CN102024734A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，所述基板处理装置无需对常压搬运室采取大规模的防腐蚀对策，并且也不会降低生产率。设置迂回路径(24)，该迂回路径(24)用于将基板(W)在不经由作为常压搬运室的装载组件(15)的情况下从装载锁定室(14b)搬运至贮存器(26)。在该迂回路径(24)中配置有副搬运单元(36)，该副搬运单元(36)将处理完的基板(W)从装载锁定室(14b)搬运至贮存器(26)。通过该副搬运单元(36)将处理完的基板(W)从装载锁定室(14b)搬运至贮存器(26)，并通过装载组件(15)的主搬运单元(18)将处理完的基板(W)从贮存器(26)送回到载置台(22a～22c)的搬运容器中。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及对半导体晶片、液晶用基板、有机EL元件等基板实施真空处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
在制造半导体器件、FPD(Flat Panel Display；平板显示器)时，对半导体晶片(以下，简称为“晶片”)、液晶用基板等实施成膜、蚀刻、氧化、扩散等各种处理。为了以高生产率(high through-put)进行这些处理，使用称作多室系统的基板处理装置。
作为这种基板处理装置的一个例子，如图9所示，公知有以下装置，该装置包括：前开式统集盒载置台1，其用于载置前开式统集盒(FrontOpening Unified Pod)，该前开式统集盒是收纳多个晶片的搬运容器；传送组件(Transfer Module：TM)2，其具有搬运晶片W的搬运臂5，并处于真空气氛中；多个工艺组件(Process Module：PM)3，配置在该传送组件2的周围，并在真空气氛下对晶片W施加预定的处理；装载组件(Loader Module：LM)4，其具有主搬运单元，并处于常压气氛中，该主搬运单元具有搬运晶片W的搬运臂；两个装载锁定组件(Load LockModule：LLM)6a、6b，配置在装载组件4和传送组件2之间，并能够在真空气氛与常压气氛之间进行切换；以及未图示的定向器(ORT)，其被设置成与装载组件4相邻，并预调准晶片W的方向。
该基板处理装置中的晶片的搬运路径例如如下：载置在前开式统集盒载置台1上的未处理的晶片W被按照LM4→ORT→LLM6a→TM2→PM3这一顺序搬运。然后，通过工艺组件3在预定的处理气体气氛下例如施加蚀刻处理之后，处理完的晶片W被按照TM2→LLM6b→LM4→前开式统集盒载置台1这一顺序搬运。
近年来，根据所使用的处理气体的种类，有时会发生以下问题：处理完的晶片W当返回到装载组件4时与空气中的水分发生反应，向其周边释放出腐蚀性气体。另外，由于生成腐蚀性气体的反应会持续一定时间，还会发生在返回来的前开式统集盒内腐蚀性气体污染未处理的晶片的问题。举出一个例子，在工艺组件3中，有时例如对HBr气体、CI2气体等处理气体进行等离子化，对形成在晶片W上的多晶硅膜进行蚀刻。在此情况下，蚀刻处理带来的生成物(溴化硅、氯化硅等)残留在晶片W上。近年来，晶片W的设计规则变得更细化，图案的线宽也正变窄，因此副生成物容易残留在晶片W上所形成的构造之间等处。一旦将该晶片W运入处于常压气氛的装载组件4内，则溴化硅、氯化硅等与大气中的水分反应而生成溴化氢、氯化氢等腐蚀性气体并扩散，或者这些腐蚀性气体再与大气中存在微量的氨气反应而生成溴化铵、氯化铵等微粒子，而在装载组件4内扩散。
为了解决上述的问题，如图9所示，在基板处理装置上安装清洁贮存器7，该清洁贮存器7在常压气氛下临时保管处理完的晶片。由于可通过清洁贮存器7来清除处理完的晶片W由于与大气反应而生成的腐蚀性气体，因此能够防止从返回到前开式统集盒内的晶片释放出腐蚀性气体。
但是，当从装载锁定组件6b向清洁贮存器7搬运处理完的晶片W时，晶片W会通过装载组件4。装载组件4是在常压气氛下搬运晶片W的房间，因此晶片W进入装载组件4的瞬间就有可能从晶片4释放出腐蚀性气体。结果，装载组件4的金属部分例如搬运室的壁部、搬运单元等会被腐蚀，其腐蚀部分例如通过机械运动被摩擦并引起金属污染。为了防止该情况，对装载组件4实施加强排气、搬运室壁部的表面处理(TEFLON(注册商标)镀覆、氧化铝膜加工等)、耐蚀材料的选择等大规模的防腐蚀对策。
该大规模的防腐蚀对策导致装载组件的成本上升。在对近年来的基板处理装置要求低成本、可靠性高、加强安全、降低保养费等的情况下，对于装载组件，希望能够取消或减轻防腐蚀对策。为了降低腐蚀性气体对装载组件的影响，专利文献1公开了一种基板处理装置，其中，邻接装载锁定组件配置清洁贮存器，并通过装载组件的主搬运单元从装载锁定组件向清洁贮存器搬运处理完的基板。
(现有技术文献)
专利文献1：日本专利文献特开2008-53550号公报。
发明内容
(发明所要解决的问题)
但是，对于专利文献1中公开的基板处理装置来说，主搬运单元的一部分(例如，搬运晶片的搬运臂单元)与腐蚀性气体接触，在清洁贮存器中产生的腐蚀性气体可能会流入装载组件内，因此不能说是周全的防腐蚀对策。并且，由配置在装载组件上的一个主搬运单元承担从装载锁定组件向清洁贮存器搬运晶片的作业、以及将晶片从清洁贮存器送回前开式统集盒载置台的作业，因此还存在生产率下降的问题。
因此，本发明的目的在于提供一种无需对装载组件采取大规模的防腐蚀对策并且也不会降低生产率的基板处理装置及基板处理方法。
(用于解决问题的手段)
为了解决上述问题，本发明的一个方式提供一种基板处理装置，包括：载置台，载置搬运容器，该搬运容器可收纳多个基板；减压处理室，在减压气氛下对基板实施处理；装载锁定室，在该装载锁定室与所述减压处理室之间进行基板的接收和交付，并能够在减压气氛与常压气氛之间切换；大气搬运室，具有主搬运单元，该主搬运单元在常压气氛中从所述载置台向所述装载锁定室搬运收纳在所述搬运容器中的基板；以及贮存器，在压力比所述减压气氛高的气氛中保持处理完的基板；所述基板处理装置的特征在于，在所述基板处理装置中设置有迂回路径，该迂回路径将处理完的基板在不经由所述常压搬运室的情况下从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，在所述迂回路径中配置副搬运单元，该副搬运单元将处理完的基板从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，通过所述常压搬运室的所述主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器搬运至所述载置台的所述搬运容器。
本发明的另一个方式提供一种基板处理方法，包括以下步骤：通过常压搬运室的主搬运单元将收纳在载置台的搬运容器中的未处理的基板从所述载置台搬运到常压气氛下的装载锁定室；将未处理的基板从所述装载锁定室搬运到减压处理室，通过减压处理室对基板实施处理；将处理完的基板从所述减压处理室搬运到减压气氛下的装载锁定室；将所述装载锁定室内的气氛从减压气氛切换到常压气氛；将处理完的基板从所述装载锁定室搬运到贮存器中；通过所述贮存器将处理完的基板保持在压力比所述减压气氛高的气氛中；以及通过所述常压搬运室的主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器搬运到所述载置台的所述搬运容器中；所述基板处理方法的特征在于，设置以下步骤：通过迂回路径的副搬运单元将处理完的基板在不经由所述常压搬运室的情况下从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，所述迂回路径使处理完的基板从所述装载锁定室迂回至所述贮存器；以及通过所述常压搬运室的所述主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器送回到所述载置台的所述搬运容器中。
发明效果
根据本发明，由于在从装载锁定室至贮存器之间附加了使得处理完的基板不会经由常压搬运室的迂回路径，因此无需对常压搬运室采取大规模的防腐蚀对策。并且，由于使迂回路径的副搬运单元分担主搬运单元的作业，并能够使迂回路径的副搬运单元和常压搬运室的主搬运单元同时工作，因此能够提高生产率。
附图说明
图1是本发明第一实施方式中的基板处理装置的简要俯视图；
图2是上述基板处理装置的简要立体图；
图3是本发明第二实施方式中的基板处理装置的简要立体图；
图4是本发明第三实施方式中的基板处理装置的简要立体图；
图5是本发明第三实施方式中的基板处理装置的清洁贮存器的简要俯视图；
图6是支承晶片的带单元的立体图；
图7是示出带单元的支承部的顶端部的剖面图；
图8是示出使清洁空气的流向与晶片的移动方向相反的例子的清洁贮存器的简要剖面图；
图9是现有的基板处理装置的简要俯视图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明第一实施方式中的搬运组件。图1是第一实施方式中的基板处理装置的简要俯视图，图2是简要立体图。在图1中，11是单片式的基板处理装置，该基板处理装置一片一片地搬运作为处理基板的半导体晶片并对其进行预定的处理。该基板处理装置11包括：俯视时为大致五边形的传送组件(TM)12；两个工艺组件(PM)13a、13b，配置在传送组件12的一个纵侧面(图1中的Y轴方向)上；两个工艺组件13c、13d，配置在传送组件12的另一个纵侧面(图1中的Y轴方向)上；两个装载锁定组件(LLM)14a、14b，配置在传送组件12的一个横侧斜面(图1中的X轴方向)上；以及装载组件15，与装载锁定组件14a、装载锁定组件14b并排设置并用作常压搬运室。另外，装载锁定组件14a相当于专用于放入的装载锁定室，装载锁定组件14b相当于专用于取出的装载锁定室。
用作减压处理室的工艺组件13a～13d包括用于载置晶片W的晶片载置台16、用于生成等离子体的电极、以及用于供应处理气体例如溴化氢(HBr)气体的处理气体供应部。工艺组件13a～13d进行如下蚀刻处理等：通过向电极施加高频电力来对处理气体进行等离子体化，并通过该等离子体对形成在晶片W上的例如多晶硅膜进行蚀刻。
在传送组件12与工艺组件13a～13d的连结部分分别设置有闸阀。另外，在传送组件12上设置有能够水平旋转并且能够在半径方向或水平方向上伸缩的SCARA(Selective Compliance Assembly Robot Arm)式或蛙腿(Frog-leg)式的多关节型搬运臂单元17。该搬运臂单元17在各工艺组件13a～13d和装载锁定组件14a、14b之间搬运晶片W。
装载组件15呈横向为长尺寸的箱状。在装载组件15的内部配置主搬运单元18。主搬运单元18包括：X轴移动部，可沿导轨19往复移动，该导轨19在装载组件15内沿长度方向配置；旋转台20，可通过Z轴移动部水平旋转，该Z轴移动部可升降地设置在该X轴移动部上；以及多关节型臂21，设置在该旋转台20上，并能够在半径方向或水平方向上伸缩。该多关节型臂21的晶片保持部例如形成为叉状，支承晶片W的下表面周边缘部。在装载组件15上安装三个前开式统集盒载置台22a～22c。在装载组件15的与三个前开式统集盒载置台22a～22c相对应的前表面部形成有三个晶片搬入搬出口，该晶片搬入搬出口用作晶片W的投入口。
在装载组件15的顶部上安装有组合了风扇和过滤器的风扇过滤器单元(FFU)，并且在装载组件15的底面上设置有排气扇单元。排气扇单元与具有除污装置的工厂排气系统连接，在FFU与排气扇单元之间形成清洁空气的下降气流。
在装载组件15的前表面侧分别配置有载置前开式统集盒(FrontOpening Unified Pod)的前开式统集盒载置台22a～22c，该前开式统集盒是通过晶片搬入搬出口收纳了多个例如25个晶片W的搬运容器。另外，在装载组件15的长度方向上的端部(图1中的右侧表面部)配置有定向器(ORT)(未图示)，该定向器对从前开式统集盒载置台22a～22c搬入到装载组件15内的晶片W的位置进行预调准。
装载锁定组件14a、14b介于装载组件15的背表面部与传送组件12之间。在装载锁定组件14a、14b与传送组件12的连结部分分别设置有闸阀G1、G2。装载锁定组件14a、14b具有用于载置晶片W的晶片载置台23a、23b，并且构成为对该装载锁定组件14a、14b内的压力进行预定的真空气氛与常压气氛例如氮气下的常压气氛之间的切换。
装载锁定组件14a、14b分为专用于放入的装载锁定组件14a和专用于取出的装载锁定组件14b。专用于放入的装载锁定组件14a连结于装载组件15，在它们的连结部分设置有闸阀G3。另一方面，专用于取出的装载锁定组件14b未连结于装载组件15，而连结于迂回路径24。在专用于取出的装载锁定组件14b与迂回路径24的连接部分设置有闸阀G4。在专用于取出的装载锁定组件14b中设置冷却台，该冷却台用于冷却处理完的晶片W。在冷却台中形成有供冷媒流动的流道。
在装载组件15的长度方向上的端部壁上安装有作为贮存器的清洁贮存器26。该清洁贮存器26使得由于处理完的晶片W与常压气氛接触而生成的腐蚀性气体飞散。
如图2所示，在清洁贮存器26与迂回路径24的连接部分形成搬入口32，在清洁贮存器26与装载组件15的连接部分形成搬出口33。搬入口32和搬出口33以能够搬入搬出被上下方向上收纳在固定架31上的多个晶片W的方式形成为纵向长。在该纵向长的搬入口和搬出口上设置有密封清洁贮存器26的内部的闸阀。对清洁贮存器26的壁部施加TEFLON(注册商标)镀覆、氧化铝膜处理等表面处理，或者实施耐蚀材料的选定等防腐蚀对策。另外，在清洁贮存器26的底面上连接有用作排气装置的排气扇单元34，排气扇单元34与具有除污装置的工厂排气系统连接。清洁贮存器26经由排气扇单元34向工厂排气系统排出从装载组件15侧经由搬出口33流入的清洁空气。另外，也可以在清洁贮存器26的顶部上安装将风扇和过滤器组合了的风扇过滤器单元(FFU)，在清洁贮存器26的顶部的FFU与排气扇单元34之间形成清洁空气的下降气流。
在清洁贮存器26的内部配置有在上下方向上收纳多个晶片W的固定架31。在固定架31上形成多个收纳部，该收纳部在上下方向上收纳晶片W。固定架31例如包括敷设在清洁贮存器26的底面上的基台、在该基台上立设的多根支柱、以及在多根支柱的每一个上于上下方向上隔开一定间隔排列的支承部。
迂回路径24是用于从专用于取出的装载锁定组件14b向清洁贮存器26搬运处理完的晶片W的房间，与专用于取出的装载锁定组件14b、清洁贮存器26相连接。在迂回路径24与专用于取出的装载锁定组件14b的连结部分形成水平方向细长的狭缝状搬入口39，通过上述闸阀G4来开闭该搬入口39。在迂回路径24与清洁贮存器26的连接部分形成搬出口(清洁贮存器26的搬入口32)，通过未图示的闸阀来开闭该搬出口。对迂回路径24的壁部施加TEFLON(注册商标)镀覆、氧化铝膜处理等表面处理，或者实施耐蚀材料的选定等防腐蚀对策。迂回路径24的内部通过大气保持为接近常压的压力。另外，也可以在迂回路径24上设置风扇过滤器单元(FFU)和排气扇单元，使正常空气以一定风速流动。
在迂回路径24上配置副搬运单元36，该副搬运单元36从专用于取出的装载锁定组件14b向清洁贮存器26搬运处理完的晶片W。该副搬运单元36包括使晶片W上下移动的上下驱动轴36a、以及设置在上下驱动轴36a的上端部并能够水平旋转且能够在半径方向或水平方向上伸缩的多关节型臂搬运机构36b。该臂搬运机构36b的晶片保持部例如形成为叉状，支承晶片W的下表面周边缘部。
基板处理装置11包括控制部。控制部例如由计算机构成，构成为通过计算机程序来控制主搬运单元18、副搬运单元36、闸阀G1～G4等动作顺序、以及在工艺组件13a～13d中进行的真空处理的顺序等。另外，该程序存储在例如硬盘、软盘、微型光盘、磁光盘(MO)、存储卡等存储介质中，从这些存储介质下载到控制部。
下面，说明上述基板处理装置11的动作。首先，一旦从外部收纳了晶片W的前开式统集盒例如被载置在前开式统集盒载置台22a上，则前开式统集盒的盖体被摘下，未处理的晶片W通过主搬运单元18经由晶片搬入搬出口被取出，并搬入装载组件15内。然后，未处理的晶片W经过装载组件15内部而被搬运到定向器，通过该定向器进行晶片W位置的调准。接着，由主搬运单元18从定向器取出晶片W，该晶片W经过装载组件15内部被搬运到专用于放入的装载锁定组件14a。
接着，一旦未处理的晶片W被载置在专用于放入的装载锁定组件14a的晶片载置台23a上，则装载锁定组件14a内部从常压气氛切换到真空气氛。装载锁定组件14a内的未处理的晶片W被由搬运臂单元17取出，并搬入传送组件12内。然后，未处理的晶片W经过传送组件12内部被搬运到例如工艺组件13a，通过该工艺组件13a对该未处理的晶片W施加等离子体处理例如蚀刻处理。
晶片处理结束之后，由搬运臂单元17从工艺组件13a取出处理完的晶片W，该晶片W经过传送组件12被搬运到专用于取出的装载锁定组件14b。接着，从未图示的惰性气体供应源向装载锁定组件14b内导入例如氮气，将装载锁定组件14b的内部从真空气氛切换到常压气氛。装载锁定组件14b内部充满氮气，因此在返回到常压下的装载锁定组件14b内不会产生腐蚀性气体。之后，开启闸阀G4，通过副搬运单元36从专用于取出的装载锁定组件14b取出处理完的晶片W并搬运到清洁贮存器26中。
参照图2来说明通过副搬运单元36从专用于取出的装载锁定组件14b向清洁贮存器26搬运处理完的晶片W的情况。处理完的晶片W在专用于取出的装载锁定组件14b内被从冷却台稍微向上升起的举升销支承。迂回路径24内的副搬运单元36使臂搬运机构36b的晶片保持部在半径方向上伸长，将晶片保持部插入到被举升销支承的晶片W的下侧。之后，使晶片保持部上升，从装载锁定组件的举升销接收晶片W。接着，副搬运单元36将晶片W带入迂回路径24内，并使臂搬运机构36b水平旋转而使其朝向清洁贮存器26的方向。接着，副搬运单元36通过驱动上下驱动轴36a将臂搬运机构36b上升或下降至固定架31的空闲收纳部的高度处。在副搬运单元36使臂搬运机构36b上下移动的期间，清洁贮存器26的搬入口32的闸阀开启。之后，副搬运单元36使臂搬运机构36b在半径方向上伸长，将晶片W递给预定高度处的收纳部。
接着，说明清洁贮存器26中的晶片W的处理。清洁贮存器26内部被排气扇单元34始终排气，通过其负压使装载组件15内的大气经由清洁贮存器26的搬出口33流入。这里，如果在清洁贮存器26的顶部安装有风扇过滤器单元，则来自清洁贮存器26的顶部的大气就会流入清洁贮存器26内。由于对晶片W进行了等离子体蚀刻处理，而在晶片W上附着有例如溴化硅、氯化硅等，这些物质与大气中的水分反应而生成溴化氢气体、氯化氢气体，并且该溴化氢气体与大气中微量存在的氨气反应而生成溴化铵的微粒子。作为腐蚀性气体的溴化氢气体和所述微粒子随着排气流从排气扇单元34排出。为了防止在通过清洁贮存器26对晶片W进行处理的过程中腐蚀性气体从清洁贮存器26流到装载锁定组件14b、装载组件15等中，除晶片W通过时以外关闭搬入口32和搬出口33的闸阀，保持清洁贮存器26内的气密性。
为了从晶片W除去生成物，需要将晶片W尽量长时间地置于清洁贮存器26的常压气氛中。固定架31的收纳部的数量根据在清洁贮存器26中放置晶片W的时间来决定。收纳部的数量越多，使得在清洁贮存器26中放置晶片W的时间越长。
主搬运单元18将通过清洁贮存器26除去了生成物的晶片W送回例如前开式统集盒载置台22a上的前开式统集盒内，并且例如从该前开式统集盒接收下一个晶片W并搬运到装载锁定组件14a。
根据上述实施方式，将通过等离子体进行了蚀刻等处理的晶片W从专用于取出的装载锁定组件14b经由迂回路径24搬运到清洁贮存器26。然后，在清洁贮存器26内，将处理完的晶片W置于常压气氛下，使处理完的晶片W与大气成分反应，并使腐蚀性气体飞散。之后，将该晶片W搬运到装载组件15内。由于不会将产生了腐蚀性气体的晶片W搬运到装载组件15，因此无需对装载组件15内部实施大规模的防腐蚀对策。除晶片W通过时以外关闭清洁贮存器26的闸阀，由此能够防止腐蚀性气体从清洁贮存器26泄漏到装载组件15。
并且，使迂回路径24的副搬运单元36分担主搬运单元18的作业，能够使副搬运单元36和主搬运单元18同时工作，因此可提高生产率。即，在副搬运单元36将处理完的晶片W从专用于取出的装载锁定组件14b搬运至清洁贮存器26的时候，主搬运单元18可将处理完的晶片W从清洁贮存器26搬运至前开式统集盒台。
并且，当工艺组件13a～13d中的处理时间发生波动而从工艺组件13a～13d向专用于取出的装载锁定组件14b搬出晶片W的时间产生偏差时，可使清洁贮存器26对处理时间发挥缓冲作用，从而能够与处理时间的波动无关地使主搬运单元18周期性地工作。
图3是本发明第二实施方式中的基板处理装置的简要立体图。在该第二实施方式中的基板处理装置中，迂回路径41、配置于迂回路径41的副搬运单元44以及清洁贮存器42的结构与第一实施方式中的基板处理装置不同。关于装载组件15、装载锁定组件14a、14b、传送组件12的结构，与第一实施方式中的基板处理装置相同，标注相同标号而省略其说明。
在该实施方式中，清洁贮存器42的搬出口45的开口形成为水平方向上长的狭缝状，以尽量使得被腐蚀性气体污染了的空气不会从装载组件15流向清洁贮存器42。以相同的理由，清洁贮存器42的搬入口46的开口也形成为水平方向上长的狭缝状。在开闭清洁贮存器的搬入口46和搬出口45的闸阀上形成有与狭缝状的开口相对应的密封面。
与第一实施方式中的基板处理装置11不同，在配置于迂回路径41的副搬运单元44上未设置使晶片W在上下方向上移动的上下驱动轴。代替之，在清洁贮存器42上设置使多个晶片W上升和下降的基板可动机构48。基板可动机构48包括在上下方向上收纳多个晶片W的盒47、以及使该盒47上升和下降的盒驱动轴。在盒47中，在上下方向上形成多个晶片收纳部。盒47的晶片收纳部可从迂回路径41侧和装载组件15侧这两方向进行存取。另外，该实施方式的副搬运单元44能够使臂搬运机构上下移动到可从装载锁定组件14b接收处理完的晶片W的程度。
副搬运单元44与清洁贮存器42的基板可动机构48之间的晶片W接收和交付如下所述：首先，基板可动机构48使盒47的收纳部上升或下降至清洁贮存器42的搬入口46的高度。在此期间，副搬运单元44从专用于取出的装载锁定组件14b接收晶片W，将接收的晶片W经由搬入口46收纳到盒47的收纳部。
清洁贮存器42的基板可动机构48与主搬运单元18之间的晶片W接收和交付如下所述：首先，基板可动机构48使盒47的收纳部上升或下降至清洁贮存器42的搬出口45的高度。在此期间，主搬运单元18进行从盒47的收纳部接收晶片W的动作，并将接收到的晶片W经由搬出口45搬运到装载组件15内。
根据该实施方式的基板处理装置，能够同时进行副搬运单元44或主搬运单元18对清洁贮存器42取出放入晶片W的动作和基板可动机构48使盒上升或下降的动作，因此可提高生产率。
图4是本发明第三实施方式中的基板处理装置的简要立体图。在该实施方式的清洁贮存器52上也设置使多个晶片W下降的基板可动机构53。在清洁贮存器52中，在与最上部的晶片W相对应的位置形成狭缝状的搬入口54，在与最下部的晶片W相对应的位置形成狭缝状的搬出口55。
如图5中清洁贮存器52的俯视图所示，基板可动机构53包括在晶片W的圆周方向上隔开90度的均等间隔配置的四个带单元53a～53d。四个带单元53a～53d被隔开间隔配置成使得副搬运单元44和主搬运单元18能够取出放入晶片W。
如图6中带单元的立体图所示，各带单元53a～53d包括无端状的带56、在该带56上隔开一定间隔安装的梳状的支承部57、挂设无端状的带56的多个带轮58。梳状支承部57朝向晶片W中心突出，通过其顶端部支承晶片W。如图7所示，在梳状支承部57的顶端部安装弹性体等晶片接触部59。通过在晶片接触部59与晶片W之间作用的摩擦来支承晶片W。对于带56的材质，可使用具有耐蚀性的树脂材料。向一个方向旋转驱动带轮58，使带56循环，由此能够使得被多个支承部57支承的多个晶片W下降，并且能够将移动至带56的下端的支承部57向背侧调转，并返回至带56的上端。
根据该实施方式的基板处理装置，与如第二实施方式那样使盒47上下移动的情况相比，能够大大降低清洁贮存器52的高度。另外，由于使搬入在清洁贮存器52的上部的晶片W下降，从清洁贮存器52的下部搬出，因此能够将清洁贮存器52的内部环境保持恒定。
图8示出在清洁贮存器52中使晶片W的移动方向与清洁空气的流向相反的例子。在该例子中，将晶片W送到清洁贮存器52的下端部，如图中空心箭头①所示，使多个晶片W从下向上缓慢上升，另一方面使清洁贮存器52内的清洁空气如图中箭头②所示那样从上向下流动。即，使多个晶片W移动的方向①与清洁空气流动的方向②相反。根据该例子，清洁贮存器52内的环境随着晶片W上升而逐渐变好，能够向快要从清洁贮存器52搬出的晶片W吹拂未混有腐蚀性气体的清洁空气，因此能够清洁从清洁贮存器52搬出的晶片W。
本发明的基板处理装置不限于上述实施方式，可在不改变本发明宗旨的范围内进行各种变更。
例如，为了进一步提高生产率，也可以设置两个专用于放入的装载锁定组件，以从装载锁定组件向传送组件交付两个晶片。并且，为了提高生产率，也可以在两个专用于放入的装载锁定组件的两侧各配置一组专用于取出的装载锁定组件、迂回路径、清洁贮存器。
另外，也可以将专用于取出的装载锁定组件连结于装载组件，在连结部分上配置闸阀。如果在处理室中不使用容易生成腐蚀性气体的气体种类，则也可以开启闸阀，从专用于取出的装载锁定组件经由装载组件向前开式统集盒送回处理完的晶片。
并且，也可以使冷却处理完的晶片的冷却空气在迂回路径中流动。能够使得在专用于取出的装载锁定组件中冷却处理完的晶片的时间缩短，从而能够提高生产率。
并且，也可以在通过贮存器从处理完的基板除去生成的生成物时，在贮存器内的大气中加入诸如促进清洁的气体(例如，蒸气)。另外，也可以在惰性气体(例如，氮气)气氛下进行清洁，而不是在大气下进行清洁。在此情况下，根据清洁所需的时间调整处理，而不是根据与大气的反应来调整处理。除大气、惰性气体以外，也可以使用氮气与氧气的混合气体等成分与大气相近的气体。贮存器内的压力比真空处理室的压力高即可，不限于常压。
本发明的基板处理装置不限于对半导体晶片进行真空处理，也可以处理液晶用基板、有机EL元件等基板。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，包括：
载置台，载置搬运容器，该搬运容器可收纳多个基板；
减压处理室，在减压气氛下对基板实施处理；
装载锁定室，在该装载锁定室与所述减压处理室之间进行基板的接收和交付，并能够在减压气氛与常压气氛之间切换；
大气搬运室，具有主搬运单元，该主搬运单元在常压气氛中从所述载置台向所述装载锁定室搬运收纳在所述搬运容器中的基板；以及
贮存器，在压力比所述减压气氛高的气氛中保持处理完的基板；所述基板处理装置的特征在于，
在所述基板处理装置中设置有迂回路径，该迂回路径将处理完的基板在不经由所述常压搬运室的情况下从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，
在所述迂回路径中配置副搬运单元，该副搬运单元将处理完的基板从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，
通过所述常压搬运室的所述主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器搬运至所述载置台的所述搬运容器。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述装载锁定室设置有专用于放入的装载锁定室和专用于取出的装载锁定室，所述专用于放入的装载锁定室向所述减压处理室交付基板，所述专用于取出的装载锁定室从所述减压处理室接收基板，
所述常压搬运室的所述主搬运单元将收纳在所述载置台的所述搬运容器中的未处理的基板搬运到所述专用于放入的装载锁定室，
所述迂回路径的所述副搬运单元将处理完的基板从所述专用于取出的装载锁定室搬运至所述贮存器。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述贮存器中设置有搬入口和搬出口，处理完的基板经由所述搬入口从所述迂回路径搬入到所述贮存器中，处理完的基板经由所述搬出口从所述贮存器搬出到所述常压搬运室，
在所述贮存器的所述搬入口和所述搬出口上设置有开启和关闭所述搬入口和所述搬出口的闸阀。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述贮存器中设置有固定架，该固定架具有多个收纳部，该收纳部在上下方向上收纳多个处理完的基板，
所述副搬运单元具有上下驱动轴，该上下驱动轴使处理完的基板上下移动，以能够将处理完的基板收纳到上下方向上高度不同的收纳部中。
5.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述贮存器中设置有基板可动机构，该基板可动机构具有多个收纳部，并且使收纳在多个收纳部中的多个基板上升和/或下降，所述收纳部在上下方向上收纳多个处理完的基板，
所述副搬运机构向上升或下降到一定高度的基板可动机构的收纳部交付处理完的基板。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述贮存器的所述基板可动机构包括：无端状的带；多个支承部，隔开一定间隔安装在所述带上，用于支承多个基板；以及带轮，所述带被挂设在所述带轮上，所述带轮使所述带循环；
通过使所述带循环，使所述多个支承部在上下方向上移动，并且将移动至上下方向上的一端的保持部送回到上下方向上的另一端。
7.如权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述贮存器的下部设置有用于排出所述贮存器内的大气的排气装置，以使大气从所述贮存器的上部向所述贮存器的下部流动，
所述贮存器的所述基板可动机构使多个处理完的基板从所述贮存器的下部向所述贮存器的上部上升。
8.一种基板处理方法，包括以下步骤：
通过常压搬运室的主搬运单元将收纳在载置台的搬运容器中的未处理的基板从所述载置台搬运到常压气氛下的装载锁定室；
将未处理的基板从所述装载锁定室搬运到减压处理室，通过减压处理室对基板实施处理；
将处理完的基板从所述减压处理室搬运到减压气氛下的装载锁定室；
将所述装载锁定室内的气氛从减压气氛切换到常压气氛；
将处理完的基板从所述装载锁定室搬运到贮存器中；
通过所述贮存器将处理完的基板保持在压力比所述减压气氛高的气氛中；以及
通过所述常压搬运室的主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器搬运到所述载置台的所述搬运容器中；
所述基板处理方法的特征在于，设置以下步骤：
通过迂回路径的副搬运单元将处理完的基板在不经由所述常压搬运室的情况下从所述装载锁定室搬运至所述贮存器，所述迂回路径使处理完的基板从所述装载锁定室迂回至所述贮存器；以及
通过所述常压搬运室的所述主搬运单元将处理完的基板从所述贮存器送回到所述载置台的所述搬运容器中。
9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述通过所述贮存器将处理完的基板保持在压力比所述减压气氛高的气氛中的步骤中，除去由于处理完的基板与大气反应而生成的生成物。
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