KR20120034620A

KR20120034620A - 반도체 장치용 필름 및 반도체 장치

Info

Publication number: KR20120034620A
Application number: KR1020117027459A
Authority: KR
Inventors: 야스히로 아마노; 유따 기무라
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2010-09-06
Filing date: 2011-08-29
Publication date: 2012-04-12
Also published as: TWI456645B; JP2012059768A; CN103081069A; CN103081069B; WO2012032958A1; KR101183730B1; JP4976532B2; TW201216343A

Abstract

다이싱 필름 상에 접착 필름이 적층된 다이싱 시트 부착 접착 필름이 소정의 간격을 두고 커버 필름에 적층된 반도체 장치용 필름을 롤 형상으로 권취했을 때의 전사 자국의 억제 기능을 유지하면서, 커버 필름의 선단 돌출(픽킹)을 용이하게 할 수 있고, 신뢰성이 우수한 다이싱 시트 부착 접착 필름을 제공한다. 본 발명의 반도체 장치용 필름은 다이싱 필름 상에 접착 필름이 적층된 다이싱 시트 부착 접착 필름이 소정의 간격을 두고 커버 필름에 적층된 반도체 장치용 필름이며, 23℃에서의 다이싱 필름의 인장 저장 탄성률 Ea와, 23℃에서의 커버 필름의 인장 저장 탄성률 Eb의 비 Ea/Eb가 0.001 내지 100의 범위 내인 반도체 장치용 필름이다.

Description

반도체 장치용 필름 및 반도체 장치 {FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체 장치용 필름, 및 당해 반도체 장치용 필름을 사용하여 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.

종래, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서 리드 프레임이나 전극 부재에의 반도체 칩의 고착에는 은 페이스트가 사용되고 있다. 이러한 고착 처리는, 리드 프레임의 다이 패드 등 위에 페이스트상 접착제를 도포 시공하고, 거기에 반도체 칩을 탑재해서 페이스트상 접착제층을 경화시켜서 행한다.

그러나, 페이스트상 접착제는 그 점도 거동이나 열화 등에 의해 도포 시공량이나 도포 시공 형상 등에 큰 편차를 발생시킨다. 그 결과, 형성되는 페이스트상 접착제 두께는 불균일하게 되기 때문에 반도체 칩에 관한 고착 강도의 신뢰성이 부족하다. 즉, 페이스트상 접착제의 도포 시공량이 부족하면 반도체 칩과 전극 부재 사이의 고착 강도가 낮아져, 후속하는 와이어 본딩 공정에서 반도체 칩이 박리된다. 한편, 페이스트상 접착제의 도포 시공량이 너무 많으면 반도체 칩 위까지 페이스트상 접착제가 흘러나와 특성 불량을 발생시켜 수율이나 신뢰성이 저하된다. 이러한 고착 처리에서의 문제는, 반도체 칩의 대형화에 수반하여 특히 현저하게 된다. 그로 인해, 페이스트상 접착제의 도포 시공량의 제어를 빈번하게 행할 필요가 있어, 작업성이나 생산성에 지장을 초래한다.

이 페이스트상 접착제의 도포 시공 공정에 있어서, 페이스트상 접착제를 리드 프레임이나 형성 칩에 별도로 도포하는 방법이 있다. 그러나 이 방법에서는 페이스트상 접착제층의 균일화가 곤란하고, 또 페이스트상 접착제의 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 이로 인해, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 유지함과 함께 마운트 공정에 필요한 칩 고착용의 접착제층도 부여하는 다이싱 필름, 다이싱 시트 부착 접착 필름이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).

이 다이싱 시트 부착 접착 필름은 지지 기재 상에 접착제층을 박리 가능하게 설치하여 이루어지는 것이며, 그 접착제층에 의한 유지 하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 뒤, 지지 기재를 연신하여 형성 칩을 접착제층과 함께 박리하고, 이것을 개별적으로 회수하여 그 접착제층을 개재하여 리드 프레임 등의 피착체에 고착시키도록 한 것이다.

종래, 다이싱 시트 부착 접착 필름은 제조 공정상의 제약으로부터, 다이싱 필름과 접착 필름을 각각 개별로 제작한 뒤에, 양자를 접합하여 제작하고 있다. 이로 인해, 각각 필름 제작 공정에 있어서 느슨해짐이나 권회 어긋남, 위치 어긋남, 보이드(기포) 등이 발생하는 것을 방지하는 관점에서, 롤에 의한 반송 시에 각 필름에 인장 장력을 가하면서 그 제작이 행해진다.

이러한 종류의 다이싱 시트 부착 접착 필름은 고온ㆍ고습의 환경 하에 놓이거나, 하중이 가해진 상태에서 장기간 보존되면 경화될 경우가 있다. 그 결과, 접착제층의 유동성이나, 반도체 웨이퍼에 대한 유지력의 저하, 다이싱 후의 박리성의 저하를 초래한다. 이로 인해, 다이싱 시트 부착 접착 필름은 -30 내지 -10℃의 냉동, 또는 -5 내지 10℃의 냉장 상태에서 보존하면서 수송되는 경우가 많고, 이에 의해 필름 특성의 장기간의 보존을 가능하게 하고 있다.

상술한 다이싱 시트 부착 접착 필름으로서는 반도체 웨이퍼에의 부착이나, 다이싱 시의 링 프레임에의 설치 등의 작업성을 고려하여, 부착하는 반도체 웨이퍼의 형상(예를 들면, 원 형상)으로 미리 가공해 두는, 프리컷 가공이 실시된 것이 존재한다.

이러한 다이싱 시트 부착 접착 필름은 기재 상에 점착제층이 적층된 다이싱 필름에, 원 형상으로 펀칭된 접착 필름을 접합한 후, 링 프레임에 대응한 원 형상으로 다이싱 필름을 펀칭해서 제조된다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에 다이싱 필름의 외주부에 링 프레임을 부착하여, 다이싱 시트 부착 접착 필름을 고정할 수 있게 된다.

프리컷 가공된 다이싱 시트 부착 접착 필름은 긴 커버 필름에 소정의 간격을 두고 부착된 후, 롤 형상으로 권회되어, 반도체 장치 제조용 필름으로서 수송이나 보관이 행해진다.

일본 특허 공개 (소)60-57642호 공보

그러나, 상술한 반도체 장치용 필름의 경우, 다이싱 시트 부착 접착 필름이 적층되어 있는 부분의 두께는, 적층되어 있지 않은 부분의 두께보다도 두꺼워진다. 그로 인해, 특히 권회 수가 많아지거나, 권취 시의 장력이 높아진 경우, 하나의 다이싱 시트 부착 접착 필름에, 다른 다이싱 시트 부착 접착 필름의 엣지가 눌려서 권회 자국이 전사되어, 접착 필름의 평활성이 손상되는 경우가 있었다. 이러한 전사 자국은 특히, 접착 필름이 비교적 연한 수지로 형성되는 경우, 접착 필름의 두께가 두꺼운 경우, 및 반도체 장치용 필름의 권회 수가 많은 경우 등에 현저하게 발생한다. 그리고, 이러한 전사 자국을 갖고, 평활성에 결함이 있는 접착 필름이 반도체 웨이퍼에 부착되면, 반도체 웨이퍼와 접착 필름 사이에 보이드(기포)가 발생하게 된다. 이러한 보이드는 반도체 웨이퍼 가공 시에 문제를 발생시키게 되고, 제조되는 반도체 장치의 수율을 저하시킬 우려가 있다.

따라서, 상기 전사 자국의 발생을 억제하기 위해서, 반도체 장치용 필름의 권취압을 약하게 하는 방법이 생각된다. 그러나, 이 방법에서는 권회 어긋남이 발생하여, 예를 들면 테이프 마운터에의 세팅이 곤란해지는 등, 실사용시에 지장을 초래할 우려가 있다.

또한, 상기 전사 자국의 발생을 억제하기 위해서 접착 시트의 이면측에 완충 기재를 설치하는 것이 생각된다. 그러나, 이러한 종류의 다이싱 시트 부착 접착 필름은 고온 고습하나, 하중이 가해진 채 장기 보존하면, 다이싱 필름과 접착 필름이 경화되어, 반도체 웨이퍼에 대한 유지력의 저하나, 다이싱 후의 박리성, 성형 시의 유동성 등이 저하된다. 그로 인해, 상기 다이싱 시트 부착 접착 필름은 냉동 상태 또는 냉장 상태의 저온에서 수송되는 경우가 많다. 그런데, 접착 필름과 완충 기재 사이에는, 잔류 응력이 잔존하게 되고, 이에 의해 상술한 저온 상태에서의 수송이나 장시간의 보관 후에 있어서, 접착 필름과 완충 기재의 계면에서 양자의 박리가 발생한다는 문제가 있다. 여기서, 냉동 및 냉장 각각의 온도 범위는 냉동이 -30℃ 내지 -10℃ 정도의 범위이고, 냉장이 -5℃ 내지 10℃이다.

또한, 상기의 환경 하와 같이 온도 변화가 크면, 커버 필름측과 다이싱 필름을 구성하는 기재측에서 응력 집중이 발생하고, 흡수 또는 전부 분산할 수 없게 된 힘이 접착 필름에 데미지를 부여하여, 전사 자국이 접착 필름에 발생하거나, 웨이퍼 마운트 시에 접착 필름이 깨져, 절결이 발생한다. 또한, 커버 필름의 탄성률이 낮은 경우, 웨이퍼 마운트 시에 커버 필름을 박리할 때의 필름의 선단 돌출(픽킹)을 할 수 없는 불량이 발생하고, 반송 에러로 기계가 정지하거나, 커버 필름이 붙은 채로 웨이퍼 접착까지 공정이 진행하여, 커버 필름 상에 웨이퍼가 적층된다. 그리고, 밀착하지 않고 있는 상태에서 반송되기 때문에, 웨이퍼가 깨지는 경우가 있다.

본 발명은 상술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그의 목적은 다이싱 필름 상에 접착 필름이 적층된 다이싱 시트 부착 접착 필름이 소정의 간격을 두고 커버 필름에 적층된 반도체 장치용 필름을 롤 형상으로 권취했을 때의 전사 자국의 억제 기능을 유지하면서, 커버 필름의 선단 돌출(픽킹)을 용이하게 할 수 있고, 신뢰성이 우수한 다이싱 시트 부착 접착 필름을 제공하는 데에 있다.

본원 발명자들은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 반도체 장치용 필름에 대해서 검토했다. 그 결과, 반도체 장치용 필름을 구성하는 다이싱 필름의 인장 저장 탄성률과, 커버 필름의 인장 저장 탄성률을 제어함으로써, 전사 자국이 다이 본드 필름에 발생하는 것을 억제하고, 커버 필름의 선단 돌출(픽킹)을 용이하게 할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

즉, 본 발명에 관한 반도체 장치용 필름은, 다이싱 필름 상에 접착 필름이 적층된 다이싱 시트 부착 접착 필름이 소정의 간격을 두고 커버 필름에 적층된 반도체 장치용 필름이며, 23℃에서의 다이싱 필름의 인장 저장 탄성률 Ea와, 23℃에서의 커버 필름의 인장 저장 탄성률 Eb의 비 Ea/Eb가 0.001 내지 100의 범위 내인 것을 특징으로 한다.

상기 Ea/Eb는 값이 클수록 상대적으로 다이싱 필름이 단단하고, 커버 필름이 부드럽다. 한편, 상기 Ea/Eb는 값이 작을수록 상대적으로 다이싱 필름이 유연하고, 커버 필름이 단단하다. 상기 구성에 의하면, 상기 Ea/Eb가 0.001 이상이기 때문에, 다이싱 필름의 경도(인장 저장 탄성률 Ea)는 일정 이상이 된다. 따라서, 다이싱 시트 부착 접착 필름을 구성하는 접착 필름에 전사 자국이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 Ea/Eb가 0.001 이상이고, 다이싱 필름의 경도(인장 저장 탄성률 Ea)는 일정 이상이 되기 때문에, 반도체 웨이퍼에의 접합 시에, 다이싱 필름을 갖는 다이싱 시트 부착 접착 필름과 커버 필름을 적절하게 박리할(픽킹할) 수 있다.

또한, 상기 Ea/Eb가 100 이하이기 때문에, 커버 필름의 경도(인장 저장 탄성률 Eb)는 일정 이상이 되는 한편, 다이싱 필름의 경도(인장 저장 탄성률 Ea)는 일정 이하가 된다. 따라서, 접착 필름의 커버 필름에의 접합 시에 커버 필름에 접힘이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 접착 필름 표면에 상처를 입히거나, 필름 사이에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 커버 필름의 필름 들뜸이나 반도체 웨이퍼의 마운트 시에 접착 필름과 반도체 웨이퍼 사이에서 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.

이와 같이, 상기 구성에 의하면, 롤 형상으로 권취했을 때에, 전사 자국이 접착 필름에 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 커버 필름의 필름 들뜸이나, 반도체 웨이퍼의 마운트 시에 접착 필름과 반도체 웨이퍼 사이에서 보이드(기포)가 발생하는 것을 억제할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 접착 필름은 유리 전이 온도가 0 내지 100℃의 범위 내이고, 경화 전 23℃에서의 인장 저장 탄성률이 50MPa 내지 5000MPa의 범위인 것이 바람직하다. 상기 접착 필름의 유리 전이 온도를 O℃ 이상으로 함으로써, B 스테이지 상태에서의 접착 필름의 점착성이 커지는 것을 억제하고, 양호한 취급성을 유지할 수 있다. 또한, 다이싱 시에, 접착 필름의 일부가 용융해서 점착제가 반도체 칩에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 양호한 픽업성을 유지할 수 있다. 한편, 유리 전이 온도를 100℃ 이하로 함으로써, 접착 필름의 유동성의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼와의 양호한 접착성도 유지할 수 있다. 또한, 접착 필름이 열경화형인 경우, 접착 필름의 유리 전이 온도란, 열경화 전의 것을 말한다. 또한, 상기 접착 필름의 경화 전 23℃에서의 인장 저장 탄성률을 50MPa 이상으로 함으로써, 다이싱 시에, 점착제층의 일부가 용융해서 점착제가 반도체 칩에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 인장 저장 탄성률을 5000MPa 이하로 함으로써, 반도체 웨이퍼나 기판과의 양호한 접착성도 유지할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 커버 필름의 두께는 10 내지 100㎛인 것이 바람직하다.

상기 구성에 있어서, 상기 다이싱 필름의 두께는 25 내지 180㎛인 것이 바람직하다.

상기 구성에 있어서, 23℃에서의 다이싱 필름의 인장 저장 탄성률 Ea는 1 내지 500MPa인 것이 바람직하다.

상기 구성에 있어서, 23℃에서의 커버 필름의 인장 저장 탄성률 Eb는 1 내지 5000MPa인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 관한 반도체 장치는 상기에 기재된 반도체 장치용 필름을 사용하여 제조된 것이다.

도 1의 (a)는 본 실시 형태에 관한 반도체 장치용 필름의 개략을 나타내는 평면도이고, 도 1의 (b)는 그의 부분 단면도이다.
도 2는 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 나타낸 반도체 장치용 필름을 롤 형상으로 권회한 상태에서의 부분 단면도이다.
도 3은 반도체 장치용 필름의 제조 과정을 설명하기 위한 개략도이다.

본 실시 형태에 관한 반도체 장치용 필름에 대해서 이하에 설명한다.

도 1의 (a)는 본 실시 형태에 관한 반도체 장치용 필름의 개략을 나타내는 평면도이고, 도 1의 (b)는 그의 부분 단면도이다. 반도체 장치용 필름(10)은 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)이 소정의 간격을 두고 커버 필름(2)에 적층된 구성을 갖고 있다. 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)은 다이싱 필름(11) 상에 접착 필름(12)이 적층되어 있고, 또한 다이싱 필름(11)은 기재(13) 상에 점착제층(14)이 적층된 구조이다.

도 2는 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 나타낸 반도체 장치용 필름을 롤 형상으로 권회한 상태에서의 부분 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 롤 형상으로 권회된 반도체 장치용 필름(10)에는, 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)이 적층되어 있는 부분과, 적층되어 있지 않은 부분(18)에 단차(19)가 존재한다. 또한, 커버 필름(2) 상의 복수의 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)은 서로 가로 방향으로 어긋나면서 적층되어 있다. 그로 인해, 하나의 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)에, 다른 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)의 엣지가 눌려져 있다.

반도체 장치용 필름(10)에서는, 23℃에서의 다이싱 필름(11)의 인장 저장 탄성률 Ea와, 23℃에서의 커버 필름(2)의 인장 저장 탄성률 Eb의 비 Ea/Eb가 0.001 내지 100의 범위 내이다. 상기 Ea/Eb는 0.01 내지 50인 것이 바람직하고, 0.1 내지 5인 것이 보다 바람직하다. 상기 Ea/Eb는 값이 클수록 상대적으로 다이싱 필름(11)이 단단하고, 커버 필름(2)이 부드럽다. 한편, 상기 Ea/Eb는 값이 작을수록 상대적으로 다이싱 필름(11)이 연하고, 커버 필름(2)이 단단하다. 반도체 장치용 필름(10)에 의하면, 상기 Ea/Eb가 0.001 이상이기 때문에, 다이싱 필름(11)의 경도(인장 저장 탄성률 Ea)는 일정 이상이 된다. 따라서, 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)을 구성하는 접착 필름(12)에 전사 자국이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 반도체 장치용 필름(10)에 의하면, 상기 Ea/Eb가 0.001 이상이고, 다이싱 필름(11)의 경도(인장 저장 탄성률 Ea)는 일정 이상이 되기 때문에, 반도체 웨이퍼에의 접합 시에, 다이싱 필름(11)을 갖는 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)과 커버 필름(2)을 적절하게 박리할(픽킹할) 수 있다.

또한, 상기 Ea/Eb가 100 이하이기 때문에, 커버 필름(2)의 경도(인장 저장 탄성률 Eb)는 일정 이상이 되는 한편, 다이싱 필름(11)의 경도(인장 저장 탄성률 Ea)는 일정 이하가 된다. 따라서, 접착 필름(12)의 커버 필름(2)에의 접합 시에 커버 필름(2)에 접힘이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 접착 필름(12) 표면에 상처를 입히거나, 필름 사이에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 커버 필름(2)의 필름 들뜸이나 반도체 웨이퍼의 마운트 시에 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에서 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.

이와 같이, 반도체 장치용 필름(10)에 의하면, 롤 형상으로 권취했을 때에, 전사 자국이 접착 필름(12)에 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 커버 필름(2)의 필름 들뜸이나, 반도체 웨이퍼의 마운트 시에 접착 필름(12)과 반도체 웨이퍼 사이에서 보이드(기포)가 발생하는 것을 억제할 수 있다.

접착 필름(12)과 커버 필름(2) 사이의 박리력 F1은 접착 필름(12)과 다이싱 필름(11) 사이의 박리력 F2보다도 작은 것이 바람직하다. 반도체 장치용 필름(10)은 그의 제조 과정에 있어서, 느슨해짐이나 권회 어긋남, 위치 어긋남, 보이드(기포) 등의 발생 방지의 관점에서, 다이싱 필름(11), 접착 필름(12) 및 커버 필름(2)에 대하여 인장 장력을 가하면서 적층하여 제조된다. 그로 인해, 각 필름에는 인장 잔류 왜곡이 존재한다. 이 인장 잔류 왜곡은, 예를 들면 -30 내지 -10℃의 냉동, 또는 -5 내지 10℃의 저온 상태에서 수송하거나 장시간 보관했을 경우에 각 필름에서 각각 수축을 일으킨다. 예를 들면, 다이싱 필름은 가장 수축의 정도가 크고, 커버 필름은 가장 수축의 정도가 작다. 여기서, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치용 필름은 상기 박리력 F1 및 F2를 F1<F2의 관계로 함으로써, 각 필름에서의 수축의 차이에 기인한 필름 사이의 계면 박리나 커버 필름(2)의 필름 들뜸 현상을 방지할 수 있다. 또한, 접착 필름(12)의 일부 또는 전부가 커버 필름(2)에 전사되는 것도 방지할 수 있다.

접착 필름(12)과 커버 필름(2) 사이의 박리력 F1은 0.025 내지 0.075N/100mm의 범위 내가 바람직하고, 0.03 내지 0.06N/100mm의 범위 내가 보다 바람직하고, 0.035 내지 0.05N/100mm의 범위 내가 특히 바람직하다. 박리력 F1이 0.025N/100mm 미만이면, 예를 들면 -30 내지 -10℃의 냉동, 또는 -5 내지 10℃의 저온 상태에서 수송하거나 장시간 보관했을 경우에, 접착 필름(12) 및 커버 필름(2)이 각각 다른 수축률로 수축하고, 이에 의해 커버 필름(2)의 필름 들뜸 현상이 발생하는 경우가 있다. 또한, 반도체 장치용 필름(10) 등의 반송 중에, 주름이나 권회 어긋남, 이물질의 혼입을 발생시킬 경우가 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 마운트 시에 접착 필름(12)과 반도체 웨이퍼 사이에서 보이드(기포)를 발생시킬 경우가 있다. 한편, 박리력 F1이 0.075N/100mm보다 크면, 접착 필름(12)과 커버 필름(2)의 밀착성이 지나치게 강하므로, 커버 필름(2)의 박리나 그의 수축 시에, 접착 필름(12)을 구성하는 접착제(상세에 대해서는 후술함)가 일부 또는 전체면에 전사되는 경우가 있다. 또한, 상기 박리력 F1의 값은 접착 필름(12)이 열경화형인 경우에는, 열경화 전의 접착 필름(12)과 커버 필름(2) 사이의 박리력을 의미한다.

또한, 접착 필름(12)과 다이싱 필름(11) 사이의 박리력 F2는 0.08 내지 10N/100mm의 범위 내가 바람직하고, 0.1 내지 6N/100mm의 범위 내가 보다 바람직하고, 0.15 내지 0.4N/100mm의 범위 내가 특히 바람직하다. 박리력 F2가 0.08N/100mm 이상이면, 예를 들면 -30 내지 -10℃의 냉동, 또는 -5 내지 10℃의 저온 상태에서 수송하거나 장시간 보관했을 경우에, 다이싱 필름(11) 및 접착 필름(12)이 각각 다른 수축률로 수축하고, 이에 의해 다이싱 필름(11)과 접착 필름(12) 사이에서 계면 박리가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반도체 장치용 필름(10) 등의 반송 중에, 주름이나 권회 어긋남, 이물질의 혼입, 보이드가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에 칩 비산이나 칩핑이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 박리력 F2가 10N/100mm 이하이면, 반도체 칩의 픽업 시에, 접착 필름(12)과 점착제층(14) 사이에서의 박리성이 적합해지고, 반도체 칩의 픽업을 양호하게 할 수 있다. 또한, 접착제가 부착된 반도체 칩에 점착제층(14)을 구성하는 점착제(상세에 대해서는 후술함)가 풀 부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 박리력 F2의 수치 범위는 다이싱 필름(11)의 점착제층이 자외선 경화형이고, 미리 자외선 조사에 의해 일정 정도 경화되었을 경우도 포함하고 있다. 또한, 자외선 조사에 의한 점착제층의 경화는 접착 필름(12)과 접합하기 전이어도 되고, 접합한 후여도 된다.

상기 박리력 F1 및 F2의 값은 온도 23±2℃, 박리 속도 300mm/분, 척간 거리 100mm의 조건 하에서 행한 T형 박리 시험(JISK 6854-3)에서의 측정값이다. 또한, 인장 시험기로서는 상품명 「오토그래프 AGS-H」((주)시마즈 세이사꾸쇼 제조)를 사용하였다.

다이싱 필름(11)의 기재(13)는, 다이싱 필름(11)뿐만 아니라 반도체 장치용 필름(10)의 강도 모체가 되는 것이다. 기재(13)로서는, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 또한, 점착제층(14)이 자외선 경화형의 경우, 기재(13)로서는 상기에 예시한 것 중에 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.

또한 기재(13)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 일축 또는 이축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 기재(13)를 열수축시킴으로써 점착제층(14)과 접착 필름(12)의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 칩의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.

기재(13)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예를 들면 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들면, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.

기재(13)는 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택해서 사용할 수 있고, 필요에 따라 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(13)에는 대전 방지능을 부여하기 위해, 기재(13) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께가 30 내지 500Å 정도인 도전성 물질의 증착층을 설치할 수 있다. 기재(13)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.

기재(13)의 두께는 필름의 반송성을 확보하고, 본딩 공정에서의 지지 기재의 확장 시에 있어서도 기재(13)의 찢어짐ㆍ부서짐ㆍ소성 변형의 발생을 방지하기 위해, 10 내지 170㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는, 50 내지 150㎛이며, 더욱 바람직하게는 100 내지 130㎛이다.

점착제층(14)의 형성에 사용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 점착제로서는 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염에 민감한 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.

상기 아크릴계 중합체로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산 알킬에스테르(예를 들면, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들면, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하고, 본 발명의 (메트)는 모두 동일한 의미이다.

상기 아크릴계 중합체는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.

또한, 상기 아크릴계 중합체는 가교시키기 위해서, 다관능성 단량체 등도 필요에 따라 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다관능성 단량체로서, 예를 들면 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들의 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은 점착 특성 등의 면에서, 전체 단량체 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.

상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떤 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 면에서 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이러한 점에서, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 150만 정도이다.

또한, 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교시킬 베이스 중합체와의 밸런스에 따라, 또한 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 5중량부 정도 이하, 또한 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라 상기 성분 이외에, 종래 공지의 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.

점착제층(14)은 자외선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 자외선 경화형 점착제는 자외선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜서 그의 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있고, 점착제층(14)의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분만을 자외선 조사함으로써 다른 부분과의 점착력의 차를 만들 수 있다.

23℃에서의 다이싱 필름(11)의 인장 저장 탄성률 Ea는 1 내지 500MPa의 범위 내가 바람직하고, 5 내지 200MPa의 범위 내가 보다 바람직하다. 또한, 점착제층(14)이 자외선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있을 경우, 점착제층(14)을 자외선 경화시킨 후의 23℃에서의 다이싱 필름(11)의 인장 저장 탄성률 Ea는 1 내지 500MPa의 범위 내가 바람직하고, 5 내지 200MPa의 범위 내가 보다 바람직하다. 상기 인장 저장 탄성률 Ea를 1MPa 이상으로 함으로써, 양호한 픽업성을 유지할 수 있다. 한편, 상기 인장 저장 탄성률 Ea를 500MPa 이하로 함으로써, 칩 비산의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 다이싱 필름(11)을 익스팬드할 수 있으므로, 인접하는 칩끼리가 접촉해서 균열의 발생이나 고착을 방지하고, 양호한 픽업성을 실현할 수 있다. 또한, 상기 자외선의 조사는, 예를 들면 30 내지 1000mJ/㎠의 자외선 조사 적산 광량에서 행해지는 것이 바람직하다. 자외선 조사 적산 광량을 30mJ/㎠ 이상으로 함으로써, 점착제층(14)을 부족함 없이 경화시킬 수 있고, 접착 필름(12)과의 과도한 밀착을 방지할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 픽업 시에, 양호한 픽업성을 나타낼 수 있다. 또한, 픽업 후에 접착 필름(12)에 점착제층(14)의 점착제가 부착(소위 풀 잔여)되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 자외선 조사 적산 광량을 1000mJ/㎠ 이하로 함으로써, 점착제층(14)의 점착력의 극도한 저하를 방지하고, 이에 의해 접착 필름(12) 사이에서 박리가 발생하여, 마운트된 반도체 웨이퍼의 탈락이 발생하는 것을 방지한다. 또한, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에, 형성된 반도체 칩의 칩 비산이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

상기 다이싱 필름(11)의 인장 저장 탄성률 Ea의 값은 다음 측정 방법에 의한 것이다. 즉, 이형 처리를 실시한 박리 라이너 상에 점착제 조성물의 용액을 도포해서 건조하고, 당해 점착제층의 표면에, 기재를 접합하여, 다이싱 필름을 형성한다. 이 다이싱 필름을 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조: 형식: RSA-II)를 사용하여, 다이싱 필름(11)의 23℃에서의 인장 저장 탄성률을 측정한다. 보다 상세하게는 길이 30.0mm×폭 5.0mm, 단면적 0.125 내지 0.9㎟의 측정 시료를 필름 인장 측정용 지그에 세팅하고, -30℃ 내지 100℃의 온도 영역에서 주파수 10.0Hz, 왜곡 0.025％, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정한다.

여기서, 접착 필름(12)은 반도체 웨이퍼의 평면에서 보는 형상에 따라, 그의 부착 부분에만 형성한 구성이다. 따라서, 접착 필름(12)의 형상에 맞춰서 자외선 경화형의 점착제층(14)을 경화시킴으로써, 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분의 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 점착력이 저하된 상기 부분에 접착 필름(12)이 부착되기 때문에, 점착제층(14)의 상기 부분과 접착 필름(12)과의 계면은 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 자외선을 조사하지 않고 있는 부분은 충분한 점착력을 갖고 있다.

상술한 바와 같이, 상기 점착제층(14)이 미경화의 자외선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분은 접착 필름(12)과 점착하고, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 자외선 경화형 점착제는, 칩 형상 반도체 웨이퍼(반도체 칩 등)를 기판 등의 피착체에 고착하기 위한 접착 필름(12)을, 접착ㆍ박리의 밸런스가 좋게 지지할 수 있다. 반도체 웨이퍼의 부착 부분에만 접착 필름(12)이 적층되는 경우에는, 접착 필름(12)이 적층되어 있지 않은 영역에서 웨이퍼 링이 고정된다.

자외선 경화형 점착제는 탄소-탄소 이중 결합 등의 자외선 경화성의 관능기를 갖고, 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들면 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 자외선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.

배합하는 자외선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들면 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 자외선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있고, 그의 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들면 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.

또한, 자외선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 자외선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 자외선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 저분자량 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많이 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 내를 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.

상기 아크릴계 중합체에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들면, 미리 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 탄소-탄소 이중 결합의 자외선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.

이들 관능기의 조합의 예로서는 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적이 용이하다는 점에서, 히드록실기와 이소시아네이트기와의 조합이 바람직하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물의 어느 것이어도 되지만, 상기한 바람직한 조합에서는 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시된 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.

상기 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 자외선 경화성의 올리고머 성분 등은 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.

상기 자외선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시킨 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들면 0.05 내지 20중량부 정도이다.

상기 자외선 경화형의 점착제층(14) 중에는 필요에 따라, 자외선 조사에 의해 착색하는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 자외선 조사에 의해 착색하는 화합물을 점착제층(14)에 포함시킴으로써, 자외선 조사된 부분만을 착색시킬 수 있다. 이에 의해, 점착제층(14)에 자외선이 조사되었는지의 여부가 육안에 의해 즉시 판명될 수 있고, 반도체 웨이퍼 부착 부분을 인식하기 쉽고, 반도체 웨이퍼의 접합이 용이하다. 또한 광 센서 등에 의해 반도체 칩을 검출할 때에, 그의 검출 정밀도가 높아지고, 반도체 칩의 픽업시에 오동작이 발생하는 경우가 없다.

자외선 조사에 의해 착색하는 화합물은, 자외선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 자외선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이다. 이러한 화합물의 바람직한 구체예로서는 류코 염료를 들 수 있다. 류코 염료로서는 관용의 트리페닐메탄계, 플루오란계, 페노티아진계, 아우라민계, 스피로피란계의 것이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 3-[N-(p-톨릴아미노)]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-메틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-에틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-디에틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 크리스탈 바이올렛 락톤, 4,4',4"-트리스디메틸아미노트리페닐메탄올, 4,4',4"-트리스디메틸아미노트리페닐메탄 등을 들 수 있다.

이들 류코 염료와 함께 바람직하게 사용되는 현색제로서는, 종래부터 사용되고 있는 페놀포르말린 수지의 초기 중합체, 방향족 카르복실산 유도체, 활성 백토 등의 전자 수용체를 들 수 있고, 또한, 색조를 변화시키는 경우에는 여러가지 공지된 발색제를 조합해서 사용할 수도 있다.

이와 같은 자외선 조사에 의해 착색하는 화합물은, 일단 유기 용매 등에 용해시킨 후에 자외선 경화형 점착제 중에 포함시켜도 되고, 또한 미분말 형상으로 해서 당해 점착제 중에 포함시켜도 된다. 이 화합물의 사용 비율은 점착제층(14) 중에 10중량％ 이하, 바람직하게는 0.01 내지 10중량％, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5중량％인 것이 바람직하다. 상기 화합물의 비율이 10중량％를 초과하면, 점착제층(14)에 조사되는 자외선이 이 화합물에 지나치게 흡수되어 버리기 때문에, 점착제층(14)에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분의 경화가 불충분해지고, 충분히 점착력이 저하되지 않는 경우가 있다. 한편, 충분히 착색시키기 위해서는, 상기 화합물의 비율을 0.01중량％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

또한, 점착제층(14)을 자외선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 기재(13)의 적어도 편면의, 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하고, 이것에 자외선 경화형의 점착제층(14)을 형성한 후에 자외선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는 지지 필름 상에서 포토마스크가 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 작성할 수 있다. 이러한 제조 방법에 의하면, 효율적으로 본 발명의 반도체 장치용 필름(10)을 제조 가능하다.

또한, 자외선 조사 시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 자외선 경화형의 점착제층(14)의 표면으로부터 임의의 방법으로 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 점착제층(14)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.

점착제층(14)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착 필름의 고정 유지의 양립성의 점에서는, 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛이고, 또한 5 내지 25㎛가 바람직하다.

또한, 기재(13)의 두께와 점착제층(14)의 두께의 합계, 즉 다이싱 필름(11)의 두께는 반송성, 칩 절단면의 절결 방지나 접착 필름의 고정 유지의 관점, 픽업성의 관점에서 25 내지 180㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 내지 150㎛이고, 더욱 바람직하게는 100 내지 130㎛이다.

접착 필름(12)은 접착 기능을 갖는 층이며, 그의 구성 재료로서는 열가소성 수지와 열경화성 수지를 병용해도 되고, 열가소성 수지를 단독으로 사용해도 된다.

접착 필름(12)의 유리 전이 온도는 0 내지 100℃의 범위 내가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 80℃의 범위 내가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 20℃ 내지 60℃이다. 상기 유리 전이 온도가 0℃ 이상이면, B 스테이지 상태에서의 접착 필름(12)의 점착성이 커져서 그의 취급성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에, 다이싱 날과의 마찰에 의해 열용융한 접착제가 반도체 칩에 부착되어, 이에 의해 픽업 불량의 원인이 되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 유리 전이 온도를 100℃ 이하로 함으로써, 유동성이나 반도체 웨이퍼와의 밀착성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 유리 전이 온도는 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조: 형식: RSA-II)를 사용하여, -30℃ 내지 250℃의 온도 영역에서 주파수 10.0Hz, 왜곡 0.025％, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정했을 때의 Tanδ(G"(손실 탄성률)/G'(저장 탄성률))가 극대값을 나타내는 온도이다.

경화 전 23℃에서의 접착 필름(12)의 인장 저장 탄성률은 50 내지 5000MPa의 범위 내가 바람직하고, 100 내지 3000MPa의 범위 내가 보다 바람직하고, 300 내지 2000MPa의 범위 내가 더욱 바람직하다. 접착 필름(12)의 상기 인장 저장 탄성률을 50MPa 이상으로 함으로써, 접착 필름(12)에 전사 자국이 발생하는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다. 또한, 접착 필름(12)의 미끄럼성이 향상되고, 커버 필름(2)에의 접합 시에 주름이 발생하는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다. 또한, 접착 필름(12)의 상기 인장 저장 탄성률을 5000MPa 이하로 함으로써, 마운트되는 반도체 웨이퍼나 다이본드하는 기판 등과의 밀착성을 양호하게 할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 접착 필름의 인장 저장 탄성률이란, 접착 필름이 열경화형일 경우에는 열경화 전의 인장 저장 탄성률을 말한다.

상기 인장 저장 탄성률의 값은 다음 측정 방법에 의한 것이다. 즉, 이형 처리를 실시한 박리 라이너 상에 접착제 조성물의 용액을 도포해서 건조하여, 두께 100㎛의 접착 필름(12)을 형성한다. 이 접착 필름(12)을 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조: 형식: RSA-II)를 사용하여, 접착 필름(12)의 경화 전의 23℃에서의 인장 저장 탄성률을 측정한다. 보다 상세하게는 샘플 크기를 길이 30.0×폭 5.0×두께 0.1mm로 하고, 측정 시료를 필름 인장 측정용 지그에 세팅하고, -30℃ 내지 280℃의 온도 영역에서 주파수 10.0Hz, 왜곡 0.025％, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정한다.

상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 30만 이상 150만 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 35만 내지 100만, 더욱 바람직하게는 40만 내지 80만이다. 상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량을 30만 이상으로 함으로써, 23℃에서의 접착 필름의 인장 저장 탄성률을 적합한 값으로 컨트롤할 수 있다. 또한, 상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량이 30만 이상이고, 비교적 저분자량 물질의 함유량이 적으면, 청정한 피착체의 오염을 방지하는 것 등이 가능하다. 또한, 중량 평균 분자량은 GPC(겔ㆍ투과ㆍ크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값을 말한다.

상기 열가소성 수지로서는 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높아, 반도체 장치의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.

상기 아크릴 수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 또는 도데실기 등을 들 수 있다.

또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체를 들 수 있다. 그 중에서도, 다이 본드 필름의 인장 저장 탄성률을 적합한 값으로 하는 관점에서, 카르복실기 함유 단량체가 바람직하다.

상기 열경화성 수지로서는 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 특히 반도체 칩을 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.

상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예를 들면 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.

또한, 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들면 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.

상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들면 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량 당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 포함하는 접착 필름(12)이 특히 바람직하다. 이들 수지는 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으므로, 반도체 칩의 신뢰성을 확보할 수 있다. 이 경우의 배합비는 아크릴 수지 성분 100중량부에 대하여, 에폭시 수지와 페놀 수지의 혼합량이 10 내지 200중량부이다.

접착 필름(12)은 필요에 따라, 접착 필름(12)의 구성 재료로서 열경화 촉매를 사용해도 된다. 그의 배합 비율로서는 유기 성분 100중량부에 대하여 0.1 내지 3.0중량부의 범위 내가 바람직하고, 0.15 내지 2.0중량부의 범위 내가 보다 바람직하고, 0.2 내지 1.0중량부의 범위 내가 특히 바람직하다. 배합 비율을 0.1중량부 이상으로 함으로써, 열경화 후의 접착력을 양호하게 발현시킬 수 있다. 한편, 배합 비율을 3.0중량부 이하로 함으로써, 보존성의 저하를 억제할 수 있다.

상기 열경화 촉매로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트리페닐보란계 화합물, 트리할로겐보란계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다.

상기 이미다졸계 화합물로서는 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시꼬꾸 가세이(주) 제조).

상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐트리포스핀 등의 트리오르가노포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드(상품명; TPP-PB), 메틸트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-MB), 메틸트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-MC), 메톡시메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MOC), 벤질트리포스포늄클로라이드(상품명; TPP-ZC) 등을 들 수 있다(모두 홋꼬 가가꾸사 제조). 또한, 상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 것인 것이 바람직하다. 에폭시 수지에 대하여 비용해성으로 하면, 열경화가 과도하게 진행되는 것을 억제할 수 있다. 트리페닐포스핀 구조를 갖고, 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 열경화 촉매로서는, 예를 들면 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB) 등을 예시할 수 있다. 또한, 상기 「비용해성」이란, 트리페닐포스핀계 화합물로 이루어지는 열경화 촉매가 에폭시 수지로 이루어지는 용매에 대하여 불용성인 것을 의미하고, 보다 상세하게는 온도 10 내지 40℃의 범위에서 10중량％ 이상 용해되지 않는 것을 의미한다.

상기 트리페닐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 트리(p-메틸페닐)보란 등을 들 수 있다. 또한, 트리페닐보란계 화합물로서는 추가로 트리페닐포스핀 구조를 갖는 것도 포함된다. 당해 트리페닐포스핀 구조 및 트리페닐보란 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트(상품명; TPP-MK), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-ZK), 트리페닐포스핀트리페닐보란(상품명; TPP-S) 등을 들 수 있다(모두 홋꼬 가가꾸사 제조).

상기 아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 모노에탄올아민트리플루오로보레이트(스텔라 케미파(주) 제조), 디시안디아미드(나카라이텍스(주) 제조) 등을 들 수 있다.

상기 트리할로겐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 트리클로로보란 등을 들 수 있다.

본 실시 형태에 관한 접착 필름(12)은 미리 어느 정도 가교를 시켜 두기 위해서, 제작 시에 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜도 된다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모한다.

상기 가교제로서는, 종래 공지의 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여, 통상 0.05 내지 7중량부로 하는 것이 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하되므로 바람직하지 않다. 한편, 0.05중량부 보다 적으면 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이와 같은 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 함께 포함시키도록 해도 된다.

또한, 접착 필름(12)에는 그 용도에 따라 무기 충전제를 적절하게 배합할 수 있다. 무기 충전제의 배합은, 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 무기 충전제로서는, 예를 들면 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 기타 카본 등으로 이루어지는 다양한 무기 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다. 그 중에서도 실리카, 특히 용융 실리카가 적절하게 사용된다. 또한, 무기 충전제의 평균 입경은 0.01 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다.

상기 무기 충전제의 배합량은 유기 성분 100중량부에 대하여 0 내지 80중량부로 설정하는 것이 바람직하고, 0 내지 70중량부로 설정하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 접착 필름(12)에는 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들면 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들면 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들면 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들면 하이드로탈사이트류, 수산화비스무스 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.

접착 필름(12)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 5 내지 100㎛ 정도, 바람직하게는 5 내지 70㎛ 정도이다.

반도체 장치용 필름(10)에는 대전 방지능을 갖게 할 수 있다. 이에 의해, 그의 접착 시 및 박리 시 등에서의 정전기의 발생이나 그것에 따른 반도체 웨이퍼 등의 대전에서 회로가 파괴되는 것 등을 방지할 수 있다. 대전 방지능의 부여는 기재(13), 점착제층(14) 또는 접착 필름(12)에 대전 방지제나 도전성 물질을 첨가하는 방법, 기재(13)에의 전하 이동 착체나 금속막 등으로 이루어지는 도전층의 부설 등, 적당한 방식으로 행할 수 있다. 이들 방식으로서는, 반도체 웨이퍼를 변질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생하기 어려운 방식이 바람직하다. 도전성의 부여, 열전도성의 향상 등을 목적으로서 배합되는 도전성 물질(도전 필러)로서는 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등의 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상의 금속분, 알루미나 등의 금속 산화물, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 단, 상기 접착 필름(12)은 비도전성인 것이 전기적으로 누설되지 않도록 할 수 있는 점에서 바람직하다.

접착 필름(12)은 커버 필름(2)에 의해 보호되어 있다. 커버 필름(2)은 실용에 제공할 때까지 접착 필름(12)을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 커버 필름(2)은 다이싱 시트 부착 접착 필름의 접착 필름(12) 상에 반도체 웨이퍼를 부착할 때에 박리된다. 커버 필름(2)으로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.

커버 필름(2)의 인장 저장 탄성률 Eb는 1 내지 5000MPa의 범위 내가 바람직하고, 50 내지 4500MPa의 범위 내가 보다 바람직하고, 100 내지 4000MPa의 범위 내가 더욱 바람직하다. 커버 필름(2)의 인장 저장 탄성률 Eb를 1MPa 이상으로 함으로써, 커버 필름(2)의 다이 본드 필름(12)에의 추종성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 커버 필름(2)의 인장 저장 탄성률 Eb를 5000MPa 이하로 함으로써, 접착 필름(12)의 커버 필름(2)에의 접합 시에 커버 필름(2)에 접힘이 발생하는 것을 보다 억제할 수 있고, 접착 필름(12)에 상처를 입히거나, 필름 사이에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있다.

커버 필름(2)의 두께는 작업성, 반송성의 관점에서 10 내지 100㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 내지 75㎛이고, 더욱 바람직하게는 25 내지 50㎛이다.

이어서, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치용 필름(10)의 제조 방법에 대해서, 이하에 설명한다.

본 실시 형태에 관한 반도체 장치용 필름(10)의 제조 방법은 기재(13) 상에 점착제층(14)을 형성하여 다이싱 필름(11)을 제작하는 공정과, 기재 세퍼레이터(22) 상에 접착 필름(12)을 형성하는 공정과, 접착 필름(12)을, 부착하는 반도체 웨이퍼의 형상에 맞춰서 펀칭하는 공정과, 다이싱 필름(11)의 점착제층(14)과 접착 필름(12)을 접합면으로서 적층시키는 공정과, 링 프레임에 대응한 원 형상으로 다이싱 필름(11)을 펀칭하는 공정과, 접착 필름(12) 상의 기재 세퍼레이터(22)를 박리함으로써 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)을 제작하는 공정과, 커버 필름(2) 상에 소정의 간격을 두고 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)을 접합하는 공정을 포함한다.

다이싱 필름(11)의 제작 공정은, 예를 들면 다음과 같이 하여 행해진다. 우선, 기재(13)는 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들면 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.

이어서, 기재(13) 상에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층(14)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들면, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는 도포막의 두께나 재료 등에 따라서 적절히 설정될 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 제1 세퍼레이터(21) 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜 점착제층(14)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(13) 상에 점착제층(14)을 제1 세퍼레이터(21)와 함께 접합한다. 이에 의해, 제1 세퍼레이터(21)로 점착제층(14)이 보호된 다이싱 필름(11)이 제작된다(도 3의 (a) 참조). 제작된 다이싱 필름(11)은 롤 형상으로 권회된 긴 형태를 가져도 된다. 이 경우, 다이싱 필름(11)에 느슨해짐이나 권회 어긋남, 위치 어긋남이 발생하지 않도록, 그의 길이 방향이나 폭 방향으로 인장 장력을 가하면서 권회하는 것이 바람직하다. 단, 인장 장력을 가함으로써, 다이싱 필름(11)은 인장 잔류 왜곡이 잔존한 상태에서 롤 형상으로 권회된다. 또한, 다이싱 필름(11)의 권취 시에, 상기 인장 장력이 가해짐으로써 다이싱 필름(11)이 연신되는 경우가 있지만, 권취는 연신 조작을 목적으로 하는 것은 아니다.

점착제층(14)으로서, 자외선 경화형 점착제로 이루어지고, 미리 자외선 경화된 것을 채용하는 경우에는, 다음과 같이 하여 형성한다. 즉, 기재(13) 상에 자외선 경화형의 점착제 조성물을 도포해서 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층을 형성한다. 도포 방법, 도포 조건 및 건조 조건은 상기와 동일하게 행할 수 있다. 또한, 제1 세퍼레이터(21) 상에 자외선 경화형의 점착제 조성물을 도포해서 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 점착제층을 형성해도 된다. 그 후, 기재(13) 상에 점착제층을 전사한다. 또한, 점착제층에 소정 조건 하에서 자외선을 조사한다. 자외선의 조사 조건으로서는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 적산 광량이 30 내지 1000mJ/㎠가 되는 범위 내가 바람직하고, 50 내지 800mJ/㎠가 되는 범위 내가 보다 바람직하고, 100 내지 500mJ/㎠가 되는 범위 내가 더욱 바람직하다. 적산 광량을 상기 수치 범위 내로 조절함으로써, 접착 필름(12)과 다이싱 필름(11) 사이의 박리력 F2를 0.08 내지 10N/100mm의 범위 내로 제어할 수 있다. 자외선의 조사가 30mJ/㎠ 미만이면, 점착제층(14)의 경화가 불충분해져, 접착 필름(12)과의 박리력이 지나치게 커질 경우가 있다. 그 결과, 접착 필름과의 밀착성이 증대하고, 픽업성의 저하를 초래한다. 또한 픽업 후, 접착 필름에 풀 잔여가 발생하는 경우가 있다. 한편, 적산 광량이 1000mJ/㎠를 초과하면, 접착 필름(12)과의 박리력이 지나치게 작아지는 경우가 있다. 그 결과, 점착제층(14)과 접착 필름(12) 사이에서 계면 박리를 일으키는 경우가 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에, 칩 비산이 발생하는 경우가 있다. 또한, 기재(13)에 대하여 열적 데미지를 부여할 경우가 있다. 또한, 점착제층(14)의 경화가 과도하게 진행해서 인장 탄성률이 지나치게 커져, 익스팬드성이 저하된다. 또한, 자외선의 조사는, 후술하는 접착 필름(12)과의 접합 공정 후에 행해도 된다. 이 경우, 자외선 조사는 기재(13)측으로부터 행하는 것이 바람직하다.

접착 필름(12)의 제작 공정은 다음과 같이 하여 행해진다. 즉, 접착 필름(12)을 형성하기 위한 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터(22) 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한다. 그 후, 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜, 접착 필름(12)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들면, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는 도포막의 두께나 재료 등에 따라서 적절히 설정될 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 또한, 제2 세퍼레이터(23) 상에 점착제 조성물을 도포해서 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 접착 필름(12)을 형성해도 된다. 그 후, 기재 세퍼레이터(22) 상에 접착 필름(12)을 제2 세퍼레이터(23)와 함께 접합한다. 이에 의해, 기재 세퍼레이터(22) 상에 접착 필름(12) 및 제2 세퍼레이터(23)가 순차 적층된 적층 필름이 제작된다(도 3의 (b) 참조). 이 적층 필름은 롤 형상으로 권회된 긴 형태를 가져도 된다. 이 경우, 접착 필름(12)에 느슨해짐이나 권회 어긋남, 위치 어긋남이 발생하지 않도록, 그의 길이 방향이나 폭 방향으로 인장 장력을 가하면서 권회하는 것이 바람직하다.

이어서, 접착 필름(12)을, 부착하는 반도체 웨이퍼의 형상에 맞춰서 펀칭하고, 다이싱 필름(11)에 접합한다. 이에 의해, 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)이 얻어진다. 즉, 다이싱 필름(11)으로부터 제1 세퍼레이터(21)를 박리함과 함께, 펀칭된 접착 필름(12)으로부터 제2 세퍼레이터(23)를 박리하고, 접착 필름(12)과 점착제층(14)을 접합면이 되도록 하여 양자를 접합한다(도 3의 (c) 참조). 이때, 다이싱 필름(11) 또는 접착 필름(12) 중 적어도 어느 한쪽에 대하여, 주연부에 인장 장력을 가하면서 압착을 행한다. 또한, 다이싱 필름(11)이 롤 형상으로 권회된 긴 것인 경우, 다이싱 필름(11)에 대하여는, 그의 길이 방향에서 최대한 인장 장력을 가하지 않고 반송하는 것이 바람직하다. 필름의 인장 잔류 왜곡을 억제하기 위해서이다. 단, 다이싱 필름(11)에 느슨해짐이나 권회 어긋남, 위치 어긋남, 보이드(기포) 등의 발생을 방지하는 관점에서는 10 내지 25N의 범위 내에서 인장 장력을 가해도 된다. 당해 범위 내이면, 다이싱 필름(11)에 인장 잔류 왜곡이 잔존하고 있어도, 다이싱 필름(11)과 접착 필름(12) 사이의 계면 박리가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 다이싱 필름(11)과 접착 필름(12)의 접합은, 예를 들면 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 30 내지 80℃가 바람직하고, 30 내지 60℃가 더욱 바람직하고, 30 내지 50℃가 특히 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않지만, 통상은 0.1 내지 20kgf/cm가 바람직하고, 1 내지 10kgf/cm가 보다 바람직하다. 유기 성분의 유리 전이 온도가 -20 내지 50℃의 범위 내인 접착 필름(12)에 대하여, 라미네이트 온도 및/또는 선압을 각각 상기 수치 범위 내로 조정하여, 다이싱 필름(11)과 접합함으로써, 접착 필름(12)과 다이싱 필름(11) 사이의 박리력 F2를 0.08 내지 10N/100mm의 범위 내로 제어할 수 있다. 여기서, 예를 들면 라미네이트 온도를 상기 범위 내에서 높게 함으로써, 다이싱 필름(11)과 접착 필름(12) 사이의 박리력 F2를 크게 할 수 있다. 또한, 선압을 상기 범위 내에서 크게 함으로써도, 박리력 F2를 크게 할 수 있다.

이어서, 접착 필름(12) 상의 기재 세퍼레이터(22)를 박리하고, 인장 장력을 가하면서 커버 필름(2)을 접합한다. 계속해서, 소정의 간격을 두고 링 프레임에 대응한 원 형상으로 다이싱 필름(11)을 펀칭한다. 이에 의해, 프리컷된 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)이 소정의 간격을 두고 커버 필름(2)에 적층된 반도체 장치용 필름(10)이 제작된다.

다이싱 시트 부착 접착 필름(1)에서의 접착 필름(12)의 커버 필름(2)에의 접합은, 압착에 의해 행하는 것이 바람직하다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 20 내지 80℃가 바람직하고, 20 내지 60℃가 더욱 바람직하고, 20 내지 50℃가 특히 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않지만, 통상은 0.1 내지 20kgf/cm가 바람직하고, 0.2 내지 10kgf/cm가 보다 바람직하다. 유기 성분의 유리 전이 온도가 -20 내지 50℃의 범위 내인 접착 필름(12)에 대하여, 라미네이트 온도 및/또는 선압을 각각 상기 수치 범위 내로 조정하여, 커버 필름(2)과 접합함으로써, 접착 필름(12)과 커버 필름(2) 사이의 박리력 F1을 0.025 내지 0.075N/100mm의 범위 내로 제어할 수 있다. 여기서, 예를 들면 라미네이트 온도를 상기 범위 내에서 높게 함으로써, 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)과 커버 필름(2) 사이의 박리력 F1을 크게 할 수 있다. 또한, 선압을 상기 범위 내에서 크게 함으로써도, 박리력 F1을 크게 할 수 있다. 또한, 커버 필름(2)에 대하여는, 그의 길이 방향에서 인장 장력을 최대한 가하지 않고 반송하는 것이 바람직하다. 커버 필름(2)의 인장 잔류 왜곡을 억제하기 위해서이다. 단, 커버 필름(2)에 느슨해짐이나 권회 어긋남, 위치 어긋남, 보이드(기포) 등의 발생을 방지하는 관점에서는, 10 내지 25N의 범위 내에서 인장 장력을 가해도 된다. 당해 범위 내이면, 커버 필름(2)에 인장 잔류 왜곡이 잔존하고 있어도, 다이싱 시트 부착 접착 필름(1)에 대한 커버 필름(2)의 필름 들뜸 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 다이싱 필름(11)의 점착제층(14) 상에 접합되는 제1 세퍼레이터(21), 접착 필름(12)의 기재 세퍼레이터(22), 및 그의 접착 필름(12) 상에 접합되는 제2 세퍼레이터(23)로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 이형 처리된 필름을 사용할 수 있다. 제1 세퍼레이터(21) 및 제2 세퍼레이터(23)는 각각 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 기재 세퍼레이터(22)는 접착 필름(12)을 다이싱 필름(11)의 점착제층(14) 상에 전사할 때의 기재로서의 기능을 갖고 있다. 이들 각 필름을 구성하는 재료로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 채용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등을 들 수 있다.

본 발명의 접착 필름은 다이 본드 필름이나, 플립칩형 반도체 이면용 필름으로서 사용할 수 있다. 플립칩형 반도체 이면용 필름이란, 피착체(예를 들면, 리드 프레임이나 회로 기판 등의 각종 기판) 상에 플립칩 접속된 반도체 소자(예를 들면, 반도체 칩)의 이면에 형성하기 위해서 사용되는 것이다.

<실시예>

이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은 본 발명의 요지를 그들에만 한정하는 취지의 것은 아니다. 또한, 부라고 하는 것은 중량부를 의미한다.

(실시예 1)

(다이싱 필름의 점착제층의 제작)

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산2-에틸헥실(2EHA) 76부, 아크릴산 2-히드록시에틸(HEA) 24부, 및 과산화벤조일 0.2부 및 톨루엔 60부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 중합 처리를 하여, 중량 평균 분자량 75만의 아크릴계 중합체 A를 얻었다. 2EHA와 HEA의 몰비는 100mol 대 20mol로 하였다. 중량 평균 분자량의 측정은 상술한 바와 같다.

이 아크릴계 중합체 A에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고 함) 10부(HEA에 대하여 80mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A'를 얻었다.

이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L 」, 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 6부, 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, 시바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬사 제조) 4부를 첨가하여, 점착제 용액을 제작하였다.

상기에서 제조한 점착제 용액을, PET 박리 라이너(제1 세퍼레이터)의 실리콘 처리를 실시한 면 위에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 30㎛의 점착제층을 형성하였다. 계속해서, 저밀도 폴리에틸렌 수지(스미또모 가가꾸 제조 스미카센 F218)를 T다이법으로 압출하고, 두께 40㎛의 시트 형상의 기재를 작성하여, 상기 점착제층의 표면에 접합하였다. 그 후, 50℃에서 24시간 보존을 하였다.

또한, 상기 PET 박리 라이너를 박리하고, 점착제층의 반도체 웨이퍼 부착 부분(직경 200mm의 원 형상)에 상당하는 부분(직경 220mm의 원 형상)에만 자외선을 직접 조사하였다. 이에 의해, 본 실시예에 관한 다이싱 필름을 제작하였다. 또한, 조사 조건은 하기와 같다.

<자외선의 조사 조건>

자외선(UV) 조사 장치: 고압 수은등

자외선 조사 적산 광량: 500mJ/㎠

출력: 120W

조사 강도: 200mW/㎠

<접착 필름의 제작>

에폭시기를 갖는 아크릴 고무(「SG80H」; 나가세 켐텍스(주) 제조) 100부에 대하여, 에폭시 수지 1(JER(주) 제조, 에피코트 1004) 228부, 에폭시 수지 2(JER(주) 제조, 에피코트 827) 206부, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주) 제조, 미렉스 XLC-4L) 466부, 무기 충전제로서 구 형상 실리카(애드마텍스(주) 제조, 상품명; SO-25R, 평균 입경 0.5㎛) 667부, 경화 촉매(시꼬꾸 가세(주) 제조, C11-Z) 3부를 메틸에틸케톤에 용해해서 농도 25중량％가 되도록 조정하였다. 또한 23℃에서의 접착 필름의 인장 저장 탄성률은 1421MPa, 유리 전이 온도는 41.5℃였다.

이 접착제 조성물의 용액을, 이형 처리 필름(기재 세퍼레이터) 상에 파운틴 코터에 의해 도포해서 도포층을 형성하고, 이 도포층에 대하여 150℃, 10m/s의 열풍을 2분간, 직접 분사해서 건조시켰다. 이에 의해, 이형 처리 필름 상에 두께 25㎛의 접착 필름을 제작하였다. 또한, 이형 처리 필름(기재 세퍼레이터)으로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 50㎛)에 실리콘 이형 처리한 것을 사용하였다.

<다이싱 시트 부착 접착 필름의 제작>

이어서, 상기 접착 필름을 직경 230mm의 원 형상으로 잘라내고, 상기 다이싱 필름의 점착제층과 원 형상으로 잘라낸 접착 필름을 접합하였다. 접합은 닙 롤을 사용하고, 접합 조건은 라미네이트 온도 50℃, 선압 3kgf/cm로 접합하고, 또한, 접착 필름 상의 기재 세퍼레이터를 박리하여 이형 처리 필름(커버 필름)으로서, 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 50㎛)을 접합하였다. 이때, 커버 필름에 대하여, 위치 어긋남, 보이드(기포) 등이 발생하는 것을 방지하기 위해서, 댄서 롤을 사용해서 17N의 인장 장력을 MD 방향으로 가하면서, 라미네이트 온도는 가하지 않고, 선압 2kgf/cm으로 접합하여, 다이싱 시트 부착 접착 필름을 제작하였다.

<반도체 장치용 필름의 제작>

또한, 접착 필름이 중심이 되도록 직경 270mm의 원 형상으로 다이싱 필름을 펀칭함으로써, 10mm의 간격을 두고 250장의 다이싱 시트 부착 접착 필름이 접합된 본 실시예에 관한 반도체 장치용 필름을 얻었다.

(실시예 2)

<다이싱 필름의 제작>

본 실시예에 관한 다이싱 필름은 상기 점착제층에, 100㎛의 폴리올레핀 필름(기재)을 접합한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 것을 사용하였다.

<접착 필름의 제작>

아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주) 제조, 상품명; 파라크론 W-197CM, Tg: 18℃, 중량 평균 분자량: 40만) 100부에 대하여, 에폭시 수지(닛본 가야꾸(주) 제조, 상품명; EOCN-1027) 434부, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주) 제조, 미렉스 XLC-4L) 466부, 무기 충전제로서 구 형상 실리카(애드마텍스(주) 제조, 상품명; SO-25R, 평균 입경 0.5㎛) 1500부, 경화 촉매(시꼬꾸 가세이(주) 제조, C11-Z) 3부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 20중량％가 되도록 조정하였다. 또한 23℃에서의 접착 필름의 인장 저장 탄성률은 517MPa, 유리 전이 온도는 47.5℃였다.

<다이싱 시트 부착 접착 필름의 제작>

상기 접착 필름을 직경 230mm의 원 형상으로 잘라내고, 상기 다이싱 필름의 점착제층과 원 형상으로 잘라낸 접착 필름을 접합하였다. 또한, 접착 필름 상의 기재 세퍼레이터를 박리하여 이형 처리 필름(커버 필름)으로서, 실리콘 이형 처리된 폴리올레핀 필름(두께 25㎛)을 접합함으로써, 다이싱 시트 부착 접착 필름을 제작하였다. 접합 조건은 실시예 1과 동일하게 하였다.

<반도체 장치용 필름의 제작>

또한, 접착 필름이 중심이 되도록 직경 270mm의 원 형상으로 다이싱 필름을 펀칭함으로써, 100mm의 간격을 두고 250장의 다이싱 시트 부착 접착 필름이 접합된 본 실시예에 관한 반도체 장치용 필름을 얻었다.

(실시예 3)

<다이싱 필름의 제작>

본 실시예에 관한 다이싱 필름은 랜덤 폴리프로필렌 수지(MFR: 2g/10분, 에틸렌 성분 함유량: 60중량％)만으로 이루어지는 점착 테이프 기재(두께 100㎛)를 점착제층으로서 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 것을 사용하였다. 또한, 점착 테이프 기재의 한면에 코로나 처리를 실시하였다. 계속해서, 당해 점착제층의 표면에, 두께 100㎛의 폴리올레핀 필름(기재)을 접합하였다. 그 후, 50℃에서 24시간 보존을 하였다.

<접착 필름의 제작>

아크릴 고무(나가세 켐텍스(주) 제조, 상품명: SG-708-6) 100부에 대하여, 에폭시 수지(닛본 가야꾸(주) 제조, 상품명; EOCN-1027) 434부, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주) 제조, 미렉스 XLC-LL) 466부, 무기 충전제로서 구 형상 실리카(애드마텍스(주) 제조, 상품명; SO-25R, 평균 입경 0.5㎛) 429부를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 25중량％가 되도록 조정하였다. 또한 23℃에서의 접착 필름의 인장 저장 탄성률은 2320MPa, 유리 전이 온도는 38.9℃였다.

<다이싱 시트 부착 접착 필름의 제작>

상기 접착 필름을 직경 230mm의 원 형상으로 잘라내고, 상기 다이싱 필름의 점착제층과 원 형상으로 잘라낸 접착 필름을 접합하였다. 또한, 접착 필름 상의 기재 세퍼레이터를 박리하여 이형 처리 필름(커버 필름)으로서, 저밀도 폴리에틸렌 수지(스미또모 가가꾸제 스미카센 F218)를 T다이법으로 압출하여, 두께 25㎛의 시트로 한 필름을 접합함으로써, 다이싱 시트 부착 접착 필름을 제작하였다. 접합 조건은 실시예 1과 동일하게 하였다.

<반도체 장치용 필름의 제작>

(비교예 1)

<반도체 장치용 필름의 제작>

커버 필름으로서, 두께 100㎛의 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용한 것 이외에는 본 실시예 1과 동일하게 하여, 본 비교예에 관한 반도체 장치용 필름을 제작하였다.

(비교예 2)

<다이싱 필름의 제작>

본 비교예에 관한 다이싱 필름은 랜덤 폴리프로필렌 수지(MFR: 1.7g/10분, 에틸렌 성분 함유량: 75중량％)만으로 이루어지는 점착 테이프 기재 130㎛를 점착제층으로서 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 것을 사용하였다.

<접착 필름의 제작>

본 비교예에 관한 접착 필름은 실시예 3과 동일한 접착 필름을 사용하였다.

<다이싱 시트 부착 접착 필름의 제작>

상기 접착 필름을 직경 230mm의 원 형상으로 잘라내고, 상기 다이싱 필름의 점착제층과 원 형상으로 잘라낸 접착 필름을 접합하였다. 또한, 접착 필름 상의 기재 세퍼레이터를 박리해서 이형 처리 필름(커버 필름)으로서, 두께 25㎛의 실리콘 이형 처리된 폴리올레핀 필름을 접합함으로써, 다이싱 시트 부착 접착 필름을 제작하였다. 접합 조건은 실시예 1과 동일하게 하였다.

<반도체 장치용 필름의 제작>

또한, 접착 필름이 중심이 되도록 직경 270mm의 원 형상으로 다이싱 필름을 펀칭함으로써, 100mm의 간격을 두고 250장의 다이싱 시트 부착 접착 필름이 접합된 본 비교예에 관한 반도체 장치용 필름을 얻었다.

(23℃에서의 다이싱 필름의 인장 저장 탄성률 Ea)

각 실시예 및 비교예의 다이싱 필름을 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조: 형식: RSA-II)를 사용하여, 다이싱 필름의 경화 전의 23℃에서의 인장 저장 탄성률을 측정하였다. 보다 상세하게는 길이 30.0mm×폭 5.0mm, 단면적 0.125 내지 0.9㎟의 측정 시료를 필름 인장 측정용 지그에 세팅하고, -30℃ 내지 100℃의 온도 영역에서 주파수 10.0Hz, 왜곡 0.025％, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정하였다.

(23℃에서의 커버 필름의 인장 저장 탄성률 Eb)

각 실시예 및 비교예의 커버 필름에 대해서, 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조: 형식: RSA-II)를 사용하여, 23℃에서의 인장 탄성률을 측정하였다. 보다 상세하게는, 샘플 크기를 길이 30mm×폭 5mm로 하고, 측정 시료를 필름 인장 측정용 지그에 세팅하여, -30 내지 280℃의 온도 영역에서 주파수 1.0Hz, 왜곡 0.025％, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정하였다.

(23℃에서의 접착 필름의 인장 저장 탄성률)

각 실시예 및 비교예의 접착 필름에 대해서, 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조: 형식: RSA-II)를 사용하여, 23℃에서의 인장 탄성률을 측정하였다. 보다 상세하게는, 샘플 크기를 길이 30mm×폭 5mm로 하고, 측정 시료를 필름 인장 측정용 지그에 세팅하여 -30 내지 280℃의 온도 영역에서 주파수 10.0Hz, 왜곡 0.025％, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정하였다.

(유리 전이 온도)

각 실시예 및 비교예의 유리 전이 온도는 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조, 형식: RSA-II)를 사용하여, -30℃ 내지 250℃의 온도 영역에서 주파수 10.0Hz, 왜곡 0.025％, 승온 속도 10℃/분의 조건 하에서 측정했을 때의 Tanδ(G"(손실 탄성률)/G'(저장 탄성률))가 극대값을 나타내는 온도로 하였다.

(픽업의 평가)

각 반도체 장치용 필름으로부터 커버 필름을 각각 박리하고, 접착 필름 상에 반도체 웨이퍼의 마운트를 행하였다. 반도체 웨이퍼로서는 크기가 8인치, 두께 75㎛의 것을 사용하였다. 반도체 웨이퍼의 마운트 조건은 상기와 동일하게 하였다.

이어서, 하기의 조건에 따라 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행하여, 30개의 반도체 칩을 형성하였다. 또한, 반도체 칩을 다이 본드 필름과 함께 픽업하였다. 픽업은 30개의 반도체 칩(세로 5mm×가로 5mm)에 대하여 행하고, 파손 없이 반도체 칩의 픽업을 성공했을 경우를 카운트해서 성공률을 산출하였다. 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 픽업 조건은 하기와 같다.

<다이싱 조건>

다이싱 방법: 스텝컷

다이싱 장치: DISCO DFD6361(상품명, 가부시끼가이샤 디스코 제조)

다이싱 속도: 50mm/초

다이싱 블레이드: Z1; 디스코사 제조 「NBC-ZH2030-SE27HDD」

Z2; 디스코사 제조 「NBC-ZH2030-SE27HBB」

다이싱 블레이드 회전수: Z1; 50,000rpm, Z2; 50,000rpm

다이싱 테이프 절입 깊이: 20㎛

웨이퍼 칩 사이즈: 5mm×5mm

<픽업 조건>

픽업 장치: 상품명 「SPA-300」 신카와사 제조

니들 수: 5개

들어올림 양: 400㎛

들어올림 속도: 10mm/초

끌어내림 양: 3mm

<냉동 보존 후의 권회 자국 전사에 의한 보이드 유무 평가>

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 반도체 장치용 필름을, 권취 장력을 2kg으로 하여 롤 형상으로 권취하였다. 그리고, 이 상태에서, 온도 -30℃의 냉장고 내에 2주일 방치하였다. 그 후, 실온으로 복귀시키고 나서 롤을 풀고, 100장째의 다이싱 시트 부착 접착 필름을 사용하여, 반도체 웨이퍼의 마운트를 행하여, 육안으로 보이드의 유무를 확인하였다. 반도체 웨이퍼로서는 크기가 8인치, 두께 75㎛의 것을 사용하였다. 또한, 접합 조건은 이하와 같이 하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.

<접합 조건>

부착 장치: ACC(주) 제조, 상품명; RM-300

부착 속도: 20mm/초

부착 압력: 0.25MPa

부착 온도: 60℃

<자동 부착기에서의 반송성>

닛토 세이끼(주)사 제조의 MA-3000III를 사용하여, 100장의 웨이퍼에 대하여 다이싱 시트 부착 접착 필름의 부착을 행하고, 장치가 일시 정지해 버리는 것과 같은 트러블 횟수를 계측하였다. 부착 조건은, 부착 속도: 20mm/초, 부착 압력: 0.25MPa, 부착 온도: 60℃로 하였다.

<흡습 신뢰성 평가>

냉동 보존 시험에 사용한 반도체 장치용 필름을 상기 조건에서 마운트, 다이싱, 픽업을 행하였다. 이어서, 반도체 소자를 비스말레이미드-트리아진 수지 기판에, 120℃×500gf×1초의 조건에서 다이 본딩한 후, 180℃에서 1시간의 열이력을 가하였다. 이어서, 몰드 머신(TOWA 제조, Model-Y-serise)을 사용하여, 이들을 몰드하였다. 구체적으로는, 에폭시계 밀봉 수지(닛토덴코 제조, HC-300B6)를 사용하여, 175℃에서, 프리히트 설정 3초, 인젝션 시간 12초, 큐어 시간 120초에서 몰드하였다. 그 후, 175℃, 5시간의 조건에서 가열 경화해서 반도체 패키지를 얻었다. 이 패키지를 항온 항습기 중(30℃, 60％RH)에서 192시간, 흡습 처리한 후, IR 리플로우 장치 SAI-2604M(센쥬 킨조꾸 고교 제조)에 3회 반복하여 투입하였다. 그때의 패키지 표면 피크 온도는 260℃가 되도록 조정하였다. 박리의 유무를 초음파 탐사 영상 장치(히타치 겐끼 파인 테크 제조 FS-200)에서 관찰하고, 그 후 패키지의 중심부를 절단하고, 절단면을 연마한 후, 키엔스제 광학 현미경을 사용하여, 패키지의 단면을 관찰하여, 박리가 인정되지 않은 것을 ○로 하고, 박리가 있었던 것을 ×로 하였다.

(결과)

표 1로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1, 2, 3의 반도체 장치 제조용 필름이면, 온도 -30℃의 냉동고 내에 2주일 보존했을 경우라도 권회 자국 전사에 의한 보이드는 확인되지 않았다. 또한, 장치로의 반송 트러블이 없고, 마운트성, 다이싱성, 픽업성은 양호하고, 흡습 신뢰성 시험에 있어서도 박리는 보이지 않았다.

이에 대하여, 비교예 1의 반도체 장치용 필름에서는 반도체 웨이퍼 마운트 시에 커버 필름의 필름 들뜸이나 필름의 접힘이 발생하였다. 또한 온도 -30℃의 냉동고 내에 2주일 보존했을 경우, 권회 자국 전사에 의한 보이드가 확인되었다. 또한 권회 자국 전사된 필름의 흡습 신뢰성 시험을 행하면, 권회 자국 전사에 의한 보이드가 확인되었다.

비교예 2의 반도체 장치용 필름에서는, 냉동고 내에 2주일 보존했을 경우, 권회 자국 전사에 의한 보이드가 확인되었다. 또한, 픽업 성공률은 100％였지만, 칩 비산이 발생하였다. 또한 권회 자국 전사된 필름의 흡습 신뢰성 시험을 행하면, 권회 자국 전사에 의한 보이드가 확인되었다.

1: 다이싱 시트 부착 접착 필름
2: 커버 필름
10: 반도체 장치용 필름
11: 다이싱 필름
12: 접착 필름
13: 기재
14: 점착제층
21: 제1 세퍼레이터
22: 기재 세퍼레이터
23: 제2 세퍼레이터

Claims

다이싱 필름 상에 접착 필름이 적층된 다이싱 시트 부착 접착 필름이 소정의 간격을 두고 커버 필름에 적층된 반도체 장치용 필름이며,
23℃에서의 다이싱 필름의 인장 저장 탄성률 Ea와, 23℃에서의 커버 필름의 인장 저장 탄성률 Eb의 비 Ea/Eb가 0.001 내지 100의 범위 내인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 필름.
제1항에 있어서, 상기 접착 필름은 유리 전이 온도가 0 내지 100℃의 범위 내이고, 경화 전 23℃에서의 인장 저장 탄성률이 50MPa 내지 5000MPa의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 필름.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 커버 필름의 두께는 10 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 필름.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다이싱 필름의 두께는 25 내지 180㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 필름.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 23℃에서의 상기 다이싱 필름의 인장 저장 탄성률 Ea는 1 내지 500MPa인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 필름.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 23℃에서의 상기 커버 필름의 인장 저장 탄성률 Eb는 1 내지 5000MPa인 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 필름.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치용 필름을 사용하여 제조된 반도체 장치.