RU2010129431A - Полупроводниковое светоизлучающее утройство со структурами вывода света - Google Patents

Полупроводниковое светоизлучающее утройство со структурами вывода света Download PDF

Info

Publication number
RU2010129431A
RU2010129431A RU2010129431/28A RU2010129431A RU2010129431A RU 2010129431 A RU2010129431 A RU 2010129431A RU 2010129431/28 A RU2010129431/28 A RU 2010129431/28A RU 2010129431 A RU2010129431 A RU 2010129431A RU 2010129431 A RU2010129431 A RU 2010129431A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor structure
type region
volume resonators
contact
reflective metal
Prior art date
Application number
RU2010129431/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2491682C2 (ru
Inventor
Орельен Дж. Ф. ДЭВИД (US)
Орельен Дж. Ф. ДЭВИД
Хенри Квонг-Хин ЧОЙ (US)
Хенри Квонг-Хин ЧОЙ
Джонатан Дж. ВЬЕРЕР (US)
Джонатан Дж. ВЬЕРЕР
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В., ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US), ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2010129431A publication Critical patent/RU2010129431A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2491682C2 publication Critical patent/RU2491682C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Устройство, содержащее: ! полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; ! отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединенный к области p-типа; ! материал, расположенный между по меньшей мере частью отражательного металлического контакта и областью p-типа, при этом разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,4; ! в котором по меньшей мере часть верхней стороны полупроводниковой структуры текстурирована; ! расстояние между текстурированной частью верхней стороны полупроводниковой структуры и отражательным металлическим контактом является меньшим, чем 5 мкм; ! полупроводниковая структура включает в себя объемные резонаторы, заполненные металлом, объемные резонаторы направляют первый свет, падающий под первым углом падения, во второй свет, падающий под вторым углом падения, второй угол падения является меньшим, чем первый угол падения; ! первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся с отражательным металлическим контактом, и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа; и ! второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области и отражательного металлического контакта. ! 2. Устройство по п.1, в котором разность между показателем преломле�

Claims (15)

1. Устройство, содержащее:
полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа;
отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединенный к области p-типа;
материал, расположенный между по меньшей мере частью отражательного металлического контакта и областью p-типа, при этом разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,4;
в котором по меньшей мере часть верхней стороны полупроводниковой структуры текстурирована;
расстояние между текстурированной частью верхней стороны полупроводниковой структуры и отражательным металлическим контактом является меньшим, чем 5 мкм;
полупроводниковая структура включает в себя объемные резонаторы, заполненные металлом, объемные резонаторы направляют первый свет, падающий под первым углом падения, во второй свет, падающий под вторым углом падения, второй угол падения является меньшим, чем первый угол падения;
первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся с отражательным металлическим контактом, и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа; и
второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области и отражательного металлического контакта.
2. Устройство по п.1, в котором разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,7.
3. Устройство по п.1, в котором поверхность раздела между полупроводниковой структурой и материалом отражает свет, падающий на поверхность раздела под углами, большими, чем 70° относительно перпендикуляра к основной плоскости светоизлучающего слоя.
4. Устройство по п.1, в котором комбинированная отражательная способность материала и отражательного металлического контакта в области p-типа является большей, чем отражательная способность отражательного металлического контакта в непосредственном соприкосновении с областью p-типа.
5. Устройство по п.1, в котором потери за полный обход в материале являются меньшими, чем потери волны оптического спектра, отражающейся от отражательного металлического контакта в непосредственном соприкосновении с областью p-типа.
6. Устройство по п.1, в котором объемные резонаторы разнесены менее чем на 2 мкм.
7. Устройство по п.1, в котором толщина материала является меньшей, чем 500 нм.
8. Устройство по п.1, в котором толщина материала является большей, чем 40 нм и меньшей, чем половина длины волны света, испускаемого светоизлучающим слоем.
9. Устройство по п.1, в котором:
толщина материала является большей, чем половина длины волны света, испускаемого светоизлучающим слоем, из условия чтобы свет, падающий на материал в диапазоне углов падения, захватывался в материале; и
полупроводниковая структура минимизирует количество света, испускаемого в диапазоне углов падения.
10. Устройство, содержащее:
полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой III-нитрида, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; и
множество объемных резонаторов, тянущихся в полупроводниковую структуру, при этом, объемные резонаторы заполнены металлом и отражают свет, падающий на поверхность раздела под углами, большими, чем 70° относительно перпендикуляра к основной плоскости светоизлучающего слоя;
при этом первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся областью p-типа, и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа; и
второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области.
11. Устройство по п.10, дополнительно содержащее отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры, при этом множество объемных резонаторов тянутся с нижней стороны полупроводниковой структуры к верхней стороне полупроводниковой структуры или тянутся с верхней стороны полупроводниковой структуры к нижней стороне полупроводниковой структуры.
12. Устройство по п.10, в котором объемные резонаторы наделены размером таким, что фотон, движущийся в пределах полупроводниковой структуры, не мог проходить дальше, чем на 50 мкм до взаимодействия с объемным резонатором.
13. Устройство по п.10, в котором боковые стенки ориентированы под углом между 35 и 55° относительно основной поверхности светоизлучающего слоя.
14. Устройство по п.10, в котором ближайшие соседние объемные резонаторы разнесены на между 10 и 300 мкм в разные стороны.
15. Устройство по п.10, в котором боковые стенки объемных резонаторов сделаны шероховатыми.
RU2010129431/28A 2007-12-19 2008-12-18 Полупроводниковое светоизлучающее устройство со структурами вывода света RU2491682C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/960,180 2007-12-19
US11/960,180 US7985979B2 (en) 2007-12-19 2007-12-19 Semiconductor light emitting device with light extraction structures
PCT/IB2008/055430 WO2009095748A2 (en) 2007-12-19 2008-12-18 Semiconductor light emitting device with light extraction structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010129431A true RU2010129431A (ru) 2012-01-27
RU2491682C2 RU2491682C2 (ru) 2013-08-27

Family

ID=40787530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010129431/28A RU2491682C2 (ru) 2007-12-19 2008-12-18 Полупроводниковое светоизлучающее устройство со структурами вывода света

Country Status (9)

Country Link
US (6) US7985979B2 (ru)
EP (1) EP2225784B1 (ru)
JP (1) JP5555174B2 (ru)
KR (4) KR20180027622A (ru)
CN (1) CN101904019B (ru)
BR (1) BRPI0822034A2 (ru)
RU (1) RU2491682C2 (ru)
TW (1) TWI499075B (ru)
WO (1) WO2009095748A2 (ru)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4829190B2 (ja) * 2007-08-22 2011-12-07 株式会社東芝 発光素子
JP5284036B2 (ja) * 2007-11-14 2013-09-11 キヤノン株式会社 発光装置
US7985979B2 (en) * 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
JP5282503B2 (ja) * 2008-09-19 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US20100327300A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
US8476658B2 (en) * 2009-11-25 2013-07-02 Jing Jie Dai Semiconductor light-emitting devices
KR101761385B1 (ko) * 2010-07-12 2017-08-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120040448A (ko) * 2010-10-19 2012-04-27 삼성엘이디 주식회사 수직형 발광 소자
CN103189680B (zh) * 2010-11-30 2015-04-15 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
DE102011003684A1 (de) * 2011-02-07 2012-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchip
JP5050109B2 (ja) * 2011-03-14 2012-10-17 株式会社東芝 半導体発光素子
TWI411136B (zh) 2011-05-10 2013-10-01 Lextar Electronics Corp 半導體發光結構
JP6025367B2 (ja) * 2011-05-12 2016-11-16 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子
JP5117596B2 (ja) * 2011-05-16 2013-01-16 株式会社東芝 半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法
CN102299243A (zh) * 2011-09-14 2011-12-28 青岛理工大学 一种薄膜倒装光子晶体led芯片及其制造方法
JP2013073887A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Canon Inc 表示装置
CN104040735B (zh) 2011-10-06 2017-08-25 皇家飞利浦有限公司 半导体发光器件的表面处理
US9818912B2 (en) 2011-12-12 2017-11-14 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective contact
US9184346B2 (en) 2011-12-12 2015-11-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective contact
EP2823515A4 (en) * 2012-03-06 2015-08-19 Soraa Inc LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS
JP5462333B1 (ja) * 2012-09-21 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
DE102012111573A1 (de) * 2012-11-29 2014-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US9768357B2 (en) 2013-01-09 2017-09-19 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
US10276749B2 (en) 2013-01-09 2019-04-30 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
WO2014110197A1 (en) 2013-01-09 2014-07-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
TWI557942B (zh) 2013-02-04 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 發光二極體
US9425359B2 (en) 2013-02-04 2016-08-23 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
US9548424B2 (en) 2013-02-04 2017-01-17 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
JP2016513882A (ja) 2013-03-13 2016-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 多孔質の反射性コンタクトを作製する方法及び装置
TWI575776B (zh) 2013-05-24 2017-03-21 晶元光電股份有限公司 具有高效率反射結構之發光元件
TWI611602B (zh) * 2013-05-24 2018-01-11 晶元光電股份有限公司 具有高效率反射結構之發光元件
TWI550909B (zh) 2014-03-21 2016-09-21 A flip chip type light emitting diode and a method for manufacturing the same, and a flip chip type structure thereof
US10439028B2 (en) * 2014-07-22 2019-10-08 Flosfia, Inc. Crystalline semiconductor film, plate-like body and semiconductor device
JP6156402B2 (ja) 2015-02-13 2017-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6010169B2 (ja) * 2015-03-31 2016-10-19 株式会社東芝 半導体発光素子
KR102554702B1 (ko) * 2015-08-25 2023-07-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
WO2017087315A1 (en) 2015-11-20 2017-05-26 Koninklijke Philips N.V. Contact etching and metallization for improved led device performance and reliability
KR20170091334A (ko) * 2016-02-01 2017-08-09 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102521625B1 (ko) * 2016-06-30 2023-04-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
JP7209339B2 (ja) * 2016-06-10 2023-01-20 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 半導体素子
US11348908B2 (en) 2016-08-17 2022-05-31 The Regents Of The University Of California Contact architectures for tunnel junction devices
US11211525B2 (en) 2017-05-01 2021-12-28 Ohio State Innovation Foundation Tunnel junction ultraviolet light emitting diodes with enhanced light extraction efficiency
US20190237629A1 (en) 2018-01-26 2019-08-01 Lumileds Llc Optically transparent adhesion layer to connect noble metals to oxides
US11112652B2 (en) * 2018-12-11 2021-09-07 Lg Display Co., Ltd. Backlight unit and display device including the same technical field

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5400354A (en) * 1994-02-08 1995-03-21 Ludowise; Michael Laminated upper cladding structure for a light-emitting device
JPH07254732A (ja) 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE19629920B4 (de) * 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
US5917202A (en) * 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
JP3342322B2 (ja) * 1996-11-27 2002-11-05 シャープ株式会社 Ｌｅｄ素子表示装置の製造方法
US6091085A (en) * 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6903376B2 (en) * 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
US6277665B1 (en) * 2000-01-10 2001-08-21 United Epitaxy Company, Ltd. Fabrication process of semiconductor light-emitting device with enhanced external quantum efficiency
TW465123B (en) * 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
TWI292227B (en) * 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
US6611002B2 (en) * 2001-02-23 2003-08-26 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods including backside vias
CN1284250C (zh) * 2001-03-21 2006-11-08 三菱电线工业株式会社 半导体发光元件
US6630689B2 (en) * 2001-05-09 2003-10-07 Lumileds Lighting, U.S. Llc Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa
US6455878B1 (en) * 2001-05-15 2002-09-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill
EP1263058B1 (en) 2001-05-29 2012-04-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
JP3767420B2 (ja) * 2001-05-29 2006-04-19 豊田合成株式会社 発光素子
TW564584B (en) * 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
JP3659201B2 (ja) * 2001-07-11 2005-06-15 ソニー株式会社 半導体発光素子、画像表示装置、照明装置及び半導体発光素子の製造方法
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US6967359B2 (en) * 2001-09-13 2005-11-22 Japan Science And Technology Agency Nitride semiconductor substrate production method thereof and semiconductor optical device using the same
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
TW516248B (en) * 2001-12-21 2003-01-01 Epitech Technology Corp Nitride light emitting diode with spiral-shaped metal electrode
US6869820B2 (en) * 2002-01-30 2005-03-22 United Epitaxy Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of making the same
RU2286618C2 (ru) * 2002-07-16 2006-10-27 Борис Анатольевич Матвеев Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра
US6995032B2 (en) * 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
US6878969B2 (en) 2002-07-29 2005-04-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device
JP4211329B2 (ja) * 2002-09-02 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子および発光素子の製造方法
AU2003252359A1 (en) 2002-08-01 2004-02-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing same and light-emitting apparatus using same
US6958498B2 (en) * 2002-09-27 2005-10-25 Emcore Corporation Optimized contact design for flip-chip LED
US7071494B2 (en) * 2002-12-11 2006-07-04 Lumileds Lighting U.S. Llc Light emitting device with enhanced optical scattering
DE10304852B4 (de) * 2003-02-06 2007-10-11 Siemens Ag Röntgen-Monochromator für eine Röntgeneinrichtung
US7102175B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
US6969874B1 (en) * 2003-06-12 2005-11-29 Sandia Corporation Flip-chip light emitting diode with resonant optical microcavity
TWI312582B (en) * 2003-07-24 2009-07-21 Epistar Corporatio Led device, flip-chip led package and light reflecting structure
US7683386B2 (en) * 2003-08-19 2010-03-23 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device with protrusions to improve external efficiency and crystal growth
KR101127314B1 (ko) * 2003-11-19 2012-03-29 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체소자
JP2005191099A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード装置
TWI244221B (en) 2004-03-01 2005-11-21 Epistar Corp Micro-reflector containing flip-chip light emitting device
EP1733439B1 (en) 2004-03-18 2013-05-15 Panasonic Corporation Nitride based led with a p-type injection region
US20050205883A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Wierer Jonathan J Jr Photonic crystal light emitting device
KR100568297B1 (ko) * 2004-03-30 2006-04-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100631840B1 (ko) 2004-06-03 2006-10-09 삼성전기주식회사 플립칩용 질화물 반도체 발광소자
US7582910B2 (en) * 2005-02-28 2009-09-01 The Regents Of The University Of California High efficiency light emitting diode (LED) with optimized photonic crystal extractor
KR100896564B1 (ko) * 2004-08-31 2009-05-07 삼성전기주식회사 반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
US7633097B2 (en) * 2004-09-23 2009-12-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates
US7352006B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
US7274040B2 (en) * 2004-10-06 2007-09-25 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices
KR100601138B1 (ko) * 2004-10-06 2006-07-19 에피밸리 주식회사 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
TWI257714B (en) * 2004-10-20 2006-07-01 Arima Optoelectronics Corp Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
KR100862453B1 (ko) * 2004-11-23 2008-10-08 삼성전기주식회사 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자
DE102004057802B4 (de) * 2004-11-30 2011-03-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit Zwischenschicht
US20070145386A1 (en) * 2004-12-08 2007-06-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
JP4678211B2 (ja) * 2005-02-28 2011-04-27 三菱化学株式会社 発光装置
KR100631976B1 (ko) * 2005-03-30 2006-10-11 삼성전기주식회사 ３족 질화물 발광 소자
KR100631981B1 (ko) * 2005-04-07 2006-10-11 삼성전기주식회사 수직구조 ３족 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
US20070108459A1 (en) 2005-04-15 2007-05-17 Enfocus Engineering Corp Methods of Manufacturing Light Emitting Devices
JP4244953B2 (ja) * 2005-04-26 2009-03-25 住友電気工業株式会社 発光装置およびその製造方法
DE102005048408B4 (de) 2005-06-10 2015-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterkörper
US7592637B2 (en) * 2005-06-17 2009-09-22 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with reflective electrode and side electrode
US7384808B2 (en) * 2005-07-12 2008-06-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
KR100721150B1 (ko) * 2005-11-24 2007-05-22 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP2007173579A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
WO2007105626A1 (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Works, Ltd. 発光素子
JP2007273975A (ja) * 2006-03-10 2007-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
US7573074B2 (en) * 2006-05-19 2009-08-11 Bridgelux, Inc. LED electrode
US8110838B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Spatial localization of light-generating portions in LEDs
US20090046479A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin Backlight Using Low Profile Side Emitting LED
KR100921466B1 (ko) * 2007-08-30 2009-10-13 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
US20090086508A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin Backlight Using Low Profile Side Emitting LEDs
KR100900288B1 (ko) * 2007-10-29 2009-05-29 엘지전자 주식회사 발광 소자
TWI381547B (zh) * 2007-11-14 2013-01-01 Advanced Optoelectronic Tech 三族氮化合物半導體發光二極體及其製造方法
US7985979B2 (en) * 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
US8592800B2 (en) * 2008-03-07 2013-11-26 Trustees Of Boston University Optical devices featuring nonpolar textured semiconductor layers
KR100882240B1 (ko) * 2008-09-11 2009-02-25 (주)플러스텍 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US9640728B2 (en) * 2010-02-09 2017-05-02 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
TWI762930B (zh) * 2010-02-09 2022-05-01 晶元光電股份有限公司 光電元件
KR101692410B1 (ko) * 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US9196763B2 (en) * 2013-10-30 2015-11-24 Terahertz Device Corporation Efficient light extraction from weakly-coupled dielectric buttes

Also Published As

Publication number Publication date
TWI499075B (zh) 2015-09-01
BRPI0822034A2 (pt) 2015-07-21
US8242521B2 (en) 2012-08-14
KR20180027622A (ko) 2018-03-14
KR101600384B1 (ko) 2016-03-08
TW200937688A (en) 2009-09-01
US10164155B2 (en) 2018-12-25
WO2009095748A2 (en) 2009-08-06
WO2009095748A9 (en) 2009-11-19
EP2225784B1 (en) 2019-09-25
US9142726B2 (en) 2015-09-22
KR101702500B1 (ko) 2017-02-06
US20090159908A1 (en) 2009-06-25
KR20170024064A (ko) 2017-03-06
CN101904019B (zh) 2013-08-07
WO2009095748A3 (en) 2010-01-07
US7985979B2 (en) 2011-07-26
JP5555174B2 (ja) 2014-07-23
US10734553B2 (en) 2020-08-04
US20180053880A1 (en) 2018-02-22
US20110241056A1 (en) 2011-10-06
JP2011508414A (ja) 2011-03-10
US20120267668A1 (en) 2012-10-25
CN101904019A (zh) 2010-12-01
KR20160030325A (ko) 2016-03-16
KR20110085875A (ko) 2011-07-27
EP2225784A2 (en) 2010-09-08
US20150364654A1 (en) 2015-12-17
US20190280161A1 (en) 2019-09-12
RU2491682C2 (ru) 2013-08-27
US9935242B2 (en) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010129431A (ru) Полупроводниковое светоизлучающее утройство со структурами вывода света
US10074786B2 (en) LED with scattering features in substrate
US8354682B2 (en) Radiation emitting element
TWI462333B (zh) 用於反射來自發光二極體的多重波長光線之分配型布拉格反射器
TWI271883B (en) Light-emitting devices with high extraction efficiency
CN100379043C (zh) 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法
JP2008047906A5 (ru)
US20210095833A1 (en) Backlight unit
US9559250B2 (en) Enhanced light extraction
US11641007B2 (en) Light-emitting device with internal non-specular light redirection and anti-reflective exit surface
RU2010109930A (ru) Интерферометрический фотогальванический элемент
TWI473298B (zh) 半導體發光元件及覆晶式封裝元件
JP2012044132A (ja) 光学密度の高い材料によるコーティング基板を有する発光器具
US20080247172A1 (en) Light recycling illumination systems having restricted angular output
CN101257077B (zh) 具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件
RU2728830C2 (ru) Светоизлучающее устройство
CN110726122B (zh) 波长转换装置和光源装置
KR20090099543A (ko) 에지 방출 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조 및 사용 방법
KR20110067311A (ko) 반사기들을 갖는 발광 다이오드 칩
JP5401452B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体チップ
KR20110059616A (ko) 광추출이 향상된 인버터 ｌｅｄ구조
TWI572057B (zh) A current blocking structure of a light emitting diode
CN105940505A (zh) 具有结构化衬底的发光二极管
CN114068786A (zh) 发光二极管及发光装置
KR100683924B1 (ko) 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner