃の範囲にあることがより好ましい。
本発明の光デバイス面封止用組成物(有機EL素子に用いる場合は、有機EL素子面封止用組成物ともいう)の硬化物や前記組成物自体を面封止材とするディスプレイは、任意の方法で製造されうる。光デバイスを用いたディスプレイは、少なくとも1)例えば有機EL素子などの光デバイスが配置された基板と、前記光デバイス上に積層された本発明の光デバイス面封止用組成物からなる層と、他の基板とをこの順に有する積層体を得る工程と、2)積層体を、例えば50〜110℃で加熱する工程とを経て製造されうる。
本発明のディスプレイは、基板(H)と基板(L)の線膨張係数の差が大きいにも係わらず、熱硬化性を有する面封止用組成物を熱硬化、または熱硬化性を有しない面封止用組成物を熱圧着させて面封止材を形成することにより生じるディスプレイの反りを抑制する。
まず、実施例および比較例で使用した各成分を示す。なお、(A)成分の重量平均分子量は、前述の方法により測定した実測値を記す。また、実施例では、シート状の光デバイス面封止用組成物を用いているが、本発明の組成物は、シート状に限定されず、液状でもよい。
1)原料としてのエポキシ樹脂70重量部、酸無水物(リカシッドMH700G(主成分:メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、新日本理化(株)製))30重量部、硬化促進剤(IBMI12(1-イソブチル-2-メチルイミダゾール、三菱化学社製))1重量部、硬化促進剤(2E4MZ(1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール)、四国化成製)1重量部を混合しワニスを調製した。
2)一方、ガラス板/離型フィルム/スペーサー(500μ厚)/離型フィルム/ガラス板スペーサーの積層体を作製した。そして、得られた積層体の中央部を、1.5センチ×1.5センチの正方形の凹みができるようにくりぬいて、硬化用の器具を得た。
3)得られた器具の凹みに、前記1)で調製したワニスを封入し、ガラス板の自重で、ワニスの厚みを500μmに調整した。ワニスを封入した器具を80℃で1時間〜3時間、離型フィルムへのべたつきがなくなるまで加熱し硬化させた。
4)得られた可とう性エポキシ樹脂組成物の硬化物の、80℃における貯蔵弾性率G’E(80)を、後述の「(3)貯蔵弾性率方法」に記載の方法で測定した。
EG−250(大阪ガスケミカル社製):エポキシ当量417g/eq、粘度36500mPa・s、貯蔵弾性率G’E(80)3.4×105Pa、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂
EG−280(大阪ガスケミカル社製):エポキシ当量467g/eq、粘度7440mPa・s、貯蔵弾性率G’E(80)1.2×105Pa、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂
BPO−20E(新日本理化社製):ビスフェノールAビス(トリエチレングリコールグリシジルエーテル)エーテル、分子量457、エポキシ当量310〜340g/eq、粘度3500〜5500mPa・s、貯蔵弾性率G’E(80)2.8×104Pa
BPO−60E(新日本理化社製):ビスフェノールAビス(プロピレングリコールグリシジルエーテル)エーテル、分子量541、エポキシ当量345〜385g/eq、粘度800〜1600mPa・s、貯蔵弾性率G’E(80)5.4×104Pa
IBMI12(1−イソブチル−2−メチルイミダゾール)(三菱化学社製)
<ビスフェノールF型エポキシ樹脂>
jER4010(三菱化学社製):重量平均分子量39102、エポキシ当量4400g/eq
jER4005(三菱化学社製):重量平均分子量7582、エポキシ当量1070g/eq
jER4007(三菱化学社製):エポキシ当量2270g/eq
<ビスフェノールF型エポキシ樹脂>
YL983U(三菱化学社製):重量平均分子量398、エポキシ当量170g/eq、貯蔵弾性率G’E(80)2.2×106Pa
jER807(三菱化学社製):重量平均分子量229、エポキシ当量175g/eq、貯蔵弾性率G’E(80)2.1×106Pa
KBM−403(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン 分子量236)(信越化学工業社製)
メチルエチルケトン
フラスコに、(A)可とう性エポキシ樹脂として0.3質量部のEG−280と、(C)高分子量エポキシ樹脂として0.6質量部のjER4010と、(D)低分子量エポキシ樹脂として0.1質量部のjER807とを投入し、これに(F)溶剤として0.67質量部のメチルエチルケトンを加えて、室温で攪拌溶解させた。この溶液に、(B)硬化促進剤として0.06質量部のIBMI12と、(E)シランカップリング剤として0.001質量部のKBM−403とを添加して室温で攪拌し、エポキシ樹脂組成物のワニスを調製した。
表1に示されるような組成比率(質量比)とした以外は実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物のワニスを調製し、光デバイス面封止シートを得た。
熱可塑性エラストマー(タフマーA4085、三井化学株式会社製)を220℃で溶融し、Tダイから押出し成形して、厚さ400μmのシートを得た。次いで、得られたシートの両面に、比較例1のシート状の光デバイス面封止用組成物(厚さ40μm)を65℃で熱圧着し、光デバイス面封止用組成物の積層シート(総厚さ:480μm)を得た。得られた積層シートを、後述する(3)貯蔵弾性率に記載の測定方法で、貯蔵弾性率G’(80)を測定した結果、1.0×105Pa・sであった。また、後述する(4)反り評価の方法で反り量を評価したところ、1.6mmであった。
基材フィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名:A53、厚み:38μm)に、前述のワニスを、乾燥後の厚みが約15μmとなるようにアプリケーターで塗工した。得られたフィルムを、イナートオーブン(30℃)中で、10分間保持し、続いて真空オーブン(40℃)中で2時間保持し、ワニス塗工膜中のMEKを乾燥除去して、光デバイス面封止用組成物からなる層が形成された封止シートを得た。
所定のサイズに切り出したシート状の光デバイス面封止用組成物(厚さ12μm)を、2枚のガラス板で挟んだ後、100℃で30分間熱硬化して接着させた。次に、ガラス板を剥がして、シート状の光デバイス面封止用組成物の硬化物を取り出し、TMA(セイコーインスツルメンツ社製のTMA/SS6000)を用いて、昇温速度5℃/分の条件で線膨張係数を測定し、その変曲点からTgを求めた。
60℃に設定したホットプレートに配置したPETフィルム上で、シート状の光デバイス面封止用組成物を複数積層した後、熱圧着して、膜厚300〜500μmのシート状の光デバイス面封止用組成物を得た。得られたシート状の光デバイス面封止用組成物を、Haake社製レオメーター(RS150型)を用いて、測定周波数:1Hz、昇温速度:5℃/分、測定温度範囲:40〜80℃で測定を行い、80℃における貯蔵弾性率G’(80)の値を得た。
ガラス基板(Matsunami 製カバーガラス、50×70mm、厚みNo.1(150μm))を基板(L)とした。メリネックスS(帝人デュポン株式会社製PET、100μm)を基板(H)とした。基板(L)であるガラス基材の線膨脹係数は8.5×10−6cm/cm/℃であった。
12 基材フィルム
16 光デバイス面封止用組成物からなる層
18 保護フィルム
20 有機ELディスプレイ
22 表示基板
24 有機EL素子
26 対向基板(透明基板)
28 面封止材
30 カソード反射電極層
32 有機EL層
34 アノード透明電極層
Claims (16)
- (A)1分子以内に2つ以上のエポキシ基を有する可とう性エポキシ樹脂と、(B)硬化促進剤とを含み、
40℃から80℃まで5℃/min.で昇温した後、80℃で30分間保持して測定される80℃における貯蔵弾性率G’(80)が1.0×103〜2.0×106Paである、光デバイス面封止用組成物。 - 前記(A)成分が、脂肪族系エポキシ樹脂、チオール系エポキシ樹脂、ブタジエン系エポキシ樹脂、ポリオール変性エポキシ樹脂、ε-カプロラクトン変性エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ダイマー酸変性エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、アミン変性エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種類の樹脂である、請求項1に記載の光デバイス面封止用組成物。
- 前記(A)成分が、フルオレン構造またはビスフェノール構造を含むハードセグメントと、炭素数2〜20のアルキレングリコール、ポリブタジエン、ブタジエン・アクリル共重合体からなる群より選ばれる化合物由来の構造または炭素数2〜20のアルキレン基を含むソフトセグメントとを有するエポキシ樹脂である、請求項1に記載の光デバイス面封止用組成物。
- 前記(A)成分を、前記組成物全体100重量部に対して10〜70重量部含む、請求項1に記載の光デバイス面封止用組成物。
- 有機EL素子の面封止に用いられる、請求項1に記載の光デバイス面封止用組成物。
- 請求項1に記載の組成物からなる層を含む、光デバイス面封止用シート。
- 有機EL素子の面封止に用いられる、請求項6に記載の光デバイス面封止用シート。
- 基板(H)と、80℃における貯蔵弾性率G’(80)が1.0×103〜2.0×106Paの面封止材と、基板(L)とをこの順で含み、前記基板(H)または前記基板(L)に光デバイスが配置されたディスプレイであって、
前記面封止材は、請求項1に記載の光デバイス面封止用組成物の硬化物であり、
前記基板(L)の線膨張係数は、前記基板(H)の線膨張係数よりも小さく、かつ前記基板(H)の線膨張係数と前記基板(L)の線膨張係数との差が5×10−6cm/cm/℃以上である、ディスプレイ。 - 前記基板(H)の線膨張係数が20×10−6〜200×10−6cm/cm/℃である、請求項8に記載のディスプレイ。
- 前記基板(H)が、アルミニウムを含む金属板であるか、エステル(共)重合体、環状オレフィン(共)重合体、4-メチル-1-ペンテン(共)重合体、アクリル(共)重合体およびポリカーボネートからなる群から選ばれる1種類以上を含む樹脂板である、請求項8に記載のディスプレイ。
- 前記基板(L)の線膨張係数が、1×10−6〜100×10−6cm/cm/℃である、請求項8に記載のディスプレイ。
- 前記基板(L)が、ガラスまたはシリコンを含む無機基板であるか、エステル(共)重合体、ポリイミド、ポリカーボネートおよびポリアミドからなる群から選ばれる一種類以上を含む樹脂板である、請求項8に記載のディスプレイ。
- 前記光デバイスは有機EL素子である、請求項8に記載のディスプレイ。
- 光デバイスが配置された一の基板と、前記光デバイス上に積層された請求項1に記載の光デバイス面封止用組成物からなる層と、他の基板とをこの順に有する積層体を得る工程と、
前記積層体を50〜110℃で加熱する工程と
を含む、ディスプレイの製造方法。 - 前記他の基板の線膨張係数は、前記一の基板の線膨張係数よりも小さく、かつ
前記一の基板の線膨張係数と前記他の基板の線膨張係数との差が5×10−6cm/cm/℃以上である、請求項14に記載のディスプレイの製造方法。 - 前記光デバイスは有機EL素子である、請求項14に記載のディスプレイの製造方法。
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JP2012038838 | 2012-02-24 | ||
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