TW202239850A - 晶圓切割膠帶及晶圓切割黏晶膜 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是提供在低溫下之半導體晶圓的製造步驟，抑制黏晶膜由黏著膠帶浮起，確保充分的切開寬幅，可剝離地被設置呈現良好的拾取性的晶圓切割膠帶及黏晶膜之晶圓切割黏晶膜。 解決手段之晶圓切割膠帶，是由含有乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物所構成的樹脂與聚醯胺樹脂之基材膜，及含具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵及羥基的丙烯酸系黏著性高分子、光聚合開始劑、以及與前述羥基進行架橋反應的聚異氰酸酯系架橋劑之黏著劑組成物構成的黏著劑層所構成的。

Description

晶圓切割膠帶及晶圓切割黏晶膜
本發明是關於可在半導體裝置的製造步驟使用的晶圓切割膠帶及晶圓切割黏晶膜。
從前，於半導體裝置之製造，為了藉由晶圓切割步驟將半導體晶圓切片化為半導體晶片，有使用晶圓切割膠帶，或該晶圓切割膠帶與黏晶膜一體化之晶圓切割黏晶膜的場合。晶圓切割膠帶，採用在基材膜上設置黏著劑層的形態，使用在黏著劑層上配置半導體晶圓，在半導體晶圓之晶圓切割時以單片化的半導體晶片不會飛散的方式予以固定保持的用途。其後，把半導體晶片由晶圓切割膠帶的黏著劑層剝離，透過另行準備的接著劑或接著膜而使固著於導線架或配線基板，或者其他的半導體晶片等被黏著體。
晶圓切割黏晶膜，是在晶圓切割膠帶的黏著劑層上可剝離地設置黏晶膜(以下亦稱為「接著膜」或「接著劑層」)者。於半導體裝置之製造，在晶圓切割黏晶膜的黏晶膜上貼附配置半導體晶圓，用於把半導體晶圓與黏晶膜一起進行晶圓切割而得到個別的附有接著膜的半導體晶片。其後，把半導體晶片與黏晶膜一起由晶圓切割膠帶的黏著劑層以附黏晶膜的半導體晶片的形式剝離(拾取)，透過黏晶膜而使半導體晶片固著於導線架或配線基板，或者其他的半導體晶片等被黏著體。
前述晶圓切割黏晶膜，由提高生產性的觀點來看適宜使用，但是作為使用晶圓切割黏晶膜而得附黏晶膜的半導體晶片的方法，近年來取代從前的藉由高速旋轉的切割刀片之全切切斷方法，改用抑制在把薄膜化的半導體晶圓單片化為晶片時的碎屑的方法，被提出了(1)DBG(Dicing Before Grinding)法、(2)隱形切割(註冊商標)法等。
在前述(1)之DBG法，首先使用切割刀片但不完全切斷半導體晶圓，而是在半導體晶圓的表面形成特定深度的分割溝，其後進行背面研削，藉由適當調整研削量，得到包含複數半導體晶片的半導體晶圓之分割體或者可以單片化為複數半導體晶片的半導體晶圓。其後，將該半導體晶圓之分割體或者該可單片化為半導體晶片的半導體晶圓貼附於晶圓切割黏晶膜，使晶圓切割膠帶在低溫下(例如-30℃以上0℃以下)延展(以下亦稱為「冷延展(cool expand)」)，沿著前述分割溝，把在低溫下脆性化的黏晶膜割斷為相當於各個半導體晶片的尺寸，或者與半導體晶圓一起割斷。最後，由晶圓切割膠帶的黏著劑層藉由拾取而剝離，可以得到各個附有黏晶膜的半導體晶片。
在前述(2)之隱形切割法，首先將半導體晶圓貼附於晶圓切割黏晶膜，對半導體晶圓內部照射雷射光選擇性形成改質區域(改質層)同時形成晶圓切割預定線。其後，將晶圓切割膠帶藉由冷延展，對半導體晶圓使龜裂由改質區域垂直地前進，沿著前述晶圓切割預定線，在低溫下與被脆性化的黏晶膜一起割斷為各個。最後，由晶圓切割膠帶的黏著劑層藉由拾取而剝離，可以得到各個附有黏晶膜的半導體晶片。 此外，於前述(1)之DBG法，替代藉由切割刀片在半導體晶圓表面形成分斷(割斷)溝而藉由隱形切割選擇性地在半導體晶圓內部設改質區域也可以得到可單片化的半導體晶圓。這是被稱為SDBG(Stealth Dicing Before Griding)的方法。
於前述拾取步驟，切斷附黏晶膜的半導體晶圓之後，使晶圓切割膠帶在常溫附近延展(以下亦稱為「常溫延展」)而擴展鄰接的各個附黏晶膜的半導體晶片間的間隔(以下亦稱為「腓寬(calf width)」)，使晶圓切割膠帶的外周部分(未被貼附半導體晶圓的部分)熱收縮在擴展各個半導體晶片間的間隔(腓寬)的狀態下進行固定，可以由晶圓切割膠帶的黏著劑層剝離被切斷的各個附黏晶膜的半導體晶片而拾取。
然而，近年來，伴隨著半導體晶圓的薄型化，半導體晶片的多段層積步驟之導線接合時變得容易發生晶片破裂，作為該課題的對策，提出了兼具間隔件機能的導線埋入型黏晶膜。導線埋入型黏晶膜，在導線接合時有必要無間隙地埋入導線，與前述從前之泛用的黏晶膜相比，有厚度厚，流動性高(在高溫下的熔融黏度低)的傾向，所以將這樣的導線埋入型黏晶膜層積於從前的晶圓切割膠帶供應半導體晶片的製造時，會有以下的問題。
亦即，於前述之冷延展步驟，對於密接於晶圓切割膠帶的黏晶膜或者附黏晶膜半導體晶圓，由被冷延展的晶圓切割膠帶作用割斷力(外部應力)時，在低溫下之拉伸應力不能說是充分大的從前的晶圓切割膠帶，該拉伸應力，作為可以充分割斷前述導線埋入型的附黏晶膜的半導體晶圓之外部應力難以說是邊際充分地大，亦有導線埋入型的附黏晶膜的半導體晶圓的預訂割斷處所的一部分未割斷的場合。此外，半導體晶片間的間隔(腓寬(calf width))沒有充分擴展，會發生被割斷的厚度厚的黏晶膜彼此的再附著或是半導體晶片彼此的衝突，於拾取步驟有誘發拾取失誤的場合。
進而，經過延展步驟之晶圓切割膠帶的黏著劑層上的附黏晶膜的半導體晶片，其黏晶膜的邊緣部分有由晶圓切割膠帶的黏著劑層部分剝離的場合。預先被形成於半導體晶片表面的配線電路越是多層化，該配線電路與半導體晶片的材料之熱膨脹率差會成為一原因使半導體晶片變得容易翹曲，所以容易助長前述的部分剝離。此部分剝離(以下亦稱為「浮起」)的發生，其程度大的話，在之後的洗淨步驟等，會有成為附黏晶膜的半導體晶片由晶圓切割膠帶意外脫落的原因之虞，於之後的拾取步驟，由於半導體晶片的位置偏移或下列現象等而有成為拾取失誤的原因之疑慮。特別是晶圓切割膠帶的黏著劑層由活性能量射線(例如紫外線)硬化性的黏著劑組成物所構成的場合，由晶圓切割膠帶拾取附黏晶膜的半導體晶片之前，為了使黏著劑層的黏著力降低，照射紫外線使黏著劑層硬化，但附黏晶膜的半導體晶片的邊緣部分由晶圓切割膠帶的黏著劑層大量剝離的話，藉由在剝離的部分黏著劑層藉由接觸於空氣中的氧氣，即使照射紫外線也有黏著劑層不充分硬化的場合。這樣的場合，黏著層的黏著力不會充分降低，所以在拾取步驟，為了以頂起部面積大的頂起治具由晶圓切割膠帶的下面側頂起，拾取位於該治具上的半導體晶片而由半導體晶片上部使吸附筒夾接觸時，附黏晶膜的半導體晶片的邊緣部，會再固著於硬化不充分的黏著劑層，使附黏晶膜的半導體晶片無法由晶圓切割膠帶的黏著劑層拾取的現象容易發生。
亦即，對黏晶膜，極力進行割斷性與流動性的平衡控制以及檢討信賴性的提高，另一方面對於晶圓切割膠帶，不僅是從前的黏晶膜即使是使用導線埋入型黏晶膜那樣厚度厚，流動性高的黏晶膜，藉由延展黏晶膜也可以與半導體晶圓一同良好地割斷，不容易發生由黏晶膜的黏著劑層的部分剝離，最終可達成良好的拾取性的性能受到熱切期望。
作為抑制前述延展時的割斷的不良情況或延展後的部分剝離的發生之先前技術，在專利文獻1，揭示了以延展步驟針對晶圓切割膠帶上的黏晶膜使良好地割斷同時抑制由晶圓切割膠帶浮起或剝離為目的，具有含基材與黏著劑層的層積構造，於特定條件的拉伸試驗，在5~30%的範圍之至少一部分的形變值可以呈現15~32MPa的範圍內的拉伸應力之晶圓切割膠帶。
另一方面，於晶圓切割膠帶的處理，晶圓切割膠帶會在加熱條件下被貼附於黏晶膜，此外，晶圓切割黏晶膜會在加熱條件下被貼附於半導體晶圓，進而因為作為晶圓切割黏晶膜進行預切加工時，為了不切掉多餘的晶圓切割膠帶而良好地剝離除去會有局部的加熱處理的緣故等，對晶圓切割膠帶也要求一定程度的耐熱性。晶圓切割膠帶的耐熱性低的話，會有固定於作業台(模具)上而難以剝下的場合。此外，由於熱而在晶圓切割膠帶產生形變或者翹曲等變形的話，薄膜化的半導體晶圓也有變形的可能性。因此，對晶圓切割膠帶，除了要求前述之附黏晶膜的半導體晶圓的良好的割斷性，直到拾取步驟為止之與黏晶膜的良好密接性，良好的拾取性同時也還要求耐熱性。
作為使前述的耐熱性提高的先前技術，在專利文獻2，揭示著以提供耐熱性優異，而且分割(割斷)性與擴張性取得平衡的晶圓切割膜基材為目的，至少含一層含有:由乙烯-不飽和羧酸系共聚物以及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物(ionomer)構成的群所選擇的至少一種樹脂(A)30質量部以上95質量部以下，聚醯胺及聚氨基甲酸酯構成的群所選擇的至少一種樹脂(B)5質量部以上而未滿40質量部，前述聚醯胺以外的防帶電劑(C)0質量部以上30質量部以下(其中樹脂(A)，樹脂(B)及防帶電劑(C)之合計為100質量部)的樹脂組成物構成的層之晶圓切割膜基材。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2019-16787號公報 [專利文獻2]日本特開2017-98369號公報
[發明所欲解決之課題]
關於專利文獻1之晶圓切割膠帶，於實施例在層積可呈現特定的拉伸應力特性的晶圓切割膠帶與以丙烯酸樹脂為主體的厚度10μm的黏晶膜之晶圓切割黏晶膜上貼合半導體晶圓分割體，藉由冷延展，呈現黏晶膜被良好的分斷(割斷)，但是仍然在割斷後的黏晶膜，會有從晶圓切割膠帶的黏著劑層產生浮起的面積達20%程度的場合，仍然有改善的餘地。此外，針對厚度厚，流動性高的導線埋入型黏晶膜之割斷性、半導體晶片的拾取性或晶圓切割膠帶的耐熱性則沒有提及，這些方面仍然不明。至少作為在實施例顯示的晶圓切割膠帶之聚氯乙烯基材，其耐熱性不能說是充分。
此外，關於專利文獻2的晶圓切割膜基材，於實施例，記載著至少包含一層由特定的樹脂組成物構成的層的晶圓切割膜基材，具有優異的耐熱性，半導體晶圓的分斷(割斷)性與擴張性之平衡優異，接著，藉著作為晶圓切割膜使用，可圓滑地實施半導體製造時之晶圓切割步驟及接著的擴張步驟，可以達成膠帶殘留或未變形的半導體之製造，但完全未認識到包含導線埋入型的黏晶膜或冷延展所致之割斷性，或者由黏晶膜之晶圓切割膠帶的黏著劑層發生部分剝離(浮起)之課題，此外，還包括半導體晶片的拾取性，這些點都是不明的。
如此，先前技術的晶圓切割膠帶，在與如導線埋入型黏晶膜那樣流動性高，厚度厚的黏晶膜貼合而作為晶圓切割黏晶膜供半導體晶片的製造步驟的場合，冷延展時之附黏晶膜的半導體晶圓的割斷性、從延展後的黏晶膜的黏著劑層部分剝離(浮起)之抑制，半導體晶片的拾取性以及耐熱性等多個觀點來看，難以說是充分滿足，仍有改善的餘地。
本發明是有鑑於前述問題/狀況而完成之發明，目的在於提供作為半導體製造步驟用之晶圓切割膠帶，是在貼合如導線埋入型黏晶膜那樣流動性高，厚度厚的黏晶膜而適用的場合，也可以達成(1)耐熱性優異，(2)藉由冷延展使附黏晶膜的半導體晶圓良好地被割斷，同時藉由常溫延展可以充分確保腓寬(calf width)，(3)於割斷後的黏晶膜，充分抑制由晶圓切割膠帶的黏著劑層部分剝離(浮起)，使被割斷的各個附黏晶膜的半導體晶片可以良好地拾取之晶圓切割膠帶。 [供解決課題之手段]
本案發明人，為了相關的目的，以及為解決前述課題而銳意檢討的結果，發現藉由(1)作為晶圓切割膠帶的基材膜，使用以特定的質量比率包含乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物所構成的樹脂(A)以及聚醯胺樹脂(B)之樹脂所構成的，具有特定的拉伸應力物性值的樹脂膜，(2)作為黏著劑組成物，藉由使用含有以具有特定範圍的羥基價的丙烯酸系黏著性高分子為主成分，殘存羥基濃度與活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度為特定範圍之活性能量射線硬化性黏著劑組成物，可以解決前述課題，從而完成本發明。
亦即，相關於本發明之第1側面之晶圓切割膠帶， 具備:基材膜，及在該基材膜上，含有活性能量射線硬化性黏著劑組成物的黏著劑層； (1)前述基材膜，包含由乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物所構成的樹脂(A)，以及聚醯胺樹脂(B)， 由該基材膜全體之前述樹脂(A)與前述樹脂(B)之質量比率(A):(B)在72:28~95:5的範圍之樹脂組成物所構成， -15℃之5%伸長時的應力，在使基材膜在MD方向(基材膜製膜時之流動方向)以及TD方向(對MD方向垂直的方向)之任一方向伸長的場合，都在15.5MPa以上28.5MPa以下的範圍， (2)前述活性能量射線硬化性黏著劑組成物，包含:具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵及羥基的丙烯酸系黏著性高分子、光聚合開始劑、以及與前述羥基進行架橋反應的聚異氰酸酯系架橋劑，前述丙烯酸系黏著性高分子，主鏈的玻璃轉移溫度(Tg)在-65℃以上-50℃以下之範圍，羥基價為12.0mgKOH/g以上55.0mgKOH/g以下之範圍， 前述活性能量射線硬化性黏著劑組成物， 前述聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與前述丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)在0.02以上0.20以下之範圍， 架橋反應後的殘存羥基濃度，為每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物含0.18mmol以上0.90mmol以下之範圍， 活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度，為每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物含0.85mmol以上1.60mmol以下之範圍。
於某一形態，前述活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度，為每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物含1.02mmol以上1.51mmol以下之範圍。
於某一形態，前述丙烯酸系黏著性高分子具有在20萬以上60萬以下之範圍的重量平均分子量Mw。
於某一形態，前述丙烯酸系黏著性高分子的酸價在0mgKOH/g以上9.0mgKOH/g以下之範圍。
此外，根據本發明的第2側面的話，前述構成之晶圓切割膠帶，可以提供在前述晶圓切割膠帶的前述黏著劑層上設黏晶膜之晶圓切割黏晶膜。
於某一形態，前述晶圓切割黏晶膜，對前述黏晶膜之前述晶圓切割膠帶的黏著劑層的23℃之紫外線照射後的低角度黏著力(剝離角度30˚，剝離速度600mm/分鐘)為0.95N/25mm以下，對前述黏晶膜之前述晶圓切割膠帶的黏著劑層的-30℃之紫外線照射前的剪斷接著力(拉伸速度1,000mm/分鐘)為100.0N/100mm 2以上。
於某一形態，前述晶圓切割黏晶膜，是前述黏晶膜的樹脂成分包含:含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物、環氧樹脂及酚醛樹脂。
於某一形態，前述晶圓切割黏晶膜，是前述黏晶膜為導線埋入型黏晶膜。
於某一形態，前述晶圓切割黏晶膜，是前述黏晶膜，以樹脂成分之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，(a)以前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物在17質量部以上50質量部以下的範圍、前述環氧樹脂在30質量部以上50質量部以下之範圍、前述酚醛樹脂在20質量部以上53質量部以下之範圍，而樹脂成分總量為100質量部的方式調整含量；(b)相對於前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量100質量部，含有硬化促進劑0.01質量部以上0.07質量部以下之範圍，(c)相對於前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量100質量部，含有無機填充物10質量部以上80質量部以下之範圍。 [發明之效果]
根據本發明，可以提供作為半導體製造步驟用之晶圓切割膠帶，是在貼合如導線埋入型黏晶膜那樣流動性高，厚度厚的黏晶膜而適用的場合，也可以達成(1)耐熱性優異，(2)藉由冷延展使附黏晶膜的半導體晶圓良好地被割斷，同時藉由常溫延展可以充分確保腓寬(calf width)，(3)於割斷後的黏晶膜，充分抑制由晶圓切割膠帶的黏著劑層部分剝離(浮起)，(4)使被割斷的各個附黏晶膜的半導體晶片可以良好地拾取之晶圓切割膠帶。
以下，因應需要參照圖式詳細說明本發明之適宜的實施形態。但，本發明並不限定於以下實施形態。
(晶圓切割膠帶及晶圓切割黏晶膜之構成) 圖1之(a)~(d)係顯示本實施形態適用的晶圓切割膠帶的基材膜1的構成之一例之剖面圖。本實施形態之晶圓切割膠帶的基材膜1可為單一的樹脂組成物的單層(參照圖1之(a)1-A)，亦可為同一樹脂組成物之複數層構成的層積體(參照圖1之(b)1-B)，亦可為不同的樹脂組成物之複數層構成的層積體(參照圖1之(c)1-C、(d)1-D)。由複數層構成的層積體的場合，層數並無特別限定，以2層以上5層以下的範圍為佳。
圖2係顯示本實施形態適用的晶圓切割膠帶的構成之一例之剖面圖。如圖2所示，晶圓切割膠帶10，具有在基材膜1的第1面上具備黏著劑層2之構成。又，雖未圖示，在晶圓切割膠帶10的黏著劑層2的表面(對向於基材膜1的面的相反側之面)，具備具有脫模性的基材片(剝離襯墊)亦可。基材膜1，由含有乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)以及聚醯胺樹脂(B)之樹脂組成物所構成。作為形成黏著劑層2的黏著劑，例如使用藉由照射紫外線(UV)等活性能量射線而硬化/收縮使對被黏著體的黏著力下降的活性能量射線硬化性之丙烯酸系黏著劑等。
相關的構成之晶圓切割膠帶10，於半導體製造步驟，例如以如下方式被使用。於晶圓切割膠帶10之黏著劑層2上，貼附藉由刀片在表面形成分割溝的半導體晶圓，或者藉由雷射在內部形成改質層的半導體晶圓而保持(暫固定)，藉由冷延展使半導體晶圓割斷為各個半導體晶片後，藉由常溫延展充分擴張半導體晶片間的腓寬(calf width)，藉由拾取步驟，將各個半導體晶片由晶圓切割膠帶10的黏著劑層2剝離。把所得到的半導體晶片，透過另行準備的接著劑或接著膜而使固著於導線架或配線基板，或者其他的半導體晶片等被黏著體。
圖3係顯示將本實施形態適用的晶圓切割膠帶10與黏晶膜(接著膜)3貼合而一體化的構成，所謂晶圓切割黏晶膜之一例之剖面圖。如圖3所示，晶圓切割黏晶膜20，具有在晶圓切割膠帶10的黏著劑層2上可剝離地被密接層積黏晶膜(接著膜)3的構成。
相關構成之晶圓切割黏晶膜20，於半導體製造步驟，例如以如下方式被使用。在晶圓切割黏晶膜20的黏晶膜3上，貼附藉由刀片在表面形成分割溝的半導體晶圓，以及藉由雷射在內部形成改質層的半導體晶圓而保持(接著)，藉由冷延展使半導體晶圓與黏晶膜3一起割斷，得到各個附黏晶膜3的半導體晶片。或者是，在晶圓切割黏晶膜20的黏晶膜3上，貼附保持(接著)半導體晶圓，在該狀態下藉由雷射在半導體晶圓的內部形成改質層之後，藉由冷延展把半導體晶圓與黏晶膜3一起割斷，得到各個附黏晶膜3的半導體晶片。接著，藉由常溫延展充分擴張附黏晶膜3的半導體晶片之間的腓寬(calf width)後，藉由拾取步驟，將各個附黏晶膜3的半導體晶片由晶圓切割膠帶10的黏著劑層2剝離。把所得到的附黏晶膜(接著膜)3的半導體晶片，透過黏晶膜(接著膜)3而固著於導線架或配線基板，或者其他的半導體晶片等被黏著體。又，雖未圖示，在晶圓切割膠帶10的黏著劑層2的表面(對向於基材膜1的面的相反側之面)以及黏晶膜3的表面(對向於黏著劑層2的面的相反側之面)，具備分別具有脫模性的基材片(剝離襯墊)亦可。
＜晶圓切割膠帶＞ (基材膜) 針對本發明的晶圓切割膠帶10之第一構成要件之基材膜1說明如下。前述基材膜1，是由含有乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物(以下亦簡稱「離子聚合物」)構成的樹脂(A)以及聚醯胺樹脂(B)的樹脂組成物所構成之樹脂膜。
前述基材膜1全體之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之合計量，只要是前述基材膜1的-15℃之5%伸長時的應力在前述範圍內即可，沒有特別限制，但是對於構成基材膜1全體的樹脂組成物全量，以佔75質量%以上為佳。更佳為80質量%以上，特佳為90質量%以上。
使用如此構成的基材膜1之晶圓切割膠帶10，在該黏著劑層2上被密接黏晶膜3的狀態，在半導體裝置的製造步驟之冷延展步驟進而在常溫延展步驟使用為適宜。亦即，要藉由冷延展步驟，把附黏晶膜3的被加工為可單片化的半導體晶圓，沿著晶圓切割預訂線良好地割斷，而生產率良好地得到特定尺寸的各個附黏晶膜3的半導體晶片是適宜的。進而，於常溫延展步驟，也充分確保半導體晶片間的腓寬而且維持必要的擴張性。
[由乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)] 於本實施形態之基材膜1，由乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)，乙烯-不飽和羧酸系共聚物之羧基的一部分或全部以金屬(離子)中和者。又，於以下的說明「由乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂」，亦記載為「離子聚合物構成的樹脂」，或者簡稱「離子聚合物」。
構成前述離子聚合物的乙烯-不飽和羧酸系共聚物，是乙烯與不飽和羧酸共聚合之至少二元的共聚物，亦可為進而共聚合第3共聚合成分的三元以上的多元共聚物。又，乙烯-不飽和羧酸系共聚物，可單獨使用一種，亦可倂用二種以上的乙烯-不飽和羧酸系共聚物。
構成前述乙烯-不飽和羧酸二元共聚物的不飽和羧酸，例如可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、亞甲基丁二酸、無水亞甲基丁二酸、富馬酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐等碳數4~8之不飽和羧酸等。特別以丙烯酸或甲基丙烯酸為佳。
前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物為三元以上的多元共聚物的場合，除了構成前述二元共聚物的乙烯與不飽和羧酸以外，包含形成多元共聚物的第3共聚合成分亦可。作為第3共聚合成分，可以舉出不飽和羧酸酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯等烷基部位的碳數1~12的(甲基)丙烯酸烷基酯)、不飽和碳化氫(例如，丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯基酯(例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、硫酸乙烯酯或硝酸乙烯酯等氧化物，鹵素化合物(例如，氯乙烯、氟乙烯等)、含乙烯基的1,2級胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等，作為這些共聚合成分，以不飽和羧酸酯為佳。
前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的形態，可為塊狀共聚物、隨機共聚物、接枝共聚物之任一種，亦可為二元共聚物、三元共聚物之任一種。其中，由工業上可以取得的觀點，以二元隨機共聚物、三元隨機共聚物、二元隨機共聚物之接枝共聚物為佳，更佳為二元隨機共聚物或三元隨機共聚物。
作為前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的具體例，可以舉出乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物等二元共聚物、乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸2-甲基-丙酯共聚物等三元共聚物。此外，作為乙烯-不飽和羧酸系共聚物使用市面上的市售品亦可，例如三井杜邦化學公司製造的NUCREL(註冊商標)等。
前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物中之不飽和羧酸酯的共聚合比(質量比)，在1質量%以上20質量%以下的範圍為佳，由延展步驟之擴張性及耐熱性(黏連，熔接)的觀點來看，5質量%以上15質量%以下的範圍為更佳。
於本實施形態之基材膜1，作為樹脂(A)使用的離子聚合物，以包含於前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的羧基藉由金屬離子以任意比例架橋(中和)者為佳。酸基的中和所使用的金屬離子，可以舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、銣離子、銫離子、鋅離子、鎂離子、錳離子等金屬離子。這些金屬離子中，由工業化製品的容易取得性來看以鎂離子、鈉離子及鋅離子為佳，鈉離子及鋅離子為更佳。
前述離子聚合物之乙烯-不飽和羧酸系共聚物的中和度以在10莫耳%以上85莫耳%以下的範圍較佳，在15莫耳%以上82莫耳%以下的範圍更佳。藉著使前述中和度為10莫耳%以上，附黏晶膜半導體晶圓的割斷性可以更為提高，藉著在85莫耳%以下，可以使膜的製膜性更為良好。又，中和度，是相對於乙烯-不飽和羧酸系共聚物具有的酸基，特別是羧基的莫耳數之金屬離子的配合比率(莫耳%)。
由前述離子聚合物構成的樹脂(A)，具有約85~100℃程度的融點，但該離子聚合物構成的樹脂(A)的熔流速率(MFR)以0.2g/10分鐘以上20.0g/10分鐘以下的範圍為佳，0.5g/10分鐘以上20.0g/10分鐘以下的範圍更佳，0.5g/10分鐘以上18.0g/10分鐘以下的範圍進而更佳。熔流速率在前述範圍內的話，作為基材膜1之製膜性變得良好。又，MFR，是藉由依據JIS K7210-1999的方法，在190℃，荷重2160g下測定之值。
構成本實施形態之基材膜1的樹脂組成物，由除了前述之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)以外，進而包含聚醯胺樹脂(B)。藉著藉由以使前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)的質量比率(A):(B)成為72:28~95:5的範圍的方式混合之樹脂組成物構成基材膜1，不僅可以使該基材膜1的耐熱性提高，同時在低溫下(例如-15℃)伸張時的拉伸應力也可以增大，藉由使該拉伸應力在適宜的範圍，對使用該基材膜1的晶圓切割膠帶10，於冷延展步驟，可以賦予使導線埋入型的附黏晶膜3的半導體晶圓能生產率佳地單片化之良好的割斷力，進而，於常溫延展步驟，可以維持可得充分確保半導體晶片間的腓寬的良好的擴張性。前述質量比率(A):(B)，較佳為在74:26~92:8之範圍，更佳為80:20~90:10之範圍。本說明書的數值範圍的上限及下限，可以任意選擇該數值而組合。
[聚醯胺樹脂(B)] 作為前述聚醯胺樹脂(B)，例如可以舉出草酸、己二酸、癸二酸、十二烷酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、1,4-環己烷二甲酸等羧酸、乙二胺、四亞甲基二胺、五亞甲基二胺、六亞甲基二胺、十亞甲基二胺、1,4-環己基二胺、與間苯二甲胺等之與二胺的縮聚物、ε-己內醯胺、ω-月桂內醯胺等環狀隨機開環聚合物、6-氨基己酸、9-氨基壬酸、11-氨基十一烷酸、12-氨基十二烷酸等氨基羧酸的縮聚物，或上述環狀內醯胺與二羧酸與二胺的共聚物等。
前述聚醯胺樹脂(B)可以使用市售品。具體而言可以舉出尼龍4(融點268℃)、尼龍6(融點225℃)、尼龍46(融點240℃)、尼龍66(融點265℃)、尼龍610(融點222℃)、尼龍612(融點215℃)、尼龍6T(融點260℃)、尼龍11(融點185℃)、尼龍12(融點175℃)、共聚物尼龍(例如，尼龍6/66、尼龍6/12、尼龍6/610、尼龍66/12、尼龍6/66/610等)、尼龍MXD6(融點237℃)、尼龍46等。這些聚醯胺中，從作為基材膜1的製膜性及機械特性的觀點來看，以尼龍6或尼龍6/12為佳。
前述聚醯胺樹脂(B)的含量，為基材膜1全體之前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與前述聚醯胺樹脂(B)之質量比率(A):(B)成為72:28~95:5的範圍之量。前述聚醯胺樹脂(B)的質量比率未滿前述範圍的場合，會有基材膜1的耐熱性提高的效果及低溫下之拉伸應力增大的效果變得不充分之虞。另一方面，前述聚醯胺樹脂(B)的質量比率超過前述範圍的場合，會有藉由基材膜1的樹脂組成物來進行穩定製膜變得困難之虞。此外，還有損及基材膜1的柔軟性，常溫延展步驟之擴張性無法維持之虞，或在拾取附黏晶膜3的半導體晶片時，會有半導體晶片的破裂等導致發生拾取不良之虞。前述聚醯胺樹脂(B)的含量，為基材膜1全體之前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與前述聚醯胺樹脂(B)之質量比率(A):(B)成為74:26~92:8的範圍之量為更佳。
又，基材膜1是由複數層構成的層積體的場合，前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與前述聚醯胺樹脂(B)之質量比率，意味著從各層之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之質量比率，以及基材膜1(層積體)全體之各層的質量比率來計算的基材膜1(層積體)全體之值。
基材膜1全體之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之質量比率在前述範圍內的話，可以使基材膜1的耐熱性提高到120~140℃程度，同時對該基材膜1，在加工為晶圓切割膠帶10之形狀供應至半導體裝置的製造步驟時之冷延展步驟，使被加工為可單片化的半導體晶圓及被貼附於該半導體晶圓的黏晶膜3雙方，呈現適於生產率佳地沿著晶圓切割預定線割斷的拉伸應力。進而，即使於常溫延展步驟，也可以呈現可充分確保割斷的半導體晶片間的腓寬之擴張性。
[其他] 構成前述基材膜1的樹脂組成物，在不損及本發明的效果的範圍，亦可因應需要而添加其他樹脂或各種添加劑。作為前述其他樹脂，例如可以舉出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴、乙烯-不飽和羧酸系共聚物或聚醚酯醯胺。這樣的其他樹脂，對前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與前述聚醯胺樹脂(B)之合計100質量部，例如可以20質量部以下的比例來配合。此外，作為前述添加劑，例如可以舉出帶電防止劑、防氧化劑、熱安定劑、光安定劑、紫外線吸收劑、顏料、染料、潤滑劑、防黏連劑、防黴劑、抗菌劑、難燃劑、難燃輔助劑、架橋劑、架橋輔助劑、發泡劑、發泡輔助劑、無機充填劑、纖維強化材等。這樣的各種添加劑，對前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與前述聚醯胺樹脂(B)之合計100質量部，例如可以5質量部以下的比例來配合。
[基材膜之拉伸應力] 前述基材膜1，在-15℃之5%伸長時的拉伸應力，於使基材膜1在MD方向(基材膜製膜時之流動方向)及TD方向(對MD方向垂直的方向)之任一方向上伸張的場合，都在15.5MPa以上28.5MPa以下之範圍。使基材膜1在-15℃之5%伸長時的拉伸應力在前述範圍內的話，可以使基材膜1加工為晶圓切割膠帶10的形狀供給半導體裝置的製造步驟時之冷延展步驟，藉由晶圓切割膠帶10之往全方向的伸張所產生的內部應力，成為可以使被加工為可單片化的半導體晶圓及被貼附於該半導體晶圓的黏晶膜3，沿著晶圓切割預定線容易地割斷之充分大的外部應力。進而，即使於常溫延展步驟，也可充分確保割斷的半導體晶片間的腓寬。此外進而可以使紫外線(UV)照射後的晶圓切割膠帶10的對黏晶膜3的低角度黏著力適當降低。結果，於晶圓切割步驟，可以提高附黏晶膜3的半導體晶片之割斷生產率。進而，於拾取步驟可以抑制拾取失誤的誘發。前述拉伸應力，較佳為16.0MPa以上27.4MPa以下的範圍，更佳為17.3MPa以上24.8MPa以下的範圍。
[基材膜的厚度] 前述基材膜1的厚度沒有特別限定，考慮到作為晶圓切割膠帶10使用的話，例如在70μm以上120μm以下之範圍為佳。更佳為80μm以上100μm以下的範圍。基材膜1的厚度未滿70μm的話，把晶圓切割膠帶10供應晶圓切割步驟時，有環框(晶圓環)的保持成為不充分之虞。此外，基材膜1的厚度超過120μm的話，有基材膜1在製造膜時的殘留應力的開放導致翹曲變大之虞。
[基材膜的構成] 前述基材膜1的構成沒有特別限定，可為單一的樹脂組成物的單層，亦可為同一樹脂組成物之複數層構成的層積體，亦可為不同的樹脂組成物之複數層構成的層積體。由複數層構成的層積體的場合，層數並無特別限定，以2層以上5層以下的範圍為佳。 使前述基材膜1為複數層構成的層積體的場合，例如，可以是使用本實施形態的樹脂組成物製膜的層被層積複數之構成，亦可於使用本實施形態的樹脂組成物製膜的層上，使用本實施形態的樹脂組成物以外的其他樹脂組成物製膜的層被層積之構成。但是，層積體全體之前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與前述聚醯胺樹脂(B)之質量比率(A):(B)，有必要調整成為72:28~95:5的範圍。
使用前述其他樹脂組成物製膜之層，例如可以舉出使用由直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯-α烯烴共聚物、聚丙烯、乙烯-不飽和羧酸共聚物、乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸烷基酯三元共聚物、乙烯-不飽和羧酸烷基酯共聚物、乙烯-乙烯基酯共聚物、乙烯-不飽和羧酸烷基酯-一氧化碳共聚物、或這些之不飽和羧酸接枝物所選擇的單體或者任意之複數所構成的共混物、前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物離子聚合物(A)等之樹脂組成物製膜之層。這些之中，從與本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物構成的樹脂層之密接性及泛用性的觀點來看，以乙烯-不飽和羧酸共聚物、乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸烷基酯三元共聚物、乙烯-不飽和羧酸烷基酯共聚物及這些共聚物之離子聚合物為佳。
作為本實施形態之基材膜1由層積構成所構成的場合之例，具體而言，可以舉出以下的2層構成或3層構成等之基材膜。 作為2層構成，例如可以舉出 (1)[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)] (2)[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-2)] (3)[乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)所構成的樹脂層：(A-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)] (4)[乙烯-不飽和羧酸系共聚物所構成的樹脂層：(C-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)] 等之同一樹脂層或者不同種樹脂層構成的2層(第1層/第2層)構成。 作為3層構成，例如可以舉出 (5)[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)] (6)[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-2)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)] (7)[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)]/[乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)所構成的樹脂層：(A-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)] (8)[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)]/[乙烯-不飽和羧酸系共聚物所構成的樹脂層：(C-1)]/[本實施形態之乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之混合物所構成的樹脂層：(AB-1)] 等之同一樹脂層或者不同種樹脂層構成的3層(第1層/第2層/第3層)構成。
[基材膜之製膜方法] 本實施形態的基材膜1之製膜方法，可以採用從前慣用的方法。把離子聚合物樹脂(A)及聚醯胺樹脂(B)，因應需要加入其他成分熔融混練之樹脂組成物，例如藉由T字模鑄造成形法、T字模輥隙成形法、膨脹成形法、壓出層疊法、輪壓成形法等各種成形方法，加工為膜狀即可。此外，基材膜1是由複數層構成的層積體的場合，可以使各層藉由輪壓成形法、壓出法、膨脹成形法等手段分別製膜，藉由將這些熱層疊或者適當根據接著劑接著等的手段進行層積製造層積體。前述接著劑，例如可以舉出由前述各種乙烯共聚物，或者這些的不飽和羧酸接枝(graft)物所選擇的單體或者任意之複數所構成的混合物等。此外，將各層之樹脂組成物藉由共壓出層疊法同時壓出製造層積體亦可。又，與基材膜1之黏著劑層2接觸之側的面，從提高與後述的黏著劑層2之密接性的目的來看，施以電暈處理或電漿處理等亦可。此外，基材膜1之與黏著劑層2相接側之面的相反側之面，以基材膜1在製膜時的卷曲安定化或製膜後的防止阻塞之目的，亦可施以根據皺褶輥的壓花處理等。
(黏著劑層) 針對本發明的晶圓切割膠帶10之第二構成要件之含有活性能量射線硬化性黏著劑組成物的黏著劑層2，說明如下。
[丙烯酸系黏著性聚合物] 於活性能量射線硬化性黏著劑組成物作為主成分包含的丙烯酸系黏著性聚合物，為具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵以及羥基之丙烯酸系黏著性聚合物。該丙烯酸系黏著性聚合物，於活性能量射線硬化性黏著劑組成物的全部質量中佔有90質量%以上為佳，佔有95質量%以上為更佳。
具有前述活性能量射線反應性碳-碳雙鍵以及羥基之丙烯酸系黏著性聚合物，詳細稍後敘述，但通常，作為基礎高分子將(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含有羥基的單體共聚合得到共聚物(具有羥基的丙烯酸系黏著性聚合物)，藉由使對該共聚物具有的羥基可以進行附加反應之具有異氰酸酯基及碳-碳雙鍵的化合物(活性能量射線反應性化合物)進行附加反應的方法來得到。
具有前述羥基的丙烯酸系黏著性高分子的主鏈(主骨架)，如前所述，作為共聚物成分，至少由(甲基)丙烯酸烷基酯單體與含有羥基的單體之共聚物所構成。接著，具有前述羥基的丙烯酸系黏著性高分子(共聚物)，以使主鏈的玻璃轉移溫度(Tg)成為-65℃以上-50℃以下的範圍的方式調整共聚物組成。在此，玻璃轉移溫度(Tg)，是根據構成丙烯酸系黏著性高分子的單體(monomer)成分之組成，藉由下列一般式(1)所示的Fox式算出之理論值。 1/Tg=W 1/Tg 1+W 2/Tg 2+･･･+W n/Tg n一般式(1) [前述一般式(1)中、Tg為丙烯酸系黏著性高分子的玻璃轉移溫度(單位：K)，Tg i(i=1、2、･･･n)為單體i形成同聚物時的玻璃轉移溫度(單位：K)、W i(i=1、2、･･･n)為單體i之全單體成分中的質量分率] 同聚物的玻璃轉移溫度(Tg)，例如可以在「Polymer Handbook」(J.Brandrup及E.H.Immergut編、Interscience Publishers)等查出。
前述具有羥基的丙烯酸系黏著性高分子(共聚物)的主鏈的玻璃轉移溫度(Tg)未滿-65℃的場合，包含該些共聚物的黏著劑層2變得過度柔軟，於紫外線照射後的拾取步驟，有附黏晶膜的半導體晶片變得難以從黏著劑層2剝離之虞，或者在黏晶膜表面產生黏著劑殘留(污染)之虞。結果，使半導體晶片的良品生產率降低。另一方面，前述玻璃轉移溫度(Tg)超過-50℃的場合，包含這些的黏著劑層2的韌性降低，所以對黏晶膜3的濕潤性/追隨性變差，對黏晶膜3之初期密接性有變壞之虞，或者在低溫下無法充分緩和半導體晶圓或黏晶膜3被割斷時的衝擊力而有在黏著劑層2與黏晶膜3的界面變得容易傳搬之虞。結果，於冷延展步驟，變得容易產生由黏晶膜3的黏著劑層2浮起，半導體晶片的良品生產率降低。前述玻璃轉移溫度(Tg)，較佳為-63℃以上-51℃以下的範圍，更佳為-61℃以上-54℃以下的範圍。
前述(甲基)丙烯酸烷基酯單體，例如可以舉出碳數6~18的(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、或者具有碳數5以下的單體之(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯，(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯等。這些之中，以使用丙烯酸-2-乙基己酯為佳，對於構成前述具有羥基的丙烯酸系黏著性高分子(共聚物)之主鏈的單體成分全量，以含有40質量%以上85質量%以下之範圍為佳。
此外，作為含羥基單體，例如可以舉出(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等。共聚合前述含羥基單體的目的，第一為作為對前述丙烯酸系黏著性高分子，使後述的活性能量射線反應性碳-碳雙鍵藉由附加反應導入之用的附加反應點(-OH)，第二為作為使與後述的聚異氰酸酯系架橋劑之異氰酸酯基(-NCO)反應而使前述丙烯酸系黏著性高分子高分子量化之用的架橋反應點，第三為為了使架橋反應後的黏著劑層2與黏晶膜3之初期密接性提高之用的活性點(極性點)，使活性能量射線反應性碳-碳雙鍵利用丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基藉由附加反應而導入的場合，作為一個基準，前述羥基單體的含量，對共聚物單體成分的全量，以在15質量%以上31質量%以下之範圍現行調整為佳。亦即，使前述共聚物之羥基單體的含量先調整在前述範圍內，會使相關於本發明的黏著劑組成物的構成要件之丙烯酸系黏著性高分子的羥基價、後述聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)以及架橋反應後的殘存羥基濃度、以及活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度控制在前述之特定範圍變得容易，所以適宜。
具有前述活性能量射線反應性碳-碳雙鍵以及羥基之丙烯酸系黏著性聚合物，是使前述具有羥基的丙烯酸系黏著性高分子共聚合之後，藉由使對該共聚物於側鏈具有的羥基可以進行附加反應之具有異氰酸酯基及碳-碳雙鍵的化合物(活性能量射線反應性化合物)進行附加反應的方法來得到，但是從追蹤其反應的容易程度(控制的安定性)或技術的難易度的觀點來看，是最合適的。這樣的具有異氰酸酯基及碳-碳雙鍵的化合物(活性能量射線反應性化合物)，例如可以舉出具有(甲基)丙烯醯氧基的異氰酸酯化合物。具體而言，可以舉出2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、4-甲基丙烯醯氧基-正丁基異氰酸酯、2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。
於前述附加反應，以碳-碳雙鍵的活性能量射線反應性被維持的方式使用聚合禁止劑為佳。作為這樣的聚合禁止劑，以對苯二酚-單甲醚等醌系的聚合禁止劑為佳。聚合禁止劑之量沒有特別限制，對丙烯酸系黏著性高分子100質量部，通常在0.01質量部以上0.1質量部以下之範圍為佳。
進行前述附加反應時，(1)為了藉由之後添加的聚異氰酸酯系架橋劑使前述丙烯酸系黏著性高分子架橋，進而進行高分子量化，(2)為了提高架橋反應後的黏著劑層2與黏晶膜3之初期密接性，有必要在架橋反應後的黏著劑組成物中殘存特定量的羥基。此外，另一方面，也有必要把活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度控制在特定的範圍。有必要考慮這兩種觀點，例如，對在側鏈具有羥基的共聚物，使具有(甲基)丙烯醯氧基的異氰酸酯化合物反應的場合，作為一個基準，該具有(甲基)丙烯醯氧基的異氰酸酯化合物，對前述丙烯酸系黏著劑高分子具有的含羥基單體使用37莫耳%以上85莫耳%以下的範圍的比例之量使其進行附加反應為較佳。
前述丙烯酸系黏著性高分子，除了前述(甲基)丙烯酸烷基酯單體及含羥基單體以外，依調整黏著力、玻璃轉移溫度(Tg)的目的，因應需要被共聚合其他共聚合單體成分亦可。作為這樣的其他共聚合單體成分，例如可以舉出(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、異巴豆酸等含羧基單體、馬來酸酐、衣康酸酐等含酸酐基單體、(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等醯胺系單體、(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)N,N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等含氨基單體，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含有縮水甘油基單體等的官能基之單體。具有這樣的官能基之單體的含量沒有特別限制，對共聚合單體成分總量以在0.5質量%以上30質量%以下之範圍為佳。
這樣的具有羥基以外的官能基之單體被共聚合的場合，也可以利用該官能基對前述丙烯酸系黏著性高分子導入活性能量射線反應性碳-碳雙鍵。例如，丙烯酸系黏著性高分子於側鏈具有羧基的場合，藉由使與(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或(甲基)丙烯酸-2-(1-氮丙啶基)乙酯等活性能量射線反應性化合物反應的方法，丙烯酸系黏著性高分子於側鏈具有縮水甘油基的場合，藉由使與(甲基)丙烯酸等活性能量射線反應性化合物反應的方法等，也可以在前述丙烯酸系黏著性高分子導入活性能量射線反應性碳-碳雙鍵。但是，共聚合具有羥基以外的官能基之單體，利用該官能基對丙烯酸系黏著性高分子導入活性能量射線反應性碳-碳雙鍵的場合，作為一基準，同時被共聚合的含羥基單體的含量，對共聚物單體成分總量，在3質量%以上15質量%以下的範圍進行調整為佳。如此進行，使丙烯酸系黏著性高分子的羥基價、後述的聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)以及架橋反應後的殘存羥基濃度控制在前述特定範圍變得容易，所以適宜。
進而，含有前述官能基的丙烯酸系黏著性高分子，為了凝集力、及耐熱性等目的，在不損及本發明的效果的範圍，亦可因應需要含有其他共聚合單體成分。作為這樣的其他共聚合單體成分，具體而言，例如可以舉出(甲基)丙烯腈等含氰基單體，乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體，苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等苯乙烯系單體，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯基等乙烯基酯系單體，甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚系單體，氯乙烯、二氯乙烯等含鹵素原子單體，(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基單體，N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯基嗎啉等具有含氮原子環之單體。這些其他的共聚合單體成分可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。
於本實施形態，作為具有使前述單體共聚合的羥基之適宜的共聚物，具體而言，可以舉出丙烯酸 2-乙基己酯與丙烯酸2-羥乙基酯之二元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯與丙烯酸2-羥乙酯與甲基丙烯酸之三元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯與丙烯酸正丁酯與丙烯酸2-羥乙酯之三元共聚物、丙烯酸2-乙基己酯與甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸2-羥乙酯之三元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯與丙烯酸正丁酯與丙烯酸2-羥乙酯與甲基丙烯酸之四元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯與甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸2-羥乙酯與甲基丙烯酸之四元共聚物等，但並不特以這些為限。接著，對這些適宜的共聚物，作為具有(甲基)丙烯醯氧基的異氰酸酯化合物，以使2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯進行附加反應的活性能量射線反應性碳-碳雙鍵及具有羥基的丙烯酸系黏著性高分子為適宜。
如此進行而得的具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵及羥基的丙烯酸系黏著性高分子，羥基價在12.0mgKOH/g以上55.0mgKOH/g以下之範圍。前述羥基價未滿12.0mgKOH/g的場合，有黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度變小，對黏著劑層2的黏晶膜3之初期密接性降低之虞。結果，於冷延展步驟，變得容易產生由黏晶膜3的黏著劑層2浮起，半導體晶片的良品生產率降低。另一方面，前述羥基價超過55.0mgKOH/g的場合，有黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度過剩地變大，對黏著劑層2的黏晶膜3之初期密接性增大到必要程度以上之虞。結果，於紫外線照射後的拾取步驟，附黏晶膜的半導體晶片變得難以由黏著劑層2剝離，半導體晶片的拾取生產率降低。前述羥基價，較佳為12.7mgKOH/g以上53.2mgKOH/g以下的範圍，更佳為17.0mgKOH/g以上39.0mgKOH/g以下的範圍。
此外，前述具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵及羥基的丙烯酸系黏著性高分子，酸價在0mgKOH/g以上9.0mgKOH/g以下之範圍較佳。酸價在前述範圍內的話，不會妨礙紫外線照射導致的黏著劑層2的黏著力降低效果，可以抑制冷延展步驟之黏晶膜3由黏著劑層2浮起。前述酸價，較佳為2.0mgKOH/g以上8.2mgKOH/g以下的範圍，更佳為2.5mgKOH/g以上5.5mgKOH/g以下的範圍。
進而，前述具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵及羥基的丙烯酸系黏著性高分子，較佳為具有20萬以上60萬以下的範圍之重量平均分子量Mw。丙烯酸系黏著性高分子的重量平均分子量Mw未滿20萬的場合，考慮到塗布性等，難以得到數千cP以上數萬cP以下的高黏度活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物之溶液所以不佳。此外，活性能量射線照射前的黏著劑層2的凝集力變小，活性能量射線照射後使附黏晶膜3的半導體晶片由黏著劑層2脫離時，有污染附黏晶膜3的半導體晶圓之虞。另一方面，重量平均分子量Mw超過60萬的場合，對黏著劑層2的黏晶膜3之濕潤性-追隨性降低，初期密接力降低，所以在冷延展步驟，有發生由黏晶膜3的黏著劑層2浮起之虞。在此，重量平均分子量Mw，意味著藉由凝膠浸透色層分析法來測定之標準聚苯乙烯換算值。前述重量平均分子量Mw，較佳為33萬以上55萬以下的範圍，更佳為35萬以上40萬以下的範圍。
[架橋劑] 本實施形態之活性能量射線硬化性黏著劑組成物，為了前述之具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵以及羥基之丙烯酸系黏著性高分子的高分子量化，進而含有聚異氰酸酯系架橋劑。作為前述聚異氰酸酯系架橋劑，例如可以舉出使具有異氰脲酸酯環的多異氰酸酯化合物與三羥甲基丙烷與六亞甲基二異氰酸酯反應之加合物多異氰酸酯化合物，三羥甲基丙烷與甲苯二異氰酸酯反應之加合物多異氰酸酯化合物，三羥甲基丙烷與二甲苯二異氰酸酯反應之加合物多異氰酸酯化合物，三羥甲基丙烷與異佛爾酮二異氰酸酯反應之加合物多異氰酸酯化合物等。這些可以單獨使用1種或組合2種以上使用。這些之中，由泛用性的觀點來看，以使用三羥甲基丙烷與甲苯二異氰酸酯反應之加合物聚異氰酸酯化合物及/或三羥甲基丙烷與己異氰酸酯反應之加合物聚異氰酸酯化合物為適宜。
前述聚異氰酸酯系架橋劑，對於前述高分子主鏈的玻璃轉移溫度(Tg)在-65℃以上-50℃以下之範圍，羥基價在12.0mgKOH/g以上55.0mgKOH/g以下之範圍的具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵以及羥基之丙烯酸系黏著性高分子，調整其添加量成為前述聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與前述丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)成為0.02以上0.20以下之範圍。藉由如此調整聚異氰酸酯系架橋劑的添加量，可以把每1g活性能量射線硬化性黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度，控制在0.18mmol以上0.90mmol以下之範圍。於本發明，「活性能量射線硬化性黏著劑組成物1g」意味著「除了後述的光聚合開始劑之黏著劑組成物(固形成分)1g」，亦即「由丙烯酸系黏著性高分子與聚異氰酸酯系架橋劑構成的黏著劑組成物(固形成分)1g」。又，黏著劑組成物包含後述的其他成分的場合，該其他成分也加入黏著劑組成物的重量。前述當量比(NCO/OH)，較佳為0.04以上0.19以下的範圍，更佳為0.07以上0.14以下的範圍。
此處，前述聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與前述丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)，由活性能量射線硬化性黏著劑組成物中之聚異氰酸酯系架橋劑的含量與該聚異氰酸酯系架橋劑每1分子之異氰酸酯基的平均個數藉由計算求出的異氰酸酯基的總莫耳數，除以活性能量射線反應性碳-碳雙鍵被導入後的丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基之總莫耳數之理論計算值。該羥基的總莫耳數，例如，是為了將活性能量射線反應性碳-碳雙鍵導入基礎高分子之具有羥基的丙烯酸系黏著性高分子，而使用具有(甲基)丙烯醯氧基的異氰酸酯化合物進行附加反應的場合，由基礎高分子之丙烯酸系黏著性高分子之羥基的總莫耳數，減去藉由添加的(甲基)丙烯醯氧基的異氰酸酯化合物的異氰酸酯基之架橋反應而理論上消耗的羥基的莫耳數(=具有(甲基)丙烯醯氧基的異氰酸酯化合物的異氰酸酯基之莫耳數)而得到之值。
此外，同樣地，每1g活性能量射線硬化性黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度，由具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵及羥基的丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基的總莫耳數，減去藉由添加的聚異氰酸酯系架橋劑的異氰酸酯基之架橋反應而理論上消耗的羥基的莫耳數(=架橋劑的異氰酸酯基之莫耳數)得到之值換算為每1g活性能量射線硬化性黏著劑組成物者。
前述當量比(NCO/OH)未滿0.02的場合，黏著劑層2的凝集力變得不充分，於紫外線照射後的拾取步驟，有附黏晶膜3的半導體晶片變得難以從黏著劑層2剝離之虞，或在黏晶膜表面產生黏著劑殘留(污染)之虞，或者有黏晶膜3的割斷性變差之虞。此外，特別在羥基價大的場合，架橋反應後的殘存羥基濃度變成太大，黏著劑層2與黏晶膜3之初期密接性增大到必要程度以上，於紫外線照射後之拾取步驟，有附黏晶膜3的半導體晶片變得難以從黏著劑層2剝離之虞。結果，使半導體晶片的良品生產率降低。另一方面，前述當量比(NCO/OH)超過0.20的場合，由於羥基價的大小，黏著劑層2的架橋反應後的韌性降低太過，亦即變得太硬，對黏著劑層2的黏晶膜3的濕潤性/追隨性變差，對黏晶膜3之初期密接性有變壞之虞，或者藉由冷延展使半導體晶圓或黏晶膜3被割斷時的衝擊力無法充分緩和，而有該衝擊力在黏著劑層2與黏晶膜3的界面變得容易傳搬之虞。結果，於冷延展步驟，變得容易產生由黏晶膜3的黏著劑層2浮起，半導體晶片的良品生產率降低。
前述聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與前述丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)，在0.02以上0.20以下之範圍內的話，高分子主鏈的玻璃轉移溫度(Tg)在-65℃以上-50℃以下的範圍，羥基價在12.0mgKOH/g以上55.0mgKOH/g以下的範圍之丙烯酸系黏著性高分子為主成分的每1g活性能量射線硬化性黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度，容易抑制在0.18mmol以上0.90mmol以下之範圍。藉著如此，該羥基與黏晶膜3表面的二氧化矽填充物之相互作用變大，黏著劑層2與黏晶膜3之初期密接性適度提高，進而，架橋反應後的黏著劑層2自身之韌性的必要程度以上的降低受到抑制，可以適宜地維持黏性和衝擊緩和性。結果，於冷延展步驟，由黏晶膜3的黏著劑層2的浮起被抑制，半導體晶片的良品生產率提高。前述殘存羥基濃度，較佳為0.29mmol以上0.60mmol以下的範圍，更佳為0.30mmol以上0.37mmol以下的範圍。
藉由前述活性能量射線硬化性黏著劑組成物形成黏著劑層2之後，作為使前述聚異氰酸酯系架橋劑與前述具有羥基之丙烯酸系黏著性高分子反應之老化(aging)條件並沒有特別限制，例如溫度在23℃以上80℃以下之範圍，時間在24小時以上168小時以下之範圍內適當設定即可。
[光聚合開始劑] 本實施形態之活性能量射線硬化性黏著劑組成物，包含藉由活性能量射線的照射產生自由基的光聚合開始劑。光聚合開始劑，感受對活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物之活性能量射線的照射，使自由基產生，使活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著性高分子具有的碳-碳雙鍵的架橋反應開始。
作為前述光聚合開始劑沒有特別限定，可以使用從前公知之物。例如，可以舉出烷基酚系自由基聚合開始劑，醯基氧化膦系自由基聚合開始劑，肟酯系自由基聚合開始劑等。作為烷基酚系自由基聚合開始劑，可以舉出苯甲基甲基縮酮系自由基聚合開始劑、α-羥烷基苯酮系自由基聚合開始劑、氨基烷基苯酮系自由基聚合開始劑等。作為苯甲基甲基縮酮系自由基聚合開始劑，具體而言，例如可以舉出2,2’-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮(例如，商品名Omnirad651，IGM Resins B.V.公司製造)等。作為α-羥烷基苯酮系自由基聚合開始劑，具體而言，例如可以舉出2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮(商品名Omnirad1173，IGM Resins B.V. 公司製造)、1-羥基環己基苯基酮(商品名Omnirad184，IGM Resins B.V. 公司製造)、1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙-1-酮(商品名Omnirad 2959，IGM Resins B.V. 公司製造)、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基丙醯基)苄基]苯基}-2-甲基丙-1-酮(商品名Omnirad127，IGM Resins B.V. 公司製造)等。作為胺基烷基苯酮系自由基聚合開始劑，具體而言，例如可以舉出2-甲基-1-(4-甲基噻吩基)-2-嗎啉代丙烷-1-酮(商品名Omnirad907，IGM Resins B.V. 公司製造)或2-苄基甲基2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)-1-丁酮(商品名Omnirad369，IGM Resins B.V. 公司製造)等。作為醯基氧化膦系自由基聚合開始劑，具體而言，例如可以舉出2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦(商品名OmniradTPO，IGM Resins B.V. 公司製造)，雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦(商品名Omnirad819，IGM Resins B.V. 公司製造)，作為肟酯系自由基聚合開始劑，可以舉出(2E)-2-(苯甲醯氧基亞氨基)-1-[4-(苯硫基)苯基]辛烷-1-酮(商品名OmniradOXE-01，IGM Resins B.V. 公司製造)等。這些光聚合開始劑可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。
前述光聚合開始劑之添加量，對前述活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著性高分子固形成分100質量部，在0.1質量部以上10.0質量部以下之範圍為佳。光聚合開始劑之添加量未滿0.1質量部的場合，對活性能量射線之光反應性不充分所以即使照射活性能量射線，丙烯酸系黏著性高分子的光自由基架橋反應不會充分發生，結果，活性能量射線照射後的黏著劑層2之黏著力減低效果變小，半導體晶片的拾取不良有增大之虞。另一方面，光聚合開始劑之添加量超過10.0質量部的場合，其效果會飽和，由經濟性的觀點來看並不佳。此外，隨著光聚合開始劑之種類不同，亦有黏著劑層2黃變而變成外觀不良的場合。
此外，作為這樣的光聚合開始劑的增感劑，將甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、4-二甲氨基苯甲酸異戊酯等化合物添加於活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組合物亦可。
[其他] 本實施形態之活性能量射線硬化性黏著劑組合物，在不損及本發明的效果的範圍，可以因應需要，另外添加活性能量射線硬化性化合物(例如，多官能之胺甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚物等)、黏著賦予劑、充填劑、防老化劑、著色劑、難燃劑、防帶電劑、界面活性劑、矽烷耦合劑、流平劑(leveling agent)等添加劑。
[活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度] 本實施形態之活性能量射線硬化性黏著劑組成物，為活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度，被調整為每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物含0.85mmol以上1.60mmol以下之範圍。每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物的活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度未滿0.85mmol的話，每1g的前述活性能量射線硬化性黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度大的場合，紫外線照射後之黏著劑層2的黏著力不會充分降低，會有在拾取步驟附黏晶膜3的半導體晶片變得難以由黏著劑層2剝離之虞。另一方面，每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物的活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度超過1.60mmol的場合，會有難以確保前述之活性能量射線硬化性黏著劑組成物每1g之架橋反應後的殘存羥基濃度之虞，或是隨著丙烯酸系黏著性高分子的共聚合組成而在合成時的聚合或者反應時變得容易凝膠化，而有合成變得困難的場合。又，確認丙烯酸系黏著性高分子的碳-碳雙鍵含量的場合，藉著測定丙烯酸系黏著性高分子的碘價，可以算出碳-碳雙鍵含量。
活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度，在每1g活性能量射線硬化性黏著劑組成物為0.85mmol以上1.60mmol以下的範圍內的話，在適用包含使對前述黏著劑層2的黏晶膜3之初期密接性及黏著劑層2自身的韌性提高之活性能量射線硬化性黏著劑組成物的黏著劑層2的場合，也可以使對紫外線照射後的黏著劑層2的黏晶膜3的黏著力充分降低，由附黏晶膜3的半導體晶片之由黏著劑層2的剝離(拾取性)變得良好。前述活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度，較佳為每1g活性能量射線硬化性黏著劑組成物含1.02mmol以上1.51mmol以下之範圍。
[黏著劑層之厚度] 本實施形態之黏著劑層2的厚度沒有特別限定，以5μm以上50μm以下之範圍為佳，6μm以上20μm以下之範圍更佳，7μm以上15μm以下之範圍特佳。黏著劑層2的厚度未滿5μm之場合，有晶圓切割膠帶10的黏著力過度低下之疑慮。在此場合，於冷延展步驟，變得容易產生由黏晶膜3的黏著劑層2浮起，半導體晶片的良品生產率降低。此外，作為晶圓切割黏晶膜使用時，會有黏著劑層2與黏晶膜3之密接不良產生的場合。另一方面，黏著劑層2的厚度超過50μm之場合，有將晶圓切割膠帶10冷延展時產生的內部應力，難以作為外部應力傳達至附黏晶膜3的半導體晶圓之虞，在該場合，於晶圓切割步驟，會有附黏晶膜3的半導體晶片的割斷生產率降低之虞。此外，從經濟性的觀點來看，實用上不太好。
(錨塗層) 在本實施形態之晶圓切割膠帶10，亦可在不損及本發明的效果的範圍，因應於晶圓切割膠帶10之製造條件或製造後的晶圓切割膠帶10之使用條件等，在基材膜1與黏著劑層2之間，設置配合基材膜1的組成之錨塗層。藉由設置錨塗層，提升基材膜1與黏著劑層2之密接力。
(剝離襯墊) 此外，亦可在黏著劑層2之與基材膜1相反之表面側(一方的表面側)，因應必要而設置剝離襯墊。可以作為剝離襯墊使用之物並未特別限制，例如，可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等合成樹脂，或紙類等。此外，在剝離襯墊的表面，為了提高黏著劑層2的剝離性，亦可實施利用聚矽氧系剝離處理劑、長鏈烷基系剝離處理劑、氟系剝離處理劑等之剝離處理。剝離襯墊的厚度並無特別限定，可適宜使用10μm以上200μm以下的範圍者。
(晶圓切割膠帶之製造方法) 圖4係說明晶圓切割膠帶10的製造方法之流程圖。首先，準備剝離襯墊(步驟S101：剝離襯墊準備步驟)。其次，製作黏著劑層2的形成材料之黏著劑層2用塗布溶液(黏著劑層形成用塗布溶液)(步驟S102：塗布溶液製作步驟)。塗布溶液，例如，可以藉由均勻地混合攪拌黏著劑層2的構成成分之丙烯酸系黏著性高分子與架橋劑與稀釋溶媒而製作。作為溶媒，例如，可以使用甲苯或乙酸乙酯等泛用的有機溶劑。
接著，使用於步驟S102製作出的黏著劑層2用塗布溶液，在剝離襯墊的剝離處理面上塗布該塗布溶液而乾燥，形成特定厚度的黏著劑層2(步驟S103：黏著劑層形成步驟)。作為塗布方法，沒有特別限制例如可以使用模具塗布機、Comma Coater(註冊商標)、凹版塗布機、輥塗機、逆向塗布機等進行塗布。此外，乾燥條件沒有特別限制，例如乾燥溫度在80℃以上150℃以下之範圍內，乾燥時間在0.5分鐘以上5分鐘以下之範圍內為佳。接著，準備基材膜1(步驟S104：基材膜準備步驟)。接著，在被形成於剝離襯墊上的黏著劑層2之上，貼合基材膜1(步驟S105：基材膜貼合步驟)。最後，將形成的黏著劑層2在例如40℃的環境下進行72小時老化(aging)使與丙烯酸系黏著性高分子與架橋劑反應而使架橋-硬化(步驟S106：熱硬化步驟)。藉由以上步驟，可以在基材膜1上由基材膜側起依序製造黏著劑層2、具備剝離襯墊的晶圓切割膠帶10。又，在本發明，於黏著劑層2上具備剝離襯墊的層積體亦有稱為晶圓切割膠帶10的場合。
又，作為在前述基材膜1上形成黏著劑層2之方法，例示採用在剝離襯墊上塗布黏著劑層2用的塗布溶液而乾燥，其後，在黏著劑層2上貼合基材膜1的方法，但使用在基材膜1上直接塗布黏著劑層2用的塗布溶液而乾燥之方法亦可。由安定生產的觀點來看，前者的方法適宜使用。
前述晶圓切割膠帶10，詳細如稍後所述，但對黏晶膜3之黏著劑層2的23℃之紫外線照射後的低角黏著力(剝離角度30˚，剝離速度600mm/分鐘)為0.95N/25mm以下，對黏晶膜3之黏著劑層2的-30℃之紫外線照射前的剪斷接著力(拉伸速度1,000mm/分鐘)為100.0N/100mm 2以上較佳。
本實施形態之晶圓切割膠帶10，可以是被捲成滾軸狀之形態，抑或層積幅度寬廣的薄片之形態。此外，抑或將這些形態的晶圓切割膠帶10切斷成預先決定的大小而被形成的薄片狀或膠帶狀之形態。
＜晶圓切割黏晶膜＞ 根據本發明的第2側面的話，本實施形態之晶圓切割膠帶10，於半導體製造步驟，能夠以在晶圓切割膠帶10的黏著劑層2上使黏晶膜(接著劑層)3可剝離地密接、層積之晶圓切割黏晶膜20的形式來使用。黏晶膜(接著劑層)3，是把藉由冷延展而割斷、單片化的半導體晶片接著、連接於導線架或配線基板(支撐基板)之用者。此外，層積半導體晶片的場合，也發揮半導體晶片彼此的接著劑層的作用。在此場合，第一段的半導體晶片藉由黏晶膜(接著劑層)3，被接著於被形成端子的半導體晶片搭載用配線基板，於第一段的半導體晶片上，進而藉由黏晶膜(接著劑層)3接著第二段的半導體晶片。第一段的半導體晶片及第二段的半導體晶片之連接端子，透過導線與外部連接端子導電連接，但第一段半導體晶片用的導線，在壓接(晶粒黏著(die bonding))時被埋入黏晶膜(接著劑層)3，亦即前述之導線埋入型黏晶膜(接著劑層)3之中。以下，針對本實施形態的晶圓切割膠帶10以晶圓切割黏晶膜20的形式使用的場合之黏晶膜(接著劑層)3顯示一例，但並不特別限定於此例。
(黏晶膜) 前述黏晶膜(接著劑層)3，是由藉由熱而硬化的熱硬化型接著劑組成物構成之層。作為前述接著劑組成物沒有特別限定，可以使用從前公知之材料。作為前述接著劑組成物之較佳態樣之一例，例如，熱塑性樹脂可以舉出含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物，熱硬化性樹脂可以舉出環氧樹脂，及在作為對該環氧樹脂的硬化劑含有酚醛樹脂的樹脂組成物，添加硬化促進劑、無機填充物、矽烷耦合劑等而成的熱硬化性接著劑組成物。由這樣的熱硬化性接著劑組成物構成的黏晶膜(接著劑層)3，具有在半導體晶片/支撐基板間、半導體晶片/半導體晶片間之接著性優異，此外也可以賦予電極埋入性及/或導線埋入性等，而且在晶粒黏著步驟可以在低溫接著，在短時間得到優異的硬化，藉由密封劑塑模後具有優異的信賴性等特徵，所以較佳。
導線以不被埋入接著劑層中的形態使用的泛用黏晶膜與導線被埋入接著劑層中的形態下使用的導線埋入型黏晶膜，針對構成其接著劑組成物的材料的種類，多半幾乎相同，使所用的材料的配合比例、各個材料的物性/特性等，因應分別的目的而變更，而被客制化為泛用黏晶膜用或者導線埋入型黏晶膜用。此外，作為最終的半導體裝置之信賴性沒有問題的場合，亦有把導線埋入型黏晶膜作為泛用黏晶膜使用。亦即，導線埋入型黏晶膜，不限於導線埋入用途，對具有起因於配線等的凹凸的基板、往導線架等金屬基板等接著半導體晶片的用途也同樣可以使用。
(泛用黏晶膜用接著劑組成物) 首先，說明泛用黏晶膜用接著劑組成物之一例，但並不特別限定於此例。作為由接著劑組成物形成的黏晶膜3的晶粒黏著(die bonding)時的流動性的指標，例如舉出在80℃之剪切黏度特性，但泛用黏晶膜的場合，一般在80℃的剪切黏度在20,000Pa･s以上40,000Pa･s以下的範圍，較佳為顯示25,000Pa･s以上35,000Pa･s以下的範圍之值。作為前述泛用黏晶膜用接著劑組成物之較佳態樣之一例，可以舉出接著劑組成物的樹脂成分之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，(a)以前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物在52質量部以上90質量部以下的範圍、前述環氧樹脂在5質量部以上25質量部以下之範圍、前述酚醛樹脂在5質量部以上23質量部以下之範圍，而樹脂成分總量為100質量部的方式調整含量；(b)相對於前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量100質量部，含有硬化促進劑0.1質量部以上0.3質量部以下之範圍，(c)相對於前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量100質量部，含有無機填充物5質量部以上20質量部以下的範圍之接著劑組成物。
[含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物] 前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物，作為共聚物單元，至少包含碳數1~8的具有烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸縮水甘油酯為佳。前述(甲基)丙烯酸縮水甘油酯的共聚物單元，由確保適宜的接著力的觀點來看含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物全量中，以含有0.5質量%以上6.0質量%以下的範圍為佳，含有2.0質量%以上4.0質量%以下的範圍為更佳。此外，含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物，因應需要，由調整玻璃轉移溫度(Tg)的觀點來看，把苯乙烯或丙烯腈等其他單體含有作為共聚物單元亦可。
前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物的玻璃轉移溫度(Tg)，以-50℃以上30℃以下之範圍為佳，由黏晶膜的處理性提高(黏性的抑制)的觀點來看在-10℃以上30℃以下之範圍為更佳。要使含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物成為這樣的玻璃轉移溫度，作為前述具有碳數1~8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，以使用(甲基)丙烯酸乙酯及/或(甲基)丙烯酸丁酯為佳。
前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物的重量平均分子量Mw，較佳為50萬以上200萬以下的範圍，更佳為70萬以上100萬以下的範圍。重量平均分子量Mw在前述範圍內的話，容易使接著力、耐熱性、流動性成為適宜者。在此，重量平均分子量Mw，意味著藉由凝膠浸透色層分析法來測定之標準聚苯乙烯換算值。
前述黏晶膜(接著劑層)3之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物的含有比例，以接著劑組成物中的樹脂成分之該含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與後述的環氧樹脂與酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，以含有52質量部以上90質量部以下的範圍為佳，含有60質量部以上80質量部以下的範圍為更佳。
[環氧樹脂] 作為環氧樹脂沒有特別限定，例如，可以舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、烷基酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、雙酚A酚醛型環氧樹脂、雙酚之二縮水甘油醚酯化物、萘二醇之雙縮水甘油醚化物，酚醛類之雙縮水甘油醚化物，醇類之二縮水甘油醚化物，及這些的烷基置換體，鹵化物、氫化物等二官能環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂等。此外，多官能環氧樹脂及含雜環之環氧樹脂等，亦可使用一般習知的其他環氧樹脂。這些可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。
前述環氧樹脂的軟化點，從接著力、耐熱性的觀點來看，以70℃以上130℃以下之範圍為佳。此外，前述環氧樹脂的環氧當量，從使與後述的酚醛樹脂之硬化反應充分進行的觀點來看，以100以上300以下之範圍為佳。
前述黏晶膜(接著劑層)3之前述環氧樹脂的含有比例，從在黏晶膜(接著劑層)3適宜地呈現作為熱硬化型接著劑的機能的觀點來看，接著劑組成物中的樹脂成分之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與該環氧樹脂與後述的酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，以含有5質量部以上25質量部以下的範圍為佳，含有10質量部以上20質量部以下的範圍為更佳。
[酚醛樹脂：對環氧樹脂之硬化劑] 作為對環氧樹脂之硬化劑，沒有特別限制，例如可以舉出把苯酚化合物與2價的連結基之二甲苯化合物，在無觸媒或酸觸媒的存在下使反應而得的酚醛樹脂。前述酚醛樹脂，例如可以舉出酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂型酚醛樹脂、及聚對氧苯乙烯等之聚氧苯乙烯等。酚醛清漆型酚醛樹脂，例如可以舉出酚醛清漆型酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、及壬基酚酚醛清漆樹脂等。這些酚醛樹脂可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。這些酚醛樹脂之中，苯酚酚醛樹脂或苯酚芳烷基樹脂，有提高黏晶膜(接著劑層)3的連接信賴性的傾向，所以適宜使用。
前述酚醛樹脂的軟化點，從接著力、耐熱性的觀點來看，以70℃以上90℃以下之範圍為佳。此外，前述酚醛樹脂的羥基當量，從使與環氧樹脂之硬化反應充分進行的觀點來看，以100以上200以下之範圍為佳。
從使前述熱硬化性樹脂組成物之環氧樹脂與酚醛樹脂之硬化反應充分進行的觀點來看，酚醛樹脂的配合之量，對全環氧樹脂成分中的每1環氧基當量，使該全酚醛樹脂成分中的羥基為0.5當量以上2.0當量以下為佳，更佳為0.8當量以上1.2當量以下的範圍之量。取決於分別的樹脂的官能基當量，所以不能一概而論，但例如酚醛樹脂的含有比例，以接著劑組成物中的樹脂成分之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與該酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，在5質量部以上23質量部以下的範圍為佳。
[硬化促進劑] 此外，於前述熱硬化性樹脂組成物，可以因應需要，添加三級胺、咪唑類、四級銨鹽類等硬化促進劑。這樣的硬化促進劑，具體而言，例如可以舉出2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯等，可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。前述硬化促進劑的添加量，為對前述環氧樹脂及前述酚醛樹脂的合計100質量部，在0.1質量部以上0.3質量部以下的範圍為佳。
[無機填充物] 此外，於前述熱硬化性樹脂組成物，由控制黏晶膜(接著劑層)3的流動性，提高彈性率的觀點來看，可以因應需要而添加無機填充物。作為無機填充物，例如可以舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶質二氧化矽等，這些可併用1種或2種以上。這些之中，由泛用性的觀點來看，以結晶二氧化矽、非晶質二氧化矽等為適宜。具體而言，例如，平均粒徑為柰米尺度的AEROSIL(註冊商標：超微粒子乾式二氧化矽)適宜使用。前述黏晶膜(接著劑層)3之前述無機填充物的含有比例，以前述樹脂成分之含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與環氧樹脂與酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，以含有5質量部以上20質量部以下的範圍為佳。
[矽烷耦合劑] 此外，進而於前述熱硬化性樹脂組成物，由提高對被黏著體的接著力的觀點來看，可以因應需要而添加矽烷耦合劑。矽烷耦合劑，例如可以舉出β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、及γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷，這些可併用1種或2種以上。前述矽烷耦合劑的添加量，為對前述環氧樹脂及前述酚醛樹脂的合計100質量部，在1.0質量部以上7.0質量部以下的範圍為佳。
[其他] 此外，進而於前述熱硬化性樹脂組成物，在不損及作為黏晶膜的機能的範圍，添加難燃劑或離子捕捉劑等亦可。作為難燃劑，例如可以舉出三氧化二銻、五氧化二銻、及溴化環氧樹脂等。離子捕捉劑，例如可以舉出水滑石(鋁碳酸鎂)類、氫氧化鉍、含水氧化銻、特定構造的磷酸鋯、矽酸鎂、矽酸鋁、三唑系化合物、四唑系化合物、及聯吡啶系化合物等。
(導線埋入型黏晶膜用接著劑組成物) 接著，說明導線埋入型黏晶膜用接著劑組成物之一例，但並不特別限定於此例。作為由接著劑組成物形成的黏晶膜3的晶粒黏著(die bonding)時的流動性的指標，例如舉出在80℃之剪切黏度特性，但導線埋入型黏晶膜的場合，一般在80℃的剪切黏度在200Pa･s以上11,000Pa･s以下的範圍，較佳為顯示2,000Pa･s以上7,000Pa･s以下的範圍之值。作為前述導線埋入型黏晶膜用接著劑組成物之較佳態樣之一例，可以舉出接著劑組成物的樹脂成分之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，(a)以前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物在17質量部以上51質量部以下的範圍、前述環氧樹脂在30質量部以上64質量部以下之範圍、前述酚醛樹脂在19質量部以上53質量部以下之範圍，而樹脂成分總量為100質量部的方式調整含量；(b)相對於前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量100質量部，含有硬化促進劑0.01質量部以上0.07質量部以下之範圍，(c)相對於前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量100質量部，含有無機填充物10質量部以上80質量部以下的範圍之接著劑組成物。
[含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物] 前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物，作為共聚物單元，至少包含碳數1~8的具有烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸縮水甘油酯為佳。導線埋入型黏晶膜的場合，有謀求兼顧晶粒黏著(die bonding)時的流動性提高與硬化後的接著強度確保的必要，所以縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物單元比率高，分子量低的含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)，與縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物單元比率低，分子量高的含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物(B)以併用為較佳，併用之中，前者之(A)成分含有一定量以上為佳。
亦即，導線埋入型黏晶膜用接著劑組成物之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物，具體而言，由「使縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物單元，在含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物全量中，含有5.0質量%以上15.0質量%以下的範圍，玻璃轉移溫度(Tg)在-50℃以上30℃以下之範圍，重量平均分子量Mw在10萬以上40萬以下的範圍之含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)」，以及「使縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物單元，在含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物全量中，含有1.0質量%以上7.0質量%以下的範圍，玻璃轉移溫度(Tg)在-50℃以上30℃以下之範圍，重量平均分子量Mw在50萬以上90萬以下的範圍之含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物(B)」之混合物所構成為佳。在此，重量平均分子量Mw，意味著藉由凝膠浸透色層分析法來測定之標準聚苯乙烯換算值。
前述含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的含有比例，以含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物全量((A)與(B)之合計)中之60質量%以上90質量%以下的範圍為佳。此外，含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物，因應需要，由調整玻璃轉移溫度(Tg)的觀點來看，把苯乙烯或丙烯腈等其他單體含有作為共聚物單元亦可。
前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物全體的玻璃轉移溫度(Tg)，以-50℃以上30℃以下之範圍為佳，由黏晶膜的處理性提高(黏性的抑制)的觀點來看在-10℃以上30℃以下之範圍為更佳。要使含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物成為這樣的玻璃轉移溫度，作為前述具有碳數1~8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，以使用(甲基)丙烯酸乙酯及/或(甲基)丙烯酸丁酯為適宜。
前述導線埋入型黏晶膜(接著劑層)3之前述含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物全量((A)與(B)之合計)的含有比例，由晶粒黏著時的流動性及硬化後的接著強度的觀點來看，以接著劑組成物中的樹脂成分之該含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與後述的環氧樹脂與酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，以含有17質量部以上51質量部以下的範圍為佳，含有20質量部以上45質量部以下的範圍為更佳。
[環氧樹脂] 環氧樹脂沒有特別限定，可以使用與前述之泛用黏晶膜用接著劑組成物用的環氧樹脂所例示者相同之物。這些可以單獨使用，亦可組合使用2種以上，但在導線埋入型黏晶膜的場合，有必要確保接著強度，同時抑制接著面之空隙的發生，以及賦予導線的良好埋入性，所以在控制其流動性或彈性率上，以組合使用2種以上的環氧樹脂為佳。
作為用於導線埋入型黏晶膜(接著劑層)3的環氧樹脂之較佳態樣，可以舉出在常溫下為液狀之環氧樹脂(C)與軟化點在98℃以下，較佳為85℃以下的環氧樹脂(D)之混合物所構成者。前述常溫下為液狀的環氧樹脂(C)的含有比例，為環氧樹脂全量((C)與(D)之合計)中的15質量%以上75質量%以下的範圍為佳，30質量%以上50質量%以下的範圍為更佳。前述環氧樹脂的環氧當量，從使與後述的酚醛樹脂之硬化反應充分進行的觀點來看，以100以上300以下之範圍為佳。
前述黏晶膜(接著劑層)3之前述環氧樹脂的含有比例，從在黏晶膜(接著劑層)3適宜地呈現作為熱硬化型接著劑的機能的觀點來看，接著劑組成物中的樹脂成分之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與該環氧樹脂與後述的酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，以含有30質量部以上64質量部以下的範圍為佳，含有35質量部以上50質量部以下的範圍為更佳。
[酚醛樹脂：對環氧樹脂之硬化劑] 對環氧樹脂之硬化劑沒有特別限定，可以使用與前述之泛用黏晶膜用接著劑組成物用的酚醛樹脂所例示者相同之物。前述酚醛樹脂的軟化點，從接著力、流動性的觀點來看，以70℃以上115℃以下之範圍為佳。此外，前述酚醛樹脂的羥基當量，從使與環氧樹脂之硬化反應充分進行的觀點來看，以100以上200以下之範圍為佳。
從使前述熱硬化性樹脂組成物之環氧樹脂與酚醛樹脂之硬化反應充分進行的觀點來看，酚醛樹脂的配合之量，對全環氧樹脂成分中的每1環氧基當量，使該全酚醛樹脂成分中的羥基為0.5當量以上2.0當量以下為佳，由兼顧晶粒黏著時的流動性的觀點來看，更佳為0.6當量以上1.0當量以下的範圍之量。取決於分別的樹脂的官能基當量，所以不能一概而論，但例如酚醛樹脂的含有比例，以接著劑組成物中的樹脂成分之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與該酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部場合，在19質量%以上53質量%以下的範圍為佳。
[硬化促進劑] 此外，於前述熱硬化性樹脂組成物，可以因應需要，添加三級胺、咪唑類、四級銨鹽類等硬化促進劑。作為這樣的硬化促進劑，可以同樣使用與前述之泛用黏晶膜用接著劑組成物用的硬化促進劑所例示者相同之物。前述硬化促進劑的添加量，從抑制接著面之空隙發生的觀點來看，為對前述環氧樹脂及前述酚醛樹脂的合計100質量部，在0.01質量部以上0.07質量部以下的範圍為佳。
[無機填充物] 此外，進而於前述熱硬化性樹脂組成物，由黏晶膜(接著劑層)3的處理性的提高，晶粒黏著時的流動性的調整，觸變性的賦予、提高接著強度等觀點來看，可以因應需要而添加無機填充物。作為無機填充物，可以同樣使用與前述之泛用黏晶膜用接著劑組成物用的無機填充物所例示者相同之物，其中，由泛用性的觀點來看，以二氧化矽填充物適宜使用。前述黏晶膜(接著劑層)3之前述無機填充物的含有比例，由晶粒黏著時的流動性、冷延展時的割斷性及接著強度的觀點來看，以前述樹脂成分之含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與環氧樹脂與酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部場合，以含有10質量%以上80質量%以下的範圍為佳，15質量%以上50質量%以下之範圍為更佳。
前述無機填充物，以提高黏晶膜(接著劑層)3的冷延展時的割斷性，充分呈現硬化後的接著力的目的下，混合平均粒徑不同的2種以上的無機填充物為佳。具體而言，把平均粒徑0.1μm以上5μm以下的範圍之無機填充物，作為以無機填充物全質量為基準佔有80質量%以上的比例之主要無機填充物成分來使用為佳。黏晶膜(接著劑層)3的流動性過度變高會導致在半導體晶片製造步驟之接著劑層3的發泡抑制或硬化後的接著強度的提高為必要的場合，把平均粒徑未滿0.1μm之無機填充物，以無機填充物全質量為基準佔有20質量%以下的配合量與前述主要無機填充物成分併用亦可。
[矽烷耦合劑] 此外，進而於前述熱硬化性樹脂組成物，由提高對被黏著體的接著力的觀點來看，可以因應需要而添加矽烷耦合劑。作為矽烷耦合劑，可以同樣使用與前述之泛用黏晶膜用接著劑組成物用的矽烷耦合劑所例示者相同之物。前述矽烷耦合劑的添加量，從抑制接著面之空隙發生的觀點來看，為對前述環氧樹脂及前述酚醛樹脂的合計100質量部，在0.5質量部以上2.0質量部以下的範圍為佳。
[其他] 此外，進而於前述熱硬化性樹脂組成物，在不損及作為黏晶膜3的機能的範圍，添加難燃劑或離子捕捉劑等亦可。作為這些難燃劑或離子捕捉劑，可以同樣使用與前述之泛用黏晶膜用接著劑組成物用的難燃劑或離子捕捉劑所例示者相同之物。
(黏晶膜(接著劑層)之厚度) 前述黏晶膜(接著劑層)3的厚度沒有特別限定，為了接著強度的確保、適切地埋入半導體晶片連接用的導線，或者為了充分填充基板的配線電路等的凹凸，以5μm以上200μm以下之範圍為佳。黏晶膜(接著劑層)3的厚度未滿5μm的話，半導體晶片與導線架或配線基板等之接著力有變得不充分之虞。另一方面，黏晶膜(接著劑層)3的厚度超過200μm的話並不經濟，而且對於半導體裝置的小型薄膜化的對應容易變得不充分。又，可以提高接著性或者使半導體裝置薄型化這一點，使膜狀接著劑的膜厚在10μm以上100μm以下之範圍為佳，20μm以上75μm以下之範圍特佳。
更具體地說，作為泛用黏晶膜(接著劑層)使用的場合之厚度，例如在5μm以上未滿30μm之範圍，特別在10μm以上25μm以下之範圍為佳，作為導線埋入型黏晶膜(接著劑層)使用的場合之厚度，例如為30μm以上100μm以下之範圍，特別以40μm以上80μm以下之範圍為佳。
(黏晶膜之製造方法) 前述黏晶膜(接著劑層)3，例如以如下方式製造。首先，準備剝離襯墊。又，作為該剝離襯墊，可以使用與配置於晶圓切割膠帶10的黏著劑層2上的剝離襯墊相同者。其次，製作黏晶膜(接著劑層)3的形成材料之黏晶膜(接著劑層)3用的塗布溶液。塗布溶液，例如可以藉由將如前所述的黏晶膜(接著劑層)3的構成成分之含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、環氧樹脂、對環氧樹脂之硬化劑、無機填充物、硬化促進劑、及矽烷耦合劑等之熱硬化性樹脂組成物與稀釋溶媒均勻混合分散而製作。作為溶媒，例如，可以使用甲乙酮或環己酮等泛用的有機溶劑。
其次，以使黏晶膜(接著劑層)3用的塗布溶液在成為暫時支撐體的前述剝離襯墊的剝離處理面上塗布該塗布溶液而乾燥，形成特定厚度之黏晶膜(接著劑層)3。其後，將其他剝離襯墊的剝離處理面貼合於黏晶膜(接著劑層)3之上。作為塗布方法，沒有特別限制例如可以使用模具塗布機、Comma Coater(註冊商標)、凹版塗布機、輥塗機、逆向塗布機等進行塗布。此外，乾燥條件，例如乾燥溫度在60℃以上200℃以下之範圍內，乾燥時間在1分鐘以上90分鐘以下之範圍內為佳。又，在本發明，於黏晶膜(接著劑層)3的雙面或單面具備剝離襯墊的層積體亦有稱為黏晶膜(接著劑層)3的場合。
對前述黏晶膜3之前述晶圓切割膠帶10的黏著劑層2之23℃的紫外線照射後的低角度黏著力，由拾取性提高的觀點來看，較佳為0.95N/25mm以下，更佳為0.85N/25mm以下，進而更佳為0.70N/25mm以下。前述紫外線照射後的低角度黏著力，由拾取性提高的觀點來看，以越小越佳，但把附黏晶膜3的半導體晶片30a由晶圓切割膠帶10拾取之前的階段，由可以抑制附黏晶膜3的半導體晶片30a無預期地從晶圓切割膠帶10剝離，或者可以抑制偏移，可以使拾取更良好地進行的觀點來看，0.05N/25mm以上為佳。此外，對前述黏晶膜3之前述晶圓切割膠帶10的黏著劑層2之-30℃的紫外線照射前剪斷接著力，由兼顧到抑制延展後的黏晶膜3從晶圓切割膠帶10的黏著劑層2部分剝離(浮起)以及拾取性提高的觀點來看，較佳為100.0N/100mm 2以上，更佳為105.0N/100mm 2以上140N/100mm 2以下之範圍，進而更佳為107.7N/100mm 2以上123.0N/100mm 2以下之範圍。
又，對前述黏晶膜3之前述晶圓切割膠帶10的黏著劑層2之23℃的紫外線照射後的低角度黏著力及-30℃的紫外線照射前剪斷接著力，分別可以使用實施例記載的試驗方法進行測定。此外，在不妨礙拾取性的前提下，於前述紫外線照射前剪斷接著力測定試驗，破壞模式亦可為前述接著劑層之凝集破壞。
(晶圓切割黏晶膜之製造方法) 作為前述晶圓切割黏晶膜20之製造方法，沒有特別限制，可以藉由從前習知的方法來製造。例如，前述晶圓切割黏晶膜20，首先個別地分別準備晶圓切割膠帶10及黏晶膜20，接著，分別剝離晶圓切割膠帶10的黏著劑層2以及黏晶膜(接著劑層)3的剝離襯墊，使晶圓切割膠帶10的黏著劑層2與黏晶膜(接著劑層)3，例如藉由熱輥層疊機等的壓接輥壓接貼合即可。貼合溫度沒有特別限定，例如10℃以上100℃以下的範圍為佳，貼合壓力(線壓)例如0.1kgf/cm以上100kgf/cm以下之範圍為佳。又，在本發明，關於晶圓切割黏晶膜20，在黏著劑層2及黏晶膜(接著劑層)3之上具備剝離襯墊的層積體亦有稱為晶圓切割黏晶膜20的場合。於晶圓切割黏晶膜20，在黏著劑層2及黏晶膜(接著劑層)3之上具備的剝離襯墊，在把晶圓切割黏晶膜20供應加工時，剝離即可。
前述晶圓切割黏晶膜20，可以是被捲成滾軸狀之形態，抑或層積幅度寬廣的薄片之形態。此外，抑或將這些形態的晶圓切割膠帶10切斷成預先決定的大小而被形成的薄片狀或膠帶狀之形態。
例如，如日本特開2011-159929號公報所示，可以把剝離基材(剝離襯墊)上預切加工為構成半導體元件的晶圓的形狀之接著劑層(黏晶膜3)以及黏著膜(晶圓切割膠帶10)，多數製造為形成為島狀的膜滾軸狀的形態。在此場合，晶圓切割膠帶10，被形成為比黏晶膜(接著劑層)3更大直徑的圓形，黏晶膜(接著劑層)3被形成為比半導體晶圓30更大直徑的圓形。作為這樣的膜滾軸狀的形態而被施以預切加工時，為了不切掉多餘的晶圓切割膠帶10而連續且良好地剝離除去，亦有晶圓切割膠帶10被局部加熱及或冷卻處理的場合。在此，加熱的溫度可適宜選擇，以30℃~120℃為佳。加熱時間可適宜選擇，以0.1~10秒為佳。本發明之晶圓切割膠帶10，具有一定的耐熱性，所以即使在120℃之高溫被施以加熱處理，其處理上沒有特別的問題。
＜半導體晶片之製造方法＞ 圖5係說明使用在本實施形態的晶圓切割膠帶10的黏著劑層2上被層積黏晶膜(接著劑層)3的晶圓切割黏晶膜20之半導體晶片之製造方法之流程圖。此外，圖6是顯示在晶圓切割黏晶膜20的晶圓切割膠帶10的外緣部(黏著劑層2露出部)，環框(晶圓環)40，在中心部的黏晶膜(接著劑層)3上被貼附加工為可單片化的半導體晶圓的狀態之概略圖。此外，進而圖7(a)~(f)是顯示藉由雷射光照射形成複數改質區域的半導體晶圓的研削步驟及該半導體晶圓之往晶圓切割黏晶膜的貼合步驟之一例之剖面圖。圖8(a)~(f)是顯示使用具有被貼合晶圓切割黏晶膜的複數改質區域之薄膜半導體晶圓的半導體晶片之製造例之剖面圖。
＜使用晶圓切割黏晶膜20之半導體晶片之製造方法＞ 使用晶圓切割黏晶膜20之半導體晶片之製造方法，沒有特別限制，依照前述之方法的任一種方法皆可，但在此舉例說明根據SDBG(Stealth Dicing Before Griding)之製造方法。
首先，如圖7(a)所示，例如準備在以矽為主成分的半導體晶圓W的第一面Wa上搭載複數積體電路(未圖示)之半導體晶圓W(圖5之步驟S201：準備步驟)。接著，具有黏著面Ta的晶圓加工用膠帶(背磨膠帶)T被貼合於半導體晶圓W的第1面Wa側。
其次，如圖7(b)所示，於晶圓加工用膠帶T上被保持半導體晶圓W的狀態下，對晶圓內部聚集了集光點的雷射光對晶圓加工用膠帶T的相反側，亦即由半導體晶圓的第二面Wb側對半導體晶圓W，沿著其格子狀的分割預定線X照射，因多光子吸收導致的燒蝕在半導體晶圓W內形成改質區域30b(圖5的步驟S202：改質區域形成步驟)。改質區域30b，是藉由冷延展步驟把半導體晶圓W割斷、分離為半導體晶片單位之用的脆弱化區域。於半導體晶圓W藉由雷射光照射沿著分割預定線形成改質區域30b的方法，例如可以參照日本特許第3408805號公報、特開2002-192370號公報、特開2003-338567號公報等揭示之方法。
接著，如圖7(c)所示，在晶圓加工用膠帶T上保持著半導體晶圓W的狀態，半導體晶圓W由第2面Wb藉由研削加工而薄膜化到預定的厚度。在此，半導體晶圓30的厚度，由半導體裝置的薄型化的觀點來看，較佳為100μm以下，更佳為調整至10μm以上50μm以下之厚度。藉此，藉由後續步驟之冷延展，得到內部具有可容易單片化為複數半導體晶片30a之改質區域30b的薄膜之半導體晶圓30(圖5之步驟S203：研削-薄膜化步驟)。又，於本研削-薄膜化步驟，半導體晶圓30的研削後的最終厚度，隨著雷射光照射的掃描次數(投入功率)、晶圓加工用膠帶T的物性等的不同，而在研削盤被施加研削負荷時，半導體晶圓30，以改質區域30b為起點在垂直方向上龜裂會前進，在此階段已被割斷為各個半導體晶片30a的場合，有龜裂未前進而未被割斷的場合。
其次，如圖7(d)、(e)所示，把被保持於晶圓加工用膠帶T的其內部具有複數改質區域30b的薄膜之半導體晶圓30(半導體晶圓30已被割斷為半導體晶片30a的場合為複數半導體晶片30a)對另行準備的晶圓切割黏晶膜20的黏晶膜3貼合(圖5之步驟S204：貼合步驟)。於本步驟，從切為圓形的晶圓切割黏晶膜20的黏著劑層2及黏晶膜(接著劑層)3剝離掉剝離襯墊後，如圖6所示，於晶圓切割黏晶膜20的晶圓切割膠帶10的外緣部(黏著劑層2露出部)貼附環框(晶圓環)40，同時在層積於晶圓切割膠帶10的黏著劑層2的上中央部的黏晶膜(接著劑層)3之上貼附被加工為可單片化的薄膜的半導體晶圓30(半導體晶圓30已被割斷為半導體晶片30a的場合為複數半導體晶片30a)。此後，如圖7(f)所示，由薄膜之半導體晶圓30(半導體晶圓30已被割斷為半導體晶片30a的場合為複數半導體晶片30a)剝掉晶圓加工用膠帶T。貼附，藉由壓接輥等推壓手段壓押同時進行的。貼附溫度沒有特別限定，例如20℃以上130℃以下的範圍為佳，由減少半導體晶圓30的翹曲的觀點來看，40℃以上100℃以下之範圍內為更佳。貼附壓力沒有特別限定，以0.1MPa以上10.0MPa以下的範圍為佳。本發明之晶圓切割膠帶10，具有一定的耐熱性，所以即使貼附溫度為高溫，其處理上沒有特別的問題。
接著，於晶圓切割黏晶膜20的晶圓切割膠帶10的黏著劑層2上貼附環框40後，如圖8(a)所示，伴隨著被加工為可單片化的薄膜的半導體晶圓30(半導體晶圓30已被割斷為半導體晶片30a的場合為複數半導體晶片30a)該晶圓切割黏晶膜20被固定於延展裝置的保持器41。如圖8(b)所示，薄膜之半導體晶圓30，以可單片化為複數半導體晶片30a的方式，沿著晶圓切割預定線X，於其內部被形成複數改質區域30b。
接著，在相對低溫(例如-30℃以上0℃以下)的條件下之第1延展步驟，亦即，冷延展步驟，如圖8(c)所示地進行，半導體晶圓30被單片化為複數半導體晶片30a，同時晶圓切割黏晶膜20的黏晶膜(接著劑層)3被割斷為對應於半導體晶片30a的大小的小片的黏晶膜(接著劑層)3a，得到附黏晶膜3a之半導體晶片30a(圖5之步驟S205；冷延展步驟)。在本步驟，延展裝置具備的中空圓柱形狀的頂起構件(未圖示)，於晶圓切割黏晶膜20的下側抵接於晶圓切割膠帶10而上升，被貼合加工為可單片化的半導體晶圓30之晶圓切割黏晶膜20的晶圓切割膠帶10，以被拉伸於半導體晶圓30的包含直徑方向及圓周方向的二次元方向的方式被延展。藉由冷延展往晶圓切割膠帶10的全方向之拉伸產生的內部應力，作為外部應力傳達至加工為可單片化的半導體晶圓30及被貼附於該半導體晶圓30的黏晶膜3。藉由此外部應力，半導體晶圓30，以形成於其內部的格子狀的複數改質區域30b為起點使龜裂成長於垂直方向，被割斷為各個半導體晶片30a，同時在低溫被脆化的黏晶膜3也被割斷為與半導體晶片30a相同尺寸的小片的黏晶膜3a。又，半導體晶圓30在研削-薄膜化步驟已被割斷為各個半導體晶片30a的場合，僅密接於半導體晶片30a的在低溫被脆化的黏晶膜3，藉由冷延展被割斷為對應於半導體晶片30a的大小的小片的黏晶膜3a，得到附黏晶膜3a之半導體晶片30a。
前述冷延展步驟之溫度條件，例如為-30℃以上0℃以下，較佳為-20℃以上-5℃以下的範圍，更佳為-15℃以上-5℃以下的範圍，特佳為-15℃。前述冷延展步驟之延展速度(中空圓柱狀的頂起構件上升的速度)，較佳為0.1mm/秒以上1000mm/秒以下之範圍，更佳為10mm/秒以上300mm/秒以下之範圍。此外，前述冷延展步驟之延展量(中空圓柱狀的頂起構件的頂起高度)，較佳為3mm以上16mm以下之範圍。
在此，本發明的晶圓切割膠帶10，首先，皆有使該基材膜1由包含特定量的聚醯胺樹脂的乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物為主成分之樹脂組成物所構成，可以使-15℃之5%伸長時的拉伸應力在適宜的範圍，所以藉由冷延展往晶圓切割膠帶10的全方向拉伸所產生的內部應力，可以有效率地作為外部應力傳達至加工為可單片化的半導體晶圓30及被貼附於該半導體晶圓30的黏晶膜3，結果，半導體晶圓30與黏晶膜3同時都生產率佳地被割斷。進而，本發明之晶圓切割膠帶10，使其黏著劑層2以具有特定玻璃轉移溫度(Tg)與羥基價的丙烯酸系黏著性高分子為主成分之黏著劑組成物所構成，藉由控制聚異氰酸酯系架橋劑的添加量，可以使架橋反應後的黏著劑組成物的韌性及殘存羥基濃度在適宜的範圍，所以在低溫下之黏晶膜3與黏著劑層2之界面被賦予適宜的衝擊緩和性與初期黏著力，結果，藉由冷延展加工為可單片化的半導體晶圓30或黏晶膜3被割斷時的衝擊力藉由黏著劑層2緩和，保持半導體晶片30a的小片的黏晶膜3a(接著劑層)的邊緣四方由黏著劑層2浮起、剝離受到抑制。
前述冷延展步驟之後，延展裝置的中空圓柱形狀的頂起構件下降，晶圓切割膠帶10之延展狀態被解除。
接著，在相對高溫(例如10℃以上30℃以下)的條件下之第2延展步驟，亦即，常溫延展步驟，如圖8(d)所示地進行，附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a間的距離(腓寬)擴大。在本步驟，延展裝置具備的中空圓柱狀的桌枱(未圖示)，於晶圓切割黏晶膜20的下側抵接於晶圓切割膠帶10而上升，晶圓切割黏晶膜20的晶圓切割膠帶10被延展(圖5之步驟S206：常溫延展步驟)。藉由藉著常溫延展步驟充分確保附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a間的距離(腓寬)，可提高根據CCD攝影機等之半導體晶片30a的辨識性，同時可以防止在拾取時由於鄰接的半導體晶片30a彼此接觸而產生的附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a彼此的再接著。結果，於後述的拾取步驟，附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a的拾取性提高。
前述常溫延展步驟之溫度條件，例如為10℃以上，較佳為15℃以上30℃以下的範圍。常溫延展步驟之延展速度(圓柱狀桌枱上升的速度)，例如為0.1mm/秒以上50mm/秒以下之範圍，較佳為0.3mm/秒以上30mm/秒以下之範圍。此外，常溫延展步驟之延展量，例如為3mm以上20mm以下之範圍。
藉由桌枱的上升使晶圓切割膠帶10被常溫延展後，桌枱真空吸附晶圓切割膠帶10。接著，在根據桌枱維持其吸附的狀態，桌枱伴隨著工件下降，晶圓切割膠帶10之延展狀態被解除。延展狀態解除後抑制晶圓切割膠帶10上的附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a的腓寬缩窄，而且在晶圓切割膠帶10被真空吸附於桌枱的狀態下，藉由以熱風吹拂晶圓切割膠帶10之半導體晶片30a保持區域更為外側的圓周部分使加熱收縮(heat shrink)，解消在延展產生的晶圓切割膠帶10的鬆弛而保持緊張狀態為佳。前述加熱收縮後，解除桌枱的真空吸附狀態。前述熱風的溫度，因應於基材膜1的物性、熱風吹出口與晶圓切割膠帶之距離、以及風量等而適當調整即可，例如在200℃以上250℃以下之範圍為佳。此外，熱風吹出口與晶圓切割膠帶之距離，例如在15mm以上25mm以下之範圍為佳。此外，風量例如在35L/分鐘以上45L/分鐘以下之範圍為佳。又，進行加熱收縮步驟時，使延展裝置的台座，例如以3˚/秒以上10˚/秒以下的範圍之轉速旋轉，同時沿著晶圓切割膠帶10的半導體晶片30a保持區域更為外側的圓周部分進行熱風吹拂。
本發明之晶圓切割膠帶10，作為其基材膜1，使用含有特定量的聚醯胺樹脂的乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物為主成分之樹脂組成物所構成的樹脂膜，所以具有一定的耐熱性。因此，於前述加熱收縮步驟，即使被吹拂高溫的熱風，也不會產生熱皺紋等，可以無問題地使晶圓切割膠帶10的圓周部分加熱收縮。
接著，藉由對晶圓切割膠帶10，由基材膜1側照射活性能量射線，使黏著劑層2硬化･收縮、使對黏著劑層2的黏晶膜3a的黏著力降低(圖5之步驟S207：活性能量射線照射步驟)。在此，作為用於前述後照射的活性能量射線，可以舉出紫外線、可見光、紅外線、電子線、β射線、γ射線等。這些活性能量射線之中，以紫外線(UV)及電子線(EB)為佳，特別以紫外線(UV)適宜使用。作為供照射前述紫外線(UV)之光源，並沒有特別限制，例如，可以使用黑光燈、紫外線螢光燈、低壓汞燈、中壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、碳弧燈、金屬鹵化物燈、氙燈等。此外，可以使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、準分子燈或同步輻射光等。前述紫外線(UV)的照射光量沒有特別限定，例如100mJ/cm 2以上2,000J/cm 2以下的範圍為佳，300mJ/cm 2以上1,000J/cm 2以下之範圍為更佳。
在此，本發明之晶圓切割膠帶10，如前所述，使其黏著劑層2在低溫下對黏晶膜(接著劑層)3的密接性提高，另一方面，構成黏著劑層2的活性能量射線硬化性黏著劑組成物，把活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度，控制在每1g活性能量射線硬化性黏著劑組成物含0.85mmol以上1.60mmol以下的範圍，所以紫外線(UV)照射後的黏著劑層2，藉由碳-碳雙鍵的三次元架橋反應使架橋密度變大，亦即，貯藏彈性率大幅上升同時玻璃轉移溫度也上升，體積收縮也變大，所以可以使對黏晶膜3a之黏著力充分降低。結果，於後述的拾取步驟，附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a的拾取性變得良好。
接著，把藉由前述延展步驟而割斷、單片化的分別的附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a，由晶圓切割膠帶10之紫外線(UV)照射後的黏著劑層2剝下進行所謂的拾取(圖5之步驟S208：剝離(拾取)步驟)。
作為前述拾取的方法，例如可以舉出，如圖8(e)所示，把附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a藉由頂栓(針)60頂起晶圓切割膠帶10的基材膜1的第2面，同時如圖8(f)所示，把被頂起的附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a，藉由拾取裝置(未圖示)的吸附筒夾(collet)50吸附而由晶圓切割膠帶10的黏著劑層2剝取的方法等。藉此，得到附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a。
拾取條件，在實用上只要是可以容許的範圍即可，沒有特別限制，通常，頂栓(針)60的頂起速度，多設定在1mm/秒以上100mm/秒以下之範圍內，半導體晶片30a的厚度(半導體晶圓的厚度)薄到100μm以下的場合，由抑制薄膜之半導體晶片30a的損傷的觀點來看，以設定在1mm/秒以上20mm/秒以下之範圍內為佳。從生產性的角度看，可以設定在5mm/秒以上20mm/秒以下之範圍內更佳。
此外，不損傷半導體晶片30a而可拾取的頂栓頂起高度，例如由與前述相同的觀點來看，可以設定在100μm以上600μm以下之範圍內為佳，由減輕對半導體薄膜晶片的應力的觀點來看，可以設定在100μm以上450μm以下之範圍內為更佳。從生產性的角度看，可以設定在100μm以上350μm以下之範圍內特佳。如此可以使頂起高度更小的晶圓切割膠帶可說是拾取性優異。
如以上所說明的，以含有特定的聚醯胺樹脂的乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物為主成分之基材膜1與特定的活性能量射線硬化性黏著劑組成物構成的黏著劑層2所構成的本發明之晶圓切割膠帶10，於半導體製造步驟，在晶圓切割膠帶10之黏著劑層2之上，可剝離地被密接、層積黏晶膜(接著劑層)3的晶圓切割黏晶膜20的形式使用的場合，貼合如導線埋入型黏晶膜那樣流動性高，厚度厚的黏晶膜而適用的場合，也具備可以耐得住各步驟的加熱處理之耐熱性，藉由冷延展使附黏晶膜3的半導體晶圓30良好地被割斷，同時藉由常溫延展可以充分確保腓寬，於割斷後的黏晶膜3a，充分抑制由晶圓切割膠帶10的黏著劑層2部分剝離(浮起)，使被割斷的各個附黏晶膜3a的半導體晶片30a可以良好地拾取。
又，於圖8(a)~(f)說明之製造方法，係使用晶圓切割黏晶膜20之半導體晶片30a之製造方法之一例(SDBG)，將晶圓切割膠帶10以晶圓切割黏晶膜20的形式使用的方法，則並不以上述方法為限。亦即，本實施形態之晶圓切割黏晶膜20，只要是在切割時，被黏貼在半導體晶圓30者，即可不受限定於上述方法來使用。
其中，本發明之晶圓切割膠帶10，在DBG、隱形切割、SDBG等供得到薄膜半導體晶片之製造方法，與導線埋入型黏晶膜一體化而作為晶圓切割黏晶膜使用之晶圓切割膠帶為適宜的。當然，與泛用黏晶膜一體化而使用亦為可能。
＜半導體裝置之製造方法＞ 以下，具體說明被搭載了使用本實施形態適用的晶圓切割膠帶10與黏晶膜3一體化之晶圓切割黏晶膜20而製造的半導體晶片之半導體裝置。
半導體裝置(半導體封裝)，例如可以藉由將前述之附黏晶膜(接著劑層)3a之半導體晶片30a加熱壓接於半導體晶片搭載用支撐構件或半導體晶片而接著，其後，經過導線接合步驟與根據密封材之密封步驟等步驟而得。
圖9，是被搭載了使用本實施形態適用的晶圓切割膠帶10與導線埋入型黏晶膜3一體化之晶圓切割黏晶膜20而製造的半導體晶片之層積構成的半導體裝置之一態樣之模式剖面圖。圖9所示的半導體裝置70，具備著半導體晶片搭載用支撐基板4，被硬化的黏晶膜(接著劑層)3a1、3a2、第一段的半導體晶片30a1、第二段的半導體晶片30a2、與密封材8。半導體晶片搭載用支撐基板4，被硬化的黏晶膜3a1、及半導體晶片30a1，構成半導體晶片30a2的支撐構件9。
於半導體晶片搭載用支撐基板4之一方之面，被配置複數外部連接端子5，於半導體晶片搭載用支撐基板4之另一方之面，被配置複數端子6。半導體晶片搭載用支撐基板4，具有導電連接半導體晶片30a1及半導體晶片30a2之連接端子(未圖示)，及外部連接端子5之用的導線7。半導體晶片30a1，藉由被硬化的黏晶膜3a1在半導體晶片搭載用支撐基板4上以埋入來自外部連接端子5的凹凸的形式被接著。半導體晶片30a2，藉由被硬化的黏晶膜3a2接著於半導體晶片30a1。半導體晶片30a1、半導體晶片30a2及導線7，藉由密封材8密封著。如此，導線埋入型黏晶膜3a，適宜地使用於重疊複數半導體晶片30a的層積構成的半導體裝置。
此外，圖10，是被搭載了使用本實施形態適用的晶圓切割膠帶10與泛用黏晶膜3一體化之晶圓切割黏晶膜20而製造的半導體晶片之其他的半導體裝置之一態樣之模式剖面圖。圖10所示的半導體裝置80，具備著半導體晶片搭載用支撐基板4，被硬化的黏晶膜3a、半導體晶片30a、密封材8。半導體晶片搭載用支撐基板4，為半導體晶片30a的支撐構件，具有導電連接半導體晶片30a之連接端子(未圖示)與被配置於半導體晶片搭載用支撐基板4的主面的外部連接端子(未圖示)之用的導線7。半導體晶片30a，藉由被硬化的黏晶膜3a被接著於半導體晶片搭載用支撐基板4。半導體晶片30a及導線7，藉由密封材8密封著。 [實施例]
藉由以下的實施例更具體地說明本發明，但本發明並不以這些實施例為限。
1.基材膜1之製作 作為供製作基材膜1(a)~(s)之材料分別準備下列樹脂。
(乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)) ･樹脂(IO1) 乙烯/甲基丙烯酸/2-甲基丙基丙烯酸酯=80/10/10之質量比率所構成的三元共聚物，根據Zn 2+離子之中和度：60mol%、融點：86℃、MFR：1g/10分鐘(190℃/2.16kg荷重)、密度：0.96g/cm 3･樹脂(IO2) 乙烯/甲基丙烯酸=85/15之質量比率所構成的二元共聚物，根據Zn 2+離子之中和度：23mol%、MFR：5g/10分鐘(190℃/2.16kg荷重)、融點：91℃、密度：0.95g/cm 3
(聚醯胺樹脂(B)) ･樹脂(PA1) 尼龍6、融點：225℃、密度：1.13g/cm 3･樹脂(PA2) 尼龍6-12、融點：215℃、密度：1.06g/cm 3
(其他樹脂(C)) ･樹脂(EMAA1) 乙烯/甲基丙烯酸=91/9之質量比率所構成的二元共聚物、融點：99℃、MFR：3g/10分鐘(190℃/2.16kg荷重)、密度：0.93g/cm 3･樹脂(EMAA2) 乙烯/甲基丙烯酸=91/9之質量比率所構成的二元共聚物、融點：98℃、MFR：5g/10分鐘(190℃/2.16kg荷重)、密度：0.93g/cm 3･樹脂(PP) 隨機共聚合聚丙烯、融點：138℃ ･樹脂(EVA) 乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、醋酸乙烯酯含量20質量%、融點：82℃、密度：0.94g/cm 3･樹脂(PVC) 氯乙烯、融點：95℃
(基材膜1(a)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA1)。首先，將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=95:5之質量比率進行乾混合。接著，對二軸壓出機的樹脂投入口投入乾混合之混合物，藉著在模具溫度230℃下熔融混練，得到基材膜1(a)用樹脂組成物。把得到的樹脂組成物，使用1種(同一樹脂)3層T型模具膜成形機，投入分別的壓出機，以加工溫度240℃的條件成形，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(a)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=95:5。
(基材膜1(b)) 除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=90:10之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(b)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/ 30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=90:10。
(基材膜1(c)) 除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=85:15之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(c)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/ 30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=85:15。
(基材膜1(d)) 除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=80:20之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(d)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/ 30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=80:20。
(基材膜1(e)) 除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=74:26之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(e)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=74:26。
(基材膜1(f)) 除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=72:28之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(f)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/ 30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=72:28。
(基材膜1(g)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA1)。首先，作為第1層、第3層用之樹脂，將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=72:28之質量比率進行乾混合。接著，對二軸壓出機的樹脂投入口投入乾混合之混合物，藉著在模具溫度230℃下熔融混練，得到基材膜1(g)之第1層、第3層用樹脂組成物。此外，作為第2層用之樹脂，單獨使用前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)。把分別的樹脂組成物及樹脂，使用2種(2種類樹脂)3層T型模具膜成形機，投入分別的壓出機，以加工溫度240℃的條件成形，製作2種類樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(g)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=81:19。
(基材膜1(h)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA1)，作為其他樹脂(C)準備(EMAA1)。首先，作為第1層、第3層用之樹脂，將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=85:15之質量比率進行乾混合。接著，對二軸壓出機的樹脂投入口投入乾混合之混合物，藉著在模具溫度230℃下熔融混練，得到基材膜1(h)之第1層、第3層用樹脂組成物。此外，作為第2層用之樹脂，單獨使用前述其他樹脂(C)之(EMAA1)。把分別的樹脂組成物及樹脂，使用2種(2種類樹脂)3層T型模具膜成形機，投入分別的壓出機，以加工溫度240℃的條件成形，製作2種類樹脂之3層構成的厚度80μm的基材膜1(h)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/20μm/30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=85:15。此外，層全體之樹脂(A)與樹脂(B)之合計量的含有比例為75質量%。
(基材膜1(i)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA1)，作為其他樹脂(C)準備(EMAA2)。首先，作為第1層、第3層用之樹脂，將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=90:10之質量比率進行乾混合。接著，對二軸壓出機的樹脂投入口投入乾混合之混合物，藉著在模具溫度230℃下熔融混練，得到基材膜1(i)之第1層、第3層用樹脂組成物。此外，作為第2層用之樹脂，單獨使用前述其他樹脂(C)之(EMAA2)。把分別的樹脂組成物及樹脂，使用2種(2種類樹脂)3層T型模具膜成形機，投入分別的壓出機，以加工溫度240℃的條件成形，製作2種類樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(i)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=35μm/20μm/35μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=90:10。此外，層全體之樹脂(A)與樹脂(B)之合計量的含有比例為78質量%。
(基材膜1(j)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA1)。首先，作為第1層、第2層用之樹脂，將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=90:10之質量比率進行乾混合。接著，對二軸壓出機的樹脂投入口投入乾混合之混合物，藉著在模具溫度230℃下熔融混練，得到基材膜1(j)之第1層、第2層用樹脂組成物。把分別的樹脂組成物，使用1種(同一樹脂)2層T型模具膜成形機，投入分別的壓出機，以加工溫度240℃的條件成形，製作了同一樹脂之2層構成的厚度90μm的基材膜1(j)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層=45μm/45μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=90:10。
(基材膜1(k)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA1)。首先，作為第1層用之樹脂，將前述離子聚合物樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=90:10之質量比率進行乾混合。接著，對二軸壓出機的樹脂投入口投入乾混合之混合物，藉著在模具溫度230℃下熔融混練，得到基材膜1(k)之第1層用樹脂組成物。接著，作為第2層用之樹脂，將前述離子聚合物樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=80:20之質量比率進行乾混合。接著，對二軸壓出機的樹脂投入口投入乾混合之混合物，藉著在模具溫度230℃下熔融混練，得到基材膜1(k)之第2層用樹脂組成物。把分別的樹脂組成物，使用2種(同一樹脂)2層T型模具膜成形機，投入分別的壓出機，以加工溫度240℃的條件成形，製作2種類樹脂之2層構成的厚度100μm的基材膜1(k)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層=50μm/50μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=90:10。
(基材膜1(l)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA1)。將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=70:30之質量比率進行乾混合。接著，對二軸壓出機的樹脂投入口投入乾混合之混合物，藉著在模具溫度230℃下熔融混練，得到基材膜1(l)用樹脂組成物。把得到的樹脂組成物，使用T型模具膜成形機，投入壓出機，以加工溫度240℃的條件成形，製作了單層構成的厚度90μm的基材膜1(l)。
(基材膜1(m)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA2)。除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA2)，以(A):(B)= 88:12之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(m)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=88:12。
(基材膜1(n)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO2)，作為聚醯胺樹脂(B)準備(PA1)。除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO2)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=92:8之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(n)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=92:8。
(基材膜1(o)) 作為離子聚合物構成的樹脂(A)準備(IO1)。除了不乾混合聚醯胺樹脂(B)=(PA1)以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂(僅離子聚合物構成的樹脂(A))之3層構成的厚度90μm的基材膜1(o)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/30μm。
(基材膜1(p)) 除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=97:3之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(a)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(p)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/ 30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=97:3。
(基材膜1(q)) 除了將前述離子聚合物構成的樹脂(A)=(IO1)以及前述聚醯胺樹脂(B)=(PA1)，以(A):(B)=70:30之質量比率進行乾混合以外，與基材膜1(q)同樣進行，製作了同一樹脂之3層構成的厚度90μm的基材膜1(q)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層2相接之面側)/第2層/第3層=30μm/30μm/ 30μm。層全體之離子聚合物構成的樹脂(A)之總量與聚醯胺樹脂(B)之總量的質量比率，為(A)總量：(B)總量=70:30。
(基材膜1(r)) 作為其他樹脂(C)，準備(PP)及(EVA)。作為第1層及第3層用樹脂使用(PP)，作為第2層用樹脂使用(EVA)，把分別的樹脂，使用2種(2種類樹脂)3層T型模具膜成形機，投入分別的壓出機，以加工溫度150℃的條件成形，製作2種3層構成的厚度80μm的基材膜1(r)。各層的厚度，為第1層(與黏著劑層相接之面側)/第2層/第3層=8μm/64μm/ 8μm。
(基材膜1(s)) 作為其他樹脂(C)，準備(PVC)。將此樹脂，使用T型模具膜成形機，投入壓出機，以加工溫度150℃的條件成形，製作了單層構成的厚度90μm的基材膜1(s)。
[基材膜之-15℃之5%伸長時之應力] 針對前述製作的基材膜1(a)~(s)，於-15℃之溫度環境下，求出5%伸長時之應力。作為試驗片，以T型模具在熔融成形時之壓出方向為MD方向，與MD方向垂直的方向為TD方向的場合，準備了2種：(1)裁斷成在MD方向長度70mm，在TD方向寬幅10mm的大小之試驗片，(2)裁斷成在TD方向長度70mm，在MD方向寬幅10mm的大小之試驗片。接著，使用MinebeaMitsumi公司製造的拉伸壓縮試驗機(型號：MinebeaTechnoGraph TG-5kN)，將試驗片放入MinebeaMitsumi公司製造的恆溫槽(型號：THB-A13-038)內，在-15℃放置1分鐘後，將試驗片以夾頭距離50mm，伸長速度(拉伸速度)300mm/分鐘的條件在長度方向拉伸，對初期長度(夾頭距離50mm)測定了伸長5%時的強度(單位為N)。將得到的強度，除以桌枱的剖面積(單位為mm 2)之數值，作為-15℃之5%伸長時的應力(單位為MPa)。
[基材膜之耐熱性] 針對前述製作的基材膜1(a)~(s)，評估140℃之耐熱性。準備裁斷為MD方向長度100mm，TD方向寬幅30mm的大小的試驗片，於試驗片的中央部，以奇異筆在MD方向記入長度60mm的標線。將各試驗片以MD方向成為上下方向的方式懸吊在恆溫槽(調整為140℃)內，於各試驗片的下側掛上5g的荷重，在140℃的環境下保存2分鐘後，測定其標線長度L1(mm)，算出對加熱試驗前的標線長度L0(=60mm)之變化率。 變化率(%)=[(L1-L0)/L0]×100 依照以下的基準，評估基材膜1的耐熱性，把B以上的評估判斷為耐熱性良好。 A：變化率在±10%之範圍內。 B：變化率超過±10%之範圍，在±14%之範圍內。 C：變化率超過±14%之範圍。
2.黏著劑組成物的溶液之調製 作為晶圓切割膠帶10之黏著劑層2用的黏著劑組成物，調製了下列活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(a)~(r)之溶液。 又，作為構成這些黏著劑組成物的基礎高分子(丙烯酸酯共聚物)之共聚合單體成分，準備了 ･2-乙基己基丙烯酸酯(2-EHA，分子量：184.3，Tg：-70℃)、 ･2-丙烯酸羥乙酯(2-HEA，分子量：116.12，Tg：-15℃)、 ･丙烯酸丁酯(BA，分子量：128.17，Tg：-54℃)、 ･甲基丙烯酸甲酯(MMA，分子量：100.12，Tg：105℃)、 ･甲基丙烯酸(MAA，分子量：86.06，Tg：130℃)。 此外，作為聚異氰酸酯系架橋劑，準備了TOSOH公司製造之 ･TDI系多異氰酸酯系架橋劑(商品名：Coronate L-45E，固形成分濃度：45質量%，溶液中的異氰酸酯基含量：8.05質量%，固形成分中的異氰酸酯基含量：17.89質量%)，計算的異氰酸酯基數目：平均2.8個/1分子，分子量：656.64)、 ･HDI系多異氰酸酯系架橋劑(商品名：Coronate HL、固形成分濃度：75質量%、溶液中的異氰酸酯基含量：12.8質量%、固形成分中的異氰酸酯基含量：17.07質量%、計算的異氰酸酯基數目：平均2.6個/1分子，分子量：638.75)。
(活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(a)之溶液) 作為共聚合單體成分，準備了丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、丙烯酸-2羥乙酯(2-HEA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)。將這些共聚合單體成分，以2-EHA/2-HEA/MMA=78.5質量部/21.0質量部/0.5質量部(=425.94mmol/180.85mmol/5.81mmol)的共聚合比率的方式混合，作為溶媒使用乙酸乙酯，作為開始劑使用偶氮二異丁腈(AIBN)，藉由溶液自由基聚合，合成了具有羥基的基礎高分子(丙烯酸酯共聚物)之溶液。藉由所得到的基礎高分子的Fox式算出之Tg為-60℃。
接著，對此基礎高分子的固形成分100質量部，作為昭和電工公司製造的活性能量射線反應性化合物，配合昭和電工公司製造的具有異氰酸酯基和活性能量射線反應性碳-碳雙鍵的2-異氰酸酯甲基丙烯酸乙酯(商品名：Karenz MOI，分子量：155.15，異氰酸酯基：1個/1分子，雙鍵基：1個/1分子)21.0質量部(135.35mmol：對2-HEA為74.8mol%)，使與2-HEA的羥基的一部分反應，合成了於側鏈具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系黏著性高分子(A)的溶液(固形成分濃度：50質量%，重量平均分子量Mw：38萬，固形成分羥基價：21.1mgKOH/g，固形成分酸價：2.7mgKOH/g，碳-碳雙鍵含量：1.12mmol/g)。又，於前述反應，作為供維持碳-碳雙鍵的反應性之用的聚合禁止劑使用0.05質量部的對苯二酚單甲醚。
接著，對前述合成的丙烯酸系黏著性高分子(A)的溶液200質量部(固形成分換算為100質量部)，使用IGM Resins B.V.公司製造的α-羥基烷基苯酮系光聚合開始劑(商品名：Omnirad184)2.0質量部，IGM Resins B.V.公司製造的醯基氧化膦系光聚合開始劑(商品名：Omnirad819) 0.4質量部，作為架橋劑之Tosoh公司製造的TDI系的聚異氰酸酯系架橋劑(商品名：Coronate L-45E、固形成分濃度：45質量%)2.56質量部(固形成分換算為1.15質量部，1.75mmol)的比率配合，用乙酸乙酯稀釋、攪拌，調製出固形成分濃度為22質量%的活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組合物2(a)之溶液。活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(a)之聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)為0.13，殘存羥基濃度為0.32mmol/g，碳-碳雙鍵含量為1.11mmol/g。
(活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(b)~2(t)之溶液) 對丙烯酸系黏著性高分子(A)，分別如表3~6所示適當變更共聚合單體成分之共聚合比率、活性能量射線反應性化合物的配合量，及共聚合單體成分，分別合成丙烯酸系黏著性高分子(B)~(Q)之溶液。合成之丙烯酸系黏著性高分子(B)~(Q)之基礎高分子的Tg、重量平均分子量Mw、酸價及羥基價，分別如表3~6所示。接著，使用這些丙烯酸系黏著性高分子溶液，對丙烯酸系黏著性高分子(A)~(Q)之固形成分換算100質量部，分別如表3~6所示地適當配合光聚合開始劑及聚異氰酸酯系架橋劑，調製出活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組合物2(b)~2(t)之溶液。活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(b)~2(t)之聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)、殘存羥基濃度及碳-碳雙鍵含量，分別如表3~6所示。
3.接著劑組成物溶液之調製 作為晶圓切割黏晶膜20之黏晶膜(接著劑層)3用的接著劑組成物，調製了下列接著劑組成物3(a)~3(d)之溶液。
(接著劑組成物3(a)之溶液) 作為導線埋入型黏晶膜用，調製、準備了以下的接著劑組成物溶液3(a)之溶液。首先，作為熱硬化性樹脂使用Printec公司製造的雙酚型環氧樹脂(商品名：R2710，環氧當量：170，分子量：340，常溫為液狀)26質量部，東都化成公司製造的甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(商品名：YDCN-700-10，環氧當量210，軟化點80℃)36質量部，作為架橋劑之三井化學公司製造的酚醛樹脂(商品名：Millex XLC-LL，羥基當量：175，軟化點：77℃，吸水率：1質量%，加熱質量減少率：4質量%)1質量部，AIR WATER公司製造的酚醛樹脂(商品名：HE200C-10，羥基當量：200，軟化點：71℃，吸水率：1質量%，加熱質量減少率：4質量%)25質量部，AIR WATER公司製造的酚醛樹脂(商品名：HE910-10，羥基當量：101，軟化點：83℃，吸水率：1質量%，加熱質量減少率：3質量%)12質量部，作為無機填充物之Admatechs公司製造的二氧化矽填充物分散液(商品名：SC2050-HLG，平均粒徑：0.50μm)15質量部，Admatechs公司製造的二氧化矽填充物分散液(商品名：SC1030-HJA，平均粒徑：0.25μm)14質量部，Nippon Aerosil公司製造的二氧化矽(商品名：Aerosil R972，平均粒徑：0.016μm)1質量部所構成的樹脂組成物，作為溶媒加入環己酮攪拌混合，進而使用珠磨機分散90分鐘。
接著，對前述樹脂組成物，加入作為熱塑性樹脂之Nagase ChemteX公司製造的含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：HTR-860P-30B-CHN，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯含量：8質量%、重量平均分子量Mw：23萬，Tg：-7℃)37質量部，Nagase ChemteX公司製造的含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：HTR-860P-3CSP，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯含量：3質量%，重量平均分子量Mw：80萬，Tg：-7℃)9質量部，作為矽烷耦合劑之GE東芝公司製造的γ-脲基丙基三乙氧基矽烷(商品名：NUC A-1160)0.7質量部、GE東芝公司製造的γ-脲基丙基三乙氧基矽烷(商品名：NUC A-189)0.3質量部、以及作為硬化促進劑之四國化成公司製造的1-氰乙基-2-苯基咪唑(商品名：Curesol 2PZ-CN)0.03質量部，攪拌混合，用100目過濾器過濾後，真空脫氣，調製了固形成分濃度20質量%的接著劑組成物3(a)之溶液。樹脂成分全量(熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂及架橋劑的合計質量)之各樹脂成分的含有比例，為含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物：環氧樹脂：酚醛樹脂=31.5質量%：42.5質量%：26.0質量%。此外，無機填充物的含量相對於樹脂成分全量為20.5質量%。
(接著劑組成物3(b)之溶液) 作為導線埋入型黏晶膜用，調製、準備了以下的接著劑組成物溶液3(b)之溶液。首先，作為熱硬化性樹脂使用東都化成公司製造的雙酚F型環氧樹脂(商品名：YDF-8170C，環氧當量：159，分子量：310，常溫為液狀)21質量部，東都化成公司製造的甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(商品名：YDCN-700-10，環氧當量210，軟化點80℃)33質量部，作為架橋劑之AIR WATER公司製造的酚醛樹脂(商品名：HE200C-10，羥基當量：200，軟化點：71℃，吸水率：1質量部，加熱質量減少率：4質量部)46質量部，作為無機填充物之Admatechs公司製造的二氧化矽填充物分散液(商品名：SC1030-HJA，平均粒徑：0.25μm)18質量部所構成的樹脂組成物，作為溶媒加入環己酮攪拌混合，進而使用珠磨機分散90分鐘。
接著，對前述樹脂組成物，加入作為熱塑性樹脂之Nagase ChemteX公司製造的含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：HTR-860P-30B-CHN，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯含量：8質量%、重量平均分子量Mw：23萬，Tg：-7℃)16質量部，Nagase ChemteX公司製造的含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：HTR-860P-3CSP，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯含量：3質量%，重量平均分子量Mw：80萬，Tg：-7℃)64質量部，作為矽烷耦合劑之GE東芝公司製造的γ-脲基丙基三乙氧基矽烷(商品名：NUC A-1160)1.3質量部、GE東芝公司製造的γ-脲基丙基三乙氧基矽烷(商品名：NUC A-189)0.6質量部、以及作為硬化促進劑之四國化成公司製造的1-氰乙基-2-苯基咪唑(商品名：Curesol 2PZ-CN)0.05質量部，攪拌混合，用100目過濾器過濾後，真空脫氣，調製了固形成分濃度20質量%的接著劑組成物3(b)之溶液。樹脂成分全量(熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂及架橋劑的合計質量)之各樹脂成分的含有比例，為含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物：環氧樹脂：酚醛樹脂=44.4質量%：30.0質量%：25.6質量%。此外，無機填充物的含量相對於樹脂成分全量為10.0質量%。
(接著劑組成物3(c)之溶液) 作為導線埋入型黏晶膜用，調製、準備了以下的接著劑組成物溶液3(c)之溶液。首先，作為熱硬化性樹脂使用Printec公司製造的雙酚型環氧樹脂(商品名：R2710，環氧當量：170，分子量：340，常溫為液狀)11質量部，DIC公司製造的雙環戊二烯型環氧樹脂(商品名：HP-7200H，環氧當量280，軟化點83℃)40質量部，DIC公司製造的雙酚S型環氧樹脂(商品名：EXA-1514，環氧當量300，軟化點75℃)18質量部，作為架橋劑之三井化學公司製造的酚醛樹脂(商品名：Millex XLC-LL，羥基當量：175，軟化點：77℃，吸水率：1質量%，加熱質量減少率：4質量%)1質量部，AIR WATER公司製造的酚醛樹脂(商品名：HE200C-10，羥基當量：200，軟化點：71℃，吸水率：1質量%，加熱質量減少率：4質量%)20質量部，AIR WATER公司製造的酚醛樹脂(商品名：HE910-10，羥基當量：101，軟化點：83℃，吸水率：1質量%，加熱質量減少率：3質量%)10質量部，作為無機填充物之Admatechs公司製造的二氧化矽填充物分散液(商品名：SC1030-HJA，平均粒徑：0.25μm)24質量部，Nippon Aerosil公司製造的二氧化矽(商品名：Aerosil R972，平均粒徑：0.016μm)0.8質量部所構成的樹脂組成物，作為溶媒加入環己酮攪拌混合，進而使用珠磨機分散90分鐘。
接著，對前述樹脂組成物，加入作為熱塑性樹脂之Nagase ChemteX公司製造的含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：HTR-860P-30B-CHN，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯含量：8質量%、重量平均分子量Mw：23萬，Tg：-7℃)30質量部，Nagase ChemteX公司製造的含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：HTR-860P-3CSP，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯含量：3質量%，重量平均分子量Mw：80萬，Tg：-7℃)7.5質量部，作為矽烷耦合劑之GE東芝公司製造的γ-脲基丙基三乙氧基矽烷(商品名：NUC A-1160)0.57質量部、GE東芝公司製造的γ-脲基丙基三乙氧基矽烷(商品名：NUC A-189)0.29質量部、以及作為硬化促進劑之四國化成公司製造的1-氰乙基-2-苯基咪唑(商品名：Curesol 2PZ-CN)0.023質量部，攪拌混合，用100目過濾器過濾後，真空脫氣，調製了固形成分濃度20質量%的接著劑組成物3(c)之溶液。樹脂成分全量(熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂及架橋劑的合計質量)之各樹脂成分的含有比例，為含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物：環氧樹脂：酚醛樹脂=27.3質量%：50.2質量%：22.5質量%。此外，無機填充物的含量相對於樹脂成分全量為18.0質量%。
(接著劑組成物3(d)之溶液) 作為泛用黏晶膜用，調製、準備了以下的接著劑組成物3(d)之溶液。首先，作為熱硬化性樹脂使用東都化成公司製造的甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(商品名：YDCN-700-10，環氧當量210，軟化點80℃)54質量部，作為架橋劑之三井化學公司製造的酚醛樹脂(商品名：Millex XLC-LL，羥基當量：175，吸水率：1.8%)46質量部，作為無機填充物之Nippon Aerosil公司製造的二氧化矽(商品名：Aerosil R972，平均粒徑0.016μm)32質量部所構成的樹脂組成物，作為溶媒加入環己酮攪拌混合，進而使用珠磨機分散90分鐘。
接著，對前述樹脂組成物，加入作為熱塑性樹脂之Nagase ChemteX公司製造的含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：HTR-860P-3CSP，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯含量：3質量%，重量平均分子量Mw：80萬，Tg：-7℃)274質量部，作為矽烷耦合劑之GE東芝公司製造的γ-脲基丙基三乙氧基矽烷(商品名：NUC A-1160)5.0質量部、GE東芝公司製造的γ-脲基丙基三乙氧基矽烷(商品名：NUC A-189)1.7質量部、以及作為硬化促進劑之四國化成公司製造的1-氰乙基-2-苯基咪唑(商品名：Curesol 2PZ-CN)0.1質量部，攪拌混合，用100目過濾器過濾後，真空脫氣，調製了固形成分濃度20質量%的接著劑組成物3(d)之溶液。樹脂成分全量(熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂及架橋劑的合計質量)之各樹脂成分的含有比例，為含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物：環氧樹脂：酚醛樹脂=73.3質量%：14.4質量%：12.3質量%。此外，無機填充物的含量相對於樹脂成分全量為8.6質量%。
4.晶圓切割膠帶10及晶圓切割黏晶膜20之製作 (實施例1) 以在剝離襯墊(厚度38μm，聚對苯二甲酸乙二酯膜)之剝離處理面側乾燥後的黏著劑層2的厚度成為8μm的方式，塗布前述活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物(a)之溶液藉由在100℃之溫度加熱3分鐘使溶媒乾燥後，於黏著劑層2上貼合基材膜1(a)的第1層側的表面，製作了晶圓切割膠帶10之整卷。其後，將晶圓切割膠帶10之整卷在溫度23℃保存96小時而使黏著劑層2架橋、硬化。
接著，準備黏晶膜(接著劑層)3形成用之接著劑組成物3(a)之溶液，以在剝離襯墊(厚度38μm，聚對苯二甲酸乙二酯膜)之剝離處理面側使乾燥後的黏晶膜(接著劑層)3的厚度成為50μm的方式，塗布前述接著劑組成物3(a)之溶液，藉由首先為90℃之溫度5分鐘，接著140℃之溫度5分鐘之2階段加熱使溶媒乾燥後，製作了具備剝離襯墊的黏晶膜(接著劑層)3。又，因應需要，於黏晶膜(接著劑層)3的乾燥面側貼合保護膜(例如聚乙烯膜等)亦可。
接著，將前述製作的具備剝離襯墊的黏晶膜(接著劑層)3，對各剝離襯墊切割為直徑335mm的圓形，把該黏晶膜(接著劑層)3的接著劑層露出面(沒有剝離襯墊之面)，貼合在剝離了剝離襯墊的前述晶圓切割膠帶10的黏著劑層2面。貼合條件為23℃，10mm/秒，線壓30kgf/cm。
最後，藉由將晶圓切割膠帶10切割為直徑370mm的圓形，本製作了在直徑370mm的圓形的晶圓切割膠帶10的黏著劑層2之上中心部被層積直徑335mm的圓形的黏晶膜(接著劑層)3之晶圓切割黏晶膜20(DDF(a))。
(實施例2~14) 除了將基材膜1(a)分別變更為表1~3所示的基材膜1(b)~1(n)以外，全部與實施例1同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(b)~DDF(n))。但是，僅實施例10及實施例12，使黏著劑層2的厚度分別為7μm、15μm。
(實施例15~27) 除了將活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(a)之溶液，分別變更為表3~5所示的活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(b)~2(n)之溶液以外，全部與實施例2同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(o)~ DDF(aa))。
(實施例28) 除了乾燥後的黏著劑層2的厚度變更為6μm以外，全部與實施例2同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(bb))。
(實施例29) 除了乾燥後的黏著劑層2的厚度變更為20μm以外，全部與實施例2同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(cc))。
(實施例30) 除了將接著劑樹脂組成物3(a)的溶液變更為接著劑組成物3(b)的溶液，乾燥後的黏晶膜(接著劑層)3的厚度變更為30μm以外，全部與實施例2同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(dd))。
(實施例31) 除了接著劑樹脂組成物3(a)之溶液變更為接著劑組成物3(c)之溶液以外，全部與實施例2同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(ee))。
(實施例32) 除了接著劑樹脂組成物3(a)之溶液變更為接著劑組成物3(d)之溶液，乾燥後的黏晶膜(接著劑層)3的厚度變更為20μm以外，全部與實施例2同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(ff))。
(比較例1~6) 除了將基材膜1(a)變更為基材膜1(o)，活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(a)之溶液，分別變更為表7所示的活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(o)~2(t)之溶液以外，全部與實施例1同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(gg)~DDF(ll))。
(比較例7~12) 除了將活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(a)之溶液，分別變更為表8所示的活性能量射線硬化性丙烯酸系黏著劑組成物2(o)~2(t)之溶液以外，全部與實施例2同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(mm) ~DDF(rr))。
(比較例13) 除了將基材膜1(a)變更為基材膜1(o)以外，全部與實施例1同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(ss))。
(比較例14) 除了將基材膜1(a)變更為基材膜1(p)以外，全部與實施例1同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(tt))。
(比較例15) 除了將基材膜1(a)變更為基材膜1(q)以外，全部與實施例1同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(uu))。
(比較例16) 除了將基材膜1(a)變更為基材膜1(r)以外，全部與比較例1同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(vv))。
(比較例17) 除了將基材膜1(a)變更為基材膜1(s)以外，全部與比較例1同樣進行，製作了晶圓切割黏晶膜20(DDF(ww))。
5.晶圓切割黏晶膜之評估方法 針對在實施例1~32及比較例1~17製作的晶圓切割膠帶10及晶圓切割黏晶膜20(DDF(a)~DDF(ww))，以下列所示方法進行了各種測定及評估。
5.1 黏晶膜(接著劑層)3之80℃剪切黏度之測定 針對由接著劑組成物3(a)~3(d)之溶液形成的各黏晶膜(接著劑層)3，以下列方法測定了80℃的剪切黏度。亦即，以使除去剝離襯墊的黏晶膜(接著劑層)3成為總厚200~210μm的方式在70℃貼合複數枚製作了層積體。接著，將該層積體，在厚度方向沖壓為10mm×10mm的大小作為測定試樣。接著，使用動態黏彈性裝置ARES Leometric Scientific FE公司製造)，安裝於直徑8mm的圓形鋁板治具後，設置測定試樣。對測定試樣在35℃下提供5%的形變，同時以升溫速度5℃/分鐘的條件使測定試樣升溫同時測定剪切黏度，求出在80℃之剪切黏度之值。
5.2 對黏晶膜(接著劑層)3之晶圓切割膠帶10的黏著劑層2的UV照射後黏著力的測定 分別準備了在各實施例及比較例製作的晶圓切割膠帶10與黏晶膜(接著劑層)3。晶圓切割膠帶10裁斷為寬幅(基材膜1的TD方向)30mm，長度(基材膜1的MD方向)300mm的大小，黏晶膜20裁斷為寬幅30mm，長度100mm的大小。在剝掉晶圓切割膠帶10的剝離襯墊之黏著劑層2面之端起100mm的部分，把黏晶膜(接著劑層)3的接著劑層露出面(無剝離襯墊之面)，在溫度23℃，濕度50%RH的環境，使用2kg的橡膠輥壓接同時整齊地重疊貼合。將此層積體在5℃的環境固化24小時後，在溫度23℃，濕度50%RH的環境，在黏晶膜(接著劑層)3的剝離了剝離襯墊的面，使用2kg的橡膠輥，壓接Oji Tac公司製造的OPP膜基材單面黏著膠帶11(商品名：Easy Cut Tape 207H，厚度70μm)的黏著劑層側之面同時貼合而加襯。將此層積體，以成為寬幅25mm的方式以新的切刀刀刃再次裁斷，成為圖11(a)所示的試驗片。接著，如圖11(b)所示，將前述試驗片之OPP膜基材單面黏著膠帶11側之面，在角度自由調整型黏著/薄膜剝離解析裝置(型號：VPA-2S，協和界面科學公司製造)用的平板交叉載台的中央，使用Maxell公司製造的紙雙面黏著膠帶12(商品名：No. 5486，厚度140 μm)，以2 kg橡膠輥壓接同時固定。接著，由晶圓切割黏晶膜20的晶圓切割膠帶10的基材膜1側使用金屬鹵化物燈，照射中心波長為365nm的紫外線(UV)(照射強度：70mW/cm 2，累積光量150mJ/cm 2)後，將該固定試驗片的平板交叉載台安裝在角度自由調整型黏著/薄膜剝離解析裝置，在溫度23℃，濕度50%RH的環境，如圖11(c)(從正上方觀察裝置之概略圖)所示，在剝離角度30˚，剝離速度600mm/分鐘的條件下，拉動晶圓切割膠帶10側(實際上是使平板交叉載台移動)，測定對黏晶膜(接著劑層)3之晶圓切割膠帶10的低角度(剝離角度30˚)黏著力(單位為N/25mm)(試驗片N=3之平均值)。
5.3 對黏晶膜3(接著劑層)之晶圓切割膠帶10的黏著劑層2之-30℃之剪斷接著力 分別準備了晶圓切割膠帶10與黏晶膜(接著劑層)3。晶圓切割膠帶10，在基材膜1側，作為內襯膠帶把Maxell公司製造的PET膜基材單面黏著膠帶14(商品名：No.626001，厚度55μm)的黏著劑層側之面，使用2kg的橡膠輥壓接同時貼合後，裁斷成寬幅(基材膜1的TD方向)10mm，長度(基材膜1的MD方向)100mm的大小。此外，黏晶膜20裁斷成寬幅30mm，長度100mm的大小。又，作為黏晶膜20，使用在黏晶膜(接著劑層)3的乾燥面側具有保護膜(聚乙烯膜)者。首先，把黏晶膜20的仔細剝下剝離襯墊之面，在半導體晶圓W(矽鏡晶圓，寬40mm、長100mm、厚0.725mm)的表面，使用2kg橡膠輥壓接同時貼合之後，夾在兩枚玻璃板間，在40℃溫度下施加2kg荷重1分鐘進行壓接。接著，將被接著此黏晶膜(接著劑層)3的半導體晶圓W的兩端面，使用Maxell公司製造的PET膜基材單面黏著膠帶14(商品名：No.626001，厚度55μm)牢牢地固定於SUS板15，剝離黏晶膜(接著劑層)3的保護膜，作為剪斷接著力試驗之被黏著體。接著，在此被黏著體的黏晶膜(接著劑層)3的表面，把晶圓切割膠帶10之剝下剝離襯墊的黏著劑層2之面，由端起算長度方向10mm的部分密接的方式，亦即，以密接面大小成為10mm×10mm(密接面積：100mm 2)的方式貼合，用2kg橡膠輥壓接，在溫度23℃，濕度50%RH的環境下靜置20分鐘，得到圖12(固定用的PET膜基材單面黏著膠帶14未圖示)所示的試驗對象物。接著，使用Minebea Mitsumi公司製造的拉伸壓縮試驗機(型號：MinebeaTechnoGraph TG-5kN)，將試驗對象物置於Minebea Mitsumi公司製造的恆溫槽(型號：THB-A13-038)內，在-30℃下靜置1分鐘後，以速度1000mm/分鐘在垂直方向拉伸，測定此時所需的剪切方向的接著力(單位為N/100mm 2)(試驗片N=3之平均值)。
5.4 晶圓切割黏晶膜20之隱形切割性之評估 5.4.1 半導體晶圓割斷性及黏晶膜(接著劑層)割斷性 首先，準備半導體晶圓(矽鏡晶圓，厚度750μm，外徑12吋)W，於一面貼附市售的背面研磨膠帶。接著，從與半導體晶圓W的貼附背面研磨膠帶之側的相反面，使用DISCO公司製造的隱形切割雷射鋸(裝置名：DFL7361)，以割斷後的半導體晶片30a的大小成為4.7mm×7.2mm的尺寸的方式，沿著格子狀的分割預定線，在以下條件下，藉由雷射光照射，在半導體晶圓W的特定深度的位置形成改質區域30b。 ･雷射照射條件 (1)雷射振盪器形式：半導體雷射激發Q開關固體雷射 (2)波長：1342nm (3)振盪形式：脈衝 (4)頻率：90kHz (5)輸出：1.7W (6)半導體晶圓載置台之移動速度：700mm/秒
接著，藉由使用DISCO公司製造的背面研磨裝置(裝置名：DGP8761)，對形成有保持在背面研磨膠帶的該改質區域30b之厚度750μm的半導體晶圓W進行研削、薄膜化，得到厚度30μm的半導體晶圓30。接著，藉由以下方法實施冷延展步驟，評估了隱形切割性的指標項目之一之半導體晶圓割斷性及接著劑層割斷性。具體而言，藉由從在各實施例和比較例製作的晶圓切割黏晶膜20剝離掉剝離襯墊而露出的接著劑層3密接在與藉由前述方法得到的改質區域30b所形成的厚度30μm的半導體晶圓30之被貼附背面研磨膠帶之側的相反面，使用DISCO公司製造的層壓裝置(裝置名：DFM2800)，對該半導體晶圓30把晶圓切割黏晶膜20以層疊溫度70℃，層疊速度10mm/秒的條件下貼合，同時在晶圓切割膠帶10的外緣部之黏著劑層2露出部貼附環框(晶圓環)40後，剝離背面研磨膠帶。又，在此，晶圓切割黏晶膜20，以其基材膜1的MD方向與半導體晶圓30的格子狀分割預定線的縱線方向(基材膜1的TD方向與半導體晶圓30的格子狀的分割預定線的橫線方向)一致的方式，貼附於半導體晶圓30上。
把包含被保持於前述環框(晶圓環)40的改質區域30b形成後的半導體晶圓30之層積體(半導體晶圓30/接著劑層3/接著劑層2/基材膜1)固定於DISCO公司製造的延展裝置(裝置名：DDS2300全自動分模機)。接著，以下列條件，將伴隨半導體晶圓30的晶圓切割黏晶膜20的晶圓切割膠帶10(黏著劑層2/基材膜1)進行冷延展，割斷半導體晶圓30及接著劑層3。藉此，得到附黏晶膜(接著劑層)3之半導體晶片30a。又，在本實施例，以下列條件實施冷延展步驟，但隨著基材膜1的物性及溫度條件等的不同，只要適當調整延展條件(「延展速度」及「延展量」等)而實施冷延展步驟即可。 ･冷延展步驟之條件 溫度：-15℃、冷卻時間：80秒、 延展速度：300mm/秒、 延展量：11mm、 (4)等待時間：0秒
針對冷延展後的半導體晶圓30及接著劑層3，從半導體晶圓30的表面側，使用KEYENCE公司製造的光學顯微鏡(型號：VHX-1000)，以倍率200倍觀察，測量割斷預定的邊之中的未被割斷的邊之數目。接著，分別針對半導體晶圓30和接著劑層3之各個，由割斷預定的邊的總數與未割斷的邊的總數，算出被割斷的邊的數目佔割斷預定的邊的總數之比例作為割斷率(%)。根據前述光學顯微鏡之觀察處所，是對半導體晶圓30的全面進行的。依照以下的基準，分別針對半導體晶圓30與接著劑層3之各個評估割斷性，把B以上的評估判斷為割斷性良好。 A：割斷率95%以上100%以下。 B：割斷率90%以上未滿95%。 C：割斷率未滿90%。
5.4.2 黏晶膜(接著劑層)3之晶圓切割膠帶10之由黏著劑層2的剝離(浮起) 前述冷延展狀態解除後，再度使用DISCO公司製造的延展裝置(裝置名：DDS2300全自動分模機)，以其熱延展單元，在以下條件，實施常溫延展步驟。 ･常溫延展步驟之條件 溫度：23℃、 延展速度：30mm/秒、 延展量：9mm、 (4)等待時間：15秒
接著，在維持延展狀態下，以吸附台吸附晶圓切割膠帶10，在根據吸附台維持其吸附的狀態下使吸附台與工件一起下降。接著，在以下條件下，實施熱收縮步驟，使晶圓切割膠帶10之半導體晶片30a保持區域更為外側的圓周部分加熱收縮(熱收縮)。 ･熱收縮步驟之條件 熱風溫度：200℃， 風量：40L/min， 熱風吹出口與晶圓切割膠帶10之距離：20mm， 載台旋轉速度：7˚/秒
接著，由吸附台的吸附放開晶圓切割膠帶10之後，於被割斷的各個半導體晶片的四方周邊，由半導體晶圓30的表面側，使用Keyence公司製造的光學顯微鏡(型號：VHX-1000)，使黏晶膜(接著劑層)3由晶圓切割膠帶10的黏著劑層2剝離的狀態，以50倍的倍率進行了觀察。黏晶膜(接著劑層)3的剝離狀態，於任一位置的半導體晶片30a幾乎都被觀察到同樣的狀態，所以該評估之附黏晶膜之半導體晶片的觀察數為位於半導體晶圓30的中央部的特定處20個，觀察其平均的剝離狀態。依照以下的基準，評估延展時晶圓切割黏晶膜20之黏晶膜(接著劑層)3的晶圓切割膠帶10之由黏著劑層2的剝離(浮起)的程度，B以上的評估判斷為良好。 A：未被觀察到由黏晶膜的黏著劑層之剝離。 B：由黏晶膜的黏著劑層之剝離在半導體晶片的四方周邊只被觀察到一點點，但被觀察到剝離的部分的面積之比例，對半導體晶片全面積為未滿20%。 C：由黏晶膜的黏著劑層之剝離在半導體晶片的四方周邊明確被觀察到，被觀察到剝離的部分的面積的比例對半導體晶片全面積為20%以上。
5.4.3 晶圓切割黏晶膜20之晶圓切割膠帶10的擴張性(腓寬) 為了評估前述黏晶膜(接著劑層)3的晶圓切割膠帶10從黏著劑層2剝離(浮起)的程度，在常溫延展步驟下通過吸附台解除對晶圓切割膠帶10的吸附時同時，使用由Keyence公司製造的光學顯微鏡(型號：VHX-1000)，將在該狀態下相鄰的半導體晶片30a之間的距離(腓寬)從半導體晶圓30的表面側在倍率200倍通過觀察和測定來評估晶圓切割黏晶膜20中的晶圓切割膠帶10的膨脹性。
具體而言，針對圖11所示的半導體晶圓30的中心部31之鄰接的4個半導體晶片30a所形成的一個割斷十字線部之4處(基材膜1的MD方向：腓MD1與腓MD2之2處，基材膜1的TD方向：腓TD1與腓TD2之2處，參照圖12)，左部32之鄰接的6個半導體晶片30a所形成的兩個割斷十字線部之7處(MD方向：腓MD3~腓MD5之3處，TD方向：腓TD3~腓TD6之4處，未圖示)，右部33之鄰接的6個半導體晶片30a所形成的兩個割斷十字線部之7處(MD方向：腓MD6~腓MD8之3處，TD方向：腓TD7~腓TD10之4處，未圖示)，上部34之鄰接的6個半導體晶片30a所形成的兩個割斷十字線部之7處(MD方向：腓MD9~腓MD12之4處，TD方向：腓TD11~腓TD13之3處，未圖示)，以及下部35之鄰接的6個半導體晶片30a所形成的兩個割斷十字線部之7處(MD方向：腓MD13~腓MD16之4處，TD方向：腓TD14~腓TD16之3處，未圖示)合計32處(於MD方向16處，於TD方向16處)，測定相鄰的半導體晶片30a間的間隔距離，分別算出MD方向的16處之平均值作為MD方向腓寬，TD方向的16處之平均值作為TD方向腓寬。依照以下的基準，評估晶圓切割黏晶膜20之晶圓切割膠帶10的擴張性，B以上的評估判斷為擴張性良好。 A：MD方向腓寬、TD方向腓寬任一之值都在30μm以上。 B：MD方向腓寬之值在30μm以上，TD方向腓寬之值在25μm以上未滿30μm。 C：MD方向腓寬、TD方向腓寬任一之值都未滿25μm。
5.5 晶圓切割黏晶膜20之晶圓切割膠帶10的拾取性之評估 由保持著藉由前述延展步驟割斷、單片化的附黏晶膜(接著劑層)3a的半導體晶片30a之晶圓切割膠帶10的基材膜1側起，以照射強度為70mW/cm 2累積光量為150mJ/cm 2的方式照射中心波長365nm的紫外線(UV)使黏著劑層2硬化，作為拾取性的評估試樣。
接著，使用Fasford Technology公司(原日立高科技公司)製造的具有拾取機構的裝置(裝置名：Die Bonder DB-830P)，進行了拾取試驗。拾取用真空吸具的尺寸為4.5×7.1mm，頂栓的栓數目為12根，拾取條件為頂栓的頂起速度為10mm/秒，頂栓的頂起高度為200μm。拾取的嘗試的試樣數在規定位置為50個(晶片)，依照以下的基準，評估晶圓切割黏晶膜20之晶圓切割膠帶10的拾取性，B以上的評估判斷為拾取性良好。 A：連續拾取50個晶片，未發生晶片破裂或拾取失誤的個數(拾取成功個數)為48個以上50個以下。 B：連續拾取50個晶片，未發生晶片破裂或拾取失誤的個數(拾取成功個數)為45個以上未滿48個。 C：連續拾取50個晶片，未發生晶片破裂或拾取失誤的個數(拾取成功個數)為未滿45個。
6.評估結果 對在實施例1~32及比較例1~17製作的晶圓切割膠帶10及晶圓切割黏晶膜20(DDF(a)~DDF(ww))的各評估結果，配合晶圓切割膠帶10及晶圓切割黏晶膜20的構成以及使用的基材膜1的構成等顯示於表1~9。
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如表1~6所示，針對使用具備滿足本發明的要件之基材膜1(a)~(n)，及含有黏著劑組成物2(a)~2(n)的黏著劑層2之晶圓切割膠帶10來製作的實施例1~32之晶圓切割黏晶膜20(DDF(a)~DDF(ff))，供應半導體裝置的製造步驟的場合，確認了在隱形切割性及拾取性之任一的評估都得到良好的結果。此外，耐熱性的評估也為良好。
詳細比較實施例的場合，針對實施例2~4、實施例7、8、實施例10~14、實施例20、22、23及實施例30~32的晶圓切割黏晶膜20，於隱形切割性及拾取性的評估可以在很高的水準上兼顧，可知為特優。針對耐熱性，由實施例3~6之晶圓切割黏晶膜20的評估結果可知，基材膜1之聚醯胺樹脂(B)的含有比率越高耐熱性越良好。
對於實施例1及實施例9之晶圓切割黏晶膜20，基材膜1的TD方向之-15℃的5%伸長時的應力，分別為15.8MPa和16.0MPa為稍小，黏晶膜3的割斷性稍差。此外，晶圓切割膠帶10的擴張性也稍差。此外，針對實施例16之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑組成物之聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)為0.02，是範圍的下限值，所以黏著劑層2的凝集力稍小，黏晶膜3的割斷性稍差。此外，UV照射後的低角度黏著力稍大，拾取性也稍差。此外，進而針對實施例26的晶圓切割黏晶膜20也同樣，黏著劑組成物之當量比(NCO/OH)為稍小，所以黏著劑層2的凝聚力變得稍小，黏晶膜3的割斷性稍差。此外，黏著劑組成物的活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度為0.85mmol/g是範圍的下限值，所以UV照射後的低角度黏著力稍大，進而，結合丙烯酸系黏著性高分子的重量平均分子量Mw的影響，黏晶膜3也略有浮起，拾取性也稍差。
此外，針對實施例5及實施例6的晶圓切割黏晶膜20，基材膜1全體之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之質量比率(A):(B)，分別為74:26、72:28，聚醯胺樹脂(B)的含有比率稍大，所以基材膜1的剛性的影響導致UV照射後的低角度黏著力稍大，拾取性稍差。此外，針對實施例17之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度為0.90mmol/g，為範圍的上限值，所以對-30℃之黏晶膜3之UV照射前黏著劑層2的剪斷接著力稍大，拾取性稍差。此外，進而針對實施例18之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑組成物的活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度為0.85mmol/g，是該範圍的下限值，所以UV照射後之低角度黏著力稍大，拾取性稍差。此外，進而針對實施例21之晶圓切割黏晶膜20，應該是黏著劑組成物之丙烯酸系黏著性高分子的主鏈的玻璃轉移溫度稍高，而另一方面丙烯酸系黏著性高分子的共聚合成分之丙烯酸丁酯(BA)與黏晶膜3之相互作用強的緣故，但未見到黏晶膜3的浮起，-30℃之黏晶膜3的UV照射前黏著劑層2的剪斷接著力稍大，UV照射後的低角度黏著力也稍大，拾取性稍差。
此外，針對實施例15及實施例19之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑組成物之聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)為0.20，是範圍的上限值，所以黏著劑層2稍微變硬，-30℃下UV照射前黏著劑層2對黏晶膜的剪斷接著力稍微變小，略為可見黏晶膜3的浮起。由於其影響，實施例15的晶圓切割黏晶膜20，拾取性稍差。此外，進而針對實施例19之晶圓切割黏晶膜20，略為可見黏晶膜3的浮起，但黏著劑組成物之活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度為1.51mmol/g，偏大，拾取性勉強確保為A級(拾取成功個數48個)。此外，進而針對實施例24的晶圓切割黏晶膜20，由於黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度為0.18mmol/g，是範圍的下限值，因此UV照射前黏著劑層2對-30℃下黏晶膜3的剪斷接著力稍小，略為可見黏晶膜3的浮起，受此影響拾取性稍差。此外，進而針對實施例25之晶圓切割黏晶膜20，丙烯酸系黏著性高分子的重量平均分子量Mw稍大，所以-30℃下UV照射前黏著劑層2對黏晶膜的剪斷接著力稍微變小，略為可見黏晶膜3的浮起，受此影響拾取性稍差。此外，針對實施例27之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑組成物之丙烯酸系黏著性高分子的基礎高分子之玻璃轉移溫度稍高，-30℃下UV照射前黏著劑層2對黏晶膜的剪斷接著力稍微變小，略為可見黏晶膜3的浮起，受此影響拾取性稍差。此外，進而針對實施例28的晶圓切割黏晶膜20，由於黏著劑層2的厚度稍薄，因此UV照射前黏著劑層2對-30℃下黏晶膜3的剪斷接著力稍小，略為可見黏晶膜3的浮起，受此影響拾取性稍差。此外，進而針對實施例29之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑層2的厚度稍厚，所以晶圓切割膠帶10的擴張性稍差，UV照射後之低角度黏著力稍大，受此影響拾取性稍差。
對此，如表7所示，針對使用未滿足本發明的要件之基材膜1(o)，及含有未滿足本發明的要件之黏著劑組成物2(o)~2(t)的黏著劑層2之晶圓切割膠帶10來製作的比較例1~6之晶圓切割黏晶膜20(DDF(gg)~DDF(ll))，耐熱性均不充分，在隱形切割性4項目任一之評估，以及拾取性之評估，都確認為比實施例1~32的晶圓切割黏晶膜20(DDF(a)~DDF(ff))更差的結果。同樣地，如表9所示，針對具備使用未滿足本發明的要件之基材膜1(r)、1(s)，及含有不滿足本發明的要件黏著劑組成物2(o)的黏著劑層2之晶圓切割膠帶10來製作的比較例16、17之晶圓切割黏晶膜20(DDF(vv)、DDF(ww))，也是耐熱性均不充分，在隱形切割性4項目任一之評估，以及拾取性之評估，都確認為比實施例1~32的晶圓切割黏晶膜20(DDF(a)~DDF(ff))更差的結果。
此外，如表8所示，針對使用滿足本發明的要件之基材膜1(b)，但含有未滿足本發明的要件之黏著劑組成物2(o)~(t)的黏著劑層2之晶圓切割膠帶10來製作的比較例7~12之晶圓切割黏晶膜20(DDF(mm)~DDF(rr))，耐熱性、半導體晶圓30的割斷性、黏晶膜3的割斷性及晶圓切割膠帶10的擴張性為良好，但在隱形切割性4項目任一之評估，以及拾取性之評估，都確認為比實施例1~32的晶圓切割黏晶膜20(DDF(a)~DDF(ff))更差的結果。
此外，如表9所示，針對使用滿足本發明的要件之黏著劑組成物2(a)之黏著劑層2，但含有未滿足本發明的要件之基材膜1(o)~(q)的黏著劑層之晶圓切割膠帶10來製作的比較例13~15之晶圓切割黏晶膜20(DDF(ss)~DDF(uu))，耐熱性的評估及隱形切割性4項目之任一之評估，以及拾取性之評估，都確認為比實施例1~32的晶圓切割黏晶膜20(DDF(a)~DDF(ff))更差的結果。
具體而言，可知使用不含聚醯胺樹脂(B)且僅由乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)所構成的基材膜1(o)之比較例1~6及比較例13之晶圓切割黏晶膜20，耐熱性均不充分，進而基材膜1之-15℃下TD方向5%伸長時之應力小至12.5MPa，低於範圍的下限值之15.5MPa，所以黏晶膜3的割斷性及晶圓切割膠帶10的擴張性顯著變差，對拾取性惡化的影響很大。此外，針對比較例1及比較例4的晶圓切割黏晶膜20，由於黏著劑組成物之當量比(NCO/OH)分別為0.47、0.33，超過範圍的上限值之0.20，因此黏著劑層2變硬，UV照射前黏著劑層2對-30℃下黏晶膜3的剪斷接著力很小，可見到黏晶膜3的浮起，受此影響拾取性顯著地差。此外，針對比較例3之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑組成物之當量比(NCO/OH)為0.01，低於範圍的下限值之0.02，因此黏著劑層2的凝集力變小，UV照射後的低角度黏著力大，拾取性顯著地差。此外，進而針對比較例2之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度為1.21mmol/g，超過範圍的上限值，而且黏著劑組成物之活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度為0.80mmol/g低於該範圍的下限值，所以UV照射後之低角度黏著力變大，拾取性顯著地差。此外，進而針對比較例5之晶圓切割黏晶膜20，黏著劑組成物之架橋反應後的殘存羥基濃度為0.95mmol/g，超過範圍的上限值，而且黏著劑組成物之活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度為0.58mmol/g大幅低於範圍的下限值，而且加上黏著劑組成物的丙烯酸系黏著性高分子的酸價很大的影響，UV照射後之低角度黏著力變大，拾取性顯著地差。針對比較例6的晶圓切割黏晶膜20，由於黏著劑組成物之丙烯酸系黏著性高分子的主鏈之玻璃轉移溫度為40℃，超過範圍的上限值，因此黏著劑層2變硬，UV照射前黏著劑層2對-30℃下黏晶膜3的剪斷接著力很小，可見到黏晶膜3的浮起，受此影響拾取性顯著地差。
此外，針對比較例1~6及分別具備包含相同黏著劑組成物的黏著劑層2的比較例7~12之晶圓切割黏晶膜20，黏晶膜3的浮起及拾取性的評估結果與前述相同。
此外，基材膜1不含聚醯胺樹脂(B)，僅由乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物構成的樹脂(A)所構成的本發明的範圍外之比較例13，以及基材膜1全體之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)的質量比率(A):(B)為97:3，聚醯胺樹脂(B)的含有比率很小，在本發明的範圍外之比較例14之晶圓切割黏晶膜20，耐熱性均不充分，進而基材膜1之-15℃下TD方向5%伸長時之應力分別小至12.5MPa、15.0MPa，未達範圍的下限值之15.5MPa，所以黏晶膜3的割斷性及晶圓切割膠帶10的擴張性變得不充分，結果拾取性顯著地差。此外，進而針對基材膜1全體之離子聚合物構成的樹脂(A)與聚醯胺樹脂(B)之質量比率(A):(B)為70:30，聚醯胺樹脂(B)的含有比率大，在本發明的範圍外之比較例15之晶圓切割黏晶膜20，耐熱性為良好，但由於基材膜1的剛性的影響，UV照射後的低角度黏著力變大，拾取性顯著地差。
此外，針對作為從前的晶圓切割黏晶膜所例示的比較例16之晶圓切割黏晶膜20(DDF(vv))，由於PP/EVA/PP之3層構成的基材膜1之-15℃的5%伸長時的應力，在MD方向為10.8MPa，在TD方向為10.3MPa，為非常小而未達範圍的下限值之15.5MPa，所以黏晶膜3之割斷性及晶圓切割膠帶10之擴張性為不充分，而且，黏著劑組成物之當量比(NCO/OH)為0.47，超過範圍的上限值之0.20，所以黏著劑層2變硬，UV照射前黏著劑層2對-30℃下黏晶膜3的剪斷接著力很小，可見到黏晶膜3的浮起，受此影響拾取性顯著地差。此外，進而針對作為從前的晶圓切割黏晶膜而例示的比較例16的晶圓切割黏晶膜20(DDF(ww))，由於PVC單層構成的基材膜1的-15℃之5%伸長時的應力，在MD方向為45.6MPa，在TD方向為42.8MPa，為極大，超過範圍的上限值之28.5MPa，因此晶圓切割膠帶10的擴張性不充分，而且黏著劑組成物之當量比(NCO/OH)為0.47，超過範圍的上限值之0.20，所以黏著劑層2變硬，UV照射前黏著劑層2對-30℃下黏晶膜3的剪斷接著力很小，可見到黏晶膜3的浮起，受此影響拾取性顯著地差。
1:基材膜 2:黏著劑層 3,3a1,3a2:黏晶膜(接著劑層、接著膜) 4:半導體晶片搭載用支撐基板 5:外部連接端子 6:端子 7:導線 8:密封材 9:支撐構件 10:晶圓切割膠帶 11:OPP膜基材單面黏著膠帶(內襯膠帶) 12:紙雙面黏著膠帶(固定膠帶) 13:平板布載台 14:PET膜基材單面黏著膠帶(內襯膠帶、固定膠帶) 15:SUS板 20:晶圓切割黏晶膜 W,30:半導體晶圓 30a,30a1,30a2:半導體晶片 30b:改質區域 31:半導體晶圓中心部 32:半導體晶圓左部 33:半導體晶圓右部 34:半導體晶圓上部 35:半導體晶圓下部 40:環框(晶圓環) 41:保持器 50:吸附筒夾(collet) 60:頂栓(針) 70,80:半導體裝置
[圖1]係顯示本實施形態適用的晶圓切割膠帶的基材膜的構成之一例之剖面圖。 [圖2]係顯示本實施形態適用的晶圓切割膠帶的構成之一例之剖面圖。 [圖3]係顯示將本實施形態適用的晶圓切割膠帶與黏晶膜貼合的構成之晶圓切割黏晶膜之一例之剖面圖。 [圖4]係說明晶圓切割膠帶的製造方法之流程圖。 [圖5]係說明半導體晶片之製造方法之流程圖。 [圖6]是顯示在晶圓切割黏晶膜的外緣部被貼附環框(晶圓環)，在黏晶膜中心部被貼附加工為可單片化的半導體晶圓的狀態之立體圖。 [圖7(a)~(f)]是顯示藉由雷射光照射形成複數改質區域的半導體晶圓的研削步驟及該半導體晶圓之往晶圓切割黏晶膜的貼合步驟之一例之剖面圖。 [圖8(a)~(f)]是顯示使用具有被貼合晶圓切割黏晶膜的複數改質區域之薄膜半導體晶圓的半導體晶片之製造例之剖面圖。 [圖9]係用使用本實施形態適用的晶圓切割黏晶膜製造的半導體晶片之層積構成的半導體裝置之一態樣的模式剖面圖。 [圖10]係用使用本實施形態適用的晶圓切割黏晶膜製造的半導體晶片的其他半導體裝置之一態樣之模式剖面圖。 [圖11(a)~(c)]係供說明對黏晶膜(接著劑層)之晶圓切割膠帶的黏著劑層的UV照射後黏著力的測定方法之用的概略圖。 [圖12]係供說明對黏晶膜(接著劑層)之晶圓切割膠帶的黏著劑層的-30℃之剪斷接著力的測定方法之用的概略圖。 [圖13]係供說明延展後之半導體晶片間的間隔(腓寬(calf width))的測定方法之用的平面圖。 [圖14]係圖13之半導體晶圓的中心部之擴大平面圖。
1:基材膜
2:黏著劑層
10:晶圓切割膠帶

Claims (9)

  1. 一種晶圓切割膠帶，具備：基材膜，及在該基材膜上，含有活性能量射線硬化性黏著劑組成物的黏著劑層； (1)前述基材膜，包含由乙烯-不飽和羧酸系共聚物之離子聚合物所構成的樹脂(A)，以及聚醯胺樹脂(B)， 由該基材膜全體之前述樹脂(A)與前述樹脂(B)之質量比率(A):(B)在72:28~95:5的範圍之樹脂組成物所構成， -15℃之5%伸長時的應力，在使基材膜在MD方向(基材膜製膜時之流動方向)以及TD方向(對MD方向垂直的方向)之任一方向伸長的場合，都在15.5MPa以上28.5MPa以下的範圍， (2)前述活性能量射線硬化性黏著劑組成物，包含：具有活性能量射線反應性碳-碳雙鍵及羥基的丙烯酸系黏著性高分子、光聚合開始劑、以及與前述羥基進行架橋反應的聚異氰酸酯系架橋劑， 前述丙烯酸系黏著性高分子，主鏈的玻璃轉移溫度(Tg)在-65℃以上-50℃以下之範圍，羥基價為12.0mgKOH/g以上55.0mgKOH/g以下之範圍， 前述活性能量射線硬化性黏著劑組成物， 前述聚異氰酸酯系架橋劑具有的異氰酸酯基(NCO)與前述丙烯酸系黏著性高分子具有的羥基(OH)之當量比(NCO/OH)在0.02以上0.20以下之範圍， 架橋反應後的殘存羥基濃度，為每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物含0.18mmol以上0.90mmol以下之範圍， 活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度，為每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物含0.85mmol以上1.60mmol以下之範圍。
  2. 如請求項1之晶圓切割膠帶，前述活性能量射線反應性碳-碳雙鍵濃度，為每1g的活性能量射線硬化性黏著劑組成物含1.02mmol以上1.51mmol以下之範圍。
  3. 如請求項1或2之晶圓切割膠帶，前述丙烯酸系黏著性高分子的重量平均分子量Mw在20萬以上60萬以下之範圍。
  4. 如請求項1~3之任一之晶圓切割膠帶，前述丙烯酸系黏著性高分子的酸價在0mgKOH/g以上9.0mgKOH/g以下之範圍。
  5. 一種晶圓切割黏晶膜，可剝離地被設置在請求項1~4之任一之晶圓切割膠帶的黏著劑層上。
  6. 如請求項5之晶圓切割黏晶膜，對前述黏晶膜之前述晶圓切割膠帶的黏著劑層的23℃之紫外線照射後的低角度黏著力(剝離角度30˚，剝離速度600mm/分鐘)為0.95N/25mm以下，對前述黏晶膜之前述晶圓切割膠帶的黏著劑層的-30℃之紫外線照射前的剪斷接著力(拉伸速度1,000mm/分鐘)為100.0N/100mm 2以上。
  7. 如請求項5或6之晶圓切割黏晶膜，前述黏晶膜的樹脂成分包含：含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物、環氧樹脂及酚醛樹脂。
  8. 如請求項5~7之任一之晶圓切割黏晶膜，前述黏晶膜為導線埋入型黏晶膜。
  9. 如請求項8之晶圓切割黏晶膜，前述導線埋入型黏晶膜，以樹脂成分之前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量為基準之100質量部的場合，(a)以前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物在17質量部以上51質量部以下的範圍、前述環氧樹脂在30質量部以上64質量部以下之範圍、前述酚醛樹脂在19質量部以上53質量部以下之範圍，而樹脂成分總量為100質量部的方式調整含量；(b)相對於前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量100質量部，含有硬化促進劑0.01質量部以上0.07質量部以下之範圍，(c)相對於前述含縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯共聚物與前述環氧樹脂與前述酚醛樹脂之合計量100質量部，含有無機填充物10質量部以上80質量部以下之範圍。
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