CN102683252A - 基板输送方法及基板输送装置 - Google Patents

基板输送方法及基板输送装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102683252A
CN102683252A CN2012100635797A CN201210063579A CN102683252A CN 102683252 A CN102683252 A CN 102683252A CN 2012100635797 A CN2012100635797 A CN 2012100635797A CN 201210063579 A CN201210063579 A CN 201210063579A CN 102683252 A CN102683252 A CN 102683252A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
substrate
clamp forks
insulating element
claw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100635797A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102683252B (zh
Inventor
山岸大祐
小山胜彦
佐藤正孝
竹内靖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102683252A publication Critical patent/CN102683252A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102683252B publication Critical patent/CN102683252B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供基板输送方法和基板输送装置。该基板输送方法用于对由背面彼此相对的第1基板和第2基板隔着隔离构件层叠而成的层叠体进行输送，其包括下述工序：利用设在第1叉状件的一侧的第1夹持机构，自第1基板的背面的下方夹持第1基板来承接第1基板，使第1叉状件上下翻转而将承接的第1基板载置于第2叉状件，其中，第1叉状件设在第2叉状件的上方；利用与第1夹持机构设在第1叉状件的同一侧的第2夹持机构自隔离构件的上方夹持该隔离构件来承接该隔离构件，将承接的隔离构件载置在第1基板上；利用第1夹持机构自第2基板的表面的上方夹持该第2基板来承接第2基板，将承接的第2基板载置在已载置于第2叉状件的隔离构件上。

Description

基板输送方法及基板输送装置
技术领域
本发明涉及对基板进行输送的基板输送方法和对基板进行输送的基板输送装置。
背景技术
在半导体装置的制造中，为了对例如半导体晶圆等被处理基板(以下也称为“基板”。)实施氧化、扩散、化学气相沉积法(CVD)等处理，采用各种处理装置。并且，作为这样的处理装置之一，公知有由一次能够进行很多张被处理基板的热处理的立式的热处理装置构成的成膜装置。
成膜装置具有舟皿(boat)、升降机构、移载机构(基板输送装置)。舟皿是沿着上下方向以规定的保持间隔保持多个基板的、相对于成膜容器输入输出的基板保持部。升降机构设在被形成于成膜容器的下方的加载区，以将舟皿载置在用于封堵成膜容器的开口的盖体的上部的状态而使盖体上升、下降，使舟皿在成膜容器和加载区之间升降。移载机构用于在输出到加载区的舟皿与用于收容多张基板的收纳容器之间进行基板的移载。
作为采用了这样的成膜装置的成膜方法之一，可列举出在基板的表面形成聚酰亚胺膜的方法。在基板的表面上使聚酰亚胺成膜而得到的聚酰亚胺膜能够用作半导体器件中的绝缘膜。作为形成聚酰亚胺膜的方法，公知有作为原料单体采用了例如均苯四甲酸二酐(PMDA)和例如4，4’-二氨基二苯醚(ODA)的蒸镀聚合进行的成膜方法。
在这样的成膜装置中，为了增加舟皿中的基板的搭载张数，有时将由背面彼此相对的两张基板隔着隔离构件层叠而成的层叠体沿着上下方向以规定的保持间隔保持在舟皿中(例如、参照日本特开2009-81259号公报)。
另外，存在这样的基板输送装置：在用于收容基板的收纳容器和基板保持部之间对基板进行输送之时，以止挡构件和夹紧部件夹紧基板(例如、参照日本特开2009-99918号公报)。在日本特开2009-99918号公报中所述的基板输送装置中，止挡构件设在叉状件的顶端部，与基板的周缘部接触。夹紧部件以能够前进和后退的方式设在叉状件的基端部侧，将基板向止挡构件侧按压来夹紧基板。
发明内容
采用本发明的一实施例，提供一种基板输送方法，其用于对层叠体进行输送，该层叠体由背面彼此相对的第1基板和第2基板隔着隔离构件层叠而成，该基板输送方法包括下述工序：利用设在第1叉状件的一侧的第1夹持机构，自收容在收容部的上述第1基板的背面的下方夹持上述第1基板来承接上述第1基板，使上述第1叉状件上下翻转而将承接的上述第1基板载置于第2叉状件，其中，上述第1叉状件设在上述第2叉状件的上方；利用与上述第1夹持机构设在上述第1叉状件的同一侧的第2夹持机构自保持在基板保持部的隔离构件的上方夹持该隔离构件来承接该隔离构件，将承接的上述隔离构件载置在已载置于上述第2叉状件的上述第1基板上；利用上述第1夹持机构自收容在上述收容部的第2基板的表面的上方夹持该第2基板来承接第2基板，将承接的上述第2基板载置在已载置于上述第2叉状件的上述隔离构件上。
另外，采用本发明的另一实施例，提供一种存储介质，该存储介质是永久的计算机可读取的存储介质，该存储介质用于存储程序，该程序用于使计算机处理器执行上述基板输送方法。
另外，采用本发明的另一实施例，提供一种基板输送装置，其包括：第1叉状件，其以能够相对于基板保持部进退的方式设置，用于在该第1叉状件与上述基板保持部之间进行层叠体的交接，该层叠体由背面彼此相对的两张基板隔着隔离构件层叠而成；第2叉状件，其以相对于收容上述基板的收容部和相对于上述基板保持部都能够进退且能够上下翻转的方式设在上述第1叉状件的上方，该第2叉状件用于在上述收容部和上述第1叉状件之间按顺序交接上述基板，并且在上述基板保持部和上述第1叉状件之间交接上述隔离构件；第1夹持机构，其设在上述第2叉状件的一侧，用于自上述基板的上方或者下方一张一张地夹持上述基板；第2夹持机构，其与上述第1夹持机构设在上述第2叉状件的同一侧，用于自上述隔离构件的上方夹持上述隔离构件。
本发明的目的和优点能够通过在权利要求书中特别示出的技术特征和组合来实现、达到。
上述的一般的说明和以下的详细说明用于例示、说明，应该理解为并非用于限定于权利要求书所记载的发明。
附图说明
编入本说明书并构成说明书的一部分的附图用于表示本发明的实施方式，与先前进行的一般的说明和以下进行的实施方式的详细说明一起担负起说明本发明的原理的作用。
图1是概略地表示的实施方式的成膜装置的纵剖视图。
图2是概略地表示实施方式的加载区的立体图。
图3是表示实施方式的前一批晶圆在成膜容器中进行成膜处理时的、后一批晶圆的状态的图。
图4是概略地表示实施方式的舟皿的一例的立体图。
图5表示在实施方式的舟皿中搭载有多板单元的状态的剖视图。
图6是概略地表示实施方式的隔离构件的一例的俯视图。
图7是包含局部纵剖面的图，该局部纵剖面用于放大地表示实施方式的成膜容器的附近。
图8是概略地表示实施方式的移载机构的一构成例的侧视图。
图9A、图9B、图9C是分别示意性地表示实施方式的上侧叉状件自下方支承(夹持)晶圆的状态的俯视图和横剖视图。
图10A、图10B、图10C是分别示意性地表示实施方式的上侧叉状件自上方支承(夹持)晶圆的状态的仰视图和横剖视图。
图11A、图11B、图11C是分别示意性地表示实施方式的上侧叉状件自上方支承(夹持)隔离构件的状态的仰视图和横剖视图。
图12A和图12B是对实施方式的移载机构的上侧叉状件的顶端部和比较例的移载机构的上侧叉状件的顶端部之间进行比较、表示的纵剖视图。
图13A～图13U是表示实施方式的移载机构将多板单元构成并进行输送的步骤的侧视图。
图14A和图14B是表示实施方式的上侧叉状件将晶圆交接到下侧叉状件时的上侧叉状件和第1按压部的动作的图。
图15是用于说明包含采用了实施方式的成膜装置的成膜处理在内的各工序的步骤的流程图。
具体实施方式
不过，上述那样的设在具有用于保持层叠体的舟皿的成膜装置中的移载机构、即基板输送装置存在以下这样的问题。
在不进行成膜处理时，隔离构件收容在设于成膜装置的外部的收纳容器，基板收容在基板用收纳容器。此时，用于使基板用的收纳容器与成膜装置的内部连通的连接口中的一个连接口处于与隔离构件用的收容容器连接的状态，而使与基板用的收纳容器连接的连接口的数量减少。因此，在对多个基板用的收纳容器进行切换来对基板进行输送时产生等待时间，输送时间变长。
例如，使最初的基板用的收纳容器与成膜装置的内部连通来移载基板之后，将最初的基板用的收纳容器与成膜装置的内部隔断。并且，将最初的基板用的收纳容器更换成下一个基板用的收纳容器，使下一个基板用的收纳容器与成膜装置的内部连通来移载基板。此时，自最初的基板用的收纳容器与成膜装置的内部隔断起直到使下一个基板用的收纳容器与成膜装置的内部连通而成为能够输送基板的状态为止，产生等待时间，因此输送时间变长。
采用本发明的一技术方案，提供基板输送方法和基板输送装置，能够在与基板保持部之间进行对由背面彼此相对的两张基板隔着隔离构件层叠而成的层叠体的输送时缩短输送时间。
采用本发明的一技术方案，能够在与基板保持部之间进行对由背面彼此相对的两张基板隔着隔离构件层叠而成的层叠体的输送时缩短输送时间。
接着，与附图一起说明本发明的实施方式。
最初，参照图1～图7来对本发明的实施方式的成膜装置进行说明。
本实施方式的成膜装置包括本发明的一实施方式的基板输送装置，是适用于利用批处理对多张被处理基板(以下称为“基板”或者“晶圆W”)形成膜的成膜装置的例子。
本实施方式的成膜装置能够适用于将例如均苯四甲酸二酐(Pyromellitic Dianhydride、以下简称为“PMDA”。)气化而成的第1原料气体、将例如4，4’-二氨基二苯醚(4，4’-Oxydianiline、以下简称为“ODA”。)气化而成的第2原料气体向保持在成膜容器内的基板供给、从而在基板上形成聚酰亚胺膜的成膜装置。
图1是概略地表示本实施方式的成膜装置10的纵剖视图。图2是概略地表示加载区20的立体图。图3是表示前一批(第1批)晶圆W在成膜容器40中进行成膜处理时的、后一批(第2批)晶圆W的状态的图。图4是概略地表示舟皿24的一例的立体图。图5是表示在舟皿24上搭载有多板单元36的状态的剖视图。图6是概略地表示隔离构件35的一例的俯视图。图7是包含局部纵剖面的图，该局部纵剖面用于放大地表示成膜容器40的附近。
如图1所示，成膜装置10具有载置台(加载部)12、壳体18和控制部50。
载置台(加载部)12设在壳体18的前部。壳体18具有加载区(作业区域)20和成膜容器40。加载区20设在壳体18内的下部，成膜容器40设在壳体18内且设在加载区20的上方。另外，在加载区20和成膜容器40之间设有底板(base plate)19。
底板19是用于设置成膜容器40的反应管41的例如不锈钢制的底板，形成有用于将反应管41自下方向上方插入的未图示的开口部。
载置台12用于相对于壳体18内进行晶圆W的输入输出。在载置台12上载置有收纳容器13、14。即、收纳容器13、14设在壳体18的外部。收纳容器13、14是在前表面具有能够装卸的未图示的盖的、以规定的间隔收容多张例如50张左右晶圆的密闭型收纳容器(FOUP：フ一プ)。
其中，收纳容器13、14相当于本发明的一技术方案中的收容部。
另外，也可以在载置台12的下方设有校正装置(对准器)15，该校正装置(对准器)15用于使设在被移载机构27移载的晶圆W的外周的凹口对准一方向。校正装置15也可以是在壳体18内使隔离构件35对位成同一旋转角度的装置。校正装置15相当于本发明的一技术方案中的对位机构。
加载区20是用于在收纳容器13与舟皿24之间进行晶圆W的移载、将舟皿24输入(加载)到成膜容器40内、将舟皿24自成膜容器40输出(卸载)的作业区域。在加载区20中设有门机构21、开闭(shutter)机构22、盖体23、舟皿24、基座25a、25b、升降机构26(参照图2)以及移载机构27。
另外，盖体23和舟皿24相当于本发明的一技术方案中的基板保持部。另外，移载机构27相当于本发明的一技术方案中的基板输送装置。
门机构21构成为：在卸下收纳容器13、14的盖之后，收纳容器13、14内向加载区20内敞开、收纳容器13、14内与加载区20内连通。
开闭机构22设在加载区20的上方。开闭机构22被设置成，在打开盖体23时，为了抑制或防止高温的炉内的热量自成膜容器40的开口43向加载区20释放，开闭机构22覆盖(或者堵塞)开口43。
盖体23具有保温筒28和旋转机构29。保温筒28设在盖体23上。保温筒28用于防止舟皿24因与盖体23侧之间的导热而被冷却，用于对舟皿24进行保温。旋转机构29安装在盖体23的下部。旋转机构29用于使舟皿24旋转。旋转机构29的旋转轴被设置成气密地贯穿盖体23，用于使配置在盖体23上的未图示的旋转台旋转。
另外，使上述的隔离构件35对位成同一旋转角度的对位机构不限定于校正装置15。也可以将由例如发光元件和受光元件构成的传感器等设在舟皿24的附近来形成用于使隔离构件35对位成同一旋转角度的对位标记。于是，也可以在隔离构件35保持在舟皿24中时，利用旋转机构29使舟皿24旋转微小角度，使用传感器和对位标记来进行对位。
升降机构26用于在自加载区20向成膜容器40输入舟皿24、自成膜容器40向加载区20输出舟皿24时驱动盖体23升降。并且，利用升降机构26上升的盖体23在被输入成膜容器40内时，盖体23被设置成与开口43抵接而使开口43密闭。并且，载置在盖体23的舟皿24能够在成膜容器40内以使晶圆W在水平面内能够旋转的方式保持晶圆W。
另外，成膜装置10也可以具有多个舟皿24。下面，在本实施方式中，参照图2对具有两个舟皿24a、24b的例子进行说明，在没有必要特意区别两者时，也有时将舟皿24a、24b统称为“舟皿24”。
在加载区20中设有舟皿24a、24b。并且，在加载区20中设有基座25a、25b和舟皿输送机构25c。基座25a、25b分别是舟皿24a、24b自盖体23移载的载置台。舟皿输送机构25c用于将舟皿24a、24b自盖体23移载到基座25a、25b上。
如图3所示，搭载有前一批(第1批)晶圆W的舟皿24a被输入到成膜容器40、进行成膜处理时，在加载区20中，能够将后一批(第2批)晶圆W自收纳容器13向舟皿24b移载。由此，在前一批(第1批)晶圆W的成膜工序结束、自成膜容器40将舟皿24a输出之后，能够立即将搭载有后一批(第2批)晶圆W的舟皿24b输入到成膜容器40。结果，能够缩短成膜处理所需的时间(生产节拍时间)，能够降低制造成本。
舟皿24a、24b是例如石英制的，用于沿着上下方向以规定的间隔(间距)以水平状态搭载大口径例如直径300mm的晶圆W。例如，如图4所示，舟皿24a、24b是将多根例如3根支柱32设于顶板30和底板31之间而成的。在支柱32上设有用于保持晶圆W的爪部33。另外，也可以与支柱32一起适当地设有辅助柱34。
舟皿24a、24b能够沿着上下方向以规定的间隔将多个由背面彼此相对的两张晶圆W隔着隔离构件35层叠而成的多板单元36保持在爪部33。另外，舟皿24a、24b能够将多个多板单元36保持在爪部33、并且在未保持多板单元36时替代保持多板单元36而保持隔离构件35。即、舟皿24a、24b在不对晶圆W进行成膜处理时，用于将隔离构件35收容在壳体18内。
下面，在本实施方式中，对多板单元36是由两张晶圆W隔着具有环形状的隔离构件35层叠而成的例子进行说明。
另外，多板单元36相当于本发明的一技术方案中的层叠体。
如图5所示，爪部33具有底部33a和侧壁部33b，与舟皿24a(24b)的周向垂直的纵剖面具有L字形状。关于各多板单元36，以背面Wb为上表面(即表面Wa为下表面)的下侧晶圆W 1的周缘部支承于所对应的爪部33的底部33a。在表面Wa的周缘部支承在底部33a的下侧晶圆W 1上层叠有隔离构件35。并且，在隔离构件35上支承有以背面Wb为下表面(即表面Wa为上表面)的上侧晶圆W2。侧壁部33b被设置成与构成多板单元36的下侧晶圆W1、隔离构件35和上侧晶圆W2的侧面接近，用于防止多板单元36的水平方向的偏离。
另外，下侧晶圆W1相当于本发明的一技术方案中的第1基板，上侧晶圆W2相当于本发明的一技术方案中的第2基板。
另外，作为晶圆W，除了单独的1张晶圆之外，也可以采用将多个晶圆贴合而成的贴合晶圆。能够采用包括上述各种晶圆在内的具有例如0.75mm～1.2mm的厚度的晶圆。
如图5和图6所示，隔离构件35具有环形状，该环形状具有与晶圆W的外径大致相等的外径，并且具有比晶圆W的外径稍小的内径。在成膜容器40内进行成膜处理时，隔离构件35的环形状的部分介于背面彼此相对的两张晶圆W的下侧晶圆W 1的周缘部和上侧晶圆W2的周缘部之间。由此，能够抑制原料气体进入背面彼此相对的两张晶圆W1、W2之间的间隙而在晶圆W1、W2背面形成膜。隔离构件35由例如SiC、硅、石英构成。
如图6所示，隔离构件35具有缺口部35a、35b。如采用图11A～11C的下述那样，缺口部35a被设置成在利用第2夹持机构62支承隔离构件35时、隔离构件35不与第1夹持机构61的第1爪部61a干涉。另外，缺口部35b被设置成在利用第2夹持机构62支承隔离构件35时、隔离构件35不与第1夹持机构61的第1按压部61b干涉。
另外，缺口部35a、35b也可以作为上述的对位标记而起作用。并且，也可以是。将爪部33与形成有缺口部35a、35b的位置相对应地设置，并且将爪部33设置成沿着隔离构件35的周向具有锥形状的锥部。于是，也可以是，缺口部35a、35b通过一边与锥部卡合一边被爪部33保持，从而将隔离构件35对位成同一旋转角度。
如图5所示，设晶圆W的厚度为Wt，设各多板单元36整体的厚度为Pa，设多板单元36沿着上下方向保持的间隔、即上下相邻的爪部33之间的间隔为Pb。此时，背面彼此相对且上下相邻的两张晶圆W之间的间隔为Pa-2Wt，表面彼此相对且上下相邻的两张晶圆W之间的间隔为Pb-Pa。这样配置时，优选Pa-2Wt小于Pb-Pa。即、优选以背面彼此相对且上下相邻的两张晶圆W之间的间隔(Pa-2Wt)小于表面彼此相对且上下相邻的两张晶圆W之间的间隔(Pb-Pa)的方式沿着上下方向保持多个多板单元36。
在此，能够设多板单元36的厚度Pa为例如3.3mm、设多板单元36沿着上下方向保持的间隔(上下相邻的爪部33之间的间隔)Pb为例如21mm。这样一来，表面彼此相对且上下相邻的两张晶圆W之间的间隔(Pb-Pa)可以为21-3.3＝17.7mm。另一方面，以通常的方式将两张晶圆W等间隔地放入多板单元36的间隔Pb、即21mm地进行支承时，若晶圆W的厚度Wt为0.9mm、上下相邻的两张晶圆W之间的间隔为(21-0.9×2)/2＝9.6mm，小于17.7mm。因而，采用多板单元36而以背面彼此相对的方式支承晶圆W，从而能够增大一个晶圆W的表面Wa和另一晶圆W的表面Wa之间的间隙，能够向晶圆W的表面Wa供给足够量的原料气体。
图7是表示成膜容器40、供给机构44和排气机构47的构成的概略图，以剖面表示成膜容器40。
成膜容器40能够为收容例如多张被处理基板例如薄板圆板状的晶圆W而实施规定的处理例如CVD处理等的立式炉。成膜容器40具有反应管41和加热器(加热装置)42。
反应管41是例如石英制的，具有纵长的形状，在下端形成有开口43。加热器42以覆盖反应管41的周围的方式设置，能够将反应管41内加热控制成规定的温度例如100℃～1200℃。
供给机构44具有第1原料气体供给部45和第2原料气体供给部46。第1原料气体供给部45经由阀45b与喷射器45c相连接。第2原料气体供给部46经由阀46b与喷射器46c相连接。
第1原料气体供给部45具有用于使例如PMDA原料气化的第1气化器45a。第1气化器45a用于对由PMDA构成的第1原料进行加热而使第1原料气化、将由气化而得到的PMDA气体构成的第1原料气体与由氮气(N2气体)构成的第1载气一起向反应管41内供给。
第2原料气体供给部46具有用于使例如ODA原料气化的第2气化器46a。第2气化器46a用于对由ODA构成的第2原料进行加热而使第2原料气化、由气化而得到的ODA气体构成的第2原料气体与由氮气(N2气体)构成的第2载气一起向反应管41内供给。第2载气用于对由ODA气体构成的第2原料气体进行输送，并且用于使液体状态的ODA起泡。
排气机构47包括排气装置48和设在成膜容器40内的排气管49。排气机构47构成为自成膜容器40内排出气体。
在喷射器45c、46c的侧面设有开口部(未图示)，利用第1原料气体供给部45生成的PMDA气体和利用第2原料气体供给部46生成的ODA气体如图7中箭头所示那样向晶圆W供给。供给的PMDA气体和0DA气体在晶圆W上通过蒸镀聚合反应而形成聚酰亚胺膜。另外，未参与聚酰亚胺膜的成膜的PMDA气体和0DA气体等直接流过，自排气管49排出到成膜容器40外。另外，为了在晶圆W上均匀地形成聚酰亚胺膜，舟皿24被上述的旋转机构29驱动而旋转。
控制部50具有例如相互连接的运算处理部50a、存储部50b和显示部50c。运算处理部50a是具有例如中央运算处理装置(CPU)的计算机。存储部50b是存储有用于使运算处理部50a执行各种处理的程序的、例如由硬盘构成的计算机可读取的存储介质。显示部50c由例如计算机的画面构成。运算处理部50a读取被存储在存储部50b中的程序、按照该程序向构成舟皿24(基板保持部)、移载机构27、供给机构44、和排气机构47的各部发送控制信号、执行后述那样的基板输送方法和成膜处理。
接着，参照从图8到图11A～图11C对移载机构27进行说明。
图8是概略地表示移载机构27的一构成例的侧视图。图9A、图9B、图9C是分别示意性地表示上侧叉状件54自下方支承(夹持)晶圆W的状态的俯视图和横剖视图。图10A、图10B、图10C是分别示意性地表示上侧叉状件54自上方支承(夹持)晶圆W的状态的仰视图和横剖视图。图11A、图11B、图11C是分别示意性地表示上侧叉状件54自上方支承(夹持)隔离构件35的状态的仰视图和横剖视图。
另外，图9B、图10B、图11B的右半部分分别表示图9A、图10A、图11A的A-A剖视图，图9B、图10B、图11B的左半部分分别表示图9A、图10A、图11A的D-D剖视图。另外，图9C、图10C、图11C的右半部分分别表示图9A、图10A、图11A的B-B剖视图、图9C、图10C、图11C的左半部分分别表示图9A、图10A、图11A的C-C剖视图。
移载机构27构成为在收纳容器13、14与舟皿24a、24b之间进行晶圆W的移载，或者，与舟皿24a、24b之间进行隔离构件35的移载。移载机构27具有基座51、升降机构52、下侧叉状件53和上侧叉状件54。基座51设置为能够旋转。升降机构52设置为沿着例如设在上下方向上的轨道52a(参照图1)在上下方向上能够移动(能够升降)。下侧叉状件53设置为相对于基座51能够水平移动且能够升降。上侧叉状件54设置为相对于基座51能够水平移动且能够上下翻转。
另外，下侧叉状件53、上侧叉状件54分别相当于本发明的一技术方案中的第1叉状件、第2叉状件，在本发明的另一技术方案中，下侧叉状件53、上侧叉状件54分别相当于第2叉状件、第1叉状件。另外，下侧叉状件53和上侧叉状件54只要设置为任一个相对于另一个能够沿着上下方向移动即可。因而，也可以替代将下侧叉状件53设置为能够相对于基座51升降而将上侧叉状件54设置为能够相对于基座51升降。
下侧叉状件53设置为能够利用移动体55相对于用于搭载多板单元36的舟皿24a、24b进退，用于在其与舟皿24a、24b之间交接多板单元36。另一方面，上侧叉状件54设置为能够利用移动体56水平移动，并且设置为能够相对于用于收容晶圆W的收纳容器13进退，该上侧叉状件54用于在其与收纳容器13之间交接晶圆W。另外，上侧叉状件54设置为能够利用移动体56相对于用于收容晶圆W的收纳容器14进退，该上侧叉状件54用于在其与收纳容器14之间交接晶圆W。
如图9A所示，上侧叉状件54的顶端部58被分成二股状态。另外，虽省略图示，但下侧叉状件53的顶端部57也与上侧叉状件54同样地被分成二股状态。
上侧叉状件54具有第1夹持机构61、第2夹持机构62和支承部71。
第1夹持机构61具有两个第1爪部61a和两个第1按压部61b。两个第1爪部61a在上侧叉状件54的面54a上以一个臂部上固定一个的方式固定在被分成二股状态的顶端部58的各个臂部。两个第1按压部61b以能够相对于第1爪部61a进退的方式设在上侧叉状件54的基端部60侧且设置在面54a侧，两个第1按压部61b与晶圆W的周缘部接触并将晶圆W向第1爪部61a侧按压，从而在两个第1按压部61b与第1爪部61a之间夹持晶圆W。两个第1按压部61b也可以设为一体。
第2夹持机构62具有两个第2爪部62a和两个第2按压部62b。两个第2爪部62a在上侧叉状件54的面54a上以一个臂部上固定一个的方式固定在被分成二股状态的顶端部58的各个臂部。两个第2按压部62b以能够相对于第2爪部62a进退的方式设在上侧叉状件54的基端部60侧且设在面54a侧，两个第2按压部62b与隔离构件35的周缘部接触并将隔离构件35向第2爪部62a侧按压，从而在两个第2按压部62b与第2爪部62a之间夹持隔离构件35。两个第2按压部62b也可以设为一体。
即、第1夹持机构61设在上侧叉状件54的一面54a侧，设置为在使面54a朝向下方的状态下能够自晶圆W的上方夹持、支承晶圆W。另外，第2夹持机构62设在上侧叉状件54的与设有第1夹持机构61的面54a同一面侧，设置为在使面54a朝向下方的状态下能够自隔离构件35的上方夹持、支承隔离构件35。也就是说，从上侧叉状件54看来，第1夹持机构61和第2夹持机构62位于与下侧叉状件53相反的一侧。
另外，第1爪部61a、第1按压部61b能够在至少3部位与晶圆W的周缘部接触来夹持晶圆W即可，设置为第1爪部61a的个数和第1按压部61b的个数合计为3以上即可。另外，第2爪部62a、第2按压部62b能够在至少3部位与隔离构件35的周缘部接触来夹持隔离构件35即可，设置为第2爪部62a的个数和第2按压部62b的个数合计为3以上即可。
另外，第1夹持机构61具有驱动第1按压部61b而使第1按压部61b相对于第1爪部61a进退的第1进退驱动部63。另外，第2夹持机构62具有驱动第2按压部62b而使第2按压部62b相对于第2爪部62a进退的第2进退驱动部64。
另外，第1按压部61b和第2按压部62b也可以构成为一体。由此，能够将用于驱动第1按压部61b进退的第1进退驱动部63和用于驱动第2按压部62b进退的第2进退驱动部64设置为同一进退驱动部。在从图8到图11A～图11C中，表示第1按压部61b和第2按压部62b构成为一体、被同一(单一)进退驱动部63(64)驱动的例子。
另外，作为第1夹持机构61，能够自晶圆W的上方夹持晶圆W即可，也可以具有第1爪部61a和第1按压部61b以外的构件。另外，作为第2夹持机构62，能够自隔离构件35的上方夹持隔离构件35即可，也可以具有第2爪部62a和第2按压部62b以外的构件。
支承部71具有两个接触部71a。支承部71是在自晶圆W的下方夹持晶圆W时供晶圆W的周缘部载置的部分。
如图9A和图9B所示，自晶圆W的下方夹持晶圆W来支承晶圆W时，晶圆W通过被第1爪部61a和第1按压部61b夹持，从而在水平方向上被约束。另外，晶圆W的下表面与第1爪部61a的底部61e接触，并且与接触部71a接触，从而在上下方向上被支承。另一方面，如图9A和图9C所示，晶圆W与第2爪部62a和第2按压部62b中的任一个都不接触，不被第2爪部62a和第2按压部62b夹持。
如图10A和图10B所示，自晶圆W的上方夹持晶圆W来支承晶圆W时，晶圆W被第1爪部61a和第1按压部61b夹持，从而在水平方向上被约束。另外，晶圆W的下表面与第1爪部61a的凸缘部61c接触，并且与第1按压部61b的凸缘部61d接触，从而在上下方向上被支承。另一方面，如图10A和图10C所示，晶圆W与第2爪部62a和第2按压部62b中的任一个都不接触，不被第2爪部62a和第2按压部62b夹持。
如图11A和图11C所示，在自隔离构件35的上方夹持隔离构件35来支承隔离构件35时，隔离构件35被第2爪部62a和第2按压部62b夹持，从而在水平方向上被约束。另外，隔离构件35的下表面与第2爪部62a的凸缘部62c接触，并且与第2按压部62b的凸缘部62d接触，从而在上下方向上被支承。另一方面，如图11A和图11B所示，在隔离构件35上如图6所示那样设有缺口部35a、35b，因此隔离构件35与第1爪部61a和第1按压部61b中的任一个都不接触，不被第1爪部61a和第1按压部61b夹持。
另外，也可以是，隔离构件35与第2爪部62a的凸缘部62c接触的部分形成有自底面向上方被稍微切除而形成的缺口部35c。由此，在自舟皿24承接多板单元36后、使隔离构件35返回舟皿24时，易于从上方夹持载置在晶圆W1(图5)上的隔离构件35。
另外，第1夹持机构61和第2夹持机构62被设置成，支承在第1夹持机构61的晶圆W的中心位置C1与支承在第2夹持机构62的隔离构件35的中心位置C2处于沿着上侧叉状件54的进退方向不同的位置。由此，利用第2爪部62a和第2按压部62b夹持隔离构件35时，隔离构件35能够与第1爪部61a和第1按压部61b中的任一个都不干涉。
晶圆W的外径为例如300mm时，中心位置C1与C2之间的距离DC能够为例如2mm。
在此，参照图12A，12B，一边与比较例进行对比一边表示采用本实施方式的移载机构能够使收容在收纳容器的晶圆和隔离构件之间的间隔变小。
图12A，12B是对本实施方式的移载机构27的上侧叉状件54的顶端部58和比较例的移载机构的上侧叉状件154的顶端部158分别进行比较、表示的纵剖视图。
设各顶端部58、158的厚度为TF，设第1爪部61a的最大厚度为TW，设第2爪部62a的最大厚度为TS。另外，第2爪部62a的最大厚度TS大于第1爪部61a的最大厚度TW，即、TS＞TW。其原因在于，例如1.5mm的隔离构件35的厚度大于例如0.9mm的晶圆W的厚度。
如图12B所示，在比较例的移载机构中，第1爪部61a和第2爪部62a设在上侧叉状件154的彼此为相反侧的面154a、154b。因而，上侧叉状件154的顶端部158的厚度为TS+TF+TW。
另一方面，如图12A所示，在本实施方式的移载机构27中，第1爪部61a和2爪部62a设在上侧叉状件54的同一面54a。于是，根据TS＞TW，上侧叉状件54的顶端部58的厚度为TS+TF。即、能够将本实施方式的移载机构27的上侧叉状件54的厚度(TS+TF)设定得小于比较例的移载机构的上侧叉状件154的厚度(TS+TF+TW)。因而，能够缩小收纳容器13、14中的晶圆W之间的间隔。
另外，在收容晶圆W的收纳容器13中，沿着上下方向收容晶圆W的规定的间距被预先规定。在设规定的间距为PL 1、设晶圆W的厚度为Wt时，在图12B所示的比较例中，收纳容器13中的上侧叉状件154和上下两侧的晶圆W之间的间隙(clearance)CL0为(PL1-Wt-(TS+TF+TW))/2。另一方面，在图12A所示的本实施方式中，收纳容器13中的上侧叉状件54和上下两侧的晶圆W之间的间隙CL1为(PL1-Wt-(TS+TF))/2，比间隙CL0大。这样一来，能够使本实施方式的移载机构27的上侧叉状件54在收纳容器13内的间隙CL1大于比较例的移载机构的上侧叉状件154在收纳容器13内的间隙CL0。
例如，设PL1为10mm、设Wt为0.9mm，设比较例中的TS+TF+TW为7.2mm、设本实施方式中的TS+TF为5.3mm。这样一来，比较例中的CL0为0.95mm，本实施方式中的CL1为1.9mm，因此能够使CL1大于CL0。
接着，参照图13A～图13U和图14A、图14B说明移载机构27将多板单元36构成并进行输送的基板输送方法。
图13A～图13U是表示移载机构27将多板单元36构成并进行输送的步骤的侧视图。另外，图14A，14B是表示上侧叉状件54将晶圆W交接在下侧叉状件53上时的上侧叉状件54和第1按压部61b的动作的图。图14A表示上侧叉状件54将晶圆W交接到下侧叉状件53上之前的状态，图14B表示上侧叉状件54将晶圆W交接到下侧叉状件53上之后的状态。
首先，使上侧叉状件54前进到收纳容器13内，利用第1夹持机构61自晶圆W1的下方夹持、支承晶圆W1来承接晶圆W1，使上侧叉状件54后退并且使上侧叉状件54上下翻转，将晶圆W1载置在下侧叉状件53上(第1工序、图13A～13G)。
如图13A所示，以使面54a朝向上方的状态使上侧叉状件54前进到收容有晶圆W1的收纳容器13内。此时，使上侧叉状件54前进，以使晶圆W1位于第1爪部61a和第1按压部61b之间。接着，如图13B所示，使第1按压部61b前进，一边将晶圆W1向第1爪部61a侧按压一边从下方夹持晶圆W1来支承晶圆W1，从而承接晶圆W1。接着，如图13C所示，保持支承晶圆W1的状态使上侧叉状件54自收纳容器13内后退。接着，如图13D所示，保持支承晶圆W1的状态使上侧叉状件54上下翻转。接着，使下侧叉状件53上升而接近上侧叉状件54。接着，如图13E所示，使第1按压部61b后退，将晶圆W1载置在下侧叉状件53上。接着，如图13F所示，使下侧叉状件53下降到原来的位置。
如图14A所示，在上侧叉状件54将晶圆W1交接于下侧叉状件53之前，利用第1爪部61a和第1按压部61b夹持晶圆W1。并且，上侧叉状件54在将晶圆W1交接于下侧叉状件53时，如图14B所示，也可以是，在使第1按压部61b后退的同时，利用移动体56(图8)使上侧叉状件54稍微前进，并且利用升降机构52使移载机构27稍微上升。由此，能够在将晶圆W1交接于下侧叉状件53时使晶圆W1不被第1爪部61a和第1按压部61b的任一个卡挂。另外，在将隔离构件35和晶圆W2自上侧叉状件54向下侧叉状件53交接时，也能够采用同样的方式(参照图13L和图13R)。
另外，如上所述，也可以替代将下侧叉状件53设置为能够相对于基座51升降而将上侧叉状件54设置为能够相对于基座51升降。此时，也可以使上侧叉状件54下降来接近下侧叉状件53，使第1按压部61b后退而将晶圆W1载置于下侧叉状件53，之后，使上侧叉状件54上升到原来的位置。另外，将隔离构件35和晶圆W2自上侧叉状件54交接于下侧叉状件53时，也能够采用同样的方式(参照图13L和图13R)。
接着，使上侧叉状件54前进到舟皿24内，利用第2夹持机构62从隔离构件35的上方夹持、支承隔离构件35来承接隔离构件35，使上侧叉状件54后退，将隔离构件35载置在被载置于下侧叉状件53的晶圆W1上(第2工序、图13H～13M)。
如图13H所示，以使面54a朝向下方的状态使上侧叉状件54前进到将隔离构件35保持于爪部33的舟皿24内。此时，使上侧叉状件54前进，以使隔离构件35位于第2爪部62a和第2按压部62b之间。接着，如图13I所示，使第2按压部62b前进，一边将隔离构件35向第2爪部62a侧按压一边从上方夹持隔离构件35来支承隔离构件35，从而自爪部33承接隔离构件35。接着，如图13J所示，保持支承隔离构件35的状态使上侧叉状件54自舟皿24内后退。接着，如图13K所示，使下侧叉状件53上升而接近上侧叉状件54。接着，如图13L所示，使第2按压部62b后退，将隔离构件35载置在被载置于下侧叉状件53的晶圆W1上。接着，如图13M所示，使下侧叉状件53下降到原来的位置。
在第2工序中，在支承在第2夹持机构62的隔离构件35的中心位置C2(图11A)沿着上侧叉状件54的进退方向与支承在第1夹持机构61的晶圆W1的中心位置C1(图11A)处于不同的位置时，承接隔离构件35。由此，利用第2爪部62a和第2按压部62b夹持隔离构件35时，隔离构件35能够与第1爪部61a和第1按压部61b中的任一个都不干涉。
接着，使上侧叉状件54前进到收纳容器13内，利用第1夹持机构61从晶圆W2的上方夹持晶圆W2来支承晶圆W2，从而承接晶圆W2，使上侧叉状件54后退，将晶圆W2载置在被载置于下侧叉状件53的隔离构件35上(第3的工序、图13N～13S)。
如图13N所示，以面54a朝向下方的状态使上侧叉状件54前进到收容有晶圆W2的收纳容器13内。此时，使上侧叉状件54前进，以晶圆W2位于第1爪部61a和第1按压部61b之间。接着，如图13O所示，使第1按压部61b前进，一边将晶圆W2向第1爪部61a侧按压一边从上方夹持晶圆W2来支承晶圆W2，从而承接晶圆W2。接着，如图13P所示，保持支承晶圆W2的状态使上侧叉状件54自收纳容器13内后退。接着，如图13Q所示，使下侧叉状件53上升而接近上侧叉状件54。接着，如图13R所示，使第1按压部61b后退，将晶圆W2载置在被载置于下侧叉状件53的隔离构件35上。接着，如图13S所示，使下侧叉状件53下降到原来的位置。
接着，使下侧叉状件53前进到舟皿24内，将多板单元36交接于爪部33(第4的工序、图13T和13U)。
如图13T所示，使下侧叉状件53前进到舟皿24内，将由晶圆W1、隔离构件35和晶圆W2构成的多板单元36交接到在第2工序中将隔离构件35交接到上侧叉状件54的爪部33。接着，如图13U所示，使下侧叉状件53自舟皿24内后退。
另外，在本实施方式的基板输送方法中，也可以例如利用校正装置15在壳体18的内部将隔离构件35对位成同一旋转角度(对位工序)。由此，不需要如后所述那样在壳体18的外部进行将隔离构件35对位成同一旋转角度的工序。
接着，除了图1～图7之外还参照图15来对采用了本实施方式的成膜装置的成膜处理进行说明。图15是用于对包含采用了本实施方式的成膜装置的成膜处理在内的各工序的步骤进行说明的流程图。
开始成膜处理后，在步骤S11中，将多板单元36输入到成膜容器40(输入工序)。在图1～图4所示的成膜装置10的例子中，例如在加载区20中，能够利用移载机构27将多板单元36搭载于舟皿24a，利用舟皿输送机构25c将搭载有多板单元36的舟皿24a载置于盖体23。并且，利用升降机构26使载置有舟皿24a的盖体23上升而插入到成膜容器40内，从而输入多板单元36。能够通过采用图13A～图13U进行了说明的步骤进行(夹设有隔离构件35的)晶圆W的自收纳容器13、14向舟皿24a的移载。
接着，在步骤S12中，对成膜容器40的内部进行减压(减压工序)。通过对排气装置48的排气能力或者设在排气装置48和排气管49之间的未图示的流量调整阀进行调整，从而使经由排气管49对成膜容器40进行排气的排气量增大。于是，使成膜容器40的内压减压到规定压力例如自大气压(760Torr)减压至例如0.3Torr。
接着，在步骤S13中，形成聚酰亚胺膜(成膜工序)。
预先或者在步骤S13中、利用控制部50对流向喷射器45c的第1原料气体(PMDA气体)的第1流量F1和流向喷射器46c的第2原料气体(ODA气体)的第2流量F2进行设定。于是，在利用旋转机构29使晶圆W旋转的状态下，以设定的第1流量F1自第1原料气体供给部45使PMDA气体流向喷射器45c，以设定的第2流量F2自第2原料气体供给部46使ODA气体流向喷射器46c。由此，在使PMDA气体和ODA气体以规定的混合比混合的状态下向成膜容器40内供给PMDA气体和ODA气体。并且，在晶圆W的表面上使PMDA和ODA聚合反应，形成聚酰亚胺膜。具体而言，例如能够使第1流量F1为900sccm、使第2流量F2为900sccm。
此时的PMDA和ODA的聚合反应按照下式(1)进行。
【式1】
Figure BSA00000682810800231
在本实施方式中，能够以背面彼此相对且上下相邻的两张晶圆W之间的间隔小于表面彼此相对且上下相邻的两张晶圆W之间的间隔的方式沿着上下方向保持多个晶圆W。由此，在使舟皿24的晶圆搭载张数相等的状态下，能够增加表面彼此相对且上下相邻的两张晶圆W之间的间隔。结果，能够增大一个晶圆W的表面与另一个晶圆W的表面之间的间隙，能够向晶圆W的表面供给足够量的原料气体。
接着，在步骤S14中，使来自第1原料气体供给部45的PMDA气体的供给和来自第2原料气体供给部46的ODA气体的供给停止，将成膜容器40的内部的压力恢复成大气压(压力恢复工序)。通过调整排气装置48的排气能力或者调整设在排气装置48与排气管49之间的未图示的流量调整阀，使用于对成膜容器40排气的排气量减少，将成膜容器40的内压自例如0.3Torr恢复成例如大气压(760Torr)。
接着，在步骤S15中，自成膜容器40输出多板单元36(输出工序)。在图1～图4所示的成膜装置10的例子中，例如，能够利用升降机构26使载置有舟皿24a的盖体23下降而自成膜容器40内输出到加载区20。然后，利用移载机构27、自载置在已输出的盖体23的舟皿24a向收纳容器13移载晶圆W，从而能够将多板单元36自成膜容器40输出。能够利用与采用图13A～图13U进行了说明的晶圆W的自收纳容器13向舟皿24a的移载相反的步骤进行晶圆W的自舟皿24a向收纳容器13的移载。此时，隔离构件35返回到舟皿24a内，被保持于舟皿24a的爪部33。之后，成膜处理结束。
另外，对多个批次连续地进行成膜处理时，在加载区20中，还利用移载机构27自收纳容器13将晶圆W向舟皿24移载、再次返回到步骤S11，进行下一批的成膜处理。
在本实施方式中，舟皿24在未保持多板单元36时，替代保持多板单元36而保持隔离构件35。
不进行成膜处理时，隔离构件35收容在被设在壳体18的外部的收纳容器(以下称为“隔离构件用收纳容器”)14，晶圆W收容在收纳容器(以下称为“晶圆用收纳容器”)13。此时，将晶圆用收纳容器13与壳体18连通的门机构21中的一个处于与隔离构件用收容容器14相连接的状态，与晶圆用收纳容器13连接的门机构21的数量减少。因此，产生用于对晶圆用收纳容器13进行切换的等待时间，输送时间变长。
例如，利用一个门机构21使最初的晶圆用收纳容器13与壳体18相连通，自最初的晶圆用收纳容器13移载晶圆W之后，利用门机构21使最初的晶圆用收纳容器13与壳体18隔断。并且，将最初的晶圆用收纳容器13更换成下一个晶圆用收纳容器13，利用该一个门机构21使下一个晶圆用收纳容器13与壳体18连通，自下一个晶圆用收纳容器13移载晶圆W。此时，自最初的晶圆用收纳容器13和壳体18的内部隔断起直到使下一个晶圆用收纳容器13与壳体18的内部连通、成为能够输送的状态为止，产生等待时间，因此输送时间变长。
特别是，多板单元36由两张晶圆W和1张隔离构件35构成时，输送的晶圆W的张数成为所输送的隔离构件35的张数的、例如2倍。因而，将隔离构件35收容在隔离构件用收纳容器14时，对晶圆用收纳容器13进行切换而利用同一门机构21进行连通的等待时间的比例增加。
另外，晶圆W不是成膜处理用的晶圆而是监视器用的晶圆、测试用的晶圆的情况下，也完全相同，输送时间变长。
另一方面，在本实施方式中，在设在壳体18的内部的舟皿24收容隔离构件35。因此，不会使与晶圆用收纳容器13连接的门机构21的数量减少。因而，利用该一个门机构21将最初的晶圆用收纳容器13和壳体18的内部的连通隔断之前，能够利用另一门机构21将下一晶圆用收纳容器13与壳体18连通，能够缩短输送时间。
另外，在隔离构件35收容在隔离构件用收纳容器14的情况下，除了晶圆用收纳容器13之外，在成膜装置10上还必须设置隔离构件用收纳容器14，零部件个数增多。另外，在成膜装置10的载置台12以外的部分还必须设置用于收容隔离构件用收纳容器14的储料器(Stocker)，成膜装置10的设置面积或者装置整体的尺寸增大。
另一方面，在本实施方式中，在设在壳体18的内部的舟皿24中收容隔离构件35。因此，不需要在成膜装置10设置隔离构件用收纳容器14，能够减少零部件个数，并且能够降低成膜装置的设置面积或者装置整体的尺寸。
另外，在将隔离构件35保持在舟皿24的状态下，在成膜容器40内进行热处理之后，有时进行清洁。在此，隔离构件35收容在隔离构件用收纳容器14时，每次进行清洁都需要使隔离构件35自隔离构件用收纳容器14向舟皿24输送的工序，清洁时间变长。
另一方面，在本实施方式中，在设在壳体18的内部的舟皿24收容隔离构件35。因此，不需要每次进行清洁都进行使隔离构件35自隔离构件用收纳容器14向舟皿24输送的工序，能够缩短清洁时间。
并且，进行多次成膜处理，连续多次使用隔离构件35的情况下，有时由于热膨胀的影响和/或由移载机构27导致的旋转角度的位置偏离累加而超过允许范围，无法输送。此时，需要使隔离构件35返回到隔离构件用收纳容器14、在壳体18的外部进行对位成同一旋转角度的工序。
另一方面，在本实施方式中，如上所述，利用对位机构，能够在壳体18的内部将隔离构件35对位成同一旋转角度。由此，不需要在壳体18的外部进行将隔离构件35对位成同一旋转角度的工序。
追加的优点和变形例对本领域技术人员来说是容易想到的。因而，更大范围的本发明不限定于在此所示的、所述的具体实施方式、具体的详细内容。因而，在不脱离所附的权利要求书及其均等物所规定的一般的发明概念的范围或者精神的情况下，能够进行各种变更。
另外，在上述实施方式中，对移载机构27是将多板单元36移载在成膜装置10的舟皿24上的机构的情况进行了说明。但是，移载机构27是将多板单元36向基板保持部输送的机构即可，其中该基板保持部能够沿着上下方向以规定的保持间隔保持多个多板单元36、并且在未保持多板单元36时保持隔离构件35。因而，移载机构27也可以是用于将多板单元36向成膜装置10的舟皿24以外的各种基板处理装置的基板保持部移载的机构。
相关申请的参照
本申请基于2011年3月8日提出申请的日本专利申请第2011-050747号来主张优先权，并通过参照其全部内容而编入本说明书中。

Claims (16)

1.一种基板输送方法，其用于对层叠体进行输送，该层叠体由背面彼此相对的第1基板和第2基板隔着隔离构件层叠而成，该基板输送方法包括下述工序：
利用设在第1叉状件的一侧的第1夹持机构，自收容在收容部的上述第1基板的背面的下方夹持上述第1基板来承接上述第1基板，使上述第1叉状件上下翻转而将承接的上述第1基板载置于第2叉状件，其中，上述第1叉状件设在上述第2叉状件的上方；
利用与上述第1夹持机构设在上述第1叉状件的同一侧的第2夹持机构自保持在基板保持部的隔离构件的上方夹持该隔离构件来承接该隔离构件，将承接的上述隔离构件载置在已载置于上述第2叉状件的上述第1基板上；
利用上述第1夹持机构自收容在上述收容部的第2基板的表面的上方夹持该第2基板来承接第2基板，将承接的上述第2基板载置在已载置于上述第2叉状件的上述隔离构件上。
2.根据权利要求1所述的基板输送方法，其中，
在夹持上述第1基板的工序中，利用上述第1夹持机构的第1按压部，将上述第1基板向上述第1夹持机构的第1爪部侧按压，从而在上述第1爪部和上述第1按压部之间夹持上述第1基板，该第1爪部被固定于上述第1叉状件的顶端部，该第1按压部以能够相对于该第1爪部进退的方式设在上述第1叉状件的基端部侧，
在夹持上述隔离构件的工序中，利用上述第2夹持机构的第2按压部将上述隔离构件向上述第2夹持机构的第2爪部侧按压，从而在上述第2爪部和上述第2按压部之间夹持上述隔离构件，该第2爪部被固定于上述第1叉状件的上述顶端部，该第2按压部以能够相对于该第2爪部进退的方式设在上述第1叉状件的上述基端部侧，
在夹持上述第2基板的工序中，利用上述第1按压部将上述第2基板向上述第1爪部侧按压，从而在上述第1爪部和上述第1按压部之间夹持上述第2基板。
3.根据权利要求1所述的基板输送方法，其中，
在夹持上述隔离构件的工序中，以支承在上述第2夹持机构的上述隔离构件的中心位置成为与在夹持上述第1基板的工序中支承在上述第1夹持机构的上述第1基板的中心位置和在夹持上述第2基板的工序中支承在上述第1夹持机构的上述第2基板的中心位置不同的位置的方式，自上述隔离构件的上方夹持上述隔离构件。
4.根据权利要求1所述的基板输送方法，其中，
该基板输送方法还包括：在壳体的内部将各上述隔离构件对位成同一旋转角度的工序，
上述收容部设在壳体的外部，该壳体的内部设有上述基板保持部。
5.根据权利要求1所述的基板输送方法，其中，
上述隔离构件具有环形状。
6.根据权利要求1所述的基板输送方法，其中，
上述基板保持部以上述第1基板和第2基板中的、背面彼此相对且上下相邻的两张基板之间的间隔小于表面彼此相对且上下相邻的两张基板之间的间隔的方式保持多个上述层叠体。
7.根据权利要求1所述的基板输送方法，其中，
在将上述第1基板载置于第2叉状件的工序、将上述隔离构件载置于第2叉状件上的第1基板上的工序和将上述第2基板载置于上述第2叉状件上的隔离构件的工序中的至少一个工序中，使上述第1叉状件和上述第2叉状件中的任一者沿着上下方向移动而接近另一者。
8.根据权利要求1所述的基板输送方法，其中，
该基板输送方法还具有利用升降机构使上述第1叉状件和上述第2叉状件一体地上下移动的工序。
9.一种基板输送装置，其包括：
第1叉状件，其以能够相对于基板保持部进退的方式设置，用于在该第1叉状件与上述基板保持部之间进行层叠体的交接，该层叠体由背面彼此相对的两张基板隔着隔离构件层叠而成；
第2叉状件，其以相对于用于收容上述基板的收容部和相对于上述基板保持部都能够进退且能够上下翻转的方式设在上述第1叉状件的上方，该第2叉状件用于在上述收容部和上述第1叉状件之间按顺序交接上述基板，并且在上述基板保持部和上述第1叉状件之间交接上述隔离构件；
第1夹持机构，其设在上述第2叉状件的一侧，用于自上述基板的上方或者下方一张一张地夹持上述基板；
第2夹持机构，其与上述第1夹持机构设在上述第2叉状件的同一侧，该第2夹持机构用于自上述隔离构件的上方夹持上述隔离构件。
10.根据权利要求9所述的基板输送装置，其中，
上述第1夹持机构包括：
第1爪部，其被固定于上述第2叉状件的顶端部；
第1按压部，其以能够相对于上述第1爪部进退的方式设在上述第2叉状件的基端部侧，通过该第1按压部将上述基板向上述第1爪部侧按压而在该第1按压部与上述第1爪部之间夹持上述基板，
上述第2夹持机构包括：
第2爪部，其被固定于上述第2叉状件的上述顶端部；
第2按压部，其以能够相对于上述第2爪部进退的方式设在上述第2叉状件的上述基端部侧，通过该第2按压部将上述隔离构件向上述第2爪部侧按压而在该第2按压部与上述第2爪部之间夹持上述隔离构件。
11.根据权利要求9所述的基板输送装置，其中，
上述第2夹持机构以支承在上述第2夹持机构的上述隔离构件的中心位置被配置在与支承在上述第1夹持机构的上述基板的中心位置不同的位置的方式自隔离构件的上方夹持隔离构件。
12.根据权利要求9所述的基板输送装置，其中，
该基板输送装置还具有对位机构，该对位机构用于在壳体的内部使各上述隔离构件对位成同一旋转角度，
上述收容部设在壳体的外部，该壳体的内部设有上述基板保持部。
13.根据权利要求9所述的基板输送装置，其中，
上述隔离构件具有环形状。
14.根据权利要求9所述的基板输送装置，其中，
上述基板保持部以上述基板中的、背面彼此相对且上下相邻的两张基板之间的间隔小于表面彼此相对且上下相邻的两张基板之间的间隔的方式保持多个上述层叠体。
15.根据权利要求9所述的基板输送装置，其中，
上述第1叉状件和上述第2叉状件被设置成任一者能够相对于另一者沿着上下方向移动。
16.根据权利要求9所述的基板输送装置，其中，
该基板输送装置还具有升降机构，该升降机构用于使上述第1叉状件和上述第2叉状件一体地上下移动。
CN201210063579.7A 2011-03-08 2012-03-08 基板输送方法及基板输送装置 Active CN102683252B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-050747 2011-03-08
JP2011050747A JP5709592B2 (ja) 2011-03-08 2011-03-08 基板搬送方法、その基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102683252A true CN102683252A (zh) 2012-09-19
CN102683252B CN102683252B (zh) 2015-08-19

Family

ID=46795735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210063579.7A Active CN102683252B (zh) 2011-03-08 2012-03-08 基板输送方法及基板输送装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9368384B2 (zh)
JP (1) JP5709592B2 (zh)
KR (1) KR101520995B1 (zh)
CN (1) CN102683252B (zh)
TW (1) TWI557827B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103207529A (zh) * 2013-03-22 2013-07-17 京东方科技集团股份有限公司 曝光方法及曝光设备
CN106625585A (zh) * 2016-11-29 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶玻璃基板搬运机器人
CN107275270A (zh) * 2016-03-31 2017-10-20 芝浦机械电子株式会社 基板输送装置、基板处理装置以及基板处理方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5797176B2 (ja) 2012-09-14 2015-10-21 東京エレクトロン株式会社 スペーサ、スペーサの搬送方法、処理方法、及び、処理装置
JP5935676B2 (ja) * 2012-12-07 2016-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板装置の運用方法及び記憶媒体
JP6054213B2 (ja) 2013-03-11 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 支持部材及び半導体製造装置
JP6862163B2 (ja) * 2016-12-09 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242237A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Nec Yamagata Ltd ウエハ移載装置および移載方法
JP2004172374A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 保持治具、半導体ウェーハの製造装置、半導体基板及び保持治具の搭載方法
CN101399173A (zh) * 2007-09-26 2009-04-01 东京毅力科创株式会社 热处理方法以及热处理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274232A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4467208B2 (ja) 2001-06-01 2010-05-26 芝浦メカトロニクス株式会社 ロボット装置及び処理装置
JP2003100727A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd シートフィルム保持機構、カセット、搬送機構、薄膜形成装置ならびにシートフィルム搬送方法
JP2005175413A (ja) * 2003-11-18 2005-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd 搬送システム及び搬送方法
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2008124091A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の処理装置および処理方法
JP4726776B2 (ja) 2006-12-27 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 反転装置およびそれを備えた基板処理装置
JP4971089B2 (ja) * 2007-09-26 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP4821756B2 (ja) 2007-10-19 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の移載機構、被処理体の移載方法及び被処理体の処理システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242237A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Nec Yamagata Ltd ウエハ移載装置および移載方法
JP2004172374A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 保持治具、半導体ウェーハの製造装置、半導体基板及び保持治具の搭載方法
CN101399173A (zh) * 2007-09-26 2009-04-01 东京毅力科创株式会社 热处理方法以及热处理装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103207529A (zh) * 2013-03-22 2013-07-17 京东方科技集团股份有限公司 曝光方法及曝光设备
CN103207529B (zh) * 2013-03-22 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光方法及曝光设备
US9568843B2 (en) 2013-03-22 2017-02-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Exposure method and exposure device
CN107275270A (zh) * 2016-03-31 2017-10-20 芝浦机械电子株式会社 基板输送装置、基板处理装置以及基板处理方法
CN107275270B (zh) * 2016-03-31 2021-03-09 芝浦机械电子株式会社 基板输送装置、基板处理装置以及基板处理方法
CN106625585A (zh) * 2016-11-29 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶玻璃基板搬运机器人

Also Published As

Publication number Publication date
US9368384B2 (en) 2016-06-14
US20120230805A1 (en) 2012-09-13
JP2012190850A (ja) 2012-10-04
TW201306149A (zh) 2013-02-01
KR101520995B1 (ko) 2015-05-15
TWI557827B (zh) 2016-11-11
JP5709592B2 (ja) 2015-04-30
CN102683252B (zh) 2015-08-19
KR20120102533A (ko) 2012-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102683252A (zh) 基板输送方法及基板输送装置
US9617640B2 (en) Apparatus and methods for injector to substrate gap control
TWI729101B (zh) 用於旋轉料架基座中的晶圓旋轉的設備及方法
US9368380B2 (en) Substrate processing device with connection space
US20150144060A1 (en) Cluster-batch type system for processing substrate
US8940096B2 (en) Vertical thermal processing apparatus and substrate supporter
JP2002541657A (ja) 垂直にスタックされた処理チャンバーおよび単一軸二重ウエハー搬送システムを備えた半導体ウエハー処理システム
CN108475635B (zh) 晶片支承机构、化学气相沉积装置和外延晶片的制造方法
TW201241233A (en) Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
KR102649605B1 (ko) 프로세싱 챔버를 위한 고온 가열기
JP5024179B2 (ja) 真空装置の動作方法
JP5243569B2 (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2012134388A (ja) 成膜装置
JP2009081259A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
US6736636B2 (en) Thermal processor with gas supply
KR20030096732A (ko) 반도체소자 제조용 화학기상증착장치의 쿨링 스테이지
TW201222622A (en) Apparatus for processing a substrate
KR101671851B1 (ko) 히터블록 및 이를 구비하는 기판처리장치
JP5358651B2 (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP5557942B2 (ja) 基板搬送装置
KR20160049477A (ko) 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법
JPH0727870B2 (ja) 減圧気相成長方法
JP2008078505A (ja) 基板処理装置
WO2010013333A1 (ja) 真空装置及び真空処理方法
JPH03179730A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant