TWI504664B - 光學半導體裝置用樹脂組合物、使用其所得之光學半導體裝置導線架、及光學半導體裝置 - Google Patents

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Description

光學半導體裝置用樹脂組合物、使用其所得之光學半導體裝置導線架、及光學半導體裝置
本發明係關於一用作形成一光學半導體元件周圍之一樹脂層之一材料之光學半導體裝置用樹脂組合物，且係關於使用樹脂組合物所得之光學半導體裝置導線架、及光學半導體裝置。
如圖1所示，其中安裝有一光學半導體元件之習知光學半導體裝置(例如)具有一包含一金屬導線架1、一安裝於其上之光學半導體元件2及一自一樹脂層3形成之樹脂壁之組態以便包圍該光學半導體裝置2之周圍。在圖1中，數字4指示將一形成於該金屬導線架1上之電極電路(未顯示)電連接至該光學半導體裝置2之根據需要所設置之一接合引線。
當產生此一光學半導體裝置時，藉由聚醯胺(PPA)或類似物表示之熱塑性樹脂之射出模製形成該樹脂層3。一白色顏料大體上係摻入該熱塑性樹脂中以反射藉由該光學半導體元件2所發出之光，且賦予其方向性(參見專利文獻1)。
另一方面，在需要高耐熱性之情況中，主要使用含有燒結氧化鋁之陶瓷材料形成代替該樹脂層3之一部件(參見專利文獻2)。
然而，鑒於大量生產之穩定性及此等封裝之成本等，由該陶瓷材料形成對應於該樹脂層3之部件係存在問題。因此，該樹脂層3大體上係使用該熱塑性樹脂所形成。
專利文獻1：JP-A-2002-283498
專利文獻2：JP-A-2002-232017
然而，在熱塑性樹脂用作形成該樹脂層3之材料之情況中，由於安裝所使用之焊錫材料係具有較高熔點之適合無鉛焊錫材料，因此該等樹脂必須對表面安裝封裝中(諸如該光學半導體裝置)之回流環境具耐熱性。因此，雖然希望焊接溫度之熱變形抗性、熱變色阻性，及由於光學半導體元件2之功率增加所需之長時間之耐熱性，但是該等熱塑性樹脂之使用在高溫下導致變色等，且此具有諸如光反射效率降低之問題。
鑒於此等情況已達成之一本發明目的係提供一具有良好的熱變色阻性及良好光降解性且可賦予其令人滿意之光反射性質之光學半導體裝置用樹脂組合物。本發明之另一目的係提供一使用該樹脂組合物所得之光學半導體導線架。其之另一目的係提供一光學半導體裝置。
即，本發明係關於以下項目(1)至(7)。
(1)光學半導體裝置用樹脂組合物，該樹脂組合物包含以下成份(A)至(D)：
(A)環氧樹脂；
(B)固化劑；
(C)聚有機矽氧烷；及
(D)白色顏料。
(2)根據項目(1)之光學半導體裝置用樹脂組合物，其中一自該樹脂組合物得到之固化材料在一450 nm至800 nm之波長下具有80%更高之光反射率。
(3)根據項目(1)或(2)之光學半導體裝置用樹脂組合物，其中該成份(C)之含量為包含該等成份(A)至(C)之所有有機組分之5重量%至60重量%。
(4)根據項目(1)至(3)中任一項之光學半導體裝置用樹脂組合物，其中該成份(D)係氧化鈦。
(5)根據項目(1)至(4)中任一項之光學半導體裝置用樹脂組合物，其除該等成份(A)至(D)外另外包含無機填充劑。
(6)一種光學半導體裝置之導線架，其具有一或多個光學半導體元件安裝區域且包含一樹脂壁，其中該元件安裝區域中至少一者之周圍係由自根據項目(1)至(5)中任一項之光學半導體裝置用樹脂組合物形成之該樹脂壁包圍。
(7)一光學半導體裝置，其包含根據項目(6)之一光學半導體裝置之該導線架及一安裝於該導線架之預定位置上之光學半導體元件。
該等發明者積極研究以獲得一抑制熱變形或熱變色且具有良好焊接耐熱性、長期高溫耐熱性及耐光降解性之光學半導體封裝用樹脂組合物。因此，該等發明者已發現使用包含與聚有機矽氧烷組合之環氧樹脂之熱固性樹脂組合物使得可能獲得該環氧樹脂所擁有之良好性質及聚有機矽氧烷之特徵之該熱變色抗性及耐光降解性之組合，且使其可以一模具藉由(例如)轉移模製方式製成。就大量生產之適用性的觀點而言，此亦係有利的。因此實現該等所需目的並達成本發明。
如上所示，本發明提供一包含一金屬導線架或基板及安裝於其上之一光學半導體元件之光學半導體封裝用樹脂壁，其中該樹脂壁係形成於該光學半導體元件周圍，該樹脂壁係自一包含該樹脂組合物之樹脂壁形成材料所形成，該樹脂組合物包含環氧樹脂[成份(A)]、固化劑[成份(B)]、聚有機矽氧烷[成份(C)]及白色顏料[成份(D)]。因此，該樹脂壁具有良好的焊接耐熱性及長期高溫耐熱性，且亦就耐光降解性而言顯示良好性能，且可賦予良好的光反射性質。因此，在一使用形成該樹脂壁之該樹脂組合物所得之光學半導體裝置中，可長時間維持一歸因於該樹脂壁之良好光反射率，且因此，該樹脂壁可充分執行其功能。
當自該樹脂組合物所得之該固化材料在一450 nm至800 nm之波長下具有80%或更高之光反射率時，由於該高反射率，可能降低發光元件之功率並對各顏色之光保持相同亮度。因此，可延長保持高溫變色等相關耐熱性之效果。而且，可防止囊封樹脂之黏性熱降低及囊封樹脂之熱變形。
當該聚有機矽氧烷[成份(C)]之含量係在包含該等成份(A)至(C)之所有有機組分之5重量%至60重量%之範圍內時，甚至不僅可得到更好的耐熱性及耐光降解性，而且可得到一良好的固化樹脂組合物。
當氧化鈦係用作該白色顏料[成份(D)]時，由於氧化鈦具有良好分散性、化學穩定性等，因此可得到良好的白度性質及光反射性質。
此外，當一無機填充劑係與此等成份一起使用時，可使線膨張係數降低及流動性進一步獲得改良。
如上所聲明，本發明之光學半導體裝置用樹脂組合物(以後亦指「樹脂組合物」)係用作一形成(例如)如圖1或圖2至圖4中任一圖所示之該光學半導體裝置之該樹脂層3(或樹脂壁3a)之材料，其中該樹脂組合物將描述於後。該樹脂組合物係一使用環氧樹脂(成份A)、固化劑(成份B)、聚有機矽氧烷(成份C)及白色顏料(成份D)所得者，且通常以一液體或粉末狀態或藉由將該粉末製成錠劑所得之錠劑形式供應。
該環氧樹脂(成份A)之實例包含雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、雙酚S環氧樹脂、酚醛環氧樹脂(諸如酚酚醛清漆樹脂及甲酚酚醛環氧樹脂)、脂環基環氧樹脂、含氮環環氧樹脂(諸如異三聚氰酸單縮水甘油酯、異三聚氰酸二縮水甘油酯、異三聚氰酸三縮水甘油酯)，及海因環氧樹脂、氫化雙酚A環氧樹脂、氫化雙酚F環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂、縮水甘油醚環氧樹脂、經烷基取代之雙酚二縮水甘油醚或類似物、藉由聚胺，例如二胺基二苯甲烷及三聚氰酸與環氧氯丙烷反應所得之縮水甘油胺型環氧樹脂、藉由過酸(例如過乙酸、聯苯環氧樹脂)氧化烯烴鍵所得之線性脂肪族環氧樹脂，其中該等環氧樹脂主要係用作賦予經固化樹脂低吸水率之類型、雙環環氧樹脂及萘環氧樹脂。此等組合物可單獨使用或其等兩個或更多個組合使用。單獨使用或組合使用脂環基環氧樹脂及異三聚氰酸三縮水甘油酯係此等樹脂組合物中之首選，因為其等之良好透明度、變色抗性及與聚有機矽氧烷之熔融可混性。基於相同原因，二羧酸諸如苯二甲酸、四氫苯二甲酸、六氫苯二甲酸、甲基四氫苯二甲酸、納迪克酸及甲基納迪克酸之縮水甘油酯亦係適合的。該環氧樹脂之實例另外包含具有藉由一芳香環，諸如核經氫化之偏苯三甲酸及核經氫化之苯均四酸氫化所形成之脂環族結構之縮水甘油酯。
該環氧樹脂(成份A)在室溫下可為固態或液態。然而，一般而言，最好使用具有90至1,000之平均環氧當量之環氧樹脂。在固態環氧樹脂之情況中，最好使用一具有160℃或更低之軟化點者。此等情況之原因如下。過低的環氧當量可能導致該樹脂組合物產生一脆性固化材料之情況。當該環氧樹脂具有過高的環氧當量時，該樹脂組合物易產生一具有較低玻璃轉移溫度(Tg)之固化材料。
該固化劑(成份B)之實例包含酸酐固化劑及異三聚氰酸衍生物固化劑。該等酸酐固化劑之實例包含苯二甲酸酐、馬來酸酐、偏苯三甲酸酐、苯均四酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、甲基納迪克酸酐、納迪克酸酐、戊二酸酐、二甲基戊二酸酐、二乙基戊二酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐及甲基四氫苯二甲酸酐。此等固化劑可單獨使用或以其等兩個或更多個組合使用。此等固化劑中最好使用苯二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸或甲基六氫苯二甲酸酐。較佳酸酐固化劑係無色或黃光固化劑。
異三聚氰酸衍生物固化劑之實例包含1,3,5-三(1-羧甲基)異三聚氰酸酯、1,3,5-三(2-羧甲基)異三聚氰酸酯、1,3,5-三(3-羧丙基)異三聚氰酸酯及1,3-二(1-羧乙基)異三聚氰酸酯。此等固化劑可單獨使用或以其等兩個或更多個組合使用。較佳異三聚氰酸衍生物固化劑係無色或黃光固化劑。
固化劑(成份B)諸如該等酸酐固化劑及該等異三聚氰酸衍生物固化劑可單獨使用或以其等兩個或更多個組合使用。較佳固化劑(成份B)係無色或黃光固化劑。
設定該環氧樹脂(成份A)與該固化劑(成份B)之比例使得每當量該環氧樹脂(成份A)所含之該等環氧基中，該固化劑(成份B)中可與一環氧基反應之活性基團含量(酸酐基團或羧基基團)較佳係0.5至1.5當量、更佳係0.7至1.2當量。此之原因如下。在活性基團含量過小之情況中，該樹脂組合物具有較低固化速度且產生一具有一較低玻璃轉移溫度(Tg)之趨勢。在活性基團含量過大之情況中，防潮性易降低。
環氧樹脂之固化劑(非上述該等固化劑)可用作根據其等目的及用途之該固化劑(成份B)。此等其他固化劑之實例包含酚固化劑、胺固化劑、藉以醇部分酯化該等酸酐固化劑所得之固化劑，及羧酸諸如六氫苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸及甲基六氫苯二甲酸。此等固化劑可單獨使用或以上述該固化劑之組合使用，且可使用酚固化劑。舉例而言，當羧酸固化劑係與另一固化劑組合使用時，此可提高該固化速率且可改良生產率。在使用此等固化劑之情況中，其等之比例亦可與如上所示之該固化劑(成份B)之比例(當量比)相同。
欲與該成份A及該成份B組合使用之該聚有機矽氧烷(成份C)可為任何可與該環氧樹脂(成份A)混合之聚有機矽氧烷，且可使用各種不同聚有機矽氧烷，即在室溫下為固態或液態之聚有機矽氧烷。欲在本發明中使用之該聚有機矽氧烷可為任何能夠以奈米級均勻分散於欲自該樹脂組合物獲得之固化材料中之聚有機矽氧烷。
此一聚有機矽氧烷(成份C)之實例包含用作其一組分之矽氧烷單元以下列通式(1)表示之聚有機矽氧烷。其實例包含其每一分子具有至少一矽鍵結之羥基或烷氧基之聚有機矽氧烷，且在該等聚有機矽氧烷中至少10莫耳%之矽鍵結單價烴基(R)係經取代或未經取代之芳香烴基。
Rm (OR1 )n SiO(4-m-n)/2 　(1)
在式(1)中，R係一具有1至18個碳原子之經取代或未經取代的飽和單價烴基，且該等R可相同或不同；R1 係一氫原子或一具有1至6個碳原子之烷基，且該等R1 可相同或不同；且m及n各自係一0至3之整數。
分子式(1)中以R表示之該未經取代的飽和單價烴基之實例包含直鏈烷基或支鏈烷基(諸如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、己基、異己基、庚基、異庚基、辛基、異辛基、壬基及癸基)、環烷基(諸如環戊基、環己基、環辛基、二環戊基及十氫萘基)，及芳香基(諸如芳基，例如苯基、萘基、四氫萘基、甲苯基及乙苯基)及芳烷基(例如苯甲基、苯乙基、苯丙基及甲苯甲基)。
另一方面，分子式(1)中以R表示之該經取代飽和單價烴基之實例包含烴基，在該等烴基中部分或所有該等氫原子皆已經一鹵素原子、氰基、胺基、環氧基等取代。其特定實例包含經取代烴基諸如氯甲基、2-溴乙基、3,3,3-三氟丙基、3-氯丙基、氯苯基、二溴苯基、二氟苯基、β-氰乙基、γ-氰丙基及β-氯丙基。
就上述該環氧樹脂(成份A)之親和力及欲所得之該樹脂組合物之性質的觀點而言，該聚有機矽氧烷(成份C)係分子式(1)中之R最好為一烷基或一芳基之聚有機矽氧烷。當R係一烷基時，更佳之烷基係此等具有如上述實例所示之1至3個碳原子之烷基。特別較佳者係甲基。一特別較佳的芳基係苯基。在各矽氧烷單元或該等矽氧烷單元中，式(1)中以R表示之該等基團可相同或不同。
在該聚有機矽氧烷(成份C)中藉由式(1)所表示之該等結構中至少10莫耳%該等矽鍵結之單價烴(R)應選自芳香烴基團。此之原因如下。在芳香烴基團含量過小之情況中，此聚有機矽氧烷對環氧樹脂之親和力不足。因此，該聚有機矽氧烷溶解或分散在一環氧樹脂中產生一不透明樹脂組合物，且此樹脂組合物易產生一就耐光降解性及物理性質而言無法產生足夠效應之固化材料。產生此一效應之芳香烴基團的含量更佳係30莫耳%或更高，特別較佳係40莫耳%或更高。芳香烴基團之含量上限係100莫耳%。
式(1)中之(OR1 )係羥基或一烷氧基。當(OR1 )係一烷氧基時，R1 之實例包含如上述R之實例列舉於上具有1至6個碳原子之該等烷基。更特定言之，R1 之實例包含甲基、乙基及異丙基。在各矽氧烷單元或在該等矽氧烷單元中，以(OR1 )表示之該等基團可相同或不同。
該聚有機矽氧烷(成份C)較佳係其每一分子應具有至少一矽鍵結之羥基或烷氧基，即該聚有機矽氧烷在構成該聚有機矽氧烷之該等矽氧烷之至少一者中應具有式(1)之(OR1 )基團。此之原因如下。在該聚有機矽氧烷既無該羥基亦無該烷氧基之情況中，此聚有機矽氧烷對環氧樹脂之親和力不足。此外，所得之該樹脂組合物不易產生一具有足夠物理性質之固化材料，可能因為該羥基或該等烷氧基在該環氧樹脂之固化反應中執行某項功能，雖然其機制尚不清楚。較佳係根據OH基團含量設定該聚有機矽氧烷(成份C)中矽鍵結之羥基含量或烷氧基含量以使其在0.1重量%至15重量%之範圍內，且更佳係在1重量%至10重量%之範圍內。此之原因如下。在羥基或烷氧基含量超出該範圍之情況中，此聚有機矽氧烷對環氧樹脂(成份A)之親和力差。特別係當其含量過大(例如，超過15重量%)時，存在發生一自脫水反應或一醇消去反應之可能性。
在式(1)中，m及n(其各自指示重複個數)各係一0至3之整數。該數字m及該數字n(其各自指示重複個量)因矽氧烷單元不同而有異。將更詳細地解釋構成該聚有機矽氧烷之該等矽氧烷單元。其實例包含藉由下列通式(2)至(5)表示之單元A1至A4。消去反应
單元A1：(R)3 SiO1/2 　(2)
單元A2：(R)2 (OR1 )n SiO(2-n)/2 　(3)
在式(3)中，n係0或1。
單元A3：(R)(OR1 )n SiO(3-n)/2 　(4)
在式(4)中，n係0，1或2。
單元A4：(OR1 )n SiO(4-n)/2 　(5)
在式(5)中，n係一0至3之整數。
在式(2)至(5)中，R係一具有1至18個碳原子之經取代或未經取代的飽和單價烴基，且該等R可相同或不同。R1 係一氫原子或一具有1至6個碳原子之烷基，且該等R1 可相同或不同。
即，該等矽氧烷單元係根據式(1)之m分類：在m=3對應於單元A1之情況中，其係由式(2)表示；在m=2對應於單元A2之情況中，其係由式(3)表示；在m=1對應於單元A3之情況中，其係由式(4)表示；及在m=0對應於單元A4之情況中，其係由式(5)表示。在此等單元中，由式(2)表示之單元A1係一僅具有一個矽氧烷鍵且構成一端基之結構單元。當n為0時，由式(3)表示之單元A2係一具有兩個矽氧烷鍵且構成直鏈矽氧烷鍵之結構單元。當由式(4)表示之單元A3中之n係0及由式(5)表示之單元A4中之n係0或1時，則單元A2係一可具有三個或四個矽氧烷鍵且促成一支鏈結構或一交鏈結構之結構單元。
在該聚有機矽氧烷(成份C)中，較佳係應如以下(a)至(d)所示般設定各自由式(2)至(5)表示之單元A1至A4之比例。
(a)單元A1：0至30莫耳%
(b)單元A2：0至80莫耳%
(c)單元A3：20%至100莫耳%
(d)單元A4：0至30莫耳%
單元A1與A4之比例更佳係應為0莫耳%，單元A2之比例應為5莫耳%至70莫耳%，且單元A3之比例應為30莫耳%至100莫耳%。由於設定單元A1至A4之該等比例以便在此等範圍內，而可得到能夠賦予(保持)該固化材料適中硬度及一適當彈性模量之效果，因此更偏好此等比例範圍。
該聚有機矽氧烷(成份C)係由此等成分單元彼此組合或成列地構成。該聚有機矽氧烷之聚合度較佳係在6至10,000之範圍內。該聚有機矽氧烷(成份C)之狀態係取決於該聚合度及交鏈度，且可為液態或固態。
具有以分子式(1)表示之此等矽氧烷單元之該聚有機矽氧烷(成份C)可藉由一習知方法產生。舉例而言，該聚有機矽氧烷係藉使有機矽及有機矽氧烷中之至少一者進行一化學反應，例如，在一溶劑(如甲苯)存在下水解的方式獲得。特定言之，一般使用之方法係使有機氯矽烷或有機烷氧基矽烷進行水解/縮合。「有機」基團係一對應於式(1)中之該R之基團(諸如烷基或芳基)。以式(2)至(5)表示之單元A1至A4各自與用作起始物料之矽烷之結構有關聯。舉例而言，在氯矽烷之情況中，三有機氯矽烷之使用產生以式(2)表示之單元A1，且二有機二氯矽烷之使用產生以式(3)表示之單元A2。此外，有機氯矽烷之使用產生以式(4)表示之單元A3，且四氯矽烷之使用產生以式(5)表示之單元A4。在式(1)及(3)至(5)中，以(OR1 )表示之矽鍵結取代基係仍未縮合之水解殘基。
在該聚有機矽氧烷(成份C)於常溫下為固態之情況中，就與樹脂組合物之熔融可混性之觀點而言，其軟化點(流動點)較佳係150℃或更低，特別較佳係120℃或更低。
最好應設定該聚有機矽氧烷(成份C)之該含量以使其在包含該等成份(A)至(C)之所有有機組分之5重量%至60重量%之範圍內。鑒於該聚有機矽氧烷增強該樹脂組合物之線性膨脹係數之事實，特別較佳係其含量在10重量%至40重量%之範圍中。該範圍之原因如下。在成份C之含量過低之情況中，存在耐熱性及耐光降解性降低之傾向。在成份C之含量過高之情況中，存在該所得樹脂組合物產生一本身相當脆之固化材料之傾向。
欲與上述該等成份A至C一起使用之該白色顏料(成份D)之實例包含無機白色顏料諸如氧化鎂、氧化銻、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋅、鉛白、高嶺土、氧化鋁、碳酸鈣、碳酸鋇、硫酸鋇、硫酸鋅及硫化鋅。此等物可單獨使用或以其等兩個或更多個組合使用。此等物中特別較佳者係氧化鈦，以其可得到一良好光反射率。更佳係使用具有0.05至2.0μm之平均粒徑之氧化鈦。附帶地，可以(例如)一雷射繞射/散射型之粒度分佈分析器測定該平均粒徑。
較佳係設定該白色顏料(成份D)之含量以使其在全部樹脂組合物之2重量%至90重量%之範圍中。就著色性及光反射率之觀點而言，更佳係將其含量設定在一該全部樹脂組合物之5重量%至90重量%之範圍內之值。此之原因如下。在成份D之該含量過低之情況中，存在不易得到一足夠光反射率之傾向。在成份D之該含量過高之情況中，存在一經由捏合或類似方式製造該樹脂組合物時因黏度顯著增加而遭遇到困難之趨勢。
在本發明之該樹脂組合物中，為達降低該線性膨脹係數及改善流動性之目的，除了該等成份A至D之外還可另外使用一無機填充劑。該無機填充劑之實例包含石英玻璃粉末、滑石粉、矽石粉(諸如熔凝矽石粉末及結晶矽石粉末)、氧化鋁粉末、氮化鋁粉末，及氮化矽粉末。就降低該線性膨脹係數等之觀點而言，此等粉末中最好使用矽石粉。特別就高負載特徵及高流動性之觀點而言，最好使用熔凝矽石之球形粉末。雖然該無機填充劑之該粒徑及該粒徑分佈未經特定限制，但最好係選擇該粒徑及該粒徑分佈使得其與該白色顏料(成份D)之該粒徑及該粒徑分佈之組合在藉由轉移模製等模壓本發明之該樹脂組合物之情況下可有效地最小化毛邊的產生。特定言之，最好係使用具有一於5至60μm範圍中之平均粒徑之無機填充劑，特別較佳係具有一於15至45μm範圍中之平均粒徑之無機填充劑。可以(例如)一雷射繞射/散射型之粒度分佈分析器測定該平均粒徑。
最好應將該無機填充劑之含量使得該白色顏料(成份D)及該無機填充劑之總含量設定為該全部樹脂組合物之2重量%至98重量%。
除了上述之該成份A至D及該無機填充劑之外，根據需要可將若干添加劑諸如固化促進劑、抗氧化劑、改良劑、阻燃劑、消泡劑、調平劑及脫模劑)適當地摻入本發明之該樹脂組合物中。
該固化促進劑之實例包含三級胺(諸如1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一烷-7、三伸乙基二胺、三-2,4,6-二甲胺基甲基酚、N,N-二甲基苯甲胺、N,N-二甲基胺基苯及N,N-二甲基胺基環己烷)、咪唑化合物(諸如2-乙基-4-甲基咪唑及2-甲基咪唑)、磷化合物(諸如三苯基膦、四苯基四苯基硼酸膦及四正丁基o,o-二乙基二硫代磷酸膦)及四級銨鹽、有機金屬鹽及其衍生物。此等物可單獨使用或以其等之兩個或更多個組合使用。此等固化促進劑較佳係三級胺、咪唑化合物及磷化合物。在此等固化促進劑中，為得到一具有低著色度及透明且堅韌之固化材料，特別較佳係使用磷化合物。
應最好將該固化促進劑之含量設定於該環氧樹脂(成份A)之0.001重量%至8.0重量%比。其含量更佳係0.01重量%至3.0重量%。此之原因如下。當該固化促進劑之該含量過低時，存在無法得到一足夠促進固化效果之情況。當該固化促進劑之該含量過高時，所得之該固化材料易褪色。
該抗氧化劑之實例包含抗氧化劑諸如酚化合物、胺化合物、有機硫化合物及膦化合物。
該阻燃劑之實例包含金屬氫氧化物諸如氫氧化鎂、溴化合物阻燃劑、氮化合物阻燃劑及磷化合物阻燃劑。亦可用的阻燃劑係阻燃劑輔助(諸如三氧化銻)。
該改良劑之實例包含習知的改良劑(諸如甘醇、聚矽氧及醇)。
該消泡劑之實例包含習知的消泡劑(諸如聚矽氧)。
本發明之該樹脂組合物可以(例如)下列方式產生。即，混合上述該等成份A至D，且多種可選添加劑係適合進一步添入其中。此後，此等成份係經由一捏合機或類似物捏合在一起。所得混合物係經粉碎或另外加工。因此，可產生粉末狀之樹脂化合物。
最好上述所得之該樹脂組合物應產生一在450 nm至800 nm之波長下具有80%或更高之光反射率之固化材料。其光反射率之上限係100%。該光反射率係以(例如)下列方式量得。該樹脂組合物之1 mm厚的固化材料係於一預定固化條件下(例如，在150℃下模製4分鐘且隨後在150℃下固化3小時)製得。此固化材料在此波長下之反射率可以一分光光度計(例如，Spectrophotometer V-670，JASCO公司製造)在室溫下(25±10℃)量得。
使用本發明之該樹脂組合物所獲得之該光學半導體裝置係(例如)以下列方式產生。即，將一金屬導線架設置在一轉移模製機之模具中，且利用該樹脂組合物藉由轉移模製以自一樹脂層形成之樹脂壁。形成該樹脂壁以使其包圍一安裝有一光學半導體元件之區域周圍。因此，製造一光學半導體裝置用之金屬導線架。隨後，將一光學半導體元件安裝在位於該金屬導線架上且位於該樹脂壁所包圍之區域內之該光學半導體元件安裝區域上，並根據需要進行引線接合。因此，製造一光學半導體裝置，其係一(諸如)(例如)如圖1所示包含一具有自一樹脂層3形成之樹脂壁以使其包圍欲安裝之光學半導體元件2周圍之金屬導線架1及安裝於該金屬導線架1上之該光學半導體元件2之單元。在該光學半導體裝置中，位於自該樹脂層3形成之該樹脂壁內且包含該光學半導體元件2之區域通常係經聚矽氧或類似物囊封。
圖2至圖4顯示該光學半導體裝置之其他組態。在顯示於圖2中之該光學半導體裝置中，一樹脂壁3a已形成在上面已安裝有一光學半導體元件2之金屬導線架1a(或基板)上。顯示於圖3中之該光學半導體裝置大體上具有與顯示於圖1中之該光學半導體裝置相同之組態。然而，在顯示於圖3中之該光學半導體裝置中，一樹脂亦形成於該金屬導線架1上之該光學半導體元件2周圍，其中該金屬導線架1係位於自該樹脂層3所形成之該樹脂壁包圍之區域內。顯示於圖4中之該光學半導體裝置大體上具有與顯示於圖2中之該光學半導體裝置相同之組態。然而，在顯示於圖4中之該光學半導體裝置中，一樹脂亦形成於該金屬導線架1上之該光學半導體元件2周圍，其中該金屬導線架1係位於該樹脂層3a包圍之區域內。在顯示於圖2至圖4中之此等光學半導體裝置的組態中，以相同信號標示與顯示於圖1中之該光學半導體裝置相同之部分。
在根據本發明顯示於圖2至圖4之該等光學半導體裝置中，可使用多種基板替代該金屬導線架1a。該等多種基板之實例包含有機基板、無機基板及可撓曲印刷電路板。顯示於圖2及圖4中之該等光學半導體裝置之該等金屬導線架1a及此等多種基板各自具有形成於其表面之電極電路(未顯示)。
附帶地，在本發明中，該導線架(或各種基板)上可存在光學半導體元件安裝區域中之一或多者，且該等光學半導體元件安裝區域中至少一者之周圍係被該樹脂壁包圍。
實例
實例與對比實例一起提供於下。然而，不應將本發明解釋為受下列實例限制。
首先，在產生樹脂組合物之前，製備以下所顯示之成份。
環氧樹脂a1：異三聚氰酸三縮水甘油酯(環氧當量：100)
環氧樹脂a2：雙酚A二縮水甘油醚(環氧當量：450)
酸酐：甲基六氫苯二甲酸酐(酸當量：168)
聚有機矽氧烷c1
在一燒瓶中放入206 g(50 mol%)之苯基三甲氧基矽烷及126 g(50 mol%)二甲基二甲氧基矽烷。將1.2 g 20%之鹽酸水溶液與40 g水之混合物逐滴添加至該燒瓶中。在完成逐滴添加之後，繼續回流一小時。隨後，冷卻所得溶液至室溫(25℃)，且接著以碳酸氫鈉中和之。過濾所得之有機矽氧烷溶液以去除雜質，且接著在低壓下利用一旋轉蒸發器蒸掉低沸點物質以藉此得到一液態聚有機矽氧烷c1。所得之該聚有機矽氧烷c1含有羥基及就OH基團量而言9重量%之量的烷氧基。所得之該聚有機矽氧烷c1係由50莫耳%之單元A2及50莫耳%之單元A3構成，且含有33%之苯基及67%之甲基。
聚有機矽氧烷c2
在一燒瓶中，藉由混合550 g水、150 g甲醇，及150 g甲苯預先製備一混合溶劑。隨激烈攪拌5分鐘，於其中逐滴加入182.5 g(90 mol%)甲基三氯矽烷、17.5 g(10 mol%)二甲基二氯矽烷及215 g甲苯之混合物。將該燒瓶之內部溫度提高至75℃，且繼續攪拌此狀態下之該混合物10分鐘。容許該所得溶液靜置且冷卻至室溫(25℃)。此後，去除已分離之水層。隨後，將水與殘留物混合。攪拌此混合物且接著令其靜置且去除該水層。重複此水洗操作直到甲苯層變中性。令殘留有機層繼續回流30分鐘以蒸掉該水及部分該甲苯。過濾有機矽氧烷之所得甲苯溶液以去除雜質。此後，在一低壓下利用一旋轉蒸發器蒸掉剩餘甲苯以藉此得到一固態聚有機矽氧烷c2。所得之該聚有機矽氧烷c2含有6重量%之羥基。用作起始物質之氯矽烷已完全反應，且所得之該聚有機矽氧烷c2係由10莫耳%之單元A2及90莫耳%之單元A3構成，且含有100%之甲基。
氧化鈦：金紅石形式；平均粒徑，1.0 μm
矽石粉：球形熔凝矽石；平均粒徑，23 μm
抗氧化劑：9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物
固化促進劑：四正丁基O,O-二乙基二硫代磷酸膦
實例1至9及對比實例1及2
顯示於後之表格1及表格2中之該等成份係根據該等表中所示之各調配物放在一起並熔融混合於一燒杯中。各混合物係經老化，隨後冷卻至室溫，且經粉碎。因此，產生所需粉末狀環氧樹脂組合物。
藉由下列方法針對多種性質評估因此所得之實例及對比實例之該等環氧樹脂組合物。其結果亦顯示於隨後提供的表格1及表格2中。
光反射率
在預定固化條件下(條件：在150℃下模製4分鐘且在150℃下固化3小時)利用各環氧樹脂組合物製造具有1 mm厚之試片。針對光反射率，檢測該等試片(固化材料)在初始階段及在150℃下靜置168小時後之光反射率。JASCO公司製造之Spectrophotometer V-670係用作一量測設備，且在室溫(25℃)下量測具有波長為450 nm之光的反射率。
耐光降解性
在預定固化條件下(條件：在150℃下模製4分鐘且在150℃下固化3小時)利用各環氧樹脂組合物製造具有1 mm厚之試片。在25 mW及20 μm(80 W/mm2 )之條件下利用一405 nm之單波長雷射(NDHV310APC，Nichia Kagaku Kogyo K.K.製造)照射該等試片(固化材料)。藉由各固化材料反射所得之光係由一功率錶(OP-2VIS，Coherent Inc.製造)接收以量測其強度。量測所接收光之強度降低至其初始值之50%所需之時間且將其視為耐光壽命。當評估該量測之結果時，將所得之該耐光壽命為100分鐘或更長之情況評定為「良好」，且該耐光壽命小於100分鐘之情況評定被評價為「不良」。
上述提供之結果顯示，該等實例之該等試片就初始光反射率及在長期高溫靜置後所量得之光反射率之各者而言獲得高值。可見該等實例之該等試片具有良好的長期高溫耐熱性。亦就耐光降解性而言，此等試片被評定為良好。因此，可見該等實例之該等試片具有良好的耐光降解性。
相較之下，在對比實例1之無利用一聚有機矽氧烷所製成的該等試片獲得大體上與該等實例之此等初始光反射率值及在長期高溫靜置後所量得之光反射率值相等之高值。然而。就耐光降解性之量測而言，對比實例1之該等試片具有短於100分鐘之耐光壽命，進而顯示其等物具有不良耐光降解性。在對比實例2之無利用聚有機矽氧烷但利用雙酚A二缩水甘油醚作為唯一環氧樹脂所製成之該等試片顯示長期高溫靜置後之低光反射率及不良之長期高溫耐熱性。亦就耐光降解性之量測而言，對比實例2之該等試片具有短於100分鐘之耐光壽命，進而顯示其等物具有不良耐光降解性。
隨後，在各該等實例中所得之該等粉末狀環氧樹脂組合物係用於製造一具有圖1所顯示之該組態之光學半導體裝置。即，製備一由合金42(鍍銀)製成之導線架1，在該導線架上已安裝一光學半導體元件(尺寸：0.3 mm×0.3 mm)2，且形成於該金屬導線架1上之電極電路(未顯示)已以一接合引線4電連接至該光學半導體元件2。如圖1所示(模製條件：在150℃下模製4分鐘且在150℃下固化3小時)，隨後在一轉移模製機中設定此導線架1，且進行轉移模製以藉此產生一光學半導體裝置，該裝置係一包含該金屬導線架1、安裝於其上之光學半導體元件2及自樹脂層3形成於該金屬導線架1上以便包圍該光學半導體元件2之樹脂壁之單元。因此所得之該等光學半導體裝置係令人滿意的，且毫無問題。
雖然本發明已參考其特定實施例進行詳細描述，但是熟習此項技術者將瞭解在不脫離本發明之精神及範疇之情況下可對其進行多項變化及改良。
附帶地，本申請案係基於2009年9月7日所申請之日本專利申請案第2009-205752號及2010年5月24日所申請之日本專利申請案第2010-118513號，且將其內容係以引用的方式併入本文中。
將本文所引用之所有文獻全文係以引用的方式併入本文中。
本發明之光學半導體裝置用樹脂組合物產生一具有一高光反射率並可保持該反射率之固化材料。因此，該樹脂組合物係適用作一在一光學半導體裝置之該光學半導體元件周圍形成一樹脂壁之材料。
1．．．金屬導線架
1a．．．金屬導線架
2．．．光學半導體元件
3．．．樹脂層
3a．．．樹脂壁
4．．．接合引線
圖1係以圖表說明一本發明光學半導體裝置之組態之側視圖。
圖2係以圖表說明本發明光學半導體裝置之另一組態之側視圖。
圖3係以圖表說明本發明光學半導體裝置之又另一組態之側視圖。
圖4係以圖表說明本發明光學半導體裝置之一另外組態之側視圖。
1．．．金屬導線架
2．．．光學半導體元件
3．．．樹脂層
4．．．接合引線

Claims (6)

  1. 一種光學半導體裝置用樹脂組合物，該樹脂組合物包括以下成份(A)至(E)：(A)環氧樹脂；(B)固化劑；(C)聚有機矽氧烷；(D)白色顏料；及(E)具有於5至60μm範圍中之平均粒徑之無機填充劑。
  2. 根據請求項1之光學半導體裝置用樹脂組合物，其中一自該樹脂組合物獲得之固化材料在450nm至800nm之波長下具有80%或更高之光反射率。
  3. 根據請求項1之光學半導體裝置用樹脂組合物，其中該成份(C)之含量為包含該等成份(A)至(C)之所有有機組分之5重量%至60重量%。
  4. 根據請求項1之光學半導體裝置用樹脂組合物，其中該成份(D)係氧化鈦。
  5. 一種光學半導體裝置用導線架，其具有一或多個光學半導體元件安裝區域，且包括一樹脂壁，其中該元件安裝區域中之至少一者之周圍係由自根據請求項1之光學半導體裝置用樹脂組合物形成之該樹脂壁包圍。
  6. 一種光學半導體裝置，其包括根據請求項5之光學半導體裝置用導線架及安裝於該導線架中之一預定位置上之光學半導體元件。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5699443B2 (ja) * 2010-04-09 2015-04-08 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
WO2011136302A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 三菱化学株式会社 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置
JP2012077235A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nitto Denko Corp 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
US20140162071A1 (en) * 2011-05-31 2014-06-12 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, and prepreg and metal foil-clad laminate using the same
JPWO2013008842A1 (ja) * 2011-07-14 2015-02-23 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
JP5912600B2 (ja) * 2011-09-16 2016-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2013153144A (ja) * 2011-12-27 2013-08-08 Panasonic Corp Ｌｅｄリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ｌｅｄリフレクター、表面実装型ｌｅｄ発光装置、ｌｅｄ照明器具
JP2013159670A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
EP2826800A4 (en) * 2012-03-13 2015-11-04 Mitsubishi Gas Chemical Co RESIN COMPOSITION, PRE-IMPREGNATED, AND LAMINATE SURROUNDED BY A METAL SHEET
KR20140148417A (ko) * 2012-03-27 2014-12-31 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 광 반사용 수지 조성물, 광 반도체 소자 탑재용 기판 및 광 반도체 장치
CN103579468A (zh) * 2012-07-30 2014-02-12 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR102019499B1 (ko) * 2012-11-05 2019-09-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JPWO2014181754A1 (ja) * 2013-05-08 2017-02-23 旭化成株式会社 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、光半導体用封止材及びダイボンディング材、並びに光半導体発光素子
JP6048367B2 (ja) * 2013-10-21 2016-12-21 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄリフレクター用白色熱硬化性エポキシ・シリコーンハイブリッド樹脂組成物、及び該樹脂組成物の成形硬化物から成るプレモールドパッケージ
KR101712707B1 (ko) 2014-09-25 2017-03-07 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 패키지
WO2016074207A1 (en) * 2014-11-14 2016-05-19 Ablestik (Shanghai) Ltd White epoxy moulding compound
JP6669028B2 (ja) * 2016-09-27 2020-03-18 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200640979A (en) * 2005-03-01 2006-12-01 Nitto Denko Corp Cured product of epoxy resin composition and method for producing the same, and photosemiconductor device using the same
TW200927824A (en) * 2007-09-25 2009-07-01 Hitachi Chemical Co Ltd Thermosetting light reflecting resin composition, optical semiconductor element-mounting substrate using the same, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0725987A (ja) * 1993-07-14 1995-01-27 Nitto Denko Corp 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3491630B2 (ja) 2001-01-18 2004-01-26 松下電工株式会社 樹脂成形体及び回路用成形基板
JP4737842B2 (ja) 2001-01-30 2011-08-03 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP3910171B2 (ja) * 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4803339B2 (ja) * 2003-11-20 2011-10-26 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
US7592399B2 (en) * 2005-12-19 2009-09-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy/silicone hybrid resin composition and optical semiconductor device
JP2008189827A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5233170B2 (ja) * 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
JP2009021394A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
JP5540487B2 (ja) * 2007-09-25 2014-07-02 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP4678415B2 (ja) * 2008-03-18 2011-04-27 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース
JP5218298B2 (ja) * 2008-07-02 2013-06-26 信越化学工業株式会社 熱硬化性シリコーン樹脂−エポキシ樹脂組成物及び当該樹脂で成形したプレモールドパッケージ
JP5488326B2 (ja) * 2009-09-01 2014-05-14 信越化学工業株式会社 光半導体装置用白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物及びその製造方法並びにプレモールドパッケージ及びｌｅｄ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200640979A (en) * 2005-03-01 2006-12-01 Nitto Denko Corp Cured product of epoxy resin composition and method for producing the same, and photosemiconductor device using the same
TW200927824A (en) * 2007-09-25 2009-07-01 Hitachi Chemical Co Ltd Thermosetting light reflecting resin composition, optical semiconductor element-mounting substrate using the same, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

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