JP2009266853A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型、薄型で、放熱性に優れ、半導体チップからの発熱により誤動作することのない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１に形成された電子回路２と、半導体基板１の上に設けられ、電子回路２と接続される再配線層３と、再配線層３が設けられた半導体基板１の上に設けられる絶縁層４と、絶縁層４の表面から再配線層３に達する開口部５において再配線層３の上に設けられる金属ポスト層７と、絶縁層４の上で金属ポスト層７の周囲に設けられ、熱伝導性と電気絶縁性を有するフィラーを含む樹脂により形成される表面封止樹脂層８と、金属ポスト層７の上に設けられる電極ボール９と、半導体基板１の裏面に設けられ、熱伝導性と電気絶縁性を有するフィラーを含む樹脂により形成され、放熱フィンを備える裏面封止樹脂層１１とを具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、ウエハレベルのチップサイズパッケージ技術を使用する半導体装置及びその製造方法に関する。

近年、携帯電子機器等の発達に伴い、エレクトロニクス製品の小型化、軽量化、及び、実装基板への高集積密度化が要求されている。このようななかで、半導体ウエハの状態でパッケージを行い、最終的に半導体ウエハを切断することにより、半導体チップの大きさでそのままパッケージすることが可能なウエハレベルのチップサイズパッケージ技術が開発されている。

このウエハレベルのチップサイズパッケージ技術を使用する従来の半導体装置とその製造方法を説明する。図５は、ウエハレベルのチップサイズパッケージ技術を使用する従来の半導体装置の一例を示し、図６は、図５に示される従来の半導体装置の製造方法を示す。

図５に示されるように、ウエハレベルのチップサイズパッケージ技術を使用する従来の半導体装置は、半導体基板４１と、半導体基板４１に形成されたトランジスタ等の回路素子（図示せず）と配線を有する電子回路４２と、半導体基板４１の上に設けられ、電子回路４２と接続される再配線層４３と、再配線層４３が設けられた前記半導体基板４１の上に設けられ絶縁層４４と、絶縁層４４の表面から再配線層４３に達する開口部４５と、開口部４５において再配線層４３の電極パッド部４６の上に設けられる金属ポスト層４７と、絶縁層４４の上で金属ポスト層４７の周囲に設けられ、樹脂により形成される表面封止樹脂層４８と、金属ポスト層４７の上に設けられ、外部と接続するために使用される電極ボール４９とを有する。

次に、図６を参照しながら、ウエハレベルのチップサイズパッケージ技術を使用する従来の半導体装置の製造方法について説明する。まず、半導体基板（ウエハ）４１の表面に、トランジスタやダイオード等の回路素子と配線を形成して電子回路４２を形成する。その後、半導体基板（ウエハ）４１の表面に再配線層４３を形成する。再配線層４３は、電子回路４２の電極パッド部（図示せず）と接続される。この再配線層４３は、例えば、アルミニウム等の配線材料をスパッタリングすることにより形成される。再配線層４３を形成した後に、半導体基板（ウエハ）４１の表面に絶縁膜４４を堆積する。絶縁膜４４として、例えば、ポリイミドが使用される。次に、再配線層４３上にある絶縁膜４４に、再配線層４３に達する開口部４５を設けて、再配線層４３上にある電極パッド部４６を露出させる（図６（ａ））。

次に、例えば、バックグラインド装置を使用して半導体基板（ウエハ）４１の裏面を研削して、半導体基板（ウエハ）４１を所定の厚さに加工する。そして、例えば、マスクを使用する印刷法を用いて、再配線層４３上にある電極パッド部４６の上に、金属ポスト層４７を形成する。金属ポスト層４７は、例えば、半田材料を用いて形成される（図６（ｂ））。

次に、金属ポスト層４７が形成された半導体基板（ウエハ）４１の表面の上に、樹脂を用いて表面封止樹脂層４８を形成し、金属ポスト層７が形成された半導体基板（ウエハ）４１の表面を被覆する。この樹脂は、例えば、熱伝導率が、０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度のものが使用される。次に、金属ポスト層４７が形成された半導体基板（ウエハ）４１の表面を被覆する表面封止樹脂層４８の表面を、グラインド装置を用いて研削する。この際、金属ポスト層４７の上面も研削され、金属ポスト層４７の表面が表面封止樹脂層４８の表面とほぼ同一平面に形成される（図６（ｃ））。

次に、表面が研削された金属ポスト層４７の上に電極ボール４９を形成する。電極ボール４９は、例えば、印刷法により半田材料により形成される。そして、半導体基板（ウエハ）４１を切断してチップ化する（図６（ｄ））。

特許文献１は、ウエハレベルチップサイズパケージ技術を用いて、電子回路を具備する半導体基板の表面と裏面に樹脂層を設けて封止する半導体装置及びその製造方法を開示する。
特開２００３−３３８５１５号公報

従来技術の半導体装置においてパッケージに使用されているエポキシ系樹脂の熱伝導率は約０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）と低い。そのため、このような従来のエポキシ系樹脂を、半導体チップ自体が発熱するパワー系半導体装置のパッケージに使用すると、配線基板に実装された半導体チップで発生した熱が、エポキシ系樹脂によって形成される封止絶縁層によって半導体チップ内に蓄積されるので、半導体チップの温度が上昇し、誤動作するという問題が生じていた。

また、通信装置又はレーダ装置に用いられる高周波回路においても、高出力で電波を送信するために電力増幅回路が必要となるので、半導体チップ上の局所的な領域で、非常に大きな発熱が生じ、半導体チップが配線基板に実装されると、パワー系半導体装置と同様に、半導体チップの温度が上昇し、誤動作するという問題が生じていた。このように、半導体チップの温度上昇に伴う誤動作を防止することが課題となっていた。

また、半導体装置を小型化及び薄型化することが要求されている。しかしながら、従来の半導体装置及びその製造方法では、半導体基板を薄く加工することが困難なために、半導体装置をさらに小型化及び薄型化する要求を満たすことができず、その解決が課題となっていた。

半導体チップがパッケージされた場合に、半導体チップの表面と裏面とで、構成が異なるために熱膨張率に差が生じ、半導体装置を長期間使用すると、この半導体チップの表面と裏面との間の熱膨張率の差のために、半導体チップのパッケージが破損するという問題が生じ、その解決が課題となっている。

本発明は、上記課題を解決し、小型、薄型で、放熱性に優れ、半導体チップからの発熱により誤動作することのない半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された回路素子と配線を有する電子回路と、前記半導体基板の上に設けられ、前記電子回路と接続される再配線層と、前記再配線層が設けられた前記半導体基板の上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層の表面から前記再配線層に達する開口部と、前記開口部において前記再配線層の上に設けられる金属ポスト層と、前記絶縁層の上で前記金属ポスト層の周囲に設けられ、熱伝導性と電気絶縁性を有するフィラーを含む樹脂により形成される表面封止樹脂層と、前記金属ポスト層の上に設けられる電極ボールと、前記半導体基板の裏面に設けられ、熱伝導性と電気絶縁性を有するフィラーを含む樹脂により形成され、放熱フィンを備える裏面封止樹脂層とを具備することを特徴とする。

本発明に係る半導体装置は、前記半導体基板が、絶縁体の上にシリコン層が設けられたＳＯＩ基板を含み、前記裏面封止樹脂層が前記ＳＯＩ基板の裏面に前記絶縁体と接して設けられることを特徴としても良い。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、回路素子と配線を有する電子回路を備える半導体基板の上に、前記電子回路と接続される再配線層を形成する工程と、前記再配線層が形成された前記半導体基板の上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面から前記再配線層に達する開口部を形成する工程と、前記開口部において、前記再配線層の上に金属ポスト層を形成する工程と、前記絶縁層と前記金属ポスト層の上に樹脂層を形成し、前記金属ポスト層と前記樹脂層とを研削することにより、前記金属ポスト層の表面とほぼ同一表面を有する表面封止樹脂層を形成する工程と、前記表面封止樹脂層と前記金属ポスト層の表面に保護部材を設置する工程と、前記半導体基板の裏面から前記半導体基板を所定の厚さに加工する工程と、前記半導体基板の裏面に放熱フィンを備えた裏面封止樹脂層を形成する工程と、前記金属ポスト層の上に電極ボールを形成する工程と、前記半導体基板を切断して複数のチップを形成する工程とを具備することを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記半導体基板が、第１のシリコン層と、前記第１のシリコン層の上に設けられた絶縁体と、前記絶縁体の上に設けられた第２のシリコン層とを有するＳＯＩ基板を含み、前記半導体基板の裏面から前記半導体基板を所定の厚さに加工する工程が、前記ＳＯＩ基板の裏面から前記第１のシリコン層を除去することにより、前記ＳＯＩ基板を、絶縁体と、前記絶縁体の上に設けられた第２のシリコン層とを有する基板に加工する工程を含み、前記絶縁体の裏面に放熱フィンを備えた裏面封止樹脂層を形成する工程が、前記ＳＯＩ基板の前記絶縁体の裏面に放熱フィンを備えた裏面封止樹脂層を形成する工程を含むことを特徴としても良い。

本発明によれば、ウエハレベルのチップサイズパッケージを用いて、半導体チップの表面に、絶縁性と熱伝導性を有するフィラーを含む樹脂により表面封止樹脂層を形成し、半導体チップの裏面に、絶縁性と熱伝導性を有するフィラーを含む樹脂により形成され、放熱フィンを備えた裏面封止樹脂層を設けることにより半導体チップをパッケージするので、小型、薄型で、放熱性に優れ、発熱にともなう誤動作を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、説明を省略する。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。

図１を参照して、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置について説明する。本発明の第１の実施形態に係る半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１に形成されたトランジスタ等の回路素子と配線（図示せず）を有する電子回路２と、半導体基板１の上に設けられ、電子回路２と接続される再配線層３と、再配線層３が設けられた半導体基板１の上に設けられ絶縁層４と、絶縁層４の表面から再配線層３に達する開口部５と、開口部５内において再配線層３の電極パッド部６の上に設けられる金属ポスト層７と、絶縁層４の上で金属ポスト層７の周囲に設けられ、熱伝導性と電気絶縁性を有するフィラーを含む樹脂により形成される表面封止樹脂層８と、金属ポスト層７の上に設けられる電極ボール９と、半導体基板１の裏面に設けられ、熱伝導性と電気絶縁性を有するフィラーを含む樹脂により形成され、放熱フィン１０を備える裏面封止樹脂層１１とを有する。半導体装置は、電極ボール９を通して外部と接続される。

表面封止樹脂層８と裏面封止樹脂層１１は、熱伝導性と電気絶縁性とを有するフィラーを、エポキシ樹脂に混合することにより、その熱伝導率を、例えば、１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の値、好ましくは、４Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度とすることができる。これにより、表面封止樹脂と裏面封止樹脂の向上を図っている。また、裏面封止樹脂の底面には、放熱フィン１０が設けられ、空気と接する表面積が大きくすることにより、さらに、放熱性の向上を図っている。

図２を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、半導体基板（ウエハ）１の表面に、トランジスタやダイオード等の回路素子と配線を形成して電子回路２を形成する。半導体基板（ウエハ）１として、例えば、直径１２５ｍｍ、厚さ６２５μｍのシリコン基板を用いる。半導体基板（ウエハ）１の表面に電子回路２を形成した後に、半導体基板（ウエハ）１の表面に再配線層３を形成する。再配線層３は、電子回路２の電極パッド部（図示せず）と接続される。この再配線層３は、例えば、アルミニウム等の配線材料をスパッタリングすることにより形成される。再配線層３を形成した後に、半導体基板（ウエハ）１の表面に絶縁膜４を堆積する。絶縁膜４として、例えば、ポリイミドが使用される。次に、再配線層３上にある絶縁膜４に、再配線層３に達する開口部５を設けて、再配線層３上にある電極パッド部６を露出させる（図２（ａ））。

次に、例えば、マスクを使用する印刷法を用いて、再配線層３上にある電極パッド部６の上に、金属ポスト層７を形成する。金属ポスト層７は、例えば、半田材料を用いて厚さ約７０μｍに形成される（図２（ｂ））。

次に、金属ポスト層７が形成された半導体基板（ウエハ）１の表面の上に、熱伝導性と絶縁性とを有するフィラーを含む樹脂を用いて表面封止樹脂層８を形成し、金属ポスト層７が形成された半導体基板（ウエハ）１の表面を被覆する。熱伝導性と絶縁性とを有するフィラーを含む樹脂としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、ダイヤモンド（Ｃ）、及び／又は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等のフィラーが混合されたエポキシ樹脂が使用される。この封止樹脂の熱伝導率は、例えば、１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の値とされ、好ましくは、例えば、４Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度とされる。次に、金属ポスト層７が形成された半導体基板（ウエハ）１の表面を被覆する表面封止樹脂層８の表面を、グラインド装置を用いて、研削後の表面封止樹脂層８の厚さが、例えば、約５０μｍとなるように研削する。この際、金属ポスト層７の上面も、グラインド装置を用いて研削され、金属ポスト層７の表面が表面封止樹脂層８の表面とほぼ同一平面になるように形成される（図２（ｃ））。

次に、表面封止樹脂層８の表面に保護部材１４（支持部材）を貼り付けて、半導体基板（ウエハ）１の裏面をグラインド装置を用いて研削し、半導体基板（ウエハ）１を所定の厚さに加工する。表面に保護部材１４を貼り付けることにより、保護部材１４と表面封止樹脂層８とにより、半導体基板（ウエハ）１を支持するので、半導体基板（ウエハ）１を破損することなく、半導体基板（ウエハ）１の裏面を均一に薄く加工することができる。これにより、半導体基板（ウエハ）１の厚さは、例えば、３０〜５０μｍ、好ましくは、３０μｍ以下に加工することができる。保護部材１４としては、半導体又はセラミックにより形成されるサポート基板、テープ、ガラス基板、又は、接着シートが使用される（図２（ｄ））。

次に、薄く加工された半導体基板（ウエハ）１の裏面に、熱伝導性と絶縁性とを有するフィラーを含む樹脂により形成され、放熱フィン１０を備える裏面封止樹脂層１１を接合する。この裏面封止樹脂層１１の厚さは、例えば、約５０μｍである。熱伝導性と絶縁性とを有するフィラーを含む樹脂としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、ダイヤモンド（Ｃ）、及び／又は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等のフィラーが混合されたエポキシ樹脂が使用される。この封止樹脂の熱伝導率は、例えば、１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の値、好ましくは、４Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度とされる。半導体基板（ウエハ）１の裏面と裏面の熱膨張率の差を低減するために、裏面封止樹脂層１１は、表面封止樹脂層８と同じ材料で形成されるのが好ましい。この裏面封止樹脂層１１は、例えば、金型により成型される（図２（ｅ））。

次に、半導体基板（ウエハ）１の表面に貼り付けられている保護部材１４を除去する。そして、表面が研削された金属ポスト層７の上に電極ボール９を形成する。電極ボール９は、例えば、印刷法により半田材料により形成される。電極ボール９の高さは、例えば、１００μｍである。そして、半導体基板（ウエハ）１を切断してチップ化する（図２（ｆ））。

本発明の第１の実施形態によれば、ウエハレベルのチップサイズパッケージを用いて、半導体チップの表面に、絶縁性と熱伝導性を有するフィラーを含む樹脂により表面封止樹脂層を形成し、半導体チップの裏面に、絶縁性と熱伝導性を有するフィラーを含む樹脂により形成された裏面放熱封止層を設けることにより半導体チップをパッケージするので、放熱性に優れ、発熱にともなう誤動作を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することができる。

また、表面封止樹脂層の表面に保護部材を設け、半導体基板（ウエハ）の裏面から、半導体基板（ウエハ）を加工するので、半導体基板（ウエハ）を破壊することなく、半導体基板（ウエハ）を薄く加工することが可能となり、小型、薄型で、かつ軽量な半導体装置及びその製造方法を提供することができる。

さらに、本発明の第１の実施形態において、半導体基板（ウエハ）を薄く加工するので、半導体基板（ウエハ）を、基板の表面から表面封止樹脂層で、基板の裏面から裏面封止樹脂層で確実に封止することが可能となる。表面封止樹脂層と裏面封止樹脂層を、熱膨張率がほぼ同じ樹脂を用いて形成することにより、長期間使用してもパッケージが、表面封止層と裏面封止層との間の熱膨張率の差により、壊れることはない。これにより、小型、薄型で、かつ、耐久性に優れる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。

次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図３は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図であり、図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。

図３に示されるように、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置は、二酸化シリコン層２２の上にシリコン層２３が形成されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を、半導体基板２４として使用する以外は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置とほぼ同一の構成を有する。

次に、図４を参照しながら本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態では、シリコン層２１と、シリコン層２１の上に形成された二酸化シリコン層２２と、二酸化シリコン層２２の上に形成されたシリコン層２３とを有するＳＯＩ基板２４が使用される。ここで、二酸化シリコン層２２の厚さは、例えば、０．１μｍであり、二酸化シリコン層２２の上に形成されたシリコン層２３の厚さは、例えば、０．４μｍである。ＳＯＩ基板２４のシリコン層２３の表面に、トランジスタ等の回路素子と配線とを形成して電子回路２を形成する。本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の図４（ａ）〜図４（ｃ）に示される工程は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の図２（ａ）〜図２（ｃ）に示される工程とほぼ同じなので説明を省略する。

次の図４（ｄ）に示される工程において、表面封止樹脂層８の表面に保護部材１４を貼り付けて、ＳＯＩ基板２４のシリコン層２１を裏面からウエットエッチングする。シリコンと二酸化シリコンのエッチングレートの差を利用して二酸化シリコン層２２をストッパ層として使用することにより、シリコン層２１を全て除去することが可能となり、ＳＯＩ基板２４を薄く加工することができる。これにより、例えば、ＳＯＩ基板２４を、例えば、０．５μｍの厚さに加工することができる。保護部材２５は、シリコンをエッチングする際に、エッチング液によりエッチングされないことが必要で、例えば、セラミックにより形成されるサポート基板、テープ、ガラス基板、又は、接着シートが使用される（図４（ｄ））。

次に、図４（ｅ）から図４（ｆ）の工程において、本発明の第１の実施形態の図２（ｅ）から図２（ｆ）の工程とほぼ同じ処理を行い、金属ポスト層７の上に電極ボール９を形成を形成した後に、半導体基板（ウエハ）１を切断してチップ化する。

本発明の第２の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法により、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法により得られる効果に加えて、さらに、以下の効果がえられる。

すなわち、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法においては、シリコン層２１と、シリコン層２１の上に形成された二酸化シリコン層２２と、二酸化シリコン２２層の上に形成されたシリコン２３層とを有するＳＯＩ基板２４を使用し、シリコン層２１と二酸化シリコン層２２とのエッチングレートの差を利用して、ウエットエッチングすることにより、シリコン層２１を全て除去して、ＳＯＩ基板２４を薄く加工することができる。これにより、ＳＯＩ基板２４の厚さを、単一材料により形成される半導体基板と比較してさらに薄く、例えば、０．５μｍの厚さに加工することができる。

また、ＳＯＩ基板２４の二酸化シリコン層２２は、熱伝導性に劣る。しかしながら、二酸化シリコン層２２に、絶縁性と熱伝導性とを含む樹脂により形成され、放熱フィン１０を備えた裏面封止樹脂層１１を直接接合することにより、裏面封止樹脂層１１がヒートシークとしての効果を示し、二酸化シリコン層２２の裏面からの放熱特性が向上する。これにより、さらに、小型、薄型で、放熱特性に優れた半導体装置及びその製造方法を実現することができる。

本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。 従来の半導体装置を示す断面図である。 従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。

符号の説明

１：半導体基板（ウエハ）、２：電子回路、３：再配線層、４：絶縁層、５：開口部、６：電極パッド部、７：金属ポスト層、８：表面封止樹脂層、９：電極ボール、１０：放熱フィン、１１：裏面封止樹脂層、１４：保護部材、２１：シリコン層、２２：二酸化シリコン層、２３：シリコン層、２４：ＳＯＩ基板、４１：半導体基板（ウエハ）、４２：電子回路、４３：再配線層、４４：絶縁層、４５：開口部、４６：電極パッド部、４７：金属ポスト層、４８：表面封止樹脂層、４９：電極ボール

Claims (4)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板に形成された回路素子と配線を有する電子回路と、
   前記半導体基板の上に設けられ、前記電子回路と接続される再配線層と、
   前記再配線層が設けられた前記半導体基板の上に設けられる絶縁層と、
   前記絶縁層の表面から前記再配線層に達する開口部と、
   前記開口部において前記再配線層の上に設けられる金属ポスト層と、
   前記絶縁層の上で前記金属ポスト層の周囲に設けられ、熱伝導性と電気絶縁性を有するフィラーを含む樹脂により形成される表面封止樹脂層と、
   前記金属ポスト層の上に設けられる電極ボールと、
   前記半導体基板の裏面に設けられ、熱伝導性と電気絶縁性を有するフィラーを含む樹脂により形成され、放熱フィンを備える裏面封止樹脂層と、
   を具備することを特徴とする半導体装置。
2. 前記半導体基板が、絶縁体の上にシリコン層が設けられたＳＯＩ基板を含み、前記裏面封止樹脂層が前記ＳＯＩ基板の裏面に前記絶縁体と接して設けられることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 回路素子と配線を有する電子回路を備える半導体基板の上に、前記電子回路と接続される再配線層を形成する工程と、
   前記再配線層が形成された前記半導体基板の上に絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層の表面から前記再配線層に達する開口部を形成する工程と、
   前記開口部において、前記再配線層の上に金属ポスト層を形成する工程と、
   前記絶縁層と前記金属ポスト層の上に樹脂層を形成し、前記金属ポスト層と前記樹脂層とを研削することにより、前記金属ポスト層の表面とほぼ同一表面を有する表面封止樹脂層を形成する工程と、
   前記表面封止樹脂層と前記金属ポスト層の表面に保護部材を設置する工程と、
   前記半導体基板の裏面から前記半導体基板を所定の厚さに加工する工程と、
   前記半導体基板の裏面に放熱フィンを備えた裏面封止樹脂層を形成する工程と、
   前記金属ポスト層の上に電極ボールを形成する工程と、
   前記半導体基板を切断して複数のチップを形成する工程と、
   を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 前記半導体基板が、第１のシリコン層と、前記第１のシリコン層の上に設けられた絶縁体と、前記絶縁体の上に設けられた第２のシリコン層とを有するＳＯＩ基板を含み、
   前記半導体基板の裏面から前記半導体基板を所定の厚さに加工する工程が、前記ＳＯＩ基板の裏面から前記第１のシリコン層を除去することにより、前記ＳＯＩ基板を、絶縁体と、前記絶縁体の上に設けられた第２のシリコン層とを有する基板に加工する工程を含み、
   前記絶縁体の裏面に放熱フィンを備えた裏面封止樹脂層を形成する工程が、前記ＳＯＩ基板の前記絶縁体の裏面に放熱フィンを備えた裏面封止樹脂層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。

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