KR20130041072A - 이방성 도전 접착제, 그 제조 방법, 접속 구조체 및 그 제조 방법 - Google Patents

이방성 도전 접착제, 그 제조 방법, 접속 구조체 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

니켈 피복 수지 입자 등의 자성 분체를 이방성 도전 접착제의 도전 입자로서 사용한 경우에, 절연성 접착제 조성물 중에 도전 입자가 응집되지 않고 존재하는 이방성 도전 접착제는, 도전 입자로서 그 적어도 일부가 자성 재료로 구성되어 있는 자성 분체를 사용한다. 이 경우, 도전 입자를, 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지, 절연성 접착제 조성물 중에 분산시키기 전의 분체 상태에서, 절연성 접착제 조성물 중에 분산된 페이스트 상태에서, 또는 그 페이스트로 형성된 필름 상태에서 탈자 처리해 둔다.

Description

이방성 도전 접착제, 그 제조 방법, 접속 구조체 및 그 제조 방법{ANISOTROPIC CONDUCTIVE ADHESIVE, PROCESS FOR PRODUCING SAME, CONNECTION STRUCTURE, AND PROCESS FOR PRODUCING SAME}
본 발명은, 절연성 수지 조성물 중에 도전 입자로서 자성 분체 (粉體) 가 분산되어 이루어지는 이방성 도전 접착제에 관한 것이다.
이방성 도전 필름은, 절연성 접착제에 도전 입자를 분산시켜, 필름상으로 성형함으로써 제조되고 있다. 이 경우, 도전 입자로서 배선의 파인 피치화에 따라 입경이 더욱 작은 것이 사용되도록 되고 있으며, 또, 이방성 도전 접속에 적합한 도전성과 변형성을 나타내고, 게다가 비교적 입수 비용이 저렴한 니켈 도금 피막으로 피복된 수지 입자 (이하, 니켈 피복 수지 입자라고 한다) 가 널리 사용되고 있다 (특허문헌 1).
일본 공개특허공보 제2009-259787호
그러나, 니켈 입자나 니켈 피복 수지 입자 등의 적어도 일부가 자성 재료로 구성되어 있는 도전 입자를 사용한 이방성 도전 필름으로 반도체 칩을 배선 기판에 이방성 도전 접속한 경우, 이방성 도전 접속시에 절연성 접착제 성분을 용융 유동시키기 때문에, 도전 입자도 이동하기 쉬워져, 결과적으로 자성을 갖는 도전 입자의 응집이 발생한다는 문제가 있었다. 이와 같은 도전 입자의 응집이 발생하는 것은 도전 입자의 국재화를 초래하여, 도통 불량을 발생시키거나 쇼트를 발생시키는 위험성이 높아진다.
본 발명의 목적은, 이상의 종래 기술의 문제점을 해결하는 것으로, 니켈 피복 수지 입자 등의 적어도 일부가 자성 재료로 구성되어 있는 도전 입자를 사용하는 페이스트상 또는 필름상의 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속할 때에, 이방성 도전 접착제 중에 도전 입자의 응집이 발생하지 않도록 하는 것이다.
본 발명자들은, 이방성 도전 접착제에 배합해야 하는 도전 입자로서 사용하는 니켈 피복 수지 입자 등의 적어도 일부가 자성 재료로 구성되어 있는 도전 입자에 대하여, 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 탈자 (脫磁) 처리함으로써, 상기 서술한 목적을 달성할 수 있다는 것을 알아내었다. 보다 구체적으로는, 그러한 도전 입자로서 절연성 접착제 조성물 중에 분산시키기 전의 분체 상태에서, 절연성 접착제 조성물 중에 분산된 페이스트 상태에서, 또는 그러한 페이스트를 필름화한 필름 상태에서 탈자 처리된 것을 사용함으로써, 상기 서술한 목적을 달성할 수 있다는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 절연성 접착제 조성물 중에 자성 도전 입자가 분산되어 이루어지는 이방성 도전 접착제에 있어서, 그 자성 도전 입자가, 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 탈자 처리되고 있는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 접착제를 제공한다.
또, 본 발명은, 절연성 접착제 조성물 중에 자성 도전 입자가 분산되어 이루어지는 상기 서술한 이방성 도전 접착제의 제조 방법으로서, 자성 도전 입자를 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 탈자 처리 하는 것을 특징으로 하는 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가, 상기 서술한 이방성 도전 접착제에 의해 이방성 도전 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 접속 구조체를 제공한다.
나아가서는, 본 발명은, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가 접속되어 이루어지는 접속 구조체의 제조 방법으로서, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자 사이에, 상기 서술한 이방성 도전 접착제를 배치하고, 이방성 도전 접착제를 가열하면서 제 1 전자 부품을 제 2 전자 부품에 압압 (押壓) 함으로써, 단자끼리를 이방성 도전 접속하는 것을 특징으로 하는 접속 구조체의 제조 방법을 제공한다.
자성 도전 입자를 사용하는 본 발명의 이방성 도전 접착제에 있어서는, 자성 도전 입자로서 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 탈자 처리를 한 것을 사용한다. 이로 인해, 이방성 도전 접속시에 자성 도전 입자가 응집되는 것을 방지 혹은 크게 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 자성 도전 입자를 사용한 이방성 도전 접착제의 접속 신뢰성 및 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1 은, 본 발명에 바람직하게 적용할 수 있는 탈자 방법의 설명도이다.
도 2 는, 본 발명에 바람직하게 적용할 수 있는 탈자 방법의 설명도이다.
도 3 은, 본 발명에 바람직하게 적용할 수 있는 탈자 방법의 설명도이다.
도 4 는, 본 발명에 바람직하게 적용할 수 있는 탈자 방법의 설명도이다.
이하에서는, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 이방성 도전 접착제는, 절연성 접착제 조성물 중에 자성 도전 입자가 분산되어 이루어지는 것이다. 그 특징은, 자성 도전 입자로서 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 탈자 처리한 것을 사용하는 것이다.
(이방성 도전 접착제를 구성하는 자성 도전 입자)
본 발명에 있어서 사용하는 자성 도전 입자는, 전술한 바와 같이, 그 적어도 일부가 자성 재료로 구성되어 있는 자화될 수 있는 도전 입자이다. 따라서, 자성 도전 입자에는, 자화되어 있는 경우도 탈자되어 있는 경우도 포함된다. 이와 같은 자성 도전 입자로는, 도전 입자 전체가 단일 자성 재료로 형성되어 있는 경우뿐만 아니라, 도전 입자 또는 절연 입자의 표면에 자성 재료의 박막이 형성되어 있는 입자, 그러한 자성 박막 상에 추가로 비자성 금속막이 형성되어 있는 입자, 이들 자성 분체의 최표면에 추가로 비자성인 절연성 수지의 박막이 형성되어 있는 입자 등을 들 수 있다.
자성 도전 입자로서 사용할 수 있는 자성 분체의 구체예로는, 니켈, 철, 산화철, 산화크롬, 페라이트, 코발트, 센더스트 등의 자성 금속 혹은 자성 합금의 분체, 땜납, 구리 등의 비자성 도전 입자나 절연 수지 코어 입자의 표면에 자성 재료의 박막이 형성된 금속 피복 수지 입자 등의 분체, 그들 표면에 추가로 금 도금 박막이 형성된 분체, 혹은 절연성 수지층으로 피복된 분체 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 이방성 도전 접속용의 자성 도전 입자로서, 제조 비용, 접속시의 가열 가압에서의 변형 등을 고려하면, 니켈 피복 수지 입자를 바람직하게 들 수 있다. 코어가 되는 수지로는 특별히 제한은 없지만, 내열성, 내약품성을 구비한 무기 혹은 유기의 재료를 바람직하게 사용할 수 있다.
또, 자성 도전 입자를 구성하는 자성 재료로서 사용하는 니켈 입자를 생산할 때, 그 응집을 억제하는 수법으로서 니켈 중에 인 원소를 함유시키는 것을 들 수 있다. 이 경우, 인 원소의 함유량은, 0 질량％ 보다 크고, 바람직하게는 1 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 4 질량％ 이상이다. 한편, 니켈 중의 인 원소의 함유량이 지나치게 많으면 접속 저항이 높아지므로, 바람직하게는 10 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 8 질량％ 이하로 하는 것이 요망된다. 니켈 중의 인 원소는, 통상적으로, 니켈 도금욕의 pH 조정용으로 사용되는 인산 화합물, 아인산 화합물 등에서 유래하는 것인데, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용하는 자성 도전 입자의 평균 입자경은, 지나치게 작으면 자성 도전 입자 전체에 있어서의 자성 금속의 비율이 높아지기 때문에 자기의 영향을 받기 쉬워지고, 그로 인해 자성 도전 입자의 응집 덩어리가 생겨 쇼트가 발생하거나, 또 도전 입자의 이방성 도전 기능이 저하되어, 전자 부품의 단자 높이의 편차에 추종할 수 없게 되어 접속 신뢰성에 문제가 생기거나 하는 경향이 있고, 한편, 지나치게 크면 도전 입자에 의해 배선간의 절연성이 저하되고, 파인 피치 접속 자체에 대응할 수 없게 되는 경향이 있기 때문에, 바람직하게는 0.5 ～ 30 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ～ 10 ㎛ 이다.
자성 도전 입자의 탈자 처리는, 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 탈자 방법을 적용하여 실시할 수 있다. 그 중에서도, 이방성 도전 접속에 사용하는 미세한 자성 도전 입자는, 탈자 처리시에 자장의 변동에 의해 움직이기 쉽기 때문에, 탈자 효율이 저하되는 경향이 있다. 그래서, 이와 같은 자성 도전 입자의 탈자시에는, 자성 도전 입자를 자성 도전 입자끼리의 상대적 위치 관계가 변동하지 않도록 탈자 처리하는 것이 바람직하다. 자성 도전 입자끼리의 상대적 위치 관계가 변동하지 않도록 하는 탈자 방법으로서, 이하에 설명하는 방법을 바람직하게 적용할 수 있다.
(자성 도전 입자의 탈자 처리에 적용하는 탈자 방법)
본 발명에 적용할 수 있는 탈자 방법으로서, 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지, 자성 도전 입자를 탈자 처리할 수 있는 여러 가지 방법을 적용할 수 있다. 바람직하게는, 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 자성 도전 입자끼리의 상대적 위치 관계가 변동하지 않는 상태에서 탈자 처리하는 방법을 들 수 있다. 여기에서, 자성 도전 입자끼리의 상대적 위치 관계가 변동하지 않는 상태란, 탈자 처리시에, 자성 도전 입자가 탈자 처리에 의해 인가되는 자계로 인해, 발명의 효과가 크게 저해되지 않도록, 다른 자성 도전 입자에 대하여 실질적으로 위치 변위가 발생하지 않고, 게다가 그 자체의 회전도 거의 생기지 않는 상태를 의미한다. 반대로 말하면, 탈자 처리를 실시할 때에, 발명의 효과가 크게 저해되지 않는 범위이면, 자성 도전 입자끼리의 상대적 위치 관계를 다소 변동해도 되는 경우가 있는 것을 의미한다.
자성 도전 입자를 이상과 같은 상태에서 탈자하는 방법은, 크게 자성 도전 입자를 분체 상태, 페이스트 상태 또는 필름 상태에서 탈자 처리하는 방법으로 나눌 수 있다. 분체 상태에서 탈자 처리하는 양태로는 이하의 제 1 모드와 제 2 모드를, 페이스트 상태에서 탈자 처리하는 양태로는 이하의 제 3 모드, 필름 상태에서 탈자 처리하는 양태로는 이하의 제 4 모드를 각각 들 수 있다. 이하에서는, 탈자 방법 (탈자 처리) 의 제 1 모드, 제 2 모드, 제 3 모드 및 제 4 모드에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 탈자 수법으로는 처리 공지된 탈자 수법을 채용할 수 있다.
＜탈자 방법의 제 1 모드＞
제 1 모드는, 자성 도전 입자를 분체 상태에서 탈자 처리하는 양태이다. 여기에서, 분체 상태란, 절연성 접착제 조성물에 분산시키기 전의 분체 상태를 의미하고 있다.
이 제 1 모드로는, 예를 들어, 자성 도전 입자를 용기 내에 충전하고, 분체 상태에서 탈자 처리하는 것이다. 구체적으로는, 제 1 모드는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 자성 도전 입자 (1) 를, 개구부 (2a) 를 갖는 용기 (2) 에 투입하고, 이어서, 용기 (2) 의 개구부 (2a) 로부터 용기 (2) 내에 삽입된 압압 수단 (3) 에 의해 압압하여 용기 (2) 내에 가고정하고, 그 용기 (2) 를, 탈자 코일 (10) 에 의해 형성된 탈자용 자장 안을 자계 강도를 감쇠시키면서 화살표 방향으로 적어도 1 회 탈자 코일로부터 멀어지도록 이동시킴으로써, 자성 도전 입자를 분체 상태에서 탈자 처리하는 양태이다. 또, 탈자 처리의 효율을 높이기 위해서, 용기 (2) 를 왕복 운동 (복수회 이동) 시켜도 된다. 또한, 용기 (2) 는 개구부를 갖는 용기에 한정되는 것이 아니고, 예를 들어, 용기에 자성 도전 입자를 충전 후, 진공 봉지를 실시하여 개구부를 봉지한 경우도 바람직하게 사용할 수 있다.
제 1 모드의 탈자 방법에서 사용하는 용기 및 후술하는 제 2, 제 3 모드의 탈자 방법에서 사용할 수 있는 용기로는, 비자성 재료, 투자율이 낮은 재료 등으로 형성된 것으로, 예를 들어, 유리 용기, 알루미나 용기, 자기 용기 등을 들 수 있다. 용기의 형상으로는, 통형 모양, 특히 원통형이 바람직하지만, 다각 통형이어도 된다. 바닥부는 라운드형으로 되어 있는 것이 바람직하다. 또, 바닥부가 개폐 가능하게 되어 있어도 된다.
압압 수단 (3) 으로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 경질 혹은 탄성을 나타내는 평판 (3a) 을 푸셔 (3b) 로 가압하는 구성이어도 된다. 압압의 레벨은, 탈자해야 하는 자성 분체에 데미지를 주지 않도록 또한 탈자 처리시에 자성 분체의 움직임을 억제할 수 있는 레벨로, 자성 분체의 종류, 크기, 형상, 탈자 조건 등에 따라 정할 수 있다.
＜탈자 방법의 제 2 모드＞
제 2 모드는, 자성 도전 입자를 분체 상태에서 탈자 처리하는 양태인데, 제 1 모드와는 상이한 양태이다. 여기에서, 분체 상태란, 절연성 접착제 조성물에 분산시키기 전의 분체 상태를 의미하고 있다.
구체적으로는, 제 2 모드는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 자성 도전 입자 (21) 를 용기 (23) 에 담긴 액체 (22) 중에 투입하고, 이어서, 그 액체 (22) 를 응고시켜 응고물 중에 가고정하고, 그 용기 (23) 를, 탈자 코일 (10) 에 의해 형성된 탈자용 자장 안을 자계 강도를 감쇠시키면서 화살표 방향으로 적어도 1 회 탈자 코일로부터 멀어지도록 이동시킴으로써, 자성 도전 입자를 분체 상태에서 탈자 처리하는 양태이다. 또, 탈자 처리의 효율을 높이기 위해서, 용기 (2) 를 왕복 운동 (복수회 이동) 시켜도 된다. 이와 같이, 액체 (22) 로 응고시켜 탈자 처리한 경우도, 절연성 접착제 조성물에 분산되고 있지 않아, 응고물을 융해시키면 원래대로 돌아오기 때문에, 분체 상태에서 탈자 처리된 것으로 간주할 수 있다.
또한, 제 2 모드에서는, 통상적으로, 용기 (23) 중에서 액체를 응고시키지는데, 응고시킨 후의 탈자 처리시에는 용기를 없앨 수 있다.
본 발명의 제 2 모드의 탈자 방법에 있어서는, 자성 도전 입자를 액체에 투입한 후, 탈포 처리한 후에 액체를 응고시키는 것이 바람직하다. 이것은, 탈포되어 있지 않으면, 액체를 응고시켰을 때에 기포도 응고물 중으로 유입되어, 기포 근방의 자성 도전 입자가 움직이기 쉬워지기 때문이다.
액체를 응고시키는 구체적인 수법으로는, 액체를 그 응고점 이하로 냉각함으로써 응고시키는 방법이 있다. 액체로는, 물, 에탄올 등의 알코올류, 헥산, 시클로헥산 등의 알칸류, 톨루엔, 나프탈렌 등의 아릴류 등을 사용할 수 있다. 응고의 구체예로는, 액체로서 물을 사용한 경우에는, 0 ℃ 이하로 냉각함으로써 응고시킬 수 있다. 시클로헥산 (융점 7 ℃) 을 사용한 경우에는, 7 ℃ 이하, 바람직하게는 -10 ℃ 로 냉각하는 것을 들 수 있다. 이 경우, 탈자 처리 후에, 응고물을 액체의 응고점 이상이 될 때까지 방치 또는 가열하고, 탈자 처리한 자성 도전 입자를 통상적인 방법에 의해 액체에서 분리하면 된다.
또, 액체를 응고시키는 다른 수법으로는, 액체에, 그 액체를 응고시킬 수 있는 응고제를 추가로 배합하고, 자성 분체가 투입된 후에, 그 응고제로 액체를 응고 처리하는 방법이 있다. 예를 들어, 응고제로서 액체의 겔화제를 사용하는 방법이다. 구체적으로는, 액체가 물인 경우에, 응고제로서 젤라틴을 사용하고, 젤라틴을 물에 가열 용해하여, 거기에 자성 분체를 투입하고, 필요에 따라 탈포 처리하고, 이어서 냉각하여 겔화시키는 것을 들 수 있다. 이 경우, 젤라틴 유래의 겔은 가열에 의해 소실되는 가역적인 것이므로, 탈자 처리 후에, 응고물을 겔이 소실되는 온도까지 가열하고, 탈자 처리한 자성 도전 입자를 통상적인 방법에 의해 액체에서 분리하면 된다.
＜탈자 방법의 제 3 모드＞
제 3 모드는, 자성 도전 입자를 페이스트 상태에서 탈자 처리하는 양태이다. 여기에서, 페이스트 상태란, 자성 도전 입자를 절연성 접착제 조성물 중에 분산하여 페이스트로 한 상태를 의미한다.
구체적으로는, 제 3 모드는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 절연성 접착제 조성물에 자성 도전 입자를 분산시킨 페이스트 (31) 를 개구부 (32) 를 갖는 용기 (33) 에 투입하고, 이어서, 용기 (33) 의 개구부 (32) 에 필요에 따라 뚜껑을 씌우고, 그 용기 (33) 를, 탈자 코일 (10) 에 의해 형성된 자장 안을 자장 강도를 감쇠시키면서 화살표 방향으로 적어도 1 회 탈자 코일로부터 멀어지도록 이동시킴으로써, 자성 도전 입자를 페이스트 상태에서 탈자 처리하는 양태이다. 또, 탈자 처리의 효율을 높이기 위해서, 용기 (33) 를 왕복 운동 (복수회 이동) 시켜도 된다.
제 3 모드에 있어서, 절연성 접착제 조성물의 자성 도전 입자 배합 후의 점도는, 지나치게 낮으면 자성 도전 입자의 움직임을 억제하는 것이 불충분해지고, 지나치게 높으면 분산이 어려워지는 경향이 있으므로, 바람직하게는 1 Pa·s ～ 10000 Pa·s 이다.
자성 도전 입자를 절연성 접착 조성물에 분산하는 수법으로는, 특별히 제한은 없고, 공지된 분산 방법에 따라 실시할 수 있다.
＜탈자 방법의 제 4 모드＞
제 4 모드는, 자성 도전 입자를 필름 상태에서 탈자 처리하는 양태이다. 여기에서, 필름 상태란, 자성 도전 입자를 절연성 접착 조성물에 분산시켜, 공지된 수법에 의해 필름 성형하여 얻은 필름을 의미한다.
구체적으로는, 제 4 모드는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 비자성 베이스 (41) 상에, 매엽의 이방성 도전 필름 (42) 을 재치 (載置) 하고, 그 위에서부터 비자성 커버 (43) 로 누르고, 그리고, 그 이방성 도전 필름 (42) 을, 탈자 코일 (10) 에 의해 형성된 자장 안을 자장 강도를 감쇠시키면서 화살표 방향으로 적어도 1 회 탈자 코일로부터 멀어지도록 이동시킴으로써 필름 상태에서 탈자 처리하는 양태이다. 이 경우, 매엽의 이방성 도전 필름 대신에 릴상으로 돌려 감은 이방성 도전 필름을 적용해도 된다. 또, 탈자 처리의 효율을 높이기 위해서, 용기 (33) 를 왕복 운동 (복수회 이동) 시켜도 된다.
이상 설명한 제 1 ～ 제 4 모드의 탈자 방법에 있어서의 탈자 처리시의 자계 강도는, 지나치게 낮으면 탈자의 효과를 얻을 수 없게 되어 도전 입자가 응집하게 되고, 지나치게 높으면 반대로 도전 입자가 착자할 가능성이 있으므로, 100 ～ 2000 G 의 범위에서 적절히 사용할 수 있고, 바람직하게는 200 ～ 2000 G, 보다 바람직하게는 200 ～ 400 G 이다.
또한, 탈자 방법에 있어서의 탈자 처리시의 탈자 속도는, 도 1 ～ 도 4 와 같은 구성의 경우, 지나치게 느리면 생산 효율이 저하되고, 지나치게 빠르면 자성 효율을 얻기 어려워지는 경향이 있으므로, 바람직하게는 0.1 ～ 100 ㎜/s, 보다 바람직하게는 1 ～ 100 ㎜/s, 더욱 바람직하게는 1 ～ 50 ㎜/s 이다.
이상으로 설명한, 탈자 처리된 자성 도전 입자의 이방성 도전 접착제 중에 있어서의 배합량은, 지나치게 적으면 접속 신뢰성이 불충분해지고, 지나치게 많으면 이방성이 없어지므로, 바람직하게는 절연성 접착제 조성물 중의 경화 후에 막 형성 성분이 되는 전체 성분 (모노머, 올리고머, 비중합성 폴리머, 경화제 등) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ～ 100 질량부, 보다 바람직하게는 2 ～ 70 질량부이다.
(이방성 도전 접착제를 구성하는 절연성 접착제 조성물)
본 발명의 이방성 도전 접착제를 구성하는 절연성 접착제 조성물로는, 종래의 이방성 도전 접착제에 있어서 사용되고 있는 열 경화성의 바인더 수지 조성물 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 열 경화형 에폭시 수지, 열 경화형 우레아 수지, 열 경화형 멜라민 수지, 열 경화형 페놀 수지 등에, 이미다졸계 경화제, 아민계 경화제 등의 경화제를 배합한 절연성 접착제 조성물을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화 후의 접착 강도가 양호한 점을 고려하면, 열 경화형 에폭시 수지를 바인더 수지로서 사용한 절연성 접착제 조성물을 바람직하게 사용할 수 있다.
이와 같은 열 경화형 에폭시 수지로는, 액상이어도 고체상이어도 되고, 에폭시 당량이 통상적으로 100 ～ 4000 정도이며, 분자 중에 2 이상의 에폭시기를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 화합물, 페놀노볼락형 에폭시 화합물, 크레졸노볼락형 에폭시 화합물, 에스테르형 에폭시 화합물, 지환형 에폭시 화합물 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 이들 화합물에는 모노머나 올리고머가 함유된다.
이와 같은 절연성 접착제 조성물에는, 필요에 따라 실리카, 마이카 등의 충전제, 안료, 대전 방지제 등을 함유시킬 수 있다. 착색료, 방부제, 폴리이소시아네이트계 가교제, 실란 커플링제, 용매 등을 배합할 수도 있다.
(이방성 도전 접착제의 조제)
본 발명의 이방성 도전 접착제는, 함유하고 있는 자성 분체로 이루어지는 도전 입자가, 상기 서술한 제 1 모드 ～ 제 4 모드 중 어느 탈자 방법에 의해 탈자 처리가 실시되고 있는 것 이외에는, 종래의 페이스트상 혹은 필름상의 이방성 도전 접착제와 동일한 수법에 의해 제조할 수 있다.
본 발명의 이방성 도전 접착제는, 이방성 도전 페이스트라는 양태로 사용할 수 있지만, 추가로, 캐스트법 등의 성막 기술에 의해 필름상으로 성형할 수 있다.
(접속 구조체)
본 발명의 이방성 도전 접착제는, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속할 때에 바람직하게 적용할 수 있다. 이 이방성 도전 접속에 의해 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가 이방성 도전 접속되어 이루어지는 접속 구조체가 얻어진다. 이와 같은 접속 구조체도 본 발명의 일 양태이다.
제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품으로는, 발광 소자, 반도체 칩, 반도체 모듈 등의 공지된 전기 소자, 플렉시블 프린트 배선 기판, 유리 배선 기판, 유리 에폭시 기판 등을 적용할 수 있다. 또, 단자는, 동, 금, 알루미늄, ITO 등의 공지된 재료로 형성된 배선이나 전극 패드 혹은 범프여도 되고, 그 사이즈에도 특별히 제한은 없다.
또한, 본 발명의 접속 구조체의 구체예로서, COG (chip on glass), COF (chip on film), FOG (film on glass), FOB (Film on Board) 등으로 불리는 것을 바람직하게 들 수 있다.
(접속 구조체의 제조 방법)
이상 설명한 접속 구조체는, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자 사이에, 상기 서술한 이방성 도전 접착제를 배치하고, 이방성 도전 접착제를 가열하면서 제 1 전자 부품을 제 2 전자 부품에 압압함으로써, 그들 단자끼리를 이방성 도전 접속함으로써 제조할 수 있다. 이 경우, 압압은 금속제 가압 본더나 탄성 본더 등을 사용하여 실시할 수 있다. 가열에 대해서는, 제 1 전자 부품 또는 제 2 전자 부품이 재치되는 스테이지에 가열 수단을 설치하여 가열해도 되고, 본더에 가열 수단을 설치하여 가열해도 된다.
실시예
이하에서는, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
실시예 1 (탈자 방법의 제 2 모드에 의한 탈자 처리)
(도전 입자의 탈자 처리)
개구부 내경 10 cm, 깊이 20 cm 인 용량 900 ㎖ 의 유리제의 내용제성 원통 형 용기에, 후술하는 바와 같이 조제된, 평균 입경 3 ～ 4 ㎛ 의 니켈 피복 수지 입자 100 g 을 투입하고, 추가로, 시클로헥산 500 g 을 투입하여 분산 혼동하였다.
이 시클로헥산 혼합물을 -40 ℃ 로 냉각하여 응고시켰다. 응고된 시클로헥산 혼합물이 담긴 유리 용기를 관통형의 탈자 장치 (소니 케미컬 ＆ 인포메이션 디바이스 (주) 제조) 에 장착하고, 표 1 ～ 표 3 에 나타낸 조건에서 탈자 처리하였다. 탈자 처리 후, 실온으로 되돌려, 니켈 피복 수지 입자를 시클로헥산에서 여과 채취하여, 헥산으로 세정하고, 건조시킴으로써, 탈자 처리한 도전 입자를 얻었다.
(니켈 피복 수지 입자의 조제)
3 ㎛ 의 디비닐벤젠계 수지 입자 (5 g) 에, 팔라듐 촉매를 침지법에 의해 담지시켰다. 이어서, 이 수지 입자에 대하여, 황산니켈 6 수화물, 하이포아인산나트륨, 구연산나트륨, 트리에탄올아민 및 질산탈륨으로 조제된 무전해 니켈 도금액 (pH 12, 도금 액온 50 ℃) 을 사용하여 무전해 니켈 도금을 실시하여, 다양한 인 함유량을 갖는 니켈 도금층 (금속층) 이 표면에 형성된 니켈 피복 수지 입자를 도전 입자로서 얻었다. 얻어진 도전 입자의 평균 입자경은 3 ～ 4 ㎛ 의 범위였다.
(이방성 도전 필름의 제작)
도전 입자로서 탈자 처리한 니켈 피복 수지 입자 35 질량부와, 성막 성분으로서 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (YP50, 신닛카 에폭시 제조 (주)) 30 질량부와, 액상 성분으로서 비스페놀 A 에폭시 화합물 (EP828, 미츠비시 화학 (주)) 30 질량부와, 아민계 경화제 (PHX3941HP, 아사히 화성 (주)) 39 질량부와, 에폭시실란 커플링제 (A-187, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈 합동 회사) 1 질량부를, 톨루엔으로 고형분이 50 질량％ 가 되도록 희석하고, 혼합함으로써 이방성 도전 접착제를 조제하였다. 이 접착제를 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 건조 두께 25 ㎛ 가 되도록 바 코터로 도포하고, 80 ℃ 의 오븐 안에서 5 분간 건조함으로써, 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(접속 구조체의 제작)
또한, 이 이방성 도전 필름을, ITO 전극을 갖는 유리 배선 기판의 전극과 높이 15 ㎛ 의 금 범프가 형성된 가로 세로 13 ㎜ × 1.5 ㎜ 의 IC 칩의 범프 사이에 배치하고, 플립 칩 본더로 180 ℃, 40 MPa 로 15 초간 가열 가압함으로써 접속 구조체를 얻었다.
비교예 1
(이방성 도전 필름의 제작)
탈자 처리한 니켈 피복 수지 입자 대신에, 탈자 처리되어 있지 않은 니켈 피복 수지 입자를 사용하는 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 접착제를 조제하고, 또한 이방성 도전 필름을 제작하여, 아울러 접속 구조체를 얻었다.
(평가)
얻어진 이방성 도전 필름 또는 접속 구조체에 대하여, 「절연성」 및 「접속 저항」 을 탈자 속도 가변 조건하 (표 1), 및 인 함유량 가변 조건하 (표 2) 에서, 이하에 설명하는 바와 같이 평가하였다.
＜절연성＞
박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 벗기지 않은 실시예 1 및 비교예 1 의 각각의 이방성 도전 필름의 접착층면에, 유리 기판 상에 빗살 모양으로 배치 형성된 ITO 배선에 갖는 쇼트 평가용 절연 TEG (높이 15 ㎛ 의 금 범프가 형성된 가로 세로 13 ㎜ × 1.5 ㎜ 의 IC 칩；범프 사이즈 25 × 140 ㎛；범프간 스페이스 10 ㎛) 를, 본더로 도달 온도 180 ℃, 압착 시간 15 초라는 조건에서 압착하였다. 그리고 범프간의 절연 저항을 측정하고, 쇼트 발생수를 카운트하여, 이하의 평가 기준에 따라 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다. 또한, 쇼트 발생 부분에 있어서는, 광학 현미경을 사용하여 도전 입자의 막힘 정도 등으로부터 응집의 유무, 정도에 대해서도 관찰하였다.
랭크 내용
A： 절연 쇼트 발생수가 40 샘플 중, 10 개 미만
B： 절연 쇼트 발생수가 40 샘플 중, 10 개 이상 20 개 미만
C： 절연 쇼트 발생수가 40 샘플 중, 20 개 이상
＜접속 저항＞
실시예 1 및 비교예 1 에서 얻은 직후의 접속 구조체의 도통 저항을, 4 단자법에 의해 측정하였다.
얻어진 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
랭크 내용
A： 접속 저항값이 10 Ω 미만
B： 접속 저항값이 10 Ω 이상 50 Ω 미만
C： 접속 저항값이 50 Ω 이상
Figure pct00001
Figure pct00002
＜실시예 1 및 비교예 1 의 종합 평가＞
탈자 처리되어 있지 않은 도전 입자를 사용한 비교예 1 의 결과는, 인 함량 가변하에 있어서 절연성이 「C」 또는 「B」 평가였다. 그에 반해, 탈자 처리한 도전 입자를 사용한 실시예 1 의 결과는, 탈자 속도 가변하, 인 함량 가변하의 어느 쪽에 있어서도, 극단적인 조건하에서 일부에 절연성이 「C」 평가가 있지만, 기본적으로 「A」 또는 「B」 평가였다. 이들의 결과로부터, 본 발명의 이방성 도전 접착제 및 접속 구조체는, 사용된 자성 분체인 도전 입자의 탈자가 효율적으로 실현되고 있었기 때문에, 양호한 접속 신뢰성, 절연 신뢰성을 나타낸 것을 알 수 있다. 또한, 이하에, 탈자 조건의 경향에 대한 지견을 나타낸다.
＜절연성에 대한 평가＞
1 ) 탈자 속도 가변의 경우
표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 탈자 속도의 증대와 함께, 절연성이 저하되는 경향이 보이지만, 크게 저하되는 것은 아니다.
2 ) 인 함유량 가변의 경우
표 2 의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 인 함유량에 관계없이, 자계 강도가 200 ～ 2000 G 이면, 절연성이 저하되는 경우는 없다. 또한, 광학 현미경 관찰의 결과, 「쇼트」 가 발생한 지점에서는 도전 입자의 응집이 관찰되고, 특히 평가 「C」 의 경우에 현저하였다.
＜접속 저항에 대한 평가＞
탈자 처리를 하지 않은 경우의 접속 저항값은 낮은 것으로, 탈자 처리를 한 경우에 그것보다 접속 저항값이 증대되지 않는 것이 바람직하지만, 표 1 및 표 2 의 「접속 저항」 란의 결과로부터, 탈자 속도, 인 함유량을 변화시켜도 바람직한 접속 저항값이 유지되는 것을 알 수 있다.
실시예 2 (탈자 방법의 제 1 모드에 의한 탈자 처리)
개구부 내경 60 ㎜, 깊이 70 ㎜ 인 용량 100 ㎖ 의 유리제의 내용제성 원통 형 용기에, 실시예 1 에서 조제한 것과 동일한 평균 입경 3 ～ 4 ㎛ 의 니켈 피복 수지 입자 (탈자 미처리) 100 g 을 넣었다. 수지 입자의 표면은 개구부로부터 20 ㎜ 의 위치였다. 또한, 니켈 중에는 인 원자가 4 질량％ 함유되어 있었다.
다음으로, 개구부로부터 직경 60 ㎜, 두께 10 ㎜ 의 원반상의 유리판을 수지 입자 표면에 놓고, 그것을 500 N 의 힘으로 가압하여 탈착 가능하게 고정하였다. 이 유리 용기를 관통형의 탈자 장치 (소니 케미컬 ＆ 인포메이션 디바이스 (주) 제조) 에 장착하고, 자계 강도 400 G, 탈자 속도 50 ㎜/s, 실온하에서 탈자 처리를 실시하였다.
이 실시예에서 얻은 도전 입자를 사용하는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 접착제, 또한 이방성 도전 필름 그리고 접속 구조체를 제작하였다. 얻어진 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 시험 평가한 결과, 실시예 1 의 평가 결과와 동일한 경향을 나타내었다.
실시예 3 (탈자 방법의 제 3 모드에 의한 탈자 처리)
(이방성 도전 접착제의 조제)
도전 입자로서 실시예 1 에서 조제한 것과 동일한 평균 입경 3 ～ 4 ㎛ 의 니켈 피복 수지 입자 (탈자 미처리) 35 질량부와, 성막 성분으로서 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (YP50, 신닛카 에폭시 제조 (주)) 30 질량부와, 액상 성분으로서 비스페놀 A 에폭시 화합물 (EP828, 미츠비시 화학 (주)) 30 질량부와, 아민계 경화제 (PHX3941HP, 아사히 화성 (주)) 39 질량부와, 에폭시실란 커플링제 (A-187, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈 합동 회사) 1 질량부를, 톨루엔으로 소정의 점도 (25 ℃) 가 되도록 고형분이 50 질량％ 가 되도록 희석하고, 혼합함으로써 페이스트상의 이방성 도전 접착제를 조제하였다. 또한, 니켈 중에는 인 원자가 4 질량％ 함유되어 있었다.
(페이스트상 이방성 도전 접착제 상태에서의 탈자 처리)
이 페이스트상의 이방성 도전 접착제를 개구부 내경 60 ㎜, 깊이 70 ㎜ 인 용량 100 ㎖ 의 유리제의 내용제성 원통형 용기에 넣었다. 이방성 도전 접착제의 표면은 개구부로부터 20 ㎜ 의 위치였다.
다음으로, 이 유리 용기를 관통형의 탈자 장치 (소니 케미컬 ＆ 인포메이션 디바이스 (주) 제조) 에 장착하고, 소정의 자계 강도로, 탈자 속도 50 ㎜/s, 실온하에서 탈자 처리를 실시하였다. 이로써 탈자 처리된 도전 입자를 함유하는 페이스트상의 이방성 도전 접착제를 얻었다.
이 실시예에서 얻은 탈자 처리된 도전 입자를 함유하는 페이스트상의 이방성 도전 접착제를 사용하는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름 그리고 접속 구조체를 제작하였다. 얻어진 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 시험 평가하였다. 얻어진 결과를 표 3 에 나타낸다.
비교예 2
페이스트상의 이방성 도전 접착제 상태에서 탈자 처리를 실시하지 않는 것 이외에는, 실시예 3 과 동일하게 하여 이방성 도전 접착제를 조제하고, 또한 이방성 도전 필름을 제작하여, 아울러 접속 구조체를 얻었다. 얻어진 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 시험 평가하였다. 얻어진 결과를 표 3 에 나타낸다.
Figure pct00003
＜실시예 3 및 비교예 2 의 종합 평가＞
탈자 처리되어 있지 않은 도전 입자를 사용한 비교예 2 의 결과는, 이방성 도전 접착제 점도 가변하에 있어서 절연성이 「C」 평가였다. 그에 반해, 페이스트상의 이방성 도전 접착제 상태에서 탈자 처리한 도전 입자를 사용한 실시예 3 의 결과는, 접착제 점도 가변하에 있어서, 극단적인 조건하에서 일부에 절연성이 「C」 평가가 있지만, 기본적으로 「A」 또는 「B」 평가였다. 이들의 결과로부터, 본 발명의 페이스트상의 이방성 도전 접착제 및 접속 구조체는, 사용한 자성 분체인 도전 입자의 탈자가 효율적으로 실현되고 있었기 때문에, 양호한 접속 신뢰성, 절연 신뢰성을 나타낸 것을 알 수 있다. 또한, 이하에, 탈자 조건의 경향에 대한 지견을 나타낸다.
＜절연성에 대한 평가＞
1 ) 이방성 도전 접착제 점도 가변의 경우
표 3 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 접착제 점도의 감소와 함께, 절연성이 저하되는 경향이 보이지만, 크게 저하되는 것은 아니다. 또한, 광학 현미경 관찰의 결과, 「쇼트」 가 발생한 지점에서는 도전 입자의 응집이 관찰되고, 특히 평가 「C」 의 경우에 현저하였다.
＜접속 저항에 대한 평가＞
탈자 처리를 하지 않은 경우의 접속 저항값은 낮은 것으로, 탈자 처리를 한 경우에 그것보다 접속 저항값이 증대되지 않는 것이 바람직하지만, 표 3 의 「접속 저항」 란의 결과로부터, 접착제 조성물 점도를 변화시켜도 바람직한 접속 저항값이 유지되는 것을 알 수 있다. 또, 인 함유량을 변화시킨 경우, 표 2 의 경우와 동일한 경향을 나타내었다.
실시예 4 (탈자 방법의 제 4 모드에 의한 탈자 처리)
(이방성 도전 접착제의 조제)
도전 입자로서 실시예 1 에서 조제한 것과 동일한 평균 입경 3 ～ 4 ㎛ 의 니켈 피복 수지 입자 (탈자 미처리) 35 질량부와, 성막 성분으로서 비스페놀 A 형 페녹시 수지 (YP50, 신닛카 에폭시 제조 (주)) 30 질량부와, 액상 성분으로서 비스페놀 A 에폭시 화합물 (EP828, 미츠비시 화학 (주)) 30 질량부와, 아민계 경화제 (PHX3941HP, 아사히 화성 (주)) 39 질량부와, 에폭시실란 커플링제 (A-187, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈 합동 회사) 1 질량부를, 톨루엔으로 고형분이 50 질량％ 가 되도록 희석하고, 혼합함으로써 이방성 도전 접착제를 조제하였다. 또한, 니켈 중에는 인 원자가 4 질량％ 함유되어 있었다.
(이방성 도전 필름의 제작)
이 이방성 도전 접착제를 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 건조 두께 25 ㎛ 가 되도록 바 코터로 도포하고, 80 ℃ 의 오븐 안에서 5 분간 건조함으로써, 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(이방성 도전 필름 상태에서의 탈자 처리)
다음으로, 이 이방성 도전 필름을 비자성 베이스와 커버에 협지한 적층물을 관통형의 탈자 장치 (소니 케미컬 ＆ 인포메이션 디바이스 (주) 제조) 에 장착하고, 소정의 자계 강도로, 탈자 속도 가변하, 실온하에서 탈자 처리를 실시하였다. 이로써 탈자 처리된 도전 입자를 함유하는 이방성 도전 필름을 얻었다.
(접속 구조체의 제작)
또한, 이 이방성 도전 필름을, ITO 전극을 갖는 유리 배선 기판의 전극과 높이 15 ㎛ 의 금 범프가 형성된 가로 세로 13 ㎜ × 1.5 ㎜ 의 IC 칩의 범프 사이에 배치하고, 플립 칩 본더로 180 ℃, 40 MPa 로 15 초간 가열 가압함으로써 접속 구조체를 얻었다.
얻어진 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 시험 평가하였다. 얻어진 결과를 표 4 에 나타낸다.
비교예 3
탈자 처리한 니켈 피복 수지 입자 대신에, 탈자 처리하지 않은 니켈 피복 수지 입자를 사용하는 것 이외에, 실시예 4 와 동일하게 하여 이방성 도전 접착제를 조제하고, 또한 이방성 도전 필름을 제작하여, 아울러 접속 구조체를 얻었다. 얻어진 이방성 도전 필름 및 접속 구조체를 사용하여, 실시예 4 와 동일하게 시험 평가하였다. 얻어진 결과를 표 4 에 나타낸다.
Figure pct00004
＜실시예 4 및 비교예 3 의 종합 평가＞
탈자 처리하지 않은 이방성 도전 필름을 사용한 비교예 3 의 결과는, 절연성이 「C」 평가였다. 그에 반해, 이방성 도전 필름 상태에서 탈자 처리한 실시예 4 의 결과는, 탈자 가변하에 있어서, 기본적으로 「A」 또는 「B」 평가였다. 이들의 결과로부터, 본 발명의 필름상의 이방성 도전 접착제 및 접속 구조체는, 사용한 자성 분체인 도전 입자의 탈자가 효율적으로 실현되고 있었기 때문에, 양호한 접속 신뢰성, 절연 신뢰성을 나타낸 것을 알 수 있다. 또한, 이하에, 탈자 조건의 경향에 대한 지견을 나타낸다.
＜절연성에 대한 평가＞
1 ) 탈자 속도 가변의 경우
표 4 로부터 알 수 있는 바와 같이, 탈자 속도의 증대와 함께, 절연성이 저하되는 경향이 보이지만, 크게 저하되는 것은 아니다. 또한, 광학 현미경 관찰의 결과, 「쇼트」 가 발생한 지점에서는 도전 입자의 응집이 관찰되었다.
＜접속 저항에 대한 평가＞
탈자 처리를 하지 않은 경우의 접속 저항값은 낮은 것으로, 탈자 처리를 한 경우에 그것보다 접속 저항값이 증대되지 않는 것이 바람직하지만, 표 4 의 「접속 저항」 란의 결과로부터, 탈자 속도를 변화시켜도 바람직한 접속 저항값이 유지되는 것을 알 수 있다. 또, 인 함유량을 변화시켜도, 표 2 의 경우와 동일한 경향을 나타내었다.
산업상 사용가능성
본 발명의 이방성 도전 접착제는, 도전 입자로서 그 적어도 일부가 자성 재료로 구성되어 있는 자성 분체를 사용하는데, 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 탈자 처리를 해 둔다. 이 때문에, 이방성 도전 접속시에, 응집되는 것을 방지 혹은 크게 억제할 수 있기 때문에, 전기 소자와 배선 기판의 이방성 도전 접속에 유용하다.
1, 21 … 자성 도전 입자
2, 23 … 용기
2a, 32 … 개구부
3 … 압압 수단
10 … 탈자 코일
22 … 액체
31 … 페이스트
33 … 용기
41 … 비자성 베이스
42 … 이방성 도전 필름
43 … 비자성 커버

Claims (15)

  1. 절연성 접착제 조성물 중에 자성 도전 입자가 분산되어 이루어지는 이방성 도전 접착제에 있어서,
    그 자성 도전 입자가, 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 탈자 (脫磁) 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 접착제.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 자성 도전 입자가, 절연성 접착제 조성물 중에 분산시키기 전의 분체 (粉體) 상태에서, 절연성 접착제 조성물 중에 분산된 페이스트 상태에서, 또는 그 페이스트로 형성된 필름 상태에서 탈자 처리되고 있는, 이방성 도전 접착제.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    그 도전 입자가, 니켈 피복 수지 입자 또는 니켈 금속 입자인, 이방성 도전 접착제.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    니켈 피복 수지 입자의 니켈이, 인 원소를 함유하고 있는, 이방성 도전 접착제.
  5. 제 4 항에 있어서,
    니켈 피복 수지 입자의 니켈이, 인 원소를 1 ～ 10 질량％ 함유하고 있는, 이방성 도전 접착제.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    도전 입자의 평균 입자경이 0.5 ～ 30 ㎛ 인, 이방성 도전 접착제.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 자성 도전 입자가, 용기 내에 충전되어, 분체 상태에서 탈자 처리된 것인, 이방성 도전 접착제.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 자성 도전 입자가, 액체 중에 투입되고, 이어서, 그 액체를 응고시켜 응고물 중에 가고정되어, 분체 상태에서 탈자 처리된 것인, 이방성 도전 접착제.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 자성 도전 입자가, 절연성 접착제 조성물 중에 분산되어 얻은 페이스트 상태에서 탈자 처리된 것인, 이방성 도전 접착제.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필름상으로 성형되어 있는, 이방성 도전 접착제.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    그 자성 도전 입자가, 절연성 접착제 조성물에 분산되어, 얻어진 분산물을 필름화하여 얻은 필름 상태에서 탈자 처리된 것인, 이방성 도전 접착제.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    자성 도전 입자의 탈자 처리가, 200 ～ 2000 G 의 자계 강도로 실시되는, 이방성 도전 접착제.
  13. 절연성 접착제 조성물 중에 자성 도전 입자가 분산되어 이루어지는 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 접착제의 제조 방법으로서,
    자성 도전 입자를 당해 이방성 도전 접착제를 사용하여 이방성 도전 접속을 실시할 때까지 탈자 처리하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  14. 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가, 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 접착제에 의해 이방성 도전 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 접속 구조체.
  15. 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가 접속되어 이루어지는 접속 구조체의 제조 방법으로서,
    제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자 사이에, 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 접착제를 배치하고, 이방성 도전 접착제를 가열하면서 제 1 전자 부품을 제 2 전자 부품에 압압함으로써, 단자끼리를 이방성 도전 접속하는 것을 특징으로 하는 접속 구조체의 제조 방법.
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