CN100442483C - 半导体光器件、其制造方法、引线框以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种半导体光器件，在引线框(1)上搭载半导体光元件(2)，上述半导体光元件(2)由具有透光性的第一层模制树脂部(14)密封，进而该第一层模制树脂部(14)由具有透光性的第二层模制树脂部(15)密封。并且，上述第一层模制树脂部(14)的线性膨胀系数比第二层的模制树脂部(15)的线性膨胀系数小。

Description

半导体光器件、其制造方法、引线框以及电子设备
技术领域
本发明涉及具有半导体光元件的半导体光器件，特别是涉及可在利用光纤等光传输介质而发送接收光信号的光通信装置等中利用的半导体光器件。
本发明的半导体光器件可用于如下电子设备：数字TV(电视)、数字BS(Broadcasting Satellite：广播卫星)调谐器、CS(Communication Satellite：通信卫星)调谐器、DVD(Digital Versatile Disc：数字多功能盘)播放器、CD(Compact Disc：光盘)播放器、AV(Audio Visual：音频视频)放大器、音响、个人计算机(下称电脑)、电脑附属设备、手机、PDA(Personal DigitalAssistant：个人数字助理)等。另外，也可以在工作温度范围大的环境下，例如作为车载用设备的车用音响、汽车导航器、传感器，又如在工场内的机器人的传感器、控制用设备等的电子设备中使用。
背景技术
以往，发光二极管(LED：Light Emitting Diode)和光电二极管(PD：Photo Diode)等半导体光元件和光纤结合的半导体光器件众所周知，其被用于设备之间、住家内、汽车内的光通信。
这些半导体光器件广泛使用如图31所示利用转移成型由透明树脂制得的装置。图31所示的半导体光器件是，在引线框101上由导电性粘接膏103粘接的半导体光元件102被透明树脂部106密封并由该透光性树脂形成的透镜110将半导体光元件102和光纤111光学结合的装置。半导体光元件102由引线框101和引线104电结合。另外，用于对半导体光元件102进行驱动控制的集成电路芯片105由导电性粘接膏103而粘接搭载在引线框101上。
一般，这样的半导体光器件中使用的透明树脂由于重视光学特性而使用未填充有填充剂的透明树脂，则线性膨胀系数变大，而在耐环境性(耐热冲击和散热性等)上存在问题。
为此，对半导体光器件的结构进行研究而公开有可由填充了填充剂的模制树脂密封的半导体光器件(示于图32)，例如参照特开2002-173947号公报。图32所示的半导体光器件中，仅半导体光元件202的光学部粘附玻璃透镜212，在引线框201上由导电性粘接膏203进行粘接安装，半导体光元件202的光学部的周围的电极和引线框201经由引线204电连接。然后，由填充了填充剂的模制树脂进行转移成型，由此在半导体光元件202上入射出射光的光路不被模制树脂遮挡，而可由模制树脂部207密封半导体光元件202和引线203。
另外，作为半导体光器件的树脂密封技术，也公开有如下技术内容(参照特开平4-92459号公报)，如图33所示，具有一体密封包含引线框301、在上述引线框301上由导电性粘接膏303粘接的半导体元件302以及进一步粘接这两者的接合引线304的主体结构部的第一密封树脂部308、和覆盖该第一密封树脂部308的外周部的至少一部分而形成的第二密封树脂部309，选择上述第一、第二密封树脂部308、309，使上述第二密封树脂部309的线性膨胀系数比上述第一密封树脂部308的线性膨胀系数小。
以往的半导体光器件由未填充有填充剂的透明树脂转移成型制造，所以由于透明树脂、引线框、半导体光元件以及接合引线的线性膨胀系数存在大的差异，故存在热应力造成引线断线或封装裂纹等不良情况。另外，透明树脂的导热率大约是0.17W/m·K，与金属(例如铜材料是365W/m·K)比较非常小，而半导体光元件产生的热不易扩散，则需限制高温的工作范围。由于存在这样的问题，很难制造可靠性高的半导体光器件。
另外，众所周知，可在模制树脂中填充进填充剂来调节线性膨胀系数和导热率，但是，由于重视光学特性的半导体光器件中由于光透过率低则填充剂的填充困难(或者仅可填充少量)，所以制造可靠性高的半导体光器件成为课题。于是考虑在填充有填充剂的模制树脂的使用中，如图32所示，在半导体光元件的受光部搭载玻璃透镜，包含其一部分而进行树脂密封，但是实际上对于这样的结构，当使用CCD这样尺寸比较大的(数毫米～数十毫米程度)的半导体光元件时，光学部上可配置玻璃透镜，而在LED这样尺寸小(数百微米程度)的半导体光元件中，光学部非常小，而必须使用玻璃透镜也非常小的，则存在如下问题：
(i)、微小的玻璃透镜的制造困难；
(ii)、光学部和玻璃透镜的接合·对位困难；
(iii)、热应力乃至玻璃和模制树脂的线性膨胀系数差异导致界面剥离。
另外，当使用比半导体光元件的光学部大的玻璃透镜时，半导体光元件的光学部接近的电极上也搭有玻璃透镜，则存在不能进行引线接合的问题。
另外作为其他方法，考虑到如图33所示，在由接合引线电连接在引线框上的半导体光元件由第一密封树脂覆盖，进而该第一密封树脂的外周部由第二密封树脂覆盖的结构中，使用第二密封树脂的线性膨胀系数比第一密封树脂的线性膨胀系数小的树脂来减少热应力导致的密封树脂间的剥离的方法，但是，由于第一密封树脂的线性膨胀系数比第二密封树脂的线性膨胀系数大，所以第二密封树脂形成时的热使第一密封树脂以膨胀的状态成型，而成型后冷却时第一密封树脂的收缩比第二密封树脂大，树脂界面发生剥离，耐潮性等方面的可靠性降低。
发明内容
本发明目的在于提供一种可利用LED、PD等芯片尺寸的小半导体光元件、可靠性高且光传输质量好的小型低成本的半导体光器件，并提供该半导体光器件的制造方法。
另外，本发明另一目的在于提供一种引线框及采用该引线框的特性良好的半导体光器件的制造方法，该引线框中，即使是不能进行贯通栅(through gate)方式等的设置密封的封装件，也能够防止外部的端子和散热片部等产生树脂飞边，并且二次模制部不会卷入一次树脂。
另外，本发明又一目的在于提供采用上述半导体光器件的性能好且可靠性高的电子设备。
为实现上述目的，本发明的半导体光器件特征在于，具有：引线框；配置在该引线框上的半导体光元件；密封该半导体光元件的第一模制树脂部；密封该第一模制树脂部的至少一部分的具有透光性的第二模制树脂部，其中，上述第一模制树脂部的线性膨胀系数比上述第二模制树脂部的线性膨胀系数小。
根据上述结构的半导体光器件，由于第一模制树脂部的线性膨胀系数比第二模制树脂部的线性膨胀系数小，所以可减小第一模制树脂部和引线框以及半导体光元件的线性膨胀系数的差异。由此，不会出现热应力导致的接合引线的断线或封装裂纹等，所以能够以低成本制得可靠性高、光传输质量良好的小型半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部具有透光性。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部的透光率比上述第二模制树脂部的透光率小。
根据上述半导体光器件，上述第一模制树脂部的透光率比上述第二模制树脂部的透光率小，所以可减少上述第一模制树脂部的干扰光的绕进，提高S/N比。另外，可降低上述第一模制树脂部的光的散乱，提高接收或输送的效率。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了填充剂的模制树脂，上述引线框的线性膨胀系数和上述第一模制树脂部的线性膨胀系数之差为0～6.0×10-5。
根据上述半导体光器件，由于上述引线框的线性膨胀系数和上述第一模制树脂部的线性膨胀系数之差形成0～6.0×10-5，则可以减少热应力导致的引线框和模制树脂的剥离而引起的接合引线的断线以及芯片的剥离等不良情况，制得可靠性更高的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部的线性膨胀系数和上述第一模制树脂部的线性膨胀系数之差形成0～6.0×10-5。
根据上述半导体光器件，可以降低第一模制树脂部和第二模制树脂部的热收缩差导致的树脂界面剥离而引起的耐潮性等方面的问题，制得可靠性高的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部和上述第二模制树脂部使用苯酚类硬化环氧树脂或酸酐类硬化环氧树脂。在此，“苯酚类硬化环氧树脂”是指含有苯酚类化合物的硬化环氧树脂，“酸酐类硬化环氧树脂”是指酸酐物作为硬化剂的硬化环氧树脂。
根据上述半导体光器件，由于上述第一模制树脂部和上述第二模制树脂部使用苯酚类硬化环氧树脂或酸酐类硬化环氧树脂，则可容易进行线性膨胀系数、导热性以及透光率的控制，以低成本制得光传输质量好的可靠性高的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述半导体光器件，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用酸酐类硬化环氧树脂，由此能够以低成本提供光传输质量良好的可靠性高的小型半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第二模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述半导体光器件，由于上述第二模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，能够减小第一模制树脂部和第二模制树脂部的线性膨胀系数之差，减少热应力导致的树脂界面剥离而产生的耐潮性等方面的问题，制得可靠性更好的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用填充了填充量比上述第一模制树脂部少的透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂。
根据上述半导体光器件，由于上述第二模制树脂部使用填充了填充量比上述第一模制树脂部少的透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂，则可减小第一模制树脂部和第二模制树脂部的线性膨胀系数之差，减少热应力导致的树脂界面剥离的产生，并且第一、第二模制树脂部的苯酚类硬化环氧树脂与酸酐类硬化环氧树脂相比，硬化性快，所以可缩短密封时间，以低成本制得可靠性高的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用无填充剂的酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述半导体光器件，由于上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用无填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，则可以低成本制得光传输质量更好、可靠性更高且小型的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部和上述第二模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述半导体光器件，由于上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，则可减小第一模制树脂部和第二模制树脂部的线性膨胀系数之差，减少热应力导致的树脂界面剥离而产生的耐潮性等方面的问题，制得可靠性更高的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用透明填充剂的填充量比上述第一模制树脂部少的苯酚类硬化环氧树脂。
根据上述半导体光器件，由于上述第二模制树脂部使用透明填充剂的填充量比上述第一模制树脂部少的苯酚类硬化环氧树脂，则可减小第一模制树脂部和第二模制树脂部的线性膨胀系数之差，减少热应力导致的树脂界面剥离的产生，第一模制树脂部的苯酚类硬化环氧树脂与酸酐类硬化环氧树脂相比硬化性快，故可缩短密封时间，低成本制得可靠性高的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂或填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述第一模制树脂部填充的透明填充剂的填充量是20～80wt％。
根据上述半导体光器件，由于上述第一模制树脂部填充的透明填充剂的填充量是20～80wt％，则可以保持着高透光率的同时减小第一模制树脂部的线性膨胀系数，并且提高导热度，低成本地制得光传输质量好、可靠性高的小型半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂或填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述透明填充剂的折射率和上述苯酚类硬化环氧树脂或上述酸酐类硬化环氧树脂的折射率大致相等。
根据上述半导体光器件，上述透明填充剂的折射率和要填充到的上述苯酚类硬化环氧树脂或上述酸酐类硬化环氧树脂的折射率大致相等，则可减小模制树脂内的散乱导致的光信号的衰减，制得光传输质量更好的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂或填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述透明填充剂的形状是球状。
根据上述半导体光器件，球状的透明填充剂可使光信号传输路径稳定化，并且能够减少填充剂对半导体光元件的应力损坏(填充剂冲击：fillerattack)，制得光传输质量好、可靠性高的半导体光器件。另外，球状填充剂的粒径最好一致。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部或上述第二模制树脂部的至少一个含有用于遮断比上述半导体光元件的受光波长或发光波长短的短波长一侧的光的染料。
根据上述半导体光器件，通过上述第一、第二模制树脂部的至少一个含有的染料能够减少来自外部的光干扰，低成本制得没有误动作的光传输质量好的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂或填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述半导体光元件的、至少进行受光或发光之一的部分上部的上述第一模制树脂部，其厚度比其他部分薄。
根据上述半导体光器件，使上述第一模制树脂部的厚度比其他部分薄而缩短第一模制树脂部内的光信号的通过路径，从而可降低第一模制树脂部内的填充剂导致的光的散乱，低成本制得光传输质量好的可靠性高的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，在上述半导体光元件的、至少进行受光或发光之一的部分上部的上述第一模制树脂部上，形成凹部，凹部的侧壁形成聚光用的缩径部。
根据上述半导体光器件，由上述第一模制树脂部的凹部的侧壁设置的聚光用的缩径部可高效将发送光或接收光聚光，低成本制得光传输质量更好的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，具有覆盖上述半导体光元件而设置的具有耐寒性的硅树脂部，由上述硅树脂部覆盖的上述半导体光元件由上述第一模制树脂部或上述第二模制树脂部中的至少上述第二模制树脂部密封。
根据上述半导体光器件，由具有耐寒性的硅树脂部覆盖半导体光元件，则可降低低温时的接合引线上的应力，制得可靠性更高的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述硅树脂部的上述半导体光元件的、至少进行受光或发光之一的部分的上部，不由上述第一模制树脂部密封而由上述第二模制树脂部密封。
根据上述半导体光器件，由于第一模制树脂内不通过光信号，则第一模制树脂部没有光信号散乱，可低成本制得光传输质量好的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，上述硅树脂部的透光率比上述第一模制树脂部的透光率以及上述第二模制树脂部的透光率大。
根据上述半导体光器件，上述硅树脂部的透光率比上述第一模制树脂部的透光率以及上述第二模制树脂部的透光率大，则上述硅树脂部比上述第一模制树脂部和上述第二模制树脂部透光性好，可减少光的损失量。
另外，上述半导体光器件中，上述引线框和上述半导体光元件经由低环曲形状的引线相互电连接。
根据上述半导体光器件，由于上述引线框和上述半导体光元件经由低环曲形状的引线相互电连接，可减小上述硅树脂部内的上述引线相对于上述引线框在垂直方向上的翘起。因此，该半导体光器件制造时，由上述第一模制树脂部的成型用模具压住上述硅树脂部，即使对上述硅树脂部施加有应力，也能够防止上述引线压曲。
另外，上述半导体光器件中，上述引线具有自位于上述半导体光元件的焊盘部延伸并与上述引线框大致平行的平行部。
根据上述半导体光器件，由于上述引线具有自位于上述半导体光元件的焊盘部延伸并与上述引线框大致平行的平行部，上述引线能够可靠连接在上述半导体光元件上，并且容易形成翘起小的上述引线。
另外，上述半导体光器件中，上述引线具有：位于上述半导体光元件的球部；自该球部延伸的弯曲部；自该弯曲部延伸并与上述引线框大致平行的平行部。
根据上述半导体光器件，由于上述引线具有：位于上述半导体光元件的球部；自该球部延伸的弯曲部；自该弯曲部延伸并与上述引线框大致平行的平行部，故上述引线能够可靠连接在上述半导体光元件上，并且容易形成翘起小的上述引线。
另外，上述半导体光器件中，上述弯曲部距上述半导体光元件的高度比上述平行部距上述半导体光元件的高度低。
根据上述半导体光器件，由于上述弯曲部距上述半导体光元件的高度比上述平行部距上述半导体光元件的高度低，故能够减小上述弯曲部的翘起，可靠防止上述引线的压曲。
另外，上述半导体光器件中，上述引线具有自上述半导体光元件延伸并与上述引线框大致平行的平行部。
根据上述半导体光器件，由于上述引线具有自上述半导体光元件延伸并与上述引线框大致平行的平行部，故能够大致消除上述引线的翘起，可靠防止上述引线压曲。
另外，上述半导体光器件中，具有集成电路芯片，其搭载于上述引线框上，由上述第一模制树脂部密封并对上述半导体光元件进行驱动控制，上述引线框和上述集成电路芯片经由低环曲形状的引线而相互电连接。
根据上述半导体光器件，由于上述引线框和上述集成电路芯片经由低环曲形状的引线而相互电连接，则利用与连接上述半导体光元件的上述低环曲形状的引线的相互作用，可薄化上述第一模制树脂部的厚度，实现封装的小型化以及薄型化。
另外，上述半导体光器件中，形成覆盖上述第一模制树脂部的表面中至少上述半导体光元件的上部的区域的透明导电膜，上述半导体光元件和上述第一模制树脂部以及上述透明导电膜由上述第二模制树脂部密封。
根据上述半导体光器件，覆盖上述第一模制树脂部的表面中至少上述半导体光元件的上部的区域的透明导电膜在具有高透光率的状态下减少来自外部的电子干扰，低成本制得没有误动作的光传输质量好的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，形成导电性树脂部，该导电性树脂部覆盖上述第一模制树脂部表面中上述半导体光元件的、至少进行受光或发光之一的部分以外的区域，上述半导体光元件和上述第一模制树脂部以及上述导电性树脂部由上述第二模制树脂部密封。
根据上述半导体光器件，形成覆盖上述第一模制树脂部表面中的上述半导体光元件的至少进行受光或发光之一的部分以外的区域的导电性树脂部，可减少来自外部的电子干扰、低成本制得没有误动作的光传输质量好的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件中，具有至少覆盖上述半导体光元件的进行受光或发光的部分的硅树脂部，上述第一模制树脂部具有露出上述硅树脂部的一部分的孔部并密封上述硅树脂部的其他部分以及上述半导体光元件，上述第二模制树脂部密封上述硅树脂部的一部分以及上述第一模制树脂部的至少一部分。
根据上述半导体光器件，上述硅树脂部的一部分不由上述第一模制树脂部密封，而仅由上述第二模制树脂部密封，由此能够减少上述第一模制树脂部内的光的散乱。即，形成不通过上述第一模制树脂部的光路。
另外，上述第一模制树脂部由于具有孔部，由该孔部，而可规定上述硅树脂部的一部分的大小。并且，该孔部的开口的大小和形状可事先设定为一定，而当制得多个半导体光器件时，可抑制各孔部的开口的偏差。即，自上述孔部露出的上述硅树脂部的一部分的大小的偏差可被抑制，得到输送或接收时一定的光量。
另外，本发明的半导体光器件的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，将引线框上的半导体光元件的进行受光或发光的部分由硅树脂部覆盖；第二工序，形成露出该硅树脂部的一部分的孔部，同时将该硅树脂部的其他部分以及上述半导体光元件由第一模制树脂部密封；第三工序，上述硅树脂部的一部分以及上述第一模制树脂部的至少一部分由第二模制树脂部密封。
根据上述半导体光器件的制造方法，形成露出该硅树脂部的一部分的孔部，同时由第一模制树脂部密封该硅树脂部其他部分以及上述半导体光器件，通过该孔部来规定上述硅树脂部的一部分的大小。并且，通过将该孔部的开口的大小和形状事先设定为一定，而当制造多个半导体光器件时，可抑制各孔部的开口的偏差。即，可抑制自上述孔部露出的上述硅树脂部的一部分的大小的偏差，在发送或接收时得到一定的光量。
另外，由于上述硅树脂部的一部分不由上述第一模制树脂部密封，而仅由上述第二模制树脂部密封，则能够减少上述第一模制树脂部内的光的散乱。即，形成不通过上述第一模制树脂部的光路。
另外，上述半导体光器件中，上述引线框具有搭载上述半导体光元件的管座；形成用于在形成有包围上述管座的内侧树脂部和外侧树脂部的区域自外部注入树脂的栅区域的栅部，其中，上述栅部形成具有隔开规定间隔而夹着上述栅区域的两个第一栅部件和进而自外侧夹着该两个第一栅部件的两个栅部件的二重结构。
根据上述半导体光器件，形成包围上述管座的内侧树脂部时，从由上述栅部的第一栅部件夹着的栅区域注入一次树脂，形成内侧树脂部后，除去上述第一栅部件，从由上述栅部的第二栅部件夹着的栅区域注入二次树脂，可形成外侧树脂部。因此，即使在不能进行贯通栅(through gate)方式等的树脂密封的密封中，在上述栅部附近，外侧树脂部中也不会卷入一次树脂，而实现适合光通信用的半导体光器件的引线框。
另外，本发明的引线框，其特征在于，具有搭载半导体光元件的管座；形成用于在形成有包围上述管座的内侧树脂部和外侧树脂部的区域自外部注入树脂的栅区域的栅部，其中，上述栅部形成具有隔开规定间隔而夹着上述栅区域的两个第一栅部件和进而自外侧夹着该两个第一栅部件的两个栅部件的二重结构。
根据该引线框，形成包围上述管座的内侧树脂部时，从由上述栅部的第一栅部件夹着的栅区域注入一次树脂，形成内侧树脂部后，除去上述第一栅部件，从由上述栅部的第二栅部件夹着的栅区域注入二次树脂，可形成外侧树脂部。因此，即使在不能进行贯通栅(through gate)方式等的树脂密封的密封中，在上述栅部附近，外侧树脂部中也不会卷入一次树脂，而实现适合光通信用的半导体光器件的引线框。
另外，上述引线框具有：除由上述栅部形成的上述栅区域，包围形成有上述内侧树脂部的第一模制区域而设置的第一连结部；包围上述第一连结部的外侧和第二模制区域而设置的第二连结部，所述第二模制区域形成有包围上述内侧树脂部的上述外侧树脂部。
根据上述引线框，由上述第一连结部包围形成有包围管座的内侧树脂部的第二模制区域，可防止内侧树脂部形成时引线端子和散热片部等产生树脂飞边，并且能够在外侧树脂部形成时使一次树脂不绕进第二连结部和引线端子、散热板部等中。并非仅上述第一连结部包围上述模制区域的全周，而是第一连结部和引线端子和散热片部相连而包围第一模制区域，另外，并非仅由第二连结部包围第二模制区域的全周，而是第二连结部和引线端子和散热片部相连而包围第二模制区域。
另外，上述引线框中，具有连接上述管座或内部引线部的至少一个和上述第一连结部的吊针。
根据上述引线框，能够由上述吊针保持管座或内部引线部的至少一个，而当半导体元件向管座进行装片或引线接合时不会变形。
另外，本发明的半导体光器件的制造方法，所述半导体光器件是使用上述任一方面所述的引线框的二重模制型的半导体光器件，其特征在于，具有：在上述引线框的管座搭载半导体光元件的工序；从由上述引线框的第一栅部件夹着的区域注入树脂，形成覆盖搭载有上述半导体光元件的上述管座的内侧树脂部的一次模制工序；上述第一模制工序后，除去上述内侧树脂部的树脂溢料和上述引线框的上述第一栅部件的除去工序；上述除去工序后，从由上述引线框的第二栅部件夹着的栅区域注入树脂，形成包围上述内侧树脂部的外侧树脂部的二次模制工序。
根据上述半导体光器件的制造方法，即使在不能进行贯通栅(throughgate)方式等的树脂密封的密封中，也能够防止外部端子和散热片部产生树脂飞边等，二次模制部中不会卷入一次树脂，而实现适合光通信用的半导体光器件。
另外，上述半导体光器件的制造方法中，上述引线框除由上述栅部形成的上述栅区域之外包围形成有上述内侧树脂部的第一模制区域而设置第一连结部，上述一次模制工序后上述二次模制工序前，具有冲切上述引线框的第一连结部的工序。
根据上述半导体光器件的制造方法，上述一次模制工序后上述二次模制工序前，通过冲切上述引线框的第一连结部的工序，能够与第一连结部一起除去一次模制工序产生的树脂飞边。
另外，上述半导体光器件的制造方法中，在冲切上述引线框的第一连结部的工序中，冲切连接上述管座和上述第一连结部的吊针。
根据，上述半导体光器件的制造方法，当二次模制工序完成后，吊针不从上述外侧树脂部露出，所以不会有水分等从这样的露出部侵入，而提高可靠性。
另外，本发明的电子设备，其特征在于，采用设有上述引线框的半导体光器件或利用上述的半导体光器件的制造方法制造的半导体光器件。
根据该电子设备，通过使用采用引线框的特性良好的半导体光器件，而能够实现性能好且可靠性高的电子设备。
另外，本发明的电子设备，其特征在于，具有上述任意一种半导体光器件。
根据该电子设备，通过使用可靠性高的光传输质量好的上述半导体光器件，而能够制造质量好的低成本的电子设备。
附图说明
本发明根据以下的详细说明和添加的附图而更能够充分理解。添加的附图仅是用于辅助说明，而不是对本发明的限制。附图中：
图1是表示本发明的实施例1的半导体光器件的示意结构的说明图；
图2是表示本发明的实施例5的半导体光器件的示意结构的说明图；
图3是表示本发明的实施例6的半导体光器件的示意结构的说明图；
图4是表示本发明的实施例7的半导体光器件的示意结构的说明图；
图5是表示本发明的实施例8的半导体光器件的示意结构的说明图；
图6是表示本发明的实施例9的半导体光器件的示意结构的说明图；
图7是表示本发明的实施例10的半导体光器件的示意结构的说明图；
图8是表示本发明的实施例13的半导体光器件的示意结构的说明图；
图9是表示本发明的实施例15的半导体光器件的示意结构的说明图；
图10是表示本发明的实施例16的半导体光器件的示意结构的说明图；
图11是表示本发明的实施例17的半导体光器件的示意结构的说明图；
图12是表示本发明的实施例18的半导体光器件的示意结构的说明图；
图13是表示本发明的实施例19的半导体光器件的示意结构的说明图；
图14是表示本发明的实施例20的半导体光器件的示意结构的说明图；
图15是表示本发明的实施例21的半导体光器件的示意结构的说明图；
图16是表示本发明的实施例22的半导体光器件的示意结构的说明图；
图17是表示本发明的实施例23的半导体光器件的示意结构的说明图；
图18是表示本发明的实施例24的半导体光器件的示意结构的说明图；
图19是表示本发明的实施例25的半导体光器件的示意结构的说明图；
图20是表示本发明的实施例26的半导体光器件的一实施方式的示意剖面图；
图21A是其他半导体光器件的剖面图；
图21B是第一模制树脂部的平面图；
图22A是其他半导体光器件的剖面图；
图22B是第一模制树脂部的平面图；
图23A是本发明的引线框的外观图；
图23B是该引线框的外观图；
图24A是用于说明使用该引线框的半导体装置的制造方法的第一工序图；
图24B是用于说明使用该引线框的半导体装置的制造方法的第二工序图；
图24C是用于说明使用该引线框的半导体装置的制造方法的第三工序图；
图24D是用于说明使用该引线框的半导体装置的制造方法的第四工序图；
图25是图24A所示的制造工序的主要部分放大图；
图26是图24B所示的制造工序的主要部分放大图；
图27是图24C所示的制造工序的主要部分放大图；
图28是图24D所示的制造工序的主要部分放大图；
图29A是安装用散热片为一个的半导体光器件的外观图；
图29B是安装用散热片为二个的半导体光器件的外观图；
图30是表示本发明的电子设备的方框图；
图31是表示使用以往的典型的透明树脂的半导体光器件的示意结构的说明图；
图32是表示使用以往的典型的填充剂填入树脂的半导体光器件的示意结构的说明图；
图33是表示使用以往的典型的树脂密封技术的半导体装置的示意结构的说明图。
符号说明
1、101、201、301 引线框
2、102、202、302 半导体光元件
3、103、203、303 导电性粘接膏
4、104、204、304 引线
5、105 集成电路芯片
6、106 透光性的透明树脂
10 透镜
11、111、211 光纤
13 硅树脂部
14 第一模制树脂部
15 第二模制树脂部
16 第一模制树脂部
17 第二模制树脂部
18、18′ 透明填充剂
19 第二模制树脂部
20 第二模制树脂部
21 第一模制树脂部
22、22′ 球状的透明填充剂
23 凹部
24 缩径部
25 密接部
26 透明导电膜
27 遮光性导电性树脂部
28 树脂阻止用壁
31 槽
32 孔
40、41、42 低环曲形状的引线
40a 平行部
41a 焊盘部
41b 平行部
42a 球部
42b 弯曲部
42c 平行部
207 模制树脂部
212 玻璃透镜
308 第一密封树脂部
309 第二密封树脂部
401 含有发光元件的半导体光器件
402 含有受光元件的半导体光器件
403 运算部
501 引线框
502 半导体光元件
503 导电性粘接膏
504 引线
505 集成电路芯片
510 透镜
511 光纤
513 硅树脂部
514 第一模制树脂部
515 第二模制树脂部
516 孔部
601 引线框
602、603 安装用散热片
604 管座
605 引线端子
606、607 第二连结部
608 托架部
609 栅部
610 第一连结部
611 厚溢料
612、613 第一栅部件
614、615 第二栅部件
616 吊针
620 内侧树脂部
630 外侧树脂部
S1 一次模制区域
S2 二次模制区域
具体实施方式
以下根据图示的实施例详细说明本发明的半导体光器件。
实施例1
图1是本发明的实施例1的半导体光器件的示意结构图。
该实施例1中的半导体光器件，如图1所示，在引线框1上由导电性粘接膏3粘接安装半导体光元件2和用于对该半导体光元件2进行驱动控制的集成电路芯片5。并且，使用具有耐寒性的硅树脂覆盖半导体光元件2，形成硅树脂部13。上述半导体光元件2和硅树脂部13以及集成电路芯片5利用由透光性模制树脂构成的第一模制树脂部14密封，进而第一模制树脂部14的外周部利用与第一模制树脂部14不同的透光率高的透光性模制树脂构成的第二模制树脂部15密封。由此，上述半导体光器件形成二层模制结构。上述第二模制树脂部15上形成的透镜10将半导体光元件2和光纤11光学结合。另外，上述半导体光元件2和引线框1经由引线4电连接。
上述实施例1的半导体光器件中，第一模制树脂部14的线性膨胀系数α1比第二模制树脂部15的线性膨胀系数α2小。由此，可减小第一模制树脂部14和引线框1以及半导体光元件2的线性膨胀系数的差异，并可以由简单的结构来防止热应力导致的接合引线的断线和封装裂纹等情况。因此，能够以低成本制造光传输质量良好、可靠性高的小型半导体光器件。
另外，由上述具有耐寒性的硅树脂部13覆盖半导体光元件2，从而低温时也能够确保硅树脂部13的弹性而可以降低被接合的引线4上的应力，制造可靠性更高的半导体光器件。
另外，上述第一模制树脂部14的透光率比上述第二模制树脂部15的透光率小。因此，上述第一模制树脂部14的干扰光绕进的情况减少，提高S/N比。另外，可以降低上述第一模制树脂部14的光的散乱，提高接收或输送信息的效率。
另外，上述硅树脂部13的透光率比上述第一模制树脂部14的透光率以及上述第二模制树脂部15的透光率都大。因此，上述硅树脂部13比上述第一模制树脂部14以及上述第二模制树脂部15的透光性都要好，可降低光量损失。
实施例2
下面援用图1来说明本发明实施例2的半导体光器件，其除第一模制树脂部之外形成与实施例1的半导体光器件同样的结构。
该实施例2的半导体光器件中，第一模制树脂部14使用填充有填充剂(例如特殊硅)的模制树脂，调节所使用的模制树脂的填充剂的填充量，使引线框1的线性膨胀系数和第一模制树脂部14的线性膨胀系数α1之差成为0～6.0×10-5。
根据上述实施例2的半导体光器件，可以减少热应力导致的引线框1和第一模制树脂部14的剥离而产生的引线4的断线或半导体光元件2、集成电路芯片5的芯片剥裂等情况，制得可靠性更高的半导体光器件。
另外，实施例2的将半导体光器件的引线框1的线性膨胀系数和第一模制树脂部14的线性膨胀系数α1之差形成为0～6.0×10-5的条件也适用于实施例3～实施例26的半导体光器件。
实施例3
下面援用图1说明本发明的实施例3的半导体光器件，其除第二模制树脂部之外形成与实施例1的半导体光器件同样的结构。
该实施例3的半导体光器件中，第一模制树脂部14的线性膨胀系数α1和第二模制树脂部15的线性膨胀系数α2之差形成0～6.0×10-5。
根据上述实施例3的半导体光器件，第一模制树脂部14和第二模制树脂部15由热收缩差导致的树脂界面剥离进而带来的耐潮性等方面的问题可以减少，制得可靠性高的半导体光器件。
另外，该实施例3的半导体光器件的第一模制树脂部的线性膨胀系数和第二模制树脂部的线性膨胀系数之差形成为0～6.0×10-5的条件也可适用于实施例2和后述的实施例4～实施例26的半导体光器件。
实施例4
下面援用图1说明本发明的实施例4的半导体光器件，其除第一、第二模制树脂部的材料之外形成与实施例1的半导体光器件同样的结构。
该实施例4的半导体光器件中，作为第一、第二模制树脂部14、15使用的透光性模制树脂，使用比玻化温度Tg高且硬化性快的苯酚类硬化环氧树脂。
根据上述实施例4的半导体光器件，容易进行线性膨胀系数、导热性以及透光率的控制，并且能够低成本地制得光传输质量好、可靠性高的小型半导体光器件。
另外，可取代苯酚类硬化环氧树脂而使用透明性高的酸酐类硬化环氧树脂形成第一、第二模制树脂部，此时也具有同样的效果。另外，该实施例4的半导体光器件可适用于实施例2、3的半导体光器件。
实施例5
图2是本发明实施例5的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例5的半导体光器件除第一、第二模制树脂部之外形成与实施例1相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
在该实施例5的半导体光器件中，如图2所示，第一模制树脂部16使用填充了透明填充剂18、高透光率且线性膨胀系数α1小的苯酚类硬化环氧树脂，第二模制树脂部17使用未填充有填充剂的高透光率的酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述实施例5的半导体光器件，能够以低成本制得光传输质量好、可靠性高的小型半导体光器件。
另外，该实施例5的半导体光器件也可适用于实施例2、3的半导体光器件。
实施例6
图3是本发明实施例6的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例6的半导体光器件除第二模制树脂部之外形成与实施例5相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
在该实施例6的半导体光器件中，如图3所示，第一模制树脂部16使用填充了透明填充剂18、高透光率且线性膨胀系数α1小的苯酚类硬化环氧树脂，第二模制树脂部19使用填充了高透光率且线性膨胀系数小的透明填充剂18′的酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述实施例6的半导体光器件，能够降低第一模制树脂部16和第二模制树脂部19的线性膨胀系数之差，减少热应力导致的树脂界面剥离而产生的耐潮性等方面的问题，进而制得可靠性高的半导体光器件。
实施例7
图4是本发明实施例7的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例7的半导体光器件除第二模制树脂部之外形成与实施例6相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
在该实施例7的半导体光器件中，如图4所示，第二模制树脂部20使用填充了填充量少于第一模制树脂部16的透明填充剂18′的酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述实施例7的半导体光器件，第一模制树脂部16使用填充了透明填充剂18、高透光率且线性膨胀系数α1小的苯酚类硬化环氧树脂，能够将第一模制树脂部16和第二模制树脂部20的线性膨胀系数之差进一步减小，减少热应力导致的树脂界面剥离的产生。另外，第一、第二模制树脂部16、20使用的苯酚类硬化环氧树脂与酸酐类硬化环氧树脂相比，硬化性快，所以能够缩短密封时间，而能够以低成本制得可靠性高的半导体光器件。
实施例8
图5是本发明实施例8的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例8的半导体光器件除第一模制树脂部之外形成与实施例5相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
该实施例8的半导体光器件中，如图5所示，第一模制树脂部21使用填充了透明填充剂18、高透光率且线性膨胀系数α1小的苯酚类硬化环氧树脂，第二模制树脂部17使用未填充有填充剂的高透光率的酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述实施例8的半导体光器件，能够以低成本制得光传输质量更好、可靠性更高的小型半导体光器件。
另外，该实施例8的半导体装置也可以适用于实施例1、3的半导体光器件。
实施例9
图6是本发明实施例9的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例9的半导体光器件除第一模制树脂部之外形成与实施例6相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
该实施例9的半导体光器件中，如图6所示，第二模制树脂部19使用填充了透明填充剂18′的酸酐类硬化环氧树脂。该第二模制树脂部19中作为被填充的填充剂量小于或等于第一模制树脂部21的填充剂填充量的75％。
根据上述实施例9的半导体光器件，第一模制树脂部21使用填充了透明填充剂18、高透光率且线性膨胀系数α1小的苯酚类硬化环氧树脂，能够将第一模制树脂部21和第二模制树脂部19的线性膨胀系数之差减小，减少热应力导致的树脂界面剥离而产生的耐潮性等方面的问题，进而制得可靠性高的半导体光器件。
实施例10
图7是本发明实施例10的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例10的半导体光器件除第二模制树脂部之外形成与实施例9相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
该实施例10的半导体光器件中，如图7所示，第二模制树脂部20使用填充了填充量少于第一模制树脂部21的透明填充剂18′的酸酐类硬化环氧树脂。
根据上述实施例10的半导体光器件，第一模制树脂部21使用填充了透明填充剂18、高透光率且线性膨胀系数α1小的苯酚类硬化环氧树脂，能够缩小第一模制树脂部21和第二模制树脂部20的线性膨胀系数之差，并且能够降低热应力导致的树脂界面剥离的产生。另外，第二模制树脂部20使用的苯酚类硬化环氧树脂与酸酐类硬化环氧树脂相比，硬化性快，所以能够缩短密封时间，而能够以低成本制得可靠性高的半导体光器件。
实施例11
下面援用图2说明本发明的实施例11的半导体光器件，其除第一模制树脂部之外形成与实施例5的半导体光器件相同的结构。
该实施例11的半导体光器件中，第一模制树脂部16中填充的透明填充剂的填充量控制在20～80wt％的范围。
根据该实施例11的半导体光器件，能够保持高透光率的状态下而减少第一模制树脂部16的线性膨胀系数α1，并提高导热度，并能够以低成本制得光传输质量好、可靠性高的小型半导体光器件。
另外，该实施例11的半导体光器件的透明填充剂的填充量的条件可适用于实施例6～实施例10和后述的实施例12～实施例26的半导体光器件。
实施例12
下面援用图2说明本发明的实施例12的半导体光器件，其除第一模制树脂部之外形成与实施例5的半导体光器件相同的结构。
该实施例12的半导体光器件中，使用与要填充到的第一模制树脂部16的折射率近似的透明填充剂。
根据上述实施例12的半导体光器件，可以降低模制树脂内的透明填充剂引起的散乱而导致的光信号的衰减，制得光传输质量更好的半导体光器件。
另外，该实施例12的半导体光器件的透明填充剂可适用于实施例6～实施例11和后述的实施例13～实施例26的半导体光器件。
实施例13
图8是本发明实施例13的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例13的半导体光器件除第一、第二模制树脂部之外形成与实施例9相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
该实施例13的半导体光器件中，如图8所示，将分别填充到第一、第二模制树脂部16、19的透明填充剂22、22′的形状形成球状。
根据该实施例13的半导体光器件，通过球状的透明填充剂22、22′而可实现第一、第二模制树脂部16、19内的光信号传输路径的稳定化，并且可降低填充剂对半导体元件的应力破坏(填充剂侵袭(filler attack))。因此，能够制得光传输质量好、可靠性高的半导体光器件。
另外，最好使球状填充剂的粒径一致。
另外，该实施例13的半导体光器件也适用于实施例6～8、实施例10～12和后述的实施例14～26的半导体光器件。另外，也适用于实施例5的第一模制树脂部。
实施例14
下面援用图1说明本发明的实施例14的半导体光器件，其除第一、第二模制树脂部之外形成与实施例1的半导体光器件相同的结构。
本发明的实施例14的半导体光器件是实施例1的半导体光器件中，第一、第二模制树脂部14、15含有遮断比半导体光元件2的受光波长或发光波长短的短波长一侧(小于或等于400nm)的光的染料。在此，“染料”是指用于吸收特定波长的光的光吸收剂。
根据该实施例14的半导体光器件，可通过第一、第二模制树脂部14、15含有的染料而降低来自外部的光干扰，能够以低成本制得没有误动作的、光传输质量良好的半导体光器件。
另外，也可在第一、第二模制树脂部14、15的至少一个中含有遮断短波长一侧(小于或等于400nm)的光的染料。另外，该实施例14的半导体光器件的含有染料的第一、第二模制树脂部也可适用于实施例2～13和后述的实施例15～实施例26的半导体光器件。
实施例15
图9是本发明实施例15的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例15的半导体光器件除凹部23之外形成与实施例13的图8所示的半导体光器件相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
在本发明实施例15的半导体光器件中，如图9所示，半导体光元件2的受发光部上部的第一模制树脂部16上设置凹部23。由此，能够使半导体光元件2的受发光部上部的第一模制树脂部16的厚度尽量比其他部分薄(第一模制树脂部16的厚度小于或等于200μm)。
通常，为使半导体光元件上的所接合的引线4的高度有100～200μm程度而将第一模制树脂部16用的模具的成型厚度全部形成小于或等于200μm，则引线4会接触模具而变形及断线。但是，尽量薄化第一模制树脂部16的厚度可得到光传输质量高的特性，所以，通过仅将没有引线4的受发光部上部尽量形成得薄(小于或等于200μm)，则可降低第一模制树脂部16内的填充剂造成的散乱，以低成本制得光传输质量好、可靠性高的半导体光器件。
另外，该实施例15的半导体光器件通过设置凹部而将第一模制树脂部的厚度尽量薄化的结构也适用于第一模制树脂内填充有填充剂的实施例5～12、实施例14和后述的实施例16～26的半导体光器件。
实施例16
图10是本发明实施例16的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例16的半导体光器件除凹部23的侧壁之外形成与实施例15的图9所示的半导体光器件相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
本发明实施例15的半导体光器件中，在半导体光元件2的受发光部上部的第一模制树脂部16上设置的凹部23的侧壁上设置缩径部24。
根据该实施例16的半导体光器件，通过在第一模制树脂部16的凹部23的侧壁设置的缩径部24，而可高效地将发送光或受光集中，以低成本制得光传输质量更好的半导体光器件。
实施例17
图11是本发明实施例17的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例17的半导体光器件除硅树脂部13之外形成与实施例13的图8所示的半导体光器件相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
本发明的实施例17的半导体光器件，不将覆盖半导体光元件2的硅树脂部13由第一模制树脂部16密封，而由第二模制树脂部19密封。即、由密接部25粘接硅树脂部13和第二模制树脂部19。
根据实施例17的半导体光器件，由于光信号不在第一模制树脂部16内通过，故第一模制树脂部16没有光信号散乱，能够以低成本制得光传输质量好的半导体光器件。另外，也可增大第一模制树脂部16内的透明填充剂22的填充量。
另外，该实施例17的半导体光器件也适用于实施例1～16和后述的实施例18～26的半导体光器件。
实施例18
图12是本发明实施例18的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例18的半导体光器件除透明导电膜26之外形成与实施例13的图8所示的半导体光器件相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
本发明实施例18的半导体光器件中，在第一模制树脂部16和第二模制树脂部19间形成透明导电膜(TiO2、In2O3等)26。
根据该实施例18的半导体光器件，通过透明导电膜26可保持高透光率而降低来自外部的电子干扰，以低成本制得没有误动作的光传输质量好的半导体光器件。
另外，该实施例18的半导体光器件的透明导电膜也适用于实施例1～17和后述实施例19～26的半导体光器件。
实施例19
图13是本发明实施例19的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例19的半导体光器件除遮光性导电性树脂部27之外形成与实施例13的图8所示的半导体光器件相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
本发明实施例19的半导体光器件中，在第一模制树脂部16模制时事先形成遮光性导电树脂涂敷用的槽31以及引线框1的连接用的孔32，由遮光性导电性树脂部27覆盖半导体光元件2的受发光部以外的第一模制树脂部16的上面部分后，由第二模制树脂部19密封。另外，在第一模制树脂部16上半导体光元件2的受发光部的上面部不被遮光性导电性树脂部27覆盖而设置树脂阻止用的壁28。
根据该实施例19的半导体光器件，由遮光性导电性树脂部27减少来自外部的电子干扰以及光干扰，以低成本制得没有误动作的光传输质量好的半导体光器件。
另外，该实施例19的半导体光器件的遮光性导电性树脂部也适用于实施例1～12、实施例14～18的半导体光器件和后述的实施例20～26的半导体光器件。
实施例20
图14是本发明实施例20的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例20的半导体光器件除硅树脂部13和引线40之外形成与实施例17的图11所示的半导体光器件相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
本发明实施例20中的半导体光器件中，上述引线框1和上述半导体光元件2经由低环曲(loop)形状的引线40相互电连接。上述引线40在上述半导体光元件2侧具有与上述引线框1的面大致平行的平行部40a。即，上述引线40在上述硅树脂部13内具有上述平行部40a。该引线40例如通过在上述半导体光元件2上进行一次接合并在上述引线框1上进行二次接合而形成。
根据上述实施例20的半导体光器件，能够减小上述硅树脂部13内上述引线40相对上述引线框1而在垂直方向翘起。由此，该半导体光器件制造时由上述第一模制树脂部16的成型用的模具压住上述硅树脂部13，即使对上述硅树脂部13施加应力，也能够防止上述引线40压曲，防止该引线40的损伤。
另外，上述引线框1和上述集成电路芯片5经由另外的上述引线40相互电连接。因此，通过与连接上述半导体光元件2的上述引线40的相互作用，而能够薄化上述第一模制树脂部16的厚度B，实现封装的小型化和薄型化。另外，连接上述集成电路芯片5的引线也可以不是上述低环曲形状的引线40。
另外，该实施例20的半导体光器件也适用于实施例1～16和实施例18、19的半导体光器件和后述的实施例26的半导体光器件。
实施例21
图15是本发明实施例21的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例21的半导体光器件除引线41之外形成与实施例20的图14所示的半导体光器件相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
本发明的实施例21的半导体光器件中，低环曲形状的引线41具有自位于上述半导体光元件2的焊盘部41a延伸并与上述引线框1大致平行的平行部41b。
说明上述引线41的形成方法。首先，在上述半导体光元件2的电极上接合球状的焊盘部41a。接着，在上述引线框1上进行一次接合，在上述焊盘部41a上进行二次接合，形成上述引线41。
根据上述实施例21的半导体光器件，上述引线41具有上述焊盘部41a和上述平行部41b，因此能够将上述引线41可靠地连接在上述半导体光元件2上，并且容易形成翘起小的上述引线41。另外，上述引线41的平行部41b容易形成在低位置(接近上述半导体光元件2的位置)。
另外，在通常的半导体光器件上使用上述引线41时，若在-40℃～+85℃的温度条件下进行热循环试验，则需进行小于或等于500次的循环。而本发明的半导体光器件中使用上述引线41时，若在-40℃～+105℃的更苛刻的温度条件下进行热循环试验，则可确保大于或等于500次的循环的可靠性。
另外，该实施例21的半导体光器件也可适用于实施例1～16和实施例18～19的半导体光器件和后述的实施例26的半导体光器件。
实施例22
图16是本发明实施例22的半导体光器件的示意结构图。本发明实施例22的半导体光器件除引线42之外形成与实施例20的图14所示的半导体光器件相同的结构，相同结构部赋予相同附图标记而省略说明。
本发明实施例22的半导体光器件中，低环曲形状的引线42具有位于上述半导体光元件2的球部42a、自该球部42a延伸的弯曲部42b、自该弯曲部42b延伸并与上述引线框1大致平行的平行部42c。
说明上述引线42的形成方法。首先，在上述半导体光元件2的电极上进行一次接合，形成上述球部42a。接着，不切断引线而形成上述弯曲部42b，在上述球部42a的顶上重绕引线的一部分，在上述引线框1上进行一次接合，而形成引线42。
根据上述实施例22的半导体光器件，上述引线42由于具有上述球部42a和上述弯曲部42b和上述平行部42c，所以能够可靠地将引线42连接在上述半导体光元件2上，并且容易形成翘起小的上述引线42。
另外，该实施例22的半导体光器件也适用于实施例1～16、实施例18～19的半导体光器件和后述的实施例26的半导体光器件。
实施例23
图17是本发明实施例23的半导体光器件的示意结构图。说明与实施例22的图16所示的半导体光器件的不同点。在该实施例23的半导体光器件中，上述弯曲部42b距上述半导体光元件2的高度比上述平行部42c距上述半导体光元件2的高度低。
根据该实施例23的半导体光器件，上述弯曲部42b的高度比上述平行部42c的高度低，所以可以减小上述弯曲部42b的翘起，可靠地防止上述引线42的压曲。
另外，该实施例23的半导体光器件也适用于实施例1～16及实施例18～19的半导体光器件和后述的实施例26的半导体光器件。
实施例24
图18是本发明实施例24的半导体光器件的示意结构图。说明与实施例23的图17所示的半导体光器件的不同点。该实施例24的半导体光器件中，上述引线42具有设在上述引线框1上的弯曲部42d。
说明该弯曲部42d的形成方法。在上述引线框1上进行二次接合后，不切断引线而形成环部，在该二次接合的位置将引线的一部分而折绕，而形成弯曲部42d。
根据该实施例24的半导体光器件，上述引线42由于具有上述弯曲部42d，所以能够提高上述引线42对上述引线框1的接合强度。
另外，该实施例24的半导体光器件也适用于实施例1～16及实施例18～19的半导体光器件和后述的实施例26的半导体光器件。
实施例25
图19是本发明实施例25的半导体光器件的示意结构图。说明与实施例21的图15所示的半导体光器件的不同点。在该实施例25的半导体光器件中，上述引线41具有自上述半导体光元件2延伸并与上述引线框1大致平行的平行部41b。即，在上述引线41上没有上述焊盘部41a。
说明上述引线41的形成方法。在上述引线框1上进行一次接合，在上述半导体光元件2上进行二次接合，而形成上述引线41。
根据该实施例25的半导体光器件，上述引线41由于具有自上述半导体光元件2与上述引线框1大致平行地延伸的平行部41b，而可大致消除上述引线41的翘起，而可靠防止上述引线41的压曲。
另外，该实施例25的半导体光器件也适用于实施例1～16及实施例18～19的半导体光器件和后述的实施例26的半导体光器件。
实施例26
图20是本发明半导体光器件的实施例26的示意剖面图。该半导体光器件如图20所示由导电性粘接膏503将半导体光元件502以及用于驱动控制该半导体光元件502的集成电路芯片505粘接安装在引线框501上。另外，上述半导体光元件502以及上述集成电路芯片505经由引线504电连接在上述引线框501上。
并且，使用具有耐寒性的硅树脂来覆盖上述半导体光元件502而形成硅树脂部513。另外，该硅树脂部513至少覆盖上述半导体光元件502的进行受光或发光的部分即可。
除上述硅树脂部513的一部分之外的上述硅树脂部513的其他部分、上述半导体光元件502以及上述集成电路芯片505由第一层的第一模制树脂部514密封。即，该第一模制树脂部514具有露出上述硅树脂部513的一部分的孔部516。
该第一模制树脂部514例如是透明性低但线性膨胀系数小的环氧树脂。具体地，该第一模制树脂部514是含有填充剂的苯酚类环氧树脂。
上述硅树脂部513的一部分以及上述第一模制树脂部514的外周部由第二层的第二模制树脂部515密封。该第二模制树脂部515具有比上述第一模制树脂部514的线性膨胀系数大的线性膨胀系数，并且具有透光性。该第二模制树脂部515例如是含有透明性高的填充剂的酸酐类环氧树脂。即，上述半导体光器件形成二层模制结构。
上述第二模制树脂部515上形成透镜510。与该透镜510相对配置光纤511。并且，在连结上述半导体光器件502和上述光纤511的光轴上没有上述第一模制树脂514而具有上述硅树脂部513以及上述第二模制树脂部515(上述透镜510)。
根据上述结构的半导体光器件，上述第一模制树脂部514的线性膨胀系数比上述第二模制树脂部515的线性膨胀系数小，由此可减小上述第一模制树脂部514和上述引线框501以及上述半导体光器件502的线性膨胀系数的差异。由此，不会发生热应力导致的接合引线的断线和封装裂纹等情况。
另外，由上述具有耐寒性的硅树脂部513来敷盖上述半导体光元件502，则低温时也能够保持上述硅树脂部513的弹性，而降低所接合的上述引线504上施加的应力。
另外，不由上述第一模制树脂部514密封上述硅树脂部513的一部分，而仅由上述第二模制树脂部515密封，由此降低上述第一模制树脂部514内的光的散乱。即，能够形成不在上述第一模制树脂部514通过的光路。
另外，上述第一模制树脂部514具有上述孔部516，所以通过该孔部516而规定上述硅树脂部513的一部分的大小。并且，通过预先将该孔部516的开口的大小和形状设定成一定，而当制造多个半导体光器件时，可抑制各孔部516的开口的偏差。即，可抑制自上述孔部516露出的上述硅树脂部513的一部分的大小的偏差，在发送或接收时得到一定的光量。
因此，可以低成本制得可靠性高、高输出质量良好的小型半导体光器件。
另外，上述第一模制树脂部514可以具有遮光性，上述半导体光元件502由上述第一模制树脂部514密封，所以能够降低干扰光绕进上述半导体光元件502，提高S/N比。
接着说明上述半导体光器件的制造方法。
首先，上述引线框501上的上述半导体光元件502的进行受光或发光的部分由上述硅树脂部513覆盖。
之后，形成(确保)露出该硅树脂部513的一部分的上述孔部516，同时将除该硅树脂部513的一部分的上述硅树脂部513的其他部分以及上述半导体光元件502用上述第一模制树脂部514密封。
并且，上述硅树脂部513的一部分以及上述第一模制树脂部514的至少一部分由上述第二模制树脂部515密封。
因此，形成上述硅树脂部513的一部分露出的上述孔部516，同时将上述硅树脂部513的其他部分以及上述半导体光元件502由上述第一模制树脂部514密封，所以可由该孔部516规定上述硅树脂部513的一部分的大小。
通过预先将该孔部516的开口的大小和形状设定为一定，而当制造多个半导体光器件时，能够抑制各半导体光器件的上述硅树脂部513的一部分的大小的偏差。
例如，如图21A所示，覆盖上述半导体光元件502的上述硅树脂部513的量少时，上述孔部516的深度变深。而如图22A所示，覆盖上述半导体光元件502的上述硅树脂部513的量多时，上述孔部516的深度变浅。
但是，如图21B所示上述硅树脂部513的量少时(图21A)的上述孔部516的开口的直径的大小，与如图22B所示上述硅树脂部513的量多时(图22A)的上述孔部516的开口的直径的大小相同。
因此，由于无论上述硅树脂部513的量如何都能够使上述孔部516的开口的直径的大小一定，则当制造多个半导体光器件时能够形成一定大小的光路，得到一定的光量。
总之，仅通过上述第一模制树脂部514(或上述第二模制树脂部515)覆盖上述硅树脂部513则能够使自上述半导体光元件502到上述光纤511的光量或自上述光纤511到上述半导体光元件502的光量由上述硅树脂部513的大小和形状制约。
但是，如本发明，由于确保上述孔部516的同时将除上述硅树脂部513的一部分的上述硅树脂部513的其他部分由上述第一模制树脂部514密封，而能够使自上述半导体光元件502到上述光纤511的光量或自上述光纤511到上述半导体光元件502的光量由上述硅树脂部516的大小和形状制约，而不受上述硅树脂部513的大小和形状制约。
另外，该实施例26的半导体光器件也适用于实施例1～25的半导体光器件。
实施例27
图23A表示本发明一实施例的引线框601的外观图，608、608是以规定间隔大致平行配置的两个托架部，602、603是安装用散热片，604是管座(header部)，605是引线端子、606是连结上述引线端子605间的第二连结部。另外，609是注入树脂的栅部、610是一次模制工序中用于拦住一次树脂的第一连结部。
该引线框601如图23B所示，在一次模制区域S 1上形成由一次树脂构成的内侧树脂部，在二次模制区域S2上形成由二次树脂构成的外侧树脂部。
图24A～图24D表示用于说明采用上述引线框601的半导体光器件的制造方法的图。
如图24A～24D所示，构成封装的区域的左右(图24A～24D中上下)具有安装用散热片，所以在树脂密封时，自图24A的栅部609注入树脂。
首先，图24A中实施一次模制工序，形成内侧树脂部620，图24B中进行一次连结切断工序后，在图24C中实施二次模制工序，形成外侧树脂部630，进而实施图24D的第二栅部件切断工序。
另外，图25是图24A所示制造工序的主要部分放大图，图26是图24B所示的制造工序的主要部分放大图，图27是图24C所示的制造工序的主要部分放大图，图28是图24D所示的制造工序的主要部分放大图。
图25中，用于注入树脂的栅部609是具有以规定间隔夹着栅区域的两个第一栅部件612、613和进而自外侧夹着这两个第一栅部件612、613的两个第二栅部件614、615的二重结构。另外，第一连结部610由包围作为内侧树脂部620的一次模制区域S1而设置的部分610a～610f构成，该部分610a～610f和其之间的引线端子605和第二栅部件614、615以及安装用散热片603除栅部609的栅区域而连续，从而拦住一次树脂。
二重模制型的情况下，如图24A所示，首先由转移模制自树脂注入部(箭头R1)注入一次树脂，形成内侧树脂部620。这时，如图25所示，从由第一栅部件612、613形成的栅区域注入的树脂被第一连结部610拦住，在第一连结部610和内侧树脂部620之间的模腔可形成厚溢料611，但是在引线端子605和安装用散热片602、603上不会绕进一次树脂。
进而之后，如图26所示，图25所示的厚溢料611和第一连结部610由模具除去，剩下第二栅部件614、615。该一次连结切断工序中，由于将内部引线部连接的吊针(例如图25的616)全部切断，故吊针不会向外部露出，进而可实现可靠性的提高。图24C的二次模制工序完成后，吊针露出外部，而自此水分等容易进入。
图26所示的状态下，由转移模制而从由第二栅部件614、615形成的栅区域注入二次树脂，如图27所示，形成包围内侧树脂部620的外侧树脂部630。这时，二次树脂由第二连结部606、7拦住。另外，引线端子605和安装用散热片602、603不附着一次树脂，所以二次树脂不会卷入一次树脂。进而，上述栅部609形成具有第一、第二栅部件612～615的二重结构，所以可消除自此的一次树脂的绕进。
并且，如图28所示，切断第二栅部件614、615(图27所示)。
结果，可提供透明性高的、特性良好的半导体光器件。
使用上述实施例的半导体光器件的制造方法而制造光通信用的半导体光器件时，首先，在引线框601的管座分别装片(粘接)未图示的发光元件和受光元件。
并且，实施将发光元件、受光元件的各电极和引线端子之间经由金线连接的引线接合后，对发光元件和受光元件由硅树脂进行涂敷。由此。设置在一次模制工序后通过光的窗口。
之后，由作为一次树脂的一例的透光性环氧树脂进行一次模制，进而之后，由作为二次树脂的一例的透光性环氧树脂进行转移模制。
这样，转移模制的半导体光器件经外装镀敷、引线成型(外部引线加工)、电气特性检查(电气诸特性的测定)、印记、外观检查、捆包工序形成产品。这时的成型除转移模制之外也可以由喷射模制或注型模制(注型モ一ルド)等进行。
该光通信用的半导体光器件中，同样也可以由模具与虚引线(ダミ一リ一ド)一同除去实施了一次树脂密封后产生的树脂飞边和引线间、模腔间的厚溢料。
图29A表示由上述半导体光器件的制造方法制造的一个安装用散热片的半导体光器件651的外观图。另外，安装用散热片在封装的左右有两个时，成为图29B的外观图所示的半导体光器件652的形态。
根据上述引线框601，从由栅部609的第一栅部件612、613夹着的栅区域注入一次树脂，形成包围管座604的内侧树脂部620后，除去第一栅部件612、613，从由栅部609的第二栅部件614、615夹着的栅区域注入二次树脂，形成外侧树脂部630。因此，即使是不能进行贯通栅(through gate)方式等的树脂密封的封装中，在栅部609附近外侧树脂部630也不会卷入一次树脂，而实现光通信用的半导体光器件中使用的最合适的引线框。
另外，通过上述第一连结部610包围形成有包围管座604的内侧树脂部620的第二模制区域，能够防止内侧树脂部620形成时在引线端子和散热片部等上产生树脂飞边(flash)，并且能够在外侧树脂部630形成时使树脂不绕进第二连结部606、7和引线端子、散热片部等中。
另外，能够将内部引线部保持在上述吊针616上，在装片和引线接合时不变形。另外，在管座连接有吊针的情况下也相同。
另外，根据上述半导体光器件的制造方法，即使是不能够进行贯通栅方式等的树脂密封的封装，在外部的端子和散热片部等中也能够防止树脂飞边的产生，并且一次树脂不卷入二次模制部中，能够实现适用于光通信用的半导体光器件。
另外，一次模制工序后二次模制工序前，通过冲切引线框的第一连结部610将一次模制工序产生的树脂飞边(flash)与第一连结部610一起除去。
另外，二次模制工序完成后吊针不露出外部，所以不会自此侵入水分等而提高可靠性。
上述实施例中，说明了采用引线框的半导体光器件的制造方法。但是本发明的引线框不限于半导体光器件(例如上述实施例1～26的半导体光器件)，也可适用于二重模制型的其他半导体装置。
实施例28
图30是作为本发明的电子设备的一例的距离传感器的方框图。该距离传感器具有上述实施例1～27任意一个记载的两个半导体光器件。其中，一个半导体光器件401使用发光元件作为半导体光元件，另一个半导体光器件402使用受光元件作为半导体光元件。进而，该距离传感器包含运算部403。
并且，自含有上述发光元件的半导体光器件401照射被测物，由该被测物反射的光被含有上述受光元件的半导体光器件402接收，由上述运算部403运算该受光信号，求出至上述被测物的距离。
根据上述电子设备，通过使用可靠性高的光传输质量好的上述半导体光器件，而可制得质量高的低成本的电子设备。
近年来，具有半导体光器件的电子设备(数字TV、数字BS调谐器、CS调谐器、DVD播放器、CD播放器、AV放大器、音响、个人计算机、电脑附属设备、手机、PDA)等价格竞争激烈，对搭载部件的价格下调要求日趋苛刻。
另外，车辆用的车载音响、车用导航器、传感器、控制设备和FA用的机器人的传感器、控制用设备等、工作温度范围苛刻的电子设备中半导体光器件的搭载也在进步。
本发明针对这样的电子设备而能够提供可靠性高、光传输质量好的低成本的半导体光器件，而能够制造质量高且低成本的电子设备。
说明对本发明的实施例进行了说明，但是显然其可以进行重重变更。这样的变更只要不超出本发明的精神和范围，对本领域技术人员来说是清楚的，则这样的变更也包含在本发明的权利要求中。
本非临时发明根据合众国国法典第35篇第119章(a)基于2004年9月16日在日本申请的专利申请第2004-269470号、2005年2月24日在日本申请的专利申请第2005-048556号、2005年4月6日在日本申请的专利申请2005-109735号以及2005年7月22日在日本申请的专利申请第2005-213184号而主张优先权。其公开依所言及而编入本文。

Claims (31)

1.一种半导体光器件，其特征在于，具有：引线框；配置在该引线框上的半导体光元件；密封该半导体光元件的第一模制树脂部；密封该第一模制树脂部的至少一部分的具有透光性的第二模制树脂部；覆盖上述半导体光元件而设置的具有耐寒性的硅树脂部，由上述硅树脂部覆盖的上述半导体光元件由上述第一模制树脂部或上述第二模制树脂部中的至少上述第二模制树脂部密封，其中，上述第一模制树脂部的线性膨胀系数比上述第二模制树脂部的线性膨胀系数小。
2.如权利要求1所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部具有透光性。
3.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部的透光率比上述第二模制树脂部的透光率小。
4.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了填充剂的模制树脂，上述引线框的线性膨胀系数和上述第一模制树脂部的线性膨胀系数之差形成0～6.0×10-5。
5.如权利要求4所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部的线性膨胀系数和上述第二模制树脂部的线性膨胀系数之差形成0～6.0×10-5。
6.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部和上述第二模制树脂部使用苯酚类硬化环氧树脂或酸酐类硬化环氧树脂。
7.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用酸酐类硬化环氧树脂。
8.如权利要求7所述的半导体光器件，其特征在于，上述第二模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂。
9.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用填充了填充量比上述第一模制树脂部少的透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂。
10.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用无填充剂的酸酐类硬化环氧树脂。
11.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部和上述第二模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂。
12.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述第二模制树脂部使用透明填充剂的填充量比上述第一模制树脂部少的苯酚类硬化环氧树脂。
13.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂或填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述第一模制树脂部填充的透明填充剂的填充量是20～80wt％。
14.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂或填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述透明填充剂的折射率和上述苯酚类硬化环氧树脂或上述酸酐类硬化环氧树脂的折射率相等。
15.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂或填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，上述透明填充剂的形状是球状。
16.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部或上述第二模制树脂部的至少一个含有用于遮断比上述半导体光元件的受光波长或发光波长短的短波长一侧的光的染料。
17.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，上述第一模制树脂部使用填充了透明填充剂的苯酚类硬化环氧树脂或填充了透明填充剂的酸酐类硬化环氧树脂，位于上述半导体光元件的、进行受光或发光操作中至少一种操作的部分上部的上述第一模制树脂部，其厚度比其他部分薄。
18.如权利要求17所述的半导体光器件，其特征在于，在位于上述半导体光元件的、进行受光或发光操作中至少一种操作的部分上部的上述第一模制树脂部上，形成凹部，凹部的侧壁形成聚光用的缩径部。
19.如权利要求1所述的半导体光器件，其特征在于，上述硅树脂部的上述半导体光元件的、至少进行受光或发光之一的部分的上部，不由上述第一模制树脂部密封而由上述第二模制树脂部密封。
20.如权利要求1所述的半导体光器件，其特征在于，上述硅树脂部的透光率比上述第一模制树脂部的透光率以及上述第二模制树脂部的透光率大。
21.如权利要求19所述的半导体光器件，其特征在于，上述引线框和上述半导体光元件经由低环曲形状的引线相互电连接。
22.如权利要求21所述的半导体光器件，其特征在于，上述引线具有自位于上述半导体光元件的焊盘部延伸并与上述引线框大致平行的平行部。
23.如权利要求21所述的半导体光器件，其特征在于，上述引线具有：位于上述半导体光元件的球部；自该球部延伸的弯曲部；自该弯曲部延伸并与上述引线框大致平行的平行部。
24.如权利要求23所述的半导体光器件，其特征在于，上述弯曲部距上述半导体光元件的高度比上述平行部距上述半导体光元件的高度低。
25.如权利要求21所述的半导体光器件，其特征在于，上述引线具有自上述半导体光元件延伸并与上述引线框大致平行的平行部。
26.如权利要求21所述的半导体光器件，其特征在于，具有集成电路芯片，其搭载于上述引线框上，由上述第一模制树脂部密封并对上述半导体光元件进行驱动控制，上述引线框和上述集成电路芯片经由低环曲形状的引线而相互电连接。
27.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，形成覆盖上述第一模制树脂部的表面中至少上述半导体光元件的上部的区域的透明导电膜，上述半导体光元件和上述第一模制树脂部以及上述透明导电膜由上述第二模制树脂部密封。
28.如权利要求2所述的半导体光器件，其特征在于，形成导电性树脂部，该导电性树脂部覆盖上述第一模制树脂部表面中的、除上述半导体光元件的至少进行受光或发光之一的部分之外的区域，上述半导体光元件和上述第一模制树脂部以及上述导电性树脂部由上述第二模制树脂部密封。
29.如权利要求1所述的半导体光器件，其特征在于，具有至少覆盖上述半导体光元件的进行受光或发光的部分的硅树脂部，上述第一模制树脂部具有露出上述硅树脂部的一部分的孔部并密封上述硅树脂部的其他部分以及上述半导体光元件，上述第二模制树脂部密封上述硅树脂部的一部分以及上述第一模制树脂部的至少一部分。
30.如权利要求1所述的半导体光器件，其特征在于，上述引线框具有搭载上述半导体光元件的管座；形成用于在形成有包围上述管座的内侧树脂部和外侧树脂部的区域自外部注入树脂的栅区域的栅部，其中，上述栅部形成具有隔开规定间隔而夹着上述栅区域的两个第一栅部件和进而自外侧夹着该两个第一栅部件的两个栅部件的二重结构。
31.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求1所述的半导体光器件。
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