KR20110022452A - 경사진 기판 상의 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법으로서,상기 사파이어 기판은 결정면이 일정 방향으로 틸트(tilt)된 기판이며,상기 틸트된 기판 위에 질화물 반도체층과 GaN층을 포함하는 상기 템플레이트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항의 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자.
- 제2항에 있어서,상기 사파이어 기판의 상기 결정면은 A-면, M-면, R-면을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 결정면은 A-면, M-면, R-면이고, A-방향, M-방향, R-방향, 또는 C-방향으로 틸트된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 결정면은 수평면에 대하여 0도 보다 크고 10도 보다 작게 틸트된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 질화물 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 반도체 소자는 n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에 활성층을 갖는 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 반도체 소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 광소자 또는 트랜지스터를 포함하는 전자 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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