KR20110026400A - 광반도체 장치용 수지 조성물, 그것을 사용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 및 광반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 (A) 내지 (D) 성분을 포함하는 광반도체 장치용 수지 조성물에 관한 것이다.
(A) 에폭시 수지;
(B) 경화제;
(C) 폴리오르가노실록산 및
(D) 백색 안료

Description

광반도체 장치용 수지 조성물, 그것을 사용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임, 및 광반도체 장치{RESIN COMPOSITION FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL-SEMICONDUCTOR-DEVICE LEAD FRAME OBTAINED USING THE SAME, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 광반도체 소자 주위에 수지층 형성용 재료로서 이용되는 광반도체 장치용 수지 조성물, 및 상기 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임 및 광반도체 장치에 관한 것이다.
종래 광반도체 소자가 내부에 탑재된 광반도체 장치는, 예를 들어 도 1에 나타낸 바와 같이, 금속 리드 프레임(1), 그 위에 탑재된 광반도체 소자(2), 및 상기 광반도체 소자(2)의 주위를 둘러싸도록 수지층(3)으로 형성된 수지벽을 포함하는 구성을 갖는다. 도 1에서, 부호 4는 금속 리드 프레임(1) 상에 형성된 전극 회로(도시하지 않음)와 광반도체 소자(2)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어이며, 상기 본딩 와이어는 필요에 따라서 설치된다.
이러한 광반도체 장치를 제조할 때, 수지층(3)은 폴리아미드 수지(PPA) 등으로 대표되는 열가소성 수지를 사출 성형함으로써 형성한다. 열가소성 수지에는 일반적으로 백색 안료를 배합하여, 광반도체 소자(2)로부터 방출된 광을 반사시키고 그것에 지향성을 부여한다(특허문헌 1 참조).
한편, 고내열성이 요구되는 경우에는, 수지층(3) 대신에 소결된 알루미나를 함유하는 세라믹 재료를 주로 사용하여 부분을 형성한다(특허문헌 2 참조).
그러나, 세라믹 재료로 수지층(3)에 상당하는 부분을 형성하는 것은, 양산성 및 이러한 패키지 비용 등의 적합성 관점에서 문제가 있다. 이 때문에, 수지층(3)은 일반적으로 열가소성 수지를 사용하여 형성한다.
일본 특허 공개 제2002-283498호 일본 특허 공개 제2002-232017호
그러나, 수지층(3) 형성용 재료로서 열가소성 수지를 사용하는 경우에, 실장에 사용하기 위한 땜납재가 납이 없는 땜납재로 되고, 더 높은 융점을 갖기 때문에, 광반도체 장치와 같은 표면 실장형 패키지에서는 수지에 리플로우 환경에 대한 내열성이 요구된다. 따라서, 땜납 온도에서의 내열변형성, 내열변색성, 및 광반도체 소자(2)의 전력 증가로 인해 필요한 장기간의 내열성이 요구되지만, 열가소성 수지의 사용은 고온에서의 변색 등을 초래하고, 이것은 광 반사 효율의 저하와 같은 문제를 제기한다.
본 발명의 목적은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 내열변색성 및 내광열화성이 우수하고, 충분한 광 반사성을 부여할 수 있는 광반도체 장치용 수지 조성물을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 광반도체 장치용 리드 프레임을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 광반도체 장치를 제공하는 것이다.
즉, 본 발명은 하기 (1) 내지 (7) 항목에 관한 것이다.
(1) 하기 (A) 내지 (D) 성분을 포함하는 광반도체 장치용 수지 조성물.
(A) 에폭시 수지;
(B) 경화제;
(C) 폴리오르가노실록산 및
(D) 백색 안료
(2) (1) 항목에 있어서, 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물은 파장 450nm 내지 800nm에서의 광 반사율이 80％ 이상인 광반도체 장치용 수지 조성물.
(3) (1) 또는 (2) 항목에 있어서, 상기 (C) 성분은 상기 (A) 내지 상기 (C) 성분을 포함하는 유기 성분 전체에 대하여 5 내지 60 중량％의 양으로 함유되는 광반도체 장치용 수지 조성물.
(4) (1) 내지 (3) 항목 중 어느 하나에 있어서, 상기 (D) 성분은 산화티타늄인 광반도체 장치용 수지 조성물.
(5) (1) 내지 (4) 항목 중 어느 하나에 있어서, 상기 (A) 내지 상기 (D) 성분 이외에 무기 충전제를 더 함유하는 광반도체 장치용 수지 조성물.
(6) 하나 이상의 광반도체 소자 탑재 영역을 갖고 수지벽을 포함하는 광반도체 장치용 리드 프레임이며,
상기 소자 탑재 영역 중 적어도 하나의 주위가 (1) 내지 (5) 항목 중 어느 하나에 따른 광반도체 장치용 수지 조성물로 형성된 수지벽에 의해 둘러싸여 있는 광반도체 장치용 리드 프레임.
(7) (6) 항목에 따른 광반도체 장치용 리드 프레임 및 상기 리드 프레임의 소정 위치에 탑재된 광반도체 소자를 포함하는 광반도체 장치.
본 발명자들은 열변형 또는 열변색의 발생이 억제되고, 땜납 내열성, 장시간 고온 내열성 및 내광열화성이 우수한 광반도체 패키지용 수지 조성물을 얻기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 이들은 에폭시 수지를 폴리오르가노실록산과 함께 조합한 열경화성 수지 조성물을 사용함으로써, 에폭시 수지가 갖는 우수한 특성에 폴리오르가노실록산의 특징인 고 내열변색성 및 고 내광열화성을 조합하여 얻는 것이 가능해지며, 예를 들어 트랜스퍼 성형에 의한 몰드에서의 제작이 가능하다는 것을 발견하였다. 또한, 이것은 양산성 적합성의 관점에서도 유리하다. 이처럼, 원하는 목적이 달성되어, 본 발명에 도달하였다.
상기 나타낸 바와 같이, 본 발명은 금속 리드 프레임 또는 기판과, 그 위에 탑재된 광반도체 소자를 포함하는 광반도체 패키지용 수지벽이며, 상기 수지벽은 상기 광 반도체 소자의 주위 주변에 형성되고, 에폭시 수지 [(A) 성분], 경화제 [(B) 성분], 폴리오르가노실록산 [(C) 성분] 및 백색 안료 [(D) 성분]를 포함하는 수지 조성물을 포함한 수지벽 형성용 재료로부터 형성되는 광반도체 패키지용 수지벽을 제공한다. 이로 인해, 상기 수지벽은 땜납 내열성 및 장시간 고온 내열성이 우수하고, 또한 내광열화성에 있어서도 매우 우수한 성능을 발휘하며, 우수한 광 반사성을 실현한다. 따라서, 상기 수지벽 형성용 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 광반도체 장치에서는, 상기 수지벽에 의한 우수한 광 반사율이 보다 장기간 유지되고, 따라서 상기 수지벽은 그 기능을 충분히 발휘할 수 있다.
상기 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물은 파장 450nm 내지 800nm에서의 광 반사율이 80％ 이상이면, 각 색의 광에 대하여 동일한 밝기를 유지하여도, 고 반사율로 인하여 발광 소자의 전력을 낮추는 것이 가능하다. 그 결과, 고온 변색 등에 대한 내열성 유지 효과를 연장시킬 수 있다. 또한, 밀봉 수지에 대한 밀착성 열적 저하와, 밀봉 수지의 열변형을 방지할 수 있다.
폴리오르가노실록산 [(C) 성분]의 함유량이, (A) 내지 (C) 성분을 포함하는 유기 성분 전체에 대하여 5 내지 60 중량％의 범위이면, 보다 한층 우수한 내열성 및 내광열화성이 얻어질 뿐만 아니라, 우수한 경화된 수지 조성물이 얻어진다.
백색 안료 [(D) 성분]로서 산화티타늄을 사용하면, 산화티타늄이 우수한 분산성, 화학 안정성 등을 갖기 때문에, 우수한 백색도 및 광 반사성이 얻어진다.
또한, 이들 성분과 함께 무기 충전제를 사용하면, 선 팽창률의 저감 및 유동성의 추가 향상이 실현된다.
도 1은 본 발명의 광반도체 장치의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 광반도체 장치의 다른 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3은 본 발명의 광반도체 장치의 또 다른 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4는 본 발명의 광반도체 장치의 다른 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
상기 기재된 바와 같이, 본 발명의 광반도체 장치용 수지 조성물(이하, "수지 조성물"이라고도 지칭함)은, 예를 들어 도 1에서 또는 이후 기재될 도 2 내지 도 4에서 나타내는 광반도체 장치의 수지층(3)(또는 수지벽(3a)) 형성용 재료로서 사용된다. 상기 수지 조성물은 에폭시 수지 (A 성분), 경화제 (B 성분), 폴리오르가노실록산 (C 성분), 및 백색 안료 (D 성분)을 사용하여 얻어지는 것이며, 통상 액상 또는 분말 형상, 또는 분말을 정제화(tableting)하여 얻어지는 정제 형상으로 제공된다.
에폭시 수지 (A 성분)의 예로는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 크레졸 노볼락형 에폭시 수지와 같은 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 모노글리시딜 이소시아누레이트, 디글리시딜 이소시아누레이트, 트리글리시딜 이소시아누레이트 및 히단토인 에폭시 수지와 같은 질소 함유환 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 F형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지, 글리시딜 에테르형 에폭시 수지, 알킬 치환 비스페놀 등의 디글리시딜 에테르, 디아미노디페닐메탄 및 이소시아누르산과 같은 폴리아민과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 올레핀 결합을 과아세트산과 같은 과산으로 산화하여 얻어지는 선 형상 지방족 에폭시 수지, 저 흡수율의 경화체 타입 수지로서 주로 사용되는 비페닐형 에폭시 수지, 디시클릭형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 이들 에폭시 수지 중에서도, 투명성, 내변색성 및 폴리오르가노실록산과의 용융 혼합성이 우수하기 때문에, 지환식 에폭시 수지 및 트리글리시딜 이소시아누레이트를 각각 단독으로 또는 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 같은 이유로부터, 프탈산, 테트라히드로프탈산, 헥사히드로프탈산, 메틸테트라히드로프탈산, 나딕산 및 메틸나닉산과 같은 디카르복실산의 디글리시딜 에스테르도 적합하다. 또한, 에폭시 수지의 예로는, 방향환의 수소화에 의해 형성된 지환식 구조를 갖는 핵 수소화 트리멜리트산 및 핵 수소화 피로멜리트산과 같은 글리시딜 에스테르를 들 수 있다.
상기 에폭시 수지 (A 성분)는 상온에서 고형 또는 액상일 수 있다. 그러나, 일반적으로 평균 에폭시 당량이 90 내지 1,000인 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 고형 에폭시 수지의 경우에는, 연화점이 160℃ 이하의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는 다음과 같다. 에폭시 당량이 지나치게 작으면, 수지 조성물의 경화물이 부서지는 경우를 초래할 수 있다. 에폭시 수지의 에폭시 당량이 너무 높으면, 수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도 (Tg)가 낮아지는 경향이 있다.
경화제 (B 성분)의 예로는, 산 무수물계 경화제 및 이소시아누르산 유도체계 경화제를 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 예로는, 무수 프탈산, 무수 말레산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 헥사히드로 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 무수 메틸나드산, 무수 나드산, 무수 글루타르산, 무수 디메틸글루타르산, 무수 디에틸글루타르산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산 및 메틸테트라히드로 무수 프탈산을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 이들 경화제 중에서도, 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산 또는 메틸헥사히드로 무수 프탈산을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 산 무수물계 경화제로서는 무색 또는 담황색의 경화제가 바람직하다.
이소시아누르산 유도체계 경화제의 예로는, 1,3,5-트리스(1-카르복시메틸)이소시아누레이트, 1,3,5-트리스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트, 1,3,5-트리스(3-카르복시프로필)이소시아누레이트 및 1,3-비스(1-카르복시에틸)이소시아누레이트를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 이소시아누르산 유도체계 경화제로는 무색 또는 담황색의 경화제가 바람직하다.
산 무수물계 경화제 및 이소시아누르산 유도체계 경화제와 같은 경화제 (B 성분)는 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 경화제 (B 성분)로서는 무색 또는 담황색의 것이 바람직하다.
경화제 (B 성분)에 대한 에폭시 수지 (A 성분)의 비율은, 에폭시 수지 (A 성분) 중에 함유되는 에폭시기 1당량에 대하여, 경화제 (B 성분) 중에서 에폭시기와 반응가능한 활성기 (산 무수물기 또는 카르복실기)의 양이 0.5 내지 1.5당량이 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.7 내지 1.2당량이다. 그 이유는 다음과 같다. 활성기의 양이 지나치게 적으면, 수지 조성물의 경화 속도가 느려지고, 그 경화물의 유리 전이 온도 (Tg)가 낮아지는 경향이 있다. 활성기의 양이 지나치게 많으면, 내습성이 저하하는 경향이 있다.
경화제 (B 성분)로서는 그 목적 및 용도에 따라서, 상기 기재된 경화제 이외의 다른 에폭시 수지의 경화제가 사용될 수 있다. 이러한 다른 경화제의 예로는, 페놀계 경화제, 아민계 경화제, 상기 산 무수물계 경화제를 알코올로 부분 에스테르화하여 얻어지는 경화제, 및 헥사히드로프탈산, 테트라히드로프탈산, 및 메틸헥사히드로프탈산과 같은 카르복실산류를 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 상기 기재된 경화제와 페놀계 경화제를 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 카르복실산류 경화제를 다른 경화제와 조합하여 사용하는 경우에, 이것은 경화 속도를 빠르게 할 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이들 경화제를 사용하는 경우에 있어서도, 그 비율은 상기 나타낸 경화제 (B 성분)의 비율 (당량비)과 동일할 수 있다.
A 성분 및 B 성분과 함께 조합하여 사용되는 폴리오르가노실록산 (C 성분)은, 에폭시 수지 (A 성분)와 혼합가능한 임의의 폴리오르가노실록산일 수 있고, 각종 폴리오르가노실록산, 즉 상온에서 고형 또는 액상인 폴리오르가노실록산을 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 폴리오르가노실록산은 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물 중에, 나노미터 단위에서 균일하게 분산될 수 있는 임의의 폴리오르가노실록산일 수 있다.
이러한 폴리오르가노실록산 (C 성분)의 예로는, 그 구성성분이 되는 실록산 단위가 하기 화학식 1로 나타내어지는 것을 들 수 있다. 그 예로는, 그 1분자 중에 적어도 1개의 규소 결합한 수산기 또는 알콕시기를 가지며, 규소 결합한 1가의 탄화수소기 (R) 중 적어도 10몰％가 치환 또는 비치환의 방향족 탄화수소기인 폴리오르가노실록산을 들 수 있다.
Figure pat00001
(화학식 1 중, R은 탄소수 1 내지 18의 치환 또는 비치환의 포화 1가 탄화수소기이고, 복수의 R은 동일하거나 상이할 수 있고, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며, 복수의 R1은 동일하거나 상이할 수 있고, m 및 n은 각각 0 내지 3의 정수임)
화학식 1에서 R로 나타내어지는 비치환 포화 1가 탄화수소기의 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 헥실기, 이소헥실기, 헵틸기, 이소헵틸기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기 및 데실기와 같은 직쇄상 또는 분지상 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기, 디시클로펜틸기 및 데카히드로나프틸기와 같은 시클로알킬기, 및 페닐기, 나프틸기, 테트라히드로나프틸기, 톨릴기 및 에틸페닐기와 같은 아릴기, 및 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 및 메틸벤질기와 같은 아르알킬기와 같은 방향족기를 들 수 있다.
한편, 화학식 1에서 R로 나타내어지는 치환된 포화 1가 탄화수소기의 예로는, 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자, 시아노기, 아미노기, 에폭시기 등으로 치환된 탄화수소기를 들 수 있다. 그 구체예로는, 클로로메틸기, 2-브로모에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 3-클로로프로필기, 클로로페닐기, 디브로모페닐기, 디플루오로페닐기, β-시아노에틸기, γ-시아노프로필기 및 β-시아노프로필기와 같은 치환 탄화수소기를 들 수 있다.
폴리오르가노실록산 (C 성분)으로서, 상기 기재된 에폭시 수지 (A 성분)과의 친화성 및 얻어지는 수지 조성물의 특성의 관점으로부터, 화학식 1 중의 R은 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하다. R이 알킬기인 경우, 보다 바람직한 알킬기는 탄소수 1 내지 3의 알킬기로서 먼저 예시한 것이다. 특히 바람직한 것은 메틸기이다. 특히 바람직한 아릴기는 페닐기이다. 각각의 실록산 단위 중에서 또는 실록산 단위들 중에서, 화학식 1에서 R로 나타내어지는 기는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
폴리오르가노실록산 (C 성분)에서, 화학식 1로 나타내어지는 구조에 있어서의 규소 결합한 1가 탄화수소기 (R) 중 적어도 10몰％는 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 것이 바람직하다. 그 이유는 다음과 같다. 방향족 탄화수소기의 양이 지나치게 적은 경우에, 상기 폴리오르가노실록산은 에폭시 수지와의 친화성이 불충분하다. 이 때문에, 폴리오르가노실록산을 에폭시 수지 중에 용해 또는 분산시키는 것은 수지 조성물을 불투명하게 하고, 상기 수지 조성물은 경화물에 있어서도 내광열화성 및 물리적인 특성에 있어서 충분한 효과가 발휘되지 않는 경향이 있다. 이러한 효과를 나타내는 방향족 탄화수소기의 함유량은 보다 바람직하게는 30몰％ 이상이고, 특히 바람직하게는 40몰％ 이상이다. 방향족 탄화수소기의 함유량의 상한은 100몰％이다.
화학식 1에서 (OR1)은 수산기 또는 알콕시기이다. (OR1)이 알콕시기인 경우, R1의 예로는 상기 기재된 R의 예로서 열거된 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, R1의 예로는 메틸기, 에틸기 및 이소프로필기를 들 수 있다. 각각의 실록산 단위 중에서 또는 실록산 단위들 중에서, (OR1)로 나타내어지는 기는 동일하거나 상이할 수 있다.
폴리오르가노실록산 (C 성분)은, 그 1분자 중에 적어도 하나의 규소 결합한 수산기 또는 알콕시기, 즉 폴리오르가노실록산을 구성하는 실록산 단위 중 적어도 하나에 화학식 1의 (OR1)기를 갖는 폴리오르가노실록산인 것이 바람직하다. 그 이유는 다음과 같다. 폴리오르가노실록산이 수산기 또는 알콕시기를 갖지 않는 경우에, 상기 폴리오르가노실록산은 에폭시 수지에 대한 친화성이 불충분하다. 또한, 얻어지는 수지 조성물은 경화물의 물리적 특성을 불충분하게 하는 경향이 있고, 아마도 그 메카니즘은 분명치는 않지만 수산기 또는 알콕시기가 에폭시 수지의 경화 반응 중에 어떠한 작용을 수행하기 때문인 것으로 생각된다. 폴리오르가노실록산 (C 성분)에 있어서 규소 결합한 수산기 또는 알콕시기의 양은 바람직하게는 OH기 양으로 환산해서 0.1 내지 15 중량％의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 10 중량％이다. 그 이유는 다음과 같다. 수산기 또는 알콕시기의 양이 상기 범위를 벗어나면, 상기 폴리오르가노실록산은 에폭시 수지 (A 성분)에 대한 친화성이 불량하다. 특히, 그 양이 너무 많으면 (예를 들어, 15 중량％를 초과), 자기 탈수 반응 또는 탈알코올 반응이 발생할 가능성이 있다.
화학식 1에서, 각각 반복 수를 나타내는 m 및 n은 각각 0 내지 3의 정수이다. 각각 반복 수를 나타내는 m 및 n의 수는, 실록산 단위마다 다르다. 폴리오르가노실록산을 구성하는 실록산 단위를 보다 상세하게 설명한다. 그 예로는 하기 화학식 2 내지 5로 나타내어지는 A1 내지 A4 단위를 들 수 있다.
Figure pat00002
Figure pat00003
(화학식 3에서, n은 0 또는 1임)
Figure pat00004
(화학식 4에서, n은 0, 1 또는 2임)
Figure pat00005
(화학식 5에서, n은 0 내지 3의 정수임)
화학식 2 내지 5에서, R은 탄소수 1 내지 18의 치환 또는 비치환의 포화 1가 탄화수소기이며, 복수의 R은 동일하거나 또는 상이할 수 있다. 또한, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이며, 복수의 R1은 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
즉, 실록산 단위는 화학식 1의 m에 따라서 분류된다: m=3의 경우가 화학식 2로 나타내어지는 A1 단위에 상응하고, m=2의 경우가 화학식 3으로 나타내어지는 A2 단위에 상응하고, m=1의 경우가 화학식 4로 나타내어지는 A3 단위에 상응하며, m=0의 경우가 화학식 5로 나타내어지는 A4 단위에 상응한다. 이들 단위 중에서, 화학식 2로 나타내어지는 A1 단위는 오직 1개의 실록산 결합을 가지며 말단기를 구성하는 구조 단위이다. 화학식 3으로 나타내어지는 A2 단위는 n이 0인 경우에 2개의 실록산 결합을 가지며 선형 실록산 결합을 구성하는 구조 단위이다. 화학식 4로 나타내어지는 A3 단위에서의 n이 0인 경우 및 화학식 5로 나타내어지는 A4 단위에서의 n이 0 또는 1인 경우에는, A2 단위는 3개 또는 4개의 실록산 결합을 가질 수 있고 분지 구조 또는 가교 구조에 기여하는 구조 단위이다.
폴리오르가노실록산 (C 성분)에 있어서, 각각 화학식 2 내지 5로 나타내어지는 A1 내지 A4 단위의 비율은, 하기의 (a) 내지 (d)에 나타낸 바와 같이 설정되는 것이 바람직하다.
(a) A1 단위: 0 내지 30몰％
(b) A2 단위: 0 내지 80몰％
(c) A3 단위: 20 내지 100몰％
(d) A4 단위: 0 내지 30몰％
A1 단위 및 A4 단위의 비율이 0몰％이고, A2 단위의 비율이 5 내지 70몰％이며, A3 단위의 비율이 30 내지 100몰％인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 비율 범위는 A1 내지 A4 단위의 비율을 상기 범위 내로 설정함으로써, 경화물에 적당한 경도 및 적합한 탄성률을 부여(유지)할 수 있는 효과가 얻어지기 때문에 더 바람직하다.
폴리오르가노실록산 (C 성분)은 이들 구성 단위가 서로 또는 연이어 조합되어 구성된다. 폴리오르가노실록산의 중합도는 6 내지 10,000의 범위인 것이 바람직하다. 폴리오르가노실록산 (C 성분)의 상태는 중합도 및 가교도에 따라 좌우되고, 액상 또는 고형일 수 있다.
이러한 화학식 1로 나타내어지는 실록산 단위를 갖는 폴리오르가노실록산 (C성분)은 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 폴리오르가노실록산은 오르가노실란류 및 오르가노실록산류 중 적어도 한쪽을 예를 들어, 톨루엔과 같은 용매의 존재하에 가수분해시킴으로써 얻어진다. 특히, 오르가노클로로실란류 또는 오르가노알콕시실란류를 가수분해/축합하는 방법이 일반적으로 사용된다. "오르가노"기는 알킬기 또는 아릴기와 같은 화학식 1에서의 R에 상당하는 기이다. 화학식 2 내지 5로 나타내어지는 A1 내지 A4 단위는, 각각 출발 원료로서 사용되는 실란의 구조와 상관된다. 예를 들어, 클로로실란류의 경우에는, 트리오르가노클로로실란을 사용하면 화학식 2로 나타내어지는 A1 단위가 얻어지고, 디오르가노디클로로실란을 사용하면 화학식 3으로 나타내어지는 A2 단위가 얻어진다. 또한, 오르가노클로로실란을 사용하면 화학식 4로 나타내어지는 A3 단위가 얻어지고, 테트라클로로실란을 사용하면 화학식 5로 나타내어지는 A4 단위가 얻어진다. 화학식 1 및 3 내지 5에 있어서, (OR1)로 나타내어지는 규소 결합한 치환기는 축합되지 않고 잔류하는 가수분해 잔기이다.
폴리오르가노실록산 (C 성분)이 상온에서 고형인 경우에는, 그 연화점(유동점)은 수지 조성물과의 용융 혼합성의 관점에서, 150℃ 이하인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 120℃ 이하이다.
폴리오르가노실록산 (C 성분)의 함유량은 (A) 내지 (C) 성분을 포함하는 유기 성분 전체에 대하여 5 내지 60 중량％의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는, 폴리오르가노실록산이 수지 조성물의 선 팽창 계수를 커지게 한다는 점을 고려하여 그 함유량은 10 내지 40 중량％의 범위인 것이 바람직하다. 그 범위에 대한 이유는 다음과 같다. C 성분의 함유량이 지나치게 낮으면, 내열성 및 내광열화성이 저하하는 경향이 있다. C 성분의 함유량이 지나치게 높으면, 얻어지는 수지 조성물의 경화물 자체의 무름이 현저해지는 경향이 있다.
상기 기재된 A 내지 C 성분과 함께 사용되는 백색 안료 (D 성분)의 예로는, 무기계 백색 안료, 예컨대 산화마그네슘, 산화안티몬, 산화티타늄, 산화지르코늄, 산화아연, 백연, 카올린, 알루미나, 탄산칼슘, 탄산바륨, 황산바륨, 황산아연 및 황화아연을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용될 수 있다. 이들 중에서도, 우수한 광 반사율이 얻어지는 산화티타늄이 특히 바람직하다. 평균 입경이 0.05 내지 2.0㎛인 산화티타늄을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 평균 입경은 예를 들어, 레이저 회절/산란식 입도 분포 분석기를 사용해서 측정할 수 있다.
백색 안료 (D 성분)의 함유량은 수지 조성물 전체에 대하여 2 내지 90 중량％의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 착색성 및 광 반사율의 관점에서, 그 함유량을 수지 조성물 전체에 대하여 5 내지 90 중량％의 범위로 설정하는 것이 보다 바람직하다. 그 이유는 다음과 같다. D 성분의 함유량이 지나치게 적으면, 충분한 광 반사율이 얻어지기 어려워지는 경향이 있다. D 성분의 함유량이 지나치게 많으면, 현저한 점도 증가로 인해서 니딩 등을 통한 수지 조성물의 제조에 있어서 곤란함이 발생하는 경향이 있다.
본 발명의 수지 조성물에서는, 선 팽창 계수의 저감 및 유동성의 향상을 목적으로 A 내지 D 성분에 추가로 무기 충전제를 사용할 수 있다. 무기 충전제의 예로는, 석영 유리 분말, 탈크, 용융 실리카 분말 및 결정성 실리카 분말과 같은 실리카 분말, 알루미나 분말, 질화알루미늄 분말 및 질화규소 분말을 들 수 있다. 이들 중에서도, 선 팽창 계수의 저감 등의 관점에서, 실리카 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 특히 고 충전성 및 고 유동성의 관점에서, 구 형상의 용융 실리카 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 무기 충전제의 입경 및 입경 분포는 특별히 한정되지 않지만, 백색 안료 (D 성분)의 입경 및 입경 분포와의 조합에 있어서, 본 발명의 수지 조성물을 트랜스퍼 성형 등에 의해 성형할 때의 버르(burr) 발생의 저감에 효과적이도록 입경 및 그 분포를 선택하는 것이 바람직하다. 특히, 평균 입경 5 내지 60㎛의 범위, 특히 바람직하게는 평균 입경 15 내지 45㎛의 범위인 무기 충전제를 사용하는 것이 바람직하다. 평균 입경은 예를 들어, 레이저 회절/산란식 입도 분석기를 사용해서 측정할 수 있다.
무기 충전제의 함유량은, 백색 안료 (D 성분)와 무기 충전제의 합계 함유량이 수지 조성물 전체에 대하여 2 내지 98 중량％가 되도록 설정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 수지 조성물에는, 상기 기재된 A 내지 D 성분 및 무기 충전제 이외에, 필요에 따라서 경화 촉진제, 산화방지제, 변성제, 난연제, 탈포제, 레벨링제 및 이형제와 같은 각종 첨가제를 적절히 배합할 수 있다.
경화 촉진제의 예로서는, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7, 트리에틸렌디아민, 트리-2,4,6-디메틸아미노메틸페놀, N,N-디메틸벤질아민, N,N-디메틸아미노벤젠 및 N,N-디메틸아미노시클로헥산과 같은 3급 아민류, 2-에틸-4-메틸이미다졸 및 2-메틸이미다졸과 같은 이미다졸류 화합물, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트 및 테트라-n-부틸포스포늄 o,o-디에틸 포스포로디티오에이트와 같은 인 화합물, 4급 암모늄염, 유기 금속염류, 및 그의 유도체를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 이들 경화 촉진제 중에서는, 3급 아민류, 이미다졸류 화합물 및 인 화합물이 바람직하다. 이들 경화 촉진제 중에서도, 착색도가 적고, 투명하고 강인한 경화물을 얻기 위해서는, 인 화합물을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
경화 촉진제의 함유량은, 에폭시 수지 (A 성분)에 대하여 0.001 내지 8.0 중량％로 설정하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 그 함유량은 0.01 내지 3.0 중량％이다. 그 이유는 다음과 같다. 경화 촉진제의 함유량이 지나치게 적으면, 충분한 경화 촉진 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다. 경화 촉진제의 함유량이 지나치게 많으면, 얻어지는 경화물이 변색되는 경향이 있다.
산화방지제의 예로는, 페놀계 화합물, 아민계 화합물, 유기 황계 화합물 및 포스핀계 화합물과 같은 산화방지제를 들 수 있다.
난연제의 예로는, 수산화마그네슘과 같은 금속 수산화물, 브롬 화합물 난연제, 질소 화합물 난연제 및 인 화합물 난연제를 들 수 있다. 또한, 삼산화안티몬과 같은 난연 보조제를 사용할 수도 있다.
변성제의 예로는, 글리콜류, 실리콘류 및 알코올류와 같은 종래 공지된 변성제를 들 수 있다.
탈포제의 예로는, 실리콘류와 같은 종래 공지된 탈포제를 들 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은, 예를 들어 다음과 같은 방식으로 제조할 수 있다. 즉, 상기 기재된 A 내지 D 성분을 혼합하고, 여기에 각종 임의의 첨가제를 적절히 첨가한다. 그 후에, 이들 성분을 니이더 등에 의해 함께 혼련한다. 얻어지는 혼합물을 분쇄하거나 또는 다르게 가공한다. 따라서, 분말 형상의 수지 조성물을 제조할 수 있다.
상기 얻어지는 수지 조성물의 경화물은 광 반사율이 파장 450nm 내지 800nm에 있어서 80％ 이상인 것이 바람직하다. 그 광 반사율의 상한은 100％이다. 광 반사율은, 예를 들어 다음과 같은 방식으로 측정된다. 두께 1mm의 수지 조성물의 경화물을 소정의 경화 조건하에, 예를 들어 150℃에서 4분간 성형한 후, 150℃에서3시간 동안 경화하여 제조한다. 상기 경화물의 상기 파장에서의 반사율은 분광 광도계(예를 들어, 자스코 코포레이션(JASCO Corp.)제조의 분광 광도계 V-670)를 사용해서 실온 (25±10℃)에서 측정할 수 있다.
본 발명의 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 광반도체 장치는 예를 들어, 다음과 같은 방식으로 제조한다. 즉, 금속 리드 프레임을 트랜스퍼 성형기의 금형 내에 설치하고, 상기 수지 조성물을 사용하여 트랜스퍼 성형에 의해 수지층으로 형성되는 수지벽을 형성한다. 수지벽은 광반도체 소자가 탑재되는 영역의 주위를 둘러싸도록 형성한다. 따라서, 광반도체 장치용의 금속 리드 프레임이 제작된다. 계속해서, 수지벽에 의해 둘러싸인 영역 내부에 그리고 금속 리드 프레임 상에 배치된 광반도체 소자 탑재 영역 상에 광반도체 소자를 탑재하고, 필요에 따라서 와이어 본딩을 행한다. 따라서, 예를 들어 도 1에 나타내는 것과 같이, 탑재되는 광반도체 소자(2)의 주위를 둘러싸도록 수지층(3)으로 형성된 수지벽을 갖는 금속 리드 프레임(1)과, 상기 금속 리드 프레임(1) 상에 탑재된 광반도체 소자(2)를 포함하는 유닛인 광반도체 장치가 제작된다. 광반도체 장치에서, 통상 광반도체 소자(2)를 포함하고, 수지층(3)으로 형성된 수지벽 내부에 위치하는 영역은, 실리콘 수지 등으로 밀봉된다.
광반도체 장치의 다른 구성을 도 2 내지 도 4에 나타낸다. 도 2에 나타내는 광반도체 장치에서는, 광반도체 소자(2)가 탑재된 금속 리드 프레임(1a)(또는 기판) 상에 수지층(3a)이 형성되어 있다. 도 3에 나타내는 광반도체 장치는, 도 1에 나타내는 광반도체 장치와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 그러나, 도 3에 나타내는 광반도체 장치에서는, 수지층(3)으로 형성된 수지벽에 의해 둘러싸인 영역의 내부에 위치하는 금속 리드 프레임(1) 상의 광반도체 소자(2)의 주위에도 수지가 형성된다. 도 4에 나타내는 광반도체 장치는, 도 2에 도시하는 광반도체 장치와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 그러나, 도 4에 나타내는 광반도체 장치에서는, 수지벽(3a)으로 둘러싸인 영역의 내부에 위치하는 금속 리드 프레임(1) 상의 광반도체 소자(2)의 주위에도 수지가 형성된다. 도 2 내지 도 4에 나타낸 광반도체 장치의 이들 구성에서, 도 1에 나타내는 광반도체 장치에서와 동일한 부분은 동일한 부호로 나타낸다.
본 발명에 따르면 도 2 내지 도 4에 나타내는 광반도체 장치에서, 금속 리드 프레임(1a) 대신에 각종 기판을 사용할 수 있다. 각종 기판의 예로는, 유기 기판, 무기 기판, 및 플렉시블 인쇄 회로 기판을 들 수 있다. 도 2 및 도 4에 나타내는 광반도체 장치의 금속 리드 프레임(1a) 및 이러한 각종 기판은 각각 그 표면 상에 형성된 전극 회로(도시하지 않음)를 포함한다.
또한, 본 발명에서는, 리드 프레임(또는 각종 기판) 상에 하나 이상의 광반도체 소자 탑재 영역이 있을 수 있으며, 광반도체 소자 탑재 영역 중 적어도 하나의 주위는 수지벽에 의해 둘러싸여 있다.
<실시예>
이하에 실시예를 비교예와 함께 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.
우선, 수지 조성물의 제조에 앞서, 하기에 나타내는 성분을 준비하였다.
에폭시 수지 a1: 트리글리시딜 이소시아누레이트(에폭시 당량: 100)
에폭시 수지 a2: 비스페놀 A형 디글리시딜에테르(에폭시 당량: 450)
산 무수물: 메틸헥사히드로 무수 프탈산(산 당량: 168)
폴리오르가노실록산 c1
페닐트리메톡시실란 206g(50mol％) 및 디메틸디메톡시실란 126g(50mol％)을 플라스크 내에 투입하였다. 이것에 1.2g의 20％의 HCl 수용액과 40g의 물과의 혼합물을 적하하였다. 적하 종료 후, 1시간 환류를 계속하였다. 계속해서, 얻어진 용액을 실온(25℃)까지 냉각한 후, 탄산수소나트륨으로 중화하였다. 얻어진 오르가노실록산 용액을 여과해서 불순물을 제거한 후, 저비점 성분을 로터리 증발기를 사용하여 감압하에 증류 제거함으로써, 액상의 폴리오르가노실록산 c1을 얻었다. 얻어진 폴리오르가노실록산 c1은, 수산기 및 알콕시기를 OH기 양으로 환산해서 9 중량％의 양으로 함유하였다. 얻어진 폴리오르가노실록산 c1은 A2 단위가 50몰％, A3 단위가 50몰％로 이루어지고, 페닐기 33％ 및 메틸기 67％를 함유하였다.
폴리오르가노실록산 c2
플라스크 내에, 물 550g, 메탄올 150g 및 톨루엔 150g을 미리 혼합하여 혼합 용매를 준비하였다. 여기에 메틸트리클로로실란 182.5g(90mol％), 디메틸디클로로실란 17.5g(10mol％) 및 톨루엔 215g의 혼합물을 5분에 걸쳐 격렬하게 교반하면서 적하하였다. 플라스크 내부의 온도를 75℃까지 상승시키고, 이 상태의 혼합물을 10분간 연속적으로 교반하였다. 얻어지는 용액을 정치하고, 실온(25℃)까지 냉각하였다. 그 후, 분리한 수층을 제거하였다. 계속해서, 잔류물과 물을 혼합하였다. 이 혼합물을 교반한 후에 정치하고 수층을 제거하였다. 이 물 세정 조작을 톨루엔 층이 중성이 될 때까지 반복하였다. 잔류하는 유기층을 30분 동안 연속 환류하여 물 및 톨루엔의 일부를 증류 제거하였다. 얻어진 오르가노실록산의 톨루엔 용액을 여과해서 불순물을 제거하였다. 그 후에, 잔류하는 톨루엔을 로터리 증발기를 사용하여 감압하에 증류 제거함으로써, 고형의 폴리오르가노실록산 c2를 얻었다. 얻어진 폴리오르가노실록산 c2는 수산기를 6 중량％ 함유하였다. 출발 원료로서 사용한 클로로실란은 모두 반응하였고, 얻어진 폴리오르가노실록산 c2는 A2 단위 10몰％ 및 A3 단위 90몰％로 이루어지고, 메틸기 100％를 함유하였다.
산화티타늄: 루틸형; 평균 입경 1.0㎛
실리카 분말: 구 형상 용융 실리카; 평균 입경 23㎛
산화방지제: 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌 10-옥시드
경화 촉진제: 테트라-n-부틸포스포늄 O,O-디에틸 포스포로디티오에이트
실시예 1 내지 9 및 비교예 1 및 2
하기 표 1 및 표 2에 나타내는 성분을 표에 나타내는 각 비율에 따라서 배합하고, 비이커 중에서 용융 혼합하였다. 각 혼합물을 숙성하고, 계속해서 실온까지 냉각하고 분쇄하였다. 따라서, 목적하는 분말 형상의 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
이와 같이 얻어진 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물을 하기 방법에 의해 다양한 물성을 평가하였다. 또한, 그 결과는 하기 표 1 및 표 2에 나타낸다.
광 반사율
각 에폭시 수지 조성물을 사용하여, 두께 1mm의 시험편을 소정의 경화 조건(조건: 150℃에서 4분간의 성형 및 150℃에서 3시간 동안 경화)하에 제조하였다. 이 시험편(경화물)에 대하여 초기 및 150℃에서 168시간 방치한 후의 광 반사율을 측정하였다. 측정 장치로서 자스코 코포레이션제의 분광 광도계 V-670을 사용하고, 파장 450nm의 광 반사율을 실온(25℃)에서 측정하였다.
내광열화성
각 에폭시 수지 조성물을 사용하여, 두께 1mm의 시험편을 소정의 경화 조건(조건: 150℃에서 4분간의 성형 및 150℃에서 3시간 동안 경화)하에 제조하였다. 이 시험편(경화물)에 대하여 405nm 단파장 레이저(니치아 가가꾸 고교 가부시끼가이샤(Nichia Kagaku Kogyo K.K.)제조의 NDHV310APC)를 사용하여 25mW 및 20㎛ (80W/mm2)의 조건하에 조사하였다. 각 경화물을 반사해서 얻어지는 광을 파워 미터(코헤런트 인코포레이티드(Coherent Inc.)제조의 OP-2VIS)로 수집하여 그 강도를 측정하였다. 수광 강도가 초기 값의 50％로 감소하는데 필요한 시간을 측정하고 내광성 수명으로 하였다. 측정 결과를 평가할 때, 얻어진 내광성 수명이 100분 이상인 경우를 "양호"로, 내광성 수명이 100분 미만인 경우를 "불량"으로 판정하였다.
Figure pat00006
Figure pat00007
상기 결과는, 실시예의 시험편이 초기 광 반사율 및 장시간 고온 방치 후에 측정된 광 반사율 각각에 대하여 높은 값이 얻어진다는 것을 보여준다. 실시예의 시험편은 우수한 장시간 고온 내열성을 갖는다는 것을 알 수 있다. 또한 내광열화성에 대하여 이들 시험편은 양호로 판정되었다. 따라서, 실시예의 시험편은 우수한 내광열화성을 갖는다는 것을 알 수 있다.
반대로, 폴리오르가노실록산을 사용하지 않고 제조한 비교예 1의 시험편은 초기 광 반사율 및 장시간 고온 방치 후에 측정된 광 반사율에 있어서 실시예의 것과 실질적으로 동일한 높은 값이 얻어졌다. 그러나, 내광열화성의 측정에 관해서 비교예 1의 시험편은, 내광성 수명이 100분보다 짧아서, 내광열화성이 불량함을 보여준다. 폴리오르가노실록산을 사용하지 않고 에폭시 수지로서 비스페놀 A형 디글리시딜 에테르를 단독으로 사용하여 제조한 비교예 2의 시험편은, 장시간 고온 방치 후의 광 반사율이 낮고 장시간 고온 내열성이 불량함을 보여준다. 또한, 내광열화성 측정에 관해서도, 비교예 2의 시험편은, 내광성 수명이 100분보다 짧아서, 내광열화성이 불량함을 보여준다.
계속해서, 각 실시예에서 얻어지는 분말 형상의 에폭시 수지 조성물을 사용하여 도 1에 나타내는 구성을 갖는 광반도체 장치를 제조하였다. 즉, 얼로이 42(은 도금)로 제조된 리드 프레임(1) 상에 광반도체 소자 (크기: 0.3mm × 0.3mm)(2)를 탑재하고, 금속 리드 프레임(1) 위에 형성된 전극 회로(도시하지 않음)와 광반도체 소자(2)를 본딩 와이어(4)에 의해 전기적으로 접속한 것을 준비하였다. 계속해서, 이 리드 프레임(1)을 트랜스퍼 성형기에 투입하고, 트랜스퍼 성형을 행함으로써, 도 1에 나타낸 바와 같이, 금속 리드 프레임(1), 그 위에 탑재된 광반도체 소자(2) 및 금속 리드 프레임(1) 상에서 광반도체 소자(2)를 둘러싸도록 수지층(3)으로 형성된 수지벽을 포함하는 유닛인 광반도체 장치를 제조하였다(성형 조건: 150℃에서 4분간 성형 및 150℃에서 3시간 동안 경화). 이렇게 얻어진 광반도체 장치는 만족스럽고 문제가 없었다.
본 발명은 그 구체적인 실시형태를 참조로 하여 기재되었지만, 본원에 그 사상 및 범주로부터 벗어나지 않으면서 다양한 변화 및 변형이 이루어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다.
또한, 본 발명은 본원에 그 내용이 참조로 포함되는 2009년 9월 7일자 출원된 일본특허출원 제2009-205752호 및 2010년 5월 24일자 출원된 제2010-118513호를 기초로 한다.
본원에서 인용된 모든 문헌은 본원에 그 전문이 참조로 포함된다.
본 발명의 광반도체 장치용 수지 조성물은, 고 광 반사율을 갖고 이 반사율을 유지할 수 있는 경화물을 제공한다. 따라서, 이 수지 조성물은 광반도체 장치의 광반도체 소자의 주위를 둘러싸는 수지벽 형성용 재료로서 유용하다.
1: 금속 리드 프레임
2: 광반도체 소자
3: 수지층
3a: 수지벽
4: 본딩 와이어

Claims (7)

  1. 하기 (A) 내지 (D) 성분을 포함하는 광반도체 장치용 수지 조성물.
    (A) 에폭시 수지;
    (B) 경화제;
    (C) 폴리오르가노실록산 및
    (D) 백색 안료
  2. 제1항에 있어서, 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물은 파장 450nm 내지 800nm에서의 광 반사율이 80％ 이상인 광반도체 장치용 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 (C) 성분은 상기 (A) 내지 상기 (C) 성분을 포함하는 유기 성분 전체에 대하여 5 내지 60 중량％의 양으로 함유되는 광반도체 장치용 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 (D) 성분은 산화티타늄인 광반도체 장치용 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 (A) 내지 상기 (D) 성분 이외에 무기 충전제를 더 함유하는 광반도체 장치용 수지 조성물.
  6. 하나 이상의 광반도체 소자 탑재 영역을 갖고 수지벽을 포함하는 광반도체 장치용 리드 프레임이며,
    상기 소자 탑재 영역 중 적어도 하나의 주위가 제1항에 따른 광반도체 장치용 수지 조성물로 형성된 수지벽에 의해 둘러싸여 있는 광반도체 장치용 리드 프레임.
  7. 제6항에 따른 광반도체 장치용 리드 프레임 및 상기 리드 프레임의 소정 위치에 탑재된 광반도체 소자를 포함하는 광반도체 장치.
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