KR20120085819A - 도전 접속 재료 및 그것을 사용한 단자 사이의 접속 방법 - Google Patents

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KR20120085819A
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    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
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    • H—ELECTRICITY
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    • H05K2203/1189—Pressing leads, bumps or a die through an insulating layer
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

본 발명은, 수지 조성물과 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박으로 구성되는 적층 구조를 갖는 도전 접속 재료로서, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40 또는 20 ? 500 인 것을 특징으로 하는 도전 접속 재료 및 그 도전 접속 재료를 사용한 단자 사이의 접속 방법을 제공한다. 본 발명의 도전 접속 재료는, 전기, 전자 부품 등에 있어서 전자 부재의 접속 단자 사이를 전기적으로 접속시키기 위해 바람직하게 사용된다.

Description

도전 접속 재료 및 그것을 사용한 단자 사이의 접속 방법{CONDUCTIVE CONNECTION MATERIAL AND TERMINAL-TO-TERMINAL CONNECTION METHOD USING SAME}
본 발명은, 전기, 전자 부품에 있어서 전자 부재를 전기적으로 접속시키기 위해 사용되는 도전 접속 재료 및 그 도전 접속 재료를 사용한 단자 사이의 접속 방법에 관한 것이다.
최근 전자 기기의 고기능화 및 소형화의 요구에 따라, 전자 재료에 있어서의 접속 단자 사이의 협피치화가 점점 진행되는 방향에 있다. 이것에 따라, 미세한 배선 회로에 있어서의 단자 사이 접속도 고도화되고 있다. 단자 사이의 접속 방법으로는, 예를 들어, IC 칩을 회로 기판에 전기적으로 접속시킬 때에 이방성 도전 접착제 또는 이방성 도전 필름을 사용하여 다수의 단자 사이를 일괄적으로 접속시키는 플립 칩 접속 기술이 알려져 있다. 이방성 도전 접착제 또는 이방성 도전 필름은, 열경화성 수지를 주성분으로 하는 접착제에 도전성 입자를 분산시킨 필름 또는 페이스트이다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 소61-276873호 (특허문헌 1) 및 일본 공개특허공보 2004-260131호 (특허문헌 2) 참조). 이것을 접속시켜야 할 전자 부재의 사이에 배치하고 열 압착함으로써, 대향하는 다수의 단자 사이를 일괄적으로 접속시킬 수 있고, 접착제 중의 수지에 의해 인접하는 단자 사이의 절연성을 확보하는 것을 가능하게 한다.
그러나, 도전성 입자의 응집을 제어하는 것은 매우 어렵고, (1) 도전성 입자와 단자, 혹은 도전성 입자끼리가 충분히 접촉하지 않고 대향하는 단자 사이의 일부가 도통하지 않는 경우나, (2) 대향하는 단자 사이 (도통성 영역) 이외의 수지 중 (절연성 영역) 에 도전성 입자가 잔존하여 리크 전류가 발생하고, 인접 단자 사이의 절연성을 충분히 확보할 수 없는 경우가 있었다. 이 때문에, 종래의 이방성 도전 접착제나 이방성 도전 필름에서는, 단자 사이의 추가적인 협피치화에 대응하기 곤란한 상황이다.
일본 공개특허공보 소61-276873호 일본 공개특허공보 2004-260131호
이와 같은 상황하에서, 접속 단자 사이에 있어서 양호한 전기적 접속과 인접 단자 사이에 있어서 높은 절연 신뢰성을 얻을 수 있게 하는 도전 접속 재료 및 단자 사이의 접속 방법의 제공이 요구되고 있다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명자는 예의 검토한 결과, 도전성 입자 대신에 땜납박 또는 주석박을 사용함으로써, 땜납 또는 주석의 단자 사이로의 응집이 용이해져, 수지 중에 땜납 또는 주석이 잔존하는 것을 억제할 수 있는 것을 알아냈다.
또한, 본 발명자는, 접착면 전체에 단자가 배치된 풀 그리드형의 전자 부재끼리를 접착시키는 경우와, 접착면의 주변에만 단자가 배치된 퍼리퍼럴형의 전자 부재끼리를 접착시키는 경우에서는, 단자 사이의 전기적 접속에 필요한 금속박의 양 및 도전성 영역의 주위를 둘러싸 인접 단자 사이의 절연성을 확보하기 위해 필요한 수지 조성물의 양이 상이한 것에 주목하였다. 본원 발명자들은 예의 검토한 결과, 피착체의 접착면에 있어서 단자가 차지하는 면적의 비율 (면적 점유율) 에 따라 수지 조성물과 금속박의 체적비를 적절한 범위로 설정함으로써, 단자 사이의 전기적 접속 및 절연 신뢰성이 더욱 양호한 것이 되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 이하에 나타낸 도전 접속 재료, 그 도전 접속 재료를 사용한 단자 사이의 접속 방법 및 그 도전 접속 재료를 사용하여 전기적으로 접속되어 이루어지는 전기, 전자 부품 등을 제공하는 것이다.
[1] 수지 조성물 (A) 와, 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 로 구성되는 적층 구조를 갖는 도전 접속 재료로서, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40 인 것을 특징으로 하는 도전 접속 재료.
[2] 대향하는 단자 사이를 전기적으로 접속시키기 위한 도전 접속 재료로서, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 3 ％ 이상 50 ％ 이하인 경우에 사용되는 것인 [1] 에 기재된 도전 접속 재료.
[3] 수지 조성물 (A) 와, 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 로 구성되는 적층 구조를 갖는 도전 접속 재료로서, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 20 ? 500 인 것을 특징으로 하는 도전 접속 재료.
[4] 대향하는 단자 사이를 전기적으로 접속시키기 위한 도전 접속 재료로서, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 0.1 ％ 이상 3 ％ 미만인 경우에 사용되는 것인 [3] 에 기재된 도전 접속 재료.
[5] 상기 수지 조성물 (A) 가, 중량 평균 분자량 8,000 ? 1,000,000 의 고분자 성분을 함유하는 [1] ? [4] 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료.
[6] 상기 고분자 성분이, 페녹시 수지, (메트)아크릴계 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 [5] 에 기재된 도전 접속 재료.
[7] 상기 고분자 성분의 배합량이, 상기 수지 조성물 (A) 의 전체 중량에 대하여, 5 ? 50 중량％ 인 [5] 또는 [6] 에 기재된 도전 접속 재료.
[8] 상기 수지 조성물 (A) 가, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물을 함유하는 [1] ? [7] 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료.
[9] 상기 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물이, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 포함하는 [8] 에 기재된 도전 접속 재료.
Figure pct00001
[식 중, n 은 1 ? 20 의 정수이다]
[10] 상기 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물이, 하기 일반식 (2) 및/또는 (3) 으로 나타내는 화합물을 포함하는 [8] 또는 [9] 에 기재된 도전 접속 재료.
[화학식 1]
Figure pct00002
[식 중, R1 ? R5 는, 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이고, 단, R1 ? R5 중 적어도 하나는 수산기이다]
[화학식 2]
Figure pct00003
[식 중, R6 ? R20 은, 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이고, 단, R6 ? R20 중 적어도 하나는 수산기 또는 카르복실기이다]
[11] 상기 금속박의 융점이 100 ℃ ? 330 ℃ 인 [1] ? [10] 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료.
[12] 수지 조성물층/금속박층/수지 조성물층으로 이루어지는 적층 구조를 포함하는 [1] ? [11] 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료.
[13] 수지 조성물층/금속박층으로 이루어지는 적층 구조를 포함하는 [1] ? [11] 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료.
[14] [1] ? [13] 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료를, 대향하는 단자 사이에 배치하는 배치 공정과, 상기 금속박의 융점 이상이고 또한 상기 수지 조성물의 경화가 완료되지 않는 온도에서 상기 도전 접속 재료를 가열하는 가열 공정과, 상기 수지 조성물을 경화시키는 경화 공정을 포함하는 단자 사이의 접속 방법.
상기 접속 방법에 있어서, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 3 ％ 이상 50 ％ 이하인 경우, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40 인 도전 접속 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
또, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 0.1 ％ 이상 3 ％ 미만인 경우, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 20 ? 500 인 도전 접속 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
[15] [1] ? [13] 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료를, 대향하는 단자 사이에 배치하는 배치 공정과, 상기 금속박의 융점 이상이고 또한 상기 수지 조성물이 연화되는 온도에서 상기 도전 접속 재료를 가열하는 가열 공정과, 상기 수지 조성물을 고화시키는 고화 공정을 포함하는 단자 사이의 접속 방법.
상기 접속 방법에 있어서, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 3 ％ 이상 50 ％ 이하인 경우, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40 인 도전 접속 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
또, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 0.1 ％ 이상 3 ％ 미만인 경우, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 20 ? 500 인 도전 접속 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
[16] 전자 부재 사이가, [1] ? [13] 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료를 사용하여 전기적으로 접속되어 이루어지는 전기, 전자 부품.
본 발명의 도전 접속 재료를 사용함으로써, 대향하는 단자 사이에 땜납 또는 주석을 응집시키기 용이해져, 양호한 전기적 접속을 얻을 수 있다. 또, 금속박을 사용하기 때문에, 절연성 영역에 도전성 입자가 잔존하는 것을 억제할 수 있어, 높은 절연 신뢰성을 얻을 수 있다. 본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 반도체 장치 등의 미세한 배선 회로에 있어서의 다수의 단자 사이를 일괄적으로 접속시킬 수도 있다. 또, 본 발명의 도전 접속 재료를 사용함으로써, 전자 부재의 전극 상에 간편한 방법으로 접속 단자를 제조할 수 있다.
도 1 은 본 발명에 사용하는 금속박층의 형상의 일례를 나타내는 평면 모식도이다.
도 2 는 본 발명의 단자 사이의 접속 방법에 있어서, 단자 사이에 도전 접속 재료를 배치한 후의 기판 및 도전 접속 재료의 상태의 일례를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 단자 사이의 접속 방법에 있어서, 단자 사이에 배치한 도전 접속 재료를 가열, 경화/고화시킨 후의 기판, 도전성 영역 및 절연성 영역의 상태의 일례를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 단자 사이의 접속 방법에 있어서, 단자 사이에 도전 접속 재료를 배치한 후의 기판 및 도전 접속 재료의 상태의 일례를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 도전 접속 재료, 그 도전 접속 재료를 사용한 단자 사이의 접속 방법 및 그 도전 접속 재료를 사용하여 전기적으로 접속되어 이루어지는 전기, 전자 부품 등에 대해 각각 구체적으로 설명한다.
1. 도전 접속 재료
본 발명의 도전 접속 재료는, 수지 조성물과 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박으로 구성된다. 그 형태는, 수지 조성물층과 금속박층으로 이루어지는 다층 구조를 갖는 적층체이고, 수지 조성물층 및 금속박층은 각각 1 층이어도 되고 복수 층이어도 된다. 도전 접속 재료의 적층 구조는 특별히 제한되지 않으며, 수지 조성물층과 금속박층의 2 층 구조 (수지 조성물층/금속박층) 여도 되고, 수지 조성물층 혹은 금속박층 중 어느 것 또는 양방을 복수 포함하는 3 층 구조 또는 그 이상의 다층 구조여도 된다. 또한, 수지 조성물층 또는 금속박층을 복수 사용하는 경우, 각 층의 조성은 동일해도 되고 상이해도 된다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 금속박의 표면 산화막을, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물로 환원시키는 관점에서, 금속박층의 상하층은 수지 조성물층인 것이 바람직하다. 예를 들어, 3 층 구조 (수지 조성물층/금속박층/수지 조성물층) 가 바람직하다. 이 경우, 금속박층의 양측에 있는 수지 조성물층의 두께는, 동일해도 되고 상이해도 된다. 수지 조성물층의 두께는, 접속시키고자 하는 단자의 도체 두께 등에 따라 적절히 조정하면 된다. 예를 들어, 금속박층의 양측에 있는 수지 조성물층의 두께가 상이한 도전 접속 재료를 사용하여 접속 단자를 제조하는 경우, 두께가 얇은 쪽을 접속 단자측 (전극측) 에 배치하는 것이 바람직하다. 금속박과 접속 단자의 거리를 짧게 함으로써, 접속 단자 부분으로의 땜납 또는 주석 성분의 응집을 제어하기 쉬워진다.
본 발명의 제 1 실시양태에서는, 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 는 1 ? 40 이다. 이 체적비 ((A)/(B)) 는 2 ? 30 이 바람직하고, 3 ? 25 가 보다 바람직하고, 4 ? 20 이 더욱 바람직하다. 본 발명의 도전 접속 재료는, 바람직하게는 대향하는 단자 사이를 전기적으로 접속시키기 위해 사용된다. 특히 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40 인 도전 접속 재료는, 단자를 포함하는 피착체의 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 3 ％ 이상 50 ％ 이하인 경우에 바람직하게 사용된다. 바람직하게는, 상기 단자의 면적 점유율이 4 ％ 이상 40 ％ 이하, 보다 바람직하게는 5 ％ 이상 35 ％ 이하인 경우에 바람직하게 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 제 1 실시양태의 도전 접속 재료는, 접착면 전체에 단자가 배치된 풀 그리드형의 피착체끼리의 대향 단자 사이를 전기적으로 접속시키는 경우에 바람직하게 사용된다.
본 발명의 제 2 실시양태에서는, 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 는 20 ? 500 이다. 이 체적비 ((A)/(B)) 는 25 ? 400 이 바람직하고, 30 ? 300 이 보다 바람직하고, 35 ? 200 이 더욱 바람직하다. 본 발명의 도전 접속 재료는, 바람직하게는 대향하는 단자 사이를 전기적으로 접속시키기 위해 사용된다. 특히 체적비 ((A)/(B)) 가 20 ? 500 인 도전 접속 재료는, 단자를 포함하는 피착체의 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 0.1 ％ 이상 3 ％ 미만인 경우에 바람직하게 사용된다. 바람직하게는 상기 단자의 면적 점유율이 0.2 ％ 이상 2.8 ％ 이하, 보다 바람직하게는 0.3 ％ 이상 2.5 ％ 이하인 경우에 바람직하게 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 제 2 실시양태의 도전 접속 재료는, 접착면의 주변에만 단자가 배치된 퍼리퍼럴형의 피착체끼리의 대향 단자 사이를 전기적으로 접속시키는 경우에 바람직하게 사용된다.
상기와 같이 피착체의 접착 면적에 대한 단자의 면적 점유율에 따라 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비를 변경함으로써, 접속 단자 사이에 있어서 양호한 전기적 접속과 인접 단자 사이에 있어서 높은 절연 신뢰성을 얻을 수 있다. 피착체의 접착 면적에 대한 단자의 면적 점유율에 대하여 금속박의 함유량이 지나치게 적으면 땜납 또는 주석 부족에 의해 미접속의 단자가 증가하는 경우가 있다. 한편, 금속박의 함유량이 지나치게 많으면 땜납 또는 주석 잉여에 의해 인접 단자 사이에서 브리지를 일으키기 쉬워진다. 또한, 본 명세서에 있어서, 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 는, 도전 접속 재료의 비중으로부터 이하와 같이 하여 구할 수 있다.
체적비 ((A)/(B)) ＝ (S(B) － S)/(S － S(A))
S : 도전 접속 재료의 비중
S(A) : 수지 조성물의 비중
S(B) : 금속박의 비중
다음으로, 본 발명에서 사용하는 수지 조성물 및 금속박에 대해 각각 설명한다.
(1) 수지 조성물
본 발명의 도전 접속 재료에 사용하는 수지 조성물은, 상온에서 액상 또는 고형상 중 어느 형태여도 된다. 여기서 「상온에서 액상」이란, 상온 (25 ℃) 에서 일정한 형태를 갖지 않는 상태를 의미한다. 페이스트상도 액상에 포함된다.
본 발명의 도전 접속 재료에 사용하는 수지 조성물은, 경화성 수지 조성물 또는 열가소성 수지 조성물 중 어느 것이어도 된다. 본 발명에서 사용하는 경화성 수지 조성물로는, 가열 또는 화학선을 조사함으로써 경화되는 것 등을 들 수 있다. 경화 후의 선팽창률이나 탄성률 등의 기계 특성이 우수하다는 점에서는, 열경화성 수지 조성물이 바람직하다. 본 발명에서 사용하는 열가소성 수지 조성물로는, 소정 온도로 가열함으로써 성형이 가능할 정도로 유연성을 갖는 것이면, 특별히 제한되지 않는다.
(a) 경화성 수지 조성물
본 발명에서 사용하는 경화성 수지 조성물에는, 경화성 수지 외에, 필요에 따라, 고분자 성분, 경화제, 경화 촉진제, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물, 실란 커플링제 등이 포함된다.
(ⅰ) 경화성 수지
본 발명에서 사용하는 경화성 수지는, 통상적으로 반도체 장치 제조용의 접착제 성분으로서 사용할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 옥세탄 수지, 페놀 수지, (메트)아크릴레이트 수지, 폴리에스테르 수지 (불포화 폴리에스테르 수지), 디알릴프탈레이트 수지, 말레이미드 수지, 폴리이미드 수지 (폴리이미드 전구체 수지), 비스말레이미드-트리아진 수지 등을 들 수 있다. 특히, 에폭시 수지, (메트)아크릴레이트 수지, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 말레이미드 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 열경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 경화성과 보존성, 경화물의 내열성, 내습성, 내약품성이 우수하다는 관점에서 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 경화성 수지는 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
경화성 수지의 함유량은 경화성 수지 조성물의 형태에 따라 적절히 설정할 수 있다.
예를 들어, 경화성 수지 조성물이 액상인 경우, 경화성 수지의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 10 중량％ 이상이 바람직하고, 15 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 20 중량％ 이상이 더욱 바람직하고, 25 중량％ 이상이 보다 더 바람직하고, 30 중량％ 이상이 한층 바람직하고, 35 중량％ 이상이 특히 바람직하다. 또, 100 중량％ 미만이 바람직하고, 95 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 90 중량％ 이하가 더욱 바람직하고, 75 중량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 65 중량％ 이하가 한층 바람직하고, 55 중량％ 이하가 특히 바람직하다.
경화성 수지 조성물이 고형상인 경우에는, 경화성 수지의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 5 중량％ 이상이 바람직하고, 10 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 15 중량％ 이상이 더욱 바람직하고, 20 중량％ 이상이 특히 바람직하다. 또, 90 중량％ 이하가 바람직하고, 85 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 80 중량％ 이하가 더욱 바람직하고, 75 중량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 65 중량％ 이하가 한층 바람직하고, 55 중량％ 이하가 특히 바람직하다.
경화성 수지의 함유량이 상기 범위 내에 있으면 단자 사이의 전기적 접속 강도 및 기계적 접착 강도를 충분히 확보할 수 있다.
본 발명에서는, 실온에서 액상 및 실온에서 고형상인 어느 경화성 수지를 사용해도 된다. 실온에서 액상인 경화성 수지와 실온에서 고형상인 경화성 수지를 병용해도 된다. 경화성 수지 조성물이 액상인 경우에는, 실온에서 액상인 경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 경화성 수지 조성물이 고형상인 경우에는, 액상 및 고형상 중 어느 경화성 수지를 사용해도 되지만, 고형상의 경화성 수지를 사용하는 경우에는 고분자 성분을 적절히 병용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 실온 (25 ℃) 에서 액상인 에폭시 수지로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 등을 바람직하게 들 수 있다. 비스페놀 A 형 에폭시 수지와 비스페놀 F 형 에폭시 수지를 병용해도 된다.
실온에서 액상인 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 150 ? 300 g/eq 가 바람직하고, 160 ? 250 g/eq 가 보다 바람직하고, 170 ? 220 g/eq 가 특히 바람직하다. 상기 에폭시 당량이 상기 하한 미만이 되면 경화물의 수축률이 커지는 경향이 있어, 휨이 발생하는 경우가 있다. 한편, 상기 상한을 초과하면, 필름 형성성 수지를 병용한 경우, 필름 형성성 수지, 특히 폴리이미드 수지와의 반응성이 저하되는 경향이 있다.
실온 (25 ℃) 에서 고형상인 에폭시 수지로는, 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 3 관능 에폭시 수지, 4 관능 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 고형 3 관능 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등이 바람직하다. 이들 에폭시 수지는 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
실온에서 고형상인 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 150 ? 3000 g/eq 가 바람직하고, 160 ? 2500 g/eq 가 보다 바람직하고, 170 ? 2000 g/eq 가 특히 바람직하다.
실온에서 고형상인 에폭시 수지의 연화점은, 40 ? 120 ℃ 가 바람직하고, 50 ? 110 ℃ 가 보다 바람직하고, 60 ? 100 ℃ 가 특히 바람직하다. 상기 연화점이 상기 범위 내에 있으면, 택성 (tackiness) 을 억제할 수 있어, 용이하게 취급할 수 있게 된다.
(ⅱ) 고분자 성분
고형상의 경화성 수지 조성물을 사용하는 경우, 상기 경화성 수지와 고분자 성분을 병용하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용하는 고분자 성분은, 중량 평균 분자량이 8,000 이상인 것임이 바람직하고, 8,500 이상인 것이 보다 바람직하고, 9,000 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또, 고분자 성분의 중량 평균 분자량은 1,000,000 이하인 것이 바람직하고, 950,000 이하인 것이 보다 바람직하고, 900,000 이하인 것이 더욱 바람직하다. 경화성 수지와 고분자 성분을 병용함으로써, 제막성을 향상시킬 수 있다. 또, 경화 전의 도전 접속 재료의 유동성을 억제할 수 있다. 또한, 상기 고분자 성분의 중량 평균 분자량은 GPC (겔 침투 크로마토그래피) 에 의해 측정할 수 있다.
본 발명에 사용할 수 있는 고분자 성분은 열가소성 수지 또는 열경화성 수지 중 어느 것이어도 되고, 또 이들을 병용할 수도 있다. 구체적으로, 고분자 성분으로는, (메트)아크릴계 수지, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지 (포화 폴리에스테르 수지), 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 실록산 변성 폴리이미드 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리프로필렌 수지, 스티렌-부타디엔-스티렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체, 폴리아세탈 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 부틸 고무, 클로로프렌 고무, 폴리아미드 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리아세트산비닐, 나일론 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메트)아크릴계 수지, 페녹시 수지 및 폴리이미드 수지가 바람직하다. 고분자 성분은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴계 수지」란, (메트)아크릴산 및 그 유도체의 중합체, 또는 (메트)아크릴산 및 그 유도체와 다른 단량체의 공중합체를 의미한다. 「(메트)아크릴산」등으로 표기할 때에는, 「아크릴산 또는 메타크릴산」등을 의미한다.
본 발명에서 사용하는 (메트)아크릴계 수지로는, 예를 들어, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 ; 폴리아크릴산메틸, 폴리아크릴산에틸, 폴리아크릴산부틸, 폴리아크릴산-2-에틸헥실 등의 폴리아크릴산에스테르 ; 폴리메타크릴산메틸, 폴리메타크릴산에틸, 폴리메타크릴산부틸 등의 폴리메타크릴산에스테르 ; 폴리아크릴로니트릴, 폴리메타크릴로니트릴, 폴리아크릴아미드, 아크릴산부틸-아크릴산에틸-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체, 메타크릴산메틸-스티렌 공중합체, 메타크릴산메틸-아크릴로니트릴 공중합체, 메타크릴산메틸-α-메틸스티렌 공중합체, 아크릴산부틸-아크릴산에틸-아크릴로니트릴-2-하이드록시에틸메타크릴레이트-메타크릴산 공중합체, 아크릴산부틸-아크릴산에틸-아크릴로니트릴-2-하이드록시에틸메타크릴레이트-아크릴산 공중합체, 아크릴산부틸-아크릴로니트릴-2-하이드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 아크릴산부틸-아크릴로니트릴-아크릴산 공중합체, 아크릴산에틸-아크릴로니트릴-N,N-디메틸아크릴아미드 공중합체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴산부틸-아크릴산에틸-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에틸-아크릴로니트릴-N,N-디메틸아크릴아미드 공중합체가 바람직하다. 이들 (메트)아크릴계 수지는 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
본 발명에서 사용하는 페녹시 수지의 골격은, 특별히 제한되지 않지만, 비스페놀 A 타입, 비스페놀 F 타입, 비페닐 타입 등을 바람직하게 들 수 있다.
본 발명에서 사용하는 폴리이미드 수지로는, 반복 단위 중에 이미드 결합을 갖는 수지이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 디아민과 산이무수물을 반응시키고, 얻어진 폴리아미드산을 가열, 탈수 폐고리함으로써 얻어지는 것을 들 수 있다.
상기 디아민으로는, 예를 들어, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐, 4,6-디메틸-m-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-p-페닐렌디아민 등의 방향족 디아민, 1,3-비스(3-아미노프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 등의 실록산디아민을 들 수 있다. 디아민은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
또, 상기 산이무수물로는, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 피로멜리트산이무수물, 4,4'-옥시디프탈산이무수물 등을 들 수 있다. 산이무수물은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
폴리이미드 수지는, 용제에 가용인 것이어도 되고 불용인 것이어도 되는데, 다른 성분과 혼합할 때의 바니시화가 용이하고, 취급성이 우수한 점에서 용제 가용성인 것이 바람직하다. 특히, 다양한 유기 용매에 용해시킬 수 있는 점에서 실록산 변성 폴리이미드 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 고분자 성분으로서 시판품을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 고분자 성분에 가소제, 안정제, 무기 필러, 대전 방지제나 안료 등의 각종 첨가제를 배합한 것을 사용해도 된다.
본 발명에 사용되는 도전 접속 재료에 있어서, 상기 고분자 성분의 함유량은, 사용하는 경화성 수지 조성물의 형태에 따라 적절히 설정할 수 있다.
예를 들어, 고형상의 경화성 수지 조성물인 경우에는, 고분자 성분의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 5 중량％ 이상인 것이 바람직하고, 10 중량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 15 중량％ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 50 중량％ 이하인 것이 바람직하고, 45 중량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 40 중량％ 이하인 것이 특히 바람직하다. 고분자 성분의 함유량이 상기 범위 내에 있으면 용융 전의 경화성 수지 조성물의 유동성을 억제할 수 있고, 도전 접속 재료를 용이하게 취급할 수 있게 된다.
(ⅲ) 경화제
본 발명에서 사용하는 경화제로는, 페놀류, 산무수물 및 아민 화합물을 바람직하게 들 수 있다. 경화제는, 경화성 수지의 종류 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우, 에폭시 수지와의 양호한 반응성, 경화시의 낮은 치수 변화 및 경화 후의 적절한 물성 (예를 들어, 내열성, 내습성 등) 이 얻어지는 점에서 경화제로서 페놀류를 사용하는 것이 바람직하고, 경화성 수지의 경화 후의 물성이 우수한 점에서 2 관능 이상의 페놀류가 보다 바람직하다. 또, 이와 같은 경화제는 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
페놀류로는, 예를 들어, 비스페놀 A, 테트라메틸비스페놀 A, 디알릴비스페놀 A, 비페놀, 비스페놀 F, 디알릴비스페놀 F, 트리스페놀, 테트라키스페놀, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시 수지와의 반응성이 양호하고, 경화 후의 물성이 우수한 점에서 페놀 노볼락 수지 및 크레졸 노볼락 수지가 바람직하다.
경화제의 함유량은, 사용하는 경화성 수지나 경화제의 종류 및 후술하는 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물이 경화제로서 기능하는 관능기를 갖는 경우, 그 관능기의 종류나 사용량에 따라 적절히 선택할 수 있다.
예를 들어, 경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용한 경우, 경화제의 함유량은 경화성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 0.1 ? 50 중량％ 가 바람직하고, 0.2 ? 40 중량％ 가 보다 바람직하고, 0.5 ? 30 중량％ 가 특히 바람직하다. 경화제의 함유량이 상기 범위 내에 있으면 단자 사이의 전기적 접속 강도 및 기계적 접착 강도를 충분히 확보할 수 있다.
(ⅳ) 경화 촉진제
본 발명에서 사용하는 경화 촉진제로는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4-메틸이미다졸릴(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴(1')]-에틸-s-트리아진의 이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸의 이소시아눌산 부가물, 2-메틸이미다졸의 이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시디메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물을 들 수 있다.
경화 촉진제의 함유량은, 사용하는 경화 촉진제의 종류에 따라 적절히 설정할 수 있다.
예를 들어,이미다졸 화합물을 사용하는 경우에는, 이미다졸 화합물의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 0.001 중량％ 이상이 바람직하고, 0.003 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.005 중량％ 이상이 특히 바람직하다. 또, 1.0 중량％ 이하가 바람직하고, 0.7 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.5 중량％ 이하가 특히 바람직하다. 이미다졸 화합물의 함유량이 상기 하한 미만이 되면 경화 촉진제로서의 작용이 충분히 발휘되지 않아, 경화성 수지 조성물을 충분히 경화시킬 수 없는 경우가 있다. 한편, 이미다졸 화합물의 함유량이 상기 상한을 초과하면, 경화성 수지 조성물의 경화가 완료되기 전에 땜납 또는 주석이 단자 표면으로 충분히 이동하지 않고, 절연성 영역에 땜납 또는 주석이 남아 절연성을 충분히 확보할 수 없는 경우가 있다. 또, 도전 접속 재료의 보존 안정성이 저하되는 경우가 있다.
(ⅴ) 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물
본 발명에서 사용하는 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물은, 단자 및 금속박의 표면 산화막 등 금속 산화막을 환원시키는 기능 (플럭스 기능) 을 갖는 것임이 바람직하다.
페놀성 수산기를 갖는 화합물로는, 예를 들어, 페놀, o-크레졸, 2,6-자일레놀, p-크레졸, m-크레졸, o-에틸페놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, m-에틸페놀, 2,3-자일레놀, 메시톨, 3,5-자일레놀, p-tert-부틸페놀, 카테콜, p-tert-아밀페놀, 레조르시놀, p-옥틸페놀, p-페닐페놀, 비스페놀 F, 비스페놀 AF, 비페놀, 디알릴비스페놀 F, 디알릴비스페놀 A, 트리스페놀, 테트라키스페놀 등의 페놀성 수산기를 함유하는 모노머류, 페놀 노볼락 수지, o-크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 F 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지 등의 페놀성 수산기를 함유하는 수지를 들 수 있다.
카르복실기를 갖는 화합물로는, 예를 들어, 지방족 산무수물, 지환식 산무수물, 방향족 산무수물, 지방족 카르복실산, 방향족 카르복실산 등을 들 수 있다. 상기 지방족 산무수물로는, 무수 숙신산, 폴리아디프산무수물, 폴리아젤라인산무수물, 폴리세바스산무수물 등을 들 수 있다. 상기 지환식 산무수물로는, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 무수 메틸하이믹산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸시클로헥센디카르복실산무수물 등을 들 수 있다. 상기 방향족 산무수물로는, 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 글리세롤트리스트리멜리테이트 등을 들 수 있다.
상기 지방족 카르복실산으로는, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 피발산, 카프로산, 카프릴산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 올레산, 푸마르산, 말레산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 세바스산, 도데칸디온산, 피멜린산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 하기 식 (1) :
Figure pct00004
(식 (1) 중, n 은 1 ? 20 의 정수이다)
로 나타내는 지방족 카르복실산이 바람직하고, 아디프산, 세바스산, 도데칸디온산이 보다 바람직하다.
방향족 카르복실산의 구조는 특별히 제한되지 않지만, 하기 식 (2) 또는 (3) 으로 나타내는 화합물이 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00005
[식 중, R1 ? R5 는, 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이고, R1 ? R5 중 적어도 하나는 수산기이다]
[화학식 4]
Figure pct00006
[식 중, R6 ? R20 은, 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이고, R6 ? R20 중 적어도 하나는 수산기 또는 카르복실기이다]
방향족 카르복실산으로는, 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 헤미멜리트산, 트리멜리트산, 트리메스산, 멜로판산, 프레니트산, 피로멜리트산, 멜리트산, 자일릴산, 헤멜리트산, 메시틸렌산, 프레니틸산, 톨루일산, 계피산, 살리실산, 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 겐티신산 (2,5-디하이드록시벤조산), 2,6-디하이드록시벤조산, 3,5-디하이드록시벤조산, 갈산 (3,4,5-트리하이드록시벤조산) 등의 벤조산 유도체 ; 1,4-디하이드록시-2-나프토산, 3,5-디하이드록시-2-나프토산, 3,5-디하이드록시-2-나프토산 등의 나프토산 유도체 ; 페놀프탈린 ; 디페놀산 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 본 발명에서 사용하는 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물은, 플럭스 기능을 갖는 것에 추가하여, 또한 경화성 수지의 경화제로서 작용하는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에서 사용하는 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물로는, 금속박 및 단자 등의 금속의 표면 산화막을 환원시키는 작용을 나타내고 또한 경화성 수지와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 그 관능기는, 경화성 수지의 종류에 따라 적절히 선택한다. 예를 들어, 경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우, 그 관능기는, 카르복실기, 수산기 및 아미노기 등의 에폭시기와 반응 가능한 관능기가 바람직하다. 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물이 경화제로서도 작용함으로써, 금속박 및 단자 등의 금속의 표면 산화막을 환원시키고 금속 표면의 젖음성을 높여, 도전성 영역의 형성을 용이하게 함과 함께, 도전성 영역을 형성한 후에는, 경화성 수지에 부가하여 수지의 탄성률 또는 Tg 를 높일 수 있다. 또, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물이 경화제로서 작용함으로써, 플럭스 세정이 불필요해지고, 플럭스 성분이 잔존하는 것에 의한 이온 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다는 이점이 있다.
페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물로는, 카르복실기를 적어도 1 개 갖고 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우, 그 화합물로는, 지방족 디카르복실산 또는 카르복실기와 페놀성 수산기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
지방족 디카르복실산으로는, 지방족 탄화수소기에 카르복실기가 2 개 결합된 화합물을 바람직하게 들 수 있다. 지방족 탄화수소기는, 포화 또는 불포화의 비고리형이어도 되고, 포화 또는 불포화의 고리형이어도 된다. 또, 지방족 탄화수소기가 비고리형인 경우에는 직사슬형이어도 되고 분기형이어도 된다.
이와 같은 지방족 디카르복실산으로는, 상기 식 (1) 에 있어서 n 이 1 ? 20 의 정수인 화합물을 바람직하게 들 수 있다. 상기 식 (1) 중의 n 이 상기 범위 내이면, 플럭스 활성, 접착시의 아웃 가스, 도전 접속 재료가 경화된 후의 탄성률 및 유리 전이 온도의 밸런스가 양호한 것이 된다. 특히, 도전 접속 재료의 경화 후의 탄성률의 증가를 억제하고, 피접착물과의 접착성을 향상시킬 수 있는 점에서, n 은 3 이상이 바람직하다. 또, 탄성률의 저하를 억제하고, 접속 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있는 점에서, n 은 10 이하가 바람직하다.
상기 식 (1) 로 나타내는 지방족 디카르복실산으로는, 글루타르산, 아디프산, 피멜린산, 수베르산, 아젤라인산, 세바스산, 운데칸이산, 도데칸이산, 트리데칸이산, 테트라데칸이산, 펜타데칸이산, 옥타데칸이산, 노나데칸이산, 에이코산이산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아디프산, 수베르산, 세바스산, 도데칸이산이 바람직하고, 세바스산이 특히 바람직하다.
상기 카르복실기와 페놀성 수산기를 갖는 화합물로는, 살리실산, 2,3-디하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 겐티신산 (2,5-디하이드록시벤조산), 2,6-디하이드록시벤조산, 3,4-디하이드록시벤조산, 갈산 (3,4,5-트리하이드록시벤조산) 등의 벤조산 유도체 ; 1,4-디하이드록시-2-나프토산, 3,5-디하이드록시-2-나프토산 등의 나프토산 유도체 ; 페놀프탈린 ; 디페놀산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 페놀프탈린, 겐티신산, 2,4-디하이드록시벤조산, 2,6-디하이드록시벤조산이 바람직하고, 페놀프탈린, 겐티신산이 특히 바람직하다.
페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물은, 1 종 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 병용해도 된다. 또, 어느 화합물도 흡습하기 쉽고, 보이드 발생의 원인이 되기 때문에, 사용 전에 미리 건조시켜 두는 것이 바람직하다.
페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물의 함유량은, 사용하는 수지 조성물의 형태에 따라 적절히 설정할 수 있다.
예를 들어, 수지 조성물이 액상인 경우, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 1 중량％ 이상이 바람직하고, 2 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 3 중량％ 이상이 특히 바람직하다. 또, 50 중량％ 이하가 바람직하고, 40 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 30 중량％ 이하가 더욱 바람직하고, 25 중량％ 이하가 특히 바람직하다.
고형상의 수지 조성물인 경우에는, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 1 중량％ 이상이 바람직하고, 2 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 3 중량％ 이상이 특히 바람직하다. 또, 50 중량％ 이하가 바람직하고, 40 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 30 중량％ 이하가 더욱 바람직하고, 25 중량％ 이하가 특히 바람직하다.
페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물의 함유량이 상기 범위 내이면, 금속박 및 단자의 표면 산화막을 전기적으로 접합시킬 수 있을 정도로 제거할 수 있다. 또한, 수지 조성물이 경화성 수지인 경우, 경화시에 수지에 효율적으로 부가하여 수지의 탄성률 또는 Tg 를 높일 수 있다. 또, 미반응의 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물에서 기인하는 이온 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다.
(ⅵ) 실란 커플링제
본 발명에서 사용하는 실란 커플링제로는, 에폭시실란 커플링제, 방향족 함유 아미노실란 커플링제 등을 들 수 있다. 실란 커플링제를 첨가함으로써, 접합 부재와 도전 접속 재료의 밀착성을 높일 수 있다. 실란 커플링제는 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
실란 커플링제의 함유량은, 접합 부재나 경화성 수지 등의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 실란 커플링제의 함유량은, 경화성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 0.01 중량％ 이상이 바람직하고, 0.05 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.1 중량％ 이상이 특히 바람직하고, 또, 2 중량％ 이하가 바람직하고, 1.5 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 1 중량％ 이하가 특히 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 경화성 수지 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 가소제, 안정제, 점착 부여제, 활제, 산화 방지제, 무기 필러, 충전제, 대전 방지제 및 안료 등을 배합해도 된다.
본 발명에 있어서, 상기 경화성 수지 조성물은, 상기 각 성분을 혼합?분산시킴으로서 조제할 수 있다. 각 성분의 혼합 방법이나 분산 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법으로 혼합, 분산시킬 수 있다.
또, 본 발명에 있어서는, 상기 각 성분을 용매 중에서 또는 무용매하에서 혼합하여 액상의 경화성 수지 조성물을 조제해도 된다. 이 때 사용되는 용매로는, 각 성분에 대하여 불활성인 것이면 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤 (MEK), 메틸이소부틸케톤 (MIBK), 디이소부틸케톤 (DIBK), 시클로헥사논, 디아세톤알코올 (DAA) 등의 케톤류 ; 벤젠, 자일렌, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류, 메틸알코올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, n-부틸알코올 등의 알코올류, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 셀로솔브류, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), 테트라하이드로푸란 (THF), 디메틸포름아미드 (DMF), 이염기산에스테르 (DBE), 3-에톡시프로피온산에틸 (EEP), 디메틸카보네이트 (DMC) 등을 들 수 있다. 또, 용매의 사용량은, 용매에 혼합한 성분의 고형분 농도가 10 ? 60 중량％ 가 되는 양인 것이 바람직하다.
(b) 열가소성 수지 조성물
본 발명에 있어서는, 수지 조성물로서 열가소성 수지 조성물을 사용할 수도 있다.
본 발명에서 사용하는 열가소성 수지 조성물은, 열가소성 수지 외에, 필요에 따라, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물, 실란 커플링제 등이 함유된다.
(ⅰ) 열가소성 수지
본 발명에서 사용하는 열가소성 수지로는, 예를 들어, 아세트산비닐계, 폴리비닐알코올 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 염화비닐 수지, (메트)아크릴 수지, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 실록산 변성 폴리이미드 수지, 폴리부타디엔 수지, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리아미드 수지, 셀룰로오스 수지, 이소부틸렌 수지, 비닐에테르 수지, 액정 폴리머 수지, 폴리페닐렌술파이드 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리우레탄 수지, 스티렌-부타디엔-스티렌 공중합체, 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체, 폴리아세탈 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 부틸 고무, 클로로프렌 고무, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 폴리아세트산비닐 등을 들 수 있다. 열가소성 수지는 단일 중합체여도 되고, 상기 열가소성 수지의 2 종 이상의 공중합체여도 된다.
열가소성 수지의 연화점은, 특별히 제한되지 않지만, 도전 접속 재료를 구성하는 상기 금속박의 융점보다 10 ℃ 이상 낮은 것이 바람직하고, 20 ℃ 이상 낮은 것이 특히 바람직하고, 30 ℃ 이상 낮은 것이 보다 바람직하다.
또, 열가소성 수지의 분해 온도는, 특별히 제한되지 않지만, 도전 접속 재료를 구성하는 금속박의 융점보다 10 ℃ 이상 높은 것이 바람직하고, 20 ℃ 이상 높은 것이 특히 바람직하고, 30 ℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하다.
열가소성 수지의 함유량은 사용하는 열가소성 수지 조성물의 형태에 따라 적절히 설정할 수 있다.
예를 들어, 열가소성 수지 조성물이 액상인 경우, 열가소성 수지의 함유량은, 열가소성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 10 중량％ 이상이 바람직하고, 15 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 20 중량％ 이상이 더욱 바람직하고, 25 중량％ 이상이 보다 더 바람직하고, 30 중량％ 이상이 한층 바람직하고, 35 중량％ 이상이 특히 바람직하다. 또, 100 중량％ 이하가 바람직하고, 95 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 90 중량％ 이하가 더욱 바람직하고, 75 중량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 65 중량％ 이하가 한층 바람직하고, 55 중량％ 이하가 특히 바람직하다.
열가소성 수지 조성물이 고형상인 경우에는, 열가소성 수지의 함유량은, 열가소성 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 5 중량％ 이상이 바람직하고, 10 중량％ 이상이 보다 바람직하고, 15 중량％ 이상이 더욱 바람직하고, 20 중량％ 이상이 특히 바람직하다. 또, 90 중량％ 이하가 바람직하고, 85 중량％ 이하가 보다 바람직하고, 80 중량％ 이하가 더욱 바람직하고, 75 중량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 65 중량％ 이하가 한층 바람직하고, 55 중량％ 이하가 특히 바람직하다.
열가소성 수지의 함유량이 상기 범위 내이면 단자 사이의 전기적 접속 강도 및 기계적 접착 강도를 충분히 확보할 수 있다.
(ⅱ) 그 밖의 첨가제
본 발명의 열가소성 수지 조성물에서 사용하는 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물, 실란 커플링제, 그 밖의 첨가제는, 상기 「(a) 경화성 수지 조성물」에 있어서 설명한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 각 성분의 함유량, 바람직한 화합물 및 조제 방법도 경화성 수지 조성물에서 설명한 것과 동일하다.
본 발명에서는, 수지 조성물로서 경화성 수지 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 에폭시 수지 10 ? 90 중량％, 경화제 0.1 ? 50 중량％, 고분자 성분 5 ? 50 중량％ 및 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물 1 ? 50 중량％ 를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 또, 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 에폭시 수지 20 ? 80 중량％, 경화제 0.2 ? 40 중량％, 고분자 성분 10 ? 45 중량％ 및 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물 2 ? 40 중량％ 를 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 또, 수지 조성물의 전체 중량에 대하여, 에폭시 수지 35 ? 55 중량％, 경화제 0.5 ? 30 중량％, 고분자 성분 15 ? 40 중량％ 및 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물 3 ? 25 중량％ 를 함유하는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 도전 접속 재료에 있어서 수지 조성물층 각각의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 1 ㎛ 이상이 바람직하고, 3 ㎛ 이상이 보다 바람직하고, 5 ㎛ 이상이 특히 바람직하다. 또, 수지 조성물층의 두께는, 200 ㎛ 이하가 바람직하고, 150 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 100 ㎛ 이하가 특히 바람직하다. 수지 조성물층의 두께가 상기 범위 내에 있으면, 인접하는 단자 사이의 간극에 수지 조성물을 충분히 충전할 수 있고, 수지 조성물의 경화 후, 고화 후의 기계적 접착 강도 및 대향하는 단자 사이의 전기적 접속을 충분히 확보할 수 있으며, 접속 단자의 제조도 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 도전 접속 재료가 수지 조성물층을 복수 포함하는 경우, 각 수지 조성물층의 조성은 동일해도 되고, 사용하는 수지 성분의 종류나 배합 처방의 차이 등에 따라 상이해도 된다. 수지 조성물층의 용융 점도나 연화 온도 등의 물성도 동일해도 되고 상이해도 된다. 예를 들어 액상의 수지 조성물층과 고형상의 수지 조성물층을 조합하여 사용해도 된다.
(2) 금속박
본 발명에 있어서 금속박층은, 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박으로 구성되는 층이다. 금속박층은 평면에서 봤을 때 수지 조성물층의 적어도 일부에 형성되어 있으면 되고, 수지 조성물층의 전체면에 형성되어 있어도 된다.
금속박층의 형상은 특별히 제한되지 않고, 일정한 형상이 반복 패턴상으로 형성되어 있어도 되고, 형상이 불규칙해도 된다. 규칙적인 형상과 불규칙한 형상이 혼재하고 있어도 된다. 도 1 은 금속박층의 형상의 일례를 나타내는 평면 모식도이다. 수지 조성물층 (120) 상에 다양한 형상을 갖는 금속박층 (110) 이 형성되어 있다. 금속박층의 형상으로는, 예를 들어, 도 1 에 나타내는 바와 같은 흰 점선 모양상 (a), 줄무늬 모양상 (b), 물방울 모양상 (c), 직사각형 모양상 (d), 체커 모양상 (e), 액자상 (f), 격자 모양상 (g), 또는 다중의 액자상 (h) 등을 들 수 있다. 이들 형상은 일례이며, 목적이나 용도에 따라 이들 형상을 조합하거나 변형시켜 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시양태에 있어서, 접속시키고자 하는 전극이 피착체의 접착면 전체에 배치되어 있는 풀 그리드형의 피착체끼리를 전기적으로 접속시키는 경우, 수지 조성물의 전체면에 시트상의 금속박을 형성하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 다른 실시양태에 있어서, 접속시키고자 하는 전극이 피착체의 접속면의 주변부에 배치되는 퍼리퍼럴형의 피착체끼리를 전기적으로 접속시키는 경우, 금속박을 유효하게 이용하는 관점, 및 인접하는 전극 사이에 금속박을 잔존시키지 않는다는 관점에서, 수지 조성물의 적어도 일부에 반복 패턴상의 금속박을 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 금속박의 형상은 전극의 피치나 형태 등에 따라 적절히 선택할 수 있다.
본 발명에 사용하는 금속박은, 특별히 제한은 없지만, 주석 (Sn), 납 (Pb), 은 (Ag), 비스무트 (Bi), 인듐 (In), 아연 (Zn), 니켈 (Ni), 안티몬 (Sb), 철 (Fe), 알루미늄 (Al), 금 (Au), 게르마늄 (Ge) 및 구리 (Cu) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2 종 이상의 금속의 합금, 또는 주석 단체로 이루어지는 것이 바람직하다.
이들 중, 용융 온도 및 기계적 물성을 고려하면, 금속박은 Sn-Pb 의 합금, 납프리 땜납인 Sn-Bi 의 합금, Sn-Ag-Cu 의 합금, Sn-In 의 합금, Sn-Ag 의 합금 등의 Sn 을 함유하는 합금으로 이루어지는 땜납박이 보다 바람직하다. Sn-Pb 의 합금을 사용하는 경우, 주석의 함유율은 30 중량％ 이상 100 중량％ 미만이 바람직하고, 35 중량％ 이상 100 중량％ 미만이 보다 바람직하고, 40 중량％ 이상 100 중량％ 미만이 바람직하다. 또, 납프리 땜납인 경우의 주석의 함유율은, 15 중량％ 이상 100 중량％ 미만이 바람직하고, 20 중량％ 이상 100 중량％ 미만이 보다 바람직하고, 25 중량％ 이상 100 중량％ 미만이 특히 바람직하다. 예를 들어, Sn-Pb 의 합금으로는, Sn63-Pb (융점 183 ℃), 납프리 땜납으로는, Sn-3.0Ag-0.5Cu (융점 217 ℃), Sn-3.5Ag (융점 221 ℃), Sn-58Bi (융점 139 ℃), Sn-9.0Zn (융점 199 ℃), Sn-3.5Ag-0.5Bi-3.0In (융점 193 ℃), Au-20Sn (융점 280 ℃) 등을 바람직하게 들 수 있다.
금속박은, 접속시키고자 하는 전자 부재나 반도체 장치의 내열성에 따라 적절히 선택하면 된다. 예를 들어, 반도체 장치에 있어서의 단자 사이 접속에 있어서는, 반도체 장치의 부재가 열 이력에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해, 융점이 330 ℃ 이하 (보다 바람직하게는 300 ℃ 이하, 특히 바람직하게는 280 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 260 ℃ 이하) 인 금속박을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 단자 사이 접속 후의 반도체 장치의 내열성을 확보하기 위해서는, 융점이 100 ℃ 이상 (보다 바람직하게는 110 ℃ 이상, 특히 바람직하게는 120 ℃ 이상) 인 금속박을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 금속박의 융점은 시차 주사 열량계 (DSC) 에 의해 측정할 수 있다.
금속박의 두께는, 대향하는 단자 사이의 갭, 인접하는 단자 사이의 이격 거리 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 반도체 장치에 있어서의 반도체 칩, 기판, 반도체 웨이퍼 등의 각 접속 단자 사이의 접속의 경우, 금속박의 두께는, 0.5 ㎛ 이상이 바람직하고, 3 ㎛ 이상이 보다 바람직하고, 5 ㎛ 이상이 특히 바람직하고, 또, 100 ㎛ 이하가 바람직하고, 50 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 20 ㎛ 이하가 특히 바람직하다. 금속박의 두께가 상기 하한 미만이 되면 땜납 또는 주석 부족에 의해 미접속의 단자가 증가하는 경향이 있으며, 한편 상기 상한을 초과하면 땜납 또는 주석 잉여에 의해 인접 단자 사이에서 브리지를 일으켜, 쇼트되기 쉬워지는 경향이 있다.
금속박의 제조 방법으로는, 예를 들어, 잉곳 등의 덩어리로부터 압연에 의해 제조하는 방법, 수지 조성물층에 직접 증착, 스퍼터, 도금 등에 의해 금속박층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 또, 반복 패턴상의 금속박의 제조 방법으로는, 예를 들어, 금속박을 소정의 패턴으로 타발하는 방법, 에칭 등에 의해 소정의 패턴을 형성하는 방법, 또 차폐판이나 마스크 등을 사용함으로써 증착, 스퍼터, 도금 등으로 형성하는 방법을 들 수 있다.
본 발명에 있어서 도전 접속 재료의 형태는, 수지 조성물의 형태 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 수지 조성물이 액상인 경우에는, 금속박의 양면에 수지 조성물을 도포한 것, 폴리에스테르 시트 등의 박리 기재 상에 수지 조성물을 도포하고, 소정 온도에서 반경화 (B 스테이지화) 등의 목적으로 건조, 제막시킨 후에 금속박을 붙여 필름상으로 한 것 등을 도전 접속 재료로서 제공할 수 있다. 수지 조성물이 고형상인 경우에는, 유기 용제에 용해시킨 수지 조성물의 바니시를 폴리에스테르 시트 등의 박리 기재 상에 도포하고, 소정 온도에서 건조시킨 후에 금속박을 붙이거나, 또는 증착 등의 수법을 사용하여 필름상으로 형성한 것을 도전 접속 재료로서 제공할 수 있다.
또, 본 발명의 도전 접속 재료 및 이것에 사용되는 금속박은, 단자와의 접촉을 높이기 위해 엠보싱 가공을 실시한 것을 사용할 수도 있다.
본 발명의 도전 접속 재료의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 1 ㎛ 이상이 바람직하고, 3 ㎛ 이상이 보다 바람직하고, 5 ㎛ 이상이 특히 바람직하고, 또, 200 ㎛ 이하가 바람직하고, 150 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 100 ㎛ 이하가 특히 바람직하다. 도전 접속 재료의 두께가 상기 범위 내에 있으면 인접하는 단자 사이의 간극에 수지 조성물을 충분히 충전할 수 있다. 또, 수지 성분의 경화 후 또는 고화 후의 기계적 접착 강도 및 대향하는 단자 사이의 전기적 접속을 충분히 확보할 수 있다. 또, 목적이나 용도에 따른 접속 단자의 제조도 가능하게 할 수 있다.
다음으로, 도전 접속 재료의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명에서 사용하는 수지 조성물이 25 ℃ 에서 액상인 경우, 예를 들어, 금속박을 액상의 수지 조성물에 침지시켜, 금속박의 양면에 액상의 수지 조성물을 부착시켜, 본 발명의 도전 접속 재료를 제조할 수 있다. 수지 조성물의 두께 제어가 필요한 경우에는, 액상의 수지 조성물에 침지시킨 금속박을 일정한 간극을 갖는 바 코터를 통과시키는 방법이나 액상의 수지 조성물을 스프레이 코터 등에 의해 분사하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
또, 본 발명에서 사용하는 수지 조성물이 25 ℃ 에서 필름상인 경우에는, 예를 들어, 다음과 같이 하여 도전 접속 재료를 제조할 수 있다. 먼저, 유기 용제에 용해시킨 수지 조성물의 바니시를 폴리에스테르 시트 등의 박리 기재 상에 도포하고, 소정 온도에서 건조시키고 제막시켜 필름상의 수지 조성물을 제조한다. 다음으로, 박리 기재 상에 제막시킨 수지 조성물을 2 장 준비하여 금속박을 사이에 두고 열 롤에 의해 라미네이트함으로써 금속박의 상하에 수지 조성물을 배치하였을 때 수지 조성물/금속박/수지 조성물로 이루어지는 3 층의 도전 접속 재료를 제조할 수 있다. 또, 상기 서술한 라미네이트 방식에 의해, 금속박의 편면에 수지 조성물을 배치함으로써 수지 조성물/금속박으로 이루어지는 2 층의 도전 접속 재료를 제조할 수 있다.
또, 겹쳐 감은 형상의 금속박을 사용하는 경우에는, 금속박을 베이스 기재로 하여 금속박의 상하 또는 편측에 상기 필름상의 수지 조성물을 열 롤에 의해 라미네이트함으로써, 겹쳐 감은 형상의 도전 접속 재료를 얻을 수도 있다. 또한, 겹쳐 감은 형상의 금속박을 사용하는 경우, 금속박의 상하 또는 편측에 바니시상의 수지 조성물을 직접 도포하고, 용제를 휘산시킴으로써 겹쳐 감은 형상의 도전 접속 재료를 제조할 수 있다.
패턴상의 금속박을 사용하여 도전 접속 재료를 제조하는 경우, 박리 기재 상에 금속박을 배치하고, 금속박측으로부터 금형으로 금속박을 하프 컷하여, 여분의 금속박을 제거함으로써 패턴상의 금속박을 제조하고, 상기 필름상의 수지 조성물을 열 롤에 의해 라미네이트하면 된다. 패턴상의 금속박의 양면에 수지 조성물을 형성하는 경우에는, 상기 박리 기재를 박리하고, 수지 조성물이 형성된 면과는 반대측의 패턴상의 금속박의 면에 필름상의 수지 조성물을 추가로 라미네이트하면 된다.
또한, 도전 접속 재료의 제조 방법은 상기 방법에 제한되지 않는다. 도전 접속 재료의 제조 방법은, 목적이나 용도에 따라 당업자가 적절히 선택할 수 있다.
2. 단자 사이의 접속 방법
다음으로, 본 발명의 단자 사이의 접속 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 접속 방법은 상기 도전 접속 재료를 사용하여 단자 사이를 접속시키는 방법에 관련된 것으로, 도전 접속 재료를, 대향하는 단자 사이에 배치하는 배치 공정과, 상기 도전 접속 재료를 가열하는 가열 공정과, 상기 수지 조성물을 경화 또는 고화시키는 경화/고화 공정을 포함한다. 본 발명의 접속 방법은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 리지드 기판, 플렉시블 기판, 그 밖의 전기, 전자 부품에 형성되어 있는 단자끼리를 접속시킬 때 등에 사용할 수 있다.
본 발명의 접속 방법에 있어서, 단자를 포함하는 피착체의 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 3 ％ 이상 50 ％ 이하인 경우, 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40, 바람직하게는 2 ? 30, 보다 바람직하게는 3 ? 25, 더욱 바람직하게는 4 ? 20 인 도전 접속 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 단자를 포함하는 피착체의 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 0.1 ％ 이상 3 ％ 미만인 경우, 상기 체적비 ((A)/(B)) 가 20 ? 500, 바람직하게는 25 ? 400, 보다 바람직하게는 30 ? 300, 더욱 바람직하게는 35 ? 200 인 도전 접속 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 피착체의 접착 면적에 대한 단자의 면적 점유율에 따라 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비를 변경함으로써, 접속 단자 사이에 있어서 양호한 전기적 접속과 인접 단자 사이에 있어서 높은 절연 신뢰성을 얻을 수 있다.
본 발명의 접속 방법은, 상기 도전 접속 재료의 수지 조성물이 경화성 수지 조성물인 경우와 열가소성 수지 조성물인 경우에서 접속 방법의 공정이 약간 상이하다. 이하, 각각의 경우에 대해 설명한다.
(1) 수지 조성물이 경화성 수지 조성물인 경우
도전 접속 재료에 사용하는 수지 조성물이 경화성 수지 조성물인 경우, 본 발명의 단자 사이의 접속 방법은, 상기 경화성 수지 조성물과 금속박을 포함하는 도전 접속 재료를, 대향하는 단자 사이에 배치하는 배치 공정과, 상기 금속박의 융점 이상이고 또한 상기 경화성 수지 조성물의 경화가 완료되지 않는 온도에서 상기 도전 접속 재료를 가열하는 가열 공정과, 상기 경화성 수지 조성물을 경화시키는 경화 공정을 포함한다.
이 접속 방법에서는, 가열 용융된 땜납 또는 주석을 선택적으로 단자 사이에서 응집시켜 도전성 영역을 형성하고, 그 주위에 경화성 수지 조성물에 의한 절연성 영역을 형성할 수 있다. 그 결과, 인접하는 단자 사이의 절연성을 확보하여 리크 전류를 방지할 수 있으므로, 단자 사이의 접속의 접속 신뢰성을 높일 수 있다. 또, 미세한 배선 회로에 있어서도 다수의 단자 사이의 전기적 접속을 일괄적으로 실시할 수 있게 된다. 또한 경화성 수지 조성물을 경화시킴으로서 도전성 영역 또는 절연성 영역의 기계적 강도를 높일 수 있다.
이하, 도면을 참조하면서 도전 접속 재료의 수지 조성물이 경화성 수지 조성물인 경우의 단자 사이의 접속 방법의 바람직한 실시형태에 대해 상세하게 설명하는데, 본 발명의 접속 방법은 이들 도면에 한정되는 것은 아니다.
(a) 배치 공정
먼저, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 단자 (11) 가 형성된 기판 (10) 과 단자 (21) 가 형성된 기판 (20) 을, 단자 (11) 와 단자 (21) 가 대향하도록 위치 맞춤하고, 이들 단자 사이에, 금속박 (110) 과 금속박 (110) 의 양면에 형성된 경화성 수지 조성물 (120) 로 이루어지는 도전 접속 재료 (30) 를 배치한다. 이 때, 도전 접속 재료 (30) 는 롤 라미네이터 또는 프레스 등의 장치를 사용하여, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 미리 기판 (10) 또는 기판 (20) 의 편측, 혹은 기판 (10) 및 기판 (20) 의 쌍방에 열 압착되어 있어도 된다. 또, 상기 단자 (11 및 21) 의 표면은, 전기적인 접속을 양호하게 하기 위해, 필요에 따라 세정, 연마, 도금 및 표면 활성화 등의 처리를 실시해도 된다.
(b) 가열 공정
가열 공정에서는, 상기 배치 공정에 있어서 단자 사이에 배치한 도전 접속 재료를 금속박의 융점 이상에서 가열한다. 가열 온도는, 금속박의 융점 이상이면 되며, 예를 들어 가열 시간을 짧게 하는 등, 가열 시간을 조정함으로써, 땜납 또는 주석이 경화성 수지 중을 이동할 수 있는 범위 즉 「경화성 수지 조성물의 경화가 완료되지 않는」범위이면, 그 상한은 특별히 제한되지 않는다. 가열 온도는, 금속박의 융점보다 5 ℃ 이상 높은 온도가 바람직하고, 10 ℃ 이상 높은 온도가 보다 바람직하고, 20 ℃ 이상 높은 온도가 더욱 바람직하고, 30 ℃ 이상 높은 온도가 특히 바람직하다.
가열 온도는, 사용하는 금속박 및 경화성 수지 조성물의 조성 등에 따라 적절히 선택할 수 있는데, 100 ℃ 이상이 바람직하고, 130 ℃ 이상이 보다 바람직하고, 140 ℃ 이상이 특히 바람직하고, 150 ℃ 이상이 가장 바람직하다. 접속시키고자 하는 기판 등의 열 열화를 방지하기 위해서는, 가열 온도는 260 ℃ 이하가 바람직하고, 250 ℃ 이하가 보다 바람직하고, 240 ℃ 이하가 특히 바람직하다.
이와 같은 온도에서 상기 도전 접속 재료를 가열하면, 금속박 (110) 이 용융되고, 용융된 땜납 또는 주석이 경화성 수지 조성물 (120) 중을 이동할 수 있게 된다. 경화성 수지 조성물이 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물을 함유하는 경우, 경화성 수지 조성물에 함유되는 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물의 환원 작용에 의해, 땜납 또는 주석의 표면 산화막이 제거되기 때문에, 땜납 또는 주석은 젖음성이 높아진 상태이며, 금속 결합이 촉진되어 대향하는 단자 사이에 응집되기 쉬워진다. 한편, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물의 환원 작용에 의해 단자 (11 및 21) 의 표면 산화막도 제거되어 젖음성이 높아져 있기 때문에, 땜납 또는 주석과의 금속 결합이 용이해진다. 그 결과, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 상기 단자 사이에는 도전성 영역 (130) 이 형성되어, 단자 (11) 와 단자 (21) 가 전기적으로 접속된다. 한편, 도전성 영역의 주위에는 경화성 수지 조성물이 충전되어 절연성 영역 (140) 이 형성된다. 그 결과, 인접하는 단자 사이의 절연성이 확보되어, 인접하는 단자 사이의 쇼트를 방지할 수 있게 된다.
본 발명의 접속 방법에 있어서는, 대향하는 단자 사이의 거리를 근접하도록 가압하며 가열해도 된다. 예를 들어, 도 2 중의 기판 (10 및 20) 이 대향하는 방향으로 공지된 열 압착 장치 등의 수단을 사용하여 가열 및 가압함으로써, 대향하는 각 단자 사이의 거리를 일정하게 제어할 수 있고, 대향하는 단자 사이의 전기적인 접속 신뢰성을 높일 수 있게 된다.
또한, 가압 또는 가열할 때에 초음파나 전기장 등을 부가하거나, 레이저나 전자 유도 등의 특수 가열을 적용해도 된다.
(c) 경화 공정
본 발명의 접속 방법에 있어서는, 상기 가열 공정에서 도전성 영역 (130) 과 절연성 영역 (140) 을 형성한 후, 경화성 수지 조성물을 경화시켜 절연성 영역 (140) 을 고정시킨다. 이로써, 상기 단자 사이의 전기적 신뢰성 및 기계적 접속 강도를 충분히 확보할 수 있다. 특히 본 발명의 접속 방법에 있어서는, 높은 절연 저항값을 갖는 경화성 수지 조성물을 사용하고 있기 때문에, 절연성 영역의 절연성을 보다 충분히 확보할 수 있다.
경화성 수지 조성물의 경화는, 도전 접속 재료를 가열하거나 함으로써 실시할 수 있다. 도전 접속 재료의 경화 온도는, 경화성 수지 조성물의 조성에 따라 적절히 설정할 수 있는데, 상기 가열 공정에서의 가열 온도보다 적어도 5 ℃ 낮은 온도인 것이 바람직하고, 적어도 10 ℃ 낮은 온도인 것이 특히 바람직하다. 구체적으로는, 100 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 120 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 130 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하고, 150 ℃ 이상인 것이 가장 바람직하다. 또, 300 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 260 ℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 250 ℃ 이하인 것이 특히 바람직하고, 240 ℃ 이하인 것이 가장 바람직하다. 경화 온도가 상기 범위 내에 있으면, 도전 접속 재료가 열분해되지 않아, 경화성 수지 조성물을 충분히 경화시킬 수 있다.
(2) 수지 조성물이 열가소성 수지 조성물인 경우
다음으로, 도전 접속 재료에 사용하는 수지 조성물이 열가소성 수지 조성물인 경우에 대해 설명한다. 도전 접속 재료에 사용하는 수지 조성물이 열가소성 수지 조성물인 경우, 본 발명의 단자 사이의 접속 방법은, 상기 열가소성 수지 조성물과 금속박을 포함하는 도전 접속 재료를, 대향하는 단자 사이에 배치하는 배치 공정과, 상기 금속박의 융점 이상이고 또한 상기 열가소성 수지 조성물이 연화되는 온도에서 상기 도전 접속 재료를 가열하는 가열 공정과, 상기 열가소성 수지 조성물을 고화시키는 고화 공정을 포함한다. 이하, 각 공정에 대해 설명한다.
(a) 배치 공정
열가소성 수지 조성물과 금속박을 포함하는 도전 접속 재료를 사용한 경우에도, 상기 경화성 수지 조성물과 금속박을 포함하는 도전 접속 재료를 사용한 경우와 동일하게 도전 접속 재료를 배치할 수 있다.
(b) 가열 공정
가열 공정은, 특별히 제한되지 않지만, 상기 배치 공정에 있어서 단자 사이에 배치한 도전 접속 재료를 금속박의 융점 이상에서 가열한다. 가열 온도는, 금속박의 융점보다 5 ℃ 이상 높은 온도가 바람직하고, 10 ℃ 이상 높은 온도가 보다 바람직하고, 20 ℃ 이상 높은 온도가 더욱 바람직하고, 30 ℃ 이상 높은 온도가 특히 바람직하다. 가열 온도는, 금속박의 융점 이상이고, 열가소성 수지 조성물이 연화되어 땜납 또는 주석이 열가소성 수지 중을 이동할 수 있는 범위 즉 「열가소성 수지 조성물이 연화되는」범위이면, 그 상한은 특별히 제한되지 않는다.
가열 온도는, 사용하는 금속박 및 열가소성 수지 조성물의 조성 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 경화성 수지 조성물과 금속박을 포함하는 도전 접속 재료와 동일한 가열 온도에서 가열할 수 있다.
상기 온도에서 상기 도전 접속 재료를 가열하면, 금속박 (110) 이 용융되고, 용융된 땜납 또는 주석이 열가소성 수지 조성물 (120) 중을 이동할 수 있게 된다. 열가소성 수지 조성물이 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물을 함유하는 경우, 열가소성 수지 조성물에 함유되는 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물의 환원 작용에 의해, 땜납 또는 주석의 표면 산화막은 제거되기 때문에, 땜납 또는 주석은 젖음성이 높아진 상태이며, 금속 결합이 촉진되어 대향하는 단자 사이에 응집되기 쉬워진다. 한편, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물의 환원 작용에 의해 단자 (11 및 21) 의 표면 산화막도 제거되어 젖음성이 높아져 있기 때문에, 땜납 또는 주석과의 금속 결합이 용이해진다. 그 결과, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 상기 단자 사이에는 도전성 영역 (130) 이 형성되어, 단자 (11) 와 단자 (21) 가 전기적으로 접속된다. 한편, 도전성 영역의 주위에는 열가소성 수지 조성물이 충전되어 절연성 영역 (140) 이 형성된다. 그 결과, 인접하는 단자 사이의 절연성이 확보되어, 인접하는 단자 사이의 쇼트를 방지할 수 있게 된다.
(c) 고화 공정
본 발명의 접속 방법에 있어서는, 상기 가열 공정에서 도전성 영역 (130) 과 절연성 영역 (140) 을 형성한 후, 열가소성 수지 조성물을 고화시켜 절연성 영역 (140) 을 고정시킨다. 이로써, 상기 단자 사이의 전기적 신뢰성 및 기계적 접속 강도를 충분히 확보할 수 있다.
열가소성 수지 조성물의 고화는, 상기 가열 공정에서 가열 용융시킨 도전 접속 재료를 냉각?고화시킴으로써 실시할 수 있다. 도전 접속 재료의 냉각?고화는, 열가소성 수지 조성물의 조성에 따라 적절히 설정할 수 있는 것으로, 특별히 제한되지 않지만, 자연 냉각에 의한 방법이어도 되고, 또 냉기를 분사하거나 하는 방법이어도 된다.
상기 열가소성 수지 조성물의 고화 온도는, 특별히 제한되지 않지만, 금속박의 융점보다 낮은 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 상기 열가소성 수지 조성물의 고화 온도는, 금속박의 융점보다 10 ℃ 이상 낮은 것이 바람직하고, 20 ℃ 이상 낮은 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 열가소성 수지 조성물의 고화 온도는, 50 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 60 ℃ 이상인 것이 특히 바람직하고, 100 ℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상기 열가소성 수지 조성물의 고화 온도가 상기 범위 내에 있으면, 도전성 영역 (130) 을 확실하게 형성할 수 있고, 또 절연성 영역 (140) 이 원하는 내열성을 가질 수 있다. 이 때문에, 인접하는 단자 사이의 절연성이 확보되어, 인접하는 단자 사이의 쇼트를 보다 확실하게 방지할 수 있다.
본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 특정한 수지 성분 및 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물을 함유하는 수지 조성물과 금속박으로 이루어지는 도전 접속 재료를 사용함으로써, 땜납 또는 주석을 선택적으로 대향하는 단자 사이에 응집시킬 수 있어, 단자 사이를 전기적으로 접속시킴과 함께, 인접하는 단자 사이의 절연성을 확보할 수 있다. 또한, 다수의 단자 사이를 일괄적으로 도통시킬 수 있고, 신뢰성이 우수한 단자 사이 접속을 실시할 수 있다.
3. 도전 접속 재료가 부착된 전자 부재 및 전기, 전자 부품
본 발명은, 전자 부재의 전기적 접속면에 본 발명의 도전 접속 재료가 접착되어 이루어지는 도전 접속 재료가 부착된 전자 부재도 포함한다. 본 발명의 도전 접속 재료가 부착된 전자 부재에 있어서, 도전 접속 재료의 전자 부재의 전기적 접속면과의 접착면은 수지 조성물층인 것이 바람직하다. 그 수지 조성물층은, 전자 부재의 전기적 접속면에 직접 접착되어 있어도 되고, 접착제층을 개재하여 접착되어 있어도 된다. 본 발명의 도전 접속 재료가 부착된 전자 부재를 서로 첩합 (貼合) 하거나, 혹은 본 발명의 도전 접속 재료가 부착된 전자 부재를 다른 전자 부재의 전기적 접속면과 첩합하고 열 압착시킴으로써, 전자 부재 사이를 전기적으로 접속시킬 수 있다.
본 발명에서는, 이와 같이 하여 얻어진 본 발명의 도전 접속 재료를 사용하여 전자 부재 사이가 전기적으로 접속되어 이루어지는 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 리지드 기판 및 플렉시블 기판, 그 밖의 전기, 전자 부품도 포함한다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 설명하는데, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1 ? 4]
(1) 경화성 수지 조성물의 조제
표 1 에 나타낸 각 성분을, 메틸에틸케톤 (MEK) 에 용해시켜 수지 고형분 40 ％ 의 수지 조성물의 바니시를 얻었다. 얻어진 바니시를, 콤마 코터를 사용하여 폴리에스테르 시트에 도포하고, 90 ℃ 에서 5 분간 건조시켜, 표 1 에 기재된 두께를 갖는 필름상의 경화성 수지 조성물을 2 장 얻었다.
(2) 도전 접속 재료의 제조
얻어진 필름상의 경화성 수지 조성물을 60 ℃, 0.3 ㎫, 0.3 m/min 의 조건으로, 표 1 에 나타낸 두께를 갖는 땜납박의 양면에 라미네이트하여, 도전 접속 재료를 제조하였다.
다음과 같이 하여, 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 를 구하고, 표 1 에 나타냈다.
체적비 ((A)/(B)) ＝ (S(B) － S)/(S － S(A))
S : 도전 접속 재료의 비중
S(A) : 수지 조성물의 비중
S(B) : 금속박의 비중
비중은, 각각 공기 중에서의 중량과 수중에서의 중량으로부터 이하와 같이 하여 구하였다.
비중 S ＝ W/(W － W1)
W : 공기 중에서의 중량 (g)
W1 : 수중에서의 중량 (g)
(3) 단자 사이 접속
다음으로, 얻어진 도전 접속 재료를 사용하여 기판의 단자 사이 접속을 실시하였다. 기판으로서, FR-4 기재 (두께 0.1 ㎜) 와 회로층 (구리 회로, 두께 12 ㎛) 으로 이루어지고, 구리 회로 상에 Ni/Au 도금 (두께 3 ㎛) 을 실시하여 형성되는 접속 단자 (단자 직경 및 인접하는 단자 사이의 중심 거리는 표 1 에 기재된 바와 같음) 를 갖는 것을 사용하였다. 기판 사이의 갭 및 수지 조성물과 금속박의 접착 면적에 대한 전극 (패드) 의 면적 점유율 (％) 은, 표 1 에 나타낸 바와 같다.
이와 같은 접속 단자를 갖는 기판 사이에 상기 도전 접속 재료를 배치하고, 열 압착 장치 ((주) 츠쿠바 메카닉스 제조의 「TMV1-200ASB」) 를 사용하여 표 1 에 나타낸 조건으로 열 압착을 실시하여, 단자 사이를 접속시켰다. 그 후, 180 ℃ 에서 1 시간 가열하여 경화성 수지 조성물을 경화시켜, 적층체를 얻었다.
[실시예 5]
실시예 1 ? 4 와 동일하게 하여 경화성 수지 조성물을 조제하여, 표 1 에 기재된 두께를 갖는 경화성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 필름상의 경화성 수지 조성물을 60 ℃, 0.3 ㎫, 0.3 m/min 의 조건으로, 표 1 에 나타낸 두께를 갖고, 내치수 8 ㎜ × 8 ㎜, 외치수 10 ㎜ × 10 ㎜ 의 액자상으로 가공된 땜납박의 양면에 라미네이트하여, 도전 접속 재료를 제조하였다.
상기 서술한 방법으로 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 를 구하고, 표 1 에 나타냈다. 또한, 기판으로서, FR-4 기재 (두께 0.1 ㎜) 와 회로층 (구리 회로, 두께 12 ㎛) 으로 이루어지고, 구리 회로 상에 Ni/Au 도금 (두께 3 ㎛) 을 실시하여 형성되는 접속 단자 (단자 직경 및 인접하는 단자 사이의 중심 거리는 표 1 에 기재된 바와 같음) 를 외측 가장자리부에 1 열 갖는 것을 사용한 것 이외에는, 상기 실시예 1 ? 4 와 동일한 방법 (상기「(3) 단자 사이 접속」에 기재된 방법) 으로, 얻어진 도전 접속 재료를 사용하여 기판의 단자 사이 접속을 실시하였다. 기판의 단자 직경, 인접하는 단자 사이의 중심 거리, 기판 사이의 갭, 기판의 접착 면적에 대한 전극 (패드) 의 면적 점유율 (％) 을 표 1 에 나타냈다.
[실시예 6]
실시예 1 ? 4 와 동일하게 하여 경화성 수지 조성물을 조제하여, 표 1 에 기재된 두께를 갖는 경화성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 필름상의 경화성 수지 조성물을 60 ℃, 0.3 ㎫, 0.3 m/min 의 조건으로, 표 1 에 나타낸 두께를 갖고, 내치수 9 ㎜ × 9 ㎜, 외치수 10 ㎜ × 10 ㎜ 의 액자상으로 가공된 땜납박의 양면에 라미네이트하여, 도전 접속 재료를 제조하였다. 상기 서술한 방법으로 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 를 구하고, 표 1 에 나타냈다. 또한, 기판으로서, FR-4 기재 (두께 0.1 ㎜) 와 회로층 (구리 회로, 두께 12 ㎛) 으로 이루어지고, 구리 회로 상에 Ni/Au 도금 (두께 3 ㎛) 을 실시하여 형성되는 접속 단자 (단자 직경 및 인접하는 단자 사이의 중심 거리는 표 1 에 기재된 바와 같음) 를 외측 가장자리부에 2 열 갖는 것을 사용한 것 이외에는, 상기 실시예 1 ? 4 와 동일한 방법 (상기「(3) 단자 사이 접속」에 기재된 방법) 으로, 얻어진 도전 접속 재료를 사용하여 기판의 단자 사이 접속을 실시하였다. 기판의 단자 직경, 인접하는 단자 사이의 중심 거리, 기판 사이의 갭, 기판의 접착 면적에 대한 전극 (패드) 의 면적 점유율 (％) 을 표 1 에 나타냈다.
[비교예 1]
상기 실시예 1 ? 4 와 동일하게 하여 경화성 수지 조성물을 조제하여, 표 2 에 기재된 두께를 갖는 경화성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 필름상의 경화성 수지 조성물을 60 ℃, 0.3 ㎫, 0.3 m/min 의 조건으로, 표 2 에 나타낸 두께를 갖는 땜납박의 양면에 라미네이트하여, 도전 접속 재료를 제조하였다. 상기 서술한 방법으로 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 를 구하고, 표 2 에 나타냈다. 또한, 상기 실시예 1 ? 4 와 동일한 방법 (상기「(3) 단자 사이 접속」에 기재된 방법) 으로, 얻어진 도전 접속 재료를 사용하여 기판의 단자 사이 접속을 실시하였다. 기판의 단자 직경, 인접하는 단자 사이의 중심 거리, 기판 사이의 갭, 기판의 접착 면적에 대한 전극 (패드) 의 면적 점유율 (％) 을 표 2 에 나타냈다.
[비교예 2]
실시예 1 ? 4 와 동일하게 하여 경화성 수지 조성물을 조제하여, 표 2 에 기재된 두께를 갖는 경화성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 필름상의 경화성 수지 조성물을 60 ℃, 0.3 ㎫, 0.3 m/min 의 조건으로, 표 1 에 나타낸 두께를 갖고, 내치수 9 ㎜ × 9 ㎜, 외치수 10 ㎜ × 10 ㎜ 의 액자상으로 가공된 땜납박의 양면에 라미네이트하여, 도전 접속 재료를 제조하였다. 상기 서술한 방법으로 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 를 구하고, 표 1 에 나타냈다. 또한, 기판으로서, FR-4 기재 (두께 0.1 ㎜) 와 회로층 (구리 회로, 두께 12 ㎛) 으로 이루어지고, 구리 회로 상에 Ni/Au 도금 (두께 3 ㎛) 을 실시하여 형성되는 접속 단자 (단자 직경 및 인접하는 단자 사이의 중심 거리는 표 1 에 기재된 바와 같음) 를 외측 가장자리부에 1 열 갖는 것을 사용한 것 이외에는, 상기 실시예 1 ? 4 와 동일한 방법 (상기「(3) 단자 사이 접속」에 기재된 방법) 으로, 얻어진 도전 접속 재료를 사용하여 기판의 단자 사이 접속을 실시하였다. 기판의 단자 직경, 인접하는 단자 사이의 중심 거리, 기판 사이의 갭, 기판의 접착 면적에 대한 전극 (패드) 의 면적 점유율 (％) 을 표 2 에 나타냈다.
[참고예 1]
상기 실시예 1 ? 4 와 동일하게 하여 경화성 수지 조성물을 조제하여, 표 2 에 기재된 두께를 갖는 경화성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 필름상의 경화성 수지 조성물을 60 ℃, 0.3 ㎫, 0.3 m/min 의 조건으로, 표 2 에 나타낸 두께를 갖는 땜납박의 양면에 라미네이트하여, 도전 접속 재료를 제조하였다. 상기 서술한 방법으로 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 를 구하고, 표 2 에 나타냈다. 또한, 상기 실시예 1 ? 4 와 동일한 방법 (상기「(3) 단자 사이 접속」에 기재된 방법) 으로, 얻어진 도전 접속 재료를 사용하여 기판의 단자 사이 접속을 실시하였다. 기판의 단자 직경, 인접하는 단자 사이의 중심 거리, 기판 사이의 갭, 기판의 접착 면적에 대한 전극 (패드) 의 면적 점유율 (％) 을 표 2 에 나타냈다.
[참고예 2]
실시예 1 ? 4 와 동일하게 하여 경화성 수지 조성물을 조제하여, 표 2 에 기재된 두께를 갖는 경화성 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 필름상의 경화성 수지 조성물을 60 ℃, 0.3 ㎫, 0.3 m/min 의 조건으로, 표 2 에 나타낸 두께를 갖는 땜납박의 양면에 라미네이트하여, 도전 접속 재료를 제조하였다. 상기 서술한 방법으로 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 를 구하고, 표 2 에 나타냈다. 또한, 기판으로서, FR-4 기재 (두께 0.1 ㎜) 와 회로층 (구리 회로, 두께 12 ㎛) 으로 이루어지고, 구리 회로 상에 Ni/Au 도금 (두께 3 ㎛) 을 실시하여 형성되는 접속 단자 (단자 직경 및 인접하는 단자 사이의 중심 거리는 표 1 에 기재된 바와 같음) 를 외측 가장자리부에 2 열 갖는 것을 사용한 것 이외에는, 상기 실시예 1 ? 4 와 동일한 방법 (상기「(3) 단자 사이 접속」에 기재된 방법) 으로, 얻어진 도전 접속 재료를 사용하여 기판의 단자 사이 접속을 실시하였다. 기판의 단자 직경, 인접하는 단자 사이의 중심 거리, 기판 사이의 갭, 기판의 접착 면적에 대한 전극 (패드) 의 면적 점유율 (％) 을 표 2 에 나타냈다.
실시예, 비교예 및 참고예에서 얻어진 적층체에 있어서 대향하는 단자 사이의 접속 저항, 도통로 형성성 및 도통로 이외의 영역에 잔존하는 땜납 입자의 유무를 후술하는 방법에 의해 평가하였다.
[1] 접속 저항
접속 저항은, 적층체에 있어서 대향하는 단자 사이의 저항을 4 단자법 (저항계 : 이와사키 통신기 (주) 제조의 「디지털 멀티미터 VOA7510」, 측정 프로브 : 히오키 전기 (주) 제조의 「핀형 리드 9771」) 에 의해 12 점 측정하였다. 그 평균값이 30 mΩ 미만인 경우를 「A」, 30 mΩ 이상인 경우를 「B」로 판정하였다.
[2] 도통로 형성성
적층체에 있어서 대향하는 단자 10 세트에 대해, 그 단자 사이의 단면을 주사형 전자 현미경 (SEM) (니혼 전자 (주) 제조의「JSM-7401F」) 으로 관찰하여, 10 세트 전부에 있어서 땜납에 의해 원기둥상의 도통로가 형성되어 있는 경우를 「A」, 1 세트라도 도통로가 형성되어 있지 않은 단자가 존재하는 경우를 「B」, 인접하고 있는 단자와 쇼트 접촉하고 있는 경우를 「C」로 판정하였다.
[3] 잔존 땜납의 유무
적층체의 단면을 주사형 전자 현미경 (SEM) (니혼 전자 (주) 제조, 형번 「JSM-7401F」) 으로 관찰하여, 모든 땜납이 대향하는 단자 사이의 도통로 형성에 기여하고 있는 경우를 「A」, 도통로 형성에 기여하지 않고 대향하는 단자 사이 (도전성 영역) 이외의 수지 (절연성 영역) 중에 땜납이 잔존하고 있는 경우를 「B」로 판정하였다.
결과를 표 1 및 2 에 나타낸다.
Figure pct00007
Figure pct00008
표 1 및 2 에 있어서의 수지 조성물의 성분 및 땜납박은 이하에 나타낸 것을 사용하였다.
(1) 에폭시 수지 : 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 다이닛폰 잉크 화학 공업 (주) 제조의「EPICLON-840S」, 에폭시 당량 185 g/eq
(2) 경화제 : 페놀 노볼락, 스미토모 베이크라이트 (주) 제조의「PR-53647」
(3) 고분자 성분 : 변성 비페놀형 에폭시 수지, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조의「YX-6954」, 중량 평균 분자량 39,000
(4) 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물 : 세바스산, 토쿄 화성 공업 (주) 제조의「세바스산」
(5) 실란 커플링제 : 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 신에츠 화학 공업 (주) 제조의「KBM-303」
(6) 이미다졸 : 2-페닐-4-메틸이미다졸, 시코쿠 화성 공업 (주) 제조의「큐어졸 2P4MZ」
(7) 땜납박 A : Sn/Pb ＝ 63/37 (융점 : 183 ℃), 10 ㎛
(8) 땜납박 B : Sn/Pb ＝ 63/37 (융점 : 183 ℃), 5 ㎛
(9) 땜납박 C : Sn/Pb ＝ 63/37 (융점 : 183 ℃), 50 ㎛
(10) 땜납박 D : Sn/Ag/Cui ＝ 96.5/3.0/0.5 (융점 : 217 ℃), 10 ㎛
(11) 땜납박 E : Sn/Pb ＝ 63/37 (융점 : 183 ℃), 2 ㎛
표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 본원 실시예에서는, 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 원하는 범위인 도전 접속 재료를 사용함으로써 양호한 전기적 접속이 얻어지며, 절연성 영역 중에 땜납이 잔존하지 않고, 높은 절연 신뢰성이 얻어지는 것이 확인되었다. 그러나, 표 2 의 비교예의 결과에 나타낸 바와 같이, 상기 체적비가 지나치게 작거나 지나치게 크거나 하면, 단자 사이의 일부가 도통되지 않거나, 절연성 영역 중에 땜납이 잔존하는 경우가 관찰되었다. 또, 참고예의 결과에 나타낸 바와 같이, 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 원하는 범위여도, 피착체의 접착 면적에 있어서의 전극의 면적 점유율에 따라서는, 양호한 전기적 접속과 절연 신뢰성이 얻어지지 않는 경우가 있었다. 이들 결과로부터, 피착체의 접착 면적에 있어서의 전극의 면적 점유율에 따라 수지 조성물 (A) 와 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 를 원하는 범위로 조정하는 것이 바람직하다고 할 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명의 도전 접속 재료는, 전기, 전자 부품에 있어서 전자 부재 사이를 전기적으로 접속시키거나, 기판 상에 접속 단자를 제조하거나 할 때에 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명의 도전 접속 재료를 사용함으로써, 전자 부재 사이의 양호한 전기적 접속과 높은 절연 신뢰성을 양립시킬 수 있다. 본 발명의 도전 접속 재료를 사용함으로써 미세한 배선 회로에 있어서의 단자 사이 접속도 가능하다. 본 발명의 도전 접속 재료를 사용함으로써, 전자 기기의 고기능화 및 소형화의 요구에도 대응할 수 있다.
10, 20 … 기판
11, 21 … 단자
110 … 금속박
120 … 수지 조성물
130 … 도전성 영역
140 … 절연성 영역

Claims (16)

  1. 수지 조성물 (A) 와, 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 로 구성되는 적층 구조를 갖는 도전 접속 재료로서, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40 인 것을 특징으로 하는 도전 접속 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    대향하는 단자 사이를 전기적으로 접속시키기 위한 도전 접속 재료로서, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 3 ％ 이상 50 ％ 이하인 경우에 사용되는 것인, 도전 접속 재료.
  3. 수지 조성물 (A) 와, 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 로 구성되는 적층 구조를 갖는 도전 접속 재료로서, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 20 ? 500 인 것을 특징으로 하는 도전 접속 재료.
  4. 제 3 항에 있어서,
    대향하는 단자 사이를 전기적으로 접속시키기 위한 도전 접속 재료로서, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 0.1 ％ 이상 3 ％ 미만인 경우에 사용되는 것인, 도전 접속 재료.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물 (A) 가, 중량 평균 분자량 8,000 ? 1,000,000 의 고분자 성분을 함유하는, 도전 접속 재료.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 고분자 성분이, 페녹시 수지, (메트)아크릴계 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 도전 접속 재료.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 고분자 성분의 배합량이, 상기 수지 조성물 (A) 의 전체 중량에 대하여, 5 ? 50 중량％ 인, 도전 접속 재료.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물 (A) 가, 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물을 함유하는, 도전 접속 재료.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물이, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 포함하는, 도전 접속 재료.
    Figure pct00009

    [식 중, n 은 1 ? 20 의 정수이다]
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 페놀성 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 화합물이, 하기 일반식 (2) 및/또는 (3) 으로 나타내는 화합물을 포함하는, 도전 접속 재료.
    [화학식 5]
    Figure pct00010

    [식 중, R1 ? R5 는, 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이고, 단, R1 ? R5 중 적어도 하나는 수산기이다]
    [화학식 6]
    Figure pct00011

    [식 중, R6 ? R20 은, 각각 독립적으로, 1 가의 유기기이고, 단, R6 ? R20 중 적어도 하나는 수산기 또는 카르복실기이다]
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속박의 융점이 100 ℃ ? 330 ℃ 인, 도전 접속 재료.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    수지 조성물층/금속박층/수지 조성물층으로 이루어지는 적층 구조를 포함하는, 도전 접속 재료.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    수지 조성물층/금속박층으로 이루어지는 적층 구조를 포함하는, 도전 접속 재료.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료를, 대향하는 단자 사이에 배치하는 배치 공정과, 상기 금속박의 융점 이상이고 또한 상기 수지 조성물의 경화가 완료되지 않는 온도에서 상기 도전 접속 재료를 가열하는 가열 공정과, 상기 수지 조성물을 경화시키는 경화 공정을 포함하는 단자 사이의 접속 방법으로서,
    상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 3 ％ 이상 50 ％ 이하인 경우, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40 인 도전 접속 재료를 사용하고, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 0.1 ％ 이상 3 ％ 미만인 경우, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 20 ? 500 인 도전 접속 재료를 사용하는, 단자 사이의 접속 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료를, 대향하는 단자 사이에 배치하는 배치 공정과, 상기 금속박의 융점 이상이고 또한 상기 수지 조성물이 연화되는 온도에서 상기 도전 접속 재료를 가열하는 가열 공정과, 상기 수지 조성물을 고화시키는 고화 공정을 포함하는 단자 사이의 접속 방법으로서,
    상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 3 ％ 이상 50 ％ 이하인 경우, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 1 ? 40 인 도전 접속 재료를 사용하고, 상기 단자를 포함하는 피착체의 상기 도전 접속 재료와의 접착 면적에 대한 상기 단자의 면적 점유율이 0.1 ％ 이상 3 ％ 미만인 경우, 상기 도전 접속 재료에 있어서의 수지 조성물 (A) 와 땜납박 또는 주석박에서 선택되는 금속박 (B) 의 체적비 ((A)/(B)) 가 20 ? 500 인 도전 접속 재료를 사용하는, 단자 사이의 접속 방법.
  16. 전자 부재 사이가, 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 도전 접속 재료를 사용하여 전기적으로 접속되어 이루어지는, 전기, 전자 부품.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5813479B2 (ja) * 2011-11-28 2015-11-17 日東電工株式会社 シート状封止組成物及び半導体装置の製造方法
TW201329145A (zh) 2011-11-28 2013-07-16 Nitto Denko Corp 底層充填材料及半導體裝置之製造方法
US9045599B2 (en) 2012-03-28 2015-06-02 Dow Corning Corporation Amphiphilic resin-linear organosiloxane block copolymers
KR20140139902A (ko) * 2013-05-28 2014-12-08 삼성디스플레이 주식회사 이방성 도전 필름 적층체, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR102392995B1 (ko) * 2014-06-05 2022-05-02 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전 페이스트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법
WO2016015188A1 (en) * 2014-07-28 2016-02-04 GM Global Technology Operations LLC Systems and methods for reinforced adhesive bonding
JP2016006205A (ja) * 2015-09-16 2016-01-14 日東電工株式会社 シート状封止組成物及び半導体装置の製造方法
KR101959536B1 (ko) 2016-04-05 2019-03-18 주식회사 아이에스시 이종의 입자가 혼합된 도전성 입자를 포함하는 이방도전성 시트
JP7160302B2 (ja) * 2018-01-31 2022-10-25 三国電子有限会社 接続構造体および接続構造体の作製方法
JP7046351B2 (ja) 2018-01-31 2022-04-04 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7185252B2 (ja) 2018-01-31 2022-12-07 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP2019156912A (ja) * 2018-03-08 2019-09-19 日東電工株式会社 電気剥離型粘着シート、接合体及び接合体の剥離方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276873A (ja) 1985-05-31 1986-12-06 Sony Chem Kk 導電異方性接着剤
US5830949A (en) * 1996-09-26 1998-11-03 Nitto Denko Corporation Adhesive resin composition and adhesive sheet
JPH11135174A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd 厚さ方向導電シート及びその製造方法
JP3769688B2 (ja) 2003-02-05 2006-04-26 独立行政法人科学技術振興機構 端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法
JP2005203693A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Mitsubishi Electric Corp 接続シートおよび実装部品の実装方法
JP2005248164A (ja) * 2004-02-02 2005-09-15 Tamura Kaken Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物およびフィルム付き製品
JP4852893B2 (ja) * 2005-05-31 2012-01-11 住友ベークライト株式会社 プリアプライド用封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP5217260B2 (ja) * 2007-04-27 2013-06-19 住友ベークライト株式会社 半導体ウエハーの接合方法および半導体装置の製造方法
JP2009026700A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性ペーストおよびそれを用いた多層プリント配線板

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