JPH09246318A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09246318A JPH09246318A JP5630596A JP5630596A JPH09246318A JP H09246318 A JPH09246318 A JP H09246318A JP 5630596 A JP5630596 A JP 5630596A JP 5630596 A JP5630596 A JP 5630596A JP H09246318 A JPH09246318 A JP H09246318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- lead
- bump
- semiconductor device
- bare chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、半導体素子の多端子部品をプリン
ト配線板に接続してなる半導体装置に係わり、特にベア
チップ部品のフェイスダウンマウント方法の改善をはか
った半導体装置およびその製造方法に関する。 【解決手段】 本発明は、ベアチップ部品パッド１にバ
ンプ２を設け、当該バンプ２に接続する引込み配線３
と、引出しパッド４とを封止樹脂５上に形成し、チップ
キャリアを削除して小型化、薄型化、低コスト化をはか
った。
ト配線板に接続してなる半導体装置に係わり、特にベア
チップ部品のフェイスダウンマウント方法の改善をはか
った半導体装置およびその製造方法に関する。 【解決手段】 本発明は、ベアチップ部品パッド１にバ
ンプ２を設け、当該バンプ２に接続する引込み配線３
と、引出しパッド４とを封止樹脂５上に形成し、チップ
キャリアを削除して小型化、薄型化、低コスト化をはか
った。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の多端
子部品をプリント配線板に接続してなる半導体装置に係
わり、特にベアチップ部品のフェイスダウンマウント方
法の改善をはかった半導体装置およびその製造方法に関
する。
子部品をプリント配線板に接続してなる半導体装置に係
わり、特にベアチップ部品のフェイスダウンマウント方
法の改善をはかった半導体装置およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の進歩により小型化が
進み、小型サイズであると共に端子数が多い素子が多く
なってきている。それに伴い、半導体装置において多端
子部品を高密度にマウントする場合、フェイスダウンマ
ウントすることが有効である。多端子部品の接続信頼性
の高いマウント構造を実現しようとすると、図９の従来
例断面図や図１０の従来例製造工程図に示すように、ベ
アチップ部品５１のベアチップ部品パッドの間隔とパッ
ドの寸法が大きくかつ広くなるように変換構成したチッ
プキャリア５２を用いる方法で、ベアチップ部品のマウ
ントを高価な高密度配線したプリント配線板５３や高度
な実装技術を採用しなくてもできるようにしてきた。
進み、小型サイズであると共に端子数が多い素子が多く
なってきている。それに伴い、半導体装置において多端
子部品を高密度にマウントする場合、フェイスダウンマ
ウントすることが有効である。多端子部品の接続信頼性
の高いマウント構造を実現しようとすると、図９の従来
例断面図や図１０の従来例製造工程図に示すように、ベ
アチップ部品５１のベアチップ部品パッドの間隔とパッ
ドの寸法が大きくかつ広くなるように変換構成したチッ
プキャリア５２を用いる方法で、ベアチップ部品のマウ
ントを高価な高密度配線したプリント配線板５３や高度
な実装技術を採用しなくてもできるようにしてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のベア
チップ部品マウント構造では、チップキャリアの介在に
より部品マウント高さが増加する問題がある。またチッ
プキャリアの部品コストが必要であり装置の小型化、薄
型化そして低コスト化要求に整合しないという問題があ
る。
チップ部品マウント構造では、チップキャリアの介在に
より部品マウント高さが増加する問題がある。またチッ
プキャリアの部品コストが必要であり装置の小型化、薄
型化そして低コスト化要求に整合しないという問題があ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題を解
決するために、本発明ではベアチップ部品パッドにバン
プを設け、当該バンプに接続する引込み配線と、引出し
パッドとを封止樹脂上に形成する。この手段により、チ
ップキャリアを削除して小型化、薄型化、低コスト化で
きる。
決するために、本発明ではベアチップ部品パッドにバン
プを設け、当該バンプに接続する引込み配線と、引出し
パッドとを封止樹脂上に形成する。この手段により、チ
ップキャリアを削除して小型化、薄型化、低コスト化で
きる。
【０００５】
【発明の実施の形態】まず、図１においては、ベアチッ
プ部品パッド１にバンプ２を設け、当該バンプ２に接続
する引込み配線３を経てプリント配線板６に接合するパ
ッドである引出しパッド４を封止樹脂５上に形成し、当
該引出しパッド４を利用してプリント配線板６に直接フ
ェイスダウン接合する。この手段により、ベアチップ部
品のベアチップ部品パッドの間隔とパッドの寸法が大き
くかつ広くなるように変換することでチップキャリアを
削除できるという作用を得る。
プ部品パッド１にバンプ２を設け、当該バンプ２に接続
する引込み配線３を経てプリント配線板６に接合するパ
ッドである引出しパッド４を封止樹脂５上に形成し、当
該引出しパッド４を利用してプリント配線板６に直接フ
ェイスダウン接合する。この手段により、ベアチップ部
品のベアチップ部品パッドの間隔とパッドの寸法が大き
くかつ広くなるように変換することでチップキャリアを
削除できるという作用を得る。
【０００６】次に、図２においては、前記封止樹脂５に
シリコンフィラー７を配合し、封止樹脂５の熱伝導率の
向上と、線膨張係数をベアチップ部品とプリント配線板
６との中間になるように調整する。この手段により、各
接合部の熱による膨張度合いを徐々に変化させることに
より、熱歪み応力が緩和するという作用を得る。
シリコンフィラー７を配合し、封止樹脂５の熱伝導率の
向上と、線膨張係数をベアチップ部品とプリント配線板
６との中間になるように調整する。この手段により、各
接合部の熱による膨張度合いを徐々に変化させることに
より、熱歪み応力が緩和するという作用を得る。
【０００７】また、図３においては、前記ベアチップ部
品パッド１に形成するバンプ２はワイヤボンディング装
置を用いて金を主体とする金属とする。この手段によ
り、汎用のベアチップ部品のアルミパッド上にもバンプ
２を形成でき、低コストのベアチップ部品のフェイスダ
ウンマウント方法を実現するという作用を得る。
品パッド１に形成するバンプ２はワイヤボンディング装
置を用いて金を主体とする金属とする。この手段によ
り、汎用のベアチップ部品のアルミパッド上にもバンプ
２を形成でき、低コストのベアチップ部品のフェイスダ
ウンマウント方法を実現するという作用を得る。
【０００８】さらに、図４においては、前記プリント配
線板６に接合するパッドである引出しパッド４に放熱専
用バンプ１０を設けて、プリント配線板６の放熱用配線
層１２に接続する。この手段により、放熱専用バンプ１
０を経由して放熱用配線層１２に熱伝導されることで、
ベアチップ部品の放熱作用を促進するようにして、部品
の信頼性を損なうことを回避できるという作用を得る。
線板６に接合するパッドである引出しパッド４に放熱専
用バンプ１０を設けて、プリント配線板６の放熱用配線
層１２に接続する。この手段により、放熱専用バンプ１
０を経由して放熱用配線層１２に熱伝導されることで、
ベアチップ部品の放熱作用を促進するようにして、部品
の信頼性を損なうことを回避できるという作用を得る。
【０００９】次に、図５においては、予め表面を鏡面加
工されたガラス材に弾性樹脂９と、引込み配線３と、引
出しパッド４とを形成し、ベアチップ部品パッド１にバ
ンプ２を設けた上に前記弾性樹脂９と、引込み配線３
と、引出しパッド４とを転写し、当該引出しパッド４を
用いてプリント配線板６にフェイスダウン接合する。こ
の手段により、チップキャリアを削除できるという作用
を得る。
工されたガラス材に弾性樹脂９と、引込み配線３と、引
出しパッド４とを形成し、ベアチップ部品パッド１にバ
ンプ２を設けた上に前記弾性樹脂９と、引込み配線３
と、引出しパッド４とを転写し、当該引出しパッド４を
用いてプリント配線板６にフェイスダウン接合する。こ
の手段により、チップキャリアを削除できるという作用
を得る。
【００１０】また、図６においては、前記の引込み配線
３のバンプ２に接続するボンディングパッド部１１にお
いて、当該ボンディングパッド部１１下に弾性樹脂９を
備える。この手段により封止樹脂５の硬化時の収縮力
と、バンプ２と接続するボンディングパッド部１１下の
弾性樹脂９の弾性力によって、バンプ２との接触圧力が
向上し接続信頼性を高めるという作用を得る。
３のバンプ２に接続するボンディングパッド部１１にお
いて、当該ボンディングパッド部１１下に弾性樹脂９を
備える。この手段により封止樹脂５の硬化時の収縮力
と、バンプ２と接続するボンディングパッド部１１下の
弾性樹脂９の弾性力によって、バンプ２との接触圧力が
向上し接続信頼性を高めるという作用を得る。
【００１１】さらに、図７においては、図１のベアチッ
プ部品パッド１にバンプ２を形成する工程Ｐ２１と、封
止樹脂５をベアチップ部品の表面に塗布する工程Ｐ２２
と、封止樹脂５の表面を研磨してバンプ２を露出させる
工程Ｐ２３と、引込み配線３と、引出しパッド４とを封
止樹脂５上に形成する工程Ｐ２４とでなる製造方法工程
により、チップキャリアを削除できるという作用を得
る。
プ部品パッド１にバンプ２を形成する工程Ｐ２１と、封
止樹脂５をベアチップ部品の表面に塗布する工程Ｐ２２
と、封止樹脂５の表面を研磨してバンプ２を露出させる
工程Ｐ２３と、引込み配線３と、引出しパッド４とを封
止樹脂５上に形成する工程Ｐ２４とでなる製造方法工程
により、チップキャリアを削除できるという作用を得
る。
【００１２】次に、図８においては、図５のベアチップ
部品パッド１にバンプ２を形成する工程Ｐ３１と、封止
樹脂５をベアチップ部品の表面に塗布する工程Ｐ３２
と、ガラス材の表面を鏡面加工する工程Ｐ３３と、ガラ
ス材上に弾性樹脂９を塗布する工程Ｐ３４と、引込み配
線３と、引出しパッド４とを形成する工程Ｐ３５と、ベ
アチップ部品の表面に前記弾性樹脂９と、引込み配線３
と、引出しパッド４とを転写する工程Ｐ３６とでなる製
造方法工程により、チップキャリアを削除できるという
作用を得る。
部品パッド１にバンプ２を形成する工程Ｐ３１と、封止
樹脂５をベアチップ部品の表面に塗布する工程Ｐ３２
と、ガラス材の表面を鏡面加工する工程Ｐ３３と、ガラ
ス材上に弾性樹脂９を塗布する工程Ｐ３４と、引込み配
線３と、引出しパッド４とを形成する工程Ｐ３５と、ベ
アチップ部品の表面に前記弾性樹脂９と、引込み配線３
と、引出しパッド４とを転写する工程Ｐ３６とでなる製
造方法工程により、チップキャリアを削除できるという
作用を得る。
【００１３】
【実施例】以下、図１ないし図８の本発明に関わる図面
を図面番号順に説明する。図１は、本発明の半導体装置
原理断面図（ａ）と封止樹脂５上に形成したパターン図
（ｂ）である。同図において、ベアチップ部品パッド１
に導電性物質のバンプ２を設け、当該バンプ２に接続す
る引込み配線３を経てプリント配線板６に接合するパッ
ドである引出しパッド４を導電性インクの印刷や金属物
質のスパッタリングにより封止樹脂５上に形成した。こ
れによりチップキャリアと同様にパッドの間隔とパッド
の寸法が大きくかつ広くなるように変換する。
を図面番号順に説明する。図１は、本発明の半導体装置
原理断面図（ａ）と封止樹脂５上に形成したパターン図
（ｂ）である。同図において、ベアチップ部品パッド１
に導電性物質のバンプ２を設け、当該バンプ２に接続す
る引込み配線３を経てプリント配線板６に接合するパッ
ドである引出しパッド４を導電性インクの印刷や金属物
質のスパッタリングにより封止樹脂５上に形成した。こ
れによりチップキャリアと同様にパッドの間隔とパッド
の寸法が大きくかつ広くなるように変換する。
【００１４】図２は、本発明の第１実施例断面図であ
る。同図において、前記封止樹脂５に直径５〜１０μｍ
の球状のシリコンフィラー７を配合構成し、線膨張係数
をベアチップ部品で４ｐｐｍ、プリント配線板６で１６
ｐｐｍを有する中間の、６〜１２ｐｐｍにになるように
調整した。これにより前記引出しパッド４を利用してプ
リント配線板６に直接フェイスダウン接合する時の熱に
よる接合部への応力を緩和できる。またシリコンフィラ
ー７は、シリコン単結晶をボールミルで粉砕し、５〜１
０μｍ程度の球状にする。その後１０００℃以上の高温
大気中にてシリコン粒子表面を１〜３μｍ程度酸化させ
て、二酸化珪素の絶縁ガラス皮膜を形成する。この手段
により、熱伝導性に優れ、また低膨張率の絶縁フィラー
が得られる。
る。同図において、前記封止樹脂５に直径５〜１０μｍ
の球状のシリコンフィラー７を配合構成し、線膨張係数
をベアチップ部品で４ｐｐｍ、プリント配線板６で１６
ｐｐｍを有する中間の、６〜１２ｐｐｍにになるように
調整した。これにより前記引出しパッド４を利用してプ
リント配線板６に直接フェイスダウン接合する時の熱に
よる接合部への応力を緩和できる。またシリコンフィラ
ー７は、シリコン単結晶をボールミルで粉砕し、５〜１
０μｍ程度の球状にする。その後１０００℃以上の高温
大気中にてシリコン粒子表面を１〜３μｍ程度酸化させ
て、二酸化珪素の絶縁ガラス皮膜を形成する。この手段
により、熱伝導性に優れ、また低膨張率の絶縁フィラー
が得られる。
【００１５】図３は、本発明の第２実施例断面図であ
る。同図において、前記ベアチップ部品パッド１に形成
するバンプ２は、ワイヤボンディング装置を用いて金を
主体とする金属で構成する。これにより、汎用のベアチ
ップ部品のアルミパッド上でもバンプ２を形成でき、低
コストのベアチップ部品のフェイスダウンマウント方法
が実現できる。
る。同図において、前記ベアチップ部品パッド１に形成
するバンプ２は、ワイヤボンディング装置を用いて金を
主体とする金属で構成する。これにより、汎用のベアチ
ップ部品のアルミパッド上でもバンプ２を形成でき、低
コストのベアチップ部品のフェイスダウンマウント方法
が実現できる。
【００１６】図４は、本発明の第３実施例断面図であ
る。同図において、前記プリント配線板６に接合するパ
ッドである引出しパッド４に放熱専用バンプ１０を設け
て、プリント配線板６のグランド層や放熱性そして強度
の増強に適用する金属コア部などの放熱用配線層１２に
接続する構造とした。これにより、ベアチップ部品の放
熱作用を促進するようにして、部品の信頼性を損なうこ
とを回避できる。
る。同図において、前記プリント配線板６に接合するパ
ッドである引出しパッド４に放熱専用バンプ１０を設け
て、プリント配線板６のグランド層や放熱性そして強度
の増強に適用する金属コア部などの放熱用配線層１２に
接続する構造とした。これにより、ベアチップ部品の放
熱作用を促進するようにして、部品の信頼性を損なうこ
とを回避できる。
【００１７】図５は、本発明の第４実施例断面図であ
る。同図において、予め表面を鏡面加工されたガラス材
に弾性樹脂９を引出しパッド４部分を除いて、印刷によ
り形成し、引込み配線３と、プリント配線板６に接合す
るパッドである引出しパッド４とを金属物質のスパッタ
リングにより形成し、ベアチップ部品パッド１にバンプ
２を設け、ベアチップ部品表面に封止樹脂を塗布した上
に加圧加熱により前記弾性樹脂９と、引込み配線３と、
引出しパッド４とを転写した。これによりチップキャリ
アと同様にパッドの間隔とパッドの寸法が大きくかつ広
くなるように変換する。
る。同図において、予め表面を鏡面加工されたガラス材
に弾性樹脂９を引出しパッド４部分を除いて、印刷によ
り形成し、引込み配線３と、プリント配線板６に接合す
るパッドである引出しパッド４とを金属物質のスパッタ
リングにより形成し、ベアチップ部品パッド１にバンプ
２を設け、ベアチップ部品表面に封止樹脂を塗布した上
に加圧加熱により前記弾性樹脂９と、引込み配線３と、
引出しパッド４とを転写した。これによりチップキャリ
アと同様にパッドの間隔とパッドの寸法が大きくかつ広
くなるように変換する。
【００１８】図６は、本発明の第５実施例断面図であ
る。同図において、前記の引込み配線３のバンプ２に接
続するボンディングパッド部１１において、当該ボンデ
ィングパッド部１１下に弾性樹脂９を設けた。これによ
り封止樹脂の硬化時の収縮力と、バンプ２と接続するボ
ンディングパッド部１１下の弾性樹脂９の弾性力によっ
て、バンプ２との接続信頼性を高めることができる。
る。同図において、前記の引込み配線３のバンプ２に接
続するボンディングパッド部１１において、当該ボンデ
ィングパッド部１１下に弾性樹脂９を設けた。これによ
り封止樹脂の硬化時の収縮力と、バンプ２と接続するボ
ンディングパッド部１１下の弾性樹脂９の弾性力によっ
て、バンプ２との接続信頼性を高めることができる。
【００１９】図７は、本発明の第１実施例の製造方法工
程図である。同図において、ベアチップ部品パッド１に
導電性物質のバンプ２を形成する工程Ｐ２１と、封止樹
脂５をベアチップ部品表面に塗布する工程Ｐ２２と、封
止樹脂５の表面を研磨してバンプ２を露出させる工程Ｐ
２３と、前記引込み配線３と、引出しパッド４とを導電
性インクの印刷や金属物質のスパッタリングにより封止
樹脂５上に形成する工程Ｐ２４でなる製造工程により、
チップキャリアと同様にパッドの間隔とパッドの寸法が
大きくかつ広くなるように変換する。
程図である。同図において、ベアチップ部品パッド１に
導電性物質のバンプ２を形成する工程Ｐ２１と、封止樹
脂５をベアチップ部品表面に塗布する工程Ｐ２２と、封
止樹脂５の表面を研磨してバンプ２を露出させる工程Ｐ
２３と、前記引込み配線３と、引出しパッド４とを導電
性インクの印刷や金属物質のスパッタリングにより封止
樹脂５上に形成する工程Ｐ２４でなる製造工程により、
チップキャリアと同様にパッドの間隔とパッドの寸法が
大きくかつ広くなるように変換する。
【００２０】図８は、本発明の第２実施例の製造方法工
程図である。同図において、ベアチップ部品パッド１に
導電性物質のバンプ２を形成する工程Ｐ３１と、封止樹
脂５をベアチップ部品表面に塗布する工程Ｐ３２と、ガ
ラス材の表面を鏡面加工する工程Ｐ３３と、ガラス材上
に弾性樹脂９を塗布する工程Ｐ３４と、引込み配線３
と、引出しパッド４とを金属物質のスパッタリングによ
り形成する工程Ｐ３５と、ベアチップ部品表面に前記弾
性樹脂９と、引込み配線３と、引出しパッド４とを転写
する工程Ｐ３６でなる製造工程により、チップキャリア
と同様にパッドの間隔とパッドの寸法が大きくかつ広く
なるように変換する。
程図である。同図において、ベアチップ部品パッド１に
導電性物質のバンプ２を形成する工程Ｐ３１と、封止樹
脂５をベアチップ部品表面に塗布する工程Ｐ３２と、ガ
ラス材の表面を鏡面加工する工程Ｐ３３と、ガラス材上
に弾性樹脂９を塗布する工程Ｐ３４と、引込み配線３
と、引出しパッド４とを金属物質のスパッタリングによ
り形成する工程Ｐ３５と、ベアチップ部品表面に前記弾
性樹脂９と、引込み配線３と、引出しパッド４とを転写
する工程Ｐ３６でなる製造工程により、チップキャリア
と同様にパッドの間隔とパッドの寸法が大きくかつ広く
なるように変換する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した本発明の効果について，請
求項順に説明する。請求項１記載の構成を備えた半導体
装置では、従来例のチップキャリアに代替して、封止樹
脂上に引込み配線と、引出しパッドとを形成し、当該引
出しパッドを利用してプリント配線板に直接フェイスダ
ウン接合することにより、小型化、薄型化でき、しかも
高密度配線した高価なプリント配線板や高度な実装技術
を採用しなくてもよくなり、低コスト化できる。
求項順に説明する。請求項１記載の構成を備えた半導体
装置では、従来例のチップキャリアに代替して、封止樹
脂上に引込み配線と、引出しパッドとを形成し、当該引
出しパッドを利用してプリント配線板に直接フェイスダ
ウン接合することにより、小型化、薄型化でき、しかも
高密度配線した高価なプリント配線板や高度な実装技術
を採用しなくてもよくなり、低コスト化できる。
【００２２】請求項２記載の構成を備えた半導体装置で
は、前記封止樹脂にシリコンフィラーを配合することに
より、封止樹脂の熱伝導率の向上と、プリント配線板と
ベアチップ部品との中間に封止樹脂の線膨張係数を調整
することにより、請求項１項の効果に加え、プリント配
線板に直接フェイスダウン接合することによる各接合部
の熱歪み応力を緩和し、接続信頼性を向上できる。
は、前記封止樹脂にシリコンフィラーを配合することに
より、封止樹脂の熱伝導率の向上と、プリント配線板と
ベアチップ部品との中間に封止樹脂の線膨張係数を調整
することにより、請求項１項の効果に加え、プリント配
線板に直接フェイスダウン接合することによる各接合部
の熱歪み応力を緩和し、接続信頼性を向上できる。
【００２３】請求項３記載の構成を備えた半導体装置で
は、ベアチップ部品パッドに設けるバンプを、ワイヤボ
ンディング装置を用いて金を主体とする金属で構成し、
請求項１項の効果に加え、汎用のベアチップ部品のアル
ミパッド上でもバンプを容易に形成でき、低コストのベ
アチップ部品のフェイスダウンマウント方法が実現でき
る。
は、ベアチップ部品パッドに設けるバンプを、ワイヤボ
ンディング装置を用いて金を主体とする金属で構成し、
請求項１項の効果に加え、汎用のベアチップ部品のアル
ミパッド上でもバンプを容易に形成でき、低コストのベ
アチップ部品のフェイスダウンマウント方法が実現でき
る。
【００２４】請求項４記載の構成を備えた半導体装置で
は請求項１項の効果に加え、放熱専用バンプをプリント
配線板のグランド層や金属コア部などの放熱用配線層に
接続することで、ベアチップ部品の放熱作用を促進する
ようにして熱による部品の信頼性を損なうことを回避で
きる。
は請求項１項の効果に加え、放熱専用バンプをプリント
配線板のグランド層や金属コア部などの放熱用配線層に
接続することで、ベアチップ部品の放熱作用を促進する
ようにして熱による部品の信頼性を損なうことを回避で
きる。
【００２５】請求項５記載の構成を備えた半導体装置で
は請求項１項の効果に加え、弾性樹脂と、引込み配線
と、引出しパッドとをベアチップ部品表面に転写した。
これにより従来のフェイスダウン接合装置や接合技術を
用いることができ、新たな設備は不要であり、製造コス
トを低減させることを可能とした。
は請求項１項の効果に加え、弾性樹脂と、引込み配線
と、引出しパッドとをベアチップ部品表面に転写した。
これにより従来のフェイスダウン接合装置や接合技術を
用いることができ、新たな設備は不要であり、製造コス
トを低減させることを可能とした。
【００２６】請求項６記載の構成を備えた半導体装置で
は請求項１項の効果に加え、ボンディングパッド部にお
いて、当該ボンディングパッド部の下に弾性樹脂を設け
た。これによりバンプと接続するプリント配線板側のフ
ットプリントに弾性を備えるようにして、バンプとの接
続信頼性を高ることができる。
は請求項１項の効果に加え、ボンディングパッド部にお
いて、当該ボンディングパッド部の下に弾性樹脂を設け
た。これによりバンプと接続するプリント配線板側のフ
ットプリントに弾性を備えるようにして、バンプとの接
続信頼性を高ることができる。
【００２７】請求項７記載の構成を備えた半導体装置の
製造工程では請求項１項の効果に加え、従来の製造工程
で必要であった、バンプ形成工程とチップキャリアのマ
ウント工程といった接合工程が削除されたシンプルな製
造工程になり、製造コストを低減させることを可能とし
た。
製造工程では請求項１項の効果に加え、従来の製造工程
で必要であった、バンプ形成工程とチップキャリアのマ
ウント工程といった接合工程が削除されたシンプルな製
造工程になり、製造コストを低減させることを可能とし
た。
【００２８】請求項８記載の構成を備えた半導体装置の
製造工程では請求項１項の効果に加え、従来の製造工程
で必要であった、バンプ形成工程とチップキャリアのマ
ウント工程といった接合工程が削除されたシンプルな製
造工程になり、製造コストを低減させることを可能とし
た。
製造工程では請求項１項の効果に加え、従来の製造工程
で必要であった、バンプ形成工程とチップキャリアのマ
ウント工程といった接合工程が削除されたシンプルな製
造工程になり、製造コストを低減させることを可能とし
た。
【図１】本発明の原理図。
【図２】本発明の第１実施例半導体装置断面図。
【図３】本発明の第２実施例半導体装置断面図。
【図４】本発明の第３実施例半導体装置断面図。
【図５】本発明の第４実施例半導体装置断面図。
【図６】本発明の第５実施例半導体装置断面図。
【図７】本発明の第１実施例半導体装置製造工程図。
【図８】本発明の第２実施例半導体装置製造工程図。
【図９】従来例断面図。
【図１０】従来例製造工程図。
１ ベアチップ部品パッド ２ バンプ ３ 引込み配線 ４ 引出しパッド ５ 封止樹脂 ６ プリント配線板 ７ シリコンフィラー ９ 弾性樹脂 １０ 放熱専用バンプ １１ ボンディングパッド部 １２ 放熱用配線層 １３ フットプリント
Claims (8)
- 【請求項１】 ベアチップ部品パッド（１）上に突起電
極であるバンプ（２）を形成し、当該バンプ（２）を利
用して、プリント配線板にフェイスダウン接合してなる
半導体装置において、 ベアチップ部品パッド（１）にバンプ（２）を設け、当
該バンプ（２）に接続する引込み配線（３）と、プリン
ト配線板（６）に接合する引出しパッド（４）とを、封
止樹脂（５）上に形成したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記封止樹脂（５）はシリコンフィラー
（７）を配合することにより、高熱伝導率と線膨張係数
の調整とをすることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】 前記バンプ（２）はワイヤボンディング
装置を用いて金を主体とする金属であり、汎用のベアチ
ップ部品に対応したことを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項４】 前記引出しパッド（４）の任意の箇所に
放熱専用バンプ（１０）を設けたことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記引込み配線（３）と引出しパッド
（４）を、予め表面を鏡面加工されたガラス材上に弾性
樹脂（９）と、引込み配線（３）と、引出しパッド
（４）とを形成し、ベアチップ部品パッド（１）にバン
プ（２）を設けた上に前記弾性樹脂（９）と、引込み配
線（３）と、引出しパッド（４）とを転写して、形成す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記引込み配線（３）のボンディングパ
ッド部（１１）の下に弾性樹脂（９）を備えることを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項７】 ベアチップ部品パッド（１）にバンプ
（２）を形成する工程（Ｐ２１）と、ベアチップ部品の
表面に封止樹脂（５）を塗布する工程（Ｐ２２）と、
当該封止樹脂（５）の表面を研磨して前記バンプ（２）
を露出する工程（Ｐ２３）と、当該封止樹脂（５）の表
面に引込み配線（３）と引出しパッド（４）とを形成す
る工程（Ｐ２４）とでなることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項８】 ベアチップ部品パッド（１）にバンプ
（２）を形成する工程（Ｐ３１）と、ベアチップ部品の
表面に封止樹脂（５）を塗布する工程（Ｐ３２）と、ガ
ラス材の表面を鏡面加工する工程（Ｐ３３）と、ガラス
材上に弾性樹脂（９）を塗布する工程（Ｐ３４）と、当
該弾性樹脂（９）の表面に引込み配線（３）と、引出し
パッド（４）とを形成する工程（Ｐ３５）と、ベアチッ
プ部品の表面に前記ガラス材上に形成した引込み配線
（３）と引出しパッド（４）と弾性樹脂（９）とを転写
する工程（Ｐ３６）とでなることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5630596A JPH09246318A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5630596A JPH09246318A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246318A true JPH09246318A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13023435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5630596A Pending JPH09246318A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246318A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124354A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップサイズパッケージ及びその製造方法 |
| US6486006B2 (en) | 1997-10-02 | 2002-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor chip bonded to a thermal conductive sheet having a filled through hole for electrical connection |
| US6962865B2 (en) | 2000-06-02 | 2005-11-08 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, stack-type semiconductor device, circuit board and electronic instrument |
| JP2006179652A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2009266853A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013197501A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Hoya Corp | 半導体パッケージ |
| JP2016197731A (ja) * | 2016-06-22 | 2016-11-24 | Hoya株式会社 | 半導体パッケージ |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP5630596A patent/JPH09246318A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486006B2 (en) | 1997-10-02 | 2002-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor chip bonded to a thermal conductive sheet having a filled through hole for electrical connection |
| JP2000124354A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップサイズパッケージ及びその製造方法 |
| US6962865B2 (en) | 2000-06-02 | 2005-11-08 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, stack-type semiconductor device, circuit board and electronic instrument |
| US7102219B2 (en) | 2000-06-02 | 2006-09-05 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, stack-type semiconductor device, circuit board and electronic instrument |
| JP2006179652A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| US8093699B2 (en) | 2004-12-22 | 2012-01-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device with circuit board and semiconductor chip mounted thereon |
| JP2009266853A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013197501A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Hoya Corp | 半導体パッケージ |
| JP2016197731A (ja) * | 2016-06-22 | 2016-11-24 | Hoya株式会社 | 半導体パッケージ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200414471A (en) | Semiconductor device and manufacturing method for the same | |
| JP2000058589A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH09246318A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3815933B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4024458B2 (ja) | 半導体装置の実装方法および半導体装置実装体の製造方法 | |
| JP2004289017A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3529507B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09293755A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びにその実装方法 | |
| JPH08274214A (ja) | 半導体装置 | |
| CN100521171C (zh) | 一种元件的封装接合结构 | |
| JP2001102409A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS60100441A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63284831A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JP2001015633A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3337922B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0583186B2 (ja) | ||
| TWI294676B (en) | Semiconductor package structure | |
| JPH09181120A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6089945A (ja) | 封止半導体装置 | |
| JP3609540B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61272956A (ja) | ハイブリツド型半導体装置 | |
| JP3145892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3598058B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH0786497A (ja) | インテリジェントパワーモジュール | |
| JPH07254632A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |