KR20120102533A - 기판 반송 방법, 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 반송 장치 - Google Patents

기판 반송 방법, 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 반송 장치 Download PDF

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Abstract

이면끼리가 대향하는 제1 및 제2 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 반송하는 기판 반송 방법은, 제2 포크의 상방에 설치되어 있는 제1 포크의 한쪽의 측에 설치된 제1 파지 기구에 의해, 상기 제1 기판을 그 이면의 하방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 제1 기판을 상기 제1 포크를 상하 반전시켜 상기 제2 포크에 적재하는 것과, 상기 제1 파지 기구와, 상기 제1 포크의 동일측에 설치된 제2 파지 기구에 의해, 스페이서 부재를 그 상방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 스페이서 부재를 상기 제1 기판 상에 적재하는 것과, 상기 제1 파지 기구에 의해 제2 기판을 그 표면의 상방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 제2 기판을 상기 제1 포크에 적재된 상기 스페이서 부재 상에 적재하는 것을 갖는다.

Description

기판 반송 방법, 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 반송 장치{SUBSTRATE CONVEYING METHOD, RECORDING MEDIUM IN WHICH PROGRAM IS RECORDED FOR CAUSING SUBSTRATE CONVEYING METHOD TO BE EXECUTED AND SUBSTRATE CONVEYOR}
본 출원은, 2011년 3월 8일에 출원된 일본 특허 출원 제2011-050747호에 기초하여 그 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용은 참조함으로써 여기에 포함된다.
본 발명은, 기판을 반송하는 기판 반송 방법, 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판을 반송하는 기판 반송 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에 있어서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판(이하, 「기판」이라고도 함)에, 산화, 확산, 화학 기상 성장법(CVD) 등의 처리를 실시하기 위해서, 각종 처리 장치가 사용되고 있다. 그리고, 그러한 처리 장치의 하나로서, 한 번에 다수매의 피처리 기판의 열처리가 가능한 종형의 열처리 장치로 이루어지는 성막 장치가 알려져 있다.
성막 장치는, 보트와, 승강 기구와, 이동 탑재 기구(기판 반송 장치)를 갖는다. 보트는, 복수의 기판을 상하 방향으로 소정의 보유 지지 간격으로 보유 지지하여 성막 용기에 반입 반출되는 기판 보유 지지부이다. 승강 기구는, 성막 용기의 하방에 형성된 로딩 에어리어에 설치되어 있으며, 성막 용기의 개구를 폐색하는 덮개의 상부에 보트를 적재한 상태로 덮개를 상승 하강시켜 성막 용기와 로딩 에어리어 사이에서 보트를 승강시킨다. 이동 탑재 기구는, 로딩 에어리어로 반출된 보트와 복수매의 기판을 수용하는 수납 용기 사이에서 기판의 이동 탑재를 행한다.
이러한 성막 장치를 사용한 성막 방법의 하나로서, 기판의 표면에 폴리이미드막을 성막하는 방법을 들 수 있다. 기판의 표면에 폴리이미드를 성막하여 얻어지는 폴리이미드막은, 반도체 디바이스에 있어서의 절연막으로서 사용하는 것이 가능하다. 폴리이미드막을 성막하는 방법으로서는, 원료 모노머로서 예를 들어 피로멜리트산2무수물(PMDA)과, 예를 들어 4, 4'-옥시디아닐린(ODA)을 사용한 증착 중합에 의한 성막 방법이 알려져 있다.
이러한 성막 장치에 있어서는, 보트에 있어서의 기판의 탑재 매수를 늘리기 위해서, 이면끼리가 대향하는 2매의 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 상하 방향으로 소정의 보유 지지 간격으로 보트에 보유 지지하는 경우가 있다(예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2009-81259호 공보 참조).
또한, 기판을 수용하는 수납 용기와, 기판 보유 지지부 사이에서 기판을 반송할 때에, 스토퍼 부재와 클램프 수단에 의해 기판을 클램프하는 기판 반송 장치가 있다(예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2009-99918호 공보 참조). 일본 특허 출원 공개 제2009-99918호 공보 기재의 기판 반송 장치에서는, 스토퍼 부재는, 포크의 선단부에 설치되어 있으며, 기판의 주연부와 접촉한다. 클램프 수단은, 포크의 기단부측에 전진 및 후퇴가 가능하게 설치되어 있고, 기판을 스토퍼 부재측으로 눌러 클램프한다.
본 발명의 목적은, 이면끼리가 대향하는 2매의 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 기판 보유 지지부와의 사이에서 반송할 때에, 반송 시간을 짧게 할 수 있는 기판 반송 방법 및 기판 반송 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 이면끼리가 대향하는 제1 및 제2 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 반송하는 기판 반송 방법은, 제2 포크의 상방에 설치되어 있는 제1 포크의 한쪽의 측에 설치된 제1 파지 기구에 의해, 수용부에 수용되어 있는 상기 제1 기판을 그 이면의 하방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 제1 기판을 상기 제1 포크를 상하 반전시켜 상기 제2 포크에 적재하는 것과, 상기 제1 파지 기구와, 상기 제1 포크의 동일측에 설치된 제2 파지 기구에 의해, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되어 있는 스페이서 부재를 그 상방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 스페이서 부재를 상기 제2 포크에 적재된 상기 제1 기판 상에 적재하는 것과, 상기 제1 파지 기구에 의해 상기 수용부에 수용되어 있는 제2 기판을 그 표면의 상방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 제2 기판을 상기 제1 포크에 적재된 상기 스페이서 부재 상에 적재하는 것을 갖는다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 일시적인 것이 아닌 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에는, 컴퓨터 프로세서에 상기 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램이 기록된다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 기판 반송 장치는, 기판 보유 지지부에 대하여 진퇴 가능하게 설치되어 있으며, 상기 기판 보유 지지부와의 사이에서 이면끼리가 대향하는 2매의 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 전달하는 제1 포크와, 상기 제1 포크의 상방에, 상기 기판을 수용하는 수용부와 상기 기판 보유 지지부의 각각에 진퇴 가능하며 상하 반전 가능하게 설치되어 있고, 상기 수용부와 상기 제1 포크 사이에서 상기 기판을 순서대로 전달함과 동시에, 상기 기판 보유 지지부와 상기 제1 포크 사이에서 상기 스페이서 부재를 전달하는 제2 포크와, 상기 제2 포크의 한쪽의 측에 설치되어 있으며, 상기 기판을 1매씩 그 상방 또는 하방으로부터 파지하는 제1 파지 기구와, 상기 제1 파지 기구와, 상기 제2 포크의 동일측에 설치되어 있으며, 상기 스페이서 부재를 그 상방으로부터 파지하는 제2 파지 기구를 갖는다.
본 발명의 목적 및 이점은, 특허 청구의 범위에 있어서 특히 도시된 구성 요소 및 조합에 의해 실현되고, 달성될 것이다.
상술한 일반적 설명 및 이하의 상세한 설명은 예시적, 설명적인 것이며, 특허 청구의 범위에 기재된 발명에 한정되는 것이 아니라고 이해되어야 한다.
본 발명의 기판 반송 방법 및 기판 반송 장치에 따르면, 이면끼리가 대향하는 2매의 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 기판 보유 지지부와의 사이에서 반송할 때에, 반송 시간을 짧게 할 수 있다.
본 명세서에 포함되어, 그 일부를 구성하고 있는 첨부 도면은, 본 발명의 실시 형태를 나타내고, 앞서 주어진 일반적인 설명과, 이하에서 주어지는 실시 형태의 상세한 설명과 함께, 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 담당한다.
도 1은 실시 형태에 관한 성막 장치를 개략적으로 도시하는 종단면도.
도 2는 실시 형태에 관한 로딩 에어리어를 개략적으로 도시하는 사시도.
도 3은 실시 형태에 관한 앞의 뱃치의 웨이퍼가 성막 용기 중에서 성막 처리되고 있을 때의, 뒤의 뱃치의 웨이퍼의 상태를 도시하는 도면.
도 4는 실시 형태에 관한 보트의 일례를 개략적으로 도시하는 사시도.
도 5는 실시 형태에 관한 보트에 복판 유닛이 탑재되어 있는 상태를 도시하는 단면도.
도 6은 실시 형태에 관한 스페이서 부재의 일례를 개략적으로 도시하는 평면도.
도 7은 실시 형태에 관한 성막 용기의 부근을 확대하여 도시하는 일부 종단면을 포함하는 도면.
도 8은 실시 형태에 관한 이동 탑재 기구의 일 구성예를 개략적으로 도시하는 측면도.
도 9a 및 도 9b, 도 9c는 각각 실시 형태에 관한 상측 포크가 웨이퍼를 하방으로부터 지지하고(파지하고) 있는 상태를 모식적으로 도시하는 상면도 및 횡단면도.
도 10a 및 도 10b, 도 10c는 각각 실시 형태에 관한 상측 포크가 웨이퍼를 상방으로부터 지지하고(파지하고) 있는 상태를 모식적으로 도시하는 하면도 및 횡단면도.
도 11a 및 도 11b, 도 11c는 각각 실시 형태에 관한 상측 포크가 스페이서 부재를 상방으로부터 지지하고(파지하고) 있는 상태를 모식적으로 도시하는 하면도 및 횡단면도.
도 12a 및 도 12b는 실시 형태에 관한 이동 탑재 기구의 상측 포크의 선단부와, 비교예에 관한 이동 탑재 기구의 상측 포크의 선단부를 비교하여 도시하는 종단면도.
도 13a 내지 도 13u는 실시 형태에 관한 이동 탑재 기구가 복판 유닛을 구성하여 반송하는 수순을 도시하는 측면도.
도 14a 및 도 14b는 실시 형태에 관한 상측 포크가 웨이퍼를 하측 포크에 전달할 때의 상측 포크 및 제1 누름부의 움직임을 도시하는 도면.
도 15는 실시 형태에 관한 성막 장치를 사용한 성막 처리를 포함하는 각 공정의 수순을 설명하기 위한 흐름도.
그러나, 상기한 바와 같은 적층체를 보유 지지하는 보트를 갖는 성막 장치에 설치된 이동 탑재 기구, 즉 기판 반송 장치에는, 이하와 같은 문제가 있다.
성막 처리를 행하지 않을 때에, 스페이서 부재가, 성막 장치의 외부에 설치되어 있는 수납 용기에 수용되고, 기판이 기판용 수납 용기에 수용되는 것으로 한다. 이때, 기판용의 수납 용기를 성막 장치의 내부와 연통시키는 접속구의 하나가 스페이서 부재용의 수용 용기와 접속된 상태로 되어, 기판용의 수납 용기와 접속되는 접속구의 수가 감소한다. 그로 인해, 복수의 기판용의 수납 용기를 전환하여 기판을 반송할 때에 대기 시간이 발생하여, 반송 시간이 길어진다.
예를 들어, 최초의 기판용의 수납 용기를 성막 장치의 내부와 연통시키고, 기판을 이동 탑재한 후, 최초의 기판용의 수납 용기를 성막 장치의 내부와 차단한다. 그리고, 최초의 기판용의 수납 용기를 다음 기판용의 수납 용기와 교환하고, 다음 기판용의 수납 용기를 성막 장치의 내부와 연통시키고, 기판을 이동 탑재한다. 이때, 최초의 기판용의 수납 용기와 성막 장치의 내부를 차단하고 나서, 다음 기판용의 수납 용기와 성막 장치의 내부를 연통시켜, 기판을 반송 가능한 상태로 될 때까지, 대기 시간이 발생하기 때문에, 반송 시간이 길어진다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 이면끼리가 대향하는 2매의 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 기판 보유 지지부와의 사이에서 반송할 때에, 반송 시간을 짧게 하는 기판 반송 방법 및 기판 반송 장치가 제공된다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 이면끼리가 대향하는 2매의 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 기판 보유 지지부와의 사이에서 반송할 때에, 반송 시간을 짧게 할 수 있다.
다음에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 첨부 도면과 함께 설명한다.
처음에, 도 1 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 관한 성막 장치에 대하여 설명한다.
본 실시 형태에 관한 성막 장치는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 포함하고, 복수매의 피처리 기판(이하 「기판」 또는 「웨이퍼 W」라고 함)에 뱃치 처리에 의해 막을 성막하는 성막 장치에 적용한 예이다.
본 실시 형태에 관한 성막 장치는, 예를 들어 피로멜리트산2무수물(Pyromellitic Dianhydride, 이하 「PMDA」로 약칭함)을 기화한 제1 원료 가스와, 예를 들어 4, 4'-옥시디아닐린(4, 4'-Oxydianiline, 이하 「ODA」로 약칭함)을 기화한 제2 원료 가스를, 성막 용기 내에 보유 지지되어 있는 기판에 공급함으로써, 기판에 폴리이미드막을 성막하는 성막 장치에 적용할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 성막 장치(10)를 개략적으로 도시하는 종단면도이다. 도 2는 로딩 에어리어(20)를 개략적으로 도시하는 사시도이다. 도 3은 앞의 뱃치(뱃치1)의 웨이퍼 W가 성막 용기(40) 중에서 성막 처리되고 있을 때의, 뒤의 뱃치(뱃치2)의 웨이퍼 W의 상태를 도시하는 도면이다. 도 4는 보트(24)의 일례를 개략적으로 도시하는 사시도이다. 도 5는 보트(24)에 복판(複板) 유닛(36)이 탑재되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다. 도 6은 스페이서 부재(35)의 일례를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 7은 성막 용기(40)의 부근을 확대하여 도시하는 일부 종단면을 포함하는 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 성막 장치(10)는, 적재대(로드 포트)(12), 하우징(18) 및 제어부(50)를 갖는다.
적재대(로드 포트)(12)는, 하우징(18)의 전방부에 설치되어 있다. 하우징(18)은, 로딩 에어리어(작업 영역)(20) 및 성막 용기(40)를 갖는다. 로딩 에어리어(20)는, 하우징(18) 내의 하방에 설치되어 있고, 성막 용기(40)는, 하우징(18) 내이며 로딩 에어리어(20)의 상방에 설치되어 있다. 또한, 로딩 에어리어(20)와 성막 용기(40) 사이에는, 베이스 플레이트(19)가 설치되어 있다.
베이스 플레이트(19)는, 성막 용기(40)의 반응관(41)을 설치하기 위한 예를 들어 스테인리스 스틸제의 베이스 플레이트이며, 반응관(41)을 하방으로부터 상방으로 삽입하기 위한 도시하지 않은 개구부가 형성되어 있다.
적재대(12)는, 하우징(18) 내로의 웨이퍼 W의 반입 반출을 행하기 위한 것이다. 적재대(12)에는, 수납 용기(13, 14)가 적재되어 있다. 즉, 수납 용기(13, 14)는, 하우징(18)의 외부에 설치되어 있다. 수납 용기(13, 14)는, 전방면에 도시하지 않은 덮개를 착탈 가능하게 구비한, 복수매 예를 들어 50매 정도의 웨이퍼를 소정의 간격으로 수용하는 밀폐형 수납 용기(후프)이다.
또한, 수납 용기(13, 14)는, 본 발명의 일 측면에 있어서의 수용부에 상당할 수 있다.
또한, 적재대(12)의 하방에는, 이동 탑재 기구(27)에 의해 이동 탑재된 웨이퍼 W의 외주에 설치된 노치를 한 방향으로 정렬시키는 정렬 장치(얼라이너)(15)가 설치되어 있어도 된다. 정렬 장치(15)는, 하우징(18) 내에서 스페이서 부재(35)를 동일한 회전 각도로 위치 정렬하는 것이어도 된다. 정렬 장치(15)는, 본 발명의 일 측면에 있어서의 위치 정렬 기구에 상당할 수 있다.
로딩 에어리어(20)는, 수납 용기(13)와 보트(24) 사이에서 웨이퍼 W의 이동 탑재를 행하고, 보트(24)를 성막 용기(40) 내로 반입(로드)하고, 보트(24)를 성막 용기(40)로부터 반출(언로드)하기 위한 작업 영역이다. 로딩 에어리어(20)에는, 도어 기구(21), 셔터 기구(22), 덮개(23), 보트(24), 베이스(25a, 25b), 승강 기구(26)(도 2 참조) 및 이동 탑재 기구(27)가 설치되어 있다.
또한, 덮개(23) 및 보트(24)는, 본 발명의 일 측면에 있어서의 기판 보유 지지부에 상당할 수 있다. 또한, 이동 탑재 기구(27)는, 본 발명의 일 측면에 있어서의 기판 반송 장치에 상당할 수 있다.
도어 기구(21)는, 수납 용기(13, 14)의 덮개를 제거하여 수납 용기(13, 14) 내를 로딩 에어리어(20) 내에 연통 개방하도록 구성된다.
셔터 기구(22)는, 로딩 에어리어(20)의 상방에 설치되어 있다. 셔터 기구(22)는, 덮개(23)를 개방하고 있을 때에, 성막 용기(40)의 개구(43)로부터 고온의 노 내의 열이 로딩 에어리어(20)로 방출되는 것을 억제 또는 방지하기 위해서 개구(43)를 덮도록(또는 막도록) 설치되어 있다.
덮개(23)는, 보온통(28) 및 회전 기구(29)를 갖는다. 보온통(28)은, 덮개(23) 상에 설치되어 있다. 보온통(28)은, 보트(24)가 덮개(23)측과의 전열에 의해 냉각되는 것을 방지하여, 보트(24)를 보온한다. 회전 기구(29)는, 덮개(23)의 하부에 설치되어 있다. 회전 기구(29)는, 보트(24)를 회전시킨다. 회전 기구(29)의 회전축은 덮개(23)를 기밀하게 관통하여, 덮개(23) 상에 배치된 도시하지 않은 회전 테이블을 회전하도록 설치되어 있다.
또한, 전술한 스페이서 부재(35)를 동일한 회전 각도로 위치 정렬하는 위치 정렬 기구는, 정렬 장치(15)에 한정되지 않는다. 예를 들어 발광 소자와 수광 소자로 이루어지는 센서 등을 보트(24)의 근방에 설치하고, 스페이서 부재(35)에 동일한 회전 각도로 위치 정렬하기 위한 위치 정렬 마크를 형성해도 된다. 그리고, 스페이서 부재(35)가 보트(24)에 보유 지지되어 있을 때에, 회전 기구(29)에 의해 보트(24)를 미소 각도 회전시켜, 센서와 위치 정렬 마크를 사용하여 위치 정렬해도 된다.
승강 기구(26)는, 보트(24)의 로딩 에어리어(20)로부터 성막 용기(40)에 대한 반입, 반출 시에, 덮개(23)를 승강 구동한다. 그리고, 승강 기구(26)에 의해 상승시켜진 덮개(23)가 성막 용기(40) 내에 반입되어 있을 때에, 덮개(23)는, 개구(43)에 접촉하여 개구(43)를 밀폐하도록 설치되어 있다. 그리고, 덮개(23)에 적재되어 있는 보트(24)는, 성막 용기(40) 내에서 웨이퍼 W를 수평면 내에서 회전 가능하게 보유 지지할 수 있다.
또한, 성막 장치(10)는, 보트(24)를 복수 갖고 있어도 된다. 이하, 본 실시 형태에서는, 도 2를 참조하여, 2개의 보트(24a, 24b)를 갖는 예에 대하여 설명하지만, 특별히 양자를 구별할 필요가 없을 때에는, 보트(24a, 24b)를 「보트(24)」라고 총칭하는 경우도 있다.
로딩 에어리어(20)에는, 보트(24a, 24b)가 설치되어 있다. 그리고, 로딩 에어리어(20)에는, 베이스(25a, 25b) 및 보트 반송 기구(25c)가 설치되어 있다. 베이스(25a, 25b)는, 각각 보트(24a, 24b)가 덮개(23)로부터 이동 탑재되는 적재대이다. 보트 반송 기구(25c)는, 보트(24a, 24b)를, 덮개(23)로부터 베이스(25a, 25b)로 이동 탑재한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 앞의 뱃치(뱃치1)의 웨이퍼 W가 탑재된 보트(24a)가 성막 용기(40)에 반입되어, 성막 처리되고 있을 때에, 로딩 에어리어(20)에 있어서, 뒤의 뱃치(뱃치2)의 웨이퍼 W를 수납 용기(13)로부터 보트(24b)로 이동 탑재할 수 있다. 이에 의해, 앞의 뱃치(뱃치1)의 웨이퍼 W의 성막 공정이 종료되고, 성막 용기(40)로부터 보트(24a)를 반출한 직후에, 뒤의 뱃치(뱃치2)의 웨이퍼 W를 탑재한 보트(24b)를 성막 용기(40)에 반입할 수 있다. 그 결과, 성막 처리에 필요로 하는 시간(택트 시간)을 단축할 수 있고, 제조 비용을 저감할 수 있다.
보트(24a, 24b)는, 예를 들어 석영제이며, 대구경 예를 들어 직경 300㎜의 웨이퍼 W를 수평 상태로 상하 방향으로 소정의 간격(피치 폭)으로 탑재하도록 되어 있다. 보트(24a, 24b)는, 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이, 천장판(30)과 바닥판(31) 사이에 복수개 예를 들어 3개의 지주(32)를 개재 설치하여 이루어진다. 지주(32)에는, 웨이퍼 W를 보유 지지하기 위한 갈고리부(33)가 설치되어 있다. 또한, 지주(32)와 함께 보조 기둥(34)이 적절하게 설치되어 있어도 된다.
보트(24a, 24b)는, 갈고리부(33)에, 이면끼리가 대향하는 2매의 웨이퍼 W가 스페이서 부재(35)를 개재하여 적층되어 이루어지는 복판 유닛(36)을, 상하 방향으로 소정의 간격으로 복수 보유 지지 가능하다. 또한, 보트(24a, 24b)는, 갈고리부(33)에, 복판 유닛(36)을 복수 보유 지지 가능함과 동시에, 복판 유닛(36)을 보유 지지하고 있지 않을 때에 복판 유닛(36) 대신에 스페이서 부재(35)를 보유 지지한다. 즉, 보트(24a, 24b)는, 웨이퍼 W에 성막 처리를 행하지 않을 때에, 스페이서 부재(35)를 하우징(18) 내에 수용하기 위해서 사용된다.
이하, 본 실시 형태에서는, 복판 유닛(36)이, 2매의 웨이퍼 W가 링 형상을 갖는 스페이서 부재(35)를 개재하여 적층되어 이루어지는 것인 예에 대하여 설명한다.
또한, 복판 유닛(36)은, 본 발명의 일 측면에 있어서의 적층체에 상당할 수 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 갈고리부(33)는, 저부(33a) 및 측벽부(33b)를 갖고, 보트(24a)(24b)의 둘레 방향으로 수직한 종단면이 L자 형상을 갖는다. 각 복판 유닛(36)에 관하여, 대응하는 갈고리부(33)의 저부(33a)에는, 이면 Wb를 상면(즉 표면 Wa를 하면)으로 한 하측 웨이퍼 W1의 주연부가 지지되어 있다. 저부(33a)에 이면 Wb의 주연부가 지지되어 있는 하측 웨이퍼 W1 상에는, 스페이서 부재(35)가 겹쳐 쌓여져 있다. 그리고, 스페이서 부재(35) 상에는, 이면 Wb를 하면(즉 표면 Wa를 상면)으로 한 상측 웨이퍼 W2가 지지되어 있다. 측벽부(33b)는, 복판 유닛(36)을 구성하는 하측 웨이퍼 W1, 스페이서 부재(35) 및 상측 웨이퍼 W2의 측면에 근접하도록 설치되어 있어, 복판 유닛(36)의 수평 방향의 어긋남을 방지한다.
또한, 하측 웨이퍼 W1은, 본 발명의 일 측면에 있어서의 제1 기판에 상당하고, 상측 웨이퍼 W2는, 본 발명의 일 측면에 있어서의 제2 기판에 상당할 수 있다.
또한, 웨이퍼 W로서, 단독의 1매의 웨이퍼 외에, 복수의 웨이퍼를 접합한 접합 웨이퍼를 사용해도 된다. 이들 각종 웨이퍼를 포함하여, 예를 들어 0.75 내지 1.2㎜의 두께를 갖는 웨이퍼를 사용할 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 스페이서 부재(35)는, 웨이퍼 W의 외경과 대략 동일한 외경을 가짐과 동시에, 웨이퍼 W의 외경보다 약간 작은 내경을 갖는 링 형상을 갖는다. 스페이서 부재(35)는, 성막 용기(40) 내에서 성막 처리될 때에, 링 형상의 부분이, 이면끼리가 대향하는 2매의 웨이퍼 W인 하측 웨이퍼 W1의 주연부와 상측 웨이퍼 W2의 주연부 사이에 끼워져 있다. 이에 의해, 이면끼리에서 대향하는 2매의 웨이퍼 W1, W2의 간극에 원료 가스가 인입되어, 웨이퍼 W1, W2의 이면에 막이 성막되는 것을 억제할 수 있다. 스페이서 부재(35)는, 예를 들어 SiC, 실리콘, 석영으로 이루어진다.
도 6에 도시한 바와 같이, 스페이서 부재(35)는, 절결부(35a, 35b)를 갖는다. 도 11a 내지 도 11c를 사용하여 후술하는 바와 같이, 절결부(35a)는, 제2 파지 기구(62)에 의해 스페이서 부재(35)를 지지할 때에, 제1 파지 기구(61)의 제1 갈고리부(61a)에 스페이서 부재(35)가 간섭하지 않도록, 형성되어 있다. 또한, 절결부(35b)는, 제2 파지 기구(62)에 의해 스페이서 부재(35)를 지지할 때에, 제1 파지 기구(61)의 제1 누름부(61b)에 스페이서 부재(35)가 간섭하지 않도록, 형성되어 있다.
또한, 절결부(35a, 35b)는, 전술한 위치 정렬 마크로서 기능하는 것이어도 된다. 그리고, 갈고리부(33)를, 절결부(35a, 35b)가 형성된 위치에 대응하여 설치함과 동시에, 스페이서 부재(35)의 둘레 방향을 따라서 테이퍼 형상을 갖는 테이퍼부를 구비하도록 설치해도 된다. 그리고, 절결부(35a, 35b)가, 테이퍼부에 결합하면서 갈고리부(33)에 보유 지지됨으로써, 스페이서 부재(35)를 동일한 회전 각도로 위치 정렬해도 된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W의 두께를 Wt로 하고, 각 복판 유닛(36) 전체의 두께를 Pa로 하고, 복판 유닛(36)이 상하 방향으로 보유 지지되는 간격, 즉 상하로 이웃하는 갈고리부(33)의 간격을 Pb로 한다. 이때, 이면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격은, Pa-2Wt이고, 표면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격은, Pb-Pa이다. 이러한 배치 시, Pa-2Wt가 Pb-Pa보다도 작아지도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 이면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격(Pa-2Wt)이, 표면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격(Pb-Pa)보다도 좁아지도록, 상하 방향으로 복수 보유 지지되는 것이 바람직하다.
여기서, 복판 유닛(36)의 두께 Pa를 예를 들어 3.3㎜로 하고, 복판 유닛(36)이 상하 방향으로 보유 지지되는 간격[상하로 이웃하는 갈고리부(33)의 간격] Pb를 예를 들어 21㎜로 할 수 있다. 그렇게 하면, 표면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격(Pb-Pa)을 21-3.3=17.7㎜로 할 수 있다. 한편, 복판 유닛(36)의 간격 Pb인 21㎜에 통상대로 2매의 웨이퍼 W가 등간격으로 들어가도록 지지할 때는, 웨이퍼 W의 두께 Wt를 0.9㎜로 하면, 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격은, (21-0.9×2)/2=9.6㎜로, 17.7㎜보다도 작다. 따라서, 복판 유닛(36)을 사용하여 이면끼리가 대향하도록 웨이퍼 W를 지지함으로써, 하나의 웨이퍼 W의 표면 Wa와 다른 웨이퍼 W의 표면 Wa의 간극을 크게 할 수 있어, 웨이퍼 W의 표면 Wa에 충분한 양의 원료 가스를 공급할 수 있다.
도 7은 성막 용기(40), 공급 기구(44) 및 배기 기구(47)의 구성을 도시하는 개략도이며, 성막 용기(40)는 단면으로 도시한다.
성막 용기(40)는, 예를 들어 복수매의 피처리 기판, 예를 들어 박판 원판 형상의 웨이퍼 W를 수용하여 소정의 처리, 예를 들어 CVD 처리 등을 실시하는 종형로로 할 수 있다. 성막 용기(40)는, 반응관(41) 및 히터(가열 장치)(42)를 갖는다.
반응관(41)은, 예를 들어 석영제이며, 세로로 긴 형상을 갖고 있고, 하단부에 개구(43)가 형성되어 있다. 히터(42)는, 반응관(41)의 주위를 덮도록 설치되어 있고, 반응관(41) 내를 소정의 온도, 예를 들어 100 내지 1200℃로 가열 제어 가능하다.
공급 기구(44)는, 제1 원료 가스 공급부(45) 및 제2 원료 가스 공급부(46)를 갖는다. 제1 원료 가스 공급부(45)는, 밸브(45b)를 통하여, 인젝터(45c)에 접속되어 있다. 제2 원료 가스 공급부(46)는, 밸브(46b)를 통하여, 인젝터(46c)에 접속되어 있다.
제1 원료 가스 공급부(45)는, 예를 들어 PMDA 원료를 기화하기 위한 제1 기화기(45a)를 갖는다. 제1 기화기(45a)는, PMDA로 이루어지는 제1 원료를 가열하여 기화시키고, 기화되어 얻어진 PMDA 가스로 이루어지는 제1 원료 가스를 질소 가스(N2 가스)로 이루어지는 제1 캐리어 가스와 함께 반응관(41) 내에 공급한다.
제2 원료 가스 공급부(46)는, 예를 들어 ODA 원료를 기화하기 위한 제2 기화기(46a)를 갖는다. 제2 기화기(46a)는, ODA로 이루어지는 제2 원료를 가열하여 기화시키고, 기화되어 얻어진 ODA 가스로 이루어지는 제2 원료 가스를 질소 가스(N2 가스)로 이루어지는 제2 캐리어 가스와 함께 반응관(41) 내에 공급한다. 제2 캐리어 가스는, ODA 가스로 이루어지는 제2 원료 가스를 반송하기 위한 것임과 동시에, 액체 상태의 ODA를 버블링하기 위한 것이기도 하다.
배기 기구(47)는, 배기 장치(48) 및 성막 용기(40) 내에 설치된 배기관(49)을 포함한다. 배기 기구(47)는, 성막 용기(40) 내로부터 가스를 배기하도록 구성된다.
인젝터(45c, 46c)의 측면에는 개구부(도시하지 않음)가 형성되어 있어, 제1 원료 가스 공급부(45) 및 제2 원료 가스 공급부(46)에 의해 생성된 PMDA 가스 및 ODA 가스가 도 7에 있어서 화살표로 나타내는 바와 같이 웨이퍼 W에 공급된다. 공급된 PMDA 가스 및 ODA 가스가 웨이퍼 W 상에서 증착 중합 반응함으로써 폴리이미드막이 성막된다. 또한, 폴리이미드막의 성막에 기여하지 않는 PMDA 가스 및 ODA 가스 등은, 그대로 흘러, 배기관(49)으로부터 성막 용기(40)의 밖으로 배출된다. 또한, 웨이퍼 W 상에 균일하게 폴리이미드막이 성막되도록, 보트(24)는 전술한 회전 기구(29)에 의해 회전 구동된다.
제어부(50)는, 예를 들어 서로 접속된 연산 처리부(50a), 기억부(50b) 및 표시부(50c)를 갖는다. 연산 처리부(50a)는, 예를 들어 중앙 연산 처리 장치(CPU)를 갖는 컴퓨터이다. 기억부(50b)는, 연산 처리부(50a)에, 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 예를 들어 하드 디스크에 의해 구성되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이다. 표시부(50c)는, 예를 들어 컴퓨터의 화면으로 이루어진다. 연산 처리부(50a)는, 기억부(50b)에 기록된 프로그램을 판독하고, 그 프로그램에 따라서, 보트(24)(기판 보유 지지부), 이동 탑재 기구(27), 공급 기구(44) 및 배기 기구(47)를 구성하는 각 부에 제어 신호를 보내어, 후술하는 바와 같은 기판 반송 방법 및 성막 처리를 실행한다.
다음에, 도 8로부터 도 11a 내지 도 11c를 참조하여, 이동 탑재 기구(27)에 대하여 설명한다.
도 8은 이동 탑재 기구(27)의 일 구성예를 개략적으로 도시하는 측면도이다. 도 9a 및 도 9b, 도 9c는 각각, 상측 포크(54)가 웨이퍼 W를 하방으로부터 지지하고(파지하고) 있는 상태를 모식적으로 도시하는 상면도 및 횡단면도이다. 도 10a 및 도 10b, 도 10c는 각각, 상측 포크(54)가 웨이퍼 W를 상방으로부터 지지하고(파지하고) 있는 상태를 모식적으로 도시하는 하면도 및 횡단면도이다. 도 11a 및 도 11b, 도 11c는 각각, 상측 포크(54)가 스페이서 부재(35)를 상방으로부터 지지하고(파지하고) 있는 상태를 모식적으로 도시하는 하면도 및 횡단면도이다.
또한, 도 9b, 도 10b, 도 11b의 우측 절반은 각각 도 9a, 도 10a, 도 11a의 A-A선을 따르는 단면도를 도시하고, 도 9b, 도 10b, 도 11b의 좌측 절반은 각각 도 9a, 도 10a, 도 11a의 D-D선을 따르는 단면도를 도시한다. 또한, 도 9c, 도 10c, 도 11c의 우측 절반은 각각 도 9a, 도 10a, 도 11a의 B-B선을 따르는 단면도를 도시하고, 도 9c, 도 10c, 도 11c의 좌측 절반은 각각 도 9a, 도 10a, 도 11a의 C-C선을 따르는 단면도를 도시한다.
이동 탑재 기구(27)는, 수납 용기(13, 14)와 보트(24a, 24b) 사이에서 웨이퍼 W의 이동 탑재를 행하고, 또한 보트(24a, 24b)와의 사이에서 스페이서 부재(35)의 이동 탑재를 행하도록 구성된다. 이동 탑재 기구(27)는, 베이스(51), 승강 기구(52), 하측 포크(53) 및 상측 포크(54)를 갖는다. 베이스(51)는, 선회 가능하게 설치되어 있다. 승강 기구(52)는, 예를 들어 상하 방향으로 설치된 레일(52a)(도 1 참조)을 따라서 상하 방향으로 이동 가능(승강 가능)하게 설치되어 있다. 하측 포크(53)는, 베이스(51)에 대하여 수평 이동 가능 또한 승강 가능하게 설치되어 있다. 상측 포크(54)는, 베이스(51)에 대하여 수평 이동 가능함과 동시에 상하 반전 가능하게 설치되어 있다.
또한, 하측 포크(53), 상측 포크(54)는, 각각 본 발명의 일 측면에 있어서의 제1 포크, 제2 포크에 상당할 수 있지만, 본 발명의 다른 측면에 있어서는, 하측 포크(53), 상측 포크(54)는, 각각 제2 포크, 제1 포크에 상당해도 된다. 또한, 하측 포크(53)와 상측 포크(54)는, 어느 한쪽이 다른 쪽에 대하여 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있으면 된다. 따라서, 하측 포크(53) 대신에, 상측 포크(54)가 베이스(51)에 대하여 승강 가능하게 설치되어 있어도 된다.
하측 포크(53)는, 이동체(55)에 의해, 복판 유닛(36)을 탑재하는 보트(24a, 24b)를 향하여 진퇴 가능하게 설치되어 있어, 보트(24a, 24b)와의 사이에서 복판 유닛(36)을 전달하기 위한 것이기도 한다. 한편, 상측 포크(54)는, 이동체(56)에 의해, 수평 이동 가능하게 설치되어 있음과 동시에, 웨이퍼 W를 수용하는 수납 용기(13)를 향하여 진퇴 가능하게 설치되어 있어, 수납 용기(13)와의 사이에서 웨이퍼 W를 전달하기 위한 것이다. 또한, 상측 포크(54)는, 이동체(56)에 의해, 웨이퍼 W를 수용하는 수납 용기(14)를 향하여 진퇴 가능하게 설치되어 있어, 수납 용기(14)와의 사이에서 웨이퍼 W를 전달하기 위한 것이다.
도 9a에 도시한 바와 같이, 상측 포크(54)의 선단부(58)는, 두 갈래 상태로 나누어져 있다. 또한, 하측 포크(53)의 선단부(57)도, 도시를 생략하지만, 상측 포크(54)와 마찬가지로, 두 갈래 상태로 나누어져 있다.
상측 포크(54)는, 제1 파지 기구(61), 제2 파지 기구(62) 및 지지부(71)를 갖는다.
제1 파지 기구(61)는, 2개의 제1 갈고리부(61a)와, 2개의 제1 누름부(61b)를 갖는다. 2개의 제1 갈고리부(61a)는, 상측 포크(54)의 면(54a) 상에, 두 갈래 상태로 나누어져 있는 선단부(58)의 각각의 아암부에 1개씩 고정되어 있다. 2개의 제1 누름부(61b)는, 상측 포크(54)의 기단부(60)측이며 면(54a)측에 제1 갈고리부(61a)에 대하여 진퇴 가능하게 설치되어 있고, 웨이퍼 W의 주연부에 접촉하여 웨이퍼 W를 제1 갈고리부(61a)측으로 누름으로써 제1 갈고리부(61a)와의 사이에서 웨이퍼 W를 끼움 지지한다. 2개의 제1 누름부(61b)는, 일체로 설치되어 있어도 된다.
제2 파지 기구(62)는, 2개의 제2 갈고리부(62a)와, 2개의 제2 누름부(62b)를 갖는다. 2개의 제2 갈고리부(62a)는, 상측 포크(54)의 면(54a) 상에 두 갈래 상태로 나누어져 있는 선단부(58)의 각각의 아암부에 1개씩 고정되어 있다. 2개의 제2 누름부(62b)는, 상측 포크(54)의 기단부(60)측이며 면(54a)측에 제2 갈고리부(62a)에 대하여 진퇴 가능하게 설치되어 있고, 스페이서 부재(35)의 주연부에 접촉하여 스페이서 부재(35)를 제2 갈고리부(62a)측으로 누름으로써 제2 갈고리부(62a)와의 사이에서 스페이서 부재(35)를 끼움 지지한다. 2개의 제2 누름부(62b)는, 일체로 설치되어 있어도 된다.
즉, 제1 파지 기구(61)는, 상측 포크(54)의 한쪽의 면(54a)측에 설치되어 있으며, 면(54a)을 하방으로 향하게 한 상태에서 웨이퍼 W를 상방으로부터 파지하여 지지 가능하게 설치되어 있다. 또한, 제2 파지 기구(62)는, 상측 포크(54)의 제1 파지 기구(61)가 설치되어 있는 면(54a)과 동일면측에 설치되어 있으며, 면(54a)을 하방으로 향하게 한 상태에서 스페이서 부재(35)를 상방으로부터 파지하여 지지 가능하게 설치되어 있다. 즉, 제1 파지 기구(61) 및 제2 파지 기구(62)는, 상측 포크(54)로부터 보아 하측 포크(53)와는 반대측에 위치하고 있다.
또한, 제1 갈고리부(61a), 제1 누름부(61b)는, 적어도 3개소에서 웨이퍼 W의 주연부에 접촉하여 끼움 지지할 수 있으면 되고, 제1 갈고리부(61a)의 개수와 제1 누름부(61b)의 개수의 합계가 3 이상으로 되도록 설치되어 있으면 된다. 또한, 제2 갈고리부(62a), 제2 누름부(62b)는, 적어도 3개소에서 스페이서 부재(35)의 주연부에 접촉하여 끼움 지지할 수 있으면 되고, 제2 갈고리부(62a)의 개수와 제2 누름부(62b)의 개수의 합계가 3 이상으로 되도록 설치되어 있으면 된다.
또한, 제1 파지 기구(61)는, 제1 누름부(61b)를 제1 갈고리부(61a)에 대하여 진퇴 구동시키는 제1 진퇴 구동부(63)를 갖는다. 또한, 제2 파지 기구(62)는, 제2 누름부(62b)를 제2 갈고리부(62a)에 대하여 진퇴 구동시키는 제2 진퇴 구동부(64)를 갖는다.
또한, 제1 누름부(61b)와 제2 누름부(62b)는, 일체로 구성되어 있어도 된다. 이에 의해, 제1 누름부(61b)를 진퇴 구동하는 제1 진퇴 구동부(63)와 제2 누름부(62b)를 진퇴 구동하는 제2 진퇴 구동부(64)를 통합하여 설치할 수 있다. 도 8로부터 도 11a 내지 도 11c에서는, 제1 누름부(61b)와 제2 누름부(62b)가, 일체로 구성되어 있어, 동일(단일)의 진퇴 구동부(63)(64)에 의해 구동되고 있는 예를 도시하고 있다.
또한, 제1 파지 기구(61)로서, 웨이퍼 W를 상방으로부터 파지할 수 있으면 되고, 제1 갈고리부(61a) 및 제1 누름부(61b) 이외의 부재를 갖는 것이어도 된다. 또한, 제2 파지 기구(62)로서, 스페이서 부재(35)를 상방으로부터 파지할 수 있으면 되고, 제2 갈고리부(62a)와 제2 누름부(62b) 이외의 부재를 갖는 것이어도 된다.
지지부(71)는, 2개의 접촉부(71a)를 갖는다. 지지부(71)는, 웨이퍼 W를 하방으로부터 파지할 때에 웨이퍼 W의 주연부가 적재되는 부분이다.
웨이퍼 W를 하방으로부터 파지하여 지지할 때는, 도 9a 및 도 9b에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W는, 제1 갈고리부(61a)와 제1 누름부(61b) 사이에 끼움 지지됨으로써, 수평 방향으로 구속된다. 또한, 웨이퍼 W의 하면이, 제1 갈고리부(61a)의 저부(61e)와 접촉함과 동시에, 접촉부(71a)와 접촉함으로써, 상하 방향으로 지지된다. 한편, 도 9a 및 도 9c에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W는, 제2 갈고리부(62a) 및 제2 누름부(62b) 중 어느 것에도 접촉하고 있지 않아, 제2 갈고리부(62a)와 제2 누름부(62b) 사이에는 끼움 지지되지 않는다.
웨이퍼 W를 상방으로부터 파지하여 지지할 때는, 도 10a 및 도 10b에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W는, 제1 갈고리부(61a)와 제1 누름부(61b) 사이에 끼움 지지됨으로써, 수평 방향으로 구속된다. 또한, 웨이퍼 W의 하면이, 제1 갈고리부(61a)의 플랜지부(61c)와 접촉함과 동시에, 제1 누름부(61b)의 플랜지부(61d)와 접촉함으로써, 상하 방향으로 지지된다. 한편, 도 10a 및 도 10c에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W는, 제2 갈고리부(62a) 및 제2 누름부(62b) 중 어느 것에도 접촉하고 있지 않아, 제2 갈고리부(62a)와 제2 누름부(62b) 사이에는 끼움 지지되지 않는다.
스페이서 부재(35)를 상방으로부터 파지하여 지지할 때는, 도 11a 및 도 11c에 도시한 바와 같이, 스페이서 부재(35)는, 제2 갈고리부(62a)와 제2 누름부(62b) 사이에 끼움 지지됨으로써, 수평 방향으로 구속된다. 또한, 스페이서 부재(35)의 하면이, 제2 갈고리부(62a)의 플랜지부(62c)와 접촉함과 동시에, 제2 누름부(62b)의 플랜지부(62d)와 접촉함으로써, 상하 방향으로 지지된다. 한편, 도 11a 및 도 11b에 도시한 바와 같이, 스페이서 부재(35)에는, 도 6에서 도시한 바와 같이, 절결부(35a, 35b)가 형성되어 있기 때문에, 제1 갈고리부(61a) 및 제1 누름부(61b) 중 어느 것에도 접촉하고 있지 않아, 제1 갈고리부(61a)와 제1 누름부(61b) 사이에는 끼움 지지되지 않는다.
또한, 스페이서 부재(35)가 제2 갈고리부(62a)의 플랜지부(62c)와 접촉하는 부분은, 저면으로부터 상방으로 약간 절결된 절결부(35c)가 형성되어 있어도 된다. 이에 의해, 보트(24)로부터 복판 유닛(36)을 수취한 후, 보트(24)로 스페이서 부재(35)를 복귀시킬 때에, 웨이퍼 W1(도 5) 상에 적재되어 있는 스페이서 부재(35)를 상방으로부터 파지하기 쉬워진다.
또한, 제1 파지 기구(61)와 제2 파지 기구(62)는, 제1 파지 기구(61)에 지지되어 있는 웨이퍼 W의 중심 위치 C1과, 제2 파지 기구(62)에 지지되어 있는 스페이서 부재(35)의 중심 위치 C2가, 상측 포크(54)의 진퇴 방향을 따라서 상이한 위치로 되도록, 설치되어 있다. 이에 의해, 제2 갈고리부(62a)와 제2 누름부(62b)에 의해 스페이서 부재(35)를 끼움 지지하였을 때에, 스페이서 부재(35)가 제1 갈고리부(61a) 및 제1 누름부(61b) 중 어느 것과도 간섭하지 않도록 할 수 있다.
웨이퍼 W의 외경을 예를 들어 300㎜로 할 때, 중심 위치 C1과 C2의 거리 DC를 예를 들어 2㎜로 할 수 있다.
여기서, 도 12a, 도 12b를 참조하여, 본 실시 형태에 관한 이동 탑재 기구에 따르면, 수납 용기에 수용되어 있는 웨이퍼 및 스페이서 부재의 간격을 작게 할 수 있는 것을, 비교예와 대비하면서 도시한다.
도 12a, 도 12b는 본 실시 형태에 관한 이동 탑재 기구(27)의 상측 포크(54)의 선단부(58)와, 비교예에 관한 이동 탑재 기구의 상측 포크(154)의 선단부(158)를 각각 비교하여 도시하는 종단면도이다.
각 선단부(58, 158)의 두께를 TF로 하고, 제1 갈고리부(61a)의 최대 두께를 TW로 하고, 제2 갈고리부(62a)의 최대 두께를 TS로 한다. 또한, 제2 갈고리부(62a)의 최대 두께 TS가, 제1 갈고리부(61a)의 최대 두께 TW보다도 두꺼운, 즉 TS>TW인 것으로 한다. 이것은, 예를 들어 1.5㎜의 스페이서 부재(35)의 두께가 예를 들어 0.9㎜의 웨이퍼 W의 두께보다도 두꺼운 것에 의한다.
도 12b에 도시한 바와 같이, 비교예에 관한 이동 탑재 기구에서는, 제1 갈고리부(61a)와 제2 갈고리부(62a)가 상측 포크(154)의 서로 반대측의 면(154a, 154b)에 설치되어 있다. 따라서, 상측 포크(154)의 선단부(158)에 있어서의 두께는, TS+TF+TW로 된다.
한편, 도 12a에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 이동 탑재 기구(27)에서는, 제1 갈고리부(61a)와 제2 갈고리부(62a)가 상측 포크(54)의 동일면(54a)에 설치되어 있다. 따라서, 상측 포크(54)의 선단부(58)에 있어서의 두께는, TS>TW로부터, TS+TF로 된다. 즉, 본 실시 형태에 관한 이동 탑재 기구(27)의 상측 포크(54)의 두께(TS+TF)를, 비교예에 관한 이동 탑재 기구의 상측 포크(154)의 두께(TS+TF+TW)보다도 얇게 할 수 있다. 따라서, 수납 용기(13, 14)에 있어서의 웨이퍼 W의 간격을 작게 할 수 있다.
또한, 웨이퍼 W를 수용하는 수납 용기(13)에서는, 웨이퍼 W를 상하 방향으로 수용하는 소정의 피치가 미리 규정되어 있다. 소정의 피치를 PL1로 하고, 웨이퍼 W의 두께를 Wt로 할 때에, 도 12b에 도시한 비교예에서는, 수납 용기(13)에 있어서의 상측 포크(154)와 상하 양측의 웨이퍼 W의 클리어런스 CL0은, (PL1-Wt-(TS+TF+TW))/2이다. 한편, 도 12a에 도시한 본 실시 형태에서는, 수납 용기(13)에 있어서의 상측 포크(54)와 상하 양측의 웨이퍼 W의 클리어런스 CL1은, (PL1-Wt-(TS+TF))/2로 되어, 클리어런스 CL0보다도 커진다. 이와 같이, 본 실시 형태에 관한 이동 탑재 기구(27)의 상측 포크(54)의 수납 용기(13) 내에 있어서의 클리어런스 CL1을, 비교예에 관한 이동 탑재 기구의 상측 포크(154)의 수납 용기(13) 내에 있어서의 클리어런스 CL0보다도 크게 할 수 있다.
예를 들어, PL1을 10㎜로 하고, Wt를 0.9㎜로 하고, 비교예에 있어서의 TS+TF+TW를 7.2㎜로 하고, 본 실시 형태에 있어서의 TS+TF를 5.3㎜로 한다. 그렇게 하면, 비교예에 있어서의 CL0은, 0.95㎜로 되고, 본 실시 형태에 있어서의 CL1은 1.9㎜로 되기 때문에, CL1을 CL0보다도 크게 할 수 있다.
다음에, 도 13a 내지 도 13u 및 도 14a, 도 14b를 참조하여, 이동 탑재 기구(27)가 복판 유닛(36)을 구성하여 반송하는 기판 반송 방법에 대하여 설명한다.
도 13a 내지 도 13u는 이동 탑재 기구(27)가 복판 유닛(36)을 구성하여 반송하는 수순을 도시하는 측면도이다. 또한, 도 14a, 도 14b는, 상측 포크(54)가 웨이퍼 W를 하측 포크(53)에 전달할 때의 상측 포크(54) 및 제1 누름부(61b)의 움직임을 도시하는 도면이다. 도 20a는 상측 포크(54)가 웨이퍼 W를 하측 포크(53)에 전달하기 전의 상태를 도시하고, 도 20b는 상측 포크(54)가 웨이퍼 W를 하측 포크(53)에 전달한 후의 상태를 도시하고 있다.
우선, 상측 포크(54)를 수납 용기(13) 내로 전진시켜, 제1 파지 기구(61)에 의해 웨이퍼 W1을 하방으로부터 파지하여 지지하여 수취하고, 상측 포크(54)를 후퇴시킴과 동시에 상하 반전시켜, 웨이퍼 W1을 하측 포크(53)에 적재한다(제1 공정, 도 13a 내지 도 13g).
도 13a에 도시한 바와 같이, 상측 포크(54)를, 면(54a)을 상방으로 향하게 한 상태에서, 웨이퍼 W1이 수용되어 있는 수납 용기(13) 내로 전진시킨다. 이때, 웨이퍼 W1이 제1 갈고리부(61a)와 제1 누름부(61b) 사이에 위치하도록, 전진시킨다. 계속해서, 도 13b에 도시한 바와 같이, 제1 누름부(61b)를 전진시켜, 웨이퍼 W1을 제1 갈고리부(61a)측으로 누르면서 하방으로부터 파지하여 지지함으로써, 웨이퍼 W1을 수취한다. 계속해서, 도 13c에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W1을 지지한 채로 상측 포크(54)를 수납 용기(13) 내로부터 후퇴시킨다. 계속해서, 도 13d에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W1을 지지한 채로 상측 포크(54)를 상하 반전시킨다. 계속해서, 하측 포크(53)를, 상승시켜 상측 포크(54)에 근접시킨다. 계속해서, 도 13e에 도시한 바와 같이, 제1 누름부(61b)를 후퇴시켜, 웨이퍼 W1을 하측 포크(53)에 적재한다. 계속해서, 도 13f에 도시한 바와 같이, 하측 포크(53)를, 원래의 위치까지 하강시킨다.
상측 포크(54)가 웨이퍼 W1을 하측 포크(53)에 전달하기 전에는, 도 14a에 도시한 바와 같이, 제1 갈고리부(61a)와 제1 누름부(61b)에 의해 웨이퍼 W1을 끼움 지지하고 있다. 그리고, 상측 포크(54)가 웨이퍼 W1을 하측 포크(53)에 전달할 때에, 도 14b에 도시한 바와 같이, 제1 누름부(61b)를 후퇴시킴과 동시에, 상측 포크(54)를 이동체(56)(도 8)에 의해 약간 전진시킴과 동시에, 이동 탑재 기구(27)를 승강 기구(52)에 의해 약간 상승시켜도 된다. 이에 의해, 웨이퍼 W1을 하측 포크(53)에 전달할 때에, 웨이퍼 W1이 제1 갈고리부(61a) 및 제1 누름부(61b) 중 어느 것에도 걸리지 않도록 할 수 있다. 또한, 스페이서 부재(35) 및 웨이퍼 W2를 상측 포크(54)로부터 하측 포크(53)로 전달할 때도 마찬가지로 할 수 있다(도 13l 및 도 13r 참조).
또한, 전술한 바와 같이, 하측 포크(53) 대신에, 상측 포크(54)가 베이스(51)에 대하여 승강 가능하게 설치되어 있어도 된다. 이때는, 상측 포크(54)를 하강시켜 하측 포크(53)에 근접시키고, 제1 누름부(61b)를 후퇴시켜 웨이퍼 W1을 하측 포크(53)에 적재한 후, 상측 포크(54)를 원래의 위치까지 상승시켜도 된다. 또한, 스페이서 부재(35) 및 웨이퍼 W2를 상측 포크(54)로부터 하측 포크(53)로 전달할 때도 마찬가지로 할 수 있다(도 13l 및 도 13r 참조).
계속해서, 상측 포크(54)를, 보트(24) 내로 전진시켜, 제2 파지 기구(62)에 의해 스페이서 부재(35)를 상방으로부터 파지하여 지지하여 수취하고, 상측 포크(54)를 후퇴시켜, 스페이서 부재(35)를 하측 포크(53)에 적재되어 있는 웨이퍼 W1 상에 적재한다(제2 공정, 도 13h 내지 도 13m).
도 13h에 도시한 바와 같이, 상측 포크(54)를, 면(54a)을 하방으로 향하게 한 상태에서, 갈고리부(33)에 스페이서 부재(35)가 보유 지지되어 있는 보트(24) 내로 전진시킨다. 이때, 스페이서 부재(35)가 제2 갈고리부(62a)와 제2 누름부(62b) 사이에 위치하도록, 전진시킨다. 계속해서, 도 13i에 도시한 바와 같이, 제2 누름부(62b)를 전진시켜, 스페이서 부재(35)를 제2 갈고리부(62a)측으로 누르면서 상방으로부터 파지하여 지지함으로써, 갈고리부(33)로부터 스페이서 부재(35)를 수취한다. 계속해서, 도 13j에 도시한 바와 같이, 스페이서 부재(35)를 지지한 채로 상측 포크(54)를 보트(24) 내로부터 후퇴시킨다. 계속해서, 도 13k에 도시한 바와 같이, 하측 포크(53)를, 상승시켜 상측 포크(54)에 근접시킨다. 계속해서, 도 13l에 도시한 바와 같이, 제2 누름부(62b)를 후퇴시켜, 스페이서 부재(35)를 하측 포크(53)에 적재되어 있는 웨이퍼 W1 상에 적재한다. 계속해서, 도 13m에 도시한 바와 같이, 하측 포크(53)를, 원래의 위치까지 하강시킨다.
제2 공정에서는, 제2 파지 기구(62)에 지지되어 있는 스페이서 부재(35)의 중심 위치 C2(도 11a)가, 상측 포크(54)의 진퇴 방향을 따라서, 제1 파지 기구(61)에 지지되어 있는 웨이퍼 W1의 중심 위치 C1(도 11a)과 상이한 위치에 있을 때에, 스페이서 부재(35)를 수취한다. 이에 의해, 제2 갈고리부(62a)와 제2 누름부(62b)에 의해 스페이서 부재(35)를 끼움 지지하였을 때에, 스페이서 부재(35)가 제1 갈고리부(61a) 및 제1 누름부(61b) 중 어느 것과도 간섭하지 않도록 할 수 있다.
계속해서, 상측 포크(54)를, 수납 용기(13) 내로 전진시켜, 제1 파지 기구(61)에 의해 웨이퍼 W2를 상방으로부터 파지하여 지지하여 수취하고, 상측 포크(54)를 후퇴시켜, 웨이퍼 W2를 하측 포크(53)에 적재되어 있는 스페이서 부재(35) 상에 적재한다(제3 공정, 도 13n 내지 도 13s).
도 13n에 도시한 바와 같이, 상측 포크(54)를, 면(54a)을 하방으로 향하게 한 상태에서, 웨이퍼 W2가 수용되어 있는 수납 용기(13) 내로 전진시킨다. 이때, 웨이퍼 W2가 제1 갈고리부(61a)와 제1 누름부(61b) 사이에 위치하도록, 전진시킨다. 계속해서, 도 13o에 도시한 바와 같이, 제1 누름부(61b)를 전진시켜, 웨이퍼 W2를 제1 갈고리부(61a)측으로 누르면서 상방으로부터 파지하여 지지함으로써, 웨이퍼 W2를 수취한다. 계속해서, 도 13p에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W2를 지지한 채로 상측 포크(54)를 수납 용기(13) 내로부터 후퇴시킨다. 계속해서, 도 13q에 도시한 바와 같이, 하측 포크(53)를, 상승시켜 상측 포크(54)에 근접시킨다. 계속해서, 도 13r에 도시한 바와 같이, 제1 누름부(61b)를 후퇴시켜, 웨이퍼 W2를 하측 포크(53)에 적재되어 있는 스페이서 부재(35) 상에 적재한다. 계속해서, 도 13s에 도시한 바와 같이, 하측 포크(53)를, 원래의 위치까지 하강시킨다.
계속해서, 하측 포크(53)를, 보트(24) 내로 전진시켜, 복판 유닛(36)을 갈고리부(33)에 전달한다(제4 공정, 도 13t 및 도 13u).
도 13t에 도시한 바와 같이, 하측 포크(53)를, 보트(24) 내로 전진시켜, 웨이퍼 W1, 스페이서 부재(35) 및 웨이퍼 W2로 이루어지는 복판 유닛(36)을, 제2 공정에서 스페이서 부재(35)가 상측 포크(54)에 전달된 갈고리부(33)에 전달한다. 계속해서, 도 13u에 도시한 바와 같이, 하측 포크(53)를 보트(24) 내로부터 후퇴시킨다.
또한, 본 실시 형태의 기판 반송 방법에 있어서, 예를 들어 정렬 장치(15)에 의해, 하우징(18)의 내부에서 스페이서 부재(35)를 동일한 회전 각도로 위치 정렬해도 된다(위치 정렬 공정). 이에 의해, 후술하는 바와 같이, 하우징(18)의 외부에서 스페이서 부재(35)를 동일한 회전 각도로 위치 정렬을 행하는 공정이 불필요해진다.
다음에, 본 실시 형태에 관한 성막 장치를 사용한 성막 처리에 대하여, 도 1 내지 도 7에 추가하여 도 15를 참조하여 설명한다. 도 15는 본 실시 형태에 관한 성막 장치를 사용한 성막 처리를 포함하는 각 공정의 수순을 설명하기 위한 흐름도이다.
성막 처리 개시 후, 스텝 S11에서는, 성막 용기(40)에 복판 유닛(36)을 반입한다(반입 공정). 도 1로부터 도 4에 도시한 성막 장치(10)의 예에서는, 예를 들어 로딩 에어리어(20)에 있어서, 이동 탑재 기구(27)에 의해 보트(24a)에 복판 유닛(36)을 탑재하고, 복판 유닛(36)을 탑재한 보트(24a)를 보트 반송 기구(25c)에 의해 덮개(23)에 적재할 수 있다. 그리고, 보트(24a)를 적재한 덮개(23)를 승강 기구(26)에 의해 상승시켜 성막 용기(40) 내에 삽입함으로써, 복판 유닛(36)을 반입한다. 수납 용기(13, 14)로부터 보트(24a)로의[스페이서 부재(35)를 통한] 웨이퍼 W의 이동 탑재는, 도 13a 내지 도 13u를 사용하여 설명한 수순에 의해 행할 수 있다.
다음에, 스텝 S12에서는, 성막 용기(40)의 내부를 감압한다(감압 공정). 배기 장치(48)의 배기 능력 또는 배기 장치(48)와 배기관(49) 사이에 설치되어 있는 도시하지 않은 유량 조정 밸브를 조정함으로써, 배기관(49)을 통하여 성막 용기(40)를 배기하는 배기량을 증대시킨다. 그리고, 성막 용기(40)의 내압을 소정 압력 예를 들어 대기압(760Torr)으로부터 예를 들어 0.3Torr로 감압한다.
다음에, 스텝 S13에서는, 폴리이미드막을 성막한다(성막 공정).
미리, 또는 스텝 S13에 있어서, 제어부(50)에 의해, 인젝터(45c)에 제1 원료 가스(PMDA 가스)를 흘리는 제1 유량 F1과, 인젝터(46c)에 제2 원료 가스(ODA 가스)를 흘리는 제2 유량 F2를 설정해 둔다. 그리고, 회전 기구(29)에 의해 웨이퍼 W를 회전시킨 상태에서, 설정한 제1 유량 F1로 제1 원료 가스 공급부(45)로부터 PMDA 가스를 인젝터(45c)에 흘리고, 설정한 제2 유량 F2로 제2 원료 가스 공급부(46)로부터 ODA 가스를 인젝터(46c)에 흘린다. 이에 의해, PMDA 가스와 ODA 가스를 소정의 혼합비로 혼합시킨 상태에서 성막 용기(40) 내에 공급한다. 그리고, 웨이퍼 W의 표면에서 PMDA와 ODA를 중합 반응시켜, 폴리이미드막을 성막한다. 구체적으로는, 예를 들어 제1 유량 F1을 900sccm으로 하고, 제2 유량 F2를 900sccm으로 할 수 있다.
이때의, PMDA와 ODA의 중합 반응은, 다음의 화학식 1에 따른다.
Figure pat00001
본 실시 형태에서는, 이면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격이, 표면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격보다도 좁아지도록, 복수의 웨이퍼 W를 상하 방향으로 보유 지지할 수 있다. 이에 의해, 보트(24)의 웨이퍼 탑재 매수를 동일하게 한 상태에서, 표면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 웨이퍼 W의 간격을 증가하는 것이 가능해진다. 그 결과, 하나의 웨이퍼 W의 표면과 다른 웨이퍼 W의 표면의 간극을 크게 할 수 있어, 웨이퍼 W의 표면에 충분한 양의 원료 가스를 공급할 수 있다.
다음에, 스텝 S14에서는, 제1 원료 가스 공급부(45)로부터의 PMDA 가스의 공급 및 제2 원료 가스 공급부(46)로부터의 ODA 가스의 공급을 정지하고, 성막 용기(40)의 내부를 대기압으로 복압한다(복압 공정). 배기 장치(48)의 배기 능력 또는 배기 장치(48)와 배기관(49) 사이에 설치되어 있는 도시하지 않은 유량 조정 밸브를 조정함으로써, 성막 용기(40)를 배기하는 배기량을 감소시켜, 성막 용기(40)의 내압을 예를 들어 0.3Torr로부터 예를 들어 대기압(760Torr)으로 복압한다.
다음에, 스텝 S15에서는, 성막 용기(40)로부터 복판 유닛(36)을 반출한다(반출 공정). 도 1로부터 도 4에 도시한 성막 장치(10)의 예에서는, 예를 들어 보트(24a)를 적재한 덮개(23)를 승강 기구(26)에 의해 하강시켜 성막 용기(40) 내로부터 로딩 에어리어(20)로 반출할 수 있다. 그리고, 이동 탑재 기구(27)에 의해, 반출한 덮개(23)에 적재되어 있는 보트(24a)로부터 수납 용기(13)로 웨이퍼 W를 이동 탑재함으로써, 복판 유닛(36)을 성막 용기(40)로부터 반출한다. 보트(24a)로부터 수납 용기(13)로의 웨이퍼 W의 이동 탑재는, 도 13a 내지 도 13u를 사용하여 설명한 수납 용기(13)로부터 보트(24a)로의 웨이퍼 W의 이동 탑재와 역의 수순에 의해 행할 수 있다. 이때, 스페이서 부재(35)는, 보트(24a) 내로 복귀되어, 보트(24a)의 갈고리부(33)에 보유 지지된다. 그 후, 성막 처리를 종료한다.
또한, 복수의 뱃치에 대하여 연속하여 성막 처리를 행할 때는, 또한, 로딩 에어리어(20)에 있어서, 이동 탑재 기구(27)에 의해 수납 용기(13)로부터 웨이퍼 W를 보트(24)로 이동 탑재하고, 다시 스텝 S11로 복귀하여, 다음 뱃치의 성막 처리를 행한다.
본 실시 형태에서는, 보트(24)가, 복판 유닛(36)을 보유 지지하고 있지 않을 때에, 복판 유닛(36) 대신에 스페이서 부재(35)를 보유 지지한다.
성막 처리를 행하지 않을 때에, 스페이서 부재(35)가, 하우징(18)의 외부에 설치되어 있는 수납 용기(14)(이하 「스페이서 부재용 수납 용기」라고 함)에 수용되고, 웨이퍼 W가 수납 용기(이하 「웨이퍼용 수납 용기」라고 함)(13)에 수용되는 것으로 한다. 이때, 웨이퍼용 수납 용기(13)를 하우징(18)과 연통하는 도어 기구(21)의 하나가 스페이서 부재용 수용 용기(14)와 접속된 상태로 되어, 웨이퍼용 수납 용기(13)와 접속되는 도어 기구(21)의 수가 감소한다. 그로 인해, 웨이퍼용 수납 용기(13)를 전환하기 위한 대기 시간이 발생하여, 반송 시간이 길어진다.
예를 들어, 최초의 웨이퍼용 수납 용기(13)를 하나의 도어 기구(21)에 의해 하우징(18)과 연통시키고, 최초의 웨이퍼용 수납 용기(13)로부터 웨이퍼 W를 이동 탑재한 후, 도어 기구(21)에 의해 하우징(18)과 차단한다. 그리고, 최초의 웨이퍼용 수납 용기(13)를 다음 웨이퍼용 수납 용기(13)와 교환하고, 다음 웨이퍼용 수납 용기(13)를 상기 하나의 도어 기구(21)에 의해 하우징(18)과 연통시키고, 다음 웨이퍼용 수납 용기(13)로부터 웨이퍼 W를 이동 탑재한다. 이때, 최초의 웨이퍼용 수납 용기(13)와 하우징(18)의 내부를 차단하고 나서, 다음 웨이퍼용 수납 용기(13)와 하우징(18)의 내부를 연통시켜, 반송 가능한 상태로 될 때까지, 대기 시간이 발생하기 때문에, 반송 시간이 길어진다.
특히, 복판 유닛(36)이 2매의 웨이퍼 W와 1매의 스페이서 부재(35)로 이루어질 때는, 반송되는 웨이퍼 W의 매수는, 반송되는 스페이서 부재(35)의 매수의, 예를 들어 2배로 된다. 따라서, 스페이서 부재(35)를 스페이서 부재용 수납 용기(14)에 수용할 때는, 웨이퍼용 수납 용기(13)를 전환하여 동일한 도어 기구(21)에 의해 연통시키기 위한 대기 시간의 비율이 증가한다.
또한, 웨이퍼 W가 성막 처리용의 웨이퍼 대신에, 모니터용의 웨이퍼, 테스트용의 웨이퍼인 경우도, 완전히 마찬가지로, 반송 시간이 길어진다.
한편, 본 실시 형태에서는, 하우징(18)의 내부에 설치되어 있는 보트(24)에 스페이서 부재(35)가 수용된다. 그로 인해, 웨이퍼용 수납 용기(13)와 접속되는 도어 기구(21)의 수가 줄어드는 일이 없다. 따라서, 상기 하나의 도어 기구(21)에 의한 최초의 웨이퍼용 수납 용기(13)와 하우징(18)의 내부의 연통을 차단하기 전에, 다음 웨이퍼용 수납 용기(13)를 다른 도어 기구(21)에 의해 하우징(18)과 연통시켜 둘 수 있어, 반송 시간을 짧게 할 수 있다.
또한, 스페이서 부재(35)가, 스페이서 부재용 수납 용기(14)에 수용되는 경우에는, 웨이퍼용 수납 용기(13)에 추가하여, 스페이서 부재용 수납 용기(14)를 성막 장치(10)에 구비해야만 하여, 부품 개수가 증대된다. 또한, 성막 장치(10)의 적재대(12) 이외의 부분에 스페이서 부재용 수납 용기(14)를 수용하기 위한 스토커를 설치해야만 하여, 성막 장치(10)의 설치 면적 또는 장치 전체의 사이즈가 증대된다.
한편, 본 실시 형태에서는, 하우징(18)의 내부에 설치되어 있는 보트(24)에 스페이서 부재(35)가 수용된다. 그로 인해, 스페이서 부재용 수납 용기(14)를 성막 장치(10)에 구비할 필요가 없어, 부품 개수를 줄일 수 있음 동시에, 성막 장치의 설치 면적 또는 장치 전체의 사이즈를 저감할 수 있다.
또한, 스페이서 부재(35)를 보트(24)에 보유 지지한 상태에서, 성막 용기(40) 내에서 열처리하여 클리닝을 행하는 경우가 있다. 여기서, 스페이서 부재(35)가, 스페이서 부재용 수납 용기(14)에 수용될 때는, 클리닝을 행할 때마다, 스페이서 부재(35)를 스페이서 부재용 수납 용기(14)로부터 보트(24)로 반송하는 공정이 필요하게 되어, 클리닝 시간이 길어진다.
한편, 본 실시 형태에서는, 하우징(18)의 내부에 설치되어 있는 보트(24)에 스페이서 부재(35)가 수용된다. 그로 인해, 클리닝을 행할 때마다, 스페이서 부재(35)를 스페이서 부재용 수납 용기(14)로부터 보트(24)로 반송하는 공정이 불필요하여, 클리닝 시간을 짧게 할 수 있다.
또한, 성막 처리를 복수회 행하여, 스페이서 부재(35)를 복수회 연속하여 사용한 경우, 열팽창의 영향 및/또는 이동 탑재 기구(27)에 의한 회전 각도의 위치 어긋남이 쌓여서 허용 범위를 초과하여, 반송을 할 수 없게 되는 경우가 있다. 이러한 때, 스페이서 부재(35)를 스페이서 부재용 수납 용기(14)로 복귀시켜, 하우징(18)의 외부에서 동일한 회전 각도로 위치 정렬을 행하는 공정이 필요하다.
한편, 본 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이, 위치 정렬 기구에 의해, 하우징(18)의 내부에서 스페이서 부재(35)를 동일한 회전 각도로 위치 정렬할 수 있다. 이에 의해, 하우징(18)의 외부에서 스페이서 부재(35)를 동일한 회전 각도로 위치 정렬을 행하는 공정이 불필요해진다.
추가의 이점 및 변형예는, 당업자에게는 용이하게 명백할 것이다. 따라서, 보다 넓은 형태에 있어서의 본 발명은, 여기에 도시되어 기재되는 구체적인 실시 형태나, 구체적인 상세에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부의 특허 청구의 범위 및 그 균등물로 규정되는 일반적인 발명 개념의 범위 또는 정신으로부터 일탈하는 일없이, 다양한 변경이 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 이동 탑재 기구(27)가, 성막 장치(10)의 보트(24)에 복판 유닛(36)을 이동 탑재하는 것인 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 이동 탑재 기구(27)는, 복판 유닛(36)을 상하 방향으로 소정의 보유 지지 간격으로 복수 보유 지지 가능함과 동시에, 복판 유닛(36)을 보유 지지하고 있지 않을 때에 스페이서 부재(35)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부에 대하여, 복판 유닛(36)을 반송하는 것이면 된다. 따라서, 이동 탑재 기구(27)는, 성막 장치(10)의 보트(24) 이외의 각종 기판 처리 장치의 기판 보유 지지부에 대하여, 복판 유닛(36)을 이동 탑재하는 것이어도 된다.

Claims (17)

  1. 이면끼리가 대향하는 제1 및 제2 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 반송하는 기판 반송 방법이며,
    제2 포크의 상방에 설치되어 있는 제1 포크의 한쪽의 측에 설치된 제1 파지 기구에 의해, 수용부에 수용되어 있는 상기 제1 기판을 그 이면의 하방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 제1 기판을 상기 제1 포크를 상하 반전시켜 상기 제2 포크에 적재하는 것과,
    상기 제1 파지 기구와, 상기 제1 포크의 동일측에 설치된 제2 파지 기구에 의해, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지되어 있는 스페이서 부재를 그 상방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 스페이서 부재를 상기 제2 포크에 적재된 상기 제1 기판 상에 적재하는 것과,
    상기 제1 파지 기구에 의해 상기 수용부에 수용되어 있는 제2 기판을 그 표면의 상방으로부터 파지하여 수취하고, 수취한 상기 제2 기판을 상기 제1 포크에 적재된 상기 스페이서 부재 상에 적재하는 것을 갖는, 기판 반송 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판을 파지하는 것은, 상기 제1 파지 기구의 제1 누름부에 의해, 상기 제1 기판을 상기 제1 파지 기구의 제1 갈고리부측으로 누름으로써, 상기 제1 갈고리부와 상기 제1 누름부 사이에서 상기 제1 기판을 끼움 지지하는 것이며, 상기 제1 갈고리부는 상기 제1 포크의 선단부에 고정되고, 상기 제1 누름부는 상기 제1 포크의 기단부측에 상기 제1 갈고리부에 대하여 진퇴 가능하게 설치되어 있고,
    상기 스페이서 부재를 파지하는 것은, 상기 제2 파지 기구의 제2 누름부에 의해, 상기 스페이서 부재를 상기 제2 파지 기구의 제2 갈고리부측으로 누름으로써, 상기 제2 갈고리부와 상기 제2 누름부 사이에서 상기 스페이서 부재를 끼움 지지하는 것이며, 상기 제2 갈고리부는 상기 제1 포크의 상기 선단부에 고정되고, 상기 제2 누름부는 상기 제1 포크의 상기 기단부측에 상기 제2 갈고리부에 대하여 진퇴 가능하게 설치되어 있고,
    상기 제2 기판을 파지하는 것은, 상기 제1 누름부에 의해, 상기 제2 기판을 상기 제1 갈고리부측으로 누름으로써, 상기 제1 갈고리부와 상기 제1 누름부 사이에서 상기 제2 기판을 끼움 지지하는 것인, 기판 반송 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서 부재를 파지하는 것은, 상기 제2 파지 기구에 지지되어 있는 상기 스페이서 부재의 중심 위치가, 상기 제1 기판을 파지하는 것에 있어서 상기 제1 파지 기구에 지지되어 있는 상기 제1 기판의 중심 위치 및 상기 제2 기판을 파지하는 것에 있어서 상기 제1 파지 기구에 지지되어 있는 상기 제2 기판의 중심 위치와 상이한 위치로 되도록, 상기 스페이서 부재를 상방으로부터 파지하는 것인, 기판 반송 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하우징의 내부에서 상기 스페이서 부재 및 다른 스페이서 부재를 동일한 회전 각도로 위치 정렬하는 것을 더 갖고,
    상기 수용부는, 내부에 상기 기판 보유 지지부가 설치된 하우징의 외부에 설치된 것인, 기판 반송 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는, 링 형상을 갖는 것인, 기판 반송 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판 보유 지지부는, 상기 제1 및 제2 기판 중, 이면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 기판의 간격이, 표면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 기판의 간격보다도 좁아지도록, 상기 적층체 및 다른 적층체를 보유 지지하는 것인, 기판 반송 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판을 제2 포크에 적재하는 것, 상기 스페이서 부재를 제2 포크 상의 제1 기판 상에 적재하는 것 및 상기 제2 기판을 상기 제2 포크 상의 스페이서 부재에 적재하는 것 중 적어도 하나에 있어서, 상기 제1 포크와 상기 제2 포크 중 어느 한쪽을 다른 쪽에 대하여 상하 방향으로 이동시켜 근접시키는, 기판 반송 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 포크와 상기 제2 포크를 승강 기구에 의해 일체로 상하 이동시키는 것을 더 갖는, 기판 반송 방법.
  9. 컴퓨터 프로세서에 제1항에 기재된 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 일시적인 것이 아닌, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  10. 기판 보유 지지부에 대하여 진퇴 가능하게 설치되어 있으며, 상기 기판 보유 지지부와의 사이에서 이면끼리가 대향하는 2매의 기판이 스페이서 부재를 개재하여 적층되어 이루어지는 적층체를 전달하는 제1 포크와,
    상기 제1 포크의 상방에, 상기 기판을 수용하는 수용부와 상기 기판 보유 지지부의 각각에 진퇴 가능하며 상하 반전 가능하게 설치되어 있고, 상기 수용부와 상기 제1 포크 사이에서 상기 기판을 순서대로 전달함과 동시에, 상기 기판 보유 지지부와 상기 제1 포크 사이에서 상기 스페이서 부재를 전달하는 제2 포크와,
    상기 제2 포크의 한쪽의 측에 설치되어 있으며, 상기 기판을 1매씩 그 상방 또는 하방으로부터 파지하는 제1 파지 기구와,
    상기 제1 파지 기구와, 상기 제2 포크의 동일측에 설치되어 있으며, 상기 스페이서 부재를 그 상방으로부터 파지하는 제2 파지 기구를 갖는, 기판 반송 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 파지 기구는, 상기 제2 포크의 선단부에 고정되어 있는 제1 갈고리부와, 상기 제2 포크의 기단부측에 상기 제1 갈고리부에 대하여 진퇴 가능하게 설치되어 있으며, 상기 기판을 상기 제1 갈고리부측으로 누름으로써 상기 제1 갈고리부와의 사이에서 상기 기판을 끼움 지지하는 제1 누름부를 갖고,
    상기 제2 파지 기구는, 상기 제2 포크의 상기 선단부에 고정되어 있는 제2 갈고리부와, 상기 제2 포크의 상기 기단부측에 상기 제2 갈고리부에 대하여 진퇴 가능하게 설치되어 있으며, 상기 스페이서 부재를 상기 제2 갈고리부측으로 누름으로써 상기 제2 갈고리부와의 사이에서 상기 스페이서 부재를 끼움 지지하는 제2 누름부를 갖는, 기판 반송 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 파지 기구는, 상기 제2 파지 기구에 지지되어 있는 상기 스페이서 부재의 중심 위치가, 상기 제1 파지 기구에 지지되어 있는 상기 기판의 중심 위치와 상이한 위치에 배치되도록 스페이서 부재를 상방으로부터 파지하는, 기판 반송 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 하우징의 내부에서 상기 스페이서 부재 및 다른 스페이서 부재를 동일한 회전 각도로 위치 정렬하는 위치 정렬 기구를 더 갖고,
    상기 수용부는, 내부에 상기 기판 보유 지지부가 설치된 하우징의 외부에 설치된 것인, 기판 반송 장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 스페이서 부재는, 링 형상을 갖는 것인, 기판 반송 장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 기판 보유 지지부는, 상기 기판 중, 이면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 기판의 간격이, 표면끼리에서 대향하여 상하로 이웃하는 2매의 기판의 간격보다도 좁아지도록, 상기 적층체 및 다른 적층체를 보유 지지하는 것인, 기판 반송 장치.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 제1 포크와 상기 제2 포크는, 어느 한쪽이 다른 쪽에 대하여 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있는, 기판 반송 장치.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 제1 포크와 상기 제2 포크를 일체로 상하 이동시키는 승강 기구를 더 갖는, 기판 반송 장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5797176B2 (ja) * 2012-09-14 2015-10-21 東京エレクトロン株式会社 スペーサ、スペーサの搬送方法、処理方法、及び、処理装置
JP5935676B2 (ja) * 2012-12-07 2016-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板装置の運用方法及び記憶媒体
JP6054213B2 (ja) 2013-03-11 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 支持部材及び半導体製造装置
CN103207529B (zh) * 2013-03-22 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光方法及曝光设备
JP2017183665A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板搬送装置、基板処理装置及び基板処理方法
CN106625585A (zh) * 2016-11-29 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶玻璃基板搬运机器人
JP6862163B2 (ja) * 2016-12-09 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3157738B2 (ja) * 1997-02-27 2001-04-16 山形日本電気株式会社 ウエハ移載装置および移載方法
JP2001274232A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4467208B2 (ja) 2001-06-01 2010-05-26 芝浦メカトロニクス株式会社 ロボット装置及び処理装置
JP2003100727A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd シートフィルム保持機構、カセット、搬送機構、薄膜形成装置ならびにシートフィルム搬送方法
JP2004172374A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 保持治具、半導体ウェーハの製造装置、半導体基板及び保持治具の搭載方法
JP2005175413A (ja) * 2003-11-18 2005-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd 搬送システム及び搬送方法
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2008124091A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の処理装置および処理方法
JP4726776B2 (ja) 2006-12-27 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 反転装置およびそれを備えた基板処理装置
JP4966800B2 (ja) * 2007-09-26 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP4971089B2 (ja) * 2007-09-26 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP4821756B2 (ja) 2007-10-19 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の移載機構、被処理体の移載方法及び被処理体の処理システム

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