JPS61220305A - チタン酸バリウム系半導体の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体の製造方法Info
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- JPS61220305A JPS61220305A JP60062675A JP6267585A JPS61220305A JP S61220305 A JPS61220305 A JP S61220305A JP 60062675 A JP60062675 A JP 60062675A JP 6267585 A JP6267585 A JP 6267585A JP S61220305 A JPS61220305 A JP S61220305A
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- barium titanate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、正温度係数（ＰＴＣ）特性に優れたチタン酸
バリウム系半導体の製造方法に関するものである。
バリウム系半導体の製造方法に関するものである。
チタン酸ｔ＜ ｌ ラム（ＢａＴｉ０． ）にＹ 、
Ｌａ 、 ８ｂ等の３価の金属あるいはＮｂ、Ｔα等の
５価の金属を微量添加したチタン酸バリウム系半導体は
。
Ｌａ 、 ８ｂ等の３価の金属あるいはＮｂ、Ｔα等の
５価の金属を微量添加したチタン酸バリウム系半導体は
。
キュリ一点（Ｔ、＄３）以上の温度でその抵抗率（ｐ）
が急激に増加する。いわゆる正温度係数（ＰＴＣ）特性
を示す。この特性を利用して、該半導体は電流制御装置
、あるいは自己制御機能を有するヒーター等に使用され
ている。
が急激に増加する。いわゆる正温度係数（ＰＴＣ）特性
を示す。この特性を利用して、該半導体は電流制御装置
、あるいは自己制御機能を有するヒーター等に使用され
ている。
最近では、更に上記装置の応答性の改良や小型化のため
に、室温抵抗率（ρｒ、ｔ）が小さく、かつ過電流ある
いは過昇温時に電流を制限ないし実質的に遮断するため
にＴｃ以上の温度での抵抗率が大きい半導体が望まれて
いる。即ち、ρｒ、ｔができるだけ小さく、シかもρｍ
αＸ／ρｒ、ｔ （ρｍαＸはＴｃ以上の温度での抵抗
率の最大値）の比ができるだけ大きいＰＴＣ特性を有す
るものが要求されている。
に、室温抵抗率（ρｒ、ｔ）が小さく、かつ過電流ある
いは過昇温時に電流を制限ないし実質的に遮断するため
にＴｃ以上の温度での抵抗率が大きい半導体が望まれて
いる。即ち、ρｒ、ｔができるだけ小さく、シかもρｍ
αＸ／ρｒ、ｔ （ρｍαＸはＴｃ以上の温度での抵抗
率の最大値）の比ができるだけ大きいＰＴＣ特性を有す
るものが要求されている。
従来、優れたＰＴＣ特性の半導体を得ようとする試みと
して、前記３価または５価の金属を含む半導体化剤の添
加量の調整、あるいは焼成温度の調整による方法がとら
れてきたが、これらの方法ではρｒ、ｔが充分に低いも
のを得ることがむずかしい。
して、前記３価または５価の金属を含む半導体化剤の添
加量の調整、あるいは焼成温度の調整による方法がとら
れてきたが、これらの方法ではρｒ、ｔが充分に低いも
のを得ることがむずかしい。
また・ρｒ、ｔを低下させるために半導体の原料成分の
焼成を中性ないし還元性雰囲気で行なう方法もあるが、
この方法ではρｒ、ｔは低下するものの、同時に高温咳
での抵抗率も低くなり、ＰＴＯ特性は消失してしまう。
焼成を中性ないし還元性雰囲気で行なう方法もあるが、
この方法ではρｒ、ｔは低下するものの、同時に高温咳
での抵抗率も低くなり、ＰＴＯ特性は消失してしまう。
更にＭｎ叫等のイオンを形成する物質を半導体の原料成
分に添加して、２ｍ４ｘの大きいものを得ようとする方
法もあるが、添加量の極く微量の変化がρｒ、ｔを大き
く変化させてしまうため、添加量の調整が非常に困難で
める。
分に添加して、２ｍ４ｘの大きいものを得ようとする方
法もあるが、添加量の極く微量の変化がρｒ、ｔを大き
く変化させてしまうため、添加量の調整が非常に困難で
める。
本発明は、上記従来の問題点を克服して、 ＦＴＯ特性
に優れたチタン酸バリウム系半導体を容易に製造する方
法を提供しようとするものである。
に優れたチタン酸バリウム系半導体を容易に製造する方
法を提供しようとするものである。
本発明のチタン酸バリウム系半導体の製造方法は、チタ
ン酸バリウムと半導体化剤とから成る原料成分にナイロ
ンを添加し、これを焼成することを特徴とするものであ
る。
ン酸バリウムと半導体化剤とから成る原料成分にナイロ
ンを添加し、これを焼成することを特徴とするものであ
る。
本発明において、チタン酸バリウムｆｉ 、 ＢａＴｉ
０１の構造式で表わされ、半導体の本体を成すものであ
る。また、半導体化剤は、このチタン酸バリウムに微量
添加され２通常絶縁体であるチタン酸バリウムの抵抗を
下げて、半導体化させるものである。
０１の構造式で表わされ、半導体の本体を成すものであ
る。また、半導体化剤は、このチタン酸バリウムに微量
添加され２通常絶縁体であるチタン酸バリウムの抵抗を
下げて、半導体化させるものである。
該半導体化剤としては、イツトリウム（Ｙ）。
ランタン（Ｌａ）、アンチモン（ｓｂ ）等の３価の金
属あるいはニオブ（Ｎｂ）、タンク／Ｉ／（Ｔａ ）等
の５価の金属を有する化合物の通常使用されている半導
体化剤である。例えば、３価の金属を有するものとして
は、 Ｙ、Ｏ，、Ｌａ、ｏ、 、 ８ｂ、Ｏ，等カ挙げ
られ、これらのうちの１種または２種以上を使用する。
属あるいはニオブ（Ｎｂ）、タンク／Ｉ／（Ｔａ ）等
の５価の金属を有する化合物の通常使用されている半導
体化剤である。例えば、３価の金属を有するものとして
は、 Ｙ、Ｏ，、Ｌａ、ｏ、 、 ８ｂ、Ｏ，等カ挙げ
られ、これらのうちの１種または２種以上を使用する。
また５価の金属を有するものとしては。
Ｎｂ＊ Ｃ）ａ 、 ’ｌ’ｉ、 Ｑ等が挙げられ、こ
れらのうちの１種または２種以上を使用する。上記半導
体化剤の配合量は、一般的に半導体を形成する場合の配
合量の範囲でよいが、好ましくはチタン酸バリウムに対
してＣ１，２〜α４原子％の半導体化剤を配合するのが
、室温抵抗率の低い半導体を得るためによい。
れらのうちの１種または２種以上を使用する。上記半導
体化剤の配合量は、一般的に半導体を形成する場合の配
合量の範囲でよいが、好ましくはチタン酸バリウムに対
してＣ１，２〜α４原子％の半導体化剤を配合するのが
、室温抵抗率の低い半導体を得るためによい。
チタン酸バリウムと半導体化剤とを単に混合することに
より原料成分を形成してもよく、するいは、チタン酸バ
リウムは、 Ｂａ 、 Ｔｉを含む炭酸塩。
より原料成分を形成してもよく、するいは、チタン酸バ
リウムは、 Ｂａ 、 Ｔｉを含む炭酸塩。
酸化物、あるいは有機化合物９例えばＢａＣ０，とＴｉ
０１、ＢａＴｉ０（Ｃ翼０４）意・４几Ｏ等を出発物質
として。
０１、ＢａＴｉ０（Ｃ翼０４）意・４几Ｏ等を出発物質
として。
これを加熱することによシ得られるものであり。
該出発物質と半導体化剤とを混合し、・これに仮焼等を
施すことによりｋＴｉＯ，と半導体化剤とが混合した本
発明にかかる原料成分を形成してもよい。
施すことによりｋＴｉＯ，と半導体化剤とが混合した本
発明にかかる原料成分を形成してもよい。
このチタン酸バリウムと半導体化剤とから成る原料成分
は粉末状のものでも、ｔた予め所望の形状に成形したも
のでもよい。
は粉末状のものでも、ｔた予め所望の形状に成形したも
のでもよい。
本発明では、上記原料成分にナイロンを添加する。添加
するナイロンは、一般にポリアミドと総称されるもので
あり９例えば６−ナイロン、へ６−ナイロン、１２−ナ
イロン等であり、これらの単独、共重合体あるいはその
変性したものなどいずれでもよい。またその形態は微粉
末、フィルム状あるいは溶媒に溶解した溶液等いずれで
もよいが、その中でも作業の容品性より微粉末もしくは
溶液が望ましい。
するナイロンは、一般にポリアミドと総称されるもので
あり９例えば６−ナイロン、へ６−ナイロン、１２−ナ
イロン等であり、これらの単独、共重合体あるいはその
変性したものなどいずれでもよい。またその形態は微粉
末、フィルム状あるいは溶媒に溶解した溶液等いずれで
もよいが、その中でも作業の容品性より微粉末もしくは
溶液が望ましい。
、前記原料成分にナイロンを添加する工程としては、ナ
イロンが均一に混合する方法であれば、いずれの方法で
もよい。例えば、原料成分が粉末状である場合、所定量
のナイロンを、アルコール類。
イロンが均一に混合する方法であれば、いずれの方法で
もよい。例えば、原料成分が粉末状である場合、所定量
のナイロンを、アルコール類。
ギ酸、メタクレゾール等のナイロンヲ溶解せしめる溶媒
に溶解した溶液を原料成分に散布あるいは原料成分と共
に混練し、しかる後乾燥等にょシ有機溶媒を除去する方
法、また、ナイロンｔ−微粉末あるいは薄膜状、繊維状
にして、これと原料成分とに水や適当な混合媒体を加え
て混合し、しかる漬水や混合媒体を除去する方法等があ
る。また原料成分を予め成形した後、ナイロンを溶解し
た有機溶液をこの成形体に含浸し、しかる後有機溶媒を
除去する方法等がある。なお、上記含浸による方法にお
いて、予め施す原料成分の成形は、プレス、スリップキ
ャスト等により行ない、更に含浸時に成形体の変形を防
ぐ目的で本焼結温度よりも低温で仮焼結を行なってもよ
い。
に溶解した溶液を原料成分に散布あるいは原料成分と共
に混練し、しかる後乾燥等にょシ有機溶媒を除去する方
法、また、ナイロンｔ−微粉末あるいは薄膜状、繊維状
にして、これと原料成分とに水や適当な混合媒体を加え
て混合し、しかる漬水や混合媒体を除去する方法等があ
る。また原料成分を予め成形した後、ナイロンを溶解し
た有機溶液をこの成形体に含浸し、しかる後有機溶媒を
除去する方法等がある。なお、上記含浸による方法にお
いて、予め施す原料成分の成形は、プレス、スリップキ
ャスト等により行ない、更に含浸時に成形体の変形を防
ぐ目的で本焼結温度よりも低温で仮焼結を行なってもよ
い。
ナイロンを原料成分に添加する割合は、原料成分に対し
てＱ、２〜８重量％の範囲内が望ましい。
てＱ、２〜８重量％の範囲内が望ましい。
該添加開会が０．２重盆％未満あるいは８電量％を越え
る場合には、半導体として充分に低い室温抵抗率（ρｒ
、ｔ）のものが得られにくい。
る場合には、半導体として充分に低い室温抵抗率（ρｒ
、ｔ）のものが得られにくい。
欠に、ナイロンを添加した原料成分をプレス。
スリップキャスト等により成形した後、酸化性雰囲気で
本焼成を施す。なお、ナイロンの添加を前記含浸法で行
なった場会、原料成分はすでに成形されているので、そ
のまま本焼成を施す。
本焼成を施す。なお、ナイロンの添加を前記含浸法で行
なった場会、原料成分はすでに成形されているので、そ
のまま本焼成を施す。
この本焼成により、チタン酸バリウム系半導体が得られ
る。
る。
焼成雰囲気は、酸素もしくは大気中等の酸化性雰囲気と
する。中性あるいは還元性雰囲気では。
する。中性あるいは還元性雰囲気では。
半導体のＰＴＣ特性を低下させてしまう。また、焼成温
度は１２５０〜１４００°Ｃの範囲内が望ましい。１２
５０°Ｃ未満では、半導体化が起らず、１４００°Ｃを
越える場合には、室温での抵抗率（ρｒ、りが大きくな
るおそれがある。また焼成時間は１〜２時間の範囲内で
よい。
度は１２５０〜１４００°Ｃの範囲内が望ましい。１２
５０°Ｃ未満では、半導体化が起らず、１４００°Ｃを
越える場合には、室温での抵抗率（ρｒ、りが大きくな
るおそれがある。また焼成時間は１〜２時間の範囲内で
よい。
なお、この焼成により添加したナイロンは、蒸発あるい
は熱分解によりほとんどすべて半導体より除去される。
は熱分解によりほとんどすべて半導体より除去される。
本発明によれば、室温抵抗率（ρｒ、ｔ ）が小さく、
シかもｐｍα工／ρｒ、ｔが大きい、すなわちＰＴＣ特
性に優れたチタン酸バリウム系半導体を製造することが
できる。
シかもｐｍα工／ρｒ、ｔが大きい、すなわちＰＴＣ特
性に優れたチタン酸バリウム系半導体を製造することが
できる。
上記効果が得られる作用Ｉｓ構は明確ではないが、以下
のように推察することができる。
のように推察することができる。
本発明において、添加したナイロンが、半導体の焼成時
に熱分解を起こし２発生期の窒素（Ｎ糞）。
に熱分解を起こし２発生期の窒素（Ｎ糞）。
−酸化炭素（ＣＯ）等の活性なガスが発生する。
この活性なガスは、 ＢａＴｉ０１ Ｋ作用し、これに
酸素欠陥を導入して全体の抵抗値、即ち室温抵抗率を低
下させる。更にこの活性ガスは、ＢａＴｉｅ、と反応し
て、中間相の生成に寄与すると考えられる。
酸素欠陥を導入して全体の抵抗値、即ち室温抵抗率を低
下させる。更にこの活性ガスは、ＢａＴｉｅ、と反応し
て、中間相の生成に寄与すると考えられる。
この中間相が不純物あるいは酸素の粒界への拡散等によ
るバリアの形成を促し、ＰＴＣ特性を向上させていると
考えられる。
るバリアの形成を促し、ＰＴＣ特性を向上させていると
考えられる。
また９本発明によれば、複雑な操作を必要とせず簡便に
ＰＴＯ特性に優れたチタン酸バリウム系半・導体を製造
することができる。
ＰＴＯ特性に優れたチタン酸バリウム系半・導体を製造
することができる。
以下２本発明の詳細な説明する。
実施例 １゜
ＢａＴｉｅ、の出発物質及び半導体化剤としてのｆ３ａ
００＠ 、 Ｔ ｉ Ｏ！、Ｙ禦０＠をＢｕｎ、ｖｖｙ
Ｙｏ、ｏａｇＴｉ０３となる組成割合で混合し、混合
物を大気中、１１００℃で２ｈｒ仮焼し、その後粉砕し
て、粉末状の原料成分を形成した。
００＠ 、 Ｔ ｉ Ｏ！、Ｙ禦０＠をＢｕｎ、ｖｖｙ
Ｙｏ、ｏａｇＴｉ０３となる組成割合で混合し、混合
物を大気中、１１００℃で２ｈｒ仮焼し、その後粉砕し
て、粉末状の原料成分を形成した。
可溶性ナイロン（東し製、０Ｍ４０００）を溶解したエ
タノール溶液を上記原料成分に添加し、ボールミルにて
混合した。なお、添加量は原料成分に対してナイロンが
０〜１０重量％（以下ωｔ％とする）配合される範囲で
ある（比較のため、ナイロンを添加しないものも用意し
た。）このナイロンを添加したものを乾燥して溶媒のエ
タノールを蒸発させ、金型を用いて、直径２０闘、厚さ
約３Ｈの円板状に成形し、この成形体を大気中にて１３
００°Ｃ，１３５０℃の２種類の温度で１ ｈｒ焼成し
た。
タノール溶液を上記原料成分に添加し、ボールミルにて
混合した。なお、添加量は原料成分に対してナイロンが
０〜１０重量％（以下ωｔ％とする）配合される範囲で
ある（比較のため、ナイロンを添加しないものも用意し
た。）このナイロンを添加したものを乾燥して溶媒のエ
タノールを蒸発させ、金型を用いて、直径２０闘、厚さ
約３Ｈの円板状に成形し、この成形体を大気中にて１３
００°Ｃ，１３５０℃の２種類の温度で１ ｈｒ焼成し
た。
゛得られた焼結体に電極としてＮｉを無電解メッキし、
焼成体の電気抵抗を測定した。電気抵抗の測定は、室温
から４００°Ｃまでの範囲で大気中にて行なった。
焼成体の電気抵抗を測定した。電気抵抗の測定は、室温
から４００°Ｃまでの範囲で大気中にて行なった。
その結果を第１図及び第２図に示す。ここで第１図はナ
イロンの添加量と室温抵抗率（ρｒ 、ｔ）との関係を
示し９図中曲線Ａ、Ｂはそれぞれ焼成温度が１３００．
１３５０℃のものである。
イロンの添加量と室温抵抗率（ρｒ 、ｔ）との関係を
示し９図中曲線Ａ、Ｂはそれぞれ焼成温度が１３００．
１３５０℃のものである。
第１図工夛明らかなように、ナイロンを添加することに
より、室温抵抗率が低下し、特にα２〜８ωｔ％のナイ
ロンを添加することにより室温抵抗率が非常に低いもの
が得られることが分る。
より、室温抵抗率が低下し、特にα２〜８ωｔ％のナイ
ロンを添加することにより室温抵抗率が非常に低いもの
が得られることが分る。
また第２図は焼成温度が１！＋５０°ＣのもののＰＴ（
３特性曲線である。なお９曲線Ｍ、Ｎ、０は。
３特性曲線である。なお９曲線Ｍ、Ｎ、０は。
それぞれナイロン添加量が０．α４，８ωｔ％のもので
ある。なお、第１表に焼結温度１５５０℃で。
ある。なお、第１表に焼結温度１５５０℃で。
ナイロン添加量がそれぞれ０．α４，４，８ωｔ％のも
ののｐｍｎｘ ／ρｒ、ｔを示した。
ののｐｍｎｘ ／ρｒ、ｔを示した。
第２図及び第１表より明らかなように、ナイロンを添加
することにより、ρｒｎａｘ／ｐｒ、ｔの比が増大して
いることが分る。
することにより、ρｒｎａｘ／ｐｒ、ｔの比が増大して
いることが分る。
第１表
以上のように１本発明により製造されたチタン酸バリウ
ム系半導体は優れたＰＴＣｉ特性を有することが分る。
ム系半導体は優れたＰＴＣｉ特性を有することが分る。
実施例 ２
本実施例では、ナイロンを薄膜ないし微粉末状で添加し
た例を示す。
た例を示す。
実施例１と同様な可溶性ナイロンのエタノール溶液にイ
オン交換水を注入し、薄いフィルム状ないし微粉末状の
ナイロンを形成した。
オン交換水を注入し、薄いフィルム状ないし微粉末状の
ナイロンを形成した。
これを実施例１と同様な粉末状の原料成分に。
同様々条件下で添加した。なおナイロン添加量はα４ω
ｔ％とした。
ｔ％とした。
このナイロンを添加したものを実施例１と同様にして成
形し、１５５０℃、 １ ｈｒ大気中にて焼成した。
形し、１５５０℃、 １ ｈｒ大気中にて焼成した。
形成されたチタン酸バリウム系半導体の抵抗を測定した
ところ、ｐｒ、ｔは６Ω、ｃＷｌと低い値であり。
ところ、ｐｒ、ｔは６Ω、ｃＷｌと低い値であり。
ｐｍｎｘ ／ ｐｒ、ｔの比は１．８ Ｘ １０１と高
い値（ナイロン無添加の場合ρｍαＸ／ρｒ、ｔは１．
６ Ｘ １０’である。）であり、ＰＴＯ特性に優れた
ものであることが分る。
い値（ナイロン無添加の場合ρｍαＸ／ρｒ、ｔは１．
６ Ｘ １０’である。）であり、ＰＴＯ特性に優れた
ものであることが分る。
実施例 五
本実施例では、６−ナイロンまたはへ６−ナイロンを使
用した例について示す。
用した例について示す。
６−ナイロンまたは４６−ナイロンのペレットを液体窓
素中に浸漬した後、ハンマーミμにて粉砕し２粒径約３
０μｍの微粉末にした。
素中に浸漬した後、ハンマーミμにて粉砕し２粒径約３
０μｍの微粉末にした。
これを実施例１と同様な粉末状の原料成分に。
同様な条件で添加した。なお、ナイロン添加量は１ωｔ
％とした。
％とした。
このナイロンを添加したものを実施例１と同様にして成
形し、１３５０°Ｃ，１ｈｒ大気中にて焼成した。
形し、１３５０°Ｃ，１ｈｒ大気中にて焼成した。
形成されたチタン酸バリウム系半導体の抵抗を測定した
ところ、６−ナイロンを添加したものはＰｒ、ｔ −４
，２ΩｅｃＷｆ 、 ｐｍｎＸ／ ｐｒ、ｔ−２Ｘ １
０” 、 ４６−ナイロンを添加したものはρｒ、ｔ
ｍ ４．８Ωａｃｒ１１．ｐｍａＸ７’ρｒ、ｔ ｗｍ
２ Ｘ １０”であり、 Ｐ’ｌ’０特性に優れたも
のであることが分る。
ところ、６−ナイロンを添加したものはＰｒ、ｔ −４
，２ΩｅｃＷｆ 、 ｐｍｎＸ／ ｐｒ、ｔ−２Ｘ １
０” 、 ４６−ナイロンを添加したものはρｒ、ｔ
ｍ ４．８Ωａｃｒ１１．ｐｍａＸ７’ρｒ、ｔ ｗｍ
２ Ｘ １０”であり、 Ｐ’ｌ’０特性に優れたも
のであることが分る。
実施例 ４゜
本実施例では、ナイロン添加前に原料成分を成形し、そ
の後含浸法によりナイロンを添加した例を示す。
の後含浸法によりナイロンを添加した例を示す。
実施例１と同様な原料成分を実施例１と同様な円板状に
プレス成形し、１１００℃、大気中にて仮焼結した。
プレス成形し、１１００℃、大気中にて仮焼結した。
また、上記仮焼結体に対して添加量が１ωｔ％となるよ
うに秤量した可溶性ナイロンをエタノールに溶解した。
うに秤量した可溶性ナイロンをエタノールに溶解した。
次に、この溶液に上記仮焼結体を浸漬し、溶液を含浸せ
しめた。この仮焼結体を乾燥させ、エタノールを蒸発さ
せた後、大気中、１３００℃で１ｈｒ焼成した。
しめた。この仮焼結体を乾燥させ、エタノールを蒸発さ
せた後、大気中、１３００℃で１ｈｒ焼成した。
形成されたチタン酸バリウム系半導体の抵抗を測定した
ところ、 ｐＴ、ｔ −４０，謂、 ｐＴｎｎＸ ／
ｐ ｒ、ｔｍｌ、 ５ Ｘ １０”であり 、 Ｐ’ｌ
’Ｏ特性に優れたものであることが分る。
ところ、 ｐＴ、ｔ −４０，謂、 ｐＴｎｎＸ ／
ｐ ｒ、ｔｍｌ、 ５ Ｘ １０”であり 、 Ｐ’ｌ
’Ｏ特性に優れたものであることが分る。
第１図は実施例１におけるチタン酸バリウム系半導体の
ナイロン添加量と室温抵抗率との関係を示す図であり、
第２図は実施例１におけるチタン酸バリウム系半導体の
ＥＴＣ特性曲線を示す図である。 室五才１才ん４牢ｆΩ・ｃｍノ
ナイロン添加量と室温抵抗率との関係を示す図であり、
第２図は実施例１におけるチタン酸バリウム系半導体の
ＥＴＣ特性曲線を示す図である。 室五才１才ん４牢ｆΩ・ｃｍノ
Claims (3)
- （１）チタン酸バリウムと半導体化剤とから成る原料成
分にナイロンを添加し、これを焼成することを特徴とす
るチタン酸バリウム系半導体の製造方法。 - （２）上記ナイロンは、原料成分に対して０．２〜８重
量％添加する特許請求の範囲第（１）項記載のチタン酸
バリウム系半導体の製造方法。 - （３）上記半導体化剤は、イットリウム、ランタン、ア
ンチモン等の３価の金属またはニオブ、タンタル等の５
価の金属を有する化合物である特許請求の範囲第（１）
項記載のチタン酸バリウム系半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062675A JPS61220305A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | チタン酸バリウム系半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062675A JPS61220305A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | チタン酸バリウム系半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220305A true JPS61220305A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0311082B2 JPH0311082B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=13207090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60062675A Granted JPS61220305A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | チタン酸バリウム系半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220305A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060099A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-22 | Leader Well Technology Co Ltd | 高温動作酸化亜鉛サージ防止素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4954412A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-05-27 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60062675A patent/JPS61220305A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4954412A (ja) * | 1972-09-05 | 1974-05-27 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060099A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-22 | Leader Well Technology Co Ltd | 高温動作酸化亜鉛サージ防止素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311082B2 (ja) | 1991-02-15 |
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