KR20140124340A - 표면 장착 디바이스들로 구현되는 컨포멀 코팅과 관련된 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
RF(radio-frequency) 모듈의 컨포멀 코팅에 관련된 장치 및 방법이 개시된다. 일부 실시예에서, 모듈은 패키징 기판에 장착된 RF 컴포넌트 위에 형성된 오버몰드를 포함할 수 있다. 오버몰드는 또한 칩 사이즈 표면 탄성파(surface acoustic wave; SAW) 디바이스(chip size SAW device; CSSD)로서 구현된 RF 필터와 같은 SMD(surface-mount device)를 커버할 수 있다. 모듈은 오버몰드 위에 형성되고 모듈을 위한 RF 차폐 기능성을 제공하도록 구성되는 도전층을 더 포함할 수 있다. 도전층은 SMD를 통해 패키징 기판의 접지면에 전기적으로 접속될 수 있다. SMD 위의 오버몰드에는 개구부가 형성될 수 있고; SMD의 상부 표면과 도전층을 전기적으로 접속하여 접지 접속을 용이하게 하기 위해 도전층은 개구부에 일치(conform)될 수 있다.
Description
관련 출원들의 상호 참조
본원은 "RADIO-FREQUENCY SHIELD GROUND PATH THROUGH A SURFACE MOUNT DEVICE"라는 명칭으로 2013년 4월 16일자로 출원된 미국 가출원 제61/812,610호 및 "TIERED PACKAGE-LEVEL RADIO-FREQUENCY SHIELDING"이라는 명칭으로 2013년 4월 29일자로 출원된 미국 가출원 제61/817,295호에 대해 우선권을 주장하며, 이에 따라 이들 출원은 그 전체가 각각 본 명세서에 명확히 참고로 반영된다.
분야
본 발명은 일반적으로 무선 주파수 모듈들의 차폐(shielding)에 관한 것이다.
전자기(EM) 장들은 무선 주파수(RF) 모듈과 같은 RF 디바이스의 일 영역으로부터 발생하거나 그에 대한 바람직하지 않은 영향을 가질 수 있다. 그러한 EM 간섭(EMI)은 그러한 RF 모듈을 사용하는 무선 디바이스의 성능을 저하시킬 수 있다. 일부 RF 모듈들은 EMI와 관련된 그러한 성능 문제들을 해결하기 위해 EM 차폐물(shield)들을 구비할 수 있다.
일부 구현들에서, 본 발명은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성되는 패키징 기판을 포함하는 무선 주파수(RF) 모듈과 관련된다. RF 모듈은 패키징 기판 상에 장착되고 RF 신호의 처리를 용이하게 하도록 구성되는 RF 컴포넌트를 더 포함한다. RF 모듈은 RF 컴포넌트에 대해 배치되는 RF 차폐물을 더 포함한다. RF 차폐물은 RF 컴포넌트에 대한 차폐를 제공하도록 구성된다. RF 차폐물은 복수의 차폐 와이어본드 및 적어도 하나의 차폐 컴포넌트를 포함한다. 적어도 하나의 차폐 컴포넌트는 하나 이상의 차폐 와이어본드를 대체하도록 구성된다.
일부 실시예들에서, RF 모듈은 복수의 차폐 와이어본드 아래에 구현되는 도전성 레이스트랙을 더 포함할 수 있다. 도전성 레이스트랙은 차폐 와이어본드들 및 패키징 기판 내의 접지면에 전기적으로 접속될 수 있다. RF 차폐물은 패키징 기판의 선택된 에지를 따라 배치되는 적어도 하나의 차폐 컴포넌트를 포함할 수 있다. 선택된 에지에는 차폐 와이어본드 및 도전성 레이스트랙이 실질적으로 없을 수 있다. 선택된 에지에는 차폐 와이어본드 및 도전성 레이스트랙을 수용하기 위한 마진이 실질적으로 없을 수 있으며, 따라서 패키징 기판의 전체 측면 면적을 줄일 수 있다.
일부 실시예들에서, 차폐 컴포넌트는 상면 및 상면 상에 구현되는 도전성 특징부를 포함할 수 있다. 도전성 특징부는 차폐 컴포넌트를 통해 RF 차폐물의 접지면에 전기적으로 접속될 수 있다. 차폐 컴포넌트 상의 도전성 특징부의 상위 부분은 RF 차폐물의 상부 도전층과 전기적으로 접촉할 수 있다. 상부 도전층은 또한 차폐 와이어본드들의 상부들과 전기적으로 접촉할 수 있다. RF 모듈은 차폐 와이어본드들 및 차폐 컴포넌트의 적어도 일부를 캡슐화하는 오버몰드(overmold) 구조를 더 포함할 수 있다. 오버몰드 구조는 차폐 와이어본드들의 상위 부분들 및 도전성 특징부의 상위 부분을 노출시키는 상면을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 차폐 컴포넌트는 필터 디바이스를 포함할 수 있다. 필터 디바이스는 예를 들어 CSSD 필터일 수 있다.
다수의 구현에 따르면, 본 발명은 무선 주파수(RF) 모듈을 제조하기 위한 방법과 관련된다. 이 방법은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성된 패키징 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 이 방법은 패키징 기판 상에 RF 컴포넌트를 장착하는 단계를 더 포함하며, RF 컴포넌트는 RF 신호의 처리를 용이하게 하도록 구성된다. 이 방법은 RF 컴포넌트에 대한 RF 차폐물을 형성하는 단계를 더 포함한다. RF 차폐물은 RF 컴포넌트에 대한 차폐를 제공하도록 구성된다. RF 차폐물은 복수의 차폐 와이어본드 및 적어도 하나의 차폐 컴포넌트를 포함한다. 적어도 하나의 차폐 컴포넌트는 하나 이상의 차폐 와이어본드를 대체하도록 구성된다.
일부 실시예들에서, RF 차폐물을 형성하는 단계는 패키징 기판의 선택된 에지를 따라 배치된 적어도 하나의 차폐 컴포넌트를 장착하는 단계를 포함한다. 선택된 에지에는 차폐 와이어본드가 실질적으로 없을 수 있다. 선택된 에지에는 차폐 와이어본드를 수용하기 위한 마진이 실질적으로 없을 수 있으며, 따라서 패키징 기판의 전체 측면 면적을 줄일 수 있다.
다수의 구현에서, 본 발명은 안테나 및 안테나와 통신하는 모듈을 포함하는 무선 디바이스와 관련된다. 모듈은 안테나를 통한 RF 신호들의 송신 및 수신 중 하나 또는 둘 다를 용이하게 하도록 구성된다. 모듈은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성된 패키징 기판을 포함한다. 모듈은 패키징 기판 상에 장착되고 RF 신호의 처리를 용이하게 하도록 구성되는 RF 컴포넌트를 더 포함한다. 모듈은 RF 컴포넌트에 대해 배치되는 RF 차폐물을 더 포함한다. RF 차폐물은 RF 컴포넌트에 대한 차폐를 제공하도록 구성된다. RF 차폐물은 복수의 차폐 와이어본드 및 적어도 하나의 차폐 컴포넌트를 포함한다. 적어도 하나의 차폐 컴포넌트는 하나 이상의 차폐 와이어본드를 대체하도록 구성된다.
일부 구현들에 따르면, 본 발명은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성되고 접지면을 포함하는 패키징 기판을 포함하는 무선 주파수(RF) 모듈과 관련된다. RF 모듈은 패키징 기판 상부에 구현되는 도전층을 더 포함한다. RF 모듈은 패키징 기판 상에 장착되는 표면 장착 디바이스(SMD)를 더 포함한다. SMD는 도전층과 접지면을 전기적으로 접속하여 SMD에 대한 제1 및 제2 영역들 간의 RF 차폐를 제공하도록 구성된다.
일부 실시예들에서, 제1 영역은 패키징 기판 위일 수 있으며, 제2 영역은 모듈의 밖일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 영역들 각각은 패키징 기판의 위일 수 있다.
일부 실시예들에서, SMD는 기능성 컴포넌트를 포함할 수 있다. 기능성 컴포넌트는 도전층과 전기적으로 접촉하는 상부 접속 특징부, 접지면과 전기적으로 접촉하는 하부 접속 특징부, 및 도전층과 접지면을 전기적으로 접속하도록 구성되는 적어도 하나의 상호접속 특징부를 포함할 수 있다. 기능성 컴포넌트는 기능성 다이를 포함할 수 있으며, 따라서 상부 접속 특징부는 다이의 일측 상에 형성된 금속층을 포함한다. 적어도 하나의 상호접속 특징부는 적어도 하나의 스루-다이(through-die) 도전성 비아를 포함할 수 있다. 하부 접속 특징부는 스루-다이 도전성 비아와 접지면을 전기적으로 접속하는 콘택 특징부를 포함할 수 있다. 다이는 칩 크기 표면 탄성파(SAW) 디바이스(CSSD)와 같은 무선 주파수(RF) 필터를 포함할 수 있다. 다이는 패키징 기판의 표면 상에 그의 설계된 사용 배향에 대해 반전된 배향으로 장착될 수 있다.
일부 실시예들에서, 모듈에는 차폐 와이어본드가 실질적으로 없을 수 있다. 일부 실시예들에서, 모듈은 SMD를 이용하여 차폐 기능을 제공하도록 구성되는 복수의 차폐 와이어본드를 포함할 수 있다.
다수의 구현에서, 본 발명은 무선 주파수(RF) 모듈을 제조하기 위한 방법과 관련된다. 이 방법은 패키징 기판을 제공하는 단계를 포함하며, 패키징 기판은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성되며, 접지면을 포함한다. 이 방법은 패키징 기판 상에 표면 장착 디바이스(SMD)를 장착하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 SMD 상부에 도전층을 형성하거나 제공하여, SMD가 도전층과 접지면을 전기적으로 접속하게 함으로써, SMD에 대한 제1 및 제2 영역들 간의 RF 차폐를 제공하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, SMD를 장착하는 단계는 SMD를 그의 설계된 사용 배향으로부터 반전시키는 단계를 포함할 수 있다. SMD는 위로 향하고, 반전된 배향에서 도전층과 전기적으로 접촉하는 도전성 특징부를 포함할 수 있다.
일부 구현들에 따르면, 본 발명은 안테나 및 안테나와 통신하는 모듈을 포함하는 무선 디바이스와 관련된다. 모듈은 안테나를 통한 RF 신호의 처리를 용이하게 하도록 구성된다. 모듈은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성되고 접지면을 갖는 패키징 기판을 포함한다. 모듈은 패키징 기판 상부에 구현되는 도전층을 더 포함한다. 모듈은 패키징 기판 상에 장착되는 표면 장착 디바이스(SMD)를 더 포함한다. SMD는 도전층과 접지면을 전기적으로 접속하여 SMD에 대한 제1 및 제2 영역들 간의 RF 차폐를 제공하도록 구성된다.
일부 구현들에서, 본 발명은 무선 주파수(RF) 모듈에 대한 도전 경로를 형성하기 위한 방법과 관련된다. 이 방법은 패키징 기판 상에 장착되고 오버몰드에 의해 캡슐화되는 표면 장착 디바이스(SMD)의 위치를 식별하는 단계를 포함한다. 이 방법은 SMD 상부의 위치에서 오버몰드를 통해 개구부를 형성하여, 개구부가 SMD의 표면의 적어도 일부를 노출시키기에 충분한 깊이를 갖게 하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 오버몰드 상부에 컨포밍(conforming) 층을 형성하여, 컨포밍 층이 개구부의 적어도 일부를 채우게 함으로써, 개구부 밖의 도전층의 일부와 SMD의 표면 사이에 도전 경로를 제공하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 컨포밍 층 및 SMD의 표면의 노출 부분 각각은 도전층을 포함하며, 따라서 도전 경로는 전기 도전 경로를 포함한다. 개구부의 형성은 레이저로 오버몰드를 삭마(ablating)하는 단계를 포함할 수 있다. 컨포밍 층의 형성은 금속 페인트를 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 구현들에 따르면, 본 발명은 무선 주파수(RF) 모듈을 제조하기 위한 방법과 관련된다. 이 방법은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성되는 패키징 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 이 방법은 패키징 기판 상에 표면 장착 디바이스(SMD)를 장착하는 단계를 더 포함하며, SMD는 장착시에 위로 향하는 금속층을 포함한다. 이 방법은 패키징 기판 상부에 오버몰드를 형성하여 오버몰드가 SMD를 커버하게 하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 SMD 상부의 영역에서 오버몰드를 통해 개구부를 형성하여 금속층의 적어도 일부를 노출시키는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 오버몰드 상부에 도전층을 형성하여, 도전층이 개구부의 적어도 일부를 채우게 함으로써, 도전층과 기능성 컴포넌트의 금속층 사이에 전기 경로를 제공하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 개구부의 형성은 레이저로 오버몰드를 삭마하는 단계를 포함할 수 있다. 도전층의 형성은 금속 페인트를 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 이 방법은 오버몰드의 형성 전에 패키징 기판 상에 차폐 와이어본드를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 차폐 와이어본드는 SMD의 높이보다 큰 높이를 가질 수 있다. 오버몰드는 차폐 와이어본드의 높이와 실질적으로 동일하거나 큰 높이를 가질 수 있다.
일부 실시예들에서, 이 방법은 개구부의 형성 전에 오버몰드의 상부를 제거하여 차폐 와이어본드의 상부를 노출시키지만 SMD를 여전히 커버하는 단계를 더 포함할 수 있다. 오버몰드의 상부의 제거는 마이크로 삭마 프로세스와 같은 삭마 프로세스를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 이 방법은 개구부의 형성 후에 개구부의 형성으로부터 발생하는 잔류물을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 잔류물의 제거는 오버몰드로부터 추가적인 재료가 제거되게 하여 차폐 와이어본드를 더 노출시킬 수 있다. 잔류물의 제거는 마이크로 삭마 프로세스와 같은 삭마 프로세스를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 이 방법은 도전층의 형성 전에 오버몰드 및 SMD의 금속층의 노출 표면들을 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, SMD는 기능성 컴포넌트를 포함할 수 있다. 기능성 컴포넌트는 RF 신호의 처리를 용이하게 하도록 구성될 수 있다.
다수의 구현에 따르면, 본 발명은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성되는 패키징 기판 및 패키징 기판 상에 장착되는 표면 장착 디바이스(SMD)를 포함하는 무선 주파수(RF) 모듈과 관련된다. SMD는 장착시에 위로 향하는 금속층을 포함한다. RF 모듈은 패키징 기판 상부에 형성된 오버몰드를 더 포함하며, 오버몰드는 SMD를 커버하는 크기로 형성된다. RF 모듈은 SMD 상부에 영역에서 오버몰드에 의해 정의되는 개구부를 더 포함하며, 개구부는 금속층의 적어도 일부를 노출시키기에 충분한 깊이를 갖는다. RF 모듈은 오버몰드 상부에 형성된 도전층을 더 포함한다. 도전층은 개구부의 적어도 일부를 채워, 도전층과 SMD의 금속층 사이에 전기 경로를 제공하도록 구성된다.
일부 실시예들에서, SMD는 기능성 컴포넌트를 포함할 수 있다. 기능성 컴포넌트는 다이 상에 형성된 RF 필터를 포함할 수 있다. RF 필터는 복수의 스루-다이 도전성 비아를 포함할 수 있으며, 도전성 비아들 중 적어도 일부는 금속층, 및 RF 필터의 하측 상의 콘택 특징부들에 전기적으로 접속된다. RF 필터의 하측 상의 콘택 특징부들은 패키징 기판의 접지면에 전기적으로 접속될 수 있으며, 따라서 오버몰드 위의 도전층은 RF 필터를 통해 접지면에 전기적으로 접속된다. 일부 실시예들에서, RF 모듈은 RF 필터에 대해 배치된 복수의 차폐 와이어본드를 더 포함할 수 있으며, 차폐 와이어본드들은 도전층과 접지면 사이의 전기적 접속을 용이하게 하도록 구성된다.
일부 실시예들에서, 개구부는 챔퍼 프로파일(chamfer profile)을 갖는 측벽을 포함할 수 있으며, 따라서 측벽과 오버몰드의 표면 사이의 각도는 90도보다 큰 값을 가져서, 도전층이 개구부와 오버몰드의 표면 사이에서 전이할 때 개선된 정합을 촉진한다. 도전층은 예를 들어 금속 페인트에 의해 형성된 층을 포함할 수 있다.
다수의 구현에서, 본 발명은 안테나 및 안테나와 통신하는 모듈을 갖는 무선 디바이스와 관련된다. 모듈은 안테나를 통한 RF 신호들의 송신 및 수신 중 하나 또는 둘 다를 용이하게 하도록 구성된다. 모듈은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성되는 패키징 기판을 포함한다. 모듈은 패키징 기판 상에 장착된 표면 장착 디바이스(SMD)를 더 포함한다. SMD는 장착시에 위로 향하는 금속층을 포함한다. 모듈은 패키징 기판 상부에 형성된 오버몰드를 더 포함하며, 오버몰드는 SMD를 커버하는 크기로 형성된다. 모듈은 SMD 상부의 영역에서 오버몰드에 의해 정의되는 개구부를 더 포함하며, 따라서 개구부는 금속층의 적어도 일부를 노출시키기에 충분한 깊이를 갖는다. 모듈은 오버몰드 상부에 형성된 도전층을 더 포함한다. 도전층은 개구부의 적어도 일부를 채워서 도전층과 SMD의 금속층 사이에 전기적 경로를 제공하도록 구성된다.
일부 실시예들에서, SMD는 기능성 컴포넌트일 수 있다. 기능성 컴포넌트는 예를 들어 RF 필터를 포함한다. 무선 디바이스는 RF 필터와 관련된 셀룰러 대역에서 동작하도록 구성되는 셀룰러 폰일 수 있다.
본 발명의 요약하는 목적을 위해, 본 발명의 소정 양태들, 장점들 및 새로운 특징들이 여기서 설명되었다. 본 발명의 임의의 특정 실시예에 따라 모든 그러한 장점들이 반드시 달성되지는 않을 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 본 발명은 본 명세서에서 교시 또는 제안될 수 있는 바와 같은 다른 장점들을 반드시 달성하지는 않고서 본 명세서에서 교시되는 바와 같은 하나의 장점 또는 장점들의 그룹을 달성하거나 최적화하는 방식으로 구현되거나 실시될 수 있다.
도 1은 무선 주파수(RF) 차폐물을 갖는 RF 모듈을 도시한다.
도 2는 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 RF 모듈을 제조하도록 구현될 수 있는 프로세스를 나타낸다.
도 3a-3c는 차폐 기능을 제공하기 위해 RF 모듈 상에 하나 이상의 RF 컴포넌트를 배치할 수 있는 방식의 예들을 나타낸다.
도 4는 패키징 기판의 전체 둘레 주위에 연장하는 도전성 레이스트랙, 및 그러한 도전성 레이스트랙 상에 구현되는 차폐 와이어본드를 갖는 예시적인 모듈을 나타낸다.
도 5는 도 4에서와 유사한 컴포넌트들을 포함하는 예시적이 모듈을 도시하지만, 이 모듈의 일측은 RF 컴포넌트들에 의해 차폐되며, 따라서 레이스트랙의 일부 및 대응하는 차폐 와이어본드들이 생략되는 것을 가능하게 한다.
도 6a-6c는 RF 모듈 내에 구현될 수 있는 차폐 와이어본드들의 예들을 나타낸다.
도 7a-7d는 하나 이상의 차폐 컴포넌트를 통해 접지 접속이 이루어질 수 있는 방식의 다양한 예들을 나타낸다.
도 8a는 모듈내 RF 차폐가 하나 이상의 차폐 컴포넌트를 이용하여 구현될 수 있는 모듈의 예시적인 구성을 나타낸다.
도 8b는 도 8a의 차폐 구성의 더 구체적인 예를 나타낸다.
도 9a는 도 8a 및 8b의 차폐 컴포넌트로서 사용될 수 있는 예시적인 기능성 컴포넌트의 단면도를 나타낸다.
도 9b는 의도된 사용 배향으로 패키징 기판 상에 장착된 도 9a의 기능성 컴포넌트를 나타낸다.
도 10a는 일부 구현들에서 도 9a의 다이와 유사한 기능성 컴포넌트가 장착을 위해 반전될 수 있다는 것을 보여준다.
도 10b는 반전된 다이가 패키징 기판 상에 장착되는 장착 구성을 나타낸다.
도 10c는 오버몰드 재료가 도 10b의 장착된 다이를 옆으로 둘러싸도록 도시된 예시적인 패키지 구성을 나타낸다.
도 11a는 RF 모듈 상의 도전층과 차폐 컴포넌트 사이에 전기 접속을 제공하기 위한 예시적인 구성을 나타낸다.
도 11b는 도 11a의 구성에 의해 제공될 수 있는 차폐 전기 경로를 나타낸다.
도 12a-12e는 오버몰드 층을 통해 형성되는 개구부가 RF 모듈의 도전층과 차폐 컴포넌트의 도전층 사이의 전기 접속의 형성을 가능하게 할 수 있는 방식의 일례를 나타낸다.
도 13a-13f는 레이저 삭마와 같은 기술들이 모듈의 도전층과 차폐 컴포넌트의 금속층 사이의 전기 접속을 용이하게 하기 위해 오버몰드를 통해 개구부를 형성하는 데 사용될 수 있는 방식의 일례를 나타낸다.
도 14는 도 13a-13f의 예시적인 모듈 제조 단계들을 실행하도록 구현될 수 있는 프로세스를 나타낸다.
도 15a-15c는 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 전기 접속들을 용이하게 하도록 구현될 수 있는 하나 이상의 개구부의 배열들의 예들을 나타낸다.
도 16은 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 하나 이상의 유리한 특징을 갖는 예시적인 무선 디바이스를 나타낸다.
도 2는 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 RF 모듈을 제조하도록 구현될 수 있는 프로세스를 나타낸다.
도 3a-3c는 차폐 기능을 제공하기 위해 RF 모듈 상에 하나 이상의 RF 컴포넌트를 배치할 수 있는 방식의 예들을 나타낸다.
도 4는 패키징 기판의 전체 둘레 주위에 연장하는 도전성 레이스트랙, 및 그러한 도전성 레이스트랙 상에 구현되는 차폐 와이어본드를 갖는 예시적인 모듈을 나타낸다.
도 5는 도 4에서와 유사한 컴포넌트들을 포함하는 예시적이 모듈을 도시하지만, 이 모듈의 일측은 RF 컴포넌트들에 의해 차폐되며, 따라서 레이스트랙의 일부 및 대응하는 차폐 와이어본드들이 생략되는 것을 가능하게 한다.
도 6a-6c는 RF 모듈 내에 구현될 수 있는 차폐 와이어본드들의 예들을 나타낸다.
도 7a-7d는 하나 이상의 차폐 컴포넌트를 통해 접지 접속이 이루어질 수 있는 방식의 다양한 예들을 나타낸다.
도 8a는 모듈내 RF 차폐가 하나 이상의 차폐 컴포넌트를 이용하여 구현될 수 있는 모듈의 예시적인 구성을 나타낸다.
도 8b는 도 8a의 차폐 구성의 더 구체적인 예를 나타낸다.
도 9a는 도 8a 및 8b의 차폐 컴포넌트로서 사용될 수 있는 예시적인 기능성 컴포넌트의 단면도를 나타낸다.
도 9b는 의도된 사용 배향으로 패키징 기판 상에 장착된 도 9a의 기능성 컴포넌트를 나타낸다.
도 10a는 일부 구현들에서 도 9a의 다이와 유사한 기능성 컴포넌트가 장착을 위해 반전될 수 있다는 것을 보여준다.
도 10b는 반전된 다이가 패키징 기판 상에 장착되는 장착 구성을 나타낸다.
도 10c는 오버몰드 재료가 도 10b의 장착된 다이를 옆으로 둘러싸도록 도시된 예시적인 패키지 구성을 나타낸다.
도 11a는 RF 모듈 상의 도전층과 차폐 컴포넌트 사이에 전기 접속을 제공하기 위한 예시적인 구성을 나타낸다.
도 11b는 도 11a의 구성에 의해 제공될 수 있는 차폐 전기 경로를 나타낸다.
도 12a-12e는 오버몰드 층을 통해 형성되는 개구부가 RF 모듈의 도전층과 차폐 컴포넌트의 도전층 사이의 전기 접속의 형성을 가능하게 할 수 있는 방식의 일례를 나타낸다.
도 13a-13f는 레이저 삭마와 같은 기술들이 모듈의 도전층과 차폐 컴포넌트의 금속층 사이의 전기 접속을 용이하게 하기 위해 오버몰드를 통해 개구부를 형성하는 데 사용될 수 있는 방식의 일례를 나타낸다.
도 14는 도 13a-13f의 예시적인 모듈 제조 단계들을 실행하도록 구현될 수 있는 프로세스를 나타낸다.
도 15a-15c는 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 전기 접속들을 용이하게 하도록 구현될 수 있는 하나 이상의 개구부의 배열들의 예들을 나타낸다.
도 16은 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 하나 이상의 유리한 특징을 갖는 예시적인 무선 디바이스를 나타낸다.
존재할 경우에, 본 명세서에서 제공되는 제목들은 편의를 위한 것일 뿐이며, 청구 발명의 범위 또는 의미에 반드시 영향을 주지는 않는다.
본 명세서에서는 디바이스형 또는 수동형 무선 주파수(RF) 디바이스에 대한 RF 격리 또는 차폐를 제공하기 위한 다양한 디바이스들 및 방법들이 개시된다. 설명의 목적을 위해, RF는 무선 디바이스들과 관련된 주파수 또는 주파수들의 범위를 갖는 전자기 신호들을 포함할 수 있다는 것을 이해할 것이다. RF는 전자 디바이스가 무선 디바이스로서 동작하는지에 관계없이 그러한 전자 디바이스 내에서 방출되는 전자기 신호들도 포함할 수 있다. RF는 통상적으로 전자기 간섭(EMI) 효과들과 관련된 신호들 또는 잡음들도 포함할 수 있다.
설명의 목적을 위해, 그러한 RF 디바이스는 RF 신호들의 송신 및/또는 수신을 용이하게 하기 위해 RF 범위에서 동작하도록 구성되는 디바이스, 및 RF 신호들 또는 잡음들에 의해 다른 디바이스에 영향을 주거나 그들에 의해 영향을 받을 수 있는 디바이스를 포함할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 그러한 RF 디바이스의 비한정적인 예들은 RF 회로를 갖거나 갖지 않는 반도체 다이를 포함할 수 있다. 그러한 RF 관련 디바이스의 비한정적인 예들은 인덕터들 및 커패시터들과 같은 개별 디바이스들, 및 심지어 소정 길이의 도전체도 포함할 수 있다.
설명의 목적을 위해, 격리 및 차폐라는 용어는 사용 상황에 따라 교환 가능하게 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 차폐되는 RF 디바이스는 다른 소스로부터의 RF 신호가 부분적으로 또는 완전히 차단되는 상황을 포함할 수 있다. 다른 예에서, 격리되는 RF 디바이스는 RF 신호(예로서, 잡음 및/또는 디바이스적으로 생성된 신호)가 다른 디바이스에 도달하는 것이 부분적으로 또는 완전히 차단되는 상황을 포함할 수 있다. 사용 상황이 구체적으로 달리 언급되지 않는 한, 차폐 및 격리라는 용어들 각각은 위의 기능들 중 어느 하나 또는 둘 다를 포함할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 1은 RF 차폐물(102)을 갖는 RF 모듈(100)을 나타낸다. RF 차폐물(102)은 하나 이상의 컴포넌트가 차폐 기능을 제공하도록 배치 및/또는 구성될 수 있는 부분(104)을 포함하는 것으로 도시된다. 그러한 컴포넌트 부분이 구성될 수 있는 방식의 다양한 예들이 본 명세서에서 더 상세히 설명된다.
도 1에서, 예시적인 모듈(100)은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성되는 패키징 기판(120)(예로서, 적층 기판)을 포함할 수 있다. 그러한 컴포넌트들은 예를 들어 RF 회로와 같은 집적 회로(IC)를 갖는 다이(122)를 포함할 수 있다. 모듈(100)의 다양한 기능들을 용이하게 하기 위해 패키징 기판(120) 상에는 하나 이상의 표면 장착 디바이스(SMD)(124)도 장착될 수 있다. 일부 실시예들에서, 모듈(100)은 RF 차폐물(102), 컴포넌트 부분(104), 다이(122) 및 SMD(124)의 일부 또는 전부를 캡슐화하는 오버몰드 구조를 더 포함할 수 있다.
도 2는 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 하나 이상의 특징을 갖는 모듈(예로서, 도 1의 모듈(100))을 제조하도록 구현될 수 있는 프로세스(110)를 나타낸다. 블록 112에서, RF 컴포넌트가 제공될 수 있다. 블록 114에서, RF 컴포넌트는 패키징 기판 상에 배치되고 장착되어, 차폐 와이어본드들과 함께 RF 차폐 기능을 제공할 수 있다. 그러한 차폐 와이어본드들은 RF 컴포넌트의 장착 전에 또는 후에 형성될 수 있다. RF 컴포넌트의 그러한 배치의 예들은 본 명세서에서 더 상세히 설명된다. 블록 116에서, RF 차폐 기능을 용이하게 하는 하나 이상의 접지 접속이 형성될 수 있다. 그러한 접지 접속들의 예들은 본 명세서에서 더 상세히 설명된다. 본 명세서에서는 차폐 와이어본드들과 관련하여 다양한 예들이 설명되지만, 본 발명의 하나 이상의 특징은 또한 그러한 차폐 와이어본드 없이, 다른 타입의 RF 차폐 기술들을 이용하여, 임의의 다른 차폐 기술들 또는 이들의 임의 조합 없이, 구현될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 3a-3c는 모듈(100)의 둘레에 또는 근처에 하나 이상의 차폐 부분(104)을 형성하기 위해 하나 이상의 RF 컴포넌트(130)가 배치될 수 있는 방식의 비한정적인 예들을 나타낸다. 그러한 차폐 부분들은 복수의 차폐 와이어본드(106)와 더불어 RF 차폐물을 형성하고, RF 차폐물의 안팎의 위치들 사이에 RF 차폐를 제공할 수 있다. 일반적으로 RF 차폐물에 의해 둘러싸인 영역의 RF 차폐와 관련하여 설명되지만, 본 발명의 하나 이상의 특징은 모듈(100) 상에 모두 위치하는 2개의 영역 사이에 RF 차폐를 제공하도록 구현될 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
도 3a는 일부 실시예들에서 모듈(100)의 둘레를 따라 선택된 일측 상에 차폐 부분(104)이 제공될 수 있다는 것을 보여준다. 둘레의 나머지 측들은 복수의 차폐 와이어본드(106)를 구비할 수 있다. 예시적인 차폐 부분(104)은 제1 및 제2 컴포넌트들(130a, 130b)을 포함하는 것으로 도시된다. 차폐 부분(104) 내에는 더 많거나 적은 수의 컴포넌트가 존재할 수 있다. 그러한 컴포넌트들은 능동형 RF 컴포넌트, 수동형 컴포넌트 또는 이들의 소정 조합일 수 있다.
도 3b는 일부 실시예들에서 모듈(100)의 2개 이상의 측이 차폐 부분들(104a, 104b)을 구비할 수 있다는 것을 보여준다. 이 예에서, 제1 차폐 부분(104a)은 제1 및 제2 컴포넌트들(130a, 130b)을 포함하는 것으로 도시되며, 제2 차폐 부분(104b)은 하나의 컴포넌트(130c)를 포함하는 것으로 도시된다. 차폐 부분들(104a, 104b) 각각 내에는 더 많거나 적은 수의 컴포넌트가 존재할 수 있다. 그러한 컴포넌트들은 능동형 RF 컴포넌트, 수동형 컴포넌트 또는 이들의 소정 조합일 수 있다. 도 3b의 예에서, 둘레의 나머지 측들은 복수의 차폐 와이어본드(106)를 구비할 수 있다.
도 3c는 일부 실시예들에서 차폐 부분(104)이 일측 전체를 차지할 필요는 없다는 것을 보여준다. 예를 들어, 컴포넌트(130)를 갖는 차폐 부분(104)은 선택된 측을 따라 배치되고, 컴포넌트(130)의 좌우 양쪽에는 차폐 와이어본드(106)가 배치되는 것으로 도시된다. 일부 실시예들에서 그러한 차폐 와이어본드들(106)은 컴포넌트(130)의 좌측 또는 우측에 제공될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 또한, 모듈의 소정 측은 둘 이상의 컴포넌트(능동형, 수동형 또는 이들의 소정 조합)를 구비할 수 있으며, 그러한 컴포넌트들은 그 측을 따라 하나 이상의 차폐 와이어본드와 함께 또는 그들 없이 배치될 수 있다.
일부 구현들에서, 하나 이상의 차폐 와이어본드를 대신하는 하나 이상의 차폐 컴포넌트의 사용은 모듈들의 면적 감소와 같은 유리한 특징들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 차폐 와이어본드들이 모듈의 실질적으로 전체 둘레를 따라 연장하는 도전성 레이스트랙을 통해 접지면에 접속되는 RF 차폐 구성을 고려한다. 그러한 구성은 통상적으로 도전성 레이스트랙 및 차폐 와이어본드들을 수용하기 위해 둘레를 따라 마진을 필요로 한다. 따라서, 모듈의 소정 측을 따라 하나 이상의 컴포넌트를 제공하고, 그러한 컴포넌트들에 의해 용이하게 되는 접지 접속들을 형성함으로써, 레이스트랙 및 대응하는 차폐 와이어본드들이 소정 측으로부터 제거될 수 있다. 소정 측을 따라 마진이 더 이상 필요하지 않으므로, 모듈의 그 부분이 제거될 수 있어서, 모듈의 전체 측면 면적이 감소할 수 있다.
예를 들어, 도 4는 패키징 기판(142)의 전체 둘레 주위에 연장하는 도전성 레이스트랙(144)을 갖는 예시적인 모듈(140)을 나타낸다. 복수의 차폐 와이어본드(106)가 레이스트랙(144)에 의해 정의되는 라인들을 따라 제공되는 것으로 도시된다. 레이스트랙(144)에 의해 정의되는 경계 내에는, 집적 회로(IC) 다이(122) 및 필터들(130a, 130b)을 포함하는 다양한 컴포넌트들이 도시된다. 본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 레이스트랙(144) 밖의 원하는 또는 필요한 마진들은 패키징 기판(142)에 대한 d1 x d2의 전체 측면 치수들에 기여한다.
도 5에서, 예시적인 모듈(150)은 도 4에서와 유사한 컴포넌트들(예로서, IC 다이(122) 및 필터들(130a, 130b))을 포함하는 것으로 도시된다. 그러나, 패키징 기판(152)의 4개 측 중 3개 측이 레이스트랙(154) 및 복수의 차폐 와이어본드(106)를 포함하는 반면, 패키징 기판(152)의 제4 측(156)(도 5의 예에서 우측)은 레이스트랙 또는 차폐 와이어본드를 포함하지 않는다. 따라서, 제4 측(156)은 나머지 3개 측에 존재하는 마진을 필요로 하지 않는다. 따라서, 제4 측 레이스트랙 및 차폐 와이어본드들에 대해 요구되었을 영역이 패키징 기판(152)으로부터 제거될 수 있다.
도 5의 특정 예에서, 치수 d2는 일반적으로 도 4의 예와 동일할 수 있다. 그러나, 도 4의 치수 d1은 이제 △d 만큼 감소하여, 감소된 치수 d3을 생성할 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 감소량 △d는 일반적으로 제4 측 레이스트랙 및 대응하는 차폐 와이어본드들을 구현하는 데 필요한 면적일 수 있다.
도 5의 특정 예에서, 필터들(130a, 130b)은 예를 들어 칩 크기 표면 탄성파(SAW) 디바이스들(CSSD들), 예를 들어 상업적으로 입수 가능한 Taiyo Yuden CSSD 필터들일 수 있다. 필터들 각각은 접지된 상면을 포함하거나 구비할 수 있으며, 그러한 접지된 상면은 RF 차폐 기능을 용이하게 하기 위한 하나 이상의 전기 접속을 형성하는 데 사용될 수 있다.
일부 구현들에서, 본 명세서에서 설명되는 바와 같은 차폐 컴포넌트들(130)과 함께 사용되는 RF 차폐 와이어본드들(106)은 다수의 방식으로 구성될 수 있다. 도 6a-6c는 그러한 차폐 와이어본드들(106)의 비한정적인 예들을 나타낸다. 도 6a에서, 변형 가능한 구성을 갖는 차폐 와이어본드(106)가 패키징 기판(54)(예로서, 적층 기판) 상에 위치하는 본드 패드들(52a, 52b) 상에 형성되는 것으로 도시된다. 그러한 와이어본드 구성에 관한 추가적인 상세들은 국제 공보 No. WO 2010/014103("SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH INTEGRATED INTERFERENCE SHIELDING AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF"라는 명칭으로 2008년 7월 31일자로 출원된 국제 출원 No. PCT/US2008/071832)에서 입수 가능하며, 그 개시 내용 전체는 본 명세서에 참고로 반영된다.
도 6b에는, 아치 형상의 차폐 와이어본드(50)가 패키징 기판(54)(예로서, 적층 기판) 상에 위치하는 본드 패드들(52a, 52b) 상에 형성되는 것으로 도시된다. 그러한 와이어본드 구성에 관한 추가적인 상세들은 "OVERMOLDED SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH A WIREBOND CAGE FOR EMI SHIELDING"이라는 명칭의 미국 특허 제8,399,972호에서 입수 가능하며, 그 개시 내용 전체는 본 명세서에 참고로 반영된다.
도 6c는 일부 실시예들에서 차폐 와이어본드들이 휘거나, 패키징 기판 상에서 시작하고 끝나는 단부들을 가질 필요가 없다는 것을 보여준다. 패키징 기판(54) 상에서 시작하고, 패키징 기판(54) 위의 위치에서 끝나는 와이어본드 구조(106)가 본드 패드(52) 상에 형성되는 것으로 도시된다. 그러한 와이어본드 구성에 관한 추가적인 상세들은 전술한 미국 특허 제8,399,972호에서 입수 가능하다. 차폐 와이어본드들의 다른 구성들도 이용될 수 있다.
도 7a-7d는 하나 이상의 차폐 컴포넌트(130)를 통해 접지 접속이 이루어질 수 있는 방식의 다양한 비한정적인 예들을 나타낸다. 도 7a의 예시적인 구성(160)에서는, 차폐 컴포넌트(130)(예로서, RF 필터)가 콘택 패드들(162a, 162b)을 통해 패키징 기판(56) 상에 장착되는 것으로 도시된다. 그러한 콘택 패드들 중 적어도 하나는 패키징 기판 내의 접지면에 전기적으로 접속되는 접지 패드일 수 있다. 차폐 컴포넌트(130)의 상면은 도전층(164)을 포함하는 것으로 도시된다. 일부 실시예들에서, 그러한 도전층(164)은 접지 패드, 따라서 접지면에 전기적으로 접속될 수 있다.
본드 패드들(52a, 52b) 상에 형성된 예시적인 차폐 와이어본드(106)가 차폐 컴포넌트(130)에 대하여 배치된다. 전술한 미국 특허 번호 제8,399,972호에 설명된 바와 같이, 그러한 본딩 패드들은 패키징 기판 내에서 접지면에 전기적으로 접속될 수 있다. 위에 나타낸 미국 특허 번호 제8,399,972호에 또한 설명된 바와 같이, 차폐 와이어본드(106)의 상위 부분(58)이 도전층(60)과의 전기적 접속의 형성을 허용하기 위하여 오버몰드 구조(56)로부터 노출될 수 있다. 도전층(60), 차폐 와이어본드(106), 및 접지면의 이러한 구성은 내부 영역과 외부 영역 사이, 및/또는 모듈의 경계 내의 선택된 영역들 사이에, RF 신호들, RF 잡음, 전자기 간섭(EMI) 등의 차폐를 허용한다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 도전층(60)은 차폐 컴포넌트(130)의 도전층(164)과 전기적 접촉하고 있을 수 있다. 따라서, 전술한 차폐 구성은 차폐 컴포넌트(130)가 하나 이상의 차폐 와이어본드(106)를 대체하는 영역으로 확장될 수 있다.
도시된 예에서, 도전층(164)의 상면의 높이는 h인 것으로 도시된다. 일부 구현들에서, 차폐 와이어본드(106)는 그것의 높이도 대략 h가 되도록 적절한 치수로 만들어질 수 있다.
도 7a의 예에서, 도전층(164)은 차폐 컴포넌트(130)를 실질적으로 커버하도록 측면으로 확장하는 단일 층으로서 도시된다. 도 7b는 일부 실시예들에서, 그러한 도전층이 차폐 컴포넌트(130)의 전체 상위 부분을 커버할 필요는 없다는 것을 나타낸다. 예시적인 구성(170)에서, 도전층(174)은 차폐 컴포넌트(130)의 상면의 일부만을 커버하도록 도시된다. 나머지 면적들은 오버몰드 구조에 의해 커버되는 것으로 도시된다.
일부 실시예들에서, 도 7a 및 도 7b의 도전층들(164, 174) 각각은 단일 연속 부분일 수 있다. 일부 실시예들에서, 도전층들(164, 174) 각각은 접지 패드에 전기적으로 접속되는 복수의 도전성 특징부들을 포함할 수 있다. 다른 구성들도 구현될 수 있다.
도 7c는 일부 실시예들에서, 차폐 와이어본드와 차폐 컴포넌트의 높이들은 동일할 필요가 없다는 것을 나타낸다. 예시적인 구성(180)에서, 차폐 와이어본드(106)는 h1의 높이를 갖는 것으로 도시되고, 차폐 컴포넌트(130) 위의 도전층(164)의 상면은 h1보다 작은 h2의 높이를 갖는 것으로 도시된다. 그러한 구성은 예를 들어, 차폐 컴포넌트(130)가 비교적 낮은 프로파일을 가질 때에 생길 수 있다.
높이 차이 h3(h1 - h2)가 충분히 큰 경우, 단단한 도전층을 통해 도전층들(60 및 164) 사이에 전기적 접속을 형성하는 것은 바람직하지 않거나 실용적이지 않을 수 있다. 전기적 접속을 형성하기 위하여, 하나 이상의 크기 축소된 차폐 와이어본드들(182)이 와이어본드들(182)의 상부들(184)이 도전층(60)과 전기적 접촉하도록 도전층(164) 상에 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 크기 축소된 차폐 와이어본드들(182)의 모양은 차폐 와이어본드(106)의 모양과 유사할 수 있다. 일부 실시예들에서, 2개의 모양은 상이할 수 있다.
도 7d는 일부 실시예들에서, 도 7c의 예에서 복수의 크기 축소된 차폐 와이어본드들(182)에 의해 브리징되는 여분의 높이가 또한 다른 방식으로 점유될 수 있다는 것을 나타낸다. 예시적인 구성(200)에서, 부가적인 차폐 컴포넌트(202)가 차폐 컴포넌트(130) 위에 배치되는 것으로 도시된다. 부가적인 컴포넌트(202)의 상면 상의 도전층(206)은 도전층(60)과 전기적 접촉하는 것으로 도시되고, 도전층(206)은 접지 패드(예를 들어, 패드들(204a, 204b) 중 어느 하나 또는 둘다)에 전기적으로 접속될 수 있다. 패드들(204a, 204b)은 대응하는 도전층들(164a, 164b)과 전기적 접촉하는 것으로 도시된다. 도전층들(164a, 164b) 중 어느 하나 또는 둘다는 본 명세서에 설명된 바와 같이 접지면에 전기적으로 접속될 수 있다.
일부 실시예들에서, 부가적인 컴포넌트(202)는 모듈의 동작을 용이하게 하는 능동형 또는 수동형 디바이스일 수 있다. 일부 실시예들에서, 부가적인 컴포넌트(202)는 도전층들(60 및 164) 사이에 전술한 전기적 브리지를 제공하도록 구성되는 더미 디바이스(dummy device)일 수 있다.
도 1-7을 참조하여 설명된 다양한 예들에서, RF 차폐 기능은 하나 이상의 차폐 컴포넌트들(130) 및 복수의 차폐 와이어본드들(106)의 일부 조합을 포함한다. 또한, 그러한 조합들의 일부는 그러한 영역의 내부와 외부 사이에 RF 차폐 기능을 제공하기 위하여 패키징 기판 상의 영역을 일반적으로 둘러싼다는 문맥에서 설명된다.
본 명세서에 설명된 바와 같이, 차폐 컴포넌트들(130)의 이용과 연관된 하나 이상의 특징들이 다른 구성들에서 구현될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 하나 이상의 차폐 컴포넌트들(130)은 일반적으로 둘러싸인(enclosed) 영역을 정의할 필요 없이 동일한 모듈의 제1 및 제2 영역들 사이에 RF 차폐를 제공하기 위해 (차폐 와이어본드들을 이용하거나 이용하지 않고) 구현될 수 있다. 그러한 모듈내 RF 차폐가 차폐 와이어본드들을 포함하지 않는 구성들에서, 필요한 컴포넌트들의 차폐 컴포넌트들로서 이용 및 차폐 와이어본드들의 부재는 패키징 프로세스를 더욱 효율적이고 비용 효과적으로 만들 수 있다.
도 8a는 모듈내 RF 차폐가 하나 이상의 차폐 컴포넌트(130)로 구현될 수 있는 모듈(100)의 예시적인 구성을 도시한다. 3개의 예시적인 차폐 컴포넌트들(130a, 130b, 130c)은 제1 영역 "A"과 제2 영역 "B" 사이에 RF 차폐물(shield; 210)을 제공하는 것으로 도시되고, 두 영역들은 동일한 모듈(100)의 부분들이다. 도시된 예에서, 모듈(100)은 임의의 차폐 와이어본드들을 포함하지 않는다. 그러나, 차폐 와이어본드들은 예를 들어, 모듈(100)의 내부 위치와 외부 위치 사이에 RF 차폐를 제공하도록 구현될 수 있다.
도 8b는 도 8a의 모듈내 차폐 구성의 더욱 구체적인 예를 도시한다. 예시적인 프론트 엔드 모듈(front-end module; FEM)(100)이 다중 모드 다중 대역(MMMB) 능력을 제공하도록 구성된 전력 증폭기(power amplifier; PA) 회로를 갖는 PA 다이를 포함하는 것으로 도시된다. 상이한 셀룰러 대역들 및/또는 상이한 모드들에서 그러한 PA 회로의 동작은 하나 이상의 대역 스위치들, 다양한 필터들, 다양한 듀플렉서들, 및 안테나 스위치에 의해 용이하게 될 수 있다.
도 8b에 도시된 예에서, 한 영역(예를 들어, 영역 A)에 배치된 대역 스위치(212)는 다른 영역(예를 들어, 영역 B)에 배치된 듀플렉서(214)(예를 들어, B4 대역 듀플렉서)의 동작에 영향을 주는 RF 신호 및/또는 잡음을 방사한다. 그러한 알려진 컴포넌트 쌍은 모듈 내에서 가능하거나 실용적인 정도로 분리될 수 있지만; 대역 스위치(212)로부터 방사된 RF 신호/잡음으로부터 B4 대역 듀플렉서(214)를 차폐하는 것이 바람직할 수 있다.
일부 실시예들에서, RF 필터 디바이스들은 차폐 컴포넌트들로서 활용될 수 있다. 예를 들어, B1 필터(130a), B3 필터(130b), B25 필터(130c) 및 B17 필터와 같은 필터들 중 일부 또는 전부가 모듈내 차폐 기능을 제공하기 위해 본 명세서에 설명된 바와 같이 배치 및 구성될 수 있다. 도 8에 도시된 예에서, B1 필터(130a)와 B3 필터(130b)는 대역 스위치(212)로부터 RF 방사(화살표(216)로 도시됨)의 영향으로부터 RF 차폐를 제공하기 위해 B4 듀플렉서(214) 근처에 배치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 도 8a 및 도 8b의 차폐 컴포넌트들(130) 중 일부 또는 전부는 기능성 컴포넌트들일 수 있다. 설명의 목적을 위해, 기능성 컴포넌트는 모듈의 RF 설계의 부분이고 따라서 일부 RF 관련 기능을 제공하는 디바이스(능동형 또는 수동형)를 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, CSSD 필터와 같은 필터 디바이스가 그러한 기능성 컴포넌트일 수 있다. 기능성 컴포넌트는 그 디바이스를 통하거나 그 디바이스 근처의 접속 특징부들, 또는 그의 일부 조합을 포함하는, 모듈의 RF 설계의 부분일 수 있거나 부분이 아닐 수 있는 디바이스(능동형 또는 수동형)를 포함할 수 있다는 것도 이해될 것이다. 예를 들어, 더욱 상세히 본 명세서에 설명된 바와 같이, 그러한 디바이스는 디바이스의 2개의 대향하는 측면 사이에 전기적 접속 경로들을 제공하거나 제공할 수 있는 스루-기판-비아들(through-substrate-vias)을 포함할 수 있다. 전술한 컴포넌트들은 또한 도 1-7을 참조하여 본 명세서에 설명된 차폐 컴포넌트들로서 활용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 9a는 도 8a 및 도 8b의 기능성 컴포넌트들 중 하나로서 활용될 수 있는 예시적인 기능성 컴포넌트(130)의 단면도를 도시한다. 도 9a에서, 기능성 컴포넌트(130)는 그의 의도된 종래의 용도에 맞춰지고, 다이 기판(220)의 한 측면 상의 금속층(228)은 패키징 기판(232)(도 9b)에 장착하기 위해 아래쪽을 향하고 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 금속층(228)은 다이 제조 중에 활용될 수 있지만; 금속층(228)은 완결된 다이에서 활용될 수 있거나 활용되지 않을 수 있다. 일부 실시예들에서, 금속층(228)은 다이에 대한 접지로서 기능할 수 있다.
다이 기판(220)의 다른 측면은 복수의 전기적 콘택 패드들(226a, 226b, 226c)을 포함하는 것으로 도시된다. 그러한 콘택 패드들의 일부(예를 들어, 226a, 226b)는 신호들, 전원 등을 위해 활용될 수 있고, 일부(예를 들어, 226c)는 접지 콘택(grounding contact)으로서 활용될 수 있다.
도 9a에 더 도시된 바와 같이, 기능성 컴포넌트(130)는 복수의 스루-다이 비아들(222a, 222b, 222c, 222d)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 비아들은 예를 들어, 다이의 양 측면 사이의 전기적 접속, 열 도전 경로(들), 또는 그의 일부 조합을 제공하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 비아들의 일부는 다이 제조 중에 활용될 수 있지만, 완결된 다이에서는 사용되지 않을 수 있다. 도시된 예에서, 비아(222c)는 (예를 들어, 접지 접속을 제공하기 위해) 콘택 패드(226c)와 금속층(228) 사이에 전기적 접속을 제공하도록 도시된다. 다른 비아들(222a, 222b, 222d)은 다이로부터 멀리 소멸되도록 열을 금속층으로 도전하는 데 활용될 수 있다.
도 9b의 예시적인 장착된 구성(230)에서, 금속층(228)은 다이를 물리적으로 장착하고 다이의 접지와 모듈의 접지 사이에 전기적 접속을 제공하기 위하여 접지 패드(236)에 고정(예를 들어, 납땜)될 수 있다. 다이의 비-접지 콘택 패드들(예를 들어, 226a, 226b)은 패키징 기판(232) 상의 그것들 각각의 콘택 패드들(예를 들어, 234a, 234b)에 전기적으로 접속될 수 있다.
도 10a는 일부 구현들에서, 도 9a의 다이와 실질적으로 동일하거나 유사한 기능성 컴포넌트(130)가 금속층(228)이 위를 향하도록 반전될 수 있는 것을 나타낸다. 도 10b는 반전된 다이가 패키징 기판(252) 상에 장착되는 장착된 구성을 나타낸다. 일부 실시예들에서, 패키징 기판(252)은 다이의 각각의 콘택 패드들(예를 들어, 226a, 226b, 226c)과의 전기적 접속 및 물리적 장착(예를 들어, 납땜에 의해)을 용이하게 하도록 콘택 패드들(예를 들어, 254a, 254b, 254c)로 구성될 수 있다. 콘택 패드들(254a, 254b, 254c)은 패키징 기판(252)(예를 들어, 적층 기판) 내에서 다양한 접속 특징부들(도시되지 않음)을 통해 각각의 모듈-단자들 또는 모듈-접지에 전기적으로 접속될 수 있다.
도 10b에 더 도시된 바와 같이, 전술한 방식으로 접속되지 않은 비아들(예를 들어, 222a, 222b, 222d)은 예를 들어, 모듈-접지에 전기적으로 접속되는(도시되지 않음) 하나 이상의 볼 조인트들(ball joints)(256)에 의해 전기적으로 접지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 모듈-접지는 패키징 기판(252)의 표면 아래에 RF 차폐 기능을 제공하는 하나 이상의 접지면을 포함할 수 있다.
도 10c는 오버몰드 물질(262)이 장착된 다이를 측면으로 둘러싸는 것으로 도시되는 예시적인 패키징된 구성(260)을 도시한다. 또한, 금속층(264)이 오버몰드(262)(예를 들어, 도 7을 참조하여 설명된 바와 같음) 위에 형성 또는 제공되고 다이의 금속층(228)과 전기적 접촉하는 것으로 도시된다.
도 10c에 도시된 바와 같이, 금속층(264)은 다이의 금속층(228), 하나 이상의 스루-다이 도전성 비아들(예를 들어, 222a, 222b, 222c, 222d), 및 각각의 다이-대-패키징 기판 접속 특징부들(예를 들어, 256, 226c, 254c)을 통해 패키징 기판(252) 내의 접지 면(들)과 전기적 접촉한다. 도시된 바와 같이, 도전성 비아들(222a, 222b, 222c, 222d)은 전기적으로 접속된 상부(금속층(264)) 및 하부(접지면(들)) 차폐 면들에 의해 개선될 수 있는 측면 RF 차폐 기능(예를 들어, 도 8a 및 도 8b에서 영역들 A와 B 사이의 모듈내 차폐)을 제공할 수 있다.
도 10a-10c에 도시된 예들에서, 기능성 컴포넌트(130)(예를 들어, CSSD 필터 다이)가 듀얼 기능을 제공할 수 있다는 것을 알 수 있다 - 하나는 필터링 및 다른 것은 RF 차폐를 제공. 반전된 장착 구성은 또한 접속-와이어본드들에 의해 기능성 컴포넌트(130)의 콘택 패드들을 전기적으로 접속할 필요를 제거할 수 있다는 것에도 주목할 필요가 있다. 일부 상황에서, 그러한 접속-와이어본드들의 부재는 유리할 수 있다. 일부 실시예들에서, 본 명세서에 설명된 바와 같이, 본 명세서에 설명된 바와 같은 차폐 컴포넌트는 대응하는 모듈과 연관된 회로의 기능부일 뿐만 아니라, 차폐 기능을 위한 전기적 접속을 제공하거나 용이하게 하는 컴포넌트일 수 있다. 이중 목적을 위한 그러한 차폐 컴포넌트의 이용은 예를 들어, 모듈이 필요로 하는 공간의 감소 또는 최적화를 허용할 수 있다.
본 명세서에 설명된 바와 같이, 오버몰드 구조의 높이가 차폐 컴포넌트의 높이보다 더 큰 상황들(예를 들어, 도 7c 및 도 7d의 예들)이 존재할 수 있다. 도 11a는 차폐 컴포넌트(130)와 RF 모듈(100) 상의 도전층(264) 사이에 전기적 접속(510)을 제공하기 위한 예시적인 구성(500)을 도시한다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, 그러한 전기적 접속은 차폐 컴포넌트(130)를 캡슐화하는 오버몰드 구조(262)의 층을 통해 형성될 수 있다. 차폐 컴포넌트(130)는 접지면(504)을 포함하는 패키징 기판(252) 상에 장착되는 것으로 도시된다. 도전층(264)과 연관된 전기적 노드 A와 차폐 컴포넌트(130) 사이의 전기적 접속(510)에 의하여, 접지면(504)과 연관된 노드 B와 노드 A 사이에 전기적 경로(502)(도 11b 참조)가 형성될 수 있다. 그러한 전기적 경로는 도전층(264), 전기적 접속(510), 차폐 컴포넌트(130) 상의, 주변의 및/또는 관통하는 하나 이상의 전기적 경로들, 차폐 컴포넌트(130)와 패키징 기판(252) 사이의 하나 이상의 전기적 접속, 및 패키징 기판(252) 내의 하나 이상의 전기적 접속을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 차폐 컴포넌트(130)는 RF 필터 디바이스와 같은 기능성 컴포넌트일 수 있다. RF 차폐 기능을 제공하기 위한 기능성 컴포넌트 및 그의 이용에 대한 예들이 본 명세서에 더욱 상세히 설명된다.
도 12a-12e는 오버몰드 층을 관통해 형성된 개구부가 어떻게 RF 모듈의 도전층(532)과 기능성 컴포넌트(130)의 도전층 사이의 전기적 접속(도 11의 510)의 형성을 허용할 수 있는지에 대한 예를 도시한다.
본 명세서에 설명된 바와 같이, 기능성 컴포넌트(130)는 모듈의 RF 설계의 부분이고 따라서 일부 RF 관련 기능을 제공하는 디바이스(능동형 또는 수동형)를 포함할 수 있다. CSSD(칩 사이즈 SAW(표면 탄성파) 디바이스)와 같은 디바이스가 그러한 기능성 컴포넌트일 수 있다.
도 10a와 유사하게, 도 12a는 예시적인 기능성 컴포넌트(130)의 단면도를 도시한다. 도시된 예에서, 기능성 컴포넌트(130)는 금속층(228)이 위쪽을 향하고 있도록 반전된 것으로 도시된다. 예시적인 스루-다이 도전성 비아들(222a-222d) 중 일부 또는 전부는 금속층(228)에 전기적으로 접속될 수 있다. 그러한 스루-다이 도전성 비아들의 일부는 기능성 컴포넌트(130)의 이제 하부를 향하는 표면(now-bottom-facing surface) 상에 형성된 하나 이상의 콘택 패드들(226)에 전기적으로 접속될 수 있다. 그러한 콘택 패드들(226)의 일부는 기능성 컴포넌트(130) 내에 형성된 회로(예를 들어, 신호 입력, 신호 출력, 전력)에 전기적으로 접속될 수 있다.
도 10b와 유사하게, 도 12b는 패키징 기판(252) 상에 반전된 다이(130)가 장착되는 장착된 구성을 도시한다. 일부 실시예들에서, 패키징 기판(252)은 다이의 각각의 콘택 패드들(예를 들어, 226a, 226b, 226c)과의 전기적 접속 및 물리적 장착(예를 들어, 납땜에 의해)을 용이하게 하기 위해 콘택 패드들(예를 들어, 254a, 254b, 254c)을 포함할 수 있다. 콘택 패드들(254a, 254b, 254c)은 패키징 기판(252)(예를 들어, 적층 기판) 내에서 다양한 접속 특징부들(도시되지 않음)을 통해 각각의 모듈-단자들 또는 모듈-접지에 전기적으로 접속될 수 있다.
도 12b에 더 도시된 바와 같이, 전술한 방식으로 접속되지 않은 비아들(예를 들어, 222a, 222b, 222d)은 예를 들어, 모듈-접지에 전기적으로 접속되는(도시되지 않음) 볼 조인트들(256)에 의해 전기적으로 접지될 수 있다. 따라서, 금속층(228)은 도전성 비아들 중 일부 또는 전부를 통해 모듈 접지에 전기적으로 접속된다. 일부 실시예들에서, 그러한 모듈-접지는 패키징 기판(252)의 표면 아래에 RF 차폐 기능을 제공하는 하나 이상의 접지면을 포함할 수 있다.
도 12c는 오버몰드(262)가 패키징 기판(252) 위에 형성되었고 반전된 다이(130)의 금속층(228)을 커버하는 예시적인 구성을 도시한다. 따라서, 도 12c에 도시된 예시적인 구성의 경우, 오버몰드(262) 위에 형성된 도전층(도시되지 않음)이 금속층(228)과 직접 전기적 접촉하지 않을 것이다.
도 12d는 개구부(522)가 금속층(228) 위에 오버몰드(262)의 일부를 통해 형성된 예시적인 구성(520)을 도시한다. 개구부(522)는 금속층(228)의 상위 부분 상에 노출된 표면(524)을 생성하기 위해 형성될 수 있다. 그러한 개구부는 예를 들어, 레이저 드릴링 또는 삭마를 포함하는 다수의 기법들을 활용하여 형성될 수 있다. 레이저 삭마에 의한 그러한 개구부의 형성의 예가 본 명세서에서 더욱 상세히 설명된다. 그러한 문맥에서 설명되지만, 다른 개구부 형성 기법들(예를 들어, 기계적 드릴링 또는 화학적 에칭)도 활용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 12e는 오버몰드(262) 및 개구부(522) 위에 도전층(532)이 형성된 예시적인 구성(530)을 도시한다. 일부 실시예들에서, 도전층(532)은 개구부(522) 주위의 영역, 개구부(522)의 벽, 및 개구부(522)에 의해 노출된 금속층(228)의 표면(524) 사이에 연속적인 커버리지를 제공할 수 있다. 따라서, 도전층(532)은 전체적으로 금속층(228)과 전기적 접촉하고 있을 수 있고, 이에 의해 모듈의 접지면(도시되지 않음)과 전기적 접촉하고 있을 수 있다.
도 13a-13f는 어떻게 레이저 삭마가 모듈의 도전층과 기능성 컴포넌트의 금속층 사이에 전기적 접속을 용이하게 하기 위해 오버몰드를 통해 개구부를 형성하는 데 활용될 수 있는지에 대한 예를 도시한다. 도 13a는 필터 디바이스와 같은 기능성 컴포넌트(130) 및 차폐 와이어본드(106)가 패키징 기판(252) 상에 장착되는 예시적인 구성을 도시한다. 함께 구현되는 기능성 컴포넌트(130) 및 차폐 와이어본드(106)의 양자의 문맥에서 설명되지만, 오버몰드의 일부를 통한 전기적 접속의 형성과 연관된 하나 이상의 특징부들이 또한 차폐 와이어본드(106) 없이 구현될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 기능성 컴포넌트(130)는 상부 금속층(예를 들어, 도 12의 228)을 포함한다는 것도 이해될 것이다.
도 13b는 패키징 기판(252) 위에 오버몰드(262)가 형성된 모듈 제조의 예시적인 스테이지를 도시한다. 오버몰드(262)는 차폐 와이어본드(106)를 실질적으로 캡슐화하는 것으로 도시된다. 오버몰드(262)의 상면(540)이 차폐 와이어본드(106)의 상위 부분(도 13c의 58)을 노출할 수 있거나 노출하지 않을 수 있다.
도시된 예에서, 차폐 와이어본드(106)의 높이는 기능성 컴포넌트(130)의 높이보다 더 크다. 따라서, 오버몰드(262)는 기능성 컴포넌트(130)의 상면을 커버하는 것으로 도시된다.
도 13c는 새로운 상면(542)을 생성하기 위하여 상면(도 3b의 540)으로부터 재료가 제거된 예시적인 스테이지를 도시한다. 제거된 재료의 양은 차폐 와이어본드(106)의 상부(58)가 충분히 노출되어 새로운 상면(542) 상에 형성된 도전층과의 전기적 접속을 허용하도록 선택될 수 있다. 일부 구현들에서, 그러한 재료의 제거는 마이크로-삭마(micro-ablation)에 의해 실현될 수 있다.
도 13d는 오버몰드 재료를 삭마하고 개구부(552)를 형성하기 위하여 기능성 컴포넌트(130) 위의 영역에 레이저 빔(554)이 인가되는 스테이지(550)를 도시한다. 일부 구현들에서, 오버몰드 재료는 예를 들어, 에폭시 몰딩 화합물(EMC)을 포함할 수 있다. 그러한 예시적인 재료의 경우, 예를 들어, 355nm 내지 1060nm의 범위의 파장을 갖는 레이저를 활용하여 개구부를 형성할 수 있다.
일부 구현들에서, 레이저 빔(554)은 기능성 컴포넌트(130)의 상면(556)(예를 들어, 금속층)이 충분히 노출되어 전기적 접속을 형성할 때까지 인가될 수 있다. 전술한 예시적인 레이저에 의하여, 동작 전력에서 빔은 일반적으로 금속 표면(556)으로부터 반사할 수 있다. 따라서, 실질적으로 금속층 내로 또는 관통하는 오버번(over-burn)의 가능성은 감소할 수 있다.
일부 구현들에서, 레이저 빔(554)은 예를 들어, 삭마 위치에서 원하는 측면 빔 사이즈를 제공하도록 포커싱될 수 있다. 그러한 포커싱된 빔은 원뿔 모양을 가질 수 있고, 이에 따라 상면(542)과 90도보다 더 큰 각도를 형성하는 챔퍼 처리된 벽(chamfered wall)을 갖는 개구부(552)가 생기게 한다. 그러한 챔퍼 처리된 프로파일은 형성될 도전층의 향상된 커버리지를 용이하게 할 수 있다.
도 13e는 예를 들어, 표면(556) 상의 레이저 삭마 잔류물을 제거하기 위해 레이저에 의해 형성된 개구부(552)가 세정될 수 있는 예시적인 스테이지(560)를 도시한다. 일부 구현들에서, 그러한 세정은 도 13c의 마이크로-삭마 예와 유사한 마이크로-삭마에 의해 실현될 수 있다.
일부 구현들에서, 전체 모듈(및 패널에서 모듈들의 어레이가 제조되고 있는 상황에서, 전체 패널)은 개구부(552)를 세정하기 위해 마이크로-삭마 프로세스를 거칠 수 있다. 그러한 마이크로-삭마에의 노출은 새로운 표면(544)을 생성하기 위해 오버몰드 재료가 더 제거되는 결과를 초래할 수 있다. 일부 구현들에서, 오버몰드 재료의 약 1 내지 5㎛가 그러한 마이크로-삭마 프로세스 동안 제거될 수 있다.
마이크로-삭마 프로세스들이 수행되는 예시적인 스테이지들(도 13c 및 도 13e)에서, 예시적인 도면들은 반드시 비례적으로 그려지지는 않는다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 도 13e와 연관된 마이크로-삭마 프로세스는 도 13c보다 더 많거나 더 적은 양의 오버몰드 재료를 제거할 수 있다.
도 13e는 오버몰드 재료의 그러한 추가 제거가 차폐 와이어본드(106)를 더 노출하는 것을 도시한다. 일부 구현들에서, 차폐 와이어본드(106)의 노출된 부분의 그러한 증가는 형성된 도전층과의 향상된 전기적 접속을 용이하게 할 수 있다.
일부 구현들에서, 마이크로-삭마 프로세스로부터 잔류물을 제거하기 위해 그리고 오버몰드(262)의 표면들(544, 556) 및 기능성 컴포넌트(130)의 노출된 금속층을 준비하기 위해 린스(rinse) 프로세스가 구현될 수 있다.
도 13f는 오버몰드 표면(544), 개구부(552)의 벽(558), 및 기능성 컴포넌트(130)의 노출된 금속 표면(556)을 실질적으로 커버하기 위하여 도전층(572)이 도포된 예시적인 스테이지(570)를 도시한다. 도전층(572)은 또한 차폐 와이어본드(106)의 노출된 상위 부분을 커버한 것으로 도시된다. 따라서, 도전층(572)은 이제 차폐 와이어본드(106) 및 기능성 컴포넌트(130)를 통해 접지면(도시되지 않음)에 전기적으로 접속된다.
일부 구현들에서, 도전층(574)은 분무(spraying)에 의해 도포된 금속 페인트를 포함할 수 있다. 이러한 금속 페인트의 다양한 예들은 예를 들어, 발명의 명칭이 "SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING A METAL PAINT LAYER"인 미국 특허 출원 공개 번호 제2013/0335288호에 더욱 상세히 설명되며, 그 개시는 전부 참고로 본 명세서에 포함된다.
도 14는 도 13a-13f를 참조하여 설명된 예시적인 모듈 제조 스테이지들을 달성하기 위해 구현될 수 있는 프로세스(600)를 도시한다. 블록(602)에서, 기능성 컴포넌트가 패키징 기판 상에 장착될 수 있다. 블록(604)에서, 하나 이상의 차폐 와이어본드들이 기능성 컴포넌트에 대해 형성될 수 있다. 블록(606)에서, 기능성 컴포넌트 및 차폐 와이어본드들을 캡슐화하기 위해 오버몰드 구조가 형성될 수 있다. 블록(608)에서, 차폐 와이어본드들의 상위 부분들을 노출하기 위해 제1 삭마 프로세스가 수행될 수 있다. 일부 구현들에서, 그러한 삭마 프로세스는 마이크로-삭마 프로세스를 포함할 수 있다. 블록(610)에서, 기능성 컴포넌트의 금속층의 적어도 일부를 노출하기 위해 오버몰드 구조를 통하여 개구부가 형성될 수 있다. 일부 구현들에서, 그러한 개구부는 레이저 삭마에 의해 형성될 수 있다. 블록(612)에서, 차폐 와이어본드들을 더 노출하고 기능성 컴포넌트의 노출된 금속층의 표면으로부터 잔류물을 제거하기 위해 제2 삭마 프로세스가 수행될 수 있다. 일부 구현들에서, 그러한 삭마 프로세스는 마이크로-삭마 프로세스를 포함할 수 있다. 블록(614)에서, 금속층 표면과 오버몰드의 노출된 표면들이 세정될 수 있다. 블록(616)에서, 기능성 컴포넌트의 금속층의 노출된 부분과 차폐 와이어본드들의 노출된 부분들을 커버하기 위해 상부 도전층이 형성될 수 있다. 일부 구현들에서, 상부 도전층은 금속 페인트의 분무 도포(spray-application)에 의해 형성될 수 있다.
일부 구현들에서, 도 13의 예시적인 스테이지들 및 도 14의 프로세스 블록들의 일부에 관한 부가적인 상세들은 미국 특허 출원 공개 번호 제2013/0335288호에서 찾을 수 있다. 그러나, 본 개시의 하나 이상의 특징들은 또한 다른 구성들로 구현될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 오버몰드 재료의 제거는 반드시 마이크로-삭마에 의해 수행될 필요는 없다. 다른 예에서, 상부 도전층의 형성은 반드시 금속 페인트의 분무 도포에 의해 수행될 필요는 없다.
본 명세서에 설명된 다양한 예들에서, 개구부들(도 12의 522, 및 도 13의 552)은 기능성 컴포넌트(130) 위에 형성되는 하나의 개구부의 문맥에서 설명된다. 상부 도전층과 기능성 컴포넌트 사이의 하나보다 많은 전기적 접속을 용이하게 하기 위해 하나보다 많은 개구부가 형성되어 활용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 주어진 기능성 컴포넌트가 비교적 큰 측면 치수를 갖는 경우, 복수의 그러한 전기적 접속들을 형성하는 것이 바람직할 수 있다.
도 15a는 오버몰드(262)에 의해 캡슐화되는 기능성 컴포넌트(130)의 평면도를 도시한다. 하나의 개구부(522, 552)가 본 명세서에 설명된 바와 같이 전기적 접속을 용이하게 하기 위하여 형성되는 것으로 도시된다. 그러한 개구부는 기능성 컴포넌트(130)에 대하여 중심에 있을 수 있거나 그렇지 않을 수 있다.
도 15b는 복수의 개구부들(522, 552)이 기능성 컴포넌트(130) 위에 형성되는 예시적인 구성을 도시한다. 일부 실시예들에서, 그러한 개구부들은 일반적으로 선택된 라인을 따라서 정렬될 수 있다.
도 15c는 일부 실시예들에서, 복수의 개구부들(522, 552)이 또한 2차원에서 측면으로 배열될 수 있다는 것을 도시한다. 예를 들어, 개구부들은 2차원 어레이로 배열될 수 있다.
본 명세서의 다양한 예들에서, 등각 도전층(예를 들어, 도 13f의 572) 및 SMD(예를 들어, 130)의 노출된 금속 표면과의 콘택은 등각 도전층과 패키징 기판의 접지면 사이의 접지 경로를 용이하게 하기 위한 전기적 도전 경로의 형성의 문맥에서 설명된다. 그러나, SMD의 상면과 접촉하도록 형성된 그러한 등각 층과 연관된 하나 이상의 특징부들은 또한 SMD와 등각 층 사이에 다른 도전 경로들을 제공하기 위해 활용될 수 있다. 예를 들어, SMD로부터 그의 상면을 통해 등각 층으로 도전을 통해서 열이 이동할 수 있다. 그러한 애플리케이션에서, 등각 층과 SMD의 상면 중 어느 하나 또는 둘다는 양호한 열 도전 특성을 제공하도록 구성될 수 있고, 전기적 도전 특성을 포함할 수 있거나 포함하지 않을 수 있다.
본 명세서에서의 설명의 목적을 위해, 표면 장착 디바이스(SMD)는 다양한 표면 장착 기술을 이용하여 패키징 기판과 같은 기판 상에 장착 가능한 임의의 디바이스를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, SMD는 패키징 기판 상에 장착 가능하고 상면을 갖는 임의의 디바이스를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 그러한 상면은 곡선 와이어본드의 상위 부분보다 더 클 수 있다. SMD는 능동형 및/또는 수동형 컴포넌트들을 포함할 수 있고, 그러한 컴포넌트들은 RF 및/또는 다른 애플리케이션들을 위해 구성될 수 있다. 그러한 SMD는 본 명세서에서 예를 들어, RF 컴포넌트, 컴포넌트, 필터, CSSD, 차폐 컴포넌트, 기능성 컴포넌트 등으로도 불린다. 그러한 용어들은 각각의 문맥들에서 서로 교환해서 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
일부 구현들에서, 본 명세서에서 설명된 하나 이상의 특징을 갖는 디바이스 및/또는 회로는 무선 디바이스와 같은 RF 디바이스에 포함될 수 있다. 이러한 디바이스 및/또는 회로는 무선 디바이스에서 직접 구현될 수 있거나, 본 명세서에서 설명된 모듈 형태(modular form)로 구현될 수 있거나, 그들의 일부 조합으로 구현될 수 있다. 일부 실시예에서, 이러한 무선 디바이스는, 예를 들어, 셀룰러 폰, 스마트 폰, 전화 기능성을 갖거나 갖지 않는 핸드헬드 무선 디바이스, 무선 태블릿 등을 포함할 수 있다.
도 16은 본 명세서에서 설명된 하나 이상의 유익한 특징을 갖는 예시적인 무선 디바이스(700)를 도시한다. 본 명세서에서 설명된 하나 이상의 특징을 갖는 모듈의 맥락에서, 이러한 모듈은 일반적으로 점선 박스(100)로 도시될 수 있고, FEM(front-end module)로서 구현될 수 있다. 무선 디바이스(700)에서의 다른 모듈들 또한 본 명세서에서 설명된 하나 이상의 특징 구현으로부터 혜택을 누릴 수 있다.
PA들(712)은 증폭 및 송신될 RF 신호를 생성하고, 수신된 신호들을 처리하도록 구성 및 동작될 수 있는 송수신기(710)로부터 그들 각각의 RF 신호를 수신할 수 있다. 송수신기(710)는 송수신기(710)에 적합한 RF 신호와 사용자에 적합한 데이터 및/또는 음성 신호 사이의 변환을 제공하도록 구성되는 기저대역 서브시스템(baseband sub-system; 708)과 상호작용하는 것으로 도시된다. 송수신기(710)는 또한 무선 디바이스의 동작을 위해 전력을 관리하도록 구성되는 전력 관리 컴포넌트(706)에 접속되는 것으로 도시된다. 이러한 전력 관리는 또한 기저대역 서브시스템(708) 및 모듈(100)의 동작을 제어할 수 있다.
기저대역 서브시스템(708)은 음성 및/또는 데이터의 다양한 입력 및 출력이 사용자에게 제공 및 사용자로부터 수신되는 것을 용이하게 하기 위해 사용자 인터페이스(702)에 접속되는 것으로 도시된다. 기저대역 서브시스템(708)은 또한 무선 디바이스의 동작을 용이하게 하는 데이터 및/또는 명령어를 저장하고, 및/또는 사용자에게 정보의 저장소를 제공하도록 구성되는 메모리(704)에 접속될 수 있다.
예시적인 무선 디바이스(700)에서, PA들(712)의 출력은 대역 선택 스위치(716), 그들 각각의 듀플렉서(718) 및 안테나 스위치(720)를 통해 안테나(722)에 매치(각각의 매치 회로(714)를 통해) 및 라우트되는 것으로 도시된다. 일부 실시예에서, 각각의 듀플렉서(718)는 공통 안테나(예컨대, 722)를 사용하여 송신 및 수신 동작들이 동시에 수행되는 것을 허용할 수 있다. 도 16에서, 수신된 신호는, 예를 들어, 하나 이상의 LNA(low-noise amplifiers)를 포함할 수 있는 "Rx" 경로들(도시되지 않음)로 라우트되는 것으로 도시된다.
다수의 다른 무선 디바이스 구성이 본 명세서에서 설명된 하나 이상의 특징을 이용할 수 있다. 예를 들어, 무선 디바이스가 다중 대역 디바이스일 필요는 없다. 또 다른 예에서, 무선 디바이스는 다이버시티 안테나와 같은 추가적인 안테나, 및 Wi-Fi, 블루투스, 및 GPS와 같은 추가적인 접속 특징부를 포함할 수 있다.
맥락이 명백하게 달리 요구하지 않는 한, 상세한 설명 및 청구 범위 전반에 걸쳐, "포함한다(comprise)", "포함하는(comprising)" 등과 같은 단어는 배타적이거나 철저하다는 의미에 반대되는 포괄적인 의미, 즉, "~를 포함하지만 그로 제한되지 않는(including, but not limited to)"의 의미로 해석되어야 한다. 본 명세서에서 일반적으로 사용되는 "결합된(coupled)"이라는 단어는 직접 접속될 수도 있고 또는 하나 이상의 중간 요소에 의해 접속될 수도 있는 두 개 이상의 요소를 지칭한다. 또한, "본 명세서에서(herein)", "위(above)", "아래(below)"라는 단어 및 유사한 의미의 단어는, 본 출원에서 사용되는 경우, 본 출원을 전체적으로 지칭하는 것으로 본 출원의 임의의 특정한 부분을 지칭하는 것이 아니다. 맥락이 허용하는 경우, 단수 또는 복수를 사용하는 위의 상세한 설명에 있는 단어들은 또한 각각 복수 또는 단수를 포함할 수 있다. 둘 이상의 항목의 목록과 관련하여 "또는(or)"이라는 단어는 단어의 다음과 같은 해석들, 즉, 목록에 있는 항목들 중 임의의 것, 목록에 있는 항목들 전부, 및 목록에 있는 항목들의 임의의 조합 전부를 커버하는 단어이다.
본 발명의 실시예들의 위의 상세한 설명은 철저한 것이거나 위에 개시된 정확한 형태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 본 발명의 특정 실시예 및 예들은 예시적인 목적으로 위에서 설명되어 있지만, 당업자가 인식하는 바와 같이, 본 발명의 범위 내에서 다양한 등가의 수정이 가능하다. 예를 들어, 프로세스 또는 블록은 주어진 순서로 제시되지만, 대안적인 실시예들은 단계를 갖는 루틴을 수행하거나 다른 순서로 블록을 구비하는 시스템을 이용할 수 있고, 일부 프로세스 또는 블록은 삭제, 이동, 추가, 세분, 조합 및/또는 수정될 수 있다. 이러한 프로세스 또는 블록들 각각은 서로 다른 다양한 방식으로 구현될 수 있다. 또한, 프로세스 또는 블록이 시간상 직렬로 수행되는 것으로 도시되어 있지만, 이들 프로세스 또는 블록들은 그 대신에 병렬로 수행될 수 있거나, 서로 다른 시간에 수행될 수 있다.
본 명세서에 제공된 본 발명의 교시가 반드시 위에서 설명한 시스템에 적용될 필요는 없고 다른 시스템에 적용될 수 있다. 위에서 설명한 다양한 실시예들의 요소들 및 작용들이 조합되어 실시예들을 더 제공할 수 있다.
본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 이러한 실시예들은 단지 예로서 제시되었으며, 본 개시의 범위를 한정하려는 의도는 아니다. 실제로, 본 명세서에서 설명된 신규한 방법 및 시스템은 다양한 다른 형태로 구현될 수 있는데; 또한, 본 명세서에서 설명된 방법 및 시스템의 형태에 있어서 다양한 생략, 대체 및 변경이 본 개시의 사상으로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다. 첨부된 청구 범위 및 그 등가물은 본 개시의 범위 및 사상 내에 속하는 형태 또는 수정을 커버하도록 의도된다.
Claims (20)
- RF(radio-frequency) 모듈을 제조하기 위한 방법으로서,
복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성된 패키징 기판을 제공하는 단계;
상기 패키징 기판 상에 SMD(surface mount device)를 장착하는 단계 - 상기 SMD는 장착될 때 위쪽으로 향하는(face upward) 금속층을 포함함 - ;
상기 패키징 기판 위에 오버몰드를 형성하는 단계 - 상기 오버몰드는 상기 SMD를 커버함 - ;
상기 금속층의 적어도 일부를 노출하기 위해 상기 SMD 위의 한 영역에서 상기 오버몰드를 관통하는 개구부를 형성하는 단계; 및
상기 오버몰드 위에 도전층을 형성하는 단계 - 상기 도전층은 기능성 컴포넌트의 상기 도전층과 상기 금속층 사이에 전기적 경로를 제공하기 위해 상기 개구부의 적어도 일부를 채움 -
를 포함하는 방법. - 제1항에 있어서, 상기 개구부를 형성하는 단계는 상기 오버몰드를 레이저로 삭마하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층을 형성하는 단계는 금속 도료를 도포하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오버몰드를 형성하는 단계 전에, 상기 패키징 기판 상에 차폐-와이어본드를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 차폐-와이어본드는 상기 SMD의 높이보다 큰 높이를 갖는 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 오버몰드는 상기 차폐-와이어본드의 높이와 실질적으로 동일하거나 그보다 큰 높이를 갖는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 개구부를 형성하는 단계 전에, 상기 차폐-와이어본드의 상부(top portion)는 노출하지만 상기 SMD는 여전히 커버하도록 상기 오버몰드의 상위 부분(upper portion)을 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 오버몰드의 상기 상위 부분을 제거하는 단계는 삭마 프로세스(ablation process)를 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 삭마 프로세스는 마이크로-삭마 프로세스를 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 개구부를 형성하는 단계 후에, 상기 개구부를 형성하는 단계로 인한 잔여물을 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 잔여물을 제거하는 단계는 또한 상기 오버몰드로부터 추가 재료가 제거되게 하여 상기 차폐-와이어본드를 더 노출하는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 잔여물을 제거하는 단계는 삭마 프로세스를 포함하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 삭마 프로세스는 마이크로-삭마 프로세스를 포함하는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 도전층을 형성하는 단계 전에, 상기 오버몰드의 노출된 표면들 및 상기 SMD의 상기 금속층을 세척하는 단계를 더 포함하는 방법.
- RF(radio-frequency) 모듈로서,
복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성된 패키징 기판;
상기 패키징 기판 상에 장착된 SMD(surface mound device) - 상기 SMD는 장착될 때 위쪽으로 향하는 금속층을 포함함 - ;
상기 패키징 기판 위에 형성된 오버몰드 - 상기 오버몰드는 상기 SMD를 커버하도록 치수 조정됨 - ;
상기 SMD 위의 한 영역에서 상기 오버몰드에 의해 정의된 개구부 - 상기 개구부는 상기 금속층의 적어도 일부를 노출하기에 충분한 깊이를 가짐 - ; 및
상기 오버몰드 위에 형성된 도전층 - 상기 도전층은 상기 도전층과 상기 SMD의 상기 금속층 사이에 전기적 경로를 제공하기 위해 상기 개구부의 적어도 일부를 채우도록 구성됨 -
을 포함하는 RF 모듈. - 제15항에 있어서, 상기 SMD는 다이 상에 형성된 RF 필터를 포함하는 RF 모듈.
- 제16항에 있어서, 상기 RF 필터는 상기 금속층의 맞은편(side opposite)에 콘택 특징부(contact feature)를 포함하고, 상기 콘택 특징부는 상기 금속층 및 또한 상기 패키징 기판의 접지면에 전기적으로 접속되어, 상기 오버몰드 위의 상기 도전층이 상기 RF 필터를 통해 상기 접지면에 전기적으로 접속되도록 하는 RF 모듈.
- 제15항에 있어서, 상기 개구부는 챔퍼 프로파일(chamfer profile)을 갖는 측벽을 포함하여, 상기 측벽과 상기 오버몰드의 표면 사이의 각도가 90도보다 큰 값을 갖게 함으로써, 상기 개구부와 상기 오버몰드의 상기 표면 사이에서 상기 도전층이 전이(transition)할 때 일치성(conformity)이 용이하게 개선될 수 있도록 하는 RF 모듈.
- 제18항에 있어서, 상기 도전층은 금속 도료에 의해 형성된 층을 포함하는 RF 모듈.
- 무선 디바이스로서,
안테나; 및
상기 안테나와 통신하는 모듈
을 포함하고,
상기 모듈은 상기 안테나를 통한 RF 신호들의 송신 및 수신 중 하나 또는 둘 다를 용이하게 하도록 구성되고, 상기 모듈은 복수의 컴포넌트를 수용하도록 구성된 패키징 기판을 포함하고, 상기 모듈은 상기 패키징 기판 상에 장착된 SMD(surface mount device)를 더 포함하고, 상기 SMD는 장착될 때 위쪽으로 향하는 금속층을 포함하고, 상기 모듈은 상기 패키징 기판 위에 형성된 오버몰드를 더 포함하고, 상기 오버몰드는 상기 SMD를 커버하도록 치수 조정되고, 상기 모듈은 상기 SMD 위의 한 영역에서 상기 오버몰드에 의해 정의된 개구부를 더 포함하고, 상기 개구부는 상기 금속층의 적어도 일부를 노출하기에 충분한 깊이를 갖고, 상기 모듈은 상기 오버몰드 위에 형성된 도전층을 더 포함하고, 상기 도전층은 상기 도전층과 상기 SMD의 상기 금속층 사이에 전기적 경로를 제공하기 위해 상기 개구부의 적어도 일부를 채우도록 구성되는 무선 디바이스.
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