JP2019514219A - 広帯域ミラー - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 188
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0808—Mirrors having a single reflecting layer
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
広帯域反射器 1
外方層 10
発光表面 100
後方表面 101
低屈折率層 11A、11B
パターン化された表面 110
高屈折率層 12
パターン化された表面 120
反射体 13
パターン化されたサファイア表面 14
パターン化された表面 140
吸収体 15
反射率グラフ 40、50
従来技術反射器 8、9
出射光 L
入射光 Li
反射光 Lr
放射強度 R
放射強度 P8、P9
放射強度 P1、P2
Claims (15)
- 広帯域ミラーであり、
外方表面層と、
該外方表面層の下に配置された誘電体層スタックであり、低屈折率層と高屈折率層とが交互に配置されている誘電体層スタックと、
を含み、
前記誘電体層スタックが、高屈折率層と第1の隣接する低屈折率層との境界において前記高屈折率層の一方側に形成されている少なくとも1つのパターン化された表面と、前記高屈折率層と第2の隣接する低屈折率層との境界において前記高屈折率層の他方側に形成されている少なくとも1つのパターン化されていない表面とを含むことを特徴とする、
広帯域ミラー。 - 請求項1に記載の広帯域ミラーであり、
前記パターン化された表面が高屈折率の材料を含む誘電体層の上に形成されている、広帯域ミラー。 - 請求項1又は2に記載の広帯域ミラーであり、前記誘電体層スタックが反射性バッキング材で終わっている、広帯域ミラー。
- 請求項1乃至3の何れか1項に記載の広帯域ミラーであり、複数の低屈折率材料層の間に高屈折率材料層が配置されている、広帯域ミラー。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の広帯域ミラーであり、前記パターン化された表面が、100nmから2.0μmの範囲にある特徴的寸法のパターンを有する、広帯域ミラー。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載の広帯域ミラーであり、誘電体層が500nmから2.0μmの範囲にある厚さを有する、広帯域ミラー。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の広帯域ミラーであり、多くとも15層の誘電体層を含む、広帯域ミラー。
- 請求項1乃至7の何れか1項に記載の広帯域ミラーであり、誘電体層が500nmから2.0μmの範囲にある厚さを有する、広帯域ミラー。
- 請求項1乃至8の何れか1項に記載の広帯域ミラーであり、前記外方表面層が高屈折率材料層を含む、広帯域ミラー。
- 請求項1乃至9のうち何れか1項に記載の広帯域ミラーを有する発光ダイオード。
- 広帯域ミラーの製造方法であり、
外方表面層を提供するステップと、
低屈折率層と高屈折率層との交互配置を適用するステップであり、前記外方表面層の下に誘電体層スタックを構築するステップと、
高屈折率層と第1の隣接する低屈折率層との境界において前記高屈折率層の一方側に少なくとも1つのパターン化された表面を形成するステップであり、前記高屈折率層と第2の隣接する低屈折率層との境界において前記高屈折率層の他方側に少なくとも1つのパターン化されていない表面を形成するステップと、
を含む広帯域ミラーの製造方法。 - 請求項11に記載の製造方法であり、
前記の交互配置を適用するステップが、高屈折率材料層及び低屈折率材料層を交互に適用するステップを含む、
製造方法。 - 請求項11又は12に記載の製造方法であり、
前記の少なくとも1つのパターン化された表面を形成するステップが、光電気化学(PEC)エッチングステップ、微細加工エッチングステップ、フォトリソグラフィエッチングステップ及びナノインプリントリソグラフィエッチングステップの何れかを含む、
製造方法。 - 請求項11乃至13のうち何れか1項に記載の製造方法であり、
前記の少なくとも1つのパターン化された表面を形成するステップが、前記パターン化された表面と後続する表面との間の境界において全反射を達成するような規則的な表面構造を形成するステップを含む、
製造方法。 - 請求項11乃至14のうち何れか1項に記載の製造方法であり、
前記誘電体層スタックが、シリコンダイオキサイド層及びシリコンナイトライド層を交互に適用するこのより構築される、
製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16165481 | 2016-04-15 | ||
EP16165481.9 | 2016-04-15 | ||
PCT/EP2017/058098 WO2017178299A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-04-05 | Broadband mirror |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019514219A true JP2019514219A (ja) | 2019-05-30 |
JP6704065B2 JP6704065B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=55806161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018554016A Active JP6704065B2 (ja) | 2016-04-15 | 2017-04-05 | 広帯域ミラー |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11302848B2 (ja) |
EP (1) | EP3443598B1 (ja) |
JP (1) | JP6704065B2 (ja) |
KR (1) | KR101986982B1 (ja) |
CN (1) | CN108886076B (ja) |
WO (1) | WO2017178299A1 (ja) |
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-
2017
- 2017-04-05 EP EP17715491.1A patent/EP3443598B1/en active Active
- 2017-04-05 US US16/093,560 patent/US11302848B2/en active Active
- 2017-04-05 CN CN201780023785.6A patent/CN108886076B/zh active Active
- 2017-04-05 WO PCT/EP2017/058098 patent/WO2017178299A1/en active Application Filing
- 2017-04-05 KR KR1020187032539A patent/KR101986982B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-05 JP JP2018554016A patent/JP6704065B2/ja active Active
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CN108886076A (zh) | 2018-11-23 |
EP3443598B1 (en) | 2019-08-14 |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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