JP6704065B2

JP6704065B2 - 広帯域ミラー

Info

Publication number: JP6704065B2
Application number: JP2018554016A
Authority: JP
Inventors: ロペス，トニ; ファホン，ジン
Original assignee: ルミレッズホールディングベーフェー
Priority date: 2016-04-15
Filing date: 2017-04-05
Publication date: 2020-06-03
Anticipated expiration: 2037-04-05
Also published as: US11302848B2; WO2017178299A1; JP2019514219A; CN108886076B; CN108886076A; KR20180124153A; US20190131498A1; KR101986982B1; EP3443598B1; EP3443598A1

Description

本発明は、広帯域ミラー、発光ダイオード及び広帯域ミラーの製造方法を記述する。

広帯域ミラーは、光学系の効率を最大化し、色の完全性を維持するために使用される。例えば、光エンジン及びプロジェクタに使用されるミラーの反射率を増加させることは、輝度の改善又は増加に直接関連する。分布ブラッグ反射器（DBR）は、正確に堆積された材料の多くの層を含む半導体ミラーの一種である。しかしながら、特定のDBRがある波長帯域内の光のみを反射することができるため、DBRの欠点は波長依存性である。この帯域の外側の光は多層スタックによって反射されない。さらに、DBRの反射率応答は、光の入射角に依存することがある。ゆえに、DBRは、波長及び入射角の限られた範囲内の光のみを効果的に反射することができるに過ぎない。

DBRの代替物として、従来技術の金属ミラーを反射バッキングとして配置して、できるだけ多くの光が発光面を通してダイを離れることを保証することができる。反射バッキング及び発光表面は、複合ダイの反対（両）側の面にありほぼ平行な平面である。反射バッキングは、デバイスの後部を通って熱を通過させるだけでなく、ＰＮ接合部（金属―半導体コンタクト）に電流を注入するように効果的に作用することもできる。反射性バッキングは、一般に、銀、アルミニウム又は金のようないくつかの適切な金属で作られる。しかしながら、100％の反射率を達成することは不可能であり、従って、金属反射バッキング層は、バッキング層に達する光のいくらかの割合を（ダイの発光面に戻すのではなく）吸収する。反射金属層のさらなる欠点は温度依存性である。何故ならば、安全な温度範囲内での装置の信頼性ある動作を保証しなければならないからである。しかしながら、このような複合ダイ内のＰ−Ｎダイオード接合部で生じる高温は、金属反射性バッキングに問題を引き起こす可能性がある。LEDのための良好な光学反射体である金属は、LEDが高温で動作するときに、信頼性の問題を引き起こす可能性がある。この理由から、いくつかの従来技術LEDは、反射バッキングのために反射性の低い金属を使用し、その反射性の低い金属を補償するために追加的な誘電体層を組み込むように、構築されてきた。それでも、そのような複合ダイの正味反射率は、いくつかの用途には十分ではない場合がある。

本発明の目的は、請求項1に従った広帯域ミラーによって達成される。請求項10に記載の発光ダイオード、及び請求項11に記載の広帯域ミラーを製造する方法によっても達成される。

本発明に従った広帯域ミラーは、外方表面層と、該外方表面層の下に配置された誘電体層スタックであり、低屈折率層と高屈折率層とが交互に配置されている誘電体層スタックとを含む。誘電体層スタックが、高屈折率層と第1の隣接する低屈折率層との境界において前記高屈折率層の一方側に形成されている少なくとも1つのパターン化された表面と、前記高屈折率層と第２の隣接する低屈折率層との境界において前記高屈折率層の他方側に形成されている少なくとも1つのパターン化されていない表面とを含むことを特徴とする。本発明の文脈において、誘電体層は、半導体ダイの製造に使用される半透明誘電体材料の平坦層として理解されるべきである。誘電体層スタックは、平坦層スタック又は多層薄膜スタックと呼ばれることもある。

本発明の広帯域ミラーの利点は、反射率の大幅な改善が、粗面化された誘電体層を層スタック内に集積することによって達成されることである。本発明の広帯域ミラーの構成、すなわち使用される層の数、使用される材料等に依存して、広範囲の入射角及び広範囲の波長にわたって反射率の改善を観察することができる。本発明の広帯域ミラーは、異なる屈折率の2つの誘電体層の間に粗面化された、又はパターン化された界面を含むことによって、入射光の反射を効果的に増加させる。本発明の広帯域ミラーの更なる利点は、パターン化界面が発光層内で散乱を引き起こすことである。これは、散乱がデバイスからの光取出しに有利であるため、有益な効果である。

本発明によれば、発光ダイオードは複合ダイであり、そのような広帯域ミラーを含む。本発明の発光ダイオードは、ダイオードのＰ−Ｎ接合で発生した光の実質的に全てが発光表面でダイオードを去ることができるので、良好に高い光出力を有することを特徴とする。このことは、光のかなりの部分が反射金属層によって吸収される比較可能な従来のLEDダイとは、有利に対照的である。

本発明に従った広帯域ミラーの製造方法は、外方発光表面層を提供するステップと、低屈折率層と高屈折率層との交互配置を適用するステップであり、前記外方表面層の下に誘電体層スタックを構築するステップを含む。さらに、少なくとも1つの誘電体層の表面をパターン化して、高屈折率層と第1の隣接する低屈折率層との境界において前記高屈折率層の一方側に少なくとも1つのパターン化された表面を達成し、前記高屈折率層と第２の隣接する低屈折率層との境界において前記高屈折率層の他方側に少なくとも1つのパターン化されていない表面を達成するステップを含むことを特徴とする。

本発明の方法の利点は、良好な性能特性を有する広帯域ミラーを達成するために比較的少ない努力で済むことである。誘電体層を適用し、パターン化するステップで、半導体製造で知られている従来の技術を使用することができる。したがって、本発明の広帯域ミラーを組み込むように構成される装置は、わずかな追加コストで実現することができる。

従属請求項及び以下の説明は、本発明の特に有利な実施形態及び特徴を開示する。複数の実施形態の複数の特徴は適宜組み合わせてもよい。あるクレームカテゴリーの文脈で説明されている特徴は、別のクレームカテゴリーにも等しく適用することができる。

以下において、「低屈折率材料」及び「低屈折率」という表現は、互換的に使用することができる。したがって、「低屈折率層」は、低屈折率材料を含む層として理解されるべきである。同様に、表現「高屈折率材料」及び「高屈折率」は、交換可能に使用することができる。用語「層」及び「誘電体層」は同義語である。

好ましくは、広帯域ミラーの発光表面となる外方表面層は、適切な材料の高屈折率層を含む。例えば、青色／緑色LEDを実現するために、外方表面層は窒化ガリウム（GaN）の層を含むことが好ましい。

本発明の広帯域ミラーを構成するために、後に広帯域ミラーの発光面として機能する上方層又は外方層の下に、連続する誘電体層を適用することができる。好ましくは、誘電体層は、500nm〜2μmの範囲の厚さを有する。連続的な層は、任意の適切な技術を用いて、例えば蒸着によって適用することができる。好ましくは、平坦層スタックの誘電体層は、低屈折率層と高屈折率層との交互配置で構築される。高屈折率層に適した材料は窒化ケイ素（Si₃N₄）であり、低屈折率層に適した材料は二酸化ケイ素（SiO₂）である。好ましくは、任意の高屈折率層が、低屈折率層の間にサンドイッチ方式で配置される。

当業者には明らかなように、広帯域ミラーの外方表面で放射される光の色は、使用される層材料及びそれらがどのようにドープされるかに大きく依存するので、異なる材料を層のために選択することができる。

本発明は、平坦層スタックに組み込まれたパターン化された又は粗面化された誘電体層が平坦層スタックの反射率を有意に改善することができるという洞察に基づいている。反射率の増加は、フレネル方程式によって支配される効果の組み合わせにより説明できる。すなわち、高屈折率層と低屈折率層との間の界面に起因する反射の増加及びそれに対応する透過率の減少、誘電体層の粗面化された表面に起因する内部反射の増加などで説明できる。

驚くべきことに、異なる屈折率を有する誘電体層間のパターン化された界面によって、平坦層スタックの反射率が著しく増加することが観察された。したがって、本発明の方法の1つの好ましい実施形態は、少なくとも1つの低屈折率層を外方表面層に適用し、その低屈折率層に高屈折率層（窒化ケイ素層などの層）を適用し、高屈折率層をパターン化して、その下方表面を粗面化し、その高屈折率層の粗面化された表面に対してさらなる低屈折率層を適用することを含む。このようにして、異なる屈折率を有する2つの誘電体層の間にパターン化界面が形成される。層堆積プロセスは、最終の低屈折率層に反射性金属層を適用することによってこの段階で終了することができる。平坦な層スタック内の「粗い界面」は、発光表面の方向に光子のより大きな部分を効果的に戻すので、広帯域ミラーの反射率を増加させるように作用する。光子の小さな部分のみが反射性バッキングに向かって通過し、次にこれらのうちの大部分が発光表面に向かって戻る。

本発明の好ましい実施形態では、上述した層堆積プロセスを少なくとも1回繰り返して、そのような2個以上の「粗面化界面」を有する層スタックを達成する。そのようないくつかの「粗面化界面」の複合効果は、広帯域ミラーの全体的な反射率を著しく増加させることである。各「粗面化界面」は、広帯域ミラーの反射率の増加に寄与する。

誘電体層の粗面化された表面は、任意の適切な方法で形成することができる。例えば、光電気化学（PEC）エッチング、マイクロマシニング、フォトリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィーなどの1つ以上の技法を実施して、所望の表面構造又はトポロジーを達成することができる。例えば、選択された技術を用いて、先に堆積された誘電体層上に波形又は隆起構造のようなランダムパターン又は規則的なパターンを形成することができる。パターン及びパターン密度は、パターン化された誘電体層と次の誘電体層との間の界面で所望の反射率を達成するように選択することができる。例えば、パターンフィーチャは、100nm〜2μmの範囲のサイズを有することが好ましい。

本発明の広帯域ミラーの有利な高い反射率は、3層の誘電体層、すなわち、低屈折率層、パターン化表面を有する高屈折率層、及び発光表面と反射性バッキングとの間に配置されたさらなる低屈折率層で達成される。本発明の広帯域ミラーの反射率は、パターン化された層界面の数を増やすことによってさらに改善することができる。好ましくは、本発明の広帯域ミラーの平坦層スタック内に配置された粗面化された低屈折率／高屈折率界面の数は、反射性バッキング層の使用を防止又は排除するように選択される。したがって、本発明の好ましい実施形態では、広帯域ミラーは、上述したように、低屈折率層と高屈折率層の交互配置として分布される、最大で5層のパターン化された層界面を含む。このような構成は、既知のミラーの反射率を数パーセント越える、非常に好ましい反射率を達成することができる。

所望の反射率を達成するために数十層の誘電体層を必要とするDBRとは対照的に、本発明の広帯域ミラーの誘電体層スタックは、匹敵する反射率を達成するために、多くとも15層の誘電体層を含み、最も好ましくは最大3層の誘電体層を含む。さらに、本発明の広帯域ミラーの反射率は、本来的に波長に依存するDBRとは異なり、波長に依存しない。

本発明の他の目的及び特徴は、添付の図面と併せて考慮される以下の詳細な説明から明らかになるであろう。しかしながら、図面は説明の目的のためだけにデザインされており、本発明の範囲の定義としてデザインされているわけではないことを理解されたい。

本発明に従った広帯域ミラーの第1の実施形態を示す。本発明に従った広帯域ミラーの第２の実施形態を示す。本発明に従った広帯域ミラーの第３の実施形態を示す。パターン化された誘電体構成を示す。パターン化された誘電体構成を示す。図４及び図５のパターン化された誘電体構成の反射率のグラフを示す。正規化した放射強度のグラフを示す。従来技術のミラーの一例を示す。従来技術のミラーの別の例を示す。図面において、同様の参照符号は全体を通して同様の部材等を指す。図面内の部材等は、必ずしも縮尺通りに描かれていない。

主要符号の説明
広帯域反射器 1
外方層 10
発光表面 100
後方表面 101
低屈折率層 11A、11B
パターン化された表面 110
高屈折率層 12
パターン化された表面 120
反射体 13
パターン化されたサファイア表面 14
パターン化された表面 140
吸収体 15
反射率グラフ 40、50
従来技術反射器 8、9
出射光 L
入射光 Li
反射光 Lr
放射強度 R
放射強度 P₈、P₉
放射強度 P₁、P₂

図1は、本発明に従った広帯域ミラー（broadband mirror）1の第1の実施形態を示している。この図及び以下の図において、複合ダイ多層スタックは誇張された比率で示されている。複合ダイの高さは一般に5μm~15μmである。この例示的な実施形態では、広帯域ミラー1は、4つの平坦な層10、11A、12、11Bのスタックと反射バッキング（reflective backing）13とを含む複合ダイとして構成されている。適切な材料の層11A、12、11Bが次々に付着又は蒸着され、最終的な層11Bが反射バッキング13によって終端される。平坦層11A、12、11Bは、蒸着又は他の適切な技術によって、通常の方法で構築される。構築は、最上層10から始まり、「下方に」に進んで、第1低屈折率層11A、高屈折率層12及び第2低屈折率層11Bを適用していく。本発明の方法を使用して、高屈折率層12を、第1の隣接する低屈折率層11Aのパターン化されていない表面に適用される。高屈折率層12の表面は粗面化され、その後、次の又は第2の低屈折率層11Bを堆積する。簡略化のため、粗面化されたパターン120をジグザグ線として示している。パターンサイズは、数ナノメートルから数マイクロメートルの範囲であってよい。パターンサイズ及び層特性は相互に関連していてよく、例えば、適切なパターンサイズは、高屈折率層12の厚さ、高屈折率層12の屈折率及び隣接する低屈折率層11Bの屈折率に依存し得る。

最外層10の外方表面100は発光面100である。青色LED又は緑色LEDとして機能するために、最外層10は窒化ガリウム（GaN）のような高屈折率材料からなり、低屈折率層11A、11Bは、SiO₂などの低屈折率材料を含む。電気接点（図示せず）が、通常の方法で提供される。最外層10と隣接する層11Aとの間のＰ−Ｎ接合部で光が生成される。光子は最初に実質的に全ての方向に移動するので、反射性バッキング13の目的は、光子を放射面100の方向に戻す（再方向づけする）ことである。しかし、完全な反射体材料はないので、反射性バッキング13に達する光子の一部13が吸収される。このような望ましくない効果は、本発明の広帯域ミラー1の構造によって打ち消される。なぜなら、低屈折率／高屈折率境界でパターン化された又は粗面化された表面120を有する高屈折率層12の存在によって、高屈折率パターン化層12内のある量の光子をトラップし、それらを反射性バッキング13の方向に進むのではなく、発光面100の方向に戻すことより、光子の軌跡に影響を与える。効果的に、より少ない光子が反射バッキング13に到達し、対応するより小さな部分が、反射バッキングによる吸収のために失われる。このようにして、粗面化された表面120を有する高屈折率パターン化層12は、本発明の広帯域ミラー1の光出力Lを増加させる。

図2は、本発明に従った広帯域ミラー1の第2の実施形態を示す。ここでも、広帯域ミラー1は、4つの平坦層10、11A、12、11Bと反射バッキング13のスタック（積層体）として構成されている。この実施形態において、第1の低屈折率層11Aの表面がパターン化又は粗面化され、その後、第1の高屈折率層12を堆積する。第2の低屈折率層11Bが高屈折率層12のパターン化されていない表面（非パターン化表面）Nに適用される。第1の高屈折率層12Aのパターン化された表面110は、低屈折率層／高屈折率の境界とともに、光子が反射バッキング13の方向に通過することを防止するように作用し、上述したように光子を発光面100に向けて効果的に再方向づけさせる。

図3は、本発明に従った広帯域ミラー1の第3の実施形態を示す。この実施形態において、広帯域ミラー1は、8つの平坦層10、11A、12、11Bのスタックとして構成されている。3つの高屈折率層12が、低屈折率層11Aと11Bとの間に挟まれている。各高屈折率層12が、先行する低屈折率層11A、11Bの非パターン化表面Nに適用される。各高屈折率層12の表面が粗面化され、その後、後続の低屈折率層11A、11Bを堆積する。各高屈折率層12（その粗面化された表面120を有する）は、光子を逆方向に「通過させる」よりも多くの光子を発光面100の方向に効果的に「戻す」ので、屈折率層12を数個用いることにより、光子がミラー1の最下面101に殆ど又は全く到達しない。ゆえに、この背面101に反射性バッキングを付ける必要がない。反射バッキングを要しないことに関連する利点があり、すなわちコストの節約と温度の独立性である。明細書導入部で説明したように、満足のいく反射性メタルバッキングは高価であり、高温にも敏感である。

図４乃至図６は、本発明の原理を示している。サファイアウェハが片側でパターン化されると、全反射率の増加が観察され得る。本発明に関連する実験では、パターン化されたサファイアウェハ14が、可視光範囲においてほぼゼロの反射率を有する材料を含む吸収体層15の上に配置される。適切な材料は、フロック加工された艶消し黒色紙層（flocked matte black paper layer）であってよい。サファイア基板は屈折率が高く、空気は屈折率が低い。既知の屈折の法則が、空気／ウェハの境界（ウェハの各面）に適用される。パターン化された表面140は、高屈折率／低屈折率界面及びパターン幾何形状のために、ウェハ内部の光子を散乱させるように作用する。光子を散乱させることにより、ウェハ内部の全反射の発生率が増加する。パターン化されたウェハ14の反射率を測定するために、入射光Liがウェハ14を通るように方向づけられ、反射光量Lrが測定される。この実験は、図4の吸収体15の方に面するように配置されたパターン化表面140と、図5の吸収体15に面しないように配置されたパターン化表面140とについて行われる。観察結果を図6に示す。図6は、図4の配置についての第1の反射率グラフ40と、図5の配置についての第2の反射率グラフ50とを示す。400nmから750nm（X軸）の波長範囲にわたって観察が行われた。パターン化表面140が吸収体15に面している場合、パターン化されたサファイア基板14は、波長範囲全体にわたって50％を超える反射率を示す。すなわち、波長にかかわらず、ウェハ14に入る光の約半分の光が反射される。パターン化された表面140が吸収体14から外向きに向いている場合、パターン化されたサファイア基板14は約15％の反射率を示す。すなわち、約85％の光がウェハ14を通過する。いずれの場合にも、ウェハ14は、光子のうち反射される部分が背部吸収体に到達することを妨げる。

観察された結果を本発明の誘電体ミラーに移行可能である。何故ならば、窒化シリコンの屈折率はサファイアの屈折率よりも高く、二酸化シリコンの屈折率は空気よりも高いが、窒化シリコン及びサファイアよりも低いからである。観察された効果は、上述の図1に記載された本発明の広帯域ミラーにおいて有利に使用される。高屈折率層12のパターン化された表面が反射性バッキング13に面している場合、約50％又は半分の光が、発光面100へ向けて反射される。他方の半分の光が、高屈折率層12を通過して反射性バッキング13に到達して反射を受け、この光の大部分、すなわち約85％が高屈折率層12を通過して発光面100に到達する。高屈折率／低屈折率境界におけるパターン化された表面とともに、高屈折率層12は、広帯域ミラー1の正味反射率（パッケージ反射率）を著しく増加させる。観察された効果は、波長に依存せず、したがって、例えば、任意の色のLEDの光出力を改善するために、広範囲な用途に使用することができる。

図7は、入射角θ（X軸）に対する正規化放射強度（Y軸）の種々のグラフを示す。参照グラフRは、入射放射線の角度分布を示す。2つのさらなるグラフP8、P9はそれぞれ、図８及び図９に示される従来技術の誘電体ミラー８、９の性能を示す。従来技術の誘電体ミラー8は反射性バッキング13で裏打ちされたGaN層10を含み、そのグラフP8は全角度範囲にわたって参照曲線Rとの一定の差を示す。図9の従来技術の誘電体ミラー9は、GaN層10と反射性バッキング13との間に低屈折率のSiO₂層91を含み、そのグラフP9は、GaNとSiO₂の異なる屈折率によって決まる臨界角（全反射の角度）を超えると、反射率の増加を示す。曲線P1は図1に示す本発明の広帯域ミラーの反射率であり、曲線P2は図2の実施形態についての本発明の広帯域ミラーの反射率である。これらの曲線P1、P2は、約45°の領域、すなわち最大の入射放射線の領域において有意な改善を示す。ゆえに、図1及び図2の実施形態は、可視スペクトル全体に亘り、図8の従来技術のミラーよりも約11.5％反射率が高く、図9の従来技術のミラーよりも2％反射率が高い。

本発明を好ましい実施形態及びその変形形態で開示してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく、多数の追加的変更及び変形が可能であることが理解される。例えば、本発明の広帯域ミラーを「ボトムミラー」として使用する代わりに、サイドミラーとして実現することができる。このような用途の例は、チップスケールパッケージダイのサファイア壁を被覆することである。

明瞭にするために、本出願を通して1つ（「a」又は「an」）の使用は複数を排除せず、「含む（comprising）」は他のステップ又は要素を排除しないことを理解されたい。

Claims

広帯域ミラーであり、
外方表面層と、
該外方表面層の下に配置された誘電体層スタックであり、第１低屈折率層と高屈折率層と第２低屈折率層とがこの順に配置されており、前記外方表面層と前記第１低屈折率層とがＬＥＤとして機能する、誘電体層スタックと、
を含み、
前記誘電体層スタックが、前記高屈折率層と隣接する前記第１及び第２低屈折率層の一方との境界において前記高屈折率層の一方側に形成されている少なくとも1つのパターン化された表面と、前記高屈折率層と隣接する前記第１及び第２低屈折率層の他方との境界において前記高屈折率層の他方側に形成されている少なくとも1つのパターン化されていない表面とを含むことを特徴とする、
広帯域ミラー。
広帯域ミラーであり、
外方表面層と、
該外方表面層の下に配置された誘電体層スタックであり、前記外方表面層の下に第１低屈折率層が配置されており、前記第１低屈折率層の下に高屈折率層と第２低屈折率層とが交互に配置されており、前記外方表面層と前記第１低屈折率層とがＬＥＤとして機能する、誘電体層スタックと、
を含み、
前記誘電体層スタックが、高屈折率層と隣接する前記第２低屈折率層の一方との境界において前記高屈折率層の一方側に形成されている少なくとも1つのパターン化された表面と、前記高屈折率層の他方側に形成されている少なくとも1つのパターン化されていない表面とを含むことを特徴とする、
広帯域ミラー。
請求項１又は２に記載の広帯域ミラーであり、前記誘電体層スタックが反射性バッキング材で終わっている、広帯域ミラー。
請求項１乃至３の何れか1項に記載の広帯域ミラーであり、前記誘電体層スタックが500nmから2.0μｍの範囲にある厚さを有する、広帯域ミラー。
請求項２に記載の広帯域ミラーであり、多くとも15層の誘電体層を含む、広帯域ミラー。
請求項１乃至５のうち何れか1項に記載の広帯域ミラーを有する発光ダイオード。
広帯域ミラーの製造方法であり、
外方表面層を提供するステップと、
第１低屈折率層と高屈折率層と第２低屈折率層とをこの順に適用するステップであり、前記外方表面層の下に誘電体層スタックを構築し、前記外方表面層と前記第１低屈折率層とがＬＥＤとして機能する、ステップと、
高屈折率層と隣接する前記第１及び第２低屈折率層の一方との境界において前記高屈折率層の一方側に少なくとも1つのパターン化された表面を形成するステップであり、前記高屈折率層と隣接する前記第１及び第２低屈折率層の他方との境界において前記高屈折率層の他方側に少なくとも1つのパターン化されていない表面を形成するステップと、
を含む広帯域ミラーの製造方法。
広帯域ミラーの製造方法であり、
外方表面層を提供するステップと、
前記外方表面層の下に第１低屈折率層を配置し、前記第１低屈折率層の下に高屈折率層と第２低屈折率層との交互配置を適用して、前記外方表面層の下に誘電体層スタックを構築するステップであり、前記外方表面層と前記第１低屈折率層とがＬＥＤとして機能する、ステップと、
前記高屈折率層と隣接する前記第２低屈折率層の一方との境界において前記高屈折率層の一方側に少なくとも1つのパターン化された表面を形成するステップであり、前記高屈折率層の他方側に少なくとも1つのパターン化されていない表面を形成するステップと、
を含む広帯域ミラーの製造方法。
請求項７又は８に記載の製造方法であり、
前記の少なくとも1つのパターン化された表面を形成するステップが、光電気化学（ＰＥＣ）エッチングステップ、微細加工エッチングステップ、フォトリソグラフィエッチングステップ及びナノインプリントリソグラフィエッチングステップの何れかを含む、
製造方法。
請求項７又は８に記載の製造方法であり、
前記の少なくとも1つのパターン化された表面を形成するステップが、前記パターン化された表面と後続する表面との間の境界において全反射を達成するような規則的な表面構造を形成するステップを含む、
製造方法。
請求項７乃至１０のうち何れか1項に記載の製造方法であり、
前記誘電体層スタックが、シリコンダイオキサイド層及びシリコンナイトライド層を交互に適用することにより構築される、
製造方法。