KR20110103021A - 반도체 발광소자 - Google Patents

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KR20110103021A
KR20110103021A KR1020100022119A KR20100022119A KR20110103021A KR 20110103021 A KR20110103021 A KR 20110103021A KR 1020100022119 A KR1020100022119 A KR 1020100022119A KR 20100022119 A KR20100022119 A KR 20100022119A KR 20110103021 A KR20110103021 A KR 20110103021A
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윤미정
이상돈
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삼성엘이디 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, 도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물 및 상기 제2 도전형 반도체층 상면에 형성되며, 투광성과 전기전도성을 갖는 물질로 이루어진 저굴절층 및 금속층이 적층된 구조를 구비하는 단일지향성 반사기를 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자를 사용할 경우, 광 추출 효율이 향상되며, 전기적 특성은 향상(전기 저항의 감소 및 전류 분산 효과의 향상)될 수 있다.

Description

반도체 발광소자 {Semiconductor Light Emitting Device}
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 수직 구조 반도체 발광소자에 있어서 광 추출 효율이 향상되며 전기 저항을 줄일 수 있는 전극 구조에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 반도체 발광소자는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 III족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
이러한 III족 질화물 반도체를 이용한 발광소자를 구성하는 질화물 단결정은 사파이어 또는 SiC 기판과 같이 특정의 성장용 기판 상에서 형성된다. 하지만, 사파이어와 같이 절연성 기판을 사용하는 경우에는 전극의 배열에 큰 제약을 받게 된다. 즉, 종래의 질화물 반도체 발광소자는 전극이 수평방향으로 배열되는 것이 일반적이므로, 전류흐름이 협소 해지게 된다. 이러한 협소한 전류 흐름으로 인해, 발광소자의 동작 전압(Vf)이 증가하여 전류효율이 저하되며, 이와 더불어 정전기 방전(Electrostatic discharge)에 취약해지는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서, 수직 전극 구조를 갖는 반도체 발광소자가 연구되고 있다.
일반적으로, 수직 전극 구조 반도체 발광소자는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층으로 이루어진 발광구조물의 상면 및 하면에 서로 다른 극성의 전극을 형성한 구조로서, 수평 전극 구조에 비하여 정전기 방전에 강한 장점이 있다. 그러나, 수직 전극 구조에서도 충분한 전류 분산 효과를 얻기 위해서는 전극을 대면적으로 형성할 필요가 있으며, 전극의 면적이 커질수록 발광구조물에서 방출되는 빛의 추출 효율이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 일 목적은 광 추출 효율과 전기적 특성이 우수하도록 고안된 전극 구조를 갖는 반도체 발광소자를 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물 및 상기 제2 도전형 반도체층 상면에 형성되며, 투광성과 전기전도성을 갖는 물질로 이루어진 저굴절층 및 금속층이 적층된 구조를 구비하는 단일지향성 반사기를 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 측면은,
도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물과, 상기 제2 도전형 반도체층이 그 상면으로부터 일부 영역이 제거되어 형성된 홈 및 상기 홈을 메우도록 형성되며, 투광성과 전기전도성을 갖는 물질로 이루어진 저굴절층 및 금속층이 적층된 구조를 구비하는 단일지향성 반사기를 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 홈은 내벽이 곡면을 갖도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 홈은 원뿔 또는 다각뿔의 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 저굴절층은 상기 홈의 내벽을 따라 형성되되 상기 홈의 일부만을 메우도록 형성되며, 상기 금속층은 상기 홈에서 상기 저굴절층이 형성되지 않은 나머지 영역을 메우도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 저굴절층의 두께는 상기 활성층에서 방출된 빛의 파장의 1/(4n)에 비례하며, 여기서, 상기 n은 상기 저굴절층의 굴절률일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 저굴절층은 투명 전도성 산화물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 저굴절층은 상기 제2 도전형 반도체층과 접촉되도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 금속층 상면에 형성된 본딩 패드를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 도전성 기판 및 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 형성된 반사금속층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 각각 p형 및 n형 반도체층일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 금속층은 Ag, Al 및 Au로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다.
본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자를 사용할 경우, 광 추출 효율이 향상되며, 전기적 특성은 향상(전기 저항의 감소 및 전류 분산 효과의 향상)될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4 내지 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(100)는 도전성 기판(105) 상에 반사금속층(104)이 형성되며, 그 위에는 발광구조물이 형성된다. 발광구조물은 제1 도전형 반도체층(103), 활성층(102) 및 제2 도전형 반도체층(101)을 구비하는 구조가 형성된다. 제2 도전형 반도체층(101)의 상면에는 전극 구조로서, 단일지향성 반사기(106, Omnidirectional reflector)가 형성된다. 단일지향성 반사기(106)는 높은 반사율을 가짐으로써 활성층(102)에서 방출된 빛이 흡수되어 소멸되는 것을 최소화하기 위한 것이며, 저굴절층(106a)과 금속층(106b)이 적층된 구조를 갖는다. 추가적으로 부가될 수 있는 구성으로서, 단일지향성 반사기(106)의 금속층(106b) 상면에는 와이어 본딩 등에 이용되기 위한 본딩 패드(107)가 구비될 수 있다.
본 실시 형태에서, 제1 및 제2 도전형 반도체층(103, 101)은 각각 p형 및 n형 반도체층이 될 수 있으며, 질화물 반도체로 이루어질 수 있다. 따라서, 이에 제한되는 것은 아니지만, 본 실시 형태의 경우, 제1 및 제2 도전형은 각각 p형 및 n형 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(103, 101)은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 가지며, 예컨대, GaN, AlGaN, InGaN 등의 물질이 이에 해당될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층(103, 101) 사이에 형성되는 활성층(102)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 단일지향성 반사기(106)가 n형 전극 구조로서 채용되어, 활성층(102)에서 방출된 빛 중 n형 전극(106, 107)으로 향하는 빛은 흡수가 최소화될 수 있으므로, 외부 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(103, 101)과 활성층(102)은 질화물 반도체 외에 다른 반도체 물질, 예컨대, AlxInyGa(1-x-y)P(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 물질로 이루어질 수 있으며, 이러한 물질로 얻어진 소자의 경우, 적색광을 방출하기에 보다 적합하다.
반사금속층(104)은 활성층(102)에서 방출된 빛을 반도체 발광소자(100)의 상부, 즉, 제2 도전형 반도체층(101) 방향으로 반사하는 기능을 수행할 수 있으며, 나아가, 제1 도전형 반도체층(103)과 오믹 컨택을 이루는 것이 바람직하다. 이러한 기능을 고려하여, 반사금속층(104)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 자세하게 도시하지는 않았으나, 반사금속층(104)은 2층 이상의 구조로 채용되어 반사 효율을 향상시킬 수 있으며, 구체적인 예로서, Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt 등을 들 수 있다. 다만, 반사금속층(104)은 본 실시 형태에서 반드시 요구되는 구성은 아니며, 경우에 따라, 사용되지 않을 수 있다. 이 경우에는 제1 도전형 반도체층(103)과 도전성 기판(105)이 도전성 접합층 등을 매개로 접합될 수 있습니다.
도전성 기판(105)은 후술할 바와 같이, 레이저 리프트 오프 등의 공정에서 상기 발광구조물을 지지하는 지지체의 역할을 수행하며, Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질, 예컨대, Si 기판에 Al이 도핑된 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 선택된 물질에 따라, 도전성 기판(105)은 도금 또는 본딩 접합 등의 방법으로 형성될 수 있을 것이다. 본 실시 형태의 경우, 도전성 기판(105)은 제2 도전형 반도체층(101)과 전기적으로 연결되며, 이에 따라, 도전성 기판(105)을 통하여 제2 도전형 반도체층(101)에 전기 신호가 인가될 수 있다.
단일지향성 반사기(106)는 n형 전극 구조를 이루며, 활성층(102)으로부터 방출된 빛에 대하여 반사율이 높아 광 추출 효율의 향상에 기여할 수 있다. 상술한 바와 같이, 단일지향성 반사기(106)는 저굴절층(106a)과 금속층(106b)을 구비하여 구성되며, 저굴절층(106a)은 투광성과 전기전도성을 갖는 물질로 이루어진다. 이러한 물질로서 바람직하게 투명 전도성 산화물(TCO)을 사용할 수 있으며, ITO, CIO, ZnO 등이 이에 해당한다. 이 경우, 단일지향성 반사기(106) 구조가 구현되기 위하여, 저굴절층(106a)의 두께(t)는 활성층(102)에서 방출된 빛의 파장의 1/(4n)에 비례하는 것이 바람직하며, 여기서, 상기 n은 저굴절층(106a)의 굴절률에 해당한다. 이러한 두께 조건을 충족함으로써 단일지향성 반사기(106)는 해당 소자, 구체적으로, 발광구조물 중 활성층(102)에서 방출된 빛에 대하여 반사율이 극대화될 수 있다. 단일지향성 반사기(106)를 구성하는 금속층(106b)은 저굴절층(106a)과 접촉되도록 그 위에 형성되며, 소멸 계수(extinction coefficient)가 높은 물질, 예컨대, Ag, Al, Au 등의 물질을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 3은 도 2의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 우선, 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(200)는 앞선 실시 형태와 같이, 도전성 기판(205) 상에 반사금속층(204)이 형성되며, 그 위에는 발광구조물, 즉, 제1 도전형 반도체층(203), 활성층(202) 및 제2 도전형 반도체층(201)을 구비하는 구조가 형성된다. 또한, 제2 도전형 반도체층(201)의 상면에는 전극 구조로서, 단일지향성 반사기(206)가 형성되며, 단일지향성 반사기(206) 상에는 본딩 패드(207)가 형성될 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 단일지향성 반사기(206)는 제2 도전형 반도체층(201)에서 그 상면으로부터 일부가 제거되어 형성된 홈을 메우도록 형성된 구조를 갖는다. 이를 위하여, 제2 도전형 반도체층(201)에는 내벽이 곡면 형상을 갖도록 홈이 형성되며, 저굴절층(206a)은 상기 홈의 내벽을 따라 형성되어 제2 도전형 반도체층(201)과 접촉된다. 이 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 저굴절층(206a)은 상기 홈을 모두 메우지 않는 범위에서 상기 홈의 내벽을 따라 형성될 수 있으며, 그 두께는 활성층(202)에서 방출된 빛의 파장의 1/(4n)에 비례할 수 있다. 금속층(206b)은 상기 홈에서 저굴절층(206a)에 의하여 메워지지 않은 나머지 영역을 채우도록 형성될 수 있다.
본 실시 형태와 같은 매립 전극 구조, 즉, 단일지향성 반사기(206)를 제2 도전형 반도체층(201)에 형성된 홈을 메우도록 형성된 구조를 사용할 경우, 도 2에서 화살표로 나타낸 것과 같이, 활성층(202)에서 방출된 빛이 외부로 방출된 확률은 더욱 증가될 수 있다. 단일지향성 반사기(206)와 제2 도전형 반도체층(201)의 계면이 평탄한 형상을 가질 경우에는 단일지향성 반사기(206)에 의하여 반사된 빛의 일부는 다시 활성층(202) 방향으로 되돌아가며, 이렇게 되돌아간 빛은 활성층(202) 등에서 흡수될 수 있다. 따라서, 본 실시 형태와 같이, 단일지향성 반사기(206)가 곡면 형상의 내벽을 갖는 홈을 메우도록 형성함으로써 활성층(202)으로 되돌아가는 빛의 양을 줄인다면 발광 효율이 향상될 수 있을 것이다. 이러한 광 추출 효율의 증가 외에도 단일지향성 반사기(206)가 제2 도전형 반도체층(201) 내부에 매립됨에 따라, 서로의 접촉 면적이 넓어질 수 있으며, 수평 방향으로 진행하는 전류도 비율도 증가될 수 있다. 이에 따라, 전기 저항이 낮아짐과 더불어 전류 분산 효과의 증가도 기대할 수 있을 것이다.
한편, 도 2에서 설명한 단일지향성 반사기(206)는 내벽이 곡면 형상인 홈을 채우도록 형성되나, 높은 수준의 광 추출 효율을 얻기 위하여 다른 형상으로 적절히 변형될 수 있을 것이다. 예컨대, 도 3에 도시된 것과 같이, 변형된 실시 형태에 다른 반도체 발광소자(200`)는 도 2에서 설명한 구조와 대부분 동일하며, 다만, 단일지향성 반사기(206`)가 제2 도전형 반도체층(201)에 형성된 홈을 메우도록 형성되되, 상기 홈은 원뿔이나 다각뿔 형상을 갖는다. 이에 따라, 그 단면 형상은 도 3에서 볼 수 있듯이, 삼각형으로 나타나게 된다. 이러한 뿔 형상을 갖는 경우에도 단일지향성 반사기(206`)에 의하여 흡수되지 않고 외부로 방출되는 빛의 양을 증가시킬 수 있을 것이다.
이하, 상기와 같은 구조를 갖는 반도체 발광소자를 제조하는 공정을 설명한다.
도 4 내지 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다. 구체적으로, 도 2에서 설명한 구조를 갖는 반도체 발광소자의 제조방법에 해당하며, 이를 응용하여 도 1 및 도 3의 반도체 발광소자를 얻을 수 있을 것이다.
우선, 도 4에 도시된 것과 같이, 반도체 성장용 기판(300) 위에 제2 도전형 반도체층(201), 활성층(202) 및 제1 도전형 반도체층(203)을 MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성한다. 반도체 성장용 기판(300)은 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2 , GaN 등의 물질로 이루어진 기판을 사용할 수 있다. 이 경우, 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(203) 상에 반사금속층(204) 및 도전성 기판(205)을 형성한다. 반사금속층(204)은 광 반사 기능과 제1 도전형 반도체층(203)과 오믹 컨택 기능을 고려하여 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함하도록 형성할 수 있으며, 당 기술 분야에서 공지된 스퍼터링이나 증착 등의 공정을 적절히 이용할 수 있다. 이후, 도전성 기판(205)을 도금, 스퍼터링, 증착 등의 공정으로 반사금속층(204) 상에 형성하거나 미리 제조된 도전성 기판(205)을 반사금속층(204)에 도전성 접합층(미도시)을 매개로하여 접합시킬 수도 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(201)이 노출되도록 반도체 성장용 기판(300)을 제거한다. 이 경우, 반도체 성장용 기판(300)은 레이저 리프트 오프나 화학적 리프트 오프 등과 같은 공정을 이용하여 제거될 수 있다. 도 6은 반도체 성장용 기판(300)이 제거된 상태로서, 도 5와 비교하여 180°회전시켜 도시하였다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(201)에서 기판(300)의 제거에 의하여 노출된 면의 일부를 에칭하여 곡면 형상의 홈을 형성한다. 이를 위하여 홈이 형성될 영역을 제외하고 마스크(400)를 형성할 수 있다. 이 경우, 홈 형성을 위한 에칭 공정은 당 기술 분야에서 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있으며, 예컨대, ICP-RIE 공정 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(201)의 홈에 단일지향성 반사기(206)를 형성한다. 구체적으로, ITO와 같은 물질을 증착 등의 방법을 사용하여 상기 홈의 내벽을 따라 저굴절층(206a)을 형성하며, 그 위에, Ag, Al, Au 등의 금속 물질을 이용하여 금속층(206b)을 형성한다. 이후, 마스크(400)를 제거하고, 본딩 패드를 형성하여 도 2의 구조를 갖는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 제2 도전형 반도체층 102: 활성층
103: 제1 도전형 반도체층 104: 반사금속층
105: 도전성 기판 106: 단일지향성 반사기
106a: 저굴절층 106b: 금속층
107: 본딩 패드 300: 반도체 성장용 기판
400: 마스크

Claims (12)

  1. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및
    상기 제2 도전형 반도체층 상면에 형성되며, 투광성과 전기전도성을 갖는 물질로 이루어진 저굴절층 및 금속층이 적층된 구조를 구비하는 단일지향성 반사기;
    를 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물;
    상기 제2 도전형 반도체층이 그 상면으로부터 일부 영역이 제거되어 형성된 홈; 및
    상기 홈을 메우도록 형성되며, 투광성과 전기전도성을 갖는 물질로 이루어진 저굴절층 및 금속층이 적층된 구조를 구비하는 단일지향성 반사기;
    를 포함하는 반도체 발광소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 홈은 내벽이 곡면을 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 홈은 원뿔 또는 다각뿔의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 저굴절층은 상기 홈의 내벽을 따라 형성되되 상기 홈의 일부만을 메우도록 형성되며, 상기 금속층은 상기 홈에서 상기 저굴절층이 형성되지 않은 나머지 영역을 메우도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 저굴절층의 두께는 상기 활성층에서 방출된 빛의 파장의 1/(4n)에 비례하며, 여기서, 상기 n은 상기 저굴절층의 굴절률인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 저굴절층은 투명 전도성 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 저굴절층은 상기 제2 도전형 반도체층과 접촉되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속층 상면에 형성된 본딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도전성 기판 및 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 형성된 반사금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 각각 p형 및 n형 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속층은 Ag, Al 및 Au로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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