KR20140024370A - 편광된 방사선을 방출하는 반도체 칩 - Google Patents

편광된 방사선을 방출하는 반도체 칩 Download PDF

Info

Publication number
KR20140024370A
KR20140024370A KR1020137029556A KR20137029556A KR20140024370A KR 20140024370 A KR20140024370 A KR 20140024370A KR 1020137029556 A KR1020137029556 A KR 1020137029556A KR 20137029556 A KR20137029556 A KR 20137029556A KR 20140024370 A KR20140024370 A KR 20140024370A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radiation
semiconductor chip
grating
regions
polarization
Prior art date
Application number
KR1020137029556A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101946661B1 (ko
Inventor
한스 린드버그
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20140024370A publication Critical patent/KR20140024370A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101946661B1 publication Critical patent/KR101946661B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 제 1 편광의 제 1 방사선 성분(S1)과 제 2 편광의 제 2 방사선 성분(S2)을 가진 편광되지 않은 방사선을 방출하는 액티브 구역(3)을 구비한 반도체 바디(2); 지연 플레이트 또는 편광 필터로서 작용하며, 반도체 칩(1)에 의해 방출 면(6)을 통해 방출되는 방사선(S)에서 하나의 방사선 성분(S1, S2)을 다른 방사선 성분(S2, S1)에 비해 증가시킴으로써 반도체 칩(1)은 증강된 방사선 성분(S1, S2)의 편광을 가진, 편광된 방사선(S)을 방출하고, 약화된 방사선 성분(S2, S1)은 반도체 칩(1)에 남아 있게 하는 격자 구조(4); 반도체 칩(1) 내에 남아있는 약화된 방사선 성분(S1, S2)의 적어도 일부의 편광을 증강된 방사선 성분(S1, S2)의 편광으로 변환시키는 광학 구조(5); 및 방출 면(6)에 마주 놓인 반사 후면(7)을 포함하는 방사선 방출 반도체 칩(1)에 관한 것이다.

Description

편광된 방사선을 방출하는 반도체 칩{SEMICONDUCTOR CHIP THAT EMITS POLARIZED RADIATION}
본 발명은 편광된 방사선을 방출하는 반도체 칩에 관한 것이다.
방사선 방출 반도체 칩은 그 컴팩트한 크기 및 효율 때문에 바람직한 광원이다. 그러나, 생성된 방사선이 자발적 방출로 인해 대개 무지향성이고 편광되지 않는다. 그러나, 예컨대 LCD-후면 광과 같은 용도에는 편광된 방사선을 방출하는 광원이 바람직하다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2011 017 196.7의 우선권을 주장하며, 그 공개 내용이 인용에 의해 여기에 포함된다.
2개의 간행물 DE 10 2007 062 041 및 US 2008/0035944에는 편광된 방사선을 방출하는 방사선 방출 반도체 칩이 개시되어 있다. 또한, 편광으로 인해 반도체 칩으로부터 방출될 수 없는 방사선 성분이 반도체 칩 내에서 적어도 부분적으로 광자 재활용에 의해 회수되는 것이 개시되어 있다.
본 발명의 과제는 효율적인 방식으로 편광된 방사선을 생성하는 방사선 방출 반도체 칩을 제공하는 것이다.
상기 과제는 청구항 제 1 항에 따른 방사선 방출 반도체 칩에 의해 달성된다.
일 실시예에 따라 방사선 방출 반도체 칩은 제 1 편광의 제 1 방사선 성분 및 제 2 편광의 제 2 방사선 성분을 가진 편광되지 않은 방사선을 방출하는 액티브 구역을 구비한 반도체 바디를 포함한다. 또한, 방사선 방출 반도체 칩은 격자 구조를 포함하고, 상기 격자 구조는 지연 플레이트 또는 편광 필터로서 작용하며, 반도체 칩에 의해 방출 면을 통해 방출되는 방사선에서 하나의 방사선 성분을 다른 방사선 성분에 비해 증가시키므로, 반도체 칩은 증강된 방사선 성분의 편광을 가진 편광된 방사선을 방출하고, 약화된 방사선 성분은 반도체 칩 내에 남아있다. 또한, 방사선 방출 반도체 칩은 광학 구조를 포함하며, 상기 광학 구조는 반도체 칩 내에 남아 있는 약화된 방사선 성분의 적어도 일부의 편광을 증강된 방사선 성분의 편광으로 변환시킨다. 또한, 방출 면에 마주 놓이게 반사 후면이 배치된다.
액티브 구역에서 흡수 및 재방출 프로세스에 추가해서, 반도체 칩에 남아있는 방사선 성분, 즉 그 편광으로 인해 반도체 칩으로부터 방출될 수 없는 방사선 성분이 광학 구조를 이용한 편광의 변화에 의해 다시 얻어질 수 있다.
방사선 방출 반도체 칩의 일 실시예에서, 반도체 칩에 의해 방출 면을 통해 방출된 방사선에서 하나의 방사선 성분을 다른 방사선 성분에 비해 증가시키기 위해 제공된 격자 구조는 제 1 재료의 다수의 교대로 배치된 제 1 격자 영역들 및 제 2 재료의 제 2 격자 영역들을 포함한다. 특히, 동일한 재료의 격자 영역들은 서로, 액티브 구역에 의해 생성된 방사선의 파장보다 작은 간격을 갖는다. 바람직하게 상기 간격은 격자 구조가 그 회절 특성을 잃도록 선택된다. 이로 인해, 격자 구조는 균일한 굴절률을 가진 균일한 매체와 같이 작용한다.
바람직한 개선예에 따라, 제 1 및 제 2 격자 영역들은 스트립 형태로 형성되고, 서로 평행하게 배치된다. 제 1 및 제 2 격자 영역들의 폭은 동일한 재료의 격자 영역들이 연속하는 간격의 일부이다. 이런 작은 구조들은 예컨대 홀로그래픽 리소그래피와 같은 리소그래픽 기술 또는 나노임프린트 방법에 의해 제조될 수 있다.
제 1 변형예에 따라 격자 구조는 지연 플레이트로서 작용한다. 특히, 격자 구조는 이 경우 2중 굴절 매체에 상응한다. 스트립 형태의 격자 영역들에 대해 평행하게 편광된 방사선 성분은 스트립 형태의 격자 영역들에 대해 수직으로 편광된 방사선 성분과는 다른 유효 굴절률을 갖는다. 바람직하게 제 1 방사선 성분은 격자 구조를 통한 투과시 제 2 방사선 성분과는 다른 위상 이동을 갖는다. 예컨대, 격자 구조의 두께는 제 1 방사선 성분이 지연 플레이트를 2번 통과할 때 Π(Pi)의 위상 이동을 갖는 한편, 제 2 방사선 성분이 Π와는 다른 위상 이동을 갖도록 선택될 수 있다.
바람직하게는 지연 플레이트로서 작용하는 격자 구조가 액티브 구역과 반도체 칩의 반사 후면 사이에 배치된다. 액티브 구역과 반사 후면 사이에 적합한 간격의 설정시, 액티브 구역으로부터 방출되어 후면에서 반사되는 방사선이 액티브 구역과 후면 사이에서 겪는 전체 위상 이동이 고려된다. 액티브 구역과 반사 후면 사이의 간격은 특히 동일한 편광의 방사선의 간섭에 의해 하나의 방사선 성분이 증강되고, 다른 방사선 성분이 약화되도록 설정된다. 예컨대, 상기 간격은 제 1 방사선 성분이 Π의 위상 이동시 보강 간섭되는 한편 제 2 방사선 성분은 상쇄 간섭되도록 설정된다.
바람직한 실시예에 따라, 제 1 방사선 성분은 스트립 형태의 격자 영역들에 대해 수직으로 편광된다. 또한, 제 2 방사선 성분은 스트립 형태의 격자 영역들에 대해 평행하게 편광된다.
바람직하게는 수직으로 편광된 방사선 성분이 수직 방향으로 , 즉 방출 면에 대해 수직으로 방출되는 한편, 평행하게 편광된 방사선 성분은 수평 방향으로, 즉 방출 면에 대해 평행하게 방출된다.
따라서, 반도체 칩은 이 변형예에서 수직으로 편광된 방사선을 방출한다.
바람직한 실시예에 따라, 지연 플레이트로서 작용하는 격자 구조의 제 1 또는 제 2 격자 영역들은 액티브 구역에서 생성된 방사선에 대해 투과성인 재료로 형성된다. 예컨대, 제 1 또는 제 2 격자 영역들이 SiO2, GaAs, AlGaAs, InGaAlP 또는 GaN으로 형성될 수 있다.
바람직하게는 제 1 격자 영역들이 반도체 바디의 표면의 에칭에 의해 제조됨으로써, 상기 격자 영역들이 반도체 바디의 반도체 재료로 형성된다. 제 2 격자 영역들은 가스, 특히 공기로 채워진, 제 1 격자 영역들 사이의 사이 공간이다. 제 2 격자 영역들에 대해, 다른 투명한 충전 재료, 예컨대 TCO(Transparent Conductive Oxide)도 가능하다.
제 2 변형예에 따라 격자 구조는 편광 필터로서 작용한다. 바람직하게는 하나의 방사선 성분이 편광 필터로서 작용하는 격자 구조에서 투과되며 다른 방사선 성분은 반사된다.
특히, 격자 구조의 제 1 격자 영역들은 금속을 포함하거나 또는 금속으로 이루어진다. 제 2 격자 영역들은 예컨대, 가스, 특히 공기로 채워진, 제 1 격자 영역들 사이의 사이 공간일 수 있다. 금속을 포함하거나 또는 금속으로 이루어진 스트립 형태의 격자 영역에 의해 평행하게 편광된 방사선 성분은 반사되는 한편, 수직으로 편광된 방사선 성분은 투과된다.
제 1 방사선 성분은 특히 수직으로 편광될 수 있는 한편, 제 2 방사선 성분은 평행하게 편광된다.
바람직한 실시예에 따라, 편광 필터로서 작용하는 격자 구조는 반도체 바디의 방출 측 표면 상에 배치된다. 광학 구조는 이 실시예에서 바람직하게는 반도체 바디의 방출 측 표면과 편광 필터 사이에 배치된다. 특히, 광학 구조는 이 경우 지연 플레이트로서 형성된다.
대안으로서, 편광 필터로서 작용하는 격자 구조가 액티브 구역과 반사 후면 사이에도 배치될 수 있다. 이 경우, 특히 평행하게 편광된 방사선 성분은 격자 구조에 의해 반사되는 한편, 수직으로 편광된 방사선 성분은 투과되며 반사 후면에 의해 반사된다. 평행하게 편광된 방사선 성분이 증강되어야 하면, 특히 액티브 구역과 격자 구조 사이의 간격은 평행하게 편광된 방사선 성분이 보강 간섭되도록 설정된다. 수직으로 편광된 방사선 성분이 증강되어야 하면, 특히 액티브 구역과 반사 후면 사이의 간격은 수직으로 편광된 방사선 성분이 보강 간섭되도록 설정된다.
바람직한 실시예에서, 편광 필터로서 작용하는 격자 구조는 전류 확대를 위해 사용되는 콘택 구조이다. 이 경우, 격자 구조가 바람직하게는 반도체 칩의 방출 면에 배치됨으로써, 격자 구조는 외부로부터 직접, 예컨대 콘택 와이어에 의해 전기 접촉될 수 있다.
반도체 칩 내에 남아있는 방사선 성분의 편광의 변화를 위해 제공된 광학 구조는 격자 구조와 같이 지연 플레이트일 수 있다. 또한, 광학 구조는 임의로 거칠어진 구조 또는 미리 정해진 구조일 수 있다.
광학 구조는 특히 방출 면과 후면 사이에서 반도체 칩 내부에 배치된다.
바람직한 실시예에 따라, 광학 구조는 격자 구조가 연장되는 평면에 대해 평행하게 배치된 평면 내에 연장된 구조화된 영역들을 포함한다. 구조화된 영역들은 격자 구조의 격자 영역들에 대해 횡으로 연장한다. 즉, 구조화된 영역들은 격자 영역들에 대해 평행하게 배치되지 않는다. 구조화된 영역들은 격자 영역들과 0°보다 크고 90°보다 작은 각을 형성한다. 바람직하게는 상기 각이 45°이다. 반도체 칩 내에 남아있는 방사선 성분, 즉 구조화된 영역에 의해 반사되는 방사선 성분은 이 경우 특히 편광의 90°회전을 겪는다. 바람직하게는 구조화된 영역들이 적어도 부분적으로 서로 평행하게 배치된다.
예컨대, 광학 구조는 지연 플레이트의 형태로, 상이한 굴절률을 가진 교대로 배치된 구조화된 영역들을 구비한 2중 굴절 매체와 같이 형성될 수 있다. 또한, 구조화된 영역들은 반도체 바디의 반도체 층 내에 형성된 홈일 수 있다. 홈들은 가스, 특히 공기로 채워질 수 있다.
다른 바람직한 실시예에 따라, 광학 구조는 경사진 측면들을 가진 구조화된 영역들을 포함하고, 상기 측면들은 격자 구조가 연장된 평면에 대해 경사지게 0°보다 크고 90°보다 작은 각으로 연장한다. 바람직하게는 상기 각이 45°이다. 반도체 칩 내에 남아있는 방사선 성분은 2개의 인접한 구조화된 영역의 2개의 마주 놓인 측면에서 반사시 특히 편광의 90°회전을 겪는다. 바람직하게는 구조화된 영역들이 프리즘 또는 피라미드로서 형성된다. 이는 예컨대 반도체 칩의 반도체 층 내에 에칭될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 반사 후면은 광학 구조를 포함한다. 예컨대 이 경우 반도체 바디의 후면 표면은 광학 구조를 포함할 수 있고 반사 층으로 코팅될 수 있으므로, 광학 구조를 가진 반사 후면이 형성된다.
본 발명에 의해, 효율적인 방식으로 편광된 방사선을 생성하는 방사선 방출 반도체 칩이 제공된다.
이하, 여기에 설명된 방사선 방출 반도체 칩이 실시예 및 관련 도면을 참고로 상세히 설명된다.
도 1a는 여기에 설명된 방사선 방출 반도체 칩의 제 1 실시예의 개략적인 횡단면도.
도 1b는 도 1a에 포함된 격자 구조의 확대 사시도.
도 2a 및 도 2b는 유효 굴절률 및 격자 구조의 두께에 대한 값을 나타낸 다이어그램.
도 3a는 여기에 설명된 방사선 방출 반도체 칩의 제 2 실시예의 개략적인 횡단면도.
도 3b는 도 3a에 포함된 격자 구조의 개략적인 평면도.
도 4는 여기에 설명된 방사선 방출 반도체 칩의 제 3 실시예의 개략적인 횡단면도.
도 5a, 도 5b, 도 6, 도 7, 도 8a 및 도 8b는 여기에 설명된 광학 구조의 다른 실시예.
도면들에서, 동일한, 동일한 형태의 또는 동일한 작용의 소자들은 동일한 도면 부호로 표시된다.
도 1a에 도시된, 방사선 방출 반도체 칩(1)의 제 1 실시예는 반도체 재료로 이루어진 다수의 층들을 포함하는 반도체 바디(2)를 포함한다. 반도체 재료는 비소 질화물 또는 비소를 기반으로 하는 화합물 반도체일 수 있고, 이는 여기서 적어도 하나의 층이 AlnGamInl -n- mN 또는 AlnGamInl -n- mAs를 포함하는 것을 의미하고, 여기서 0 ≤ n ≤1, 0 ≤ m ≤1 및 n+m ≤ 1 이다. 특히, 반도체 칩(1)은 박막 반도체 칩이다. 즉, 반도체 바디(2)의 제조를 위해 사용되는 성장 기판이 분리되거나 또는 적어도 많이 얇아진다.
방사선 발생을 위해 반도체 바디(2)는 액티브 구역(3)을 포함한다. 액티브 구역(3)은 pn 접합을 포함하며, 상기 pn 접합은 가장 간단한 경우 서로 직접 인접한, p-도전형 반도체 층 및 n-도전형 반도체 층으로 형성된다. 바람직하게는 p-도전형 반도체 층과 n-도전형 반도체 층 사이에 실제 방사선 발생 층이 예컨대 도핑된 또는 도핑되지 않은 양자 층의 형태로 형성된다. 양자 층은 단일 양자 우물 구조(SQW, Single Quantum Well) 또는 다중 양자 우물 구조(MQW, Multiple Quantum Well)로서 또는 양자 선 또는 양자 점 구조로서 형성될 수 있다. 액티브 구역(3)은 제 1 편광의 제 1 방사선 성분(S1) 및 제 2 편광의 제 2 방사선 성분(S2)을 가진, 편광되지 않은 방사선을 방출한다.
반도체 칩(1)에 의해 방출 면(6)을 통해 방출된 방사선(S)에서 하나의 방사선 성분(S1, S2)을 다른 방사선 성분(S2, S1)에 비해 증가시키기 위해, 반도체 칩(1)은 격자 구조(4)를 포함한다. 이 실시예에서, 격자 구조(4)는 지연 플레이트로서 작용한다. 이 경우, 제 1 방사선 성분(S1)에 대해 지연 플레이트로서 작용하는 격자 구조(4)를 통한 투과시 제 2 방사선 성분(S2)에 대한 것과는 다른 위상 이동이 달성될 수 있다.
격자 구조(4)는 액티브 구역(3)과 반사 후면(7) 사이에 배치된다. 반사 후면(7)의 방향으로 방출되는 방사선 성분은 방출 면(6)에 도달하기 전에 격자 구조(4)를 2번 통과한다.
액티브 구역과 반사 후면(7) 사이의 간격(d)은, 간격(d)과 격자 구조(4)에 의해 야기되는 전체 위상 이동이 하나의 방사선 성분(S1, S2)에서 보강 간섭을 일으키며 다른 방사선 성분(S2, S1)에서는 상쇄 간섭을 일으키므로, 하나의 방사선 성분(S1, S2)은 증강되고 다른 방사선 성분(S2, S1)은 약화되도록, 설정된다. 특히, 격자 구조(4)는 제 1 방사선 성분(S1)에서 Π의 위상 이동을 일으키는 λ/4 플레이트이다. 바람직하게, 간격(d)은 제 1 방사선 성분(S1)이 증강되고 제 2 방사선 성분(S2)이 약화되도록 설정된다. 또한, 제 1 방사선 성분(S1)은 특히 수직으로 편광되고, 수직 방향의, 즉 방출 면(6)에 대해 수직인 메인 방사선 방향을 갖는다. 이에 반해, 제 2 방사선 성분(S2)은 특히 평행하게 편광되고, 수평 방향의, 즉 방출 면(6)에 대해 평행한 메인 방사선 방향을 갖는다. 따라서, 반도체 칩(1)에 의해 방출된 방사선(S)은 실질적으로 수직으로 편광된다.
반도체 칩(1) 내에 남은 약화된 방사선 성분(S2, S1)의 적어도 일부의 편광을 증강된 방사선 성분(S1, S2)의 편광으로 바꾸기 위해, 반도체 칩(1)은 광학 구조(5)를 포함한다. 도 1a에 도시된 실시예에서, 광학 구조(5)는 임의로 거칠어진 구조이다. 광학 구조(5)는 예컨대 반도체 바디(2)의 반도체 층의 에칭에 의해 제조될 수 있다. 이러한 광학 구조(5)는 설명된 바와 같이 반도체 칩(1)의 내부에 또는 반도체 칩(1)의 표면 상에 배치될 수 있다.
도 1b, 도 2a 및 도 2b와 관련해서, 도 1a에 도시된 격자 구조(4)의 특성이 상세히 설명된다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 격자 구조(4)는 다수의 교대로 배치된 제 1 격자 영역(4a) 및 제 2 격자 영역(4b)을 포함한다. 제 1 격자 영역들(4a)은 제 2 격자 영역들(4b)과는 다른 재료로 형성되고, 다른 굴절률을 갖는다. 2개의 격자 영역들(4a, 4b)은 방사선 투과 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 특히 제 1 격자 영역들(4a)은 반도체 바디(2)의 반도체 재료, 예컨대 GaN 또는 GaAs로 형성된다. 제 2 격자 영역들(4b)은 제 1 격자 영역들(4b) 사이의 사이 공간들이고, 가스, 예컨대 공기로 채워질 수 있거나 또는 SiO2 또는 TCO와 같은 방사선 투과성 산화물을 포함할 수 있다.
도시된 실시예에서, 제 1 격자 영역들(4a)은 스트립 형태로 형성된다. 2개의 연속하는 제 1 격자 영역들(4a) 사이의 간격(a)은 액티브 구역(3)에 의해 방출된 방사선의 파장보다 짧다. 마찬가지로 제 1 격자 영역(4a)의 폭(b)은 액티브 구역(3)에 의해 방출된 방사선의 파장보다 짧다. 바람직하게는 상응하는 것이 제 2 격자 영역들(4b)에도 적용된다. 작은 간격(a)에 의해 격자 구조(4)가 그 회절 특성을 잃고, 균일한 굴절률을 가진 균일한 매체와 같이 작용한다.
도시된 격자 구조(4)의 특성은 격자 영역들(4a, 4b)에 대해 평행하게 편광된 방사선이 격자 영역들(4a, 4b)에 대해 수직으로 편광된 방사선과는 다른 유효 굴절률을 갖는 것이다. 격자 구조(4)는 2중 굴절 특성을 갖는다.
도 2a의 다이어그램에서, 곡선 1에서 계산된, 가능한 격자 구조의 유효 굴절률(ne)에 대한 값들은 격자 영역들에 대해 평행한 방향에 그리고 곡선 2에서 계산된, 격자 구조의 유효 굴절률(ne)에 대한 값들은 격자 영역들에 대해 수직인 방향에 도시된다. 곡선(3)은 2개의 곡선 1 및 2의 차이를 나타낸다. 유효 굴절률(ne)에 대한 값들은 제 1 격자 영역의 폭 b 대 2개의 연속하는 제 1 격자 영역들 사이의 간격 a의 비율을 나타내는 크기 C에 따라 나타난다. 폭 b와 간격 a가 동일한 크기이면(C = 0), 격자 구조는 단일 재료로 형성된, 구조화되지 않은 균일한 매체로 이어진다. 도 2a의 실시예에서 제 1 격자 영역은 3.5의 굴절률을 가진 GaAs 로 형성된다. 제 2 격자 영역들은 공기로 채워진 사이 공간들이다. C = 0에 대해, 유효 굴절률(ne)은 제 1 격자 영역들의 굴절률, 즉 GaAs의 굴절률에 상응한다.
C = 1에 대해 유효 굴절률(ne)은 제 2 격자 영역의 굴절률, 즉 공기의 굴절률에 상응한다. C = 0.33에서, 격자 영역들에 대해 평행한 유효 굴절률(ne)과 수직인 유효 굴절률(ne) 사이의 최대 차이가 나타난다. 유효 굴절률들(ne)에 대한 2개의 값(nopt)은 격자 구조에 적합한 두께의 계산에 기초가 된다.
도 2b의 다이어그램은 크기 C에 따른 격자 구조의 두께 h에 대한 계산된 값을 나타낸다. 1000 nm의 파장을 가진 수직으로 편광된 방사선에 대해 Π의 소정 위상 이동을 위해, C = 0.33 일 때 두께 h
Figure pct00001
0.2 ㎛의 두께가 주어진다.
도 3a에는, 방사선 방출 반도체 칩(1)의 제 2 실시예가 도시되며, 상기 제 2 실시예는 제 1 실시예에 상응하는 소자들을 포함한다. 제 1 실시예와는 달리, 격자 구조(4)는 편광 필터로서 작용한다. 이 경우, 하나의 방사선 성분(S1, S2)은 격자 구조(4)에서 투과되고, 다른 방사선 성분(S2, S1)은 반사된다.
제 2 실시예에 따라, 격자 구조(4)는 제 1 격자 영역들(4a)을 포함하고, 상기 격자 영역들은 금속을 포함하거나 또는 금속으로 이루어진다. 특히, 제 1 격자 영역들(4a)은 금으로 형성될 수 있다. 제 2 격자 영역들(4b)은 제 1 격자 영역들(4a) 사이의 사이 공간이며, 가스, 특히 공기로 채워진다. 제 1 격자 영역들(4a)은 스트립 형태로 형성된다. 스트립 형태의 제 1 격자 영역들(4a)에 의해, 평행하게 편광된 방사선 성분(S2)은 반사되는 한편, 수직으로 편광된 방사선 성분(S1)은 투과된다.
1000 nm의 파장에서 제 1 격자 영역들(4a) 사이의 간격은 바람직하게 200 nm 이다. 제 1 격자 영역들(4a)의 바람직한 폭은 이 경우 60 nm이다.
격자 구조(4)는 반도체 바디(2)의 방출 측 표면(10) 상에 제공된다. 격자 구조(4)에 마주 놓인 액티브 구역(3)의 면 상에 광학 구조(5)가 배치된다. 대안으로서, 광학 구조(5)는 반도체 바디(2)의 방출 측 표면(10)과 격자 구조(4) 사이에 배치될 수 있다.
제 2 실시예에서, 광학 구조(5)는 지연 플레이트의 형태로 형성되고, 상기 지연 플레이트는 상이한 굴절률을 가진, 교대로 배치된 구조화된 영역들을 가진 2중 굴절 매체에 상응한다(도시되지 않음). 구조화된 영역들은 특히 스트립 형태로 형성된다. 구조화된 영역들은 또한 격자 구조(4)가 연장되는 평면에 대해 평행하게 배치된 평면에 연장되는 것이 바람직하다. 구조화된 영역들은 격자 구조(4a)에 대해 횡으로 연장하고 상기 격자 구조와 0°보다 크고 90°보다 작은, 바람직하게는 45°의 각을 형성한다. 이로 인해, 격자 구조(4)에서 반사된 평행하게 편광된 방사선 성분(S2)의 편광은 특히 90°만큼 회전될 수 있다. 회전된 편광을 가진 방사선 성분은 수직으로 편광되어, 반도체 칩(1)으로부터 방출될 수 있다.
방출 측 표면(10) 상에 배치된 제 2 실시예의 격자 구조(4)는 동시에 콘택 구조로서 사용된다. 반도체 칩의 평면도인 도 3b에 나타나는 바와 같이, 격자 구조(4)는 콘택 패드(8) 및 콘택 암들(9)을 포함하고, 이들은 제 1 격자 영역들(4a)을 서로 접속한다. 콘택 암들(9)에 의해 제 1 격자 영역들(4a)에 전류가 공급될 수 있고, 제 1 격자 영역들(4a)이 전류를 전체 방출 측 표면에 걸쳐 분배할 수 있다.
도 4는 방사선 방출 반도체 칩(1)의 제 3 실시예를 도시한다. 이 경우, 반사 후면(7)은 광학 구조(5)를 포함한다. 광학 구조(5)는 스파이크 형태의 구조화된 영역들(5a)을 포함하고, 상기 영역들은 격자 구조(4)에서 반사되는 제 2 방사선 성분(S2)의 편광을 적어도 부분적으로 제 1 방사선 성분(S1)의 편광으로 변환함으로써 반도체 칩(1)으로부터의 방출이 가능하게 하기에 적합하다. 광학 구조(5)의 제조를 위해, 반도체 바디(2)의 후면 표면이 구조화될 수 있고 반사 코팅을 포함할 수 있다.
도 5a에는 광학 구조(5)의 다른 실시예가 반도체 칩(1)의 평면도로 도시된다. 구조화된 영역들(5a)은 특히 길게 연장된 트렌치 형태의 홈들이고, 상기 홈들은 서로 평행하게 연장한다. 바람직하게는 상기 홈들이 반도체 바디(2)의 후면 표면 내에 에칭된다(도 5b 참고). 구조화된 영역들(5a)은 격자 구조가 연장된 평면에 대해 평행하게 배치된 평면에 연장된다. 구조화된 영역들(5a)은 격자 영역들(4a)에 대해 횡으로 연장하고, 상기 격자 영역들과 0°보다 크고 90°보다 작은, 바람직하게는 45°의 각 α을 형성한다. 구조화된 영역들(5a)은 이 실시예에서 경사진 측면들(11)을 포함하고, 상기 측면들(11)은 격자 구조(4)가 연장되는 평면에 대해 경사지게 연장한다.
도 6 및 도 7은 광학 구조(5)의 다른 실시예들을 반도체 칩의 평면도로 도시한다. 이 경우, 광학 구조(5)는 다수의 평행하게 연장하는 제 1 배향의 구조화된 영역들(5a), 및 다수의 평행하게 연장하는 제 2 배향의 구조화된 영역들(5a)을 포함한다. 제 1 배향의 구조화된 영역들은 제 2 배향의 구조화된 영역(5a)에 대해 횡으로, 특히 수직으로 연장한다. 제 1 격자 영역들(4a)은 제 1 배향의 구조화된 영역들(5a)과 그리고 제 2 배향의 구조화된 영역들(5a)과 0°보다 크고 90°보다 작은, 바람직하게는 45°의 각 α을 형성한다. 구조화된 영역들(5a)은 특히 길게 연장된 트렌치 형태의 홈들로서 형성된다. 도 6의 실시예에서, 홈들은 중단을 갖는다. 제 1 배향의 홈들의 중단을 통해 제 2 배향의 홈들이 연장된다. 도 7의 실시예에서 홈들은 관통되므로, 제 1 배향의 홈들과 제 2 배향의 홈들이 교차한다.
도 8a는 광학 구조(5)의 다른 실시예들을 반도체 칩의 평면도로 도시한다. 도 8b에는 측면도가 도시된다. 광학 구조(5)는 프리즘으로서 형성된 구조화된 영역들(5a)을 포함한다. 예컨대, 프리즘들은 반도체 바디 내에 에칭될 수 있다.
프리즘들은 서로 평행하게 배치된다. 또한, 프리즘들은 격자 구조(도시되지 않음)의 격자 영역들에 대해 횡으로 연장하고, 상기 격자 영역들과 0°보다 크고 90°보다 작은, 바람직하게는 45°의 각 α을 형성한다(도 8a 참고). 프리즘들은 경사진 측면들(11)을 포함한다(도 2b 참고). 이들은 격자 구조들이 연장되는 평면에 대해 경사지게, 0°보다 크고 90°보다 작은, 바람직하게는 45°의 각 β으로 연장한다. 바람직하게는 부딪히는 방사선 성분(S2)의 편광이 2개의 인접한 구조화된 영역들(5a)의 마주 놓인 2개의 측면(11)에서의 반사에 의해 회전될 수 있다. 특히, 평행하게 편광된 방사선은 광학 구조(5)에 의해 수직으로 편광된 방사선으로 변환된다.
광학 구조의 설명된 실시예들은 격자 구조의 상이한 실시예들과 각각 조합될 수 있다. 또한, 본 발명은 실시예를 참고로 하는 설명에 의해 제한되지 않는다. 오히려, 본 발명은 모든 새로운 특징들 또는 특징들의 모든 조합이 청구범위 또는 실시예들에 명시되어 있지 않더라도 모든 새로운 특징들 및 특징들의 모든 조합, 특히 청구범위에 포함된 특징들의 모든 조합을 포함한다.

Claims (15)

  1. 방사선 방출 반도체 칩(1)으로서,
    - 제 1 편광의 제 1 방사선 성분(S1)과 제 2 편광의 제 2 방사선 성분(S2)을 가진 편광되지 않은 방사선을 방출하는 액티브 구역(3)을 구비한 반도체 바디(2),
    - 지연 플레이트 또는 편광 필터로서 작용하며, 상기 반도체 칩(1)에 의해 방출 면(6)을 통해 방출되는 방사선(S)에서 하나의 방사선 성분(S1, S2)을 다른 방사선 성분(S2, S1)에 비해 증가시킴으로써 상기 반도체 칩(1)은 증강된 방사선 성분(S1, S2)의 편광을 가진, 편광된 방사선(S)을 방출하고, 약화된 방사선 성분(S2, S1)은 상기 반도체 칩(1)에 남아 있게 하는 격자 구조(4),
    - 상기 반도체 칩(1) 내에 남아있는 상기 약화된 방사선 성분(S1, S2)의 적어도 일부의 편광을 상기 증강된 방사선 성분(S1, S2)의 편광으로 변환시키는 광학 구조(5),
    - 상기 방출 면(6)에 마주 놓인 반사 후면(7)을 포함하는, 방사선 방출 반도체 칩.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 격자 구조(4)는 제 1 재료의 다수의 교대로 배치된 제 1 격자 영역들(4a) 및 제 2 재료의 제 2 격자 영역들(4b)을 포함하고, 동일한 재료의 격자 영역들(4)은 서로 상기 액티브 구역(3)에 의해 생성된 방사선의 파장보다 짧은 간격(a)을 갖는, 방사선 방출 반도체 칩.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 격자 영역들(4a, 4b)은 스트립 형태로 형성되고, 서로 평행하게 배치되는, 방사선 방출 반도체 칩.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 지연 플레이트로서 작용하는 상기 격자 구조(4)의 상기 제 1 또는 제 2 격자 영역들(4a, 4b)은 상기 액티브 구역(3)에서 생성된 방사선에 대해 투과성인 재료, 특히 SiO2, GaAs, AlGaAs, InGaAlP 또는 GaN으로 형성되는, 방사선 방출 반도체 칩.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 방사선 성분(S1)이 지연 플레이트로서 작용하는 상기 격자 구조(4)를 통한 투과시 상기 제 2 방사선 성분(S2)과는 다른 위상 이동을 겪는, 방사선 방출 반도체 칩.
  6. 제 5 항에 있어서, 지연 플레이트로서 작용하는 상기 격자 구조(4)는 상기 액티브 구역(3)과 상기 반도체 칩(1)의 반사 후면(7) 사이에 배치되고, 상기 액티브 구역(3)과 상기 반사 후면(7) 사이의 간격(d)은, 동일한 편광의 방사선의 간섭에 의해 상기 하나의 방사선 성분(S1, S2)이 증강되며 상기 다른 방사선 성분(S2, S1)이 약화되도록 설정되는, 방사선 방출 반도체 칩.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 편광 필터로서 작용하는 상기 격자 구조(4)의 상기 제 1 격자 영역들(4a)은 금속을 포함하거나 또는 금속으로 이루어지는, 방사선 방출 반도체 칩.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 하나의 방사선 성분(S1, S2)은 편광 필터로서 작용하는 상기 격자 구조(4)에서 투과되고, 상기 다른 방사선 성분(S2, S1)은 반사되는, 방사선 방출 반도체 칩.
  9. 제 7항 또는 제 8 항에 있어서, 편광 필터로서 작용하는 상기 격자 구조(4)는 상기 반도체 바디(2)의 방출 측 표면(10) 상에 배치되는, 방사선 방출 반도체 칩.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 격자 구조(4)는 전류 확대를 위해 사용되는 콘택 구조인, 방사선 방출 반도체 칩.
  11. 제 2 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 구조(5)는 상기 격자 구조(4)가 연장되는 평면에 대해 평행하게 배치된 평면 내에 연장되는 구조화된 영역들(5a)을 포함하고, 상기 구조화된 영역들(4a)은 상기 격자 영역들(5a)에 대해 횡으로 연장하며 상기 격자 영역들과 0°보다 크고 90°보다 작은, 바람직하게는 45°의 각(α)을 형성하는, 방사선 방출 반도체 칩.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 구조화된 영역들(5a)은 적어도 부분적으로 서로 평행하게 배치되는, 방사선 방출 반도체 칩.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 구조(5)는 경사진 측면들(11)을 가진 구조화된 영역들(5a)을 포함하고, 상기 측면들은 상기 격자 구조(4)가 연장되는 평면에 대해 경사지게 0°보다 크고 90°보다 작은, 바람직하게는 45°의 각(β)으로 연장하는, 방사선 방출 반도체 칩.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 구조화된 영역들(5a)은 프리즘 또는 피라미드로서 형성되는, 방사선 방출 반도체 칩.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사 후면(7)은 상기 광학 구조(5)를 포함하는, 방사선 방출 반도체 칩.
KR1020137029556A 2011-04-15 2012-04-16 편광된 복사선을 방출하는 반도체 칩 KR101946661B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011017196A DE102011017196A1 (de) 2011-04-15 2011-04-15 Polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip
DE102011017196.7 2011-04-15
PCT/EP2012/056910 WO2012140257A1 (de) 2011-04-15 2012-04-16 Polarisierte strahlung emittierender halbleiterchip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140024370A true KR20140024370A (ko) 2014-02-28
KR101946661B1 KR101946661B1 (ko) 2019-02-11

Family

ID=46017824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137029556A KR101946661B1 (ko) 2011-04-15 2012-04-16 편광된 복사선을 방출하는 반도체 칩

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9312441B2 (ko)
JP (1) JP2014512105A (ko)
KR (1) KR101946661B1 (ko)
CN (2) CN103733364B (ko)
DE (1) DE102011017196A1 (ko)
WO (1) WO2012140257A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011017196A1 (de) * 2011-04-15 2012-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip
TWI542049B (zh) * 2012-12-21 2016-07-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光晶片組合
US11287563B2 (en) 2016-12-01 2022-03-29 Ostendo Technologies, Inc. Polarized light emission from micro-pixel displays and methods of fabrication thereof

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06258600A (ja) 1993-03-09 1994-09-16 Sharp Corp 偏光光源装置及び画像表示装置
DE10245628A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
JP2005326575A (ja) 2004-05-13 2005-11-24 Ricoh Co Ltd 偏光回転素子、偏光変換素子、照明装置及び画像表示装置
US20080128727A1 (en) * 2004-09-10 2008-06-05 Luminus Devices, Inc. Light recycling systems and methods
US20070285000A1 (en) * 2004-09-10 2007-12-13 Luminus Devices, Inc. Polarization recycling illumination assembly and methods
JP4833537B2 (ja) 2004-10-07 2011-12-07 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体発光素子
US20060091412A1 (en) 2004-10-29 2006-05-04 Wheatley John A Polarized LED
JP2007109689A (ja) 2005-10-11 2007-04-26 Seiko Epson Corp 発光素子、発光素子の製造方法及び画像表示装置
US20080029336A1 (en) 2006-06-10 2008-02-07 Patrick Sigler Acoustic panel
EP1887634A3 (de) * 2006-08-11 2011-09-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
KR100809236B1 (ko) * 2006-08-30 2008-03-05 삼성전기주식회사 편광 발광 다이오드
KR100863210B1 (ko) * 2007-05-22 2008-10-13 고려대학교 산학협력단 편광 발광다이오드
DE102007062041B4 (de) 2007-09-28 2021-10-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip
EP2206166B1 (en) 2007-10-25 2019-04-17 Lumileds Holding B.V. Polarized light emitting device
JP2009117641A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
DE102007060202A1 (de) 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polarisierte Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement
US8125579B2 (en) * 2007-12-19 2012-02-28 Texas Instruments Incorporated Polarized light emitting diode and use thereof
JP2010015126A (ja) 2008-06-03 2010-01-21 Fujinon Corp 偏光変換素子及び偏光照明光学素子並びに液晶プロジェクタ
DE102008035110A1 (de) 2008-07-28 2010-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR101471859B1 (ko) 2008-11-27 2014-12-11 삼성전자주식회사 발광 다이오드
TWI412160B (zh) * 2009-04-27 2013-10-11 Innolux Corp 發光二極體、背光模組及液晶顯示裝置
KR101667815B1 (ko) * 2010-02-18 2016-10-19 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101713913B1 (ko) * 2010-07-13 2017-03-10 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법과, 그를 포함하는 액정표시장치
US8217488B2 (en) * 2010-07-19 2012-07-10 Walsin Lihwa Corporation GaN light emitting diode and method for increasing light extraction on GaN light emitting diode via sapphire shaping
JP2012186195A (ja) * 2011-03-03 2012-09-27 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
DE102011017196A1 (de) * 2011-04-15 2012-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip
KR101767101B1 (ko) * 2011-05-23 2017-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20130299844A1 (en) * 2012-05-08 2013-11-14 Case Western Reserve University Enhanced light extraction efficiency for light emitting diodes

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012140257A1 (de) 2012-10-18
CN103733364A (zh) 2014-04-16
CN103733364B (zh) 2016-08-03
US20140131754A1 (en) 2014-05-15
US9837589B2 (en) 2017-12-05
CN106098916A (zh) 2016-11-09
JP2014512105A (ja) 2014-05-19
CN106098916B (zh) 2018-11-02
KR101946661B1 (ko) 2019-02-11
US20160172555A1 (en) 2016-06-16
DE102011017196A1 (de) 2012-10-18
US9312441B2 (en) 2016-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7012279B2 (en) Photonic crystal light emitting device
US9202977B2 (en) Light emitting diode
JP4713190B2 (ja) 面内発光層を含む半導体発光素子
US7361518B2 (en) Semiconductor element, semiconductor device, and method for fabrication thereof
KR100862516B1 (ko) 발광 다이오드
US9130100B2 (en) Light emitting diode with three-dimensional nano-structures
JP2012216753A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
KR101260343B1 (ko) 2광속 간섭 노광장치, 2광속 간섭 노광방법, 반도체발광소자의 제조방법, 및 반도체 발광소자
JP2005158788A (ja) 半導体発光素子
US9837589B2 (en) Semiconductor chip that emits polarized radiation
US20130140594A1 (en) Light emitting diode
JP2010541215A5 (ko)
JP2011091251A (ja) 窒化物半導体発光素子
JP7411853B2 (ja) 放射放出半導体チップを製造するための方法、および放射放出半導体チップ
JP5167076B2 (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP4884471B2 (ja) インジェクションエミッタ
WO2021039479A1 (ja) 半導体レーザ装置
US9093603B2 (en) LED array
KR101106340B1 (ko) Ｌｅｄ 소자의 구조 및 제조방법
JP2000133839A (ja) 量子波干渉層を有する発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant