TW201236172A - Method for treating an object, especially solar cell substrate, and apparatus for performing the method - Google Patents

Description

201236172 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種如申請專利範圍第1項所述用於處 理物件之方法，以及-種如申請專利範圍第12項所述用於 實施所述方法之設備。 【先前技術】 通過將氣體物理性溶解於使用之處理溶劑中，可加速 濕式化學處理過程，例如物件之表面蝕刻處理。舉例而言， DE 1〇 2007 020 082 A1揭示了 一種物理性溶解於處理溶劑 中之臭氧氣體。該公開文獻中有時將其稱作混合，因為所 使用之氣體（例如所述之臭氧）於處理溶劑中的可溶性受 到限制，所以使用方式無法任意缩短處理時間。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種方法，其即是於物件之處 理時，藉由一處理液加速處理過程之方法。 該目的經由一種具有如申請專利範圍第1項所述之技 術特徵的方法而達成。 本發明之目的亦在於提供一種用於實施本方法之設 備。 該目的經由一種具有如請求項12之特徵的設備而達 成。 附屬項則為本發明較佳實施方式。 如本發明之用於處理物件的方法中，將所述物件至少 部分置於設在一容器内之處理液中。藉由形成氣泡’將一 201236172 有助於處理之氣體導入所述設在容器内的處理液中，並將 氣泡引近至所述物件之待處理區域中。 氣體之概念亦可理解為氣體混合物。本發明中所指之 有助於處理之氣體為可加速處理之氣體、或於氣體中按順 序首先能與處理液之成分進行共同作用的氣體。 因此，若藉由形成氣泡而將氣體導入處理液中，接著 將氣泡引近至待處理之區域’氣趙不會物理性溶解於處理 液中。上文所述之氣體及處理液，可使用由氣體組成之氣 泡狀的兩相混合物以及液態處理液來替代〃處理液與氣泡 之間的氣體交換於相對較小之範圍内進行，因此，氣體難 以物理性溶解於處理液中。 結果表明’此方式可以缩短針對待處理區域進行處理 之處理時間，其原因在於氣泡中足夠高的氣體濃度可使周 圍之處理加速》此外’處理液可於氣泡中自液相轉化至氣 相’從而可於氣相之氣泡内對物件進行處理。 較佳地，物件可完全被浸入處理液中。 在本發明方法的一個較佳實施方式中，物件可為半導 體基板’較佳地可為太陽能電池基板’尤其較佳可為太陽 能電池*夕基板。太陽能電池之概念應包括於太陽能基板上 所形成之層（Layer) ’例如太陽能電池基板上的二氧化矽 層，如本發明之方法尤其適用於此情況。 在本發明方法的一個較佳實施方式中，處理係指對物 件之待處理區域進行姓刻。 201236172 在本發明方法的一個較佳實施方式中，自上方將氣泡 ί近至物件之至少一待處理的表面部分表面部分之法向 向量基本指向上方。因此，以足夠的速度將氣泡導入處理 液中’儘管氣泡於處理液中可能受到一些浮力，但仍可到 達至少一待處理的表面部分。 作為另一較佳實施方式或補充之實施方式，可自下方 將氣泡引近至物件之至少一待處理的表面部分，表面部分 之法向向量基本指向下方。應以足夠的速度將氣泡導入處 理液，以確保即使氣泡沒有受到浮力或僅受到很小浮力， 仍可到達至少一待處理的表面部分。 較佳地，可使用含有氫氟酸的姓刻劑作為處理液，尤 其較佳地可為由氫氟酸及去離子水組成的姓刻劑，該些银 刻劑尤其適用於處理矽物件或含矽之物件，例如碎基板。 可使用臭氧氣體或含臭氧之氣體混合物作為導入處理 液中之氣體。若使用含有氫氟酸之蝕刻劑作為處理液，則 臭氧氣趙尤其適用於此情況’臭氧氣趙亦可與其他處理液 配合使用。 實施本發明之方法時，氣泡可能會在較長時間内積聚 於待處理區域中’較佳之方式為將該些積聚於待處理區域 中的氣泡去除’從而可以防止氣趙儲備枯竭，因此避免處 理過程減緩。舉例而言’若使用含氫氟酸之姓刻劑作為處 理液’使用臭氧氣趙作為氣趙’對碎進行處理，則去除積 聚氣泡之方式’為藉由姓刻劑t大量以液相存在之氫氟 201236172 酸’腐盡可能持續且平均姓刻掉於積聚之氣泡内所形成的 二氧化矽。 較佳地，可藉由至少一滾輪來擦去積聚之氣泡，尤其 較佳係可藉由至少一輸送滾輪來擦去氣泡。此方式可於生 產線上實現㈣化及成本隸，生產線中設置了用於輸送 物件穿過處理液的輸送滾輪。料其他方式或補充方式， 亦可权置一或多個不用於輸送物件的擦拭滾輪。 較佳之方式為，於處理過程中，至少暫時在處理液中 形成由處理液組成的一水流，藉由水流於待處理區域中去 除積聚之氣泡。該水流可作為藉由至少一滾輪擦去氣泡的 其他方式或補充方式。較佳地，可形成水平流向之水流。 原則上水流亦可採用其他走向，水流之走向一般應根據待 處理之物件的輸送方向及朝向來確定。 在本發明之方法的一較佳設計方式中，處理係指蝕 刻，物件之待處理區域所受的蝕刻，較置入處理液中的其 他區域更為強烈。其前提為，選擇不經添加混合即自身具 有蝕刻作用的氣體。以此方式可以低廉之成本同時對不同 區域進行不同程度之蝕刻❶亦可選擇若不添加氣體則不具 有腐蝕性作用的處理液。從而可於待處理之區域中實現大 中δ度選擇性蚀刻，而物件之其他區域均不被姓刻。 所述之蝕刻過程之可選擇性尤其適用於半導逋結構元 件（尤為太陽能電池）之製備〃較佳之實施方式為，藉由 待處理區域t相對更強对之蝕刻，局部回蝕刻物件的一換 雜區域，可將半導體基板作為物件，較佳可將太陽能電池 6 201236172 基板作為物件’尤其較佳係太陽能電池基板作為物件，並 且該太陽能電池基板之射極摻雜物，以局部回蝕處理。局 部回姓刻應理解為僅於待處理區域中回蝕刻，反之於其他 區域中僅極小幅度回蝕刻或完全不回蝕刻。射極摻雜物於 本發明中應理解為’為了形成太陽能電池之射極而產生之 摻雜物。射極摻雜物被回蝕刻之方式為，對太陽能電池基 板被置入射極摻雜物的區域進行蝕刻。對射極之局部回蝕 刻的目的通常為，局部提高射極摻雜物之層電阻。 一實施例中’射極摻雜物之局部回蝕刻方式可為，對 大面積平面塗覆於太陽能電池基板上之射極掺雜物進行全 面積回蚀刻》作為其他方式’亦可僅局部回钮刻該平面塗 覆之射極摻雜物，從而以此方式形成所謂的選擇性射極。 較佳的方式為，將太陽能電池基板設置為物件，藉由 待處理區域中相對更強烈之蝕刻，局部去除太陽能電池基 板之射極摻雜物。例如以這樣的方式，可將射極摻雜物自 整個大範圍面積太陽能電池基板之一面上除去，通常為成 品太陽能電池之背面’從而防止太陽能電池成品的觸點之 間發生短路。該種短路防止方式通常被視為邊緣絕緣。 在另一實施例中，依次局部去除射極摻雜物，但只有 太陽能電池基板之邊緣區域中作局部去除，從而實現邊緣 絕緣。此方式尤其適用於前面及背面上存在有不得損傷之 摻雜物的太陽能電池類型，例如所謂之金屬貫穿式背電極 太陽能電池，其通常被稱為M WT太陽能電池。 7 201236172 本發明之方法之一較佳實施例中，可將太陽能電池基 板作為物件，藉由待處理之區域令相對更強烈之蝕刻來局 部去除太陽能電池基板之射極摻雜物，於待處理區域中相 對更強烈之蝕刻的同時，藉由處理液來回蝕刻太陽能電池 基板之其他區域中的射極摻雜物。此處涉及之處理液不摻 雜氣趙’即自身具有姓刻作用之触刻劑。與上文所述相呼 應’其自身蝕刻作用弱於與氣泡混合之蝕刻作用。因此， 可以在單體之腐蝕性作用的同時，實現邊緣絕緣以及回蝕 刻射極摻雜物。實施該兩個現代太陽能電池製備方法所需 之方法步驟，從而可以低廉之成本。 較佳地，將氣泡引近至物件之待處理區域的2 cm範圍 以内；更為較佳地，為1 cm範圍以内；尤為較佳地，為5 mm 範圍以内。以本發明之方式尤其可按控制地將氣泡引近至 待處理之物件。此外，從而可以減少物理性溶解於處理液 之氣趙量之情形。 用於實施如本發明之方法之設備，其具有一處理槽、 一置於處理槽中之處理液、一於處理槽令用於承載一待處 理物件之承載設備以及至少一氣泡產生器，藉由氣泡產生 器可於處理液中形成氣泡。據此，氣泡產生器應採取合適 於處理液中製造氣泡的裝置β 結果表明，氣泡生成器應至少部分佈置於處理槽中。 較佳地，承載設備可為輸送設備，因此，可輸送待處 理之物件通過處理槽。 8 201236172 較佳地，氣泡產生器可為多孔陶瓷韹或多孔聚四氟乙 烯殽，係可以由氣體穿透。若設置之氣泡產生器數量大於 一’則各氣泡產生器均可為多孔陶瓷體，或各氣泡產生器 均可為多孔聚四氟乙烯想，也可以將多孔陶瓷體與多孔聚 四氟乙烯體混合使用。 此外’亦可設置其他種類之氣泡產生器，例如氣體可 穿透之薄膜或氣體可穿透之濾器。 較佳地，於處理槽中可設置輸送滾輪作為承載設備， 藉由滾輪可輸送待處理之物件通過處理槽，並可於輸送時 藉由滾輪擦去積聚於待處理之物件上的氣泡。由上述可 知’其裝置可以更為方便來擦去積聚於待處理之物件上之 氣泡。 進一步’可使用一水流產生器，藉由水流產生器可於 處理液中形成由處理液組成之水流。因此，如上文所述， 從而可去除積聚於待處理之區域或待處理之物件上的氣 泡。較佳地，水流產生器之選擇之設置及朝向，應以確保 水流產生器能夠形成主要為水平流向之一水流。 在一實施例中’至少一氣泡產生器設置於承載設備上 方。至少一氣泡產生器並非必須設置於承載設備之垂直正 上方，其可佈置於承載設備上方平面中的任意位置上。 另一實施例中，作為其他或補充方式，至少一氣泡產 生器設置於承載設備下方：較佳地，設置於處理槽之底面 上。至少一氣泡產生器並非必須佈置於承載設備之垂直正 201236172 下方’原則上其可佈置于於承載設備下方平面中的任意位 置上。 在本發明之另一實施例之設備中，至少一氣泡產生器 佈置於承載設備上方以及至少一氣泡產生器佈置於承載設 備下方。因此，所述之設備可對物件進行雙面處理，例如 進行快速之雙面蝕刻》 在本發明之另一實施例之設備中，設置至少兩個平行 之長形氣泡產生器，從而可以對待處理物件的待處理區域 進行線狀處理。較佳地，將至少兩個平行之長形氣泡產生 器設於承載設備下方作為其他方式或補充方式，亦可將 至少兩個平行之長形氣泡產生器設置於承載設備上方。 較佳地，該些至少兩個平行之長形氣泡產生器由具有 開孔之平行軟管構成。該些至少兩個平行之長形氣泡產生 器原則上可以不同形式構建，舉例來說，可設置一獨立的 寬形空腔體，該空腔體具有兩排相互間隔平行延伸之排 孔。該結構亦可視為兩個平行之長形氣泡產生器。 本發明一較佳實施例之設備，將承載設備作為用於輸 送物件通過處理槽的輸送設備，並且至少兩個平行之長形 氣泡產生器延伸於輸送設備之—輸送方向上。以此方式可 於輸送物件之待線狀處理區域之時，對該區域進行處理。 較佳地’至少以氣泡產生器與承載設備之承載側之間 的間隔小於2承載側為設傷運行時承載物件的一側。 例如，若將輸送滚輪設置為承裁設襟，則承載側由滚輪所 規疋之輸送平面來構成。因&，可以容易按照控制將氣泡 !〇 201236172 由至J 一氣泡產生is引近至待處理之物件。此外，從而可 以減少物理性溶解於處理液之氣體量。較佳地，承載設備 之承載側與至少一氣泡產生器之間的間距可小於1 cm ;尤 其較佳地，可小於5 mm ^ 下文中將依據附圖對本發明進行進一步說明。附圖中 相同功能之元件採用相同之參考符號。本發明並非僅限於 圖式中所示之實施例，且功能性特徵亦不僅限於此。至此 之描述以及下文中之圖式說明中包括大量從屬請求項中總 結之特徵。該些特徵以及所有其他上文或下文所述之圖式 說明中公開之技術特徵，均為專業人士之單獨觀點或有意 義之其他組合形式。該些特徵可一適當方式單獨或任意地 與如獨立請求項之方法及/或設備組合使用。 【實施方式】 請參閱圖1，係本發明之設備及方法第一實施例之示意 圖。圊1展示了作為處理槽ίο之側視圖，其作為容器使用， 其中設置一姓刻劑12作為處理液。設置一由多個輸送滾輪 14組成之輸送設備作為承載設備。輸送滾輪14用於承載及 輸送太陽能電池矽基板20，此太陽能電池矽基板2〇於本發 明之實施例中均為待處理之物件。 一由多孔陶曼器構成的氣泡產生器24a，設置於處理槽 10之底面上。圖1至圖3之實施例中，氣泡產生器亦可由多 礼聚四氟乙烯構成。此外，氣泡產生器亦可由薄膜或有開 礼的濾器構成。 201236172 此外，設置一水流產生器16，其係用於在钮刻劑12中 形成水平流向之水流18。為了可於圖中更清楚地顯示，圖 式中僅於處理槽10之右側邊緣位置標示了該水流18,其亦 延伸流至處理槽10中》 如圖1所示’本實施例中之物件，即為太陽能電池矽基 板20，係被完全置於設在處理槽10内的姓刻劑12中。本發 明之各實施例中蝕刻劑12均為含氟氫酸之蝕刻劑12，較佳 地，其為由氟氫酸及去離子水組成的蝕刻劑》 藉由氣泡產生器24a將有助於蝕刻之氣體導入蝕刻劑 12中。在本發明之實施例中所述之氣體，始终與含臭氧氣 體相關，較佳為氣態臭氧。自氣泡產生器24a出發之箭頭， 表示導入含臭氧氣體，導入含臭氧氣體時形成氣泡22a，因 此藉由形成氣泡22a導入含臭氧氣體。將該些氣泡22a引近 至太陽能電池矽基板20之底面26a。底面26a之法向向量28a 指向下方® 如圖1所示，氣泡22a於太陽能電池矽基板20之底面26a 上積聚，並於此處與蝕刻劑12共同且更為快速地蝕刻，作 用於太陽能電池矽基板20底面26，其餘無法到達太陽能電 池矽基板20底面26a的氣泡22a，經過太陽能電池矽基板20 到達蝕刻劑12的表面上，而無法到達太陽能電池矽基板20 之頂面26b，因此頂面26b幾乎不受到蝕刻，或至少所受的 蝕刻效果明顯較底面26a小。 於太陽能電池矽基板20之底面26形成之氣泡22a，積聚 在太陽能電池矽基板20上》如上文所述，若積聚於氣泡_ 201236172 的臭氧耗盡，或氣泡中形成的氧化物受液相存在於蝕刻劑 12中之氟氫酸蝕刻的情況減少，則皆可致使蝕刻過程延 緩。為了避免此狀況，於輸送太陽能電池矽基板20穿過處 理槽10時借助輸送滾輪14擦除積聚之氣泡；已形成之一水 流18亦有助於積聚之氣泡的脫離，水流18輔助性地使積聚 之氣泡脫離太陽能矽電池基板20。如圖1所示，水流使上升 之氣泡向左移動。 本實施例中，藉由圊1中所示之方法，可於太陽能電池 石夕基板20之底面26a上，局部去除或回姓刻太陽能電池矽基 板之射極摻雜物•例如，若於底面26a上消除了射極掺雜 物，則可藉由此方式實現邊緣絕緣。 尤其較佳之方法為，使用圓1所示之設備，即如本發明 之實施例之圖1所示，於太陽能電池矽基板20之底面26a 上，藉由此處強烈的腐蝕性作用，自整個底面26a局部去除 射極掺雜物’同時於頂面26b上藉由蚀刻劑12回姓刻射極摻 雜物。藉由此方法可同時實施兩種不同之蝕刻步驟，從而 可降低成本。太陽能電池矽基板20於蝕刻劑12中之停留時 間長短、蝕刻劑12之具體成分（尤為氟氫酸含量）以及姓 刻劑12之溫度等參數，均決定於太陽能電池矽基板2〇頂面 26b上回姓刻射極摻雜物之範圍*該些參數不僅影響太陽能 矽電池基板20之底面26a上的蝕刻速度，同時如所述之方法 藉由存在之臭氧’使此處之蝕刻過程明顯加快β 請參閱圖2’係本發明之設備及方法第二實施例之示意 圖。所示設備與圖1所示區別在於，圖i中氣泡生成器24a位 201236172 於處理槽ίο之底面上，其以便設置於由輸送滾輪14構成之 輸送設備下方，而圖2中氣泡生成器24b設置於輸送滾輪14 上方，輸送滾輪14在此作為承載設備使用。如自氣泡生成 器24b出發之箭頭所示，氣泡22b被自上方引近至太陽能電 池矽基板20之頂面26b，頂面26b之法向向量28指向上方。 與圖1所示之實施例的區別在於，圖2中實施例之氣泡22b因 積聚於太陽能矽電池基板20的頂面26b上，而於此處形成強 烈蝕刻。由於蝕刻劑12即使不含臭氧氣泡自身仍具有腐蝕 性作用，所以太陽能電池矽基板20之底面26a於圖2之實施 例中相反地僅受到這類蝕刻，此處蝕刻掉的量明顯減少。 由於自上方向引近至太陽能電池矽基板20頂面26b之 氣泡22b受到浮力作用，所以氣泡22b自一定的時間點會開 始改變運動方向，而童新抬升至蝕刻劑12表面，其即如圈2 中處理槽10之左側邊緣區域令所示的情況。若使用其他蝕 刻劑或氣體，則會由於浮力不同造成其他效果》 儘管浮力會作用於氣泡22b，但氣泡22b仍會積聚至太 陽能電池矽基板20頂面26b上。圖2所示之實施例中，無法 在輸送方向15上使用輸送滾輪14輸送太陽能電池矽基板20 通過處理槽10之同時，藉由輸送滾輪14擦除積聚於頂面26b 上之氣泡。在本實施例中，係藉由水流18去除積聚之氣泡。 與圖1所示之實施例相同，圊2所示之實施例中亦能以 較佳方式局部去除射極摻雜物，此處首先自太陽能電池石夕 基板20之頂面26b上去除。此外，尤其有利之方法係藉由太 陽能電池矽基板20之頂面26b上之強烈蝕刻，局部去除於整 201236172 個頂面26b上之射極摻雜物，同時於太陽能電池矽基板20之 底面26a上回蝕刻射極摻雜物。與圖1所示之實施例情況相 同，此方式相對於其他方法（例如太陽能矽電池沿蝕刻劑 表面移動之方法）的優點在於，可同時實現邊緣絕緣及射 極回蝕刻，並相對簡單地實行操作處理，且對設置於蝕刻 劑以外之太陽能電池矽基板部分，蝕刻劑之毛細效應極 緩，因此不會導致其他問題產生》像這樣的毛細效應，特 別在於紋理式太陽能電池矽基板上會產生問題。 請參閱圓3,係本發明之設備及方法第三實施例之示意 固。由圓3所示設備與圖1所示之區別，除佈置於處理槽10 之底面上的氣泡產生器24a之外，還在於輸送滚輪14上方設 置了如囷2所示之第二實施例中的氣泡產生器24b。如圖3所 示’可自下方將氣泡22a及自上方將氣泡22b引近至太陽能 電池矽基板20，從而同時快速蝕刻底面26a及頂面26b。 當然，圓3所示實施例中並非必須同時啟動氣泡產生器 24a及24b。若僅啟動一個氣泡產生器，則圊3所示之設備可 實施為與圖1所示之實施例相同的情況或與圖2所示之實施 例相同的情況。 請參閱圖4,係本發明之設備及方法第四實施例之示意 圓。圓1至圓3為側視圖，而圖.4則為前視圖。圊4為圖1至圖 3中自水流產生器16出發至太陽能電池矽基板2〇之視角。圖 4所示之太陽能電池矽基板2〇由突出於圖層之輸送方向15 輸送。 201236172 在本實施例中，由圖4所示，設置兩條具有開孔之平行 軟管30a、30b作為氣泡產生器。含臭氧之氣體通過該些軟 管30a、30b中的開孔而被導入蝕刻劑中，繼而被引近至太 陽能電池矽基板20之底面26上待處理的邊緣區域36a、 36b，準確來說是待蝕刻的邊緣區域36a、36b。因此，太陽 能電池矽基板20上該些邊緣區域36a、36b被強烈蝕刻，而 其他區域僅被蝕刻劑12之腐蝕性作用輕微蝕刻。 圊4所示，在本實施例中可有一較佳之方式於邊緣區域 36a、36b中局部去除射極摻雜物，並且於邊緣區域中進行 邊緣絕緣。如上文所述，該方法尤其適用於特定之太陽能 電池類型，例如MWT太陽能電池。不僅應於邊緣區域36a、 36b中局部去除射極摻雜物，還應於兩個垂直於兩個邊緣區 域36a、36b的邊緣區域中局部去除射極摻雜物，因此可以 於輸送太陽能電池矽基板20通過處理槽10之時，以垂直於 輸送平面的延伸軸為轴旋轉90。。以此方法可進一步在本發 明之處理過程中對兩個至此尚未處理之邊緣區域進行處 理，即蝕刻及局部去除射極摻雜物。 請參閱圖5,係本發明之設備及方法第五實施例之示意 囡β本實施例與囷4所示實施例的區別在於，額外設置了另 一具有開孔的長形軟管30c，軟管30c與另外兩個軟管30a ' 30b平行。因此，由圊5所示，在本實施例中，氣泡22a被自 具有開孔的軟管30a、30b、30c引近至太陽能電池矽基板40 之底面上之待處理的平行條狀區域46a、46b、46c。因此可 於該些待蝕刻之條狀區域中進行局部且可控制地蝕刻。以 201236172 此方式，例如，可於太陽能電池矽基板4〇底面上的待蝕刻 條狀區域46a、46b、46c中，可控制地進行射極捧雜物之局 部去除處理以及低成本地回银刻。由於可能無須設置較大 數量之長形平行軟管，如圖5所示，3個具有開孔之長形軟 管30a、30b、30c，依此方式即可成本低廉地建構出選擇性 射極結構，該些選擇性射極結構具有較強及較弱之摻雜區 域。較弱之摻雜區域由被回蝕刻之條狀區域構成。 圖4及圓5所示實施例中，氣泡生成器，即具有開孔之 軟管30a、30b、30c，位於輸送滾輪14下方，其因此佈置於 太陽能電池石夕基板的承載下方。原則上氣泡產生器亦可如 囷2所示氣泡產生器24b佈置於輸送滾輪14上方。該情況 下，氣泡被自上方引近至待蝕刻之邊緣區域，即待蝕刻之 條狀區域，接著氣泡將移送至太陽能矽電池之頂面上》 亦可於囷4及囷5所示實施例中使用其他類型之氣泡產 生器替代具有開孔之軟管30a、30b、30c，例如，長形多孔 之陶瓷鱧或聚四氟乙烯體，尤其是陶瓷條或聚四氟乙稀 條。該些氣泡產生器製造成本低廉，具有其他優點，在各 個實際應用領域上值得投入額外成本，例如更簡單的可校 準性或更長的使用壽命。 圖1至圖5所示之實施例中，氣泡產生器24a、24b、30a、 30b、30c與太陽能矽電池基板20、40之間的間距均顯得相 對較大，所選用之不按照實際比例的圖式僅是了用於更加 清楚地顯示本發明之實施例。氣泡產生器24a、24b、30a、 30b、30c實際可與待處理之區域26a、26b、36a、36b、36c、 201236172 46a、46b、46c僅相距幾毫米佈置。因此，氣泡產生器24a、 24b、30a、30b、30c僅與由輸送滾輪14規定的輸送平面相 距幾毫米佈置’即僅於輪送滾輪14之承載面相距幾毫米佈 置。 【圖式簡單說明】 圓1係本發明之設備及方法第一實施例之示意圖。 圓2係本發明之設備及方法第二實施例之示意圖。 圖3係本發明之設備及方法第三實施例之示意圖。 圓4係本發明之設備及方法第四實施例之示意圖。 圖5係本發明之設備及方法第五實施例之示意圖。 【主要元件符號說明】 10 處理槽 12 蝕刻液 14 輸送滾輪 15 輸送方向 16 水流產生器 18 水流 20 太陽能電池矽基板 22a氣泡 22b氣泡 24a氣泡產生器 24b氣泡產生器 26a底面 26b項面 201236172 28a底面之法向向量 28b頂面之法向向量 30a具有開孔之軟管 30b具有開孔之軟管 30c具有開孔之軟管 36a邊緣區域 36b邊緣區域 40 太陽能電池矽基板 46a 待蝕刻之條狀區域 46b 待蝕刻之條狀區域 46c 待蝕刻之條狀區域

Claims (1)

1. 201236172 七、申請專利範圍： 1. 一種用於處理一物件（20 ; 40 )之方法，該物件（20 ; 40)至少部分被置於一設於一容器（1〇)内之處理液（I〗） 中；其中， 藉由形成氣泡（22a ; 22b )，將一有助於處理之氣體 (22&;221〇導入至設置於該容器（1〇)内之該處理液（12); 以及 該氣泡（22a ; 22b)被引近至該物件（20)之一待處 理之區域（26a ; 26b ; 36a ’ 36b ; 46a，46b，46c)。 2. 如申請專利範圍第i項所述之方法，其中，該物件 (20 ; 40)係一半導體基板（2〇 ; 4〇)，較佳地係一太陽 能電池基板（20 ; 40)，尤其較佳係一太陽能電池矽基板 (20，40)，係被提供及被處理，該處理過程在於對該物 件（ 20: 40)之待處理之區域（26a: 26b; 36a，3仙；46a， 46b，46c)進行蝕刻e 3·如前述申請專利範圍其中一項所述之方法，其中， 自上方將該氣泡（22b)引近至該物件（2G)之至少一待處 理之表面部刀（26b )，該表面部分之法向向量（2 8b)基 本指向上方。 4.如前述申請專利範圍其中一項所述之方法，其中， 自下方將該氣泡（22a)引近至該物件（2〇)之至少一待處 理之表面部分（26a)，該表面部分之法向向量（28a)基 本指向下方。 20 201236172 5. 如前述申請專利範圍其中一項所述之方法，其中， 使用一含有氫氟酸的钱刻劑（12)作為該處理液（12)， 尤其較佳係一由氫氟睃及去離子水組成之蚀刻劑（12)， 並且一臭氧氣體（22a; 22b)作該氣體導入該處理液中。 6. 如前述申請專利範圍其中一項所述之方法，其中， 去除積聚於該待處理之區域（26a ; 26b ; 36a，36b : 46a， 46b ’ 46c)中之氣泡’較佳係藉由至少一滚輪（14)來擦 去該氣泡（22a; 22b) ’尤其較佳係藉由至少一輸送滚輪 來擦去該氣泡（22a; 22b) » 7. 如前述申請專利範圍其中一項所述之方法，其中， 於處理過程中，在該處理液（12)中至少暫時形成由該處 理液（12)組成之一水流（18)，藉由該水流（18)於該 待處理之區域（26a ; 26b ; 36a，36b ; 46a，46b，46c)上 去除積聚之該氣泡（22a; 22b)，其申，較佳係形成主要 為水平流向之一水流（18)。 8. 如前述申請專利範圍其中一項所述之方法，其中， 處理係指蝕刻，並且該物件（20 : 40 )之該待處理之區域 (26a ; 26b ; 36a，36b ; 46a，46b，46c )所受之姓刻，較 與該物件（20; 40)置入該處理液中（12)之其他區域更 為強烈。 9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，藉由該待 處理之區域（26a : 26b ; 46a，46b，46c )中相對更強烈之 姓刻來局部回蝕刻處理該物件（2〇 ; 4〇 )之一摻雜區域， 將半導體基板作為該物件（20 ; 40 )，較佳地，將一太 21 201236172 陽能電池基板作為該物件（20 ; 40 )，尤其較佳係該太陽 能電池基板作為該物件（20 ; 40 )，並且該太陽能電池基 板之一射極捧雜物以局部回姓刻處理。 10. 如申請專利範圍第8或9項所述之方法，其中，該 太陽能電池基板（20)作為該物件（2〇)，以較強烈之姓 刻於該待處理之區域（26a ; 26b ; 46a，46b )中，來局部 去除該太陽能電池基板（20)之一射極摻雜物。 11. 如申請專利範圍第8至1〇項中任一項所述之方 法，其中， 一太陽能電池基板（20)作為該物件（20))， 藉由該待處理之區域（26a ; 26b ; 46a，46b )中相對 更強烈之蝕刻來局部去除該太陽能電池基板（20)之該射 極摻雜物，以及 於待處理之區域（26a ; 26b ; 46a，46b)中相對更強 烈之蝕刻的同時’以該處理液（I2)作回蝕刻處理於該太 陽能電池基板（20)之其他區域中之該射極摻雜物。 12. —種用於實施如申請專利範圍第1至丨丨項中任一 項所述方法之設備，其包括 一處理槽（10); 一處理液（12)，係置於該處理槽（10);以及 一承載設備（I4)，用於承載待處理之一物件（20; 40)於該處理槽（10)中； 其中，藉由至少一氣泡產生器（24a : 24b ; 30a，30b， 30c)於該處理液（12)中以形成氣泡（22a : 22b)。 201236172 13. 如申請專利範圍第12項所述之設備，其中，多孔 陶瓷體（24a : 24b )或多孔聚四氟乙烯體（24a ; 24b )作 為該氣泡產生器（24a;24b)，係可以由氣體穿透。 14. 如申請專利範圍第12或13項所述之設備，其中， 於處理槽（10)中設置複數個輸送滾輪（14)作為該承載 設備（M)，藉由該複數個輸送滾輪可輸送待處理之該物 件（20; 40)通過該處理槽（1〇)，並且於輸送時藉由該 複數個輸送滾輪可擦去積聚於待處理之該物件（20; 40) 上的該氣泡（22a )。 15. 如申請專利範圍第12至14項中任一項所述之設 備’其中，藉由一水流產生器（16)可於該處理液（12) 中形成由該處理液（12)組成之一水流（18)，該水流產 生器之較佳設置及朝向，係以能形成主要為水平流向之一 水流。 16. 如申請專利範圍第12至15項中任一項所述之設 備’其中’至少一氣泡產生器（24a)設置於該承載設備（14) 下方，較佳係設置於該處理槽（10)之底面上》 17. 如申請專利範圍第12至16項中任一項所述之設 備，其中，設置至少兩個平行之長形氣泡產生器（30a，30b， 30c) ’其較佳設置於該承載設備（14)下方。 18. 如申請專利範圍第17項所述之設備，其中，該些 至少兩個平行之長形氣泡產生器（30a，30b，30c)由具有 開孔之平行軟管（30a，30b * 30c)構成3 23 201236172 19.如申請專利範圍第17或18項所述之設備，其中， 將該承載設備（14)作為用於該輸送物件（20; 40)通過 處理槽（10)之該輸送設備（14)，並且該至少兩個平行 之長形氣泡產生器（30a，30b，30c)延伸於該輸送設備（14) 之一輪送方向（15)上。 24