KR20110123756A - 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐화 방법, 이를 위한 처리액, 및 용도 - Google Patents

실리콘 웨이퍼의 텍스쳐화 방법, 이를 위한 처리액, 및 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 태양 전지 생산용 실리콘 웨이퍼의 처리 방법으로서, 처리액이 상기 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐화(texturization)를 위하여 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 가해지는 처리 방법에 관한 것이다. 상기 처리액은 첨가제로서 에틸 헥산올 또는 시클로헥산올을 0.5　중량% 내지 3　중량% 범위의 함량으로 포함한다.

Description

실리콘 웨이퍼의 텍스쳐화 방법, 이를 위한 처리액, 및 용도{Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and use}
본 발명은 청구항 1의 상위개념에 따른 태양 전지 생산용 실리콘 웨이퍼의 처리 방법 및 이 목적에 적합한 처리액에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 방법을 실시하기 위한 본 발명의 처리액의 용도에 관한 것이다.
예를 들면, DE 102007026081 A1은 태양 전지 생산에서의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐화를 개시한다. 이 목적을 위하여, 처리액이 웨이퍼 표면에 가해지며, 이 수단에 의하여 피라미드형 돌기들(pyramidal protrusions)이 실리콘 표면상에 형성된다. 이들은 빛이 실리콘 웨이퍼내 및 이후 태양 전지 내로의 커플링을 향상시키고 이와 동시에 에너지 수율(energy yield)을 향상시킨다. 이 처리액은 식각 방지제(etch inhibitor)로서 이소프로판올을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 상기한 방법 및 이 목적에 적합한 처리액을 제공하는 것으로서, 이에 의하여 선행 기술에서 마주치는 문제점들이 제거될 수 있으며, 특히 더 빠르고 및 더 좋은 처리, 즉 텍스쳐화가 달성될 수 있다.
이 목적은 청구항 1에 한정된 특징을 갖는 방법, 청구항 5에 한정된 특징을 갖는 처리액, 및 청구항 8에 한정된 특징을 갖는 용도에 의하여 달성된다. 본 발명의 유리하고 바람직한 실시형태는 다른 청구항들의 주제이며 이하에서 더 상세하게 설명된다. 상기 청구항들의 텍스트는 발명의 설명의 내용을 명시적으로 참조한다.
상기 처리액, 유리하게는 알칼리성 처리액은 첨가제를 포함한다. 이 첨가제는 첨가된 식각 방지제일 수 있으며 본 발명에 따르면 에틸 헥산올 또는 시클로헥산올이다. 상기 두 첨가제는 유리하게는 상호 대체제로서 사용될 수 있지만, 몇몇 경우에는 이들은 함께 사용될 수 있다. 상기 처리액 중에서 이들 특정 첨가제들의 이점은 이들의 높은 끓는 점 때문에 본 발명의 일 실시형태에서 그렇지 않으면 가능한 것보다 더 높은 온도에서 상기 방법을 실시할 수 있다는 사실에 있다.
에틸 헥산올의 끓는 점이 182℃이고 시클로헥산올의 끓는 점은 161℃ 이기 때문에, 이들과 혼합된 처리액은 텍스쳐화를 실시하는 경우 더 높은 온도에서 사용되는 것이 명백히 가능하다. 선행기술의 첨가제인 이소프로판올의 82℃라는 낮은 끓는 점때문에, 불만족스러운 텍스쳐화 결과를 얻지 않기 위하여 부단한 보충을 필요로 하거나 또는 온도가 80℃ 또는 심지어는 더 낮게 유지되어야 하는데, 이 경우 처리, 즉 텍스쳐화를 실행하기 위한 절차가 상당히 길게 소요되며, 이는 또한 매우 치명적인 것으로 여겨질 수 있다. 본 발명의 첨가제를 사용함으로써 80℃ 이상, 예를 들면 약 90℃에서 텍스쳐화를 실행할 수 있다. 상기 처리 시간은 10분 내지 15분, 유리하게는 약 11분일 수 있다. 실리콘 웨이퍼는 처리액을 포함하는 배스(bath)로부터 제거되고 이어서 린스, 건조 및 후속 처리될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 실리콘 웨이퍼는 처리액 중에서 교반될 수 있으며, 이는 또한 텍스쳐화를 향상시키거나 또는 가속화한다. 이 경우 실리콘 웨이퍼와 처리액 사이의 상대적인 운동을 일으키기 위한 준비, 즉 처리액을 운동 상태로 유지하거나 또는 내부 유체 흐름을 나타내도록 하기 위한 준비가 이루어질 수 있다.
본 발명의 목적은 본 발명의 방법의 사용, 더 구체적으로는 태양 전지를 생산하는데 있어서 실리콘 웨이퍼를 처리를 실행하기 위하여 본 발명의 방법을 사용하는 것에 의하여 또한 달성된다.
본 발명의 처리액은 에틸 헥산올 또는 시클로헥산올 형태의 첨가제 이외에 추가적인 성분으로서 물을 포함할 수 있다. 첨가제는 0.3 중량% 내지 4　중량%, 특히 유리하게는 0.5　중량% 내지 3　중량% 범위의 함량으로 가해질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에서, 상기 처리액은 추가적으로 KOH를 포함할 수 있다. 이의 함량은 1.5　부피% 내지 5　부피%, 유리하게는 2　부피% 내지 3　부피% 일 수 있다.
본 발명의 다른 독립적인 측면은 한 방법, 더 구체적으로는 상기한 것과 같은 방법을 실행하기 위한 본 발명의 처리액의 용도이다.
이들 및 다른 특징들은 하기의 특허청구범위에서 분명해지며, 여기서 개개의 특징은 본 발명의 어느 한 실시형태 및 다른 분야에서 서브컴비네이션의 형태로서 단독으로 또는 몇몇 개로 실현될 수 있으며 또한 유리하고 특허가능한 실시형태를 본래적으로 형성할 수 있는데, 이들에 대해서도 본 출원에서 보호가 청구된다.
본 발명의 공정의 실시와 관련해서는 마찬가지로 DE 102007026081 A1을 참조하며, 이의 관련된 주제는 참조에 의하여 본 설명에 포함된다. 상기 참고문헌에서, 도 1 및 2는 그러한 방법의 실시방법이 도시되어 있으며, 또한 따라서 거기에 언급된 공정 파라미터 및 양으로 마찬가지로 잘 실시될 수 있다.

Claims (8)

  1. 태양 전지 생산용 실리콘 웨이퍼의 처리 방법으로서,
    처리액이 상기 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐화(texturization)를 위하여 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 가해지며, 상기 처리액은 첨가제를 포함하며, 상기 처리액은 에틸 헥산올 또는 시클로헥산올을 첨가제로서 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방법은 태양 전지 생산에서의 실리콘 웨이퍼의 통상적인 텍스쳐화 방법보다 더 높은 온도에서 실시되고, 상기 더 높은 온도는 80℃ 내지 95℃의 범위이고, 및 더 구체적으로는 약 90℃인 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액은 8분 내지 20분, 더 구체적으로는 10분 내지 13분 동안 상기 실리콘 웨이퍼에 가해지는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 상기 처리액중에서 교반, 즉 상기 처리액에 대하여 상대적으로 운동하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 처리 방법을 실시하기 위한 처리액으로서, 물 이외에 에틸 헥산올 또는 시클로헥산올을 첨가제로서 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액.
  6. 제5항에 있어서, 상기 첨가제는 0.3 중량% 내지 4　중량%, 바람직하게는 0.5　중량% 내지 3　중량% 범위의 함량으로 가해지는 것을 특징으로 하는 처리액.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 처리액이 KOH를 바람직하게는 1.5　부피% 내지 5　부피%, 더 구체적으로는 2　부피% 내지 3　부피% 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 처리 방법을 실시하기 위한 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 처리액의 용도.
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