RU2491682C2 - Полупроводниковое светоизлучающее устройство со структурами вывода света - Google Patents

Полупроводниковое светоизлучающее устройство со структурами вывода света Download PDF

Info

Publication number
RU2491682C2
RU2491682C2 RU2010129431/28A RU2010129431A RU2491682C2 RU 2491682 C2 RU2491682 C2 RU 2491682C2 RU 2010129431/28 A RU2010129431/28 A RU 2010129431/28A RU 2010129431 A RU2010129431 A RU 2010129431A RU 2491682 C2 RU2491682 C2 RU 2491682C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
type region
semiconductor structure
contact
layer
Prior art date
Application number
RU2010129431/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010129431A (ru
Inventor
Орельен Дж. Ф. ДЭВИД
Хенри Квонг-Хин ЧОЙ
Джонатан Дж. ВЬЕРЕР
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В., ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2010129431A publication Critical patent/RU2010129431A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2491682C2 publication Critical patent/RU2491682C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединенный к области p-типа; материал, расположенный между по меньшей мере частью отражательного металлического контакта и областью p-типа, причем разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,4; в котором по меньшей мере часть верхней стороны полупроводниковой структуры текстурирована; расстояние между текстурированной частью верхней стороны полупроводниковой структуры и отражательным металлическим контактом является меньшим чем 5 мкм; полупроводниковая структура включает в себя объемные резонаторы, заполненные металлом, объемные резонаторы направляют первый свет, падающий под первым углом падения, во второй свет, падающий под вторым углом падения, второй угол падения является меньшим, чем первый угол падения; первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся с отражательным металлическим контактом и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа; и второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области и отражательного металлического контакта. Также предложен второй вариант полупроводникового светоизлучающего устройства. Устройства согласно изобретению могут увеличивать вывод света, испускаемого под углами падения скольжения. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 15 ил.

Description

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
ОПИСАНИЕ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ ТЕХНИКИ
Полупроводниковые светоизлучающие устройства, в том числе светоизлучающие диоды (СИД, LED), светоизлучающие диоды с объемным резонатором, лазерные диоды с вертикальным резонатором (VCSEL) и лазеры краевого излучения находятся среди наиболее эффективных источников света, имеющихся в распоряжении в настоящее время. Системы материалов, интересные в производстве светоизлучающих устройств высокой яркости, способных к работе по всему видимому спектру, включают в себя полупроводники группы III-V, более точно, двойной, тройной и четвертной сплавы галлия, алюминия, индия и азота, также указываемые ссылкой как материалы III-нитрида. Типично III-нитридные светоизлучающие устройства изготавливаются эпитаксиальным выращиванием стопы полупроводниковых слоев разных составов и концентраций активирующих присадок на сапфире, карбиде кремния, III-нитриде или другой пригодной подложке химическим осаждением металлоорганических соединений из паровой фазы (MOCVD), эпитаксией молекулярным пучком (MBE) или другими эпитаксиальными технологиями. Стопа часто включает в себя один или более слоев n-типа, например, активированных Si, сформированных поверх подложки, один или более светоизлучающих слоев в активной области, сформированной поверх слоя или слоев n-типа, и один или более слоев p-типа, например, активированных Mg, сформированных поверх активной области. Электрические контакты формируются в областях n- и p-типа.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В соответствии с вариантами осуществления изобретения, в светоизлучающее устройство включены структуры, которые могут увеличивать вывод света, испускаемого под углами падения скольжения. Светоизлучающее устройство, например, может быть III-нитридным тонкопленочным светоизлучающим диодом с перевернутым кристаллом.
В некоторых вариантах осуществления, устройство включает в себя структуру, которая направляет свет от металлических контактов посредством полного внутреннего отражения. Например, устройство может включать в себя полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. Отражательный металлический контакт расположен на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединен к области p-типа. Материал с низким показателем расположен между по меньшей мере частью отражательного металлического контакта и областью p-типа. Разность в показателе преломления между материалом с низким показателем и областью p-типа и толщина слоя с низким показателем выбраны, чтобы обеспечивать полное внутреннее отражение света с углами скольжения. Например, разность между показателем преломления у материала с низким показателем и показателем преломления у области p-типа может быть по меньшей мере 0,4. Поверхность раздела между полупроводниковой структурой и материалом с низким показателем сконфигурирована, чтобы эффективно отражать свет, падающий на поверхность раздела под углами скольжения, то есть, под углами, большими, чем 70°, относительно перпендикуляра к основной плоскости светоизлучающего слоя.
В некоторых вариантах осуществления, устройство включает в себя признаки вывода, которые могут непосредственно выводить свет с углами скольжения, или направлять свет с углами скольжения на меньшие углы падения, которые легче выводятся из устройства. Например, признаки могут быть объемными резонаторами в полупроводниковой структуре, которая тянется с верхней или нижней поверхности полупроводниковой структуры. Объемные резонаторы могут иметь боковые стенки, ориентированные под углом между 35 и 55° относительно основной поверхности светоизлучающего слоя. Боковые стенки объемных резонаторов могут быть полностью или частично облицованы диэлектрическим материалом. Объемные резонаторы могут быть заполнены металлом. В некоторых вариантах осуществления, металл создает электрический контакт с областью n-типа.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 иллюстрирует III-нитридное тонкопленочное светоизлучающее устройство с перевернутым кристаллом.
Фиг.2 иллюстрирует III-нитридное устройство со световым кристаллом, сформированным на верхней поверхности.
Фиг.3 иллюстрирует устройство с непроводящим слоем с низким показателем, расположенным между полупроводниковой структурой и металлическим контактом.
Фиг.4 иллюстрирует устройство с проводящим слоем с низким показателем, расположенным между полупроводниковой структурой и металлическим контактом.
Фиг.5 иллюстрирует устройство с окисленным слоем с низким показателем, сформированным в части полупроводниковой структуры.
Фиг.6 иллюстрирует устройство, включающее в себя признаки вывода света, которые тянутся в полупроводниковую структуру с поверхности, на которой сформирован p-контакт.
Фиг.7 иллюстрирует устройство, включающее в себя признаки вывода света, которые тянутся в полупроводниковую структуру от поверхности, с которой свет выходит из устройства.
Фиг.8 - график вывода в качестве функции угла падения, который иллюстрирует эффективность однопроходного вывода для плоской волны, падающей на световой кристалл GaN/воздух (чей период и глубина имеют порядок длины волны).
Фиг.9 - график вывода в качестве функции угла падения, который иллюстрирует однопроходное зеркальное отражение (например, порцию света, которая подвергается обратному рассеянию с таким же углом, как ее угол падения) для такой же структуры, как Фиг.8.
Фиг.10 - график отражающей способности в качестве функции угла падения для устройства с областью p-типа из GaN, слоем с низким показателем из SiO2 и контактом из Ag, для трех разных толщин SiO2.
Фиг.11 иллюстрирует устройство, включающее в себя признаки вывода света, покрытые тонким диэлектрическим слоем и заполненные металлом.
Фиг.12 иллюстрирует устройство, включающее в себя признаки вывода света, которые частично покрыты диэлектрическим слоем и также служат в качестве n-контактов.
Фиг.13 - вид сверху компоновки признаков вывода света и n-контактов в устройстве.
Фиг.14A и 14B иллюстрируют световые лучи, падающие на поверхность раздела GaN/материала с низким показателем/металла. Фиг.14A показывает два луча, распространяющихся в тонком слое с низким показателем. Фиг.14B показывает луч, распространяющийся в толстом слое с низким показателем.
Фиг.15 иллюстрирует отражающую способность в качестве функции угла падения и толщины t слоя SiO2 для структуры GaN/SiO2/Ag.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
Фиг.1 иллюстрирует III-нитридный тонкопленочный СИД с перевернутым кристаллом, более подробно описаны в патенте 7256483 США, который включен в материалы настоящей заявки посредством ссылки. Слои 16 n-типа, активный слой 18 и слои 20 p-типа выращиваются поверх любой пригодной подложки, например, такой как сапфир или SiC. Поверхность p-слоя является сильно активированной для формирования омического контакта со слоем 24 металлизации кристалла (например, Ag). Металлизация 24 может быть высокоотражательной по отношению к свету, испускаемому активным слоем. части p-слоя 20 и активного слоя 18 вытравлены во время процесса формирования СИД, и металл 50 (слой металлизации плюс связующий металл) соприкасается с n-слоем 16 на той же стороне устройства, что и металл 24 p-контакта.
n-металл 50 и p-металл 24 присоединены к площадкам 22 на подложке 12 корпуса. Незаполненный материал 52 может быть размещен в полостях под СИД для создания температурных градиентов на СИД, чтобы добавлять механической прочности креплению и чтобы предохранять загрязняющие вещества от соприкосновения с материалом СИД. Технологией соединения может быть пайка, термокомпрессионная сварка, взаимная диффузия или матрица золотых контактных выпуклостей, присоединенная ультразвуковой сваркой. Комбинация металлизации кристалла и связующего материала показана в качестве металлов 24 и 50, и может включать в себя диффузионный барьер или другие слои для защиты оптических свойств слоя металлизации, смежного полупроводниковому материалу. Подложка 12 корпуса может быть сформирована из электрически изолирующего материала AlN, с золотыми контактными площадками 22, присоединенными к припаиваемым электродам 26 с использованием переходных отверстий 28 и/или металлических дорожек. В качестве альтернативы, подложка 12 корпуса может быть сформирована из проводящего материала, если пассивирован для предотвращения короткого замыкания, такого как анодированный AlSiC. Подложка 12 корпуса может быть теплопроводящей, чтобы действовать в качестве радиатора или чтобы отводить тепло на больший радиатор.
Ростовая подложка может удаляться с использованием эксимерного лазерного пучка. Лазерный пучок расплавляет материал GaN на его поверхности раздела с ростовой подложкой, предоставляя ростовой подложке возможность затем вспучиваться. В качестве альтернативы, ростовая подложка может удаляться травлением, таким как RIE-травление (реактивное ионное травление), технологиями вспучивания, такими как вытравливание слоя между ростовой подложкой и слоями СИД, либо пришлифовыванием.
Подвергнутый воздействию относительно толстый слой 16 GaN по выбору утончается травлением с использованием сухого травления, такого как RIE. В одном из примеров, толщина слоя 16 GaN, являющегося вытравливаемым, имеет значение 7 мкм, и травление уменьшает толщину слоя 16 GaN до приблизительно 1 мкм. Если начальная толщина всех эпитаксиальных слоев СИД имеет значение 9 мкм, в этом случае, травление заставляет суммарную толщину слоев СИД быть 3 мкм. Суммарная толщина полупроводниковой структуры в готовом устройстве может быть 10 мкм или меньше в некоторых вариантах осуществления, 5 мкм или меньше в некоторых вариантах осуществления, 2 мкм или меньше в некоторых вариантах осуществления и 1 мкм или меньше в некоторых вариантах осуществления. Процесс утончения устраняет повреждение, вызванное процессом лазерного вспучивания, и уменьшает толщину оптически поглощающих слоев, которые больше не нужны, таких как низкотемпературный слой образования центров кристаллизации GaN и прилегающие слои. Весь или часть слоя покрытия n-типа, прилегающего к активной области, оставляется нетронутой.
Верхняя поверхность СИД (n-слой 16) текстурирована для повышенного вывода света. В одном из вариантов осуществления, слой 16 вытравливается фотоэлектрохимическим образом с использованием раствора 46 KOH. Это формирует «бесцветную» шероховатость на поверхности GaN (имеющую активирование Si n-типа). Этот процесс травления также может использоваться для дополнительного утончения n-слоя 16 останавливаться при предопределенной толщине с использованием слоя остановки травления, выращенного во время процесса формирования СИД, оставляя гладкую поверхность. Этот последний подход полезен для конструкций резонансных устройств. Что касается таких устройств, зеркальная стопа (например, брэгговский отражатель) далее может наноситься поверх поверхности СИД. Дополнительные технологии вывода света могли бы включать в себя травление с формированием рисунка микронной или нанометрической градации (луночный или световой кристалл).
В устройстве, проиллюстрированном на Фиг.1, вообще, характеристический размер текстурирования поверхности на поверхности с беспорядочным текстурированием или с упорядоченным текстурированием находится порядка одной длины волны света, испускаемого активной областью. Рабочие характеристики таких устройств зависят от относительной эффективности процесса вывода света и процесса поглощения в устройстве, такого как поглощение активной областью и металлическими контактами. Процессы поглощения типично достигают нескольких процентов (от 1 до 10%) за отражение. Вывод света из устройства является эффективным, если скорость вывода света за отражение является более интенсивной, чем скорость поглощения за отражение.
Вывод света из текстурированной поверхности может сильно зависеть от угла падения света. Свет, падающий на поверхность под малыми углами относительно перпендикуляра к верхней поверхности, показанный на Фиг.2 в качестве света 30, легко выводится. Свет, падающий на поверхность под большими углами относительно перпендикуляра к верхней поверхности, в материалах настоящей заявки указываемый ссылкой как свет с углами скольжения, показанный на Фиг.2 в качестве света 32, более труден для вывода. Большая часть света с углами скольжения отражается обратно в СИД, зеркальным отражением или обратным рассеянием, как проиллюстрировано на Фиг.2. Отраженный свет восприимчив к поглощению. Эффективность вывода света с углами скольжения, например, падающего в диапазоне углов между 70 и 90° относительно перпендикуляра к верхней поверхности устройства, имеет значение всего лишь в несколько процентов. Это проиллюстрировано на Фиг.8, которая показывает однопроходной вывод для плоской волны, падающей на световой кристалл, в зависимости от угла (0° - перпендикуляр к плоскости поверхности вывода света, то есть, верхней поверхности области 16 n-типа). При больших углах (косых углах), вывод является меньшим, чем при малых углах, таким образом, требуя большего количества отражений для вывода.
Свет, который подвергается обратному рассеянию под углами скольжения, главным образом, подвергается зеркальному отражению (в противоположность диффузному рассеянию) и сохраняет тот же самый угол падения. Это проиллюстрировано на Фиг.9, которая показывает однопроходное зеркальное отражение в зависимости от угла (0° - перпендикуляр к плоскости поверхности вывода света) для такой же структуры, как Фиг.8. Под углами скольжения, большая доля света подвергается зеркальному отражению. Текстурированная поверхность, поэтому, не является хорошим механизмом для преобразования света с углами скольжения в свет, распространяющийся под малыми углами, который легче выводится. Поскольку свет, испускаемый под углами скольжения падения, представляет значительную часть света, испускаемого устройством (около 40% в некоторых устройствах) желательно выводить свет с углами скольжения, для того чтобы улучшать эффективность вывода устройства. Хотя результаты, проиллюстрированные на Фиг.8 и 9, рассчитывались для конкретной геометрии верхней поверхности со сформированным рисунком устройства, тенденции, которые они иллюстрируют (то есть недостаточный вывод и большое обратное рассеяние под углами скольжения), остаются в силе для многообразия геометрий рельефной поверхности.
В соответствии с вариантами осуществления изобретения, в III-нитридное тонкопленочное светоизлучающее устройство с перевернутым кристаллом включены структуры, которые могут увеличивать вывод света, испускаемого под углами скольжения падения. В некоторых вариантах осуществления, устройство включает в себя структуру, которая направляет свет от металлических контактов посредством полного внутреннего отражения. В некоторых вариантах осуществления, устройство включает в себя признаки вывода в пределах полупроводниковой структуры, которые могут непосредственно выводить свет с углами скольжения, или направлять свет с углами скольжения на меньшие углы падения, которые легче выводятся из устройства.
Фиг.3 и 4 иллюстрируют устройства со слоем низкого показателя преломления, расположенным между по меньшей мере частью полупроводниковой структуры и металлическим p-контактом. В обоих устройствах, проиллюстрированных на Фиг.3 и 4, слой с низким показателем предпочтительно вызывает небольшие или никакие оптические потери. В некоторых вариантах осуществления, область p-типа, слой с низким показателем и p-контакт сконфигурированы, из условия чтобы комбинированная отражающая способность слоя с низким показателем и металла отражательного p-контакта в области p-типа была большей, чем отражающая способность металла отражательного p-контакта только в области p-типа.
Добавление слоя с низким показателем может улучшать отражающую способность контакта. Тип слоя с низким показателем и его толщина выбираются, из условия чтобы полное отражение света под полезными углами доводилось до максимума, имея следствием отражение, которое является превосходным по отношению к отражательному металлическому контакту без слоя с низким показателем. Фиг.14A и 14B иллюстрируют, каким образом свет под разными углами отражается от отражательного контакта со слоем с низким показателем/металлом. Луч 66 по Фиг.14A имеет угол падения, который является меньшим, чем критический угол θC между GaN 20 (n=nGaN) и слоем 36, 40 с низким показателем (n=nlow), заданный формулой θC = Sin-1(nlow/nGaN). Малая часть луча 66 способна отражаться непосредственно от слоя 36, 40 с низким показателем без потерь. Большая часть луча 66 пронизывает слой 36, 40 с низким показателем и отражается от металла 24. Что касается луча 66, потери за полный обход в слое 36, 40 с низким показателем (то есть, потери, когда свет проходит через слой с низким показателем, отражается от металлического слоя, затем, проходит обратно через слой с низким показателем) предпочтительно являются не большими, чем потери луча, отражающегося непосредственно от металлического слоя 24 из полупроводниковой структуры 20 (без промежуточного слоя с низким показателем). Эти потери определяют максимальную толщину для слоя с низким показателем - которая зависит от поглощения в слое с низким показателем - из условия чтобы отражающая способность полупроводника/слоя с низким показателем/металлического отражателя, была лучшей, чем отражающая способность полупроводника/металлического отражателя.
Луч 70 по Фиг.14B также находится в пределах критического угла, но слой 36, 40 с низким показателем является более толстым, а некоторые лучи могут резонансно захватываться в слое, который увеличивает их поглощение (металлом 24 или слоем 36, 40 с низким показателем). Этот эффект может понижать эффективную отражающую способность контакта, если показатели и толщины полупроводника 20, слоя 36, 40 с низким показателем и металлического слоя 24 не выбраны надлежащим образом. Поведение лучей 66 и 70 показано на Фиг.10 для слоя с низким показателем из SiO2. Фиг.10 - график отражающей способности в качестве функции угла падения для устройства с областью 20 p-типа из GaN, слоем 36 с низким показателем из SiO2 и контактом 24 из Ag. Три толщины SiO2 показаны на Фиг.10, 0 нм (то есть, слоя с низким показателем нет), 70 нм и 400 нм. Для тонкого слоя SiO2 (70 нм), нет резонансов ниже критического угла (<40°), и отражающая способность является гладкой функцией угла. Отражающая способность является более высокой, чем только для Ag. Для более толстого слоя SiO2 (400 нм), есть два резонанса ниже критического угла, где свет захватывается в SiO2 и отражающая способность страдает. Чтобы избежать этих резонансов, толщине слоя с низким показателем необходимо быть меньшей, чем толщина в половину длины волны в слое с низким показателем (с учетом фазового сдвига зеркала). Для большинства вариантов осуществления, толщина диэлектрического слоя является достаточно тонкой, чтобы избегать резонансов, например, меньшей, чем 100 нм. В других вариантах осуществления, диэлектрик является тонким и может поддерживать резонансы, но толщина полупроводниковых слоев выбирается, чтобы минимизировать или устранить испускание света под этими неблагоприятными углами.
Луч 68 по Фиг.14A показывает ситуацию, где угол падения является большим, чем критический угол, вызывая полное внутреннее отражение этого света с углами скольжения. Уменьшение количества света, который является падающим на металлический контакт посредством направления света в сторону посредством полного внутреннего отражения, увеличивает отражающую способность контакта под углами, большими, чем критический угол. Есть минимальная толщина для слоя с низким показателем, такая что может достигаться максимум отражающей способности. Выше угла для полного внутреннего отражения, свет является нераспространяющейся волной в слое с низким показателем, с экспоненциальной длиной затухания Ldecay=λ/[2π√(nGaN 2sin2θ - nlow 2)] - где λ - длина волны (в вакууме), θ - угол света, а nGaN и nlow - оптические показатели p-материала и слоя с низким показателем, соответственно. Свет не испытывает зеркальных потерь, если толщина слоя с низким показателем достаточно велика по сравнению с Ldecay. Обычно, Ldecay ~ 40-80 нм в зависимости от значения θ и nlow. В некоторых вариантах осуществления, толщина слоя с низким показателем является по меньшей мере удвоенной Ldecay. В других вариантах осуществления, толщина имеет значение по меньшей мере Ldecay.
Эффективность вывода устройства улучшается посредством улучшения любой или обеих, отражающей способности света, идущего по углами падения, меньшими, чем критический угол (лучи 66 и 70 на Фиг.14A и 14B, приведенных выше), или большими, чем критический угол (луч 68 на Фиг.14A, приведенной выше). Фиг.15 обобщает результаты, описанные выше, в случае структуры GaN/SiO2/Ag. Для толщины t < 100 нм SiO2, нет резонансов, и отражающая способность везде возрастает в зависимости от t. Для большего t, появляются резонансы и уменьшают отражающую способность при некоторых углах. Два варианта осуществления представлены двумя пунктирными линиями, соответствующими t = 100 нм и t = 200 нм. Эти толщины соответствуют отсутствию резонанса и одного резонанса в слое SiO2, соответственно, и оба обеспечивают очень высокую отражающую способность (> 99,9% для углов, больших, чем 50°).
Полупроводниковый материал на поверхности раздела со слоем с низким показателем типично является GaN p-типа, который имеет показатель преломления приблизительно 2,4. В некоторых вариантах осуществления, слой с низким показателем имеет показатель, n, преломления в 2 или меньший, более предпочтительно, 1,7 или меньший. Имея показатель 2 или меньший для слоя с низким показателем, критический угол ограничивается не большим, чем ~55°. Поэтому, весь свет под углами, большими, чем критический угол, подвергается полному внутреннему отражению с максимальной отражающей способностью. Это включает в себя свет с углами скольжения - который наиболее труден для вывода, как показано на Фиг.8. Слою с низким показателем необходимо быть толстым только настолько, насколько требуется, чтобы вызывать полное внутреннее отражение света с углами скольжения.
В устройстве, проиллюстрированном на Фиг.3, области 36 непроводящего слоя с низким показателем, расположены между областью 20 p-типа и p-контактом 24. Примеры подходящих слоев с низким показателем включают в себя диэлектрики, такие как SiO2 (n = 1,5), SiN, TiO2 или Al2O3, и полупроводники, такие как ZnO. Диэлектрический слой с низким показателем должен быть достаточно толстым, чтобы обеспечивать отражение скользящего света (как описано выше); например, по меньшей мере 80 нм. В некоторых вариантах осуществления, диэлектрический слой с низким показателем является достаточно тонким, чтобы избегать резонансов, как описано выше, например, меньшим, чем 100 нм, или достаточно тонким, чтобы поддерживать только один резонанс, например, меньшим, чем 250 нм. В других вариантах осуществления, слой с низким показателем является более толстым и поддерживает резонансы, но толщина полупроводниковой структуры настраивается, чтобы избегать испускания света под углами, соответствующими резонансам, поддерживаемым слоем с низким показателем. В некоторых вариантах осуществления, отражающая способность света, падающего под меньшим, чем критический, углом, является большей, чем 95%. В некоторых вариантах осуществления, отражающая способность света, падающего под большим, чем критический, углом, является большей, чем 98%.
Диэлектрический слой с низким показателем может быть наложен на поверхность области 20 p-типа и подвергнут формированию рисунка перед формированием p-контакта 24. Полупроводниковый слой с низким показателем может быть выращен или нанесен на поверхности области 20 p-типа. Ток накачивается в полупроводниковую структуру в зазорах 38 между областями материала с низким показателем, где p-контакт 24 находится в непосредственном соприкосновении с областью 20 p-типа. Зазоры 38 достаточно велики и разнесены достаточно близко друг к другу, чтобы ток распространялся в области 20 p-типа из участков в соприкосновении с p-контактом 24 в участки, экранированные от p-контакта материалом 36 с низким показателем. Распространение тока в GaN p-типа является затруднительным, так как его удельное сопротивление является высоким, ~ 1 Ом/см. Чтобы контакту быть эффективным, зазорам необходимо быть достаточно близкими друг к другу, так что ток может распространяться под непроводящим слоем с низким показателем. Слои GaN p-типа в III-нитридных СИД имеют тенденцию быть тонкими (например, меньшими, чем 0,5 мкм), что также ограничивает возможности распространения тока у слоя. В некоторых вариантах осуществления, зазоры 38 могут быть по меньшей мере 100 нм в ширину и разнесенными менее чем на 2 мкм в некоторых устройствах, менее чем на 0,5 мкм в некоторых устройствах. Вообще, отношение площади зазоров к общей площади контакта удерживается низким для высокой отражающей способности, но достаточно высоким, чтобы обеспечивать эффективное распространение тока. В некоторых вариантах осуществления слой с низким показателем покрывает 50% или более от общей площади поверхности области p-типа. Проемы 38 в слое с низким показателем, например, могут быть сформированы технологиями оттиска, голографии или повторительной/сканирующей литографии.
В устройстве, проиллюстрированном на Фиг.3, и других устройствах, описанных в материалах настоящей заявки, ростовая подложка может удаляться из устройства. В вариантах осуществления, где ростовая подложка удаляется, верхняя поверхность 34 устройства, подвергнутая воздействию удалением подложки, может делаться беспорядочно шероховатой или может подвергаться формированию рисунка, например, со световым кристаллом. В некоторых вариантах осуществления, рисунок зазоров 38 может быть организован периодическим образом для увеличения или дополнения эффекта вывода света светового кристалла, сформированного на верхней поверхности. Например, параметры рисунка зазоров 38 (такие как тип кристаллической или квазикристаллической решетки, шаг, коэффициент заполнения, глубина и форма зазоров) могут настраиваться, чтобы выводить свет, который не выводится как следует световым кристаллом, сформированным на верхней поверхности 34. К тому же, параметры могут настраиваться, чтобы улучшать направленность этого выведенного света, так что он добавляется к направленному выводу света светового кристалла. В одном из вариантов осуществления, шаг и тип решетки рисунка зазоров 38 являются такими же, как у светового кристалла, например, шаг находится порядка от 200 до 600 нм.
В устройстве, проиллюстрированном на Фиг.4, проводящий слой 40 с низким показателем расположен между областью 20 p-типа и p-контактом 24. Так как слой 40 с низким показателем является проводящим, полная поверхность раздела между областью 20 p-типа и p-контактом 24 могут быть покрыты слоем 40 с низким показателем. Слой с низким показателем также создает хороший контакт со слоем 20 p-типа. Удельное сопротивление контакта предпочтительно имеет значение 1×10-2 Ом/см2 или меньшее.
В некоторых вариантах осуществления, слой 40 с низким показателем является активированным оксидом, таким как оксиды индия и олова (ITO, n = 1,5), InO, ZnO, GaxOy или CuO. Оксид может быть p-активированным или n-активированным, в каком случае, может использоваться туннельный переход в область p-типа. В некоторых вариантах осуществления, активирующая присадка является одной из составляющих оксида (таким как олово в ITO); в других, активирующая присадка является дополнительным элементом (таким как P для ZnO p-типа). Концентрация активирующей присадки достаточно высока, чтобы обеспечивать низкое сопротивление контакта и надлежащую электрическую накачку, но достаточно низка, чтобы избегать оптического поглощения. Например, количество олова в слое ITO может меняться между 0 и 10%.
В некоторых вариантах осуществления, тонкий слой другого материала (например, несколько ангстрем металла, такого как Ni) размещается между полупроводниковой структурой и слоем 40 с низким показателем, чтобы улучшать адгезию слоя с низким показателем к полупроводниковой структуре и чтобы улучшать удельное сопротивление контакта на поверхности раздела между оксидом и полупроводниковым материалом p-типа.
Для того, чтобы уменьшать показатель преломления, а потому, увеличивать различие показателей на поверхности раздела с полупроводником, оксидный слой с низким показателем может быть сделан пористым, например, посредством электрического, химического или электрохимического жидкостного травления. В качестве альтернативы, пористый слой с низким показателем может быть сформирован испарением под углом, имеющим следствием столбчатый рост с воздушными зазорами между столбцами. Поскольку слой 40 с низким показателем является тонким, он может быть резистивным. Например, слой 40 с низким показателем может иметь сопротивление вплоть до 1 Ом/см, которое сравнимо с сопротивлением GaN p-типа.
В некоторых вариантах осуществления, слой 40 с низким показателем является слоем эпитаксиально выращенного полупроводника. Типично, такой слой с низким показателем является III-нитридным слоем, таким как AlInGaN, AlGaN или AlInN, хотя возможны эпитаксиальные материалы без III-нитрида, такие как ZnO. Полупроводниковый слой с низким показателем может быть достаточно активирован, чтобы ток накачивался непосредственно с p-контакта 24 в область 20 p-типа через слой с низким показателем. В качестве альтернативы, в случае тонкого слегка активированного или неактивированного полупроводникового слоя с низким показателем, ток может накачиваться посредством туннельного эффекта. В случае туннельной накачки, поверхность области p-типа, прилегающая к полупроводниковому слою с низким показателем, может быть сильно активирована для содействия накачке.
В некоторых вариантах осуществления, полупроводниковый слой с низким показателем окисляется, для того чтобы уменьшать показатель преломления. Фиг.5 иллюстрирует часть устройства с окисленным слоем с низким показателем. Область 16 n-типа, светоизлучающая область 18 и область 20 p-типа выращены поверх подложки. Полупроводниковый слой 42, который может быть окислен, такой как AlInN, который может быть согласован по постоянной решетки по отношению к GaN, выращен поверх области 20 p-типа, сопровождаемой сильно активированным слоем 46 p-типа. Части сильно активированного слоя 46 удаляются для оголения участков лежащего в основе слоя, который должен быть окислен. Оставшиеся части высокоактивированного слоя 46 защищаются маской, используемой для формирования рисунка высокоактивированного слоя 46.
Участки полупроводникового слоя 42 затем окисляются, например, посредством подвергания кремниевой пластины, на которую может быть наплавлен небольшой элемент из In для токового доступа, действию раствора электролита нитрилтрехуксусной кислоты, растворенной в 0,3М раствора гидроксида калия в воде, для достижения значения pH в 8,5. Небольшая плотность тока в 20 мкА/см2 прикладывается при пороговом напряжении приблизительно в 3 В. Окисление движется в боковом направлении, например со скоростью между 5 и 20 мкм в час. Окисляются только участки полупроводникового слоя, подвергнутые воздействию формированием рисунка сильно активированного слоя 46. После окисления, области 44 окисления являются аморфными оксидными слоями, такими как AlxOy или AlxInyOz. По меньшей мере некоторое количество In в слое AlInN обычно остается в оксидном слое после окисления. In может окисляться или может не окисляться. Неокисленный полупроводниковый материал 42 остается между оксидными областями 44. Например, показатель AlInN, согласованного по постоянной решетки по отношению к GaN, имеет значение приблизительно 2,2 (различие показателей в 8% с GaN), наряду с тем, что показатель того же самого окисленного материала имеет значение около 1,8.
p-контакт 24 нанесен поверх структуры. Ток накачивается в светоизлучающую область 18 из p-контакта 24 в местах, где оставшиеся участи сильно активированного слоя 46 облицованы проводящими полупроводниковыми областями 42. Оксидные области 44 не являются проводящими, но вызывают полное отражение света, падающего на поверхность раздела между оксидными областями 44 и областью 20 p-типа. Проводящие полупроводниковые области 42 могут быть по меньшей мере 100 нм в ширину и разнесенными менее чем на 1 мкм, для того чтобы обеспечивать достаточное распространение тока в области 20 p-типа. Как в устройстве, проиллюстрированном на Фиг.3, рисунок оксидных областей 44 может быть организован периодическим образом для увеличения или дополнения эффекта светового кристалла, сформированного на верхней поверхности области 16 n-типа.
Расстояние между отражательным p-контактом 24 и светоизлучающей областью 18 может быть оптимизировано для управления диаграммой излучения внутри полупроводника и временем жизни носителей, а следовательно, влиять на эффективность вывода и диаграмму направленности в дальней зоне устройства. Размещение светоизлучающей области более подробно описано в патенте США под № 6903376, который включен в материалы настоящей заявки посредством ссылки. Добавление слоя с низким показателем может увеличивать оптическую длину от светоизлучающих слоев до отражателя. Для достижения оптимизированной диаграммы излучения, фазовому сдвигу света от центра светоизлучающей области 18 до металлического зеркала 24 (включая фазовый сдвиг металла) необходимо быть резонансным, как в СИД с объемным резонатором. В некоторых вариантах осуществления, оптическое расстояние между центром светоизлучающей области 18 и металлическим отражателем 24 является кратным четному количеству четвертных длин волн света, испускаемого светоизлучающей областью 18, минус фаза отражательного металла 24.
Фиг.6, 7, 11 и 12 иллюстрируют устройства, включающие в себя признаки вывода, которые могут непосредственно выводить свет с углами скольжения, или направлять свет с углами скольжения на меньшие углы падения, которые легче выводятся из устройства. Устройства по Фиг.6, 7, 11 и 12 включают в себя макроскопические признаки вывода света, тянущиеся с верхней или нижней поверхности полупроводниковой структуры. Признаки вывода света, например, могут быть выпуклостями или конусами, которые прерывают полупроводниковую структуру. Признаки, проиллюстрированные на Фиг.6, 11 и 12 могут быть объемными резонаторами, вытравленными в полупроводниковой структуре одновременно с мезаструктурой, в которой сформирован n-контакт.
В устройстве, проиллюстрированном на Фиг.6, показаны два признака 48 и 54 вывода света. Размер, форма и интервал признаков вывода света выбраны, чтобы направлять свет с углами скольжения из устройства, как проиллюстрировано лучом 60, или в на меньший угол падения, где он может легче выводиться. Признаки вывода света могут тянуться через полную толщину, как проиллюстрировано признаком 48, хотя и не должны, как проиллюстрировано признаком 54. В некоторых вариантах осуществления, более высокие признаки более эффективно перенаправляют свет с углами скольжения, так как меньшая часть света с углами скольжения может распространяться над признаком, будучи не перенаправленной. Признаки, проиллюстрированные на Фиг.6, заполнены диэлектрическим материалом, или воздухом. Диэлектрический материал может быть сформирован в признакам одновременно с диэлектрическим слоем 56, который нанесен и подвергнут формированию рисунка для электрической изоляции n-контакта 50 от светоизлучающей области и области p-типа.
В устройстве, проиллюстрированном на Фиг.11, признак 57 облицован тонким диэлектрическим слоем (с толщиной порядка длины волны, или меньшей) и заполнен отражательным металлом, нанесенным одновременно с p-контактом 24. Как описано выше, диэлектрический слой сохраняется тонким, и его точная толщина настраивается, для того чтобы избежать оптических резонансов, как проиллюстрированные на Фиг.10, и, таким образом, гарантировать хорошую отражающую способность.
В устройстве, проиллюстрированном на Фиг.12, диэлектрический слой не присутствует на верхней поверхности признака вывода, так что электрический контакт создан между металлической облицовкой признака и областью 16 p-типа. Признак, в таком случае, может использоваться в качестве n-контакта, заменяя традиционные n-контакты устройства или дополняя их. В таких вариантах осуществления, признак вывода электрически изолирован от p-контакта под слоями устройства, например, диэлектрическим слоем, нанесенным одновременно с диэлектрическим слоем, используемым для покрытия признака.
Расстояние между соседними признаками является достаточно коротким, чтобы свет с углами скольжения достигал признаков, будучи не поглощенным в структуре. Эти признаки разнесены гораздо дальше, например, между 10 и 300 мкм порознь, чем признаки, например, сформированные в световом кристалле на верхней поверхности 34 устройства, которые разнесены, например, менее чем на 1 мкм. Устройства с большим поглощением требуют меньших расстояний. Поглощение зависит от отражающей способности зеркал и металла в устройстве, а также от активной области. Например, устройство с более активным материалом, вообще, является более поглощающим. Расстояние между признаками достаточно велико, чтобы только небольшая часть площади светоизлучающей области устройства, например не более чем 50%, тратилась на признаки. Например, если признаки находятся между 2 и 5 мкм в ширину, среднее разделение от 50 до 200 мкм между признаками соответствует потере площади излучения порядка 10%. В некоторых вариантах осуществления, признаки наделены размером и разнесены, из условия чтобы все траектории света с углами скольжения падали на признак в пределах достаточно короткого расстояния, например, не больше, чем 50 мкм. Фиг.13 показывает вид сверху такого варианта осуществления, где признаки 48, 54, 57 и 62, как описанные в тексте, сопровождающем Фиг.6, 11 и 12, формируют объемные резонаторы, на которые скользящий свет падает после самое большее нескольких десятков микрон длины хода в пределах устройства, наряду с тем, что часть поверхности, используемая признаками, является меньшей, чем поверхность, выделенная под p-контакт. Интервал 64 между признаками, например, может быть между 50 и 150 мкм, часто 100 мкм. Вообще, признаки вывода расположены снаружи устройства и внутри устройства. Они не используются для электрического разделения устройства на более чем одно устройство, как проиллюстрировано на Фиг.13, где заштрихованная область представляет p-контакт 24, а также область p-типа под p-контактом (например, область 20 p-типа по Фиг.6). Признаки сконструированы так, что p-контакт является одним сплошным куском, не разделяемым на всем протяжении устройства. В некоторых вариантах осуществления, только некоторые из признаков также действуют в качестве контактов для области n-типа. Количество признаков, функционирующих в качестве контактных площадок, может быть минимизировано для увеличения отражающей способности этих признаков.
Вообще, размеры этих признаков велики, например, в несколько длин волн света, так что они отражают свет геометрическим образом. Угол боковых стенок признаков выбирается, для того чтобы максимизировать их эффективность. Поскольку свет с углами скольжения распространяется около 90° в материале, ожидается, что признак с углами боковых стенок около 45°, например, между 35 и 55°, будет эффективно выводить свет с углами скольжения. В случае светового кристалла, сформированного на верхней поверхности 34, свойства признаков могут быть дополнительно оптимизированы для увеличения направленности устройства посредством оптимизации углов боковых стенок и их плоскостного распространения для вывода света в выделенных направлениях.
В устройстве, проиллюстрированном на Фиг.7, признаки 58 сформированы после того, как удалена ростовая подложка, например, одновременно поверхность 34 сделана шероховатой или текстурированной, со структурой светового кристалла. Объемные резонаторы 58 имеют такие же форму, размер и интервал, как признаки, описанные на Фиг.6. Боковые стенки объемных резонаторов 58 могут быть сделаны шероховатыми или текстурированы, как проиллюстрировано на Фиг.7, хотя и не должны. Боковая стенка объемных резонаторов 58 может быть покрыта материалом, таким как металл, диэлектрик или комбинация этих двух.
Получив подробно описанное изобретение, специалисты в данной области техники будут принимать во внимание, что при заданном настоящем раскрытии, модификации могут быть произведены в отношении изобретения, не выходя из сущности обладающей признаками изобретения концепции, описанной в материалах настоящей заявки. Например, хотя на Фиг.3, 4, 6 и 7 проиллюстрировано только одно переходное отверстие n-контакта, устройство может иметь многочисленные переходные отверстия n-контактов. К тому же, признаки устройств, проиллюстрированных на Фиг.3, 4 и 5, могут комбинироваться с признаками устройств, проиллюстрированных на Фиг.6, 7, 11, 12 и 13. Поэтому не подразумевается, что объем изобретения ограничивается проиллюстрированными и описанными отдельными вариантами осуществления.

Claims (15)

1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее
полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединенный к области p-типа; материал, расположенный между по меньшей мере частью отражательного металлического контакта и областью p-типа, причем разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,4, в котором по меньшей мере часть верхней стороны полупроводниковой структуры текстурирована; расстояние между текстурированной частью верхней стороны полупроводниковой структуры и отражательным металлическим контактом меньше 5 мкм;
полупроводниковая структура включает в себя объемные резонаторы, заполненные металлом, объемные резонаторы направляют первый свет, падающий под первым углом падения, во второй свет, падающий под вторым углом падения, второй угол падения меньше первого угла падения;
первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся с отражательным металлическим контактом, и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа, и второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области и отражательного металлического контакта.
2. Устройство по п.1, в котором разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,7.
3. Устройство по п.1, в котором поверхность раздела между полупроводниковой структурой и материалом отражает свет, падающий на поверхность раздела под углами больше 70° относительно перпендикуляра к основной плоскости светоизлучающего слоя.
4. Устройство по п.1, в котором комбинированная отражательная способность материала и отражательного металлического контакта в области p-типа больше отражательной способности отражательного металлического контакта в непосредственном соприкосновении с областью p-типа.
5. Устройство по п.1, в котором потери за полный обход в материале меньше потерь волны оптического спектра, отражающейся от отражательного металлического контакта в непосредственном соприкосновении с областью p-типа.
6. Устройство по п.1, в котором объемные резонаторы разнесены менее чем на 2 мкм.
7. Устройство по п.1, в котором толщина материала меньше 500 нм.
8. Устройство по п.1, в котором толщина материала больше 40 нм и меньше половины длины волны света, испускаемого светоизлучающим слоем.
9. Устройство по п.1, в котором толщина материала больше половины длины волны света, испускаемого светоизлучающим слоем, из условия, чтобы свет, падающий на материал в диапазоне углов падения, захватывался в материале, и полупроводниковая структура минимизирует количество света, испускаемого в диапазоне углов падения.
10. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой III-нитрида, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, и множество объемных резонаторов, тянущихся в полупроводниковую структуру, причем объемные резонаторы заполнены металлом и отражают свет, падающий на поверхность раздела под углами больше 70° относительно перпендикуляра к основной плоскости светоизлучающего слоя; причем первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся с областью p-типа, и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа; второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области.
11. Устройство по п.10, дополнительно содержащее отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры, причем множество объемных резонаторов тянутся с нижней стороны полупроводниковой структуры к верхней стороне полупроводниковой структуры или тянутся с верхней стороны полупроводниковой структуры к нижней стороне полупроводниковой структуры.
12. Устройство по п.10, в котором объемные резонаторы наделены размером, таким, что фотон, движущийся в пределах полупроводниковой структуры, не может проходить дальше чем на 50 мкм до взаимодействия с объемным резонатором.
13. Устройство по п.10, в котором боковые стенки ориентированы под углом между 35 и 55° относительно основной поверхности светоизлучающего слоя.
14. Устройство по п.10, в котором ближайшие соседние объемные резонаторы разнесены на расстояние 10 - 300 мкм в разные стороны.
15. Устройство по п.10, в котором боковые стенки объемных резонаторов сделаны шероховатыми.
RU2010129431/28A 2007-12-19 2008-12-18 Полупроводниковое светоизлучающее устройство со структурами вывода света RU2491682C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/960,180 2007-12-19
US11/960,180 US7985979B2 (en) 2007-12-19 2007-12-19 Semiconductor light emitting device with light extraction structures
PCT/IB2008/055430 WO2009095748A2 (en) 2007-12-19 2008-12-18 Semiconductor light emitting device with light extraction structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010129431A RU2010129431A (ru) 2012-01-27
RU2491682C2 true RU2491682C2 (ru) 2013-08-27

Family

ID=40787530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010129431/28A RU2491682C2 (ru) 2007-12-19 2008-12-18 Полупроводниковое светоизлучающее устройство со структурами вывода света

Country Status (9)

Country Link
US (6) US7985979B2 (ru)
EP (1) EP2225784B1 (ru)
JP (1) JP5555174B2 (ru)
KR (4) KR101702500B1 (ru)
CN (1) CN101904019B (ru)
BR (1) BRPI0822034A2 (ru)
RU (1) RU2491682C2 (ru)
TW (1) TWI499075B (ru)
WO (1) WO2009095748A2 (ru)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4829190B2 (ja) * 2007-08-22 2011-12-07 株式会社東芝 発光素子
JP5284036B2 (ja) * 2007-11-14 2013-09-11 キヤノン株式会社 発光装置
US7985979B2 (en) * 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
JP5282503B2 (ja) 2008-09-19 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US20100327300A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
US8044422B2 (en) * 2009-11-25 2011-10-25 Huga Optotech Inc. Semiconductor light emitting devices with a substrate having a plurality of bumps
KR101761385B1 (ko) * 2010-07-12 2017-08-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20120040448A (ko) * 2010-10-19 2012-04-27 삼성엘이디 주식회사 수직형 발광 소자
WO2012073778A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 シャープ株式会社 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置
DE102011003684A1 (de) * 2011-02-07 2012-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchip
JP5050109B2 (ja) * 2011-03-14 2012-10-17 株式会社東芝 半導体発光素子
TWI411136B (zh) * 2011-05-10 2013-10-01 Lextar Electronics Corp 半導體發光結構
JP6025367B2 (ja) * 2011-05-12 2016-11-16 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子
JP5117596B2 (ja) * 2011-05-16 2013-01-16 株式会社東芝 半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法
CN102299243A (zh) * 2011-09-14 2011-12-28 青岛理工大学 一种薄膜倒装光子晶体led芯片及其制造方法
JP2013073887A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Canon Inc 表示装置
CN104040735B (zh) 2011-10-06 2017-08-25 皇家飞利浦有限公司 半导体发光器件的表面处理
US9818912B2 (en) 2011-12-12 2017-11-14 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective contact
JP6167109B2 (ja) 2011-12-12 2017-07-19 センサー エレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド 紫外線反射型コンタクト
JP2015509669A (ja) * 2012-03-06 2015-03-30 ソラア インコーポレーテッドＳｏｒａａ Ｉｎｃ． 導波光効果を低減させる低屈折率材料層を有する発光ダイオード
JP5462333B1 (ja) * 2012-09-21 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
DE102012111573A1 (de) * 2012-11-29 2014-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US9287449B2 (en) 2013-01-09 2016-03-15 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
US9768357B2 (en) 2013-01-09 2017-09-19 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
US10276749B2 (en) 2013-01-09 2019-04-30 Sensor Electronic Technology, Inc. Ultraviolet reflective rough adhesive contact
TWI557942B (zh) * 2013-02-04 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 發光二極體
US9425359B2 (en) 2013-02-04 2016-08-23 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
US9548424B2 (en) 2013-02-04 2017-01-17 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode
EP2973755B1 (en) 2013-03-13 2018-12-05 Lumileds Holding B.V. Semiconductor structure comprising a porous reflective contact
TWI611602B (zh) * 2013-05-24 2018-01-11 晶元光電股份有限公司 具有高效率反射結構之發光元件
TWI575776B (zh) 2013-05-24 2017-03-21 晶元光電股份有限公司 具有高效率反射結構之發光元件
TWI550909B (zh) 2014-03-21 2016-09-21 A flip chip type light emitting diode and a method for manufacturing the same, and a flip chip type structure thereof
KR102018329B1 (ko) * 2014-07-22 2019-09-04 가부시키가이샤 플로스피아 결정성 반도체막 및 판상체 및 반도체장치
JP6156402B2 (ja) * 2015-02-13 2017-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6010169B2 (ja) * 2015-03-31 2016-10-19 株式会社東芝 半導体発光素子
KR102554702B1 (ko) * 2015-08-25 2023-07-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20180087302A (ko) 2015-11-20 2018-08-01 루미리즈 홀딩 비.브이. 개선된 led 디바이스 성능 및 신뢰성을 위한 콘택 에칭 및 금속화
KR20170091334A (ko) * 2016-02-01 2017-08-09 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN109328399B (zh) * 2016-06-10 2022-08-23 苏州立琻半导体有限公司 半导体器件
KR102521625B1 (ko) * 2016-06-30 2023-04-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
US11348908B2 (en) 2016-08-17 2022-05-31 The Regents Of The University Of California Contact architectures for tunnel junction devices
WO2018204402A1 (en) 2017-05-01 2018-11-08 Ohio State Innovation Foundation Tunnel junction ultraviolet light emitting diodes with enhanced light extraction efficiency
US20190237629A1 (en) 2018-01-26 2019-08-01 Lumileds Llc Optically transparent adhesion layer to connect noble metals to oxides
US11112652B2 (en) * 2018-12-11 2021-09-07 Lg Display Co., Ltd. Backlight unit and display device including the same technical field

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353497A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
EP1387413A2 (en) * 2002-07-29 2004-02-04 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting diode with enhanced light radiation capability
DE102004057802A1 (de) * 2004-11-30 2006-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
RU2286618C2 (ru) * 2002-07-16 2006-10-27 Борис Анатольевич Матвеев Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра
EP1717870A2 (en) * 2005-04-26 2006-11-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light-emitting device, method for making the same, and nitride semiconductor substrate

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5400354A (en) * 1994-02-08 1995-03-21 Ludowise; Michael Laminated upper cladding structure for a light-emitting device
JPH07254732A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE19629920B4 (de) * 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
US5917202A (en) * 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
JP3342322B2 (ja) * 1996-11-27 2002-11-05 シャープ株式会社 Ｌｅｄ素子表示装置の製造方法
US6091085A (en) * 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6903376B2 (en) * 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
US6277665B1 (en) * 2000-01-10 2001-08-21 United Epitaxy Company, Ltd. Fabrication process of semiconductor light-emitting device with enhanced external quantum efficiency
TW465123B (en) * 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
TWI292227B (en) * 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
US6611002B2 (en) * 2001-02-23 2003-08-26 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods including backside vias
KR100632760B1 (ko) * 2001-03-21 2006-10-11 미츠비시 덴센 고교 가부시키가이샤 반도체 발광 소자
US6630689B2 (en) * 2001-05-09 2003-10-07 Lumileds Lighting, U.S. Llc Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa
US6455878B1 (en) * 2001-05-15 2002-09-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill
EP1596443B1 (en) 2001-05-29 2015-04-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
TW564584B (en) * 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
JP3659201B2 (ja) * 2001-07-11 2005-06-15 ソニー株式会社 半導体発光素子、画像表示装置、照明装置及び半導体発光素子の製造方法
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
WO2003025263A1 (fr) * 2001-09-13 2003-03-27 Japan Science And Technology Agency Substrat semi-conducteur de nitrure, son procede d'obtention et dispositif optique a semi-conducteur utilisant ledit substrat
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
TW516248B (en) * 2001-12-21 2003-01-01 Epitech Technology Corp Nitride light emitting diode with spiral-shaped metal electrode
US6869820B2 (en) * 2002-01-30 2005-03-22 United Epitaxy Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of making the same
US6995032B2 (en) * 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
CN100595938C (zh) 2002-08-01 2010-03-24 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置
JP4211329B2 (ja) * 2002-09-02 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子および発光素子の製造方法
US6958498B2 (en) * 2002-09-27 2005-10-25 Emcore Corporation Optimized contact design for flip-chip LED
US7071494B2 (en) * 2002-12-11 2006-07-04 Lumileds Lighting U.S. Llc Light emitting device with enhanced optical scattering
DE10304852B4 (de) * 2003-02-06 2007-10-11 Siemens Ag Röntgen-Monochromator für eine Röntgeneinrichtung
US7102175B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
US6969874B1 (en) * 2003-06-12 2005-11-29 Sandia Corporation Flip-chip light emitting diode with resonant optical microcavity
TWI312582B (en) * 2003-07-24 2009-07-21 Epistar Corporatio Led device, flip-chip led package and light reflecting structure
EP1667241B1 (en) * 2003-08-19 2016-12-07 Nichia Corporation Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same
WO2005050748A1 (ja) * 2003-11-19 2005-06-02 Nichia Corporation 半導体素子及びその製造方法
JP2005191099A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード装置
TWI244221B (en) * 2004-03-01 2005-11-21 Epistar Corp Micro-reflector containing flip-chip light emitting device
WO2005091388A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride based led with a p-type injection region
US20050205883A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Wierer Jonathan J Jr Photonic crystal light emitting device
KR100568297B1 (ko) * 2004-03-30 2006-04-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100631840B1 (ko) 2004-06-03 2006-10-09 삼성전기주식회사 플립칩용 질화물 반도체 발광소자
US7582910B2 (en) * 2005-02-28 2009-09-01 The Regents Of The University Of California High efficiency light emitting diode (LED) with optimized photonic crystal extractor
KR100896564B1 (ko) * 2004-08-31 2009-05-07 삼성전기주식회사 반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
US7633097B2 (en) * 2004-09-23 2009-12-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates
US7352006B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
KR100601138B1 (ko) * 2004-10-06 2006-07-19 에피밸리 주식회사 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US7274040B2 (en) * 2004-10-06 2007-09-25 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices
TWI257714B (en) * 2004-10-20 2006-07-01 Arima Optoelectronics Corp Light-emitting device using multilayer composite metal plated layer as flip-chip electrode
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
KR100862453B1 (ko) * 2004-11-23 2008-10-08 삼성전기주식회사 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자
US20070145386A1 (en) * 2004-12-08 2007-06-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
JP4678211B2 (ja) * 2005-02-28 2011-04-27 三菱化学株式会社 発光装置
KR100631976B1 (ko) * 2005-03-30 2006-10-11 삼성전기주식회사 ３족 질화물 발광 소자
KR100631981B1 (ko) * 2005-04-07 2006-10-11 삼성전기주식회사 수직구조 ３족 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
US20070108459A1 (en) 2005-04-15 2007-05-17 Enfocus Engineering Corp Methods of Manufacturing Light Emitting Devices
DE102005048408B4 (de) 2005-06-10 2015-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterkörper
US7592637B2 (en) * 2005-06-17 2009-09-22 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with reflective electrode and side electrode
US7384808B2 (en) * 2005-07-12 2008-06-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Fabrication method of high-brightness light emitting diode having reflective layer
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
KR100721150B1 (ko) * 2005-11-24 2007-05-22 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP2007173579A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
CN101395728B (zh) 2006-03-10 2011-04-13 松下电工株式会社 发光元件及其制造方法
JP2007273975A (ja) * 2006-03-10 2007-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
US7573074B2 (en) * 2006-05-19 2009-08-11 Bridgelux, Inc. LED electrode
US8110838B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Spatial localization of light-generating portions in LEDs
US20090046479A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin Backlight Using Low Profile Side Emitting LED
KR100921466B1 (ko) * 2007-08-30 2009-10-13 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
US20090086508A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin Backlight Using Low Profile Side Emitting LEDs
KR100900288B1 (ko) * 2007-10-29 2009-05-29 엘지전자 주식회사 발광 소자
TWI381547B (zh) * 2007-11-14 2013-01-01 Advanced Optoelectronic Tech 三族氮化合物半導體發光二極體及其製造方法
US7985979B2 (en) * 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
US8592800B2 (en) * 2008-03-07 2013-11-26 Trustees Of Boston University Optical devices featuring nonpolar textured semiconductor layers
KR100882240B1 (ko) * 2008-09-11 2009-02-25 (주)플러스텍 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US9640728B2 (en) * 2010-02-09 2017-05-02 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
TWI697133B (zh) * 2010-02-09 2020-06-21 晶元光電股份有限公司 光電元件
KR101692410B1 (ko) * 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US9196763B2 (en) * 2013-10-30 2015-11-24 Terahertz Device Corporation Efficient light extraction from weakly-coupled dielectric buttes

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353497A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
RU2286618C2 (ru) * 2002-07-16 2006-10-27 Борис Анатольевич Матвеев Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра
EP1387413A2 (en) * 2002-07-29 2004-02-04 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting diode with enhanced light radiation capability
DE102004057802A1 (de) * 2004-11-30 2006-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
EP1717870A2 (en) * 2005-04-26 2006-11-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light-emitting device, method for making the same, and nitride semiconductor substrate

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010129431A (ru) 2012-01-27
KR20170024064A (ko) 2017-03-06
KR20160030325A (ko) 2016-03-16
US20150364654A1 (en) 2015-12-17
US20190280161A1 (en) 2019-09-12
US20110241056A1 (en) 2011-10-06
WO2009095748A9 (en) 2009-11-19
TWI499075B (zh) 2015-09-01
US20180053880A1 (en) 2018-02-22
US20120267668A1 (en) 2012-10-25
US9142726B2 (en) 2015-09-22
KR101702500B1 (ko) 2017-02-06
KR20180027622A (ko) 2018-03-14
JP2011508414A (ja) 2011-03-10
US10734553B2 (en) 2020-08-04
EP2225784B1 (en) 2019-09-25
US10164155B2 (en) 2018-12-25
BRPI0822034A2 (pt) 2015-07-21
US8242521B2 (en) 2012-08-14
WO2009095748A3 (en) 2010-01-07
KR101600384B1 (ko) 2016-03-08
US9935242B2 (en) 2018-04-03
WO2009095748A2 (en) 2009-08-06
TW200937688A (en) 2009-09-01
US20090159908A1 (en) 2009-06-25
US7985979B2 (en) 2011-07-26
JP5555174B2 (ja) 2014-07-23
CN101904019B (zh) 2013-08-07
CN101904019A (zh) 2010-12-01
EP2225784A2 (en) 2010-09-08
KR20110085875A (ko) 2011-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2491682C2 (ru) Полупроводниковое светоизлучающее устройство со структурами вывода света
US7294862B2 (en) Photonic crystal light emitting device
CN102804417B (zh) 用于半导体发光器件的接触
JP4907842B2 (ja) 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード
JP2004128507A (ja) 電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法
JP2006196658A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2014086574A (ja) 発光素子
EP3216062B1 (en) Light emitting device with trenches beneath a top contact
TW201505211A (zh) 發光元件
KR20170123847A (ko) 광추출효율 향상을 위한 p-형 오믹 접합 전극 패턴을 구비한 자외선 발광 다이오드 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner