KR101767101B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖되, 상기 제2 주면에는 요철이 형성된 투광성 기판과, 상기 제1 주면 측에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광부와, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극 및 상기 제2 주면 측에 배치된 반사금속층과, 상기 투광성 기판 및 상기 반사금속층 사이에 배치된 투광성 유전체층을 포함하는 배면 반사부를 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의할 경우, 성장 기판의 배면 측에 광 반사 성능 및 방열 성능 등이 우수한 반사기 구조를 갖는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법 {Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same}
본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자의 일 종인 발광 다이오드(LED)는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 반도체 발광소자는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 3족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
이러한 질화물 반도체 발광소자가 개발된 후에, 많은 기술적 발전을 이루어져 그 활용 범위가 확대되어 일반 조명 및 전장용 광원으로 많은 연구가 되고 있다. 특히, 종래에는 질화물 발광소자는 주로 저전류/저출력의 모바일 제품에 적용되는 부품으로 사용되었으며, 최근에는 점차 그 활용범위가 고전류/고출력 분야로 확대되고 있다.
한편, 발광 다이오드를 구성하는 반도체층은 외부대기 또는 봉합물질이나 기판에 비해 큰 굴절률을 가지므로, 빛의 방출가능한 입사각범위를 결정하는 임계각이 작아지고, 그 결과, 활성층으로부터 발생된 광의 상당부분은 내부 전반사되어 실질적으로 원하지 않는 방향으로 전파되거나 전반사과정에서 손실되어 광추출효율이 낮을 수 밖에 없다. 이와 관련하여, 원하는 방향으로 진행하는 빛의 양을 증가시킴으로써 실질적인 휘도를 개선하는 방안이 요구된다.
본 발명의 목적 중 하나는 성장 기판의 배면 측에 광 반사 성능 및 방열 성능 등이 우수한 반사기 구조를 갖는 반도체 발광소자를 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 구조를 갖는 반도체 발광소자를 효과적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것에 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면은,
서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖되, 상기 제2 주면에는 요철이 형성된 투광성 기판과, 상기 제1 주면 측에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광부와, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극 및 상기 제2 주면 측에 배치된 반사금속층과, 상기 투광성 기판 및 상기 반사금속층 사이에 배치된 투광성 유전체층을 포함하는 배면 반사부를 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투광성 유전체층은 서로 다른 굴절률을 가지며 교대로 적층된 복수의 유전체층을 포함할 수 있으며, 이 경우, 상기 복수의 유전체층은 DBR 구조를 이룰 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투광성 유전체층과 상기 반사금속층은 ODR 구조를 이룰 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투광성 기판은 상기 제1 주면에 형성된 요철을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 반사금속층은 Al, Ag, Ni, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt 및 Au으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투광성 유전체층 및 상기 반사금속층의 표면은 상기 투광성 기판에 형성된 요철의 굴곡을 따라 형성되어 평탄하지 않은 형상으로 형성되며, 상기 반사금속층의 평탄하지 않은 표면을 메우는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 평탄화층은 SOG로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투광성 유전체층은 상기 투광성 기판보다 열 전도도가 높은 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면은,
실장 기판과, 상기 실장 기판 상에 배치되며, 전기 신호 인가시 빛을 방출하는 반도체 발광소자 및 상기 실장 기판과 상기 반도체 발광소자 사이에 개재된 접착층을 포함하며, 상기 반도체 발광소자는, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖되, 상기 제2 주면에는 요철이 형성된 투광성 기판과, 상기 제1 주면 측에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광부와, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극 및 상기 제2 주면 측에 배치된 반사금속층과 상기 투광성 기판 및 상기 반사금속층 사이에 배치된 투광성 유전체층을 포함하는 배면 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 실장 기판은 회로 기판일 수 있으며, 이와 달리, 상기 실장 기판은 리드 프레임일 수도 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 접착층은 공융 합금 및 폴리머 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 측면은,
서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 투광성 기판을 마련하여 상기 제1 주면 상에 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광부를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계와, 상기 투광성 기판의 제2 주면에 요철을 형성하는 단계 및 요철이 형성된 상기 기판의 제2 주면 측에 배치된 반사금속층과, 상기 투광성 기판 및 상기 반사금속층 사이에 배치된 투광성 유전체층을 포함하는 배면 반사부를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투광성 기판의 제2 주면에 요철을 형성하는 단계 전에, 상기 발광부의 상부에 상기 발광부와 지지하는 임시 기판을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 배면 반사부를 형성하는 단계 후에, 상기 임시 기판을 상기 발광부로부터 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투광성 유전체층은 서로 다른 굴절률을 가지며 교대로 적층된 복수의 유전체층을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 복수의 유전체층은 DBR 구조를 이룰 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 투광성 유전체층과 상기 반사금속층은 ODR 구조를 이룰 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광부를 형성하기 전에, 상기 투광성 기판의 상기 제1 주면에 요철을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의할 경우, 성장 기판의 배면 측에 광 반사 성능 및 방열 성능 등이 우수한 반사기 구조를 갖는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
또한, 상기와 같은 구조를 갖는 반도체 발광소자를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3은 각각 도 1의 실시 형태에서 변형된 형태의 배면 반사부의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 DBR 반사 구조의 입사각에 따른 반사율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명에서 채용 가능한 DBR + 반사금속막 구조의 입사각에 따른 반사율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은 도 1의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7 내지 11은 본 발명의 반도체 발광소자를 제조하는 일 예를 나타내는 공정별 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 측면에 따른 발광장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2 및 도 3은 각각 도 1의 실시 형태에서 변형된 형태의 배면 반사부의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 우선, 도 1을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(100)는 서로 대향하는 제1 및 제2 주면(S1, S2)을 갖는 투광성 기판(101)을 포함하며, 투광성 기판(101)의 제1 주면(S1) 측, 즉, 도 1을 기준으로 제1 주면(S1)의 상부에는 제1 도전형 반도체층(102), 활성층(103), 제2 도전형 반도체층(104) 및 오믹전극층(105)을 포함하는 발광부가 형성된다. 또한, 제1 도전형 반도체층(102) 및 오믹전극층(105)의 상면에는 각각 제1 및 제2 전극(106a, 106b)이 형성된다.
투광성 기판(101)의 제2 주면(S2) 측, 즉, 도 1을 기준으로 제2 주면(S2)의 하부에는 활성층(103)에서 방출되어 투광성 기판(101)을 통과한 빛을 상부로 유도하기 위한 구조로서 배면 반사부(R)가 구비되며, 배면 반사부(R)는 투광성 유전체층(107)과 반사금속층(108)을 포함한다. 이 경우, 도 1에서 볼 수 있듯이, 투광성 유전체층(107)은 투광성 기판(101)과 반사금속층(108) 사이에 배치된다. 다만, 본 명세서에서, '상부', '상면', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.
투광성 기판(101)은 반도체 성장용 기판으로 제공되며, 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN 등과 같이 절연성, 도전성, 반도체 물질을 이용할 수 있으며, 활성층(103)에서 방출된 빛의 적어도 일부가 투과될 수 있는 특성을 갖는다. 이 경우, 가장 바람직하게 사용될 수 있는 것은 전기 절연성을 갖는 사파이어로서, 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104)은 각각 n형 및 p형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 반대로 각각 p형 및 n형 반도체층이 될 수도 있을 것이다. 또한, 제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104)은 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 다만, 이 외에도 AlGaInP계열 반도체나 AlGaAs계열 반도체와 같은 물질도 이용될 수 있을 것이다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104) 사이에 배치된 활성층(103)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, 질화물 반도체일 경우, GaN/InGaN 구조가 사용될 수 있다. 한편, 발광구조물을 구성하는 제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104)과 활성층(103)은 유기 금속 화학 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 수소화 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy, 'HVPE'), 분자선 에피탁시(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 등과 같이 당 기술 분야에서 공지된 공정을 이용하여 성장될 수 있다.
오믹전극층(105)은 제2 도전형 반도체층(104)과 전기적으로 오믹 특성을 보이는 물질로 이루어질 수 있으며, 투명 전극용 물질 중 광 투과율이 높으면서도 오믹컨택 성능이 상대적으로 우수한 ITO, CIO, ZnO 등과 같은 투명 전도성 산화물로 형성될 수 있다. 다만, 오믹전극층(105)은 본 실시 형태에서 반드시 필요한 요소는 아니며, 경우에 따라서는 제외될 수도 있을 것이다.
제1 및 제2 전극(106a, 106b)은 당 기술 분야에서 공지된 전기전도성 물질, 예컨대, Ag, Al, Ni, Cr 등의 물질 중 하나 이상을 증착하거나 스퍼터링하는 등의 공정으로 형성될 수 있다. 다만, 도 1에 도시된 구조의 경우, 제1 도전형 반도체층(102) 및 오믹전극층(105)의 상면에는 각각 제1 및 제2 전극(106a, 106b)이 형성되어 있으나 이러한 전극(106a, 106b) 형성 방식은 일 예일 뿐이며, 제1 도전형 반도체층(102), 활성층(103) 및 제2 도전형 반도체층(104)을 구비하는 발광구조물의 다양한 위치에 전극이 형성될 수 있을 것이다.
본 실시 형태의 경우, 투광성 유전체층(107)과 반사금속층(108)을 구비하는 배면 반사부(R)를 투광성 기판(101)의 제2 주면(S2) 측에 형성함으로써 투광성 기판(101)으로 향하는 빛을 원하는 방향(발광부가 배치된 방향)으로 진행 경로를 변경할 수 있다. 투광성 유전체층(107)은 소정의 굴절률을 갖는 물질로서, Si, Zr, Ta, Ti, In, Sn, Mg 및 Al로 구성된 그룹으로부터 선택된 원소를 포함한 산화물 또는 질화물로 이루어질 수 있다. 반사금속층(108)은 고반사 성능을 갖도록 Al, Ag, Ni, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등을 포함하는 물질, 예컨대, Al 또는 Ag의 합금 등의 물질로 이루어질 수 있으며, 투광성 유전체층(107)과 결합되어 반사 성능이 더욱 향상될 수 있다. 구체인 예로서, 활성층(103)에서 방출된 빛의 파장의 λ/4n를 만족하는 두께로 SiO2와 같은 저굴절률을 갖는 투광성 유전체층(107)과 Al 또는 Ag와 같은 고반사율을 갖는 물질로 이루어진 반사금속층(108)을 제2 주면(S2)에 적층할 경우, 단일 지향성 반사기(omni-direction reflector: ODR) 구조를 구현할 수도 있다.
또한, 투광성 기판(101)의 제2 주면(S2)에는 요철이 형성되는데, 이러한 제2 주면(S2)의 요철에 의하여 투광성 유전체층(107)과 투광성 기판(101)의 접촉 면적이 증가될 수 있으며, 투광성 기판(101)에 비하여 투광성 유전체층(107)의 열 전도도가 상대적으로 우수할 경우(예컨대, 투광성 기판은 사파이어로 이루어지며, 투광성 유전체층은 SiO2로 이루어진 경우), 발광부에서 발생된 열의 방출 성능이 향상될 수 있다. 나아가, 광학적인 측면에서, 제2 주면(S2)의 요철에 의하여 반사 가능한 영역이 많아져 배면 반사부(R)의 반사 성능이 향상될 수 있으며, 배면 반사부(R)에 의하여 반사된 빛의 경로가 다변화되어 소자(100)로부터 방출되는 빛의 지향각이 증가되는 효과도 얻을 수 있다. 제2 주면(S2)의 요철은 투광성 기판(101)과 투광성 유전체층(107)의 계면 면적을 증가시킬 수 있는 경우라면 어떠한 형상도 채용이 가능하지만, 제2 주면(S2)으로부터 외부를 향하여 돌출된 반구(도 1의 경우)나 삼각뿔 등과 같은 구조를 사용할 경우, 반사 효율 측면에서 더욱 유리할 수 있다.
한편, 상기 구조에서 변형된 구조로서, 도 2에 도시된 것과 같이, 배면 반사부(R`)에 구비된 투광성 유전체층(107`)은 서로 다른 굴절률을 가지며 교대로 적층된 복수의 유전체층을 포함하여 DBR (Distributed Bragg Reflector) 구조를 이룰 수 있다. 이러한 DBR 구조의 투광성 유전체층(107`)은 그 자체로서 90% 이상의 높은 반사율을 가질 수 있으며, 반사금속층(108)과 결합되어 ODR 구조를 이룬다면 반사 성능은 더욱 향상될 수 있다. 이를 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4는 DBR 반사 구조의 입사각에 따른 반사율 변화를 나타낸 그래프이며, 도 5는 본 발명에서 채용 가능한 DBR + 반사금속막 구조의 입사각에 따른 반사율 변화를 나타낸 그래프이다. 이 경우, 각각의 반사 구조에서 기판의 제2 주면에 형성된 요철은 제외되었다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 입사각이 작은 경우(약 50°이하)에서는 큰 차이가 없었으나, 입사각의 큰 경우에 DBR 구조만 사용한 경우에는 파장 대역에 따라 반사율이 크게 변화되어 440㎚이상인 경우에 반사율이 크게 낮아지는 경향을 나타낸 반면에(도 4), DBR + 반사금속막(본 실험에서는 Al) 구조인 경우(도 5)에는 입사각에 따른 큰 변화 없이 전체적으로 높은 반사율을 유지되는 특성을 나타낸 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, DBR 구조를 단독으로 사용하는 경우보다는 DBR 구조에 추가적으로 금속반사막을 결합한 경우에 파장대와 입사각에 따른 반사율의 변화를 감소시켜 전체적으로 우수한 반사특성을 얻을 수 있음을 확인할 수 있었다.
한편, 또 다른 변형된 구조로서, 도 3에 도시된 것과 같이, 투광성 유전체층(107) 및 반사금속층(108)의 표면이 투광성 기판(101)에 형성된 요철의 굴곡을 따라 형성되어 평탄하지 않은 경우에는 실장 기판에 소자(100)를 실장 시 접착 영역에 공공(void) 등이 발생하여 접착력이 저하될 수 있다. 이러한 문제를 해소하기 위하여, 반사금속층(108)의 평탄하지 않은 표면을 메우는 평탄화층(109)이 더 포함될 수 있다. 평탄화층(109)은 유동성을 갖는 글라스나 폴리머 등을 반사금속층(108)의 표면에 적용한 후 경화하는 방법 등으로 형성될 수 있으며, 실장 기판과의 접착 성능의 우수성 등을 고려하였을 때 SOG (Spin On Glass)를 이용할 수 있다. SOG의 경우, 점성도를 갖는 용액 상태에서 평탄화를 이룰 수 있으며, 바람직하게는 SOG가 적용될 영역을 빠른 속도로 회전시키고, 그 원심력에 의해 액상 물질을 평탄하게 도포하는 과정을 거쳐 형성될 수 있다.
도 6은 도 1의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 6을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(100`)는 투광성 기판(101), 제1 도전형 반도체층(102), 활성층(103), 제2 도전형 반도체층(104), 오믹전극층(105), 제1 및 제2 전극(106a, 106b)을 포함하며, 요철이 형성된 투광성 기판(101)의 제2 주면(S2) 측에는 투광성 유전체층(107)과 반사금속층(108)을 포함하는 배면 반사부(R)가 배치된다. 앞선 실시 형태와 차이는 투광성 기판(101)의 제1 주면(S1)에도 요철이 형성된다. 제1 주면(S1)의 요철은 투광성 기판(101) 상에 성장되는 반도체층, 본 실시 형태에서는 제1 도전형 반도체층(102)의 측면 성장을 유도하여 결정성이 향상되도록 할 수 있으며, 광학적 측면에서도 제1 도전형 반도체층(102)과 투광성 기판(101)의 계면에서의 전반사 확률을 낮춤으로써 광 손실을 줄일 수 있다. 이 경우, 제1 주면(S1)의 요철은 제2 주면(S2)과 같은 형상으로 채용할 수 있으나 다른 형상이어도 무방하다 할 것이며, 반구, 삼각뿔 등의 형상을 가질 수 있다.
이하, 도 7 내지 11을 참조하여 상기와 같은 구조를 갖는 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 설명한다. 다만, 이하에서는 도 1의 발광소자를 기준으로 제조방법을 설명하고 있지만, 다른 실시 형태에 따른 구조를 제조하는 데에도 이용될 수 있음은 당업자에게 자명하다 할 것이다. 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 경우, 우선, 도 7에 도시된 것과 같이, 투광성 기판(101) 상에 MOCVD, HVPE 등과 같은 공정을 이용하여 제1 도전형 반도체층 상에 활성층(103), 제2 도전형 반도체층(104) 성장시켜 발광부를 형성하는 단계를 포함한다. 이어서, 도 8에 도시된 것과 같이, 적절한 증착 공정이나 스퍼터링 공정 등을 이용하여 제2 도전형 반도체층(104) 상에 오믹전극층(105)을 형성하고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(102, 104)과 연결되도록 제1 및 제2 전극(106a, 106b)을 형성한다. 이 경우, 제1 전극(106a)을 형성하기 위하여 발광부의 일부를 제거하여 제1 도전형 반도체층(102)을 노출시킬 수 있을 것이다.
다음으로, 도 9에 도시된 것과 같이, 발광부의 상부에 이를 지지하도록 임시 기판(111)을 형성하며, 반드시 요구되는 사항은 아니지만, 발광부에 임시 기판(111)을 접착시키기 위하여 SOG나 접착성을 갖는 폴리머, 예컨대, 글루(glue) 등으로 이루어진 접착부(110)가 개재될 수 있다. 임시 기판(111)은 발광부를 지지할 수 있는 구조물이면 어느 것이나 사용할 수 있으며, 다만, 발광부를 이루는 반도체 물질과 열 팽창 계수 차이가 크지 않은 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si, SiC, GaN 등을 들 수 있다. 접착부(110)는 예컨대, SOG로 이루어질 경우, 회전 도포 후 경화 및 소성을 거치면서 고분자화 되어 절연막의 역할을 함과 동시에 발광부와 임시 기판(111)을 견고히 연결할 수 있다. 이 경우, 접착부(110)를 충분히 두껍게 형성한 경우라면 접착부(110) 자체가 임시 기판과 같은 기능을 할 수 있으므로, 따로 임시 기판을 부착시킬 필요가 없을 수 있다.
다음으로, 도 10에 도시된 것과 같이, 임시 기판(111)이 부착된 상태에서 투광성 기판(101)의 제2 주면(S2)에 요철을 형성하며, 이러한 요철을 형성하는 방법의 일 예로서, 제2 주면(S2)에 이방성 식각 마스크를 적용한 후 투광성 기판(101)에 ICP-RIE와 같은 식각 공정을 적용하는 방법을 들 수 있다. 물론, 이러한 식각 공정 외에도 습식 식각을 적용하여 요철을 형성할 수도 있을 것이다. 이어서, 도 11에 도시된 것과 같이, 요철이 형성된 투광성 기판(101)의 제2 주면(S2)에 적절한 증착 공정을 이용하여 투광성 유전체층(107)과 반사금속층(108)을 순차적으로 형성하여 배면 반사부(R)를 형성한다. 이 경우, 앞서 설명한 바와 같이, 투광성 유전체층(107)은 DBR 구조가 될 수 있으며, 나아가, 배면 반사부(R)가 ODR 구조가 될 수 있다. 이를 위하여, 투광성 유전체층(107)은 활성층(103)에서 방출된 빛의 파장의 λ/4n를 만족하는 두께로 제공될 수 있으나, 이러한 두께 조건을 반드시 충족할 필요는 없으며, 원하는 수준의 반사 성능이 유지되는 한도에서 다소의 두께 변화는 있을 수 있다. 배면 반사부(R)를 형성한 후에는 따로 도시하지는 않았으나, 임시 기판(111)과 접착부(110)를 발광부로부터 분리하여 도 1에 도시된 구조를 얻을 수 있다.
상술한 구조를 갖는 반도체 발광소자는 실장 기판 등에 배치되어 발광장치로 이용될 수 있으며, 여기서 말하는 발광장치는 백라이트 유닛과 같은 디스플레이 장치, 실내외 조명 장치, 헤드라이트 등을 모두 포괄하는 것이라 할 것이다. 도 12는 본 발명의 다른 측면에 따른 발광장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 발광장치(200)는 실장 기판(201) 상에 반도체 발광소자가 배치되며, 상기 반도체 발광소자는 도 1에 도시된 구조를 가질 수 있다. 반도체 발광소자와 실장 기판(201) 사이에는 접착층(203)이 개재될 수 있으며, 방열 성능 등을 고려하여 접착층(203)은 공융 합금(예컨대, AuSn)이나 폴리머(예컨대, 실리콘 수지) 등으로 이루어진 물질을 이용할 수 있다. 실장 기판(201)은 PCB, MCPCB, FPCB, MPCB 등과 같은 회로 기판으로 제공될 수 있으며, 이 경우, 회로 패턴(202a, 202b)과 반도체 발광소자의 제1 및 제2 전극(106a, 106b)은 도전성 와이어(W)에 의하여 연결될 수 있다. 다만, 도전성 와이어(W) 외에도 실장 기판(201)과 발광부의 표면을 따라 형성된 도전 라인 형태의 배선 구조도 이용될 수 있을 것이다.
한편, 실장 기판(201)은 회로 기판 형태로 제공될 수도 있으나, 패키지 레벨에서 적어도 한 쌍의 리드 프레임 형태로 제공될 수 있으며, 이 경우에는 회로 패턴(202a, 202b)이 따로 구비되지 않을 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 투광성 기판 102: 제1 도전형 반도체층
103: 활성층 104: 제2 도전형 반도체층
105: 오믹전극층 106a, 106b: 제1 및 제2 전극
107: 투광성 유전체층 108: 반사금속층
R: 배면 반사부 109: 평탄화층
110: 접착부 111: 임시 기판
201: 실장 기판 202a, 202b: 회로 패턴
203: 접착층

Claims (20)

  1. 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖되, 상기 제2 주면에는 요철이 형성된 투광성 기판;
    상기 제1 주면 측에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광부;
    상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극; 및
    상기 제2 주면 측에 배치된 반사금속층과, 상기 투광성 기판 및 상기 반사금속층 사이에 배치된 투광성 유전체층을 포함하는 배면 반사부;
    를 포함하며,
    상기 투광성 유전체층과 상기 반사금속층은 ODR 구조를 이루며 상기 제2 주면 상에 배치되고,
    상기 투광성 유전체층과 상기 반사금속층의 계면은 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 유전체층은 서로 다른 굴절률을 가지며 교대로 적층된 복수의 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 유전체층은 DBR 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 유전체층 및 상기 반사금속층의 표면은 상기 투광성 기판에 형성된 요철의 굴곡을 따라 형성되어 평탄하지 않은 형상으로 형성되며,
    상기 반사금속층의 평탄하지 않은 표면을 메우는 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 유전체층은 상기 투광성 기판보다 열 전도도가 높은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 실장 기판;
    상기 실장 기판 상에 배치되며, 전기 신호 인가시 빛을 방출하는 반도체 발광소자; 및
    상기 실장 기판과 상기 반도체 발광소자 사이에 개재된 접착층;을 포함하며,
    상기 반도체 발광소자는,
    서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖되, 상기 제2 주면에는 요철이 형성된 투광성 기판과,
    상기 제1 주면 측에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광부와,
    상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극 및
    상기 제2 주면 측에 배치된 반사금속층과 상기 투광성 기판 및 상기 반사금속층 사이에 배치된 투광성 유전체층을 포함하는 배면 반사부를 포함하며,
    상기 투광성 유전체층과 상기 반사금속층은 ODR 구조를 이루며 상기 제2 주면 상에 배치되고,
    상기 투광성 유전체층과 상기 반사금속층의 계면은 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  9. 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 투광성 기판을 마련하여 상기 제1 주면 상에 제1 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광부를 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 투광성 기판의 제2 주면에 요철을 형성하는 단계; 및
    요철이 형성된 상기 기판의 제2 주면 측에 배치된 반사금속층과, 상기 투광성 기판 및 상기 반사금속층 사이에 배치된 투광성 유전체층을 포함하는 배면 반사부를 형성하는 단계;
    를 포함하며,
    상기 투광성 유전체층과 상기 반사금속층은 ODR 구조를 이루며 상기 제2 주면 상에 배치되고,
    상기 투광성 유전체층과 상기 반사금속층의 계면은 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 투광성 기판의 제2 주면에 요철을 형성하는 단계 전에, 상기 발광부의 상부에 상기 발광부를 지지하는 임시 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
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CN201210162730.2A CN102800781B (zh) 2011-05-23 2012-05-23 半导体发光装置及其制造方法
EP12169106.7A EP2528116B1 (en) 2011-05-23 2012-05-23 Semiconductor Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same
US13/478,849 US8946748B2 (en) 2011-05-23 2012-05-23 Semiconductor light emitting device including rear reflective part

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011017196A1 (de) 2011-04-15 2012-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip
TWI540768B (zh) * 2012-12-21 2016-07-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光晶片組合及其製造方法
KR20140096654A (ko) * 2013-01-28 2014-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그를 포함하는 발광소자 패키지
JP2015072751A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR101572386B1 (ko) * 2013-10-07 2015-11-26 염홍서 발광다이오드
WO2015080416A1 (ko) * 2013-11-28 2015-06-04 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드, 면광원 및 그 제조 방법
KR101539994B1 (ko) * 2013-11-28 2015-07-30 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR101582329B1 (ko) * 2014-01-21 2016-01-05 순천대학교 산학협력단 발광 다이오드 소자, 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법
KR102380825B1 (ko) * 2015-05-29 2022-04-01 삼성전자주식회사 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
FR3038451B1 (fr) 2015-06-30 2017-07-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif electroluminescent.
KR101685092B1 (ko) * 2015-11-06 2016-12-12 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP6704065B2 (ja) * 2016-04-15 2020-06-03 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 広帯域ミラー
WO2018038927A1 (en) * 2016-08-26 2018-03-01 The Penn State Research Foundation High light-extraction efficiency (lee) light-emitting diode (led)
KR102624112B1 (ko) * 2018-10-23 2024-01-12 서울바이오시스 주식회사 플립칩형 발광 다이오드 칩
US20200395731A1 (en) * 2019-06-11 2020-12-17 Trumpf Photonics Inc. Insulated Laser Coolers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020093023A1 (en) * 1997-06-03 2002-07-18 Camras Michael D. III-Phosphide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US20100140636A1 (en) * 2008-12-08 2010-06-10 Matthew Donofrio Light Emitting Diode with Improved Light Extraction

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3794393B2 (ja) * 2003-03-13 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
TW200419832A (en) 2004-04-16 2004-10-01 Uni Light Technology Inc Structure for increasing the light-emitting efficiency of a light-emitting device
US7166483B2 (en) * 2004-06-17 2007-01-23 Tekcore Co., Ltd. High brightness light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device
KR100649494B1 (ko) 2004-08-17 2006-11-24 삼성전기주식회사 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드
KR100716790B1 (ko) 2005-09-26 2007-05-14 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20080017180A (ko) 2006-08-21 2008-02-26 삼성전기주식회사 반도체 발광장치
KR20090106299A (ko) 2008-04-05 2009-10-08 송준오 오믹접촉 광추출 구조층을 구비한 그룹 3족 질화물계반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조 방법
US8143636B2 (en) * 2008-11-18 2012-03-27 Epistar Corporation Light-emitting device
JP2010186873A (ja) 2009-02-12 2010-08-26 Panasonic Corp 白色発光素子およびその製造方法
US9437785B2 (en) * 2009-08-10 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diodes including integrated backside reflector and die attach

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020093023A1 (en) * 1997-06-03 2002-07-18 Camras Michael D. III-Phosphide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US20100140636A1 (en) * 2008-12-08 2010-06-10 Matthew Donofrio Light Emitting Diode with Improved Light Extraction

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