JP5471190B2 - 半導体素子、半導体モジュール及びそれらの製造方法 - Google Patents
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- 半導体基板の主面である第1の主面側に電極が形成され、前記第1の主面に対向する前記半導体基板の主面である第2の主面に不純物が注入されて不純物層が形成された半導体素子と、及び電気伝導部材により前記半導体素子と電気的に接続されたモジュール部材と、を備えた半導体モジュールであって、
前記半導体素子は、
前記第2の主面側に形成され、金属層の積層体からなり、外部エネルギーが印加されることにより前記不純物層内の前記不純物の活性化に寄与するとともに、前記電気伝導部材の相転移に寄与する反応熱を発生する反応熱発生材を有し、
前記反応熱発生材は電極として機能するとともに、前記反応熱発生材と前記モジュール部材の一方の主面側とが前記電気伝導部材により電気的に接続されていること、を特徴とする半導体モジュール。 - 互いに対向する第1の主面及び第2の主面を有する半導体基板と、前記第2の主面に不純物が注入されて形成された不純物層とを備える半導体素子を電気伝導部材によりモジュール部材に実装した半導体モジュールの製造方法であって、
前記不純物層が形成された前記第2の主面側に、金属層の積層体からなり外部エネルギーの印加により反応熱を発生する反応熱発生材を形成する反応熱発生材形成工程と、
前記反応熱発生材が形成された前記半導体素子の前記第2の主面と前記モジュール部材との間に前記電気伝導部材を介在させて載置する載置工程と、
外部エネルギーを前記反応熱発生材に印加し、前記反応熱発生材から反応熱を発生させて前記不純物層の前記不純物を活性化させるとともに、前記電気伝導部材を相転移させて前記半導体素子及び前記モジュール部材を電気的に接続する実装工程と、を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
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