TWI455231B - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

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Description

基板處理裝置及方法
本發明關於一種對半導體晶圓、液晶用基板、有機EL元件等基板實施真空處理之基板處理裝置及方法。
在製造半導體元件或FPD(Flat Panel Display)時，係對半導體晶圓(以下，單純稱為晶圓)或液晶用基板等實施成膜、蝕刻、氧化、擴散等各種處理。為了能夠以高產能進行該等處理，便使用稱為多處理室(multi-chamber)系統之基板處理裝置。
作為這類基板處理裝置的一例，如圖9所示，已知有具有以下組件者：載置有收納複數個晶圓的運送容器(晶圓傳送盒；Front Opening Unified Pod)之晶圓傳送盒載置台1；具有搬送晶圓W的搬送臂5，並在真空氛圍下之轉移模組2(Transfer Module：TM)；配置在該轉移模組2周圍，並於真空氛圍下對晶圓W施予特定處理之複數個製程模組3(Process Module：PM)；具有具備搬送晶圓W的搬送臂之主搬送單元，並在常壓氛圍下之載置模組4(Loader Module：LM)；配置於載置模組4及轉移模組2之間，並可切換於真空氛圍與常壓氛圍之2個裝載模組6a、6b(Load Lock Module：LLM)；以及鄰接設置於載置模組4，並對晶圓W的方向進行預對位之對準器(ORT)(未圖示)。
該基板處理裝置之晶圓搬送路徑如以下所述。晶圓傳送盒載置台1所載置之未處理的晶圓W係依下述順序被搬送：LM4→ORT→LLM6a→TM2→PM3。然後，於製程模組3在特定處理氣體氛圍下實施例如蝕刻處理後，處理結束的晶圓W會依下述順序被搬送：TM2→LLM6b→LM4→晶圓傳送盒載置台1。
近年來，依所使用之製程氣體種類的不同，會有處理結束的晶圓W回到載置模組4時與空氣中的水分反應，而於其周邊放出腐蝕性氣體之問題產生。又，由於產生腐蝕性氣體的反應會持續一段時間，故亦有回到晶圓傳送盒內的腐蝕性氣體會污染到未處理晶圓之問題產生。以下顯示其中一例：於製程模組3中，有將例如HBr氣體或Cl2 氣體等處理氣體電漿化，來對晶圓W上所形成之聚矽膜進行蝕刻的情況。此情況下，伴隨著蝕刻處理，會有生成物(溴化矽或氯化矽等)殘留在晶圓W上。近年來，由於晶圓W的設計規則(design rule)更加微細化，且圖樣的線寬亦更加狹窄，故副生成物會容易殘留在晶圓W上所形成之構造的間隙等。當將該晶圓W搬入常壓氛圍下的載置模組4時，溴化矽或氯化矽等會與大氣中的水分反應而成為溴化氫或氯化氫等腐蝕性氣體並飛散，或該等腐蝕性氣體會更進一步地與大氣中存在的微量氨反應而成為溴化銨或氯化銨等微粒子並擴散至載置模組4內。
為解決上述問題，如圖9所示，基板處理裝置便內建有於常壓氛圍下暫時保管處理結束的晶圓之吹淨儲存室7。由於可在吹淨儲存室7去除處理結束的晶圓W與大氣反應所生成之腐蝕性氣體，故可防止從回到晶圓傳送盒的晶圓放出腐蝕性氣體。
然而，將處理結束的晶圓W從裝載模組6b搬送至吹淨儲存室7時，晶圓W會通過載置模組4。由於載置模組4為在常壓氛圍下搬送晶圓W之房間，故晶圓W進入載置模組4的瞬間，會有從晶圓W放出腐蝕性氣體之虞。其結果為，載置模組4的金屬部分(例如搬送室壁部或搬送單元)便會被腐蝕，該腐蝕部分例如會因機械運動而摩擦引起金屬污染。為防止上述情況發生，便對載置模組4施予強化排氣、對搬送室壁部表面實施特殊處理(塗佈Teflon(註冊商標)或耐酸鋁加工)、選擇耐蝕性材料等大規模防腐蝕對策。
該大規模防腐蝕對策會導致載置模組的成本增加。近年來，由於基板處理裝置被要求低成本、高可靠度、強化安全、低維修費等，因此載置模組便被期望能夠不需或減輕防腐蝕對策。
為了降低因腐蝕性氣體所造成對載置模組的影響，專利文獻(日本特開2008-53550號公報)中揭示了一種使吹淨儲存室鄰接配置於裝載模組，並藉由載置模組的主搬送單元來將處理結束的基板從裝載模組搬送至吹淨儲存室之基板處理裝置。
然而，上述專利文獻所記載之基板處理裝置中，由於主搬送單元的一部份(例如搬送晶圓之搬送臂單元)仍會接觸到腐蝕性氣體，而有吹淨儲存室所產生之腐蝕性氣體流入至載置模組之虞，故不能說是完善的防腐蝕對策。並且，載置模組所配置之一個主搬送單元要負擔將晶圓從裝載模組搬送至吹淨儲存室之作業，與將晶圓從吹淨儲存室傳送回晶圓傳送盒載置台之作業，故亦有產能降低之問題。
因此，本發明之目的在於提供一種不需對載置模組施予大規模防腐蝕對策，且產能不會降低之基板處理裝置及方法。
為解決上述課題，本發明其中一樣態為一種基板處理裝置，具有：載置台，係載置有收納複數個基板之運送容器；減壓處理室，係在減壓氛圍下對基板施予處理；裝載室，係與該減壓處理室之間進行基板的收授，並可切換於減壓氛圍與常壓氛圍；大氣搬送室，係具有在常壓氛圍中將收納於該運送容器之基板從該載置台搬送至該裝載室的主搬送單元；及儲存室，係將處理結束的基板維持在較該減壓氛圍要高壓力之氛圍中；其特徵在於：設置有用以將處理結束的基板從該裝載室不會通過該常壓搬送室地搬送至該儲存室之迂迴路徑；該迂迴路徑係配置有將處理結束的基板從該裝載室搬送至該儲存室的副搬送單元；藉由該常壓搬送室的該主搬送單元來將處理結束的基板從該儲存室搬送至該載置台的該運送容器。
本發明另一樣態為一種基板處理方法，係具有以下步驟：藉由常壓搬送室的主搬送單元來將收納於載置台的運送容器之未處理基板從該載置台搬送至常壓氛圍的裝載室之步驟；將未處理基板從該裝載室搬送至減壓處理室，並於減壓處理室對基板施予處理之步驟；將處理結束的基板從該減壓處理室搬送至減壓氛圍的裝載室之步驟；將該裝載室內的氛圍從減壓氛圍切換至常壓氛圍之步驟；將處理結束的基板從該裝載室搬送至儲存室之步驟；利用該儲存室來使處理結束的基板維持在較該減壓氛圍要高壓力的氛圍中之步驟；該藉由該常壓搬送室的主搬送單元來將處理結束的基板從該儲存室搬送至該載置台的該運送容器之步驟；其特徵在於係設置有以下步驟：藉由使處理結束的基板從該裝載室至該儲存室迂迴前進之迂迴路徑的副搬送單元，來將處理結束的基板從該裝載室不會通過該常壓搬送室地搬送至該儲存室之步驟；藉由該常壓搬送室的該主搬送單元來使處理結束的基板從該儲存室回到該載置台的該運送容器之步驟。
依據本發明，由於裝載室至儲存室之間係附加有能夠讓處理結束的基板不需通過常壓搬送室之迂迴路徑，故不需對常壓搬送室施予大規模防腐蝕對策。並且，由於迂迴路徑的副搬送單元會分擔主搬送單元的作業，且迂迴路徑的副搬送單元與常壓搬送室的主搬送單元可並行地動作，故可提高產能。
以下，參照添附圖式，針對本發明第1實施形態之搬送模組加以說明。圖1為第1實施形態之基板處理裝置的概略平面圖，圖2為概略立體圖。圖1中，元件符號11為一片片地搬送處理基板(半導體晶圓，以下稱為晶圓W。)並施予特定處理之枚葉式基板處理裝置。該基板處理裝置11具有：平面略呈五角形的轉移模組(TM)12；配置於轉移模組12一側的縱側面(圖1中的Y軸方向)之2個製程模組(PM)13a、13b；配置於轉移模組12另一側的縱側面(圖1中的Y軸方向)之2個製程模組13c、13d；配置於轉移模組12一側的橫側斜面(圖1中的X軸方向)之2個裝載模組(LLM)14a、14b；以及與裝載模組14a及裝載模組14b並列般地設置而作為常壓搬送室的載置模組15。此外，裝載模組14a係相當於置入專用的裝載室，裝載模組14b係相當於移出專用的裝載室。
作為減壓搬送室的製程模組13a~13d係具有用以載置晶圓W之晶圓載置台16、電漿產生用電極、及用以供給處理氣體(例如溴化氫(HBr)氣體)之處理氣體供給部。藉由對電極施加高頻電力來將處理氣體電漿化，並藉由該電漿來進行蝕刻晶圓W上所形成之例如聚矽膜的蝕刻處理等。
轉移模組12與製程模組13a~13d的連結部分分別設置有閘閥。又，轉移模組12係設置有可水平旋轉且可向半徑方向或水平方向伸縮之無向量型(scalar)或蛙腳(frog leg)式多關節型搬送臂單元17。該搬送臂單元17係於各製程模組13a~13d與裝載模組14a、14b間搬送晶圓W。
載置模組15為橫向的長條箱狀。載置模組15的內部配置有主搬送單元18。主搬送單元18係具有：可沿著配置於載置模組15內的長邊方向之導引軌道19往復移動之X軸移動部、透過可昇降地設置於該X軸移動部上之Z軸移動部而可水平旋轉之旋轉台20、及設置於該旋轉台20上且可向半徑方向或水平方向伸縮之多關節型臂21。該多關節型臂21的晶圓保持部係形成為例如叉狀，並可支撐晶圓W下表面的周緣部。載置模組15內建有3個晶圓傳送盒載置台22a~22c。對應於載置模組15的3個晶圓傳送盒載置台22a~22c之前面部係形成有作為晶圓W投入口的3個晶圓搬出入口。
載置模組15的頂部裝設有風扇與過濾器所組合而成之風扇過濾器單元(FFU)，並於底面設置有排氣扇單元。排氣扇單元係連接於具有除害裝置之工廠排氣系統，而於FFU與排氣扇單元之間則會形成清潔空氣的下降氣流。
載置模組15的前面側處分別配置有經由晶圓搬出入口來載置收納有複數片(例如25片)晶圓W的運送容器(晶圓傳送盒；Front Opening Unified Pod)之晶圓傳送盒載置台22a~22c。又，載置模組15長度方向的端部(圖1中的右側面部)處係配置有對從晶圓傳送盒載置台22a~22c被搬入至載置模組15內的晶圓W之位置進行預對位之對準器(ORT)(未圖示)。
裝載模組14a、14b係介設於載置模組15的背面部與轉移模組12之間。裝載模組14a、14b與轉移模組12的連結部分分別設置有閘閥G1、G2。裝載模組14a、14b係具有用以載置晶圓W的晶圓載置台23a、23b，並可將該裝載模組14a、14b內的壓力切換於特定真空氛圍與常壓氛圍(例如氮氣所形成之常壓氛圍)之間之結構。
裝載模組14a、14b分為置入專用的裝載模組14a與移出專用的裝載模組14b。置入專用的裝載模組14a係連結於載置模組15，而於該等連結部分設置有閘閥G3。另一方面，移出專用的裝載模組14b並未連結於載置模組15，而係連結於迂迴路徑24。移出專用的裝載模組14b與迂迴路徑24的連接部分則設置有閘閥G4。移出專用的裝載模組14b設置有用以冷卻處理結束的晶圓W之冷卻台。冷卻台係形成有供冷媒流通之流道。
載置模組15長度方向的端面壁內建有儲存室(吹淨儲存室26)。該吹淨儲存室26係藉由使處理結束的晶圓W接觸於常壓氛圍來使所生成之腐蝕性氣體飛散。
如圖2所示，吹淨儲存室26與迂迴路徑24的連接部分形成有搬入口32，吹淨儲存室26與載置模組15的連接部分則形成有搬出口33。為了能夠將收納在上下方向的複數個晶圓W搬出入至固定架31，搬入口32及搬出口33係形成為縱長形。該縱長形搬入口及搬出口係設置有可使吹淨儲存室26的內部為氣密狀態之閘閥。吹淨儲存室26的壁部處實施有Teflon(註冊商標)塗佈、耐酸鋁處理等之表面處理，或耐蝕性材料的選定等之防腐蝕對策。又，吹淨儲存室26的底面連接有作為排氣裝置之排氣扇單元34，排氣扇單元34係連接於具有除害裝置之工廠排氣系統。吹淨儲存室26係將從載置模組15側經由搬出口33而流入之清潔空氣，透過排氣扇單元34來排出至工廠排氣系統。此外，吹淨儲存室26的頂部亦可裝設有風扇與過濾器所組合而成之風扇過濾器單元(FFU)，而於吹淨儲存室26頂部的FFU與排氣扇單元34之間形成有清潔空氣的下降氣流。
吹淨儲存室26的內部配置有沿上下方向收納複數個晶圓W之固定架31。固定架31係形成有沿上下方向收納晶圓W之複數個收納部。固定架31係由鋪設於例如吹淨儲存室26的底面之基台、從該基台直立設置之複數根支柱、及分別沿著複數根支柱的上下方向間隔著特定間隔而配列之支撐部所構成。
迂迴路徑24為將處理結束的晶圓W從裝載模組14b搬送至吹淨儲存室26之移出專用的房間，並連接於移出專用的裝載模組14b及吹淨儲存室26。迂迴路徑24與移出專用的裝載模組14b之連結部分係形成有水平方向為細長狹縫狀的搬入口39，該搬入口39係藉由上述閘閥G4而開閉。迂迴路徑24與吹淨儲存室26的連接部分形成有搬出口(吹淨儲存室26的搬入口32)，該搬出口係藉由閘閥(未圖示)而開閉。迂迴路徑24的壁部處實施有Teflon(註冊商標)塗佈、耐酸鋁處理等之表面處理，或耐蝕性材料的選定等之防腐蝕對策。迂迴路徑24的內部係藉由大氣而維持於接近常壓的壓力。此外，亦可於迂迴路徑24設置有風扇過濾器單元(FFU)及排氣扇單元，來使正常空氣以特定的風速流通。
迂迴路徑24係配置有將處理結束的晶圓W從移出專用的裝載模組14b搬送至吹淨儲存室26之副搬送單元36。該副搬送單元36係具有：可將晶圓W上下移動之上下驅動軸36a；以及設置於上下驅動軸36a的上端部，並可水平旋轉且可向半徑方向或水平方向伸縮之多關節型臂搬送機構36b。該臂搬送機構36b的晶圓保持部係形成為例如叉狀，而可支撐晶圓W下表面的周緣部。
基板處理裝置11係具有控制部。控制部由例如電腦所構成，係藉由電腦程式來控制主搬送單元18、副搬送單元36、閘閥G1~G4等之動作序列與於製程模組13a~13d所進行之真空處理的序列等。此外，該程式係儲存在例如硬碟、軟碟、光碟、磁光碟(MO)、記憶卡等之記憶媒體，而自該等記憶媒體被下載至控制部。
接下來，針對上述基板處理裝置11的動作加以說明。首先，當從外部收納有晶圓W之晶圓傳送盒被載置於例如晶圓傳送盒載置台22a後，卸下晶圓傳送盒的蓋體並經由晶圓搬出入口來藉由主搬送單元18來將未處理的晶圓W取出並搬入至載置模組15內。然後未處理的晶圓W係通過載置模組15內而被搬送至對準器，並於該對準器進行晶圓W位置的對位。接著，藉由主搬送單元18來將晶圓W從對準器取出，該晶圓W係經由載置模組15內而被搬送至置入專用的裝載模組14a。
接著，將未處理的晶圓W載置於置入專用之裝載模組14a的晶圓載置台23a後，將裝載模組14a內從常壓氛圍切換至真空氛圍。利用搬送臂單元17來將裝載模組14a內的未處理晶圓W取出，並搬入至轉移模組12內。然後未處理的晶圓W係通過轉移模組12內而被搬送至例如製程模組13a，並於該製程模組13a實施電漿處理(例如蝕刻處理)。
晶圓的處理結束後，利用搬送臂單元17來將處理結束的晶圓W從製程模組13a取出，該晶圓W係通過轉移模組12而被搬送至移出專用的裝載模組14b。接著，從非活性氣體供給源(未圖示)來將例如氮氣灌入裝載模組14b內，並將裝載模組14b內從真空氛圍切換至常壓氛圍。由於裝載模組14b的內部充滿氮氣，故被回復到常壓的裝載模組14b內不會產生腐蝕性氣體。之後，打開閘閥G4，並藉由副搬送單元36來將處理結束的晶圓W從移出專用的裝載模組14b取出並搬送至吹淨儲存室26。
參照圖2，針對藉由副搬送單元36來將處理結束的晶圓W從移出專用的裝載模組14b搬送至吹淨儲存室26的樣態加以說明。處理結束的晶圓W係於移出專用的裝載模組14b內，被支撐於自冷卻台僅微微升起之升降銷(lift pin)。迂迴路徑24內的副搬送單元36係使臂搬送機構36b的晶圓保持部向半徑方向伸長，來使晶圓保持部插入至升降銷所支撐之晶圓W的下側。之後，上昇晶圓保持部，並從裝載模組的升降銷收取晶圓W。接下來，副搬送單元36係將晶圓W吸引入迂迴路徑24內，並使臂搬送機構36b水平旋轉而朝向吹淨儲存室26的方向。接下來，副搬送單元36會驅動上下驅動軸36a來使臂搬送機構36b上昇或下降至固定架31之空收納部的高度位準。在副搬送單元36使臂搬送機構36b上下移動的期間打開吹淨儲存室26之搬入口32的閘閥。之後，副搬送單元36會使臂搬送機構36b向半徑方向伸長，來將晶圓W傳遞至特定高度位準的收納部。
接下來，針對吹淨儲存室26之晶圓W的處理加以敘述。吹淨儲存室26內係藉由排氣扇單元34而經常地排氣，藉由其負壓並通過吹淨儲存室26的搬出口33來使載置模組15內的大氣流入。此處，當吹淨儲存室26的頂部裝設有風扇過濾器單元時，則大氣會從吹淨儲存室26的頂部流入。晶圓W會因電漿蝕刻處理而附著有例如溴化矽、氯化矽等，該等會與大氣中的水分反應而產生溴化氫氣體或氯化氫氣體，又，該臭化氫氣體會與大氣中的微量氨反應而產生溴化銨的微粒子。腐蝕性氣體(溴化氫氣體)與上述微粒子會隨著排氣氣流而從排氣扇單元34被排出。為了防止在吹淨儲存室26之晶圓W的處理中，腐蝕性氣體流出至裝載模組14b或載置模組15，除了晶圓W通過時以外，搬入口32及搬出口33的閘閥皆為關閉狀態，以維持吹淨儲存室26內的氣密狀態。
為了自晶圓W去除生成物，必須盡可能地將晶圓W長時間置放在吹淨儲存室26的常壓氛圍中。固定架31的收納部的個數係依將晶圓W置放在吹淨儲存室26中的時間而決定。收納部的個數愈多，則將晶圓W置放在吹淨儲存室26中的時間愈長。
主搬送單元18係使藉由儲存室26而去除生成物之晶圓W回到例如晶圓傳送盒載置台22a上的晶圓傳送盒內，且更進一步地從例如該晶圓傳送盒收取下一個晶圓W並搬送至裝載模組14a。
依據上述的實施形態，來將利用電漿而進行蝕刻等處理後的晶圓W從移出專用的裝載模組14b經由迂迴路徑24搬送至吹淨儲存室26。然後，於吹淨儲存室26內將處理結束的晶圓W放置在常壓氛圍下，並使處理結束的晶圓W與大氣成分反應來使腐蝕性氣體飛散後，再將該晶圓W搬送至載置模組15內。由於產生腐蝕性氣體之晶圓W不會被搬送至載置模組15，故不需對載置模組15內施予大規模防腐蝕對策。藉由除了晶圓W通過時以外皆將吹淨儲存室26的閘閥關閉，故可防止腐蝕性氣體從吹淨儲存室26洩漏至載置模組15。
並且，迂迴路徑24的副搬送單元36亦會分擔主搬送單元18的作業，故可使副搬送單元36與主搬送單元18並行地動作，從而可提高產能。亦即，在副搬送單元36將處理結束的晶圓W從移出專用的裝載模組14b搬送至吹淨儲存室26的當中，主搬送單元18便可將處理結束的晶圓W從吹淨儲存室26搬送至晶圓傳送盒台。
再者，當於製程模組13a~13d所進行之製程時間不一定，而使得從製程模組13a~13d將晶圓W搬出至移出專用的裝載模組14b的時間有所偏差時，可使吹淨儲存室26作為製程時間的緩衝而發揮作用，並可無關於製程時間的不一定來使主搬送單元18週期性地動作。
圖3係顯示本發明第2實施形態之基板處理裝置的概略立體圖。該第2實形態之基板處理裝置中，迂迴路徑41、配置於迂迴路徑41之副搬送單元44及吹淨儲存室42的結構與第1實施形態之基板處理裝置相異。由於載置模組15、裝載模組14a、14b及轉移模組12的結構與第1實施形態之基板處理裝置相同，故賦予相同符號而省略其說明。
此實施形態中，吹淨儲存室42之搬出口45的開口係於水平方向而形成為長狹縫狀，以使吹淨儲存室42被腐蝕性氣體污染之空氣盡可能地不會從載置模組15流出。基於上述相同理由，吹淨儲存室42之搬入口46的開口亦係於水平方向而形成為長狹縫狀。用以開閉吹淨儲存室的搬入口46及搬出口45之閘閥係形成有與狹縫狀開口相對應之密封面。
配置於迂迴路徑41之副搬送單元44中，與第1實施形態之基板處理裝置11相異地並未設置有使晶圓W沿上下方向移動之上下驅動軸。將之取而代之，而係於吹淨儲存室42設置有使複數個晶圓W上昇及下降之基板可動機構48。基板可動機構48係具有沿上下方向收納複數個晶圓W之晶圓匣盒47，與使該晶圓匣盒47上昇及下降之晶圓匣盒驅動軸。晶圓匣盒47係於上下方向形成有複數個晶圓收納部。晶圓匣盒47的晶圓收容部可從迂迴路徑41側及載置模組15側的2個方向存取晶圓。此外，該實施形態的副搬送單元44係能夠從裝載模組14b收取處理結束的晶圓W之程度而使臂搬送機構上下移動。
副搬送單元44與吹淨儲存室42的基板可動機構48之間之晶圓W的收授如下所述。首先，基板可動機構48係使晶圓匣盒47的收納部上昇或下降至吹淨儲存室42之搬入口46的高度。於此期間，副搬送單元44係從移出專用的裝載模組14b收取晶圓W，並使所收取之晶圓W通過搬入口46而收納於晶圓匣盒47的收納部。
吹淨儲存室42的基板可動機構48與主搬送單元18之間之晶圓W的收授如下所述。首先，基板可動機構48係使晶圓匣盒47的收納部上昇或下降至吹淨儲存室42之搬出口45的高度。於此期間，主搬送單元18係進行從晶圓匣盒47的收納部收取晶圓W的動作，並使所收取之晶圓W通過搬出口45而搬送至載置模組15內。
依據本實施形態之基板處理裝置，由於可並行地進行利用副搬送單元44或主搬送單元18來將晶圓W取出或置入吹淨儲存室42之動作，與利用基板可動機構48來將晶圓匣盒上昇或下降之動作，故可提高產能。
圖4係顯示本發明第3實施形態之基板處理裝置的概略立體圖。本實施形態之吹淨儲存室52亦設置有使複數個晶圓W降下之基板可動機構53。吹淨儲存室52係於對應於最上部的晶圓W之位置處形成有狹縫狀搬入口54，而於對應於最下部的晶圓W之位置處形成有狹縫狀搬出口55。
如圖5之吹淨儲存室52的平面圖所示，基板可動機構53係由沿晶圓W的圓周方向間隔90度的相等間隔所配置之4個環帶單元53a~53d所構成。4個環帶單元53a~53d係間隔地配置，以便能夠利用副搬送單元44及主搬送單元18來進行晶圓W的取出或置入。
如圖6之環帶單元的立體圖所示，各環帶單元53a~53d係具有無接頭的環帶56、相隔有間隔而一體地的裝設於該環帶56之櫛狀支撐部57、及將無接頭的環帶56架起之複數個環帶車58。櫛狀支撐部57係朝晶圓W中心突出，而於其前端部支撐晶圓W。如圖7所示，櫛狀支撐部57的前端部處裝設有合成橡膠(elastomer)等晶圓接觸部59。藉由晶圓接觸部59與晶圓W之間作用的摩擦來支撐晶圓W。環帶56的材質係使用具耐蝕性之樹脂材料。藉由將環帶車58往一方向迴轉驅動，來使環帶56循環，如此則可使複數個支撐部57所支撐之複數個晶圓W降下，又，使移動至環帶56下端之支撐部57向內側迴轉，而回到環帶56的上端。
相較於如第2實施形態般使得晶圓匣盒47上下移動的情況，依據本實施形態之基板處理裝置則可使吹淨儲存室52的高度大大地降低。又，由於可使被搬入至吹淨儲存室52上部之晶圓W降下，並從吹淨儲存室52下部搬出，故可將吹淨儲存室52的內部環境保持於一定。
圖8係顯示使吹淨儲存室52之晶圓W的移動方向與清潔空氣的流動方向互相對向之範例。該範例中，係將晶圓W搬入至吹淨儲存室52的下端部，並如圖中之白色中空的箭頭(1)所示般地使複數個晶圓W從下朝上地慢慢上昇，而另一方面，則使儲存室52內的清潔空氣如圖中之箭頭(2)所示般地從上朝下流動。亦即複數片晶圓W的移動方向(1)與清潔空氣的流動方向(2)為相反。依據該範例，隨著晶圓W的上昇，則吹淨儲存室52內的環境會慢慢地越來越良好，並可使未混有腐蝕性氣體的清潔空氣流過從儲存室52被搬出瞬間的晶圓W，故可使從吹淨儲存室52被搬出之晶圓W為清潔狀態。
此外，本發明之基板處理裝置不限於上述實施形態之範例，可在不改變本發明要旨之範圍內做各種變化。
例如為了更加提高產能，亦可設置2個置入專用的裝載模組，來從裝載模組向轉移模組收授2片晶圓。再者，為了提高產能，亦可在2個置入專用的裝載模組兩側配置有2個移出專用的裝載模組、迂迴路徑與吹淨儲存室。
又，亦可使移出專用的裝載模組連結於載置模組，並於連結部分配置有閘閥。當未使用容易在製程處理室產生腐蝕性氣體的氣體種類時，則亦可打開閘閥，而從移出專用的裝載模組來使處理結束的晶圓經由載置模組回到晶圓傳送盒。
再者，亦可將用以冷卻處理結束的晶圓之冷卻空氣導入迂迴路徑。如此則可縮短於移出專用的裝載模組將處理結束的晶圓冷卻之時間，從而可提高產能。
再者，於儲存室將所生成之生成物自處理結束的基板去除時，亦可添加能夠促進儲存室內之大氣的吹淨之氣體(例如蒸氣)。又，亦可在非大氣下，而係於非活性氣體(例如氮)氛圍下進行吹淨。此情況下，並非與大氣反應，而係藉由吹淨所花費的時間來進行處理的調整。除了大氣或非活性氣體以外，亦可使用氮與氧的混合氣體等接近大氣之氣體的成分。儲存室內的壓力只要高於真空處理室的壓力即可，不限於常壓。
本發明之基板處理裝置不限對半導體晶圓進行真空處理，而亦可處理液晶用基板、有機EL元件等基板。
1．．．晶圓傳送盒載置台
2．．．轉移模組
3．．．製程模組
4．．．載置模組
5．．．搬送臂
6a、6b．．．裝載模組
7．．．吹淨儲存室
11．．．基板處理裝置
12．．．轉移模組
13a~13d．．．製程模組(減壓處理室)
14a．．．置入專用的裝載模組(裝載室)
14b．．．移出專用的裝載模組(裝載室)
15．．．載置模組(常壓搬送室)
16．．．晶圓載置台
17．．．搬送臂單元
18．．．主搬送單元
19．．．導引軌道
20．．．旋轉台
21．．．多關節型臂
22a~22c．．．晶圓傳送盒載置台(載置台)
23a、23b．．．晶圓載置台
24、41．．．迂迴路徑
26、42、52．．．吹淨儲存室(儲存室)
31．．．固定架
32、46、54．．．吹淨儲存室的搬入口
33、45、55．．．吹淨儲存室的搬出口
34．．．排氣扇單元(排氣裝置)
36、44．．．副搬送單元
36a．．．副搬送單元的上下驅動軸
36b．．．臂搬送機構
39．．．搬入口
47．．．晶圓匣盒
48、53．．．基板可動機構
53a~53d．．．環帶單元
56．．．環帶
57．．．支撐部
58．．．環帶車
59．．．晶圓接觸部
W．．．晶圓
G1~G4．．．閘閥
圖1為本發明第1實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖2為上述基板處理裝置的概略立體圖。
圖3為本發明第2實施形態之基板處理裝置的概略立體圖。
圖4為本發明第3實施形態之基板處理裝置的概略立體圖。
圖5為本發明第3實施形態之基板處理裝置的吹淨儲存室之概略平面圖。
圖6為支撐有晶圓環帶單元之立體圖。
圖7為顯示環帶單元之支撐部的前端部之剖面圖。
圖8為顯示清潔空氣的流動方向與晶圓的移動方向相反的範例之吹淨儲存室的概略剖面圖。
圖9為習知基板處理裝置的概略平面圖。
11．．．基板處理裝置
12．．．轉移模組
13a~13d．．．製程模組(減壓處理室)
14a．．．置入專用的裝載模組(裝載室)
14b．．．移出專用的裝載模組(裝載室)
15．．．載置模組(常壓搬送室)
16．．．晶圓載置台
17．．．搬送臂單元
18．．．主搬送單元
19．．．導引軌道
20．．．旋轉台
21．．．多關節型臂
22a~22c．．．晶圓傳送盒載置台(載置台)
23a、23b．．．晶圓載置台
24．．．迂迴路徑
26．．．吹淨儲存室(儲存室)
36．．．副搬送單元
W．．．晶圓
G1~G4．．．閘閥

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，具有：載置台，係載置有收納複數個基板之運送容器；減壓處理室，係在減壓氛圍下對基板施予處理；裝載室，係與該減壓處理室之間進行基板的收授，並可切換於減壓氛圍與常壓氛圍；常壓搬送室，係具有在常壓氛圍中將收納於該運送容器之基板從該載置台搬送至該裝載室的主搬送單元；及儲存室，係將處理結束的基板維持在較該減壓氛圍要高壓力之氛圍中；其特徵在於：設置有用以將處理結束的基板從該裝載室不會通過該常壓搬送室地搬送至該儲存室之迂迴路徑；該迂迴路徑係配置有將處理結束的基板從該裝載室搬送至該儲存室的副搬送單元；藉由該常壓搬送室的該主搬送單元來將處理結束的基板從該儲存室搬送至該載置台的該運送容器。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該裝載室係設置有將基板傳遞至該減壓處理室之置入 專用的裝載室，與從該減壓處理室收取基板之移出專用的裝載室；該常壓搬送室的該主搬送單元係將收納於該載置台的該運送容器之未處理基板搬送至該置入專用的裝載室；該迂迴路徑的該副搬送單元係將處理結束的基板從該移出專用的裝載室搬送至該儲存室。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中該儲存室係設置有供處理結束的基板自該迂迴路徑搬入之搬入口，及供處理結束的基板搬出至該常壓搬送室之搬出口；該儲存室之該搬入口及該搬出口係設置有用以開閉該等搬入口及搬出口之閘閥。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中該儲存室係設置有固定架，該固定架係具有沿上下方向收納複數個處理結束的基板之複數個收納部；該副搬送單元係具有上下驅動軸，該上下驅動軸係使處理結束的基板上下移動以便能將處理結束的基板收納於上下方向高度相異的收納部。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板處理裝置，其中該儲存室係具有沿上下方向收納複數個處理結束的基板之複數個收納部，並設置有使收納於複數個收納部之複數個基板上昇及/或下降之基板 可動機構；該副搬送單元係將處理結束的基板傳遞至上昇或下降至特定高度之基板可動機構的收納部。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置，其中該儲存室的該基板可動機構具有：無接頭的環帶、相隔特定間隔地裝設於該環帶而用以支撐複數個基板之複數個支撐部、及懸掛有該環帶而用以使該環帶循環之環帶車；藉由使該環帶循環，來使該複數個支撐部沿上下方向移動，並使移動至上下方向的一端之保持部回到上下方向的另一端。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置，其中該儲存室的下部係設置有使該儲存室內的大氣排出之排氣裝置，以使大氣從該儲存室的上部流向下部；該儲存室的該基板可動機構係將複數個處理結束的基板從該儲存室的下部朝向上部上昇。
  8. 一種基板處理方法，係具有以下步驟：藉由常壓搬送室的主搬送單元來將收納於載置台的運送容器之未處理基板從該載置台搬送至常壓氛圍的裝載室之步驟；將未處理基板從該裝載室搬送至減壓處理室，並於減壓處理室對基板施予處理之步驟；將處理結束的基板從該減壓處理室搬送至減 壓氛圍的裝載室之步驟；將該裝載室內的氛圍從減壓氛圍切換至常壓氛圍之步驟；將處理結束的基板從該裝載室搬送至儲存室之步驟；利用該儲存室來使處理結束的基板維持在較該減壓氛圍要高壓力的氛圍中之步驟；該藉由該常壓搬送室的主搬送單元來將處理結束的基板從該儲存室搬送至該載置台的該運送容器之步驟；其特徵在於係設置有以下步驟：藉由使處理結束的基板從該裝載室至該儲存室迂迴前進之迂迴路徑的副搬送單元，來將處理結束的基板從該裝載室不會通過該常壓搬送室地搬送至該儲存室之步驟；藉由該常壓搬送室的該主搬送單元來使處理結束的基板從該儲存室回到該載置台的該運送容器之步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之基板處理方法，其中利用該儲存室來使處理結束的基板維持在較該減壓氛圍要高壓力的氛圍中之步驟中，係去除處理結束的基板與大氣反應所生成的生成物。
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