DE3327753C1 - Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von duennem Substrat mit Fluessigkeit im Durchlaufverfahren - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von duennem Substrat mit Fluessigkeit im DurchlaufverfahrenInfo
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Description
a) Beschwallen der Unterseite des Substrats mit einem Flüssigkeitsanteil und
b) Einstellen des Drucks oberhalb und unterhalb des Substrats in einem Umfang, daß auf das
Substrat keine eine mechanische Deformation hervorrufende Druckdifferenz einwirkt.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von dünnem Substrat mit
Flüssigkeit im Durchlaufverfahren, wobei das Substrat waagerecht oder in etwa waagerecht durch ein die Flüssigkeit
aufweisendes Behältnis unterhalb des Flüssigkeitsspiegels geführt ist.
Die Handhabung und Behandlung von vor allem großformatigen dünnen zerbrechlichen Platten mit extrem
empfindlicher Oberfläche bereitet in verschiedenen Bereichen der Technik erhebliche Schwierigkeiten.
So müssen beispielsweise bei der Herstellung von Dünnschicht-Halbleiterschichten dünne, mit verschiedenen
Substanzen bedampfter Glasplatten, sogenannte Substrate, einem chemischen Tauchbad ausgesetzt werden,
um über einen chemischen Austauschprozeß eine Halbleiterschicht zu bilden. Dieser Prozeß ist sehr empfindlich
und durch die Kontaktzeit im Bad sowie die Badbewegung stark beeinflußt. Dabei läßt sich eine
gleichmäßige naß-chemische Behandlung der gesamten Oberfläche bei der Herstellng großformatiger Halbiei-
terschichten nur noch im Durchlaufverfahren realisieren.
Zwar besteht die Möglichkeit, die Substrate senkrecht in Tauchbäder einzutauchen. Dieses Verfahren ist
jedoch für eine gleichmäßige Oberflächenbehandlung ungeeignet, da die unteren Substratkanten beim Eintauchen
zuerst benetzt werden und zuletzt wieder aus dem Bad heraustreten. Gerade aber bei kurzen Tauchzeiten
ist daher eine entsprechendes Verfahren mit erheblichen Nachteilen verbunden.
Der US-PS 43 02 485 ist eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Art zu entnehmen, bei der ein zu
behandelndes Substrat waagerecht durch ein Flüssigkeit aufwiesendes Behältnis geführt wird. Innerhalb der
Flüssigkeit tritt das Substrat mit einem Führungselement in Wechselwirkung, wodurch eine einseitige
Druckbeaufschlagung auf das Substrat erfolgt. Bei dünnen Substraten kann es dadurch zu einer unerwünschten
mechanischen Beanspruchung kommen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit Flüssigkeit im Durchlaufverfahren zur Verfügung zu stellen, die sicherstellt, daß eine gleichmäßige Behandlung der Oberfläche auch bei kurzen Behandlungszeiten erfolgt, ohne daß die Gefahr besteht, daß das Substrat während der Behandlung insbesondere mechanisch deformiert wird, wodurch eine Beschädigung des Substrats und damit eine Unbrauchbarkeit von diesem gegeben wäre.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit Flüssigkeit im Durchlaufverfahren zur Verfügung zu stellen, die sicherstellt, daß eine gleichmäßige Behandlung der Oberfläche auch bei kurzen Behandlungszeiten erfolgt, ohne daß die Gefahr besteht, daß das Substrat während der Behandlung insbesondere mechanisch deformiert wird, wodurch eine Beschädigung des Substrats und damit eine Unbrauchbarkeit von diesem gegeben wäre.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der durch die Flüssigkeitssäule oberhalb des Substrats
hervorgerufene hydrostatische Druck gleich dem auf die Unterseite des Substrats einwirkenden Druck ist,
der durch einen kontrolliert in die Flüssigkeit eingeleiteten und auf die Unterseite des Substrats auftreffende
Flüssigkeitsanteil bestimmt ist.
Mit anderen Worten wird eine Vorrichtung zur Verfügung gestellt, bei der das Substrat während der Behandlung
einer gleichmäßigen Druckbelastung ausgesetzt ist, die sicherstellt, daß mechanische Verformungen
nicht auftreten können. Dabei wird das Substrat vorzugsweise von einer Führungseinrichtung aufgenommen,
die sicherstellt, daß während des Transports durch die Flüssigkeit weder Transportrollen noch andere
Stabilisierungs- oder Führungsrollen erforderlich sind, um das Substrat durch die Flüssigkeit zu führen.
Die Fördergeschwindigkeit der das Substrat aufnehmenden Einrichtung kann dann so eingestellt werden,
daß auf das Substrat über eine vorher zu bestimmende Zeitspanne die Flüssigkeit einwirkt. In diesem Zusammenhang
sei ausdrücklich darauf hingewiesen, daß das Behandeln des Substrats mit der Flüssigkeit als ein Beschwallen
mit Flüssigkeit zu beizeichnen ist. Dieses Beschwallen umfaßt dabei verschiedene Prozesse im
Durchlaufverfahren wie z. B. Benetzen, Spülen, Entfetten, Beschichten, Ätzen oder chemisches Umsetzen. Dabei
werden insbesondere bei den Verfahren wie Spülen (Löseffekte), Ätzen und chemisches Umsetzen genau
einzuhaltende Kontaktzeiten benötigt, die im Sekundenbereich liegen können.
Vorzugsweise weist das im Schnitt rechteckige, kopfseitig offene und bodenseitig geschlossene Behältnis an
zwei gegenüberliegenden Wandungen Durchtrittschlitze für das Substrat auf, wobei das Behältnis in einem
Überlaufgefäß angeordnet ist, von dem eine ein Förderaggregat aufweisende erste Leitung ausgeht, deren freies
Ende auf die Unterseite des Substrats ausgerichtet ist, und zur kontrollierten Flüssigkeitsabgabe in den Bereich
des Behältnisses oberhalb des Substrats eine (zweite) Verbindung zwischen dem Überlaufgefäß und
dem Behältnis besteht sowie unterhalb des Substrats von dem Behältnis eine Steigleitung ausgeht, die mit
dem Behältnis oberhalb des Substrats verbunden ist.
Dabei kann vorteilhafterweise die zweite Leitung von der ersten Leitung nach dem Förderaggregat abgezweigt
werden und in dem zum Behältnis führenden Abschnitt eine Drossel aufweisen, um so kontrolliert in
das Behältnis oberhalb des Substrats Flüssigkeit einzuführen. Ferner ist das Behältnis über eine den Flüssigkeitspegel
bestimmenden Überlaufleitung, in die die Steigleitung mündet, mit einem Flüssigkeitsreservoir
verbunden, das seinerseits bodenseitig mit einem Überlaufgefäß in Verbindung steht. Durch eine entsprechende
Vorrichtung ist sichergestellt, daß sich die Druckverhältnisse um das durch das Behältnis hindurchgeführte
Substrat so einstellen, daß eine mechanische Deformation nicht auftreten kann, also eine Beschädigung des
Substrats ausgeschlossen ist.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung sind sowohl vor dem Eintritts- als auch nach dem Austrittsschlitz
Gasdüsen angeordnet, und zwar ober- und unterhalb der Transportebene des Substrats. Aus diesen Gasdüsen
kann dann über die gesamte Breite des Ein- bzw. Austrittsschlitzes Inertgas abgegeben werden, so daß aus
den Schlitzen austretende Flüssigkeit zurückgedrängt wird, so daß das Substrat nach Verlassen des Behältnisses
im wesentlichen der Flüssigkeit nicht weiter ausgesetzt ist.
Die Durchtrittsschlitze des Behältnisses werden dabei so dimensioniert, daß sie nur geringfügig breiter als die
Substratstärke sind. Bei einer exakten Führung der Substrate mit der zuvor erwähnten Führungseinrichtung,
die vorzugsweise aus zwei V-Schienen bestehen, die die Substrate beidseitig halten und die ihrerseits in zwei
Schienen laufen, die durch den Ein- und Austrittsschlitz führen, sollte der jeweilige Schlitz insgesamt nur ca.
2 mm dicker sein als die Substrate selbst. Die Schlitzlänge selbst ergibt sich aus der Tiefe der zu behandelnden
Substrate.
Zwar könnte der auf das Substrat abzugebende Flüssigkeitsanteil auch unter einem von 90° abweichenden
Winkel auf die Unterseite des Substrats geleitet werden, jedoch hat es sich als vorteilhaft erwiesen, daß die Zuführleitung
für das Schwallgut in das Behältnis senkrecht nach oben geführt wird, so daß der Austritt des
Flüssigkeitsanteils ebenfalls senkrecht oder nahezu senkrecht auf die Unterseite des zu behandelnden Substrats
ausgerichtet ist. Dabei kann die Leitung, deren freies Ende mit Schlitzdüsen zur gleichmäßigen Verteilung
des Flüssigkeitsanteils auf das Substrat versehen sein kann, vorzugsweise bis 0,5 cm bis 4 cm an die Transportebene
des Substrats herangeführt werden. Ferner kann die Schwallintensität selbst durch das in der Leitung
angeordnete Förderaggregat wie z. B. eine Pumpe eingestellt werden.
Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Vorrichtung können die Behandlungszeiten für dünne, zerbrechliche
Substrate so eingestellt werden, daß sich sowohl Zeiten im Sekundenbereich als auch im Minutenbereich ergeben.
Dies hängt im wesentlichen von der Transportgeschwindigkeit des Substrats durch das Behältnis sowie
die Dimensionierung des Behältnisses selbst ab.
Ein Verfahren zum Behandeln wie zum Beispiel Benetzen, Spülen, Entfetten, Beschichten, Ätzen oder chemisches
Umsetzen von zumindest einer Oberfläche eines dünnen Substrats wie z. B. einer Halbleiterschicht in
einer Flüssigkeit, bei dem ein waagerechtes oder nahezu waagerechtes Hindurchführen des Substrats durch die
Flüssigkeit unterhalb deren Oberfläche erfolgt, zeichnet sich insbesondere durch die Verfahrensschritte aus
a) Beschwallen der Unterseite des Substrats zum Behandeln dieses mit einem Flüssigkeitsanteil und
b) Einstellen des Drucks oberhalb und unterhalb des Substrats in der Flüssigkeit in einem Umfang, daß
auf das Substrat keine eine mechanische Deformation hervorrufende Druckdifferenz einwirkt bzw.
nur in einem Umfang auftritt, der noch keine mechanische Defomation und damit Beschädigung des
Substrats nach sich zieht.
Die Erfindung wird anhand des in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispielen näher
erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine Prinzipdarstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,
F i g. 2 eine Führungseinrichtung für ein Substrat und F i g. 3 eine Detaildarstellung von F i g. 1.
In F i g. 1 ist der prinzipielle Aufbau einer erfindungsgemäßen Vorrichtung 10 zum Beschwallen von dünnen
zerbrechlichen Substraten 18 wie Halbleiterschichten mit Flüssigkeit dargestellt. Die Vorrichtung 10 umfaßt
ein im Schnitt vorzugsweise rechteckiges Behältnis 12 mit diametral angeordneten Eintritts- und Austrittsschlitzen 14 bzw. 16, durch die das Substrat 18 durch das
Behältnis 12 geführt werden kann. Das Behältnis 12 ist in einem Überlaufgefäß 20 angeordnet, von dem seinerseits
bodenseitig Leitungen 22 und 24 ausgehen. Dabei ist die Leitung 24 mit einem Flüssigkeitsreservoir 26
verbunden, das seinerseits mit dem Behältnis 12 über eine Leitung 28 verbunden ist, wobei die Leitung 28 in
dem Behältnis oberhalb des Schlitzes 14 und 16 mündet. Die Leitung 22 führt in das Behältnis 12 zurück und
weist ein Förderaggregat wie eine Pumpe 30 auf. Von der Leitung 22 nach dem Förderaggregat 30 zweigt sodann
eine weitere Leitung 32 ab, die gleichfalls in das Behältnis 12 mündet, gleichfalls oberhalb der Durchtrittsschlitze
14 und 16. In der Leitung 32 kann gegebenenfalls eine Drossel 34 angeordnet werden, um die
über die. Leitung 32 in das Behältnis 12 abzugebende Flüssigkeit im gewünschten Umfang einstellen zu können.
Schließlich geht von dem Bodenbereich des Behältnisses 12 eine Steigleitung 36 aus, die in die Leitung 28
mündet. Ferner ist zu bemerken, daß die Leitung 22 derart in das Behältnis 12 eingeführt ist, daß der in dem
Behältnis 12 geführte Abschnitt 38 in etwa in Längsrichtung des Behältnisses 12 geführt wird und somit die aus
der Leitung 22 bzw. 38 austretende Flüssigkeit senkrecht oder in etwa senkrecht auf das durch die Schlitze
14 und 16 geführte Substrat 18 auftrifft.
Über die Leitung 22 wird von der Flüssigkeit 26 bzw. dem Überlaufgefäß 20 stammende Flüssigkeit mittels
des Förderaggregats 30 in das Behältnis 12 in einem Umfang gepumpt, daß sich ein Flüssigkeitsniveau einstellt,
das bis zur Verbindung 28 reicht, die die Höhe des Flüssigkeitsspiegels vorgibt. Unter diesen Bedingungen
ist gleichzeitig die Leitung 32 sowie die Steigleitung 36 gefüllt. Die aus den Durchtrittsschlitzen 14 und 16 austretende
Flüssigkeit wird von dem Sammelgefäß 20 aufgenommen und über die Leitung 22 und dem Förderaggregat
30 dem zuvor beschriebenen Kreislauf wieder zugeführt. Wird nun durch die Durchtrittsschlitze 14
und 16 ein Substrat 18 geführt, so verengen sich die Durchtrittsspalte 14 und 16, so daß der Anteil der in den
Auffangbehälter 20 gelangenden Flüssigkeit reduziert wird. Obwohl das Förderaggregat 30 mit gleicher Förderleistung
weiterarbeiten kann, wird kein einseitiger Druckaufbau von unten auf das Substrat 18 hervorgerufen,
da überschüssige Flüssigkeit über das Steigrohr 36 und die Überlaufleitung 28 in das Flüssigkeitsreservoir
26 zurückfließen kann.
Verengt das Substrat 18 sowohl den Eintritts- als auch den Austrittsschlitz 14 und 16, so kann auch über Leckverluste
an den Schlitzen das Flüssigkeitsniveau und damit der hydrostatische Druck oberhalb des Substrats
18 nicht absinken, da über die Leitung 32 Flüssigkeit fortwährend ergänzt wird. Ein unzulässiger Druckanstieg
kann in diesem Fall jedoch auch nicht auftreten, da der Flüssigkeitsspiegel durch die Überlaufleitung 28
vorgegeben ist. Gegebenenfalls kann mittels der Drossei 34 der Zulauf in den Bereich des Behältnisses 12
oberhalb des Substrats 18 im erforderjichen Umfang reguliert werden.
Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist erkennbar erstmalig die Möglichkeit gegeben, mit einfachen
Mitteln dünne zerbrechliche Substrate durch Beschwallen zu behandeln, ohne daß hierbei die Gefahr besteht,
daß in der Flüssigkeit, in der das Substrat behandelt bzw. beschwallt werden soll, unkontrollierte zur Zerstörung
führende Druckverhältnisse vorherrschen.
Damit das Substrat 18 weder durch irgendwelche Transportrollen noch durch Stabilisierungs- oder Führungsrollen
mechanisch gehalten und durch das Behältnis 12 geführt werden muß, wird in besonders hervorzuhebender
Ausgestaltung der Erfindung das Substrat 18 von einer Halteeinrichtung 36 aufgenommen, wie sie in
F i g. 2 dargestellt ist. Dabei besteht die Halteeinrichtung aus zwei die Seitenränder 38 bzw. 40 des Substrats
18 aufnehmende Schienen 42 und 44, die einander zugewandte konkave, vorzugsweise V-förmig ausgebildete
Ausnehmungen 46 bzw. 48 aufweisen. Von diesen Ausnehmungen 46, 48 werden die Seitenränder 38, 40 aufgenommen,
so daß nunmehr nur noch die Schienen 42, 44 selbst transportiert, also inbesondere durch die
Schlitze 14 und 16 des Behältnisses 12 geführt werden müssen, um das Substrat 18 in der in dem Behältnis 12
vorhandenen Flüssigkeit behandeln zu können.
Damit sichergestellt ist, daß das Substrat 18 außerhalb des Behältnisses nicht unkontrolliert mit der Flüssigkeit
in Berührung kommt und insbesondere durch die Durchtrittsschlitze 14 bzw. 16 nicht zuviel Flüssigkeit
austreten kann, sind — wie F i g. 4 verdeutlicht — die Schlitze 14 und 16 von vorzugsweise Schlitzdüsen 50,
52, 54 und 56 umgeben, aus denen in Richtung auf die Durchtrittsschlitze 14,16 ein Inertgas ausströmen kann,
um so die von dem Substrat 18 mitgenommene Flüssigkeit zurückhalten zu können. Dabei sind die Düsen 50
bis 56 vorzugsweise derart angeordnet bzw. hinsichtlich ihrer Austrittsöffnung ausgebildet, daß die gesamte
Breite der Schlitze 14 und 16 sowohl unterhalb als auch oberhalb des Substrats 18 erfaßt wird.
Nachstehend soll anhand zweier Beispiele eine Behandlung von dünnen zerbrechlichen Substraten erläutert
werden, bei der die erfindungsgemäße Vorrichtung 10 Verwendung findet. Dabei sind diesen Beispielen
weitere erfindungswesentliche Merkmale zu entnehmen.
Beispiel 1
Ätz- und Spülprozeß
Ätz- und Spülprozeß
Ein Arbeitsschritt bei der Herstellung von zum Beispiel Cadmiumsulfid/Kupfersulfid-Dünnschicht-Solarzellen
ist das Anätzen der Cadmiumsulfidschicht zur Strukturierung der Oberfläche. Eine entsprechende Solarzelle
umfaßt einen Substratträger zum Beispiel in Form einer Glasplatte der Größe 30 χ 30 cm2 mit einer
Dicke von ca.1,5 mm. Auf diese Glasplatte wird ein Metallfilm zum Beispiel aus Silber aufgedampft, der als
erster elektrischer Kontakt dient. Auf diesen Metallfilm wird sodann eine Cadmiumsulfidschicht aufgedampft.
Zur Verringerung von Reflektionen und zum Herausälzen von Korngrenzen muß die Cadmiumsulfidschicht-Oberfläche
mit einer wäßrigen Salzsäure aufgerauht werden. Da dies kurzzeitig und sehr gleichmäßig erfolgen
muß, ist die erfindungsgemäße Vorrichtung 10 zu benutzen. Als Flüssigkeit wird eine 18%ige Salzsäure
mit einer Temperatur von 50° C benutzt. Für das der Gesamtdicke von 1,5 mm aufweisende Substrat wird ein
Behältnis benutzt, dessen Duchtrittsschlitze 14 und 16 ca. 3 mm dick sind. Die Cadmiumsulfidschicht wird sodann
durch das Behältnis 12 derart transportiert, daß sie in Richtung des Bodens des Behältnisses 12 weist. Der
Abstand zwischen den Schlitzen 14 und 16 ist 4 cm gewählt. Das Substrat 18 wird sodann von einer Halteeinrichtung
36 aufgenommen, wie sie in F i g. 2 dargestellt ist. Mit Hilfe dieser Halteeinrichtung 36 wird das Substrat
18 durch die Schlitze 14 und 16 und durch die Flüssigkeit geführt. Der Transport der Platte erfolgt dabei
durch die Flüssigkeit in ca. 15 Sekunden. Um optimale Bedingungen oder Ergebnisse zu erzielen, endet
der Abschnitt 38 der Leitung 22 ca. 2 cm unterhalb der Transportebene des Substrats 18. Der Abschnitt 38
weist an seinem Ende eine ca. 30 cm breite Schlitzdüse auf, wobei die Schlitze ca. 1 mm lang sind. Durch diese
Wahl der Schlitzdüse ist sichergestellt, daß die Cad-
miumsulfid-Oberfläche gleichmäßig von der wäßrigen Salzsäure beschwallt wird. Anschließend wird das Substrat
18 in gleicher Weise durch eine -entsprechende Vorrichtung 10 weitertransportiert, in der jedoch anstelle
der Ätzlösung entionisiertes Wasser zum Spülen vorliegt.
Beispiel 2
Chemisches Umsetzen
Chemisches Umsetzen
10
Zur Bildung der Cadmiumsulfid/Kupfersulfid-Halbleiterschicht
müssen die Cadmiumionen in der oberen Grenzschicht des Cadmiumsulfids in einem naß-chemischen
Austauschprozeß durch Kupferionen ausgetauscht werden. Zu diesem Zweck kann das im Beispiel is
1 angegebene Substrat mit strukturierter Cadmiumsulfid-Obcrfläche durch eine Vorrichtung 10 transportiert
werden, in der sich eine Salzsäure-KupferchlorLd-Lösung
befindet. Die Abmessungen hinsichtlich Schlitzbreite, Schlitzlänge, Flüssigkeitsspiegel und Abstand
/.wischen Schlitzdüse und Unterfläche des Substrats können die gleichen Werte aufweisen wie in Beispiel 1.
Vorteilhafterweise befindet sich die Vorrichtung zum chemischen Umsetzen hinter der Vorrichtung, in der die
Cadmiumsulfid-Oberfläche mit entionisiertem Wasser gespült wurde, so daß die Behandlung des Substrats
kontinuierlich erfolgen kann, indem es nacheinander in einer Linie angeordnete der erfindungsgemäßen Lehre
gehorchende Vorrichtung durchläuft. Dabei braucht jedoch die Geschwindigkeit des Substrats selbst nicht geändert
zu werden, wenn die Reaktionszeit vergrößert oder verringert werden soll. Vielmehr ist es in diesem
Fall nur erforderlich, daß die Wegstrecke innerhalb des jeweiligen Behältnisses geändert wird. So kann die für
den Austausch der Cadmiumionen durch Kupferionen erforderliche längere Reaktionszeit dadurch erreicht
werden, daß die Tiefe des Behältnisses 12 in Transportrichtung 6 cm gewählt wird, wohingegen diese im Beispiel
1 4 cm betrug.
40
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
45
50
55
60
65
- Leerseite -
Claims (8)
1. Vorrichtung zum Behandeln von dünnem Substrat mit Flüssigkeit im Durchlaufverfahren, wobei
das Substrat waagerecht oder in etwa waagerecht durch ein die Flüssigkeit aufweisenden Behältnis unterhalb
des Flüssigkeitsspiegels geführt ist, d a dureh gekennzeichnet, daß der durch die
Flüssigkeitssäule oberhalb des Substrats (18) hervorgerufene hydrostatische Druck gleich dem auf die
Unterseite des Substrats einwirkenden Druck ist, der durch einen kontrolliert in die Flüssigkeit eingeleiteten
und auf die Unterseite des Substrats auftreffenden Flüssigkeitsanteil mitbestimmt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das vorzugsweise im Schnitt rechteckige,
kopfseitig offene und bodenseitig geschlossene Behältnis (12) an zwei gegenüberliegenden Wandungen
Durchtrittsschlitze (14, 16) für das Substrat (18) aufweist, daß das Behältnis in einem Überlaufgefäß
(20) angeordnet ist, von dem eine ein Förderaggregat (30) aufweisende (erste) Leitung (22) ausgeht,
deren freies Ende (38) auf die Unterseite den Substrats ausgerichtet ist, daß zur kontrollierten Flüssigkeitsabgabe
in den Bereich des Behältnisses oberhalb des Substrats eine (zweite) Verbindung (32)
zwischen dem Überlaufgefäß und dem Behältnis besteht, daß unterhalb des Substrats von dem Behältnis
eine Steigleitung (36) ausgeht, die mit dem Behältnis oberhalb des Substrats verbunden ist, und daß von
dem Behältnis oberhalb des Substrats eine den Flüssigkeitspegel bestimmende Überlaufleitung (28) ausgeht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Leitung (32) von der ersten
Leitung (22) nach dem Förderaggregat (30) abzweigt und eine Drossel (34) aufweist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Behältnis (12) über die Überlaufleitung
(28), in die die Steigleitung (36) mündet, mit einem Flüssigkeitsreservoire (26) verbunden ist, das
bodenseitig mit dem Überlaufgefäß (20) in Verbindung steht.
5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die auf die Unterseite des Substrats
(18) den Flüssigkeitsanteil abgebende Leitung (38) zur gleichmäßigen Verteilung des Flüssigkeitsanteils
auf das Substrat vorzugsweise mit einer Schlitzdüse versehen ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (18) von einer Einrichtung
(36) aufgenommen ist, die durch die Schlitze (14, 16) geführt ist und vorzugsweise aus zwei die
Seitenränder (38, 40) des Substrats aufnehmenden Schienen (42, 44) mit V-förmig einander zugewandten
in Längsrichtung der Einrichtung verlaufenden Ausnehmungen (46,48) besteht.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Behältnis (12) im Bereich
der Schlitze (14, 16) von vorzugsweise Inertgas auf das durch die Schlitze geführte Substrat (18) abgebenden
Düsen (50,52,54,56) umgeben ist.
8. Verfahren zum Behandeln wie zum Beispiel Benetzen, Spülen, Entfetten, Beschichten, Ätzen oder
chemisches Umsetzen von zumindest einer Oberfläche eines dünnen Substrats, wobei ein waagerechtes
oder nahezu waagerechtes Hindurchführen des Sub-
strats durch die Flüssigkeit unterhalb deren Oberfläche erfolgt, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte
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- 1984-07-27 EP EP19840108901 patent/EP0133304B1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4302485A (en) * | 1979-07-18 | 1981-11-24 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence | Fabric treatment with ultrasound |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0133304A1 (de) | 1985-02-20 |
EP0133304B1 (de) | 1987-04-29 |
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