KR20130032373A - 적층 필름 및 그것을 사용한 반도체 제조용 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 내열성 및 응력 완화성이 우수하며, 반도체 제조용 필름의 구성 부재로서 적합한 적층 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 최외층(6)을 포함하는 2층 이상의 적층 구조를 가지며, 최외층(6)은, 융점이 98℃ 이상인 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물로 이루어지고, 최외층(6) 이외의 적어도 일층[제2층(3)]은, 불포화 카르본산 함유량이 17질량% 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 또는 그 아이오노머를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는, 적층 필름(10)에 관한 것이다.

Description

적층 필름 및 그것을 사용한 반도체 제조용 필름{LAMINATE FILM, AND FILM FOR USE IN PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR COMPRISING SAME}
본 발명은, 적층 필름, 및 그것을 사용한 반도체 제조용 필름에 관한 것이다.
IC 등의 반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 회로 패턴을 형성한 반도체 웨이퍼를 박막화하기 위해, 반도체 웨이퍼의 이면을 연마하는 백그라인드 공정을 거치는 것이 일반적이다. 이 백그라인드 공정에서는, 반도체 웨이퍼의 회로 패턴면을 오염 등으로부터 보호함과 함께, 박육(薄肉)화된 반도체 웨이퍼를 유지하기 위하여, 점착 필름(백그라인드 필름)이 회로 패턴면에 부착된다.
백그라인드 공정 후에는, 연마한 반도체 웨이퍼의 이면에 신축성을 가지는 웨이퍼 가공용 필름(다이싱 필름)을 부착하고, 반도체 웨이퍼를 칩 단위로 분단(分斷)하는 다이싱 공정을 거치는 것이 일반적이다.
실리콘 등으로 이루어지는 반도체 웨이퍼는 무르기 때문에, 연마 시에 부하되는 응력이나, 반도체 웨이퍼를 칩 단위로 분단할 때 부하되는 응력에 의해 파손되기 쉬운 문제가 있다. 이 때문에, 백그라인드 필름이나 다이싱 필름에 대해서는, 반도체 웨이퍼의 파손을 방지하기 위하여, 연마나 분단 시에 반도체 웨이퍼에 부하되는 응력을 완화시키는 것이 가능한 응력 완화성이 요구된다.
또, 반도체 웨이퍼의 이면 연마 시에는 마찰열이 발생한다. 이 때문에, 열에 약한 백그라인드 필름을 회로 패턴면에 부착한 상태에서 이면 연마를 행하면, 연마 종료 후에 백그라인드 필름을 박리시키는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 최근의 인라인 프로세스에 있어서는, 백그라인드 필름을 부착한 상태에서 반도체 웨이퍼를 다이싱 공정으로 반송함과 함께, 반도체 웨이퍼의 이면(연마면)에 다이싱 필름을 가열 조건 하에서 부착한다. 이 때문에, 열에 약한 백그라인드 필름이나 다이싱 필름을 사용하면, 열에 의해 연화 등이 되어 박리시키는 것이 곤란해지거나, 작업 테이블(다이) 상에 고착되는 경우가 있다. 또한, 열에 의해 이들 필름에 일그러짐이나 휨 등의 변형이 생기면, 박육화된 반도체 웨이퍼가 변형될 가능성도 있다. 이상으로부터, 이들 필름에 대해서는, 상기 서술한 응력 완화성과 함께 내열성이 요구된다.
반도체 제조용 필름의 구체예로서는, 특허문헌 1에는, 에틸렌·아세트산 비닐 공중합체(EVA)와, 융점이 100℃ 이상인 폴리올레핀계 수지의 혼합물로 이루어지는 단층의 기재(基材) 필름을 구비한 백그라인드용 점착 테이프가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 또, 비카트 연화점이 80℃ 이상인 열가소성 수지로 이루어지는 최하층과, 비카트 연화점이 50℃ 이상 80℃ 미만인 열가소성 수지로 이루어지는 최하층 이외의 층을 가지는 기재 필름을 구비한 웨이퍼 가공용 테이프가 알려져 있다 (예를 들면, 특허문헌 2 참조).
일본 특허 제4351487호 공보 일본 특허 공개 제2009-231700호 공보
인용문헌 1에 기재된 백그라인드용 점착 테이프는, 유연성을 가지는 EVA를 함유하는 재료로 기재 필름을 형성함으로써, 외력을 흡수하여 반도체 웨이퍼의 파손을 억제하고자 하고 있다. 또, 인용문헌 2에 기재된 웨이퍼 가공용 테이프는, 비카트 연화점이 다른 재료로 형성된 복수의 층을 가지는 적층 구조로 함으로써, 유연성을 향상시킴과 함께, 다이로의 고착 등을 방지하고자 하고 있다. 그러나, 최근, 반도체 웨이퍼가 더욱 박육화(예를 들면 50～100㎛) 됨에 따라, 반도체 웨이퍼의 파손을 방지하기 위하여, 더욱 높은 응력 완화성이 요구되고 있다. 또, 상기 서술한 인라인 프로세스에 대응하기 위하여, 다이로의 고착 등을 방지할 수 있는 특성을 구비하는 것도 요구되고 있다. 또한, 다이로의 고착 등을 방지할 수 있는 특성이란, 다시 말하면, 가열에 의해서도 과도하게 연화되지 않는 성질(내열성)이다.
본 발명은, 이러한 종래 기술이 가지는 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 과제로 하는 점은, 내열성 및 응력 완화성이 우수하며, 반도체 제조용 필름의 구성 부재로서 적합한 적층 필름을 제공하는 것에 있다. 또, 본 발명이 과제로 하는 점은, 내열성 및 응력 완화성이 우수하며, 반도체 웨이퍼의 백그라인드 공정이나 다이싱 공정에 있어서 적합하게 사용 가능한 반도체 제조용 필름을 제공하는 것에 있다.
즉, 본 발명에 의하면, 이하에 나타내는 적층 필름, 및 반도체 제조용 필름이 제공된다.
[1] 최외층을 포함하는 2층 이상의 적층 구조를 가지며, 상기 최외층은, 융점이 98℃ 이상인 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물로 이루어지고, 상기 최외층 이외의 적어도 일층은, 불포화 카르본산 함유량이 17질량% 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체 및 상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 아이오노머 중 어느 일방을 적어도 함유하는 수지 조성물로 이루어지는, 적층 필름.
[2] 상기 수지 조성물이, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 아이오노머를 함유하는, [1]의 적층 필름.
[3] 상기 열가소성 수지의 비카트 연화 온도가 70℃ 이상인 [2]에 기재된 적층 필름.
[4] 상기 열가소성 수지가, 폴리올레핀 및 폴리에스테르계 엘라스토머 중 어느 하나인 [2] 또는 [3]에 기재된 적층 필름.
[5] 상기 최외층의 두께(X)와, 상기 최외층 이외의 층의 두께(Y)의 비가, X/Y=5/95～45/55인 [2]～[4] 중 어느 하나에 기재된 적층 필름.
[6] 상기 수지 조성물이, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체를 함유하는, [1]에 기재된 적층 필름.
[7] 상기 열가소성 수지의 MFR(190℃, 2160g 가중)이 15g/10분 이상인 [6]에 기재된 적층 필름.
[8] 상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 MFR(190℃, 2160g 가중)이 15g/10분 이상인 [6] 또는 [7]에 기재된 적층 필름.
[9] 상기 최외층의 두께(X)와, 상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체를 포함하는 층의 두께의 합계(Y)의 비가, X/Y=5/95～60/40인 [6]～[8] 중 어느 하나에 기재된 적층 필름.
[10] 상기 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물의 MFR-1(190℃, 2160g 가중)과, 상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 MFR-2(190℃, 2160g 가중)의 비율(MFR-1/MFR-2)이, 0. 2～5의 범위 내인, [9]에 기재된 적층 필름.
[11] 상기 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물은 폴리에틸렌을 포함하는, [6]～[10] 중 어느 하나에 기재된 적층 필름.
[12] 상기 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물은 폴리프로필렌을 포함하는, [6]～[10] 중 어느 하나에 기재된 적층 필름.
[13] 상기 [1]～[12] 중 어느 하나에 기재된 적층 필름과, 상기 적층 필름의 상기 최외층의 반대 측에 위치하는 층의 표면 상에 배치된 점착층을 구비한 반도체 제조용 필름.
[14] 백그라인드 필름인 [13]에 기재된 반도체 제조용 필름.
[15] 다이싱 필름인 [13]에 기재된 반도체 제조용 필름.
본 발명의 적층 필름은, 우수한 내열성과, 응력 완화성을 가지는 것이다. 이 때문에, 본 발명의 적층 필름은, 반도체 웨이퍼의 백그라인드 공정이나 다이싱 공정 등에 있어서 사용되는 반도체 제조용 필름의 구성 부재로서 적합하다.
또, 본 발명의 반도체 제조용 필름은, 우수한 내열성과, 응력 완화성을 가지는 것이다. 이 때문에, 본 발명의 반도체 제조용 필름은, 반도체 웨이퍼의 백그라인드 공정이나 다이싱 공정 등에 있어서 사용되는 반도체 제조용 필름으로서 적합하다.
도 1은 본 발명의 적층 필름의 일 실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 제조용 필름의 일 실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
1. 적층 필름
도 1은, 본 발명의 적층 필름의 일 실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 적층 필름(10)은, 최외층(6)과 제2층(3)이 적층된 적층 구조를 갖는다. 최외층(6)은, 융점이 98℃ 이상인 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물에 의해 형성되어 있다. 또, 제2층(3)은, 불포화 카르본산 함유량이 17질량% 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체 및 상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 아이오노머 중 어느 일방을 적어도 함유하는 수지 조성물에 의해 형성되어 있다. 이러한 적층 구조로 함으로써, 적층 필름의 내열성과 응력 완화성이 양립된다.
그 때문에, 제2층(3)의 표면 상에 점착층을 배치하여 반도체 제조용 필름으로서 사용하는 경우에, 반도체 제조용 필름이 열에 의해 과잉으로 연화되지 않고, 작업 테이블(다이) 상에 고착되지 않아, 일그러짐이나 휨 등의 변형이 생기는 등의 문제가 매우 생기기 어렵다. 이하에 있어서, 각 층의 구성에 대하여 설명한다.
(최외층 이외의 층(제2층))
제2층은, 후술하는 최외층 이외의 층이다. 이 제2층은, 2층 이상 있어도 된다. 또, 최외층과 제2층은 직접적으로 접촉하고 있어도 되고, 이들 층 이외의 층을 개재하여 배치되어 있어도 된다.
제2층은, 불포화 카르본산 함유량이 17질량% 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체(이하, 간단히 「공중합체」라고도 한다), 및 불포화 카르본산 함유량이 17질량% 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 아이오노머(이하, 간단히 「아이오노머」라고도 한다) 중 어느 일방을 적어도 함유하는 수지 조성물에 의해 형성되어 있다.
에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 아이오노머란, 에틸렌·카르본산 공중합체의 카르복실기의 일부, 또는 전부가 금속(이온)으로 중화된 것이다. 본 발명에서는, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 산기 중 적어도 일부가 금속(이온)으로 중화되어 있는 것을 아이오노머, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 산기가 금속(이온)에 의해 중화되어 있지 않은 것을, 공중합체라고 한다.
불포화 카르본산 함유량이 일정 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체는, 불포화 카르본산 함유량이 일정하게 채워지지 않는 공중합체에 비하여, 수소 결합되는 지점이 많아, 분자 간 수소 결합에 의해 유사 가교된 구조부가 많아져 있다고 생각된다. 또, 불포화 카르본산 함유량이 일정 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 아이오노머는, 불포화 카르본산 함유량이 일정하게 채워지지 않는 아이오노머에 비하여, 금속 이온에 의해 유사 가교되는 지점이 많고, 즉, 더욱 많은 이온 응집체가 형성되어 있다고 생각된다.
그 때문에, 불포화 카르본산 함유량이 일정 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 또는 그 아이오노머를 함유하는 수지 조성물을 사용하여 형성된 제2층은, 그 구조에 기인하여, 응력을 흡수하기 쉬운 성질을 나타낸다고 추측된다.
상기 공중합체, 또는 그 아이오노머를 구성하는 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 종류로서는, 그래프트 공중합체, 랜덤 공중합체, 블록 공중합체를 생각할수 있다. 이들 중에서는, 불포화 카르본산 함유량을 많이 포함하는 것이 가능한 랜덤 공중합체가 바람직하다. 상기 공중합체 중의 불포화 카르본산 함유량을 많게 함으로써, 분자 간 수소 결합에 의한 유사 가교의 구조부가 많아지는 것을 기대할 수 있다. 또, 상기 아이오노머 중의 불포화 카르본산 함유량을 많게 함으로써, 금속 이온에 의한 유사 가교의 구조부가 많아지는 것을 기대할 수 있다.
제2층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 공중합체, 또는 아이오노머의 불포화 카르본산 함유량은, 적층 필름의 응력 완화성을 향상시킨다는 관점에서, 17질량% 이상인 것이 바람직하고, 19질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 공중합체의 불포화 카르본산 함유량은 높을수록 바람직하지만, 아이오노머의 불포화 카르본산 함유량의 상한값은, 30질량% 정도인 것이 바람직하다.
상기 서술한 공중합체 또는 아이오노머를 구성하는 불포화 카르본산의 예로는, 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 말레산, 말레산 모노에틸 등이 포함되고, 그중에서도 아크릴산, 메타크릴산이 바람직하다. 2종 이상의 불포화 카르본산을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 서술한 공중합체 또는 아이오노머를 구성하는 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체에는, 에틸렌과 불포화 카르본산 이외의 다른 모노머 성분이 포함되어 있어도 된다. 다른 모노머 성분의 예로는, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 이소부틸, (메타)아크릴산 부틸과 같은 아크릴산이나 메타크릴산 에스테르, 또는 아세트산 비닐 등이 포함된다.
또, 상기 서술한 아이오노머는, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체에 포함되는 카르복실기가 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 등의 알칼리 금속, 또는 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 등의 알칼리 금속 이외의 금속의 금속 이온에 의해 임의의 비율로 가교(중화)된 것이 바람직하다. 당해 아이오노머의 카르복실기의 가교 비율은, 1～90mol%인 것이 바람직하고 3～70mol%인 것이 더욱 바람직하다.
상기 서술한 아이오노머의, JIS K-6721에 준거하여 190℃, 2.16kg 하중에서 측정되는 멜트 플로우 레이트(MFR)는, 0.1～50g/min인 것이 바람직하고, 0.5～20g/min인 것이 더욱 바람직하다. MFR가 상기 수치 범위 내인 아이오노머를 함유하는 수지 조성물은, 압출 성형 등의 가공성이 양호하며, 필름 형상으로 가공하기 쉬운 등의 이점이 있다.
한편, 상기 서술한 공중합체의, JIS K-7210에 준거하여 190℃, 2.16kg 하중에서 측정되는 멜트 플로우 레이트(MFR)는, 15g～500g/min인 것이 바람직하고, 25g～300g/min인 것이 더욱 바람직하다. MFR가 상기 범위 내인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체는, 응력 완화성이 우수하며, 또한 저온에서의 압출 성형 등의 가공성이 양호하기 때문에, 시트 형상으로 가공하기 쉬운 등의 이점이 있다. 한편, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 MFR가 작은, 즉 분자량이 너무 크면, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 응력 완화성이 저하되기 때문에, 바람직하지 않다.
또, 제2층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 적층 필름을 반도체 제조용 필름의 구성 부재로서 사용하는 것을 고려하면, 50～150㎛가 바람직하며, 60～150㎛가 더욱 바람직하다.
제2층을 구성하는 수지 조성물에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라 각종 첨가제가 첨가된다. 첨가제의 구체예로서는, 후술하는 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물에 첨가될 수 있는 것과 동일한 것을 들 수 있다.
이처럼, 응력 완화 능력이 우수한 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 또는 그 아이오노머를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 제2층을 가지는 본 발명의 적층 필름을, 반도체 제조용 필름을 구성하는 기재 필름으로서 사용한 경우에는, 이면 연마 시에 부하되는 응력 등을 완화시키는 것이 가능하여, 박육화된 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
(최외층)
본 발명의 적층체에 있어서의 최외층이란, 적층 필름의 가장 외측에 위치하는 층이지만, 적층 필름의 편면에만 있어도 되며(도 1 참조), 양면에 있어도 된다.
최외층은, 융점이 98℃ 이상인 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물에 의해 형성되어 있다. 이처럼, 융점이 98℃ 이상과 같은 비교적 융점이 높은 열가소성 수지를 사용하여 형성된 최외층은, 반도체 웨이퍼의 이면 연마 시에 발생하는 열이나, 다이싱 필름 부착 시의 열에 의해서도 연화되기 어렵다. 그 때문에, 이 최외층을 가지는 본 발명의 적층 필름은, 반도체 제조용 필름을 구성하는 기재 필름으로서 사용한 경우에, 사용 후의 박리가 용이함과 함께, 박육화된 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물에 있어서의 열가소성 수지의 융점은, 적층 필름의 내열성을 향상시킨다는 관점에서는, 98℃ 이상인 것이 바람직하고, 102℃ 이상이 더 바람직하며, 105℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 특히 120℃ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 열가소성 수지의 융점의 상한값에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 230℃ 정도인 것이 바람직하다.
최외층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 적층 필름을 반도체 제조용 필름의 구성 부재로서 사용하는 것을 고려하면, 5～50㎛인 것이 바람직하다.
제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 아이오노머를 함유하는 경우, 최외층을 구성하는 열가소성 수지의 비카트 연화 온도는, 70℃ 이상인 것이 바람직하고, 80℃ 이상인 것이 더욱 바람직하며, 120℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물에 있어서의 열가소성 수지의 비카트 연화 온도를 70℃ 이상으로 함으로써, 적층 필름의 내열성을 더욱 향상시킬 수 있다. 열가소성 수지의 비카트 연화 온도의 상한값에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 160℃ 정도인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「비카트 연화 온도」는, JIS K7206에서 규정되는 물성값이다.
또, 제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 아이오노머를 함유하는 경우, JIS K-6721에 준거하여, 190℃, 2.16kg 하중에서 측정되는 최외층을 구성하는 열가소성 수지의 멜트 플로우 레이트(MFR)는, 0.1～60g/min인 것이 바람직하고, 0.3～30g/min인 것이 더욱 바람직하다. MFR가 상기 수치 범위 내인 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물은, 아이오노머를 함유하는 제2층과의 공압출 성형 등의 가공성이 양호하여, 필름상으로 가공하기 쉬운 등의 이점이 있다.
제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 아이오노머를 함유하는 경우, 최외층을 구성하는 열가소성 수지는, 상기의 융점을 가지는 것인 한, 그 종류에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 폴리올레핀, 폴리에스테르계 엘라스토머가 바람직하다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들면, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 등의 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(LLEDE), 폴리프로필렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체가 바람직하다. 또, 폴리에스테르계 엘라스토머의 구체예로서는, 상품명 「펠프렌」시리즈(도요보사제), 상품명 「하이트렐」시리즈(도레이·듀폰사제), 상품명 「프리말로이」시리즈(미쓰비시화학사제) 등의 시판품을 들 수 있다. 이들 열가소 수지는, 일종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 아이오노머를 함유하는 경우에, 최외층에 포함할 수 있는 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체는, 에틸렌과, (메타)아크릴산 등의 불포화 카르본산의 공중합체이다. 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체에 포함되는 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 비율(불포화 카르본산 함유량)은, 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 9질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 불포화 카르본산 함유량이 너무 많으면, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 융점이 낮아지는(98℃ 미만이 되는) 경우가 있다.
한편, 제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 공중합체를 함유하는 경우, 응력 완화성이나 가공성을 고려하면, 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물에 포함되는 열가소성 수지의 MFR은 중요한 물성값이다. 열가소성 수지의 MFR은, JIS K-7210에 준거하여, 190℃, 2.16kg 하중에서 측정되며, 15g～500g/min인 것이 바람직하고, 20g～300g/min인 것이 더욱 바람직하다.
상기 범위 내의 MFR을 가지는 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물은, 압출 성형 등의 가공성이 양호하여, 저온에서 가공하기 쉬운 등의 이점이 있다. 또, 이 열가소성 수지 조성물은, 응력 완화성의 관점에서도 우수하다. 한편, 상기 범위를 하회하는 MFR을 가지는 열가소성을 함유하는 열가소성 수지 조성물은, 상기 서술한 공중합체를 포함하는 제2층과 조합하였을 때 응력 완화성이 낮아지는 문제가 있다. 또, 상기 범위를 넘는 MFR을 가지는 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물은, 공중합체를 함유하는 제2층과의 공압출 가공에 의한 필름 성형을 하기 어려워진다.
제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 공중합체를 함유하는 경우, 최외층을 구성하는 열가소성 수지는 98℃ 이상의 융점을 가지는 한, 그 종류에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 폴리올레핀이 바람직하다. 98℃ 이상의 융점을 가지는 폴리올레핀의 예로는, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 등의 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 폴리프로필렌 등이 포함된다. 그 중에서도, 98℃ 이상의 융점을 가지는 폴리올레핀은, 폴리에틸렌, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체가 바람직하다.
제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 공중합체를 함유하는 경우에, 최외층에 포함할 수 있는 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체는, 에틸렌과 (메타)아크릴산 등의 불포화 카르본산의 공중합체이다. 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체에 포함되는 불포화 카르본산에 유래하는 구성 단위의 비율(불포화 카르본산 함유량)은, 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 9질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 불포화 카르본산 함유량이 너무 많으면, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 융점이 낮아지는(98℃ 미만이 되는) 경우가 있다.
제2층을 구성하는 수지 조성물이, 공중합체 또는 그 아이오노머 중 어느 하나를 함유하는 경우에도, 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라 각종 첨가제가 첨가된다. 첨가제의 구체예로서는, 벤조페논계, 벤조에이트계, 벤조트리아졸계, 시아노아크릴레이트계, 힌더드아민계 등의 자외선 흡수제; 고분자형의 대전 방지제; 실리카, 클레이, 탄산칼슘, 황산바륨, 유리 비즈, 탈크 등의 충전제; 난연제; 항균제; 곰팡이 방지제 등을 들 수 있다.
(적층 필름)
상기 서술한 제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 아이오노머를 함유하는 경우, 적층 필름의, 최외층의 두께(X)와, 최외층 이외의 층(제2층)의 두께(Y)의 비는, X/Y=5/95～45/55인 것이 바람직하고, X/Y=10/90～40/60인 것이 더욱 바람직하며, X/Y=20/80～30/70인 것이 특히 바람직하다. 최외층의 두께(X)와 제2층의 두께(Y)의 비가 상기의 범위 내이면, 더 효과적으로 내열성과 응력 완화성이 양립된다.
이 경우, 적층 필름의 전체의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 적층 필름을 반도체 제조용 필름의 구성 부재로서 사용하는 것을 고려하면, 65～200㎛인 것이 바람직하다.
상기 서술한 제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 아이오노머를 함유하는 경우, 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물에 있어서의 열가소성 수지의 불포화 카르본산 함유량과, 제2층을 구성하는 수지 조성물에 있어서의 아이오노머의 불포화 카르본산 함유량과의 합계(적층 필름 전체에 있어서의 불포화 카르본산 함유량)는, 최외층과 제2층을 구성하는 수지의 합계에 대하여, 12질량% 이상인 것이 바람직하고, 14～20질량%인 것이 더욱 바람직하다. 적층 필름 전체에서의 불포화 카르본산 함유량을 12질량% 이상으로 함으로써, 우수한 응력 완화성이 얻어진다.
한편, 상기 서술한 제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 공중합체를 함유하는 경우, 본 발명의 적층 필름의 최외층의 두께(X)와, 최외층 이외의 층인 제2층의 두께(Y)의 비는, X/Y=5/95～60/40인 것이 바람직하고, X/Y=7/93～50/50인 것이 더욱 바람직하며, X/Y=10/80～40/60인 것이 특히 바람직하다. 최외층이, 적층 필름의 양면에 있는 경우에는, 그들 두께의 합계를 (X)라고 한다. 또, 적층 필름에 2층 이상의 제2층이 있는 경우에는, 각 층의 두께의 합계를 (Y)라고 한다. 최외층의 두께(X)와 제2층의 두께(Y)의 비가 상기의 범위 내이면, 더욱 효과적으로 내열성과 응력 완화성이 양립된다.
이 경우, 적층 필름 전체의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 적층 필름을 반도체 제조용 필름의 구성 부재로서 사용하는 것을 고려하면, 65～200㎛인 것이 바람직하다.
또, 상기 서술한 제2층을 구성하는 수지 조성물이, 상기 서술한 공중합체를 함유하는 경우, 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물의 190℃, 2160g 가중에 있어서의 MFR-1과, 제2층을 구성하는 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 190℃, 2160g 가중에 있어서의 MFR-2의 비(MFR-1/MFR-2)는, 0.2～4인 것이 바람직하고, 0.3～3인 것이 더욱 바람직하며, 0.5～2이면 특히 바람직하다. 비(MFR-1/MFR-2)가 상기 범위 내에 있으면, 적층 필름의 응력 완화성이 더욱 높아진다. 또, 비(MFR-1/MFR-2)가 상기 범위를 하회하면, 적층 필름이 성형(예를 들면 압출 성형)하기 어려운 경우가 있다.
(적층 필름의 제조)
본 발명의 적층 필름은, 종래 공지된 압출법, 라미네이트법 등에 의해 제조 할 수 있다. 라미네이트법에 의해 제조하는 경우에는, 층간에 접착제를 개재시켜도 된다. 접착제로서는, 종래 공지된 접착제를 사용할 수 있다.
2. 반도체 제조용 필름
다음으로, 본 발명의 반도체 제조용 필름에 대하여 설명한다. 도 2는, 본 발명의 반도체 제조용 필름의 일 실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 반도체 제조용 필름(20)은, 적층 필름(10)과, 적층 필름(10)의 최외층(6)의 반대 측에 위치하는 층[제2층(3)]의 표면 상에 배치된 점착층(15)을 구비한다. 이 적층 필름(10)으로서, 상기 서술한 본 발명의 적층 필름이 사용되어 있다.
본 발명의 반도체 제조용 필름은, 기재 필름으로서 본 발명의 적층 필름을 가지며, 또한 점착층을 가진다. 점착층은, 적층 필름의 최외층의 반대 측에 위치하는 층의 표면에 배치된다. 이 때문에, 본 발명의 반도체 제조용 필름은, 점착층을 개재하여 반도체 웨이퍼에 점착하여, 반도체 제조용 필름으로서 사용할 수 있다. 구체적으로는 반도체 웨이퍼의 이면 연마시의 백그라인드 필름으로서 사용하거나, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시의 다이싱 필름으로서 사용할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 적층 필름은 우수한 내열성과 응력 완화성을 나타내기 때문에, 본 발명의 반도체 제조용 필름도 마찬가지로, 우수한 내열성과 응력 완화성을 나타낸다. 그 때문에, 반도체 제조용 필름을 사용하면, 효율적이며 또한 고정밀도로 반도체 웨이퍼를 가공할 수 있다.
(점착층)
본 발명의 반도체 제조용 필름의 점착층은, 점착제로 구성되어 있다. 점착층에는, 이면 연마 가공 또는 다이싱 가공의 대상이 되는 반도체 웨이퍼가 부착 고정된다. 점착층의 두께는, 점착제의 종류에 따르기도 하지만, 3～100㎛인 것이 바람직하고, 3～50㎛인 것이 더욱 바람직하다.
점착층을 구성하는 점착제로서, 종래 공지된 점착제를 사용할 수 있다. 점착제의 예로는, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에테르계의 점착제; 방사선경화형 점착제; 가열 발포형 점착제 등이 포함된다. 그 중에서도, 반도체 웨이퍼로부터의 반도체 제조용 필름의 박리성 등을 고려하면, 점착층은 자외선 경화형 점착제를 포함하는 것이 바람직하다.
점착층을 구성할 수 있는 아크릴계 점착제의 예로는, (메타)아크릴산 에스테르의 단독 중합체, 및 (메타)아크릴산 에스테르와 공중합성 모노머의 공중합체가 포함된다. (메타)아크릴산 에스테르의 구체예로는, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 옥틸, (메타)아크릴산 이소노닐 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르; (메타)아크릴산 히드록시에틸, (메타)아크릴산 히드록시부틸, (메타)아크릴산 히드록시헥실 등의 (메타)아크릴산 히드록시알킬에스테르; (메타)아크릴산 글리시딜에스테르 등이 포함된다.
(메타)아크릴산 에스테르와의 공중합성 모노머의 구체예로는, (메타)아크릴산, 이타콘산, 무수 말레산, (메타)아크릴산 아미드, (메타)아크릴산 N-히드록시메틸아미드, (메타)아크릴산 알킬아미노알킬에스테르(예를 들면, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등), 아세트산 비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등이 포함된다.
점착층을 구성할 수 있는 자외선 경화형 점착제는, 특별히 한정되지 않지만, 상기 아크릴계 점착제와, 자외선 경화 성분(아크릴계 점착제의 폴리머 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 부가할 수 있는 성분)과, 광중합 개시제를 함유한다. 또한, 자외선 경화형 접착제에는, 필요에 따라 가교제, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제 등의 첨가제 등을 첨가해도 된다.
자외선 경화형 점착제에 포함되는 자외선 경화 성분이란, 예를 들면 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 라디칼 중합에 의해 경화 가능한 모노머, 올리고머, 또는 폴리머이다. 자외선 효과 성분의 구체예로는, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르, 또한 그 올리고머; 2-프로페닐디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 등이 포함된다.
자외선 경화형 점착제에 포함되는 광중합 개시제의 구체예로는, 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르류;α-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈류; 폴리비닐벤조페논; 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤류 등이 포함된다.
자외선 경화형 점착제에 포함되는 가교제의 예로는, 폴리이소시아네이트 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 폴리아민, 카르복실기 함유 폴리머 등이 포함된다.
본 발명의 반도체 제조용 필름의 점착층의 표면에는, 세퍼레이터를 점착하는 것이 바람직하다. 세퍼레이터를 점착함으로써, 점착층의 표면을 평활하게 유지할 수 있다. 또, 반도체 제조용 필름의 취급이나 운반이 용이해짐과 함께, 세퍼레이터 상에 라벨 가공하는 것도 가능해진다.
세퍼레이터는, 종이, 또는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등일 수 있다. 또, 세퍼레이터의 점착층과 접하는 면에는, 점착층으로부터의 박리성을 높이기 위하여, 필요에 따라 실리콘 처리나 불소처리 등의 이형 처리가 실시되어 있어도 된다. 세퍼레이터의 두께는, 통상 10～200㎛, 바람직하게는 25～100㎛ 정도이다.
(반도체 제조용 필름의 제조)
본 발명의 반도체 제조용 필름은, 예를 들면, 적층 필름의 표면(최외층의 반대 측에 위치하는 층의 표면)에, 점착제 또는 점착제 조성물을 도포하여 도포층을 형성하고, 이 도포층을 건조시켜서 점착층으로 함으로써 제조될 수 있다. 또, 적층 필름의 각 층을 구성하는 재료와, 점착층을 구성하는 재료를 공압출 함으로써도, 반도체 제조용 필름이 제조될 수 있다(공압출 성형법). 또, 점착제 조성물의 층을, 필요에 따라 가열 가교를 실시하여 점착층으로 해도 된다.
또한, 점착층의 표면 상에 세퍼레이터를 부착하여, 반도체 제조용 필름으로 해도 된다.
실시예
다음으로, 본 발명을 실시예에 기초하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
·시험 방법에 대하여 [내열성 시험]
6cm 폭의 장척(長尺) 형상으로 각각 재단한 알루미늄박과, 본 실시예 또는 비교예에서 제조한 필름을, 포개어 적층체로 하였다. 그 장척 방향이 TD 방향이 되도록, 필름을 재단하였다. 또, 필름의 최외층이 알루미늄박과 접하도록, 알루미늄박과 필름을 포개었다. 얻어진 적층체를, 불소 수지 필름으로 덮고, 히트 시일 바(30cm)를 사용하여, 이하에 나타내는 조건으로 가압하여 평가용 시료를 얻었다.
압력: 0.07MPa
시일 바 폭: 20mm
히트 시일 시간: 5초
시일 바 온도: 80℃
인장 시험기를 사용하여, 얻어진 평가용 시료의 알루미늄박과 필름 사이의 접착력(g/20mm)을 인장 속도 300mm/min의 조건으로 측정하였다. 이하에 나타내는 기준에 따라, 측정한 접착력으로부터 필름의 「내열성」을 평가하였다.
◎: 10g/20mm 미만(접착되어 있지 않음)
○: 10g/20mm 이상, 50g/20mm 미만(저항감 없이 손으로 박리할 수 있는 레벨)
△: 50g/20mm 이상, 100g/20mm 미만(박리 시에 약한 저항 있음)
×: 100g/20mm 이상(박리 시에 강한 저항 있음)
[응력 완화 시험]
본 실시예 또는 비교예에서 제조한 필름을 재단하여, 10mm 폭의 단책(短冊) 형상의 시험편을 얻었다. 얻어진 시험편을 이하에 나타내는 조건으로 연신하여, 「10% 연신 직후의 인장 강도」와 「10% 연신한 상태에서 1분간 유지한 후의 인장 강도」를 측정하였다.
인장 속도: 200mm/min
척 간 거리: 100mm
시험 샘플(시험편) 수: n=5
필름 방향: TD 방향과 MD 방향의 양방
측정한 「10% 연신 직후의 인장 강도」와 「10% 연신한 상태에서 1분간 경과 후의 인장 강도」로부터, 하기 식 (1)에 의해 「응력 완화율(%)」을 산출하였다. 또, 이하에 나타내는 기준에 따라, 산출한 응력 완화율로부터 필름의 「응력 완화성」을 평가하였다.
응력 완화율(%)=｛(TS1-TS2)/TS1}×100···(1)
TS1: 10% 연신 직후의 인장 강도
TS2: 10% 연신한 상태에서 1분간 경과 후의 인장 강도
◎: 응력 완화율이, TD 방향과 MD 방향의 양 방향에서 55% 이상
○: 응력 완화율이, TD 방향과 MD 방향 중 적어도 일 방향에서 50% 이상, 55% 미만
×: 응력 완화율이, TD 방향과 MD 방향의 양 방향에서 50% 미만
10% 연신한 상태에서 1분 유지한 후의 인장 강도가 작아지면, 응력 완화율은 커진다. 또, 10% 연신한 상태에서 1분 유지한 후의 인장 강도가 작아진다는 것은, 시험편에 영구 소성 변형이 생기고, 그 영구 소성 변형에 의해 응력 에너지의 일부가 소비된 것을 의미한다. 따라서, 「응력 완화율의 값이 큰」 시험편은, 소성 변형됨으로써, 부하된 응력을 흡수하기 쉽다고 판단된다.
1. 필름의 제조에 대하여 (1)
표 1에, 최외층의 수지 재료로서 사용한 재료를 나타낸다. MFR은, 190℃, 2160g 가중에서 측정되는 값이다.
Figure pct00001
표 2에, 제2층의 수지 재료로서 사용한 재료를 나타낸다.
Figure pct00002
(실시예 1)
최외층의 재료로서 표 1에 나타내는 EMAA(1)(에틸렌·메타크릴산 랜덤 공중합체, 미츠이·듀폰폴리케미칼사제), 및 제2층의 재료로서 표 2에 나타내는 EMAA-IO(1)(에틸렌·메타크릴산 랜덤 공중합체의 아연(Zn) 아이오노머, 미츠이·듀폰 폴리케미칼사제)을 사용하고, 다층 압출기(40mmφ×3)를 사용하여 압출 성형함으로써, 2층 구조를 가지는 두께 160㎛의 적층 필름(최외층과 제2층의 두께비=30/70)을 얻었다. 얻어진 적층 필름의 내열성의 평가 결과는 「◎」, 응력 완화성의 평가 결과는 「○」이었다.
(실시예 2～9, 비교예 1～7)
최외층과 제2층의 재료, 및 최외층과 제2층의 두께비를 표 3에 나타내는 바와 같이 한 것 이외에는, 상기 서술한 실시예 1과 동일하게 하여 (적층)필름을 얻었다. 얻어진 (적층)필름의 내열성 및 응력 완화성의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pct00003
[평가]
표 3에 나타내는 결과로부터, 실시예 1～9의 적층 필름은, 비교예 1～7의 (적층)필름과 비교하여, 내열성 및 응력 완화성이 우수하다. 또, 메타크릴산 함유량이 17질량% 이상인 EMAA의 아이오노머로 제2층을 형성한 경우(실시예 1)에는, 메타크릴산 함유량이 17질량% 미만인 EMMA의 아이오노머로 제2층을 형성한 경우(비교예 4 및 5)와 비교하여, 응력 완화성이 우수하다.
또한, 동일한 재료에 의해 최외층이 형성되어 있는 경우이어도, 내열성의 평가 결과가 상이한 것은, 최외층의 두께가 다르거나(예를 들면, 실시예 1과 비교예 4), 최외층에 접하는 제2층의 재료 조성이 다르기 때문(예를 들면, 실시예 1과 실시예 3)이라고 추측된다. 즉, 적층 필름의 내열성이나 응력 완화성은, 적층 필름을 구성하는 각각의 층의 물성만으로 정해지는 것이 아니라, 각 층의 두께나 조합에 의해 정해지는 것이 확실하다.
2. 필름의 제조에 대하여 (2)
표 4에, 최외층의 수지 재료로서 사용한 재료를 나타낸다. MFR는, 190℃, 2160g 가중에서 측정되는 값이다.
Figure pct00004
표 5에, 제2층의 수지 재료로서 사용한 재료를 나타낸다.
Figure pct00005
[실시예 10]
최외층의 재료를 LDPE(1)(표 4 참조, 저밀도 폴리에틸렌)로 하고, 제2층의 재료를 EMMA(1)(표 5 참조, 에틸렌·메타크릴산 랜덤 공중합체)로 하였다. 다층 압출기(40mmφ×3)를 사용하여, 수지 온도 140℃에서 공압출 성형함으로써, 2층 구조의 두께 150㎛인 적층 필름(최외층과 제2층의 두께비=10/90)을 얻었다.
[실시예 11～15]
표 6에 나타내는 최외층과 제2층으로 이루어지는 적층 필름을, 공압출 성형에 의해 성형하였다. 최외층과 제2층의 재료, 및 최외층과 제2층의 두께비를, 표 6에 나타내는 바와 같이 한 것 이외에는, 상기 서술한 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.
[비교예 8～12]
비교예 8～10에서는, 표 6에 나타내는 단층 필름을 압출 성형으로 성형하고, 비교예 11～12에서는, 표 6에 나타내는 최외층과 제2층으로 이루어지는 적층 필름을, 공압출 성형으로 성형하였다. 최외층과 제2층의 재료, 및 최외층과 제2층의 두께비를, 표 6에 나타내는 바와 같이 한 것 이외에는, 상기 서술한 실시예 1과 동일한 조건으로 하였다.
실시예 및 비교예에서 얻어진 단층 필름 또는 적층 필름의 내열성 및 응력 완화성을, 상기의 순서로 평가하였다. 평가 결과를 표 6에 나타낸다. 또한, 응력 완화성은, TD 방향 및 MD 방향의 양 방향에 대하여 상기 서술한 방법에 의해 측정된 값을 각각 나타낸다.
Figure pct00006
[평가]
표 6에 나타내는 결과로부터, 실시예 10～15의 적층 필름은 내열성이 우수하고, 또한 응력 완화성도 61% 이상이었다.
이에 대하여, 비교예 8 및 9의 단층 필름은, 내열성이 뒤떨어져 있었다. 한편, 비교예 10의 단층 필름은, 내열성은 우수하지만, 응력 완화성이 매우 낮았다. 비교예 11의 적층 필름은, 필름 가공할 수 없었다. 최외층을 구성하는 폴리에틸렌의 MFR(7.2g/10min)의, 제2층을 구성하는 에틸렌·메타크릴산 랜덤 공중합체의 MFR(60g/10min)에 대한 비율이 너무 작기(0.12) 때문이다.
또, 제2층을 구성하는 에틸렌·메타크릴산 랜덤 공중합체의 메타크릴산 함유량이 17질량% 미만(15질량%)인 비교예 12는, 제2층을 구성하는 에틸렌·메타크릴산 랜덤 공중합체의 메타크릴산 함유량이 20질량%인 실시예 10보다, 응력 완화성이 저하되었다.
이와 같이, 내열성과 응력 완화성을 양립한 적층 필름을 얻기 위해서는, 각층의 물성뿐만 아니라, 각 층의 두께와 두께 비율 등을 조정하는 것이 필요하다.
본 발명의 적층 필름은, 내열성 및 응력 완화성이 우수하다. 이 때문에, 본 발명의 적층 필름 및 반도체 제조용 필름을 사용하면, 효율적이며 또한 고정밀도로 반도체 웨이퍼를 가공하여 반도체를 제조할 수 있다.
3: 제2층 6: 최외층
10: 적층 필름 15: 점착층
20: 반도체 제조용 필름

Claims (15)

  1. 최외층을 포함하는 2층 이상의 적층 구조를 가지며,
    상기 최외층은, 융점이 98℃ 이상인 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물로 이루어지고,
    상기 최외층 이외의 적어도 일층은, 불포화 카르본산 함유량이 17질량% 이상인 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체 및 상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 아이오노머 중 어느 일방을 적어도 함유하는 수지 조성물로 이루어지는, 적층 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물이, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 아이오노머를 함유하는 적층 필름.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 열가소성 수지의 비카트 연화 온도가 70℃ 이상인 적층 필름.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 열가소성 수지가, 폴리올레핀 및 폴리에스테르계 엘라스토머 중 어느 하나인 적층 필름.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 최외층의 두께(X)와, 상기 최외층 이외의 층의 두께(Y)의 비가, X/Y=5/95～45/55인 적층 필름.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물이, 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체를 함유하는 적층 필름.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 열가소성 수지의 MFR(190℃, 2160g 가중)이 15g/10분 이상인 적층 필름.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 MFR(190℃, 2160g 가중)이 15g/ 10분 이상인 적층 필름.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 최외층의 두께(X)와, 상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체를 포함하는 층의 두께의 합계(Y)의 비가, X/Y=5/95～60/40인 적층 필름.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물의 MFR-1(190℃, 2160g 가중)과, 상기 에틸렌·불포화 카르본산 공중합체의 MFR-2(190℃, 2160g 가중)의 비율(MFR-1/MFR-2)이, 0.2～5의 범위 내인, 적층 필름.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물은 폴리에틸렌을 포함하는, 적층 필름.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 최외층을 구성하는 열가소성 수지 조성물은 폴리프로필렌을 포함하는, 적층 필름.
  13. 제1항에 기재된 적층 필름과,
    상기 적층 필름의 상기 최외층의 반대 측에 위치하는 층의 표면 상에 배치된 점착층을 구비한 반도체 제조용 필름.
  14. 제13항에 있어서,
    백그라인드 필름인 반도체 제조용 필름.
  15. 제13항에 있어서,
    다이싱 필름인 반도체 제조용 필름.
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