KR20110037741A - 실리콘질화막에 대한 고선택비 식각용 조성물 - Google Patents
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 72
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 72
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 11
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 10
- NAQQTJZRCYNBRX-UHFFFAOYSA-N n-pentan-3-ylidenehydroxylamine Chemical compound CCC(CC)=NO NAQQTJZRCYNBRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WHIVNJATOVLWBW-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-ylidenehydroxylamine Chemical compound CCC(C)=NO WHIVNJATOVLWBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZKALVNREMFLWAN-VOTSOKGWSA-N (ne)-n-(4-methylpentan-2-ylidene)hydroxylamine Chemical compound CC(C)C\C(C)=N\O ZKALVNREMFLWAN-VOTSOKGWSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000006651 (C3-C20) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 4
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- VEZUQRBDRNJBJY-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone oxime Chemical compound ON=C1CCCCC1 VEZUQRBDRNJBJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 3
- WXWYJCSIHQKADM-ZNAKCYKMSA-N (e)-n-[bis[[(e)-butan-2-ylideneamino]oxy]-ethenylsilyl]oxybutan-2-imine Chemical compound CC\C(C)=N\O[Si](O\N=C(/C)CC)(O\N=C(/C)CC)C=C WXWYJCSIHQKADM-ZNAKCYKMSA-N 0.000 claims description 2
- OGZPYBBKQGPQNU-DABLZPOSSA-N (e)-n-[bis[[(e)-butan-2-ylideneamino]oxy]-methylsilyl]oxybutan-2-imine Chemical compound CC\C(C)=N\O[Si](C)(O\N=C(/C)CC)O\N=C(/C)CC OGZPYBBKQGPQNU-DABLZPOSSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VTDQEFPUJUZPCC-UHFFFAOYSA-N N-butan-2-ylidenehydroxylamine silane Chemical compound [SiH4].CCC(C)=NO VTDQEFPUJUZPCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 49
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 abstract 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 abstract 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- -1 methyl vinyl Chemical group 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XKBQRJBETDMEFN-ILRZCOILSA-N (e)-n-[bis[[(e)-butan-2-ylideneamino]oxy]-phenylsilyl]oxybutan-2-imine Chemical compound CC\C(C)=N\O[Si](O\N=C(/C)CC)(O\N=C(/C)CC)C1=CC=CC=C1 XKBQRJBETDMEFN-ILRZCOILSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- MRZRNRPDICXPOU-UHFFFAOYSA-N [SiH4].CC(C)=NO Chemical compound [SiH4].CC(C)=NO MRZRNRPDICXPOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
본 발명은 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물에 관한 것으로, 자세하게는 반도체 공정에서 실리콘질화막을 식각하여 제거함에 있어서, 실리콘산화막의 식각율을 최소화하고 실리콘질화막을 선택적으로 제거할 수 있는 습식 식각용 조성물에 관한 것이다.
실리콘산화막, 실리콘질화막
Description
본 발명은 실리콘산화막의 식각율을 최소화 하면서 실리콘질화막을 선택적으로 제거할 수 있는 실리콘질화막 습식 식각용 조성물에 관한 기술이다.
실리콘산화막(SiO2) 및 실리콘질화막(SiNx)은 반도체 제조공정에서 사용되는 대표적인 절연막으로 사용되며, 각각 단독으로 사용되거나 혹은 1층 이상의 실리콘산화막 및 1층 이상의 실리콘질화막이 교대로 적층되어 사용되기도 한다. 또한 상기 실리콘산화막 및 실리콘질화막은 금속 배선과 같은 도전성 패턴을 형성하기 위한 하드마스크(Hard mask)로서도 사용된다.
일반적으로 실리콘질화막을 제거하기 위해서 인산(Phosphoric acid)을 사용하고 있으나, 식각률이 감소하고 산화막에 대한 선택성이 변하는 것을 방지하기 위하여 순수(Deionized Water)를 공급해야 한다. 그러나, 공급하는 순수의 양이 약간만 변하여도 질화막 제거 불량이 발생하는 문제점이 있다.
또한 인산 자체가 강산이므로 부식성이 가지고 있어 취급하기가 까다롭다.
종래 기술에서 인산에 불화수소산 또는 질산 등을 혼합하여 식각 조성물을 제조하여 질화막을 제거하는 기술을 공지하고 있으나, 이는 오히려 질화막과 산화막을 선택도를 저해시키는 결과를 초래하며, 특히 인산에 불화수소산을 혼합하는 경우 공정 Batch수가 증가 함에 따라 질화막과 산화막의 선택비가 크게 변화한다. 이현상은 불화수소산이 공정상에서 증발하기 때문에 불화수소산의 농도변화가 생기기 때문이다(일본특개평 제9-45660호).
인산과 규산염을 이용한 기술이 공지되어 있으나, 규산염은 기판에 영향을 줄 수 있는 파티클을 유발함으로써 오히려 반도체 공정에 적합하지 못한 문제점이 있다.
또한 실리콘화합물의 용해도를 증가시키기 위해 용매로 알콜을 사용하는 경우도 있으나 인산공정이 고온이기 때문에 공정상에서 알콜이 물과 함께 소모되면서 반응이 종료된 후에는 실리콘화합물의 용해도가 떨어져 파티클을 유발하거나 배수관에 실리콘화합물이 남는 문제점도 있다.
상기의 문제점을 해결하고자 본 발명은 실리콘산화막에 대한 식각율을 최소화 하고, 실리콘질화막을 선택적으로 제거할 수 있으며, 기판에 파티클이 잔존하지 않으며, 고온에서 안정한 실리콘질화막 습식 식각용 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하고자 본 발명자들은 실리콘산화막의 식각을 최소화하고 실리콘질화막을 선택적으로 제거할 수 있는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물을 개발하게 되었으며, 본 발명은 인산과 하기 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화막 습식 시각용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
[상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, (C1-C20)알킬, (C2-C20)알케닐, (C3-C20)시클로알킬, (C6-C20)아릴, (C6-C10)아르(C1-C10)알킬, (C1-C20)알킬카보닐 및 할로겐으로부터 선택되며; R4 및 R5는 서로 독립적으로 수소, (C1-C20)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C6-C20)아릴, (C6-C10)아르(C1-C10)알킬 및 (C1-C20)알킬카보닐로부터 선택되며, 서로 인접한 (C3-C12)알킬렌으로 연결되어 지환족 고리를 형성할 수 있으며; x, y 및 z는 각각 0 내지 3의 정수이며, x+y+z는 0 내지 3의 정수이다.]
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 인산과 상기 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물을 제공하며, 자세하게는 상기 화학식 1의 옥심실란을 0.01 내지 5 중량%와 인산 95 내지 99.99 중량%를 포함하는 실리콘질화막 습식 식각용 조성물을 제공한다.
본 발명은 상기 화학식 1의 옥심실란과 인산을 0.01 내지 5 중량% : 95 내지 99.99 중량%로 혼합하는 것이 실리콘산화막의 식각율을 최소화하고, 만족할만한 실리콘질화막의 식각율 및 식각속도를 확보할 수 있으며, 상기의 범위를 벗어나는 범위로 혼합할 경우, 예를 들어 옥심실란이 초과하면 실리콘산화막의 식각은 일어나지 않지만, 실리콘질화막의 식각 속도가 현저하게 떨어져서 공정이 비효율적, 비경제적이다.
상기 본 발명의 실리콘질화막 습식 식각용 조성물에 이용되는 인산 및 하기에 기재된 본 발명의 인산은 약 85 중량% 농도로 물아 녹아 있는 인산을 의미한다.
본 발명은 상기 화학식 1의 옥심실란으로서, 상기 R1, R2 및 R3이 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, n-프로필, iso-프로필, n-부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실, 비닐, 아세틸, 벤질, 페닐로부터 선택되며; R4 및 R5는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, n-프로필, iso-프로필, n-부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실, 벤질, 페닐, 융합 시클로헥실로부터 선택되며; x, y 및 z는 각각 0 내지 3의 정수이며, x+y+z는 0 내지 3의 정수인 옥심실란을 이용할 수 있다.
본 발명은 상기 화학식 1의 옥심실란의 구체적인 예로서, 디(에틸케톡심)실란, 모노(에틸케톡심)실란, 트리스(에틸케톡심)실란, 테트라(에틸케톡심)실란,메틸트리스(메틸에틸케톡심)실란, 메틸트리스(아세톡심)실란, 메틸트리스(메틸이소부틸케톡심)실란, 디메틸디(메틸에틸케톡심)실란, 트리메틸(메틸에틸케톡심)실란, 테트라(메틸에틸케톡심실란), 테트라(메틸이소부틸케톡심)실란, 비닐트리스(메틸에틸케톡심)실란, 메틸비닐디(메틸에틸케톡심)실란, 메틸비닐디(시클로헥사논옥심)실란, 비닐트리스(메틸이소부틸케톡심)실란 및 페닐트리스(메틸에틸케톡심)실란으로부터 선택되는 것을 이용할 수 있다.
본 발명은 상기 인산 및 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화막 습식 식각용 조성물에 있어서, 실리콘질화막의 식각 속도를 향상시키기 위하여 무기산, 불소계첨가제 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 상기 인산과 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물에 있어서, 실리콘질화막의 식각 속도를 향상시키기 위하여 무기산을 더 첨가할 수 있으며, 상기 인산과 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화막 습식 식각용 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%의 무기산을 더 포 함할 수 있다. 상기 무기산으로는 질산, 황산 및 염산으로부터 선택되는 1종 이상을 이용할 수 있으며, 바람직하게는 황산이 좋다. 상기 무기산을 상기 인산과 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물의 총 중량에 대하여 0.1 중량% 미만으로 투입할 경우, 실리콘질화막의 식각 속도가 향상되지 않으며, 10 중량%를 초과할 경우 실리콘질화막의 식각 속도는 더 이상 향상되지 않기 때문에 0.1 내지 10 중량%로 투입하는 것이 좋다.
본 발명은 상기 인산 및 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화물 습식 식각용 조성물에 있어서, 실리콘질화막의 식각 속도를 향상시키기 위하여 불소계 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 자세하게는 상기 인산 및 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화물 습식 식각용 조성물의 총 중량에 대하여 0.001 내지 1 중량%의 불소계 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 불소계 첨가제로는 불화수소, 불화암모늄 및 불화수소암모늄으로부터 선택되는 1종 이상을 이용할 수 있으며, 바람직하게는 불화수소암모늄(ABF; Ammonium biflroride)이 좋다. 상기 불소계 첨가제를 인산, 화학식 1의 옥심실란 및 무기산을 포함하는 실리콘질화물 습식 식각용 조성물에 대하여 0.001 중량% 미만으로 투입할 경우, 실리콘질화막의 식각 속도가 향상되지 않으며, 1 중량% 초과할 경우, 실리콘질화막의 식각 속도가 크게 향상되지만, 실리콘산화막 또한 식각량이 증가되면서 실리콘질화막과의 선택비가 감소되는 단점이 있다.
본 발명은 상기 인산 및 화학식 1의 옥심실란을 포함하는 실리콘질화물 습식 식각용 조성물의 총 중량에 대하여, 상기 기술된 무기산 또는 불소계첨가제의 중량 비로 무기산 및 불소계첨가제를 함께 혼합한 조성물을 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물로 이용할 수 있다.
본 발명의 상기 실리콘질화막 습식 식각용 조성물은 반도체 공정에서 식각하고자 하는 실리콘질화막에 도포하기 전에 가열하여 이용하는 것이 보다 효과적인 식각 성능을 얻을 수 있으며, 구체적으로는 100 내지 180℃)로 예열하여 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실리콘질화막 습식 식각용 조성물은 실제 실리콘산화막과 실리콘질화막이 형성된 기판을 침지한 결과, 실리콘질화막의 에칭속도가 55 내지 300Å/min.으로 나타났고, 실리콘산화막의 에칭속도는 0.5 내지 1 Å/min.으로 나타났으며, 실리콘질화막 대 실리콘산화막의 선택도는 55 내지 ∞으로써, 실리콘산화막에 대한 식각율이 거의 제로(영)에 가까우면서도 실리콘질화막만을 식각할 수 있는 놀라운 효과를 볼 수 있었다. 또한 인산만을 식각액으로 이용할 경우, 공정 Batch수가 증가할수록 실리콘질화막의 식각율이 감소하는 문제점이 있으나, 본 발명에서는 실리콘질화막의 식각율이 공정 Batch에 따라서 변하지 않기 때문에 우수한 장점을 갖고 있다.
따라서, 본 발명의 상기 실리콘질화막 습식 식각용 조성물은 실리콘질화막층과 실리콘산화막층이 혼재할 경우, 실리콘산화막에 대하여 식각 영향을 거의 끼치지 않으면서 실리콘질화막만을 식각하여 제거하는데 놀라운 효과를 발휘한다.
본 발명에 따르면 특정한 인산 및 옥심실란 함유 조성물을 실리콘질화막 식 각액으로 사용함으로써, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막층이 혼재할 경우, 실리콘 산화막에 대하여 식각 영향을 거의 끼치지 않으면서 실리콘 질화막만을 식각하는 효과를 볼 수 있다. 또한 통상적으로 사용하는 에칭액에 비하여 높은 식각률과 선택도를 얻을 수 있으며 장시간 사용함에 있어 기존 에칭액 대비 실리콘 질화막의 에칭속도 저하의 문제점이 발생되지 않아 실리콘질화막의 선택적 에칭이 필요한 반도체 소자 제조시에 효과적으로 적용될 수 있다.
이하, 본 발명을 하기의 실시예에 의거하여 좀 더 상세히 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 한정하지는 않는다.
실시예
실시예는 비이커에 실리콘질화막 습식 식각 조성물을 투입하고 157℃ 또는 165℃ 온도에 도달했을 때 실시하였으며, 실리콘질화막이 형성된 기판을 가열된 식각 조성물에 10분간 침지하였으며, 실리콘 열산화막이 형성된 기판을 침지하여 선택도를 측정하였다.
비교예 1 및 2는 인산에 투입하여 질화막과 산화막을 식각 속도 및 선택도를 측정하였으며, 실시예 1과 2는 인산과 옥심실란(메틸트리스(메틸에틸케토옥심)실란), 실시예 3과 4는 인산, 옥심실란(메틸트리스(메틸에틸케토옥심)실란) 및 황산, 실시예 5는 인산, 옥심실란(비닐트리스(메틸에틸케토옥심)실란), 황산 및 불화수소암모늄, 실시예 6은 인산, 옥심실란(비닐트리스(메틸에틸케토옥심)실란) 및 불화 수속암모늄을 각각 식각 조성물로 하여 식각 속도 및 선택도를 측정하였다.
상기 비교예 1 및 실시예 1 내지 6에서, 질화막 및 산화막의 식각 속도 및 선택도는 하기에 보다 상세하게 설명한다.
<평가>
식각속도는 엘립소미트리(Nano-View , SE MG-1000; Ellipsometery)를 이용하여 실리콘 질화막 및 산화막의 두께를 측정함으로써 결정하였다.
<선택도>
선택도를 결정한 수식은 다음과 같다.
A:
실리콘질화막
에칭속도, B:
실리콘산화막
에칭속도. C: 선택도
결과는 표 1과 같다.
[표 1]
본 발명에 따르면 특정한 옥심실란 함유 조성물을 사용함으로써 실리콘 신화막에 대하여 식각 영향을 거의 끼치지 않으면서 실리콘 질화막만을 식각하는 것을 알 수 있으며, 이는 기존의 에칭액인 인산 대비 선택비를 2배 이상 증가시켜 실리콘질화막과 실리콘산화막의 혼재 사용시 공정상의 실리콘질화막의 제거를 보다 용이하게 하였으며, 불소화합물을 첨가하였을 경우 실리콘질화막의 식각속도를 2배 이상 증가시켜 공정시간을 단축시키는 이점이 있다. 도 1은 비교예 1의 식각액과 실시예 3의 식각액의 Batch에 따른 식각속도 변화를 나타난 그림이다. 도 1에서 인산은 batch 수가 증가함에 따라 실리콘질화막의 식각속도가 감소하지만, 본 발명의 식각액 조성물은 batch 수가 증가하여도 실리콘질화막의 식각속도가 변화하지 않는다.
도 1은 비교예 1 식각액과 실시예 3 식각액의 Batch에 따른 식각속도 변화를 나타난 그림이다.
Claims (8)
- 하기 화학식 1로 표시되는 옥심실란 0.01 내지 5 중량% 및 인산(85중량% 수용액) 95 내지 99.99 중량%를 포함하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물[화학식 1]
[상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 서로 독립적으로 수소, (C1-C20)알킬, (C2-C20)알케닐, (C3-C20)시클로알킬, (C6-C20)아릴, (C6-C10)아르(C1-C10)알킬, (C1-C20)알킬카보닐 및 할로겐으로부터 선택되며; R4 및 R5는 서로 독립적으로 (C1-C20)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C6-C20)아릴, (C6-C10)아르(C1-C10)알킬 및 (C1-C20)알킬카보닐로부터 선택되며, 서로 인접한 (C3-C12)알킬렌으로 연결되어 지환족 고리를 형성할 수 있으며; x, y 및 z는 각각 0 내지 3의 정수이며, x+y+z는 0 내지 3의 정수이다.] - 제 1 항에 있어서,상기 R1, R2 및 R3이 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, n-프로필, iso-프로 필, n-부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실, 비닐, 아세틸, 벤질, 페닐로부터 선택되며; R4 및 R5가 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, n-프로필, iso-프로필, n-부틸, tert-부틸, 펜틸, 헥실, 벤질, 페닐, 융합 시클로헥실로부터 선택되며; x, y 및 z는 각각 0 내지 3의 정수이며, x+y+z는 0 내지 3의 정수인 것으로 하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물
- 제 2 항에 있어서,상기 옥심실란은 디(에틸케톡심)실란, 모노(에틸케톡심)실란, 트리스(에틸케톡심)실란, 테트라(에틸케톡심)실란, 메틸트리스(메틸에틸케톡심)실란, 메틸트리스(아세톡심)실란, 메틸트리스(메틸이소부틸케톡심)실란, 디메틸디(메틸에틸케톡심)실란, 트리메틸(메틸에틸케톡심)실란, 테트라(메틸에틸케톡심실란), 테트라(메틸이소부틸케톡심)실란, 비닐트리스(메틸에틸케톡심)실란, 메틸비닐디(메틸에틸케톡심)실란, 메틸비닐디(시클로헥사논옥심)실란, 비닐트리스(메틸이소부틸케톡심)실란 및 페닐트리스(메틸에틸케톡심)실란으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물
- 제 1 항에 있어서,실리콘질화막의 습식 식각용 조성물은 습식 식각용 조성물 총 중량에 대하여 무기산, 불소계 첨가제 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 것을 더 포함하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물
- 제 4 항에 있어서,습식 식각용 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%의 무기산을 더 포함하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물
- 제 5 항에 있어서,상기 무기산은 질산, 황산 및 염산으로부터 선택되는 1종 이상인 것으로 하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물
- 제 4 항에 있어서,습식 식각용 조성물 총 중량에 대하여 0.001 내지 1 중량%의 불소계 첨가제를 더 포함하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물
- 제 7 항에 있어서,상기 불소계 첨가제는 불화수소, 불화암모늄 및 불화수소암모늄로부터 선택되는 1종 이상인 것으로 하는 실리콘질화막의 습식 식각용 조성물
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090095300A KR101097275B1 (ko) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 실리콘질화막에 대한 고선택비 식각용 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090095300A KR101097275B1 (ko) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 실리콘질화막에 대한 고선택비 식각용 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110037741A true KR20110037741A (ko) | 2011-04-13 |
| KR101097275B1 KR101097275B1 (ko) | 2011-12-22 |
Family
ID=44045174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090095300A KR101097275B1 (ko) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 실리콘질화막에 대한 고선택비 식각용 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101097275B1 (ko) |
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| KR20200021827A (ko) | 2018-08-21 | 2020-03-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
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| KR20200021824A (ko) | 2018-08-21 | 2020-03-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 조성물 |
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|---|---|
| KR101097275B1 (ko) | 2011-12-22 |
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