WO2012113364A1 - Verfahren zum behandeln eines objekts, insbesondere eines solarzellensubstrats, und vorrichtung zur durchführung des verfahrens - Google Patents

Verfahren zum behandeln eines objekts, insbesondere eines solarzellensubstrats, und vorrichtung zur durchführung des verfahrens Download PDF

Info

Publication number
WO2012113364A1
WO2012113364A1 PCT/DE2011/075307 DE2011075307W WO2012113364A1 WO 2012113364 A1 WO2012113364 A1 WO 2012113364A1 DE 2011075307 W DE2011075307 W DE 2011075307W WO 2012113364 A1 WO2012113364 A1 WO 2012113364A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
treated
solar cell
treatment
cell substrate
Prior art date
Application number
PCT/DE2011/075307
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Werner Saule
Original Assignee
Rena Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rena Gmbh filed Critical Rena Gmbh
Publication of WO2012113364A1 publication Critical patent/WO2012113364A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Definitions

  • the invention relates to a method for treating a Obwalden jekts according to the preamble of claim 1 and a pre ⁇ device for performing the method according to the preamble of claim 12.
  • the present invention is therefore based on the object of providing a method with which the treatment of an object by means of a treatment liquid can be accelerated . This object is achieved by a method having the Merkma ⁇ len of claim 1.
  • the invention has for its object to provide a pre ⁇ direction for performing this method. This object is achieved by a device having the features of claim 12.
  • the object is introduced at least in sections into a treatment liquid arranged in a container.
  • a treating-promoting gas is introduced with the formation of gas bubbles and the gas bubbles are introduced to be treated Be ⁇ rich of the object.
  • gas is understood in the present case also gas mixtures.
  • a gas which promotes the treatment according to the invention is a gas which accelerates the treatment or makes it possible in the first place as a result of interaction of the gas with constituents of the treatment liquid.
  • the gas is introduced into the treatment liquid with formation of gas bubbles and the gas bubbles are introduced to be treated areas, the gas is not physically dissolved in the treatment liquid. Instead, there is a two-phase mixture of gas, this in the form of the gas bubbles, and the liquid treatment liquid. A gas ⁇ exchange between the gas bubbles and the treatment liquid is only a comparatively small scale, so that the gas is hardly dissolved physically in the treatment liquid.
  • the object is completely immersed in the treatment liquid ⁇ .
  • a semiconductor substrate preferably a solar cell substrate and be ⁇ Sonders preferably a silicon solar cell substrate
  • the concept of solar cell substrate includes it on the solar cell substrate formed layers, examples play as a silicon oxide layer on a silicon solar cell substrate ⁇ a.
  • the inventive method has proven particularly useful in this context.
  • the treatment consists in a preferred embodiment of the method in an etching of the areas of the object to be treated.
  • the gas bubbles are introduced from above to at least one upper surface portion to be treated of the object whose normal vector ⁇ substantially facing upwards.
  • the gas bubbles are introduced into the treatment liquid at a sufficient rate so that they can reach the at least one surface section to be treated, despite any buoyancy forces which they may experience in the treatment liquid.
  • gas bubbles can be applied from below to at least one surface section of the object to be treated be introduced, the normal vector is pointing substantially downwards.
  • the speed with which these gas bubbles are introduced into the treatment liquid is, in turn, to be selected such that the gas bubbles can reach the at least one surface section to be treated even if they experience no or only slight buoyancy forces.
  • a hydrofluoric acid etching solution is used as the treatment liquid, and particularly preferably an etching solution consisting of hydrofluoric acid and deionized water.
  • etching solutions have proven particularly useful in treating silicon or silicon-containing objects, for example silicon substrates.
  • As gas ozone gas or an ozone-containing gas mixture can be introduced into the treatment liquid. The introduction of ozone gas has proved to be particularly suitable in connection with the use of a hydrofluoric acid etching solution as a treatment liquid, but can also take place in conjunction with other treatment liquids.
  • deposited gas bubbles are detached by stripping the gas bubbles by means of at least one roller.
  • this stripping is effected by means of at least one transport roller.
  • the stripping can be comfortable and cost-effectively reali ⁇ Siert in Vietnamesesli-bay, in which transport rollers provided in any case for the purpose of transporting the object through the treatment liquid.
  • one or more stripper rollers may be provided which do not serve the transport of the object.
  • a Strö ⁇ mung of treatment liquid can be replaced by means of which at annealed gas bubbles areas to be treated.
  • Such a flow may be provided as an alternative or in addition to the stripping of the gas bubbles by means of at least one roller.
  • a substantially horizontally extending flow is formed.
  • other flow patterns are possible. These are usually to be matched to the direction of transport and the orientation of the objects to be treated.
  • the method consists in treating an etching, and the object is etched in the areas to be treated more than other introduced into the treatment liquid regions of the Whether ⁇ jekts.
  • a treatment liquid is ge ⁇ selected, which has a ⁇ tzwir- effect even without filler mixed gas. In this way, different areas can be etched to different degrees at the same time and therefore at low cost.
  • it may also be selected a treating liquid, having no ⁇ tzwir ⁇ effect in the absence of the gas. This allows for strong selective etching in the areas to be treated, while in other areas of the object no etching takes place.
  • a preferred embodiment therefore provides that a doped region of an intended as an object the semiconductor substrate, preferably an intended as an object Solarzellensub ⁇ strats and particularly preferably an emitter doping an intended as an object the solar cell substrate, is etched back locally by means of the Staer ⁇ stronger etching in the to be treated areas ,
  • An emitter doping in the sense of the invention is a doping made for the purpose of forming an emitter of a solar cell.
  • the emitter doping is etched back by etching portions of the solar cell substrate in which the emitter doping has been introduced.
  • the local back the emitter usually serves the purpose of increasing the sheet resistance of the Emit ⁇ terdotmaschine locally.
  • the local then the emitter doping
  • Emitter doping consist in that a flat on a large-scale side of the solar cell substrate applied emitter doping is etched back over the entire surface.
  • a solar cell substrate is provided as an object and by means of the stronger etching in the to be treated Locating an emitter doping of the solar cell substrate locally removed areas.
  • the prevention of such a short circuit is commonly referred to as edge isolation.
  • the edge insulation can take place in that the emitter doping is again locally removed, but this time only in the edge regions of the solar cell substrate. This has proven particularly at Sun ⁇ larzellentypen in which there are doping on front and back, which must not be damaged, for example in so-called metal-wrap-through solar cells, which are often referred to simply as MWT solar cells.
  • a solar cell is lensubstrat provided as an object, situated in the to be treated areas an emitter doping of the solar cell substrate locally by means of the stronger ⁇ t ⁇ zen and at the same time with the stronger etching in the treated areas, the emitter doping in other areas of the solar cell substrate with- etched back of the treatment liquid.
  • ⁇ next treatment liquid is a ⁇ tzlö ⁇ solution, which already has a caustic effect in the absence of the gas. This is due to the effects described above gerin ⁇ ger than in conjunction with the gas bubbles. This makes it possible to simultaneously carry out in a single etching step, a Kanteniso ⁇ lation and zen the emitter dopingtechnischzu decisiv.
  • the gas bubbles are introduced to the areas of the object to be treated over a distance of less than 2 cm, preferably less than 1 cm, and more preferably less than 5 mm.
  • the gas bubbles can be particularly checked at the Hérange object to be treated ⁇ leads are.
  • the amount of gas which is physically dissolved in the treatment liquid can be reduced.
  • An apparatus for carrying out the method according to the invention comprises a treatment tank, which is arranged in the treatment ⁇ tank treatment liquid, aconsvor ⁇ direction for recording to be treated objects in the treatment tank and at least one gas bubble generator, by means of which are in the treating liquid gas bubbles from ⁇ chanbar ,
  • the gas bubble generator is therefore suitable for generating gas bubbles in the treatment liquid.
  • the receiving device is advantageously designed as a transport ⁇ device, so that objects to be treated can be transported through the treatment tank.
  • a porous ceramic body or a porous Polytetrafluorethylenkorper is provided as gas bubble generator, which is penetrable by a gas.
  • gas bubble generator which is penetrable by a gas.
  • all glass bubble generators can be designed as porous ceramic bodies or all glass bubble generators as porous polytetrafluoroethylene bodies, but a combination of both porous body types is also possible.
  • further types of gas bubble generators may be provided, for example a gas permeable membrane or a gas permeable filter.
  • Transport rollers are preferably arranged in the treatment tank as receiving device, by means of which objects to be treated can be transported through the treatment tank and by means of which gas bubbles deposited on objects to be treated can be stripped off during transport. This allowed ⁇ light it, explained in more detail above in to shed comfortable way of objects to be treated accreted gas bubbles.
  • a further development provides a flow generator before, by means of which in the treatment liquid, a flow of Be ⁇ treatment liquid can be formed. This allows, as explained in more detail above, a detachment of accumulated gas bubbles of areas to be treated or objects to be treated.
  • the flow generator is arranged and aligned such that a substantially horizontally extending flow can be formed.
  • a variant embodiment provides that at least one gas blast generator is arranged above the receiving device.
  • this at least one Gasbla ⁇ sengenerator is arranged in the vertical direction over the receiving device. It can be arranged at any point in a plane extending above the receiving device.
  • At least one gas bubble generator is arranged below the receiving device, preferably at the bottom of the treatment device. basin. Again, it is not necessary that this gas bubble generator is arranged in the vertical direction below the receiving device. In principle, it can be arranged freely in a plane extending below the receiving device.
  • a further embodiment variant of the device provides that at least one gas bubble generator above and at least one gas bubble generator are arranged below the receiving device. This enables a two-sided treatment of the objects, for example a fast double-sided etching.
  • At least two elongated, parallel gas bubble generators are provided. This allows treating the objects in linear areas to be treated.
  • the at least two elongated, parallel Gasbla ⁇ sengeneratoren are arranged below the receiving device.
  • above the recording apparatus arranged elongated, parallel gas ⁇ bubble generators may be provided.
  • the at least two elongate, parallel gas bubble generators are formed by parallel apertured tubes.
  • the at least two elongate, parallel extending gas bubble generators ⁇ be formed in various ways, for example, a uniform, wide hollow body can be provided which has two spaced parallel rows of holes. This construction would also be seen as two elongated, parallel gas bubble generators .
  • the receiving device is designed as a transport device for transporting objects to be treated through the treatment tank and the at least two elongated, parallel gas bubble generators extend in a transport direction of the transport device. In this way, linear areas of the objects to be treated can be treated while they are transported through the treatment basin.
  • the at least one gas bubble generator is less than 2 cm apart from a receiving side of the on ⁇ sampling device is arranged.
  • the recording side is to be understood as that side of the recording device on which the objects come to rest during operation of the device. If, for example, transport rollers are provided as the receiving device , the receiving side is formed by a transport plane predetermined by the transport rollers.
  • the gas bubbles from the at least one Gasblasengenera ⁇ tor are particularly controlled led to the object to be treated.
  • the amount of gas which is physically dissolved in the treatment liquid can be reduced.
  • the distance between the receiving side of the receiving device and the at least one gas bubble generator is less than 1 cm and more preferably less than 5 mm.
  • Fig. 1 shows a first embodiment of the invention
  • FIG. 2 shows a second embodiment of the invention
  • Fig. 3 shows a third embodiment of the invention
  • FIG. 4 A fourth embodiment of the invention
  • Fig. 5 shows a fifth embodiment of the invention
  • FIG. 1 illustrates a schematic representation of a first embodiment of the method according to the invention as well as a first embodiment of the device according to the invention.
  • FIG. 1 shows a schematic side view Treatment tank 10, which serves as a container and in which an etching solution 12 is arranged as a treatment liquid.
  • a transport device is provided which consists of a plurality of transport rollers 14. These transport rollers 14 are used for receiving and transporting silicon solar cell substrates 20, which are provided as objects to be treated in all illustrated exemplary embodiments by way of example.
  • a gas bubble generator 24a is arranged, which is presently formed by a porous Kera ⁇ mik emotions.
  • the gas bubble generators can also be formed by porous polytetrafluoroethylene bodies.
  • gas bubble generators may be provided by membranes or filters with openings.
  • a flow generator 16 is provided by means of which a horizontally extending flow 18 can be formed in the etching solution 12.
  • This flow 18 is the sake of clarity only rudimentarily at the right edge of the treatment tank 10 angedeu ⁇ tet in the figures, but extends further into the treatment tank 10 into it.
  • a hydrofluoric acid etching solution 12 is provided in all illustrated embodiments, preferably an etching solution consisting of hydrofluoric acid and deionized water.
  • a gas promoting the etching is introduced by means of the gas bubble generator 24a.
  • it is always an ozone-containing gas, preferably gaseous ozone.
  • gas bubbles 22a are formed.
  • the introduction of the ozone-containing gas is so ⁇ 22a with the formation of gas bubbles.
  • the gas bubbles 22a accumulate on the lower side 26a of the silicon-solar cell substrate 20 and effect there together with the
  • Etching solution 12 a faster etching of the bottom 26a of Si ⁇ liziumsolarzellensubstrats 20. Not reaching the bottom 26a of the silicon solar cell substrate 20 gas bubbles 22a ge ⁇ long on the silicon solar cell substrate 20 past the surface of the etching solution 12, but not to a top 26 b of the silicon solar cell substrate 20, so that it is hardly or at least substantially less etched than the bottom 26a. At the lower side 26a of the silicon solar cell substrate 20, gas bubbles 22a are attached to the silicon solar cell substrate 20.
  • an emitter doping of a silicon solar cell substrate can be locally removed examples of play or on the bottom 26a of the Siliziumsolarzel ⁇ lensubstrats 20 etched back. If the emitter doping, for example, on the bottom 26a ent ⁇ removed, as can be done in this way, edge isolation.
  • an emitter doping can be locally removed from the entire underside 26a on the underside 26a of the silicon solar cell substrate 20 by means of the stronger etching effect prevailing there At the same time, the emitter doping on the upper side 26b is etched back by means of the etching solution 12. In this way, two different etching steps can be carried out simultaneously and therefore at low cost.
  • FIG. 2 illustrates a schematic representation of a second embodiment of the method according to the invention as well as the device according to the invention.
  • the apparatus illustrated differs from that of Figure 1 in that a Gasbla ⁇ sengenerator 24b is provided instead of the thus arranged at the bottom of the treatment tank 10 and ⁇ half the plane formed by the transport rollers 14 transport process direction gas bubble generator 24a now that above the conveyor rolls 14, which serve as a receiving device, is arranged.
  • Gas bubbles 22b as indicated by emanating from the gas bubble generator 24b arrows Hérange ⁇ leads from above to the upper surface 26b of the silicon solar cell substrate 20, the normal vector 28b facing upward.
  • the BEWE ⁇ supply direction of the gas bubbles 22b is reversed at some point and they rise to the surface of the etching solution 12th
  • the apparatus illustrated differs from that of Figure 1 in that the 2 already known from the embodiment of the figure, is arranged above the transport rollers 14 Gasbla ⁇ sengenerator 24b is provided in addition to the arranged on the soil to the treatment tank 10 Gas bubble generator 24a.
  • Gas bubbles 22a from below and gas bubbles 22b can be brought from above to the silicon solar cell substrate 20, so that both the bottom 26a as well as the top 26b can be rapidly etched.
  • Figure 4 illustrates a fourth embodiment of the OF INVENTION ⁇ to the invention apparatus, as well as the inventive process. While the Figures 1 to 3 are schematic side viewing show the figure 4 is again a schematic Vorderan ⁇ view. In the figures 1 to 3, this would correspond to one extending from the flow generator 16 view of the silicon solar cell substrate 20. Accordingly, it is transported in the depicting ⁇ development of Figure 4, the silicon solar cell substrate 20 in the projecting out of the plane of the conveying direction 15 °.
  • the Siliziumsolarzellen- substrate 20 may during its transport through the psychologistsbe ⁇ CKEN 10 in its Transport plane rotated by 90 ° degrees about its senk ⁇ right to the transport plane extending axis.
  • the two untreated edge regions which have been untreated until now , can be treated, that is, etched, and the emitter doping locally removed.
  • Figure 5 shows a fifth embodiment of the device according to Inventive ⁇ as well as the inventive process.
  • This embodiment differs from that of Figure 4 in that there is provided another apertured elongated tube 30c which is parallel to the other two tubes 30a, 30b.
  • Gasbla ⁇ sen 22a of the apertured hoses 30a, 30b 30c to parallel, Wegzulegiende strip areas 46a, 46b, 46c on an underside of a silicon solar cell substrate 40 introduced. This makes it possible to etch locally and con ⁇ trolled in the strip to be etched areas.
  • an emitter doping located on the underside of the silicon solar cell substrate 40 can be locally controlled in the strip areas 46a, 46b, 46c to be etched and etched back at a low cost. Since a much larger number of elongated, parallel gas bubble generators can readily be provided than the three elongated, apertured tubes 30a, 30b, 30c shown schematically in FIG. 5, selective emitter structures which are more cost-effective can be formed in this way and less well-endowed areas.
  • the weaker doped regions are formed by etched-back strip regions.
  • the gas bubble generators that is the hoses provided with openings 30a, 30b, 30c, below the transport rollers 14 and thus disposed below the receptacle for the Siliziumsolarzellensub ⁇ strat.
  • the corresponding glass bubble generators can in principle, in analogy to the gas bubble generator 24b from FIG. 2, also be arranged above the transport rollers 14. In this case, the gas bubbles would be brought from above to be etched edge regions or to be etched strip areas, which would then be on top of the silicon solar cell substrate.
  • the apertured hoses 30a, 30b, 30c obviously different types of gas bubble generators can be used in the exemplary embodiments of FIGS.
  • the gas bubble generators 24a, 24b, 30a, 30b, 30c appear to be arranged at comparatively large distances from the silicon solar cell substrate 20, 40.
  • the chosen, not true to scale Dar ⁇ type of representation is only the easier comprehensibility of the facts.
  • the Gasblasengenera ⁇ tors 24a, 24b, 30a, 30b, 30c only a few millimeters apart, from being treated in the case in areas 26a, 26b, 36a, 36b, 36c, 46a, 46b, 46c of the Siliziumsolarzellensub ⁇ strats 20 40 arranged.
  • the gas bubble generators 24a, 24b, 30a, 30b, 30c are consequently only a few millimeters, arranged beabstan ⁇ det of a predetermined by the transport rollers 14 transport plane, that is, from a receiving side of the transport rollers fourteenth

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Verfahren zum Behandeln eines Objekts (20; 40), bei welchem das Objekt (20; 40) zumindest abschnittsweise in eine in einem Behälter (10) angeordnete Behandlungsflüssigkeit (12) eingebracht wird, in die in dem Behälter (10) angeordnete Behandlungsflüssigkeit (12) unter Ausbildung von Gasblasen (22a; 22b) ein die Behandlung förderndes Gas (22a; 22b) eingeleitet wird und die Gasblasen (22a; 22b) an zu behandelnde Bereiche (26a; 26b; 36a, 36b; 46a, 46b, 46c) des Objekts (20) herangeführt werden sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.

Description

Verfahren zum Behandeln eines Objekts, insbesondere eines Solarzellensubstrats, und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln eines Ob- jekts gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie eine Vor¬ richtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 12.
Nasschemische Prozesse, beispielsweise das oberflächliche Ät- zen von Objekten, können teilweise beschleunigt werden, indem in einer verwendeten Behandlungslösung Gase physikalisch gelöst werden. Beispielsweise ist aus DE 10 2007 026 082 AI be¬ kannt, Ozongas physikalisch in der Behandlungsflüssigkeit zu lösen. In dem genannten Dokument wird dies teilweise kurz als Beimischen bezeichnet. Die Behandlungsdauer lässt sich auf diese Weise jedoch nicht beliebig verkürzen, da die Löslich¬ keit des verwendeten Gases, beispielsweise des genannten
Ozons, in der Behandlungsflüssigkeit limitiert ist. Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, mit welchem das Behandeln eines Objekts mittels einer Behandlungsflüssigkeit be¬ schleunigt werden kann. Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkma¬ len des Anspruchs 1.
Weiterhin liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vor¬ richtung zur Durchführung dieses Verfahrens zur Verfügung zu stellen . Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung mit den Merk¬ malen des Anspruchs 12.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind jeweils Gegenstand abhängi- ger Unteransprüche.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Behandeln eines Objekts wird das Objekt zumindest abschnittsweise in eine in ei¬ nem Behälter angeordnete Behandlungsflüssigkeit eingebracht. In die in dem Behälter angeordnete Behandlungsflüssigkeit wird unter Ausbildung von Gasblasen ein die Behandlung förderndes Gas eingeleitet und die Gasblasen werden an zu behandelnde Be¬ reiche des Objekts herangeführt. Unter dem Begriff Gas werden vorliegend auch Gasgemische verstanden. Ein die Behandlung förderndes Gas im Sinne der Erfindung ist ein Gas, welches die Behandlung beschleunigt oder sie überhaupt erst in Folge eines Zusammenwirkens des Gases mit Bestandteilen der Behandlungsflüssigkeit ermöglicht.
Dadurch, dass das Gas unter Ausbildung von Gasblasen in die Behandlungsflüssigkeit eingeleitet wird und die Gasblasen an zu behandelnde Bereiche herangeführt werden, ist das Gas nicht physikalisch in der Behandlungsflüssigkeit gelöst. Stattdessen liegt ein Zweiphasengemisch aus Gas, dieses in Form der Gasblasen, und der flüssigen Behandlungsflüssigkeit vor. Ein Gas¬ austausch zwischen den Gasblasen und der Behandlungsflüssigkeit erfolgt nur in vergleichsweise geringem Umfang, sodass das Gas kaum in der Behandlungsflüssigkeit physikalisch gelöst wird.
Es hat sich gezeigt, dass auf diese Weise das Behandeln in den zu behandelnden Bereichen beschleunigt werden kann. Dies ist darauf zurückzuführen, dass das Gas in den Gasblasen in hoher Konzentration vorliegt, sodass in deren Umgebung eine beschleunigte Behandlung erfolgen kann. Zudem kann Behandlungsflüssigkeit aus der flüssigen Phase in den Gasblasen in eine Gasphase übertreten, sodass die Behandlung des Objekts inner- halb der Gasblase aus der Gasphase heraus erfolgen kann.
Vorzugsweise wird das Objekt vollständig in die Behandlungs¬ flüssigkeit eingetaucht. Bei bevorzugten Ausführungsvarianten wird als Objekt ein Halbleitersubstrat, vorzugsweise ein Solarzellensubstrat und be¬ sonders bevorzugt ein Siliziumsolarzellensubstrat, vorgesehen und behandelt. Der Begriff des Solarzellensubstrats schließt dabei auf dem Solarzellensubstrat ausgebildete Schichten, bei- spielsweise eine Siliziumoxidschicht auf einem Siliziumsolar¬ zellensubstrat, ein. Das erfindungsgemäße Verfahren hat sich in diesem Zusammenhang besonders bewährt.
Das Behandeln besteht bei einer bevorzugten Ausführungsvarian- te des Verfahrens in einem Ätzen der zu behandelnden Bereiche des Objekts.
Bei einer Ausgestaltungsvariante des Verfahrens werden die Gasblasen von oben an wenigstens einen zu behandelnden Ober- flächenabschnitts des Objekts herangeführt, dessen Normalen¬ vektor im Wesentlichen nach oben weist. Die Gasblasen werden zu diesem Zweck mit einer hinreichenden Geschwindigkeit in die Behandlungsflüssigkeit eingeleitet, sodass sie trotz etwaiger Auftriebskräfte, welche sie in der Behandlungsflüssigkeit mög- licherweise erfahren, an den wenigstens einen zu behandelnden Oberflächenabschnitt gelangen können.
Alternativ oder zusätzlich können Gasblasen von unten an mindestens einem zu behandelnden Oberflächenabschnitt des Objekts herangeführt werden, dessen Normalenvektor im Wesentlichen nach unten weist. Die Geschwindigkeit, mit der diese Gasblasen in die Behandlungsflüssigkeit eingeleitet werden, ist wiederum derart zu wählen, dass die Gasblasen auch dann an den mindes- tens einen zu behandelnden Oberflächenabschnitt gelangen können, wenn sie keine oder nur geringe Auftriebskräfte erfahren.
Vorzugsweise wird als Behandlungsflüssigkeit eine Flusssäure aufweisende Ätzlösung verwendet und besonders bevorzugt eine aus Flusssäure und deionisiertem Wasser bestehende Ätzlösung. Diese Ätzlösungen haben sich insbesondere beim Behandeln von Silizium oder siliziumhaltigen Objekten, beispielsweise Siliziumsubstraten, bewährt. Als Gas kann Ozongas oder ein ozonhaltiges Gasgemisch in die Behandlungsflüssigkeit eingeleitet werden. Die Einleitung von Ozongas hat sich insbesondere im Zusammenhang mit der Verwendung einer Flusssäure aufweisenden Ätzlösung als Behandlungsflüssigkeit bewährt, kann jedoch auch in Verbindung mit ande- ren Behandlungsflüssigkeiten erfolgen.
Im Zuge der Verfahrensführung kann es dazu kommen, dass sich Gasblasen über längere Zeit an den zu behandelnden Bereichen anlagern. Vorteilhafterweise werden solche an zu behandelnden Bereichen angelagerte Gasblasen abgelöst. Auf diese Weise wird eine Erschöpfung des Gasreservoirs und somit eine Verzögerung der Behandlung vermieden. Werden beispielsweise zum Behandeln von Silizium eine Flusssäure aufweisende Ätzlösung als Behand¬ lungsflüssigkeit und Ozongas als Gas verwendet, so dient das Ablösen angelagerter Blasen zudem dazu, in den angelagerten
Gasblasen gebildetes Siliziumoxid möglichst oft und gleichmä¬ ßig mittels der vorwiegend in flüssiger Phase in der Ätzlösung vorliegenden Flusssäure abzuätzen. Vorzugsweise werden angelagerte Gasblasen durch ein Abstreifen der Gasblasen mittels wenigstens einer Rolle abgelöst. Beson¬ ders bevorzugt erfolgt dieses Abstreifen mittels wenigstens einer Transportrolle. Auf diese Weise kann in Fertigungsli- nien, in welchen Transportrollen ohnehin zum Zwecke des Transports des Objekts durch die Behandlungsflüssigkeit vorgesehen sind, das Abstreifen komfortabel und aufwandsgünstig reali¬ siert werden. Alternativ oder ergänzend können eine oder mehrere Abstreifrollen vorgesehen sein, welche nicht dem Trans- port des Objekts dienen.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, während des Behandeins zumindest zeitweise in der Behandlungsflüssigkeit eine Strö¬ mung aus Behandlungsflüssigkeit auszubilden, mittels welcher an zu behandelnden Bereichen angelagerte Gasblasen abgelöst werden. Eine derartige Strömung kann alternativ oder ergänzend zu dem Abstreifen der Gasblasen mittels wenigstens einer Rolle vorgesehen sein. Vorzugsweise wird eine im Wesentlichen horizontal verlaufende Strömung ausgebildet. Grundsätzlich sind auch andere Strömungsverläufe möglich. Diese sind in der Regel auf die Transportrichtung und die Orientierung der zu behandelnden Objekte abzustimmen.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltungsvariante des Verfahrens besteht das Behandeln in einem Ätzen und das Objekt wird in den zu behandelnden Bereichen stärker geätzt als in anderen in die Behandlungsflüssigkeit eingebrachten Bereichen des Ob¬ jekts. Dies ist möglich, indem eine Behandlungsflüssigkeit ge¬ wählt wird, welche bereits ohne beigemengtes Gas eine Ätzwir- kung aufweist. Auf diese Weise können zeitgleich und somit aufwandsgünstig unterschiedliche Bereiche verschieden stark geätzt werden. Es kann jedoch auch eine Behandlungsflüssigkeit gewählt werden, welche in Abwesenheit des Gases keine Ätzwir¬ kung aufweist. Dies ermöglicht ein starkes selektives Ätzen in den zu behandelnden Bereichen, während in übrigen Bereichen des Objekts kein Ätzen erfolgt.
Die beschriebene Selektivität des Ätzvorgangs lässt sich ins- besondere vorteilhaft bei der Fertigung von Halbleiterbauele¬ menten, insbesondere von Solarzellen einsetzen. Eine bevorzugte Ausführungsvariante sieht daher vor, dass mittels des stär¬ keren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen ein dotierter Bereich eines als Objekt vorgesehenen Halbleitersubstrats, vorzugsweise eines als Objekt vorgesehenen Solarzellensub¬ strats und besonders bevorzugt eine Emitterdotierung eines als Objekt vorgesehenen Solarzellensubstrats, lokal zurückgeätzt wird. Unter einem lokalen Zurückätzen ist dabei zu verstehen, dass in den zu behandelnden Bereichen zurückgeätzt wird, in übrigen Bereichen hingegen nur in wesentlich geringerem Umfang oder überhaupt nicht. Bei einer Emitterdotierung im Sinne der Erfindung handelt es sich um eine zum Zwecke des Ausbildens eines Emitters einer Solarzelle vorgenommene Dotierung. Die Emitterdotierung wird zurückgeätzt, indem Bereiche des Solar- zellensubstrats, in welche die Emitterdotierung eingebracht wurde, geätzt werden. Das lokale Zurückätzen des Emitters dient in der Regel dem Zweck, den Schichtwiderstand der Emit¬ terdotierung lokal zu erhöhen. In einer Ausführungsvariante kann das lokale Rückätzen der
Emitterdotierung darin bestehen, dass eine auf einer großflächigen Seite des Solarzellensubstrats flächig aufgebrachte Emitterdotierung vollflächig zurückgeätzt wird. Alternativ besteht die Möglichkeit, solch eine flächig aufgebrachte Emit- terdotierung nur lokal zurückzuät zen und auf diese Weise einen sogenannten selektiven Emitter auszubilden.
Vorteilhafterweise wird ein Solarzellensubstrat als Objekt vorgesehen und mittels des stärkeren Ätzens in den zu behan- delnden Bereichen eine Emitterdotierung des Solarzellensubstrats lokal entfernt. Auf diese Weise kann beispielsweise die Emitterdotierung von einer gesamten großflächigen Seite des Solarzellensubstrats, in der Regel einer Rückseite der ferti- gen Solarzelle, entfernt und somit ein Kurzschluss zwischen den Kontakten der fertigen Solarzelle verhindert werden. Die Verhinderung solch eines Kurzschlusses wird üblicherweise als Kantenisolation bezeichnet. Bei einer anderen Ausführungsvariante kann die Kantenisolation dadurch erfolgen, dass die Emitterdotierung wiederum lokal entfernt wird, dieses Mal jedoch nur in den Kantenbereichen des Solarzellensubstrats. Dies hat sich insbesondere bei So¬ larzellentypen bewährt, bei welchen auf Vorder- und Rückseite Dotierungen bestehen, die nicht beschädigt werden dürfen, beispielsweise bei sogenannten Metal-Wrap-Through-Solarzellen, welche häufig kurz als MWT-Solarzellen bezeichnet werden.
Bei einer vorteilhaften Verfahrensvariante wird ein Solarzel- lensubstrat als Objekt vorgesehen, mittels des stärkeren Ät¬ zens in den zu behandelnden Bereichen eine Emitterdotierung des Solarzellensubstrats lokal entfernt und zeitgleich mit dem stärkeren Ätzen in den zu behandelnden Bereichen die Emitterdotierung in anderen Bereichen des Solarzellensubstrats mit- tels der Behandlungsflüssigkeit zurückgeätzt. Bei der einge¬ setzten Behandlungsflüssigkeit handelt es sich um eine Ätzlö¬ sung, welche bereits in Abwesenheit des Gases eine Ätzwirkung aufweist. Diese ist aufgrund oben beschriebener Effekte gerin¬ ger als in Verbindung mit den Gasblasen. Dies ermöglicht es, in einem einheitlichen Ätzschritt gleichzeitig eine Kanteniso¬ lation vorzunehmen und die Emitterdotierung zurückzuät zen . Die beiden Verfahrensschritte, die moderne Solarzellenherstel¬ lungsverfahren zum Teil erfordern, können somit aufwandsgünstig durchgeführt werden. Vorzugsweise werden die Gasblasen an die zu behandelnden Bereiche des Objekts über eine Strecke von weniger als 2 cm, vorzugsweise von weniger als 1 cm und besonders bevorzugt von weniger als 5 mm, herangeführt. Auf diese können die Gasblasen besonders kontrolliert an das zu behandelnde Objekt herange¬ führt werden. Zudem kann auf diese Weise die Menge an Gas, welche in der Behandlungsflüssigkeit physikalisch gelöst wird, verringert werden.
Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens weist ein Behandlungsbecken, eine in dem Behandlungs¬ becken angeordnete Behandlungsflüssigkeit, eine Aufnahmevor¬ richtung zur Aufnahme zu behandelnder Objekte in dem Behand- lungsbecken sowie wenigstens einen Gasblasengenerator auf, mittels welchem in der Behandlungsflüssigkeit Gasblasen aus¬ bildbar sind. Der Gasblasengenerator ist demnach dazu geeignet, Gasblasen in der Behandlungsflüssigkeit zu erzeugen. In der Praxis hat es sich bewährt, den Gasblasengenerator zumindest abschnittsweise in dem Behandlungsbecken anzuordnen.
Die Aufnahmevorrichtung ist vorteilhafterweise als Transport¬ vorrichtung ausgeführt, sodass zu behandelnde Objekte durch das Behandlungsbecken transportiert werden können.
Vorzugsweise ist als Gasblasengenerator ein poröser Keramikkörper oder ein poröser Polytetrafluorethylenkorper vorgesehen, welcher von einem Gas durchdringbar ist. Ist mehr als ein Gasblasengenerator vorgesehen, so können alle Glasblasengeneratoren als poröse Keramikkörper oder alle Glasblasengenerato¬ ren als poröse Polytetrafluorethylenkorper ausgeführt sein, doch ist auch eine Kombination beider poröser Körperarten möglich . Daneben oder alternativ können weitere Arten von Gasblasengeneratoren vorgesehen sein, beispielsweise eine für ein Gas durchlässige Membran oder ein für ein Gas durchlässiger Fil- ter .
Bevorzugt sind als Aufnahmevorrichtung Transportrollen in dem Behandlungsbecken angeordnet, mittels welchen zu behandelnde Objekte durch das Behandlungsbecken transportierbar sind und mittels welchen an zu behandelnden Objekten angelagerte Gasblasen während des Transports abstreifbar sind. Dies ermög¬ licht es, in der oben näher erläuterten, komfortablen Weise an zu behandelnden Objekten angelagerte Gasblasen abzustreifen. Eine Weiterbildung sieht einen Strömungsgenerator vor, mittels welchem in der Behandlungsflüssigkeit eine Strömung aus Be¬ handlungsflüssigkeit ausbildbar ist. Dies ermöglicht, wie oben näher erläutert, ein Ablösen angelagerter Gasblasen von zu behandelnden Bereichen beziehungsweise zu behandelnden Objekten. Vorzugsweise ist der Strömungsgenerator derart angeordnet und ausgerichtet, dass eine im Wesentlichen horizontal verlaufende Strömung ausbildbar ist.
Eine Ausführungsvariante sieht vor, dass zumindest ein Gasbla- sengenerator oberhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet ist. Dies bedingt jedoch nicht, dass dieser zumindest eine Gasbla¬ sengenerator in vertikaler Richtung über der Aufnahmevorrichtung angeordnet ist. Er kann an einer beliebigen Stelle in einer oberhalb der Aufnahmevorrichtung verlaufenden Ebene ange- ordnet sein.
In einer anderen Ausführungsvariante ist alternativ oder ergänzend zumindest ein Gasblasengenerator unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet, vorzugsweise am Boden des Behand- lungsbeckens . Wiederum ist es nicht erforderlich, dass dieser Gasblasengenerator in vertikaler Richtung unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet ist. Grundsätzlich kann er frei in einer unterhalb der Aufnahmevorrichtung verlaufenden Ebene an- geordnet werden.
Eine weitere Ausgestaltungsvariante der Vorrichtung sieht vor, dass zumindest ein Gasblasengenerator oberhalb und zumindest ein Gasblasengenerator unterhalb der Aufnahmevorrichtung ange- ordnet sind. Dies ermöglicht eine doppelseitige Behandlung der Objekte, beispielsweise ein schnelles doppelseitiges Ätzen.
Bei einer anderen Ausgestaltungsvariante der Vorrichtung sind wenigstens zwei längliche, parallel verlaufende Gasblasengene- ratoren vorgesehen. Dies ermöglicht ein Behandeln der Objekte in linienförmigen zu behandelnden Bereichen. Vorzugsweise sind die wenigstens zwei länglichen, parallel verlaufenden Gasbla¬ sengeneratoren unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet. Alternativ oder ergänzend können auch oberhalb der Aufnahme- Vorrichtung angeordnete längliche, parallel verlaufende Gas¬ blasengeneratoren vorgesehen sein.
Vorzugsweise sind die wenigstens zwei länglichen, parallel verlaufenden Gasblasengeneratoren durch parallel verlaufende, mit Öffnungen versehene Schläuche gebildet. Grundsätzlich kön¬ nen die wenigstens zwei länglichen, parallel verlaufenden Gas¬ blasengeneratoren auf verschiedenste Arten ausgebildet werden, beispielsweise kann ein einheitlicher, breiter Hohlkörper vorgesehen werden, welcher zwei beabstandet parallel verlaufende Lochreihen aufweist. Diese Konstruktion wäre ebenfalls als zwei längliche, parallel verlaufende Gasblasengeneratoren an¬ zusehen . Bei einer bevorzugten Ausführungsvariante der Vorrichtung ist die Aufnahmevorrichtung als Transportvorrichtung zum Transport zu behandelnder Objekte durch das Behandlungsbecken ausgeführt und die wenigstens zwei länglichen, parallel verlaufenden Gas- blasengeneratoren erstrecken sich in einer Transportrichtung der Transportvorrichtung. Auf diese Weise können linienförmige zu behandelnde Bereiche der Objekte behandelt werden, während diese durch das Behandlungsbecken transportiert werden. Vorteilhafterweise ist der wenigstens eine Gasblasengenerator weniger als 2 cm beabstandet von einer Aufnahmeseite der Auf¬ nahmevorrichtung angeordnet. Unter Aufnahmeseite ist dabei diejenige Seite der Aufnahmevorrichtung zu verstehen, auf welcher im Betrieb der Vorrichtung die Objekte zu liegen kommen. Werden als Aufnahmevorrichtung beispielsweise Transportrollen vorgesehen, so wird die Aufnahmeseite gebildet durch eine dur¬ ch die Transportrollen vorgegebene Transportebene. Auf diese können die Gasblasen aus dem wenigstens einen Gasblasengenera¬ tor besonders kontrolliert an das zu behandelnde Objekt heran- geführt werden. Zudem kann auf diese Weise die Menge an Gas, welche in der Behandlungsflüssigkeit physikalisch gelöst wird, verringert werden. Vorzugsweise beträgt der Abstand zwischen der Aufnahmeseite der Aufnahmevorrichtung und dem wenigstens einen Gasblasengenerator weniger als 1 cm und besonders bevor- zugt weniger als 5 mm.
Im Weiteren wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert. Soweit zweckdienlich, sind hierin gleichwirkende Elemen¬ te mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Erfindung ist nicht auf die in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispie¬ le beschränkt - auch nicht in Bezug auf funktionale Merkmale. Die bisherige Beschreibung wie auch die nachfolgende Figuren¬ beschreibung enthalten zahlreiche Merkmale, die in den abhängigen Unteransprüchen teilweise zu mehreren zusammengefasst wiedergegeben sind. Diese Merkmale wie auch alle übrigen oben oder in der nachfolgenden Figurenbeschreibung offenbarten Merkmale wird der Fachmann jedoch auch einzeln betrachten und zu sinnvollen weiteren Kombinationen zusammenfügen. Insbeson- dere sind diese Merkmale jeweils einzeln und in beliebiger ge¬ eigneter Kombination mit dem Verfahren und/oder der Vorrichtung der unabhängigen Ansprüche kombinierbar.
Es zeigen:
Fig. 1 Ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Verfahrens in schematischer Darstellung Fig. 2 Ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Verfahrens in schematischer Darstellung
Fig. 3 Ein drittes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Verfahrens in schematischer Darstellung
Fig. 4 Ein viertes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Verfahrens in schematischer Darstellung
Fig. 5 Ein fünftes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Verfahrens in schematischer Darstellung
Figur 1 illustriert in schematischer Darstellung ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wie auch ein erstes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Figur 1 zeigt in einer schematischen Seitenansicht ein Behandlungsbecken 10, welches als Behälter dient und in welchem eine Ätzlösung 12 als Behandlungsflüssigkeit angeordnet ist. Als Aufnahmevorrichtung ist eine Transportvorrichtung vorgesehen, welche aus mehreren Transportrollen 14 besteht. Diese Transportrollen 14 dienen der Aufnahme und dem Transport von Siliziumsolarzellensubstraten 20, welche in allen dargestellten Ausführungsbeispielen beispielhaft als zu behandelnde Objekte vorgesehen sind. Am Boden des Behandlungsbeckens 10 ist ein Gasblasengenerator 24a angeordnet, welcher vorliegend durch einen porösen Kera¬ mikkörper gebildet ist. In diesem wie auch in den Ausführungs¬ beispielen der Figuren 1 bis 3 können die Gasblasengeneratoren auch durch poröse Polytetrafluorethylenkörper gebildet sein. Daneben oder alternativ können Gasblasengeneratoren aus Membranen oder Filtern mit Öffnungen vorgesehen sein.
Weiterhin ist ein Strömungsgenerator 16 vorgesehen, mittels welchem in der Ätzlösung 12 eine horizontal verlaufende Strö- mung 18 ausgebildet werden kann. Diese Strömung 18 ist der besseren Übersichtlichkeit halber in den Figuren jeweils nur ansatzweise am rechten Rand des Behandlungsbeckens 10 angedeu¬ tet, erstreckt sich jedoch weiter in das Behandlungsbecken 10 hinein .
Wie in Figur 1 erkennbar ist, wird bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel das Objekt, das heißt das Siliziumsolarzel¬ lensubstrat 20 vollständig in die in dem Behandlungsbecken 10 angeordnete Ätzlösung 12 eingebracht. Als Ätzlösung 12 ist in allen dargestellten Ausführungsbeispielen eine flusssäurehaltige Ätzlösung 12 vorgesehen, vorzugsweise eine aus Flusssäure und deionisiertem Wasser bestehende Ätzlösung. In diese Ätzlösung 12 wird mittels des Gasblasengenerators 24a ein das Ätzen förderndes Gas eingeleitet. In den dargestellten Ausführungsbeispielen handelt es sich dabei stets um ein ozonhaltiges Gas, vorzugsweise um gasförmiges Ozon. Bei dem durch die von dem Gasblasengenerator 24a ausgehenden Pfeile angedeuteten Einleiten des ozonhaltigen Gases werden Gasblasen 22a ausgebildet. Das Einleiten des ozonhaltigen Gases erfolgt so¬ mit unter Ausbildung von Gasblasen 22a. Diese Gasblasen 22a werden an eine Unterseite 26a des Siliziumsolarzellensubstrats 20 herangeführt. Ein Normalenvektor 28a der Unterseite 26a weist nach unten.
Wie der Darstellung der Figur 1 zu entnehmen ist, reichern sich die Gasblasen 22a an der Unterseite 26a des Siliziumso- larzellensubstrats 20 an und bewirken dort zusammen mit der
Ätzlösung 12 ein schnelleres Ätzen der Unterseite 26a des Si¬ liziumsolarzellensubstrats 20. Nicht an die Unterseite 26a des Siliziumsolarzellensubstrats 20 gelangende Gasblasen 22a ge¬ langen an dem Siliziumsolarzellensubstrat 20 vorbei an die Oberfläche der Ätzlösung 12, nicht jedoch an eine Oberseite 26b des Siliziumsolarzellensubstrats 20, sodass diese kaum oder zumindest wesentlich schwächer geätzt wird als die Unterseite 26a. An der Unterseite 26a des Siliziumsolarzellensubstrats 20 kommt es zu einem Anlagern von Gasblasen 22a an das Siliziumsolarzellensubstrat 20. Wie oben näher erläutert wurde, kann dies zu einer Verzögerung des Ätzvorgangs führen, wenn das Ozon in den angelagerten Gasblasen erschöpft ist oder in den Gasblasen gebildetes Oxid weniger häufig mittels vorwiegend in flüssiger Phase in der Ätzlösung 12 vorliegender Flusssäure abgeätzt werden kann. Um dies zu verhindern, werden angelagerte Gasblasen während eines Transports des Siliziumsolarzellensubstrats 20 durch das Behandlungsbecken 10 angelagerte Gas- blasen mittels der Transportrollen 14 abgestreift. Der Unterstützung des Ablöseprozesses der angelagerten Gasblasen dient die ausgebildete Strömung 18. Diese bewirkt ergänzend ein Ab¬ lösen der angelagerten Gasblasen von dem Siliziumsolarzellen- Substrat 20. Die Wirkung der Strömung zeigt sich in Figur 1 zudem in einem Versatz der aufsteigenden Gasblasen 22a nach links .
Mittels des in Figur 1 dargestellten Verfahrens kann bei- spielsweise eine Emitterdotierung eines Siliziumsolarzellensubstrats lokal auf der Unterseite 26a des Siliziumsolarzel¬ lensubstrats 20 entfernt oder zurückgeätzt werden. Wird die Emitterdotierung beispielsweise auf der Unterseite 26a ent¬ fernt, so kann auf diese Weise eine Kantenisolation erfolgen.
In besonders vorteilhafter Weise kann mit der in Figur 1 dargestellten Vorrichtung, beziehungsweise der in Figur 1 illustrierten Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens, an der Unterseite 26a des Siliziumsolarzellensubstrats 20 mit- tels der dort vorherrschenden stärkeren Ätzwirkung eine Emitterdotierung lokal von der gesamten Unterseite 26a entfernt werden und zeitgleich die Emitterdotierung auf der Oberseite 26b mittels der Ätzlösung 12 zurückgeätzt werden. Auf diese Weise können zwei unterschiedliche Ätzschritte gleichzeitig und damit aufwandsgünstig durchgeführt werden. In welchem Um¬ fang die Emitterdotierung auf der Oberseite 26b des Siliziumsolarzellensubstrats 20 zurückgeätzt wird, bestimmt sich dabei durch die Verweildauer des Siliziumsolarzellensubstrats 20 in der Ätzlösung 12, die konkrete Zusammensetzung der Ätzlösung 12, insbesondere deren Flusssäuregehalt, und die Temperatur der Ätzlösung 12. Diese Parameter haben zwar ebenfalls Ein- fluss auf die Ätzgeschwindigkeit an der Unterseite 26a des Si¬ liziumsolarzellensubstrats 20, doch wird der Ätzvorgang dort durch das vorhandene Ozon in der beschriebenen Weise erheblich beschleunigt .
Figur 2 illustriert in schematischer Darstellung ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wie auch der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Die dargestellte Vorrichtung unterscheidet sich von der aus Figur 1 dadurch, dass anstelle des am Boden des Behandlungsbeckens 10 und damit unter¬ halb der durch die Transportrollen 14 gebildeten Transportvor- richtung angeordneten Gasblasengenerators 24a nun ein Gasbla¬ sengenerator 24b vorgesehen ist, welcher oberhalb der Transportrollen 14, welche als Aufnahmevorrichtung dienen, angeordnet ist. Gasblasen 22b werden, wie durch von dem Gasblasengenerator 24b ausgehende Pfeile angedeutet, von oben an die Oberseite 26b des Siliziumsolarzellensubstrats 20 herange¬ führt, deren Normalenvektor 28b nach oben weist. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 1 werden Gasblasen 22b im Ausführungsbeispiel der Figur 2 daher an der Oberseite 26b des Siliziumsolarzellensubstrats 20 angereichert, sodass es dort zu einem starken Ätzen kommt. Die Unterseite 26a des Siliziumsolarzellensubstrats 20 wird im Ausführungsbeispiel der Figur 2 hingegen nur aufgrund der der Ätzlösung 12 bereits ohne ozonhaltige Gasblasen innewohnenden Ätzwirkung geätzt, sodass der Ätzabtrag dort wesentlich geringer ausfällt.
Da die Gasblasen 22b von oben entgegen einer auf sie einwirkenden Auftriebskraft an die Oberseite 26a des Siliziumsolar¬ zellensubstrats 20 herangeführt werden, kehrt sich die Bewe¬ gungsrichtung der Gasblasen 22b ab einem gewissen Zeitpunkt um und sie steigen wieder an die Oberfläche der Ätzlösung 12.
Dieser Sachverhalt ist in Figur 2 am linken Rand des Behand¬ lungsbeckens 10 schematisch dargestellt. Bei Verwendung ande¬ rer Ätzlösungen oder Gase kann es aufgrund abweichender Auftriebskräfte zu anderen Effekten kommen. Trotz der auf die Gasblasen 22b einwirkender Auftriebskräfte kann es an der Oberseite 26b zu einer Anlagerung der Gasblasen 22b an das Siliziumsolarzellensubstrat 20 kommen. An der Ober- seite 26b angelagerte Gasblasen können im Ausführungsbeispiel der Figur 2 nicht mittels der Transportrollen 14 abgestreift werden, während das Siliziumsolarzellensubstrat 20 mittels der Transportrollen 14 in einer Transportrichtung 15 durch das Behandlungsbecken 10 transportiert wird. Das Ablösen angelager- ter Gasblasen erfolgt in diesem Ausführungsbeispiel mittels der Strömung 18.
Ebenso wie mit dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbei¬ spiel kann mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 eine Emit- terdotierung lokal in vorteilhafter Weise entfernt werden, hier allerdings von der Oberseite 26b des Siliziumsolarzellensubstrats 20. Ferner kann in besonders vorteilhafter Weise mittels stärkeren Ätzens auf der Oberseite 26b des Siliziumso¬ larzellensubstrats 20 eine Emitterdotierung des Siliziumsolar- zellensubstrats 20 auf der gesamten Oberseite 26b lokal ent¬ fernt werden, während zeitgleich die Emitterdotierung auf der Unterseite 26a des Siliziumsolarzellensubstrats 20 zurückge¬ ätzt wird. Wie im Fall des Ausführungsbeispiels der Figur 1 hat dies gegenüber anderen Verfahren, bei welchen beispiels- weise das Siliziumsolarzellensubstrat entlang der Oberfläche einer Ätzlösung bewegt wird, die Vorteile, dass die Kanteniso¬ lation und das Emitterrückätzen gleichzeitig erfolgen können, es sich um vergleichsweise einfach handhabbare Prozesse han¬ delt und keine Probleme dadurch entstehen können, dass Ätzlö- sung aufgrund von Kapillareffekten auf außerhalb der Ätzlösung angeordnete Teile des Siliziumsolarzellensubstrats kriecht. Derartige Kapillareffekte bereiten insbesondere bei texturier- ten Siliziumsolarzellensubstraten Probleme. Figur 3 illustriert ein drittes Ausführungsbeispiel eines er¬ findungsgemäßen Verfahrens sowie einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. Die dargestellte Vorrichtung unterscheidet sich von derjenigen aus Figur 1 dadurch, dass zusätzlich zu dem am Bo- den des Behandlungsbeckens 10 angeordneten Gasblasengenerator 24a auch der bereits aus dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 bekannte, oberhalb der Transportrollen 14 angeordnete Gasbla¬ sengenerator 24b vorgesehen ist. Auf diese Weise können, wie es in Figur 3 dargestellt ist, Gasblasen 22a von unten und Gasblasen 22b von oben an das Siliziumsolarzellensubstrat 20 herangeführt werden, sodass sowohl die Unterseite 26a wie auch die Oberseite 26b schnell geätzt werden können.
Offensichtlich ist es bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 nicht zwingend erforderlich, die Gasblasengeneratoren 24a und 24b gleichzeitig zu betreiben. Wird nur ein Gasblasengenerator betrieben, so können mit der in Figur 3 dargestellten Vorrichtung die Verhältnisse des Ausführungsbeispiels der Figur 1 oder die Verhältnisse des Ausführungsbeispiels der Figur 2 re- alisiert werden.
Figur 4 illustriert ein viertes Ausführungsbeispiel der erfin¬ dungsgemäßen Vorrichtung wie auch des erfindungsgemäßen Verfahrens. Während die Figuren 1 bis 3 eine schematische Seiten- ansieht zeigen, gibt die Figur 4 eine schematische Vorderan¬ sicht wieder. In den Figuren 1 bis 3 entspräche dies einem von dem Strömungsgenerator 16 ausgehenden Blick auf das Siliziumsolarzellensubstrat 20. Dementsprechend wird in der Darstel¬ lung der Figur 4 das Siliziumsolarzellensubstrat 20 in der aus der Zeichenebene herausragenden Transportrichtung 15 transportiert .
Als Gasblasengeneratoren sind in dem Ausführungsbeispiel der Figur 4 zwei parallel verlaufende, mit Öffnungen versehene Schläuche 30a, 30b vorgesehen. Über die Öffnungen in diesen Schläuchen 30a, 30b wird ozonhaltiges Gas in die Ätzlösung eingeleitet und an zu behandelnde, genauer gesagt zu ätzende, Randbereiche 36a, 36b an der Unterseite 26a des Siliziumsolar- zellensubstrats 20 herangeführt. Das Siliziumsolarzellensub¬ strat 20 wird daher in diesen Randbereichen 36a, 36b stark geätzt, während in übrigen Bereichen lediglich ein schwaches Ätzen allein aufgrund der Ätzwirkung der Ätzlösung 12 erfolgt. In vorteilhafter Weise kann daher mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 4 in den Randbereichen 36a, 36b eine Emitterdotierung des Siliziumsolarzellensubstrats 20 lokal entfernt und auf diese Weise eine Kantenisolation in den Kantenbereichen vorgenommen werden. Wie oben dargelegt wurde, ist dies insbe- sondere für besondere Solarzellenformen wie MWT-Solarzellen von Vorteil. Sofern die Emitterdotierung nicht nur in den beiden Randbereichen 36a, 36b lokal entfernt werden soll, sondern auch in den beiden senkrecht zu den Randbereichen 36a, 36b verlaufenden Randbereichen, so kann das Siliziumsolarzellen- Substrat 20 während seines Transports durch das Behandlungsbe¬ cken 10 in seiner Transportebene um 90° Grad um seine senk¬ recht zur Transportebene verlaufende Achse gedreht werden. Auf diese Weise können im weiteren Verfahrenslauf die beiden bis¬ lang unbehandelten Randbereiche behandelt, das heißt geätzt und die Emitterdotierung dort lokal entfernt werden.
Figur 5 zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel der erfindungs¬ gemäßen Vorrichtung wie auch des erfindungsgemäßen Verfahrens. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von demjenigen der Figur 4 dadurch, dass ein weiterer mit Öffnungen versehener länglicher Schlauch 30c vorgesehen ist, welcher parallel zu den beiden anderen Schläuchen 30a, 30b verläuft. Infolge¬ dessen werden bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 5 Gasbla¬ sen 22a aus den mit Öffnungen versehenen Schläuchen 30a, 30b, 30c an parallel verlaufende, rückzuätzende Streifenbereiche 46a, 46b, 46c an einer Unterseite eines Siliziumsolarzellensubstrats 40 herangeführt. Dies ermöglicht es, lokal und kon¬ trolliert in den zu ätzenden Streifenbereichen zu ätzen. Auf diese Weise kann beispielsweise eine auf der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 40 befindliche Emitterdotierung in den zu ätzenden Streifenbereichen 46a, 46b, 46c lokal kontrolliert und aufwandsgünstig zurückgeätzt werden. Da ohne weiteres ein viel größere Anzahl an länglichen, parallel ver- laufenden Gasblasengeneratoren vorgesehen werden kann als die in Figur 5 schematisch wiedergegebenen drei länglichen, mit Öffnungen versehenen Schläuche 30a, 30b, 30c, können auf diese Weise aufwandsgünstig selektive Emitterstrukturen ausgebildet werden, welche stärker und schwächer dotierte Bereiche aufwei- sen. Die schwächer dotierten Bereiche werden dabei durch zurückgeätzte Streifenbereiche gebildet.
In den Ausführungsbeispielen der Figuren 4 und 5 sind die Gasblasengeneratoren, das heißt die mit Öffnungen versehenen Schläuche 30a, 30b, 30c, unterhalb der Transportrollen 14 und somit unterhalb der Aufnahme für das Siliziumsolarzellensub¬ strat angeordnet. Die entsprechenden Glasblasengeneratoren können jedoch grundsätzlich, in Analogie zu dem Gasblasengenerator 24b aus Figur 2, auch oberhalb der Transportrollen 14 angeordnet werden. In diesem Fall würden die Gasblasen von oben an zu ätzende Randbereiche beziehungsweise zu ätzende Streifenbereiche herangeführt werden, welche sodann auf der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats lägen. Anstelle der mit Öffnungen versehenen Schläuche 30a, 30b, 30c können in den Ausführungsbeispielen der Figur 4 und 5 offensichtlich andersartige Gasblasengeneratoren eingesetzt werden, beispielsweise längliche poröse Keramik- oder Polytetrafluor- ethylenkörper , insbesondere Keramik- oder Polytetrafluorethy- lenleisten. Diese sind zwar weniger aufwandsgünstig herstell¬ bar, bringen jedoch andere Vorteile mit sich, die den Mehrauf¬ wand im einzelnen Anwendungsfall rechtfertigen können; beispielsweise eine leichtere Ausrichtbarkeit oder längere Stand- zeiten.
In den Ausführungsbeispielen der Figuren 1 bis 5 scheinen die Gasblasengeneratoren 24a, 24b, 30a, 30b, 30c in vergleichswei¬ se großen Abständen zu dem Siliziumsolarzellensubstrat 20, 40 angeordnet zu sein. Die gewählte, nicht maßstabsgetreue Dar¬ stellungsart dient jedoch lediglich der leichteren Erfassbar- keit des Sachverhalts. In der Praxis sind die Gasblasengenera¬ toren 24a, 24b, 30a, 30b, 30c nur wenige Millimeter beabstandet von den im jeweiligen Fall zu behandelnden Bereichen 26a, 26b, 36a, 36b, 36c, 46a, 46b, 46c des Siliziumsolarzellensub¬ strats 20, 40 angeordnet. Die Gasblasengeneratoren 24a, 24b, 30a, 30b, 30c sind demzufolge nur wenige Millimeter beabstan¬ det von einer durch die Transportrollen 14 vorgegebenen Transportebene, das heißt von einer Aufnahmeseite der Transportrol- len 14, angeordnet.
Bezugs zeichenliste
10 Behandlungsbecken
12 Ätzlösung
14 Transportrolle
15 Transportrichtung
16 Strömungsgenerator
18 Strömung
20 SiliziumsolarzellenSubstrat
22a Gasblasen
22b Gasblasen
24a Gasblasengenerator
24b Gasblasengenerator
26a Unterseite
26b Oberseite
28a Normalenvektor Unterseite
28b Normalenvektor Oberseite
30a Schlauch mit Öffnungen
30b Schlauch mit Öffnungen
30c Schlauch mit Öffnungen
36a Randbereich
36b Randbereich
40 SiliziumsolarzellenSubstrat
46a zu ätzende Streifenbereiche
46b zu ätzende Streifenbereiche
46c zu ätzende Streifenbereiche

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Behandeln eines Objekts (20; 40), bei welchem das Objekt (20; 40) zumindest abschnittsweise in eine in einem Behälter (10) angeordnete Behandlungsflüssigkeit (12) eingebracht wird,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
- in die in dem Behälter (10) angeordnete Behandlungsflüs¬ sigkeit (12) unter Ausbildung von Gasblasen (22a; 22b) ein die Behandlung förderndes Gas (22a; 22b) eingeleitet wird und
- die Gasblasen (22a; 22b) an zu behandelnde Bereiche
(26a; 26b; 36a, 36b; 46a, 46b, 46c) des Objekts (20) herangeführt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass als Objekt (20; 40) ein Halbleitersubstrat (20; 40), vorzugsweise ein Solarzellensubstrat (20; 40) und besonders bevorzugt ein Siliziumsolarzellensubstrat (20; 40), vorge- sehen und behandelt wird und das Behandeln in einem Ätzen der zu behandelnden Bereiche (26a; 26b; 36a, 36b; 46a, 46b, 46c) des Objekts (20; 40) besteht.
3. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass die Gasblasen (22b) von oben an wenigstens einen zu behandelnden Oberflächenabschnitt (26b) des Objekts (20) herangeführt werden, dessen Normalenvektor (28b) im Wesentlichen nach oben weist.
4. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Gasblasen (22a) von unten an wenigstens einen zu behandelnden Oberflächenabschnitt (26a) des Objekts (20) herangeführt werden, dessen Normalenvektor (28a) im Wesentlichen nach unten weist.
5. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass als Behandlungsflüssigkeit (12) eine Flusssäure auf¬ weisende Ätzlösung (12) verwendet wird, vorzugsweise eine aus Flusssäure und deionisiertem Wasser bestehende Ätzlö¬ sung (12), und als Gas Ozongas (22a; 22b) in die Behand¬ lungsflüssigkeit (12) eingeleitet wird.
6. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass an zu behandelnden Bereichen (26a; 26b; 36a, 36b; 46a, 46b, 46c) angelagerte Gasblasen abgelöst werden, vorzugs¬ weise durch Abstreifen der Gasblasen (22a; 22b) mittels wenigstens einer Rolle (14), besonders bevorzugt mittels we¬ nigstens einer Transportrolle (14).
7. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass während des Behandeins zumindest zeitweise in der Be¬ handlungsflüssigkeit (12) eine Strömung (18) aus Behand¬ lungsflüssigkeit (12) ausgebildet wird, mittels welcher an zu behandelnden Bereichen (26a; 26b; 36a, 36b; 46a, 46b, 46c) angelagerte Gasblasen (22a; 22b) abgelöst werden, wo¬ bei vorzugsweise eine im Wesentlichen horizontal verlaufen¬ de Strömung (18) ausgebildet wird.
8. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass das Behandeln in einem Ätzen besteht und das Objekt (20; 40) in den zu behandelnden Bereichen (26a; 26b; 36a, 36b; 46a, 46b, 46c) stärker geätzt wird als in anderen in die Behandlungsflüssigkeit (12) eingebrachten Bereichen des Objekts (20; 40) .
Verfahren nach Anspruch 8,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass mittels des stärkeren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen (26a; 26b; 46a, 46b, 46c) ein dotierter Bereich eines als Objekt (20; 40) vorgesehenen Halbleitersubstrats (20), vorzugsweise eines als Objekt (20; 40) vorgesehenen Solarzellensubstrats (20; 40) und besonders bevorzugt eine Emitterdotierung eines als Objekt (20; 40) vorgesehenen Solarzellensubstrats (20), lokal zurückgeätzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 9,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass ein Solarzellensubstrat (20) als Objekt (20) vorgese¬ hen wird und mittels des stärkeren Ätzens in den zu behan¬ delnden Bereichen (26a; 26b; 36a, 36b) eine Emitterdotie¬ rung des Solarzellensubstrats (20) lokal entfernt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
- ein Solarzellensubstrat (20) als Objekt (20) vorgesehen wird,
- mittels des stärkeren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen (26a; 26b; 36a, 36b) eine Emitterdotierung des Solarzellensubstrats (20) lokal entfernt wird und
- zeitgleich mit dem stärkeren Ätzen in den zu behandelnden Bereichen (26a; 26b; 36a, 36b) die Emitterdotierung in anderen Bereichen des Solarzellensubstrats (20) mit¬ tels der Behandlungsflüssigkeit (12) zurückgeätzt wird.
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweisend
- ein Behandlungsbecken (10),
- eine in dem Behandlungsbecken (10) angeordnete Behand¬ lungsflüssigkeit (12),
- eine Aufnahmevorrichtung (14) zur Aufnahme zu behandelnder Objekte (20; 40) in dem Behandlungsbecken (10), g e k e n n z e i c h n e t d u r c h
wenigstens einen Gasblasengenerator (24a; 24b; 30a, 30b, 30c), mittels welchem in der Behandlungsflüssigkeit (12) Gasblasen (22a; 22b) ausbildbar sind.
Vorrichtung nach Anspruch 12,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass als Gasblasengenerator (24a; 24b) ein poröser Keramikkörper (24a; 24b) oder ein poröser Polytetrafluorethylen- körper (24a; 24b) vorgesehen ist, welcher von einem Gas durchdringbar ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 13,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass als Aufnahmevorrichtung (14) Transportrollen (14) in dem Behandlungsbecken (10) angeordnet sind, mittels welchen zu behandelnde Objekte (20; 40) durch das Behandlungsbecken (10) transportierbar sind und mittels welchen an zu behandelnden Objekten (20; 40) angelagerte Gasblasen (22a) während des Transports abstreifbar sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14,
g e k e n n z e i c h n e t d u r c h
einen Strömungsgenerator (16), mittels welchem in der Behandlungsflüssigkeit (12) eine Strömung (18) aus Behand¬ lungsflüssigkeit (12) ausbildbar ist und welcher Vorzugs- weise derart angeordnet und ausgerichtet ist, dass eine im Wesentlichen horizontal verlaufende Strömung (18) ausbild¬ bar ist.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 15,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass zumindest ein Gasblasengenerator (24a) unterhalb der Aufnahmevorrichtung (14) angeordnet ist, vorzugsweise am Boden des Behandlungsbeckens (10).
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 16,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass wenigstens zwei längliche, parallel verlaufende Gas¬ blasengeneratoren (30a, 30b, 30c) vorgesehen sind, welche vorzugsweise unterhalb der Aufnahmevorrichtung (14) ange¬ ordnet sind.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass die wenigstens zwei länglichen, parallel verlaufenden Gasblasengeneratoren (30a, 30b, 30c) durch parallel verlau¬ fende, mit Öffnungen versehene Schläuche (30a, 30b, 30c) gebildet sind.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 18,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass die Aufnahmevorrichtung (14) als Transportvorrichtung
(14) zum Transport zu behandelnder Objekte (20; 40) durch das Behandlungsbecken (10) ausgeführt ist und die wenigs¬ tens zwei länglichen, parallel verlaufenden Gasblasengene¬ ratoren (30a, 30b, 30c) sich in einer Transportrichtung
(15) der Transportvorrichtung (14) erstrecken.
PCT/DE2011/075307 2011-02-22 2011-12-13 Verfahren zum behandeln eines objekts, insbesondere eines solarzellensubstrats, und vorrichtung zur durchführung des verfahrens WO2012113364A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201110000861 DE102011000861A1 (de) 2011-02-22 2011-02-22 Verfahren zum Behandeln eines Objekts, insbesondere eines Solarzellensubstrats, und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102011000861.6 2011-02-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012113364A1 true WO2012113364A1 (de) 2012-08-30

Family

ID=45936586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2011/075307 WO2012113364A1 (de) 2011-02-22 2011-12-13 Verfahren zum behandeln eines objekts, insbesondere eines solarzellensubstrats, und vorrichtung zur durchführung des verfahrens

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102011000861A1 (de)
TW (1) TW201236172A (de)
WO (1) WO2012113364A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202013008929U1 (de) 2013-10-09 2013-11-13 Rena Gmbh Behandlungsvorrichtung für Objekte
TWI809115B (zh) * 2018-06-04 2023-07-21 德商雷納科技有限公司 物品處理程序及執行程序之設備

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4340589A1 (de) * 1992-12-24 1994-06-30 Gold Star Electronics Verfahren zur Reinigung von Halbleiterbauelementen
US20040221880A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate treating apparatus
US20050161839A1 (en) * 2004-01-27 2005-07-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
EP1843389A1 (de) * 2006-04-04 2007-10-10 Shell Solar GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Dotierung mit Hilfe von Diffusion, Oberflächenoxidation und Rückätzung sowie Verfahren zur Herstellung von Solarzellen
WO2007123198A1 (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Zenkyo Corporation 基板処理装置及び基板製造方法
DE102007026082A1 (de) 2007-05-25 2008-11-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Behandlung von flachen Substraten sowie Verwendung des Verfahrens
DE102007026081A1 (de) * 2007-05-25 2008-11-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
KR20090062152A (ko) * 2007-12-12 2009-06-17 엘지전자 주식회사 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법
DE102008022282A1 (de) * 2008-04-24 2009-10-29 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Einrichtung und Verfahren zur Behandlung von Silizium-Wafern oder flachen Gegenständen

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59104132A (ja) * 1982-12-07 1984-06-15 Fujitsu Ltd 洗浄方法
EP0731495B1 (de) * 1995-03-10 2000-09-27 ASTEC Halbleitertechnologie GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Siliziumscheiben

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4340589A1 (de) * 1992-12-24 1994-06-30 Gold Star Electronics Verfahren zur Reinigung von Halbleiterbauelementen
US20040221880A1 (en) * 2003-04-25 2004-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate treating apparatus
US20050161839A1 (en) * 2004-01-27 2005-07-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
EP1843389A1 (de) * 2006-04-04 2007-10-10 Shell Solar GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Dotierung mit Hilfe von Diffusion, Oberflächenoxidation und Rückätzung sowie Verfahren zur Herstellung von Solarzellen
WO2007123198A1 (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Zenkyo Corporation 基板処理装置及び基板製造方法
DE102007026082A1 (de) 2007-05-25 2008-11-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Behandlung von flachen Substraten sowie Verwendung des Verfahrens
DE102007026081A1 (de) * 2007-05-25 2008-11-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
KR20090062152A (ko) * 2007-12-12 2009-06-17 엘지전자 주식회사 플라즈마 표면 처리를 이용한 태양전지의 제조방법
DE102008022282A1 (de) * 2008-04-24 2009-10-29 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Einrichtung und Verfahren zur Behandlung von Silizium-Wafern oder flachen Gegenständen

Also Published As

Publication number Publication date
TW201236172A (en) 2012-09-01
DE102011000861A1 (de) 2012-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1733418B2 (de) Verfahren zur elektrischen isolation beider seiten von siliziumscheiben durch deren einseitige nasschemische behandlung unter verwendung eines flüssigkeitsbades
EP2232526B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von silizium-wafern
DE19549487C2 (de) Anlage zur chemischen Naßbehandlung
EP1960119A1 (de) Vorrichtung, anlage und verfahren zur oberflächenbehandlung von substraten
EP1735819B1 (de) Verfahren zur reinigung und ätzung eines substrates mit einer transparenten, leitfähigen oxidschicht sowie vorrichtung zur durchführung des verfahrens
EP2481080A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum rückätzen einer halbleiterschicht
EP2126967A2 (de) Ätzlösung und ätzverfahren
EP2601691A2 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle mit einem selektiven emitter
WO2012113364A1 (de) Verfahren zum behandeln eines objekts, insbesondere eines solarzellensubstrats, und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
WO2019145485A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von geätzten oberflächen eines halbleitersubstrats unter verwendung von ozonhaltigem medium
EP3224859A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur unterseitigen behandlung eines substrats
EP3918631A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur bearbeitung von wafern
DE2606984B2 (de) Verfahren und einrichtung zum chemischen reinigen von kontaktierungsloechern in leiterplatten
DE19934300A1 (de) Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
EP1010223B1 (de) Verfahren zum behandeln von substraten
DE19936569B4 (de) Herstellung von porösem Silicium
DE3327753C1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von duennem Substrat mit Fluessigkeit im Durchlaufverfahren
WO2019145486A9 (de) Verfahren und vorrichtung zur reinigung von geätzten oberflächen eines halbleitersubstrats
DE102012110916B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Transport flacher Substrate
DE102008061521A1 (de) Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe
DE102022104191A1 (de) Verfahren und nassbank zur in-line-prozessierung von solarzellensubstraten
WO2023094327A1 (de) Verfahren und nassbank zur in-line-prozessierung von solarzellensubstraten
DE102011052999A1 (de) Verfahren zum Behandeln eines Objekts, insbesondere eines Solarzellensubstrats, und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE202017102678U1 (de) Transportrolle, Transportvorrichtung sowie Substratbehandlungsanlage
DE102013202138A1 (de) Vorrichtung zur Substratnassbehandlung und Verwendung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11831825

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11831825

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1