DE102007026081A1 - Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer - Google Patents

Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer Download PDF

Info

Publication number
DE102007026081A1
DE102007026081A1 DE102007026081A DE102007026081A DE102007026081A1 DE 102007026081 A1 DE102007026081 A1 DE 102007026081A1 DE 102007026081 A DE102007026081 A DE 102007026081A DE 102007026081 A DE102007026081 A DE 102007026081A DE 102007026081 A1 DE102007026081 A1 DE 102007026081A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
treatment liquid
silicon wafers
compounds
hydroxyaromatics
silicon wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102007026081A
Other languages
English (en)
Inventor
Holger Fröhlich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gebrueder Schmid GmbH and Co
Original Assignee
Gebrueder Schmid GmbH and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gebrueder Schmid GmbH and Co filed Critical Gebrueder Schmid GmbH and Co
Priority to DE102007026081A priority Critical patent/DE102007026081A1/de
Priority to PCT/EP2008/003113 priority patent/WO2008145231A2/de
Priority to TW097116867A priority patent/TW200913045A/zh
Publication of DE102007026081A1 publication Critical patent/DE102007026081A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02363Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Um einen Texturierungsprozess von Siliziumwafern (17) für die Herstellung von Solarzellen zu verbessern, insbesondere zu beschleunigen, und eine erhöhte Pyramidendichte zu erreichen, wird einer alkalischen Behandlungsflüssigkeit als Zusatz mindestens eine wasserlösliche Hydroxyverbindung aus der Gruppe mit Hydroxycarbonylen, Hydroxyaromaten, alicyclischen Hydroxyverbindungen, aliphatischen Polyhydroxyverbindungen sowie aliphatisch-aromatischen Hydroxyverbindungen beigemischt, vorteilhaft Sorbitol. Der Anteil an dem Zusatz kann wenige Prozent betragen.

Description

  • Anwendungsgebiet und Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, wie sie insbesondere für die Herstellung von Solarzellen verwendet werden, wobei eine Behandlungsflüssigkeit auf die Oberfläche der Siliziumwafer aufgebracht wird. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine entsprechende Behandlungsflüssigkeit sowie Siliziumwafer, die mit einem solchen Verfahren hergestellt worden sind oder mit einer solchen Behandlungsflüssigkeit behandelt worden sind.
  • Bekannt ist es, derartige Siliziumwafer in monokristalliner Form mit Kaliumhydroxid zur Texturierung der Oberfläche zu behandeln, wobei als Ätzinhibitor Isopropanol (IPA) verwendet wird. Bei einer solchen Texturierung bekommt die Oberfläche eine pyramidenartige Struktur, die der kristallinen Struktur des Siliziumwafer entspricht. Je mehr pyramidenartige Vorsprünge entstehen, desto besser und größer wird die Lichteinkopplung in den Siliziumwafer und somit die Energieausbeute einer damit hergestellten Solarzelle.
  • Aufgabe und Lösung
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein eingangs genanntes Verfahren, eine entsprechende Behandlungsflüssigkeit sowie einen damit behandelten Siliziumwafer zu schaffen, mit denen Probleme des Standes der Technik vermieden werden können und insbesondere eine noch bessere Texturierung als mit beispielsweise Isopropanol als Ätzinhibitor erreicht werden kann.
  • Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1, eine Behandlungsflüssigkeit mit den Merkmalen des Anspruchs 18 sowie einen Siliziumwafer mit den Merkmalen des Anspruchs 20. Vorteilhafte sowie bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der weiteren Ansprüche. Manche der nachfolgend aufgezählten Merkmale werden nur im Zusammenhang mit dem Verfahren oder der Behandlungsflüssigkeit beschrieben, sie sollen jedoch unabhängig davon für beides sowie für den Siliziumwafer gelten. Der Wortlaut der Ansprüche wird durch ausdrückliche Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Behandlungsflüssigkeit als Ätzinhibitor einen Zusatz aufweist, der mindestens eine wasserlösliche Hydroxyverbindung aus der Gruppe mit Hydroxycarbonylen, Hydroxyaromaten, alicyclischen Hydroxyverbindungen, aliphatischen Polyhydroxyverbindungen sowie aliphatisch-aromatischen Hydroxyverbindungen umfasst.
  • Mittels dieser Zusätze, eben als Ätzinhibitoren, kann eine Ätzrate der Behandlungsflüssigkeit an den Siliziumwafern gesteigert und/oder moderiert werden und Isopropanol als Ätzinhibitorzusatz ersetzt werden. Des Weiteren kann eine Mikromaskierung der Oberfläche erfolgen, wodurch sich die Ätzinitialisierung an der Oberfläche der Siliziumwafer zur Seite stärker ausbreitet und auch eine Erhöhung in der Dichte der vor genannten pyramidenartigen Vorsprünge erzielt wird. In einfachen Worten kann also mit der Erfindung in vorteilhafter Ausgestaltung ein schnelleres und effizienteres Ätzen der Siliziumwafer mit besserem Ätzergebnis hinsichtlich Texturierung erreicht werden.
  • Die Behandlungsflüssigkeit weist als Ätzmittel insbesondere Kaliumhydroxid auf. Vorzugsweise handelt es sich bei der Behandlungsflüssigkeit um eine wässrige Lösung, welche in besonders bevorzugten Ausführungsformen vollständig frei von organischen Monohydroxyaliphaten, insbesondere solchen mit 1 bis 6, vorzugsweise 1 bis 3, C-Atomen, ist.
  • Bei den oben genannten Hydroxycarbonylen handelt es sich vorzugsweise um Hydroxyaldehyde oder Hydroxyketone. Geeignet sind u. a. Monohydroxyaldehyde und/oder -ketone.
  • In Weiterbildung weisen erfindungsgemäß einsetzbare Hydroxycarbonyle bevorzugt zwei oder mehr Hydroxygruppen auf. Besonders bevorzugt werden Polyhydroxyaldehyde, insbesondere Aldosen, oder Polyhydroxyketone, insbesondere Ketosen, eingesetzt.
  • Zu den bekanntesten Vertretern der Polyhydroxyaldehyde und Polyhydroxyketone zählen Glucose und Fructose, welche erfindungsgemäß sehr gut einsetzbar sind.
  • Aldosen und Ketosen können entweder aliphatisch oder in zyklischer Halbacetalform auftreten. In cyclischer Halbacetalform repräsentieren sie die Gruppe der Monosaccharide, aus denen Oligosaccharide sowie Polysaccharide aufgebaut werden können, die ebenfalls eine Ätzinhibitorfunktion im Rahmen eines anisotropen Texturprozesses bzw. Ätzprozesses aufweisen können. Unter den erfindungsgemäß geeigneten Polysacchariden ist insbesondere Cellulose hervorzuheben.
  • Bei den Hydroxyaromaten handelt es sich insbesondere um Aromaten mit einem bis vier Benzolkernen. Erfindungsgemäß können sowohl linear als auch angular annellierte mehrkernige Aromaten bevorzugt sein. Unter den mehrkernigen Hydroxyaromaten seien hier insbesondere Hydroxyderivate des Naphthalins, des Anthracens und des Phenanthrens erwähnt.
  • Vorzugsweise handelt es sich im Rahmen der vorliegenden Erfindung bei den Hydroxyaromaten um Phenole, insbesondere um Hydroxybenzolverbindungen mit nur einer OH-Gruppe. Allerdings können auch Hydroxyaromaten mit zwei oder mehr OH-Gruppen, insbesondere mit 2 oder 3 OH-Gruppen, bevorzugt sein. Gut geeignet sind insbesondere Resorcine, Brenzcatechine, Hydrochinone, Phloroglucine und Pyrogallole.
  • In einigen bevorzugten Ausführungsformen weisen die Hydroxyaromaten neben der mindestens einen OH-Gruppe einen oder mehrere von OH verschiedene Substituenten auf. Als solche können die Hydroxyaromaten insbesondere Alkyl-, Cycloalkyl-, Alkenyl- und auch Arylsubstituenten aufweisen. Besonders bevorzugt sind Alkylsubstituenten mit 1 bis 10 C-Atomen. Die Alkylsubstituenten können sowohl linear als auch verzweigt vorliegen. Gegebenenfalls weisen die von OH verschiedenen Substituenten selbst eine oder mehrere weitere OH-Gruppen auf.
  • Bei den alicyclischen Hydroxyverbindungen handelt es sich vorzugsweise um Polyhydroxyverbindungen.
  • Bei den aliphatischen Polyhydroxyverbindungen handelt es sich insbesondere um Verbindungen mit 2 bis 6 Hydroxy-Gruppen. Besonders bevorzugt sind als aliphatische Polyhydroxyverbindungen reduzierte Mono, Oligo- oder Polysaccharide. Sehr gut einsetzbar sind insbesondere reduzierte Polyhydroxycarbonyle, unter denen insbesondere die Klasse der Alditole hervorzuheben ist.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird als aliphatische Polyhydroxyverbindung Sorbitol eingesetzt. Sorbitol ist ein Alditol mit der Summenformel C6H14O6 und wird oft auch als n-Hexan-Hexol bezeichnet. Es weist eine sehr gute Löslichkeit in Wasser auf und ist sehr kostengünstig. Sorbitol kann sowohl linksdrehend als L-Form als auch rechtsdrehend als R-Form auftreten Dies ändert das Adsorptionsverhalten an der Oberfläche der Siliziumwafer und verbessert somit das Ätzverhalten.
  • Zur Durchführung des Verfahrens kann die Menge an Zusatz in der Behandlungsflüssigkeit zwischen 1% und 15% liegen. Vorteilhaft wird zwischen 5% und 10% an Zusatz zu der Behandlungsflüssigkeit zugegeben.
  • Vorteilhaft wird das Verfahren mit einer Erwärmung der Behandlungsflüssigkeit durchgeführt. Vorteilhaft kann sie auf eine Temperatur zwischen 60 C und 95°C aufgewärmt werden, besonders vorteilhaft auf etwa 90°C. Auch dadurch wird der Ätzprozess verbessert und beschleunigt.
  • Während ein solches Verfahren mit bekannten Behandlungsflüssigkeiten beispielsweise 30 bis 40 Minuten gedauert hat, kann nun ein ausreichend gutes Ergebnis erzielt werden mit Behandlungsdauern zwischen 3 Minuten und 15 Minuten. Vorteilhaft dauert eine Behandlung zwischen 5 Minuten und 10 Minuten, wobei auch dann eine ausreichende Texturierung erfolgt, insbesondere vergleichbar wie im Stand der Technik.
  • Zumindest bei Siliziumwafern für Solarzellen, die für einseitigen Lichteinfall ausgebildet sind, reicht es, eine Seite zu texturieren. Diese Seite wird dann mit Behandlungsflüssigkeit vollständig benetzt, beispielsweise besprüht oder getaucht, vorteilhaft mit der zu behandelnden Seite nach oben. Es ist auch möglich, beide Seiten eines Siliziumwafers zu texturie ren, entweder auf vorgenannte Art und Weise oder durch vollständiges Tauchens des gesamten Siliziumwafer in ein Bad mit der Behandlungsflüssigkeit.
  • Um das Ätzverfahren sowohl zu beschleunigen als auch um ein besseres Resultat zu erzielen, kann vorgesehen sein, die Behandlungsflüssigkeit an der Oberfläche des Siliziumwafers relativ schnell zu erneuern bzw. zu tauschen oder umzuwälzen. Dazu kann ein gezieltes Anströmen mit Behandlungsflüssigkeit erfolgen, beispielsweise als turbulentes Anströmen oder durch sogenanntes Schwallen. Dies kann durch spezielle Düsen oder sogenannte Schwalleinrichtungen mit Schlitzen odgl. in der Nähe der Oberfläche der Siliziumwafer erfolgen, auch in einem Vollbad, oder allgemein durch Bewegen der Behandlungsflüssigkeit, beispielsweise durch Rühren odgl..
  • Vorteilhaft ist bei einem erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, dass die Siliziumwafer dabei horizontal ausgerichtet sind bei der Behandlung mit der vorbeschriebenen Behandlungsflüssigkeit, vorzugsweise in einem Durchlaufverfahren. Ein derartiges Horizontalverfahren, insbesondere als Durchlaufverfahren, bietet gegenüber den bekannten vertikalen Tauchverfahren mit derartiger Behandlungsflüssigkeit mit taktender Arbeitsweise große Vorteile, nämlich einen besseren Austausch der Behandlungsflüssigkeit an der Waferoberfläche durch die horizontale Lage sowie ein schnelleres Behandeln durch die Möglichkeit des Durchlaufverfahrens.
  • Diese und weitere Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombination bei einer Ausführungsform der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können, für die hier Schutz beansprucht wird. Die Unterteilung der Anmeldung in einzelne Abschnitte sowie Zwischen- Überschriften beschränken die unter diesen gemachten Aussagen nicht in ihrer Allgemeingültigkeit.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen schematisch dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Seitenansicht einer Texturierung eines Siliziumwafers an seiner Unterseite durch Besprühen mit einer erfindungsgemäßen Behandlungsflüssigkeit und
  • 2 eine Abwandlung der Texturierung aus 1 mit in Behandlungsflüssigkeit getauchtem Siliziumwafer samt turbulenter Anströmung.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausführungsbeispiele
  • In 1 ist eine Behandlungseinrichtung 11 dargestellt mit Transportrollen 12, die eine Transportbahn bilden, die oberhalb einer nicht dargestellten Aufnahmewanne für die Behandlungsflüssigkeit verläuft. Auf den Transportrollen 12 wird ein Siliziumwafer 17 entlang der Transportbahn transportiert mit Transportrichtung nach rechts, wie der Pfeil veranschaulicht. Seine Rückseite 18 weist dabei nach unten bzw. liegt auf den Transportrollen 12 auf und die zu behandelnde Vorderseite 19 liegt oben. Der Siliziumwafer 17 kann unter Umständen jedoch auch mit der Vorderseite 19 nach unten transportiert und behandelt werden.
  • Düseneinrichtungen 20 sind über den Transportrollen 12 und somit auch über den Siliziumwafern 17 vorgesehen. Sie erzeugen jeweils einen Flüssigkeitsschleier 16 aus Behandlungsflüssigkeit, die so an die Vorderseiten 19 der Siliziumwafer 17 gebracht wird. Dort bewirkt die Behandlungsflüssigkeit 15 eine eingangs genannte Texturierung der Vor derseite 19 des Siliziumwafers 17. Dieser alkalische Texturierungsprozess von monokristallinen Wafern ist, wie zuvor erläutert worden, bisher nur mit vertikaler Position des Wafers bekannt, und zwar in Tauchverfahren und nicht in Durchlaufverfahren. Weitere Düseneinrichtungen 20', die gestrichelt dargestellt sind, können unter den Transportrollen 12 und somit auch unter den Siliziumwafern 17 vorgesehen sein. Sie ragen nach oben und können jeweils einen Flüssigkeitsschleier 16' aus Behandlungsflüssigkeit erzeugen, um damit ggfs. die Rückseite 18 zu texturieren.
  • Durch die neue erfindungsgemäße Zusammensetzung der Behandlungsflüssigkeit, die beispielsweise zwischen 5% und 10% Sorbitol aufweist, wobei der überwiegende Teil aus Kaliumhydroxid besteht, erfolgt die Texturierung besonders gut und besonders schnell.
  • Eine alternative Behandlungseinrichtung 111 ist in der 2 dargestellt. Hier sind wiederum Transportrollen 112 vorgesehen, die eine Transportbahn bilden, auf der ein Siliziumwafer 117 mit einer Vorderseite 119 nach oben transportiert wird. Der Siliziumwafer 117 kann unter Umständen jedoch auch mit der Vorderseite 119 nach unten transportiert und behandelt werden. Im Unterschied zu 2 verläuft hier die Transportbahn und somit der Siliziumwafer 117 getaucht in einem Bad 114 mit Behandlungsflüssigkeit 115. So wird sowohl die Vorderseite 119 als auch eine Rückseite 118 texturiert.
  • Der Siliziumwafer 117 in 2 befindet sich bereits in dem Bad 114 bzw. der Behandlungsflüssigkeit 115. Bei dem Transport durch das Bad hindurch erfolgt auch ein gewisser Austausch von Behandlungsflüssigkeit an der Vorderseite 119 und der Rückseite 118, welcher die Texturierung günstig beeinflusst. Zur weiteren Verbesserung einer Anströmung der Seiten 118 und 119 mit Behandlungsflüssigkeit 115 sind Düseneinrichtungen 120 über dem Siliziumwafer 117 und weitere Düseneinrichtungen 120' darunter vorgesehen. Diese strömen Behandlungsflüssig keit 115 mit Druck aus und zwar vorzugsweise schräg gegen die Seiten 118 und 119 als turbulente Anströmung 116 und 116', wie dies durch die Striche dargestellt ist. Dies wird auch als Schwalleinrichtung bezeichnet. Somit entspricht dieser Strom von Behandlungsflüssigkeit 115 in etwa dem Flüssigkeitsschleier 16 gemäß 1 und bewirkt ein noch turbulenteres Anströmen der Seite der Siliziumwafer, insbesondere mit verstärktem Austausch von Behandlungsflüssigkeit am Siliziumwafer 117. So können entstehende Gasblasen an der Oberfläche des Siliziumwafers 117 abgelöst und entfernt werden, so dass stets an jede Stelle der Seite 118 und 119 Behandlungsflüssigkeit 115 gelangt.
  • Aus den 1 und 2 kann auch gut entnommen werden, wie hier die Siliziumwafer im Horizontaldurchlaufverfahren behandelt werden bzw. mit der Behandlungsflüssigkeit mit alkalischem Zusatz beaufschlagt werden. Ob dies mit Besprühen bzw. Beschwallen oder im Tauchverfahren erfolgt spielt keine wesentliche Rolle.
  • Nicht dargestellt sind in den Zeichnungen Einrichtungen zur Beimischung des Zusatzes zu der Behandlungsflüssigkeit. Wird jedoch beispielsweise Sorbitol beigemischt, welches in Form eines Pulvers vorliegt, so kann eine Beimischung ganz einfach aus einem Tank in die Behandlungsflüssigkeit erfolgen, entweder in einen separaten Behälter oder direkt in das Bad hinein. Dabei sollte natürlich eine Messung der Konzentration des Sorbitols vorgenommen werden, um einen vorgegebenen Wert einzuhalten.
  • Des Weiteren ist es im Rahmen der Erfindung möglich, nicht nur einen der genannten Zusätze der Behandlungsflüssigkeit beizumischen, sondern auch mehrere. Nicht dargestellt in den Zeichnungen sind Einrichtungen zur vorgenannten Erwärmung der Behandlungsflüssigkeit, welche jedoch an sich dem Fachmann bekannt und leicht zu realisieren sind.

Claims (20)

  1. Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern (17, 117), insbesondere als Substrate für die Herstellung von Solarzellen, wobei die Oberfläche (18, 118, 119) der Siliziumwafer (17, 117) mit Behandlungsflüssigkeit (115) benetzt und dabei texturiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungsflüssigkeit (115) als Zusatz mindestens eine wasserlösliche Hydroxyverbindung aus der folgenden Gruppe aufweist: Hydroxycarbonyle, Hydroxyaromaten, alicyclische Hydroxyverbindungen, aliphatische Polyhydroxyverbindungen sowie aliphatisch-aromatische Hydroxyverbindungen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Hydroxycarbonylen um Hydroxyaldehyde oder Hydroxyketone handelt.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hydroxycarbonyle zwei oder mehr Hydroxygruppen aufweisen.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Hydroxyaromaten um Aromaten mit einem bis vier Benzolkernen handelt.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Hydroxyaromaten um Phenole handelt.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hydroxyaromaten zwei oder mehr OH-Gruppen aufweisen.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hydroxyaromaten neben der mindestens einen OH-Gruppe einen oder mehrere von OH verschiedene Substituenten aufweisen.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den alicyclischen Hydroxyverbindungen um Polyhydroxyverbindungen handelt.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den aliphatischen Polyhydroxyverbindungen um Verbindungen mit 2 bis 6 Hydroxy-Gruppen handelt.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den aliphatischen Polyhydroxyverbindungen um reduzierte Polyhydroxycarbonyle, insbesondere um reduzierte Mono-, Oligosaccharide oder Polysaccharide handelt.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den aliphatischen Polyhydroxyverbindungen um Sorbitol handelt.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Zusatzes in der Behandlungsflüssigkeit (115) zwischen 1% und 15% beträgt, vorzugsweise zwischen 5% und 10%.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungsflüssigkeit (115) bei der Durchführung des Verfahrens eine Temperatur zwischen 60°C und 95°C aufweist, vorzugsweise etwa 90°C.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dauer der Behandlung mit der Behandlungsflüssigkeit (115) zwischen 3 Minuten und 15 Minuten liegt, vorzugsweise zwischen 5 Minuten und 10 Minuten liegt.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumwafer (17, 117) zumindest auf einer Seite (18, 118, 19, 119) vollständig mit der Behandlungsflüssigkeit (115) benetzt werden, insbesondere besprüht oder getaucht werden.
  16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein intensiver Austausch von Behandlungsflüssigkeit (115) an der Oberfläche (18, 118, 19, 119) des Siliziumwafers (17, 117) vorgenommen wird, insbesondere durch gezieltes bzw. erzwungenes Anströmen, vorzugsweise turbulentes Anströmen.
  17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumwafer (17, 117) dabei horizontal ausgerichtet behandelt werden, vorzugsweise in einem Durchlaufverfahren.
  18. Behandlungsflüssigkeit (115) zur Behandlung von Siliziumwafern (17, 117), insbesondere als Siliziumwafer für die Herstellung von Solarzellen, zum Benetzen und Texturieren der Oberfläche (18, 118, 19, 119) der Siliziumwafer (17, 117) mit der Behandlungsflüssigkeit, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungsflüssigkeit (115) als Zusatz mindestens eine wasserlösliche Hydroxyver bindung aus der folgenden Gruppe aufweist: Hydroxycarbonyle, Hydroxyaromaten, alicyclische Hydroxyverbindungen, aliphatische Polyhydroxyverbindungen sowie aliphatisch-aromatische Hydroxyverbindungen.
  19. Behandlungsflüssigkeit nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Zusatzes in der Behandlungsflüssigkeit (115) zwischen 1% und 15% beträgt, vorzugsweise zwischen 5% und 10%.
  20. Siliziumwafer (17, 117), insbesondere für die Herstellung von Solarzellen, dadurch gekennzeichnet, dass er mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17 oder mit einer Behandlungsflüssigkeit (115) nach einem der Ansprüche 18 oder 19 behandelt worden ist.
DE102007026081A 2007-05-25 2007-05-25 Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer Withdrawn DE102007026081A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007026081A DE102007026081A1 (de) 2007-05-25 2007-05-25 Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
PCT/EP2008/003113 WO2008145231A2 (de) 2007-05-25 2008-04-18 Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, entsprechende texturierungs-flüssigkeit und so texturierter siliziumwafer
TW097116867A TW200913045A (en) 2007-05-25 2008-05-07 Method for the treatment of silicon wafers, treatment liquid and silicon wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007026081A DE102007026081A1 (de) 2007-05-25 2007-05-25 Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007026081A1 true DE102007026081A1 (de) 2008-11-27

Family

ID=39874935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007026081A Withdrawn DE102007026081A1 (de) 2007-05-25 2007-05-25 Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102007026081A1 (de)
TW (1) TW200913045A (de)
WO (1) WO2008145231A2 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008022282A1 (de) 2008-04-24 2009-10-29 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Einrichtung und Verfahren zur Behandlung von Silizium-Wafern oder flachen Gegenständen
WO2010100185A1 (de) 2009-03-03 2010-09-10 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, behandlungsflüssigkeit dafür und verwendung
DE102009028762A1 (de) * 2009-08-20 2011-03-03 Rena Gmbh Verfahren zum Ätzen von Siliziumoberflächen
WO2011076920A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und vorrichtung zur behandlung von siliziumsubstraten
WO2012113364A1 (de) * 2011-02-22 2012-08-30 Rena Gmbh Verfahren zum behandeln eines objekts, insbesondere eines solarzellensubstrats, und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE102012107537A1 (de) * 2012-08-16 2014-05-22 Hanwha Q Cells Gmbh Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines monokristallinen Halbleiterwafers und Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Halbleiterwafer-Solarzelle
WO2016095900A1 (de) 2014-12-18 2016-06-23 Hanwha Q Cells Gmbh In-line-nassbankvorrichtung und verfahren für die nasschemische bearbeitung von halbleiterwafern
WO2017167867A1 (de) * 2016-03-31 2017-10-05 Technische Universität Bergakademie Freiberg Siliziumwafer, verfahren zum strukturieren eines siliziumwafers und solarzelle

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101635322B (zh) * 2009-08-26 2011-01-05 北京中联科伟达技术股份有限公司 一种多晶太阳能电池片的链式制绒的方法及装置
DE102011084346A1 (de) 2011-10-12 2013-04-18 Schott Solar Ag Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
CN102916075A (zh) * 2012-09-27 2013-02-06 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种制绒深度稳定的方法
CN103811583A (zh) * 2012-11-12 2014-05-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种硅片制绒方法及硅片制绒装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4941941A (en) * 1989-10-03 1990-07-17 International Business Machines Corporation Method of anisotropically etching silicon wafers and wafer etching solution
DE19811878C2 (de) * 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
JP3948890B2 (ja) * 2000-08-09 2007-07-25 三洋電機株式会社 凹凸基板の製造方法、凹凸構造形成用界面活性剤並びに光起電力素子の製造方法
JP3740138B2 (ja) * 2003-06-25 2006-02-01 直江津電子工業株式会社 テクスチャー形成用エッチング液
JP4394693B2 (ja) * 2004-10-28 2010-01-06 三益半導体工業株式会社 半導体基板の製造方法及びエッチング液
CN1983644A (zh) * 2005-12-13 2007-06-20 上海太阳能科技有限公司 制作单晶硅太阳电池绒面的方法
JP4326545B2 (ja) * 2006-02-23 2009-09-09 三洋電機株式会社 凹凸基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008022282A1 (de) 2008-04-24 2009-10-29 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Einrichtung und Verfahren zur Behandlung von Silizium-Wafern oder flachen Gegenständen
WO2010100185A1 (de) 2009-03-03 2010-09-10 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, behandlungsflüssigkeit dafür und verwendung
DE102009012827A1 (de) 2009-03-03 2010-10-07 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Texturierung von Siliziumwafern für Solarzellen und Behandlungsflüssigkeit dafür
US8383523B2 (en) 2009-03-03 2013-02-26 Gebr. Schmid Gmbh Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and use
DE102009028762A1 (de) * 2009-08-20 2011-03-03 Rena Gmbh Verfahren zum Ätzen von Siliziumoberflächen
DE102009028762A8 (de) * 2009-08-20 2011-06-01 Rena Gmbh Verfahren zum Ätzen von Siliziumoberflächen
US20120276749A1 (en) * 2009-12-23 2012-11-01 Gebr Schmid GmbH Method and Device for Treating Silicon Substrates
DE102009060931A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Gebr. Schmid GmbH & Co., 72250 Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Siliziumsubstraten
WO2011076920A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und vorrichtung zur behandlung von siliziumsubstraten
WO2012113364A1 (de) * 2011-02-22 2012-08-30 Rena Gmbh Verfahren zum behandeln eines objekts, insbesondere eines solarzellensubstrats, und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE102012107537A1 (de) * 2012-08-16 2014-05-22 Hanwha Q Cells Gmbh Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines monokristallinen Halbleiterwafers und Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Halbleiterwafer-Solarzelle
WO2016095900A1 (de) 2014-12-18 2016-06-23 Hanwha Q Cells Gmbh In-line-nassbankvorrichtung und verfahren für die nasschemische bearbeitung von halbleiterwafern
DE102014119090A1 (de) 2014-12-18 2016-06-23 Hanwha Q Cells Gmbh In-line-Nassbankvorrichtung und Verfahren für die nasschemische Bearbeitung von Halbleiterwafern
KR20170094296A (ko) 2014-12-18 2017-08-17 한화큐셀 게엠베하 인라인 왯 벤치 장치 및 반도체 웨이퍼들의 습식용액 처리를 위한 방법
US11183408B2 (en) 2014-12-18 2021-11-23 Hanwha Q Cells Gmbh In-line wet bench device and method for the wet-chemical treatment of semiconductor wafers
DE102014119090B4 (de) 2014-12-18 2022-12-01 Hanwha Q Cells Gmbh In-line-Nassbankvorrichtung und Verfahren für die nasschemische Bearbeitung von Halbleiterwafern
WO2017167867A1 (de) * 2016-03-31 2017-10-05 Technische Universität Bergakademie Freiberg Siliziumwafer, verfahren zum strukturieren eines siliziumwafers und solarzelle

Also Published As

Publication number Publication date
TW200913045A (en) 2009-03-16
WO2008145231A3 (de) 2009-04-02
WO2008145231A2 (de) 2008-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007026081A1 (de) Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
EP2517226B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von siliziumsubstraten
EP2232526B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von silizium-wafern
EP2135300B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle
EP2491584B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung einer substratoberfläche eines substrats
CH384419A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Überzügen
DE102006057383A1 (de) Turbinenanlage zum Nutzen von Energie aus Meereswellen
DE102007004060B4 (de) Verwendung einer Ätzlösung aufweisend Wasser, Salpetersäure und Schwefelsäure und Ätzverfahren
DE102014110222B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Ober- und Unterseite eines Halbleitersubstrats
EP2212927B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines trägers für dünnschichtsolarzellen
EP2404325B1 (de) Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, behandlungsflüssigkeit dafür und verwendung
WO2009077199A2 (de) VERFAHREN UND ANLAGE ZUM BEARBEITEN BZW. REINIGEN VON Si-BLÖCKEN
DE102011084346A1 (de) Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
DE10250281A1 (de) Beschichtungsverfahren und Beschichtungsmittel
DE2138159C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Polieren der Innen- und Außenflächen von Hohlglaskörpern in einem bewegten Polierätzbad, bei dem die Polierflüssigkeit nach erfolgter Einwirkung abfließt
DE112004002392T5 (de) Verfahren zur Absorption eines Gases in einer Flüssigkeit sowie eine Vorrichtung dafür
DE102017131312A1 (de) Verfahren zur verminderung der ausgasungs- und kavitationswirkung
DE1544267C3 (de) Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers
EP2452356B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von substraten
DE2132109A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Musters in einem metallischen Film
DE69511372T2 (de) Vorrichtung zur beschleunigten Kühlung eines kontinuierlich schnell fortbewegten Materials in vertikaler Richtung
EP4029836A1 (de) Vorrichtung zum enthärten von wasser
DE968376C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Erlaeuterungstexten fuer die Bilder auf Filmen
DE2037186A1 (de) Rohrformiges Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verwendung
DE102009051847A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Substratoberlfäche eines Substrats

Legal Events

Date Code Title Description
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: GEBR. SCHMID GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: GEBR. SCHMID GMBH & CO., 72250 FREUDENSTADT, DE

Effective date: 20120202

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER &, DE

Effective date: 20120202

R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination

Effective date: 20140527