JP2012510144A - 高温環境における半導体ウエハのための支持体 - Google Patents
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Abstract
多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体。ウエハ支持体は、上表面の一部がウエハを支持するように、半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を含む。上表面は、陥凹領域の底面から隆起する傾斜表面を含む陥凹領域を有する。傾斜表面は、約10度以下の傾斜角度を有する。
Description
本発明は、概して、高温環境において半導体ウエハを支持するための装置に関し、より具体的には、半導体ウエハへの損傷を制限するように適合される、そのような装置および方法に関する。
半導体ウエハは、一般的に、ある望ましい特性を達成するために、高温熱処理(例えば、アニーリング)を受ける。例えば、高温熱処理を使用して、半導体ウエハ上で無欠陥シリコン層が生成され得る。高温アニ−リングプロセスは、典型的には、垂直炉内で行われ、ウエハは、少なくとも約1100℃、最も一般的には、約1200℃乃至約1300℃の温度に曝される。また、半導体ウエハは、種々の他の高温熱処理プロセス、例えば、急速熱処理(RTP)にも曝され、所望され得る種々のウエハ特性を達成し得る。
半導体ウエハは、高温熱処理に付随する高温時、より可塑性となる。例えば、シリコンウエハは、750℃超の温度、特に、1100℃超の温度では、より可塑性となる。半導体ウエハが、熱処理の間、適切に支持されない場合、ウエハは、重力および熱応力によって、すべりを被り得る。当技術分野において周知のように、すべりは、ウエハの素子領域内に汚染物質を導入し得る。さらに、過剰なすべりは、ウエハを塑性的に変形させ、生産上の問題をもたらす場合があり、例えば、フォトリソグラフィでは、オーバーレイの不良は、素子製造において収率損失をきたす。
ウエハ支持体は、通常、半導体ウエハとは異なる材料から構築される。例えば、ウエハ支持体は、多くの場合、高温熱処理の際に被る高温に曝される場合、比較的に強固なままであるため、炭化ケイ素(SiC)から構築される。しかしながら、ウエハ支持体が、半導体ウエハと異なる材料から作製される場合、熱膨張係数の不整合が存在し得る。熱不整合は、加熱および冷却の間、ウエハ支持体の表面において、ウエハを滑動させ得る。
図1および2は、高温環境において半導体ウエハを支持するために使用される、先行技術のウエハ支持体を例証する。本先行技術のウエハ支持体は、SiCから構築され、開放C形状構成を有する。本構成によって、ウエハは、ロボット制御によって、ウエハ支持体から載荷および除荷可能となる。ウエハ支持体は、ウエハに係合し、ウエハを支持する、上表面を有する。ウエハ支持体の上表面に、深さ約0.2ミリメートル(mm)および幅約30mmの弓状溝がある。本溝の目的は、載荷の際、ウエハがウエハ支持体の上部から浮遊するのを防止し、また、除荷の際、ウエハがウエハ支持体に固着するのも防止する。溝の内側縁および外側縁のマージンは、多くの場合、断続的縁であって、これらの縁の形状は、SiCを機械加工する際の困難性のため、機械加工によって精密に制御することが不可能である。本発明者らは、半導体ウエハに損傷を及ぼす、先行技術のウエハ支持体の溝の縁の傾向を認めた。溝によってウエハ上に生じる損傷は、ウエハ収率を低減させる。
一態様では、本発明は、多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体を含む。ウエハ支持体は、その一部がウエハを支持するように、半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備える。上表面は、陥凹領域の底面から隆起する傾斜表面を含む陥凹領域を有する。傾斜表面は、約10度以下の傾斜角度を有する。
別の態様では、本発明は、熱処理プロセスにおいて、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体を含む。ウエハ支持体は、半導体ウエハが、ウエハを支持するその少なくとも一部と係合するように適合される上表面を有する本体を備える。上表面は、外側縁と、内側限界および外側限界を有する陥凹領域と、を有する。内側および外側限界は、上表面の外側縁の内側の断続的縁が実質的に存在しない。
さらに別の態様では、本発明は、多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体を含む。ウエハ支持体は、その一部がウエハを支持するように、半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備える。上表面は、陥凹領域の底面から隆起する傾斜した外側マージンを含む陥凹領域を有する。傾斜した外側マージンは、約5度以下の傾斜角度を有する。
さらに別の態様では、本発明は、多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体を含む。ウエハ支持体は、その一部がウエハを支持するように、半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備える。上表面は、陥凹領域と、陥凹領域の内側の本体の周囲に延在する丸みのあるリッジと、を有する。陥凹領域は、丸みのあるリッジの少なくとも一部によって形成される内側マージンを含む。内側マージンは、最大約10度以下の傾斜角度を有する。
また、本発明は、多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体を含む。ウエハ支持体は、その一部がウエハを支持するように、半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備える。上表面は、より高い外側縁とより低い内側縁との間に一定勾配を有する。
別の態様では、本発明は、多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体を含む。ウエハ支持体は、その一部がウエハを支持するように、半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備える。上表面は、より高い外側縁における勾配と、より低い内側縁における実質的に等しい勾配と、を有する。
他の目的および特徴は、一部は明白であって、一部は、以下に挙げられる。
図3および4を参照すると、概して、101として指定される、本発明のウエハ支持体の第1の実施形態は、半導体ウエハ(例えば、シリコンウエハ(図示せず))に係合し、高温環境でウエハを支持するように適合される本体103から成る。例えば、ウエハ支持体101は、ウエハが、炉内において、高温でアニールされるプロセスにおいて使用するために好適である。また、ウエハ支持体101は、比較的に低温から比較的に高温に加熱される、および/または比較的に高温から比較的に低温に冷却されるのに伴って、ウエハを支持するために好適である。
本実施形態では、本体103は、C形状構成を有する。図3に例証されるように、本体103は、概して円形の円環の部分である。本体103の上表面105は、実質的に平坦な半導体ウエハの背面に係合するために、概して平坦である(注記される場合を除く)。ウエハ支持体101は、非使用時、種々の配向を有することが可能であって、上表面105は、その時のウエハ支持体の配向に応じて、本体103の上部とならない場合がある。便宜上、使用の際の上向表面は、上表面105と称される。ウエハ支持体101は、1050℃超(例えば、約1200℃)の温度を有する環境に耐えることが可能である。例えば、ウエハ支持体101は、炭化ケイ素(SiC)から構築されてもよい。一実施形態では、本体103は、図3および4に例証されるように、一体型本体である。
本体103は、本体の一区分に開口部113を画定する対向する端部111を有する。端部111は、ロボットのアーム(図示せず)が、両端部の間に延在し、ロボットが、自動的に、ウエハを載荷し、ウエハ支持体101から除荷するときに、C形状本体103によって部分的に囲まれる内部空間にアクセスするための隙間を提供するように十分な距離だけ、相互に離間する。例えば、例証される実施形態の対向する端部111は、約50ミリメートル(mm)乃至約150mmの範囲の距離Dだけ相互に離間する。ウエハ支持体101の上表面105は、約300mm乃至約310mmの範囲の直径DOを有する外側縁121を有する。一実施形態では、外側縁121は、300mmの直径のウエハを処理するために、約300mm超(例えば、約360mm)の直径を有する。ウエハ支持体101の上表面105は、約190mm乃至約210mmの範囲の直径DIを有する内側縁123を有する。さらに、本体103は、約45mm乃至約60mmの範囲の幅Wを有する。
ウエハ支持体101の上表面105は、幅広弓状溝131を含む。本溝131は、載荷の際、ウエハがウエハ支持体101の上表面105上方を浮遊する可能性を低減させる。また、溝131は、除荷の際、ウエハがウエハ支持体101に固着する可能在性も低減させる。図3および4に例証される実施形態では、溝131は、円形本体103の中心と一致する中心を有する弧に沿って、ウエハ支持体101の一端111から他端へと延在する。したがって、本実施形態では、弓状溝131は、ウエハ支持体101のC形状本体103と同心である。例証されるように、溝131は、本体103に沿って連続的に延在し、実質的に均一幅WGを有する。溝幅WGは、発明の範囲内において変化することが可能である。例えば、一実施形態では、溝131は、約15mm乃至約50mmの範囲の幅WGを有する。いくつかの実施形態では、溝幅WGは、その長さに沿って変化することが可能であり、かつ/または溝131は、本体103に対して非同心であること可能であることが想定される。
図4に示されるように、溝131は、冠状リッジ135と傾斜した外側マージン137との間に延在する概して平面状の底面133を有する。冠状リッジ135は、その上にウエハが静置される機械加工された表面を形成する。リッジ135は、機械加工されるため、ウエハの底面を損傷する可能性を低減させる平滑表面を提供する。リッジ135は、本発明の範囲から逸脱することなく、他の粗さも有してもよいが、一実施形態では、リッジ135は、平均粗さ(Ra)約2マイクロメートル(μm)未満の表面粗さを有する。リッジ135は、本発明の範囲から逸脱することなく、他の平滑断面形状も有してもよいが、一実施形態では、断面は、丸みのある形状を有する。特定の一実施形態では、リッジ135は、約10度以下の最大傾斜角度を有する円の弧である断面を有する。いくつかの実施形態では、リッジ135は、約5度以下の最大傾斜角度有する円の弧である断面を有する。さらに他の実施形態では、リッジ135は、約2.5度以下の最大傾斜角度を有する円の弧である断面を有する。さらに、いくつかの実施形態では、リッジ135は、溝の底面133の上方へ約0.2mm隆起する。例証される実施形態では、内側リッジ135と外側縁121の高さは、略等しい。
いくつかの実施形態では、傾斜した外側マージン137は、溝131の底面133から本体103の外側縁121まで概して一定の勾配を有する。一実施形態では、傾斜した外側マージン137は、約5度の傾斜角度で勾配する。いくつかの実施形態では、マージン137は、約2.5度の傾斜角度で勾配する。さらに他の実施形態では、マージン137は、約1度の傾斜角度で勾配する。いくつかの実施形態では、マージン137は、上表面105の外側縁121まで延在する。外側マージン137は、本発明の範囲から逸脱することなく、他の幅を有してもよいが、いくつかの実施形態では、傾斜した外側マージンは、約2mmの幅WOを有する。
いくつかの実施形態では、本体103は、任意選択で、複数の部分を含み、発明の範囲内において、異なって構成されてもよい(例えば、丸みのあるプレート、閉じたリング、またはロボットアームによる使用のためのいかなる開口部も有しない他の形状として)。同様に、本体103は、発明の範囲内において、SiC以外の材料からも作製することができる。
図5および6を参照すると、概して、201として指定される、本発明のウエハ支持体の第2の実施形態は、半導体ウエハ(例えば、シリコンウエハ(図示せず))に係合し、高温環境でウエハを支持するように適合される本体203を備える。本実施形態では、本体203は、C形状構成を有する。図5に例証されるように、本体203は、概して円形の円環の部分である。本体203の上表面205は、実質的に平坦な半導体ウエハの底面の外側縁に係合するために、概して円錐形である。
本体203は、本体の一区分に開口部213を画定する対向する端部211を有する。端部211は、ロボットが、自動的に、ウエハを載荷し、ウエハ支持体201から除荷する際、ロボットアーム(図示せず)が、端部間を移動し、C形状本体203によって部分的に囲まれる内部空間にアクセスする隙間を提供するために十分な距離だけ相互に離間する。例えば、例証される実施形態の対向する端部211は、第1の実施形態の支持体と類似範囲の距離Dだけ相互に離間する。ウエハ支持体201の上表面205は、第1の実施形態の支持体と同様の範囲の直径DOを有する外側縁221を有する。一実施形態では、外側縁221は、300mmの直径のウエハを処理するために、約300mm超(例えば、約360mm)の直径を有する。ウエハ支持体201の上表面205は、第1の実施形態の支持体と同様の範囲の直径DIを有する内側縁223を有する。さらに、本体203は、第1の実施形態の支持体と同様の範囲の幅Wを有する。
いくつかの実施形態では、上表面205は、本体203の内側縁223から外側縁221まで概して一定の勾配を有する。いくつかの実施形態では、勾配は、本発明の範囲から逸脱することなく、半径方向および/または円周方向に変化してもよいことが想定される。一実施形態では、上表面205は、約5度の傾斜角度で勾配する。いくつかの実施形態では、上表面205は、約2.5度の傾斜角度で勾配する。さらに他の実施形態では、上表面205は、約1度の傾斜角度で勾配する。
いくつかの実施形態では、本体201は、任意選択で、複数の部分を含み、発明の範囲内において、異なって構成されてもよい(例えば、丸みのあるプレート、閉じたリング、またはロボットアームによる使用のためのいかなる開口部も有しない他の形状として)。同様に、本体201は、発明の範囲内において、SiC以外の材料からも作製することができる。
本発明の要素またはその好ましい実施形態を紹介する際、冠詞「a(1つの)」、「an(1つの)」、「the(その、前記)」、および「said(前記)」は、1つ以上の要素が存在することを意味するものと意図される。用語「comprising(含む、備える、成る)」、「including(含む)」、および「having(有する)」は、列挙される要素以外の付加的要素があり得ることを含意および意味するものと意図される。
上述に照らして、本発明のいくつかの目的が達成され、他の有利な結果が得られることが分かるであろう。
本発明の範囲から逸脱することなく、上述の構造および方法に、種々の変更を行う可能性があるように、上述の説明に含有され、付随の図面に図示されるあらゆる事柄は、例証であって、制限する意味合いとして解釈されるものではないことが意図される。
Claims (23)
- 多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体であって、その一部が前記ウエハを支持するように、前記半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備え、前記上表面が、陥凹領域の底面から隆起する傾斜表面を含む前記陥凹領域を有し、前記傾斜表面が、約10度以下の傾斜角度を有する、ウエハ支持体。
- 前記傾斜表面が、前記陥凹領域の外側マージンの少なくとも一部を形成する、請求項1に記載のウエハ支持体。
- 前記傾斜表面が、約5度以下の傾斜角度を有する、請求項2に記載のウエハ支持体。
- 前記傾斜表面が、約2.5度以下の傾斜角度を有する、請求項3に記載のウエハ支持体。
- 前記傾斜表面が、約1度以下の傾斜角度を有する、請求項4に記載のウエハ支持体。
- 前記傾斜表面が、前記陥凹領域の内側マージンの少なくとも一部を形成する、請求項1に記載のウエハ支持体。
- 前記傾斜表面が、約5度以下の傾斜角度を有する、請求項6に記載のウエハ支持体。
- 前記傾斜表面が、約2.5度以下の傾斜角度を有する、請求項7に記載のウエハ支持体。
- 前記上表面が、その少なくとも一部が前記陥凹領域のマージンを形成する、丸みのあるリッジを含む、請求項1に記載のウエハ支持体。
- 前記丸みのあるリッジが、前記陥凹領域の内側マージンを形成する、請求項9に記載のウエハ支持体。
- 前記丸みのあるリッジが、約2μmRa未満の表面粗さを有する、請求項10に記載のウエハ支持体。
- 前記丸みのあるリッジが、前記陥凹領域の内側マージンの周囲において実質的に連続的である、請求項10に記載のウエハ支持体。
- 前記丸みのあるリッジが、前記陥凹領域の底面の上方に約0.2mm以下の高さを有する、請求項10に記載のウエハ支持体。
- 前記上表面の外側縁が、前記陥凹領域の底面の上方に約0.2mm以下の高さを有する、請求項1に記載のウエハ支持体。
- 前記陥凹部分が、実質的に均一な幅を有する、請求項1に記載のウエハ支持体。
- 前記本体が、少なくとも約1050℃の温度において、前記ウエハを支持するために十分な剛性を保有する材料から成る、請求項1に記載のウエハ支持体。
- 前記本体が、炭化ケイ素から成る、請求項15に記載のウエハ支持体。
- 前記陥凹領域が、弓状溝を備える、請求項1に記載のウエハ支持体。
- 熱処理プロセスにおいて、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体であって、前記ウエハを支持する少なくともその一部と前記半導体ウエハを係合するように適合される上表面を有する本体を備え、前記上表面が、外側縁と、内側限界および外側限界を有する陥凹領域と、を有し、前記内側限界および外側限界には、実質的に前記上表面の外側縁の内側の断続的縁が存在しない、ウエハ支持体。
- 多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体であって、その一部が前記ウエハを支持するように、前記半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備え、前記上表面が、その底面から隆起する傾斜した外側マージンを含む陥凹領域を有し、前記傾斜した外側マージンが、約5度以下の傾斜角度を有する、ウエハ支持体。
- 多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体であって、その一部が前記ウエハを支持するように、前記半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備え、前記上表面が、陥凹領域と、前記陥凹領域の内側の前記本体の周囲に延在する丸みのあるリッジと、を有し、前記陥凹領域が、前記丸みのあるリッジの少なくとも一部によって形成される内側マージンを含み、前記内側マージンが、最大約10度以下の傾斜角度を有する、ウエハ支持体。
- 多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体であって、その一部が前記ウエハを支持するように、前記半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備え、前記上表面が、より高い外側縁とより低い内側縁との間に一定勾配を有する、ウエハ支持体。
- 多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体であって、その一部が前記ウエハを支持するように、前記半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を備え、前記上表面が、より高い外側縁における勾配と、より低い内側縁における実質的に等勾配と、を有する、ウエハ支持体。
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