KR20100071968A - 전자 부품의 저온 접합을 위한 방법 - Google Patents

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KR20100071968A
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multilayer foil
electronic package
bonding
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KR1020107004702A
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헤르덴. 데이비드 반
티모시 라이언 루드
람지 빈센트
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리엑티브 나노테크놀로지스, 인크.
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Abstract

LED 어셈블리(71) 또는 다른 전자 패키지(31)를 히트 싱크(52)를 포함하는 기판 PCB로 접합하는 방법은 상기 전자 패키지(31)의 접점(32, 34) 및 상기 지지 기판 PCB 상의 상기 연관 접점 패드(55) 사이에 배치되는 반응성 다층 포일 층(51)을 사용한다. 압력의 적용과 함께 상기 반응성 다층 포일의 발열 반응을 개시함으로써, 상기 전자 패키지(31), 상기 전자 패키지(31)와 연결되는 열 민감성 부품(35) 또는 다른 지지 기판 PCB로 열적으로 손상을 주지 않고 상기 접점(32, 24) 및 접점 패드(55) 사이의 질 좋은 전기적 및 열적 전도 접합을 얻기 위해 인접한 접합 물질(54)을 녹이도록 상기 접점(32, 34) 및 상기 연관 접점 패드(55) 사이에서 충분한 열이 생성된다.

Description

전자 부품의 저온 접합을 위한 방법 {METHOD FOR LOW TEMPERATURE BONDING OF ELECTRONIC COMPONENTS}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 여기서 참조로서 통합되고, 2007년 8월 31일 출원된 미국 가특허출원번호 60/969,534과 관련되며 상기 출원으로부터 우선권을 주장한다.
본 발명은 일반적으로 기판으로 반도체 장치를 접합하는 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 전체 반도체 장치를 노출함 없이 또는 인접하는 기판의 열 손상 없이 열 싱크를 포함하는 기판으로 발광 다이오드(LED) 어셈블리와 같은 온도 민감성 장치의 저온 땜납 접합을 위한 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드, 또는 LED는 많은 조명 분야에서 증가적으로 백열 전구를 대체하고 있는 반도체 발광 부품이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따른 전형적인 LED 어셈블리는 보호 패키지(31, LED 패키지) 안에 감싸지는 LED 칩(미도시)으로 구성된다. 피트(feet, 36)를 구비하는 두 개 또는 그 이상의 연결 리드(lead, 34)는 상기 패키지(31)의 측면으로부터 연장된다. 통상적으로 구리로 형성되는 열적 연결 슬러그(32)는 상기 LED 패키지(31)의 기저부에 배치되고 메탈 코어 인쇄 회로 기판(MCPCB, 도 1에서 도시되지 않음.)과 같은 열 싱크와 통합되는 기판으로의 접합을 용이하게 하기 위해 습윤층(wetting layer, 33)으로 코팅된다. 렌즈(35)는 방출된 빛을 안내하기 위해 상기 LED 패키지(31)의 상부로 부착될 수 있다. 일 예시의 LED 패키지(31)는 상기 렌즈(35)를 제외하면, 대략 넓이 5mm * 길이 5mm * 높이 2mm의 차원을 갖는다.
경제적인 제조를 위해 상기 LED 패키지(31), 상기 렌즈(35) 및 상기 MCPCB 기판은 폴리머 또는 플라스틱 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 MCPCB 기판은 전형적으로 하나 또는 그 이상의 유전 물질 층 내부에 메탈 코어를 포함하는 인쇄 회로 기판이다. 구리 트레이스(trace) 및 패드는 상기 유전 물질 외부에 배치되고, 솔더 마스크(solder mask)는 상기 구리 패드를 둘러싸고 상기 트레이스를 덮도록 배치된다. 도 2는 도 1에 도시된 상기 LED 패키지(31)의 상기 연결 리드(34) 및 슬러그(32)를 연결시키는 전형적인 패드 패턴을 보여준다. 상기 LED 패키지(31)의 동작을 위해, 상기 슬러그(32)는 상기 패드(55b)로 접합되는 반면, 상기 두 개의 리드(34)는 각각 연관된 패드(55a)로 접합된다.
종래의 일 접합 공정에서, 상기 LED 패키지(31)와 상기 MCPCB 패드(55a, 55b) 사이의 다양한 접합은 고온 리플로 땜납 공정(high temperature solder reflow process)에 의해 형성된다. 그러나, 폴리머 렌즈(35)는 상기 리플로 땜납 중에 도달된 고온에 노출되기 때문에 상기 리플로 땜납 공정에 의해 손상 받을 수 있고, 특히, 납이 첨가되지 않은 리플로 땜납 과정을 사용하는 경우 높은 온도에 노출된다. 마찬가지로, 큰 열 싱크를 필요로 하는 플라스틱 패키지 및 상기 LED 반도체 전자 기술은 상기 열 싱크의 열 용량이 상승된 온도에서 너무 긴 리플로 땜납 사이클을 필요하게 하므로 리플로 가열에 의해 손상될 수 있다. 만약 상기 리플로 땜납 사이클이 충분히 길지 않다면, 상기 땜납의 용융이 적절히 일어나지 않아 접합이 제대로 이루어질 수 없다. 또한, 리플로의 고온은 상기 LED의 밝기 또는 상기 장치의 수명에 영향을 준다.
대체적으로, 상기 연결 리드(34)는 레이저(laser) 또는 핫 바(hot bar, 열극(thermode) 땜납을 사용하여 개별적으로 땜납될 수 있고 상기 중앙 슬러그(32)는 열적 전도 접착으로 부착될 수 있다. 상기 중앙 슬러그(32)와 상기 패드(55b) 사이의 전기적 연결은 필요하지 않지만, 상기 중앙 슬러그(32)는 상기 LED 패키지(31)로부터 상기 메탈 코어 PCB로 열을 운반하는데 제공되기 때문에, 상기 중앙 슬러그(32) 및 상기 MCPCB 사이에는 낮은 열 저항이 있어야만 한다. 열적 전도 접착은 합리적이지만 열적 전도성에 한계가 있고, 각기 다른 접합 라인 두께를 초래할 수 있는 어플리케이션 동안 일관되지 못한 점착력을 갖는다. 만약 상기 중앙 슬러그(32) 및 상기 패드(55b) 사이의 상기 접합 라인의 두께가 너무 크다면, 상기 접합의 열적 저항은 증가한다. 극단적인 상황에선, 상기 중앙 슬러그(32)에서의 상기 접합의 두께가 너무 두꺼우면 상기 연결 리드(34)의 피트(36)와 상기 패드(55a)의 연결이 실패할 수 있어서, 레이저 납땜이 어렵거나 불가능해진다. 결론적으로, 종래에 제조되던 LED 어셈블리는 종종 그들의 잠열(potential heat), 전자 기술 및 광학적 퍼포먼스 포텐셜에 미치지 못한다.
이와 같은 문제는 외부 열 싱크로 접합되어야만 하고 고온 접합에 민감한 집적 열 관리 패드 또는 슬러그를 갖는 다른 전자 부품 및 반도체 패키지에서 발생할 수 있다. 그러한 부품 및 패키지는 한정하는 것은 아니지만 전해 캐패시터, 파워 앰프 및 광전자 장치들을 포함한다. 납-주석 공융 땜납(lead-tin eutectic solder)을 위해 설계되는 많은 부품들은 상기 납이 첨가되지 않은 땜납의 사용을 위해 요구되는 더 높은 리플로 온도에서 손상된다.
따라서, 접합 온도에 극도로 민감한 반도체 장치 및 LED와 같은 전자 패키지를 지지 기판으로 접합하기 위한 균일하고 신뢰성 있는 방법이 제공되어야 할 것이다. 또한, 상기 접합 영역 외부의 과도한 열을 생성하지 않고, 균일한 두께 및 강도를 갖는 접합이 이루어질 수 있으며, 전기 흐름 및 열 에너지의 전도가 가능한 접합 방법을 제공할 필요가 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 LED 어셈블리 연결 리드, 중앙 슬러그 및 상기 지지 기판 상의 상기 연관 접점 패드 사이에 배치된 반응성 다층 포일 층을 사용하고, 열 싱크를 포함하는 기판으로 LED 어셈블리 또는 다른 전자 패키지를 접합하는 방법을 제시한다. 압력의 적용과 함께 상기 반응성 다층 포일의 발열 반응을 개시함으로써, 상기 LED 어셈블리, 열 민감성 전자 패키지 또는 폴리머 렌즈와 같은 열 민감성 부품으로 열적으로 손상을 주지 않고 상기 연결 리드, 중앙 슬러그 및 접점 패드 사이의 질 좋은 전기적 및 열적 전도 접합을 얻기 위해 인접한 땜납 물질을 녹이도록 상기 연결 리드, 중앙 슬러그 및 상기 연관 접점 패드 사이에 충분한 열이 생성된다.
대체 실시예에서, 본 발명은 반응성 화합 물질의 반응된 포일의 남은 부분을 포함하고 하나 또는 그 이상의 접합에 의해 지지 기판으로 접합된 LED 어셈블리와 같은 전자 패키지를 제시한다.
도 1은 종래기술의 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 보여주는 도면,
도 2는 도 1의 LED 패키지를 받는 종래기술의 인쇄 회로 기판 상의 연결 패드의 개략적인 평면도,
도 3은 종래기술의 반응성 다층 접합 공정을 보여주는 도면,
도 4는 본 발명의 방법을 사용하여 PCB로 접합된 LED 패키지를 개략적으로 보여주는 도면,
도 5는 반응성 다층 포일의 남은 부분을 포함하는 본 발명의 방법에 의해 형성된 접합의 단순화된 단면도,
도 6a 및 도 6b는 두 개의 다른 종래기술의 LED 패키지 리드의 기하학적 구조를 보여주는 도면,
도 7은 기판으로 접합된 베어(bare) LED 패키지를 보여주는 도면,
도 8은 접합된 LED 패키지의 전단 강도를 테스트하기 위한 배열을 보여주는 도면이다.
이하의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 방식으로 기술하는 것이고, 한정하는 방식으로 기술하는 것이 아니다. 상세한 설명은 당업자가 본 발명을 만들고 사용 가능하도록 하고, 몇몇의 실시예, 적용, 변화, 대체 및 본 발명의 사용을 기술하며 본 발명을 수행하는 최적의 실시예를 포함한다.
일반적으로, 본 발명은 LED 패키지, 반도체 장치 또는 광전자 장치와 같은 전자 패키지와 메탈 코어 인쇄 회로 기판과 같은 그들의 지지 기판 사이의 다양한 연결을 접합하기 위한 방법을 제시하는 것으로, 상기 전자 패키지 또는 지지 기판에서 열에 민감한 부품에 인접하여 손상 없이 땜납과 같은 연결 접합 물질을 녹이고 흐르게 하는 충분한 열 에너지를 제공하기 위해 반응성 다층 포일의 조각 또는 세그먼트를 사용한다. 본 설명을 통해서, 많은 설명 및 예시들이 LED 패키지와 관련되어 한정이 아닌 방식으로 서술되고, 넓고 다양한 전자 장치, 특히 열 또는 열적 에너지의 과잉에 의해 손상 받을 수 있는 민감한 전자 장치에 등가적으로 적용되는 것을 쉽게 이해할 것이다. 본 발명의 방법을 활용하여 알맞게 접합될 수 있는 부가적인 방식의 전자 패키지는 플립 칩(flip chip), 칩 온 보드(chip-on-board), 베어 다이(bare die), 칩 스케일 패키지(chip scale package), 패키지 온 패키지(package on package), 볼 그리드 어레이(ball grid array), 파인 피치 노 리드(fine-pitch no-lead), 리드리스 칩 캐리어(leadless chip carrier), 쿼드 플랫 팩(quad flat pack), 플라스틱 리드 칩 캐리어(plastic leaded chip carrier), 플랫 리드(flat lead), 스몰 아우트라인 패키지(small outline package), DPAKs 및 D2PAKs를 포함한다.
본 발명의 접합 방법에 활용된 상기 반응성 다층 포일은 전형적으로 마그네트론(magnetron) 스퍼터링에 의해 형성되고 니켈 및 알루미늄과 같은 물질의 수천 개의 대체 나노 스케일 층으로 구성된다. 상기 층 사이의 원자 확산이 외부 에너지 펄스에 의해 개시될 때 상기 층은 발열 반응하고, 자가 진행 반응으로 빠르게 열을 발생하여 배출한다. 상기 반응성 다층 포일이 땜납 또는 놋쇠 합금과 같은 접합 물질의 층 사이에 끼이면, 상기 반응성 다층 포일의 발열 반응에 의해 배출된 열은 도 3에 도시된 바와 같이 접합 물질의 이러한 층들을 녹이는데 활용될 수 있다. 상기 결과 접합 층은 상기 반응성 다층 포일의 반응 생성물을 포함하는 땜납 또는 놋쇠 층을 포함한다. 상기 반응성 다층 포일의 속성을 제어함으로써, 발열 반응 동안 상기 반응 다층 포일에 의해 배출된 열의 양은 상기 접합 물질 층을 녹일 수 있는 충분한 열이 있도록 보장하기 위해 조절될 수 있지만, 같은 시점에서 대부분의 인접하는 부품들을 상온에서 또는 상온에 가깝게 유지시킨다. 또한, 그들 및 그들의 반응 생성물을 접합하는 상세한 관련 반응성 다층 포일은 참조로서 통합되는 미국 특허번호 6,736,942에 나타나 있다.
도 3으로 돌아와서, 두 개의 부품(10A, 10B)의 반응성 다층 연결의 일반적인 공정을 수행하기 위한 배열(9)이 도시된다. 반응 다층 포일과 같은 반응성 화합 물질(12)의 분리된 시트, 조각 또는 세그먼트는 차례대로 상기 부품(10A, 10B)의 접촉 표면(미도시) 사이에 끼워지고 전형적으로 땜납 또는 놋쇠인 가융성 접합 물질(14A, 14B)의 두 개의 시트 또는 층 사이에 배치된다. 상기 끼워진 어셈블리는 바이스(16)에 의해 상징화된 것과 같이, 그 후 함께 압력을 받고, 상기 반응성 다층 포일은 성냥 및 불꽃(18)에 의해 도시된 것과 같이 어떠한 적절한 수단에 의해서 점화된다. 상기 반응은 접촉 표면에서 상기 부품(10A, 10B)을 함께 연결하고, 순차적으로 냉각되는 가융성 접합 물질(14A, 14B)을 녹이도록 상기 반응 다층 포일(12)을 통해 빠르게 진행된다. 여기서 예상되는 접합 영역은 0.25 제곱 밀리미터부터 수 제곱 센티미터까지의 범위일 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에서, 중앙 슬러그(32) 및 적어도 하나의 연결 리드(34)를 구비하는 LED 패키지(31)와 같은 전자 장치는 반응성 다층 포일을 채용하는 접합 방법을 사용하여 메탈 코어 인쇄 회로 기판(52)으로 하나 또는 그 이상의 접점에서 접합된다. 예를 들어, 중앙 슬러그(32) 및 복수개의 연결 리드(34)에 의해 정의되는 복수개의 접점을 구비하는 상기 LED 패키지(31)는 반응성 다층 연결을 사용하는 상기 패드(55a, 55b)에 의해 정의되는 인쇄 회로 기판(PCB, 52)의 해당 접점으로 접합된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 PCB(52)는 전형적으로 알루미늄인 메탈 코어(56), 유전층(53) 및 패드(55a, 55b)를 포함한다. 패드(55a, 55b)를 둘러싸고 부분적으로 덮는 것은 폴리머 솔더 마스크(57)이다. 상기 패드(55a, 55b)는 구리로 형성될 수 있고, 전형적으로 4 마이크로미터 내지 8 마이크로미터의 두께인 주석 층을 형성하기 위해 핫 에어 솔더 레벨링(hot air solder leveling, HASL)에 의해 적용된 주석과 같은 접합 물질의 표면 층(54)으로 부가적으로 코팅될 수 있다. 당업자라면 상기 표면 층(54)이 담금 주석, 비전착성 니켈/담금 금(electroless nickel/immersion gold, ENIG), 납 주석 HASL, 담금 은, 비전착성 팔라듐/금, 전해성 니켈/금, 리플로 주석/납 또는 공지의 어떤 다른 표면 처리를 포함하는 어떠한 다양한 종래의 표면 처리로부터 선택될 수 있음을 알 것이다.
유리하게, 상기 LED 패키지 연결 리드(34) 및 중앙 슬러그(32)는 4 마이크로미터 및 30 마이크로미터 두께 사이의 주석과 같은 접합 물질 층으로 유사하게 코팅된다. 표면 층(54)과 함께, 상기 LED 패키지(31)의 연결 리드(34) 및 중앙 슬러그(32) 상의 접합 물질 층은 땜납, 땜납 합금 또는 놋쇠와 같은 어떠한 적절한 접합 물질일 수 있고, 전기 도금, 디핑(dipping) 또는 어떠한 공지의 통상적인 방법을 통해 적용될 수 있다. 그러한 땜납 및 놋쇠는 한정하는 것은 아니지만 인듐, 은 및 납의 순수한 금속 및 합금뿐만 아니라 Georo® 및 Incusil® 과 같은 상업적 합금을 포함한다.
전통적으로, 순수한 주석은 그것의 높은 용융점 때문에 통상적으로 접합 물질로서 사용되지 않아 왔으나, 본 발명의 방법은 납이 첨가되지 않은 땜납 합금과 같은 다른 접합 물질과 비교할 때 더 높은 연성의 이점을 제공하는 땜납 또는 접합 물질로서 순수한 주석의 사용을 가능하게 한다.
상기 중앙 슬러그(32) 및 상기 연결 리드(34)를 패드(55)로 접합하기 위해, 반응성 다층 포일(51)의 하나 또는 그 이상의 조각은 상기 접점 사이, 즉, 상기 연결 리드 피트(36)와 그들의 인접 패드(55a) 사이 및 상기 중앙 슬러그(32)와 그들의 인접 패드(55b) 사이에 위치된다. 상기 반응성 다층 포일(51)에 대한 상기 접촉 표면을 고정하도록 설계된 로드는 상기 중앙 슬러그(32) 상에 로드를 가하기 위해 각각의 연결 리드 피트(36) 및 상기 LED 패키지(31)로 인가된다. 동시에, 에너지 펄스는 그 안에 발열 반응을 개시하기에 충분하도록 반응성 다층 포일(51)의 각 조각들로 인가된다. 상기 반응성 다층 포일(51)의 각각의 조각의 발열 반응 결과는 상기 지지 기판 또는 인쇄 회로 기판(52) 상의 각각의 수신 패드(55)로 상기 전자 장치의 연결 리드(34) 및 중앙 슬러그(32)를 접합하도록 냉각되면 경화되는 주위 접합 물질 또는 표면 층(54)을 녹이기에 충분한 열 에너지를 생성한다. 상기 반응성 다층 포일의 반응에 의해 생성된 열 에너지는 상기 인접 LED 패키지 또는 지지 기판(인쇄 회로 기판(52))의 온도를 주위 온도에 비해 눈에 띄게 상승시키기에 충분하지 않다.
유리하게, 반응성 다층 포일(51a, 51b)의 분리된 세그먼트는 상기 지지 기판 상의 각 패드(55)를 둘러싸는 상기 폴리머 솔더 마스크(57) 안으로 맞는 크기이다. 바람직하게는, 도면에 도시되고 개시된 상기 LED 패키지(31)의 예시를 위해, 인가된 로드는 상기 연결 리드 피트(36)로 10 메가파스칼(MPa) 및 100 메가파스칼 사이의 압력, 그리고 상기 LED 패키지(31)로 1 메가파스칼 및 9 메가파스칼 사이의 압력을 가한다(상기 중앙 슬러그(32)로 로드를 인가하기 위해). 상기 인가된 압력이 너무 낮으면, 상기 반응성 다층 포일(41)의 발열 반응으로부터의 접합 결과는 약할 수 있다. 상기 인가된 압력이 너무 높으면, 상기 인쇄 회로 기판(56), 연결 리드(34) 또는 LED 패키지(31)는 손상 받을 수 있고, 용융된 접합 물질은 상기 반응성 다층 포일(51)의 발열 반응 동안 상기 접합 영역으로부터 밀려 나갈 수 있다.
도 5에 도시된 것과 같이, 연결 리드 피트(36)의 인접 접촉 표면 및 상기 패드(55a) 사이와 같은 형성된 접합 결과는 전형적으로 니켈 알루미늄 합금을 포함하는 반응성 다층 포일(51)의 남은 부분(51r)을 통합한다. 발열 반응 동안, 상기 반응성 다층 포일(51)은 더 작은 조각을 형성하도록 그것의 두께를 가로질러 크랙을 만들고 주석 또는 다른 가융성 물질과 같은 접합 물질 및 표면 층(54)은 도 4에 개략적으로 도시된 두드러진 마이크로 구조를 일으키도록 그들을 채우기 위해 크랙을 통해 흐른다.
상기 지지 기판(52) 또는 인쇄 회로 기판(PCB)은 한정하는 것은 아니지만 섬유 유리, FR4, 폴리부타디엔 또는 PTFE를 포함하는 또 다른 다양한 인쇄 회로 기판일 수 있다. 상기 지지 기판은 유전 다층 및 구리 패드를 포함할 수 있다. 대체적으로, 상기 전자 장치 또는 LED 패키지(31)는 메탈 열 싱크 또는 플렉스 회로 물질로 접합될 수 있다.
당업자라면 상기 전자 장치 또는 LED 패키지 연결 리드(34)는 한정하는 것은 아니지만 도 6a에 도시된 걸윙(gull-wing) 리드, 도 6b에 도시된 것과 같은 납이 없는 구성, J-리드 또는 플랫 리드를 포함하는 어떠한 다양한 형태일 수 있다. 상기 전자 장치 또는 LED 패키지(31)의 연결을 위한 볼 그리드 어레이는 또한 본 발명의 방법을 사용하여 접합될 수 있다. 바람직하게는, 상기 표면의 큰 마찰력 또는 각각의 연결 리드 피트(36)의 접촉 영역은 강한 접합을 생성하기 위해 상기 반응성 다층 포일(51)과 접하는 큰 영역을 제공하도록 도 4에 도시된 바와 같이 상기 지지 기판(52) 상의 해당 연결 패드(55)와 평행하다. 유리하게, 상기 영역은 상기 연결 리드 피트(36)의 영역의 50% 보다 더 크도록 선택된다.
상기 접합 공정 동안, 상기 전자 장치(31) 및 연결 리드(34)로의 로드는 바람직하게는 상기 반응성 다층 포일(51)의 세그먼트에서 발열 반응의 개시 동안 및 그 후에 초기 로드의 적어도 80% 선을 유지하도록 구성된 스프링, 탄성중합체 또는 폼과 같은 순응 물질과 함께 인가된다. 상기 순응 물질은 유리하게는 상기 반응성 다층 포일(51), 접합 물질 및 표면 층(54)의 두께의 어떠한 증가 또는 감소에 응답하는 반면, 상기 물질은 상기 접합 공정 동안을 통틀어 충분한 접점이 유지되는 것을 보장하기 위해 용융된다.
본 발명의 관련 실시예에서, 상기 전자 장치 또는 LED 패키지(31)와 상기 지지 기판(52) 사이의 접합의 단지 일부분은 반응성 다층 포일(51)의 세그먼트의 발열 반응을 사용하여 형성되고, 남은 접합은 어떠한 종래의 접합 공정을 사용하여 형성된다. 예를 들어, 상기 중앙 슬러그(32)는 반응성 다층 연결에 의해 접합될 수 있고 상기 전자 장치(31)의 잠재적 열에 민감한 부품들로부터 대체될 수 있는 상기 연결 리드 피트(36)는 레이저 솔더링(laser soldering), 갭 웰딩(gap welding) 또는 핫 바(열극) 솔더링과 같은 또 다른 공지의 방법에 의해 접합될 수 있다. 유사한 실시예에서, 상기 연결 리드 피트(36)는 반응성 다층 연결에 의해 접합될 수 있는 반면, 상기 중앙 슬러그(32)는 열적 전도 에폭시와 같은 공지의 또 다른 방법에 의해 접합된다.
관련 실시예에서, 상기 패드(55), 상기 연결 리드(34) 또는 상기 중앙 슬러그(32)와 같은 접점 중 하나는 4 마이크로미터 내지 30 마이크로미터의 주석 합금으로 코팅되지 않지만, 대신에 금, 은 또는 팔라듐과 같은 습윤 표면 층이 준비된다. 본 실시예를 위해, 주석 기반의 땜납 합금과 같은 가융성 접합 물질은 유리하게 마그네트론 스퍼터링, 웜 클래딩(warm cladding), 전기 도금 또는 다른 공지의 방법에 의해 반응성 다층 포일(51)의 조각들과 결합된다. 바람직하게는, 가융성 접합 물질의 층은 반응성 다층 포일(51) 한 조각의 하나 또는 둘 다의 주요 표면에 부착된다. 대체적으로, 상기 가융성 접합 물질은 독립 예비 형성의 형태일 수 있다. 가융성 접합 물질은 상기 반응성 다층 포일(51)의 하나 또는 양쪽 면에 배치될 수 있다. 상기 가융성 접합 물질은 상기 습윤 표면 층과 인접하여 위치되고 상기 접합 공정은 상술된 것과 같이 상기 반응성 다층 포일(51)의 발열 반응에 의해 수행된다. 질 좋은 접착 및 강도를 위해, 상기 연결 리드(34), 중앙 슬러그(32) 및 구리 패드(55)의 표면 상의 어떠한 접합 물질 층을 포함하는 접합에서의 가융성 접합 물질의 총 두께는 적어도 6 마이크로미터여야 한다. 더 많은 가융성 접합 물질은 거칠거나 평탄하지 않은 표면을 제공할 수 있고 신뢰성을 개선할 수 있다. 가융성 접합 물질 두께의 실질적인 상한은 상기 반응성 다층 포일(51)의 발열 반응에 의해 제공되는 열의 양에 의해 결정되거나 (너무 적은 열은 상기 가융성 접합 물질을 녹이지 못하고 상기 접합을 형성하지 못할 것이기 때문이다.), 또는 상기 접합 영역(가융성 접합 물질 두께의 증가에 따라 증가되는)으로부터 상기 가융성 접합 물질의 탈출에 의해 결정된다. 이러한 탈출은 그것이 회로를 쇼트시키거나 상기 LED 장치 또는 지지 기판으로 손상을 주기 때문에 바람직하지 않다. 그러므로, 상기 가융성 접합 물질의 두께는 100 마이크로미터 이하, 바람직하게는 50 마이크로미터 이하로 유지되어야 한다.
반응성 다층 포일과 결합을 위해 적절한 가융성 접합 물질은 한정하는 것은 아니지만 주석의 순수 금속 및 합금, 인듐, 은, 금 및 납을 포함한다. 관련된 실시예에서, 상기 가융성 접합 물질은 세라믹 기판 또는 인쇄 회로 기판이 고온 적용을 위해 상술된 메탈 코어 PCB(MCPCB)의 위치에서 사용될 때 이점이 있는 Georo® 또는 Incusil® 같은 더 높은 용융점을 갖는 합금일 수 있다.
또 다른 관련된 실시예에서, 상기 패드(55), 상기 리드(34), 상기 중앙 슬러그(32) 또는 어떠한 결합은 주석 합금 또는 다른 가융성 접합 물질로 코팅될 수 있고 가융성 접합 물질은 또한 상기 접합 공정 전에 반응성 다층 포일(51)의 조각들의 표면에 제공될 수 있다. 상기 반응성 다층 포일(51)로 주석 또는 땜납 층을 부가하는 것은 그러한 층이 없을 때보다 더 낮은 압력으로 더 좋은 접합이 이뤄지도록 한다.
도 7에 도시된 또 다른 실시예에서, 상기 LED 장치(31)는 구리 슬러그(32)와 함께 세라믹 또는 폴리머 패키지로 감싸지지 않지만, 대신에 실리콘 또는 또 다른 반도체 물질을 포함하는 베어 다이(bare die, 71)의 형태이다. 접합된 상기 접촉 영역(72)은 니켈 및 금으로 도금되고, 상기 실리콘은 상기 LED 베어 다이(71)와 접하는 면 상에 가융성 물질 층(75)을 포함하는 반응성 다층 포일(74)의 조각들을 사용하여 본 발명의 반응성 다층 연결 공정을 통해 인쇄 회로 기판 또는 지지 기판(73)으로 접합된다. 상기 지지 기판(73)이 상기 접합 접촉 영역에 적절한 가융성 접합 물질을 구비하지 못하면, 상기 반응성 다층 포일(74)은 또한 상기 지지 기판(73)과 마주하는 면에 가융성 접합 물질의 제 2 층(76)을 포함할 수 있을 것이다.
또 다른 실시예에서, 상기 LED 패키지(31)는 다수의 LED 다이를 포함한다. 각각의 LED 다이(71)는 자신의 구리 슬러그(32) 및 연결 리드(34)를 구비할 수도 있고 구비하지 않을 수도 있다.
상기 다음의 예는 본 발명의 방법을 활용하여 지지 기판으로 전자 장치를 접합하기 위한 예시 결과를 기술한다. 이러한 예시는 설명하기 위한 의도일 뿐이며, 어떤 방식으로든 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것이 아님을 알아야 할 것이다.
제 1 예시에서, LED 패키지(31)(렌즈(35)가 없는) 및 MCPCB (52)는 도 4에 도시된 본 발명의 방법에 의해 접합되었다. 상기 연결 리드(34) 및 중앙 슬러그(32)는 각각 5 마이크로미터의 주석 층으로 전기 도금 되었고 상기 구리 패드(55)는 핫 에어 솔더 레벨링을 통해 5 마이크로미터 내지 7 마이크로미터의 주석으로 유사하게 코팅된다. 도 6a에 도시된 바와 같이 들어간 상기 연결 리드(34)는 걸윙 구성에 있다. 상기 리드(34)와 패드(55a) 사이의 접점을 개선하기 위해, 몇몇의 리드(34)는 도 1과 유사하게 상기 LED 패키지(31)의 기저부와 동일 평면 또는 ±2˚도의 수평으로 상기 피트(36)를 가져오기 위해 공지의 방법에 의해 조절되었다. 각각의 외부 표면에 1 마이크로미터 두께의 Incusil® 놋쇠 합금 접합 물질 층과 함께 니켈 및 알루미늄을 포함하고 대략 총 40 마이크로 미터의 두께를 갖는 반응성 다층 포일(51)의 세그먼트는 상기 연결 리드(34), 중앙 슬러그(32) 및 패드(55) 사이의 접합을 이루는데 사용된다. 상기 중앙 슬러그(32)는 4 밀리미터의 직경을 갖고 상기 구리 패드(55b)는 4.3 밀리미터의 직경을 갖는다. 상기 연결 리드 피트(36)는 조절된 후 각각 대략 2 밀리미터 * 2 밀리미터이고, 상기 연관 패드(55a)는 3 밀리미터 * 3 밀리미터이다. 하나의 패키지에 대해, 각각 2 밀리미터 * 2 밀리미터의 차원을 갖는 분리된 반응성 다층 포일 조각(51a)은 상기 패드(55a)와 연결 리드 피트(36) 사이에 위치되는 반면, 4밀리미터 직경의 반응성 다층 포일 디스크(51b)는 패드(55b)와 중앙 슬러그(32) 사이에 위치된다. 로딩 압력은 스프링 플런저를 통해 상기 LED 패키지(31)의 상부 표면으로 인가되고 상기 반응성 다층 포일 디스크(51b)는 발열 반응을 개시하도록 점화된다. 로딩 압력은 그 후 스프링 플런저를 통해 하나의 연결 리드(34)로 인가되고 상기 반응성 다층 포일 조각(51a)은 점화된다. 마찬가지로, 로딩 압력은 그 후 스프링 플런저를 통해 다른 연결 리드(34)로 인가되고 상기 다른 반응성 다층 포일 조각(51a)은 점화된다. 상기 각각의 반응성 다층 포일 조각의 발열 반응은 상기 주변 접합 물질을 녹이기 위해 충분한 열에너지를 생성했고, 그 뒤에 상기 각각의 접점 사이에서 의도하는 접합을 형성하기 위해 경화되었다.
유사한 접합이 이루어졌는데, 단지 구리 슬러그(32)가 패드(55b)로 접합되었고 상기 전단 강도가 테스트 되었다. 아래의 표 1은 압력의 영향 및 반응성 다층 포일 두께에 따른 접합 강도를 보여준다.
Figure pct00001
유사한 중앙 슬러그 접합은 상기 연결 패드(55b) 상에 담금 주석 공정을 통해 1 마이크로미터의 주석 층으로 코팅된 MCPCB를 사용하여 이루어졌다. 아래의 표 2는 오직 1 마이크로미터의 주석이 상기 연결 패드(55b) 상에 있을 때 접합 강도의 압력의 영향을 보여준다. 각각의 측면에 1 마이크로미터의 Incusil과 전기 도금을 통해 인가된 각각의 측면에 1 마이크로미터의 Incusil과 4 마이크로미터의 순수한 주석을 갖는 반응성 다층 포일 조각이 사용되었다. 4 밀리미터의 직경을 갖는 반응성 다층 포일 디스크는 이 테스트를 위해 사용되었다.
Figure pct00002

분리된 세트의 테스트에서, 상기 연결 리드(34)는 본 발명의 방법을 사용하여 패드(55a)로 접합되었고 전단 테스트 되었다. 상기 연결 리드(34)는 근본적으로 도 5a에 도시된 바와 같이 걸윙 구성에 있지만, 증가된 접점 영역을 제공하기 위해 상술한 바와 같이 조절되었다. 사용된 상기 반응성 다층 포일(51)은 상술한 바와 같이 각 측면에 1 마이크로미터의 Incusil 과 함께 40마이크로미터의 두께를 갖는다. 상기 전단 테스트 기하학 구조는 도 8에서 상기 LED 패키지(31)의 측면의 중앙으로 인가되고 두 개의 연결 리드 접합의 힘(62)에 의해 조율되는 로드(61)를 갖는 것으로 도시된다. 아래의 표 3은 세가지 조건 하에서 하나의 리드 접합에 대한 전단 강도를 보여준다: 첫째, 걸윙 형태로, 둘째, 조절된 구성으로, 셋째, 두 배의 연결 압력을 갖는 조절된 구성으로.
Figure pct00003
상기 표 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 접촉 표면 영역을 증가시키기 위해 연결 리드(34)를 조절하는 것은 상기 접합 영역이 상기 리드가 조절되었을 때는 더 커졌지만, 상기 리드가 조절되었을 때 전단 강도의 불확실성이 더 개선된 일관성 및 신뢰성을 나타내도록 떨어졌기 때문에 상기 평균 전단 강도가 아닌 평균 전단 파열 로드를 급격히 증가시켰다. 상기 제 2 케이스로부터 상기 제 3 케이스로의 두 배의 로드는 상기 전단 로드 또는 전단 강도에 있어서 거의 차이가 없었다.
이제 본 발명의 일 측면에서 인쇄 회로 기판과 같은 지지 기판(52)으로 발광 다이오드(LED) 패키지(31)와 같은 전자 장치를 접합하기 위한 개선된 방법이 제시된 것을 알 수 있다. 상기 방법은 적어도 두 개의 전기 연결 리드(34)를 포함하는 전자 장치 또는 LED 패키지(31) 및 상기 장치(31)로부터 상기 지지 기판(52)으로 열을 전달하기 위한 열 경로(예를 들어, 구리 슬러그)를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 장치 또는 LED 패키지(31)를 고정하고 그것으로부터 열을 추출하기 위한 상기 지지 기판(52)을 제공하는 단계를 또한 포함한다. 상기 지지 기판(52)은 바람직하게 열 싱크, 상기 패키지 연결 리드(34)로 전기적 연결을 위한 연결 패드(55a) 및 상기 열 경로로 상기 열 싱크를 열적으로 연결하기 위한 연결 패드(55b)를 포함한다. 상기 전자 장치 또는 LED 패키지(31)의 열 경로는 상기 열 경로 및 열 싱크 사이에 배치하는 공정에 의해 상기 열 싱크로 열적으로 연결되고, 반응성 다층 포일(51)을 구비하는 땜납 또는 놋쇠와 같은 하나 또는 그 이상의 접합 물질 층은 함께, 그 후의 상기 접합 물질을 녹이는 충분한 열 에너지를 생성하도록 상기 반응성 다층 포일(51)에서 발열 반응을 개시함으로써 상기 열 경로 및 상기 열 싱크와 연관된 연결 패드 사이의 접합을 형성한다. 유리하게, 상기 패키지 연결 리드(34)는 또한 반응성 다층 포일(41)의 끼인 조각의 발열 반응의 개시에 의해 용융된 땜납 또는 놋쇠와 같은 접합 물질의 층에 의해 상기 기판 패드(55a)로 전기적으로 연결된다. 상기 열 및 전기적 연결은 따라서 상기 전자 패키지의 큰 온도 증가 또는 상기 LED 반도체 전자 부품 또는 상기 전자 패키지(31) 또는 지지 기판(52)의 폴리머와 같은 다른 열 민감성 물질의 열적 손상을 없애는 효과를 거둘 것이다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 LED 패키지, 지지 기판 및 상기 LED 패키지와 상기 지지 기판 사이의 상호연결 접합 층을 포함하는 개선된 발광 다이오드(LED) 어셈블리를 제공한다. 상기 LED 패키지는 LED 부품, 상기 LED 부품으로의 적어도 두 개의 전기 리드 및 상기 LED로부터 상기 지지 기판의 열 싱크로 열의 연결을 위한 열 경로(예를 들어, 구리 슬러그)를 포함한다. 상기 LED 패키지를 지지하기 위한 기판은 열 싱크, 상기 패키지 리드를 전기적으로 연결하는 연결 패드 및 상기 열 싱크를 상기 열 경로와 열적으로 연결하는 패드를 포함한다. 각각의 전기 리드, 열 경로 및 지지 기판 상의 연관 패드 사이에 배치된 접합 층 각각은 땜납 또는 놋쇠 층 및 반응성 다층 포일의 조각의 발열 반응으로부터 생성된 반응 생성물을 포함한다.
요약하면, 일 실시예에서, 본 발명은 접합 영역에 배치된 적어도 하나의 연관 전기적 또는 열적 전도 접점을 구비하는 지지 기판으로 적어도 하나의 전기적 또는 열적 전도 접점을 구비하는 전자 패키지를 접합하기 위한 방법을 제시한다. 상기 방법은: 접합 물질 층과 함께 상기 각각의 접점을 코팅하는 단계; 상기 지지 기판의 상기 연관 접점 및 상기 전자 패키지 각각의 접점 사이에 반응성 다층 포일을 배치하는 단계; 상기 접합 영역의 상기 접점으로 압력을 인가하는 단계; 및 상기 반응성 다층 포일의 발열 반응을 개시하는 단계를 포함하고, 상기 발열 반응은 상기 전자 패키지 접점 및 상기 연관 기판 접점 사이에 상기 반응성 다층 포일의 남은 부분과 상기 접합 물질을 포함하는 접합의 형성을 일으킨다.
대체 실시예에서, 본 발명은 접합된 전자 어셈블리를 제시한다. 상기 어셈블리는: 제 1 접합 물질로 코팅된 적어도 하나의 전기적 또는 열적 전도 접점 리드를 구비하는 전자 패키지; 제 2 접합 물질로 코팅된 적어도 하나의 전기적 또는 열적 전도 접점을 포함하는 지지 기판 및 상기 제 1 및 제 2 접합 물질에 의해 상기 접점 리드 및 상기 접점 패드 사이에 형성된 적어도 하나의 접합 내에 배치된 반응성 다층 포일의 남은 부분을 포함한다.
대체 방법에서, 본 발명은 접합 영역에 배치된 접점을 수신하는 지지 기판으로 적어도 하나의 접점을 구비하는 온도 민감성 전자 패키지를 접합하는 방법을 제시한다. 상기 방법은: 상기 전자 패키지의 접점과 상기 지지 기판의 연관 접점 사이에 반응성 다층 포일을 배치하는 단계; 상기 접점을 통해 상기 반응성 다층 포일 층으로 조절된 압력을 인가하는 단계; 및 상기 반응 다층 포일에서 발열 반응을 개시하는 단계를 포함하고, 상기 발열 반응은 상기 연관 기판 수신 접점과 상기 전자 패키지 접점 사이에 상기 반응성 다층 포일의 남은 부분을 포함하는 접합의 형성을 일으킨다.
본 발명의 다양한 측면은 부분적으로 컴퓨터 구현 공정 형태 및 위 공정을 실행하기 위한 장치로 실시될 수 있음을 알 것이다. 한정하는 것은 아니지만, 상기 접합 공정 동안 다양의 접점 영역으로 컴퓨터로 조절된 압력의 적용을 포함할 수 있을 것이다. 본 발명은 또한 플로피 디스켓, 시디롬, 하드 드라이브 또는 컴퓨터가 판독 가능한 다른 저장 매체와 같은 유형 매체로 구현되는 지시를 포함하는 컴퓨터 프로그램 코드 형태의 일부로 구현될 수 있다. 컴퓨터, 마이크로 프로세서 또는 논리 회로와 같은 전자 장치로 상기 컴퓨터 프로그램 코드가 로딩되고 실행되면, 상기 장치는 본 발명을 실행하기 위한 장치가 된다.
본 발명은 또한, 예를 들어, 컴퓨터로 로딩되고 및/또는 컴퓨터에 의해 실행되는 저장 매체에 저장되었는지 여부 또는 전기 와이어 또는 케이블을 거치거나, 광섬유를 통하거나 또는 전자기 복사를 통하는 것과 같은 몇몇 전송 매체를 거쳐 전송되는지 여부와 같은 컴퓨터 프로그램 코드의 형태의 일부분으로 구현될 수 있다. 상기 컴퓨터 프로그램 코드가 컴퓨터로 로딩되고 컴퓨터에 의해 실행되면, 상기 컴퓨터는 본 발명을 실행하기 위한 장치가 된다. 다용도 마이크로 프로세서로 구현될 때, 상기 컴퓨터 프로그램 코드 세그먼트는 특정 논리 회로를 생성하는 상기 마이크로 프로세서를 구성한다.
본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다양한 변화가 이루어질 수 있기 때문에, 상세한 설명 또는 첨부된 도면에 포함된 모든 내용은 한정하는 것이 아니고, 예시적인 것으로 해석되어야 한다.

Claims (28)

  1. 접합 영역에 배치된 적어도 하나의 전기적 또는 열적 전도 접점을 구비하는 지지 기판으로 적어도 하나의 전기적 또는 열적 전도 접점을 구비하는 전자 패키지를 접합하는 방법으로서,
    접합 물질의 층을 각각의 상기 접점에 코팅하는 단계;
    상기 지지 기판의 상기 접점과 상기 전자 패키지의 각각의 상기 접점 사이에 반응성 다층 포일을 배치하는 단계;
    상기 접합 영역의 상기 접점으로 압력을 인가하는 단계; 및
    상기 반응성 다층 포일의 발열 반응을 개시하는 단계를 포함하고,
    상기 발열 반응은 상기 접합 물질 및 상기 전자 패키지 접점과 상기 기판 접점 사이에 상기 반응성 다층 포일의 남은 부분을 포함하는 접합을 형성하는 접합하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인가된 압력은 적어도 1 메가파스칼(MPa)인 접합하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 인가된 압력은, 1 메가파스칼과 9 메가파스칼 사이이고, 상기 기판 쪽으로 상기 전자 패키지를 가압하기(urge) 위해 인가되는 접합하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 인가된 압력은 10 메가파스칼 및 100 메가파스칼 사이이고, 상기 지지 구조의 상기 접점 쪽으로 상기 전자 패키지의 상기 전도 접점을 가압하기(urge) 위해 인가되는 접합하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 접합 물질 층은 주석 합금인 접합하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응성 다층 포일은 주석, 납, 인듐, 은, Georo® 또는 Incusil®로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속 또는 합금으로 코팅되는 접합하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 접합 물질 층은 금, 팔라듐, 인듐, Incusil® 또는 은을 포함하는 그룹으로부터 선택된 금속 또는 합금인 접합하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 접점들 사이에 배치된 상기 반응성 다층 포일 층은 상기 기판 접점을 둘러싸는 솔더 마스크에 의해 정의되는 상기 기판 접점의 영역보다 더 작은 영역을 구비하는 접합하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 패키지 접점의 적어도 하나는 걸윙("gull-wing"), J-리드(J-lead), 플랫 리드(flat lead), 리드리스("leadless") 및 볼 그리드 어레이(ball grid array)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 타입인 접합하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력은 스프링 또는 탄성중합체를 포함하는 외부 압력원에 의해 인가되는 접합하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 접합 물질 층은 4 마이크로미터 및 30 마이크로미터 사이의 두께를 갖는 접합하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응성 다층 포일은 100 마이크로미터보다 얇은 두께를 갖는 접합하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 반응성 다층 포일은 50 마이크로미터보다 얇은 두께를 갖는 접합하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 접합 물질 층은 1 마이크로미터 및 30 마이크로미터 사이의 두께를 갖는 주석 층인 접합하는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 인가된 압력은 상기 접합 영역의 상기 접점 영역의 크기 및 상기 접합 결과의 원하는 전단 강도에 따라 선택되는 접합하는 방법.
  16. 제 1 접합 물질로 코팅된 적어도 하나의 전기적 또는 열적 전도 접점 리드를 구비하는 전자 패키지;
    제 2 접합 물질로 코팅된 적어도 하나의 전기적 또는 열적 전도 접점 패드를 포함하는 지지 기판; 및
    상기 제 1 및 제 2 접합 물질에 의해 상기 접점 리드 및 상기 접점 패드 사이에 형성된 적어도 하나의 접합 내에 배치되는 반응성 다층 포일의 남은 부분을 포함하는 접합된 전자 어셈블리.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 접합 물질은 주석 또는 주석 합금인 접합된 전자 어셈블리.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 접합 물질 중 적어도 하나는 금, 은, 팔라듐, Georo®, Incusil® 또는 인듐 합금 중 하나로부터 선택된 접합된 전자 어셈블리.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 전자 패키지는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하는 접합된 전자 어셈블리.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 전자 패키지는 적어도 하나의 광전지 장치를 포함하는 접합된 전자 어셈블리.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 지지 기판은 메탈 코어 인쇄 회로 기판, 열 싱크, 폴리머 기반 인쇄 회로 기판 및 플렉스 회로 물질로 구성된 그룹으로부터 선택된 접합된 전자 어셈블리.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 전자 패키지의 타입은 플립 칩(flip chip), 칩 온 보드(chip on board), 베어 칩(bare chip), 칩 스케일 패키지(chip scale package), 패키지 온 패키지(package on package), 볼 그리드 어레이(ball grid array), 파인 피치 노 리드(fine-pitch no-lead), 리드리스 칩 캐리어(leadless chip carrier), 쿼드 플랫 팩(quad flat pack), 플라스틱 리드 칩 캐리어(plastic leaded chip carrier), 플랫 리드(flat lead), 스몰 아우트라인 패키지(small outline package), DPAKs 및 D2PAKs로 구성된 그룹으로부터 선택된 접합된 전자 어셈블리.
  23. 제 16 항에 있어서,
    상기 전자 패키지 접점의 적어도 하나는 걸윙("gull-wing"), J-리드(J-lead), 플랫 리드(flat lead), 리드리스("leadless") 및 볼 그리드 어레이(ball grid array)로부터 선택된 타입인 접합된 전자 어셈블리.
  24. 제 16 항에 있어서,
    상기 전자 패키지는 하나 또는 그 이상의 온도 민감성 부품을 포함하는 접합된 전자 어셈블리.
  25. 접합 영역에 배치된 지지 기판 수신 접점으로의 적어도 하나의 접점을 구비하는 온도 민감성 전자 패키지를 접합하는 방법으로서,
    상기 전자 패키지의 상기 접점 및 상기 지지 기판의 상기 연관 수신 접점 사이에 반응성 다층 포일을 배치하는 단계;
    상기 접점을 통해 상기 반응성 다층 포일 층으로 조절된 압력을 인가하는 단계;
    상기 반응성 다층 포일의 발열 반응을 개시하는 단계를 포함하고,
    상기 발열 반응은 상기 전자 패키지의 접점 및 상기 연관 기판 수신 접점 사이에 상기 반응성 다층 포일의 남은 부분을 포함하는 접합을 형성하는 접합하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 압력을 인가하는 단계는 상기 발열 반응 및 접합 형성 동안 상기 인가되는 압력을 유지하는 접합하는 방법.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 발열 반응은 상기 접점 및 상기 수신 접점 사이에 배치된 하나 또는 그 이상의 접합 층을 흐르고 온도를 상승시키기에 충분한 열 에너지를 생성하고, 상기 하나 또는 그 이상의 접합 층은 그 뒤 상기 접합의 형성 동안 경화되는 접합하는 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 온도 상승은 실질적으로 상기 접합 영역에 한정되는 접합하는 방법.
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