KR101823770B1 - ZnO계 바리스터 조성물 및 그의 제조방법과 바리스터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의 함유를 배제하는 ZnO계 바리스터 조성물을 개시한다. 본 발명에 의한 상기 조성물은 ZnO 98.0~99.9 at%와, BiVO4 0.1~2 at%와, Co3O4 0.2~3 at% 또는 Mn3O4 0.2~3 at%를 포함한다.

Description

ZnO계 바리스터 조성물 및 그의 제조방법과 바리스터 {ZnO-BASED VARISTOR COMPOSITION, AND MANUFACTURING METHOD AND VARISTOR THEREOF}
본 발명은 ZnO계 바리스터 조성물에 관한 것으로서, 특히 높은 비선형계수와 낮은 누설전류를 가지면서도 절감된 제조경비를 가능하게 하는 ZnO계 바리스터 조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 위 ZnO계 바리스터 조성물로 되는 바리스터의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 위 ZnO계 바리스터 조성물로 되는 바리스터에 관한 것이다.
바리스터(varistor)는 휴대단말 등 전자기기에 사용되는 전자회로 및 부품을 써지(surge) 및 펄스성 노이즈 등의 이상전압으로부터 보호하기 위하여 사용되는 소자이고, 주로 정전기(ESD: Electro-Static Discharge)의 발생에 대해 전자회로 및 부품의 보호와 동작 안정성을 담보하면서 노이즈 규제에 효과적으로 대응한다.
일반적으로 바리스터는 단지 고형의 조성물과 그 표면에 부착된 전극만으로 구성되는 매우 단순한 구조로서 결국 그 조성물의 특성에 따라 전적으로 소자 성능이 좌우되므로, 우수한 특성을 갖는 바리스터 조성물을 개발하는 것이 관건으로 된다.
현재까지 개발된 바리스터 조성물로는 ZnO계, SnO2계, SiC계 및 SrTiO3계 바리스터 조성물 등이 있다. 이 중에서도 특히 ZnO계 바리스터 조성물이 전압의 비선형성이 뛰어나고 정전기(ESD)와 각종 써지로부터 기기를 보호하는 능력이 우수하여 정전기 대책 및 써지 방어용으로 많이 사용되며, 주로 Bi-ZnO계 조성, Pr-ZnO계 조성 등으로서 개발되고 있다.
먼저, 상기 Bi-ZnO계 바리스터 조성물은 일반적으로 Bi2O3, Sb2O3, Mn, Co, Ni, Cr, 글라스 프릿, Al, K 등의 성분을 기본조성으로서 함유한다. 이와 관련된 종래기술로서, 일본공개특허공보 평3-278402호(1991. 12. 10 공개) "전압 비직선 자기 조성물과 그의 제조방법"에서는 Bi, Sb, Mn, Co, Ni, Cr, Mg, Al 및 Si 등의 성분을 함유하는 세라믹 조성물을 개시한다.
그러나, 상기 Bi2O3 성분은 이를 함유하는 바리스터 조성물의 소결시 4종류의 동질이상을 가지며 액상소결이 되어 바리스터 내부에 이온 전도성이 큰 상들을 형성하게 된다. 이러한 상들의 존재로 인해, 정전기(ESD)가 발생할 때 인가되는 외부전압은 쉽게 내부 쇼트(short)를 야기하고 내부의 격벽들을 붕괴시켜버려 절연파괴가 쉽게 초래된다. 이에 따라, Bi2O3 성분을 포함하는 Bi-ZnO계 바리스터 조성물은 ESD 내성이 나쁘다는 심각한 문제가 있다. 뿐만 아니라, 상기 Sb2O3 성분은 발암물질로 분류되어 그 농도가 규제되고 있기 때문에, 이를 포함하는 Bi-ZnO계 바리스터는 제조가 자유롭지 못하다는 단점도 있다. 다만, 조성에 소결조제인 V2O5를 첨가하여 900℃ 부근의 저온에서 액상소결을 가능케 하는 시도가 있지만, 대신에 누설전류가 높아지고 비선형성이 낮아지는 문제가 발생한다.
또한, 상기 Pr-ZnO계 바리스터 조성물은 Bi-ZnO계 바리스터에 비해서 ESD 내성은 다소 높다는 장점이 있다. 이의 관련 종래기술로서, 일본공개특허공보 평5-283209호(1993. 10. 29 공개) "적층형 바리스터"에서는 ZnO, Co3O4, MgO. K2CO3, Pr6O11 등을 함유한 세라믹 조성물을 개시한다.
그러나, 상기 Pr-ZnO계 바리스터 조성물은 전압 비선형성이 낮고 누설전류가 크고 써지 내량이 다소 낮다는 단점이 있다. 뿐만 아니라, 이 조성은 귀금속 계열인 Pr6O11(또는 Pr2O3)계 성분을 포함하고 있어 고온 소결(1200℃ 이상)이 요구되므로, 표면에 부착되는 금속전극과의 동시소결이 어렵다. 또한, 이 조성물로 적층형 칩 바리스터를 제조할 경우 내부전극으로서 Pd 또는 Pt 등과 같은 고가의 성분을 다량 사용해야 하므로 제조 단가가 높다는 단점이 있다.
전술한 문제들을 해결하기 위하여, 본 발명은 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하고 위와 같은 종래의 Bi2O3, V2O5 및 Pr6O11(또는 Pr2O3)계 조성성분들을 대체하면서도, 높은 비선형계수와 낮은 누설전류를 갖고 제조시 작업 안정성이 우수하며 저온소결이 가능하고 절감된 제조경비를 가능하게 하는 ZnO계 바리스터 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의한 ZnO계 바리스터 조성물은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의 함유를 배제하고, ZnO, BiVO4, 및 Co 산화물 또는 Mn 산화물을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 조성물은 Ni 산화물, Sb 산화물, Cr 산화물 및 Si 산화물들로 이루어진 군 중의 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 Co 산화물은 CoO, Co2O3 및 Co3O4로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 상기 Mn 산화물은 MnO, MnO2, Mn2O3 및 Mn3O4로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 또한, 상기 조성물은 MgO를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 측면에 의한 ZnO계 바리스터 조성물은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의 함유를 배제하고, 하기 조성을 포함할 수 있다:
ZnO 98.0~99.9 at%;
BiVO4 0.1~2 at%; 및
Co3O4 0.2~3 at% 또는 Mn3O4 0.2~3 at%.
그리고, 상기 조성물은 상기 ZnO계 바리스터 조성물의 총량 대비, NiO 0.1~0.5 at%, Sb2O3 0.2~3 at%, Cr2O3 0.2~0.5 at% 및 SiO2 0.2~2 at% 중의 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 조성물은 MgO를 상기 ZnO계 바리스터 조성물의 총량 대비 0.2~0.5 at% 범위로 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 일 측면에 의한 바리스터의 제조방법은 위에 정의된 ZnO계 바리스터 조성물을 성형하고 900~1300℃의 온도범위에서 소결하여 디스크형 또는 벌크형의 소결체를 형성하고, 상기 소결체의 양면에 금속전극을 부착하여 바리스터를 제조하는 것을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 일 측면에 의한 바리스터의 제조방법은 위에 정의된 ZnO계 바리스터 조성물을 테이프 캐스팅하여 복수의 시트로 형성하고, 상기 복수의 시트 각각의 표면에 금속전극 물질을 도포하고 적층한 후, 900~1300℃의 온도범위에서 동시소결하여 적층형 바리스터를 제조하는 것을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 일 측면에 의한 바리스터는 위에 정의된 ZnO계 바리스터 조성물의 소결체와, 상기 소결체의 양면에 형성된 금속전극을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 일 측면에 의한 바리스터는 위에 정의된 ZnO계 바리스터 조성물의 소결체와, 상기 소결체의 내부에 상하로 서로 이격되도록 순차적으로 매설된 복수의 금속전극을 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 바리스터 조성물은 종래의 Bi2O3, V2O5 및 Pr6O11(또는 Pr2O3)를 사용하지 않으면서도, 높은 비선형계수와 낮은 누설전류를 갖고, 제조시 작업 안정성이 우수하며 900℃ 전후의 저온에서 소결이 가능하여 디스크형 또는 벌크형 바리스터, 또는 100% Ag 내부전극을 사용하여 적층형 바리스터 소자를 제조할 수 있어 제조단가를 낮출 수 있는 우수한 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 실시예 1~8에 의한 각 바리스터의 전류(I)-전압(V) 커브를 나타내는 그래프이다.
도 2a~2c는 본 발명의 구현예들에 의한 바리스터들의 개략 구조도로서,
도 2a는 디스크형 바리스터의 단면도(좌측 도면) 및 측면도(우측 도면)이고;
도 2b는 벌크형 바리스터의 사시도이고;
도 2c는 적층형 바리스터의 내부 단면도이다.
본 발명에 의하면, 앞서 기술한 바와 같이 바리스터 물성을 열화시키고 제조단가를 높이는 Bi2O3, V2O5 및 Pr6O11(또는 Pr2O3)는 ZnO계 바리스터 조성물에 액상 소결조제인 BiVO4를 함유시킴으로써 효과적으로 대체될 수 있다.
상세하게는, 본 발명은 ZnO계 바리스터 조성물에 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3를 포함하지 않는 대신, BiVO4와, 아울러 Co 산화물 또는 Mn 산화물을 포함하는 바리스터 조성물을 제공한다. 이리하면, 낮은 소결온도, 높은 비선형계수, 낮은 누설전류 등 바리스터의 전반적으로 개선된 물성을 얻을 수 있다.
특히, BiVO4는 액상 소결 조제로서 ZnO계 바리스터 조성물에서 종래 Bi2O3, V2O5 및 Pr6O11(또는 Pr2O3)와 유사하게 기능하며 대략 900℃ 부근의 저온에서도 소결을 가능하게 한다.
또한, Co 산화물 및 Mn 산화물은 바리스터의 전반적인 물성을 개선한다. 본 발명에서, 이러한 Co 산화물은 CoO, Co2O3 및 Co3O4 등을 포함한 산화물을 포함하고 특히 Co3O4가 바람직하다. 또한, Mn 산화물은 MnO, MnO2, Mn2O3, Mn3O4 등을 포함한 산화물을 포함하고 특히 Mn3O4가 바람직하다.
또한, 본 발명에 의한 위 조성물은 부성분으로서 Ni, Sb, Cr 및 Si의 산화물들 중에서의 하나 이상을 포함할 수 있다. NiO 등의 Ni 산화물은 바리스터 전압을 낮추는 효과를 가지며, Cr2O3 등의 Cr 산화물은 바리스터의 전반적인 물성을 개선한다. 그리고, Sb2O3 등의 Sb 산화물은 바리스터의 전반적인 물성을 개선함과 동시에 특히 ZnO의 입성장을 억제하여 보다 안정적으로 바리스터 물성 및 전압을 제어할 수 있게 한다. 또한, SiO2 등의 Si 산화물은 위 조성물의 비선형성을 개선한다.
위와 같이, 본 발명에 의한 바리스터 조성물은 ESD 내성을 열화시키는 Bi2O3 성분을 포함하지 않으므로 ESD 특성이 향상되고, 또한 V2O5 성분을 포함하지 않으므로 낮은 누설전류와 높은 비선형성이 달성되며, 또한 고온 소결(1200℃ 이상)이 요구되는 고가의 Pr계 성분을 포함하지 않으므로 제조단가를 낮출 수 있다.
이리하여, 본 발명의 바람직한 일 구현예에 의한 바리스터 조성물은 다음 성분 함량을 포함할 수 있다:
ZnO 98.0~99.9 at%;
BiVO4 0.1~2 at%; 및
Co3O4 0.2~3 at% 또는 Mn3O4 0.2~3 at%.
또한, 위의 조성에 부가하여, 본 발명의 다른 일 구현예로서, 부성분으로서 바리스터 조성물의 총량대비 NiO 0.1~0.5 at%, Sb2O3 0.2~3 at%, Cr2O3 0.2~0.5 at% 및 SiO2 0.2~2 at%로 이루어진 군에서 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
다만, 위와 같은 각 성분의 함량범위에서, Co와 Mn의 경우, 함량이 3at%를 초과하면 ZnO의 치밀화와 입성장을 오히려 억제하여 조성물의 소결을 둔화시켜 소결밀도가 저하되므로 높은 바리스터 전압을 형성하는 등 바리스터의 제반 물성을 열화시킨다. 또한, Sb의 경우, 함량이 3at%를 초과하면 마찬가지로 소결밀도가 저하되고 소결온도를 높여 바리스터 전압이 크게 높아지는 결과를 초래한다. 그리고, Ni 및 Cr의 경우, 함량이 0.5at%를 초과하면 누설전류가 크게 높아지고 비선형성이 저하됨이 관찰된다. 또한, Si의 경우, 함량이 2at%를 초과하여도 비선형성은 계속 개선되지만 대신에 누설전류가 크게 높아져 바리스터 전압이 높아진다.
또한, 위의 조성에 부가하여, 본 발명의 또 다른 일 구현예로서, 첨가제로서 MgO를 더 포함할 수 있고 그 함량은 바리스터 조성물의 총량 기준으로 0.2~0.5 at%로 될 수 있다.
한편, 위에 기술한 본 발명에 의한 ZnO계 바리스터 조성물은 산화물혼합법 등을 포함한 공지된 모든 제조방법으로 제조가능하다. 그리고, 이렇게 혼합 제조된 조성물 분말은 일반적으로 건식성형, 냉간 등방압 성형(CIP) 또는 온간 등방압 성형(HIP), 압출성형, 테이프 캐스팅(tape casting) 등 이 분야에 공지된 모든 성형방법이 임의로 적용되어 원하는 형태로 성형 및 소결될 수 있다.
예컨대, 도 2a~2b에 도시하듯이, 상기 조성물 분말은 단일의 디스크(도 2a의 "12") 또는 벌크(도 2b의 "22")로 성형 및 소결된 후, 상기 디스크(12) 또는 벌크(22)의 양 표면에 각각 금속전극물질을 도포하여 금속전극(13 또는 23)을 형성함으로써 일반적인 디스크형(10) 또는 벌크형(20) 바리스터를 제조할 수 있다. 이러한 전극물질은 Ag, Pd, Ag/Pd 합금 등 공지된 전극물질이 사용될 수 있다. 표면실장될 수 없는 형태인 디스크형 바리스터(10)는 상기 금속전극(13)에 전기신호의 입출력을 위하여 리드선(14)이 각각 부착될 수 있다.
또는, 도 2c에 도시하듯이, 상기 조성물 분말은 복수의 시트(sheet)로 성형한 후 이들 시트를 복수로 적층하여 적층체(32)를 형성하되, 최상층 및 최하층에 각각 배치될 더미(dummy) 시트(즉, 전극이 도포되지 않는 시트)를 제외한 나머지 그 내부에 적층될 시트들에는 각각 그 표면에 내부전극(33)을 형성할 전극물질을 도포하고, 이들 내부의 시트들과 더미시트들을 차례로 적층한 후 소결함으로써, 적층형 바리스터(30)를 제조할 수 있다. 마찬가지로 상기 전극물질은 Ag, Pd, Ag/Pd 합금 등 공지된 전극물질이 사용될 수 있다. 그리고, 전기신호 입출력을 위하여 바리스터(30) 양단에 외부전극단자(35)를 형성하고 상기 내부전극들(33)에 각각 전기적으로 연결시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면을 참조하며 상세히 설명한다. 다만, 본 발명이 하술하는 실시예들은 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위하여 제공되는 것이며, 본 발명은 하기 실시예들로만 한정되는 것은 아니다.
실시예 1~8
하기 표 1의 성분을 정해진 조성비로 칭량하여 상기 칭량물 중량의 3배의 증류수와 함께 5㎜Φ 부분 안정화 지르코니아(YSZ)가 포함된 볼 밀에 투입하여 혼합하고 분쇄하였다. 그런 다음, 탈수 및 건조 처리를 행하여 조립분을 제조하고 이를 출발원료로 사용하였다.
조성 at%
ZnO BiVO4 Co3O4 Mn3O4 NiO Sb2O3 Cr2O3 SiO2
실시예 1 99.5 0.5
실시예 2 98.5 0.5 1
실시예 3 98.5 0.5 1
실시예 4 97.6 0.5 1.5 0.2 0.2
실시예 5 97.7 0.4 1.5 0.2 0.2
실시예 6 97.2 0.4 1.5 0.2 0.2 0.5
실시예 7 97.2 0.4 1.5 0.2 0.2 0.5
실시예 8 97.2 0.4 1.5 0.2 0.2 0.5
그리고, 소정량의 출발원료 분말을 10㎜Φ 성형몰드에 넣고 50MPa의 압력으로 1축 가성형하여 디스크 타입으로 제조한 후, 실시예 1~3 조성의 경우는 900℃에서, 실시예 4~7의 경우는 1200℃에서, 실시예 8의 경우는 1300℃에서 각각 1시간 동안 공기 중에서 소결하였다.
이후, 이렇게 얻어진 소결체는 양면을 연마하여 두께를 약 1㎜로 한 후, 오믹 컨택용 Ag 페이스트를 소결체의 양단에 도포한 다음, 600℃에서 10분간 소부처리하여 외부전극을 형성하고 특성 측정용의 디스크형 바리스터 시편을 제작하였다.
그리고, 상기의 실시예 1~8의 각 바리스터 시편에 대해 각각의 전류-전압(I-V) 특성을 DC전류전압공급 및 측정기(high voltage source measure: Keithley 237)를 사용하여 상온에서 log stair pulse 파형을 인가하여 측정하였다. 전류-전압 특성 파라미터인 바리스터 전압(Vn)은 1mA/㎠ 전류가 흐를 때의 전압으로 [V/㎜] 단위로 측정하였고, 누설전류(IL)는 Vn의 80%에서 측정된 전류[㎂]이고, 비선형 계수(α)는 하기 식 1을 이용하여 구하였다. 이에 따른 측정값은 하기 표 2에 나타낸다. 또한, 도 1은 본 실시예 1~8에 의한 각 바리스터의 전류(I) 대 전압(V)의 특성을 나타내는 그래프이다.
Figure 112016070745408-pat00001
식 1
(이때, E1 및 E2는 각각 J1(=1㎃/cm2) 및 J2(=10㎃/cm2)에서의 전계이다)
소결온도
(℃)		 상대밀도
(g/cm3)		 Vn
(V/mm)		 비선형 계수
(α)		 누설전류
(㎂)
실시예1 900 98.4 220 7 356
실시예2 900 97.8 268 64 3.0
실시예3 900 97.5 398 25 0.4
실시예4 1200 97.4 166 41 16.4
실시예5 1200 97.3 161 50 9.3
실시예6 1200 96.8 314 55 12.4
실시예7 1200 96.7 306 65 5.1
실시예8 1300 96.2 170 37 15.0
위 표 2를 보면, 본 발명에 의한 조성물들은 대체로 밀도가 높고 비선형성이 우수하며 누설전류가 작음이 관찰된다. 특히, 900℃ 부근에서 저온소결을 함에도 전반적으로 우수한 바리스터 물성을 보임을 알 수 있다.
따라서, 전술한 본 발명에 의한 바리스터 조성물은 종래의 Bi2O3, V2O5 및 Pr6O11(또는 Pr2O3)를 사용하지 않으면서도 높은 비선형계수와 낮은 누설전류를 갖고, 900℃ 전후의 저온에서 소결이 가능하여 디스크형 또는 벌크형 바리스터, 또는 100% Ag 내부전극을 사용하여 적층형 칩 바리스터 소자를 제조할 수 있어 제조단가를 낮출 수 있고 작업 안정성이 우수한 효과를 갖는다.
이상, 상술된 본 발명의 구현예 및 실시예에 있어서, 조성분말의 평균입도, 분포 및 비표면적과 같은 분말특성과, 원료의 순도, 불순물 첨가량 및 소결 조건에 따라 통상적인 오차범위 내에서 다소 변동이 있을 수 있음은 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 지극히 당연하다.
아울러 본 발명의 바람직한 구현예 및 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 디스크형 바리스터, 12: 세라믹 디스크. 13: 금속전극, 14: 리드선, 20:벌크형 바리스터, 22: 세라믹 벌크, 23: 금속전극, 30: 적층형 바리스터, 32: 세라믹 적층체, 33: 내부금속전극, 35: 외부금속전극단자

Claims (12)

  1. Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의 함유가 배제되는 ZnO계 바리스터 조성물에 있어서,
    ZnO;
    BiVO4; 및
    Co 산화물 또는 Mn 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    Ni 산화물, Sb 산화물, Cr 산화물 및 Si 산화물들로 이루어진 군 중의 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 Co 산화물은 CoO, Co2O3 및 Co3O4로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 Mn 산화물은 MnO, MnO2, Mn2O3 및 Mn3O4로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    MgO를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물.
  6. Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의 함유가 배제되는 ZnO계 바리스터 조성물에 있어서,
    하기 조성을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물.
    ZnO 98.0~99.9 at%;
    BiVO4 0.1~2 at%; 및
    Co3O4 0.2~3 at% 또는 Mn3O4 0.2~3 at%.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 ZnO계 바리스터 조성물의 총량 대비, NiO 0.1~0.5 at%, Sb2O3 0.2~3 at%, Cr2O3 0.2~0.5 at% 및 SiO2 0.2~2 at% 중의 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    MgO를 상기 ZnO계 바리스터 조성물의 총량 대비 0.2~0.5 at% 범위로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물.
  9. 제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 의한 ZnO계 바리스터 조성물을 성형하고 900~1300℃의 온도범위에서 소결하여 디스크형 또는 벌크형의 소결체를 형성하고, 상기 소결체의 양면에 금속전극을 부착하여 바리스터를 제조함을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터의 제조방법.
  10. 제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 의한 ZnO계 바리스터 조성물을 테이프 캐스팅하여 복수의 시트로 형성하고, 상기 복수의 시트 각각의 표면에 금속전극 물질을 도포하고 적층한 후, 900~1300℃의 온도범위에서 동시소결하여 적층형 바리스터를 제조함을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터의 제조방법.
  11. 제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 의한 ZnO계 바리스터 조성물의 소결체와, 상기 소결체의 양면에 형성되어 전기신호의 입출력을 기능하는 금속전극을 포함한 것을 특징으로 하는 바리스터.
  12. 제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중의 어느 한 항에 의한 ZnO계 바리스터 조성물의 소결체와, 상기 소결체의 내부에 상하로 서로 이격되도록 순차적으로 매설되어 전기신호의 입출력을 기능하는 복수의 금속전극을 포함한 것을 특징으로 하는 바리스터.
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