KR20120024356A - 고온 작동을 위한 산화아연 서지 어레스터 - Google Patents

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Abstract

고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터는 그의 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층이 전체 입자 경계 층에서 10-85 mol%를 차지하는 BaTiO3 -기초의 정 온도 계수 서미스터 재료를 포함하며, 상승하는 온도에 의해 야기된 입자 경계 층에 있는 성분들의 저항의 감소를 보상하거나 부분적으로 보상하고 그에 의해 온도로부터 더 독립적인 ZnO 서지 어레스터에 있는 입자 경계 층의 저항을 생성하도록, 작동 온도가 상승할 때에, 입자 경계 층에 있는 정 온도 계수 서미스터 재료는 상승하는 온도와 함께 급격하게 증가하는 그의 저항을 가지는 것을 특징으로 한다. 그러므로 ZnO 서지 어레스터는 최대 작동 온도가 125℃보다 더 높거나, 심지어는 150℃보다 더 높은 작동에 적합하다.

Description

고온 작동을 위한 산화아연 서지 어레스터{ZINC-OXIDE SURGE ARRESTER FOR HIGH-TEMPERATURE OPERATION}
본 발명은 산화아연 서지 어레스터들에 관한 것이며, 특히, 최대 작동 온도가 125℃보다 더 높은 작동 환경에 적용할 수 있는 ZnO 서지 어레스터에 관한 것이다.
ZnO 서지 어레스터는 임피던스 소자의 저항이 전압들과 비선형적으로 변하는 임피던스 소자이며, 고온에서 Bi2O3, Sb2O3, CaO, Cr2O3, Co2O3 및 MnO와 같은 금속 산화물 첨가제들과 함께 소결 세라믹으로 소결되는 산화아연 분말로 주로 만들어진다. 재료의 소결 특성들을 향상시키기 위해, 소량의 SiO2가 또한 첨가될 수 있다.
이와 같은 ZnO 서지 어레스터는 우수한 비옴 특성들(non-ohmic characteristics)과 양호한 서지 흡수 능력을 가지며, 동시에 바람직한 비선형의 I-V 특성 커브를 가진다. 전압이 낮을 때에 그의 저항이 높고, 전압이 높을 때에, 그의 저항이 급격하게 감소하므로, 이는 또한 배리스터로 언급된다.
ZnO 서지 어레스터들은 종종 지나치게 높은 과도 전압들에 의해 야기된 손상이나 간섭으로부터 전자 회로들을 보호하기 위해 사용된다. 정상적인 작동 상태들에서, 대기 상태에 있는 서지 어레스터는 그가 보호하는 전자 부품들에 대해 높은 임피던스(메그옴들)를 보이며, 그에 따라 전류가 서지 어레스터를 통과하는 대신에 설계된 통로를 따라 진행하게 하며, 그에 의해 회로 특성들을 설계된 대로 유지한다. 서지 어레스터의 항복 전압보다 더 높은 과도 전압 서지의 경우에, 서지 어레스터는 서지 전압이 단락과 같은 상태에서 서지 어레스터를 통과하도록 허용하여, 그에 의해 전류를 접지 소자들로 션팅함으로써, 전자 제품들 또는 비싼 회로 부품들이 서지에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해, 몇 옴까지 낮아진 그의 임피던스를 가진다.
전압 안정화와 서지 흡수를 위해 일반적인 정보 기기들에 적용되는 이 서지 어레스터들은 일반적으로 약 85℃까지의 최대 작동 온도를 견딘다. 그러나, 전자 제품들과 통신 기기들의 빠른 발전으로 인해, 서지 어레스터들의 내열성에 대한 요건들이 더 엄격해지고 있다. 예를 들면, 자동차를 위한 ABS(앤티록식 브레이크 시스템), 에어백들 또는 파워 스티어링 휠들의 전자 회로들에 적용되는 서지 어레스터들은 125℃보다 더 높거나, 심지어는 150℃보다 더 높은 작동 온도에서 작용해야 한다. 그럼에도 불구하고, 최신의 기술에서, 150℃에서 작동할 수 있는 어떤 ZnO 서지 어레스터도 제안되지 않고 있다.
게다가, 기존의 ZnO 서지 어레스터들의 소결 세라믹에서, ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층은 일반적으로 온도가 상승하면 그의 저항이 감소하는 NTC(부 온도 계수) 서미스터 재료들로 만들어지며, 기존의 ZnO 서지 어레스터들의 작동 온도가 상승할 때에, 기존의 ZnO 서지 어레스터들의 입자 경계 층의 재료들에 있는 전류 캐리어들이 더 높은 이동도로 움직인다. 작동 전압의 충격으로, 기존의 ZnO 서지 어레스터는 항복 전압, 저항과 비선형 지수의 감소, 및 누설 전류의 증가를 보이며, 그에 따라 약화된다. 결과적으로, ZnO 서지 어레스터는 소손될 수 있다.
그러므로, 125℃보다 더 높은 작동 온도에서 적용할 수 있는 ZnO 서지 어레스터를 가지는 것이 바람직하다. 그러므로 본 발명은, 작동 온도가 상승할 때에, PTC 서미스터 재료가 상승된 온도로 인해 감소된 입자 경계 층에 있는 종래의 재료들의 저항을 보상하거나 부분적으로 보상하기 위해 급격하게 증가된 그의 저항을 가지도록, ZnO 서지 어레스터에 있는 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층에 PTC (정 온도 계수) 서미스터 재료를 추가하는 해결방안을 제안한다. 그에 의해, ZnO 서지 어레스터에 있는 입자 경계 층은, 고온 작동에 견딜 수 있는 능력이 있는 ZnO 서지 어레스터를 상당하게 개선하기 위해, 온도로부터 더 독립적인 그의 저항을 가질 수 있다.
이를 위해, 본 발명의 하나의 주목적은 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터를 개시하는 것이며, 이의 제조에 있어서, PTC (정 온도 계수) 서미스터 재료는, 입자 경계 층에 있는 부 온도 계수 서미스터 재료들과 PTC 서미스터 재료 사이의 상호 저항-온도 상쇄를 위해, ZnO 서지 어레스터에 있는 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층에 추가된다. 상승된 온도에 의해 야기된 입자 경계 층에 있는 서미스터 재료들의 감소된 저항을 보상하거나 부분적으로 보상하고, 그에 의해 ZnO 서지 어레스터가 높은 작동 전압 하에서 증가된 누설 전류와 감소된 항복 전압을 가지는 것을 방지하기 위해, 작동 온도가 상승할 때에, PTC 서미스터 재료는 급격하게 증가된 그의 저항을 가진다. 특히, 125℃보다 더 높거나 150℃보다 더 높은 작동 온도에서, ZnO 서지 어레스터는 정상 작동이 보장된다.
본 발명의 다른 주목적은 ZnO 입자들 및 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층으로 구성된 소결 세라믹 구조를 가지는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터를 개시하는 것이며, 입자 경계 층은 ZnO 서지 어레스터가 심지어는 150℃보다 더 높은 작동 온도에서도 정상적으로 계속 작동하도록 PTC (정 온도 계수) 서미스터 재료를 포함한다.
정 온도 계수 서미스터 재료는 다결정질, 유리질 BaTiO3 또는 BaTiO3-도핑 SrTiO3로 이루어진 그룹으로부터 선택된다
정 온도 계수 서미스터 재료는 반도체 변형 및 큐리 점(큐리 온도)의 조절을 허용하는 희토류 이온들을 포함할 수 있다. 희토류 이온들은 Li+1, Ca+2, Mg+2, Sr+2, Ba+2, Sn+4, Mn+4, Si+4, Zr+5, Nb+5, Al+3, Sb+3, Bi+3, Ce+3 및 La+3로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함한다
정 온도 계수 서미스터 재료는 입자 경계 층에서 10-85 mol%를 차지한다.
그러므로, 본 발명에 의하면, ZnO 서지 어레스터는 최대 작동 온도가 125℃보다 더 높거나, 심지어는 150℃보다 더 높은 작동에 적합한 효과를 갖는다.
도 1은 상이한 온도들 하에서 본 발명의 예 1과 비교 예 1의 저항 변동을 그래프로 보여준다.
본 발명은 종래의 고온 세라믹 소결 공정을 통해 만들어지고, 디스크 타입, 칩 타입 또는 링 타입일 수 있으며, 가변저항 및 서지-흡수 특성들을 가지고 고온 작동에 적용할 수 있는 ZnO 서지 어레스터를 제공한다.
본 발명의 ZnO 서지 어레스터는 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층에 PTC (정 온도 계수) 서미스터 재료를 가지기 때문에 고온에 견디며, PTC 서미스터 재료가 입자 경계 층에서 10-85mol%를 차지하는 소결 세라믹을 포함한다.
거기에서, 소결 세라믹의 ZnO 입자들은 소결을 통해 ZnO 분말에 의해 형성되거나 Bi2O3, Sb2O3, CaO, Cr2O3, Co2O3 또는 MnO와 같은 금속 산화물 첨가제들로 도핑된 ZnO에 의해 형성된다. 개시된 ZnO 서지 어레스터는 바람직하게는 97 mol/%의 ZnO 입자들을 포함하는 그의 소결 세라믹을 가진다. 게다가, 소결 세라믹 내의 ZnO 입자들과 소결 입자 경계 층 내의 소결 충전 또는 유리 분말의 중량비가 100: 2-100: 30이다.
입자 경계 층 내의 PTC (정 온도 계수) 서미스터 재료는 다결정질, 유리질 BaTiO3 또는 BaTiO3-도핑 SrTiO3로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
BaTiO3는 바륨과 티탄에 기초를 둔 산화물이며, BaCO3와 이산화 티탄으로부터 만들어질 수 있다. 유사하게, SrTiO3는 SrCO3 및 이산화 티탄으로부터 만들어질 수 있다. 게다가, 반도체 변형을 촉진하고 소결 후의 PTC 서미스터 재료의 저항이 상당히 증가하는 온도 한계치(즉. 큐리 점 또는 큐리 온도)를 설정하기 위해, 반도체 변형과 큐리 점(또는 큐리 온도)의 조절을 허용하는 희토류 이온들이 추가될 수 있다. 희토류 이온들은 Li+1, Ca+2, Mg+2, Sr+2, Ba+2, Sn+4, Mn+4, Si+4, Zr+5, Nb+5, Al+3, Sb+3, Bi+3, Ce+3 및 La+3로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함한다
ZnO 서지 어레스터의 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층이 BaTiO3-기초의 PTC 서미스터 재료를 포함하므로, 상승된 온도에 의해 야기된 입자 경계 층 내의 부 온도 계수 (NTC) 서미스터 재료의 저항의 감소된 부분을 보상하거나 부분적으로 보상하도록, 작동 온도가 상승할 때에, 입자 경계 층 내의 BaTiO3-기초의 성분의 저항이 급격하게 증가한다. 이와 같은 온도-저항 상호 상쇄는 ZnO 서지 어레스터가 고온 작동에서 증가된 누설 전류와 감소된 항복 전압을 가지지 않는 것을 보장한다. 그러므로, 최대 작동 온도가 125℃보다 더 높거나, 160℃와 180℃ 사이와 같이, 150℃보다 더 높은 작동에서, ZnO 서지 어레스터는 계속 정상적으로 작동하며 국부적인 열적 손상 또는 용융의 위험으로부터 자유롭다.
몇몇의 예들이 본 발명의 ZnO 서지 어레스터가 고온 작동에 적용될 수 있다는 것을 증명하기 위해 아래에서 설명될 것이다. 그러나, 본 발명의 범위는 주어진 예들에 한정되지 않는다.
예 1:
1. ZnO 서지 어레스터의 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층에 대한 재료는 화학적 공침법을 사용하여 준비되었다. 입자 경계 층 내의 성분들의 조성과 비율들이 아래의 표 1에 보여진다.
성분 Bi2O3 Sb2O3 MnO Co2O3 SiO2 BaO SnO2 TiO2
mol % 1 1 1 1 1 2.2 0.9 3.1
이론적인 계산에 따르면, 이 예의 ZnO 서지 어레스터에 대한 BaTiO3-기초의 PTC 서미스터 재료는 전체 입자 경계 층에서 55.4 mol%를 차지한다.
2. 침전물은 정제수로 세척되고 잘 혼합되었다. 그 다음에 ZnO 분말이 약 20: 100 (중량)의 비로 추가되었고 균일하게 혼합되었다. 혼합물이 230℃에서 건조되고 그 다음에 760℃에서 3 시간 동안 베이킹되었다. 베이킹의 산물로서의 분말은 2미크론보다 더 작은 평균 직경을 가지는 입자들로 분쇄되었다.
3. 8-층 프린트 내부 전극이 다층 배리스터들을 만들기 위한 종래의 기술들로 만들어졌고, 그 다음에 규격 1812의 다층 배리스터를 생산하기 위해 소결되었다. 그 결과로 생긴 다층 배리스터의 전기적 특성들이 상이한 온도들 하에서 측정되었고 표 2에 도시되며, 그의 저항이 도 1에 반영된다.
상이한 온도들 하의 전기적 특성들
온도
℃		 정 저항
(㏁)		 부
항복
전압
(V1mA)		 비선형
계수
(α)		 IL
(㎂)		 항복
전압
(V1mA)		 비선형
계수
(α)		 IL
(㎂)
25 48.11 36.69 3.4 >200.00 48.21 38.15 3.3
50 48.23 37.10 3.9 163.00 48.33 38.60 3.8
75 48.53 38.65 8.9 59.00 48.40 39.50 8.7
100 48.80 38.80 14.0 13.80 48.90 39.70 15.0
125 48.90 36.60 19.6 7.80 48.93 37.80 19.1
150 49.10 28.10 41.9 2.80 49.30 29.00 43.0
160 49.20 25.50 56.9 2.00 49.32 25.40 57.1
170 49.30 18.40 77.1 1.30 49.40 18.10 77.6
180 49.30 11.20 99.2 0.90 49.40 11.30 101.2
190 49.25 7.36 131.9 0.60 49.40 7.35 131.0
200 49.08 4.39 168.9 0.44 49.30 4.50 171.1
25℃까지냉각 48.23 36.89 3.3 >200.00 48.40 38.10 3.3
표 2에 따르면, 이 예의 다층 배리스터는 160℃까지 매우 높은 비선형 계수(α)와 낮은 누설 전류를 보였다. 결과들은 이 예의 다층 배리스터가 160℃까지의 작동 온도를 견딘다는 것을 증명한다.
예 2:
1. ZnO 서지 어레스터의 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층에 대한 재료는 졸-겔 법을 사용하여 준비되었다. 입자 경계 층 내의 성분들의 조성 및 비율들이 아래의 표 3에 보여진다.
성분 BaO Ce2O3 SrO SnO2 TiO2 B2O3 Bi2O3 SiO2 Sb2O3 Co2O3
mol% 1 0.005 0.5 0.095 1.7 3 1.3 1.9 1 1
이론적인 계산에 따르면, 이 예의 ZnO 서지 어레스터에 대한 BaTiO3-기초의 PTC 서미스터 재료는 전체 입자 경계 층에서 28.7 mol%를 차지한다.
2. 얻어진 겔은 이후에 분쇄되는 분말을 건조하기 위해 230℃에서 건조되었다. 분쇄된 분말은 정제수로 5회 세척되었고 그 다음에 건조되었다. ZnO 분말이 약 20: 100(중량)의 비로 건조된 분말에 추가되었고 정제수로 균일하게 혼합되었다. 혼합물이 230℃에서 건조되었고 그 다음에 760℃에서 3 시간 동안 베이킹되었다. 베이킹의 산물로서의 분말이 2미크론보다 더 작은 평균 직경을 가지는 입자들로 분쇄되었다.
3. 이와 같이 준비된 분말은 8mm x 1mm의 크기의 둥근 케이크로 압축되었다. 케이크는 디스크-타입 배리스터로 소결되었다. 디스크-타입 배리스터의 전기적 특성들이 상이한 온도들에서 측정되었고 표 4에 보여진다.
상이한 온도들 하의 전기적 특성들
온도
℃		 정 저항
(㏁)		 부
항복
전압
(V1mA)		 비선형
계수
(α)		 IL
(㎂)		 항복
전압
(V1mA)		 비선형
계수
(α)		 IL
(㎂)
25 1078 64.22 8.8 >200 1084 62.89 8.5
50 1078 64.22 6.6 >200 1083 61.27 5.3
75 1078 64.22 7.3 >200 1083 59.73 6.0
100 1079 61.12 8.3 >200 1082 61.27 8.8
125 1079 59.59 13.6 >200 1081 58.17 13.2
150 1078 52.88 24.0 120 1080 53.02 22.9
175 1076 37.00 43.4 61 1077 37.00 44.9
190 1073 22.47 66.6 26 1075 21.18 67.9
200 1071 13.71 91.6 11 1071 13.64 88.4
25℃까지냉각 1078 64.34 8.5 >200 1083 63.17 8.7
표 4에 따르면, 이 예의 디스크-타입 배리스터는 175℃까지 매우 높은 비선형 계수(α)와 낮은 누설 전류를 보였다. 결과들은 이 예의 디스크-타입 배리스터가 175℃까지의 작동 온도를 견딘다는 것을 증명한다.
비교 예:
1. ZnO 서지 어레스터의 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층에 대한 재료가 화학적 공침 법을 사용하여 준비되었다. 입자 경계 층에 있는 성분들의 조성과 비율들이 아래의 표 5에 보여진다.
성분 Bi2O3 Sb2O3 MnO Co2O3 SiO2
mol % 1 1 1 1 1
2. 침전물이 정제수로 세척되고 잘 혼합되었다. 그 다음에 ZnO 분말이 약 20: 100(중량)의 비율로 추가되고 균일하게 혼합되었다. 혼합물이 230℃에서 건조되고 그 다음에 760℃에서 3시간 동안 베이킹되었다. 베이킹의 산물로서의 분말이 2미크론보다 더 작은 평균 직경을 가지는 입자들로 분쇄되었다.
3. 8-층 프린트 내부 전극이 다층 배리스터들을 만들기 위한 종래의 기술로 만들어지고, 그 다음에 규격 1812의 다층 배리스터를 생산하기 위해 소결되었다. 그 결과로 생긴 다층 배리스터의 전기적 특성들이 상이한 온도들 하에서 측정되었고 표 6에 보여지며, 그의 저항이 도 1에 반영된다.
상이한 온도들 하의 전기적 특성들
온도
℃		 정 저항
(㏁)		 부
항복
전압
(V1mA)		 비선형
계수
(α)		 IL
(㎂)		 항복
전압
(V1mA)		 비선형
계수
(α)		 IL
(㎂)
25 44.91 23.98 36.2 24.000 44.81 24.01 35.9
50 44.57 19.90 51.0 9.000 44.43 20.10 49.0
75 44.47 9.15 114.0 2.760 44.51 9.25 109.0
100 43.80 5.60 192.0 1.180 43.70 5.50 188.0
125 42.60 3.70 302.0 0.540 42.40 3.70 300.0
150 38.90 2.54 452.0 0.210 38.90 2.55 462.0
160 37.00 2.20 499.0 0.158 37.30 2.10 507.0
170 34.20 1.90 550.0 0.111 34.50 1.90 554.0
180 31.20 1.70 586.0 0.078 31.60 1.70 587.0
190 27.80 1.45 617.0 0.055 27.90 1.51 613.0
200 24.50 1.34 657.0 0.039 24.60 1.33 660.0
25℃까지냉각 44.88 24.35 35.5 25.000 44.88 24.12 36.0
결론
1. 비교 예는 ZnO 서지 어레스터의 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층에 BaTiO3-기초의 성분이 없을 경우, ZnO 서지 어레스터가 온도가 상승할 때에 저항의 급격한 감소, 누설 전류의 증가 및 비선형 계수(α)의 감소를 보인다는 것을 증명한다. 온도가 100℃에 도달한 때에, 항복 전압이 감소되고 비선형 계수(α)가 급격하게 감소되어, ZnO 서지 어레스터가 작동하지 못하게 한다.
2. 예 1과 예 2를 비교하여, ZnO 서지 어레스터의 입자 경계 층이 다결정질이거나 유리질인 BaTiO3-기초의 성분을 포함하는 한, ZnO 서지 어레스터의 작동 온도는 160℃까지 상승될 수 있다는 것을 알게 된다.
BaTiO3를 ZnO 서지 어레스터의 입자 경계 층에 추가함으로써, ZnO 서지 어레스터의 내열성이 개선될 수 있으며, 그 이유는 PTC 특성들을 가지는 추가된 BaTiO3-기초의 성분이 온도가 상승하면 급격하게 증가되는 그의 저항을 가질 수 있으며, 이와 같은 증가는 온도 상승에 의해 야기된 입자 경계 층에 있는 부 온도 계수 재료들의 저항 감소를 상쇄할 수 있기 때문이다.
그러므로, 동일한 온도에서, 예 1과 예 2의 ZnO 서지 어레스터들의 저항들은 BaTiO3의 첨가가 없는 ZnO 서지 어레스터의 저항보다 더 높으며, 그러므로 예 1과 예 2의 ZnO 서지 어레스터들은 고온 작동에 적합하다.
3. 예 1에 대하여, 온도가 200℃일 때에, ZnO 서지 어레스터의 항복 전압이 높게 유지되었다. 온도가 180℃일 때에, 비선형 계수(α)는 10보다 더 높게 유지되었다. 예 2에 대하여, 온도가 200℃일 때에, ZnO 서지 어레스터의 비선형 계수(α)는 10보다 더 높게 유지되었으며, ZnO 서지 어레스터는 배리스터로서 계속 작동했다. 그러므로, 예 1과 예 2의 ZnO 서지 어레스터들은 150℃보다 더 높은 작동 온도의 작동 환경에 매우 적합하다.

Claims (8)

  1. ZnO 입자들과 상기 ZnO 입자들 사이의 입자 경계 층으로 이루어지는 소결 세라믹을 포함하며, 상기 입자 경계 층은 상기 입자 경계 층에서 10-85 mol%를 차지하는 PTC (정-온도-계수) 서미스터 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소결 세라믹은 97 mol/%의 상기 ZnO 입자들을 포함하며, 상기 ZnO 입자들과 상기 입자 경계 층의 소결을 위한 소결 충전 또는 유리 분말 사이의 중량비는 100: 2-100: 30인 것을 특징으로 하는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 PTC 서미스터 재료는 BaTiO3 또는 BaTiO3-도핑 SrTiO3인 것을 특징으로 하는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 PTC 서미스터 재료는 다결정질 또는 유리질 정-온도-계수 서미스터 재료인 것을 특징으로 하는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 BaTiO3는 Li+1, Ca+2, Mg+2, Sr+2, Ba+2, Sn+4, Mn+4, Si+4, Zr+5, Nb+5, Al+3, Sb+3, Bi+3, Ce+3 및 La+3로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들의 이온들에 의해 도핑되는 것을 특징으로 하는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 ZnO 서지 어레스터는 125℃보다 더 높은 최대 작동 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 ZnO 서지 어레스터는 150℃보다 더 높은 최대 작동 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 ZnO 서지 어레스터는 160℃과 180℃ 사이의 최대 작동 온도를 가지는 것을 특징으로 하는 고온 작동을 위한 ZnO 서지 어레스터.
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