JP2841721B2 - 突起状電極バンプの構造及びその製法 - Google Patents
突起状電極バンプの構造及びその製法Info
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- JP2841721B2 JP2841721B2 JP2137765A JP13776590A JP2841721B2 JP 2841721 B2 JP2841721 B2 JP 2841721B2 JP 2137765 A JP2137765 A JP 2137765A JP 13776590 A JP13776590 A JP 13776590A JP 2841721 B2 JP2841721 B2 JP 2841721B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の実装構造により、特にその突
起状電極バンプの構造及びその製法に関するものであ
る。
起状電極バンプの構造及びその製法に関するものであ
る。
第７図及び第８図は、従来の半導体装置の実装構造を
示すもので、半導体装置１を、その半導体装置１と基板
２上の導体リード３間を、金属材料（Ni,Ag等）からな
る導体性粒子４を含んだ異方性導電接着剤５により接合
して実装したものである。
示すもので、半導体装置１を、その半導体装置１と基板
２上の導体リード３間を、金属材料（Ni,Ag等）からな
る導体性粒子４を含んだ異方性導電接着剤５により接合
して実装したものである。
半導体装置１は、パッド部に突起状接続電極（バン
プ）６が形成されたいわゆるフリップチップで、基板２
上にフェースダウンボンディング実装され加圧及び加熱
することにより、第８図に示すように、突起状電極バン
プ６と基板２上の導体リード３間で、異方性導電接着剤
５中に混在された導電性粒子４がつぶれて、突起状電極
バンプ６と基板２上の導体リード３と接触し、電気的接
続がとられるように構成されたものである。
プ）６が形成されたいわゆるフリップチップで、基板２
上にフェースダウンボンディング実装され加圧及び加熱
することにより、第８図に示すように、突起状電極バン
プ６と基板２上の導体リード３間で、異方性導電接着剤
５中に混在された導電性粒子４がつぶれて、突起状電極
バンプ６と基板２上の導体リード３と接触し、電気的接
続がとられるように構成されたものである。
ところで、このように構成された従来の半導体装置１
の実装構造においては、異方性導電接着剤５中に導電性
粒子４を均一には混ぜれず、このため突起状電極バンプ
６と導体リード３の間に介在する導電性粒子４の数が一
定とはならず、接続抵抗が増えたり、導電性粒子４が全
く存在しないために電気的導通がとれずに断線不良にな
るという欠点があった。この問題は突起状電極バンプ６
のサイズが極小であったり、回路パターン３が微細ピッ
チである場合には、特に顕著であった。
の実装構造においては、異方性導電接着剤５中に導電性
粒子４を均一には混ぜれず、このため突起状電極バンプ
６と導体リード３の間に介在する導電性粒子４の数が一
定とはならず、接続抵抗が増えたり、導電性粒子４が全
く存在しないために電気的導通がとれずに断線不良にな
るという欠点があった。この問題は突起状電極バンプ６
のサイズが極小であったり、回路パターン３が微細ピッ
チである場合には、特に顕著であった。
この欠点を解消する方法として、異方性導電接着剤５
中の導電性粒子４の数を増加させることが考えられる
が、この場合は接着剤自体の含有率が低下し、接着強度
が低下する。さらには、導電性粒子４の密度が高くなる
ことによって、導線リード３間又は突起状電極バンプ６
間での短絡不良が発生するという恐れがあった。
中の導電性粒子４の数を増加させることが考えられる
が、この場合は接着剤自体の含有率が低下し、接着強度
が低下する。さらには、導電性粒子４の密度が高くなる
ことによって、導線リード３間又は突起状電極バンプ６
間での短絡不良が発生するという恐れがあった。
また、別の方法としては、導電性粒子４をファイング
レート（極小サイズ）とし、突起状電極バンプ６と導体
リード３の間に導電性粒子４が存在する確立が高くする
ことも考えられるが、やはり、異方性導電接着剤５中に
導電性粒子４を均一には混ぜれず、さらには、ファイン
グレートの導電性粒子４を均一な大きさで製造すること
は非常に困難であった。
レート（極小サイズ）とし、突起状電極バンプ６と導体
リード３の間に導電性粒子４が存在する確立が高くする
ことも考えられるが、やはり、異方性導電接着剤５中に
導電性粒子４を均一には混ぜれず、さらには、ファイン
グレートの導電性粒子４を均一な大きさで製造すること
は非常に困難であった。
本発明は、前記背景に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、製法が容易で、導電リードや突
起状電極バンプが微小であっても、フェースダウンボン
ディング時の電気的接続が確実にとれる突起状電極バン
プの構造及びその製法方法を提供することにある。
の目的とするところは、製法が容易で、導電リードや突
起状電極バンプが微小であっても、フェースダウンボン
ディング時の電気的接続が確実にとれる突起状電極バン
プの構造及びその製法方法を提供することにある。
上記課題を解決するため本発明は、半導体装置１を、
基板２上の導体リード３にフェースダウンボンディング
実装し、突起状電極バンプを介在させて電気的接続が採
られる半導体装置１における突起状電極バンプ６の構造
において、前記突起状電極バンプ６の半導体装置１側先
端に、接着剤による接着層７を形成し、該接着層７に金
属材料からなり、球状で略同一径を有する導電性粒子４
を、突起状バンプ間で均一に付着させたことを特徴とす
るものである。
基板２上の導体リード３にフェースダウンボンディング
実装し、突起状電極バンプを介在させて電気的接続が採
られる半導体装置１における突起状電極バンプ６の構造
において、前記突起状電極バンプ６の半導体装置１側先
端に、接着剤による接着層７を形成し、該接着層７に金
属材料からなり、球状で略同一径を有する導電性粒子４
を、突起状バンプ間で均一に付着させたことを特徴とす
るものである。
また、前記突起状電極バンプ６の製法において、前記
接着剤を磁化させて接着層７を形成し、該接着層７上に
同様に磁化された金属材料からなる球状の導電性粒子４
をその磁力により付着させ、接着剤の硬化後に消磁して
製造されることを特徴とするものである。
接着剤を磁化させて接着層７を形成し、該接着層７上に
同様に磁化された金属材料からなる球状の導電性粒子４
をその磁力により付着させ、接着剤の硬化後に消磁して
製造されることを特徴とするものである。
さらには、金属材料からなる球状の導電性粒子４それ
ぞれを、常温では粘着力の少ない接着剤でつつんで導電
性粒子４の外側に均一な接着層７を形成し、該導電性粒
子４をスクリーン８を用いて突起状電極バンプ６先端に
一層に並べ、加熱することにより接着硬化させて製造さ
れることを特徴とするものである。
ぞれを、常温では粘着力の少ない接着剤でつつんで導電
性粒子４の外側に均一な接着層７を形成し、該導電性粒
子４をスクリーン８を用いて突起状電極バンプ６先端に
一層に並べ、加熱することにより接着硬化させて製造さ
れることを特徴とするものである。
上記のように本発明においては、導電性金属粒子４を
突起状電極バンプ６の先端のみに接着させたため、導体
リード３間又は突起状電極バンプ６間の短絡がなくな
り、また、突起状電極バンプ６と導体リード３の間に介
在する導電性金属粒子４の数を、一定にかつ増加させる
ことができ、これにより断線不良がなくなり接続が安定
するため、接続抵抗が減少し、高速度で動作する半導体
装置１を搭載することができる。また、導電性金属粒子
４を、形状が球状で同一の径を有するものとしたため、
突起状電極バンプ６の高さを一定とでき、フェースダウ
ンボンディング時の接続が安定する。また、請求項２及
び３に係る製法によれば、本発明の構造の突起状電極バ
ンプが容易に製造できる。
突起状電極バンプ６の先端のみに接着させたため、導体
リード３間又は突起状電極バンプ６間の短絡がなくな
り、また、突起状電極バンプ６と導体リード３の間に介
在する導電性金属粒子４の数を、一定にかつ増加させる
ことができ、これにより断線不良がなくなり接続が安定
するため、接続抵抗が減少し、高速度で動作する半導体
装置１を搭載することができる。また、導電性金属粒子
４を、形状が球状で同一の径を有するものとしたため、
突起状電極バンプ６の高さを一定とでき、フェースダウ
ンボンディング時の接続が安定する。また、請求項２及
び３に係る製法によれば、本発明の構造の突起状電極バ
ンプが容易に製造できる。
第１図及び第２図は、本発明の第１の実施例を示すも
のである。半導体装置１が実装される基板２は、プラス
チック系又はセラミック系であり、その片面に導体リー
ド３を有し、その導体リード３の一端には、金、銀、
銅、インジウム、ニッケル等の導電性金属材料からなる
突起状電極バンプ６が設けられている。その突起状電極
バンプ６の半導体装置１実装側先端には、硬化後の硬度
が低いエポキシ系やシリコン系等の樹脂からなる接着剤
７が塗布されており、その上に金属材料からなる球状
で、略同一径を有する導電性粒子４が突起状電極バンプ
６間で均一に付着されて構成されたものである。なお、
基板２はリードフレームやフィルム状のもので構成され
たのもであっても良い。
のである。半導体装置１が実装される基板２は、プラス
チック系又はセラミック系であり、その片面に導体リー
ド３を有し、その導体リード３の一端には、金、銀、
銅、インジウム、ニッケル等の導電性金属材料からなる
突起状電極バンプ６が設けられている。その突起状電極
バンプ６の半導体装置１実装側先端には、硬化後の硬度
が低いエポキシ系やシリコン系等の樹脂からなる接着剤
７が塗布されており、その上に金属材料からなる球状
で、略同一径を有する導電性粒子４が突起状電極バンプ
６間で均一に付着されて構成されたものである。なお、
基板２はリードフレームやフィルム状のもので構成され
たのもであっても良い。
第２図は、本実施例の製造工程を示すもので、まず、
基板２上の導体リード３の先端部分に突起状の電極バン
プ６を形成する。この方法としては、電解メッキをする
方法や、ワイヤボンディングを行いワイヤ部分を切断す
る方法等があり、特に微細ピッチで突起状電極バンプ６
を形成する場合には、ポジ又はネガレジストを用い、紫
外線照射で窓あけを行い、電解メッキをする方法が採ら
れる。次に、突起状電極バンプ６の先端にスクリーン印
刷等により均一な厚さの接着剤を塗布し接着層７を形成
する（同図（ａ）参照）。なおここで、接着層として熱
硬化性の樹脂を用いた場合は、液状でかつチクソ性の高
いものを使用するが、ある程度仮硬化（完全硬化ではな
い）させておき、粘度をあげておく。その後、パレット
９等に導電性金属粒子４を均一に間隙なく並べ、この上
から接着層７を有する突起状電極バンプ６を押しつけ
て、導電性金属粒子４の一部分が接着層７に埋め込まれ
るようにして導電性金属粒子４を接着する（同図（ｂ）
参照）。
基板２上の導体リード３の先端部分に突起状の電極バン
プ６を形成する。この方法としては、電解メッキをする
方法や、ワイヤボンディングを行いワイヤ部分を切断す
る方法等があり、特に微細ピッチで突起状電極バンプ６
を形成する場合には、ポジ又はネガレジストを用い、紫
外線照射で窓あけを行い、電解メッキをする方法が採ら
れる。次に、突起状電極バンプ６の先端にスクリーン印
刷等により均一な厚さの接着剤を塗布し接着層７を形成
する（同図（ａ）参照）。なおここで、接着層として熱
硬化性の樹脂を用いた場合は、液状でかつチクソ性の高
いものを使用するが、ある程度仮硬化（完全硬化ではな
い）させておき、粘度をあげておく。その後、パレット
９等に導電性金属粒子４を均一に間隙なく並べ、この上
から接着層７を有する突起状電極バンプ６を押しつけ
て、導電性金属粒子４の一部分が接着層７に埋め込まれ
るようにして導電性金属粒子４を接着する（同図（ｂ）
参照）。
このように製造された突起状電極バンプ６に、半導体
装置１の電極パッドを対向させて、半導体装置１をフェ
ースダウンボンディングし（同図（ｃ）参照）、加熱及
び加重を行い、これらを接合させる。この時、加圧によ
り、導電性金属粒子４が接着層７に押し込まれ、半導体
装置１の電極パッドと突起状電極バンプ６の双方に接触
し、それらの間でつぶれて電気的導通を確保し、また、
同時に加熱により接着剤７を硬化させ、その収縮力によ
り固定させて前記接触状態を維持させる。最後に半導体
装置１の耐湿性向上と接合性の向上（機械的衝撃に強く
する）ために、半導体装置１と基板２の間に、樹脂10等
を充填して封止を行う。なお、この樹脂10による封止
は、本発明に特に必要なものではなく、封止しなくても
良く、またキャップ等で覆ったものでも良い。
装置１の電極パッドを対向させて、半導体装置１をフェ
ースダウンボンディングし（同図（ｃ）参照）、加熱及
び加重を行い、これらを接合させる。この時、加圧によ
り、導電性金属粒子４が接着層７に押し込まれ、半導体
装置１の電極パッドと突起状電極バンプ６の双方に接触
し、それらの間でつぶれて電気的導通を確保し、また、
同時に加熱により接着剤７を硬化させ、その収縮力によ
り固定させて前記接触状態を維持させる。最後に半導体
装置１の耐湿性向上と接合性の向上（機械的衝撃に強く
する）ために、半導体装置１と基板２の間に、樹脂10等
を充填して封止を行う。なお、この樹脂10による封止
は、本発明に特に必要なものではなく、封止しなくても
良く、またキャップ等で覆ったものでも良い。
このような構成にしたことにより、導電性金属粒子４
を突起状電極バンブ６の先端のみに接着させたたため、
導体リード３間又は突起状電極バンプ６間の短絡がなく
なり、これにより、導体リード３の間隔や突起状電極６
の間隔をせばめることができ、また、突起状電極バンプ
６と導体リード３の間に介在する導電性金属粒子４の数
を一定にかつ増加させることができるため断線不良が防
げ、突起状電極バンプ６や導線リード３の大きさを小さ
くすることができ、基板２上での高密度実装が可能で小
型化が図れる。また接続成抵抗が減少するため高速度で
動作する半導体装置１を搭載することができる。さらに
は、導電性金属粒子４を形状が球状で同一の径を有する
ものとしたため、突起状電極バンプ６の高さを一定とで
き、フェースダウンボンディング時の接続が安定する。
また、導電性金属粒子４を介して電気的接続をとるた
め、半導体装置１と基板２の熱膨張率の差による熱的応
力の吸収ができ、基板２として安価で製造し易い材料が
使用できる。
を突起状電極バンブ６の先端のみに接着させたたため、
導体リード３間又は突起状電極バンプ６間の短絡がなく
なり、これにより、導体リード３の間隔や突起状電極６
の間隔をせばめることができ、また、突起状電極バンプ
６と導体リード３の間に介在する導電性金属粒子４の数
を一定にかつ増加させることができるため断線不良が防
げ、突起状電極バンプ６や導線リード３の大きさを小さ
くすることができ、基板２上での高密度実装が可能で小
型化が図れる。また接続成抵抗が減少するため高速度で
動作する半導体装置１を搭載することができる。さらに
は、導電性金属粒子４を形状が球状で同一の径を有する
ものとしたため、突起状電極バンプ６の高さを一定とで
き、フェースダウンボンディング時の接続が安定する。
また、導電性金属粒子４を介して電気的接続をとるた
め、半導体装置１と基板２の熱膨張率の差による熱的応
力の吸収ができ、基板２として安価で製造し易い材料が
使用できる。
第３図及び第４図は、本発明の第２の実施例を示すも
のである。前記第１の実施例と異なる点は、接着剤及び
導電性金属粒子４であり、他は前記第１の実施例と同様
である。
のである。前記第１の実施例と異なる点は、接着剤及び
導電性金属粒子４であり、他は前記第１の実施例と同様
である。
第４図において接着剤は、磁性体（Fe,Ni等の金属粉
末）を含有したエポキシ系、シリコン系等の樹脂を用
い、これを磁化させて後、突起状電極バンプ６に塗布し
て接着層７を形成する（同図（ａ）参照）。次にパレッ
ト９等に磁化された磁性体を含有した導電性金属粒子４
を均一に間隙なく並べ、この上から接着層７を有する突
起状電極バンプ６を近づけてその磁力により導電性金属
粒子４を接着剤７の表面に付着させる（同図（ｂ）参
照）。吸着後は導電性金属粒子４は接着剤により保持さ
れるため、それらの消磁を行って製造する。
末）を含有したエポキシ系、シリコン系等の樹脂を用
い、これを磁化させて後、突起状電極バンプ６に塗布し
て接着層７を形成する（同図（ａ）参照）。次にパレッ
ト９等に磁化された磁性体を含有した導電性金属粒子４
を均一に間隙なく並べ、この上から接着層７を有する突
起状電極バンプ６を近づけてその磁力により導電性金属
粒子４を接着剤７の表面に付着させる（同図（ｂ）参
照）。吸着後は導電性金属粒子４は接着剤により保持さ
れるため、それらの消磁を行って製造する。
このように製造された突起状電極バンプ６に、半導体
装置１を前記第１の実施例と同様にフェースダウンボン
ディングする（同図（ｃ）、（ｄ）参照）。このような
構成においても、前記第１の実施例と同様の効果を奏す
ると共に、突起状電極バンプ６の製造が容易に行なえる
という効果をも奏する。
装置１を前記第１の実施例と同様にフェースダウンボン
ディングする（同図（ｃ）、（ｄ）参照）。このような
構成においても、前記第１の実施例と同様の効果を奏す
ると共に、突起状電極バンプ６の製造が容易に行なえる
という効果をも奏する。
第５図及び第６図は、本発明の第３の実施例を示すも
のである。前記第１の実施例と異なる点は、接着剤及び
接着剤と導電性金属粒子４の電極バンプとの接合方法で
あり、他は前記第１の実施例と同様である。
のである。前記第１の実施例と異なる点は、接着剤及び
接着剤と導電性金属粒子４の電極バンプとの接合方法で
あり、他は前記第１の実施例と同様である。
接着剤はエポキシ系、シリコン系等の樹脂を用い、常
温あたりやそれ以下の温度ではほとんど粘着性をもたず
固定であり、加熱により粘着性が現れるものを用いる。
導電性金属粒子４は前記特性を有する接着剤で覆われ、
この外側に接着層７を有する導電性金属粒子４を、突起
状電極バンプ６上に配設して加熱することにより、突起
状電極バンプ６に接合させたものである。
温あたりやそれ以下の温度ではほとんど粘着性をもたず
固定であり、加熱により粘着性が現れるものを用いる。
導電性金属粒子４は前記特性を有する接着剤で覆われ、
この外側に接着層７を有する導電性金属粒子４を、突起
状電極バンプ６上に配設して加熱することにより、突起
状電極バンプ６に接合させたものである。
第６図は、本実施例の製造工程を示すもので、まず、
その外側に接着層７を有する導電性金属粒子４を、スク
リーン８等を用いて突起状電極バンプ６上に一列に配設
する（同図（ａ）参照）。その後、加熱することにより
接着剤で被覆した導電性金属粒子４を突起状電極バンプ
６に接着固定する（同図（ｂ）参照）。
その外側に接着層７を有する導電性金属粒子４を、スク
リーン８等を用いて突起状電極バンプ６上に一列に配設
する（同図（ａ）参照）。その後、加熱することにより
接着剤で被覆した導電性金属粒子４を突起状電極バンプ
６に接着固定する（同図（ｂ）参照）。
このように製造された突起状電極バンプ６に、半導体
装置１を前記第１の実施例と同様にフェースダウンボン
ディングする（同図（ｃ）、（ｄ）参照）。このような
構成においても、前記第２の実施例と同様の効果を奏す
る。
装置１を前記第１の実施例と同様にフェースダウンボン
ディングする（同図（ｃ）、（ｄ）参照）。このような
構成においても、前記第２の実施例と同様の効果を奏す
る。
本発明によれば、導電性金属粒子を突起状電極バンプ
の先端のみに接着させたため、導体リード間又は突起状
電極バンプ間の短絡がなくなり、また、突起状電極バン
プと導体リードの間に介在する導電性金属粒子の数を一
定にかつ増加させることができ、これにより断線不良が
なくなり、さらには、継続抵抗が減少するため高速度で
動作する半導体装置を搭載することができる。また、導
電性金属粒子を形状が同一の径を有するものとしたた
め、突起状電極バンプの高さを一定とでき、フェースダ
ウンボンディング時の接続が安定する。また、請求項２
及び請求項３に係る製法によれば本発明の構造の突起状
電極バンプが容易に製造できる。
の先端のみに接着させたため、導体リード間又は突起状
電極バンプ間の短絡がなくなり、また、突起状電極バン
プと導体リードの間に介在する導電性金属粒子の数を一
定にかつ増加させることができ、これにより断線不良が
なくなり、さらには、継続抵抗が減少するため高速度で
動作する半導体装置を搭載することができる。また、導
電性金属粒子を形状が同一の径を有するものとしたた
め、突起状電極バンプの高さを一定とでき、フェースダ
ウンボンディング時の接続が安定する。また、請求項２
及び請求項３に係る製法によれば本発明の構造の突起状
電極バンプが容易に製造できる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す一部断面側面図、
第２図（ａ）〜（ｄ）は同上の製造方法及び実装方法を
示す一部断面側面図、第３図は本発明の第２の実施例を
示す一部断面側面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は同上の製
造方法及び実装方法を示す一部断面側面図、第５図は本
発明の第３の実施例を示す一部断面側面図、第６図
（ａ）〜（ｄ）は同上の製造方法及び実装方法を示す一
部断面側面図、第７図は半導体装置の従来の実装構造を
示す一部断面側面図、第８図は同上の要部一部断面側面
図である。 １……半導体装置、２……基板 ３……導体リード、４……導電性金属粒子 ６……突起状電極バンプ、７……接着層 ８……スクリーン
第２図（ａ）〜（ｄ）は同上の製造方法及び実装方法を
示す一部断面側面図、第３図は本発明の第２の実施例を
示す一部断面側面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は同上の製
造方法及び実装方法を示す一部断面側面図、第５図は本
発明の第３の実施例を示す一部断面側面図、第６図
（ａ）〜（ｄ）は同上の製造方法及び実装方法を示す一
部断面側面図、第７図は半導体装置の従来の実装構造を
示す一部断面側面図、第８図は同上の要部一部断面側面
図である。 １……半導体装置、２……基板 ３……導体リード、４……導電性金属粒子 ６……突起状電極バンプ、７……接着層 ８……スクリーン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−293729（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−154345（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−128937（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 21/60 311
Claims (3)
- 【請求項１】半導体装置を、基板上の導体リードにフェ
ースダウンボンディング実装し、突起状電極バンプを介
在させて電気的接続が採られる半導体装置における突起
状電極バンプの構造において、前記突起状電極バンプの
半導体装置側先端に、接着剤による接着層を形成し、該
接着層に金属材料からなる球状で、略同一径を有する導
電性粒子を突起状バンプ間で均一に付着させたことを特
徴とする突起状電極バンプの構造。 - 【請求項２】請求項１記載の突起状電極バンプの製法に
おいて、前記接着剤を磁化させて接着層を形成し、該接
着層上に同様に磁化された金属材料からなる球状の導電
性粒子をその磁力により付着させ、接着剤の硬化後に消
磁して製造されることを特徴とする突起状電極バンプの
製法。 - 【請求項３】請求項１記載の突起状電極バンプの製法に
おいて、金属材料からなる球状の導電性粒子それぞれ
を、常温では粘着力の少ない接着剤でつつんで導電性粒
子の外側に均一な接着層を形成し、該導電性粒子をスク
リーンを用いて突起状電極バンプ先端に一層に並べ、加
熱することにより接着硬化させて製造されることを特徴
とする突起状電極バンプの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137765A JP2841721B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 突起状電極バンプの構造及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137765A JP2841721B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 突起状電極バンプの構造及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430532A JPH0430532A (ja) | 1992-02-03 |
| JP2841721B2 true JP2841721B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=15206308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2137765A Expired - Lifetime JP2841721B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 突起状電極バンプの構造及びその製法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2841721B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5614135B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2014-10-29 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤、その製造方法、接続構造体及びその製造方法 |
| JP5505225B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2014-05-28 | デクセリアルズ株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
| CN111799241A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-20 | 霸州市云谷电子科技有限公司 | 邦定结构及其制作方法和显示面板 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2137765A patent/JP2841721B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430532A (ja) | 1992-02-03 |
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