KR20110069097A - 고온 환경에서 반도체 웨이퍼용 지지부 - Google Patents

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레리 웨인 쉬브
브라이언 로렌스 길모어
티모씨 존 스나이더
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엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크.
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Abstract

본 발명은 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부에 관한 것이다. 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지한다. 상기 상부 표면은 오목한 영역의 바닥으로부터 상승하는 경사진 표면을 가진 오목한 영역을 갖는다. 상기 경사진 표면은 약 10도 이내의 경사각을 갖는다.

Description

고온 환경에서 반도체 웨이퍼용 지지부{SUPPORT FOR A SEMICONDUCTOR WAFER IN A HIGH TEMPERATURE ENVIRONMENT}
본 발명은 일반적으로 고온 환경에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 장치에 관한 것이며, 특히 반도체 웨이퍼의 손상을 제한하기 위해 사용되는 상기 장치 및 방법들에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼들은 일반적으로 어떤 바람직한 특징들을 달성하기 위해 고온 가열 처리(예컨대, 어닐링(annealing))를 받는다. 예를 들어, 고온 가열 처리는 반도체 웨이퍼들 위에 무결함(defect free) 실리콘층을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 고온 어닐링 공정은 일반적으로 웨이퍼들을 적어도 대략 섭씨 1100도, 특히 대략 섭씨 1200도 및 1300도의 온도들에 두는 수직 용광로 내에서 수행된다. 반도체 웨이퍼들은 요구될 수 있는 다양한 웨이퍼 특징들을 달성하기 위해 다양한 다른 고온 가열 처리 공정들, 예컨대 급속 열처리(RTP)를 받을 수 있다.
반도체 웨이퍼들은 고온 가열 처리와 연관된 높은 온도들에서 더 유연해진다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼들은 섭씨 750도 이상의 온도 및 특히 섭씨 1100도 이상의 온도에서 더 유연해진다. 만약 반도체 웨이퍼들이 가열 처리 동안 적절히 지지되지 않으면, 상기 웨이퍼들은 중력 및 열 압력들로 인해 슬립(slip)을 경험할 수 있다. 당업계에 공지된 것과 같이, 슬립은 오염물질들이 웨이퍼들의 디바이스 영역들 내에 들어가도록 할 수 있다. 또한, 과도한 슬립은 웨이퍼들이 과도하게 변형되어 디바이스 제작시 수율 손실(yield loss)을 발생하는 포토 리소그래피 오버레이 실패와 같은 제작 문제점들을 초래할 수 있다.
웨이퍼 지지부는 일반적으로 반도체 웨이퍼와 상이한 물질로 구성된다. 예컨대, 웨이퍼 지지부들은 종종 탄화 규소(SiC)로 구성되며, 이는 상기 물질이 고온 가열 처리 동안 발생되는 높은 온도들에 영향받을 때 상대적으로 강하기 때문이다. 그러나, 웨이퍼 지지부가 반도체 웨이퍼와 상이한 물질들로 만들어지면 열팽창 계수들에 있어 부정합(mismatch)이 발생할 수 있다. 열 부정합은 가열 및 냉각 동안 웨이퍼 지지부의 표면 위에서 웨이퍼가 미끄러지게 할 수 있다.
도 1 및 2는 고온 환경들에서 반도체 웨이퍼들을 지지하기 위해 사용되는 종래의 웨이퍼 지지부를 도시한다. 상기 종래의 웨이퍼 지지부는 SiC로 구성되고, 개방된 C-형 구조를 가질 수 있다. 상기 구조는 웨이퍼들이 웨이퍼 지지부로부터 로드 및 언로드 되도록 한다. 웨이퍼 지지부는 웨이퍼를 지지하기 위해 웨이퍼를 맞물리는 상부 표면을 갖는다. 웨이퍼 지지부의 상부 표면 내에 약 0.2 밀리미터(mm) 깊이 및 약 30mm 폭의 아치형 홈이 존재한다. 상기 홈의 목적은 로딩 동안 웨이퍼가 웨이퍼 지지부의 상부에 표류하는(floating) 것을 방지하고, 언로딩 동안 웨이퍼가 웨이퍼 지지부에 달라붙는 것을 방지하는 것이다. 홈의 내부 및 외부 에지 여유분들은 종종 손상된 에지들이고, 상기 에지들의 형태는 SiC를 기계 가공할 때의 어려움들로 인해 기계 가공에 의해 정교하게 조정될 수 없다. 본 발명자들은 종래의 웨이퍼 지지부의 홈의 에지들이 반도체 웨이퍼를 손상시키는 경향을 관찰하였다. 상기 홈에 의해 웨이퍼에 가해진 손상은 웨이퍼 수율을 감소시킨다.
일 양상에서, 본 발명은 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부를 포함한다. 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지한다. 상기 상부 표면은 오목한 영역의 바닥으로부터 상승하는 경사진 표면을 가진 오목한 영역을 갖는다. 상기 경사진 표면은 약 10도 이내의 경사각을 갖는다.
또 다른 양상에서, 본 발명은 가열 처리 공정에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부를 포함한다. 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 상기 웨이퍼를 지지하는 상기 상부 표면의 적어도 일부분과 맞물리게 하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함한다. 상기 상부 표면은 외부 에지 및 내부 경계 및 외부 경계를 가지는 오목한 부분을 갖는다. 상기 내부 및 외부 경계들은 상기 상부 표면의 외부 에지 내부에 손상된 에지들로부터 실질적으로 자유롭다.
또 다른 양상에서, 본 발명은 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부를 포함한다. 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지한다. 상기 상부 표면은 오목한 영역의 바닥으로부터 상승하는 경사진 외부 여유분을 가진 오목한 영역을 갖는다. 상기 경사진 외부 여유분은 약 5도 이내의 경사각을 갖는다.
또 다른 양상에서, 본 발명은 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부를 포함한다. 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지한다. 상기 상부 표면은 오목한 영역 및 상기 오목한 영역 내부에 상기 바디 주위로 연장하는 둥글린 마루 부분을 갖는다. 상기 오목한 영역은 상기 둥글린 마루 부분의 적어도 일부분에 의해 형성된 내부 여유분을 포함한다. 상기 내부 여유분은 약 10도 이내의 최대 경사각을 갖는다.
본 발명은 또한 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부를 포함한다. 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지한다. 상기 상부 표면은 더 높은 외부 에지 및 더 낮은 내부 에지 사이에 일정한 기울기를 갖는다.
또 다른 양상에서, 본 발명은 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부를 포함한다. 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지한다. 상기 상부 표면은 더 높은 외부 에지에서 하나의 기울기 및 더 낮은 외부 에지에서 실질적으로 동일한 기울기를 갖는다.
다른 목적들 및 특징들은 하기에서 부분적으로 명백할 것이며 부분적으로 나타날 것이다.
도 1은 종래의 웨이퍼 지지부의 평면도이다.
도 2는 도 1의 라인 2-2를 포함하는 평면에서 취득되는 종래의 웨이퍼 지지부 일부분의 확대된 단면도이다.
도 3은 본 발명의 웨이퍼 지지부의 제 1 실시예의 평면도이다.
도 4는 도 3의 라인 4-4를 포함하는 평면에서 취득되는 제 1 실시예의 웨이퍼 지지부 일부분의 확대된 단면도이다.
도 5는 본 발명의 웨이퍼 지지부의 제 2 실시예의 평면도이다.
도 6은 도 5의 라인 6-6을 포함하는 평면에서 취득되는 제 2 실시예의 웨이퍼 지지부 일부분의 확대된 단면도이다.
상응하는 참조 부호들은 도면들에서 상응하는 부분들을 표시한다.
도 3 및 4를 참조하여, 일반적으로 101로 표시된 본 발명의 웨이퍼 지지부의 제 1 실시예는 반도체 웨이퍼(예컨대, 실리콘 웨이퍼(미도시))를 맞물리고 고온 환경에서 상기 웨이퍼를 지지하기 위해 사용되는 바디(103)를 포함한다. 예를 들어, 웨이퍼 지지부(101)는 웨이퍼가 용광로 내의 높은 온도에서 어닐링되는 공정에서 사용하기에 적합하다. 웨이퍼 지지부(101)는 또한 웨이퍼가 상대적으로 낮은 온도에서 상대적으로 높은 온도로 가열될 때 그리고/또는 상대적으로 높은 온도에서 상대적으로 낮은 온도로 냉각될 때 웨이퍼를 지지하기에 적합하다.
상기 실시예에서, 바디(103)는 C-형 구조를 갖는다. 도 3에 도시된 것과 같이, 바디(103)는 일반적으로 원형 링의 단편이다. 바디(103)의 상부 표면(105)은 실질적으로 편평한 반도체 웨이퍼의 뒷부분을 맞물리기 위해 일반적으로 편평하다(별도로 표시되는 경우는 제외). 웨이퍼 지지부(101)는 사용하지 않을 때 다양한 방향(orientation)들을 가질 수 있고, 상부 표면(105)은 그 당시 웨이퍼 지지부의 방향에 따라 바디(103)의 상부가 되지 않을 수 있다. 편리함을 위해, 사용시 직면하는 표면은 상부 표면(105)이라 지칭된다. 웨이퍼 지지부(101)는 섭씨 1050도를 초과하는 온도(예컨대, 대략 섭씨 1200도)의 환경을 견딜 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 지지부(101)는 탄화 규소(SiC)로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 바디(103)는 도 3 및 4에 도시된 것과 같이 단일 바디이다.
바디(103)는 상기 바디의 일 구역에 개구부(113)를 규정하는 대향 단부들(111)을 갖는다. 단부들(111)은 로봇 팔(미도시)을 청소하기에 충분한 거리만큼 서로 이격되어 로봇이 웨이퍼 지지부(101)로부터 웨이퍼를 자동으로 로드 및 언로드할 때 C-형 바디(103)에 의해 부분적으로 둘러싸인 내부 공간에 들어가도록 상기 단부들 사이를 연장시킨다. 예를 들어, 설명되는 실시예의 대향 단부들(111)은 약 50 밀리미터(mm) 내지 약 150mm의 범위의 거리 D만큼 서로 이격된다. 웨이퍼 지지부(101)의 상부 표면(105)은 약 300mm 내지 약 310mm의 범위인 직경 DO을 가지는 외부 에지(121)를 갖는다. 일 실시예에서, 외부 에지(121)는 300mm 직경의 웨이퍼들을 처리하기 위해 약 300mm 이상(약 360mm)의 직경을 갖는다. 웨이퍼 지지부(101)의 상부 표면(105)은 약 190mm 내지 약 210mm 범위의 직경 DI을 갖는 내부 에지(123)를 갖는다. 또한, 바디(103)는 약 45m 내지 약 60mm 범위의 폭 W을 갖는다.
웨이퍼 지지부(101)의 상부 표면(105)은 넓은 아치형 홈(131)을 포함한다. 상기 홈(131)은 웨이퍼가 로드될 때 웨이퍼 지지부(101)의 상부 표면(105) 위를 표류하도록 하기 위한 전위를 감소시킨다. 홈(131)은 또한 웨이퍼가 언로딩 동안 웨이퍼 지지부(101)에 달라붙도록 하기 위한 전위를 감소시킨다. 도 3 및 4에 도시된 실시예에서, 홈(131)은 웨이퍼 지지부(101)의 일 단부(111)로부터 원형 바디(103)의 중심과 일치하는 중심을 가지는 호를 따라 또 다른 단부로 연장한다. 따라서, 상기 실시예에서, 아치형 홈(131)은 웨이퍼 지지부(101)의 C-형 바디(103)와 중심이 일치한다. 도시된 것과 같이, 홈(131)은 바디(103)를 따라 계속해서 연장하며, 실질적으로 균일한 폭 WG을 갖는다. 홈의 폭 WG은 본 발명의 범위 내에서 변화할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 홈(131)은 약 15mm 내지 약 50mm 범위의 폭 WG을 갖는다. 특정 실시예들에서, 홈의 폭 WG은 그 길이를 따라 변화할 수 있고 그리고/또는 홈(131)은 바디(103)와 중심이 일치하지 않을 수 있다.
도 4에 도시된 것과 같이, 홈(131)은 얹혀진 마루 부분(135) 및 경사진 외부 여유분(137)을 사이에서 확장하는 평면 바닥(133)을 일반적으로 갖는다. 얹혀진 마루 부분(135)은 웨이퍼가 놓이는 기계 가공된 표면을 형성한다. 마루 부분(135)이 기계 가공되기 때문에, 웨이퍼의 뒷부분을 손상시키는 전위를 감소시키는 매끄러운 표면을 제공한다. 마루 부분(135)은 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고 다른 조도(roughness)를 가질 수 있지만, 일 실시예에서, 마루 부분(135)은 약 2 마이크로미터(㎛) 조도 평균(Ra) 미만의 표면 조도를 갖는다. 마루 부분(135)은 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고 매끄러운 단면 형태들을 가질 수 있지만, 일 실시예에서 단면은 둥글린 형태를 갖는다. 특정 실시예에서, 마루 부분(135)은 약 10°이내의 최대 경사각을 가지는 원의 단편인 단면을 갖는다. 몇몇 실시예들에서, 마루 부분(135)은 약 5°이내의 최대 경사각을 가지는 원의 단편인 단면을 갖는다. 다른 실시예들에서, 마루 부분(135)은 약 2.5°이내의 최대 경사각을 가지는 원의 단편인 단면을 갖는다. 또한, 몇몇 실시예들에서, 마루 부분(135)은 홈의 바닥(133) 위로 약 0.2mm 상승한다. 설명되는 실시예에서, 내부 마루 부분(135) 및 외부 에지(121)의 높이들은 거의 동일하다.
몇몇 실시예들에서, 경사진 외부 여유분(137)은 홈(131)의 바닥(133)으로부터 바디(103)의 외부 에지(121)로 일반적으로 일정한 기울기를 갖는다. 일 실시예에서, 경사진 외부 여유분(137)은 약 5°의 경사각으로 경사진다. 몇몇 실시예에서, 여유분(137)은 약 2.5°의 경사각으로 경사진다. 다른 실시예에서, 여유분(137)은 약 1°의 경사각으로 경사진다. 몇몇 실시예들에서, 여유분(137)은 상부 표면(105)의 외부 에지(121)로 연장한다. 외부 여유분(137)은 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고 다른 폭들을 가질 수 있지만, 몇몇 실시예들에서 경사진 외부 마진은 약 2mm의 폭 WO을 갖는다.
몇몇 실시예들에서, 바디(103)는 선택적으로 다수의 부분들을 가질 수 있고, 본 발명의 사상 내에서 (둥근 판, 폐쇄형 링, 또는 로봇 팔에 의한 사용을 위해 임의의 개구부를 가지는 다른 형태로서) 상이하게 구성될 수 있다. 또한, 바디(103)는 본 발명의 사상 내에서 SiC와 다른 물질들로 만들어질 수 있다.
도 5 및 6을 참조하여, 일반적으로 201로 표시된 본 발명의 웨이퍼 지지부의 제 2 실시예는 반도체 웨이퍼(예컨대, 실리콘 웨이퍼, 미도시)를 맞물리고, 고온 환경에서 웨이퍼를 지지하기 위해 사용되는 바디(203)를 포함한다. 상기 실시예에서, 바디(203)는 C-형 구조를 갖는다. 도 5에서, 바디(203)는 일반적으로 원형 링의 단편이다. 바디(203)의 상부 표면(205)은 실질적으로 편평한 반도체 웨이퍼의 뒷부분의 외부 에지를 맞물리기 위해 일반적으로 원뿔 형태이다.
바디(203)는 상기 바디의 일부분의 개구부(213)를 규정하는 대향 단부들(211)을 갖는다. 단부들(211)은 로봇 팔(미도시)을 청소하기에 충분한 거리만큼 서로 이격되어 로봇이 웨이퍼 지지부(201)로부터 웨이퍼를 자동으로 로드 및 언로드할 때 C-형 바디(203)에 의해 부분적으로 둘러싸인 내부 공간에 들어가도록 상기 단부들 사이를 이동한다. 예를 들어, 설명되는 실시예의 대향 단부들(211)은 제 1 실시예의 지지부와 유사한 범위에서 거리 D만큼 서로 이격된다. 웨이퍼 지지부(201)의 상부 표면(205)은 제 1 실시예의 지지부와 유사한 범위에서 직경 DO을 가지는 외부 에지(221)를 갖는다. 일 실시예에서, 외부 에지(221)는 300mm 직경의 웨이퍼들을 처리하기 위해 약 300mm 이상(약 360mm)의 직경을 갖는다. 웨이퍼 지지부(201)의 상부 표면(205)은 제 1 실시예의 지지부와 유사한 범위에서 직경 DI을 갖는 내부 에지(223)를 갖는다. 또한, 바디(203)는 제 1 실시예의 지지부와 유사한 범위에서 폭 W을 갖는다.
몇몇 실시예들에서, 상부 표면(205)은 일반적으로 바디(203)의 내부 에지(223)로부터 외부 에지(221)로 일정한 기울기를 갖는다. 몇몇 실시예들에서, 상기 기울기는 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고 방사상으로 및/또는 원주방향으로 변화할 수 있다. 일 실시예에서, 상부 표면(205)은 약 5°의 경사각으로 기울어진다. 몇몇 실시예에서, 상부 표면(205)은 약 2.5°의 경사각으로 기울어진다. 다른 실시예에서, 상부 표면(205)은 약 1°의 경사각으로 기울어진다.
몇몇 실시예들에서, 바디(201)는 선택적으로 다수의 부분들을 가질 수 있고, 본 발명의 사상 내에서 (둥근 판, 폐쇄형 링, 또는 로봇 팔에 의한 사용을 위해 임의의 개구부를 가지는 다른 형태로서) 상이하게 구성될 수 있다. 또한, 바디(201)는 본 발명의 사상 내에서 SiC와 다른 물질들로 만들어질 수 있다.
본 발명의 요소들 및 그 바람직한 실시예들을 제시할 때, 관사 "a", "an", "the", "said"는 하나 이상의 요소들의 존재하는 것을 의미하기 위한 것이다. 용어들 "포함하는(comprising, including, having)"은 열거된 요소들과 다른 추가의 요소들이 존재할 수 있음을 의미하기 위해 사용될 수 있다.
앞의 내용에 비추어, 본 발명의 몇몇 목적들이 달성되고 다른 유리한 결과들이 달성될 수 있음이 보여질 것이다.
본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않은 전술된 구성들 및 방법들에서 다양한 변경들이 수행될 수 있기 때문에, 전술된 설명에 포함되고 첨부된 도면들에 도시된 모든 내용은 제한적 의미로 해석되는 것이 아니라 설명을 위한 것으로 해석될 수 있다.

Claims (23)

  1. 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부로서, 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지하고, 상기 상부 표면은 오목한 영역의 바닥으로부터 상승하는 경사진 표면을 가진 오목한 영역을 가지고, 상기 경사진 표면은 약 10도 이내의 경사각을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 경사진 표면은 상기 오목한 영역의 외부 여유분의 적어도 일부분을 형성하는, 웨이퍼 지지부.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 경사진 표면은 약 5도 이내의 경사각을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 경사진 표면은 약 2.5도 이내의 경사각을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 경사진 표면은 약 1도 이내의 경사각을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 경사진 표면은 상기 오목한 영역의 내부 여유분의 적어도 일부분을 형성하는, 웨이퍼 지지부.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 경사진 표면은 약 5도 이내의 경사각을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 경사진 표면은 약 2.5도 이내의 경사각을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 표면은 적어도 일부분이 상기 오목한 영역의 여유분을 형성하는 둥글린 마루 부분을 포함하는, 웨이퍼 지지부.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 둥글린 마루 부분은 상기 오목한 영역의 내부 여유분을 형성하는, 웨이퍼 지지부.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 둥글린 마루 부분은 약 2㎛ Ra 미만의 표면 조도(roughness)를 가지는,웨이퍼 지지부.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 둥글린 마루 부분은 상기 오목한 영역의 내부 마진 주위에서 실질적으로 연속적인, 웨이퍼 지지부.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 둥글린 마루 부분은 상기 오목한 영역의 바닥 위로 약 0.2mm 이내의 높이를 가지는, 웨이퍼 지지부.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 표면의 외부 에지는 상기 오목한 영역의 바닥 위로 약 0.2mm 이내의 높이를 가지는, 웨이퍼 지지부.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 오목한 부분은 실질적으로 균일한 폭을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 바디는 적어도 대략 섭씨 1050도의 온도에서 상기 웨이퍼를 지지하기에 충분한 강성도(stiffness)를 유지하는 물질을 포함하는, 웨이퍼 지지부.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 바디는 산화 규소를 포함하는, 웨이퍼 지지부.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 오목한 영역은 아치형 홈을 포함하는, 웨이퍼 지지부.
  19. 가열 처리 공정에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부로서, 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 상기 웨이퍼를 지지하는 상기 상부 표면의 적어도 일부분과 맞물리게 하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 상기 상부 표면은 외부 에지 및 내부 경계 및 외부 경계를 가지는 오목한 부분을 가지며, 상기 내부 및 외부 경계들은 상기 상부 표면의 외부 에지 내부에 손상된 에지들로부터 실질적으로 자유로운, 웨이퍼 지지부.
  20. 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부로서, 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지하고, 상기 상부 표면은 오목한 영역의 바닥으로부터 상승하는 경사진 외부 여유분을 가진 오목한 영역을 가지고, 상기 경사진 외부 여유분은 약 5도 이내의 경사각을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  21. 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부로서, 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지하고, 상기 상부 표면은 오목한 영역 및 상기 오목한 영역 내부에 상기 바디 주위로 연장하는 둥글린 마루 부분을 가지며, 상기 오목한 영역은 상기 둥글린 마루 부분의 적어도 일부분에 의해 형성된 내부 여유분을 포함하고, 상기 내부 여유분은 약 10도 이내의 최대 경사각을 가지는, 웨이퍼 지지부.
  22. 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부로서, 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지하고, 상기 상부 표면은 더 높은 외부 에지 및 더 낮은 내부 에지 사이에 일정한 기울기를 가지는, 웨이퍼 지지부.
  23. 다양한 온도를 포함하는 공정 동안 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부로서, 상기 웨이퍼 지지부는 상기 반도체 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 상부 표면을 가진 바디를 포함하며, 따라서 상기 상부 표면의 일부분은 상기 웨이퍼를 지지하고, 상기 상부 표면은 더 높은 외부 에지에서 하나의 기울기 및 더 낮은 내부 에지에서 실질적으로 동일한 기울기를 가지는, 웨이퍼 지지부.
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