KR20110063808A

KR20110063808A - 기판 절단 방법 및 전자소자의 제조 방법

Info

Publication number: KR20110063808A
Application number: KR1020117007572A
Authority: KR
Inventors: 요시하루 사에구사; 스스무 스가노
Original assignee: 쇼와 덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2009-01-29
Filing date: 2010-01-19
Publication date: 2011-06-14
Also published as: KR101240712B1; CN102265386B; JP2010177395A; DE112010000771B4; US20110287608A1; WO2010087249A1; DE112010000771T8; CN102265386A; JP5121746B2; DE112010000771T5; US8470691B2

Abstract

촬상부가, 절단선을 사이에 두고 기판 상에 형성한 1조의 타겟의 화상을 촬상한다(S101). 이 화상으로부터, 추출부가 타겟을 추출한다(S102). 그 다음에, 계측부가 타겟 사이의 거리 d1을 계측한다(S103). 구동부가 블레이드를 기판에 압압(S104)하면, 기판이 블레이드에 눌려 휘어져 기판의 파괴가 시작된다. 그래서, 다시 촬상부가 타겟의 화상을 촬상하고(S105), 이 화상으로부터 추출부가 타겟을 추출한다(S106). 그리고, 계측부가 타겟 사이의 거리 d2를 계측한다(S107). 그리고, 판정부가 타겟 사이의 거리의 변화량 (d2-d1)로부터 기판의 절단 상태를 판정한다(S108). 이에 의해 기판을 브레이킹에 의해 칩으로 절단할 때, 기판의 절단 상황을 판단할 수 있는 기판 절단 방법 및 그 기판 절단 방법을 이용한 전자소자의 제조 방법을 제공한다.

Description

기판 절단 방법 및 전자소자의 제조 방법{METHOD FOR CUTTING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC ELEMENT}

본 발명은 전자소자를 다수 형성한 반도체 웨이퍼(wafer) 등의 기판을 박편화(칩(chip)화)하기 위한 기판 절단 방법 및 그 기판 절단 방법을 이용한 전자소자의 제조 방법에 관한 것이다.

전자소자를 형성한 반도체 웨이퍼 등의 기판을 절단하여 칩화하는 방법으로서 다이아몬드 도구로 기판 표면에 흠집을 낸 후, 기판의 벽개성(劈開性)을 이용하여, 롤러(roller)를 꽉 눌러 기계적으로 절단하는 브레이킹법(breaking method)이나, 원반상의 다이아몬드 톱(saw)을 회전시켜 기판을 절삭하는 다이싱법(dicing method)이 널리 이용되고 있다. 다이아몬드 톱을 이용하는 다이싱법에서도 기판을 완전하게 절삭하는 경우 외에 기판의 도중까지 절삭을 넣고, 그 후에 브레이킹에 의해 칩으로 절단하는 것도 행해지고 있다.

또, 근년, 투과성의 파장의 레이저 광을 대물렌즈 광학계로 집광하여 기판 내부에 초점을 맺도록 조사함으로써, 조사전에 비해 강도가 낮은 영역을 기판 내부에 형성하는 이른바 스텔스 다이싱법(stealth dicing method)이 개발되어 있다. 이 방법에서는 자르는 비용이 적고, 칩핑(chipping)이 적은 단면이 얻어진다. 그러나, 기판 내부에 강도가 낮은 영역이 형성된 상태에서는 기판은 절단되고 있지 않고 연결된 상태에 있다. 이 때문에 브레이킹에 의해 기판을 칩으로 절단하는 것이 필요하다.

특허 문헌 1에는 기판을 칩으로 절단하는 방법 및 이를 위한 장치가 기재되어 있다. 여기서 방법은, (1) 레이저나 스크라이브(scribe), 다이서(dicer) 등에 의해 절단하는 기판에 미리 파괴의 기점으로 되는 홈(groove) 또는 가공 변질층을 형성하고, (2) 파괴 기점으로 되는 홈의 반대면에 선단이 예각인 블레이드(blade)가 맞닿도록 조정한 후, (3) 충격력을 주어 블레이드를 기판에 밀어 넣음으로써 기판을 브레이킹(breaking)에 의해 절단하는 것이다.

일본국 특허공개 2004-39931호 공보

일반적으로, 기판을 칩으로 브레이킹에 의해 절단할 때, 절단된 칩의 비산을 막기 위해서 기판은 점착(粘着) 시트(sheet)에 붙여져 있다.

이 때문에 기판에 블레이드를 밀어 넣어도, 기판이 완전하게 절단되었는지 어땠는지의 판단이 어렵다고 하는 문제가 있었다. 즉, 기판이 절단되었는지 어땠는지를 기판에 블레이드를 밀어 넣을 때의 기판의 화상이나, 밀어 넣었을 때의 기판으로부터 나온 소리 등에 의해 작업자가 판단하고 있었다. 그리고, 기판이 절단되고 있지 않거나, 또는 기판의 두께 방향의 일부밖에 절단되고 있지 않다(반할(半割))고 판단된 경우에는 재차 기판에 블레이드를 밀어 넣는 공정을 반복하고 있었다.

따라서, 기판 절단은 작업자의 경험이나 육감에 의존하는 면이 많아 자동화할 수 없다고 하는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은, 기판의 절단 상황을 판단할 수 있는 기판 절단 방법 및 그 기판 절단 방법을 이용한 전자소자의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

발명자들은, 기판에 블레이드를 밀어 넣었을 때에, 블레이드를 밀어 넣는 위치를 사이에 두고 기판 상에 형성한 1조의 표적(타겟(target)) 사이의 거리가, 기판의 왜곡이나 절단에 기인하여 변화하는 것을 이용하여, 그 변화를 계측함으로써 기판의 절단 상황을 판단할 수 있는 것을 발견하였다.

즉, 본 발명이 적용되는 기판 절단 방법은, 일방의 면에 복수의 전자소자가 형성된 기판에 절단 영역을 형성하는 공정과, 기판의 타방의 면의, 절단 영역이 형성된 위치에 대응하는 위치에 구동부가 블레이드를 압압하는 공정과, 블레이드를 압압하는 공정에 즈음하여, 기판의 일방의 면 상에 형성된 적어도 1조의 타겟을 촬상부가 촬상하는 공정과, 타겟의 촬상 결과로부터, 추출부가 1조의 타겟을 추출하고, 계측부가 블레이드를 압압하는 공정에 있어서의 타겟 사이의 거리의 변화량을 계측하는 공정과, 계측된 타겟 사이의 거리의 변화량과 미리 정해진 설정값에 의해, 판정부가 기판의 절단 상황을 판정하는 공정을 포함한다. 또한, 1조의 타겟은, 바람직하게는 절단선을 사이에 두고 서로 이웃하는 1조의 타겟인 것을 특징으로 한다.

보다 바람직하게는, 변화량이 미리 정해진 설정값보다 작은 경우에, 블레이드를 압압(押壓)하는 공정으로부터 반복하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 특징에 의해 기판 절단 공정의 자동화가 더 도모된다.

또 바람직하게는, 1조의 타겟의 각각은 기판에 압압한 블레이드를 사이에 두고 형성되어 있는 것을 특징으로 할 수가 있다.

또, 계측된 타겟 사이의 거리의 변화량은, 촬상부 및 계측부가, 구동부로부터의 블레이드 압압 개시의 신호의 수신후부터 블레이드 압압 종료의 신호의 수신까지의 기간에, 반복 계측한 타겟 사이의 최대 거리에 있어서의 변화량인 것을 특징으로 할 수가 있다.

또, 절단 영역은, 홈(groove) 가공 또는 레이저 가공에 의해 홈 가공 또는 레이저 가공 전보다도 강도가 낮은 영역인 것이 바람직하다.

또한, 기판은, 점착 시트에 붙여져 있는 것이 바람직하고, 칩의 비산을 경감할 수 있는 이점이 있다.

다른 관점으로부터 파악하면, 본 발명이 적용되는 전자소자의 제조 방법은, 기판 상에 형성된 전자소자의 제조 방법으로서, 일방의 면에 복수의 전자소자가 형성된 기판에 절단 영역을 형성하는 공정과, 기판의 타방의 면의, 절단 영역이 형성된 위치에 대응하는 위치에 구동부가 블레이드를 압압하는 공정과, 블레이드를 압압하는 공정에 즈음하여, 기판의 일방의 면 상에 형성된 적어도 1조의 타겟을 촬상부가 촬상하는 공정과, 타겟의 촬상 결과로부터, 추출부가 1조의 타겟을 추출하고, 계측부가 블레이드를 압압하는 공정에 있어서의 타겟 사이의 거리의 변화량을 계측하는 공정과, 계측된 타겟 사이의 거리의 변화량과 미리 정해진 설정값에 의해, 판정부가 기판의 절단 상황을 판정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 1조의 타겟은, 바람직하게는 절단선을 사이에 두고 서로 이웃하는 1조의 타겟인 것을 특징으로 한다.

여기서, 전자소자의 제조 방법은 발광소자(LED)의 제조 방법이어도 좋다.

본 발명에 의해 기판 절단의 상황을 판정함으로써 기판 절단의 공정을 자동화할 수 있는 효과가 있다. 이에 의해 기판 절단의 상황을 지금까지의 인적인 작업에 의해 판정하는 방법에 비해, 절단 제품의 취득 수율이 향상되고, 생산성 향상이나 대폭적인 비용 절감이 실현될 수 있다.

도 1은 본 실시의 형태에 이용하는 기판의 일례를 설명하는 도이다.
도 2는 본 실시의 형태가 적용되는 기판 절단 장치의 일례를 설명하는 도이다.
도 3은 기판 절단 장치의 제어부를 중심으로 한 블록도이다.
도 4는 본 실시의 형태에 있어서의 기판 절단 방법 및 그 기판 절단 방법을 이용한 전자소자의 제조 방법의 개요를 설명하는 도이다.
도 5는 본 실시의 형태에 있어서의 기판의 절단 상황을 판단하는 제1의 방법의 흐름도이다.
도 6은 본 실시의 형태에 있어서의 기판의 절단 상황을 판단하는 제2의 방법을 나타낸 흐름도이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시의 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또, 동일 요소에는 동일 부호를 이용하는 것으로 하여 중복된 설명은 생략한다. 또한, 첨부 도면에서는 기판이나 칩 등을 모식적으로 나타내고 있고 정확한 축척을 이용하지 않았다.

도 1은 본 실시의 형태에 이용하는 기판(10)의 일례를 설명하는 도이다. 이 도 1은 기판(10)을 표면으로부터 본 도이고, 기판(10)을 붙이는 점착 시트(15)를 부착한 금속 링(16)을 함께 나타내고 있다.

기판(10)은, 예를 들면 외경 4인치(약 100㎜), 두께 120㎛의 단결정 사파이어의 기판이다. 기판(10)에는 전자소자의 일례로서 III족 질화물 반도체로 이루어지는 n형 반도체층, 발광층 및 p형 반도체층이 이 순서로 적층되고, 복수의 발광 다이오드 LED(Light Emitting Diode) 소자(11)(이하에서는 LED(11)라고 부름)가 형성되어 있다. 또, 기판(10)에는 각각의 LED(11)에 전류를 공급하기 위한 전극(12a, 12b)이 설치되어 있다. 전극(12a, 12b)은 각각 예를 들면 직경 100㎛의 원형 형상을 이루고 있다.

기판(10)과 n형 반도체층과의 사이에는, 예를 들면 III족 질화물 화합물로 이루어지는 중간층이나 기초층(base layer)을 성막하고, n형 반도체층, 발광층, 및 p형 반도체층을 순차 적층하는 제조 방법을 채용하는 것이 바람직하고, 예를 들면 일본국 특허공개 2008-124060호 공보에 기재하는 방법에 준해 중간층, 기초층, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층 및 전극 등을 가지는 복수의 LED(11)를 구비한 기판(10)을 준비해도 좋다.

또, 기판(10)의 외경 크기(인치)나 기판 재료의 두께는 임의로 선택된다. 본 발명에 있어서는 연마·연삭 공정에 의해 기판 재료의 두께를 약 50㎛~300㎛의 범위에서 매우 적합하게 조정하여 사용된다.

본 발명에 대해 사용할 수 있는 기판 재료로서는, 특히 한정되지 않고, 각종 재료를 선택하여 이용할 수가 있고, 예를 들면 사파이어, 탄화규소(실리콘카바이드 : SiC), 실리콘, 산화아연, 산화마그네슘, 산화망간, 산화지르코늄, 산화망간아연철, 산화마그네슘알루미늄, 붕화지르코늄, 산화갈륨, 산화인듐, 산화리튬갈륨, 산화리튬알루미늄, 산화네오디뮴갈륨, 산화란탄스트론튬알루미늄탄탈룸, 산화스트론튬티타늄, 산화티타늄, 하프늄, 텅스텐, 몰리브덴, 질화갈륨 등을 들 수 있고, 그 중에서 사파이어, 탄화규소(실리콘카바이드 : SiC)가 바람직하다.

전극(12a, 12b)이 설치된 LED(11)는 기판(10) 상에 일정한 간격으로 배치되어 있다. 칩(20)은 일례에서는 직사각형이고, 도 1에서는, 폭 ph, 길이 pv로서 각각의 간격으로 나타내지고 있다. 그렇지만, 칩(20)의 크기는 임의로 선택되고, 예를 들면, ph=240㎛, pv=500㎛로 하는 직사각형 형상이나, ph=pv=350㎛로 하는 정사각형 형상도 이용된다. 또, 칩(20)은 기판(10)으로부터 절단되어 각각이 마운트(mount)되고 패키지(package)(램프)에 사용된다. 도 1에 있어서의 절단선 V1~V7 및 H1~H5는 기판(10)을 칩(20)으로 절단할 때의 절단 개소를 나타내고 있다.

본 실시의 형태에서는, 기판(10) 상에 형성된 복수의 표적(타겟)을 카메라로 촬상하고, 칩(20)으로 절단할 때에 이들 사이의 거리를 계측하고, 기판(10)의 절단 상태를 판단한다.

여기에서는, 타겟의 일례로서 기판(10) 상에 형성된 전극(12a, 12b)을 사용한다. 구체적으로는, 칩(20)의 단변측을 절단하는 경우(절단선 H1~H5)는, 인접하는 2개의 칩(20)이 서로 이웃하는 전극(12a)과 전극(12b)의 거리를 계측한다. 예를 들면, 블레이드(57)(후술하는 도 2 참조)를 사이에 두고 서로 이웃하는(즉, 절단선 H3을 사이에 두고 서로 이웃하는) 전극(12a)과 전극(12b) 사이의 거리 dh를 계측한다. 또, 칩(20)의 장변측을 절단하는 경우(절단선 V1~V7)는 인접하는 2개의 칩(20)의 각각의 전극(12b)의 사이의 거리를 계측한다. 예를 들면, 절단선 V4를 사이에 두고 서로 이웃하는 2개의 전극(12b)의 사이의 거리 dv를 계측한다.

또한, 기판(10)에는 절단선 V1~V7 및 H1~H5를 따라 집광한 엑시머(excimer) 여기의 펄스 레이저 광을 조사하여 형성된 강도가 낮은 절단 영역(21)이 설치되어 있다. 절단 영역(21)은 조사전에 비해 강도가 낮기 때문에 기판(10)을 칩(20)으로 절단할 때의 파괴의 기점으로 된다. 또, 엑시머 여기의 펄스 레이저 광의 조사에 의한 강도가 낮은 절단 영역(21)의 형성법에 대해서는 후술한다.

기판(10)은 금속 링(16)에 부착된 점착 시트(15)에 붙여져 있다(후술하는 도 4의(b) 참조). 점착 시트(15)는 절단된 칩(20)을 보지함으로써 절단 후의 칩(20)의 비산을 방지한다. 여기에서는, 기판(10)은 LED(11) 등을 형성한 표면(10a)측이 점착 시트(15)에 붙여져 있다. 따라서, 도 1에서는, 점착 시트(15)를 통해 기판(10)을 본 상태가 나타나 있다. 또, 점착 시트(15)는 투명하므로 기판(10) 상에 형성된 타겟을 카메라로 촬상할 수 있다.

또, 일례이지만 금속 링(16)은 내경 190㎜로 기판(10)의 직경 4인치(약 100㎜)보다 크게 설정되어 있다. 그리고, 기판(10)은 금속 링(16)의 내측에, 금속 링(16)에 접촉하지 않게 붙여져 있다.

또한, 점착 시트(15)는 기판(10)이 칩(20)으로 절단된 후에, 금속 링(16)의 내측을 실린더에 의해 밀어 올려져 연장된다. 이에 의해 각각의 칩(20) 사이의 간극이 넓혀져 패키지(package)에의 마운트(mount) 작업을 용이하게 한다.

도 2는 본 실시의 형태가 적용되는 기판 절단 장치(50)의 일례를 설명하는 도이다.

기판 절단 장치(50)는 받침대 등의 상에 설치되기 위한 기체(基體)(51) 상에 설치되고, 기체(51) 상을 전후 방향(y방향이라고 부름)으로 이동 가능한 스테이지(52)를 구비한다. 이 스테이지(52)는 스테이지(52) 상에서 회전 가능(회전 방향을 θ축 방향이라고 부름) 링 상태의 테두리로 이루어지는 링 테이블(54)을 구비한다. 이 링 테이블(54) 상에는 도 1에 나타낸 기판(10)을 붙인 점착 시트(15)가 부착된 금속 링(16)이 설치된다.

또한, 기판 절단 장치(50)는 기체(51) 상에 설치되어 점착 시트(15)에 붙인 기판(10)을 보지하는 받침대(53)를 구비한다.

또, 기판 절단 장치(50)는 기체(51) 상에 설치된 문형(門型)의 지지체(55)를 구비한다. 이 지지체(55)는 블레이드 보지체(56)를 구비한다. 그리고, 블레이드 보지체(56)는 일방의 단에 블레이드(57)를 보지한다. 또, 블레이드 보지체(56)는 기체(51)에 대해서 상하 방향(z축 방향이라고 부름)으로 이동 가능하게 설정되어 있다.

블레이드(57)는 기판(10)에 밀어 넣어짐으로써 기판(10)을 절단한다. 이 때문에 블레이드(57)는 예를 들면 선단이 60°의 나이프(knife) 형상으로, 예를 들면 고경도의 초강(超鋼) 또는 산화지르코늄으로 제작되어 있다. 또, 블레이드(57)의 폭은 기판(10)의 직경보다 크게 설정되어 있다. 예를 들면, 블레이드(57)의 폭은 110㎜이다.

받침대(53)는 서로 마주 보게 배치된 2개의 받침대(53a, 53b)로 구성되어 있다. 받침대(53a, 53b)의 각각의 표면은 기판(10)에 블레이드(57)가 밀어 넣어졌을 때에 변형하지 않도록 예를 들면 초강으로 제작되어 있다. 그리고, 블레이드(57)를 받침대(53)의 방향(-z축 방향)으로 이동시켰을 때, 블레이드(57)가 받침대(53a, 53b)의 간극에 들어가도록 설정되어 있다.

또한, 받침대(53)의 표면과 링 테이블(54)의 표면은 거의 1개의 평면 내에 있도록 설정되어 있다.

기판 절단 장치(50)는 받침대(53)의 하부에 예를 들면 CCD 카메라 등으로 구성되는 촬상부(61)를 구비한다. 촬상부(61)는 2개의 받침대(53a, 53b)의 간극을 통해 받침대(53) 상의 기판(10)을 촬상할 수 있도록 설정되어 있다. 그리고, 기판 절단 장치(50)는 촬상부(61)의 촬상한 화상 데이터를 표시하는 표시부(62)를 구비한다.

또, 기판 절단 장치(50)는 지지체(55) 내에 블레이드 보지체(56)를 z축 방향으로 이동시키기 위한 스텝 모터(step motor), 스테이지(52)를 y축 방향으로 이동시키는 모터, 링 테이블(54)을 θ축 방향으로 회전시키는 모터 및 이들의 모터를 제어하는 전자 회로 등으로 이루어지는 구동부(63)를 구비한다.

또한, 기판 절단 장치(50)는 촬상부(61)가 촬상한 화상 데이터로부터 절단선을 사이에 두고 서로 이웃하는 1조의 타겟을 추출하고, 타겟 사이의 거리를 계측하고, 타겟 사이의 거리의 변화량으로부터 절단 상황을 판정하는 제어부(64)를 구비한다.

도 3은 본 실시의 형태가 적용되는 기판 절단 장치(50)의 제어부(64)를 중심으로 한 블록도이다. 제어부(64)는 촬상부(61)가 촬상한 화상 데이터로부터 미리 등록된 타겟의 형상과 일치하는 타겟을 추출하는 추출부(66), 1조의 타겟 사이의 거리를 계측하는 계측부(67), 타겟 사이의 거리의 설정값에 대한 변화량으로부터 절단 상황을 판정하는 판정부(68)를 구비한다. 촬상부(61)가 촬상한 화상 데이터, 추출부(66)가 추출한 타겟, 계측부(67)가 계측한 타겟 사이의 거리, 판정부(68)가 절단 상황의 판정에 이용한 타겟 사이의 거리의 설정값에 대한 변화량 등은 표시부(62)에 표시된다. 또한, 판정부(68)의 판정 결과에 기초하여 구동부(63)가 제어된다. 후술하듯이 촬상부(61), 구동부(63) 및 제어부(64)는 제휴하여 동작한다.

도 4(a)~(d)는 본 실시의 형태에 있어서의 기판 절단 방법 및 그 기판 절단 방법을 이용한 전자소자의 제조 방법의 개요를 설명하는 도이다.

또, 도 4(a)~(d)에 나타내는 기판(10)은 도 1에 나타낸 기판(10)의 A-A′단면을 나타내고 있다. 이 단면에서는 4개의 칩(20)이 보인다. 그리고, 칩(20)에는 각각 전자소자의 일례로서의 LED(11), 전극(12a, 12b)이 형성되어 있다.

여기에서는, LED(11), 전극(12a, 12b)은 잘 알려진 방법에 의해 형성되므로 LED(11), 전극(12a, 12b)의 형성법의 상세한 것에 대하여는 설명을 생략한다.

기판(10) 상에 LED(11) 등이 형성된 후, 도 4(a)에 나타내듯이, 기판(10) 내에 강도가 낮은 절단 영역(21)을 형성한다. 여기에서는, 예로서 절단선 H2를 따라 절단 영역(21)을 형성하는 경우를 설명한다.

대물렌즈(42)로 집광한 엑시머 여기의 펄스 레이저 광(41)을 절단선 H2에 대응한 기판(10)의 내부에 조사한다. 이 때, 엑시머 여기의 펄스 레이저 광(41)은 기판(10) 상을 절단선 H2를 따라 조사되면서 주사된다. 이에 의해 기판(10)의 재료가 가열되어 휘산(揮散)함으로써 절단선 H2를 따라 절단시에 파괴의 기점으로 되는 강도가 낮은 절단 영역(21)이 기판(10)의 내부에 형성된다. 여기에서는, 절단시에 파괴의 기점으로 되는 강도가 낮은 절단 영역(21)을 형성하는 공정을 절단 영역을 형성하는 공정이라고 부른다.

또, 일례이지만, 엑시머 여기의 펄스 레이저 광(41)은 파장 355㎚로, 펄스 주기 10㎑~50㎑로 하였다. 또, 주사 속도는 50㎜/sec~300㎜/sec이다.

마찬가지로 하여 엑시머 여기의 펄스 레이저 광(41)의 주사를 절단선 H1, H3~H5에 대해서 행함으로써 절단선 H1~H5에 대응한 기판(10)의 내부에 강도가 낮은 절단 영역(21)을 형성한다.

또한, 마찬가지로 하여 절단선 V1~V7에 대응한 기판(10)의 내부에 강도가 낮은 절단 영역(21)을 형성한다.

다음에, 도 4(b)에 나타내듯이, 금속 링(16)에 부착한 점착 시트(15)의 점착면(15a)에 기판(10)의 LED(11) 등이 형성된 표면(10a)을 붙인다. 또, 금속 링(16)의 내경은 기판(10)의 외경보다 크기 때문에 금속 링(16)의 내측에 기판(10)이 배치되도록 붙인다.

여기서, 금속 링(16)도 점착 시트(15)의 점착면(15a)에 붙여져 있으므로 기판(10)과 금속 링(16)은 점착 시트(15)에 대해서 동측에 배치되어 있다.

그런데, 다음에 도 4(c)에 나타내듯이, 점착 시트(15)에 붙인 기판(10)과 이들을 보지하는 금속 링(16)을 도 2에 나타낸 기판 절단 장치(50)의 링 테이블(54) 상에 설치한다. 여기서, 도 4(c)에 나타내는 받침대(53a, 53b), 링 테이블(54), 블레이드(57)는, 도 2의 B-B′선과 z축을 포함하는 면에서 절단한 단면을 나타내고 있다. 따라서, 도 4(c)에서는 블레이드(57)의 예각의 칼끝 단면이 보이고 있다.

전술한 것처럼, 링 테이블(54)의 표면과 받침대(53a, 53b)의 표면은 1개의 평면이 되도록 설정되어 있으므로 기판(10)은 받침대(53a, 53b) 상에 설치되어 있다.

도 4(c)에서는 일례로서 절단선 H1 및 H2에서의 절단이 종료되고, 절단선 H3으로 절단하는 경우를 나타내고 있다. 여기에서는, 기판(10)의 절단선 H3과 블레이드(57)의 칼끝의 위치가 일치하도록 조정되어 있다.

또, 기판(10)의 절단선과 블레이드(57)의 칼끝의 위치의 조정은 다음과 같이 행해진다. 기판(10)을 받침대(53)에 설치하기 전에, 촬상부(61)에 설치된 기준이 되는 마크(mark)와 블레이드(57)의 위치가 일치하도록 촬상부(61)의 마크를 조정한다. 그 후, 기판(10)을 받침대(53)에 설치하여 이 마크와 기판(10)의 절단선 H3을 일치시킨다. 이 때, 구동부(63)는 촬상부(61)로부터의 기판(10)의 화상 데이터에 의해, 링 테이블(54)의 회전 기구를 이용하여 기판(10)의 θ축 방향의 회전을 조정하고, 또한 스테이지(52)의 이동 기구를 이용하여 기판(10)의 y축 방향의 위치를 조정한다.

이 후, 도 4(c)에 나타내듯이, 구동부(63)는 블레이드 보지체(56)를 -z축 방향으로(기판(10)을 향해) 이동시킨다. 그리고, 블레이드 보지체(56)에 장착된 블레이드(57)를 실선으로 나타내는 상태로부터 파선으로 나타내는 상태로 이동시켜 기판(10)의 이면(10b)에 접촉(당접(當接))시킨다.

다음에, 도 4(d)에 나타내듯이, 블레이드(57)를 미리 설정된 압입량 b만큼 기판(10)에 밀어 넣는다. 일례로서의 압입량 b는 100㎛이다.

또, 압입량 b는, 도 4(d)에 나타내듯이, 블레이드(57)가 당접한 기판(10)의 위치(파선으로 나타내는 기판(10)의 위치)를 0으로 하여 블레이드(57)를 -z축 방향으로 이동시킨 거리를 말한다.

그러면, 절단선 H3에 대응하는 기판(10) 내에는 절단의 기점으로 되는 강도가 낮은 절단 영역(21)이 형성되어 있으므로 기판(10)이 절단선 H3의 위치에서 절단된다.

블레이드(57)는 밀어 넣기가 종료되면 즉시 원래의 위치로 돌아간다.

여기에서는, 구동부(63)가 블레이드(57)를 기판(10)의 절단선에 당접시키고, 또한 블레이드(57)를 기판(10)에 밀어 넣는 공정을 블레이드를 압압하는 공정이라고 부른다.

마찬가지로 하여 절단선 H4 및 H5의 위치에 있어서 블레이드를 압압하는 공정을 행함으로써 기판(10)이 절단선 H4 및 H5의 위치에서 절단된다.

또한, 마찬가지로 하여 절단선 V1~V7의 위치에 있어서 블레이드를 압압하는 공정을 행함으로써 기판(10)이 절단선 V1~V7의 위치에서 절단된다.

이와 같이 하여 LED 칩으로 분할된 전자소자가 제조된다.

다음에, 본 실시의 형태에 있어서의 기판 절단 방법에서의 기판(10)의 절단 상황을 판단하는 방법을 설명한다.

도 5는 기판(10)의 절단 상황을 판단하는 제1의 방법의 흐름도이다. 도 3, 도 4(c), (d), 도 5를 참조하면서, 절단 상황을 판단하는 제1의 방법을 설명한다. 여기에서도, 절단선 H3으로 기판(10)을 절단하는 경우를 예로서 설명한다. 그리고, 블레이드(57)의 위치는 절단선 H3에 당접할 수 있도록 설정되어 있다고 한다.

우선, 촬상부(61)가 절단선 H3(블레이드(57))을 사이에 둔 전극(12a) 및 전극(12b)을 포함하는 화상을 촬상한다(촬상하는 공정)(도 5의 스텝 101). 추출부(66)는 촬상부(61)가 촬상한 화상 데이터를 수신하면, 절단선 H3(블레이드(57))을 사이에 둔 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터를 추출한다(스텝 102). 예를 들면, 촬상부(61)로부터의 화상 데이터의 휘도 분포로부터, 타겟의 형상으로서 등록된 전극의 형상에 기초하여, 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터를 취출한다. 그 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터로부터 블레이드(57)를 사이에 두고 형성되어 있는, 즉 절단선 H3을 사이에 두고 형성되어 있는 1조의 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터를 타겟으로서 선택한다.

다음에, 계측부(67)가 선택된 1조의 전극(12a)과 전극(12b)의 화상 데이터로부터 전극(12a)과 전극(12b) 사이의 거리 d1을 계측한다(계측하는 공정)(스텝 103). 예를 들면, 선택된 1조의 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터의 엣지(edge)를 강조하도록 처리하고, 1조의 전극(12a)과 전극(12b)의 엣지 사이의 화소수로부터 거리를 계측한다. 그리고, 그 거리 d1의 값을 계측부(67)가 구비하는 거리 d1을 격납하는 기억 영역에 기억한다. 그리고, 계측부(67)는 구동부(63)에 거리 d1의 계측 종료의 신호를 송신한다.

다음에, 도 4(d)에 나타내듯이, 구동부(63)는 계측부(67)로부터의 거리 d1의 계측 종료의 신호를 수신하면, 블레이드(57)를 압압한다(스텝 104). 그리고, 구동부(63)는 촬상부(61)에 블레이드 압압 개시의 신호를 송신한다.

기판(10)에 블레이드(57)가 압압되면, 기판(10)이 블레이드(57)에 눌려 휘어져 강도가 낮은 절단 영역(21)을 기점으로 하여 기판(10)의 파괴가 시작된다. 이 때, 전극(12a)과 전극(12b) 사이의 거리는 기판(10)이 휘어짐으로써 넓어진다. 또한, 기판(10)이 절단되면 블레이드(57)가 절단된 기판(10)의 칩(20)의 사이에 비집고 들어가 전극(12a)과 전극(12b) 사이의 거리가 더 넓어진다.

이 때, 촬상부(61)는 구동부(63)로부터의 블레이드 압압 개시의 신호를 받아 타겟인 1조의 전극(12a) 및 전극(12b)을 포함하는 화상을 촬상한다(촬상하는 공정)(스텝 105). 추출부(66)는 촬상부(61)로부터의 화상 데이터를 수신하면, 스텝 102에서 추출된 것과 같은 1조의 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터를 추출한다(스텝 106).

그리고, 계측부(67)가 스텝 103과 마찬가지로 타겟인 1조의 전극(12a)과 전극(12b) 사이의 거리 d2를 계측한다(스텝 107). 그 거리 d2를 계측부(67)가 구비하는 거리 d2를 격납하는 기억 영역에 기억한다. 그리고, 계측부(67)가 타겟 사이의 거리의 변화에 관련되는 값인 타겟 사이의 거리의 변화량 (d2-d1)을 산출(계측하는 공정)하고 판정부(68)에 송신한다.

그러면, 판정부(68)가 계측부(67)로부터 수신한 타겟 사이의 거리의 변화량 (d2-d1)에 기초하여, 기판(10)의 절단 상태를 판정한다(판정하는 공정)(스텝 108). 판정부(68)의 기억 영역에는 미리 정해진 절단 상황을 판단하는 기준(판단 기준)으로서 설정값 d0이 기억되어 있다. 예를 들면, 설정값 d0을 30㎛로 한다. 그리고, 변화량 (d2-d1)의 값이, 0㎛~30㎛이면 절단이 되고 있지 않은 상태, 또는 기판(10)의 두께 방향으로 도중까지 절단된 불완전한 절단 상태(반할)다고 판단하고, 30㎛를 넘으면 기판(10)이 절단되고 있다고 판단한다. 즉, 0~30㎛ 중에서 작업자가 판단 기준으로서 설정하는 값(설정값은 이 경우 30㎛)에 기초하여 자동적으로 절단 상황을 판정한다. 본 발명에 있어서는 이 설정값으로서는 바람직하게는 100㎛ 이하의 수치, 더 바람직하게는 50㎛ 이하의 수치, 더 바람직하게는 30㎛ 이하의 수치가 임의로 설정된다. 또, 이 설정값은 LED(11)의 형상에 맞추어 폭이나 길이에 대응하는 절단시에 있어서 상위하게 해도 좋고, 바람직하게는 1㎛~50㎛의 범위의 수치로 설정된다.

그리고, 판정부(68)가, 절단이 되고 있지 않은 상태, 또는 불완전한 절단 상태(반할)다고 판정하는 경우에는, 판정부(68)는 구동부(63)에 재차 블레이드(57)를 기판(10)에 압압하는 것을 지시하는 신호를 송신해도 좋다(스텝 108에서 아니오(No)). 그러면, 구동부(63)는 블레이드(57)를 기판(10)에 압압하는 공정(스텝 104)을 반복한다.

또, 다시 블레이드(57)를 기판(10)에 압압하는 경우에는 블레이드(57)의 압입량 b를 그 전의 경우보다 크게 설정해도 좋다. 동일한 압입량 b에서는 기판(10)이 절단될 수 없다는 것이 생각되기 때문이다. 또, 이 후, 스텝 105~스텝 107을 행하고 기판(10)의 절단의 상태를 자동적으로 판정한다.

판정부(68)가 기판(10)이 절단되고 있다고 판정하는 경우에는 일련의 조작이 종료한다. 그리고, 판정부(68)는 구동부(63)에 절단 종료의 신호를 송신한다. 그러면, 구동부(63)는 스테이지(52)를 이동시킨다.

이와 같이 하여 예를 들면 기판(10) 상의 미절단의 절단선 H4 및 H5의 각각에 대해 상기의 일련의 조작을 반복한다. 이에 의해 기판(10)의 절단선 H1~H5에 대해서 절단이 종료한다.

또, 절단선 H1~H5의 간격(피치(pitch))인 칩(20)의 장변의 길이 pv를 기판 절단 장치(50)에 설정하면 스테이지(52)를 pv를 단위로 하여 자동적으로 -y방향으로 이동시키도록 할 수 있다. 따라서, 상기 기판 절단의 상태를 판단하는 방법을 이용함으로써 절단선 H1~H5에 대한 절단이 자동적으로 행해진다. 이 때, 절단선 H1~H5의 위치를 화상 인식하고, 절단선 H1~H5의 위치와 블레이드(57)의 위치의 관계를 자동적으로 미세 조정하도록 하면, 보다 정확한 절단선 H1~H5의 위치에서 기판(10)을 절단할 수 있다.

이 후, 기판(10)을 링 테이블(54) 상에서 자동적으로 90° 회전시킨 후, 상기의 일련의 조작을 기판(10)의 절단선 V1~V7에 대해서 번호순으로 반복하면 기판(10)을 칩(20)으로 절단할 수가 있다.

이와 같이 함으로써 기판 절단의 공정을 자동화할 수가 있다.

또한, 도 5의 흐름도에 나타낸 기판(10)의 절단 상황을 판단하는 제1의 방법에 있어서는, 타겟을 촬상하는 스텝 105를, 블레이드(57)를 압압하는 스텝 104의 후에 설치하고 있다. 그러나, 블레이드(57)를 눌러 내린 후, 블레이드(57)는 원래의 위치로 돌아가므로, 절단된 기판(10)의 타겟 사이의 거리 d2는 가장 열렸을 때에 비해 좁아져 있는 것이 생각된다. 이 때문에 계측된 타겟 사이의 거리의 변화량 (d2-d1)이 설정값 d0보다 작은 값으로 되어 불필요하게 기판 절단의 공정(스텝 104~스텝 108)을 반복하는 것이 생각된다.

이것을 방지하기 위해서, 타겟을 촬상하는 스텝 105를, 블레이드(57)를 압압하는 스텝 104와 동시에 행하는 것이 생각된다. 그러나, 이 경우에 있어서도, 타겟을 촬상하는 스텝 105의 타이밍에 따라서는, 절단된 기판(10)의 타겟 사이의 거리 d2는 가장 열렸을 때에 비해 좁아져, 타겟 사이의 거리의 변화량 (d2-d1)이 설정값 d0보다 작은 값으로 되는 것이 생각된다.

도 6은 보다 정확하게 기판(10)의 절단 상황을 판단하는 제2의 방법을 나타낸 흐름도이다.

도 5의 방법과 도 6의 방법과의 차이는 도 6에서는 촬상부(61) 및 계측부(67)가 구동부(63)로부터의 블레이드 압압 개시의 신호를 수신하면, 구동부(63)로부터의 블레이드 압압 종료의 신호를 수신할 때까지, 타겟 사이의 거리 d2의 계측을 반복하여 행하는 것에 있다. 그리고, 반복 계측을 실시한 타겟 사이의 거리 d2의 값으로부터 타겟 사이의 거리 d2의 최대 거리 d3을 구하는 것에 있다.

여기에서도, 절단선 H3으로 기판(10)을 절단하는 경우를 예로서 설명한다. 그리고, 블레이드(57)의 위치는 절단선 H3에 당접할 수 있도록 설정되어 있다고 한다.

우선, 계측부(67)는 계측부(67)에 구비하는 최대 거리 d3을 격납하는 기억 영역을 0으로 설정한다(스텝 201).

다음에, 도 5의 스텝 101과 마찬가지로 촬상부(61)가 절단선 H3(블레이드(57))을 사이에 둔 전극(12a) 및 전극(12b)을 포함하는 화상을 촬상한다(촬상하는 공정)(스텝 202). 추출부(66)는 촬상부(61)가 촬상한 화상 데이터를 수신하면, 절단선 H3(블레이드(57))을 사이에 둔 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터를 추출한다(스텝 203). 그리고, 추출부(66)는 절단선 H3을 사이에 두고 형성되어 있는 1조의 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터를 타겟으로서 선택한다.

다음에, 계측부(67)가 선택된 1조의 전극(12a)과 전극(12b)의 화상 데이터로부터 전극(12a)과 전극(12b) 사이의 거리 d1을 계측하고, 계측부(67)에 구비하는 거리 d1을 격납하는 기억 영역에 기억한다(스텝 204). 그리고, 계측부(67)는 구동부(63)에 거리 d1의 계측 종료의 신호를 송신한다.

그러면, 구동부(63)는 계측부(67)로부터 거리 d1의 계측 종료의 신호를 수신하면, 블레이드(57)를 압압한다(스텝 205). 그리고, 구동부(63)는 촬상부(61)에 블레이드 압압 개시의 신호를 송신한다.

촬상부(61)는 구동부(63)로부터의 블레이드 압압 개시의 신호를 수신하면, 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상을 촬상한다(촬상하는 공정)(스텝 206). 추출부(66)는 촬상부(61)로부터의 화상 데이터를 수신하면, 스텝 203에서 추출된 것과 같은 1조의 전극(12a) 및 전극(12b)의 화상 데이터를 추출한다(스텝 207).

그리고, 계측부(67)는 스텝 204와 마찬가지로 하여 타겟인 1조의 전극(12a)과 전극(12b) 사이의 거리 d2를 계측한다(스텝 208). 그 거리 d2를 계측부(67)의 최대 거리 d3을 격납하는 기억 영역에 기억되어 있던 d3과 비교한다(스텝 209). d3이 d2보다 작으면, d2를 d3으로 하여 계측부(67)의 최대 거리 d3을 격납하는 기억 영역에 기억한다(스텝 210). d3이 d2와 같거나 또는 크면 최대 거리 d3의 기억 영역의 값을 그대로로 한다.

계측부(67)가 구동부(63)로부터의 블레이드 압압 종료의 신호를 수신하기(스텝 211)까지, 스텝 206~스텝 210이 반복된다. 이와 같이 함으로써 최대 거리 d3을 격납하는 기억 영역의 값은 타겟 사이의 거리 d2의 최대치로 된다.

구동부(63)는 블레이드의 압압이 종료하면, 블레이드 압압 종료의 신호를 계측부(67)에 송신한다(스텝 211).

그러면, 계측부(67)가 판정부(68)에 타겟 사이의 거리의 변화량 (d3-d1)을 산출(계측하는 공정)하고 판정부(68)에 송신한다.

판정부(68)는 계측부(67)로부터 수신한 타겟 사이의 거리의 변화량 (d3-d1)과 판정부(68)의 기억 영역에 미리 격납되어 있던 설정값 d0을 비교한다(스텝 212). 그리고, 절단 상황을 판단하는 제1의 방법에서 설명했던 것과 마찬가지로 절단 상태를 판단하는 설정값 d0에 기초하여, 다시 블레이드(57)를 기판(10)에 압압할지, 일련의 조작을 종료할지가 판정된다(판정하는 공정).

이 후는, 절단 상황을 판단하는 제1의 방법에서 설명했던 것과 마찬가지로 판정부(68)가 절단이 되고 있지 않은 상태, 또는 불완전한 절단 상태(반할)다고 판정하는 경우에는, 판정부(68)는 구동부(63)에 재차 블레이드(57)를 기판(10)에 압압하는 것을 지시하는 신호를 송신해도 좋다(스텝 212에서 아니오(No)). 그러면, 구동부(63)는 블레이드(57)를 기판(10)에 압압하는 공정(스텝 205)을 반복한다.

판정부(68)가, 기판(10)이 절단되고 있다고 판정하는 경우에는, 일련의 조작이 종료한다. 그리고, 판정부(68)는 구동부(63)에 절단 종료의 신호를 송신한다. 그러면, 구동부(63)는 스테이지(52)를 이동시킨다.

이와 같이 하여 예를 들면 기판(10) 상의 미절단의 절단선 H4 및 H5의 각각에 대해 상기의 일련의 조작을 반복한다. 이에 의해 기판(10)의 절단선 H1~H5에 대해서 절단이 종료한다. 그리고, 상기의 일련의 조작을 기판(10)의 절단선 V1~V7에 대해서 번호순으로 반복하면 기판(10)을 칩(20)으로 절단할 수가 있다.

이 방법에서는, 타겟 사이의 거리 d2의 최대치가 얻어지므로 보다 정확하게 기판(10)의 절단 상태를 판단할 수 있다. 그리고, 기판 절단의 공정을 불필요하게 반복하는 것을 방지함으로써 기판 절단의 소요 시간을 짧게 할 수 있다.

이상 설명한 것처럼, 본 실시의 형태에 의하면 기판(10)의 절단의 상태를 판단할 수 있으므로 기판 절단의 공정을 자동화할 수가 있다.

또, 본 실시의 형태에 있어서는, 기판(10)으로서 단결정 사파이어를 이용했지만, 실리콘(Si), SiC, GaAs계의 반도체나 유리, 세라믹스 등이라도 좋다. 기판(10)이 가시광선에 대해서 불투명해도 기판(10)을 뒤집어 설치하므로 타겟을 촬상할 수 있다.

또, 기판(10) 상에는 전자소자의 일례로서 LED(11)가 형성되어 있다고 했지만, LED(11)에 한정하지 않고, LSI 등의 집적회로나 기구계를 전기·전자 회로와 함께 조립한 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 등이라도 좋다.

또, 본 실시의 형태에 있어서는, 엑시머 여기의 펄스 레이저 광(41)에 의해 단결정 사파이어의 기판(10)의 내부에 강도가 낮은 절단 영역(21)을 형성하여 절단의 기점으로 하였다. 그러나, 레이저 가공, 스크라이브 가공, 또는 다이싱 가공에 의해 기판(10)의 표면에 홈을 형성하여 절단 영역(21)으로 해도 좋다. 기판(10)에 절단의 기점으로 되는 영역이 형성되어 있으면 좋다.

또한, 엑시머 여기의 펄스 레이저 광(41)으로서 파장 266㎚의 것을 이용할 수가 있다. 또, CO₂ 레이저나 YAG(이트륨알루미늄가네트) 레이저, YLF(리튬이트륨플루오라이드) 레이저를 이용해도 좋다.

본 실시의 형태에서는, 타겟으로서 기판 표면에 형성된 전극(12a, 12b)을 이용했지만 다른 패턴을 이용해도 좋고, 화상 처리에 의해 거리를 계측하는데 적합한 전용의 패턴을 형성해도 좋다.

또한, 타겟의 추출 및 1조의 타겟 사이의 거리의 계측에 휘도 분포나 엣지 강조에 의한 방법을 이용했지만, 색정보를 이용하는 방법이나 그 외의 방법을 이용해도 좋다.

또한, 본 실시의 형태에 있어서는, LED(11) 등의 전자소자를 형성한 기판(10)의 표면(10a)을 점착 시트(15)에 붙였지만 기판(10)의 이면(10b)을 점착 시트(15)에 붙여도 좋다. 이 때, 촬상부(61)의 카메라는 점착 시트(15) 및 기판(10)을 통해 기판(10) 상의 타겟을 촬상하게 되지만 단결정 사파이어 등 투명하면 촬상이 방해되는 일이 없다.

또, 본 실시의 형태에 있어서는 칩(20)이 비산하지 않게 점착 시트(15)를 기판(10)의 표면(10a)에만 붙였다. 그러나, 딱딱한 단결정 사파이어에 블레이드(57)가 직접 꽉 눌려지는 것에 의한 블레이드(57)의 손상의 방지, 절단된 칩(20)의 비산이나 이동의 방지, 혹은 블레이드(57)를 밀어 넣었을 때의 휘어짐의 저감 등을 위해 기판(10)의 표면(10a)과 동시에 기판(10)의 이면(10b)에도 점착 시트(15)를 붙여도 좋다.

<실시예>

다음에, 본 발명을 실시예에 의해 보다 더 상세하게 설명하지만 본 발명은 이들의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

먼저, 외경 4인치(약 100㎜)의 단결정 사파이어의 기판 상에 일본국 특허공개 2008-124060호 공보에 기재하는 방법을 참고로 약 40㎛ 두께의 AlN으로 이루어지는 중간층을 형성하고, 그 다음에 MOCVD법으로 약 4㎛ 두께의 GaN으로 이루어지는 기초층, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층, 전극(12a)(직경 φ100㎛) 및 전극(12b)(직경 φ100㎛) 등을 형성하고, 복수의 LED(11)를 구비한 기판(10)을 준비하였다. 그리고, 이 LED(11)를 가지는 기판(10)의 이면(10b)을 공지의 방법으로 연삭 및 연마에 의해 약 120㎛의 두께까지 박판화하였다.

실시예 1에서는, 복수의 LED(11)가 형성된 1매의 기판(10)에 관해, 도 1에 기재의 ph와 pv를 각각 350㎛로 하는 스트리트(street) 라인(절단선)에 대응하는 위치에 있어서 기판(10)의 이면(10b)에 도 2에서 설명한 기판 절단 장치(50)에 기재된 블레이드(57)(구동부(63))를 압압하고, 그 압압시에는 절단선을 사이에 두고 서로 이웃하는 1조의 전극(12a, 12b)(타겟)을 촬상부(61)에 의해 촬상하고, 그 다음에 그 촬상 결과로부터 추출부(66)가 1조의 타겟을 임의에 선택(추출)하고, 그리고 계측부(67)에 의해 블레이드(57)를 압압할 때의 전극 사이의 거리의 변화량을 자동 계측하고, 판정부(68)가 미리 설정해 둔 30㎛가 될 때까지 자동적으로 판정하면서 기판(10)을 절단하는 조작을 실시하였다.

다음에, 실시예 2에서는, 도 1에 기재의 ph를 240㎛로, pv를 500㎛로 바꾼 이외는 실시예 1에 기재의 내용과 같은 조작을 행하여 기판(10)을 절단하는 조작을 실시하였다.

비교예 1에서는, 실시예 1에서 실시한 ph와 pv의 간격과 동일한 크기로 하고, 실시예 1에 기재된 바와 같은 자동적인 계측이나 자동적인 판정 공정을 채용하지 않고, 블레이드(57)(구동부(63))를 압압했을 때의 스트리트 라인 상의 절단 상황을 관찰하여 절단을 판단, 또는 절단시의 절단음을 참고로 하여 절단을 판단하는 등의 인적인 판단 조작으로 실시하였다.

비교예 2에서는, 실시예 2에서 실시한 ph와 pv의 간격과 동일한 크기로 하여 비교예 1과 같은 인적인 판단 조작을 실시하였다. 이들의 결과를 표 1에 정리한다. 또, 절단 합격률이라는 것은 그 후의 검사에 있어서 절단 예정 부분에 대한 절단된 부분의 비율이다.

	절단 합격률	작업성
실시예 1	99.6%	◎(큰 폭으로 올라감)
실시예 2	99.8%	◎(큰 폭으로 올라감)
비교예 1	98.8%	×(안정되지 않음)
비교예 2	97.9%	×(안정되지 않음)

실시예 1 및 실시예 2에서는 비교예 1 및 비교예 2의 기판 절단 방법과 비해 절단 합격률이 99.6%~99.8%로 굉장히 향상되었다. 또, 비교예 1 및 비교예 2에서는 절단 완료의 판단으로서 예를 들면 눈으로 보거나나 절단 소리를 알아 듣는 등의 인적 판단에 의하기 때문에 절단 합격률이 실시마다 변동하는 결점에 더하여 작업성의 저하나 판단에 관한 개인차도 있어 작업성이 안정되지 않고 결과의 신뢰성이 나빴다. 실시예 1 및 2에서는 작업성이나 결과의 신뢰성의 점에서도 큰 폭으로 올라갔다.

10…기판 11…LED
12a, 12b…전극 15…점착 시트
16…금속 링 20…칩(chip)
21…절단 영역 50…기판 절단 장치
51…기체 52…스테이지(stage)
53…받침대 54…링 테이블(ring table)
55…지지체 56…블레이드 보지체
57…블레이드 61…촬상부
62…표시부 63…구동부
64…제어부 66…추출부
67…계측부 68…판정부

Claims

일방의 면에 복수의 전자소자가 형성된 기판에 절단 영역을 형성하는 공정과,
상기 기판의 타방의 면의, 상기 절단 영역이 형성된 위치에 대응하는 위치에 구동부가 블레이드를 압압하는 공정과,
상기 블레이드를 압압하는 공정에 즈음하여, 상기 기판의 일방의 면 상에 형성된 적어도 1조의 타겟을 촬상부가 촬상하는 공정과,
상기 타겟의 촬상 결과로부터, 추출부가 상기 1조의 타겟을 추출하고, 계측부가 상기 블레이드를 압압하는 공정에 있어서의 당해 타겟 사이의 거리의 변화량을 계측하는 공정과,
상기 계측된 타겟 사이의 거리의 변화량과 미리 정해진 설정값에 의해, 판정부가 상기 기판의 절단 상황을 판정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 절단 방법.
제1항에 있어서,
상기 1조의 타겟이, 절단선을 사이에 두고 서로 이웃하는 1조의 타겟인 것을 특징으로 하는 기판 절단 방법.
제1항에 있어서,
상기 변화량이 미리 정해진 설정값보다 작은 경우에, 상기 블레이드를 압압하는 공정으로부터 반복하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 절단 방법.
제1항에 있어서,
상기 1조의 타겟의 각각은 상기 기판에 압압한 상기 블레이드를 사이에 두고 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 절단 방법.
제1항에 있어서,
상기 계측된 타겟 사이의 거리의 변화량은, 상기 촬상부 및 상기 계측부가, 상기 구동부로부터의 블레이드 압압 개시의 신호의 수신후부터 블레이드 압압 종료의 신호의 수신까지의 기간에, 반복 계측한 타겟 사이의 최대 거리에 있어서의 변화량인 것을 특징으로 하는 기판 절단 방법.
제1항에 있어서,
상기 절단 영역은, 홈 가공 또는 레이저 가공에 의해 당해 홈 가공 또는 당해 레이저 가공 전보다도 강도가 낮은 영역인 것을 특징으로 하는 기판 절단 방법.
제1항에 있어서,
상기 기판은, 점착 시트에 붙여져 있는 것을 특징으로 하는 기판 절단 방법.
기판 상에 형성된 전자소자의 제조 방법으로서,
일방의 면에 복수의 전자소자가 형성된 기판에 절단 영역을 형성하는 공정과,
상기 기판의 타방의 면의, 상기 절단 영역이 형성된 위치에 대응하는 위치에 구동부가 블레이드를 압압하는 공정과,
상기 블레이드를 압압하는 공정에 즈음하여, 상기 기판의 일방의 면 상에 형성된 적어도 1조의 타겟을 촬상부가 촬상하는 공정과,
상기 타겟의 촬상 결과로부터, 추출부가 상기 1조의 타겟을 추출하고, 계측부가 상기 블레이드를 압압하는 공정에 있어서의 당해 타겟 사이의 거리의 변화량을 계측하는 공정과,
상기 계측된 타겟 사이의 거리의 변화량과 미리 정해진 설정값에 의해, 판정부가 상기 기판의 절단 상황을 판정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법.
제8항에 있어서,
상기 1조의 타겟이, 절단선을 사이에 두고 서로 이웃하는 1조의 타겟인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법.
제8항에 있어서,
상기 전자소자의 제조 방법이, 발광소자(LED)의 제조 방법인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법.