KR20120027159A - 고 종횡비 유전체 에칭을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 챔버 인클로저, 하부 전극, 상부 전극, 가스 주입구, 및 가스 배출구를 포함하는 플라즈마 처리 챔버가 제공된다. 고주파수 무선 주파수 (RF) 전원은 상부 전극 도는 하부 전극 중 적어도 하나에 전기적으로 접속된다. 바이어스 전력 시스템은 상부 전극과 하부 전극 양방 모두에 전기적으로 접속되며, 바이어스 전력 시스템은 상부 전극과 하부 전극에 적어도 500 볼트의 크기를 갖는 바이어스를 제공할 수 있고, 하부 전극으로의 바이어스는 단속적으로 펄스화된다. 가스 소스는 가스 주입구와 유체 연결된다. 제어기는 가스 소스, 고주파수 RF 전원, 및 바이어스 전력 시스템에 제어가능하게 접속된다.

Description

고 종횡비 유전체 에칭을 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR HIGH ASPECT RATIO DIELECTRIC ETCH}
본 발명은 플라즈마를 이용하여 마스크에 의해 정의되는 유전층 (dielectric layer) 을 통해 에칭함으로써 반도체 웨이퍼 상에 구조체를 획득하는 방법에 관한 것이다.
플라즈마-에칭 공정들은 반도체 디바이스들의 제조시에 공통으로 이용된다. 일반적으로 포토레지스트 재료는 에칭될 반도체의 표면상에 피처 (feature) 패턴들을 형성한 후, 웨이퍼를 특정 유형의 에칭 가스에 노출시킴으로써 웨이퍼에 피처들이 에칭된다. 플라즈마 에칭에 있어서 직면한 과제들 중 하나는, 특히 초고밀도 구조체들을 위한 설계 요건들을 충족시킬 필요가 있는 계속 증가하고 있는 종횡비 (aspect ratio) 이다. 반도체 웨이퍼들 상에 피처들을 에칭하는 경우, 에칭된 피처의 종횡비는 피처의 깊이 (d) 와 피처의 폭 (w) 혹은 직경 사이의 비율로서 정의된다. 더 높은 밀도의 구조체들을 생성하기 위해 더 많은 피처들이 단일 피스의 웨이퍼 상에 패킹됨에 따라, 각각의 개별적인 피처의 폭 (w) 혹은 직경은 필연적으로 감소되는 한편, 피처들의 깊이는 변경되지 않은 상태를 유지하거나 증가하게 된다. 따라서, 디바이스 피처가 축소됨에 따라 각각의 개별적인 피처의 종횡비는 증가한다.
초-고 (ultra-high) 종횡비 (UHAR) 에칭 동안의 장애는, 일반적으로, 피처의 최상부 상의 마스크에 의해 정의되는 패턴으로부터의, 피처의 저부 근처에서의 위치, 배향, 형상, 및 크기의 편차들로서 정의되는 비틀림 (twisting) 및 왜곡 (distortion) 이다. 피처의 종횡비가 어떤 임계치에 도달할 때, 피처의 폭은 매우 작은 한편, 특히 피처의 저부 근처에 비틀림이 일어난다. 또한, 이러한 UHAR 에칭들은 종횡비 종속형 에칭 (ARDE: aspect ratio dependent etching) 에 따른다. 이들 장애들은 또한, Ji 등에 의한 "REDUCING TWISTING IN ULTRA-HIGH ASPECT RATIO DIELECTRIC ETCH," 의 명칭으로 2006년 11월 21일에 출원된 미국 특허출원 일련번호 11/562,335 호에 개시되어 있으며, 이 특허출원은 모든 목적들을 위해 참조로 통합되어 있다.
전술한 바를 달성하기 위해 본 발명의 목적에 따라, 유전층에서 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 챔버로서, 플라즈마 처리 챔버 인클로저를 형성하는 챔버 벽, 기판이 지지되는 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 전력을 제공하는 하부 전극, 하부 전극 위에 이격되어 있는 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 전력을 제공하는 상부 전극, 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 가스를 제공하는 가스 주입구, 및 플라즈마 처리 챔버 인클로저로부터 가스를 배기하는 가스 배출구를 포함하는, 플라즈마 처리 챔버가 제공된다. 고주파수 무선 주파수 (RF: radio frequency) 전원이 상부 전극 또는 하부 전극 중 적어도 하나에 전기적으로 접속된다. 바이어스 전력 시스템이, 상부 전극 및 하부 전극에 전기적으로 접속되며, 상부 전극 및 하부 전극에 적어도 500 볼트의 크기를 갖는 바이어스를 제공할 수 있고 상부 전극으로의 바이어스는 2차 전자들을 생성하고 하부 전극으로의 바이어스는 생성된 플라즈마 쉬쓰 (plasma sheath) 를 단속적으로 붕괴시키도록 펄스화 (pulsing) 된다. 가스 주입구와 유체 연결 (fluid connection) 된 가스 소스가 유전체 에칭 가스 소스를 포함한다. 가스 소스, 고주파수 RF 전원, 및 바이어스 전력 시스템에 제어가능하게 접속되는 제어기가 제공된다.
본 발명의 다른 양태에서는 유전층에 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 챔버로서, 플라즈마 처리 챔버 인클로저를 형성하는 챔버 벽, 기판이 지지되는 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 전력을 제공하는 하부 전극, 하부 전극 위에 이격되어 있는 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 전력을 제공하는 상부 전극, 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 가스를 제공하는 가스 주입구, 및 플라즈마 처리 챔버 인클로저로부터 가스를 배기하는 가스 배출구를 포함하는, 플라즈마 처리 챔버가 제공된다. 고주파수 무선 주파수 (RF) 전원이 상부 전극 또는 하부 전극 중 적어도 하나에 전기적으로 접속된다. 바이어스 전력 시스템이, 상부 전극 및 하부 전극 양방 모두에 전기적으로 접속되며, 저주파수 RF 소스, 및 상부 전극과 하부 전극 사이에서 교호로 스위칭하기 위해 저주파수 RF 소스와 상부 전극 및 하부 전극 사이에 전기적으로 접속되는 스위치를 포함한다. 가스 주입구와 유체 연결된 가스 소스가 유전체 에칭 가스 소스를 포함한다. 제어기가 가스 소스, 고주파수 RF 전원, 및 바이어스 전력 시스템에 제어가능하게 접속된다.
본 발명의 다른 양태에서, 플라즈마 처리 챔버 내에서의 기판 위의 유전층 내에 고 종횡비 피처들을 에칭하는 방법이 제공된다. 상부 전극 및 하부 전극과 함께 플라즈마 처리 챔버 내에 기판이 배치되며, 기판은 하부 전극 위에 배치되고, 상부 전극은 하부 전극과 기판 위에 이격되어 있다. 에칭 가스가 플라즈마 처리 챔버 내에 제공된다. 상부 전극과 하부 전극 사이에서, 플라즈마 처리 챔버 내에 플라즈마가 형성된다. 상부 전극에 적어도 500 볼트의 바이어스를 제공하여 2차 전자들을 형성한다. 유전층을 에칭하기 위해 하부 전극에 적어도 500 볼트의 펄스화된 바이어스가 제공된다.
이하에서는, 본 발명의 상세한 설명에서 그리고 이하의 도면들과 관련하여, 본 발명의 이들 특징들 및 다른 특징들을 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 첨부 도면들의 특징들에 있어서 제한적이 아니라 예시적으로 도시되어 있으며, 동일한 참조 번호들은 유사한 엘리먼트들을 의미한다.
도 1 은 에칭 공정의 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2c 는 창의적인 공정 및 장치를 이용하여 피처들을 형성하는 것에 대한 개략적인 도면이다.
도 3 은 본 발명을 실시할 때에 사용될 수도 있는 장치의 개략적인 도면이다.
도 4a 및 도 4b 는 본 발명의 실시할 때에 사용될 수도 있는 컴퓨터 시스템의 개략적인 도면이다.
도 5a 및 도 5b 는 본 발명의 실시 동안에 상이한 상태들에서의 시스템에 대한 개략적인 도면이다.
도 6 은 본 발명의 실시시에 사용될 수도 있는 다른 장치의 개략적인 도면이다.
이제, 첨부 도면들에 도시된 바와 같은 본 발명의 몇몇 바람직한 실시형태들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 이하의 설명에서, 수많은 특정 상세 내용들은 본 발명에 대한 철저한 이해를 제공하기 위해 기재된 것이다. 그러나, 이들 특정 상세 내용들의 일부 또는 전부를 이용하지 않고도 본 발명이 실시될 수도 있음은, 당업자에게 자명할 것이다. 다른 경우들에 있어서, 주지된 공정 단계들 및/또는 구조들은 본 발명을 쓸데없이 불명료하게 하지 않기 위해 상세히 설명하지는 않았다.
하기의 것에 의해 제한되지 않길 바라면서, 비틀림은 잠정적으로 초-고 종횡비 (UHAR) 피처에서의 비대칭 에칭의 결과라는 것이라고 이론적으로 상정된다. 피처 종횡비가 증가함에 따라 비대칭적인 에칭에 기여하는 몇몇 메커니즘들이 존재한다. 주 메커니즘은 UHAR 피처들의 저부 근방에서의 입사 이온 궤도의 비대칭적인 편향이다. 이방성의 반응성 이온 에칭 (RIE: reactive ion etch) 은, 노출된 유전체 표면들과 플라즈마로부터의 반응성 중성 라디칼들 및 이온들 사이에서의 복합적인 반응들의 결과이다. 피처의 저부로의 중성종 (neutral species) 의 플럭스는 크누센 확산 및 피처 측벽들로의 종의 점착 계수 (sticking coefficient) 에 의해 제공된다. 유전체 에칭에서 공통으로 사용되는 플루오르카본 라디칼들은, 통상적으로 높은 점착 계수를 가지므로, 피처의 저부로의 플럭스는 피처의 종횡비 (AR) 에 강하게 의존한다.
피처의 AR 이 (통상적으로 10 대 1 보다 더 크게) 증가함에 따라, 피처의 저부에 도달하는 중성 플럭스들은 크게 감소되며, 에칭 반응들을 더 이상 유도할 수 없다. 고 종횡비 특히 초-고 종횡비 (통상적으로 10 대 1 보다 크고 특히 15 대 1 보다 큼) 에서, 에칭 반응들은 피처의 저부로의 이온 플럭스들에 의해 유도된다. 피처의 저부로의 이온 플럭스들은, 차동 충전 (differential charging) 으로 인한, 플라즈마 이온 밀도, 이온 에너지 분포, 및 피처의 저부 전위에 의해 지배된다. 이온들은 먼저 플라즈마 쉬쓰에 걸친 전기장에 의해 가속된다. 쉬쓰 전기장은 벌크 플라즈마 전위 및 웨이퍼 표면 전위에 의해 결정되고, 쉬쓰 전기장은 인가된 무선 주파수 (RF) 장들에 의해 유도된다. 본 발명은 초-고 종횡비 피처들을 제공할 수 있지만, 본 발명은 또한 감소된 왜곡, 비틀림, 및 ARDE 를 이용하여 10 대 1 보다 큰 AR 을 갖는 고 종횡비를 제공할 수도 있다.
진보적인 플라즈마 에처 (etcher) 들에서, 다수의 무선 주파수가 플라즈마를 유도하는 데에 사용된다. 예를 들어, "소스 고주파수 (HF) 무선 주파수 (RF) 전력" 으로도 알려진 27 메가 헤르쯔 (MHz) 및/또는 60 MHz RF 전력은 플라즈마 밀도를 유지하는 데에 사용되는 한편, "저주파수 (LF) 또는 바이어스 RF 전력" 으로도 알려진 2 MHz RF 전력은 플라즈마 쉬쓰 전위를 유도하는 데에 사용된다. 웨이퍼의 상부 표면에서, RF 사이클 도중에 플라즈마 쉬쓰가 붕괴되는 경우, 순간적인 전자 플럭스에 의해 전하 균형이 달성된다. 그러나, 전자 흐름들은 방향성이 없으므로, UHAR 피처들의 저부에 효율적으로 도달할 수 없다. 그 결과, UHAR 피처들의 저부는 RF 사이클 동안 잔여 포지티브 전하들을 축적한다. 이것을 차동 충전이라고 한다.
차동 충전은 UHAR 피처의 저부에서의 전위 증가를 초래하며, 이는 UHAR 피처 저부로의 입사 이온들을 지체시키거나 편향시킨다. 차동 충전은 또한 AR 이 증가함에 따라, 종횡비 의존성 에칭 (ARDE) 으로서 주지된 현상인 에칭 레이트의 감속 (slowing down) 을 초래한다. 다시 말하면, 입사 에너지가 차동 충전 전위보다 낮은 경우, 이온들은 편향된다. 반면에, 입사 에너지가 차동 충전 전위보다 높은 경우, 이온들은 감속되지만 편향되지는 않아서, 초-고 종횡비에서 더 낮은 에칭 레이트를 초래한다. 차동 충전이 초-고 종횡비에서 폴리머 잔류물들 또는 전하들의 소정의 랜덤한 우선적인 빌드업으로 인해 비대칭인 경우, 이온 편향은 비대칭이 된다. 비대칭 이온 편향은 소정의 랜덤한 방향에서의 비대칭 에칭을 초래하므로, 에칭 프론트 (etch front) 는 비대칭이 된다. 이것은 피드 포워드 (feed forward) 메커니즘인바, 비대칭 에칭 프론트는 비대칭 차동 충전을 강화시키며, 비대칭 에칭 프론트를 더욱 전파하는 등등을 들 수 있다. 그 결과, UHAR 에칭에서 비틀림이 발생한다.
도 1 은 본 발명의 실시형태의 고 레벨 흐름도이다. 이 실시형태에서, 패턴화된 유기 마스크가 유전층 위에 형성된다 (단계 104). 도 2a 는, 그 위에 패턴화된 마스크 (204) 가 형성된 유전층 (208) 이 위에 배치된 기판 (210) 의 개략적인 단면도이다. 기판 (웨이퍼) (210) 와 유전층 (208) 사이에 하나 이상의 중간층들이 배치될 수도 있다. 하나 이상의 중간층들은, 반사 방지 코팅과 같이, 유전층 (208) 및 패턴화된 마스크 (204) 사이에 배치될 수도 있다.
기판 (210) 은 플라즈마 처리 챔버에 배치된다 (단계 106). 도 3 은 본 발명의 바람직한 실시형태에서 사용될 수도 있는 플라즈마 처리 챔버 (300) 에 대한 개략도이다. 이 실시형태에서, 플라즈마 처리 챔버 (300) 는 한정 링들 (confinement rings) (302), 상부 전극 (304), 하부 전극 (308), 가스 소스 (310), 및 배기 펌프 (320) 를 포함한다. 상부 전극 (304) 및 하부 전극 (308) 은 평행 평판 (parallel plate) 전극들이다. 가스 소스 (310) 는 제 1 가스 소스 (312), 제 2 가스 소스 (314), 및 제 3 가스 소스 (316) 를 포함할 수도 있다. 플라즈마 처리 챔버 (300) 내에서, 기판 (210) 은 하부 전극 (308) 상에 위치결정된다. 하부 전극 (308) 은, 하부 전극 (308) 위에 기판 (210) 을 유지하기 위한 적합한 기판 척킹 메커니즘 (chucking mechanism) (예컨대, 정전기, 기계적 클램핑 (mechanical clamping) 등) 을 포함한다. 반응기 상부 (328) 는 하부 전극 (308) 의 바로 맞은 편에 배치된 상부 전극 (304) 을 포함한다. 상부 전극 (304), 하부 전극 (308), 및 한정 링들 (302) 은, 한정된 (confined) 플라즈마 체적 (340) 을 정의한다. 가스는, 가스 주입구 (343) 를 통해 가스 소스 (310) 에 의해, 한정된 플라즈마 체적에 공급되고, 배기 펌프 (320) 에 의해 한정 링들 (302) 및 배기 포트를 통해 한정된 플라즈마 체적 (340) 으로부터 배기된다. 배기 펌프 (320) 는 플라즈마 처리 챔버용 가스 배출구를 형성한다. 제 1 HF RF 소스 (344) 는 상부 전극 (304) 에 전기적으로 접속된다. 제 2 HF RF 소스 (348) 는 하부 전극 (308) 에 전기적으로 접속된다. 이 애플리케이션에서, 고주파수 (HF) RF 는 10 MHz 보다 큰 주파수를 갖는 것으로 정의된다. 챔버 벽들 (352) 은 한정 링들 (302), 상부 전극 (304), 및 하부 전극 (308) 이 배치되는 플라즈마 인클로저 (enclosure) 를 정의한다. 제 1 HF RF 소스 (344) 및 제 2 HF RF 소스 (348) 양방 모두는 60 MHz 전원 및 27 MHz 전원을 포함할 수도 있다. HF RF 전력을 전극에 접속하는 상이한 조합들이 가능하다. 제어기 (335) 는 제 1 HF RF 소스 (344), 제 2 HF RF 소스 (348), 배기 펌프 (320), 제 1 가스 소스 (312) 에 접속된 제 1 제어 밸브 (337), 제 2 가스 소스 (314) 에 접속된 제 2 제어 밸브 (339), 및 제 3 가스 소스 (316) 에 접속된 제 3 제어 밸브 (341) 에 제어가능하게 접속된다. 가스 주입구 (343) 는 가스 소스들 (312, 314, 316) 로부터 플라즈마 처리 인클로저로 가스를 제공한다. 샤워 헤드가 가스 주입구 (343) 에 접속될 수도 있다. 가스 주입구 (343) 는 각각의 가스 소스를 위한 단일의 주입구 또는 각각의 가스 소스 혹은 다른 가능한 조합들을 위한 복수의 주입구들일 수도 있다. 캘리포니아 프리몬트의 LAM Research Corporation™ 에 의해 제조된 변형 Flex-45 유전체 에처는, 본 발명의 바람직한 실시형태에서 사용될 수도 있다. 변형예들 중 하나는, 제 1 HF RF 소스 (344) 및 제 2 HF RF 소스 (348) 가 저주파수 RF 를 제공하지 않는다는 점이다. 대신에, 별개의 LF RF 소스 (366) 가 제공되어, 스위치 (362) 에 접속되고, 상부 전극 (304) 및 하부 전극 (308) 에 접속된다. 스위치 (362) 및 LF RF 소스 (366) 는 제어기 (335) 에 제어가능하게 접속된다.
도 4a 및 도 4b 는 제어기 (335) 로서 사용하기에 적합한 컴퓨터 시스템 (400) 을 도시하고 있다. 도 4a 는 제어기 (335) 로 사용될 수도 있는 컴퓨터 시스템의 한 가지 가능한 물리적 형태를 나타낸다. 물론, 컴퓨터 시스템은 집적 회로, 인쇄 회로 기판 (printed circuit board) 및 소형 핸드헬드 디바이스로부터 대형 슈퍼 컴퓨터까지의 범위에 걸쳐서 많은 물리적 형태들을 가질 수도 있다. 컴퓨터 시스템 (400) 은 모니터 (402), 디스플레이 (404), 하우징 (406), 디스크 드라이브 (408), 키보드 (410) 및 마우스 (412) 를 포함한다. 디스크 (414) 는 컴퓨터 시스템 (400) 으로 및 컴퓨터 시스템 (400) 으로부터 데이터를 전송하는 데에 사용되는 컴퓨터 판독가능 매체이다.
도 4b 는 컴퓨터 시스템 (400) 에 대한 블록도의 예이다. 다양한 서브시스템이 버스 (420) 에 부착된다. 프로세서(들) (중앙 처리 장치 또는 CPU 로도 지칭되는) (422) 는 메모리 (424) 를 포함하는 저장 디바이스들에 커플링된다. 메모리 (424) 는 랜덤 액세스 메모리 (RAM) 및 판독 전용 메모리 (ROM) 를 포함한다. 당업계에서 주지된 바와 같이, ROM 은 데이터 및 명령을 CPU 로 단-방향으로 전송하도록 동작하며 RAM 은 데이터 및 명령들을 양-방향으로 전송하는 데에 통상적으로 사용된다. 이들 양 유형의 메모리들은 후술하는 임의의 적합한 컴퓨터 판독가능 매체를 포함할 수도 있다. 고정식 디스크 (426) 는 또한 양-방향으로 CPU (422) 에 커플링되는바, 이것은 추가적인 데이터 저장 용량을 제공하고 또한 후술하는 컴퓨터 판독가능 매체들 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 고정식 디스크 (426) 는 프로그램, 데이터 등을 저장하는데 사용될 수도 있고, 통상적으로 주 기억 장치보다 느린 보조 기억 장치 (이를테면, 하드 디스크) 이다. 적절한 경우, 고정식 디스크 (426) 내에 보유된 정보는 메모리 (424) 에서의 가상 메모리로서 표준 방식으로 통합될 수도 있다는 것은 자명할 것이다. 착탈식 디스크 (414) 는 후술하는 임의의 컴퓨터 판독가능 매체의 형태를 취할 수도 있다.
CPU (422) 는 또한 디스플레이 (404), 키보드 (410), 마우스 (412), 및 스피커 (430) 와 같은 다양한 입력/출력 디바이스들에 커플링될 수도 있다. 일반적으로, 입력/출력 디바이스는, 비디오 디스플레이, 트랙 볼 (track ball), 마우스, 키보드, 마이크로폰, 터치-감지 디스플레이, 트랜스듀서 카드 판독기 (transducer card reader), 자기 또는 종이 테이프 판독기, 태블릿 (tablet), 스타일러스 (styluses), 음성 또는 필적 인식기, 생체 인식 판독기, 혹은 다른 컴퓨터 중 어느 하나일 수 있다. CPU (422) 는 선택적으로 네트워크 인터페이스 (440) 를 사용하여 다른 컴퓨터 또는 전기 통신 네트워크에 커플링될 수도 있다. 이러한 네트워크 인터페이스를 사용하여, 전술된 방법 단계들을 수행하는 도중에, CPU 는 네트워크로부터 정보를 수신하거나 네트워크로 정보를 출력할 수도 있다는 것이 고려된다. 게다가, 본 발명의 방법 실시형태는 CPU (422) 상에서 단독으로 실행하거나 프로세싱의 일부를 공유하는 원격 CPU 와 결합되어 인터넷과 같은 네트워크를 통해 실행될 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시형태는 나아가 다양한 컴퓨터-구현 동작들을 수행하는 컴퓨터 코드를 갖는 컴퓨터 판독가능 매체를 구비한 컴퓨터 저장 제품들에 관한 것이다. 매체 및 컴퓨터 코드는 본 발명의 목적을 위해 특별히 설계되고 구성된 것일 수도 있고, 또는 컴퓨터 소프트웨어 기술 분야의 당업자에게 주지되고 이용가능한 것일 수도 있다. 유형적인 컴퓨터 판독가능 매체의 예들은, 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체; CD-ROM 및 홀로그래픽 디바이스 (holographic devive) 와 같은 광학 매체; 플롭티컬 디스크 (floptical disk) 와 같은 광-자기 매체; 및 주문형 집적 회로 (ASIC), 프로그램가능 논리 장치 (PLD) 및 ROM 및 RAM 디바이스들과 같이 프로그램 코드를 저장 및 실행하도록 특별히 구성된 하드웨어 디바이스들을 포함하지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 컴퓨터 코드의 예들로는, 이를테면 컴파일러에 의해 생성되는 머신코드, 및 인터프리터를 사용하여 컴퓨터에 의해 실행되는 더 높은 레벨 코드를 포함하는 파일들을 포함한다. 컴퓨터 판독가능 매체는 또한 반송파로 구현된 컴퓨터 데이터 신호에 의해 전송되며 프로세서에 의해 실행가능한 명령들의 시퀀스를 나타내는 컴퓨터 코드일 수도 있다.
에칭 가스는 가스 소스 (310) 로부터 가스 주입구 (343) 를 통해 플라즈마 처리 챔버 (300) 로 제공된다 (단계 108). 에칭 가스는 플라즈마로 형성된다 (단계 110). 바람직한 실시형태에서, 제 1 HF RF 소스 (344) 또는 제 2 HF RF 소스 (348) 는 상부 전극 또는 하부 전극 (304, 308) 중 적어도 하나에 HF RF 전력을 제공하고, 에칭 가스를 플라즈마로 형성한다.
적어도 500 볼트의 쉬쓰 전압을 제공하는 바이어스가 상부 전극 (304) 에 인가되어, 2차 전자 (secondary electron) 들을 형성한다 (단계 112). 적어도 500 볼트의 고 바이어스는 플라즈마의 이온들로 하여금 상부 전극과 충돌하게 하여, 바이어스에 의해 상부 전극 (304) 으로부터 떨어져서 가속되는 2차 전자들을 생성한다.
적어도 500 볼트의 크기를 갖는 펄스화된 전압 진폭을 제공하는 펄스화된 바이어스가 하부 전극에 제공되며, 바이어스는 에칭층의 에칭을 초래하고 바이어스의 제거는 플라즈마 쉬쓰로 하여금 붕괴되게 한다 (단계 116). 도 5a 는 적어도 500 볼트의 바이어스 전압이 하부 전극 (308) 에 인가되는 경우의 플라즈마 처리 챔버 (300) 에 대한 단순화된 도면이다. 본 발명에 대한 보다 명확한 이해를 허용하기 위해, 플라즈마 처리 챔버 (300) 의 컴포넌트들의 많은 부분들이 도시되어 있지 않다. 이 예에서, LF RF 소스가 LF RF 바이어스 전압을 상부 전극 (304) 이 아닌 하부 전극 (308) 에 제공하도록 스위치 (362) 가 설정된다. 하부 전극 (308) 으로의 바이어스는 하부 전극 (308) 상에 네거티브 바이어스 전압을 배치한다. 네거티브 바이어스 전압은, 벌크 플라즈마로 하여금 상부 전극에 더 근접하게 배치되게 하는 하부 전극 위의 큰 쉬쓰를 초래한다. 이 네거티브 바이어스 전압은 포지티브 이온들을 하부 전극 (308) 으로 가속한다. 가속된 포지티브 이온들은 유전층을 에칭한다. 하부 전극 (308) 상의 네거티브 바이어스 전압은 플라즈마 쉬쓰 (504) 에서의 전자들을 하부 전극 (308) 으로부터 밀어내어 떨어뜨린다 (repel). 도 2b 는 적어도 500 볼트의 바이어스가 하부 전극 (308) 에 인가된 경우, 기판 (210) 의 개략적인 단면도이다. 포지티브 이온들은 하부 전극 (308) 상의 네거티브 이온들에 의해 유전층의 부분 에칭된 비아들로 가속되고, 이에 의해 비아들의 에칭이 초래된다. 이온 (212) 은 비아들 (214) 의 저부를 에칭하는 데에 사용되는 이러한 이온의 예이다. 비아들 (214) 의 저부를 충돌하여 에칭하는 포지티브로 충전된 이온들은 포지티브 전하로 하여금 비아들의 저부에서 빌드업하게 하며, 에칭된 층은 유전체이므로 비아들 (214) 의 저부에서 플러스 부호들로 나타난다. 이온 (216) 은 비아의 저부에서의 포지티브 전하에 의해 편향되는 이온을 나타낸다. 포지티브 전하는 비아의 벽으로의 이온 (216) 의 편향을 야기하는 힘을 제공한다. 편향된 이온 (216) 은 비아의 벽으로 하여금 에칭되게 하고, 이것은 비아의 비틀림 및 왜곡에 기여한다.
도 5b 는 상부 전극 (304) 에 적어도 500 볼트의 바이어스 전압이 인가되는 경우의 플라즈마 처리 챔버 (300) 에 대한 단순화된 도면이다. 이 예에서, 스위치 (362) 는 LF RF 소스가 하부 전극 (308) 이 아닌 상부 전극 (304) 에 LF RF 바이어스 전압을 제공하도록 설정된다. 상부 전극 (304) 으로의 바이어스는 네거티브 바이어스 전압을 상부 전극 (304) 에 배치하며, 이로 인해 포지티브 이온들이 상부 전극 (304) 으로 가속된다. 가속된 포지티브 이온들은 상부 전극 또는 상부 전극 (304) 근처의 층을 충돌하여, 2차 전자들을 생성한다. 상부 전극 (304) 상의 네거티브 바이어스 전압은 플라즈마 쉬쓰 (504) 를 통해 2차 전자들을 가속시키고 밀어낸다. 네거티브 바이어스 전압은 상부 전극 (304) 에서의 쉬쓰 두께를 증가시키며, 이것은 벌크 플라즈마로 하여금 하부 전극 (308) 에 더 근접하게 배치되게 한다. 도 2c 는 상부 전극 (304) 에 적어도 500 볼트의 바이어스가 인가되는 경우, 기판 (210) 의 개략적인 단면도이다. 포지티브 이온들은 상부 전극 (304) 상의 네거티브 이온들에 의해 상부 전극 (304) 또는 인접하는 층으로 가속되고, 이것은 상부 전극 (304) 으로 하여금 상부 전극 (304) 로부터 떨어져 유전층 (208) 으로 가속되는 2차 전자들을 생성하게 한다. 2차 전자 (224) 는 비아들 (214) 의 저부로 가속되는 이러한 2차 전자의 예이다. 포지티브로 충전된 비아들 (214) 의 저부는 2차 전자들 (224) 을 비아들 (214) 의 저부로 가속하고, 이에 의해 비아들 (214) 의 저부에서 포지티브 전하가 감소된다. 바람직한 실시형태는, 플라즈마 쉬쓰를 통과하여 비아들에 도달하기에 충분한 에너지 및 플럭스를 갖는 2차 전자들을 제공하기 위해, 적어도 500 볼트의 바이어스를 사용한다. 일단 2차 전자들이 피처들의 비아들에 도달하면, 피처들의 비아들의 저부에서의 포지티브 전하는 2차 전자들을 피처들의 비아들의 저부로 가속한다. 이 실시형태에서, HF RF 소스들은 상부 전극 및 하부 전극 사이에서 교호되지 않는다.
비아들의 저부들에서의 포지티브 전하가 감소되는 경우, 스위치 (362) 는 도 5a 에 나타낸 바와 같은 위치로 복귀할 수 있고, 포지티브 이온들은 감소된 편향을 이용하여 계속 에칭하는 데에 사용되어, 비틀림, 왜곡 및 종횡비 의존성 에칭 (ARDE) 을 감소시킬 수 있다. 이 스위칭 프로세스는 에칭이 완료될 때까지 계속될 수도 있다.
몇몇 실시형태들에서는 상부 전극으로의 바이어스가 펄스화 또는 스위칭되지 않지만, 상기 바람직한 실시형태에서는, 기판 위의 플라즈마 쉬쓰가 붕괴되고 유전층이 에칭되지 않을 때에, 2차 전자들이 계속 생성될 수 있으므로, 바이어스의 교호는 상부 전극으로 하여금 2차 전자들을 생성하게만 한다. 이것은, 항상은 아니지만 대신에 필요에 따라 상부 전극을 스퍼터링하지 않는 것에 의해, 상부 전극 상의 마모를 감소시킨다.
다른 실시형태들은 별개의 바이어스 소스들을 갖는 것에 의해 바이어싱을 교호할 수도 있지만, 바람직하게는, 스위치 및 단일 LF RF 소스의 사용은 최소의 LF RF 소스들의 요건을 참작한다.
이 실시형태에서, 에칭 가스를 제공하는 것은 가스를 플라즈마로 형성하기 전에 시작할 수도 있지만, 때로는, 에칭 가스를 제공하는 것, 에칭 가스를 플라즈마로 형성하는 것 및 교호 바이어스를 제공하는 것이 동시에, 즉 일제히 일어난다.
각종 실시형태들
상기 실시형태에서, LF RF 소스 (366), 스위치 (362) 및 스위치 (362) 사이에서의 접속들은, 상부 전극 및 하부 전극 양방 모두에 전기적으로 접속되는 바이어스 전력 시스템을 형성하고, 바이어스 전력 시스템은 적어도 500 볼트의 상부 전극 및 하부 전극에 바이어스를 제공할 수 있고, 상부 전극으로의 바이어스는 2차 전자들을 생성하고 하부 전극으로의 바이어스는 생성된 플라즈마 쉬쓰를 2차 전자들을 이용하여 단속적으로 붕괴시키도록 펄스화된다. 이러한 시스템의 다른 실시형태들이 제공될 수도 있다. 예를 들어, 도 6 은 상부 전극 (304) 에 접속된 제 1 저주파수 RF 바이어스 소스 (670) 및 하부 전극 (308) 에 접속된 제 2 저주파수 RF 바이어스 소스 (666) 를 갖는 바이어스 전력 시스템을 갖는 플라즈마 프로세스 챔버 (300) 의 다른 실시형태를 도시하고 있다. 제 1 펄스 소스 (674) 는 제 1 저주파수 바이어스 소스 (670) 에 접속되어 제 1 저주파수 RF 바이어스 소스 (670) 로부터의 신호를 펄스화한다. 제 2 펄스 소스 (662) 는 제 2 저주파수 바이어스 소스 (674) 에 접속되어 제 2 저주파수 RF 바이어스 소스 (666) 로부터의 신호를 펄스화한다. 이 실시형태에서, 제 1 LF RF 바이어스 소스 (670) 로부터의 신호가 펄스화된다. 바람직하게는, 이러한 펄스화는 상부 전극과 하부 전극 사이에 교호 바이어스를 생성하지만, 다른 펄스 체계들이 사용될 수도 있다. 다른 실시형태에서, 바이어스들이 스위칭되지 않더라도, 상부 전극 바이어스의 펄스화는 하부 전극 바이어스의 펄스화의 주파수와 동일한 주파수를 가지며, 바이어싱들이 완전히 동시에 발생하는 것은 아니다.
때로는, 에칭 가스를 제공하는 것, 에칭 가스를 플라즈마로 형성하는 것, 및 바이어스를 펄스화하는 것은, 얼마 동안 함께 일어난다는 점에서 중첩되는 것이 바람직하다. 이와 달리, 제 1 LF RF 로부터의 신호는 펄스화되지 않는다. 다른 실시형태에서, LF RF 바이어스 소스들 중 하나 이상은 적어도 500 볼트의 DC 바이어스로 치환될 수도 있다. 이 명세서에서, 저주파수 RF 는 10 MHz 보다 작은 주파수를 갖는 RF 이다.
다른 실시형태에서, 단일의 LF RF 소스는 상부 전극 및 하부 전극 양방 모두에 접속된다. 스위치는 LF RF 소스 및 하부 전극 사이에서 접속되고, 하부 전극에 펄스화된 바이어스를 제공한다. 다른 실시형태에서, 일 스위치는 LF RF 소스와 상부 전극 사이에서 사용되는 한편 일 스위치는 LF RF 소스와 하부 전극 사이에서 사용되는 2개의 스위치들이 사용된다. 바람직하게는, 스위치들은 때로는 상부 전극이 바이어스를 가지는 한편 하부 전극은 바이어스를 갖지 않도록 타이밍화된다. 다른 실시형태에서, 2개의 스위치들에 대해 단일의 정교한 스위치가 사용될 수도 있다.
HF RF 소스들의 각종 구성들은 상이한 실시형태들에서 사용될 수도 있다. 일 실시형태에서, HF RF 소스는 상부 전극이 아닌 하부 전극에 접속된다. 이러한 경우, 상부 전극은 접지에 대한 낮은 임피던스를 가질 수도 있다. 다른 실시형태에서는, HF RF 는 하부 전극이 아닌 상부 전극에 접속된다.
본 발명의 바람직한 실시형태들은 에칭을 통해 초-고 종횡비를 제공한다. 바람직하게는, 본 발명의 피처에 대한 초-고 종횡비 (UHAR) 는 깊이 대 폭이 15 대 1 보다 큰 것으로 정의된다. 보다 바람직하게는, 본 발명의 피처에 대한 UHAR 은 적어도 20 대 1 로 정의된다. 또한, 바람직하게는, 본 발명은 300 나노미터 (nm) 이하의 폭을 갖는 유전층에서의 에칭 피처들에 적용된다. 보다 바람직하게는, 본 발명은 200 nm 이하의 폭을 갖는 유전체에서의 에칭 피처들에 적용된다. 가장 바람직하게는, 본 발명은 150 nm 이하의 폭을 갖는 유전체에서의 에칭 피처들에 적용된다.
다른 실시형태들은 상부 전극에 162 MHz 신호를 제공하는 HF RF 소스, 및 하부 전극에 13.56 MHz 신호를 제공하는 다른 HF RF 소스를 가질 수도 있다. 다른 실시형태는 상부 전극에 60 MHz 신호를 제공하는 HF RF 소스를 제공할 수도 있다. 다른 실시형태는, 하부 전극에 40 MHz 신호를 제공하는 HF RF 소스 및 하부 전극에 4 MHz 신호를 제공하는 LF RF 소스 및 상부 전극에 인가된 DC 바이어스를 제공할 수도 있다.
실시예
본 발명의 예에서, 유전층은 산화규소 기반일 수도 있으며, 유전층은, 주로, 더 작은 양의 다른 유형들의 기판이 혼합되어 있는 산화규소로 형성된다. 보다 바람직하게는, 유전층은 유기실리케이트 유리와 같은 로우-k 유전체 (low-k dielectric) 이다. 다른 실시형태에서, 유전층은 유기 유전층이다.
산화규소 기반의 유전체 에칭의 예시적인 방법에서, 에칭 챔버 압력은 30 밀리-토르 (mTorr) 이다. 에칭 가스는 150 sccm (standard cubic centimeters per minute) 의 아르곤 (Ar), 4 sccm 의 C4F6, 18 sccm 의 C4F8, 17 내지 25 sccm 의 산소 (O2) 를 포함한다. HF RF 전력은 27 MHz 의 주파수에서 2000 와트 (W) 이다. LF RF 전력은 2 MHz 의 주파수에서 4000 W 이다. LF RF 전력은 상부 전극과 하부 전극 사이에서 교호된다. 상부 전극과 하부 전극으로 전달된 2 Mhz 전력은 동일한 크기에 있지 않을 수도 있고 최적의 결과들로 조정될 수 있다.
바람직하게는 LF RF 전력은 10 Hz 내지 100 kHz 의 스위칭 주파수에서 교호된다. 대신에, 하부 전극으로의 바이어스 전력이 펄스화되는 경우에는, 바이어스 전력은 10 Hz 내지 100 kHz 의 주파수로 펄스화되는 것이 바람직하다.
본 발명은 몇 개의 바람직한 실시형태의 관점에서 설명되었지만, 본 발명의 범위 내에 속하는 변경, 치환 및 각종 균등물이 존재한다. 본 발명의 방법 및 장치를 구현하는 많은 대체 방법들이 존재한다는 것에 유념해야 한다. 따라서, 이하에 첨부된 청구항은 본 발명의 진정한 요지 및 범위 내에 속하는 변경, 치환 및 각종 균등물을 포함하는 것으로 해석되는 것으로 의도된다.

Claims (19)

  1. 유전층에 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치로서,
    플라즈마 처리 챔버로서,
    플라즈마 처리 챔버 인클로저를 형성하는 챔버 벽;
    기판이 지지되는 상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 전력을 제공하는 하부 전극;
    상기 하부 전극 위에 이격되어 있는 상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 전력을 제공하는 상부 전극;
    상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 가스를 제공하는 가스 주입구; 및
    상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저로부터 가스를 배기하는 가스 배출구를 포함하는, 상기 플라즈마 처리 챔버;
    상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 하나에 전기적으로 접속되는 고주파수 무선 주파수 (RF: radio frequency) 전원;
    상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 전기적으로 접속되는 바이어스 전력 시스템으로서, 상기 바이어스 전력 시스템은 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 적어도 500 볼트의 크기를 갖는 바이어스를 제공할 수 있고, 상기 상부 전극으로의 바이어스는 2차 전자들을 생성하고, 상기 하부 전극으로의 바이어스는 생성된 플라즈마 쉬쓰를 상기 2차 전자들을 이용하여 단속적으로 붕괴시키도록 펄스화 (pulsing) 되는, 상기 바이어스 전력 시스템;
    유전체 에칭 가스 소스를 포함하는, 상기 가스 주입구와 유체 연결 (fluid connection) 된 가스 소스; 및
    상기 가스 소스, 상기 고주파수 RF 전원, 및 상기 바이어스 전력 시스템에 제어가능하게 접속되는 제어기를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 바이어스 전력 시스템은,
    바이어스 전원; 및
    상기 바이어스 전원을 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 교호로 접속하는 스위치를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 바이어스 전원은 저주파수 RF 전원인, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    프로세서; 및
    컴퓨터 판독가능 매체로서,
    상기 유전체 에칭 가스 소스로부터 상기 플라즈마 처리 챔버 내로 유전체 에칭 가스를 제공하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드;
    상기 고주파수 RF 전원으로부터 전력을 제공하여 상기 에칭 가스를 에칭 플라즈마로 형성하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 및
    상기 바이어스 전원을 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 교호로 접속하도록 상기 스위치를 스위칭하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드를 포함하는, 상기 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 스위치를 스위칭하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드는 10 Hz 내지 100 kHz 사이의 주파수로 스위칭을 수행하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    프로세서; 및
    컴퓨터 판독가능 매체로서,
    상기 유전체 에칭 가스 소스로부터 상기 플라즈마 처리 챔버 내로 유전체 에칭 가스를 제공하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드;
    상기 고주파수 RF 전원으로부터 전력을 제공하여 상기 에칭 가스를 에칭 플라즈마로 형성하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 및
    상기 바이어스를 상기 하부 전극으로 펄스화하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드를 포함하는, 상기 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    펄스화된 바이어스 전력을 상기 하부 전극에 제공하기 위한 상기 컴퓨터 판독가능 코드는, 상기 펄스화된 바이어스 전력을 10 Hz 내지 100 kHz 사이의 주파수로 제공하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극으로의 바이어스는 상기 하부 전극으로의 상기 펄스화된 바이어스 전력의 주파수와 동일한 주파수로 펄스화되는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 바이어스 전력 시스템은,
    상기 상부 전극에 전기적으로 접속되는 제 1 바이어스 소스;
    상기 제 1 바이어스 소스에 전기적으로 접속되는 제 1 펄스 소스;
    상기 하부 전극에 전기적으로 접속되는 제 2 바이어스 소스; 및
    상기 제 2 바이어스 소스에 전기적으로 접속되는 제 2 펄스 소스를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 평행 평판 전극들인, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  11. 유전층에 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치로서,
    플라즈마 처리 챔버로서,
    플라즈마 처리 챔버 인클로저를 형성하는 챔버 벽;
    기판이 지지되는 상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 전력을 제공하는 하부 전극;
    상기 하부 전극 위에 이격되어 있는 상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 전력을 제공하는 상부 전극;
    상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저에 가스를 제공하는 가스 주입구; 및
    상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저로부터 가스를 배기하는 가스 배출구를 포함하는, 상기 플라즈마 처리 챔버;
    상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 하나에 전기적으로 접속되는 고주파수 무선 주파수 (RF: radio frequency) 전원;
    상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 양방 모두에 전기적으로 접속되는 바이어스 전력 시스템으로서,
    저주파수 RF 소스; 및
    상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에서 교호로 스위칭하기 위해, 상기 저주파수 RF 소스와 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 전기적으로 접속되는 스위치를 포함하는, 상기 바이어스 전력 시스템;
    유전체 에칭 가스 소스를 포함하는, 상기 가스 주입구와 유체 연결 (fluid connection) 된 가스 소스; 및
    상기 가스 소스, 상기 고주파수 RF 전원, 및 상기 바이어스 전력 시스템에 제어가능하게 접속되는 제어기를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    프로세서; 및
    컴퓨터 판독가능 매체로서,
    상기 유전체 에칭 가스 소스로부터 상기 플라즈마 처리 챔버 내로 유전체 에칭 가스를 제공하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드;
    상기 고주파수 RF 전원으로부터 전력을 제공하여 상기 에칭 가스를 에칭 플라즈마로 형성하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 및
    바이어스 전원을 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 교호로 접속하도록 상기 스위치를 스위칭하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드를 포함하는, 상기 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 스위치를 스위칭하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드는, 10 Hz 내지 100 kHz 사이의 주파수로 스위칭을 수행하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 평행 평판 전극들인, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 장치.
  15. 플라즈마 처리 챔버 내에서의 기판 위의 유전층 내에 고 종횡비 피처들을 에칭하는 방법으로서,
    상부 전극 및 하부 전극과 함께 상기 플라즈마 처리 챔버 내에 상기 기판을 배치하는 단계로서, 상기 기판은 상기 하부 전극 위에 배치되고, 상기 상부 전극은 상기 하부 전극과 상기 기판 위에 이격되어 있는, 상기 기판을 배치하는 단계;
    에칭 가스를 상기 플라즈마 처리 챔버 내에 제공하는 단계;
    상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에서, 상기 플라즈마 처리 챔버 내에 플라즈마를 형성하는 단계;
    상기 상부 전극에 적어도 500 볼트의 바이어스를 제공하여 2차 전자들을 형성하는 단계; 및
    상기 유전층을 에칭하기 위해 상기 하부 전극에 적어도 500 볼트의 펄스화 (pulsing) 된 바이어스를 제공하는 단계를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 상부 전극에 바이어스를 제공하는 단계는, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에서 바이어스가 교호되도록, 상기 상부 전극으로의 바이어스를 펄스화하는 단계를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 상부 전극에 바이어스를 제공하는 단계는 상기 상부 전극에 저주파수 RF (radio frequency) 전력을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 하부 전극에 바이어스를 제공하는 단계는 상기 하부 전극에 저주파수 RF 전력을 제공하는 단계를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 상부 전극에 바이어스를 제공하는 단계 및 상기 하부 전극에 바이어스를 제공하는 단계는, 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에서 바이어스를 스위칭하는 단계를 포함하는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 스위칭은 10 Hz 내지 100 kHz 사이의 주파수로 수행되는, 고 종횡비 피처들을 에칭하는 방법.
KR1020117024876A 2009-04-24 2010-04-15 고 종횡비 유전체 에칭을 위한 방법 및 장치 KR101703366B1 (ko)

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