KR20110014966A

KR20110014966A - 도전성 미립자 및 이방성 도전 재료

Info

Publication number: KR20110014966A
Application number: KR1020100075545A
Authority: KR
Inventors: 나나 에노모또; 구니히꼬 아까이
Original assignee: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2009-08-06
Filing date: 2010-08-05
Publication date: 2011-02-14
Also published as: JP2011175951A; JP4957838B2; CN101996696B; US20110031449A1; US8383016B2; US20120228559A1; TWI444235B; TW201125661A; EP2282314A1; KR101195732B1; CN101996696A

Abstract

본 발명은 단분산성이 양호하고, 비용이 싸고, 마이그레이션이 발생하기 어렵고, 도전성이 우수한 도전성 미립자를 제공하는 것에 관한 것이다. 코어 입자의 표면이, 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층과, 최표면을 팔라듐층으로 하는 다층의 도전층으로 피복되어 있고, 금속 도금 피막층에 있어서 코어 입자의 표면으로부터의 거리가 금속 도금 피막층 전체 두께의 20％ 이하인 영역 A 내에서의 인의 함유율이, 영역 A 전체에 대하여 7 내지 15 중량％이고, 금속 도금 피막층에 있어서 팔라듐층측의 금속 도금 피막층 표면으로부터의 거리가 금속 도금 피막층 전체 두께의 10％ 이하인 영역 B 내에서의 인의 함유율이, 영역 B 전체에 대하여 0.1 내지 3 중량％이고, 금속 도금 피막층 전체에 대한 인의 함유율이 7 중량％ 이상인 것을 특징으로 하는 도전성 미립자.

Description

도전성 미립자 및 이방성 도전 재료{CONDUCTIVE PARTICLE AND ANISOTROPIC CONDUCTIVE MATERIAL}

본 발명은 단분산성이 양호하고, 비용이 싸고, 마이그레이션이 발생하기 어렵고, 도전성이 우수한 도전성 미립자, 및 도전성 미립자의 제조 방법, 상기 도전성 미립자를 이용한 이방성 도전 재료에 관한 것이다.

도전성 미립자는, 결합제 수지나 점접착제 등과 혼합, 혼련함으로써, 예를 들면 이방성 도전 페이스트, 이방성 도전 잉크, 이방성 도전 점접착제, 이방성 도전 필름, 이방성 도전 시트 등의 이방성 도전 재료로서 널리 이용되고 있다.　

이들 이방성 도전 재료는, 예를 들면 액정 디스플레이, 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화 등의 전자 기기에 있어서, 기판끼리를 전기적으로 접속하거나, 반도체 소자 등의 소형 부품을 기판에 전기적으로 접속하거나 하기 위해서, 서로 대향하는 기판이나 전극 단자의 사이에 끼워서 사용되고 있다.　

이들 도전성 미립자로서는, 종래에 입경이 균일하고, 적절한 강도를 갖는 수지 미립자 등의 비도전성 미립자의 표면에 도전성막으로서 금속 도금 피막층을 형성한 도전성 미립자가 개시되어 있다(예를 들면, 일본 특허 공개 (소)63-190204호 공보 참조).　

일본 특허 공개 (소)63-190204호 공보에 개시되어 있는 도전성 미립자는 도전성막으로서 니켈 도금 피막이 형성되어 있는데, 니켈 도금 피막의 형성 과정에서의 인 농도가 낮게 되어 있다.　 이러한 인 농도가 낮은 니켈 도금 피막에서는 결정 구조의 니켈 도금 피막이 형성된다.　

한편, 인 농도가 높은 니켈 도금 피막에서는, 인 농도가 낮은 니켈 도금 피막보다도 도전성이 나쁘고, 비결정 구조의 니켈 도금 피막이 형성되는 것이 일반적으로 알려져 있다.　

최근의 액정 표시의 급속한 고정밀화에 따라, 액정 구동용 IC의 회로 전극인 범프에 있어서는, 협피치화, 협면적화하고 있다.　 이에 따라, 도전성 미립자도 소직경화하고, 전극 상에 포착되는 입자수가 적어지기 때문에, 하나의 도전성 미립자의 저저항화가 필요하였다.　 일본 특허 공개 제2006-028438호 공보, 일본 특허 공개 제2005-036265호 공보에는, 니켈의 표면에 귀금속인 금층을 형성하여 도통 성능을 향상시킨 도전성 미립자가 개시되어 있다.　

또한, 일본 특허 공개 (평)10-101962호 공보에서는 도전층을 융기시킨 형상의 도전성 미립자가 개시되어 있고, 융기한 부분이 산화한 전극 표면에 꽂힘으로써 도통 성능을 확보하고, 도전성 미립자와 전극 사이의 수지를 배제함으로써 접속 저항을 낮추는 효과를 노린 입자가 개시되어 있다.　

상기 회로 전극 사이의 협피치화, 협면적화에 수반하여 이방 도전성 접착제의 도전성 미립자가 인접하는 회로 사이에 유출하여 고충전됨으로써 쇼트 불량이 발생하기 쉽게 되어 있다.　 이들 문제를 회피하기 위해, 인접하는 회로 사이의 절연성을 유지하기 위한 고안이 이루어져 있다.　

하기 일본 특허 제2748705호 공보, 국제 공개 제03/02955호 공보에는 금층으로 피복된 고분자 중합체의 핵 입자를 절연성의 자입자로 피복하는 방법이 기술되어 있다.　 또한 하기 국제 공개 제03/02955호 공보에서는, 핵 입자를 피복하는 금층의 표면을 머캅토기, 술피드기, 디술피드기 중 어느 하나를 갖는 화합물로 처리하여, 금층 표면에 관능기를 형성하는 방법이 기술되어 있다.　 이에 따라 금층 상에 강고한 관능기를 형성할 수 있다.　

일본 특허 공개 (소)63-190204호 공보에 개시되어 있는 도전성 미립자와 같이, 니켈 도금 피막의 형성 과정에서의 인 농도가 낮게 되어 있는 니켈 도금 피막은 강자성체이기 때문에, 분산성이 나빠서, 상기에서 기술된 이방성 도전 페이스트, 이방성 도전 잉크, 이방성 도전 점접착제, 이방성 도전 필름, 이방성 도전 시트 등을 형성할 때, 결합제 수지나 점접착제 등과 혼합, 혼련하는 공정에서, 도전성 미립자의 분산성이 좋지 않다고 하는 문제점이 있었다.　

또한, 인 농도가 높은 니켈 도금 피막에서는, 인 농도가 낮은 니켈 도금 피막보다도 도전성이 나쁘다.　 또한, 니켈 도금 피막 표면에 무전해 도금에 의해서 귀금속층을 설치하는 경우, 인 농도가 높은 표면 상에 치밀하고 균일한 귀금속층을 설치하는 것은 곤란하다.　 예를 들면, 금층을 설치하는 경우, 치환 도금이나, 치환 도금 후에 환원 도금을 더 행하여 귀금속층을 설치하는 방법이 있지만, 인 농도가 높은 니켈 도금 피막은 치환 도금 반응에서 니켈의 균일한 용해가 발생하기 어려워, 형성시키는 귀금속층은 바탕의 니켈층이 노출된 불균일한 것이 되기 쉽다.　 그 때문에, 귀금속층인 팔라듐층에 있어서도 불연속막이 형성된다고 하는 문제점이 있었다.　

일본 특허 공개 제2006-028438호 공보, 일본 특허 공개 제2005-036265호 공보에 개시되어 있는, 니켈의 표면에 귀금속인 금층을 형성하여 도통 성능을 향상시킨 도전성 미립자는 금의 가격이 높아 고비용이 되기 쉽기 때문에, 금층의 막두께를 얇게 할 필요가 있다.　 그러나, 금층이 얇으면 양호한 도통 성능을 얻을 수 없는 외에, 니켈의 용출이 발생하여 마이그레이션을 일으킨다고 하는 문제가 있다.　 일본 특허 공개 제2005-036265호 공보에 나타내는 도전성 미립자에서는, 금의 함유량이 90 중량％ 이상인 금속층이 형성되어 있는데, 도통 신뢰성은 양호하지만, 비용이 높아 실사용에는 적합하지 않다.　

또한, 상기 일본 특허 제2748705호 공보, 국제 공개 제03/02955호 공보에 나타낸 바와 같이, 절연성의 자입자로 도전성 미립자 표면을 피복하는 방법에서는, 자입자와 도전성 미립자의 접착성의 문제로부터, 아크릴 등 수지제의 자입자를 이용할 필요가 있는데, 금속 표면을 머캅토기, 술피드기, 디술피드기 중 어느 하나를 갖는 화합물로 처리하는 경우, 금속 상에 조금이나마 니켈 등의 비(卑)금속이나 구리와 같은 산화하기 쉬운 금속이 존재하면, 금속과 화합물의 반응이 진행하기 어렵다.

즉, 보다 저비용으로 절연 처리성이 풍부하고, 도통 성능이 우수한 도전성 미립자가 요구되고 있고, 본 발명자들은 성의 검토를 진행시킨 결과, 본 발명에 이르렀다.　

본 발명은 상기 현실을 감안하여, 단분산성이 양호하고, 비용이 싸고, 마이그레이션이 발생하기 어렵고, 도전성이 우수한 도전성 미립자, 및 도전 입자의 제조 방법, 상기 도전성 미립자를 이용한 이방성 도전 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.　

본 발명자들은 예의 검토의 결과, 니켈을 포함하는 금속 도금 피막층을 코어 입자의 표면에 형성하기 위한 니켈 도금 반응 시에, pH, 착화제, 차아인산·수산화나트륨 농도비 등의 도금액 조성을 엄밀하게 조정함으로써, 이하의 인 농도에 있어서 특징적인 조성을 갖는 도전성 미립자를 얻는 것을 가능하게 하였다.　 이 도전성 미립자가 구비하는 금속 도금 피막층은 코어 입자 표면으로부터 20％ 이하의 막두께 영역에서 금속 도금 조성 중에 7 내지 15 중량％의 인을 함유하며, 코어 입자와는 반대를 향하는 금속 도금 피막층 표면측으로부터 금속 도금 피막 막두께의 10％ 이하의 영역에서 금속 도금 조성 중에 0.1 내지 3 중량％의 인을 함유한다.　 그리고, 금속 도금 피막층 전체에 대하여 인이 7 중량％ 이상 포함되고, 금속 도금 피막층의 자성이 약하기 때문에, 도전성 미립자는 단분산성이 우수하다고 생각된다.　 또한, 코어 입자와는 반대를 향하는 금속 도금 피막층 표면측으로부터 금속 도금 피막 막두께의 10％ 이하의 영역에서 금속 도금 조성 중에 0.1 내지 3 중량％의 인이 포함되기 때문에, 최표면에 형성된 팔라듐 도금층은 치밀하고 연속하여, 바탕의 니켈이 노출하기 어려운 구조가 되어, 도전성이 우수하고, 니켈의 부식이나 용출이 생기기 어려운 도전성 미립자를 얻을 수 있다고 생각된다.　 본 발명자들은 이들 지견을 발견하여 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.　 이하에 본 발명을 상술한다.　

제1 본 발명에 따른 도전성 미립자는 코어 입자의 표면이, 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층과, 최표면을 팔라듐층으로 하는 다층의 도전층으로 피복되어 있고, 코어 입자 표면으로부터 20％ 이하의 막두께 영역(영역 A)으로 금속 도금 조성 중에 7 내지 15 중량％의 인을 함유하며, 코어 입자와는 반대를 향하는 금속 도금 피복층의 표면측으로부터 금속 도금 피막 막두께의 10％ 이하의 영역(영역 B)에서 금속 도금 조성 중에 0.1 내지 3 중량％의 인을 함유하며, 금속 도금 피막층은 인을 7 중량％ 이상 함유하는 것을 특징으로 한다.　 본 발명에 따른 이방성 도전 재료는 본 발명에 따른 도전성 미립자를 결합제 수지에 분산 또는 배치시켜 이루어진다.　

즉, 제1 본 발명에 따른 도전성 미립자는 코어 입자와, 코어 입자의 표면에 형성되고 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층과, 코어 입자에 대하여 반대측을 향하는 금속 도금 피막층의 표면에 형성되고 복수의 층을 갖는 도전층을 구비한다.　 도전층이 갖는 복수의 층 중, 코어 입자에 대하여 반대측을 향하는 도전층의 표면에 위치하는 층은 팔라듐층이다.　 금속 도금 피막층에 있어서 코어 입자 표면으로부터의 거리(코어 입자측의 금속 도금 피막층 표면으로부터의 거리)가 금속 도금 피막층 전체 두께의 20％ 이하인 영역 A 내에서의 인의 함유율이, 영역 A 전체에 대하여 7 내지 15 중량％이다.　 금속 도금 피막층에 있어서 팔라듐층측(도전층측)의 금속 도금 피막층 표면으로부터의 거리가 금속 도금 피막층 전체 두께의 10％ 이하인 영역 B 내에서의 인의 함유율이, 영역 B 전체에 대하여 0.1 내지 3 중량％이다.　 금속 도금 피막층 전체에 대한 인의 함유율이 7 중량％ 이상이다.　

도 1에 도시된 바와 같이, 제2 본 발명의 일 형태에 따르 도전성 미립자 (100)은 코어 입자 (102)와, 코어 입자 (102)의 표면에 형성되고 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층 (104)와, 코어 입자 (102)에 대하여 반대측을 향하는 금속 도금 피막층 (104)의 표면에 형성된 팔라듐층 (106)을 구비한다.　 금속 도금 피막층 (104)에 있어서 코어 입자 (102)측의 금속 도금 피막층 (104)의 표면으로부터의 거리가 금속 도금 피막층 (104) 전체 두께의 20％ 이하인 영역 A 내에서의 인의 함유율이, 영역 A 전체에 대하여 7 내지 15 중량％이다.　 금속 도금 피막층 (104)에 있어서 팔라듐층 (106)측의 금속 도금 피막층 (104)의 표면으로부터의 거리가 금속 도금 피막층 (104) 전체 두께의 10％ 이하인 영역 B 내에서의 인의 함유율이, 영역 B 전체에 대하여 0.1 내지 3 중량％이다.　 금속 도금 피막층 (104) 전체에 대한 인의 함유율이 7 중량％ 이상이다.　

상기 본 발명에서는 팔라듐층 (106)의 표면에 배치되고, 입경이 20 내지 500 nm인 절연성 미립자 (108)를 구비하는 것이 바람직하다.　

상기 본 발명에서는 최표면의 팔라듐층은 치밀하고 연속한, 바탕의 니켈이 노출하기 어려운 상태로서, SEM(주사 전자 현미경)을 이용하여 팔라듐층 표면을 관찰한 경우, 입자 반경의 동심원 내(동심구 내)를 관측 범위로 하여, 관찰 배율을 3만배로 하여 임의의 입자를 100개 관측했을 때, 1개의 입자에 5개 이상의 핀홀이 존재하는 입자가 10개 이하인 것이 바람직하다.　 즉, 상기 본 발명에서는 팔라듐층이 금속 도금 피막층 전체를 거의 완전히 피복하여, 팔라듐층 표면에 형성된 핀홀의 수가 관측 범위 내이고, 1개의 입자에 5개 이상의 핀홀이 존재하는 입자가 100개 중, 10개 이하인 것이 바람직하다.　 바꾸어 말하면, 본 발명에서는 도전성 미립자 (100)개 중, 팔라듐층의 표면에 5개 이상의 핀홀이 형성된 도전성 미립자의 수가 10개 이하인 것이 바람직하다.　

상기 본 발명에서는 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층의 두께는 40 내지 150 nm인 것이 바람직하다.　

상기 본 발명에서는 팔라듐층이 적어도 일부가 환원 도금형으로 형성된 팔라듐층인 것이 바람직하다.　

상기 본 발명에서는 팔라듐층의 두께가 10 내지 50 nm인 것이 바람직하다.　

본 발명에 따르면, 니켈 도금 반응 시의 pH, 착화제, 차아인산·수산화나트륨 농도비 등의 도금액 조성을 엄밀하게 조정함으로써, 인 함유량을 의도적으로 변경한 금속 도금 피막층을 코어 입자의 표면에 형성하고, 또한 최외층에 팔라듐층을 형성함으로써, 단분산성이 양호하고, 비용이 싸고, 마이그레이션이 발생하기 어렵고, 도전성이 우수한 도전성 미립자, 및 상기 도전성 미립자를 이용한 이방성 도전 재료를 제공할 수 있다.　

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전성 미립자의 단면 모식도이다.　

이하에 실시예를 들어 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 설명하는데, 본 발명은 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.　

본 실시 형태의 도전성 미립자는 코어 입자와, 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층과, 최표면을 팔라듐층으로 하는 다층의 도전층을 가진다.　

상기 코어 입자로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 적절한 탄성률, 탄성 변형성 및 복원성을 갖는 것인 것이 바람직하고, 무기 재료이거나 유기 재료일 수도 있는데, 적절한 탄성률, 탄성 변형성 및 복원성을 제어하기 쉽기 때문에, 수지로 이루어지는 수지 미립자인 것이 보다 바람직하다.　

상기 수지 미립자로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀; 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 디비닐벤젠 중합 수지; 디비닐벤젠-스티렌 공중합체, 디비닐벤젠-아크릴산에스테르 공중합체, 디비닐벤젠-메타크릴산에스테르 공중합체 등의 디비닐벤젠계 공중합 수지; 폴리알킬렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지 등으로 이루어지는 것을 들 수 있다.　 이들 수지 미립자는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.　

상기 코어 입자의 평균 입경으로서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 하한은 1 ㎛, 바람직한 상한은 20 ㎛이다.　 1 ㎛ 미만이면, 예를 들면 무전해 도금을 할 때에 응집하기 쉬워, 단입자로 하기 어려워지는 경우가 있고, 20 ㎛를 초과하면, 이방성 도전 재료로서 기판 전극 사이 등에서 이용되는 범위를 넘게 되는 경우가 있다.　 코어 입자의 평균 입경의 보다 바람직한 상한은 10 ㎛이고, 특히 바람직한 상한은 5 ㎛이다.　

상기 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층은 상기 코어 입자 표면으로부터 20％ 이하의 막두께 영역(영역 A)에서 금속 도금 조성 중에 7 내지 15 중량％의 인을 함유한다.　 영역 A에서의 인의 함유율은 7 내지 14 중량％인 것이 보다 바람직하고, 7 내지 13 중량％인 것이 특히 바람직하다.　 금속 도금 피막층은 코어 입자와는 반대를 향하는 금속 도금 피막층의 표면측으로부터 금속 도금 피막 막두께의 10％ 이하의 영역(영역 B)에서 금속 도금 조성 중에 0.1 내지 3 중량％의 인을 함유한다.　 영역 B에서의 인의 함유율은 0.1 내지 2.5 중량％인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 2 중량％인 것이 특히 바람직하다.　 금속 도금 피막층 전체는 7 중량％ 이상의 인을 함유한다.　 본 실시 형태에 있어서는, 상기 코어 입자의 표면에 접하는 표면으로부터 20％ 이하의 막두께 영역에서 금속 도금 조성 중에 7 내지 15 중량％의 인을 함유시키고, 금속 도금 피막층 전체에 인을 7 중량％ 이상 함유시킴으로써 금속 도금 피막층의 자성을 억제하여 도전성 미립자의 단분산성이 양호해진다고 생각된다.　 또한, 금속 도금 피막층 표면측으로부터 금속 도금 피막 막두께의 10％ 이하의 영역에서 금속 도금 조성 중에 0.1 내지 3 중량％의 인을 함유함으로써 팔라듐층을 균일하게 형성하여 치밀하고 연속한, 바탕의 니켈이 노출하기 어려운 구조의 팔라듐층을 얻을 수 있다고 생각된다.　 이에 따라, 도전성이 우수한 도전성 미립자로 할 수 있다.　 또한, 양호한 도전성을 확보하기 위해서는, 금속 도금 피막층 전체에 대한 인의 함유율은 15 중량％ 이하인 것이 바람직하다.　 15 중량％를 초과하면, 얻어지는 도전성 미립자의 도전성이 저하되는 경향이 있다.

상기 영역 A에서의 인의 함유율의 바람직한 하한은 7 중량％, 바람직한 상한은 15 중량％이다.　 7 중량％ 미만이면, 니켈을 포함하는 금속 도금 피막층(니켈 도금층)이 너무 딱딱해져서, 깨어지기 쉬워지는 경우가 있고, 또한 자성에 의한 응집이 발생하여, 분산성이 나빠지는 경우가 있다.　 15 중량％를 초과하면, 니켈 도금층이 너무 부드러워져서, 코어 입자와 도전층의 밀착성이 저하하는 경우가 있다.

상기 영역 B에서의 인의 함유율의 바람직한 하한은 0.1 중량％, 바람직한 상한이 3 중량％이다.　 3 중량％를 초과하면, 니켈을 포함하는 금속 도금 피막층의 결정 구조가 거칠어져서, 치밀하고 연속한 팔라듐층을 형성할 수 없는 경우가 있다.

상기 금속 도금 조성 중에 0.1 내지 3 중량％의 인을 함유하는 막두께 영역은 금속 도금 피막층 표면측으로부터 10％ 이하의 막두께 영역이다.　 0.1 내지 3 중량％의 인을 함유하는 금속 도금은 강자성체이기 때문에, 금속 도금 피막층 표면측으로부터 10％를 초과하는 막두께 영역이 강자성체이면, 금속 도금 피막층의 자성에 의한 도전성 미립자의 응집이 발생하여, 분산성이 나빠지는 경우가 있다.　

본 실시 형태에서는, 도전성 미립자가 팔라듐층의 표면에 배치되고, 입경이 20 내지 500 nm인 절연성 미립자를 구비하는 것이 바람직하다.　 절연성 미립자는 무기 산화물인 것이 바람직하다.　 가령, 절연성 입자가 유기 화합물인 경우, 이방성 도전 재료를 제조하는 공정에서 절연성 입자가 변형하게 되어, 얻어지는 이방 도전성 특성이 변화하기 쉬운 경향이 있다.　 그러나, 상기 제조 공정에 주의를 하면서 절연성 미립자로서 유기 화합물을 사용하는 것은 가능하다.　 또한, 절연성 미립자가 아니라, 도전성 미립자의 표면에 절연성의 수지층을 형성할 수도 있다.　 이들은, 예를 들면 일본 특허 공개 제2008-269816호 공보, 일본 특허 공개 제2006-236759호 공보, 일본 특허 공개 제2005-187637호 공보 등에 기재된 방법으로 제조할 수 있다.　

절연성 미립자를 구성하는 무기 산화물로서는, 예를 들면 규소, 알루미늄, 지르코늄, 티탄, 니오븀, 아연, 주석, 세륨 및 마그네슘의 산화물 등을 들 수 있다.　 이들 무기 산화물 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용되어 있을 수도 있다.　 또한, 무기 산화물로서는 상술한 원소를 포함하는 산화물 중에서도, 절연성이 우수하고, 입경을 제어한 수분산 콜로이달실리카(SiO₂)가 가장 바람직하다.

무기 산화물 미립자의 입경은 수지 미립자(코어 입자)보다 작은 것이 바람직하다.　 구체적으로는, 20 내지 500 nm인 것이 바람직하고, 20 내지 400 nm인 것이 보다 바람직하고, 30 내지 300 nm인 것이 특히 바람직하고, 40 내지 200 nm인 것이 매우 바람직하다.　 또한, 무기 산화물 미립자의 입경은 BET법에 의한 비표면적 환산법 또는 X선 소각 산란법으로 측정된다.　 입경이 20 nm 미만이면 팔라듐층에 흡착한 무기 산화물 미립자가 절연막으로서 작용하지 않고서, 전극 사이의 일부에 쇼트를 발생시키는 경향이 있다.　 한편, 입경이 500 nm를 초과하면, 전극 사이에서 도전성이 얻어지지 않는 경향이 있다.　

본 실시 형태의 도전성 미립자는 최표면의 팔라듐층이 치밀하고 연속한, 바탕의 니켈이 노출하기 어려운 상태로서, SEM을 이용하여 팔라듐층 표면을 관찰한 경우, 입자 반경의 동심원 내를 관측 범위로 하고, 관찰 배율을 3만배로 하여 임의의 입자를 100개 관측했을 때, 1개의 입자에 5개 이상의 핀홀이 존재하는 입자가 10개 이하인 것이 바람직하다.　 관측 범위 내에서, 1개의 입자에 5개 이상의 핀홀이 존재하는 입자가 100개 중 10개 이상이면, 이방성 도전 페이스트, 이방성 도전 잉크, 이방성 도전 점접착제, 이방성 도전 필름, 이방성 도전 시트 등을 형성했을 때, 마이그레이션을 야기하기 쉬운 경향이 있다.　 그 때문에, 5개 이상의 핀홀이 존재하는 입자가 100개 중 10개 이하가 바람직하고, 7개 이하인 것이 보다 바람직하고, 5개 이하인 것이 특히 바람직하고, 3개 이하인 것이 매우 바람직하다.　

여기서, 본 발명에 있어서의 핀홀이란 도전성 미립자의 팔라듐층의 표면에서 관측되는 직경 20 내지 150 nm의 작은 구멍을 의미한다.　 본 발명에 있어서, 150 nm를 초과하는 구멍은 도금이나 해쇄의 공정에서 발생하는 도금 박리에 의한 딤플로 한다.　 또한, 상기 작은 구멍의 형상이 원형이 아닌 경우에는, 그것에 외접하는 원의 직경을 작은 구멍의 직경으로 한다.　

본 실시 형태의 도전성 미립자의 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층의 두께의 바람직한 하한이 40 nm, 바람직한 상한이 150 nm이다.　 40 nm 미만이면 원하는 도전성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 150 nm를 초과하면 상기 도전층과 코어 입자의 밀착성이 저하되어, 박리하기 쉬운 경향이 있다.　 도전성 미립자의 입경에도 영향을 미칠 가능성이 있다.　 금속 도금 피막층의 두께는 도전성이 확보되고, 또한 입경에도 영향을 초래하지 않는 40 nm 내지 150 nm인 것이 바람직하고, 45 내지 140 nm인 것이 보다 바람직하고, 50 내지 110 nm인 것이 특히 바람직하다.　

팔라듐층은 연성을 가지기 때문에, 도전성 미립자를 압축한 후에, 금속 균열을 일으키기 어렵고, 금속 균열에 기인하는 마이그레이션이 발생하기 어렵다.　 또한, 팔라듐은 금 및 백금과 같이 도전성이 우수하지만, 이들 귀금속을 동일 부피로 비교한 경우, 팔라듐이 가장 저렴하여 실용적이다.　 이들 이유로부터, 최외층은 팔라듐층인 것이 바람직하다.　 팔라듐층을 가짐으로써 도전층의 산화 방지, 접속 저항의 감소화, 표면의 안정화 등을 도모할 수도 있다고 생각된다.　

본 실시 형태의 도전성 미립자에 있는 최표면의 팔라듐층의 형성 방법으로서는 무전해 도금, 치환 도금, 전기 도금, 환원 도금, 스퍼터링 등의 종래 공지된 방법을 들 수 있다.　 치환 도금형으로도 형성 가능하지만, 치밀하고 연속한 팔라듐층을 얻는 것이 곤란하다.　 그 때문에, 도전성 미립자는 적어도 환원 도금형으로 형성된 팔라듐층을 갖는 것이 바람직하다.　 이에 따라, 치밀하고 연속한 팔라듐층을 용이하게 얻을 수 있어, 팔라듐층의 피복률이 향상하여, 도전성이 향상된다.　 또한, 적어도 환원 도금을 행하면, 치환 도금과의 조합에 의해 팔라듐층을 형성하는 것도 가능하다.　 예를 들면, 금속 도금 피막층(니켈 도금층)이 형성된 입자를 치환 도금액에 침지하여 치환 도금에 의해 팔라듐층을 형성한 후, 계속하여 환원 도금액에 상기 입자를 침지하여, 치환 도금으로 형성시킨 팔라듐층을 더욱 두껍게 하는 것도 가능하다.　 치환 도금과 환원 도금에 의해 설치한 팔라듐층은 두께 방향으로 경계선없이 연속하고 있다.　 또한, 치환 도금 반응과 환원 도금 반응이 동시에 진행하는 도금액을 사용하면, 공정이 간략화되어 보다 바람직하다.　

상기 팔라듐층은 팔라듐과 인 등의 합금일 수도 있다.　 팔라듐이 합금인 경우, 도전성 측면에서 합금 중의 팔라듐 함유율은 70 중량％ 이상인 것이 바람직하고, 90 중량％ 내지 100 중량％ 미만인 것이 더욱 바람직하다.　

상기 팔라듐층의 두께는 10 nm 내지 50 nm인 것이 바람직하고, 10 내지 40 nm인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 30 nm인 것이 특히 바람직하다.　 팔라듐층의 두께가 10 nm 미만이면 도전층의 산화를 방지하는 것이 곤란하고, 접속 저항치가 높아, 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있다.　 한편, 팔라듐의 두께가 50 nm를 초과하면 도전성 미립자 전체의 탄성이 저하되는 경향이 있다.　 또한, 팔라듐층이 두꺼울수록 비용이 높아져서 경제적으로 바람직하지 않다.　

본 실시 형태의 도전성 미립자를 제조할 때에는, 코어 입자의 표면에 금속 도금 조성 중에 7 내지 15 중량％의 인을 함유하는 니켈 도금층을 형성하고, 그 후, 금속 도금 조성 중에 0.1 내지 3 중량％의 인을 함유하는 니켈 도금층을 형성하는 순서로 도금을 행하면 좋다.　 상기 7 내지 15 중량％의 인을 함유하는 니켈 도금층 또는 0.1 내지 3 중량％의 인을 함유하는 니켈 도금층을 형성시키는 방법으로는, 예를 들면 도금 반응의 pH를 제어하는 방법, 니켈 도금액 내의 인 농도를 제어하는 방법 등을 들 수 있다.　 그 중에서도, 반응 제어가 우수하다는 점에서 도금 반응의 pH를 제어하는 방법이 바람직하게 이용된다.　

이하에, 각 공정을 상술한다.　 본 실시 형태의 도전성 미립자의 제조 방법은 코어 입자의 표면에 촉매 부여를 행하는 공정을 갖는 것이 바람직하다.　 상기 촉매 부여를 행하는 방법으로서는, 예를 들면 코어 입자의 표면을 조정하고, 분산성이나 도금 촉매 부착성, 도금 부착성을 확보하는 전처리를 행한다.　 전처리 방법으로서는, 예를 들면 알칼리성 또는 산성의 탈지, 계면 활성제에 의한 친수화 처리, 코어 입자 표면에 관능기를 부여하는 개질 처리 등을 들 수 있다.　 이들, 전처리를 행한 후에는, 코어 입자 표면에 무전해 도금의 환원 반응의 핵이 되는 촉매를 부여하는 촉매화 공정을 실시한다.　 무전해 니켈 도금의 촉매로서는, 예를 들면 팔라듐이나 금, 백금 등이 주로 이용된다.　 촉매를 부여하는 구체적인 방법으로서는, 예를 들면 이온화 또는 안정적인 착체화한 팔라듐 촉매 용액 내에 전처리 완료된 코어 입자를 투입하고, 분산 및 교반함으로써 코어 입자 표면에 착체화한 팔라듐 등의 촉매를 부여한다.　 이것을, 환원하여 금속 팔라듐을 코어 입자 표면에 부여한다.　 또한, 알칼리 탈지 후에 산중화한 코어 입자를 이 염화주석 용액에 침지하여 센서타이징을 행하고, 이염화팔라듐 용액에 침지하여 액티베이팅을 행하는 촉매 부여의 방법도 일반적으로 알려져 있다.　

환원 도금을 이용함으로써 니켈층의 도금 두께를 제어하기 쉽다.　 예를 들면, 사용하는 도금액에 함유하는 니켈 이온 농도로부터 석출 후의 도금 두께를 미리 산출하기 쉽기 때문에, 쓸데없는 니켈이나 시약의 사용을 억제할 수 있어, 저비용화가 가능하다.　 환원 도금의 방법으로서는, 예를 들면 촉매 부여 완료된 코어 입자를 건욕한 환원 니켈 도금욕에 분산하는 방법이나, 촉매 부여 완료된 코어 입자를 분산한 욕 중에 환원 도금액을 정량 펌프 등을 이용하여 적하하는 적하법 등을 들 수 있다.　 적하법은 적하 속도나 적하 시간에 의해 적하하는 환원 도금액의 양을 정확하게 제어할 수 있기 때문에, 코어 입자 상에 형성하는 니켈 도금층의 두께를 제어하기 쉬워 특히 바람직하다.　 또한, 본 발명과 같은 미립자에의 도금의 경우에는, 도금욕의 욕부하(입자 표면적을 도금욕 액량으로 나눈 값)가 매우 높고, 환원 도금에서는, 환원 반응이 너무 과잉이 되어, 이상 석출(도금 프리)이 발생하기 쉽다.　 적하법은 도금욕 중의 Ni 이온량을 항상 낮게 유지할 수 있기 때문에, 도금 프리가 없고, 평활한 도금 표면이 얻어지기 때문에 바람직하다.　

또한, 니켈층이 환원 도금형의 니켈층인 것에 의해 수지 미립자 상에 치밀하고 균질한 니켈층이 형성 가능하고, 수지 미립자 표면의 노출이 적은 도전 입자를 제공하는 것이 가능하다.　 코어 입자가 비도전 재료이어도, 무전해 도금이면 코어 입자를 거의 완전히 덮는 니켈층을 설치할 수 있다.　 니켈층은 환원 도금형의 니켈층인 것이 바람직하다.　 이에 따라, 코어 입자에 대한 니켈층의 피복률이 향상하여, 도전성 미립자의 도전성이 보다 향상된다.　

본 실시 형태의 도전성 미립자의 제조 방법은, 예를 들면 무전해 니켈 도금액을 이용하여, 코어 입자의 표면에 니켈 도금 반응 시의 pH, 착화제, 차아인산·수산화나트륨 농도 등의 도금액 조성을 엄밀하게 조정함으로써 인 농도를 변경시킨 도전성 미립자를 얻을 수 있다.　 무전해 니켈 도금액에는 착화제에 시트르산, 말산, 숙신산, 프로피온산, 락트산 및 이들의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종으로 이루어지는 것을 사용하고, 또한 pH를 5.5 이하로 조정함으로써 7 내지 15 중량％의 인 농도를 얻을 수 있다.　 또한, 차아인산과 수산화나트륨 농도비를 조정함으로써 인 농도를 변경할 수 있다는 것이 알려져 있다.　

0.1 내지 3 중량％의 인 함유 니켈 도금층을 갖는 도전성 미립자의 제조 방법은 상기한 방법으로 인 농도를 조정하는 것이 가능한데, 예를 들면 니켈 도금 반응 시의 pH를 5.5 이상으로 조정함으로써 0.1 내지 3 중량％의 인 함유 니켈 도금층을 형성시킬 수 있다.　 또한, 본 발명에 있어서 니켈층에는 인이 함유되지만, 본 발명의 효과를 저해하지 않은 범위에서 다른 성분을 함유하고 있을 수도 있다.

본 실시 형태의 도전성 미립자를 결합제 수지에 분산 또는 배치시킴으로써 이방성 도전 재료를 제조할 수 있다.　 이러한 이방성 도전 재료도 또한 본 발명의 하나이다.　

본 실시 형태의 이방성 도전 재료의 구체적인 예로서는, 예를 들면 이방성 도전 페이스트, 이방성 도전 잉크, 이방성 도전 점착제층, 이방성 도전 필름, 이방성 도전 시트 등을 들 수 있다.　

상기 수지 결합제로서는 특별히 한정되지 않지만, 절연성의 수지가 이용되고, 예를 들면 아세트산비닐계 수지, 염화비닐계 수지, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지 등의 비닐계 수지; 폴리올레핀계 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 폴리아미드계 수지 등의 열가소성 수지; 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지 및 이들의 경화제로 이루어지는 경화성 수지; 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 이들의 수소 첨가물 등의 열 가소성 블록 공중합체; 스티렌-부타디엔 공중합 고무, 클로로프렌 고무, 아크릴로니트릴-스티렌 블록 공중합 고무 등의 엘라스토머류(고무류) 등을 들 수 있다.　 이들 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.　 또한, 상기 경화성 수지는 상온 경화형, 열 경화형, 광 경화형, 습기 경화형 중의 어느 경화형일 수도 있다.　

본 실시 형태의 이방성 도전 재료에는 본 실시 형태의 도전성 미립자, 및 상기 수지 결합제 외에, 본 발명의 과제 달성을 저해하지 않은 범위에서 필요에 따라서, 예를 들면 증량제, 연화제(가소제), 점접착성 향상제, 산화 방지제(노화 방지제), 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 착색제, 난연제, 유기 용매 등의 각종 첨가제를 첨가할 수도 있다.　

본 실시 형태의 이방성 도전 재료의 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 절연성의 수지 결합제 중에 본 실시 형태의 도전성 미립자를 첨가하고, 균일하게 혼합하여 분산시켜, 예를 들면 이방성 도전 페이스트, 이방성 도전 잉크, 이방성 도전 점접착제 등으로 하는 방법이나, 절연성의 수지 결합제 중에 본 실시 형태의 도전성 미립자를 첨가하고, 균일하게 용해(분산)시키거나, 또는 가열 용해시켜, 이형지나 이형 필름 등의 이형재의 이형 처리면에 소정의 필름 두께가 되도록 도공하고, 필요에 따라서 건조나 냉각 등을 행하여, 예를 들면 이방성 도전 필름, 이방성 도전 시트 등으로 하는 방법 등을 들 수 있으며, 제조하고자 하는 이방성 도전 재료의 종류에 대응하여 적절한 제조 방법을 취하면 된다. 또한, 절연성의 수지 결합제와, 본 실시 형태의 도전성 미립자를 혼합하지 않고, 따로따로 이용하여 이방성 도전 재료로 할 수도 있다.

이상, 본 발명에 따른 도전성 미립자의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.　

[실시예]

(모입자 1)

평균 입경 3.8 ㎛의 가교 폴리스티렌 입자(수지 미립자) 3 g을 수산화나트륨 수용액으로 탈지하고, 산으로 중화하여 표면 조정을 행하였다.　 알칼리팔라듐 촉매인 아토텍네오간트 834(아토텍 재팬 가부시끼가이샤 제조, 상품명) 100 mL 중에 상기 표면 조정 완료된 수지 미립자를 투입하고, 35℃에서 10분 교반한 후, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과하였다.　 입자를 200 ml의 증류수로 수세하고, 상기와 마찬가지로 여과하였다.　 또한, 일반적으로, 「알칼리팔라듐 촉매」란 수지 미립자 표면에 팔라듐층 등의 도금층을 형성하기 위한 촉매로서, 본 발명에 있어서의 팔라듐층 그 자체는 아니다.　

다음으로, 수세 후의 폴리스티렌 입자를 70℃, pH 6.0으로 조정한 3 g/L의 차아인산나트륨 수용액에 첨가하여, 표면이 활성화된 수지 미립자를 얻었다.　

2000 ml의 유리 비이커에 물 1000 ml와 말산나트륨 20 g/L, 팔라듐 촉매가 부여되어 표면이 활성화된 수지 미립자를 투입하고, 초음파 분산시킨 후, 불소제 교반 날개에 의해 교반(600 rpm)을 행하면서 pH를 5.5 이하로 조정하고, 80℃로 가온하였다.　 여기에, 무전해 니켈 도금액인 SEK670(닛본 카니젠 가부시끼가이샤, 제품명)을(SEK670-0)/(SEK670-1)=1.8의 비율로 혼합한 초기 박막 도금액을 정량 펌프를 이용하여 7 ml/분으로 첨가한 바, 약 30초 후에 환원 반응이 개시하여, 욕 중에서 기포가 발생하여 욕 전체가 회색으로부터 흑색으로 되었다.　 그 후, 초기 박막 형성을 종료한 후, 즉각적으로 황산니켈: 224 g/L, 말산나트륨: 305 g/L를 혼합한 두께 부여 도금액 a와, 차아인산나트륨: 534 g/L, 수산화나트륨: 34 g/L로 혼합한 두께 부여 도금액 b를 13 ml/분으로 2액 동시에 첨가하였다.　 그 후, 기포의 발생이 정지할 때까지 교반을 행한 바, 욕 전체가 흑색으로부터 회색으로 변화하였다.　 도금욕은 최종적으로 pH=3.5였다.　 그 후 여과를 행하여, 일차 니켈 도금 입자 1을 얻었다.　 또한, 전해 니켈 도금액 SEK670은 환원제로서 주로 차아인산나트륨을 함유하고 있다.　

다음으로 2000 ml 비이커에 물 1000 ml, 타르타르산나트륨 20 g/L, 일차 니켈 도금 입자 1을 초음파 분산시킨 후, 불소제 교반 날개에 의해 교반(600 rpm)을 행하면서 pH를 6.0 이상으로 조정하고, 80℃로 가온하였다.　 정량 펌프를 이용하여, 황산니켈: 224 g/L, 타르타르산나트륨: 20 g/L를 혼합한 두께 부여 도금액 c와, 차아인산나트륨: 226 g/L, 수산화나트륨: 85 g/L로 혼합한 두께 부여 도금액 d를 15 ml/분으로 첨가한 바, 적하 직후에 환원 반응이 개시하여, 욕 중에서 기포가 발생하였다.　 도금 종료 시의 욕은 pH=6.0이고, 욕 전체는 회색이었다.　 여과한 후 증류수로 수세를 3회 실시하여 이차 니켈 도금 입자 1을 얻었다.　 또한, 무전해 니켈 도금 중에는 항상 pH를 측정함과 함께 입자를 적시 샘플링하였다.　

다음으로, 무전해 팔라듐 도금액인 펠릿(고지마 가가꾸 야꾸힌 가부시끼가이샤, 제품명)을 건욕하고, 불소제 교반 날개로 교반하면서 70℃로 가온하였다.　 여기에 이차 니켈 도금 입자 1을 투입하여 5분 도금을 실시한 후, 여과와 수세를 3회 실시하였다.　 40℃의 진공 건조기로 7 시간 건조한 후, 해쇄하여 응집을 풀어 모입자 1을 얻었다.　

(모입자 2)

모입자 1의 제조 방법과 동일하게 하여 전처리를 행하고, 무전해 니켈 도금 시의 온도를 70℃로 하고, 두께 부여 도금액 a, b를 이용하여, 영역 A의 인 농도를 모입자 1보다 낮추기 위해서, pH=4.0로 하여 일차 니켈 도금 입자 2를 얻었다.　 그 후, 모입자 1의 제조 방법에 대하여 두께 부여 도금액 c, d를 이용하여, 영역 B의 인 농도를 모입자 1보다 낮추기 위해서 도금 종료 시의 욕을 pH=6.2로 한 것 이외에는 동일하게 하여 이차 니켈 도금 입자 2를 얻은 후, 동일하게 팔라듐 도금을 행하여 모입자 2를 얻었다.　

(모입자 3)

모입자 1의 제조 방법과 동일하게 하여 전처리를 행하고, 무전해 니켈 도금 시의 두께 부여 도금액 a, b의 적하 시간을 짧게 하고, pH=4.3으로 하여 일차 니켈 도금 입자 3을 얻었다.　 그 후, 모입자 1의 제조 방법에 대하여 두께 부여 도금액 c, d의 적하 시간을 길게 하고, pH=5.8로 한 것 이외에는 동일하게 하여 이차 니켈 도금 입자 3을 얻은 후, 동일하게 팔라듐 도금을 행하여 모입자 3을 얻었다.　

(모입자 4)

모입자 1의 제조 방법과 동일하게 하여, 알칼리팔라듐 촉매로 표면이 활성화된 수지 미립자를 얻었다.　 2000 ml의 유리 비이커에 물 1000 ml과 말산나트륨 20 g/L, 팔라듐 촉매가 부여되어 표면이 활성화된 수지 미립자를 투입하고, 초음파 분산시킨 후, 불소제 교반 날개에 의해 교반(600 rpm)을 행하면서 pH를 5.5 이하로 조정하고, 80℃로 가온하였다.　 여기에, 무전해 니켈 도금액인 SEK670(닛본 카니젠 가부시끼가이샤 제품명)을(SEK670-0)/(SEK670-1)=1.8의 비율로 혼합한 초기 박막 도금액을 정량 펌프를 이용하여 7 ml/분으로 첨가한 바, 약 30초 후에 환원 반응이 개시하여, 욕 중에서 기포가 발생하여 욕 전체가 회색으로부터 흑색으로 되었다.　 그 후, 초기 박막 형성을 종료한 후, 즉각적으로 (SEK670-1)/증류수=1.0의 비율로 혼합한 두께 부여 도금액 e와 (SEK670-2)/(SEK670-3)=1.0의 비율로 혼합한 두께 부여 도금액 f를 13 ml/분으로 2액 동시에 첨가하였다.　 그 후, 기포의 발생이 정지할 때까지 교반을 행한 바, 욕 전체가 흑색으로부터 회색으로 변화하였다.　 도금욕은 최종적으로 pH=4.5였다.　 그 후 여과를 행하여, 일차 니켈 도금 입자 4를 얻었다.　

다음으로 2000 ml 비이커에 물 1000 ml, 타르타르산나트륨 20 g/L, 일차 니켈 도금 입자 4를 초음파 분산시킨 후, 불소제 교반 날개에 의해 교반(600 rpm)을 행하면서 pH를 5.5 이상으로 조정하고, 80℃로 가온하였다.　 정량 펌프를 이용하여, 탑 니코론 LPH-S(오쿠노 세이야꾸 고교 가부시끼가이샤 제조 제품명)를 18 ml/분으로 첨가한 바, 적하 직후에 환원 반응이 개시하여, 욕 중에서 기포가 발생하였다.　 도금 종료 시의 욕은 pH=6.3이고, 욕 전체는 회색이었다.　 여과한 후 증류수로 수세를 3회 실시하여 이차 니켈 도금 입자 4를 얻었다.　 또한, 전해 니켈 도금액 톱 니코론 LPH-S는 환원제로서 주로 차아인산나트륨을 함유하고 있다.　

다음으로, 무전해 팔라듐 도금액인 멜플레이트 Pal-6700(멜텍스 가부시끼가이샤 제조, 상품명)을 건욕하고, 불소제 교반 날개로 교반하면서 70℃로 가온하였다.　 여기에, 이차 니켈 도금 입자 4를 투입하여 5분 도금을 실시한 후, 여과와 수세를 3회 실시하였다.　 40℃의 진공 건조기로 7 시간 건조한 후, 해쇄하여 응집을 풀어 모입자 4를 얻었다.　

(모입자 5)

모입자 1의 제조 방법과 동일하게 하여 전처리를 행하고, 모입자 4의 무전해 니켈 도금 시의 두께 부여 도금액 e, f를 이용하여, 영역 A의 인 농도를 모입자 4보다 낮추기 위해서, pH=5.3으로 하여 일차 니켈 도금 입자 5를 얻었다.　 그 후, 모입자 1의 제조 시에 사용한 두께 부여 도금액 c, d를 적하하고, pH=6.8로 한 것 이외에는 동일하게 하여 이차 니켈 도금 입자 5를 얻은 후, 모입자 1과 동일하게 팔라듐 도금을 행하여 모입자 5를 얻었다.　

(모입자 6)

모입자 1의 두께 부여 도금액 c, d의 적하를 행하지 않은 것 이외에는 모입자 1의 경우와 동일하게 실시하여 이차 니켈 도금 입자 6을 얻었다.　 그 후, 모입자 1과 동일하게 팔라듐 도금을 행하여 모입자 6을 얻었다.　

(모입자 7)

모입자 1의 두께 부여 도금액 c, d 대신에, (SEK670-1)/증류수=1.0의 비율로 혼합한 두께 부여 도금액 e와 (SEK670-2)/(SEK670-3)=1.0의 비율로 혼합한 두께 부여 도금액 f를 정량 펌프를 이용하여 20 ml/분으로 적하한 것 이외에는 모입자 1의 경우와 동일하게 실시하여 이차 니켈 도금 입자 7을 얻었다.　 그 후, 모입자 4와 동일하게, 무전해 팔라듐 도금액인 멜플레이트 Pal-6700(멜텍스 가부시끼가이샤 제조, 상품명)을 사용한 팔라듐 도금을 행하여 모입자 7을 얻었다.　

(모입자 8)

모입자 1과 동일하게 하여 표면이 알칼리팔라듐 촉매로 활성화된 수지 미립자를 얻은 후, 2000 ml의 유리 비이커에 물 1000 ml과 타르타르산나트륨 20 g/L, 팔라듐 촉매가 부여되어 표면이 활성화된 수지 미립자를 투입하고, 초음파 분산시킨 후, 불소제 교반 날개에 의해 교반(600 rpm)을 행하면서 pH를 5.5 이상으로 조정하고, 80℃로 가온하였다.　 여기에, 황산니켈: 224 g/L, 타르타르산나트륨: 20 g/L를 혼합한 두께 부여 도금액 c와, 차아인산나트륨: 226 g/L, 수산화나트륨: 85 g/L로 혼합한 두께 부여 도금액 d를 6 ml/분으로 적하한 바, 30초 후에 환원 반응이 개시하여, 욕 중에서 기포가 발생하여 욕 전체가 회색으로부터 흑색으로 되었다.　 그 후, 암모니아와 황산으로 pH를 6.3으로 조정한 후, 적하 속도를 20 ml/분으로 하여, 2액 동시에 첨가하였다.　 그 후, 기포의 발생이 정지할 때까지 교반을 행한 바, 욕 전체가 흑색으로부터 회색으로 변화하였다.　 도금욕은 최종적으로 pH=6.1이었다.　 그 후, 여과 및 수세 3회 행하여 이차 니켈 도금 입자 8을 얻었다.　 그 후, 모입자 1과 동일하게 팔라듐 도금을 행하여 모입자 8을 얻었다.

(도전 입자 1)

<절연 피복 처리>

모입자 1의 표면에 절연성 입자인 실리카 미립자를 흡착시키는 절연 피복 처리를 일본 특허 공개 제2008-120990에 공개되어 있는 방법으로 실시하였다.　 또한, 실시예에서는, 설명의 편의상, 표면에 절연성 입자를 구비하는 모입자를 「도전 입자」라고 기재하여, 표면에 절연성 입자를 구비하지 않은 모입자와 구별하고 있지만, 상술한 모입자 1 내지 5와 후술하는 도전 입자 1 내지 5는 전부 본 발명에 따른 도전성 미립자에 상당한다.　

머캅토아세트산 8 mmol을 메탄올 200 ml에 용해시켜 반응액을 제조하였다.　

다음으로, 모입자 1을 1 g 상기 반응액에 가하고, 실온(25℃)에서 2 시간 쓰리원 모터로 교반하였다.　 메탄올로 세정한 후, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 입자 1을 여과함으로써 표면에 카르복실기를 갖는 일차 처리 입자 1을 얻었다.　

다음으로, 분자량 70000의 30％ 폴리에틸렌이민 수용액(와코 준야꾸 고교(주) 제조)을 초순수로 희석하여 0.3 중량％ 폴리에틸렌이민 수용액을 얻었다.　 상기 카르복실기를 갖는, 일차 처리 입자 1을 0.3 중량％ 폴리에틸렌이민 수용액에 1 g 가하고, 실온에서 15분 교반하였다.　

그 후, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 일차 처리 입자 1을 여과하고, 초순수 200 g에 넣고 실온에서 5분 교반하였다.　 또한 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 일차 처리 입자 1을 여과하고, 상기 멤브레인 필터 상에서 200 g의 초순수로 2회 세정을 행함으로써 일차 처리 입자 1에 흡착하지 않은 폴리에틸렌이민을 제거하였다.　

다음으로, 절연성 입자인 콜로이달실리카의 분산액(질량 농도 20％, 후소 가가꾸 고교(주) 제조, 제품명: 큐오트론 PL-10, 평균 입경 100 nm)을 초순수로 희석하고 0.1 중량％ 실리카 분산 용액을 얻었다.　 상기 폴리에틸렌이민에서의 처리 후의 일차 처리 입자 1을 0.1 중량％ 실리카 분산 용액에 넣고 실온에서 15분 교반하였다.　

다음으로, 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 일차 처리 입자 1을 여과하고, 초순수 200 g에 넣고 실온에서 5분 교반하였다.　 또한 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 모입자 1을 여과하고, 상기 멤브레인 필터 상에서 200 g의 초순수로 2회 세정을 행함으로써 모입자 1에 흡착하지 않은 실리카를 제거하였다.　 그 후 80℃에서 30분의 조건으로 건조를 행하고, 120℃에서 1 시간 가열 건조를 행함으로써 모입자 1의 표면에 실리카(자입자)가 흡착한 도전 입자 1을 제조하였다.　

(도전 입자 2)

모입자 1 대신에 모입자 2를 사용한 것 이외에는 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 2를 제조하였다.　

(도전 입자 3)

모입자 1 대신에 모입자 3을 사용한 것 이외에는 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 3을 제조하였다.　

(도전 입자 4)

모입자 1 대신에 모입자 4를 사용한 것 이외에는 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 4를 제조하였다.　

(도전 입자 5)

모입자 1 대신에 모입자 5를 사용한 것 이외에는 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 5를 제조하였다.　

(도전 입자 6)

모입자 1 대신에 모입자 6을 사용한 것 이외에는 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 6을 제조하였다.　

(도전 입자 7)

모입자 1 대신에 모입자 7을 사용한 것 이외에는 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 7을 제조하였다.　

(도전 입자 8)

모입자 1 대신에 모입자 8을 사용한 것 이외에는 도전 입자 1과 동일한 방법으로 도전 입자 8을 제조하였다.　

(절연 피복 입자의 평가)

(실시예 1)

<접착제 용액의 제조>

페녹시 수지(유니온카바이드사 제조, 상품명: PKHC) 100 g 및 아크릴 고무(부틸아크릴레이트 40부, 에틸아크릴레이트 30부, 아크릴로니트릴 30부, 글리시딜메타크릴레이트 3부의 공중합체, 분자량: 85만) 75 g을 아세트산에틸 300 g에 용해하여 30 중량％ 용액을 얻었다.　

이어서, 마이크로캡슐형 잠재성 경화제를 함유하는 액상 에폭시(에폭시 당량185, 아사히가세이 에폭시(주) 제조, 상품명: 노바큐어 HX-3941) 300 g을 이 용액에 가하고, 교반하여 접착제 용액을 제조하였다.　

<도전 입자의 초음파 분산>

상기에서 제조한 4 g의 도전 입자 1을 아세트산에틸 10 g 중에 초음파 분산하였다.　 초음파 분산의 조건은 38 kHz, 400 W, 20 L이고, 비이커에 침지한 샘플을 시험 장치(후지모또 가가꾸(주) 제조, 상품명:US107)에 넣고 1분 교반하였다.　

도전 입자 1이 접착제에 대하여 21 부피％가 되도록 상기 입자 분산액을 접착제 용액에 분산하고, 이 용액을 세퍼레이터(실리콘 처리한 두께 40 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)에 롤 코터로 도포하고, 90℃, 10분 건조하여, 두께 25 ㎛의 이방 도전 접착제 필름을 제조하였다.　

다음으로, 제조한 이방 도전 접착 필름을 이용하여, 금 범프(면적: 30×90 ㎛, 스페이스 10 ㎛, 높이: 15 ㎛, 범프수 362)가 있는 칩(1.7×17 mm, 두께: 0.5 ㎛)와 Al 회로가 있는 유리 기판(두께: 0.7 mm)의 접속 구조체 샘플을 이하의 방법으로 제조하였다.　

우선, 이방 도전 접착 필름(2×19 mm)을 Al 회로가 있는 유리 기판에 80℃, 0.98 MPa(10 kgf/cm²)로 첩부한 후, 세퍼레이터를 박리하여, 칩의 범프와 Al 회로가 있는 유리 기판의 위치 정렬을 행하였다.　 이어서, 190℃, 40 g/범프, 10초의 조건으로 칩 상방으로부터 가열, 가압을 행하고, 본 접속을 행하여 샘플을 얻었다.　

(실시예 2)

도전 입자 1 대신에 도전 입자 2를 이용한 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

(실시예 3)

도전 입자 1 대신에 도전 입자 3을 이용한 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

(실시예 4)

도전 입자 1 대신에 도전 입자 4를 이용한 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

(실시예 5)

도전 입자 1 대신에 도전 입자 5를 이용한 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

(비교예 1)

도전 입자 1 대신에 도전 입자 6을 이용한 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

(비교예 2)

도전 입자 1 대신에 도전 입자 7을 이용한 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

(비교예 3)

도전 입자 1 대신에 도전 입자 8을 이용한 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

[금속의 막두께 측정]

니켈 도금층(금속 도금 피막층), 팔라듐 도금층의 각 막두께의 측정에서는, 시료를 50 부피％ 왕수에 용해시킨 후, 수지를 직경 3 ㎛의 멤브레인 필터(밀리포어사 제조)로 여과 분별하여 제거하고, 각 금속의 양을 원자 흡광(Z5310 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조 제품명)으로 측정한 후에 두께로 환산하였다.　

[핀홀의 관찰]

팔라듐 도금층 표면의 관찰이기 때문에, 실리카 피복 전의 각 모입자를 관찰샘플로 하였다.　 모입자 1 내지 8을 도전 테이프 상에 뿌리고, 팔라듐 도금층 표면을 SEM(S4700 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조 제품명)으로 관찰하였다.　 가속 전압은 5 kV 및 3만배로 임의의 모입자 100개를 관찰하였다.　 핀홀의 관측 범위는 입자 반경의 동심원 내로 하여, 핀홀이라고 확인할 수 있는 것이 1개의 입자 중에 5개 이상 존재하는 입자를 카운트하였다.　

[도전 입자의 평가]

얻어진 도전 입자로부터 관찰, 분석에 필요한 부분의 박편을 수속 이온빔으로 추출하였다.　 투과형 전자현미경 HF-2200(가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 제조 제품명)에 부속한 노란(NORAN)사 제조의 EDX로 도금층의 각 영역의 성분 분석을 하였다.　 임의의 도전 입자 10개를 측정하고, 얻어진 값으로부터 각 영역의 니켈 및 인의 농도를 산출하였다.　

또한, EDX 대신에 니켈 도금층과 팔라듐 도금층의 각 영역의 성분 분석에 ESCA 분석 장치, 액시스(AXIS)-165형(시마즈 세이사꾸쇼/크라토스(Kratos)사 제조 제품명)도 사용할 수도 있다.　 ESCA에 의해 절연성 미립자를 배치하기 전의 각 모입자를 인듐박에 고정하고, 니켈 도금층과 팔라듐 도금층을 Ar 에칭에 의해 서서히 제거하면서, 도금층 표면의 성분 분석을 할 수도 있다.　 이에 따라 비교적 용이한 측정이 가능해진다.　 이 경우, Ar 에칭 속도는 5 nm/분으로, Ar 에칭 1분마다 성분 분석을 하고, 이것을 반복하여 도금층의 각 영역의 성분을 산출하면 좋다.　 덧붙여서 말하면, 팔라듐이 검출되지 않게 된 시점의 값을 팔라듐 도금층측의 니켈 도금층 최표면으로 하고, 또한 수지 미립자에서 유래되는 탄소가 검출되고, 니켈의 신호가 감소하여 수속한 시점의 값을 수지 미립자 표면으로 하여, 도금층 중의 각 영역의 니켈 및 인 농도로서 산출하면 좋다.　

[자입자의 피복률]

자입자(절연성 입자)의 피복률(실리카 피복률)은 각 도전 입자의 전자현미경 사진을 촬영하여, 화상을 해석함으로써 산출하였다.　

[단분산율]

각 도전 입자를 플로우식 입자 화상 분석 장치(FPIA-3000S 시스멕스 가부시끼가이샤 제조 제품명)에 의해 입도 분포 측정하였다.　 해석으로, 제1 피크(가장 높은 피크)만의 입자수를 선택하고, 전체 관측 입자수와 제1 피크 입자수의 비율로부터 단분산율을 산출하였다.　

[절연 저항 시험 및 도통 저항 시험]

실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 3에서 제조한 샘플의 절연 저항 시험(절연 신뢰성 시험) 및 도통 저항 시험을 행하였다.　 이방 도전 접착 필름은 칩 전극 사이의 절연 저항이 높고, 칩 전극/유리 전극 사이의 도통 저항이 낮은 것이 중요하다.

절연 신뢰성 시험에서는, 칩 전극 사이의 절연 저항은 20 샘플을 측정하고, 그 최소치를 측정하였다.　 절연 저항에 대해서는 바이어스 시험(습도 60％, 90℃, 20 V 직류 전압에 의한 내구 시험) 전후의 결과의 최소치를 나타낸다.　 또한, 표 1에 나타내는 100 시간, 300 시간이란 바이어스 시험의 시간을 의미한다.　

또한, 칩 전극/유리 전극 사이의 도통 저항에 대해서는 14 샘플의 평균치를 측정하였다.　 도통 저항은 초기치와 흡습 내열 시험(온도 85℃, 습도 85％의 조건으로 1000 시간 방치) 후의 값을 측정하였다.　

상기한 각각의 측정 결과를 표 1에 나타내었다.　

표 1에 기재된 영역 A는 니켈 도금층에 있어서 수지 미립자(코어 입자) 표면으로부터의 거리가 니켈 도금층 전체 두께의 20％ 이하인 영역이다.　 영역 B는 니켈 도금층에 있어서 팔라듐층 표면으로부터의 거리가 니켈 도금층 전체 두께의 10％ 이하인 영역이다.　

모입자 1, 6, 8을 SEM으로 촬영하였다.　

표 1에 나타낸 바와 같이, 니켈 도금층 최표면측의 인 농도가 3 중량％ 이하인 도전 입자를 사용한 실시예 1 내지 5, 비교예 3은, 팔라듐 도금층 표면의 핀홀이 거의 없고, 치밀하고 연속한 팔라듐 도금층이 얻어졌다.　 실시예 1에 이용한 모입자 1의 SEM 화상과, 비교예 3에 이용한 모입자 8의 SEM 화상에 있어서, 치밀하고 연속한 팔라듐 도금층을 확인할 수 있었다.　 인 농도가 낮은 니켈은 팔라듐 도금 시에 니켈 표면의 니켈 용해가 균일하게 진행하기 쉽고, 팔라듐의 치환 반응이 균일하게 발생하기 쉽기 때문에, 그 후의 환원 반응에 의해서 형성되는 팔라듐 도금층이 치밀하고 균일하게 되기 때문에, 실시예 1 내지 5 및 비교예 3에서는, 핀홀이 거의 없고, 치밀하고 연속한 팔라듐 도금층이 얻어졌다.　 이와 같이 핀홀이 적은 도전 입자로서는, 바탕의 니켈이 팔라듐 표면에 내어나오기 어려워, 바탕 니켈의 부식이나 용출이 발생하기 어렵고, 표 1에 나타낸 바와 같이 절연 신뢰성이 높다.　 그러나, 비교예 3의 모입자 8은 핀홀은 적지만, 단분산율이 낮다.　 이것은, 금속 도금 피막층(니켈 도금층)의 인 농도가 낮기 때문에, 입자가 자화를 띠어, 자성 응집이 보여졌던 것에 기인한다.　 강자성체인 비교예 3의 도전 입자는 이방 도전막 내에서의 단분산율도 낮고, 입자 간 거리가 상대적으로 가깝기 때문에, 절연성이 떨어졌다.　 실제로 비교예 3의 샘플을 유리면으로부터 광학 현미경에 의해 전극 부근을 관찰한 바, 응집한 입자가 관찰되었다.　

비교예 1에 나타낸 도전 입자 6의 SEM 화상에 의해서, 도전 입자 6의 팔라듐 도금층은 불균일하며 치밀한 막이 아니어서, 바탕의 니켈이 노출되어 있는 것이 확인되었다.　 비교예 1에서는 바탕의 니켈의 인 농도가 높고, 입자의 자성이 낮기 때문에 자성 응집은 발생하기 어렵고, 단분산율은 양호한데, 니켈의 부식이나 용출이 생기기 쉽기 때문에, 절연 신뢰성이 떨어져 있다.　 비교예 2는 니켈 표면의 인 농도가 비교예 1보다 낮고, 팔라듐 도금층의 핀홀도 적은 경향이 있지만, 팔라듐 도금층으로 완전히는 덮여져 있지 않고, 절연 신뢰성이 떨어진다.　 따라서, 니켈 표면을 치밀한 팔라듐 도금층으로 확실하게 덮기 위해서는, 니켈 표면의 인 농도는 3 중량％ 이하인 것이 바람직하다.　 또한, 자성에 의한 응집을 막기 위해서는, 코어 입자측의 인 농도는 높고, 특히 7 중량％ 이상인 것이 바람직하다.　

본 발명에 의해 제조한 실시예 1 내지 5 및 비교예 3은 표면의 Pd의 비율이 높기 때문에, 입자 표면에 티올이 화학 흡착하기 쉽다.　 따라서, 초음파 분산의 전후에 거의 자입자(실리카)의 박리가 발생하지 않는 것을 알 수 있었다.　 자입자(실리카)의 실장 시험 시의 절연 저항에 대해서도 본 발명에 의해 제조한 샘플(실시예 1 내지 5)은 자입자가 박리하기 어렵기 때문에, 수율이 양호하였다.　 비교예 3은 상기한 바와 같이 자성 응집 때문에, 절연 신뢰성은 떨어진다.　

한편, 비교예 1, 2에서 제조한 샘플에서는 팔라듐 도금층이 불균일하고, 치밀한 막이 아니기 때문에, 표면에 노출한 니켈의 비율이 높다.　 따라서 입자 표면에 티올이 화학 흡착하기 어렵고, 실리카와 모입자의 결합력이 약해져, 초음파 분산으로 실리카가 모입자로부터 박리하기 쉬웠다.　 또한 실장 시험 시의 절연 저항에 대해서도 비교예 1, 2에서 제조한 샘플은 절연 불량이 발생하기 쉬운 것을 알 수 있었다.　

(절연 피복하지 않은 입자의 평가)

(실시예 6)

도전 입자 1을 4 g 이용하는 대신에 모입자 2를 2 g 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

(비교예 4)

도전 입자 1을 4 g 이용하는 대신에 모입자 6을 2 g 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 샘플을 제조하였다.　

금속의 막두께 측정, 핀홀의 관찰, 도전 입자의 평가, 단분산율, 절연 저항 시험, 도통 저항 시험은 상기 방법으로 행하였다.　

상기한 각각의 측정 결과를 표 2에 나타내었다.　

표 2에 나타낸 바와 같이, 모입자 2를 사용한 실시예 6에서는 도통 저항이 낮고, 절연 신뢰성도 양호하였다.　 이것은, 상술한 바와 같이, 입자 표면이 치밀함에 의한 것이다.　 즉, 니켈 도금층에 있어서의 인 농도를 의도적으로 변경시킨 도전성 미립자에서는, 핀홀의 수를 극단적으로 적게 하는 것이 가능해져, 도통성이 좋은 팔라듐의 특성을 발휘할 수 있는 것을 알 수 있다.　 또한, 절연 신뢰성에 있어서도, 치밀한 팔라듐 도금층에 의해서 마이그레이션이 억제되어 있다고 생각된다.　 비교예 4에서는, 니켈 도금층에 있어서의 인 농도가 높기 때문에, 팔라듐 도금층 중의 핀홀의 수가 많고, 도통 저항이 높고, 마이그레이션이 발생하기 쉽고, 절연 불량이 발생하기 쉬운 것을 알 수 있었다.　

이상 설명한 바와 같이, 상기 본 발명에 따르면, 단분산성이 양호하고, 비용이 싸고, 마이그레이션을 일으키기 어렵고, 도전성이 우수한 도전성 미립자, 및 도전성 미립자의 제조 방법, 상기 도전성 미립자를 이용한 이방성 도전 재료를 제공할 수 있다.　

100: 도전성 미립자
102: 코어 입자
104: 금속 도금 피막층
106: 도전층(팔라듐층)
108: 절연성 미립자
A: 영역 A
B: 영역 B

Claims

코어 입자의 표면이, 니켈 및 인을 함유하는 금속 도금 피막층과, 최표면을 팔라듐층으로 하는 다층의 도전층으로 피복되어 있고,
상기 금속 도금 피막층에 있어서 상기 코어 입자의 표면으로부터의 거리가 상기 금속 도금 피막층 전체 두께의 20％ 이하인 영역 A 내에서의 인의 함유율이, 상기 영역 A 전체에 대하여 7 내지 15 중량％이고,
상기 금속 도금 피막층에 있어서 상기 팔라듐층측의 상기 금속 도금 피막층 표면으로부터의 거리가 상기 금속 도금 피막층 전체 두께의 10％ 이하인 영역 B 내에서의 인의 함유율이, 상기 영역 B 전체에 대하여 0.1 내지 3 중량％이고,
상기 금속 도금 피막층 전체에 대한 인의 함유율이 7 중량％ 이상인 것을 특징으로 하는 도전성 미립자.
제1항에 있어서, 상기 팔라듐층의 표면에 배치되고, 입경이 20 내지 500 nm인 절연성 미립자를 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 미립자.
제1항에 있어서, 상기 최표면의 팔라듐층은 치밀하고 연속한, 바탕의 니켈이 노출되지 않은 상태이고,
SEM을 이용하여, 상기 도전성 미립자의 반경의 동심원 내를 관측 범위로 하여, 3만배의 관찰 배율로 임의 100개의 상기 도전성 미립자의 상기 팔라듐층의 표면을 각각 관찰했을 때, 상기 팔라듐층의 표면에 5개 이상의 핀홀이 존재하는 상기 도전성 미립자의 개수가 10개 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 미립자.
제1항에 있어서, 상기 금속 도금 피막층의 두께는 40 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는 도전성 미립자.
제1항에 있어서, 상기 팔라듐층이 적어도 일부가 환원 도금형으로 형성된 팔라듐층인 것을 특징으로 하는 도전성 미립자.
제1항에 있어서, 상기 팔라듐층의 두께가 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 도전성 미립자.
제1항에 기재된 도전성 미립자를 결합제 수지에 분산 또는 배치시켜 이루어지는 이방성 도전 재료.