EP2601691A2 - Verfahren zur herstellung einer solarzelle mit einem selektiven emitter - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer solarzelle mit einem selektiven emitter

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EP2601691A2
EP2601691A2 EP11770037.7A EP11770037A EP2601691A2 EP 2601691 A2 EP2601691 A2 EP 2601691A2 EP 11770037 A EP11770037 A EP 11770037A EP 2601691 A2 EP2601691 A2 EP 2601691A2
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EP
European Patent Office
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solar cell
glass layer
dopant
cell substrate
layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP11770037.7A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Jolanta Olkowska-Oetzel
Jörg ISENBERG
Andreas Teppe
Matthias Geiger
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Centrotherm Photovoltaics AG
Original Assignee
Centrotherm Photovoltaics AG
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Publication date
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Priority claimed from DE102010054182A external-priority patent/DE102010054182A1/de
Application filed by Centrotherm Photovoltaics AG filed Critical Centrotherm Photovoltaics AG
Publication of EP2601691A2 publication Critical patent/EP2601691A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a solar cell with a selective emitter according to the preamble of claim 1.
  • a variant of the production of a selective emitter which is interesting for industrial solar cell production is laser diffusion. This provides that for ⁇ next a homogeneous, weakly doped and thus high-impedance emitter is formed on a solar cell substrate.
  • the solar cell substrate is heated locally by means of laser radiation. In this way, on the one hand, the position of dopant already present in the solar cell substrate can be changed; For example, it can be driven deeper into the solar cell substrate and in this way the Emit ⁇ terprofil be changed locally.
  • the ratio of electrically inactive dopant to electrically active dopant can be changed locally.
  • the laser diffusion which is the formation of an optimal selective Obstruct Emitters.
  • phosphorus or boron diffusions are designed to form an emitter profile that is optimal for the current generation, or more precisely, emitter depth profile.
  • less dopant is available in dopant-containing glass layers than would be necessary for the formation of optimally heavily doped regions of the selective emitter. This results in increased contact resistance between the heavily doped emitter regions and metal contacts of the finished solar cell arranged thereon, which has a negative effect on the efficiency of the solar cell.
  • the present invention is therefore based on the object of providing an improved method for producing a solar cell with a selective emitter by means of laser diffusion.
  • the basic idea of the invention is such for a part of the surface of the solar cell substrate ⁇ form containing as a dopant glass layer, a glass layer on the Wenig ⁇ least, having a lower dopant concentration in a nearer to the surface of the solar cell substrate first partial layer of the glass layer than in a WEI ter removed from the surface of the solar cell substrate gels ⁇ genes second sub-layer of the glass layer.
  • the spacing of the sub-layers from the surface of Solarzel ⁇ lensubstrats is based on the closest surface of the solar cell substrate to be determined.
  • a dopant may be provided at ⁇ game as phosphorus or boron.
  • a phosphor or boron glass layer is preferably used.
  • the solar cell substrate a silicon substrate is preferably used.
  • a weakly doped emitter in the present sense means an emitter with a sheet resistance of 80 ⁇ / square to 200 ⁇ / square.
  • a lightly doped emitter is formed with a sheet resistance of 100 ⁇ / square to 180 ⁇ / square, and particularly preferably with a layer resistance of 120 ⁇ / square to 160 ⁇ / square.
  • Heavily doped emitter regions in the present sense have a sheet resistance of less than 60 ⁇ / square.
  • the glass ⁇ layer is designed such that it comprises in the second part ⁇ layer at least twice as high Dotierstoffkonzentra- tion as in the first sublayer.
  • the second sub-layer is for a sogenann ⁇ th drive-in step, which is often referred to as drive-in step ⁇ be distinguished and during which the dopant from the glass layer ⁇ driven into the solar cell substrate, is excluded.
  • more sub-layers can be provided which have such a dopant that a total of about the thickness of the glass layer of time results in monotonically falling ⁇ dopant concentration.
  • the partial layers and their dopant concentrations are selected such that there results a dopant concentration which drops over the thickness of the glass layer in a strictly monotonically decreasing manner.
  • the provided at least one part of the Oberflä ⁇ surface of the solar cell substrate prior to forming the glass layer having a texture can be formed in any manner known per se, for example by wet-chemical etching.
  • the first and the second partial layer, the dopant contained ⁇ Tenden glass layer are preferably formed before Do ⁇ animal material containing dopant of the glass layer is diffused to a considerable extent in the solar cell substrate. A considerable amount of diffusion of dopant occurs when it is present in the solar cell substrate
  • the first and the second part containing ⁇ layer of the dopant glass layer are particularly preferably formed before for the purpose of forming the lightly doped emitter dopant from the dopant-containing glass layer is diffused into the solar cell substrate.
  • the first and the second sub-layers of the dopant-containing glass layer are formed before the local diffusion of the additional dopant takes place.
  • a phosphorus glass layer is formed as a glass layer in the course of P0Cl3 diffusion.
  • a P0Cl3-containing atmosphere formed in the course of the P0Cl3 diffusion during a first period for the purpose of forming the first partial layer a first amount of O 2 is added.
  • P0Cl formed diffusion added 3 -containing atmosphere during a later second time period for the purpose of forming the two ⁇ th sub-layer a second quantity of O 2, which is were less than the first amount of O 2 -
  • both partial layers of the glass layer can be formed with low cost in an already performed furnace step, namely the POCl 3 diffusion.
  • the additional locally diffused dopant is up to a maximum depth of 30 nm in the So driven ⁇ larzellensubstrat, preferably up to a ma imum ⁇ depth of 20 nm and especially up to a maximum Depth of 10 nm. Since it has been found that for a low contact resistance between the heavily doped emitter regions and contacts arranged thereon, essentially the near-surface concentration of electrically active and inactive dopant is crucial, in this way a change in the emitter profile in the said values excess depths are prevented so that an increase in charge carrier recombination can be avoided.
  • the local heating of regions of the solar cell substrate located below the glass layer preferably takes place by means of pulsed laser radiation with a pulse length of less than 300 ns, preferably of less than 100 ns.
  • the solar cell substrate is heated only very close to its Oberflä ⁇ che and thus prevents deep in-diffusing additional dopant.
  • lasers with a so-called flattop profile have proven themselves.
  • a square or rectangular Flattop profile is used ver ⁇ .
  • the aspect ratio can be as example ⁇ 1:10 but is preferably a Aspect Ratio ⁇ nis from 1: 5 and particularly preferably is one of 1: 3. This made ⁇ light a high throughput in production.
  • the portions of the solar cell substrate underlying the glass layer are preferably locally heated by laser radiation having a wavelength of 532 nm or less. Particular preference is given to using blue or ultraviolet laser radiation. This makes it easier to prevent a deep diffusion of dopant to ⁇ sharmlichen. In addition, a high processing speed is made possible.
  • the laser radiation is in the local heating preferably performed upstream überlapprile over the solar cell substrate and a multiple scanning of the solar cell substrate vermie ⁇ .
  • the average dopant concentration ⁇ is calculated from the sum of the dopant contained in total in the entire glass layer based on the volume of the entire glass layer. In this way it can be ensured that there is sufficient even after the formation of the lightly doped emitter and the associated diffusion of dopant in the solar cell substrate Do ⁇ animal material in the glass layer is available to during training of highly doped emitter regions provides a reasonable ⁇ sponding amount additional dopant locally in the solar cell substrate ⁇ to be able to diffuse.
  • Concentration can be the predominant in the glass layer medium Dotierstoffkon- for example, be increased to further dopant is introduced into the existing glass layer, for example by diffusion of dopant from a dopant source added in the existing glass ⁇ layer inside.
  • an additional layer of glass having a dopant concentration of the glass layer for increasing the prevailing average dopant concentration in the glass layer an additional layer of glass having a dopant concentration of the glass layer, the average excess dopant applied to the existing glass layer ⁇ the. This results in an enlarged glass layer with an increased average dopant concentration.
  • the additional glass layer can be applied, for example, by exposing the glass layer to a POCl 3 or BBr 3 -containing atmosphere after forming the lightly doped emitter.
  • the solar cell substrate is preferably tempered before applying a metallization on the heavily doped emitter regions.
  • electrically inactive phosphor activated.
  • the annealing is advantageously carried out at temperatures in the range from Be ⁇ 750 ° C to 1000 ° C for a period of two seconds to 30 minutes.
  • Particularly preferred is a group consisting of nitrogen and / or oxygen atmosphere getem ⁇ pert.
  • a surface portion of the solar cell substrate is melted and recrystallized, of less than 10%, preferably less than 5% of the total surface of all the locally heated areas be ⁇ carries.
  • the solar cell substrate is not melted at all during the local heating.
  • the local heating of the glass layer located under the regions of the solar cell substrate can be carried out under a Schutzgasatmo ⁇ sphere.
  • the solar cell substrate can be arranged, at least partially, in the protective gas atmosphere.
  • the scrim ⁇ NEN below the glass layer portions of the solar cell substrate is heated locally by means of laser radiation and the solar cell substrate ⁇ arranged completely at least in part, preferably, in the protective gas atmosphere.
  • the protective gas atmosphere may be formed by a gas mixture comprising nitrogen and / or noble gases, for example argon.
  • nitrogen or Ar ⁇ gon is used as a protective gas.
  • the production of a solar cell with selective emitter can be improved by means of laser diffusion in the following ways:
  • laser radiation with a very short pulse duration of less than
  • a sur fa ⁇ CHIGE diffusion barrier arises under the dopant glass. This prevents excessive diffusion of dopant from the dopant-containing glass provided with a high dopant concentration.
  • the silicon oxide layer is to be formed in such a way that, due to its barrier effect, initially only a lightly doped emitter is formed whose dopant concentration at the surface of the solar cell substrate is less than 2-10 cm, preferably less than 10 cm, in the case of a phosphor emitter. In the ⁇ sem sense, the silicon oxide layer impedes the diffusion of dopant from the dopant glass into the silicon substrate.
  • the thickness of the silicon oxide layer ⁇ is to be selected sufficiently small that by means of local ER- hitzens with laser radiation locally considerably larger amounts dopant may be driven into the silicon substrate as in the non-irradiated areas.
  • the silicon oxide layer is preferably designed such that there is a concentration of electrically active phosphorus in the areas treated by laser after the laser treatment, which corresponds to the solubility of phosphorus m silicon, ie m about 3-10 cm, and ei ⁇ ne significant concentration of electrically inactive phosphorus.
  • the option described To improve the method for example, be realized as follows: First, the silicon substrate is exposed to a POCl 3 - containing atmosphere, thereby forming a first part ⁇ layer of a phosphorus glass layer. In addition, the silicon substrate of a ( ⁇ atmosphere is exposed and the silicon oxide film grown directly on the silicon substrate. The silicon oxide film is thus formed ⁇ substrate between the first partial layer of phosphorus glass layer and the silicon. Below is exposed the silicon substrate again a P0Cl3-containing atmosphere and thereby we ⁇ antes formed a further sub-layer of phosphorus glass layer ⁇ .
  • a further alternative or additional option to procedural rensverêtung is to form first a dopant ent ⁇ holding glass layer on a solar cell substrate, and so ⁇ larzellensubstrat diffuse hereinafter dopant from this glass layer into and thereby form a lightly doped emitter. Furthermore is introduced, or before the laser diffusion further dopant in the existing glass layer deposited an additional glass layer on the existing layer of glass, wherein the additional glass layer ⁇ a higher dopant concentration than the existing glass layer at the time of applying the supply sat zglastik.
  • Another alternative or supplemental enhancement option is that after forming a lightly doped emitter and a local diffusion additional Do- is pet substance is established and is annealed prior to any application of a Me ⁇ metallization on heavily doped emitter regions, the Solarzel ⁇ lensubstrat. Here, it is activated in the heavily doping ⁇ th emitter regions by means of local diffusion is applied electrically inactive dopant, so that the sheet resistance in these areas is further reduced. This in turn allows low contact junction resistances between the heavily doped emitter regions and a metallization deposited thereon. Annealing is preferably carried out in a temperature range of
  • the annealing is advantageously carried out in an atmosphere consisting of nitrogen and / or oxygen (O 2).
  • a dopant glass containing layer forms ⁇ on at least a part of a surface of a solar cell substrate out. Out of this glass layer, dopant is diffused into the solar cell substrate and in this way a lightly doped emitter is formed in regions of the solar cell substrate covered by the glass layer. Subsequently, a further dopant source is on at least a portion of those areas of the So ⁇ larzellensubstrats in which the lightly doped EMIT was formed ter previously deposited on the solar cell substrate. This further dopant source ⁇ may be applied indirectly or directly on the solar cell substrate.
  • regions of the solar cell substrate located below the further dopant source are locally heated, preferably by means of laser radiation, and in this way additional dopant from the further dopant source diffuses into the solar cell substrate. This serves for For locally heavily doped emitter regions form ⁇ .
  • the further dopant source is preferably applied over the whole area to an emitter side of the solar cell substrate. Under the emitter side of that side of the Solarzel ⁇ lensubstrats is to be understood, on which the emitter extends over the largest area.
  • the further dopant source ⁇ is indirectly applied to the solar cell substrate
  • the further dopant is preferably applied in layers to the glass. In particular, it can be applied directly to the glass layer. After the diffusion of additional dopant from the further dopant source into the solar cell substrate, residues of the further dopant source are deposited. Le, the glass layer and any oxides formed in the local heating of the solar cell substrate removed.
  • the glass layer is first removed. After Eindiffu- sion additional dopant from the further dopant source ⁇ in the solar cell substrate residues of the further dopant and possible be removed in the local heating of the solar larzellensubstrats formed oxides.
  • the formation of the glass layer and the diffusion of dopant from the glass layer into the solar cell substrate can be carried out for the purpose of forming weakly doped emitter regions, independently of the formation of heavily doped emitter regions.
  • the glass layer and the dopant for example, needs not to be construed to the stands during the local heating genü ⁇ quietly dopant for the training of highly doped Emitterbe- rich available. This results in advantageous freedom in the process and for the optimization of the selective emitter.
  • the further dopant source may comprise means of chemical deposition from the vapor phase dung (CVD), preferably at atmospheric pressure ⁇ (APCVD) applied.
  • CVD vapor phase dung
  • APCVD atmospheric pressure ⁇
  • a dopant-containing liquid is applied to the solar cell substrate as a further dopant source.
  • the dopant FLÜS ⁇ stechnik is particularly preferably sprayed on the solar cell substrate. Alternatively, it may be ⁇ introduced for example by a dipping method.
  • dopant-liquid Phos ⁇ phoric acid can for example be applied.
  • the Ver ⁇ application has proved from one to twenty percent phosphoric acid.
  • the glass layer and / or residues of the further dopant source and / or any oxides formed during the local heating can be removed by etching.
  • the etching can be carried out in a phosphorus or borosilicate glass apparatus known per se.
  • a dopant liquid is used as a further dopant source, it is, or its residues, after the diffusion additional dopant from the further dopant in the solar cell substrate preference ⁇ partially removed by rinsing or washing.
  • the glass layer may for example be formed as part of a Röhrendif ⁇ fusion, for example, in a POCl 3 diffusion.
  • the manufacturing can be provision of a solar cell is further improved by the below-described ways, the aim, the surface concentration of a diffused into the emitter side of a solar cell substrate dopant to verrin ⁇ like.
  • the formation is intended to prevent so-called "dead layers", in which the dopant is present in such a high concentration that electrically inactive dopant is present in a relevant extent and can serve as Rekombinati ⁇ ons congress for generated electron-hole pairs.
  • reaction (2) proceeds rapidly while the reaction (3) proceeds comparatively slowly. Therefore, due to the initially high POCl 3 -Flusses the phosphorus glass layer is ⁇ at the beginning of the emitter diffusion process quickly according to reaction equation (2).
  • the phosphorus glass formation that is the reaction (2), takes place at the interface between the massive silicon of the silicon solar cell substrate used and the phosphor glass layer already formed thereon. The phosphorus glass layer thus grows from the interface to the massive silicon of the silicon solar cell substrate to the outside. If, as is intended in the first Alterna ⁇ tive of the process improvement, POCl 3 -FIUSS continued ⁇ while reduced, the phosphorus glass formation is slowed.
  • the phosphorus can diffuse from an initially formed Phosphorglasteil für with high phosphorus content in a comparatively large amount in the Silizi ⁇ umsolarzellensubstrat, the Eindiffu- sion of phosphorus at a later date by a zwi ⁇ time-trained, phosphor poor Phosphorglasteil ⁇ layer, or by an optionally silicon oxide layer formed, inhibited, so that phosphorus overcomes only in ge ⁇ ringerer amount of the interface with the Siliziumsolarzellensub ⁇ strat.
  • the previously diffused in large quantities phosphorus is already diffused deeper into the volume of the silicon solar cell substrate. As a result, a reduced surface concentration of phosphorus in the silicon solar cell substrate results over conventional POCl 3 diffusion.
  • a phosphorus glass layer having a Ge ⁇ Institutdicke of less than 200 nm is formed, preferably with a total thickness of 40 nm or less.
  • a phosphorus glass layer total thickness of 200 nm is a limit to the rate of growth due to already grown up phosphorus glass shares still insignificant, with larger Automatdi ⁇ CKEN the phosphorus glass layer can play a role.
  • a further development of the first alternative method for improvement provides that in addition to the continuous decrease of the POCl 3-flow of the 0 2 flow in the course of from ⁇ formation of the phosphorus glass layer is increased, preferably increased continuously.
  • a low POCI 3 are first - flow and a high 0 2 flow provided and the POCI 3 -FIUSS is increased continuously.
  • the concentration of electrically inactive phosphorus can even be adjusted within certain limits. This makes it possible to adapt the content of electrically inactive Phos ⁇ phor to the respective type of solar cell.
  • a somewhat higher concentration of electrically inactive phosphorus can be provided than in the case of solar cell substrates which are metallized by direct plating.
  • more homogeneous emitters can be produced by means of the described two alternatives for improving the process compared to conventional POCl 3 diffusions.
  • Substrate center must flow in order to be able to participate in the diffusion of dopant in the region of the substrate center.
  • an increased sheet resistance results in the region of the substrate center, whereas in the edge regions of the silicon solar cell substrate, lower emitter layer resistance values are present.
  • These differences ⁇ de into the emitter sheet resistance values can be reduced by the two alternatives to process improvement. In this context, in particular a targeted supply of additional O 2 has proven itself.
  • the two described alternatives for improving the process are not only advantageous for P0Cl 3 diffusion, but also in connection with BBr 3 - diffusion.
  • the described two alternatives for improving the method can be used in the method according to the invention for forming the first and second partial layers of the glass layer.
  • both alternatives can also be used advantageously in the production of homogeneous emitters.
  • the first alternative method for improvement in egg ⁇ nem method for manufacturing a solar cell with a selective emitter, in particular the method according to the invention, used is particularly preferred.
  • the second alternative for Anlagenverbes ⁇ provement has proved to be particularly advantageous in the production of solar cells with homogeneous emitters.
  • FIG. 1 is a schematic representation of a first exemplary embodiment of the method according to the invention
  • a method according to Figure 1 by running solar cell substrate at different process times A first embodiment of the procedural ⁇ proceedings according to the invention illustrating the schematic diagram of Figure 1 and the schematic representations of Figure 2.
  • a texturizing 8 of a silicon substrate is first formed a POCl3 atmosphere containing at thisracsbei ⁇ game 10.
  • the POCl3-containing atmosphere during a ⁇ ers th period a first amount of 02 added here 12 and ⁇ by a first partial layer of a phosphorus glass layer 55 produced in the course of the process according to Figure 1.
  • FIG. 2a shows a sectional view through a the method according to Figure 1 by running silicon substrate 50 to ei ⁇ nem time by a method described hereinafter, the admixture 14 of a second quantity of O2 and in front of a diffusion 16 of dopant.
  • a re ⁇ is, as already mentioned, a second quantity of O2 added 14 which is less than the first amount of 0. 2
  • a second sublayer 54 is formed part 14.
  • the component layers 52, 54 are thus in vorteilhaf ⁇ ter manner within the framework of an already performed POCI 3 - formed diffusion.
  • the formation 15 of the phosphor glass layer 55 can take place, for example, in a temperature range from 700 ° C. to 900 ° C. over a period of 10 to 30 minutes.
  • the sub-layers 52, 54 are formed 12, 14, before the dopant is diffused to a considerable extent from the phosphorus glass layer 55 in the silicon substrate 50, a ⁇ .
  • the POCl3 diffusion is such Runaway leads ⁇ that the first 52 and the second sub-layer 54 are formed before for the purpose of forming a lightly doped emitter 58 dopant in the phosphor glass layer 55 is diffused into the silicon substrate 50 16.
  • the silicon substrate 50 used is emitter-side provided with a texture 56 on its surface.
  • the this texture 56 covering first part layer 52 has a much lower phosphorus content than the lying above second partial layer 54.
  • pulsed laser radiation having a wavelength in the ultraviolet spectral range is used.
  • the pulse durations are less than 300 ns, preferably less than 100 ns.
  • the laser radiation is guided without overlapping over the surface of the solar cell substrate, a multiple scanning is avoided.
  • a laser with a rectangular fiattop profile is used.
  • an optional method step of annealing 22 of the silicon substrate 50 can follow. This ⁇ it enables the activation of electrically inactive phosphorus in the heavily doped emitter regions 60th
  • FIG. 2b illustrates the silicon substrate 50 from FIG. 2a after the local heating 18 by means of laser radiation.
  • the result of the diffusion of dopant 16 formed dim do ⁇ oriented emitter 58 is schematically indicated by a dashed line and carrier symbols of low density.
  • the phosphorus glass layer 55 has been temporarily removed in the representation of FIG. 2b in a manner known per se, for example by wet-chemical etching.
  • a metallization 62 is already on the heavily doped emitter regions been trained.
  • a very high dopant concentration in the present case a very high phosphorus concentration, is present in the vicinity of the surface of the silicon substrate 50.
  • FIG. 2 b these illustrate the heaped landing carrier symbols.

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Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter aufweisend die Schritte des Ausbildens (10, 12, 14) einer Dotierstoff enthaltenden Glasschicht (55) auf wenigstens einem Teil einer Oberfläche eines Solarzellensubstrats (50), des Ausbildens (16) eines schwach dotierten Emitters (58) in von der Glasschicht (55) bedeckten Bereichen des Solarzellensubstrats (50) durch Eindiffusion (16) von Dotierstoff aus der Glasschicht (55) in das Solarzellensubstrat (50) hinein, der lokalen Eindiffusion (18) zusätzlichen Dotierstoffs aus der Glasschicht (55) in das Solarzellensubstrat (50) hinein durch lokales Erhitzen (18) von unter der Glasschicht (55) gelegenen Bereichen des Solarzellensubstrats (50) zum Zwecke der lokalen Ausbildung (18) stark dotierter Emitterbereiche (60), bei welchem als Dotierstoff enthaltende Glasschicht (55) solch eine Glasschicht (55) auf dem wenigstens einen Teil der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) ausgebildet wird (10, 12, 14), die in einer näher an der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) gelegenen ersten Teilschicht (52) der Glasschicht (55) eine niedrigere Dotierstoffkonzentration aufweist als in einer weiter von der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) entfernt gelegenen zweiten Teilschicht (54) der Glasschicht (55).

Description

Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Seit geraumer Zeit ist bekannt, dass sich der Wirkungsgrad von Solarzellen durch die Ausbildung selektiver Emitterstrukturen verbessern lässt. Eine für die industrielle Solarzellenferti- gung interessante Variante der Herstellung eines selektiven Emitters ist die Laserdiffusion. Diese sieht vor, dass zu¬ nächst ein homogener, schwach dotierter und somit hochohmiger Emitter auf einem Solarzellensubstrat ausgebildet wird. Im Weiteren wird das Solarzellensubstrat lokal mittels Laser- Strahlung erhitzt. Auf diese Weise kann zum einen die Position von bereits im Solarzellensubstrat vorhandenem Dotierstoff verändert werden; beispielsweise kann er tiefer in das Solarzellensubstrat hineingetrieben und auf diese Weise das Emit¬ terprofil lokal verändert werden. Zudem kann das Verhältnis von elektrisch inaktivem Dotierstoff zu elektrisch aktivem Dotierstoff lokal verändert werden. Zum anderen besteht die Mög¬ lichkeit, zusätzlichen Dotierstoff aus einer auf dem Solarzel¬ lensubstrat vorhandenen Dotierstoffquelle, beispielsweise aus einem Phosphor- oder Borglas, lokal in das Solarzellensubstrat einzudiffundieren und so die Dotierstoffkonzentration lokal zu erhöhen. Die beschriebenen Effekte ermöglichen es, lokal stark dotierte Emitterbereiche auszubilden, welche zusammen mit dem im Übrigen vorhandenen schwachen Emitter den gewünschten selektiven Emitter bilden.
In der Praxis ergeben sich für die Laserdiffusion einige Beschränkungen, welche die Ausbildung eines optimalen selektiven Emitters behindern. So werden beispielsweise Phosphor- oder Bordiffusionen darauf ausgelegt, ein für die Stromgeneration optimales Emitterprofil, genauer gesagt Emittertiefenprofil, auszubilden. Dies führt dazu, dass bei nachfolgenden Laserdif- fusionen weniger Dotierstoff in dotierstoffhaltigen Glasschichten zur Verfügung steht, als für die Ausbildung optimaler stark dotierter Bereiche des selektiven Emitters erforderlich wäre. Hierdurch ergeben sich erhöhte Kontaktwiderstände zwischen den stark dotierten Emitterbereichen und darauf ange- ordneten Metallkontakten der fertigen Solarzelle, was sich negativ auf den Wirkungsgrad der Solarzelle auswirkt.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter mittels Laserdiffusion zur Verfügung zu stellen.
Diese Aufgabe wird gelöst durch das kennzeichnende Merkmal des Anspruchs 1.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand abhängiger Unteransprüche .
Der Grundgedanke der Erfindung besteht darin, als Dotierstoff enthaltende Glasschicht solch eine Glasschicht auf dem wenigs¬ tens einen Teil der Oberfläche des Solarzellensubstrats auszu¬ bilden, die in einer näher an der Oberfläche des Solarzellensubstrats gelegenen ersten Teilschicht der Glasschicht eine niedrigere Dotierstoffkonzentration aufweist als in einer wei- ter von der Oberfläche des Solarzellensubstrats entfernt gele¬ genen zweiten Teilschicht der Glasschicht.
Auf diese Weise ist es möglich, in stark dotierten Emitterbe¬ reichen des Solarzellensubstrats oberflächennah Dotierstoff in sehr hoher Konzentration vorzusehen und nur eine geringe Menge an Dotierstoff tiefer ins Solarzellensubstrat einzutreiben und dort zu aktivieren. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es somit, aufwandsgünstig Solarzellen mit einem geringen Kon- takt-, beziehungsweise Kontaktübergangswiderstand, zwischen den stark dotierten Emitterbereichen und einer darauf angeordneten Metallisierung herzustellen, ohne dass die Ladungsträgerkombination im Volumen der Solarzelle durch tief eingetriebenen, elektrisch aktiven zusätzlichen Dotierstoff verstärkt wird. Infolgedessen können aufwandsgünstig Solarzellen mit gesteigertem Wirkungsgrad hergestellt werden.
Der Abstand der Teilschichten von der Oberfläche des Solarzel¬ lensubstrats ist bezogen auf die nächstgelegene Oberfläche des Solarzellensubstrats zu bestimmen. Als Dotierstoff kann bei¬ spielsweise Phosphor oder Bor vorgesehen werden. Als Glasschicht, und somit auch als Teilschichten der Glasschicht, wird bevorzugt eine Phosphor- oder Borglasschicht verwendet. Als Solarzellensubstrat wird vorzugsweise ein Siliziumsubstrat verwendet.
Unter einem schwach dotierten Emitter im vorliegenden Sinne ist ein Emitter mit einem Schichtwiderstand von 80 Ω/square bis 200 Ω/square zu verstehen. Vorzugsweise wird ein schwach dotierter Emitter mit einem Schichtwiderstand von 100 Ω/square bis 180 Ω/square und besonders bevorzugt mit einem Schichtwi¬ derstand von 120 Ω/square bis 160 Ω/square ausgebildet. Stark dotierte Emitterbereiche im vorliegenden Sinne weisen einen Schichtwiderstand von weniger als 60 Ω/square auf.
In einer Ausführungsvariante des Verfahrens wird die Glas¬ schicht derart ausgestaltet, dass sie in der zweiten Teil¬ schicht eine mindestens doppelt so hohe Dotierstoffkonzentra- tion aufweist wie in der ersten Teilschicht. Vorzugsweise wird die zweite Teilschicht nach einem sogenann¬ ten Eintreibschritt, welcher häufig als drive-in-Schritt be¬ zeichnet wird und während welchem Dotierstoff aus der Glas¬ schicht in das Solarzellensubstrat eingetrieben wird, ausge- bildet.
Ergänzend zu der ersten und zweiten Teilschicht der Glas¬ schicht können weitere Teilschichten vorgesehen werden, die derartige Dotierstoffkonzentrationen aufweisen, dass sich ins- gesamt eine über die Dicke der Glasschicht hinweg monoton ab¬ fallende Dotierstoffkonzentration ergibt. Vorzugsweise werden die Teilschichten und deren Dotierstoffkonzentrationen derart gewählt, dass sich eine über die Dicke der Glasschicht hinweg streng monoton abfallende Dotierstoffkonzentration ergibt.
Vorteilhafterweise wird der wenigstens eine Teil der Oberflä¬ che des Solarzellensubstrats vor dem Ausbilden der Glasschicht mit einer Textur versehen. Diese kann auf jede an sich bekannte Weise ausgebildet werden, beispielsweise durch nasschemi- sches Ätzen.
Die erste und die zweite Teilschicht der Dotierstoff enthal¬ tenden Glasschicht werden vorzugsweise ausgebildet, bevor Do¬ tierstoff aus der Dotierstoff enthaltenden Glasschicht in er- heblichem Umfang in das Solarzellensubstrat eindiffundiert wird. Eine Eindiffusion von Dotierstoff in erheblichem Umfang liegt vor, wenn diese bei dem Solarzellensubstrat einen
Schichtwiderstand von weniger als 300 Ω/square bewirkt. Besonders bevorzugt werden die erste und die zweite Teil¬ schicht der Dotierstoff enthaltenden Glasschicht ausgebildet, bevor zum Zwecke des Ausbildens des schwach dotierten Emitters Dotierstoff aus der Dotierstoff enthaltenden Glasschicht in das Solarzellensubstrat eindiffundiert wird. Vorteilhafterweise werden die erste und die zweite Teilschicht der Dotierstoff enthaltenden Glasschicht ausgebildet, bevor die lokale Eindiffusion des zusätzlichen Dotierstoffs erfolgt.
Bevorzugt wird als Glasschicht im Verlauf einer P0Cl3-Diffusion eine Phosphorglasschicht ausgebildet. Bei dieser Variante wird vorteilhaft einer im Verlauf der P0Cl3-Diffusion gebildeten P0Cl3-haltigen Atmosphäre während eines ersten Zeitraums zum Zwecke des Ausbildens der ersten Teilschicht eine erste Menge an O2 beigemengt. Ferner wird der im Verlauf der POCI3- Diffusion gebildeten P0Cl3-haltigen Atmosphäre während eines späteren zweiten Zeitraums zum Zwecke des Ausbildens der zwei¬ ten Teilschicht eine zweite Menge an O2 beigemengt, welche ge- ringer ist als die erste Menge an O2. Auf diese Weise können aufwandsgünstig in einem ohnehin durchgeführten Ofenschritt, nämlich dem der POCl3-Diffusion, beide Teilschichten der Glasschicht ausgebildet werden. In der Praxis hat es sich bewährt, zur Ausbildung der POCl3-Atmosphäre Stickstoffgas als Trägergas durch eine häufig als „bubbler" bezeichnete Dotierstoffquelle zu leiten. Die oben beschriebenen monoton oder streng monoton über die Dicke der Glasschicht hinweg abfallenden Dotierstoff¬ konzentrationen können einfach realisiert werden, indem die Beimengung O2 kontinuierlich gesteuert oder geregelt wird. Fer- ner kann es von Vorteil sein, wenn der zweite Zeitraum erst nach Beendigung eines Eintreibschrittes beginnt, die zweite Teilschicht also erst ausgebildet wird, nachdem bereit Phos¬ phor aus der ersten Teilschicht in das Solarzellensubstrat eingetrieben worden ist.
Vorteilhafterweise wird der lokal eindiffundierte zusätzliche Dotierstoff bis zu einer maximalen Tiefe von 30 nm in das So¬ larzellensubstrat eingetrieben, vorzugsweise bis zu einer ma¬ ximalen Tiefe von 20 nm und besonders bis zu einer maximalen Tiefe von 10 nm. Da sich herausgestellt hat, dass für einen niedrigen Kontaktwiderstand zwischen den stark dotierten Emitterbereichen und darauf angeordneten Kontakten im Wesentlichen die oberflächennahe Konzentration an elektrisch aktivem und inaktivem Dotierstoff entscheidend ist, kann auf diese Weise eine Veränderung des Emitterprofils in die genannten Werte übersteigenden Tiefen verhindert werden, sodass eine Zunahme der Ladungsträgerrekombination vermieden werden kann. Bevorzugt wird bei dem lokalen Eindiffundieren solch eine Menge elektrisch inaktiven Dotierstoffs in das Solarzellensub¬ strat eindiffundiert, dass in den stark dotierten Emitterbe¬ reichen elektrisch inaktiver Dotierstoff in einer Konzentrati- on von mindestens 10 cm vorliegt. Auf diese Weise kann der Kontaktwiderstand zwischen stark dotierten Emitterbereichen und darauf angeordneten Kontakten bei geringer Auger- Rekombination realisiert werden.
Bevorzugt erfolgt das lokale Erhitzen von unter der Glas- schicht gelegenen Bereichen des Solarzellensubstrats mittels gepulster Laserstrahlung mit einer Pulslänge von weniger als 300 ns, vorzugsweise von weniger als 100 ns . Auf diese Weise wird das Solarzellensubstrat nur sehr nahe an seiner Oberflä¬ che erhitzt und damit ein tiefes Eindiffundieren zusätzlichen Dotierstoffs verhindert. In der Praxis haben sich Laser mit einem sogenannten Flattop-Profil bewährt. Vorteilhafterweise wird ein quadratisches oder rechteckiges Flattop-Profil ver¬ wendet. Hierdurch kann ein homogener Wärmeeintrag in das Solarzellensubstrat gewährleistet werden. Im Fall eines recht- eckigen Flattop-Profils kann das Seitenverhältnis beispiels¬ weise 1:10 betragen, bevorzugt wird jedoch ein Seitenverhält¬ nis von 1:5 und besonders bevorzugt eines von 1:3. Dies ermög¬ licht einen hohen Durchsatz in der Fertigung. Die unter der Glasschicht gelegenen Bereiche des Solarzellensubstrats werden vorzugsweise lokal mittels Laserstrahlung mit einer Wellenlänge von 532 nm oder weniger erhitzt. Besonders bevorzugt wird blaue oder ultraviolette Laserstrahlung einge- setzt. Dies erleichtert es, ein tiefes Eindiffundieren des zu¬ sätzlichen Dotierstoffs zu verhindern. Zudem wird eine hohe Bearbeitungsgeschwindigkeit ermöglicht .
Generell wird bei dem lokalen Erhitzen die Laserstrahlung vor- zugsweise überlappfrei über das Solarzellensubstrat geführt und ein mehrfaches Abrastern des Solarzellensubstrats vermie¬ den .
Nach dem Ausbilden des schwach dotierten Emitters und vor der lokalen Eindiffusion des zusätzlichen Dotierstoffs wird vorteilhafterweise eine in der Glasschicht vorherrschende mittle¬ re Dotierstoffkonzentration erhöht. Die mittlere Dotierstoff¬ konzentration berechnet sich dabei aus der Summe des insgesamt in der gesamten Glasschicht enthaltenen Dotierstoffs bezogen auf das Volumen der gesamten Glasschicht. Auf diese Weise kann sichergestellt werden, dass auch nach dem Ausbilden des schwach dotierten Emitters und der damit verbundenen Eindiffusion von Dotierstoff in das Solarzellensubstrat genügend Do¬ tierstoff in der Glasschicht zur Verfügung steht, um im Rahmen der Ausbildung stark dotierter Emitterbereiche eine hinrei¬ chende Menge zusätzlichen Dotierstoffs lokal in das Solarzel¬ lensubstrat eindiffundieren zu können.
Die in der Glasschicht vorherrschende mittlere Dotierstoffkon- zentration kann beispielsweise dadurch erhöht werden, dass weiterer Dotierstoff in die bestehende Glasschicht eingebracht wird, beispielsweise durch Eindiffusion von Dotierstoff aus einer zusätzlichen Dotierstoffquelle in die bestehende Glas¬ schicht hinein. Alternativ oder zusätzlich kann zur Erhöhung der in der Glasschicht vorherrschenden mittleren Dotierstoffkonzentration eine Zusatzglasschicht, welche eine die mittlere Dotierstoffkon- zentration der Glasschicht übersteigende Dotierstoffkonzentra- tion aufweist auf die bestehende Glasschicht aufgebracht wer¬ den. Hierdurch ergibt sich eine vergrößerte Glasschicht mit einer erhöhten mittleren Dotierstoffkonzentration . Die Zusatzglasschicht kann beispielsweise aufgebracht werden, indem die Glasschicht nach dem Ausbilden des schwach dotierten Emitters einer POCI3- oder einer BBr3-haltigen Atmosphäre ausgesetzt wird .
Nachdem das Ausbilden des schwach dotierten Emitters und die lokale Eindiffusion des zusätzlichen Dotierstoffs erfolgt ist, wird vor einem Aufbringen einer Metallisierung auf die stark dotierten Emitterbereiche das Solarzellensubstrat vorzugsweise getempert. Hierbei wird in den stark dotierten Emitterberei¬ chen vorliegender, elektrisch inaktiver Phosphor aktiviert. Das Tempern erfolgt vorteilhafterweise bei Temperaturen im Be¬ reich von 750°C bis 1000°C während einer Dauer von zwei Sekunden bis 30 Minuten. Besonders bevorzugt wird in einer aus Stickstoff und/oder Sauerstoff bestehenden Atmosphäre getem¬ pert .
Vorteilhafterweise wird bei dem lokalen Erhitzen von unter der Glasschicht gelegenen Bereichen des Solarzellensubstrats ein Oberflächenanteil des Solarzellensubstrats angeschmolzen und rekristallisiert, der weniger als 10%, vorzugsweise weniger als 5% der Gesamtoberfläche aller lokal erhitzten Bereiche be¬ trägt. Besonders bevorzugt wird das Solarzellensubstrat bei dem lokalen Erhitzen überhaupt nicht angeschmolzen. Auf diese Weise kann, wie in der deutschen Patentanmeldung mit Anmeldenummer 10 2010 010 813.8 beschrieben, eine Schädigung der Kristallstruktur in Folge des lokalen Erhitzens, insbesondere mittels Laserstrahlung, weitestgehend vermieden werden. Dies wirkt sich positiv auf den Wirkungsgrad der gefertigten Solarzelle aus.
Das lokale Erhitzen der unter der Glasschicht gelegenen Bereiche des Solarzellensubstrats kann unter einer Schutzgasatmo¬ sphäre erfolgen. Zu diesem Zweck kann das Solarzellensubstrat, zumindest teilweise, in der Schutzgasatmosphäre angeordnet werden. Vorzugsweise werden die unter der Glasschicht gelege¬ nen Bereiche des Solarzellensubstrats lokal mittels Laser¬ strahlung erhitzt und das Solarzellensubstrat dabei wenigstens zum Teil, vorzugsweise vollständig, in der Schutzgasatmosphäre angeordnet. Die Schutzgasatmosphäre kann gebildet sein durch ein Stickstoff und/oder ein Edelgase, beispielsweise Argon, aufweisendes Gasgemisch. Vorzugsweise wird Stickstoff oder Ar¬ gon als Schutzgas verwendet.
Unabhängig von dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Her- Stellung einer Solarzelle mit selektivem Emitter mittels Laserdiffusion auf folgende Weisen verbessert werden:
Bei der Laserdiffusion, das heißt bei einer lokalen Eindiffu- sion zusätzlichen Dotierstoffs in das Solarzellensubstrat hin- ein durch lokales Erhitzen des Solarzellensubstrats zum Zwecke der lokalen Ausbildung stark dotierter Emitterbereiche, wird LaserStrahlung mit sehr kurzer Pulsdauer von weniger als
300 ns, vorzugsweise von weniger als 100 ns, verwendet. Wie oben beschrieben kann auf diese Weise ein nachteiliges tiefes Eindiffundieren von Dotierstoff in das Solarzellensubstrat verhindert werden. Hierzu trägt überdies die Verwendung von Laserstrahlung mit einer Wellenlänge von 532 nm oder weniger, besonders bevorzugt von blauer oder ultravioletter Laserstrahlung, bei. Eine alternative oder ergänzende Option zur Verfahrensverbes¬ serung, und damit zur Lösung der eingangs genannten Aufgabe, besteht darin, zunächst eine dotierstoffhaltige Glasschicht auf einem Siliziumsubstrat auszubilden und während eines nach¬ folgenden Eindiffundierens, beziehungsweise Eintreibens, von Dotierstoff aus diesem dotierstoffhaltigen Glas in das Siliziumsubstrat eine Siliziumoxidschicht auf das Siliziumsubstrat aufzuwachsen. Die Siliziumoxidschicht beginnt dabei an der Grenzschicht von dem dotierstoffhaltigen Glas zu dem Siliziumsubstrat aus zu wachsen. Infolgedessen ergibt sich eine flä¬ chige Diffusionsbarriere unter dem dotierstoffhaltigen Glas. Diese verhindert eine zu starke Eindiffusion von Dotierstoff aus dem mit einer hohen Dotierstoffkonzentration versehenen dotierstoffhaltigen Glas. Die Siliziumoxidschicht ist dabei derart auszubilden, dass infolge ihrer Barrierenwirkung zunächst nur ein schwach dotierter Emitter ausgebildet wird, dessen Dotierstoffkonzentration an der Oberfläche des Solarzellensubstrats im Falle eines Phosphoremitters weniger als 2-10 cm , vorzugsweise weniger als 10 cm , beträgt. In die¬ sem Sinne behindert die Siliziumoxidschicht die Eindiffusion von Dotierstoff aus dem dotierstoffhaltigen Glas in das Siliziumsubstrat hinein. Gleichzeitig ist die Dicke der Silizium¬ oxidschicht gering genug zu wählen, dass mittels lokalen Er- hitzens mit Laserstrahlung lokal erheblich größere Mengen Dotierstoff in das Siliziumsubstrat eingetrieben werden können als in den nicht bestrahlten Bereichen. Im Falle eines Phosphoremitters wird die Siliziumoxidschicht vorzugsweise derart ausgestaltet, dass in den mittels Laser behandelten Bereichen nach der Laserbehandlung eine Konzentration an elektrisch aktivem Phosphor vorliegt, welche der Löslichkeit von Phosphor m Silizium entspricht, das heißt m etwa 3-10 cm , sowie ei¬ ne erhebliche Konzentration an elektrisch inaktivem Phosphor. Im Falle eines Phosphoremitters kann die beschriebene Option zur Verfahrensverbesserung beispielsweise folgendermaßen realisiert werden: Zunächst wird das Siliziumsubstrat einer POCI3- haltigen Atmosphäre ausgesetzt und dabei eine erste Teil¬ schicht einer Phosphorglasschicht ausgebildet. Im Weiteren wird das Siliziumsubstrat einer (^-Atmosphäre ausgesetzt und die Siliziumoxidschicht unmittelbar auf das Siliziumsubstrat aufgewachsen. Die Siliziumoxidschicht wird also zwischen der ersten Teilschicht der Phosphorglasschicht und dem Silizium¬ substrat ausgebildet. Nachfolgend wird das Siliziumsubstrat erneut einer P0Cl3-haltigen Atmosphäre ausgesetzt und dabei we¬ nigstens eine weitere Teilschicht der Phosphorglasschicht aus¬ gebildet .
Eine weitere alternative oder ergänzende Option zur Verfah- rensverbesserung besteht darin, zunächst eine Dotierstoff ent¬ haltende Glasschicht auf einem Solarzellensubstrat auszubilden und im Weiteren Dotierstoff aus dieser Glasschicht in das So¬ larzellensubstrat einzudiffundieren und auf diese Weise einen schwach dotierten Emitter auszubilden. Im Weiteren wird noch vor der Laserdiffusion weiterer Dotierstoff in die bestehende Glasschicht eingebracht oder eine Zusatzglasschicht auf die bestehende Glasschicht aufgebracht, wobei die Zusatzglas¬ schicht eine höhere Dotierstoffkonzentration aufweist als die bestehende Glasschicht zum Zeitpunkt des Aufbringens der Zu- sat zglasschicht . Auf diese Weise steht für eine sich anschlie¬ ßende lokale Eindiffusion zusätzlichen Dotierstoffs aus der Glasschicht in das Solarzellensubstrat hinein, beispielsweise durch lokales Erhitzen des Solarzellensubstrats mittels Laser¬ strahlung, genügend Dotierstoff zur Verfügung, ohne dass die- ser bereits während des Ausbildens des schwach dotierten Emit¬ ters vorhanden gewesen wäre. Somit steht für die lokale Ein¬ diffusion zusätzlichen Dotierstoffs genügend Dotierstoff zur Verfügung, ohne dass die Gefahr besteht, dass dieser bereits während des Ausbildens des schwach dotierten Emitters uner- wünscht tief in das Solarzellensubstrat eindiffundiert. Dem¬ entsprechend ist es zu vermeiden, nach dem Einbringen weiteren Dotierstoffs in die bestehende Glasschicht, bzw. nach Aufbrin¬ gen der Zusatzglasschicht, das Solarzellensubstrat längere Zeit hohen Temperaturen auszusetzen.
Eine weitere alternative oder ergänzende Verbesserungsoption besteht darin, dass, nachdem ein Ausbilden eines schwach dotierten Emitters und eine lokale Eindiffusion zusätzlichen Do- tierstoffs erfolgt ist und noch vor einem Aufbringen einer Me¬ tallisierung auf stark dotierte Emitterbereiche, das Solarzel¬ lensubstrat getempert wird. Hierbei wird in den stark dotier¬ ten Emitterbereichen mittels der lokalen Eindiffusion eingebrachter elektrisch inaktiver Dotierstoff aktiviert, sodass der Schichtwiderstand in diesen Bereichen weiter verringert wird. Dies ermöglicht wiederum geringe Kontaktübergangswiderstände zwischen den stark dotierten Emitterbereichen und einer darauf aufgebrachten Metallisierung. Getempert wird vorzugsweise in einem Temperaturbereich von
700°C bis 1000°C, besonders bevorzugt in einem Temperaturbe¬ reich von 750°C bis 800°C, während einer Zeit von zwei Sekun¬ den bis 30 Minuten. Das Tempern erfolgt dabei vorteilhafterweise in einer aus Stickstoff und/oder Sauerstoff (02) beste- henden Atmosphäre.
Die beschriebenen Weisen der Verfahrensverbesserung können in vorteilhafter Weise beliebig miteinander kombiniert werden.
Unabhängig von dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Herstellung einer Solarzelle mit selektivem Emitter mittels Laserdiffusion zudem auf folgende weitere Weisen verbessert wer¬ den : Eine Dotierstoff enthaltende Glasschicht wird auf wenigstens einem Teil einer Oberfläche eines Solarzellensubstrats ausge¬ bildet. Aus dieser Glasschicht heraus wird Dotierstoff in das Solarzellensubstrat eindiffundiert und in dieser Weise ein schwach dotierter Emitter in von der Glasschicht bedeckten Bereichen des Solarzellensubstrats ausgebildet. Nachfolgend wird auf wenigstens einem Teilbereich derjenigen Bereiche des So¬ larzellensubstrats, in denen zuvor der schwach dotierte Emit- ter ausgebildet wurde, eine weitere Dotierstoffquelle auf das Solarzellensubstrat aufgebracht. Diese weitere Dotierstoff¬ quelle kann mittelbar oder unmittelbar auf das Solarzellensubstrat aufgebracht werden. Im Weiteren werden unter der weiteren Dotierstoffquelle gelegene Bereiche des Solarzellensub- strats lokal erhitzt, vorzugsweise mittels Laserstrahlung, und in dieser Weise zusätzlicher Dotierstoff aus der weiteren Dotierstoffquelle in das Solarzellensubstrat eindiffundiert. Dies dient dazu, lokal stark dotierte Emitterbereiche auszu¬ bilden .
Die weitere Dotierstoffquelle wird vorzugsweise ganzflächig auf eine Emitterseite des Solarzellensubstrats aufgebracht. Unter der Emitterseite ist dabei diejenige Seite des Solarzel¬ lensubstrats zu verstehen, auf welcher der Emitter sich über die größte Fläche erstreckt.
Bei derjenigen Variante, bei welcher die weitere Dotierstoff¬ quelle mittelbar auf das Solarzellensubstrat aufgebracht wird, wird die weitere Dotierstoffquelle vorzugsweise auf die Glas- schicht aufgebracht. Insbesondere kann sie unmittelbar auf die Glasschicht aufgebracht werden. Nach der Eindiffusion zusätzlichen Dotierstoffs aus der weiteren Dotierstoffquelle in das Solarzellensubstrat werden Reste der weiteren Dotierstoffquel- le, die Glasschicht und etwaige bei dem lokalen Erhitzen des Solarzellensubstrats gebildete Oxide entfernt.
Bei derjenigen Variante, bei welcher die weitere Dotierstoff- quelle unmittelbar auf das Solarzellensubstrat aufgebracht wird, wird zuvor die Glasschicht entfernt. Nach der Eindiffu- sion zusätzlichen Dotierstoffs aus der weiteren Dotierstoff¬ quelle in das Solarzellensubstrat werden Reste der weiteren Dotierstoffquelle und etwaige bei dem lokalen Erhitzen des So- larzellensubstrats gebildete Oxide entfernt.
Bei beiden Varianten kann das Ausbilden der Glasschicht und die Eindiffusion von Dotierstoff aus der Glasschicht in das Solarzellensubstrat hinein zum Zwecke der Ausbildung schwach dotierter Emitterbereiche unabhängig von der Ausbildung stark dotierter Emitterbereiche erfolgen. So braucht die Glasschicht und deren Dotierstoffgehalt beispielsweise nicht dahingehend ausgelegt zu werden, das während des lokalen Erhitzens genü¬ gend Dotierstoff für die Ausbildung stark dotierter Emitterbe- reiche zur Verfügung steht. Hierdurch ergeben sich vorteilhafte Freiheiten in der Verfahrensführung und für die Optimierung des selektiven Emitters.
Die weitere Dotierstoffquelle kann mittel chemischer Abschei- dung aus der Dampfphase (CVD) , vorzugsweise bei Atmosphären¬ druck (APCVD) , aufgebracht werden.
Vorzugsweise wird als weitere Dotierstoffquelle eine dotier- stoffhaltige Flüssigkeit auf das Solarzellensubstrat aufge- bracht. Besonders bevorzugt wird die dotierstoffhaltige Flüs¬ sigkeit auf das Solarzellensubstrat aufgesprüht. Alternativ kann sie beispielsweise mittels eines Tauchverfahrens aufge¬ bracht werden. Als dotierstoffhaltige Flüssigkeit kann beispielsweise Phos¬ phorsäure aufgebracht werden. In der Praxis hat sich die Ver¬ wendung von ein- bis zwanzigprozentiger Phosphorsäure bewährt. Die Glasschicht und/oder Reste der weiteren Dotierstoffquelle und/oder etwaige bei dem lokalen Erhitzen gebildete Oxide können durch Ätzen entfernt werden. Beispielsweise kann das Ätzen in einer an sich bekannten Phosphor- oder Borsilikatglasät zan- lage erfolgen. Ferner kann das Ätzen der Glasschicht und/oder Reste der weiteren Dotierstoffquelle und/oder etwaiger gebil¬ deter Oxide in Verbindung mit einer an sich bekannten chemischen Isolation von Kanten des Solarzellensubstrats erfolgen.
Sofern eine dotierstoffhaltige Flüssigkeit als weitere Dotier- stoffquelle verwendet wird, wird diese, beziehungsweise deren Reste, nach der Eindiffusion zusätzlichen Dotierstoffs aus der weiteren Dotierstoffquelle in das Solarzellensubstrat vorzugs¬ weise durch Abspülen oder Abwaschen entfernt. Die Glasschicht kann beispielsweise im Rahmen einer Röhrendif¬ fusion ausgebildet werden, beispielsweise im Rahmen einer POCl3-Diffusion .
Unabhängig von dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Her- Stellung einer Solarzelle des Weiteren durch die nachfolgend beschriebenen Weisen verbessert werden, die darauf abzielen, die Oberflächenkonzentration eines in die Emitterseite eines Solarzellensubstrats eindiffundierten Dotierstoffs zu verrin¬ gern. Hierdurch soll die Bildung sogenannter „dead layers" verhindert werden, in welchen der Dotierstoff in einer derart hohen Konzentration vorliegt, dass elektrisch inaktiver Dotierstoff in relevantem Umfang vorliegt und als Rekombinati¬ onszentrum für generierte Elektron-Loch-Paare dienen kann. Zu¬ dem verschlechtert sich mit zunehmender Oberflächenkonzentra- tion des Dotierstoffs auf der Emitterseite des Solarzellensub¬ strats die elektrische Passivierungswirkung einer auf die emitterseitige Oberfläche des Solarzellensubstrats aufgebrach¬ ten Antireflexionsbeschichtung, beispielsweise einer Silizium- nitridschicht . Eine verringerte Oberflächenkonzentration des Dotierstoffs auf der Emitterseite des Solarzellensubstrats kann eine reduzierte Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit der Ladungsträger bewirken. Eine geringere Oberflächenrekombi¬ nationsgeschwindigkeit ermöglicht, ebenso wie eine geringere Anzahl an Rekombinationszentren für Elektron-Loch-Paare im Emitter der Solarzelle, eine Verbesserung des Wirkungsgrads der Solarzelle.
Im Falle der Ausbildung des Emitters mittels einer POCI3- Diffusion besteht eine erste Alternative zur Verfahrensverbes¬ serung durch Reduktion der Phosphor-Oberflächenkonzentration darin, den Diffusionsvorgang mit einem hohen POCI3-FIUSS zu begingen und den POCI3-FIUSS im Weiteren fortwährend zu verrin¬ gern .
Im Rahmen der POCl3-Diffusion wird eine Phosphorglasschicht ausgebildet. Unter Verwendung eines Siliziumsolarzellensubrats laufen hierbei folgende Reaktionen ab: POCI3 + 02 -> P205 + Cl2 (1)
P205 + Si -> Si02:P (2)
Si + 02 -> Si02 (3)
Die Reaktion (2) verläuft schnell, während die Reaktion (3) vergleichsweise langsam abläuft. Aufgrund des anfänglich hohen POCl3-Flusses wird daher zu Beginn des Emitterdiffusionsvorganges schnell gemäß Reaktionsgleichung (2) die Phosphorglas¬ schicht ausgebildet. Die Phosphorglasbildung, das heißt die Reaktion (2), erfolgt dabei an der Grenzfläche zwischen dem massiven Silizium des eingesetzten Siliziumsolarzellensubstrats und der darauf bereits ausgebildeten Phosphorglas¬ schicht. Die Phosphorglasschicht wächst also gleichsam von der Grenzfläche zu dem massiven Silizium des Siliziumsolarzellen- Substrats an nach außen. Wird nun, wie dies die erste Alterna¬ tive der Verfahrensverbesserung vorsieht, der POCI3-FIUSS fort¬ während reduziert, so wird die Phosphorglasbildung verlangsamt. Da gemäß Reaktionsgleichung (1) bei einer P0Cl3-Diffusion stets O2 vorhanden ist und dessen Fluss unverändert bleibt, re- agiert das Silizium des Siliziumsolarzellensubstrats nun ver¬ mehrt mit O2 zu SiC>2. Infolgedessen wird ein Phosphorglas mit sehr geringem Phosphorgehalt oder gar eine phosphorfreie Sili¬ ziumoxidschicht ausgebildet. Während des Emitterdiffusionsvorgangs wird nicht nur die Phos¬ phorglasschicht ausgebildet, sondern auch Phosphor aus der Phosphorglasschicht in das Siliziumsolarzellensubstrat eindif¬ fundiert, wo es den Emitter bildet. Während der Phosphor aus einer anfänglich gebildeten Phosphorglasteilschicht mit hohem Phosphorgehalt in vergleichsweise großer Menge in das Silizi¬ umsolarzellensubstrat eindiffundieren kann, ist die Eindiffu- sion des Phosphors zu einem späteren Zeitpunkt durch eine zwi¬ schenzeitlich ausgebildete, phosphorarme Phosphorglasteil¬ schicht, beziehungsweise durch eine gegebenenfalls gebildete Siliziumoxidschicht, gehemmt, sodass Phosphor nur noch in ge¬ ringerer Menge die Grenzfläche zu dem Siliziumsolarzellensub¬ strat überwindet. Der zuvor in größeren Mengen eindiffundierte Phosphor ist zwischenzeitlich bereits tiefer in das Volumen des Siliziumsolarzellensubstrats eindiffundiert. Infolgedessen ergibt sich gegenüber einer konventionellen POCl3-Diffusion eine verringerte Oberflächenkonzentration an Phosphor in dem Siliziumsolarzellensubstrat . Vorzugsweise wird bei der beschriebenen ersten Alternative zur Verfahrensverbesserung eine Phosphorglasschicht mit einer Ge¬ samtdicke von weniger als 200 nm ausgebildet, vorzugsweise mit einer Gesamtdicke von 40 nm oder weniger. Unterhalb einer Phosphorglasschichtgesamtdicke von 200 nm ist eine Begrenzung der Wachstumsgeschwindigkeit aufgrund bereits aufgewachsener Phosphorglasanteile noch unbedeutend, bei größeren Gesamtdi¬ cken der Phosphorglasschicht kann sie eine Rolle spielen. Eine Weiterbildung der ersten Alternative zur Verfahrensverbesserung sieht vor, dass zusätzlich zu der kontinuierlichen Verringerung des POCl3-Flusses der 02-Fluss im Verlauf der Aus¬ bildung der Phosphorglasschicht gesteigert wird, vorzugsweise fortwährend gesteigert wird. Hierdurch werden die bereits durch die fortwährende Verringerung des POCl3-Flusses bewirkten und oben beschriebenen Effekte verstärkt, da durch den zusätzlich vorhandenen Sauerstoff die Reaktion (3) verstärkt wird. Die fortwährende Steigerung des 02-Flusses erfolgt besonders bevorzugt parallel zur fortwährenden Verringerung des POCI3- Flusses.
Bei einer zweiten Alternative zur Verfahrensverbesserung werden zu Beginn der POCl3-Diffusion zunächst ein niedriger POCI3- Fluss und ein hoher 02-Fluss vorgesehen und der POCI3-FIUSS wird fortwährend gesteigert. Dies bewirkt, dass zunächst eine Siliziumoxidschicht, beziehungsweise eine Phosphorglasschicht mit sehr geringem Phosphorgehalt, an der Grenzfläche zu dem massiven Silizium des Siliziumsolarzellensubstrats ausgebildet wird. Es hat sich gezeigt, dass mittels dieser Siliziumoxid- Schicht, beziehungsweise Phosphorglasschicht mit geringem
Phosphorgehalt, die Eindiffusion von Phosphor aus dem im weiteren Verlauf der POCl3-Diffusion gebildeten Phosphorglas in das Siliziumsolarzellensubstrat hinein derart beeinflusst wer¬ den kann, dass sich ein Emitter ergibt, welcher gegenüber ver- gleichbaren, aus dem Stand der Technik bekannten Emittern eine verringerte Phosphor-Oberflächenkonzentration aufweist.
Bei einer Weiterbildung der zweiten Alternative zur Verfah- rensverbesserung wird der 02-Fluss im Verlauf der POCI3-
Diffusion verringert. Vorzugsweise erfolgt dies parallel zur Erhöhung des P0Cl3-Flusses . Der beschriebene, durch die Steige¬ rung des P0Cl3-Flusses bewirkte Effekt kann hierdurch verstärkt werden .
Es hat sich gezeigt, dass mittels der beiden beschriebenen Alternativen zur Verfahrensverbesserung der Gehalt an elektrisch inaktivem Phosphor in dem Siliziumsolarzellensubstrat verringert und somit das Verhältnis von elektrisch aktivem zu elekt- risch inaktivem Phosphor verbessert werden kann. Die oben beschriebene Rekombination generierter Elektron-Loch-Paare kann somit verringert werden. Dies ist vermutlich darauf zurückzu¬ führen, dass bei einer geringen Phosphorzufuhr bereits vorhandene Phosphoratome Glitterplätze in dem Siliziumkristallgitter des Siliziumsolarzellensubstrats besetzen. Der Gehalt an elektrisch inaktivem Phosphor nimmt somit ab. Wird hingegen eine größere Menge an Phosphor zugeführt, so verbleibt ein Re¬ servoir an elektrisch inaktivem Phosphor im Siliziumsolarzellensubstrat, beziehungsweise auf dessen Oberfläche. Durch eine geeignete Veränderung des POCl3-Flusses während der POCI3-
Diffusion kann demzufolge die Konzentration an elektrisch inaktivem Phosphor sogar in gewissen Grenzen eingestellt werden. Dies ermöglicht es, den Gehalt an elektrisch inaktivem Phos¬ phor an den jeweiligen Solarzellentyp anzupassen. Beispiels- weise kann bei mit einer Siebdruckmetallisierung zu versehenden Solarzellensubstraten eine etwas höhere Konzentration an elektrisch inaktivem Phosphor vorgesehen werden als bei Solarzellensubstraten, die mittels einer direkten Platierung metallisiert werden. Weiterhin hat sich gezeigt, dass mittels der beschriebenen beiden Alternativen zur Verfahrensverbesserung im Vergleich zu konventionellen POCl3-Diffusionen homogenere Emitter herge- stellt werden können. Bei POCl3-Diffusionen sind üblicherweise mehrere Siliziumsolarzellensubstrate nacheinander derart ange¬ ordnet, dass die Rückseite eines Siliziumsolarzellensubstrats der Vorderseite eines benachbarten Siliziumsolarzellensub¬ strats zugewandt ist. Dies hat zur Folge, dass in dem Diffusi- onsofen POCI3 oder P2O5 vom Substratrand her nach innen zur
Substratmitte strömen muss, um im Bereich der Substratmitte an der Eindiffusion von Dotierstoff mitwirken zu können. Infolgedessen ergibt sich bei derartigen Diffusionen ein erhöhter Schichtwiderstand in dem Bereich der Substratmitte, wohingegen in den Randbereichen des Siliziumsolarzellensubstrats geringe¬ re Emitterschichtwiderstandswerte vorliegen. Diese Unterschie¬ de in den Emitterschichtwiderstandswerten können durch die beiden Alternativen zur Verfahrensverbesserung reduziert werden. In diesem Zusammenhang hat sich insbesondere eine geziel- te Zuführung von zusätzlichem O2 bewährt.
Es hat sich gezeigt, dass im Falle einer Erhöhung des O2- Flusses die Reaktion zwischen Silizium und Sauerstoff umso schneller verläuft, je mehr Phosphor sich bereits im Solarzel- lensubstrat befindet.
Die beschriebenen Vorteile der beiden Alternativen zur Verfahrensverbesserung können erreicht werden, ohne dass hierfür ein zeitlicher Mehraufwand bei der Prozessführung erforderlich wä- re, da die POCI3- und 02-Flüsse während des gewohnten Prozess¬ verlaufs verändert werden können. Insbesondere kann also die Phosphor-Oberflächenkonzentration und/oder die elektrisch inaktive Phosphorkonzentration in Emittern aufwandsgünstig verringert werden. Würde man hingegen bei konventionellen POCI3- Diffusionen einen Emitter mit vergleichbarem Emitterprofil ausbilden, ergäben sich Emitter mit einer schlechteren Homogenität oder die Phosphor-Oberflächenkonzentration ließe sich nicht verringern. Zudem ließe sich das Verhältnis von elekt¬ risch inaktivem zu elektrisch aktivem Phosphor nicht verbessern .
Grundsätzlich sind die beiden beschriebenen Alternativen zur Verfahrensverbesserung nicht nur bei P0Cl3-Diffusionen vorteil haft einsetzbar, sondern auch in Verbindung mit BBr3- Diffusionen .
Die beschriebenen beiden Alternativen zur Verfahrensverbesserung sind bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ausbildung der ersten und zweiten Teilschicht der Glasschicht verwendbar. Daneben sind beide Alternativen auch vorteilhaft bei der Herstellung homogener Emitter einsetzbar. Besonders bevorzugt wird die erste Alternative zur Verfahrensverbesserung bei ei¬ nem Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter, insbesondere dem erfindungsgemäßen Verfahren, eingesetzt. Die zweite Alternative zur Verfahrensverbes¬ serung hat sich als besonders vorteilhaft bei der Herstellung von Solarzellen mit homogenen Emittern erwiesen.
Die im Rahmen der verschiedenen Weisen und Alternativen der Verfahrensverbesserung sowie in Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren beschriebenen Merkmale und Weiterbildungen können in beliebiger Weise miteinander kombiniert werden. Insbesondere können in Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren beschriebene Merkmale und Weiterbildungen mit den unab¬ hängig von dem erfindungsgemäßen Verfahren beschriebenen Weisen und Alternativen der Verfahrensverbesserung und deren Merkmalen und Weiterbildungen kombiniert werden. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert. Soweit zweckdienlich, sind hierin gleichwirkende Elemen¬ te mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es zeigen: Figur 1 Prinzipdarstellung eines ersten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens
Figur 2 Schematische Schnittdarstellungen durch ein das
Verfahren nach Figur 1 durchlaufendes Solarzellensubstrat zu verschiedenen Verfahrenszeitpunkten Ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfah¬ rens illustrieren die Prinzipdarstellung der Figur 1 sowie die schematischen Darstellungen der Figur 2. Nach einem Texturieren 8 eines Siliziumsubstrats wird bei diesem Ausführungsbei¬ spiel zunächst eine POCl3-haltige Atmosphäre ausgebildet 10. Im Weiteren wird der POCl3-haltigen Atmosphäre während eines ers¬ ten Zeitraums eine erste Menge an 02 beigemengt 12 und hier¬ durch eine erste Teilschicht einer im Verlauf des Verfahrens gemäß Figur 1 hergestellten Phosphorglasschicht 55 ausgebil¬ det. Diese erste Teilschicht 52 ist schematisch in Figur 2a dargestellt, welche eine Schnittdarstellung durch ein das Verfahren gemäß Figur 1 durchlaufendes Siliziumsubstrat 50 zu ei¬ nem Zeitpunkt nach einer im Weiteren beschriebenen Beimengung 14 einer zweiten Menge an O2 und vor einer Eindiffusion 16 von Dotierstoff zeigt.
Im weiteren Verfahrensverlauf wird der POCl3-haltigen Atmosphä¬ re, wie bereits erwähnt, eine zweite Menge O2 beigemengt 14, welche geringer ist als die erste Menge an 02. Auf diese Weise wird eine zweite Teilschicht 54 ausgebildet 14. Die erste Teilschicht 52 und die zweite Teilschicht 54 bilden im vorlie¬ genden Ausführungsbeispiel zusammen die Phosphorglasschicht 55, welche im Verlauf des Verfahrens der Figur 1 ausgebildet wird 15. Die Teilschichten 52, 54 werden somit in vorteilhaf¬ ter Weise im Rahmen einer ohnehin durchgeführten POCI3- Diffusion ausgebildet. Die Ausbildung 15 der Phosphorglas¬ schicht 55 kann beispielsweise in einem Temperaturbereich von 700°C bis 900°C während eines Zeitraums von 10 bis 30 Minuten erfolgen .
Im Rahmen der POCl3-Diffusion werden die Teilschichten 52, 54 ausgebildet 12, 14, bevor Dotierstoff in erheblichem Umfang aus der Phosphorglasschicht 55 in das Siliziumsubstrat 50 ein¬ diffundiert wird.
Vorteilhafterweise wird die POCl3-Diffusion derart durchge¬ führt, dass die die erste 52 und die zweite Teilschicht 54 ausgebildet werden, bevor zum Zwecke des Ausbildens eines schwach dotierten Emitters 58 Dotierstoff aus der Phosphorglasschicht 55 in das Siliziumsubstrat 50 eindiffundiert wird 16. Gemäß der Darstellung der Figur 2a, ist das verwendete Siliziumsubstrat 50 an seiner Oberfläche emitterseitig mit einer Textur 56 versehen. Wie in Figur 2a schematisch angedeutet ist, weist die diese Textur 56 bedeckende erste Teilschicht 52 einen deutlich geringeren Phosphorgehalt auf als die darüber- liegende zweite Teilschicht 54. Dies ist darauf zurückzufüh¬ ren, dass bei dem Ausbilden 14 der zweiten Teilglasschicht 54 die geringere zweite Menge an O2 der POCl3-haltigen Atmosphäre beigemengt wird 14, beim Ausbilden 12 der ersten Teilschicht 52 hingegen die größere erste Menge an O2 beigemengt ist 12. Infolgedessen weist die näher an einer Oberfläche des Siliziumsubstrats 50 gelegene erste Teilschicht 52 eine niedrigere Dotierstoffkonzentration auf als die weiter von der Oberfläche des Siliziumsubstrats 50 entfernt gelegene zweite Teilschicht 54 der Phosphorglasschicht 55. Im weiteren Verfahrensverlauf wird Dotierstoff, vorliegend Phosphor, aus der Phosphorglasschicht 55 in das Siliziumsub¬ strat eindiffundiert 16 und in dieser Weise ein schwach do- tierter Emitter 58 ausgebildet 16. Hieran schließt sich ein optionaler Verfahrensschritt des erneuten Ausbildens 20 einer P0Cl3-haltigen Atmosphäre und des Aufbringens einer Zusatzglas¬ schicht an. Im Weiteren werden unter der Phosphorglasschicht 55 gelegene
Bereiche des Siliziumsubstrats 50 lokal mittels Laserstrahlung erhitzt 18 ohne das Solarzellensubstrat dabei anzuschmelzen. Hierzu wird gepulste Laserstrahlung mit einer Wellenlänge im ultravioletten Spektralbereich verwendet. Die Pulsdauern betragen weniger als 300 ns, vorzugsweise weniger als 100 ns . Die Laserstrahlung wird überlappfrei über die Oberfläche des Solarzellensubstrats geführt, ein mehrfaches Abrastern wird vermieden. Es wird ein Laser mit einem rechteckigen Fiattop- Profil verwendet.
Im Weiteren kann sich ein optionaler Verfahrensschritt des Temperns 22 des Siliziumsubstrats 50 anschließen. Dieser er¬ möglicht die Aktivierung elektrisch inaktiven Phosphors in stark dotierten Emitterbereichen 60.
Figur 2b illustriert das Siliziumsubstrat 50 aus Figur 2a nach dem lokalen Erhitzen 18 mittels Laserstrahlung. Der in Folge der Eindiffusion 16 von Dotierstoff ausgebildete schwach do¬ tierte Emitter 58 ist mittels einer gestrichelten Linie und Ladungsträgersymbolen geringer Dichte schematisch angedeutet. Die Phosphorglasschicht 55 wurde in der Darstellung der Figur 2b zwischenzeitlich in an sich bekannter Weise entfernt, beispielsweise durch nasschemisches Ätzen. Zudem ist bereits eine Metallisierung 62 auf den stark dotierten Emitterbereichen ausgebildet worden. In den stark dotierten Bereichen 60 liegt in Nähe der Oberfläche des Siliziumsubstrats 50 eine sehr hohe Dotierstoffkonzentration, vorliegend eine sehr hohe Phosphorkonzentration, vor. In Figur 2b illustrieren dies die gehäuf- ten Landungsträgersymbole. Jedoch wurde bei dem lokalen Erhit¬ zen mittels Laserstrahlung kaum zusätzlicher Dotierstoff tiefer in das Siliziumsubstrat 50 eingetrieben, sodass auch in stark dotierten Emitterbereichen 60 in größeren Tiefen das bei der Eindiffusion 16 von Dotierstoff aus der Phosphorglas- schicht 55 gebildete Emitterprofil gleichsam unverändert ist. Somit ergibt sich in den stark dotierten Emitterbereichen 60 ein niedriger Kontakt-, beziehungsweise Kontaktübergangswiderstand, zwischen der Metallisierung 62 und dem Siliziumsubstrat 50, was sich positiv auf den Wirkungsgrad der fertigen Solar- zelle auswirkt. Gleichzeitig wird eine Verschlechterung des
Wirkungsgrades aufgrund von Beeinträchtigungen des Emitterpro¬ fils in tiefer liegenden Regionen der stark dotierten Emitterbereiche 60 vermieden. An den Seitenflächen oder der in Figur 2b nach unten orientierten Rückseite des Solarzellensubstrats angeordnete Bestandteile des schwachen Emitters können im wei¬ teren Verlauf eines Solarzellenherstellungsprozesses in an sich bekannter Weise entfernt werden, beispielsweise mittels Plasmaätzen .
Bezugs zeichenliste
8 Texturieren Siliziumsubstrat
10 Ausbilden POCl3-haltige Atmosphäre
12 Beimengung erste Menge an O2 und Ausbilden erste Teil¬ schicht
14 Beimengung zweite, geringere Menge an O2 und Ausbilden zweite Teilschicht
15 Ausbilden Phosphorglasschicht
16 Eindiffusion Dotierstoff aus Phosphorglasschicht und Aus¬ bilden eines schwach dotierten Emitters
18 Lokales Erhitzen mittels Laserstrahlung ohne Solarzellensubstrat anzuschmelzen
20 Erneutes Ausbilden POCl3-haltige Atmosphäre und Aufbringen Zusatzglasschicht
22 Tempern Siliziumsubstrat zur Aktivierung inaktiven Phosphors in stark dotierten Emitterbereichen
50 Siliziumsubstrat
52 Erste Teilschicht
54 Zweite Teilschicht
55 Phosphorglasschicht
56 Textur
58 Schwach dotierter Emitter
60 Stark dotierter Emitterbereich
62 Metallisierung

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter aufweisend folgende Schritte:
- Ausbilden (10, 12, 14) einer Dotierstoff enthaltenden Glasschicht (55) auf wenigstens einem Teil einer Ober¬ fläche eines Solarzellensubstrats (50);
- Ausbilden (16) eines schwach dotierten Emitters (58) in von der Glasschicht (55) bedeckten Bereichen des Solarzellensubstrats (50) durch Eindiffusion (16) von Do¬ tierstoff aus der Glasschicht (55) in das Solarzellen¬ substrat (50) hinein;
- lokale Eindiffusion (18) zusätzlichen Dotierstoffs aus der Glasschicht (55) in das Solarzellensubstrat (50) hinein durch lokales Erhitzen (18) von unter der Glasschicht (55) gelegenen Bereichen des Solarzellensub¬ strats (50) zum Zwecke der lokalen Ausbildung (18) stark dotierter Emitterbereiche (60);
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass als Dotierstoff enthaltende Glasschicht (55) solch ei¬ ne Glasschicht (55) auf dem wenigstens einen Teil der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) ausgebildet wird (10, 12, 14), die in einer näher an der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) gelegenen ersten Teilschicht (52) der Glasschicht (55) eine niedrigere Dotierstoffkonzentra- tion aufweist als in einer weiter von der Oberfläche des Solarzellensubstrats (50) entfernt gelegenen zweiten Teil¬ schicht (54) der Glasschicht (55).
Verfahren nach Anspruch 1,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass als Dotierstoff enthaltende Glasschicht (55) eine
Glasschicht (55) ausgebildet wird, die in der zweiten Teil- Schicht (54) eine mindestens doppelt so hohe Dotierstoff¬ konzentration aufweist wie in der ersten Teilschicht (52).
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass der wenigstens eine Teil der Oberfläche des Solarzel¬ lensubstrats (50) vor dem Ausbilden (10, 12, 14) der Glas¬ schicht (55) mit einer Textur (56) versehen wird.
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass
- im Verlauf einer POCl3-Diffusion (10, 12, 14, 16) als Glasschicht (55) eine Phosphorglasschicht (55) ausgebil¬ det wird;
- einer im Verlauf der POCl3-Diffusion (10, 12, 14, 16) gebildeten POCl3-haltigen Atmosphäre während eines ers¬ ten Zeitraums zum Zwecke des Ausbildens (12) der ersten Teilschicht (52) eine erste Menge an O2 beigemengt wird ( 12 ) ; und
- der im Verlauf der POCl3-Diffusion (10, 12, 14, 16) ge¬ bildeten POCl3-haltigen Atmosphäre während eines späte¬ ren zweiten Zeitraums zum Zwecke des Ausbildens (14) der zweiten Teilschicht (54) eine zweite Menge an O2 beige¬ mengt wird (14), welche geringer ist als die erste Menge an 02.
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass der lokal eindiffundierte zusätzliche Dotierstoff bis zu einer maximalen Tiefe von 30 nm in das Solarzellensub¬ strat eingetrieben wird, vorzugsweise bis zu einer maxima¬ len Tiefe von 20 nm und besonders bevorzugt bis zu einer maximalen Tiefe von 10 nm. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass bei dem lokalen Eindiffundieren (18) solch eine Menge elektrisch inaktiven Dotierstoffs in das Solarzellensub¬ strat (50) eindiffundiert wird, dass in den stark dotierten Emitterbereichen (60) elektrisch inaktiver Dotierstoff in einer Konzentration von mindestens 10 cm vorliegt.
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass das lokale Erhitzen (18) von unter der Glasschicht (55) gelegenen Bereichen des Solarzellensubstrats (50) mit¬ tels gepulster Laserstrahlung mit einer Pulslänge von weniger als 300 ns, vorzugsweise von weniger als 100 ns, er¬ folgt .
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass die unter der Glasschicht (55) gelegenen Bereiche des Solarzellensubstrats (50) lokal mittels Laserstrahlung mit einer Wellenlänge von 532 nm oder weniger erhitzt werden (18), vorzugsweise mittels blauer oder ultravioletter La¬ serstrahlung .
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass nach dem Ausbilden (16) des schwach dotierten Emitters (58) und vor der lokalen Eindiffusion (18) des zusätzlichen Dotierstoffs eine in der Glasschicht (55) vorherrschende mittlere Dotierstoffkonzentration erhöht wird.
Verfahren nach Anspruch 9,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass zur Erhöhung der in der Glasschicht (55) vorherrschen- den mittleren DotierstoffKonzentration weiterer Dotierstoff in die bestehende Glasschicht eingebracht wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass zur Erhöhung der in der Glasschicht (55) vorherrschenden mittleren Dotierstoffkonzentration eine Zusatzglasschicht, die eine die mittlere Dotierstoffkonzentration der Glasschicht übersteigende Dotierstoffkonzentration auf¬ weist, auf die bestehende Glasschicht (55) aufgebracht wird .
12. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass, nachdem das Ausbilden (16) des schwach dotierten Emitters (58) und die lokale Eindiffusion (18) des zusätz¬ lichen Dotierstoffs erfolgt ist und noch vor einem Aufbringen einer Metallisierung (62) auf die stark dotierten Emitterbereiche (60), das Solarzellensubstrat (50) getempert und hierbei in den stark dotierten Emitterbereichen (60) vorliegender, elektrisch inaktiver Phosphor aktiviert wird.
13. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass bei dem lokalen Erhitzen (18) von unter der Glasschicht (55) gelegenen Bereichen des Solarzellensubstrats (50) ein Oberflächenanteil des Solarzellensubstrats (50) angeschmolzen und rekristallisiert wird, der weniger als 10%, vorzugsweise von weniger als 5%, der Gesamtoberfläche aller lokal erhitzten Bereiche beträgt.
14. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einem selektiven Emitter aufweisend folgende Schritte: - Ausbilden einer Dotierstoff enthaltenden Glasschicht auf wenigstens einem Teil einer Oberfläche eines Solarzel¬ lensubstrats;
- Ausbilden eines schwach dotierten Emitters in von der Glasschicht bedeckten Bereichen des Solarzellensubstrats durch Eindiffusion von Dotierstoff aus der Glasschicht in das Solarzellensubstrat hinein;
- lokale Eindiffusion zusätzlichen Dotierstoffs aus der Glasschicht (50) in das Solarzellensubstrat hinein durch lokales Erhitzen von unter der Glasschicht gelegenen Bereichen des Solarzellensubstrats zum Zwecke der lokalen Ausbildung stark dotierter Emitterbereiche;
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass zumindest zeitweise während der mit dem Ausbilden des schwach dotierten Emitters verbundenen Eindiffusion von Dotierstoff aus der Glasschicht in das Solarzellensubstrat hinein eine Siliziumoxidschicht unmittelbar auf dem wenigs¬ tens einen Teil der Oberfläche des Solarzellensubstrats ausgebildet wird, wobei die Siliziumoxidschicht derart aus¬ gebildet wird, dass sie die Eindiffusion aus der Glas¬ schicht in das Solarzellensubstrat hinein behindert.
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass das Solarzellensubstrat zumindest zum Teil, vorzugs¬ weise vollständig, in einer Schutzgasatmosphäre angeordnet wird und die unter der Glasschicht (55) gelegenen Bereiche des Solarzellensubstrats (50) lokal mittels Laserstrahlung erhitzt werden (18), während sich das Solarzellensubstrat zumindest zum Teil, vorzugsweise vollständig, in der
Schutzgasatmosphäre befindet.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8664015B2 (en) * 2011-10-13 2014-03-04 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing photoelectric device
DE102012018746A1 (de) * 2012-09-21 2014-03-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten
US8912071B2 (en) 2012-12-06 2014-12-16 International Business Machines Corporation Selective emitter photovoltaic device
CN104157736A (zh) * 2014-08-15 2014-11-19 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 太阳能电池制备方法及太阳能电池
CN107394012A (zh) * 2017-08-18 2017-11-24 常州亿晶光电科技有限公司 一种硅片激光掺杂se的扩散工艺
CN110896116B (zh) * 2018-09-10 2023-01-17 浙江清华柔性电子技术研究院 晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法、电池、组件
CN111180530A (zh) * 2019-12-27 2020-05-19 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性发射极电池的制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
US7615393B1 (en) * 2008-10-29 2009-11-10 Innovalight, Inc. Methods of forming multi-doped junctions on a substrate
DE102010010813A1 (de) 2010-03-03 2011-09-08 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zur Dotierung eines Halbleitersubstrats und Solarzelle mit zweistufiger Dotierung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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