KR20110029079A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제) 상압 반송실(搬送室)에 대대적인 부식 대책을 할 필요가 없고, 또한 스루풋도 저감되는 일이 없는 기판 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 로드락실(14b)로부터 스토리지(26)까지 상압 반송실인 로더 모듈(15)을 통과시키는 일이 없이 기판(W)을 반송하기 위한 우회(迂回) 경로(24)를 형성한다. 당해 우회 경로(24)에는, 로드락실(14b)로부터 스토리지(26)까지 처리가 끝난 기판(W)을 반송하는 부(副)반송 유닛(36)이 배치된다. 이 부반송 유닛(36)에 의해 로드락실(14b)로부터 스토리지(26)까지 처리가 끝난 기판(W)을 반송하고, 로더 모듈(15)의 주(主)반송 유닛(18)에 의해 스토리지(26)로부터 재치대(22 a∼22c)의 운반 용기로 처리가 끝난 기판(W)을 되돌린다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정용 기판, 유기 EL 소자 등의 기판에 진공 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 FPD(Flat Panel Display)의 제조에 있어, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 함)나 액정용 기판 등에는, 성막, 에칭, 산화, 확산 등의 각종의 처리가 행해진다. 이들의 처리를 높은 스루풋(throughput)으로 행하기 위해, 멀티 챔버 시스템이라고 불리는 기판 처리 장치가 이용되고 있다.
이러한 기판 처리 장치의 일 예로서, 도 9에 나타내는 바와 같이, 복수의 웨이퍼가 수납되는 운반 용기인 후프(FOUP;Front Opening Unified Pod)가 올려놓여지는 후프 재치대(1)와, 웨이퍼(W)를 반송(搬送)하는 반송 아암(5)을 갖고, 진공 분위기에 있는 트랜스퍼 모듈(2)(Transfer Module: TM)과, 당해 트랜스퍼 모듈(2)의 주위에 배치되며, 진공 분위기에서 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 행하는 복수의 프로세스 모듈(3)(Process Module: PM)과, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암을 구비한 주(主) 반송 유닛을 갖고, 상압(常壓) 분위기에 있는 로더 모듈(4)(Loader Module: LM)과, 로더 모듈(4) 및 트랜스퍼 모듈(2)의 사이에 배치되며, 진공 분위기와 상압 분위기로 전환 가능한 2개의 로드락 모듈(6a, 6b)(Load Lock Module: LLM)과, 로더 모듈(4)에 인접하여 형성되며, 웨이퍼(W)의 방향을 프리얼라인먼트(pre-alignment)하는 도시하지 않는 오리엔터(ORT)를 구비하는 것이 알려져 있다.
이 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로는, 예를 들면 이하와 같다. 후프 재치대(1)에 올려놓여져 있는 미처리의 웨이퍼(W)는, LM(4)→ORT→LLM(6a)→TM(2)→PM(3)로 이 순서로 반송된다. 그리고, 프로세스 모듈(3)에서 소정의 처리 가스 분위기하에서 예를 들면 에칭 처리가 행해진 후, 처리가 끝난 웨이퍼(W)는 TM(2)→LLM(6b)→LM(4)→후프 재치대(1)로 이 순서로 반송된다.
최근, 사용하는 프로세스 가스의 종류에 따라서는, 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 로더 모듈(4)로 되돌아왔을 때에 공기 중의 수분과 반응하여, 그 주변에 부식성 가스를 방출해 버린다는 문제가 발생하는 경우가 있다. 또한, 부식성 가스를 생성시키는 반응이 일정 시간 계속되는 점에서, 되돌아온 후프 내에서 부식성 가스가 미처리의 웨이퍼를 오염시킨다는 문제가 발생하는 경우도 있다. 그 일 예를 나타내면, 프로세스 모듈(3)에서는, 예를 들면 HBr 가스나 Cl2 가스 등의 처리 가스를 플라즈마화하여, 웨이퍼(W) 상에 형성된 폴리실리콘막에 대한 에칭을 행하는 경우가 있다. 이 경우, 에칭 처리에 수반되는 생성물(브롬화 규소나 염화 규소 등)이 웨이퍼(W) 상에 남는다. 최근, 웨이퍼(W)의 디자인 룰이 보다 미세화되어, 패턴의 선폭도 좁아지고 있기 때문에, 웨이퍼(W) 상에 형성된 구조의 사이 등에 부생성물이 남기 쉬워지고 있다. 이 웨이퍼(W)를 상압 분위기에 있는 로더 모듈(4)에 반입하면, 브롬화 규소나 염화 규소 등과 대기 중의 수분이 반응하여 브롬화 수소나 염화 수소 등의 부식성 가스가 되어 비산(飛散)되거나, 이들의 부식성 가스가 또한 대기 중에 미량으로 존재하는 암모니아와 반응하여 브롬화 암모늄이나 염화 암모늄 등의 미립자가 되거나 하여 로더 모듈(4) 내에 확산된다.
전술한 문제를 해결하기 위해, 도 9에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치에는 처리가 끝난 웨이퍼를 상압 분위기에서 일시적으로 보관하는 퍼지 스토리지(7)가 탑재된다. 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 대기와 반응함으로써 생성되는 부식성 가스를 퍼지 스토리지(7)에서 제거할 수 있기 때문에, 후프로 되돌아온 웨이퍼로부터 부식성 가스가 방출되는 것을 방지할 수 있다.
그러나, 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 로드락 모듈(6b)로부터 퍼지 스토리지(7)로 반송할 때, 웨이퍼(W)가 로더 모듈(4)을 통과한다. 로더 모듈(4)은 상압 분위기하에서 웨이퍼(W)를 반송하는 방이기 때문에, 웨이퍼(W)가 로더 모듈(4)에 들어온 순간에 웨이퍼(W)로부터 부식성 가스가 방출될 우려가 있다. 그 결과, 로더 모듈(4)의 금속 부분, 예를 들면 반송실의 벽부(壁部)나 반송 유닛이 부식되고, 그 부식 부분이 예를 들면 기계의 운동에 의해 마찰되어 금속 오염을 일으킨다. 이를 방지하기 위해, 로더 모듈(4)에는, 배기 강화, 반송실의 벽부의 표면 처리(테프론(등록 상표) 코팅이나 알루마이트 가공), 내식 재료의 선정 등의 대대적인 부식 대책이 행해진다.
이 대대적인 부식 대책은, 로더 모듈의 비용 상승을 초래한다. 최근의 기판 처리 장치에는, 저비용, 신뢰성 향상, 안전 강화, 유지비 저감 등이 요청되고 있는 바, 로더 모듈에는, 부식 대책을 없앨 수 있거나, 또는 경감할 수 있는 것이 요망되고 있다. 부식성 가스에 의한 로더 모듈에 대한 영향을 저감하기 위해, 특허문헌 1에는, 로드락 모듈에 인접하여 퍼지 스토리지를 배치하고, 로더 모듈의 주반송 유닛에 의해, 로드락 모듈로부터 퍼지 스토리지로 처리가 끝난 기판을 반송하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
일본공개특허공보 2008-53550호
그러나, 특허문헌 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서는, 주반송 유닛의 일부(예를 들면 웨이퍼를 반송하는 반송 아암 유닛)가 부식성 가스에 접촉되고, 퍼지 스토리지에서 발생한 부식성 가스가 로더 모듈에 흘러들 우려가 있기 때문에, 완전한 부식 대책이라고는 말할 수 없다. 게다가, 로더 모듈에 배치되는 1개의 주반송 유닛이, 웨이퍼를 로드락 모듈로부터 퍼지 스토리지로 반송하는 작업과, 웨이퍼를 퍼지 스트리지로부터 후프 재치대로 되돌리는 작업을 부담하기 때문에, 스루풋이 저감된다는 문제도 있다.
그래서 본 발명은, 로더 모듈에 대대적인 부식 대책이 필요가 없고, 또한 스루풋도 저감되지 않는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 형태는, 복수의 기판을 수납하는 운반 용기가 올려놓여지는 재치대와, 기판에 대하여 감압 분위기에서 처리를 행하는 감압 처리실과, 상기 감압 처리실과의 사이에서 기판이 인수 인도되고, 감압 분위기와 상압 분위기로 전환 가능한 로드락실과, 상기 운반 용기에 수납된 기판을 상기 재치대로부터 상기 로드락실로 상압 분위기 중에서 반송하는 주반송 유닛을 갖는 상압 반송실과, 처리가 끝난 기판을 상기 감압 분위기보다도 높은 압력 분위기 중에 보지(保持)하는 스토리지를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 로드락실로부터 상기 스토리지까지 상기 상압 반송실을 통과시키는 일이 없이 처리가 끝난 기판을 반송하기 위한 우회(迂回) 경로를 형성하고, 상기 우회 경로에 상기 로드락실로부터 상기 스토리지까지 처리가 끝난 기판을 반송하는 부(副)반송 유닛을 배치하고, 상기 상압 반송실의 상기 주반송 유닛에 의해 상기 스토리지로부터 상기 재치대의 상기 운반 용기까지 처리가 끝난 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
본 발명의 다른 실시 형태는, 재치대의 운반 용기에 수납된 미처리의 기판을, 상압 반송실의 주반송 유닛에 의해 상기 재치대로부터 상압 분위기의 로드락실로 반송하는 공정과, 상기 로드락실로부터 감압 처리실로 미처리의 기판을 반송하여, 감압 처리실에서 기판에 대하여 처리를 행하는 공정과, 상기 감압 처리실로부터 감압 분위기의 로드락실로 처리가 끝난 기판을 반송하는 공정과, 상기 로드락실 내의 분위기를 감압 분위기로부터 상압 분위기로 전환하는 공정과, 상기 로드락실로부터 스토리지로 처리가 끝난 기판을 반송하는 공정과, 상기 스토리지에서 처리가 끝난 기판을 상기 감압 분위기보다도 높은 압력 분위기 중에 보지하는 공정과, 상기 상압 반송실의 주반송 유닛에 의해 상기 스토리지로부터 상기 재치대의 상기 운반 용기로 처리가 끝난 기판을 반송하는 공정을 구비하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 로드락실부터 상기 스토리지까지 처리가 끝난 기판을 우회시키는 우회 경로의 부반송 유닛에 의해, 상기 로드락실로부터 상기 스토리지까지 상기 상압 반송실을 통과시키는 일이 없이 처리가 끝난 기판을 반송하는 공정과, 상기 상압 반송실의 상기 주반송 유닛에 의해, 상기 스토리지로부터 상기 재치대의 상기 운반 용기로 처리가 끝난 기판을 되돌리는 공정을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이다.
본 발명에 의하면, 로드락실로부터 스토리지까지의 사이에 처리가 끝난 기판이 상압 반송실을 통과하는 일이 없는 우회 경로를 부가했기 때문에, 상압 반송실에 대대적인 부식 대책을 할 필요가 없어진다. 게다가, 주반송 유닛의 작업을 우회 경로의 부반송 유닛에 분담시켜, 우회 경로의 부반송 유닛과 상압 반송실의 주반송 유닛을 병행하여 동작시킬 수 있게 되기 때문에, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치의 개략 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 개략 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 개략 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 퍼지 스토리지의 개략 평면도이다.
도 6은 웨이퍼가 지지되는 벨트 유닛의 사시도이다.
도 7은 벨트 유닛의 지지부의 선단부(先端部)를 나타내는 단면도이다.
도 8은 청정(淸淨) 공기의 흐름 방향과 웨이퍼의 이동 방향을 반대로 한 예를 나타내는 퍼지 스토리지의 개략 단면도이다.
도 9는 종래의 기판 처리 장치의 개략 평면도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 반송 모듈을 설명한다. 도 1은 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 개략 평면도이고, 도 2는 개략 사시도이다. 도 1에 있어서, 11은 처리 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼(W)라고 함)를 1매씩 반송하여 소정의 처리를 행하는 매엽식(枚葉式)의 기판 처리 장치이다. 이 기판 처리 장치(11)는, 평면 대략 5각형의 트랜스퍼 모듈(TM)(12)과, 트랜스퍼 모듈(12)의 한쪽의 세로측면(도 1 중의 Y축 방향)에 배치된 2개의 프로세스 모듈(PM)(13a, 13b)과, 트랜스퍼 모듈(12)의 다른 한쪽의 세로측면(도 1 중의 Y축 방향)에 배치된 2개의 프로세스 모듈(13c, 13d)과, 트랜스퍼 모듈(12)의 한쪽의 가로측 사면(도 1 중의 X축 방향)에 배치된 2개의 로드락 모듈(LLM)(14a, 14b)과, 로드락 모듈(14a)과 로드락 모듈(14b)에 나란히 형성된 상압 반송실로서의 로더 모듈(15)을 구비하고 있다. 또한, 로드락 모듈(14a)은 입(入)전용의 로드락실에 상당하고, 로드락 모듈(14b)은 출(出)전용의 로드락실에 상당한다.
감압 처리실로서의 프로세스 모듈(13a∼13d)은, 웨이퍼(W)를 올려놓기 위한 웨이퍼 재치대(16)와, 플라즈마 발생용 전극과, 처리 가스 예를 들면 브롬화 수소(HBr) 가스를 공급하기 위한 처리 가스 공급부를 구비한다. 전극에 고주파 전력을 인가함으로써 처리 가스를 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 웨이퍼(W) 상에 형성된 예를 들면 폴리실리콘막을 에칭하는 에칭 처리 등을 행한다.
트랜스퍼 모듈(12)과 프로세스 모듈(13a∼13d)과의 연결 부분에는 게이트 밸브가 각각 형성되어 있다. 또한 트랜스퍼 모듈(12)에는, 수평 선회(旋回) 가능하고 그리고 반경 방향 내지 수평 방향으로 신축 가능한 스카라(SCARA)식이나 프로그레그(Frog-leg)식의 다관절형의 반송 아암 유닛(17)이 형성되어 있다. 이 반송 아암 유닛(17)은, 각 프로세스 모듈(13a∼13d)과 로드락 모듈(14a, 14b)과의 사이에 있어서 웨이퍼(W)를 반송한다.
로더 모듈(15)은, 가로 방향으로 길이가 긴 상자 형상을 이룬다. 로더 모듈(15)의 내부에는, 주반송 유닛(18)이 배치된다. 주반송 유닛(18)은, 로더 모듈(15) 내에 길이 방향으로 배치한 가이드 레일(19)을 따라서 왕복 이동 가능한 X축 이동부와, 이 X축 이동부 상에 승강 가능하게 형성된 Z축 이동부를 통하여 수평 선회 가능한 선회대(20)와, 당해 선회대(20) 상에 형성되어 반경 방향 내지 수평 방향으로 신축 가능한 다관절형 아암(21)을 갖는다. 이 다관절형 아암(21)의 웨이퍼 보지부는 예를 들면 포크 형상으로 형성되어 있고, 웨이퍼(W)의 하면 주연부를 지지하도록 되어 있다. 로더 모듈(15)에는 3개의 후프 재치대(22a∼22c)가 탑재된다. 로더 모듈(15)의 3개의 후프 재치대(22a∼22c)에 대응하는 전(前)면부에는 웨이퍼(W)의 투입구로서의 3개의 웨이퍼 반출입구(搬出入口)가 형성되어 있다.
로더 모듈(15)의 천정부에는 팬과 필터를 조합한 팬 필터 유닛(FFU)이 부착됨과 함께, 바닥면에는 배기 팬 유닛이 설치되어 있다. 배기 팬 유닛은 제해(除害) 장치를 구비한 공장 배기계에 접속되어 있고, FFU와 배기 팬 유닛과의 사이에 청정 공기의 하강 기류가 형성되도록 되어 있다.
로더 모듈(15)의 전면측에는, 웨이퍼 반출입구를 통하여 복수, 예를 들면 25매의 웨이퍼(W)가 수납된 운반 용기인 후프(Front Opening Unified Pod)를 올려놓는 후프 재치대(22a∼22c)가 각각 배치되어 있다. 또한 로더 모듈(15)의 길이 방향의 단부(도 1 중의 우측면부)에는, 후프 재치대(22a∼22c)로부터 로더 모듈(15) 내로 반입된 웨이퍼(W)의 위치를 프리얼라인먼트하는 오리엔터(ORT)(도시하지 않음)가 배치되어 있다.
로드락 모듈(14a, 14b)은 로더 모듈(15)의 배(背)면부와 트랜스퍼 모듈(12)과의 사이에 개재된다. 로드락 모듈(14a, 14b)과 트랜스퍼 모듈(12)과의 연결 부분에는 게이트 밸브(G1, G2)가 각각 형성되어 있다. 로드락 모듈(14a, 14b)은, 웨이퍼(W)를 올려놓기 위한 웨이퍼 재치대(23a, 23b)를 가짐과 함께, 당해 로드락 모듈(14a, 14b) 내의 압력을 소정의 진공 분위기와 상압 분위기, 예를 들면 질소 가스에 의한 상압 분위기와의 사이에서 전환할 수 있도록 구성되어 있다.
로드락 모듈(14a, 14b)은 입(入)전용의 로드락 모듈(14a)과 출(出)전용의 로드락 모듈(14b)로 나뉘어진다. 입전용의 로드락 모듈(14a)은 로더 모듈(15)에 연결되어 있고, 이들의 연결 부분에는 게이트 밸브(G3)가 형성되어 있다. 한편, 출전용의 로드락 모듈(14b)은 로더 모듈(15)에 연결되어 있지 않고, 우회 경로(24)에 연결된다. 출전용의 로드락 모듈(14b)과 우회 경로(24)와의 접속 부분에는 게이트 밸브(G4)가 형성되어 있다. 출전용의 로드락 모듈(14b)에는, 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 냉각하기 위한 쿨링 스테이지가 형성된다. 쿨링 스테이지에는 냉매를 흘리는 유로가 형성된다.
로더 모듈(15)의 길이 방향의 단면벽(端面壁)에는, 스토리지인 퍼지 스토리지(26)가 탑재된다. 이 퍼지 스토리지(26)는, 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 상압 분위기에 접촉함으로써 생성되는 부식성 가스를 비산시킨다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 퍼지 스토리지(26)와 우회 경로(24)와의 접속 부분에는 반입구(32)가 형성되고, 퍼지 스토리지(26)와 로더 모듈(15)과의 접속 부분에는 반출구(33)가 형성된다. 반입구(32) 및 반출구(33)는, 고정 선반(31)에 상하 방향으로 수납된 복수의 웨이퍼(W)를 반출입할 수 있도록 세로로 길게 형성된다. 이 세로로 긴 반입구 및 반출구에는, 퍼지 스토리지(26)의 내부를 기밀(機密)하게 하는 게이트 밸브가 형성되어 있다. 퍼지 스토리지(26)의 벽부에는, 테프론(등록 상표) 코팅, 알루마이트 처리 등의 표면 처리, 또는 내식 재료의 선정 등의 부식 대책이 행해진다. 또한 퍼지 스토리지(26)의 바닥면에는, 배기 장치로서의 배기 팬 유닛(34)이 접속되어 있고, 배기 팬 유닛(34)은 제해(除害) 장치를 구비한 공장 배기계에 접속되어 있다. 퍼지 스토리지(26)는, 로더 모듈(15)측으로부터 반출구(33)를 통하여 유입되는 청정 공기를, 배기 팬 유닛(34)을 통하여 공장 배기계로 배기하도록 되어 있다. 또한, 퍼지 스토리지(26)의 천정부에는, 팬과 필터를 조합한 팬 필터 유닛(FFU)이 부착되고, 퍼지 스토리지(26)의 천정부의 FFU와 배기 팬 유닛(34)과의 사이에 청정 공기의 하강 기류가 형성되어도 좋다.
퍼지 스토리지(26)의 내부에는, 상하 방향으로 복수의 웨이퍼(W)를 수납하는 고정 선반(31)이 배치되어 있다. 고정 선반(31)에는, 상하 방향으로 웨이퍼(W)를 수납하는 복수의 수납부가 형성된다. 고정 선반(31)은, 예를 들면 퍼지 스토리지(26)의 바닥면에 부설(敷設)된 기대(基台)와, 이 기대로부터 세워설치되는 복수개의 지주(支柱)와, 복수개의 지주의 각각에 상하 방향으로 일정한 간격을 두고 배열되는 지지부로 구성된다.
우회 경로(24)는 출전용의 로드락 모듈(14b)로부터 퍼지 스토리지(26)로 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 방으로, 출전용의 로드락 모듈(14b) 및 퍼지 스토리지(26)에 접속된다. 우회 경로(24)와 출전용의 로드락 모듈(14b)과의 연결 부분에는 수평 방향으로 가늘고 긴 슬릿 형상의 반입구(39)가 형성되고, 이 반입구(39)는 상기 게이트 밸브(G4)에 의해 개폐된다. 우회 경로(24)와 퍼지 스토리지(26)와의 접속 부분에는 반출구(퍼지 스토리지(26)의 반입구(32))가 형성되고, 이 반출구는 도시하지 않는 게이트 밸브에 의해 개폐된다. 우회 경로(24)의 벽부에는, 테프론(등록 상표) 코팅, 알루마이트 처리 등의 표면 처리, 또는 내식 재료의 선정 등의 부식 대책이 행해진다. 우회 경로(24)의 내부는 대기에 의해 상압 부근의 압력으로 보지되어 있다. 또한, 우회 경로(24)에 팬 필터 유닛(FFU) 및 배기 팬 유닛을 형성하여, 일정한 풍속으로 정상(正常) 공기를 흘리도록 해도 좋다.
우회 경로(24)에는, 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 출전용의 로드락 모듈(14b)로부터 퍼지 스토리지(26)로 반송하는 부반송 유닛(36)이 배치된다. 이 부반송 유닛(36)은, 웨이퍼(W)를 상하이동 시키는 상하 구동축(36a)과, 상하 구동축(36a)의 상단부에 형성되며, 수평 선회 가능하고, 그리고 반경 방향 내지 수평 방향으로 신축 가능한 다관절형의 아암 반송 기구(36b)를 갖는다. 이 아암 반송 기구(36b)의 웨이퍼 보지부는 예를 들면 포크 형상으로 형성되어 있고, 웨이퍼(W)의 하면 주연부를 지지하도록 되어 있다.
기판 처리 장치(11)는 제어부를 구비하고 있다. 제어부는, 예를 들면 컴퓨터로 이루어지고, 주반송 유닛(18), 부반송 유닛(36), 게이트 밸브(G1∼G4) 등의 동작 시퀀스와, 프로세스 모듈(13a∼13d)에서 행해지는 진공 처리의 시퀀스 등을 컴퓨터의 프로그램에 의해 제어하도록 구성되어 있다. 또한, 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 기억 매체에 격납되어, 이들 기억 매체로부터 제어부로 다운로드된다.
다음으로 전술한 기판 처리 장치(11)의 동작에 대해서 설명한다. 우선, 외부로부터 웨이퍼(W)를 수납한 후프가 예를 들면 후프 재치대(22a)에 올려놓여지면, 후프의 덮개체가 벗겨져 반출입구를 통하여 주반송 유닛(18)에 의해 미처리의 웨이퍼(W)가 취출되어, 로더 모듈(15) 내에 반입된다. 그리고 미처리의 웨이퍼(W)는 로더 모듈(15) 내를 통과하여 오리엔터에 반송되어, 당해 오리엔터에서 웨이퍼(W)의 위치의 얼라인먼트가 행해진다. 계속해서 주반송 유닛(18)에 의해 오리엔터로부터 웨이퍼(W)가 취출되어, 당해 웨이퍼(W)는 로더 모듈(15) 내를 통과하여 입전용의 로드락 모듈(14a)에 반송된다.
계속해서 입전용의 로드락 모듈(14a)의 웨이퍼 재치대(23a)에 미처리의 웨이퍼(W)가 올려놓여지면, 로드락 모듈(14a) 내가 상압 분위기로부터 진공 분위기로 전환된다. 로드락 모듈(14a) 내의 미처리의 웨이퍼(W)는 반송 아암 유닛(17)에 의해 취출되어, 트랜스퍼 모듈(12) 내에 반입된다. 그리고 미처리의 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 모듈(12) 내를 통과하여 예를 들면 프로세스 모듈(13a)에 반송되어, 당해 프로세스 모듈(13a)에서 플라즈마 처리인 예를 들면 에칭 처리가 행해진다.
웨이퍼의 처리가 끝난 후, 반송 아암 유닛(17)에 의해 프로세스 모듈(13a)로부터 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 취출되어, 당해 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 모듈(12)을 통과하여 출전용의 로드락 모듈(14b)에 반송된다. 계속해서 도시하지 않는 불활성 가스 공급원으로부터 예를 들면 질소 가스를 로드락 모듈(14b) 내에 넣어, 로드락 모듈(14b) 내를 진공 분위기로부터 상압 분위기로 전환한다. 로드락 모듈(14b)의 내부는 질소 가스로 충만되기 때문에, 상압으로 되돌려진 로드락 모듈(14b) 내에서 부식성 가스가 발생하는 일은 없다. 그 후, 게이트 밸브(G4)를 열어, 부반송 유닛(36)에 의해 출전용의 로드락 모듈(14b)로부터 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 취출하여 퍼지 스토리지(26)에 반송한다.
도 2를 참조하여, 부반송 유닛(36)에 의해 출전용의 로드락 모듈(14b)로부터 퍼지 스토리지(26)에 처리가 끝난 웨이퍼(W)가 반송되는 모습을 설명한다. 처리가 끝난 웨이퍼(W)는 출전용의 로드락 모듈(14b) 내에 있어서 쿨링 스테이지로부터 근소하게 올라간 리프트 핀에 지지되고 있다. 우회 경로(24) 내의 부반송 유닛(36)은, 아암 반송 기구(36b)의 웨이퍼 보지부를 반경 방향으로 신장(伸長)시켜, 리프트 핀에 지지된 웨이퍼(W)의 하측에 웨이퍼 보지부를 끼워 넣는다. 그 후, 웨이퍼 보지부를 상승시켜, 웨이퍼(W)를 로드락 모듈의 리프트 핀으로부터 수취한다. 다음으로 부반송 유닛(36)은, 웨이퍼(W)를 우회 경로(24) 내로 끌어들여, 아암 반송 기구(36b)를 수평 선회시켜 퍼지 스토리지(26)의 방향을 향하게 한다. 다음으로 부반송 유닛(36)은, 상하 구동축(36a)을 구동하여 아암 반송 기구(36b)를 고정 선반(31)의 빈 수납부의 높이 레벨까지 상승 또는 하강시킨다. 부반송 유닛(36)이 아암 반송 기구(36b)를 상하동시키고 있는 동안에 퍼지 스토리지(26)의 반입구(32)의 게이트 밸브가 열린다. 그 후, 부반송 유닛(36)은, 아암 반송 기구(36b)를 반경 방향으로 신장시켜, 소정의 높이 레벨의 수납부에 웨이퍼(W)를 건넨다.
다음으로 퍼지 스토리지(26)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리에 대해서 서술한다. 퍼지 스토리지(26) 내는, 배기 팬 유닛(34)에 의해 상시(常時) 배기되어 있고, 그 부압(負壓)에 의해 퍼지 스토리지(26)의 반출구(33)을 통하여 로더 모듈(15) 내의 대기가 유입된다. 여기에서, 퍼지 스토리지(26)의 천정부에 팬 필터 유닛이 부착된 경우, 퍼지 스토리지(26)의 천정부로부터의 대기가 유입되게 된다. 웨이퍼(W)에는, 플라즈마 에칭 처리됨으로써 예를 들면 브롬화 규소, 브롬화 실리콘, 염화 규소 등이 부착되어 있어, 이들이 대기 중의 수분과 반응하여 브롬화 수소 가스나 염화 수소 가스를 생성하고, 또한 이 브롬화 수소 가스가 대기 중의 미량의 암모니아와 반응하여 브롬화 암모늄의 미립자를 생성한다. 부식성 가스인 브롬화 수소 가스와 상기 미립자는 배기류를 타고 배기 팬 유닛(34)으로부터 배기된다. 퍼지 스토리지(26)에서의 웨이퍼(W)의 처리 중에 부식성 가스가 로드락 모듈(14b)이나 로더 모듈(15)로 유출되는 것을 방지하기 위해, 웨이퍼(W)의 통과시 이외는 반입구(32) 및 반출구(33)의 게이트 밸브가 닫혀, 퍼지 스토리지(26) 내의 기밀이 보지된다.
웨이퍼(W)로부터 생성물을 제거하기 위해서는, 퍼지 스토리지(26)의 상압 분위기 중에 가능한 한 오랫동안 웨이퍼(W)를 둘 필요가 있다. 고정 선반(31)의 수납부의 수는 퍼지 스토리지(26) 중에 웨이퍼(W)를 두는 시간에 따라 결정된다. 수납부의 수를 많게 하면 할수록 퍼지 스토리지(26) 중에 웨이퍼(W)를 두는 시간을 길게 취할 수 있다.
주반송 유닛(18)은, 스토리지(26)에 의해 생성물이 제거된 웨이퍼(W)를 예를 들면 후프 재치대(22a) 상의 후프 내로 되돌리고, 추가로 예를 들면 다음의 웨이퍼(W)를 당해 후프로부터 수취하여 로드락 모듈(14a)에 반송한다.
전술한 실시 형태에 의하면, 플라즈마에 의한 에칭 등의 처리를 행한 웨이퍼(W)를 출전용의 로드락 모듈(14b)로부터 우회 경로(24)를 경유하여 퍼지 스토리지(26)에 반송하고 있다. 그리고, 퍼지 스토리지(26) 내에서 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 상압 분위기에 두어, 처리가 끝난 웨이퍼(W)와 대기 성분을 반응시켜 부식성 가스를 비산시키고, 그 후, 당해 웨이퍼(W)를 로더 모듈(15) 내에 반송하고 있다. 부식성 가스를 발생하고 있는 웨이퍼(W)가 로더 모듈(15)에 반송되는 경우가 없기 때문에, 로더 모듈(15) 내에 대대적인 부식 대책을 할 필요가 없어진다. 웨이퍼(W)의 통과시 이외는 퍼지 스토리지(26)의 게이트 밸브를 닫도록 함으로써, 퍼지 스토리지(26)로부터 로더 모듈(15)로 부식성 가스가 새는 것을 방지할 수 있다.
게다가, 주반송 유닛(18)의 작업을 우회 경로(24)의 부반송 유닛(36)에 분담시켜, 부반송 유닛(36)과 주반송 유닛(18)을 병행하여 동작시킬 수 있기 때문에, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 즉, 부반송 유닛(36)이 출전용의 로드락 모듈(14b)로부터 퍼지 스토리지(26)까지 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 반송하고 있는 도중에, 주반송 유닛(18)이 퍼지 스토리지(26)로부터 후프대까지 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 프로세스 모듈(13a∼13d)에서의 프로세스 시간이 불안정해져, 프로세스 모듈(13a∼13d)로부터 출전용의 로드락 모듈(14b)로 웨이퍼(W)가 반출되는 시간이 불균일해진 때에는, 퍼지 스토리지(26)를 프로세스 시간의 버퍼로서 기능시킬 수 있어, 프로세스 시간의 불안정과는 관계없이 주반송 유닛(18)을 주기적으로 동작시킬 수 있다.
도 3은, 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 개략 사시도를 나타낸다. 이 제2 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치에 있어서는, 우회 경로(41), 우회 경로(41)에 배치되는 부반송 유닛(44) 및 퍼지 스토리지(42)의 구성이 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치와 다르다. 로더 모듈(15), 로드락 모듈(14a, 14b), 트랜스퍼 모듈(12)의 구성에 대해서는 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치와 동일하기 때문에, 동일한 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
이 실시 형태에 있어서는, 로더 모듈(15)로부터 퍼지 스토리지(42)로 부식성 가스로 오염된 공기가 가능한 한 유출되지 않도록, 퍼지 스토리지(42)의 반출구(45)의 개구가 수평 방향으로 긴 슬릿 형상으로 형성되어 있다. 마찬가지 이유로 퍼지 스토리지(42)의 반입구(46)의 개구도 수평 방향으로 긴 슬릿 형상으로 형성되어 있다. 퍼지 스토리지의 반입구(46) 및 반출구(45)를 개폐하는 게이트 밸브에는, 슬릿 형상의 개구에 대응한 시일면이 형성되어 있다.
우회 경로(41)에 배치되는 부반송 유닛(44)에는, 제1 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치(11)와 달리, 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 이동시키는 상하 구동축이 형성되어 있지 않다. 그 대신에, 퍼지 스토리지(42)에 복수의 웨이퍼(W)를 상승 및 하강시키는 기판 가동 기구(48)가 형성된다. 기판 가동 기구(48)는, 복수의 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 수납하는 카세트(47)와, 당해 카세트(47)를 상승 및 하강시키는 카세트 구동축을 구비한다. 카세트(47)에는, 상하 방향으로 복수의 웨이퍼 수납부가 형성된다. 카세트(47)의 웨이퍼 수납부는, 우회 경로(41)측 및 로더 모듈(15)측의 2방향에서 액세스할 수 있도록 되어 있다. 또한, 이 실시 형태의 부반송 유닛(44)은, 로드락 모듈(14b)로부터 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 수취할 수 있을 정도로 아암 반송 기구를 상하동시킬 수는 있다.
부반송 유닛(44)과 퍼지 스토리지(42)의 기판 가동 기구(48)와의 사이의 웨이퍼(W)의 인수 인도는 이하와 같다. 우선, 기판 가동 기구(48)는, 카세트(47)의 수납부를 퍼지 스토리지(42)의 반입구(46)의 높이까지 상승 또는 하강시킨다. 그 사이, 부반송 유닛(44)은, 출전용의 로드락 모듈(14b)로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 수취한 웨이퍼(W)를 반입구(46)를 통과시켜 카세트(47)의 수납부에 수납한다.
퍼지 스토리지(42)의 기판 가동 기구(48)와 주반송 유닛(18)과의 사이의 웨이퍼(W)의 인수 인도는 이하와 같다. 우선, 기판 가동 기구(48)는, 카세트(47)의 수납부를 퍼지 스토리지(42)의 반출구(45)의 높이까지 상승 또는 하강시킨다. 그 사이, 주반송 유닛(18)은, 카세트(47)의 수납부로부터 웨이퍼(W)를 수취하는 동작을 진행시키고, 수취한 웨이퍼(W)를 반출구(45)를 통과시켜 로더 모듈(15) 내에 반송한다.
이 실시 형태의 기판 처리 장치에 의하면, 부반송 유닛(44) 또는 주반송 유닛(18)이 퍼지 스토리지(42)에 웨이퍼(W)를 출입하는 동작과, 기판 가동 기구(48)가 카세트를 상승 또는 하강시키는 동작을 병행하여 진행할 수 있기 때문에, 스루풋을 향샹시킬 수 있다.
도 4는, 본 발명의 제３ 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 개략 사시도를 나타낸다. 이 실시 형태의 퍼지 스토리지(52)에도, 복수의 웨이퍼(W)를 하강시키는 기판 가동 기구(53)가 형성된다. 퍼지 스토리지(52)에는, 최상부의 웨이퍼(W)에 대응하는 위치에 슬릿 형상의 반입구(54)가 형성되고, 최하부의 웨이퍼(W)에 대응하는 위치에 슬릿 형상의 반출구(55)가 형성되어 있다.
도 5의 퍼지 스토리지(52)의 평면도에 나타내는 바와 같이, 기판 가동 기구(53)는, 웨이퍼(W)의 둘레 방향으로 90도의 균등 간격을 두고 배치되는 4개의 벨트 유닛(53a∼53d)으로부터 구성된다. 4개의 벨트 유닛(53a∼53d)은, 부반송 유닛(44) 및 주반송 유닛(18)에 의한 웨이퍼(W)의 출입이 가능하도록 간격을 두고 배치된다.
도 6의 벨트 유닛의 사시도에 나타내는 바와 같이, 각 벨트 유닛(53a∼53d)은, 무단(無端) 형상의 벨트(56)와, 이 벨트(56)에 일체(一體)의 간격을 두고 부착되는 빗(櫛) 형상의 지지부(57)와, 무단 형상의 벨트(56)가 걸쳐지는 복수의 도르래(58)를 구비한다. 빗 형상의 지지부(57)는 웨이퍼(W)의 중심을 향하여 돌출되고, 그 선단부에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 빗 형상의 지지부(57)의 선단부에는, 엘라스토머 등의 웨이퍼 접촉부(59)가 부착된다. 웨이퍼 접촉부(59)와 웨이퍼(W)와의 사이에 작용하는 마찰에 의해 웨이퍼(W)를 지지한다. 벨트(56)의 재질에는 내식성이 있는 수지 재료가 이용된다. 도르래(58)를 한 방향으로 회전 구동하여, 벨트(56)를 순환시킴으로써, 복수의 지지부(57)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)를 하강시킬 수 있고, 또한 벨트(56)의 하단까지 이동한 지지부(57)을 뒤쪽으로 돌려, 벨트(56)의 상단까지 되돌릴 수 있다.
이 실시 형태의 기판 처리 장치에 의하면, 제2 실시 형태와 같이 카세트(47)를 상하동시키는 경우에 비하여, 퍼지 스토리지(52)의 높이를 훨씬 더 낮게 할 수 있다. 또한, 퍼지 스토리지(52)의 상부에 반입된 웨이퍼(W)를 하강시켜, 퍼지 스토리지(52)의 하부로부터 반출되기 때문에, 퍼지 스토리지(52)의 내부 환경을 일정하게 유지할 수 있다.
도 8은 퍼지 스토리지(52)에 있어서의 웨이퍼(W)의 이동 방향과 청정 공기의 흐름 방향을 대향시킨 예를 나타낸다. 이 예에 있어서는, 퍼지 스토리지(52)의 하단부에 웨이퍼(W)를 반입하고, 도면 중의 흰색 화살표 (1)에 나타내는 바와 같이, 복수의 웨이퍼(W)를 아래로부터 위를 향하여 천천히 상승시키고, 다른 한쪽의 스토리지(52) 내의 청정 공기를 도면 중의 화살표(2)에 나타내는 바와 같이 위로부터 아래를 향하여 흘리고 있다. 즉 복수매의 웨이퍼(W)가 이동하는 방향 (1)과 청정 공기가 흐르는 방향(2)을 반대로 하고 있다. 이 예에 의하면, 웨이퍼(W)가 상승함에 따라 서서히 퍼지 스토리지(52) 내의 환경이 좋아져, 스토리지(52)로부터 반출되기 직전의 웨이퍼(W)에 부식성 가스가 혼재하고 있지 않은 청정 공기를 흘릴 수 있기 때문에, 퍼지 스토리지(52)로부터 반출되는 웨이퍼(W)를 청정하게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 기판 처리 장치는 상기 실시 형태로 구현화되는 것에 한정되는 일은 없으며, 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능하다.
예를 들면 스루풋을 보다 향상시키기 위해, 입전용의 로드락 모듈을 2개 형성하여, 로드락 모듈로부터 트랜스퍼 모듈로 2매의 웨이퍼를 인수 인도하도록 해도 좋다. 또한 스루풋을 향상시키기 위해, 2개의 입전용의 로드락 모듈의 양측에 2개의 출전용의 로드락 모듈·우회 경로·퍼지 스토리지를 배치해도 좋다.
또한, 출전용의 로드락 모듈을 로더 모듈에 연결하고, 연결 부분에 게이트 밸브를 배치해도 좋다. 프로세스 챔버에서 부식성 가스가 생성되기 쉬운 가스종을 사용하지 않는 경우, 게이트 밸브를 열어, 출전용의 로드락 모듈로부터 로더 모듈을 통하여 후프에 처리가 끝난 웨이퍼를 되돌려도 좋다.
또한, 우회 경로에 처리가 끝난 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공기를 흘려도 좋다. 출전용의 로드락 모듈에서 처리가 끝난 웨이퍼를 냉각하는 시간을 짧게 할 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 스토리지에서 처리가 끝난 기판으로부터 생성되는 생성물을 제거할 때, 스토리지 내의 대기에 퍼지를 촉진하는 것과 같은 가스(예를 들면 증기)를 가해도 좋다. 또한, 대기가 아닌 불활성 가스(예를 들면 질소) 분위기하에서 퍼지 해도 좋다. 이 경우, 대기와의 반응이 아닌, 퍼지에 들이는 시간에 의해 처리의 조정을 행하게 된다. 대기나 불활성 가스 이외에, 질소와 산소의 혼합 가스 등의 성분이 대기에 가까운 가스를 사용해도 좋다. 스토리지 내의 압력은, 진공 처리실의 압력보다도 높으면 좋고, 상압에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼를 진공 처리하는 것에 한정되는 일 없이, 액정용 기판, 유기 EL 소자 등의 기판을 처리할 수도 있다.
11 : 기판 처리 장치
12 : 트랜스퍼 모듈
13a∼13d : 프로세스 모듈(감압 처리실)
14a : 입전용의 로드락 모듈(로드락실)
14b : 출전용의 로드락 모듈(로드락실)
15 : 로더 모듈(상압 반송실)
18 : 주반송 유닛
22a∼22c : 후프 재치대(재치대)
24, 41 : 우회 경로
26, 42, 52 : 퍼지 스토리지(스토리지)
31 : 고정 선반
32, 46, 54 : 퍼지 스토리지의 반입구
33, 45, 55 : 퍼지 스토리지의 반출구
34 : 배기 팬 유닛(배기 장치)
36, 44 : 부반송 유닛
36a : 부반송 유닛의 상하 구동축
47 : 카세트
48, 53 : 기판 가동 기구
53a∼53d : 벨트 유닛
56 : 벨트
57 : 지지부
58 : 도르래(벨트 차)
G1∼G4 : 게이트 밸브

Claims (9)

  1. 복수의 기판을 수납하는 운반 용기가 올려놓여지는 재치대와,
    기판에 대하여 감압 분위기에서 처리를 행하는 감압 처리실과,
    상기 감압 처리실과의 사이에서 기판이 인수 인도되고, 감압 분위기와 상압 분위기로 전환 가능한 로드락실과,
    상기 운반 용기에 수납된 기판을 상기 재치대로부터 상기 로드락실로 상압 분위기 중에서 반송(搬送)하는 주(主)반송 유닛을 갖는 상압 반송실과,
    처리가 끝난 기판을 상기 감압 분위기보다도 높은 압력 분위기 중에 보지(保持)하는 스토리지를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 로드락실로부터 상기 스토리지까지 상기 상압 반송실을 통과시키는 일이 없이 처리가 끝난 기판을 반송하기 위한 우회(迂回) 경로를 형성하고,
    상기 우회 경로에 상기 로드락실로부터 상기 스토리지까지 처리가 끝난 기판을 반송하는 부(副)반송 유닛을 배치하고,
    상기 상압 반송실의 상기 주반송 유닛에 의해 상기 스토리지로부터 상기 재치대의 상기 운반 용기까지 처리가 끝난 기판을 반송하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 로드락실로서, 상기 감압 처리실에 기판을 건네는 입(入)전용의 로드락실과, 상기 감압 처리실로부터 기판을 수취하는 출(出)전용의 로드락실이 형성되고,
    상기 상압 반송실의 상기 주반송 유닛은, 상기 재치대의 상기 운반 용기에 수납된 미처리의 기판을 상기 입전용의 로드락실에 반송하고,
    상기 우회 경로의 상기 부반송 유닛은, 처리가 끝난 기판을 상기 출전용의 로드락실로부터 상기 스토리지까지 반송하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 스토리지에는, 상기 우회 경로로부터 처리가 끝난 기판이 반입되는 반입구와, 상기 상압 반송실로 처리가 끝난 기판이 반출되는 반출구가 형성되고,
    상기 스토리지의 상기 반입구 및 상기 반출구에는, 이들을 개폐하는 게이트 밸브가 형성되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 스토리지에는, 상하 방향으로 복수의 처리가 끝난 기판을 수납하는 복수의 수납부를 갖는 고정 선반이 형성되고,
    상기 부반송 유닛은, 상하 방향으로 높이가 다른 수납부에 처리가 끝난 기판을 수납할 수 있도록 처리가 끝난 기판을 상하이동 시키는 상하 구동축을 갖는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 스토리지에는, 상하 방향으로 복수의 처리가 끝난 기판을 수납하는 복수의 수납부를 가짐과 함께, 복수의 수납부에 수납된 복수의 기판을 상승 및/또는 하강시키는 기판 가동 기구가 형성되고,
    상기 부반송 기구는, 일정한 높이로 상승 또는 하강한 기판 가동 기구의 수납부에 처리가 끝난 기판을 건네는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 스토리지의 상기 기판 가동 기구는, 무단(無端) 형상의 벨트와, 이 벨트에 일정한 간격을 두고 부착되고, 복수의 기판을 지지하기 위한 복수의 지지부와, 상기 벨트가 걸쳐지며, 상기 벨트를 순환시키는 도르래를 갖고,
    상기 벨트를 순환시킴으로써, 상기 복수의 지지부를 상하 방향으로 이동시킴과 함께, 상하 방향의 일단(一端)까지 이동한 보지부를 상하 방향의 타단으로 되돌리는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 스토리지의 상부로부터 하부를 향하여 대기가 흐르도록, 상기 스토리지의 하부에는 상기 스토리지 내의 대기를 배기하는 배기 장치가 형성되고,
    상기 스토리지의 상기 기판 가동 기구는, 상기 스토리지의 하부로부터 상부를 향하여 복수의 처리가 끝난 기판을 상승시키는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 재치대의 운반 용기에 수납된 미처리의 기판을, 상압 반송실의 주반송 유닛에 의해 상기 재치대로부터 상압 분위기의 로드락실로 반송하는 공정과,
    상기 로드락실로부터 감압 처리실로 미처리의 기판을 반송하여, 감압 처리실에서 기판에 대하여 처리를 행하는 공정과,
    상기 감압 처리실로부터 감압 분위기의 로드락실로 처리가 끝난 기판을 반송하는 공정과,
    상기 로드락실 내의 분위기를 감압 분위기로부터 상압 분위기로 전환하는 공정과,
    상기 로드락실로부터 스토리지로 처리가 끝난 기판을 반송하는 공정과,
    상기 스토리지에서 처리가 끝난 기판을 상기 감압 분위기보다도 높은 압력 분위기 중에 보지하는 공정과,
    상기 상압 반송실의 주반송 유닛에 의해 상기 스토리지로부터 상기 재치대의 상기 운반 용기로 처리가 끝난 기판을 반송하는 공정을 구비하는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 로드락실로부터 상기 스토리지까지 처리가 끝난 기판을 우회시키는 우회 경로의 부반송 유닛에 의해, 상기 로드락실로부터 상기 스토리지까지 상기 상압 반송실을 통과시키는 일이 없이 처리가 끝난 기판을 반송하는 공정과,
    상기 상압 반송실의 상기 주반송 유닛에 의해, 상기 스토리지로부터 상기 재치대의 상기 운반 용기로 처리가 끝난 기판을 되돌리는 공정을 형성하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 스토리지에서 처리가 끝난 기판을 상기 감압 분위기보다도 높은 압력 분위기 중에 보지하는 공정에 있어서,
    처리가 끝난 기판이 대기와 반응함으로써 생성되는 생성물을 제거하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 방법.


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